JP2015230949A - 半導体装置及びその製造方法並びに転写シート及びその製造方法 - Google Patents

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玲 米山
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耕三 原田
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Isao Oshima
功 大島
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Yoshitaka Otsubo
義貴 大坪
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Abstract

【課題】従来の半導体装置には、パターンが放熱材料として相転移材料を塗布することで形成されている。温度管理が十分でない環境下の場合に、液体状態となった相転移材料で形成されたパターンに衝撃が加わっても、パターンの形状の崩れを低減することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体モジュール10の内部に実装された半導体素子と、半導体素子から生じる熱を放熱器へ放熱し、半導体モジュール10に形成された放熱面13と、相転移材料からなり、放熱面上に形成されたパターン14と、パターン14を覆う第1のフィルムとしてのフィルム15を備える。
【選択図】 図1

Description

本発明は、半導体装置に関するものである。
従来の半導体装置には、実装された半導体素子から生じる熱を、放熱器として動作する冷却体に接触させて放熱させるために、冷却体との密着性が向上する形状を持ったパターンが放熱材料を塗布することで形成されていた(例えば、特許文献1参照)。そして、その塗布面が剥き出しのままの状態で出荷されていた。
特開2009−277976号公報
このような半導体装置にあっては、顧客出荷時又は顧客までの輸送時等、温度管理が十分でない環境下の場合に、半導体装置が高温になる恐れがある。そのような場合、塗布された放熱材料が相転移材料であると、その放熱材料は液体状態となる。そのときに、相転移材料であるパターンに衝撃が加わると、パターンの形状が崩れるという問題点があった。
本発明は、上述のような問題を解決するためになされたもので、温度管理が十分でない環境下の場合に、液体状態となった相転移材料で形成されたパターンに衝撃が加わっても、パターンの形状の崩れを低減することができる半導体装置を提供することを目的とする。
本発明にかかる半導体装置は、半導体モジュールの内部に実装された半導体素子と、半導体素子から生じる熱を放熱器へ放熱し、半導体モジュールに形成された放熱面と、相転移材料からなり、放熱面上に形成されたパターンと、パターンを覆う第1のフィルムとを備えたものである。
本発明にかかる半導体装置によれば、顧客出荷時又は顧客までの輸送時等、温度管理が十分でない環境下の場合に、半導体装置が高温となり、液体状態となった相転移材料で形成されたパターンに衝撃が加わっても、パターンとフィルムとの界面における張力により、半導体装置はパターンの形状の崩れを低減することができる。
本発明の実施の形態1にかかる半導体装置100を示す側面図である。 本発明の実施の形態1にかかる半導体装置100を示す下面図である。 本発明の実施の形態1にかかる半導体装置100の製造方法の工程を示すフロー図である。 本発明の実施の形態1にかかる半導体装置100の製造方法の工程のステップS1を説明するための製造途中の半導体装置100の側面図である。 本発明の実施の形態1にかかる半導体装置100の製造方法の工程のステップS1を説明するための製造途中の半導体装置100の上面図である。 本発明の実施の形態1にかかる半導体装置100の製造方法の工程のステップS3を説明するための製造途中の半導体装置100の側面図である。 本発明の実施の形態1にかかる変形例の半導体装置200を示す側面図である。 本発明の実施の形態2にかかる半導体装置300を示す側面図である。 本発明の実施の形態2にかかる半導体装置300の製造方法の工程を示すフロー図である。 本発明の実施の形態2にかかる半導体装置300の製造方法の工程のステップS31を説明するための製造途中の半導体装置300の上面図である。 本発明の実施の形態2にかかる半導体装置300の製造方法の工程のステップS31を説明するための製造途中の半導体装置300の断面図である。 本発明の実施の形態2にかかる半導体装置300の製造方法の工程のステップS33を説明するための製造途中の半導体装置300の側面図である。 本発明の実施の形態3にかかる半導体装置400を示す側面図である。 本発明の実施の形態4にかかる転写シート500を示す側面図である。 本発明の実施の形態4にかかる転写シート500の製造方法の工程を示すフロー図である。 本発明の実施の形態5にかかる転写シート600を示す側面図である。 本発明の実施の形態6にかかる転写シート700を示す側面図である。 本発明の実施の形態6にかかる転写シート700の製造方法の工程を示すフロー図である。 本発明の実施の形態6にかかる転写シート700の製造方法の工程のステップS73を説明するための製造途中の転写シート700示す側面図である。 本発明の実施の形態7にかかる転写シート800を示す側面図である。
実施の形態1.
