JP4479882B2 - 砲弾型発光半導体装置 - Google Patents
砲弾型発光半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4479882B2 JP4479882B2 JP2003390406A JP2003390406A JP4479882B2 JP 4479882 B2 JP4479882 B2 JP 4479882B2 JP 2003390406 A JP2003390406 A JP 2003390406A JP 2003390406 A JP2003390406 A JP 2003390406A JP 4479882 B2 JP4479882 B2 JP 4479882B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epoxy resin
- group
- type epoxy
- sio
- silicone
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 37
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 78
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 54
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 54
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 claims description 40
- -1 isocyanurate compound Chemical class 0.000 claims description 34
- 239000000047 product Substances 0.000 claims description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 28
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 claims description 24
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 18
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 18
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 18
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 17
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 17
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 16
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 15
- 229920006136 organohydrogenpolysiloxane Polymers 0.000 claims description 15
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical group [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims description 14
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims description 13
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 11
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 8
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 claims description 7
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical compound C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 claims description 4
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 claims description 3
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 claims description 3
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 claims description 3
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000007859 condensation product Substances 0.000 claims description 2
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 claims description 2
- 150000001896 cresols Chemical class 0.000 claims 1
- 239000011353 cycloaliphatic epoxy resin Substances 0.000 claims 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 claims 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 20
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 16
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 15
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 6
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 5
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 5
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 5
