JP2007129053A - Led発光装置。 - Google Patents

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Abstract

【課題】 LEDチップ収納凹部の銀メッキの表面が酸化・硫化して反射効率が低下する。
【解決手段】 アルミ板にアルマイト処理した基台1の上に、上面に所定の導電パターン2を形成し、LEDチップ3をダイボンドする領域を有する開口部4aを備えたプリント基板4を貼付し、プリント基板4の開口部4aに位置する基台1の上にLEDチップ3を透明ペーストでダイボンドする。LEDチップ3の上面電極とプリント基板4上に形成した導電パター2ンとを金線5でワイヤーボンディングし、プリント基板4の外周上面に、LEDチップ3を覆うように外周部に封止樹脂注入孔6cを有するシリコーン樹脂よりなるレンズ付ケース6を貼付し、レンズ付ケース6に設けた封止樹脂注入孔6cよりゴム/ゲル系シリコーン樹脂よりなる封止樹脂7を注入してLEDチップ3を封止する。アルミ板の光の反射率は変化が少なく、光度劣化が飛躍的に向上する。放熱性が向上する。
【選択図】 図3

Description

本発明は、プリント基板にLEDチップを実装し、該プリント基板の上面にレンズ付ケースを貼付したLED発光装置に係わり、詳しくは、LEDの高出力化によりLED発光量が増加するため、放熱特性の向上と、光度および光束の劣化を防止するLED発光装置に関する。
近年のLEDの高出力化が目覚しく、各種家電、OA機器、車両機器の表示灯、信号機の表示灯、フロントライトなどに使用されるLED発光装置があるが、LED発光装置の発光量を増やすとLEDが発する熱が増大するので発光効率が低下する。また、反射効率を上げるために、樹脂製のリフレクターを備えたLED発光装置では、温度上昇が著しい場合にはリフレクターが経年劣化して反射効率が低下する。さらに、金属製の基台にLEDチップを実装されている場合は、LEDチップが基台から剥離するなどの問題が発生した。そこで、放熱性の向上、熱による経年劣化防止、熱によるLEDチップの剥離防止などに対応するLED発光装置が提案されている。(例えば、特許文献1参照)
特開2005−136137号(第4頁、図1)
図4および図5は、参考文献1に開示されているLED発光装置で、図4は、LED発光装置の断面図、図5は、図4の平面図である。図4および図5において、LEDチップ11が搭載された基台12と、リフレクター面13が形成されたケース14と、第1のリード15、第2のリード16、および耐熱性透明ガラス蓋17とで構成されている。外形形状が略方形のケース14は、底面から上方に向かって穴径が拡大する略漏斗状の収納凹部を有し、その漏斗状の収納凹部の表面には銀メッキなどの表面処理が施されている。
前記基台12の上面には、導電性薄膜の第1電極18と第2電極19が配置され絶縁性接着剤で接着されている。前記第1電極18には第1リード15の端部15aが接続され、第2電極19には第2リード16の端部16aが接続されている。銅製薄板の第1リード15と第2リード16は低融点ガラスのような絶縁性接着剤でケース14に接着されている。
前記LEDチップ11は第1電極18上に搭載され、銀ペーストのような導電性接着剤によって接着されている。これによってLEDチップ11の下面電極は第1電極18を介して第1のリード15に電気的に接続される。他方、LEDチップ11の上面電極はボンディングワイヤである金線20を介して第2電極19に電気的に接続される。
解決しようとする問題点は、上記した図4および図5に示すLED発光装置は、上記したように、ケース14は漏斗状の収納凹部の表面に反射効率を向上させるために銀メッキ処理が施されているが、熱による経年劣化により表面が酸化・硫化して、反射効率が低下してしまう。などの問題があった。
本発明は、上述の欠点を解消するもので、その目的は、LEDチップを実装する基台に熱伝導率の高い、しかも反射効率に変化の少ない部材を用い、光度劣化が飛躍的に向上したLED発光装置を提供するものである。