まず、本発明の実施の形態1にかかる半導体装置100の構成を説明する。図1は、本発明の実施の形態1にかかる半導体装置100を示す側面図である。図1において、半導体装置100は、半導体モジュール10と、パターン14と、接着面16を有する第1のフィルムとしてのフィルム15とを備えている。半導体モジュール10は、放熱面13を備えた金属板11と、ケース12とを備えている。
まず、図1における半導体モジュール10について説明する。半導体モジュール10は、ケース12の内部に、ダイオード、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)、又はMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)等の半導体素子が実装されている。実装された半導体素子から生じる熱は、半導体モジュール10を放熱器に取り付けることにより、金属板11の放熱面13を介して放熱する。放熱器は、発熱する機器に取り付け、熱の放散によって、取り付けた機器の温度を下げることを目的としたものを示す。熱の放散方法は、自然冷却であっても、強制的な空冷、水冷であってもよい。また、ペルチェ素子等のような冷却素子を用いてもよい。
金属板11は、半導体モジュール10の内部に実装された半導体素子から生じる熱を放熱器へ放熱する放熱面13を備えている。金属板11は、金属から成り、好ましくは銅が用いられている。
ケース12は、半導体モジュール10内に実装された半導体素子等を収め、保護している。任意の好適な材料から製造され、例えばポリフェニレンサルファイド(poly phenylen sulfide)やポリブチレンテレフタレート(poly butylene terephthalate)等の熱可塑性樹脂等から成る。熱可塑樹脂としては、その他に、例えばポリアミド(poly amide)やポリエチレン(poly ethelene)、ポリエステル(poly ester)等も用いることができる。
次に、図1におけるパターン14について説明する。パターン14は、相転移材料141からなり、放熱面13上に形成されている。相転移材料141は、室温で液体であり、粘度調整のための揮発性の第1の成分と、室温で固体であり、わずかに上昇した温度で液体である第2の成分と、充填材としての熱伝導性の微粒子(例えば、アルミニウムやアルミナ等)とを含む材料である。ここで、室温とは、好ましくは20℃から27℃の範囲であり、わずかに上昇した温度とは、好ましくは35℃から60℃の範囲である。また、相転移材料141は、液体状態となると、チクソトロピー性をもつ。パターン14は、相転移材料141を放熱面13上に塗布し、第1の成分を揮発させることにより形成される。ここで、パターン14は、図1に示すように、塗布領域が複数で構成されている。ただし、パターン14は、放熱面13の全面等、塗布領域が一箇所で構成されていてもよい。
次に、図1におけるフィルム15について説明する。フィルム15は、パターン14を介して半導体モジュール10の放熱面13と接着する接着面16を有する。接着面16は、エンボス加工、凸状や線状の加工がされ、粗面になっている。そのエンボス、凸及び線の大きさや太さは、少なくともパターン14の形状よりも小さければよい。線の場合、その方向は、フィルム15のある一辺に対し、垂直であっても、平行であっても、斜めであってもよい。また、直線であっても、点線であっても、波線であってもよい。
図2は、図1における半導体装置100を下から見た下面図である。以下では、図1及び図2を用いて、フィルム15についてさらに説明する。フィルム15は、放熱面13と向かい合い、放熱面13の外周L1よりも長い外周を有する。以下では、フィルム15の外周を第1の外周と呼ぶものとする。また、図2に示すように、第1の外周内に放熱面13の外周L1が含まれているようにフィルム15は配置されている。図1に示すような半導体モジュール10で、放熱面13の外周L1が半導体モジュール10の外周L2よりも短いと考えられる場合は、第1の外周内に半導体モジュール10の外周L2が含まれるよう配置されることが好ましい。
フィルム15は、任意の好適な材料から製造されているもので良く、例えば、フッ素樹脂やポリエチレンテレフタレート(poly ethylene terephthalate)やポリイミド(poly imide)等である。
また、フィルム15は、図2に示すように、取り付け位置を示すマーク17が形成されている。マーク17は、フィルム15をパターン14に接着させる際に、パターン14の端が接着される位置を示している。その形状は、図2には例として直角記号を示したが、これに限定されるものではなく、図示しないが、乗算記号、丸印や米印、線のみであってもよい。また、直線からなっても、点線でも、波線からなってもよい。また、パターン14ではなく、半導体モジュール10の端を示していてもよい。マーク17は必ずしも端ではなく、中心を示していてもよい。
マーク17が形成される面は、フィルム15が透明である場合、フィルム15の接着面16でも、接着面16と向かい合う面でもどちらでもよく、どちらか一方に形成されていればよい。フィルム15が透明でない場合は、フィルム15の接着面16と、接着面16と向かい合う面と、どちらか一方でもよいが、両面に形成されている方が好ましい。
次に本発明の実施の形態1にかかる半導体装置100の製造方法について説明する。図3は、本発明の実施の形態1にかかる半導体装置100の製造方法の工程を示すフロー図である。図3に示されたステップS1において、半導体モジュール10の放熱面13上に相転移材料141を塗布する。その後、ステップS2において、相転移材料141に含まれる粘度調整のための揮発性の第1の成分を揮発させ、パターン14を形成する。最後に、ステップS3において、パターン14を覆うようにフィルム15を接着し、半導体装置100を得る。
図3のステップS1からステップS3について、図4から図6を用いて、その詳細を説明する。なお、図4は、本発明の実施の形態1にかかる半導体装置100の製造方法の工程のステップS1を説明するための製造途中の半導体装置100の側面図であり、パターン形成用マスク5を半導体モジュール10の放熱面13の上に取り付け、スキージ7を用いて相転移材料141を塗布している図である。図5は、図4を上方向から見た図であり、本発明の実施の形態1にかかる半導体装置100の製造方法の工程のステップS1を説明するための製造途中の半導体装置100の上面図である。図6は、本発明の実施の形態1にかかる半導体装置100の製造方法の工程のステップS3を説明するための製造途中の半導体装置100の側面図である。図4から図6において、図1から図3と同じ符号を付けたものは、同一又は対応する構成を示しており、その説明を省略する。
