JP5000566B2 - 硬化性シリコーンゴム組成物、およびそれを封止材料として用いた光半導体装置 - Google Patents

硬化性シリコーンゴム組成物、およびそれを封止材料として用いた光半導体装置 Download PDF

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Description

本発明は、支持構造体上に搭載された光半導体チップの被覆ないし封止の材料として有用な付加硬化型の硬化性シリコーンゴム組成物に関し、特に半導体チップに直接に適量適用し、成形、硬化させて透明な被覆を形成するのに適した付加硬化型の硬化性シリコーンゴム組成物に関する。
LED発光装置用レンズは、射出成形等の機械成形よって大量に製造されている。従来はアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂等の熱可塑樹脂を用いて成形されていたが、LED発光装置の高出力化に伴い、熱可塑樹脂では耐熱性、耐変色性が不十分であるとの問題が出てきた。また、最近では鉛フリー半田が多く使用されるようになってきたが、鉛フリー半田は従来の半田に比べ溶融温度が高いため、通常260℃以上の高温で光学素子を基板に半田付けする。このような温度で半田付けを行った場合、従来の熱可塑性材料からなるレンズでは変形が起ったり、高温のため黄変する不具合が発生し使用することが出来なくなる。
このような状況からLED等のためのレンズ材料にシリコーン樹脂を使用する試みが数多くなされている。例えば、シリコーン樹脂を用いて射出成形等の成形方法で予め製造したレンズを、LEDチップを搭載したパッケージに装着する方法が提案されている(特許文献1)。しかし、この方法では接着樹脂とインナー樹脂とが必要になる上に作業も煩雑で容易でない。
支持構造体上に装着した光半導体チップ上で材料を成形、硬化させる方法として、オーバーモールド法が知られている(特許文献2参照)。この方法は、樹脂の透明性やチクソ性のコントロールが不十分であるという欠点を有する。
そこで、近年、支持構造体上に搭載されたLEDチップ上にシリコーン樹脂を直接適用し、レンズ状に成形する方法が提案されている(特許文献3)。しかし、使用されるシリコーン樹脂のチクソ性が劣るため、これを支持基板上のLEDチップにディスペンサーを用いて直接に適量を適用し、成形・硬化させようとしても流れてしまい、目的の形状を有する成形・硬化物が得られないという問題があった。また、シリコーン樹脂のチクソ性が不十分である結果、これを使用する製造装置も高価なものとならざるを得ないという問題もあった。
シリコーン樹脂にヒュームドシリカを添加すればチクソ性を付与できることは知られているが白濁が生じたり得られるチクソ性にロットごとにバラツキがあるため実用的でなかった。
特開2007−242246 特開2006−148147 特開2007−123891
そこで、本発明の課題は、支持構造体上に装着したLEDチップにディスペンサーを用いて直接に適量を適用し、成形・硬化させることにより透明性の高いレンズ形状の被覆ないし封止体を形成することができる硬化性シリコーンゴム組成物を提供することにある。
そこで、本発明者らは、オルガノポリシロキサン成分の構成、ヒュームドシリカの屈折率とそれ以外の成分全体の屈折率との関係などを検討することにより、硬化物の透明性と安定したチクソ性を両立したシリコーン樹脂組成物を見出し、上記の課題を解決することができた。
即ち、本発明は、具体的には、
(A)一分子中に2個以上の脂肪族不飽和結合を有し、本質的に直鎖状であるオルガノポリシロキサン、
(B)一分子中に2個以上の脂肪族不飽和結合を有し、樹脂構造を有するオルガノポリシロキサン、
(C)一分子中にケイ素原子結合水素原子を2個以上有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、
(D)白金族金属系触媒、
(E)(F)成分以外のチクソ性付与剤、および
(F)ヒュームドシリカ
を含有してなり、かつ(A)〜(E)成分からなる組成物の屈折率が1.42〜1.47であることを特徴とする硬化性シリコーンゴム組成物を提供する。
また、本発明は上記の組成物を硬化してなり、厚さ1mmの層状態で20℃における波長450nmの光の透過率が80%以上であるシリコーンゴム硬化物を提供する。
該硬化物は例えば光半導体装置に用いられる光半導体チップの封止材料として有用である。
そこで、本発明は、さらに、光半導体チップと、該光半導体チップを被覆する、上記組成物を硬化してなるシリコーンゴム硬化物とを有する光半導体装置を提供する。
本発明の組成物はチクソ性に優れているので、例えば、支持構造体上に装着された光半導体チップにディスペンサーを用いて適量の組成物を簡便に適用することができ、その後成形、硬化させることによりレンズ形状の被覆体を安定的に形成することができる。
−(A)脂肪族不飽和結合含有オルガノポリシロキサン−
本発明のベース成分である(A)成分は、一分子中に2個以上の脂肪族不飽和結合を有し、本質的に直鎖状であるオルガノポリシロキサンである。該オルガノポリシロキサンは粘度が作業性、硬化性などの点から、25℃で10〜1,000,000mPa・s、特に100〜100,000mPa・sであることが望ましい。
分子構造は本質的に直鎖状であり、好ましくは直鎖状である。「本質的に直鎖状である」とは、本成分中の両末端を封鎖するトリオルガノシロキシ基以外の全てのシロキサン単位が主に2官能単位(D単位)(具体的には、式:R1 SiOで表される単位)で構成されるが、全シロキサン単位の3モル%以下、好ましくは2モル%以下で分岐を形成する3官能単位(T単位)(具体的には、式:R1SiO3/2で表される単位)および4官能単位(Q単位)(具体的には、式:SiO4/2単位で表される単位)の少なくとも1種のシロキサン単位を含有してもよいことを意味する。好ましくは両末端のみが一官能性単位(M単位)(具体的には、式:R1 3SiO1/2で表される単位)で構成され、その他のシロキサン単位がすべてD単位からなる直鎖状のジオルガノポリシロキサンである。ここで、R1は置換もしくは非置換の一価炭化水素基である。