上記目的を達成するために、本発明におけるLED発光装置は、プリント基板にLEDチップを実装し、該プリント基板の上面にレンズ付ケースを貼付したLED発光装置において、熱伝導率の高い部材よりなる基台の上に、上面に所定の導電パターンを形成し、且つLEDチップをダイボンドする領域を有する開口部を備えたプリント基板を貼り合わせ、該プリント基板の開口部に位置する基台の上にLEDチップをダイボンドすると共に、前記LEDチップの上面電極とプリント基板上に形成した導電パターンとを金線でワイヤーボンディングし、前記プリント基板の外周上面に、前記LEDチップを覆うように外周部に封止樹脂注入孔を有するレンズ付ケースを貼付し、前記レンズ付ケースに設けた封止樹脂注入孔より封止樹脂を注入してLEDチップを封止したことを特徴とするものである。
また、前記熱伝導率の高い部材よりなる基台は、アルミ板にアルマイト処理が施されていることを特徴とするものである
また、前記熱伝導率の高い部材よりなる基台は、銅板にアルミメッキ処理が施されていることを特徴とするものである。
また、前記プリント基板の開口部が位置する基台の上に、透明ペースト(シリコーンダイボンドペースト)でLEDチップをダイボンド接着したことを特徴とするものである。
また、前記プリント基板の開口部が位置する基台の上に、酸化チタンを入れた白色ペーストでLEDチップをダイボンド接着したことを特徴とするものである。
また、前記レンズ付ケースは、シリコーン樹脂を使用したことを特徴とするものである。
前記封止樹脂は、ゴム/ゲル系シリコーン樹脂であることを特徴とするものである。
また、前記封止樹脂は、白色の場合は、ゴム/ゲル系シリコーン樹脂の中に蛍光体・拡散材を含有することを特徴とするものである。
また、前記プリント基板の外周部上面のレンズ付ケースの貼付け代に、レジスト印刷でレジスト膜を形成したことを特徴とするものである。
また、前記LEDチップを実装する基台の実装部分に、すり鉢状に凹んだ反射カップを形成したことを特徴とするものである。
また、前記アルマイト処理が施されている基台の上面に、多層コーティング膜を形成したことを特徴とするものである。
本発明のLED発光装置は、LEDチップを実装すら基台は、アルミ板をアルマイト処理または銅板にアルミメッキを施しているので、耐蝕性に優れ、光の反射率に変化が少なく、また、LEDチップの発熱が基台に直に伝わるため放熱が容易に可能である。また、LEDチップの接着は透明ペーストで行うので、ダイボンド側から光の反射を阻害することはない。また、レンズ付ケースで全体を覆うので、封止樹脂に柔らかいゴム系のシリコーン樹脂が使用でき、柔らかいので内部応力が緩和され、温度サイクル性が向上する。また、封止樹脂およびレンズ付ケースにシリコーン樹脂を使用するため、透湿率が高いので、リフローのプリヒート時に樹脂中の水分が水蒸気化したときにほとんどの水分が抜け、ピーク温度時には蒸気爆発が起きにくくなり、吸湿リフロー耐性が向上する。また、封止樹脂は注入方式のため、注入樹脂量が一定になる。また、レンズ貼付け代にレジスト膜を印刷するので、プリント基板のパターンの段差をレジストが緩和してくれるので、レンズの接着が容易になる。また、LEDチップの接着に、酸化チタンを入れた白色ペーストを使用すると、熱伝導性がアップし、放熱性が向上する。また、LEDチップ実装部分をすり鉢状の反射カップを形成することにより、輝度が向上する。また、アルマイト処理の上に、多層コーティング膜を形成することにより、反射率が向上する。また、レンズ付ケースにより用途に合わせた指向特性を持つLED発光装置を作ることができるなど、信頼性に優れたLED発光装置を提供することが可能である。
本発明のLED発光装置について、図面に基づいて説明する。
図1〜図3は、本発明の実施例に係わり、図1は、LED発光装置の平面図、図2は、図1の側面図、図3は、図1のA−A線断面図である。