ステップS1では、図4及び図5に示すように、半導体モジュール10の金属板11の放熱面13上にパターン形成用マスク5及びスキージ7を利用して、相転移材料141を塗布する。なお、相転移材料141の塗布に用いられるパターン形成用マスク5はメタルマスクやメッシュマスク等でも良く、開口部6の形状は図5に示されるような円形でなくても良く、半導体モジュール10と放熱器とが密着するよう設計され、半導体モジュール10から放熱器への熱の放散を最適にするために考えられた形状であればよい。また、相転移材料141の塗布には、スキージ7代わりにローラが用いられてもよい。
ステップS2では、放熱面13上に塗布された相転移材料141に含まれる粘度調整のための揮発性の第1の成分を揮発させ、パターン14を形成する。相転移材料141に含まれる第1の成分を揮発させる方法は、室温に長時間放置する方法であっても、乾燥器を使用して昇温させる方法であってもよい。
ステップS3では、図6に示すように、放熱面13上に形成されたパターン14を覆うようにフィルム15を接着させる。このとき、第1の接着面16がパターン14と接する。また、フィルム15のパターン14への接着は、マーク17を位置決めの目安として行う。
以上の図3に示した半導体装置100の製造方法により、図1に示す半導体装置100が完成する。
本発明の実施の形態1における半導体装置100は、半導体モジュール10を放熱器に取り付ける際は、半導体装置100を購入した顧客が半導体装置100においてフィルム15をパターン14から剥離したのち、パターン14と放熱器が接するように、放熱器へ取り付ける。半導体モジュール10がパターン14を介して放熱器に取り付けられたあと、半導体モジュール10を動作させた際に、パターン14は、半導体モジュール10の内部に実装された半導体素子から生じる熱により、液体状態となり、半導体モジュール10と放熱器との間の界面において濡れ広がる。
本発明の実施の形態1では、以上のような構成としたことにより、顧客出荷時又は顧客までの輸送時等、温度管理が十分でない環境下の場合に、半導体装置100が高温となり、液体状態となった相転移材料141で形成されたパターン14に衝撃が加わっても、パターン14とフィルム15との界面における張力により、半導体装置100はパターン14の形状の崩れを低減することができるという効果がある。
また、パターン14はフィルム15で覆われていることにより、顧客出荷時又は顧客までの輸送時等に、パターン14を異物付着から保護できるという効果がある。
半導体装置100は、半導体モジュール10の放熱器への取り付け作業現場において、フィルム15を剥がすだけでパターン14の形成工程を不要とし、作業時間を短縮でき、作業効率が向上するという効果がある。
さらに、パターン14は、塗布領域が複数となるように構成した場合には、半導体装置100は、半導体モジュール10の放熱器への取り付け作業現場において、第1フィルム15を剥がす際にパターン14にかかる応力を低減することができ、フィルム15を剥がしやすいという効果がある。
また、パターン14の形成は、放熱面13上に塗布された相転移材料141を、室温で液体である第1の成分を揮発させることでできる。したがって、パターン14は乾性状態であるため、半導体装置100は、半導体モジュール10の放熱器への取り付け作業現場において、フィルム15を剥がす際に、パターン14は放熱面13にパターンの形状を崩さずに残り、剥がされたフィルム15にはパターン14は付着せず、フィルム15が剥がしやすいという効果がある。
さらに、フィルム15は、放熱面13の外周よりも長い外周を有することにより、半導体装置100は、半導体モジュール10の放熱器への取り付け作業現場において、フィルム15を剥がす際の持ち手があるため、フィルム15が剥がしやすいという効果がある。さらに、1方向からだけでなく、複数方向からフィルム15を剥がすことができるので、順番に少しずつ複数方向からフィルム15を剥がすことにより、半導体装置100は、フィルム15の剥離によるパターン14の形状の崩れを低減することができるという効果がある。また、半導体装置100の製造工程においても、パターン14へのフィルム15の接着が容易となり、作業効率が向上するという効果がある。
さらに、フィルム15の接着面16は粗面になっていることより、フィルム15とパターン14との間にアンカー効果が働き、フィルム15とパターン14との接着性が増すという効果がある。これにより、半導体装置100は、顧客出荷時又は顧客までの輸送時等、温度管理が十分でない環境下の場合に、半導体装置100が高温となり、液体状態となった相転移材料141で形成されたパターン14に衝撃が加わっても、パターン14の形状の崩れをより低減することができる。また、半導体装置100は、半導体モジュール10の放熱器への取り付け作業現場において、フィルム15を剥がす際に、指が滑りにくくなり、フィルム15が剥がしやすいという効果がある。
また、フィルム15にはマーク17が形成されていることより、半導体装置100の製造工程において、パターン14をフィルム15で覆う際に、位置決めが容易となり、作業効率が向上するという効果がある。
本発明の実施の形態1では、半導体装置100を半導体モジュール10と、パターン14と、接着面16を有するフィルム15とを備えており、半導体モジュール10は、放熱面13を備えた金属板11と、ケース12とを備えている半導体装置100とした。しかし、半導体モジュール10は、これに限ることはなく、本発明の実施の形態1の変形例として、図7に示すように、放熱面13が形成された金属板11を備え、熱硬化性のエポキシ系樹脂等の封止樹脂22で半導体素子を封止した半導体モジュール20でもよい。したがって、本発明の実施の形態1にかかる半導体装置100は、半導体モジュール20と、パターン14と、接着面16を有するフィルム15とを備えている半導体装置200であってもよい。
また、半導体モジュール10及び半導体モジュール20の放熱面13は、金属板11が備えていなくてもよく、他の部品、例えば、熱を伝達することができる材料からなるケース12が備えていてもよい。
実施の形態2.
