KR101795109B1 - 경화성 폴리오르가노실록산 조성물 - Google Patents

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Abstract

내한성이 뛰어난 경화물을 제공하는 경화성 폴리오르가노실록산 조성물을 제공한다.
(A) (A1) 식 (I)(식 중, R은, 독립적으로, R1 또는 R2이고, R 중 적어도 2개는 R1이며, R1은, 독립적으로, C2 - C6 알케닐기이고, R2는, 독립적으로, C1 - C6 알킬기이며, n은, 23 ℃에서의 점도를 10 ~ 10,000 cP로 하는 수이다)로 표시되는 직쇄상 폴리오르가노실록산, 및 (A2) SiO4 /2 단위 및 R'3SiO1 /2 단위, 및 경우에 따라서는 또한 R'2SiO 단위 및/또는 R'SiO3 /2 단위(식 중, R'는, 각각 독립적으로, 비치환 또는 치환된 1가의 지방족기 또는 지환식기이다)로 이루어지고, 1분자당, 적어도 3개의 R＇가 알케닐기인 분지상 폴리오르가노실록산이고, (A1)에 대한 (A2)의 중량비가 1 ~ 5이며, (A1) 및 (A2)의 합계량에서 차지하는, SiO4 /2 단위 및 경우에 따라 존재하는 R'SiO3 /2 단위의 중량 비율이 20 ~ 60 중량%인, 알케닐기 함유 폴리오르가노실록산；(B) 규소 원자에 결합한 수소 원자를 분자 중에 2개를 넘는 수로 갖는 폴리오르가노하이드로젠실록산；및 (C) 백금족 금속 화합물을 포함하는 경화성 폴리오르가노실록산 조성물에 관한 것이다.

Description

경화성 폴리오르가노실록산 조성물{CURABLE POLYORGANOSILOXANE COMPOSITION}
본 발명은, 부가 반응에 의해 경화하는 경화성 폴리오르가노실록산 조성물에 관한 것이다.
부가 반응에 의해 경화하는 경화성 폴리오르가노실록산 조성물은, 내열성, 내후성, 전기 절연성이 뛰어난 고무상의 경화물을 제공하는 것이 알려져 있고, 여러 가지 분야에서 널리 사용되고 있다. 그 중에서도, 자동차·반도체 분야와 같은 분야에서 주목받고 있는데, 이들 분야에서는, 그 사용 목적 면에서 매우 엄격한 신뢰성이 요구되며, 그 중 하나로, 한랭지나 저온 환경 하에서도 사용에 견딜 수 있는 내한성에 대한 요구가 있다.
내한성을 향상시키기 위해서, 베이스 폴리머에 페닐기를 도입하는 것이 알려져 있다(특허문헌 1). 또, 레진 구조의 오르가노폴리실록산을 배합하는 것도 알려져 있다(특허문헌 2).
일본 특개 2000-169714호 공보 일본 특개 2001-2922호 공보
그러나, 베이스 폴리머에 페닐기를 도입한 베이스 폴리머나, 레진 구조의 오르가노폴리실록산은, 중합도에 대한 상대적인 점도가 높고, 작업성 면에서 떨어지고, 특히 페닐기를 다량으로 함유하는 베이스 폴리머의 경화물은 탄성률의 온도 의존성이 큰 문제가 있었다.
본 발명의 과제는, 내한성이 뛰어난 경화물을 제공하는 경화성 폴리오르가노실록산 조성물을 제공하는 것이다. 또한, 내한성은, 저온(-100 ~ -50 ℃)과 실온(0 ~ 40 ℃)에서의 경화물의 전단 탄성률을 비교하는 것에 의해 평가할 수 있다. 일반적으로, 폴리오르가노실록산 조성물의 경화물은, -40 ℃ 부근에 융점을 갖고, 융점을 사이에 두고 전단 탄성률이 현저하게 변화하는 경우가 많다.
본 발명자는, 상기의 과제를 해결하기 위해서 연구를 거듭하여, 특정 직쇄상 폴리오르가노실록산과 분지상 폴리오르가노실록산의 상용성을 이용해, 베이스 폴리머로서 분지상 폴리오르가노실록산을 다량으로 사용함으로써, 저온과 실온에서의 경화물의 탄성률의 급격한 변화를 억제하여, 내한성을 향상시키는 것이 가능하다는 것을 찾아내어, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
즉, 본 발명은,
(A) (A1) 식 (I)：
Figure 112013016889752-pct00001
(식 중,
R은, 독립적으로, R1 또는 R2이고, R 중 적어도 2개는 R1이며,
R1은, 독립적으로, C2 - C6 알케닐기이고,
R2는, 독립적으로, C1 - C6 알킬기이며,
n은, 23 ℃에서의 점도를 10 ~ 10,000 cP로 하는 수이다)로 표시되는 직쇄상 폴리오르가노실록산, 및
(A2) SiO4 /2 단위 및 R'3SiO1 /2 단위, 및 경우에 따라서는 또한 R'2SiO 단위 및/또는 R'SiO3 /2 단위(식 중, R'는, 각각 독립적으로, 비치환 또는 치환된 1가의 지방족기 또는 지환식기이다)로 이루어지고, 1분자당, 적어도 3개의 R'가 알케닐기인 분지상 폴리오르가노실록산이며,
(A1)에 대한 (A2)의 중량비가 1 ~ 5이고,
(A1) 및 (A2)의 합계량에서 차지하는, SiO4 /2 단위 및 경우에 따라 존재하는 R'SiO3/2 단위의 중량 비율이 20 ~ 60 중량%인, 알케닐기 함유 폴리오르가노실록산；
(B) 규소 원자에 결합한 수소 원자를 분자 중에 2개를 넘는 수로 갖는 폴리오르가노하이드로젠실록산；및
(C) 백금족 금속 화합물
을 포함하는 경화성 폴리오르가노실록산 조성물에 관한 것이다.
또한, 본 발명은, 상기의 경화성 폴리오르가노실록산 조성물을 포함하는 접착제에 관한 것으로, 상기의 경화성 폴리오르가노실록산 조성물을 이용해 봉지된 반도체 장치에 관한 것이다.
본 발명에 의하면, 내한성이 뛰어난 경화물을 제공하는 경화성 폴리오르가노실록산 조성물이 얻어진다.
(A) 알케닐기 함유 폴리오르가노실록산
본 발명의 폴리오르가노실록산 조성물은, (A) (A1) 식 (I)：
Figure 112013016889752-pct00002
(식 중,
R은, 독립적으로, R1 또는 R2이고, R 중 적어도 2개는 R1이며,
R1은, 독립적으로, C2 - C6 알케닐기이고,
R2는, 독립적으로, C1 - C6 알킬기이며,
n은, 23 ℃에서의 점도를 10 ~ 10,000 cP로 하는 수이다)로 표시되는 직쇄상 폴리오르가노실록산, 및
(A2) SiO4 /2 단위 및 R'3SiO1 /2 단위, 및 경우에 따라서는 또한 R'2SiO 단위 및/또는 R'SiO3 /2 단위(식 중, R'는, 각각 독립적으로, 1가의 비치환 또는 치환된 탄화수소기이다)로 이루어지고, 1분자당, 적어도 3개의 R'가 알케닐기인 분지상 폴리오르가노실록산이며,
(A1)에 대한 (A2)의 중량비((A2)/(A1))가 1 ~ 5이고,
(A1) 및 (A2)의 합계량에서 차지하는, SiO4 /2 단위 및 R'SiO3 /2 단위의 중량 비율이 20 ~ 60 중량%인, 알케닐기 함유 폴리오르가노실록산을 포함한다.
(A1)은, 식 (I)로 표시되는 직쇄상 폴리오르가노실록산이며, (A2)와 함께 베이스 폴리머가 되는 성분이다.
식 (I)에 있어서, R1은 C2 - C6 알케닐기이고, 이들은 분지상이어도 직쇄상이어도 되며, 비닐, 알릴, 3-부테닐, 5-헥세닐 등이 예시된다. 합성이 용이하며, 조성물의 유동성이나, 경화물의 내열성을 저해하지 않는다는 점에서, 비닐기가 가장 바람직하다. R1은, 식 (I) 중에 적어도 2개 존재한다. 이때, R1은 분자 중의 어느 실록산 단위에 존재해도 되지만, 양호한 반응성을 얻기 위해서, R1의 적어도 일부는 분자 말단에 존재하는 것이 바람직하고, 각각의 말단에 1개씩, 합계 2개의 R1이 존재하는 것이 보다 바람직하다.
식 (I)에 있어서, R2는 C1 - C6 알킬기이다. C1 - C6 알킬기는 분지상이어도 직쇄상이어도 되며, 메틸, 에틸, 프로필 등이 예시된다. 합성 및 취급이 용이하고, 열적 성질 및 기계적 성질이 뛰어난 경화물을 제공한다는 점에서, 메틸기가 특히 바람직하다.
식 (I)에 있어서, n은 23 ℃에 있어서의 점도를 10 ~ 10,000 cP로 하는 수이다. 점도가 이 범위에 있으면, 기계적 물성과 (A2)의 병용에 있어서 작업하기 쉬운 점성을 부여할수 있다. 점도는, 바람직하게는 20 ~ 5,000 cP이고, 보다 바람직하게는 50 ~ 2,500 cP이며, 더욱 바람직하게는 150 ~ 2,500 cP이며, 특히 바람직하게는 1,100 ~ 2,500 cP이다. 또한, 점도는, JIS　K6249　7. 1항 회전 점도에 의한 방법에 준거하여 측정한 값이다.
(A2)는, 분지상 폴리오르가노실록산이고, 상기(A1)와 함께 베이스 폴리머가 되는 성분이며, 특히 경화물에 뛰어난 기계적 강도를 부여할 수 있다.
(A2)는, SiO4 /2 단위 및 R'3SiO1 /2 단위, 및 경우에 따라서는 또한 R'2SiO 및/또는 R'SiO3 /2 단위(식 중, R'는, 각각 독립적으로, 비치환 또는 치환된 1가의 탄화수소기이다)로 이루어지고, 경화 반응에 있어서 가교점이 되도록, 1분자당, 적어도 3개의 R'가 알케닐기이다. (A2)는, 상온에서 고체 내지 점조인 반고체의 수지상 또는 액상의 것이 바람직하다.
SiO4 /2 단위에 대한 R'3SiO1 /2 단위와의 몰비(R'3SiO1 /2 단위의 몰수/SiO4 /2 단위의 몰수)는, 0.25 ~ 1.5가 바람직하다. 몰비가 이 범위이면, 경화한 경화물에 대해서 뛰어난 강도를 부여하며, 뛰어난 내한성을 나타낸다. 몰비는, 바람직하게는 0.4 ~ 1.2이며, 보다 바람직하게는 0.5 ~ 1.0이다.
R'가 알케닐기인 경우, C2 - C6 알케닐기를 들 수 있다. 이들은, 분지상이어도 직쇄상이어도 되며, 비닐, 알릴, 3-부테닐, 5-헥세닐 등이 예시된다. 합성이 용이하며, 또 경화 전의 조성물의 유동성이나, 경화 후의 조성물의 내열성을 저해하지 않는다는 점에서, 비닐기가 가장 바람직하다.
알케닐기는, R'3SiO1 /2 단위의 R'로서 존재할 수 있다. 알케닐기는, 경우에 따라서는 R'2SiO 단위 또는 R'SiO3 /2 단위의 R'로서 존재해도 되지만, 실온에서 빠른 경화를 얻기 위해서는, 알케닐기의 적어도 일부가 R'3SiO1 /2 단위에 존재하는 것이 바람직하다.
알케닐기 이외의 R'로는, 지방족 불포화 탄소-탄소 결합을 포함하지 않는, 비치환 또는 치환된 1가의 지방족기 또는 지환식기를 들 수 있고, 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 헥실, 옥틸, 데실, 도데실과 같은 알킬기；시클로헥실과 같은 시클로알킬기；클로로메틸, 2-시아노에틸, 3,3,3-트리플루오로프로필과 같은 할로겐(예를 들면, 클로로 또는 플루오로) 또는 시아노에 의해 치환된 1가의 지방족기 또는 지환식기가 예시된다. 내열성을 고려하면 메틸기가 바람직하다.
본 발명의 폴리오르가노실록산 조성물에 있어서, (A1)에 대한 (A2)의 중량비((A2)의 중량/(A1)의 중량)는, 1 ~ 5이다. 중량비가 이 범위이면, 경화물의 경도가 높아지는 것과 함께, 저온에서의 탄성률의 변화가 억제된다. 중량비는, 바람직하게는 1 ~ 4이며, 보다 바람직하게는 1.5 ~ 2.5이다.
본 발명의 폴리오르가노실록산 조성물에 있어서, (A1) 및 (A2)의 합계량에서 차지하는, SiO4 /2 단위 및 경우에 따라 존재하는 R'SiO3 /2 단위의 중량 비율은, 합계로 20 ~ 60 중량%이다. 중량 비율이 이 범위이면, 경화물에 뛰어난 기계적 강도나 저온 특성을 부여한다. 중량 비율은, 바람직하게는 25 ~ 50 중량%이다.
(B) 폴리오르가노하이드로젠실록산
본 발명의 폴리오르가노실록산 조성물은, (B) 규소 원자에 결합한 수소 원자를 분자 중에 2개를 넘는 수로 갖는 폴리오르가노하이드로젠실록산을 포함한다. (B)는, 그 분자 중의 하이드로실릴기가 (A) 중의 알케닐기와 부가 반응함으로써, (A)의 가교제로서 기능한다. 그러한 (B)는, 경화물을 망상화하기 위해서, 부가 반응에 관여하는 하이드로실릴기를 분자 중에 2개를 넘는 수, 바람직하게는 3개 이상 갖는다.
(B) 성분은, 대표적으로는 일반식 (II)：
(R3)cHdSiO(4-c-d)/2　　　　　(II)
(식 중,
R3는, 지방족 불포화 탄소-탄소 결합을 포함하지 않는, 비치환 또는 치환된 1가의 지방족기 또는 지환식기를 나타내고；
c는 0 ~ 2의 정수이고；
d는 1 또는 2이며, 단, c＋d는 1 ~ 3의 정수이다)
로 표시되는 단위를, 분자 중에 2개를 넘는 수, 바람직하게는 3개 이상 갖는다.
R3 및 (B)의 다른 실록산 단위의 규소 원자에 결합한 유기기로는, 상기 (A2)에 있어서의, 알케닐기 이외의 R'와 동일한 것이 예시되며, 그들 중에서도, 합성이 용이하다는 점에서 메틸기가 가장 바람직하다. 또한, 합성이 용이하다는 점에서 d는 1이 바람직하다.
(B)에 있어서의 실록산 골격은, 직쇄상, 분지상 또는 환상 중 어느 것이어도 된다. 또한, 이들의 혼합물을 이용해도 된다.
(B)의 중합도는 특별히 한정되지 않지만, 동일한 규소 원자에 2개 이상의 수소 원자가 결합한 폴리오르가노하이드로젠실록산은 합성이 곤란하므로, 3개 이상의 실록산 단위로 이루어지는 것이 바람직하고, 경화 온도로 가열해도 휘발하지 않고, 또한 유동성이 뛰어나 (A)와 혼합하기 쉽다는 점에서, 실록산 단위의 수는 6 ~ 200개가 더욱 바람직하고, 10 ~ 150개가 특히 바람직하다.
(B)로서 바람직하게는, 식 (II＇)：
Figure 112013016889752-pct00003
(식 중, R3a는, 독립적으로, 지방족 불포화 탄소-탄소 결합을 포함하지 않는, 비치환 또는 치환된 1가의 지방족기 또는 지환식기이고, R3b는, 독립적으로, 수소 원자이거나, 혹은 비치환 또는 치환된 1가의 지방족기 또는 지환식기이며, p는 2 ~ 100의 수이고, 바람직하게는 3 ~ 50의 수이며, q는 0 ~ 100의 수이고, 바람직하게는 3 ~ 50의 수이다)으로 표시되는 폴리오르가노하이드로젠실록산을 사용할 수 있다.
R3a 및 R3b에 대한, 지방족 불포화 탄소-탄소 결합을 포함하지 않는, 비치환 또는 치환된 1가의 지방족기 또는 지환식기로는, 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 헥실, 옥틸, 데실, 도데실과 같은 알킬기；시클로헥실과 같은 시클로알킬기；클로로메틸, 2-시아노에틸, 3,3,3-트리플루오로프로필과 같은 할로겐(예를 들면, 클로로 또는 플루오르) 또는 시아노에 의해 치환된 1가의 지방족기 또는 지환식기가 예시된다. 내열성을 고려하면 메틸기가 바람직하다.
(B)의 배합량은, 뛰어난 기계적 성질을 갖는 경화물이 얻어진다는 점에서, (A) 중의 알케닐기에 대한 (B) 중의 규소 원자에 결합한 수소 원자의 비(H/Vi)가, 0.3 ~ 5.0이 되는 양이 바람직하다. H/Vi가 이 범위이면, 경화물의 기계적 강도 및 내열성이 충분하고, 또 경화시의 발포도 억제할 수 있다. H/Vi는, 보다 바람직하게는 0.5 ~ 5.0이며, 더욱 바람직하게는 0.7 ~ 2.0이다.
(C) 백금족 금속 화합물
본 발명의 폴리오르가노실록산 조성물은, (C) 백금족 금속 화합물을 포함한다. (C)는, (A) 중의 알케닐기와 (B) 중의 하이드로실릴기 사이의 부가 반응을 촉진시키기 위한 촉매로서 기능한다. (C)로는, 백금, 로듐, 팔라듐과 같은 백금족 금속 원자의 화합물이 이용되며, 염화백금산, 염화백금산과 알코올의 반응 생성물, 백금-올레핀 착체, 백금-비닐실록산 착체, 백금-케톤 착체, 백금-포스핀 착체와 같은 백금 화합물；로듐-포스핀 착체, 로듐-설파이드 착체와 같은 로듐 화합물；팔라듐-포스핀 착체와 같은 팔라듐 화합물 등이 예시된다.
이들 중, 촉매 활성이 양호하다는 점에서, 염화백금산과 알코올의 반응 생성물 및 백금-비닐실록산 착체가 바람직하고, 단시간에 경화하여 접착성을 발현할 필요가 있는 경우에는, 백금-1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착체 및 백금-1,3,5,7-테트라비닐-1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산이 바람직하다. 그러나, 필요한 경화 속도는, 경화물을 설치하는 부위의 형상이나, 그에 따라 필요한 작업 시간에 따라서도 다르므로, (C)와 경화 지연제의 조합으로 임의로 선택할 수 있다.
(C)의 배합량은, 뛰어난 경화 속도가 얻어진다는 점에서, (A)와 (B)의 합계량에 대해서, 백금족 금속 원자 환산으로 0.1 ~ 1,000 중량ppm이 되는 양이 바람직하다. 보다 바람직하게는 0.5 ~ 200 중량ppm이다.
본 발명의 폴리오르가노실록산 조성물에는, 필요에 따라, (C)의 촉매능을 저해하지 않는 범위에서, 접착성 부여제를 배합할 수 있다. 접착성 부여제로는, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란, 3-글리시독시프로필(메틸)디메톡시실란과 같은 3-글리시독시프로필기 함유 알콕시실란류；2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리에톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸(메틸)디메톡시실란과 같은 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸기 함유 알콕시실란류；비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 비닐트리스(2-메톡시에톡시)실란, 메틸비닐디메톡시실란, 알릴트리메톡시실란, 알릴트리에톡시실란, 메틸알릴디메톡시실란과 같은 알케닐알콕시실란류；3-아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-아크릴옥시프로필트리에톡시실란, 3-아크릴옥시프로필(메틸)디메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리에톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필(메틸)디메톡시실란과 같은 (메타)아크릴옥시프로필알콕시실란류；규소 원자에 결합한 수소 원자와, 규소 원자에 결합한 하기 일반식 (III)：
Figure 112013016889752-pct00004
(식 중, Q1은, 규소 원자와 에스테르 결합 사이에 2개 이상의 탄소 원자를 갖는 탄소쇄를 형성하는, 직쇄상 또는 분지상의 알킬렌기를 나타내고；Q2는, 산소 원자와 측쇄의 규소 원자 사이에 3개 이상의 탄소 원자를 갖는 탄소쇄를 형성하는, 직쇄상 또는 분지상의 알킬렌기를 나타내고；R4는, 탄소수 1 ~ 6의 비치환 또는 치환된 알킬기를 나타낸다)로 표시되는 측쇄를 갖는 유기 규소 화합물；알루미늄트리에톡사이드, 알루미늄트리프로포사이드, 알루미늄트리부톡사이드와 같은 알루미늄알콕사이드；티탄테트라에톡사이드, 티탄테트라프로포사이드, 티탄테트라이소프로포사이드, 티탄테트라부톡사이드, 티탄테트라이소부톡사이드, 티탄테트라이소프로페닐옥사이드와 같은 티탄알콕사이드；지르코늄테트라이소프로포사이드, 지르코늄테트라부톡사이드와 같은 지르코늄알콕사이드；말레산디알릴, 트리알릴이소시아네이트와 같은 극성기 함유 유기 화합물 등이 예시된다.
상기 일반식 (III)으로 표시되는 측쇄에 있어서, Q1으로는, 에틸렌, 트리메틸렌, 2-메틸에틸렌, 테트라메틸렌 등의 알킬렌기가 예시되며, 합성 및 취급이 용이하다는 점에서, 에틸렌기 및 2-메틸에틸렌기가 바람직하다. Q2로는, 트리메틸렌, 2-메틸트리메틸렌, 테트라메틸렌 등의 알킬렌기가 예시되며, 합성 및 취급이 용이하다는 점에서 트리메틸렌기가 바람직하다. R4로는, 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸 등의 알킬기；및 2-메톡시에틸 등의 알콕시로 치환된 알킬기가 예시되며, 양호한 접착성을 부여하고, 또한 가수분해에 의해 발생하는 알코올이 휘발하기 쉽다는 점에서, 메틸기 및 에틸기가 바람직하고, 메틸기가 특히 바람직하다. 이러한 측쇄를 갖는 유기 규소 화합물로서 식 (IV)：
Figure 112013016889752-pct00005
로 표시되는 환상 실록산 화합물이 예시된다.
접착성 부여제의 배합량은, (A) 100 중량부에 대해서 0.01 ~ 20 중량부로 할 수 있고, 특히 접착성 면에서 0.1 ~ 10 중량부가 바람직하고, 0.5 ~ 5 중량부가 더욱 바람직하다.
본 발명의 폴리오르가노실록산 조성물의 보존성이나 작업성을 개선하기 위해서, 경화 억제제를 배합할 수 있다. 상기 말레산디알릴은, 접착성 부여제로서 뿐만 아니라, 경화 억제제로서도 유효하다. 그 외, 경화 억제제로는, 3-메틸-1-부틴-3-올, 3-메틸-1-펜틴-3-올, 3,5-디메틸-1-헥신-3-올, 1-에티닐-1-시클로헥산-1-올과 같은 아세틸렌알코올류가 예시된다. 경화 억제제의 배합량은, 원하는 경화성에 따라 임의의 양을 선택할 수 있다.
본 발명의 폴리오르가노실록산 조성물에는, 경화 전의 단계에서 적도의 유동성을 부여하고, 경화물에 그 용도에 따라 요구되는 높은 기계적 강도를 부여하는 등의 목적으로, 무기질 충전제를 첨가할 수 있다. 무기질 충전제로는, 연무질 실리카, 아크 실리카와 같은 건식법 실리카；및 침전 실리카와 같은 습식법 실리카 등의 실리카가 예시된다. 이들은 그대로 이용해도 되고, 헥사메틸디실라잔과 같은 소수화제로 표면 처리를 행하여 이용해도 된다. 또, 규조토, 분쇄 석영, 용융 석영, 산화티탄, 산화알루미늄, 산화아연, 알루미노규산, 탄산칼슘, 유기산 표면처리 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 탄산아연, 규산칼슘, 탈크, 산화제이철 등이 예시되며, 압출 작업성과 경화물에 필요한 물성에 따라 선택된다. 또, 목적에 따라 카본블랙과 같은 도전성 충전제를 배합해도 된다.
무기 충전제의 배합량은, (A) 100 중량부에 대해서 0 ~ 500 중량부로 할 수 있고, 특히 경화물의 내구성이나 기계적 강도, 작업성(점도) 면에서 0 ~ 200 중량부가 바람직하다.
나아가, 본 발명의 폴리오르가노실록산 조성물에, 목적에 따라 안료, 틱소트로피성 부여제, 압출 작업성을 개량하기 위한 점도 조정제, 자외선 방지제, 방곰팡이제, 내열성 향상제, 난연화제 등, 각종 첨가제를 추가해도 된다. 또한, 경우에 따라서는, 톨루엔, 크실렌과 같은 유기 용매에 용해 내지 분산시킨 형태로 해도 된다.
본 발명의 폴리오르가노실록산 조성물은, (A) ~ (C), 및 또한 필요에 따라 배합되는 다른 성분을, 만능 혼련기, 니더 등의 혼합 수단에 의해 균일하게 혼련하여 조제할 수 있다. 또, 장기간 안정적으로 저장하기 위해서, (B)와 (C)가 별개의 예비 배합물에 포함되도록, 적절하게 2개의 예비 배합물을 조제하여 보존해 두고, 사용 직전에 정량 혼합기의 믹싱 헤드와 같은 혼합 수단에 의해 균일하게 혼합하여 실리콘 고무 조성물을 조제하여, 감압으로 탈포해서 사용에 제공해도 된다.
본 발명의 폴리오르가노실록산 조성물은, 가열 경화시켜, 고무상 탄성체인 경화물을 얻을 수 있다. 경화물의 형성 방법은, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 적절한 형(型) 중에, 본 발명의 폴리오르가노실록산 조성물을 주입한 후, 가열 경화시켜 경화물을 형성할 수 있다. 혹은 적절한 기재 상에, 본 발명의 폴리오르가노실록산 조성물을 도포하여, 가열 경화시켜 경화물을 형성해도 된다. 가열 경화의 조건은, 적절하게 선택할 수 있으며, 가열 온도는, 예를 들면 50 ~ 250 ℃의 사이에서 임의로 설정할 수 있다. 가열 시간은, 예를 들면 1분 ~ 24시간으로 할 수 있다.
본 발명의 폴리오르가노실록산 조성물의 경화물은, 내한성이 뛰어나고, 23℃에서의 탄성률에 대한 -60 ℃에서의 탄성률의 비(전단 탄성률-60℃／전단 탄성률23 ℃)를, 0.5 ~ 9.0으로 할 수 있다. 상기 전단 탄성률의 비는, 바람직하게는 4.0 이하이다. 여기서, 전단 탄성률은, 점탄성 측정 장치　ARES(TA인스트루먼츠사 제조)로 측정한 값으로 한다.
본 발명의 폴리오르가노실록산 조성물의 경화물로 이루어지는 실리콘 고무 제품은, 내한성이 뛰어날 뿐만 아니라, 실리콘 고무 본래의 내열성, 내한성, 내후성, 전기 절연성도 기대할 수 있기 때문에, 유용성이 높다. 특히, 자동차, 차량, 선박, 비행기 등의 부품이나 반도체 장치의 부재의 접착제, 봉지제 등에 바람직하게 이용할 수 있다.
[ 실시예 ]
이하, 실시예 및 비교예에 의해 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 이들 예에 있어서, 한정이 없는 한, 부는 중량부를 나타내고, 점도는, JIS　K6249에 준거하여 브룩필드형 회전 점도계로 측정한 23 ℃에서의 점도를 나타낸다. 본 발명은, 이들 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
실시예 및 비교예에, 하기의 폴리실록산을 이용했다. 이하, 실록산 단위를 다음과 같은 기호로 나타낸다.
M 단위：　(CH3)3SiO1 /2-
Mv 단위：　(CH3)2(CH2=CH)SiO1 /2-
D 단위：　-(CH3)2SiO-
DH 단위：　-(CH3)HSiO-
Dv 단위：　-(CH3)(CH2=CH)SiO-
Q 단위：　SiO4 /2(4관능성)
A1-1：양 말단이 Mv 단위로 봉쇄되고, 중간 단위가 D 단위로 이루어지고, 23 ℃에서의 점도가 1500 cP인 직쇄상 폴리메틸비닐실록산；
A1-2：양 말단이 Mv 단위로 봉쇄되고, 중간 단위가 D 단위로 이루어지고, 23 ℃에서의 점도가 250 cP인 직쇄상 폴리메틸비닐실록산；
A1-3：양 말단이 Mv 단위로 봉쇄되고, 중간 단위가 D 단위로 이루어지고, 23 ℃에서의 점도가 60 cP인 직쇄상 폴리메틸비닐실록산；
A1-4：양 말단이 Mv 단위로 봉쇄되고, 중간 단위가 D 단위로 이루어지고, 23 ℃에서의 점도가 10,000 cP인 직쇄상 폴리메틸비닐실록산；
A2-1：M 단위, Mv 단위 및 Q 단위로 이루어지고, 몰 단위비가 M5MvQ8로 표시되는 분지상 폴리메틸비닐실록산；
A2-2：M 단위, Dv 단위 및 Q 단위로 이루어지고, 몰 단위비가 M6DvQ8로 표시되는 분지상 폴리메틸비닐실록산；
B：양 말단이 M 단위로 봉쇄되고, 중간 단위가 50 몰%인 DH 단위와 잔여의 D 단위로 이루어지고, MDH 20D20M으로 표시되는 직쇄상 폴리메틸하이드로젠실록산.
실시예 및 비교예에, 촉매로서 하기의 백금-비닐실록산 착체를 이용하였다.
C：염화 백금산을 Dv 4로 표시되는 환상 실록산과 가열함으로써 얻어지고, 백금 함유량이 2 중량%인 착체.
실시예 및 비교예에, 하기의 경화 억제제를 이용하였다.
D：서피놀61(3,5-디메틸-1-헥신-3-올(에어프로덕츠재팬 주식회사 제조))
실시예 및 비교예에, 접착성 부여제로서 하기의 유기 규소 화합물을 이용했다.
E-1：식：
Figure 112013016889752-pct00006
로 표시되는 환상 실록산의 이성체 혼합물
E-2：
Figure 112013016889752-pct00007
실시예 및 비교예에, 하기의 무기 충전제를 이용하였다.
F-1：평균 입경 4 ㎛의 분쇄 석영(CRYSTALITE VX-S, 타츠모리사 제조. 평균 입경은 레이저법으로 입도 분포를 측정했을 때의 50 %중량평균)
F-2：BET 비표면적 300 m2/g의 연무질 실리카를 헥사메틸디실라잔으로 표면 처리한 표면 처리 연무질 실리카
실시예 1 ~ 6, 비교예 1 ~ 3
하기의 방법에 의해, 표 1에 나타내는 원료를 이용해, 폴리오르가노실록산 조성물을 조제했다.
교반기, 가열 장치 및 감압 장치를 구비한 용기에, A1과 미리 농도 조정한 50 중량%의 A2의 톨루엔 용액을 넣고, 균일해지도록 혼합한 후, 150 ℃, 13 kPa{1 torr}로 톨루엔을 증류하여 폴리실록산 용액을 조정했다. 이것을 만능 혼련기로 옮겨 F를 첨가해, 100 ℃에서 3시간 감압 하에서 혼련하고, 40 ℃ 이하까지 냉각하여 C 및 D를 혼합했다. 이어서, B 및 E를 첨가하고 10분간 감압 혼련함으로써 탈포를 행하여, 폴리오르가노실록산 조성물을 조제했다.
Figure 112013016889752-pct00008
평가 방법 및 결과
실시예 및 비교예의 조성물에 대해, 탄성률 및 경도를 이하와 같이 하여 측정했다. 평가 결과를 표 1에 나타낸다.
〔전단 탄성률〕
점탄성 측정 장치 ARES(TA인스트루먼츠사 제조)를 이용해 실시예 및 비교예의 조성물을 패럴렐 플레이트 내에 두께 1 mm가 되도록 150 ℃, 1시간으로 경화시켰다. 그 후, 측정 주파수 1 Hz·측정 변형 0.5 %로 -100 ℃ ~ 100 ℃, 승온 속도 10 ℃/분으로, 전단 탄성률을 연속적으로 측정했다. 구체적으로는, 한쪽의 플레이트를 비틀어 반대측으로의 응력을 측정했다.
〔경도〕
세로 60 mm × 가로 30 mm × 깊이 6 mm의 테프론(등록상표) 코트한 알루미늄제 금형에, 실시예 및 비교예의 조성물을 흘려 넣고, 150 ℃, 1시간으로 경화시켜, 23 ℃까지 냉각 후, TypeA에 대해서는 JIS　K6249에 기재된 바와 같이 하고, TypeD에 대해서는 JIS　K6253에 기재된 바와 같이 하여 측정을 행했다.
각 실시예의 조성물의 경화물은, 23 ℃에서의 전단 탄성률에 대한 -60 ℃에서의 전단 탄성률의 비가, 4.0 이하로 작고, TypeD 및 TypeA 경도도 양호한 범위에 있었다.
본 발명의 폴리오르가노실록산 조성물의 경화물로 이루어지는 실리콘 고무 제품은, 내한성이 뛰어날 뿐만 아니라, 실리콘 고무 본래의 내열성, 내한성, 내후성, 전기 절연성도 기대할 수 있기 때문에, 산업상 대단히 유용하다.

Claims (11)

  1. (A) (A1) 식 (I)：
    Figure 112017061618925-pct00009

    (식 중,
    R은, 독립적으로, R1 또는 R2이고, R 중 적어도 2개는 R1이며,
    R1은, 독립적으로, C2 - C6 알케닐기이고,
    R2는, 독립적으로, C1 - C6 알킬기이며,
    n은, 23 ℃에서의 점도를 10 ~ 10,000 cP로 하는 수이다)로 표시되는 직쇄상 폴리오르가노실록산, 및
    (A2) SiO4/2 단위 및 R'3SiO1/2 단위, 및 경우에 따라서는 또한 R'2SiO 단위 및/또는 R'SiO3/2 단위(식 중, R'는, 각각 독립적으로, 비치환 또는 치환된 1가의 지방족기 또는 지환식기이다)로 이루어지고, 1분자당, 적어도 3개의 R'가 알케닐기인 분지상 폴리오르가노실록산이며,
    (A1)에 대한 (A2)의 중량비가 1 ~ 5이고,
    (A1) 및 (A2)의 합계량에서 차지하는, SiO4/2 단위 및 경우에 따라 존재하는 R'SiO3/2 단위의 중량 비율이 20 ~ 60 중량%인, 알케닐기 함유 폴리오르가노실록산；
    (B) 규소 원자에 결합한 수소 원자를 분자 중에 2개를 넘는 수로 갖는 폴리오르가노하이드로젠실록산으로서, 식 (II＇)：
    Figure 112017061618925-pct00011

    (식 중, R3a는, 독립적으로, 지방족 불포화 탄소-탄소 결합을 포함하지 않는, 비치환 또는 치환된 1가의 지방족기 또는 지환식기이고, R3b는, 독립적으로, 수소 원자이거나, 혹은 비치환 또는 치환된 1가의 지방족기 또는 지환식기이며, p는 2 ~ 100의 수이고, q는 0 ~ 100의 수이다.)로 표시되는 폴리오르가노하이드로젠실록산; 및
    (C) 백금족 금속 화합물
    을 포함하는 경화성 폴리오르가노실록산 조성물.
  2. 청구항 1에 있어서,
    (A)의 R1이 비닐기이고, 또한 (A2)의 알케닐기인 R'가 비닐기인, 경화성 폴리오르가노실록산 조성물.
  3. 삭제
  4. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    (C)가 백금-비닐실록산 착체인, 경화성 폴리오르가노실록산 조성물.
  5. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    무기 충전제를 더 함유하는, 경화성 폴리오르가노실록산 조성물.
  6. 청구항 1 또는 청구항 2에 기재된 경화성 폴리오르가노실록산 조성물을 포함하는 접착제.
  7. 청구항 1 또는 청구항 2에 기재된 경화성 폴리오르가노실록산 조성물을 이용해 봉지된 반도체 장치.
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5854041B2 (ja) * 2011-03-31 2016-02-09 住友ベークライト株式会社 シリコーンゴム系硬化性組成物、シリコーンゴム系硬化性組成物の製造方法、シリコーンゴムの製造方法、シリコーンゴム、成形体および医療用チューブ
JP5862512B2 (ja) * 2012-08-22 2016-02-16 信越化学工業株式会社 シリコーンゴム硬化物の難燃性向上方法
JP6323086B2 (ja) * 2014-03-12 2018-05-16 Jnc株式会社 熱硬化性樹脂組成物及びそれを用いた物品
US20150307759A1 (en) 2014-04-28 2015-10-29 Ames Rubber Corporation Solventless curable coating systems and uses thereof
CN105368064B (zh) * 2014-08-27 2018-01-23 广州慧谷化学有限公司 有机聚硅氧烷组合物及其制备方法及半导体器件
CN105713391B (zh) * 2014-12-03 2018-11-09 广州慧谷化学有限公司 触变型有机聚硅氧烷组合物及半导体器件
JP6657037B2 (ja) * 2015-12-22 2020-03-04 信越化学工業株式会社 付加硬化性シリコーン樹脂組成物および半導体装置
CN105670298A (zh) * 2016-03-07 2016-06-15 惠州赛力珑新材料有限公司 一种加成型硅橡胶配方及粘接方法
US10190031B2 (en) * 2016-06-06 2019-01-29 Jiali Wu Thermally conductive interface composition and use thereof
TWI722207B (zh) * 2016-06-15 2021-03-21 日商邁圖高新材料日本合同公司 硬化性聚有機矽氧烷組成物及其用途
CN106167621B (zh) * 2016-08-03 2019-10-29 深圳市安品有机硅材料有限公司 阻燃型室温硫化液体硅橡胶
WO2018221637A1 (ja) * 2017-05-31 2018-12-06 モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 熱伝導性ポリシロキサン組成物
JP6891861B2 (ja) * 2018-06-11 2021-06-18 信越化学工業株式会社 付加硬化型液状導電性シリコーンゴム組成物及び電子写真式画像形成部材
WO2019240123A1 (ja) * 2018-06-12 2019-12-19 モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 難燃性ポリオルガノシロキサン組成物、難燃性硬化物、および光学用部材
US20210246337A1 (en) 2018-06-29 2021-08-12 Dow Silicones Corporation Solventless silicone pressure sensitive adhesive and methods for making and using same
JP6886439B2 (ja) * 2018-08-07 2021-06-16 日本特殊陶業株式会社 複合部材および接着剤組成物
JP7432519B2 (ja) 2018-10-18 2024-02-16 ダウ・東レ株式会社 耐寒性に優れる硬化性オルガノポリシロキサン組成物、パターン形成方法および電子部品等
JP6776478B1 (ja) * 2018-11-13 2020-10-28 モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 接着性ポリオルガノシロキサン組成物
JP6763105B1 (ja) 2018-12-25 2020-09-30 モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 接着性ポリオルガノシロキサン組成物
JP7003075B2 (ja) * 2019-02-15 2022-01-20 信越化学工業株式会社 ウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物及び該組成物を用いたウェハーレベル光半導体デバイス
JP2020132739A (ja) * 2019-02-18 2020-08-31 信越化学工業株式会社 ダイボンディング用シリコーン樹脂組成物、硬化物及び発光ダイオード素子
CN115975200B (zh) * 2022-12-27 2023-07-18 杭州崇耀科技发展有限公司 一种硅油离型剂用锚固剂及其使用方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006335857A (ja) * 2005-06-01 2006-12-14 Ge Toshiba Silicones Co Ltd 透明な硬化物を与えるポリオルガノシロキサン組成物

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4988779A (en) * 1989-04-17 1991-01-29 General Electric Company Addition cured silicone pressure sensitive adhesive
JP3278253B2 (ja) * 1993-08-17 2002-04-30 信越化学工業株式会社 硬化性シリコーンゴム組成物
JP2000169714A (ja) 1998-12-07 2000-06-20 Dow Corning Toray Silicone Co Ltd 硬化性シリコーン組成物
JP3595731B2 (ja) * 1999-06-21 2004-12-02 信越化学工業株式会社 半導体装置封止用付加硬化型シリコーン組成物及び半導体装置
JP2001115025A (ja) * 1999-10-20 2001-04-24 Dow Corning Toray Silicone Co Ltd 液状シリコーンゴム組成物、その製造方法およびシリコーンゴム発泡体の製造方法
JP3912525B2 (ja) * 2002-12-12 2007-05-09 信越化学工業株式会社 付加硬化型シリコーンゴム組成物及び粘着ゴムシート
JP4586967B2 (ja) * 2003-07-09 2010-11-24 信越化学工業株式会社 発光半導体被覆保護材及び発光半導体装置
TWI373150B (en) 2003-07-09 2012-09-21 Shinetsu Chemical Co Silicone rubber composition, light-emitting semiconductor embedding/protecting material and light-emitting semiconductor device
JP2007002234A (ja) * 2005-05-27 2007-01-11 Shin Etsu Chem Co Ltd 硬化性シリコーンゴム組成物及び半導体装置
US7588967B2 (en) * 2005-05-27 2009-09-15 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Curable silicone rubber composition and semiconductor device
JP2007161862A (ja) * 2005-12-13 2007-06-28 Momentive Performance Materials Japan Kk 低温保存キット
JP4644129B2 (ja) 2006-01-17 2011-03-02 信越化学工業株式会社 硬化性シリコーンゴム組成物及びその硬化物
TWI447176B (zh) * 2006-10-19 2014-08-01 Momentive Performance Mat Jp 硬化性聚有機矽氧烷組成物
JP5536448B2 (ja) * 2007-04-17 2014-07-02 株式会社カネカ 多面体構造ポリシロキサン変性体および該変性体を用いた組成物
JP2009021534A (ja) 2007-06-15 2009-01-29 Nuflare Technology Inc 気相成長装置及び気相成長方法
JP2009215434A (ja) * 2008-03-11 2009-09-24 Shin Etsu Chem Co Ltd シリコーン樹脂組成物及び発光半導体装置
JP5136963B2 (ja) * 2008-03-24 2013-02-06 信越化学工業株式会社 硬化性シリコーンゴム組成物及び半導体装置
JP5000566B2 (ja) * 2008-03-27 2012-08-15 信越化学工業株式会社 硬化性シリコーンゴム組成物、およびそれを封止材料として用いた光半導体装置
JP2009236265A (ja) 2008-03-28 2009-10-15 Mitsuba Corp エンジン始動装置
JP5342830B2 (ja) * 2008-08-19 2013-11-13 モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 光硬化性オルガノポリシロキサン組成物
JP5499774B2 (ja) * 2009-03-04 2014-05-21 信越化学工業株式会社 光半導体封止用組成物及びそれを用いた光半導体装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006335857A (ja) * 2005-06-01 2006-12-14 Ge Toshiba Silicones Co Ltd 透明な硬化物を与えるポリオルガノシロキサン組成物

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