図1〜図3において、本発明におけるLED発光装置において、1は略方形状した基台で、熱伝導率の高い部材であるアルミ板にアルマイト処理が施されている。該基台1の上面には、前記基台1と略同形状をしていて、その上面に所定の導電パターン2を形成し、且つLEDチップ3をダイボンドする領域を有する開口部4aを備えたプリント基板4が貼付されている。該プリント基板4の外形側壁の所定の位置には、前記導電パターン2と連通する複数のスルーホール電極4cが形成されている。前記プリント基板4の開口部4aが位置する基台1の上に、透明ペースト(シリコーンダイボンドペースト)でLEDチップ3をダイボンド接着する。LEDチップ3をダイボンドした後、LEDチップ3の上面電極はボンディングワイヤである金線5を介して電気的に接続される。前記プリント基板4の外周部上面の前記導電パターン2が存在するレンズ付ケースの貼付け代4bに、レジスト印刷で図示しないレジスト膜が形成されている。
前記プリント基板4の外周上面に、前記LEDチップ3を覆うように、レンズ付ケース6を貼付する。該レンズ付ケース6はシリコーン系樹脂を使用し、所定の曲率を有するレンズ部6aと、そのレンズ部6aの平坦な外周部6bに封止樹脂注入孔6c(図1では4個)が配設されている。前記プリント基板4にレンズ付ケース6を接着するには、UV硬化型接着剤などを用いて接着する。
前記基台1上に実装されたLEDチップ3を覆うように封止する封止樹脂7は、柔らかいゴム/ゲル系シリコーン樹脂(白色の場合は蛍光体・拡散材を含む)が使用される。前記封止樹脂7は、前記レンズ付ケース6の外周部6bに形成された封止樹脂注入孔6cから一定量の樹脂が注入される。以上によりLED発光装置が構成される。
上記した基台1は、アルミ板にアルマイト処理が施す代わりに、銅板にアルミメッキを施したものでもよい。また、LEDチップ3の接着は、透明ペーストの代わりに、酸化チタンなどを入れた白色ペーストを使用してもよい。さらに、基台1のアルミ板のLEDチップ3の実装部分を、すり鉢状に凹んだ反射カップ形状に形成してもよい。また、前記アルマイト処理が施されている基台1の上面に、多層コーティング膜を形成してもよい。
以上述べた構成のLED発光装置の作用・効果について説明する。本発明のLED発光装置において、LEDチップ3を実装する基台1は、アルミ板をアルマイト処理または銅板にアルミメッキを施しているので、耐蝕性に優れ、光の反射率に変化が少ない、また、LEDチップ3の発熱が基台1に直に伝わるため放熱が容易に可能である。
また、LEDチップ3の接着は透明ペーストで行うので、ダイボンド側から光の反射を阻害することはない。また、レンズ付ケース6で全体を覆うので、封止樹脂7に柔らかいゴム系のシリコーン樹脂が使用でき、柔らかいので内部応力が緩和され、温度サイクル性が向上する。さらに、封止樹脂7およびレンズ付ケース6にシリコーン樹脂を使用するため、透湿率が高いので、リフローのプリヒート時に樹脂中の水分が水蒸気化したときにほとんどの水分が抜け、ピーク温度時には蒸気爆発が起きにくくなり、吸湿リフロー耐性が向上する。また、LEDチップ3の接着に、酸化チタンを入れた白色ペーストを使用すると、熱伝導性がアップし、放熱性が向上する。
また、封止樹脂7は注入方式のため、注入樹脂量が一定になる。特に、白色の場合の蛍光・拡散材のバラツキが少なくなる。
また、レンズ貼付け代4bにレジスト膜を印刷するので、プリント基板4の導電パターン2の段差をレジストが緩和してくれるので、レンズの接着が容易になる。
また、LEDチップ実装部分をすり鉢状の反射カップを形成することにより、輝度が向上する。さらに、基台1のアルマイト処理の上に、多層コーティング膜を形成することにより、反射率が向上する。
また、レンズ付ケース6のレンズ部6aの曲率により用途に合わせた指向特性を持つLED発光装置を作ることができる。など信頼性に優れたLED発光装置を提供することができる。
本発明の実施例に係わるLED発光装置の平面図である。 図1の側面図である。 図1のA−A線断面図である。 従来のLED発光装置の断面図である。 図4の平面図である。
符号の説明
1 基台
2 導電パターン
3 LEDチップ
4 プリント基板
4a 開口部
5 ボンディングワイヤ(金線)
6 レンズ付ケース
6a レンズ部
6b 外周部
6c 封止樹脂注入孔
7 封止樹脂