図8は、本発明の実施の形態2にかかる半導体装置300の側面図である。図8において、図1から図7と同じ符号を付けたものは、同一又は対応する構成を示しており、その説明を省略する。本発明の実施の形態2にかかる半導体装置300は、本発明の実施の形態1とは、放熱面の形状が相違している。それ以外は、本発明の実施の形態1と同様である。本発明の実施の形態2では、本発明の実施の形態1と相違する部分について説明し、同一又は対応する部分についての説明は省略する。
図8に示すように、本発明の実施の形態2にかかる半導体装置300は、半導体モジュール30と、パターン14と、接着面16を有する第1のフィルムとしてのフィルム15とを備えている。また、図示しないが、フィルム15には、マーク17が形成されている。半導体モジュール30は、金属板11と、ケース12とを備え、金属板11は、実装された半導体素子から生じる熱を放熱器へ放熱する放熱面33を備えている。ここで、放熱面33は、図8に示すように、うねりのある面である。半導体モジュール30は、本発明の実施の形態1にかかる半導体装置100の半導体モジュール10と同様に、内部に半導体素子が実装され、実装された半導体素子から生じる熱は、半導体モジュール30を放熱器に取り付けることにより、放熱する。
次に、本発明の実施の形態2にかかる半導体装置300の製造方法を説明する。図9は、本発明の実施の形態2にかかる半導体装置300の製造方法の工程を示すフロー図である。図9に示されたステップS31において、フィルム15上に相転移材料141を塗布する。その後、ステップS32において、相転移材料141に含まれる粘度調整のための揮発性の第1の成分を揮発させ、パターン14を形成する。最後に、ステップS33において、パターン14を半導体モジュール30の放熱面33に接着し、半導体装置300を得る。
図9のステップS31からステップS33について、図10から図12を用いて、その詳細を説明する。図10は、本発明の実施の形態2にかかる半導体装置300の製造方法の工程のステップS31を説明するための製造途中の半導体装置300の上面図である。図11は本発明の実施の形態2にかかる半導体装置300の製造方法の工程のステップS31を説明するための製造途中の半導体装置300の断面図であり、図10のA−A断面における断面図に相当する。図12は、本発明の実施の形態2にかかる半導体装置300の製造方法の工程のステップS33を説明するための製造途中の半導体装置300の側面図である。図10から図12において、図1から図9と同じ符号を付けたものは、同一又は対応する構成を示しており、その説明を省略する。
ステップS31では、図10及び図11に示すように、フラットなフィルム15の一方の面上に、ここでは接着面16上に、パターン形成用マスク5及びスキージ7を利用して、相転移材料141を塗布する。なお、相転移材料141の塗布に用いられるパターン形成用マスク5はメタルマスクやメッシュマスク等でも良く、開口部6の形状は図5に示されるような円形でなくても良く、半導体モジュール30と放熱器とが密着するよう設計され、半導体モジュール30から放熱器への熱の放散を最適にするために考えられた形状であればよい。また、相転移材料141の塗布には、スキージ7代わりにローラが用いられてもよい。
ステップS32では、接着面16上に塗布された相転移材料141に含まれる粘度調整のための揮発性の第1の成分を揮発させ、パターン14を形成する。相転移材料141に含まれる第1の成分を揮発させる方法は、室温に長時間放置する方法であっても、乾燥装置を使用した方法であってもよい。
ステップS33では、図12に示すように、接着面16上に形成されたパターン14を半導体モジュール30の放熱面33に接着させる。このとき、マーク17を位置決めの目安として行う。
以上の図9に示した半導体装置300の製造方法により、図8に示す半導体装置300が完成する。
本発明の実施の形態2にかかる半導体装置300は、本発明の実施の形態1にかかる半導体装置100と同様に、半導体モジュール30を放熱器に取り付ける際は、半導体装置300を購入した顧客が半導体装置300においてフィルム15をパターン14から剥離したのち、パターン14と放熱器が接するように、放熱器へ取り付ける。半導体モジュール10がパターン14を介して放熱器に取り付けられたあと、半導体モジュール10を動作させた際に、パターン14は、半導体モジュール10の内部に実装された半導体素子から生じる熱により、液体状態となり、半導体モジュール10と放熱器との間の界面において濡れ広がる。
本発明の実施の形態2にかかる半導体装置300は、以上のような構成としたことにより、本発明の実施の形態1と同様の効果が得られる。さらに、本発明の実施の形態2にかかる半導体装置300の製造方法は、フラットなフィルム15にパターン14を形成し、うねりのある放熱面33に接着させるものであり、放熱面33のうねりに対しても、パターン形成用マスク5の開口部6の形状が転写されたパターン14を形成することができるという効果がある。
本発明の実施の形態2にかかる半導体装置300の製造方法は、半導体モジュール30を半導体モジュール10とし、放熱面33を放熱面13として、本発明の実施の形態1にかかる半導体装置100の製造方法に適用してもよい。この場合も、本発明の実施の形態2と同様の効果が得られる。
また、本発明の実施の形態2にかかる半導体装置300の製造方法に、半導体モジュール10を半導体モジュール30とし、放熱面13を放熱面33として、本発明の実施の形態1にかかる半導体装置100の製造方法を適用してもよい。この場合、本発明の実施の形態2にかかる半導体装置300は、本発明の実施の形態1と同様の効果が得られる。
本発明の実施の形態2では、半導体装置300を半導体モジュール30と、パターン14と、接着面16を有するフィルム15とを備えており、半導体モジュール30は、放熱面33を備えた金属板11と、ケース12とを備えている半導体装置300とした。しかし、半導体モジュール30は、これに限ることはなく、本発明の実施の形態2の変形例として、放熱面33が形成された金属板11を備え、熱硬化性のエポキシ系樹脂等の封止樹脂で半導体素子を封止した半導体モジュールでもよい。また、放熱面33は金属板11が備えていなくてもよく、他の部品、例えば、熱を伝達することができる材料からなるケース12が備えていてもよい。
実施の形態3.