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 4
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920001843 polymethylhydrosiloxane Polymers 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 3
- CSJKPFQJIDMSGF-UHFFFAOYSA-K aluminum;tribenzoate Chemical compound [Al+3].[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1.[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1.[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1 CSJKPFQJIDMSGF-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 125000000555 isopropenyl group Chemical group [H]\C([H])=C(\*)C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 125000004368 propenyl group Chemical group C(=CC)* 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- CCDWGDHTPAJHOA-UHFFFAOYSA-N benzylsilicon Chemical compound [Si]CC1=CC=CC=C1 CCDWGDHTPAJHOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 125000004369 butenyl group Chemical group C(=CCC)* 0.000 description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 2
- 125000000596 cyclohexenyl group Chemical group C1(=CCCCC1)* 0.000 description 2
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 125000005388 dimethylhydrogensiloxy group Chemical group 0.000 description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical group [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 2
- 125000006038 hexenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920001921 poly-methyl-phenyl-siloxane Polymers 0.000 description 2
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000004447 silicone coating Substances 0.000 description 2
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 2
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 238000009864 tensile test Methods 0.000 description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- KWEKXPWNFQBJAY-UHFFFAOYSA-N (dimethyl-$l^{3}-silanyl)oxy-dimethylsilicon Chemical group C[Si](C)O[Si](C)C KWEKXPWNFQBJAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZJUBBHODHNQPW-UHFFFAOYSA-N 2,4,6,8-tetramethyl-1,3,5,7,2$l^{3},4$l^{3},6$l^{3},8$l^{3}-tetraoxatetrasilocane Chemical group C[Si]1O[Si](C)O[Si](C)O[Si](C)O1 WZJUBBHODHNQPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001731 2-cyanoethyl group Chemical group [H]C([H])(*)C([H])([H])C#N 0.000 description 1
- YIWUKEYIRIRTPP-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexan-1-ol Chemical compound CCCCC(CC)CO YIWUKEYIRIRTPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound C1=CNC(C=2C=CC=CC=2)=N1 ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MWSKJDNQKGCKPA-UHFFFAOYSA-N 6-methyl-3a,4,5,7a-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1CC(C)=CC2C(=O)OC(=O)C12 MWSKJDNQKGCKPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MXRIRQGCELJRSN-UHFFFAOYSA-N O.O.O.[Al] Chemical compound O.O.O.[Al] MXRIRQGCELJRSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 1
- 235000002597 Solanum melongena Nutrition 0.000 description 1