ここで、R1の一価炭化水素基としては、炭素原子数1〜10、特に1〜6のものが好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等のアルキル基;等のアルキル基;シクロヘキシル基;フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基等のアラルキル基、ビニル基、アリル基、プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、オクテニル基等のアルケニル基;シクロヘキセニル基;およびこれらの炭化水素基の水素原子の一部又は全部をフッ素、臭素、塩素等のハロゲン原子、シアノ基等で置換したもの、例えばクロロメチル基、クロロプロピル基、ブロモエチル基、トリフロロプロピル基等のハロゲン置換アルキル基やシアノエチル基等が挙げられる。
(A)成分のオルガノポリシロキサンは、一分子中に2個以上の脂肪族不飽和結合を有する。脂肪族不飽和結合としては、炭素原子数2〜8、特に2〜6のアルケニル基およびシクロアルケニル基が代表的であり、具体的には上述のビニル基、アリル基、プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基等のアルケニル基、シクロヘキセニル基等のシクロアルケニル基で例示される。中でも、好ましくはビニル基およびアリル基である。
(A)成分のオルガノポリシロキサンの好ましい具体例としては、下記一般式(1)で表される分子鎖両末端のケイ素原子のおのおのに少なくとも1個のアルケニル基を有する直鎖状オルガノポリシロキサンであって、上記でも述べた通り、25℃における粘度が10〜1,000,000mPa・sのものである。
Figure 0005000566
(式中、R1は前記の通り、独立に、非置換又は置換の一価炭化水素基、R2は互いに同一又は異種の脂肪族不飽和結合を有しない非置換又は置換一価炭化水素基であり、kおよびmは独立に0又は正の整数であってk+mがこのオルガノポリシロキサンの25℃の粘度を10〜1,000,000mPa・sとなる数である。)
また、R2の脂肪族不飽和結合を有しない一価炭化水素基としても、炭素原子数1〜10、特に1〜6のものが好ましく、上記R1の具体例と同様のものが例示できるが、但しアルケニル基およびシクロヘキセニル基は含まない。
kおよびmは、一般的には、0≦k≦2,000、1≦m≦10,000で、かつ、1≦k+m≦10,000を満足する0又は正の整数であり、好ましくは5≦k+m≦2,000で、0≦k/(k+m)≦0.2を満足する整数である。
一般式(1で表されるオルガノポリシロキサンとして具体的には、下記のものを例示することができる。
Figure 0005000566
Figure 0005000566
(上記式において、kおよびmは上述した通りである。)
(A)成分のオルガノポリシロキサンをさらに具体的な例は以下の通りである。
Figure 0005000566
−(B)樹脂構造を有するオルガノポリシロキサン−
本発明では、脂肪族不飽和結合を有するオルガノポリシロキサンとして、(A)成分の本質的に直鎖状であるオルガノポリシロキサンとともに、樹脂構造のオルガノポリシロキサンが(B)成分として使用される。
(B)成分の脂肪族不飽和基を有する樹脂構造のオルガノポリシロキサンは、予め三次元架橋され、三次元網状構造を有する。該オルガノポリシロキサン、R 3SiO1/2単位と、SiO2単位とからなるが、さらに場合によりR1SiO3/2単位およびR1 SiO単位の少なくとも一種を含んでもよい。即ち、基本的に、R 3SiO1/2単位とSiO2単位とからなるが、任意的にR1SiO3/2単位および/またはR1 SiO単位を発明の目的効果を損わない範囲で含有してよいものである。好ましくは、R 3SiO1/2単位とSiO2単位とからなる。ここで、R1は同じもしくは異なり、独立に、置換または非置換の、好ましくは炭素原子数1〜10の、一価炭化水素基であり、(A)成分に関して説明したとおりである。またこのオルガノポリシロキサンは、重量平均分子量が500〜10,000の範囲であるものが好適である。
(B)成分のオルガノポリシロキサンは「樹脂構造を有する」点で(A)成分の本質的に直鎖状であるオルガノポリシロキサンと相違する。本明細書において、(B)成分のオルガノポリシロキサンが「樹脂構造を有する」とは該オルガノポリシロキサン樹脂中の全シロキサン単位の5モル%以上、好ましくは10モル%以上、より好ましくは15〜75モル%、更に好ましくは25〜50モル%が、SiO2単位からなることを意味する。この単位は分子のシロキサン骨格を三次元網状構造にする作用を有する。
(B)成分の樹脂構造を有するオルガノポリシロキサンとして好ましいものは、SiO2単位(Q単位)、R3 n4 pSiO0.5単位(MB1単位)およびR3 q4 rSiO0.5単位(MB2単位)から基本的になり、任意的に二官能性シロキサン単位および/または三官能性シロキサン単位(即ち、オルガノシルセスキオキサン単位)を上述の割合で含んでよいオルガノポリシロキサンである(ここで、R3はビニル基又はアリル基、R4は脂肪族不飽和結合を含まない一価炭化水素基であり、nは2又は3、pは0又は1で、n+p=3の関係にあり、qは0又は1、rは2又は3で、q+r=3の関係にある。)。
なお、R4の脂肪族不飽和結合を含まない置換または非置換の一価炭化水素基としては、上記R2と同様の炭素原子数1〜10、特に1〜6のものが挙げられる。
ここで、Q単位のモル数をq、MB1単位のモル数をm、MB2単位のモル数をmとしたときに、次の関係式(イ)および(ロ):