図13は、本発明の実施の形態3にかかる半導体装置400を示す側面図である。図13において、図1から図12同じ符号を付けたものは、同一又は対応する構成を示しており、その説明を省略する。本発明の実施の形態3にかかる半導体装置400は、本発明の実施の形態1及び本発明の実施の形態2とは、パターン14を覆うフィルムが相違している。それ以外は、本発明の実施の形態1及び本発明の実施の形態2と同様である。本発明の実施の形態3では、本発明の実施の形態1及び本発明の実施の形態2とそれぞれと相違する部分について説明し、同一又は対応する部分についての説明は省略する。
まず、図13において、本発明の実施の形態3にかかる半導体装置400は、半導体モジュール30と、パターン14と、接着面46を有する第1のフィルムとしてのフィルム45とを備えている。本発明の実施の形態3にかかる半導体装置400は、本発明の実施の形態2における半導体装置300のフィルム15がフィルム45となったのみである。
本発明の実施の形態3にかかる半導体装置400のフィルム45について説明する。フィルム45は、半導体モジュール30の内部に実装された半導体素子から生じる熱により、溶融又は昇華する。溶融した場合、溶融後はパターン14に溶け込む。昇華した場合、昇華後は周辺空気に溶け込み、周辺部品を腐食させる等の影響は与えない。
フィルム45は、フィルム15の接着面16と同様に、粗面に加工された接着面46を有する。また、フィルム15と同様に、マーク17を備え、放熱面33の外周よりも長い外周を有する。
本発明の実施の形態3にかかる半導体装置400は、半導体モジュール30を放熱器に取り付ける際は、半導体装置400を購入した顧客が半導体装置400においてフィルム45をパターン14から剥離せずにそのまま、フィルム45と放熱器が接するように、放熱器へ取り付ける。半導体モジュール30がパターン14及びフィルム45を介して放熱器に取り付けられたあと、半導体モジュール30を動作させた際に、パターン14は、半導体モジュール30の内部に実装された半導体素子から生じる熱により、液体状態となり、半導体モジュール30と放熱器との間の界面において濡れ広がる。また、フィルム45も半導体モジュール30の内部に実装された半導体素子から生じる熱により、溶融又は昇華する。
本発明の実施の形態3にかかる半導体装置400は、以上のような構成としたことにより、本発明の実施の形態2と同様の効果が得られる。さらに、半導体モジュール30の放熱器への取り付け作業現場において、フィルム45を剥がさずに、半導体モジュール30を放熱器に取り付けることができる。これにより、作業時間の短縮ができ、作業効率を向上させることができるという効果がある。
以上に説明した本発明の実施の形態3にかかる半導体装置400は、図13に示すように放熱面33にうねりがあるが、本発明の実施の形態3では、本発明の実施の形態1にかかる半導体装置100及び半導体装置200のフィルム15をフィルム45にした半導体装置も含まれる。この場合、本発明の実施の形態1と同様の効果に加え、半導体モジュール10及び半導体モジュール20の放熱器への取り付け作業現場において、フィルム45を剥がさずに、半導体モジュール10及び半導体モジュール20を放熱器に取り付けることができるので、作業時間の短縮ができ、作業効率を向上させることができるという効果がある。
実施の形態4.
図14は、本発明の実施の形態4にかかる転写シート500を示す側面図である。図14において、図1から図13と同じ符号を付けたものは、同一又は対応する構成を示しており、その説明を省略する。以下では、本発明の実施の形態4にかかる転写シート500は、本発明の実施の形態1から本発明の実施の形態3までの半導体装置と同梱することを想定し、説明する。
まず、図14において、本発明の実施の形態4にかかる転写シート500は、パターン14と、第1のフィルムとしてのフィルム15とを備えている。フィルム15は接着面16を有し、マーク17が形成されている。
次に、本発明の実施の形態4にかかる転写シート500の製造方法について説明する。図15は、本発明の実施の形態4にかかる転写シート500の製造方法の工程を示すフロー図である。図15に示されたステップS51において、フラットなフィルム15上に相転移材料141を塗布する。その後、ステップS52において、相転移材料141に含まれる粘度調整のための揮発性の第1の成分を揮発させ、パターン14を形成し、転写シート500を得る。図15のステップS51は図9のステップS31と同様であり、図15のステップS52は図9のステップS32と同様である。
本発明の実施の形態4における転写シート500は、転写シート500を購入した顧客が、半導体モジュールと放熱器の組み付けの際に使用する。半導体モジュールとは、内部に半導体素子が実装された装置のことであり、実装された半導体素子から生じる熱は、半導体モジュールを放熱器に取り付けることにより、放熱する。
転写シート500は、半導体モジュールと放熱器に組み付ける際に、半導体モジュールの内部に実装された半導体素子から生じる熱を放熱器へ放熱する放熱面に、パターン14が接するように接着する。その後は、フィルム15をパターン14から剥離したのち、パターン14と放熱器が接するように、半導体モジュールを放熱器に取り付ける。取り付けられたあとは、半導体モジュールを動作させた際に、パターン14は、半導体モジュールの内部に実装された半導体素子から生じる熱により、液体状態となり、半導体モジュールと放熱器との間の界面において濡れ広がる。
また、転写シート500は、半導体モジュールの放熱面と向かい合う放熱器の接続面に、パターン14が接するように接着してもよい。その後は、フィルム15をパターン14から剥離したのち、パターン14と半導体モジュールの放熱面が接するように、半導体モジュールを放熱器に組み付ける。
本発明の実施の形態4では、以上のような構成としたことにより、転写シート500を購入した顧客が、転写シート500の取り付け面を半導体モジュールの放熱面、又は放熱面と向かい合う放熱器の接続面いずれか任意に選択できる。これにより、半導体モジュールと放熱器の組み付けに関して、簡易な方法を選択することができ、半導体モジュールと放熱器の組み付け作業現場において、作業効率を向上させることができるという効果がある。
また、転写シート500が取り付けられる半導体モジュールの放熱面、又は放熱面と向かい合う放熱器の接続面にうねりがあっても、フラットなフィルム15にパターン14を形成し、半導体モジュールの放熱面、又は放熱面と向かい合う放熱器の接続面に接着させるので、パターン形成用マスク5の開口部6の形状でパターン14を半導体モジュールと放熱器との間に形成することができるという効果がある。
転写シート500は、本発明の実施の形態1にかかる半導体装置100と同梱すれば、一度放熱器に取り付けた本発明の実施の形態1にかかる半導体装置100の半導体モジュール10を、放熱器から取り外し、新たに放熱器に取り付ける際の張り替え用として使用できるという利点がある。取り外した半導体モジュールの放熱面に転写シート500をパターン14が接するように接着し、使用する。必要があれば、転写シート500接着する前に、取り外した半導体モジュールの放熱面を洗浄する。また、転写シート500は、本発明の実施の形態1にかかる半導体装置200、本発明の実施の形態2にかかる半導体装置300、本発明の実施の形態3にかかる半導体装置400のいずれと同梱しても、同様の利点を得ることができる。
また、本発明の実施の形態4にかかる転写シート500は、本発明の実施の形態1にかかる半導体装置100の半導体モジュール10、並びに半導体装置200の半導体モジュール20、並びに本発明の実施の形態2にかかる半導体装置300及び本発明の実施の形態3にかかる半導体装置400の半導体モジュール30と同梱してもよい。この場合も、本発明の実施の形態4と同様の効果が得られる。
実施の形態5.