- 244000061458 Solanum melongena Species 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013006 addition curing Methods 0.000 description 1
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical group 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VRAIHTAYLFXSJJ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical compound [AlH3].[AlH3] VRAIHTAYLFXSJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOGRDCAXLAAR-UHFFFAOYSA-N aluminium isopropoxide Chemical compound [Al+3].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-] SMZOGRDCAXLAAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JPUHCPXFQIXLMW-UHFFFAOYSA-N aluminium triethoxide Chemical compound CCO[Al](OCC)OCC JPUHCPXFQIXLMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CEGOLXSVJUTHNZ-UHFFFAOYSA-K aluminium tristearate Chemical compound [Al+3].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O CEGOLXSVJUTHNZ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229920005601 base polymer Polymers 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005998 bromoethyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 125000004218 chloromethyl group Chemical group [H]C([H])(Cl)* 0.000 description 1
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical class Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- WCOATMADISNSBV-UHFFFAOYSA-K diacetyloxyalumanyl acetate Chemical compound [Al+3].CC([O-])=O.CC([O-])=O.CC([O-])=O WCOATMADISNSBV-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- IJKVHSBPTUYDLN-UHFFFAOYSA-N dihydroxy(oxo)silane Chemical compound O[Si](O)=O IJKVHSBPTUYDLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 1
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 1
- 238000006459 hydrosilylation reaction Methods 0.000 description 1
- NYMPGSQKHIOWIO-UHFFFAOYSA-N hydroxy(diphenyl)silicon Chemical class C=1C=CC=CC=1[Si](O)C1=CC=CC=C1 NYMPGSQKHIOWIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N isocyanuric acid Chemical class OC1=NC(O)=NC(O)=N1 ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001971 neopentyl group Chemical group [H]C([*])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001400 nonyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000004365 octenyl group Chemical group C(=CCCCCCC)* 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 150000001282 organosilanes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 125000002255 pentenyl group Chemical group C(=CCCC)* 0.000 description 1
- 125000000286 phenylethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004344 phenylpropyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 1
- 239000002683 reaction inhibitor Substances 0.000 description 1
- 239000012763 reinforcing filler Substances 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 1
- 229920005573 silicon-containing polymer Polymers 0.000 description 1
- 125000004469 siloxy group Chemical group [SiH3]O* 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- 125000000725 trifluoropropyl group Chemical group [H]C([H])(*)C([H])([H])C(F)(F)F 0.000 description 1