(m+m)/q=0.3〜3、特に0.7〜1 (イ)
/q=0.01〜1、特に0.07〜0.15 (ロ)
を満たすことが好ましい。
このような樹脂構造のオルガノポリシロキサンの合成は、それぞれの単位源となる化合物を、生成単位が所要の割合となるように組み合わせ、例えば酸の存在下で共加水分解を行うことによって容易に行うことができる。
ここで、前記Q単位源としては、ケイ酸ソーダ、アルキルシリケート、ポリアルキルシリケート、四塩化ケイ素等を例示することができる。
また、MB1単位源としては、下記の化合物を例示することができる。
Figure 0005000566
更に、MB2単位源としては、下記の化合物を例示することができる。
Figure 0005000566
この(B)成分の樹脂構造を有するオルガノポリシロキサンは、得られる硬化物の硬度を調整するために配合されるものであり、先にも説明した通り、前記(A)成分と(B)成分の合計量当り、0.1〜50質量%の量で、好ましくは1〜30質量%配合される。該(B)成分の割合を調整することにより硬さが調整できる。
−(C)オルガノハイドロジェンポリシロキサン−
(C)成分のオルガノハイドロジェンポリシロキサンは架橋剤として作用するものであり、該成分中のSiH基と(A)成分および(B)成分中のアルケニル基等の脂肪族不飽和基とが付加反応することにより硬化物を形成するものである。かかるオルガノハイドロジェンポリシロキサンは、一分子中にケイ素原子に結合した水素原子(即ち、SiH基)を2個以上、好ましくは3個以上、特に4〜1,000個有するものであればいずれのものでもよい。ケイ素原子に結合した水素原子の位置は特に制約はなく、分子の末端でも非末端でもよい。
(C)成分のオルガノハイドロジェンポリシロキサンは、(A)成分および(B)成分と反応し、架橋剤として作用するものであり、一分子中に平均2個以上、好ましくは平均3個以上の珪素原子に結合した水素原子(SiHで表されるヒドロシリル基)を有する必要があり、通常、3〜1,000個、好ましくは3〜500個、より好ましくは3〜200個、更に好ましくは4〜100個程度のケイ素原子結合水素原子を有することが望ましい。その分子構造には特に制限はなく、従来付加反応硬化型シリコーン組成物に架橋剤として使用されているいずれも使用することができ、例えば線状、環状、分岐状、三次元網状構造(樹脂状)等各種のものが使用可能である。
一分子中に2個以上、好ましくは3個以上含有されるケイ素原子結合水素原子は、分子鎖末端および分子鎖非末端のいずれに位置していてもよく、またこの両方に位置するものであってもよい。かかる水素原子以外の、ケイ素原子に結合した一価の原子または置換基はすべて脂肪族不飽和結合を含まない、好ましくは炭素原子数1〜10の、珪素原子に結合した非置換又は置換の一価炭化水素基である。
該オルガノハイドロジェンポリシロキサンの一分子中の珪素原子の数(即ち、重合度)は通常2〜1,000個、好ましくは3〜300個、より好ましくは4〜150個程度のものが望ましく、25℃における粘度が、通常、0.1〜100,000mPa.s、好ましくは、0.5〜5,000mPa.s程度の、室温(25℃)で液状のものが使用される。
このオルガノハイドロジェンポリシロキサンとしては、例えば、下記平均組成式(2)で示されるものが用いられる。
5 bcSiO(4-b-c)/2 (2)
(式中、R5は、脂肪族不飽和結合を含まない、好ましくは炭素原子数1〜10の、珪素原子に結合した非置換又は置換の一価炭化水素基であり、bは0.7〜2.1の数、cは0.001〜1.0数であって、かつb+cが0.8〜3.0の範囲である。)
上記R5で表される脂肪族不飽和結合を含まない非置換又は置換の一価炭化水素基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等のアルキル基、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基等のアラルキル基、これらの炭化水素基の水素原子の一部又は全部をフッ素、臭素、塩素等のハロゲン原子で置換したもの、例えばクロロメチル基、クロロプロピル基、ブロモエチル基、トリフロロプロピル基等が挙げられる。これらの非置換又は置換の一価炭化水素基の中でも、好ましくはアルキル基、アリール基であり、より好ましくはメチル基、フェニル基である。
また、好ましくは、bは1.0〜2.0の数、cは0.01〜1.0の数であって、b+cが1.5〜2.5の範囲である。
このようなオルガノハイドロジェンポリシロキサンは、通常、R5SiHCl2、(R53SiCl、(R52SiCl2、(R52SiHCl(R5は、前記の通りである)のようなクロロシランを加水分解するか、加水分解して得られたシロキサンを平衡化することにより得ることができる。
平均組成式(2)で表されるオルガノハイドロジェンポリシロキサンとして、具体的には、例えば、1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサン、トリス(ハイドロジェンジメチルシロキシ)メチルシラン、トリス(ハイドロジェンジメチルシロキシ)フェニルシラン、メチルハイドロジェンシクロポリシロキサン、メチルハイドロジェンシロキサン・ジメチルシロキサン環状共重合体、両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサン、両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン、両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンシロキサン・ジフェニルシロキサン共重合体、両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンシロキサン・ジフェニルシロキサン・ジメチルシロキサン共重合体、両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンシロキサン・メチルフェニルシロキサン・ジメチルシロキサン共重合体、両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンシロキサン・ジメチルシロキサン・ジフェニルシロキサン共重合体、両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンシロキサン・ジメチルシロキサン・メチルフェニルシロキサン共重合体、(CH32HSiO1/2単位と(CH33SiO1/2単位とSiO4/2単位とからなる共重合体、(CH32HSiO1/2単位とSiO4/2単位とからなる共重合体、(CH32HSiO1/2単位とSiO4/2単位と(C653SiO1/2単位とからなる共重合体などが挙げられる。