図16は、本発明の実施の形態5にかかる転写シート600を示す側面図である。図16において、図1から図15と同じ符号を付けたものは、同一又は対応する構成を示しており、その説明を省略する。本発明の実施の形態5にかかる転写シート600は、本発明の実施の形態4とは、フィルムが相違している。それ以外は、本発明の実施の形態4と同様である。本発明の実施の形態5では、本発明の実施の形態4と相違する部分について説明し、同一又は対応する部分についての説明は省略する。
まず、図16において、本発明の実施の形態5にかかる転写シート600は、パターン14と、第1のフィルムとしてのフィルム45とを備えている。フィルム45は接着面46を有し、マーク17が形成されている。本発明の実施の形態5にかかる転写シート600は、本発明の実施の形態4における転写シート500のフィルム15がフィルム45となったのみである。
本発明の実施の形態5にかかる転写シート600も、本発明の実施の形態4にかかる転写シート500と同様に、転写シート600を購入した顧客が半導体モジュールと放熱器の組み付けの際に使用する。
転写シート600は、半導体モジュールと放熱器の組み付ける際に、半導体モジュールの内部に実装された半導体素子から生じる熱を放熱器へ放熱する放熱面と、放熱面と向かい合う放熱器の接続面との間に接着する。このとき、パターン14は半導体モジュールの放熱面、放熱器の接続面、どちらと接していてもよい。半導体モジュールを動作させた際に、パターン14は、半導体モジュールの内部に実装された半導体素子から生じる熱により、液体状態となり、半導体モジュールと放熱器との間の界面において濡れ広がる。また、フィルム45も半導体モジュールの内部に実装された半導体素子から生じる熱により、溶融又は昇華する。
本発明の実施の形態5にかかる転写シート600は、以上のような構成としたことにより、本発明の実施の形態4と同様の効果を得ることができる。さらに、半導体モジュールと放熱器の組み付け作業現場において、フィルム45を剥がさずに、半導体モジュールと放熱器の組み付けを行うことができる。これにより、作業時間の短縮ができ、作業効率を向上させることができるという効果がある。
実施の形態6.
図17は、本発明の実施の形態6にかかる転写シート700を示す側面図である。図17において、図1から図16と同じ符号を付けたものは、同一又は対応する構成を示しており、その説明を省略する。本発明の実施の形態6にかかる転写シート700は、本発明の実施の形態4及び本発明の実施の形態5に、構成が追加されている。本発明の実施の形態6では、本発明の実施の形態4及び本発明の実施の形態5と相違する部分について説明し、同一又は対応する部分についての説明は省略する。
まず、図17において、本発明の実施の形態6にかかる転写シート700は、パターン14と、第1のフィルムとしてのフィルム15と、第2のフィルムとしてのフィルム18を備えている。フィルム15は接着面16を有し、マーク17が形成されている。
フィルム18は接着面19を有し、フィルム15と同様にマーク17が形成されている。フィルム18は、フィルム15と同様な任意の好適な材料から製造されている。また、接着面19は接続面16と同様な粗面加工がされている。
次に、本発明の実施の形態6にかかる転写シート700の製造方法について説明する。図18は、本発明の実施の形態6にかかる転写シート700の製造方法の工程を示すフロー図である。本発明の実施の形態4にかかる転写シート600の製造方法のステップに、ステップS73として、パターン14を覆うように第2のフィルムとしてのフィルム18を接着するステップを追加している。これにより、転写シート700を得る。図19は、本発明の実施の形態6にかかる転写シート700の製造方法の工程のステップS73を説明するための製造途中の転写シート700示す側面図である。
本発明の実施の形態6における転写シート700は、転写シート700を購入した顧客が半導体モジュールと放熱器の組み付けの際に使用する。
転写シート700は、半導体モジュールと放熱器に組み付ける際に、まず、フィルム15又はフィルム18のいずれか一方を剥がす。その後、半導体モジュールの内部に実装された半導体素子から生じる熱を放熱器へ放熱する放熱面に、パターン14が接するように接着する。その後は、残っているフィルムをパターン14から剥離したのち、パターン14と放熱器が接するように、半導体モジュールを放熱器に取り付ける。取り付けられたあとは、半導体モジュールを動作させた際に、パターン14は、半導体モジュールの内部に実装された半導体素子から生じる熱により、液体状態となり、半導体モジュールと放熱器との間の界面において濡れ広がる。
また、転写シート700は、フィルム15又はフィルム18のいずれか一方を剥がしたのち、半導体モジュールの放熱面と向かい合う放熱器の接続面に、パターン14が接するように接着してもよい。その後は、残っているフィルムをパターン14から剥離したのち、パターン14と半導体モジュールの放熱面が接するように、半導体モジュールを放熱器に組み付ける。
本発明の実施の形態6にかかる転写シート700は、以上のような構成としたことにより、本発明の実施の形態4と同様の効果を得ることができる。さらに、顧客出荷時又は顧客までの輸送時等に、転写シート700のパターン14を異物付着から保護できるという効果がある。
また、顧客出荷時又は顧客までの輸送時等、温度管理が十分でない環境下の場合に、転写シート700が高温となり、液体状態となった相転移材料141で形成されたパターン14に衝撃が加わっても、パターン14とフィルム15との界面、及びパターン14とフィルム18との界面における張力により、転写シート700はパターン14の形状の崩れを低減することができるという効果がある。
以上に説明した本発明の実施の形態6にかかる転写シート700は、図17に示すように本発明の実施の形態4にかかる転写シート500に、フィルム18を備えたものであるが、本発明の実施の形態6では、本発明の実施の形態5にかかる転写シート600に、フィルム18を備えた転写シートも含まれ、同様の効果を得ることができる。さらに、この場合、半導体モジュールの放熱器への組み付け作業現場において、作業時間を短縮し、作業効率を向上させる効果がある。フィルム18のみを剥離すればよく、フィルム45は剥離せずに、半導体モジュールを放熱器に組み付けることができるからである。
実施の形態7.