- 125000005023 xylyl group Chemical group 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
(A’)ビニル基含有オルガノポリシロキサン、
(B)一分子中に2個以上のケイ素原子に結合する水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、
(C)白金族金属系触媒
を必須成分とする硬化性シリコーン樹脂組成物の透明硬化物で発光素子部分を封止し、リード部分を、CH 3 SiO 3/2 単位、C 6 H 5 SiO 3/2 単位及びC 6 H 5 (CH 3 )SiO単位を含み、シラノール基及び/又はアルコキシル基を含有するシリコーン化合物、エポキシ樹脂及びアルミニウム系触媒からなるエポキシ・シリコーン混成樹脂組成物の硬化物で封止することで、従来問題であったリード抜けやクラックが大幅に改善された砲弾型発光半導体装置を製造することが可能であることを見出したものである。なかでも、硬化性シリコーン樹脂組成物として、下記一般式(1)で表され、粘度が25℃で10〜1,000,000mPa・sであるオルガノポリシロキサンと、SiO2単位、R3 nR4 pSiO0.5単位及びR3 qR4 rSiO0.5単位からなるレジン構造のオルガノポリシロキサン(但し、上記式において、R3はビニル基又はアリル基、R4は脂肪族不飽和結合を含まない一価炭化水素基であり、nは2又は3、pは0又は1で、n+p=3、qは0又は1、rは2又は3で、q+r=3である。)の特定量とを併用することにより得られた付加反応硬化型シリコーンゴム組成物の硬化物が、表面タック性もなく、低弾性及び透明性を兼ね備え、接着性も良好で、発光半導体被覆保護材として効果的に用いられることを知見し、本発明をなすに至った。
(A’)下記一般式(1)で表され、粘度が25℃で10〜1,000,000mPa・sであるオルガノポリシロキサン、
(D)SiO2単位、R3 nR4 pSiO0.5単位及びR3 qR4 rSiO0.5単位からなるレジン構造のオルガノポリシロキサン(但し、上記式において、R3はビニル基又はアリル基、R4は脂肪族不飽和結合を含まない一価炭化水素基であり、nは2又は3、pは0又は1で、n+p=3、qは0又は1、rは2又は3で、q+r=3である。)、
(B)一分子中に2個以上のケイ素原子に結合する水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、
(C)白金族金属系触媒、
(E)下記一般式(3)
で表されるイソシアヌレート化合物及び/又はその加水分解縮合物
を含有してなり、前記(D)成分は、前記(A’)及び(D)成分の合計量に対して20〜70質量%の量で配合されているシリコーン発光半導体被覆保護材の透明硬化物で発光素子部分が封止され、リード部分が、CH 3 SiO 3/2 単位、C 6 H 5 SiO 3/2 単位及びC 6 H 5 (CH 3 )SiO単位を含み、シラノール基及び/又はアルコキシル基を含有するシリコーン化合物、エポキシ樹脂及び硬化触媒からなるエポキシ・シリコーン混成樹脂組成物の硬化物で封止された砲弾型発光半導体装置を提供する。
(A)成分のビニル基含有オルガノポリシロキサンは、下記一般式(1)で表される各末端にケイ素原子に結合したビニル基をそれぞれ少なくとも1個有し、25℃の粘度が10〜1,000,000mPa・s、特に100〜100,000mPa・sの基本的に直鎖状のオルガノポリシロキサンである。なお、この直鎖状オルガノポリシロキサンは少量の分岐状構造(三官能性シロキサン単位)を分子鎖中に含有するものであってもよい。また、上記粘度は、回転粘度計(BM型)による測定値である(以下、同様)。
(式中、R1は互いに同一又は異種の非置換又は置換一価炭化水素基、R2は互いに同一又は異種の脂肪族不飽和結合を有さない非置換又は置換一価炭化水素基であり、k,mは0又は正の整数であり、k+mがこのオルガノポリシロキサンの25℃の粘度を10〜1,000,000mPa・sとする数である。)
k,mは、一般的には5≦k+m≦10,000を満足する0又は正の整数であり、好ましくは10≦k+m≦2,000で、0<k/(k+m)≦0.2を満足する整数である。
(上記式において、tは8〜2,000の整数である。)
(上記式において、k,mは上述した通りである。)
本発明の組成物の構成成分であるレジン構造(即ち、三次元網状構造)のオルガノポリシロキサンは、SiO2単位、R3 nR4 pSiO0.5単位及びR3 qR4 rSiO0.5単位からなるレジン構造のオルガノポリシロキサン(但し、上記式において、R3はビニル基又はアリル基、R4は脂肪族不飽和結合を含まない一価炭化水素基であり、nは2又は3、pは0又は1で、n+p=3、qは0又は1、rは2又は3で、q+r=3である。)である。
なお、R4の一価炭化水素基としては、上記R2と同様の炭素数1〜10、特に1〜6のものが挙げられる。
(b+c)/a=0.3〜3、特に0.7〜1
c/a=0.01〜1、特に0.07〜0.15
であることが好ましく、またこの(D)成分のオルガノポリシロキサンは、GPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィ)によるポリスチレン換算の測定法による重量平均分子量が500〜100,000、特に1,000〜10,000の範囲であるものが好適である。
(B)成分のオルガノハイドロジェンポリシロキサンは架橋剤として作用するものであり、該成分中のSiH基と(A)及び(D)成分中のビニル基とが付加反応することにより硬化物を形成するものである。かかるオルガノハイドロジェンポリシロキサンは、一分子中にケイ素原子に結合した水素原子(即ち、SiH基)を2個以上有するものであればいずれのものでもよいが、特に下記平均組成式(2)
Ha(R5)bSiO(4-a-b)/2 (2)
(式中、R5は脂肪族不飽和結合を含有しない同一又は異種の非置換又は置換の一価炭化水素基であり、a及びbは、0.001≦a<2、0.7≦b≦2、かつ0.8≦a+b≦3を満たす数である。)
で表され、一分子中にケイ素原子に結合した水素原子(SiH基)を少なくとも2個、好ましくは3個以上有するものが挙げられる。
この触媒成分は、本発明の組成物の付加硬化反応を生じさせるために配合されるものであり、白金系、パラジウム系、ロジウム系のものがあるが、コスト等の見地から白金、白金黒、塩化白金酸などの白金系のもの、例えば、H2PtCl6・mH2O,K2PtCl6,KHPtCl6・mH2O,K2PtCl4,K2PtCl4・mH2O,PtO2・mH2O(mは、正の整数)等や、これらと、オレフィン等の炭化水素、アルコール又はビニル基含有オルガノポリシロキサンとの錯体等を例示することができ、これらは単独でも、2種以上の組み合わせでも使用することができる。これらの触媒成分の配合量は、所謂触媒量でよく、通常、前記(A)、(B)、(D)成分の合計量に対して白金族金属換算(質量)で0.1〜1,000ppm、好ましくは0.5〜200ppmの範囲で使用される。