さらに具体的には、下記式で表される構造のハイドロジェンオルガノシロキサンが例示できる。
Figure 0005000566
Figure 0005000566
(上の式中、Lは0〜200の整数、Mは1〜200の整数、R6はエポキシ基、(メタ)アクリロキシ基、アルコキシシリル基から選ばれる官能基を含有する官能基置換アルキル基である。)
なお、(C)成分のオルガノハイドロジェンポリシロキサンの配合量は、上記(A)成分および(B)成分の硬化有効量であり、特にこれに含まれるケイ素原子結合水素原子が、(A)成分および(B)成分中のアルケニル基等の脂肪族不飽和基の合計1モル当たり0.8〜4.0モルであることが好ましく、1.0〜3.0モルがより好ましく、1.0〜2.0モルであることがさらに好ましい。該(C)成分が多すぎると、未反応のケイ素原子結合水素原子が硬化物中に多量に残存する結果、ゴム物性が経時的に変化する原因となる恐れがある。
−(D)白金族金属系触媒−
(D)成分の白金族金属系触媒は本発明の組成物の付加硬化反応を生じさせる作用を有する。該触媒としては、白金系、パラジウム系、ロジウム系のものがあるが、コスト等の見地から白金、白金黒、塩化白金酸などの白金系のもの、例えば、H2PtCl6・mH2O,K2PtCl6,KHPtCl6・mH2O,K2PtCl4,K2PtCl4・mH2O,PtO2・mH2O(mは、正の整数)等や、これらと、オレフィン等の炭化水素、アルコール又はビニル基含有オルガノポリシロキサンとの錯体等が挙げられる。これらは一種単独でも2種以上を組み合わせても使用することができる。
(D)成分の配合量は有効量でよく、通常、前記(A)〜(E)成分の合計量に対して白金族金属換算(質量)で0.1〜1,000ppm、好ましくは0.5〜200ppmの範囲で使用される。
−(E)チクソ性付与剤−
該チクソ性付与剤は(F)成分のヒュームドシリカ以外のチクソ性付与剤であって、(F)成分のヒュームドシリカが有する水酸基(OH)と水素結合や擬似架橋を形成することによりチクソ性を発現させるもので、好適には室温(25℃)において液状のものである。
該チクソ成分付与剤としては、ヒドロキシ基(−OH基)、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アリールオキシ基等のオルガノオキシ基等の極性基、並びに、エポキシ基のいずれか一方をもつシリコーン化合物(オルガノポリシロキサン)やポリエーテル等の有機樹脂成分を用いることができる。具体的には、例えば、下記の式で表されるケイ素原子結合水素原子とエポキシ基をもつオルガノポリシロキサン(但し、アルコキシ基等の極性基を含有しないもの)が挙げられる。該(E)成分は(A)〜(C)成分の合計100質量部当り、0.01〜5質量部の範囲で添加される。
Figure 0005000566
(上記式中、l=0〜100の整数、m=1〜100の整数、nは1〜100の整数を示す。)
−(F)ヒュームドシリカ−
該成分は上述のように(E)成分のチクソ性付与剤と相互作用して本発明の組成物にチクソ性を付与する作用を示す。該ヒュームドシリカは、1次粒子径が5nm〜50nmであり、比表面積が10〜500m/gであることが好ましい。
該(F)成分の添加量は(A)〜(E)成分の合計100質量部に対して1〜30質量部、特に5〜25質量部が好ましい。
−その他の成分−
本発明の組成物には、上述した(A)〜(F)成分の他に必要に応じて他の成分を任意的に添加することができる。例えば、接着助剤、着色剤、蛍光体、顔料、樹脂粉体等が挙げられる。
・接着助剤:
本発明の組成物の基材に対する接着性を高めるために接着助剤を添加することが好ましい。接着助剤としては、例えば、一般式(3)で示されるオルガノオキシシリル変性イソシアヌレート化合物および/又はその加水分解縮合物(オルガノシロキサン変性イソシアヌレート化合物)が挙げられる。
Figure 0005000566
〔式中、R7は、下記式(4):
Figure 0005000566
(ここで、R8は水素原子又は炭素原子数1〜6の一価炭化水素基、sは1〜6、特に1〜4の整数である。)
で表される有機基、又は脂肪族不飽和結合を含有する一価炭化水素基であり、但しR7の少なくとも1個は式(4)で表される有機基である。〕
一般式(3)において、R7で表される脂肪族不飽和結合を含有する一価炭化水素基としては、ビニル基、アリル基、プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基、イソブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基等の炭素原子数2〜8、特に2〜6のアルケニル基、およびシクロヘキセニル基等が挙げられる。