図20は、本発明の実施の形態7にかかる転写シート800を示す側面図である。図20において、図1から図19と同じ符号を付けたものは、同一又は対応する構成を示しており、その説明を省略する。本発明の実施の形態7にかかる転写シート800は、本発明の実施の形態6とは、フィルムが相違している。それ以外は、本発明の実施の形態6と同様である。本発明の実施の形態7では、本発明の実施の形態6と相違する部分について説明し、同一又は対応する部分についての説明は省略する。
まず、図20において、本発明の実施の形態7にかかる転写シート800は、パターン14と、第1のフィルムとしてのフィルム45と、第2のフィルムとしてフィルム48とを備えている。フィルム45は接着面46を有し、マーク17が形成されている。フィルム48は接着面49を有し、マーク17が形成されている。
フィルム48は、フィルム45と同様に、熱により溶融又は昇華する。溶融した場合、溶融後はパターン14に溶け込む。昇華した場合、昇華後は周辺空気に溶け込み、周辺部品を腐食させる等の影響は与えない。また、接着面49は接続面46と同様な粗面加工がされている。本発明の実施の形態7にかかる転写シート800は、本発明の実施の形態6における転写シート700のフィルム15がフィルム45となり、フィルム18がフィルム48となったのみである。
本発明の実施の形態7にかかる転写シート800も、本発明の実施の形態6にかかる転写シート700と同様に、転写シート800を購入した顧客が半導体モジュールと放熱器の組み付けの際に使用する。
転写シート800は、半導体モジュールと放熱器の組み付けの際に、半導体モジュールの内部に実装された半導体素子から生じる熱を放熱器へ放熱する放熱面と、放熱面と向かい合う放熱器の接続面との間に接着する。このとき、フィルム45、48どちらが半導体モジュールの放熱面と接していてもよい。半導体モジュールを動作させた際に、パターン14は、半導体モジュールの内部に実装された半導体素子から生じる熱により、液体状態となり、半導体モジュールと放熱器との間の界面において濡れ広がる。また、フィルム45、48も半導体モジュールの内部に実装された半導体素子から生じる熱により、溶融又は昇華する。
本発明の実施の形態7にかかる転写シート800は、以上のような構成としたことにより、本発明の実施の形態6と同様の効果を得ることができる。さらに、半導体モジュールと放熱器の組み付け作業現場において、フィルム45、48を剥がさずに、半導体モジュールと放熱器の組み付けを行うことができる。これにより、作業時間の短縮ができ、作業効率を向上させることができるという効果がある。
なお、本発明は、発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせることや、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
5 パターン形成用マスク、6 開口部、7 スキージ、10,20,30 半導体モジュール、11 金属板、12 ケース、13,33 放熱面、14 パターン、15,18,45,48 フィルム、16,19,46,49 接着面、17 マーク、22 封止樹脂、100,200,300,400 半導体装置、141 相転移材料、500,600,700,800 転写シート、L1 放熱面13の外周、L2 半導体モジュール10の外周。

Claims (17)

  1. 半導体モジュールの内部に実装された半導体素子と、
    前記半導体素子から生じる熱を放熱器へ放熱し、前記半導体モジュールに形成された放熱面と、
    相転移材料からなり、前記放熱面上に形成されたパターンと、
    前記パターンを覆う第1のフィルムと、
    を備えた半導体装置。
  2. 前記第1のフィルムは、前記放熱面と向かい合い、前記放熱面の外周よりも長い第1の外周を有し、かつ前記第1の外周が前記放熱面の外周を中に含むように配置されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
  3. 前記第1のフィルムは、前記パターンとの接着面が粗面であることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
  4. 前記第1のフィルムは、取り付け位置を示すマークが形成されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体装置。
  5. 前記第1のフィルムは、前記パターンに伝わる前記半導体素子から生じた熱により融解又は昇華することを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の半導体装置。
  6. 半導体素子から生じる熱を放熱器へ放熱する放熱面上に、相転移材料を塗布する工程と、
    前記相転移材料の粘度調整のための成分を揮発させ、パターンを形成する工程と、
    前記パターンを第1のフィルムで覆う工程と、
    を備えた半導体装置の製造方法。
  7. 第1のフィルムの一方の面上に、相転移材料を塗布する工程と、
    前記相転移材料の粘度調整のための成分を揮発させ、パターンを形成する工程と、
    前記パターンと、半導体素子から生じる熱を放熱器へ放熱する放熱面を接着させる工程と、
    を備えた半導体装置の製造方法。
  8. 第1のフィルムと、
    前記第1のフィルムの一方の面上に形成され、相転移材料からなるパターンと、
    を備えた転写シート。
  9. 前記第1のフィルムは、前記パターンとの接着面が粗面であることを特徴とする請求項8に記載の転写シート。
  10. 前記第1のフィルムは、取り付け箇所を示すマークが形成されていることを特徴とする請求項8又は9に記載の転写シート。
  11. 前記第1のフィルムは、前記パターンに伝わる熱により融解又は昇華することを特徴とする請求項8から10のいずれか1項に記載の転写シート。
  12. 前記パターンを覆う第2のフィルムをさらに備えたことを特徴とする請求項8に記載の転写シート。
  13. 前記第2のフィルムは、前記パターンとの接着面が粗面であることを特徴とする請求項12に記載の転写シート。
  14. 前記第2のフィルムは、取り付け箇所を示すマークが形成されていることを特徴とする請求項12又は13に記載の転写シート。
  15. 前記第2のフィルムは、前記パターンに伝わる熱により融解又は昇華することを特徴とする請求項12から14のいずれか1項に記載の転写シート。
  16. 第1のフィルムの一方の面上に、相転移材料を塗布する工程と、
    前記相転移材料の粘度調整のための成分を揮発させ、パターンを形成する工程と、
    を備えた転写シートの製造方法。
  17. 第2のフィルムで前記パターンを覆う工程をさらに備える請求項16に記載の転写シートの製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021132157A (ja) * 2020-02-20 2021-09-09 三菱電機株式会社 半導体装置

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4546411A (en) * 1983-10-31 1985-10-08 Kaufman Lance R Mounting of a compact circuit package to a heat sink or the like