本発明の被覆保護材には、これを硬化して得られる硬化物の接着性を向上させるため、ケイ素原子結合アルコキシ基を有するオルガノシラン、オルガノポリシロキサン等の有機ケイ素化合物などの接着助剤を添加配合する。
(F)CH 3 SiO 3/2 単位、C 6 H 5 SiO 3/2 単位及びC 6 H 5 (CH 3 )SiO単位を含み、分子あたり少なくとも一つのケイ素原子結合水酸基(シラノール基)及び/又はケイ素原子結合アルコキシ基を有するシリコーン化合物、
(G)分子あたり平均一つ以上のエポキシ基を含有する化合物(エポキシ樹脂)、
(H)触媒量のアルミニウム化合物
を必須成分とする組成物である。
[評価方法]
シリコーン系ダイボンド材の調製
下記式(I)
で表されるメチルハイドロジェンポリシロキサン(粘度15mPa・s)2.5部、塩化白金酸2−エチルヘキシルアルコール変性溶液(Pt濃度2質量%)0.03部、エチニルシクロヘキシルアルコール0.05部、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン7部及び平均粒径9μmの球状アルミナ微粉末400部を均一混合してシリコーンダイボンド材を調製した。
下記式
で示されるポリシロキサン(VF)50部に、SiO2単位50モル%、(CH3)3SiO0.5単位42.5モル%及びVi3SiO0.5単位7.5モル%からなるレジン構造のビニルメチルシロキサン(VMQ)50部、下記式
で示されるオルガノハイドロジェンポリシロキサン8部、
で示されるオルガノハイドロジェンポリシロキサン5部、
で示される接着助剤0.3部、及び、塩化白金酸のオクチルアルコール変性溶液0.05部を加え、よく撹拌し、シリコーン封止樹脂組成物Aを調製した。160℃、30分で硬化した(以下、同様)硬化物は無色透明であった。
VFとして下記式
を使用した以外は上記組成物Aと同じ組成にてシリコーン封止樹脂組成物Bを調製した。硬化物は無色透明であった。
実施例1において使用したポリシロキサン(VF)70部、VMQレジンとしてSiO2単位50モル%、(CH3)3SiO0.5単位42.5モル%及びVi2MeSiO0.5単位7.5モル%からなるレジン構造のビニルメチルシロキサン(VMQ)30部、下記式
で示されるオルガノハイドロジェンポリシロキサン10部を使用した以外は、上記組成物Aと同様にしてシリコーン封止樹脂組成物Cを調製した。硬化物は無色透明であった。
下記式
で示されるポリシロキサン50部に、SiO2単位50モル%、(CH3)3SiO0.5単位40モル%及びVi3SiO0.5単位10モル%からなるレジン構造のビニルメチルシロキサン(VMQ)50部、下記式
で示されるオルガノハイドロジェンポリシロキサン3部、
で示されるオルガノハイドロジェンポリシロキサン5部、
で示される接着助剤0.2部、及び、塩化白金酸のオクチルアルコール変性溶液0.05部を加え、よく撹拌し、シリコーン封止樹脂組成物Dを調製した。硬化物は無色透明であった。
エポキシ樹脂として透明なビスフェノールA型エポキシ樹脂(EP828:ジャパンエポキシ(株)製)100部、フェニルメチルシリコーン樹脂(CH3SiO3/2単位、C6H5SiO3/2単位及びC6H5(CH3)SiO単位を含み5質量%の水酸基を含有する)100部、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(KBM403:信越化学工業(株)製)2部を100℃に加熱しながら混合することで液状の組成物を作製した。これにアルミニウムベンゾエートを1.5部加え、室温で混合することで透明な硬化性エポキシ・シリコーン混成樹脂組成物Aを得た。硬化物は無色透明であった。
エポキシ樹脂として透明な水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂(YX8000:ジャパンエポキシ(株)製)100部、フェニルメチルシリコーン樹脂(CH3SiO3/2単位、C6H5SiO3/2単位及びC6H5(CH3)SiO単位を含み5質量%の水酸基を含有する)100部、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(KBM403:信越化学工業(株)製)2部を100℃に加熱しながら混合することで液状の組成物を作製した。これにアルミニウムベンゾエートを1.5部加え、室温で混合することで透明な硬化性エポキシ・シリコーン混成樹脂組成物Bを得た。硬化物は無色透明であった。
[エポキシ樹脂組成物C]
エポキシ樹脂として透明なビスフェノールF型エポキシ樹脂(EP828:ジャパンエポキシ(株)製)100部、酸無水物としてメチルテトラヒドロ無水フタル酸(MH700:新日本理化(株)製)100部、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(KBM403:信越化学工業(株)製)2部及び硬化触媒として2−フェニルイミダゾール1.5部を室温で混合することで液状の組成物を作製した。硬化物は無色透明であった。
発光素子として、InGaNからなる発光層を有し、主発光ピークが470nmのLEDチップを用いて、図1に示すような発光半導体装置を作製した。発光素子1をリード電極3にシリコーン系ダイボンド材2を用い、180℃で10分間加熱して固定した。発光素子1とリード電極3,4を金線5にて接続させた後、発光素子を搭載したリードフレームを図2(a)に示すような円筒状のケース8に設置した後、図2(b)に示すように上部から所定の高さになるまでシリコーン樹脂組成物Aをポッティングし、150℃で30分間硬化させた。その後、図2(c)に示すようにエポキシ・シリコーン混成樹脂組成物Aを更にポッティングして、180℃で1時間硬化させることで、半導体素子を作製した。
この発光半導体装置を下記方法により低温側−40℃、高温側120℃の熱衝撃試験を1,000サイクル行って外観のクラック及びシリコーン樹脂とエポキシ・シリコーン混成樹脂界面の剥離が発生した数を観察した結果、全く不良は発生しなかった。また、半導体装置表面に対する埃の付着は全く起こらなかった。更に、外部リード端子を図1で示される方向に強く引っ張った結果では全く封止材料にクラックやリード抜けは発生しなかった。
作製した発光半導体装置(n=10)を、低温側−40℃、高温側120℃の熱衝撃試験を1,000サイクル行って外観のクラック及びシリコーン樹脂とエポキシ・シリコーン混成樹脂界面の剥離が発生した数を観察した。
表面埃付着性