Claims (11)

  1. プリント基板にLEDチップを実装し、該プリント基板の上面にレンズ付ケースを貼付したLED発光装置において、熱伝導率の高い部材よりなる基台の上に、上面に所定の導電パターンを形成し、且つLEDチップをダイボンドする領域を有する開口部を備えたプリント基板を貼り合わせ、該プリント基板の開口部に位置する基台の上にLEDチップをダイボンドすると共に、前記LEDチップの上面電極とプリント基板上に形成した導電パターンとを金線でワイヤーボンディングし、前記プリント基板の外周上面に、前記LEDチップを覆うように外周部に封止樹脂注入孔を有するレンズ付ケースを貼付し、前記レンズ付ケースに設けた封止樹脂注入孔より封止樹脂を注入してLEDチップを封止したことを特徴とするLED発光装置。
  2. 前記熱伝導率の高い部材よりなる基台は、アルミ板にアルマイト処理が施されていることを特徴とする請求項1記載のLED発光装置。
  3. 前記熱伝導率の高い部材よりなる基台は、銅板にアルミメッキ処理が施されていることを特徴とする請求項1記載のLED発光装置。
  4. 前記プリント基板の開口部が位置する基台の上に、透明ペースト(シリコーンダイボンドペースト)でLEDチップをダイボンド接着したことを特徴とする請求項1記載のLED発光装置。
  5. 前記プリント基板の開口部が位置する基台の上に、酸化チタンを入れた白色ペーストでLEDチップをダイボンド接着したことを特徴とする請求項1記載のLED発光装置。
  6. 前記レンズ付ケースは、シリコーン樹脂を使用したことを特徴とする請求項1記載のLED発光装置。
  7. 前記封止樹脂は、ゴム/ゲル系シリコーン樹脂であることを特徴とする請求項1記載のLED発光装置。
  8. 前記封止樹脂は、白色の場合は、ゴム/ゲル系シリコーン樹脂の中に蛍光体・拡散材を含有することを特徴とする請求項1記載のLED発光装置。
  9. 前記プリント基板の外周部上面のレンズ付ケースの貼付け代に、レジスト印刷でレジスト膜を形成したことを特徴とする請求項1記載のLED発光装置。
  10. 前記LEDチップを実装する基台の実装部分に、すり鉢状に凹んだ反射カップを形成したことを特徴とする請求項2または3記載のLED発光装置。
  11. 前記アルマイト処理が施されている基台の上面に、多層コーティング膜を形成したことを特徴とする請求項2または9記載のLED発光装置。







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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009081194A (ja) * 2007-09-25 2009-04-16 Sanyo Electric Co Ltd 発光モジュールおよびその製造方法
JP2010129915A (ja) * 2008-11-28 2010-06-10 Panasonic Electric Works Co Ltd 砲弾型led搭載基板
CN101887939A (zh) * 2010-05-24 2010-11-17 晶科电子(广州)有限公司 一种提高led外量子效率的封装结构及其封装方法
EP2365549A1 (en) 2010-03-12 2011-09-14 Asahi Glass Company, Limited Light-emitting device
JP2013115360A (ja) * 2011-11-30 2013-06-10 Seiko Epson Corp 光照射装置
US8476656B2 (en) 2008-09-25 2013-07-02 Citizen Electronics Co., Ltd. Light-emitting diode
WO2013150882A1 (ja) * 2012-04-06 2013-10-10 シチズン電子株式会社 Led発光装置
WO2014083714A1 (ja) 2012-11-27 2014-06-05 シチズン電子株式会社 実装基板及びこの実装基板を用いた発光装置
JP2017124632A (ja) * 2010-03-23 2017-07-20 株式会社朝日ラバー 可撓性反射基材、その製造方法及びその反射基材に用いる原材料組成物
US10084122B2 (en) 2014-07-17 2018-09-25 Citizen Electronics Co., Ltd. Light-emitting apparatus and method of manufacturing the same