JPH11168161A (ja) * 1997-12-03 1999-06-22 Mitsubishi Electric Corp パワーモジュール及びそのヒートシンクへの取付け方法
JP2002532914A (ja) * 1998-12-15 2002-10-02 パーカー−ハニフイン・コーポレーシヨン 相変化熱的インターフェース材料の塗布方法
JP2003311977A (ja) * 2002-04-19 2003-11-06 Noritsu Koki Co Ltd インクジェットヘッド
JP2005522551A (ja) * 2002-04-12 2005-07-28 ダウ・コーニング・コーポレイション 熱伝導性相転移材料
JP2006528434A (ja) * 2003-05-13 2006-12-14 パーカー−ハニフイン・コーポレーシヨン 熱管理材料
JP2008155467A (ja) * 2006-12-22 2008-07-10 Canon Inc ヘッドカートリッジ、保護テープ、インクジェット記録ヘッドカートリッジの吐出口封止方法
JP2009277976A (ja) * 2008-05-16 2009-11-26 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 塗布方法およびパターン形成用マスク

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5457165A (en) * 1990-03-19 1995-10-10 Hughes Aircraft Company Encapsulant of amine-cured epoxy resin blends
US5315154A (en) * 1993-05-14 1994-05-24 Hughes Aircraft Company Electronic assembly including heat absorbing material for limiting temperature through isothermal solid-solid phase transition
WO1997048957A1 (en) 1996-06-21 1997-12-24 Thermalloy, Inc. Pre-application of grease to heat sinks with a protective coating
JP3072491U (ja) 2000-04-13 2000-10-20 富士高分子工業株式会社 保護フィルム付きシリコーンゲル放熱シート
JP3988735B2 (ja) * 2004-03-15 2007-10-10 日立金属株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP4530283B2 (ja) 2004-09-22 2010-08-25 富士高分子工業株式会社 熱伝導性シート及びその製造方法
TWI295095B (en) 2004-09-22 2008-03-21 Fuji Polymer Ind Thermally conductive sheet and method for producing the same
JPWO2007020697A1 (ja) * 2005-08-18 2009-02-19 日立プラズマディスプレイ株式会社 フラットディスプレイ装置
JP5066333B2 (ja) * 2005-11-02 2012-11-07 シチズン電子株式会社 Led発光装置。
JP5096010B2 (ja) 2007-02-01 2012-12-12 ポリマテック株式会社 熱拡散シート及び熱拡散シートの位置決め方法
WO2008116020A2 (en) * 2007-03-20 2008-09-25 Outlast Technologies, Inc. Articles having enhanced reversible thermal properties and enhanced moisture wicking properties to control hot flashes
JP2010129632A (ja) 2008-11-26 2010-06-10 Toppan Printing Co Ltd 剥離シート付き接着シートおよび金属板貼合装置および金属板貼合方法
JP5271879B2 (ja) 2008-11-28 2013-08-21 富士高分子工業株式会社 熱拡散シート及びその実装方法
US8937384B2 (en) * 2012-04-25 2015-01-20 Qualcomm Incorporated Thermal management of integrated circuits using phase change material and heat spreaders

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4546411A (en) * 1983-10-31 1985-10-08 Kaufman Lance R Mounting of a compact circuit package to a heat sink or the like
JPH11168161A (ja) * 1997-12-03 1999-06-22 Mitsubishi Electric Corp パワーモジュール及びそのヒートシンクへの取付け方法
JP2002532914A (ja) * 1998-12-15 2002-10-02 パーカー−ハニフイン・コーポレーシヨン 相変化熱的インターフェース材料の塗布方法
JP2005522551A (ja) * 2002-04-12 2005-07-28 ダウ・コーニング・コーポレイション 熱伝導性相転移材料
JP2003311977A (ja) * 2002-04-19 2003-11-06 Noritsu Koki Co Ltd インクジェットヘッド
JP2006528434A (ja) * 2003-05-13 2006-12-14 パーカー−ハニフイン・コーポレーシヨン 熱管理材料
JP2008155467A (ja) * 2006-12-22 2008-07-10 Canon Inc ヘッドカートリッジ、保護テープ、インクジェット記録ヘッドカートリッジの吐出口封止方法
JP2009277976A (ja) * 2008-05-16 2009-11-26 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 塗布方法およびパターン形成用マスク

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021132157A (ja) * 2020-02-20 2021-09-09 三菱電機株式会社 半導体装置
JP7318558B2 (ja) 2020-02-20 2023-08-01 三菱電機株式会社 半導体装置

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