作製した発光半導体装置に微粉末シリカをふりかけ表面に付着させた後、エアーを吹きかけることで半導体装置表面に付着した微粉末シリカを除去できるかどうか確認した。
リード引っ張り試験
作製した発光半導体装置のリードを図1に示す方向に強く手で引っ張ることで封止部にクラックやリード抜けが発生するかどうか確認した。
下記表1に示されるシリコーン封止樹脂組成物及びエポキシ・シリコーン混成樹脂組成物を用い、実施例1と同じ条件で発光半導体装置を作製し、各種特製を評価した。
2 ダイボンド材
3,4 リード電極
5 金線
6 シリコーン被覆保護材の硬化物
7 エポキシ・シリコーン混成樹脂組成物の硬化物
Claims (2)
- (A’)下記一般式(1)で表され、粘度が25℃で10〜1,000,000mPa・sであるオルガノポリシロキサン、
(D)SiO2単位、R3 nR4 pSiO0.5単位及びR3 qR4 rSiO0.5単位からなるレジン構造のオルガノポリシロキサン(但し、上記式において、R3はビニル基又はアリル基、R4は脂肪族不飽和結合を含まない一価炭化水素基であり、nは2又は3、pは0又は1で、n+p=3、qは0又は1、rは2又は3で、q+r=3である。)、
(B)一分子中に2個以上のケイ素原子に結合する水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、
(C)白金族金属系触媒、
(E)下記一般式(3)
で表されるイソシアヌレート化合物及び/又はその加水分解縮合物
を含有してなり、前記(D)成分は、前記(A’)及び(D)成分の合計量に対して20〜70質量%の量で配合されているシリコーン発光半導体被覆保護材の透明硬化物で発光素子部分が封止され、リード部分が、CH 3 SiO 3/2 単位、C 6 H 5 SiO 3/2 単位及びC 6 H 5 (CH 3 )SiO単位を含み、シラノール基及び/又はアルコキシル基を含有するシリコーン化合物、エポキシ樹脂及び硬化触媒からなるエポキシ・シリコーン混成樹脂組成物の硬化物で封止された砲弾型発光半導体装置。 - 上記エポキシ樹脂が、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールF型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、水添フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、水添クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、シクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、水添ビフェニル型エポキシ樹脂、多官能型エポキシ樹脂及び下記構造で示されるエポキシ樹脂
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003390406A JP4479882B2 (ja) | 2003-11-20 | 2003-11-20 | 砲弾型発光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003390406A JP4479882B2 (ja) | 2003-11-20 | 2003-11-20 | 砲弾型発光半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005158762A JP2005158762A (ja) | 2005-06-16 |
JP4479882B2 true JP4479882B2 (ja) | 2010-06-09 |
Family
ID=34717794
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003390406A Expired - Fee Related JP4479882B2 (ja) | 2003-11-20 | 2003-11-20 | 砲弾型発光半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4479882B2 (ja) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7314770B2 (en) * | 2004-11-18 | 2008-01-01 | 3M Innovative Properties Company | Method of making light emitting device with silicon-containing encapsulant |
JP5247979B2 (ja) * | 2005-06-01 | 2013-07-24 | モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 | 透明な硬化物を与えるポリオルガノシロキサン組成物 |
JP2007063538A (ja) * | 2005-08-03 | 2007-03-15 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 発光ダイオード用付加硬化型シリコーン樹脂組成物 |
JP4644129B2 (ja) * | 2006-01-17 | 2011-03-02 | 信越化学工業株式会社 | 硬化性シリコーンゴム組成物及びその硬化物 |
EP2027602A4 (en) * | 2006-05-23 | 2012-11-28 | Cree Inc | LIGHTING DEVICE AND METHOD OF MAKING |
JP4871646B2 (ja) * | 2006-05-26 | 2012-02-08 | 太陽ホールディングス株式会社 | フレキシブル基板用熱硬化型ソルダーレジスト組成物、フレキシブル基板およびフレキシブル基板の製造方法 |
JP4614978B2 (ja) | 2007-02-08 | 2011-01-19 | トヨタ自動車株式会社 | 高圧水素容器用シール材料及び高圧水素容器 |
JP4924113B2 (ja) * | 2007-03-08 | 2012-04-25 | 豊田合成株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
JP5177809B2 (ja) * | 2007-07-02 | 2013-04-10 | 日東化成株式会社 | 有機重合体用硬化触媒及びそれを含有する湿気硬化型組成物 |
JP5000566B2 (ja) * | 2008-03-27 | 2012-08-15 | 信越化学工業株式会社 | 硬化性シリコーンゴム組成物、およびそれを封止材料として用いた光半導体装置 |
JP5387498B2 (ja) * | 2010-05-07 | 2014-01-15 | 信越化学工業株式会社 | 剥離フィルム用シリコーン組成物 |