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006015335B4 (de) * 2006-04-03 2013-05-02 Ivoclar Vivadent Ag Halbleiter-Strahlungsquelle sowie Lichthärtgerät
KR100828900B1 (ko) 2006-09-04 2008-05-09 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법
US7889421B2 (en) * 2006-11-17 2011-02-15 Rensselaer Polytechnic Institute High-power white LEDs and manufacturing method thereof
CN101075655B (zh) * 2007-06-05 2010-07-07 诸建平 白光面光源发光装置
US8288936B2 (en) * 2007-06-05 2012-10-16 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting apparatus, method for manufacturing the light emitting apparatus, electronic device and cell phone device
KR100888228B1 (ko) * 2007-06-22 2009-03-12 (주)웨이브닉스이에스피 금속베이스 광소자 패키지 모듈 및 그 제조방법
JP2009110737A (ja) * 2007-10-29 2009-05-21 Citizen Electronics Co Ltd 照明装置及びその製造方法
DE102008021618A1 (de) * 2007-11-28 2009-06-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Chipanordnung, Anschlussanordnung, LED sowie Verfahren zur Herstellung einer Chipanordnung
TWI419357B (zh) * 2008-03-12 2013-12-11 Bright Led Electronics Corp Manufacturing method of light emitting module
KR101438826B1 (ko) 2008-06-23 2014-09-05 엘지이노텍 주식회사 발광장치
CN101630678B (zh) * 2008-07-16 2011-10-05 恩纳特隆公司 发光装置和制造该发光装置的方法
TWI380483B (en) * 2008-12-29 2012-12-21 Everlight Electronics Co Ltd Led device and method of packaging the same
TWI423421B (zh) * 2009-01-17 2014-01-11 Bright Led Electronics Corp A light emitting device and a manufacturing method thereof
DE102009025266B4 (de) * 2009-06-17 2015-08-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil
JP5431818B2 (ja) * 2009-07-21 2014-03-05 シチズン電子株式会社 発光ダイオード光源装置
EP2346100B1 (en) * 2010-01-15 2019-05-22 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting apparatus and lighting system
JP2011216687A (ja) * 2010-03-31 2011-10-27 Taiyo Holdings Co Ltd 白色塗膜層及びその形成方法、並びにプリント配線板
CN101826590B (zh) * 2010-04-20 2013-11-13 北京朗波尔光电股份有限公司 一种透镜注荧光胶的led灯及其封装方法
CN101876407A (zh) * 2010-05-17 2010-11-03 中山大学佛山研究院 一种led光源模组
EP2413391A1 (en) * 2010-07-27 2012-02-01 Cirocomm Technology Corp. Light unit for LED lamp and method for the same
KR20120022628A (ko) * 2010-08-16 2012-03-12 후지필름 가부시키가이샤 Led 용 방열 반사판
CN102052594A (zh) * 2010-12-20 2011-05-11 惠州志能达光电科技有限公司 一种高散热led光源模组及其制作方法
US20120188738A1 (en) * 2011-01-25 2012-07-26 Conexant Systems, Inc. Integrated led in system-in-package module
EP2482333A1 (de) * 2011-01-31 2012-08-01 AZURSPACE Solar Power GmbH Solarzellenempfänger
TW201238085A (en) * 2011-03-15 2012-09-16 Lextar Electronics Corp Light emitting diode package structure
DE102011056654A1 (de) * 2011-12-20 2013-06-20 Vossloh-Schwabe Optoelectronic Gmbh & Co. Kg Leuchtdiodenanordnung
CN102798023A (zh) * 2012-08-31 2012-11-28 深圳市红色投资有限公司 一种led灯具
CN103022315B (zh) * 2012-11-28 2016-05-11 歌尔声学股份有限公司 发光二极管装置
CN103227268B (zh) * 2013-03-31 2016-05-04 深圳市三创客科技有限公司 一种led荧光粉涂装方法
JP2015230949A (ja) * 2014-06-04 2015-12-21 三菱電機株式会社 半導体装置及びその製造方法並びに転写シート及びその製造方法
JP6459949B2 (ja) 2015-12-21 2019-01-30 日亜化学工業株式会社 発光装置
TWI678816B (zh) * 2017-01-20 2019-12-01 聯京光電股份有限公司 發光元件封裝基座結構
CN210687847U (zh) * 2019-11-12 2020-06-05 广德利德光电有限公司 一种超级焊接灯串

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55132083A (en) * 1979-03-30 1980-10-14 Sanyo Electric Co Ltd Light emitting diode substrate
JPH0878727A (ja) * 1994-09-09 1996-03-22 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード
JP2003124530A (ja) * 1996-12-12 2003-04-25 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード及びそれを用いたled表示装置
JP2004134699A (ja) * 2002-10-15 2004-04-30 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2004207367A (ja) * 2002-12-24 2004-07-22 Toyoda Gosei Co Ltd 発光ダイオード及び発光ダイオード配列板
JP2004228170A (ja) * 2003-01-20 2004-08-12 Matsushita Electric Works Ltd 配線板及び発光装置
JP2004343059A (ja) * 2003-04-24 2004-12-02 Nichia Chem Ind Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2004342870A (ja) * 2003-05-16 2004-12-02 Stanley Electric Co Ltd 大電流駆動用発光ダイオード
JP2005079464A (ja) * 2003-09-02 2005-03-24 Stanley Electric Co Ltd 受発光装置
JP2005093594A (ja) * 2003-09-16 2005-04-07 Fuji Photo Film Co Ltd 発光装置及びその製造方法
JP2007109701A (ja) * 2005-10-11 2007-04-26 Hitachi Aic Inc 発光素子搭載用基板

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6028144A (ja) * 1983-07-27 1985-02-13 Hitachi Ltd 画像投写装置
JPH0545009Y2 (ja) * 1987-04-06 1993-11-16
US5676453A (en) * 1992-04-16 1997-10-14 Tir Technologies, Inc. Collimating TIR lens devices employing fluorescent light sources
US6429581B1 (en) * 1998-09-10 2002-08-06 Corning Incorporated TIR lens for uniform brightness
JP2002270901A (ja) * 2001-03-12 2002-09-20 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオードとその製造方法
EP1394603A1 (en) * 2001-06-01 2004-03-03 Toppan Printing Co., Ltd MICRO−LENS SHEET AND PROJECTION SCREEN
EP1416219B1 (en) * 2001-08-09 2016-06-22 Everlight Electronics Co., Ltd Led illuminator and card type led illuminating light source
US6924514B2 (en) 2002-02-19 2005-08-02 Nichia Corporation Light-emitting device and process for producing thereof
JP4133420B2 (ja) * 2002-03-26 2008-08-13 シャープ株式会社 バックライト及び液晶表示装置
JP3873256B2 (ja) * 2003-01-24 2007-01-24 ミネベア株式会社 面状照明装置
KR20040092512A (ko) * 2003-04-24 2004-11-04 (주)그래픽테크노재팬 방열 기능을 갖는 반사판이 구비된 반도체 발광장치
CN1601768A (zh) * 2003-09-22 2005-03-30 福建省苍乐电子企业有限公司 一种发光二极管结构
JP2005136137A (ja) 2003-10-30 2005-05-26 Mitsui & Co Ltd 半導体発光装置
DE10351934B4 (de) * 2003-11-07 2017-07-13 Tridonic Jennersdorf Gmbh Leuchtdioden-Anordnung mit wärmeabführender Platine
FI116116B (fi) * 2003-11-07 2005-09-15 Teknoware Oy Hybridivalaisin
US7326583B2 (en) * 2004-03-31 2008-02-05 Cree, Inc. Methods for packaging of a semiconductor light emitting device
WO2006065007A1 (en) * 2004-12-16 2006-06-22 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Leadframe having a heat sink supporting ring, fabricating method of a light emitting diodepackage using the same and light emitting diodepackage fabbricated by the method
US7777247B2 (en) * 2005-01-14 2010-08-17 Cree, Inc. Semiconductor light emitting device mounting substrates including a conductive lead extending therein
KR100761387B1 (ko) * 2005-07-13 2007-09-27 서울반도체 주식회사 몰딩부재를 형성하기 위한 몰드 및 그것을 사용한 몰딩부재형성방법

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55132083A (en) * 1979-03-30 1980-10-14 Sanyo Electric Co Ltd Light emitting diode substrate
JPH0878727A (ja) * 1994-09-09 1996-03-22 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード
JP2003124530A (ja) * 1996-12-12 2003-04-25 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード及びそれを用いたled表示装置
JP2004134699A (ja) * 2002-10-15 2004-04-30 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2004207367A (ja) * 2002-12-24 2004-07-22 Toyoda Gosei Co Ltd 発光ダイオード及び発光ダイオード配列板
JP2004228170A (ja) * 2003-01-20 2004-08-12 Matsushita Electric Works Ltd 配線板及び発光装置
JP2004343059A (ja) * 2003-04-24 2004-12-02 Nichia Chem Ind Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2004342870A (ja) * 2003-05-16 2004-12-02 Stanley Electric Co Ltd 大電流駆動用発光ダイオード
JP2005079464A (ja) * 2003-09-02 2005-03-24 Stanley Electric Co Ltd 受発光装置
JP2005093594A (ja) * 2003-09-16 2005-04-07 Fuji Photo Film Co Ltd 発光装置及びその製造方法
JP2007109701A (ja) * 2005-10-11 2007-04-26 Hitachi Aic Inc 発光素子搭載用基板

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009081194A (ja) * 2007-09-25 2009-04-16 Sanyo Electric Co Ltd 発光モジュールおよびその製造方法
US8476656B2 (en) 2008-09-25 2013-07-02 Citizen Electronics Co., Ltd. Light-emitting diode
JP2010129915A (ja) * 2008-11-28 2010-06-10 Panasonic Electric Works Co Ltd 砲弾型led搭載基板
EP2365549A1 (en) 2010-03-12 2011-09-14 Asahi Glass Company, Limited Light-emitting device
US8319240B2 (en) 2010-03-12 2012-11-27 Asahi Glass Company, Limited Light-emitting device
JP2017124632A (ja) * 2010-03-23 2017-07-20 株式会社朝日ラバー 可撓性反射基材、その製造方法及びその反射基材に用いる原材料組成物
CN101887939A (zh) * 2010-05-24 2010-11-17 晶科电子(广州)有限公司 一种提高led外量子效率的封装结构及其封装方法
JP2013115360A (ja) * 2011-11-30 2013-06-10 Seiko Epson Corp 光照射装置
WO2013150882A1 (ja) * 2012-04-06 2013-10-10 シチズン電子株式会社 Led発光装置
JPWO2013150882A1 (ja) * 2012-04-06 2015-12-17 シチズン電子株式会社 Led発光装置
WO2014083714A1 (ja) 2012-11-27 2014-06-05 シチズン電子株式会社 実装基板及びこの実装基板を用いた発光装置
US9368707B2 (en) 2012-11-27 2016-06-14 Citizen Electronics Co., Ltd. Mounting substrate and light-emitting device using the same
JPWO2014083714A1 (ja) * 2012-11-27 2017-01-05 シチズン電子株式会社 実装基板及びこの実装基板を用いた発光装置
US10084122B2 (en) 2014-07-17 2018-09-25 Citizen Electronics Co., Ltd. Light-emitting apparatus and method of manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
US7560748B2 (en) 2009-07-14
JP5066333B2 (ja) 2012-11-07
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CN1960016B (zh) 2010-05-12

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