また、R8で表される炭素原子数1〜6の一価炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等のアルキル基;シクロヘキシル基;ビニル基、アリル基、プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基、イソブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基等のアルケニル基;シクロヘキセニル基;フェニル基等のアリール基などの炭素原子数1〜8、特に1〜6の一価炭化水素基が挙げられ、好ましくはアルキル基である。
上記一般式(3)のオルガノオキシシリル変性イソシアヌレート化合物の具体例として下記の式で表される化合物が挙げられる。
Figure 0005000566
また、接着助剤として、ケイ素原子結合アルコキシ基を必須に含有すると共に、ケイ素原子結合水素原子、ケイ素原子結合アルケニル基、および/またはエポキシ基を有する有機ケイ素化合物(即ち、オルガノシランおよびオルガノポリシロキサン)が挙げられ、具体例として下記の式で表されるものがある。
Figure 0005000566
(式中、mは0〜50の整数であり、nは0〜50の整数であり、但し、m+nが2〜50、好ましくは4〜20を満足する。)
このような有機ケイ素化合物の内、得られる硬化物の接着性が特に優れている化合物としては、一分子中にケイ素原子結合アルコキシ基と、アルケニル基もしくはケイ素原子結合水素原子(SiH基)とを有する有機ケイ素化合物であることが好ましい。
該接着助剤の配合量は、(A)成分、(B)成分および(C)成分の合計100質量部に対して、通常10質量部以下(即ち、0〜10質量部)、好ましくは0.01〜5質量部、より好ましくは0.1〜1質量部程度配合することができる。(F)成分の配合量が多すぎると硬化物の硬度や表面タック性に悪影響を及ぼすことがある。
−組成物の調製・使用−
本発明のシリコーンゴム組成物は、上述した各成分を所要量均一に混合することによって調製される。その際に、アセチレンアルコール等の硬化抑制剤を少量添加して1液型として調製することができる。また、2液型として調製する場合は、(C)成分と(D)成分とを同一パートに配すると脱水素反応が起こる危険があるので、これを避けるために別々のパートに配する必要がある。
こうして調製した本発明の組成物は厚さ1mmの層状態で20℃における波長450nmの光の透過率が80%以上であることが好ましく、85%以上であることがより好ましい。透過率が厚さ1mmで求められる理由は、LEDチップを被覆してレンズを形成したときのレンズの厚さが約1mmであるからである。
本発明の組成物は、必要により、例えば60〜150℃に加熱することにより直ちに硬化させることができる。こうして得られる硬化物は高い透明性をもち且つパッケージ材料や金属基板に非常によく接着する。そのためLEDを基板に装着して封止する際にCOB(チップオンボード)用封止剤として非常に優れている。またフォットダイオード、CCD、CMOS等の汎用の半導体パッケージに広く使用することができる。
なお、本発明のシリコーンゴム組成物において、(F)成分のヒュームドシリカ以外の(A)〜(E)成分を均一に混合した混合物の屈折率は、ヒュームドシリカの屈折率と同一又は互いに近似したものであることが硬化物の透明性の点で重要である。具体的には、ヒュームドシリカを除く(A)〜(E)成分を均一に混合した混合物の屈折率は1.42〜1.47の範囲内である必要がある。本発明の組成物の屈折率は硬化後も実質的に変わらず同じである。
本発明の組成物で光半導体チップを封止した光半導体装置において、光半導体チップが装着される支持構造体は特に限定されずパッケージでもよいし、パッケージレスの支持基板、例えばセラミック基板、シリコン基板、ガラスエポキシ基板、ベークライト(エポキシ樹脂)基板、金属基板等でもよい。
次に本発明の実施例により本発明を具体的に説明する。以下の記載において、部は質量部を意味し、また粘度は25℃での測定値を示す。Meはメチル基を、Phはフェニル基を、Viはビニル基をそれぞれ示す。
・実施例1
(a)末端がビニル基で封鎖された粘度1Pa.sの下記式で示されるポリシロキサン(VF)50部、および、
Figure 0005000566
(b)SiO2単位50モル%、(CH33SiO0.5単位42.5モル%およびViMe2SiO0.5単位7.5モル%からなる樹脂構造のビニルメチルシロキサン(VMQ)50部、
(c)SiH基量が前記(a)成分および(b)成分中のビニル基の合計1モル当り1.5モルとなる量の下記式:
Figure 0005000566
で示されるオルガノハイドロジェンポリシロキサン4.9部、および
(d)塩化白金酸のオクチルアルコール変性溶液0.05部((a)、(b)、(c)、(d)、および後述の(e)の各成分の合計に対して白金換算(質量)で約5ppm)に、
(f)ヒュームドシリカ(製品名エロジル300をヘキサメチルジシラザンでシリルカ処理した)12部、
を十分に混合し3本ロールミルにて混練した。
得られた混練物に、
(e)下記のフローコントロール剤(チクソ性付与剤)0.5部と、下記の接着付与成分0.2部と添加し、組成物を調製した。
〔フローコントロール剤(チクソ性付与剤)〕
Figure 0005000566
(式中、lは10、mは8である。)
〔接着付与成分〕
Figure 0005000566
図1はガラスエポキシ基板1にLED素子2を搭載した光半導体装置3を示す断面図である。LED素子2と基板1上の電極4とはワイヤ5で接続されている。上記で得た組成物を、LED素子2を被覆するように塗布し、成形、硬化させて凸レンズ状の透明封止体6を形成した。この光半導体装置の下記の特性を測定し信頼性を評価した。
・・外観:
得られた封止体の外観を肉眼で観察し、透明性を評価した。
・・機械的特性:
前記組成物を、150℃で4時間の加熱成型に供して硬化物を得、JIS K 6301に準拠して、硬度(A型スプリング試験機を用いて測定)を測定した。
・・加湿リフロー試験:
MSLレベル2に準ずる加湿リフロー試験を実施した。即ち、光半導体装置(サンプル数5)を60℃/90%RHの雰囲気下に放置して十分吸湿させた後に260℃のIRリフロー炉に所定回数(1回約6分)通した。クラック、剥離等の不良発生数を目視に評価した。比較のために、硬化直後の光半導体装置を吸湿させずに同様にIRリフロー工程に供した。
・・光透過率:
組成物を厚さ1mmのシート状に成形、硬化させたものの波長450nmの光に対する光透過率を20℃において分光光度計により測定した。
・・輝度:
またLEDに10mAの電流を印加しLED各5個を発光させて大塚電子製LED光学特性モニター(商品名:LP-3400)により輝度を測定した。
・・(A)〜(E)成分からなる組成物の屈折率:
ヒュームドシリカを配合しない以外は上記組成物と同様にして組成物を調製し、該組成物の屈折率をアッベ屈折率計により測定した。
・・組成物の流動性:
ガラス基板上に組成物1gをディスペンサーにより半球状の形状に滴下し、25℃で30分間放置後、150℃×30分の条件で硬化した後、得られた硬化物の直径をノギスで測定することにより組成物の流動性(形状保持性)を評価した。
・実施例2
実施例1で用いた(a)成分の添加量を87.5部に、(b)成分の添加量を12.5部に変え、実施例1で用いた(c)成分のオルガノハイドロジェンポリシロキサンの添加量を2部((a)、(b)成分のビニル基の合計1モル当りのSiH基量1.5モルに相当する)に変更した以外は、実施例1と同様にして組成物を調製し、評価した。
・実施例3
実施例1で(a)成分として用いたVFの代りに下記式で表されるビニルポリシロキサン50部を使用した以外は、実施例1と同様にして組成物を調製し評価した。
Figure 0005000566
・比較例1
実施例1で(a)成分として用いたVFの代りに下記式で表されるビニルポリシロキサン50部を添加した以外は、実施例1と同様にして組成物を調製し評価した。
Figure 0005000566
・比較例2
実施例1で用いた(b)成分を使用せず、(a)成分のビニルポリシロキサン50部の代りに下記式:
Figure 0005000566
で表されるビニルポリシロキサン100部を使用し、さらに(c)成分のオルガノハイドロジェンポリシロキサン4.9部の他に、下記式:
Figure 0005000566
で表されるハイドロジェンシロキサン2.5部を添加した以外は、実施例1と同様にして組成物を調製し評価した。
これらの結果を表1および表2に示す。
Figure 0005000566
Figure 0005000566
(注)
・数字は供試サンプル数5個中の不良発生数
・「260リフロー/n回」はIRリフロー工程をn回(1回当り約6分)繰り返したことを示す。
支持基板であるガラスエポキシ基板上に装着されたLED素子を本発明の組成物を硬化させてなるレンズ状硬化物で封止した光半導体装置の縦断面図を示す。
符号の説明
1.ガラスエポキシ基板
2.LED素子
6.透明封止体

Claims (5)

  1. (A)一分子中に2個以上のアルケニル基又はシクロアルケニル基を有し、本質的に直鎖状であるオルガノポリシロキサン、
    (B)一分子中に2個以上のビニル基又はアリル基を有し、SiO2単位、R3 n4 pSiO0.5単位およびR3 q4 rSiO0.5単位を含む樹脂構造を有するオルガノポリシロキサン(ここで、R3はビニル基又はアリル基、R4は脂肪族不飽和結合を含まない一価炭化水素基であり、nは2又は3、pは0又は1で、n+p=3の関係にあり、qは0又は1、rは2又は3で、q+r=3の関係にある。)、
    (C)一分子中にケイ素原子結合水素原子を2個以上有し、下記平均組成式(2)で示されるオルガノハイドロジェンポリシロキサン
    5 b c SiO (4-b-c)/2 (2)
    (式中、R 5 は、脂肪族不飽和結合を含まない、珪素原子に結合した非置換の一価炭化水素基であり、bは0.7〜2.1の数、cは0.001〜1.0数であって、かつb+cが0.8〜3.0の範囲である。
    (D)白金族金属系触媒、
    (E)下記の式のいずれかで表されるチクソ性付与剤:
    Figure 0005000566

    (上記式中、l=0〜100の整数、m=1〜100の整数、nは1〜100の整数を示す。)、および
    (F)ヒュームドシリカ
    を含有してなり、かつ(A)〜(E)成分からなる組成物の屈折率が1.42〜1.47である組成物であって、厚さ1mmの層状態で20℃における波長450nmの光の透過率が80%以上であるシリコーンゴム硬化物を与えることを特徴とする硬化性シリコーンゴム組成物。
  2. 更に、下記式(3)で表される接着助剤:
    Figure 0005000566

    〔式中、R7は、下記式(4):
    Figure 0005000566
    (ここで、R8は水素原子又は炭素原子数1〜6の一価炭化水素基、sは1〜6の整数である。)
    で表される有機基、又はアルケニル基若しくはシクロアルケニル基を含有する一価炭化水素基であり、但しR7の少なくとも1個は式(4)で表される有機基である。〕、及び/又はケイ素原子結合アルコキシ基を含有し、且つケイ素原子結合水素原子、ケイ素原子結合アルケニル基および/またはエポキシ基を有する有機ケイ素化合物からなる接着助剤を含む、請求項1に記載の硬化性シリコーンゴム組成物。
  3. (A)成分が下記の式のいずれかで表されるオルガノポリシロキサン:
    Figure 0005000566

    (式中、0≦k≦2,000、1≦m≦10,000で、かつ、1≦k+m≦10,000を満足する0又は正の整数である。)である、請求項1又は2に記載の硬化性シリコーンゴム組成物。
  4. 請求項1〜3のいずれか1項に記載の組成物を硬化してなり、厚さ1mmの層状態で20℃における波長450nmの光の透過率が80%以上であることを特徴とするシリコーンゴム硬化物。
  5. 光半導体チップと、該光半導体チップを被覆する、請求項1〜3のいずれか1項に記載の組成物を硬化してなるシリコーンゴム硬化物とを有する光半導体装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007527109A (ja) 2003-07-07 2007-09-20 ダウ・コ−ニング・コ−ポレ−ション 太陽電池の封入
JP5530080B2 (ja) * 2008-07-01 2014-06-25 モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 硬化性シリコーンゴム組成物
JP2010013503A (ja) * 2008-07-01 2010-01-21 Showa Highpolymer Co Ltd 硬化性樹脂組成物およびオプトデバイス
JP5549568B2 (ja) 2009-12-15 2014-07-16 信越化学工業株式会社 光半導体素子封止用樹脂組成物及び当該組成物で封止した光半導体装置
JP5621272B2 (ja) * 2010-02-15 2014-11-12 横浜ゴム株式会社 シリコーン樹脂組成物、およびこれを用いる光半導体封止体
WO2011107592A1 (en) 2010-03-05 2011-09-09 Momentive Performance Materials Gmbh Curable polyorganosiloxane composition for use as an encapsulant for a solar cell module
KR20110101791A (ko) * 2010-03-09 2011-09-16 주식회사 케이씨씨 발광 다이오드 소자용 고굴절 실리콘 조성물의 제조 방법
JP5640476B2 (ja) * 2010-06-08 2014-12-17 信越化学工業株式会社 光半導体素子封止用樹脂組成物及び発光装置
JP5693063B2 (ja) * 2010-07-01 2015-04-01 積水化学工業株式会社 光半導体装置用封止剤及びそれを用いた光半導体装置
JP5971835B2 (ja) * 2010-08-23 2016-08-17 信越化学工業株式会社 硬化性シリコーン樹脂組成物及びそれを用いた発光ダイオード装置
KR101795109B1 (ko) * 2010-10-14 2017-11-07 모멘티브 파포만스 마테리아루즈 쟈판 고도가이샤 경화성 폴리오르가노실록산 조성물
JP5923850B2 (ja) * 2010-11-30 2016-05-25 サンユレック株式会社 オプトデバイスの製造方法
JP5490671B2 (ja) 2010-12-07 2014-05-14 信越化学工業株式会社 シリコーン樹脂組成物の硬化方法
JP5760664B2 (ja) * 2011-05-10 2015-08-12 三菱化学株式会社 シリコーン系封止材組成物及び半導体発光装置
WO2013118002A1 (en) * 2012-02-10 2013-08-15 Koninklijke Philips N.V. Molded lens forming a chip scale led package and method of manufacturing the same
JP5780204B2 (ja) * 2012-05-10 2015-09-16 信越化学工業株式会社 シリコーンゴム型取り材料
JP2013253206A (ja) * 2012-06-08 2013-12-19 Shin-Etsu Chemical Co Ltd シリコーン樹脂組成物及び該組成物の硬化物を備えた光半導体装置
JP5819787B2 (ja) * 2012-07-19 2015-11-24 信越化学工業株式会社 硬化性シリコーン樹脂組成物
JP2014062198A (ja) * 2012-09-21 2014-04-10 Dow Corning Toray Co Ltd 硬化性シリコーン組成物、それを用いてなる半導体封止材および光半導体装置
WO2014050318A1 (ja) * 2012-09-27 2014-04-03 モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 光半導体素子封止用シリコーン組成物および光半導体装置
JP2014082284A (ja) 2012-10-15 2014-05-08 Dow Corning Toray Co Ltd 凸状硬化物及び基材を備える一体化物の製造方法
CN103131190B (zh) * 2013-02-05 2015-07-01 广州市爱易迪新材料科技有限公司 一种led封装用的双组份自成型透镜硅胶及其封装工艺
KR101591170B1 (ko) * 2013-04-04 2016-02-02 주식회사 엘지화학 경화성 조성물
WO2014163441A1 (ko) * 2013-04-04 2014-10-09 주식회사 엘지화학 경화성 조성물
CN105102542B (zh) * 2013-04-04 2017-07-04 株式会社Lg化学 可固化组合物
JP6256780B2 (ja) * 2013-04-04 2018-01-10 エルジー・ケム・リミテッド 硬化性組成物
JP6432844B2 (ja) * 2013-04-04 2018-12-05 エルジー・ケム・リミテッド 硬化性組成物
CN103937257B (zh) * 2014-03-24 2017-01-25 惠州市安品新材料有限公司 有机硅触变剂及触变性加成型液体硅橡胶
CN103897404A (zh) * 2014-03-24 2014-07-02 惠州市安品新材料有限公司 改性聚硅氧烷在制备触变性加成型液体硅橡胶中的应用
US10005906B2 (en) 2014-06-03 2018-06-26 Dow Corning Toray Co., Ltd. Curable silicone composition, and optical semiconductor device
DE102014223785A1 (de) 2014-11-21 2016-05-25 Wacker Chemie Ag Härtbare hochtransparente Siliconzusammensetzung mit verbesserter Mechanik für optische Bauteile
CN105199398B (zh) * 2015-10-27 2019-04-05 湖南博翔新材料有限公司 一种有机硅复合材料及其制备方法
KR102223910B1 (ko) * 2017-09-29 2021-03-05 주식회사 엘지화학 유기전자소자 봉지용 조성물
CN110294934A (zh) * 2018-03-23 2019-10-01 英济股份有限公司 液态硅橡胶组合物及其制造方法以及口腔隔离器
JP7003075B2 (ja) * 2019-02-15 2022-01-20 信越化学工業株式会社 ウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物及び該組成物を用いたウェハーレベル光半導体デバイス
CN113950511B (zh) 2019-06-21 2024-01-16 美国陶氏有机硅公司 用于制备触变可固化有机硅组合物的方法
JP7169958B2 (ja) * 2019-10-18 2022-11-11 日本特殊陶業株式会社 シリコーン接着剤組成物、シリコーン接着剤組成物の製造方法、および、複合部材
TW202248351A (zh) 2021-03-23 2022-12-16 日商陶氏東麗股份有限公司 有機聚矽氧烷組成物

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4780256B2 (ja) * 1998-08-24 2011-09-28 信越化学工業株式会社 ポリマー碍子用シール材及びポリマー碍子用補修材
JP4586967B2 (ja) * 2003-07-09 2010-11-24 信越化学工業株式会社 発光半導体被覆保護材及び発光半導体装置
JP4479882B2 (ja) * 2003-11-20 2010-06-09 信越化学工業株式会社 砲弾型発光半導体装置
JP2006063092A (ja) * 2004-07-29 2006-03-09 Dow Corning Toray Co Ltd 硬化性オルガノポリシロキサン組成物、その硬化方法、光半導体装置および接着促進剤
JP5247979B2 (ja) * 2005-06-01 2013-07-24 モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 透明な硬化物を与えるポリオルガノシロキサン組成物
JP2007039483A (ja) * 2005-08-01 2007-02-15 Ge Toshiba Silicones Co Ltd 硬化性ポリオルガノシロキサン組成物
JP4644129B2 (ja) * 2006-01-17 2011-03-02 信越化学工業株式会社 硬化性シリコーンゴム組成物及びその硬化物
MY144041A (en) * 2006-01-17 2011-07-29 Dow Corning Thermally stable transparent silicone resin compositions and methods for their preparation and use
CN101389695B (zh) * 2006-02-24 2012-07-04 陶氏康宁公司 用硅氧烷包封的发光器件和用于制备该硅氧烷的可固化的硅氧烷组合物
JP5202822B2 (ja) * 2006-06-23 2013-06-05 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置
JP4933179B2 (ja) * 2006-07-14 2012-05-16 信越化学工業株式会社 硬化性シリコーンゴム組成物及びその硬化物
JP5148088B2 (ja) * 2006-08-25 2013-02-20 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置
EP2069829B1 (en) * 2006-08-28 2011-12-07 Dow Corning Corporation Optical devices and silicone compositions and processes fabricating the optical devices
WO2008047892A1 (en) * 2006-10-19 2008-04-24 Momentive Performance Materials Japan Llc Curable polyorganosiloxane composition
JP4895879B2 (ja) * 2007-03-19 2012-03-14 サンユレック株式会社 発光素子封止用シリコーン樹脂組成物及びこれを用いたポッティング方式による光半導体電子部品の製造方法
JP5149022B2 (ja) * 2008-01-25 2013-02-20 モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 光半導体封止用シリコーン組成物及びそれを用いた光半導体装置
JP5136963B2 (ja) * 2008-03-24 2013-02-06 信越化学工業株式会社 硬化性シリコーンゴム組成物及び半導体装置

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