EP2918638B1 (en) * | 2012-11-09 | 2017-09-06 | Sumitomo Seika Chemicals Co. Ltd. | Silicone resin composition, cured silicone resin, and sealed optical semiconductor element |
JP6141095B2 (ja) * | 2013-05-10 | 2017-06-07 | 信越化学工業株式会社 | シリコーンハイブリッド樹脂組成物及び光半導体装置 |
JP5716139B1 (ja) | 2013-08-19 | 2015-05-13 | 住友精化株式会社 | 付加硬化型シリコーン樹脂組成物、付加硬化型シリコーン樹脂硬化物、及び、光半導体素子封止体 |
US9963552B2 (en) | 2013-08-20 | 2018-05-08 | Sumitomo Seika Chemicals Co., Ltd. | Condensation-curable silicone resin composition, condensation-curable silicone resin cured product, and sealed optical semiconductor element |
JP2018503638A (ja) * | 2015-01-13 | 2018-02-08 | ヘンケル・アクチェンゲゼルシャフト・ウント・コムパニー・コマンディットゲゼルシャフト・アウフ・アクチェンHenkel AG & Co.KGaA | オルガノポリシロキサンプレポリマーおよびそれを含有する硬化性オルガノポリシロキサン組成物 |
CN104761872B (zh) * | 2015-04-09 | 2017-06-30 | 汕头市骏码凯撒有限公司 | 一种有机硅改性环氧树脂封装材料及其制备方法 |
JP6313722B2 (ja) * | 2015-04-15 | 2018-04-18 | 信越化学工業株式会社 | 付加硬化型シリコーン組成物および半導体装置 |
JP6307470B2 (ja) * | 2015-04-15 | 2018-04-04 | 信越化学工業株式会社 | 付加硬化型シリコーン組成物および半導体装置 |
JP6302866B2 (ja) * | 2015-04-15 | 2018-03-28 | 信越化学工業株式会社 | 付加硬化型シリコーン組成物および半導体装置 |
JP6958031B2 (ja) * | 2017-07-04 | 2021-11-02 | 信越化学工業株式会社 | シリコーンゲル組成物及びその硬化物並びにパワーモジュール |
-
2003
- 2003-11-20 JP JP2003390406A patent/JP4479882B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005158762A (ja) | 2005-06-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4300418B2 (ja) | エポキシ・シリコーン混成樹脂組成物及び発光半導体装置 | |
JP4586967B2 (ja) | 発光半導体被覆保護材及び発光半導体装置 | |
JP4479882B2 (ja) | 砲弾型発光半導体装置 | |
JP4803339B2 (ja) | エポキシ・シリコーン混成樹脂組成物及び発光半導体装置 | |
JP4614075B2 (ja) | エポキシ・シリコーン混成樹脂組成物及びその製造方法、並びに発光半導体装置 | |
KR101939408B1 (ko) | Led의 리플렉터용 열경화성 실리콘 수지 조성물, 및 이를 이용한 led용 리플렉터 및 광반도체 장치 | |
US6806509B2 (en) | Light-emitting semiconductor potting composition and light-emitting semiconductor device | |
JP5638714B2 (ja) | 発光素子封止用シリコーン組成物及び発光装置 | |
US7521813B2 (en) | Silicone rubber composition, light-emitting semiconductor embedding/protecting material and light-emitting semiconductor device | |
EP1878768B1 (en) | Curable silicone rubber compositions and cured product thereof | |
JP4636242B2 (ja) | 光半導体素子封止材及び光半導体素子 | |
KR101708505B1 (ko) | 실리콘 수지 조성물 및 이의 경화물 | |
JP4766222B2 (ja) | 発光半導体被覆保護材及び発光半導体装置 | |
JP4844732B2 (ja) | 発光半導体装置 | |
KR20190103457A (ko) | 경화성 오가노폴리실록산 조성물 및 반도체 장치 | |
JP4479883B2 (ja) | 発光半導体装置 | |
JP2007191697A (ja) | エポキシ・シリコーン混成樹脂組成物及び光半導体装置 | |
WO2019026754A1 (ja) | 硬化性シリコーン組成物、および光半導体装置 | |
JP2023132309A (ja) | 硬化性シリコーン組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051219 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081210 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090206 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100224 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130326 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4479882 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100309 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160326 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |