TWI637680B - 散熱結構及其製作方法及電子設備 - Google Patents

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徐筱婷
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Abstract

一種散熱結構，包括一可撓性基板及一石墨片，所述可撓性基板包括一第一表面及一與所述第一表面相對的第二表面，所述石墨片結合於所述第二表面，所述可撓性基板與所述石墨片的介面處形成至少一容置腔，所述容置腔被所述可撓性基板與所述石墨片密封，所述容置腔內容置有一絕熱材料以形成一絕熱結構。本發明還提供一種上述散熱結構的製作方法及應用該散熱結構的電子設備。

Description

散熱結構及其製作方法及電子設備
本發明涉及一種散熱結構及其製作方法，以及具有該散熱結構的電子設備。
習知技術中的散熱片往往包括一直接與電子設備的發熱組件接觸的石墨片以實現對熱量的快速傳導，然，由於石墨片的長寬數值往往大於其厚度，熱量傳導主要集中在石墨片與所述發熱組件直接接觸的區域，從而導致電子設備的溫度分佈不均，即使用者在觸摸電子設備時，往往能感覺到電子設備對應所述發熱組件的區域的溫度高於其他區域。
有鑑於此，有必要提供一種熱量均勻傳導的散熱結構。
本發明還提供一種上述散熱結構的製作方法。
一種散熱結構，包括一可撓性基板及一石墨片，所述可撓性基板包括一第一表面及一與所述第一表面相對的第二表面，所述石墨片結合於所述第二表面，所述可撓性基板與所述石墨片的介面處形成至少一容置腔，所述容置腔被所述可撓性基板與所述石墨片密封，所述容置腔內容置有一絕熱材料以形成一絕熱結構。
一種散熱結構的製作方法，包括如下步驟：提供一可撓性基板及一石墨片，所述可撓性基板包括一第一表面及一與所述第一表面相對的第二表面；於所述可撓性基板的第二表面及/或石墨片的一表面形成至少一容置槽；於所述至少一容置槽中填充絕熱材料；以及將上述石墨片與可撓性基板的第二表面黏合以將所述至少一容置槽密封，從而在可撓性基板與石墨片的介面間形成容置腔，於所述至少一容置槽中容置絕熱材料形成一絕熱結構。
一種電子設備，其包括電子組件，所述電子組件在工作狀態時產生熱量，所述電子設備還包括至少一如上所述的散熱結構，所述散熱結構中的石墨片與所述電子組件貼合，且所述絕熱結構對應所述電子組件發熱的區域設置。
上述散熱結構在使用時所述石墨片與所述電子組件貼合，當所述電子組件發熱時，由於所述絕熱結構對應作為熱源的電子組件設置，熱量在所述絕熱結構方向上傳導的速度降低，從而使得所述石墨片從所述熱源處吸收熱量大部分沿石墨片的貼合方向擴散，使得電子組件產生的熱量均勻的發散，進而使得電子設備在使用時溫度分佈均勻。
100、200、300、400‧‧‧散熱結構
10‧‧‧可撓性基板
11‧‧‧收容槽
101‧‧‧第一表面
102‧‧‧第二表面
20‧‧‧導熱接合部
30‧‧‧相變材料
40‧‧‧蓋板
50‧‧‧密封腔
60‧‧‧石墨片
61‧‧‧表面
62、12‧‧‧容置槽
63‧‧‧導熱膠黏層
64‧‧‧容置腔
65‧‧‧絕熱結構
111‧‧‧底部
113‧‧‧凹槽
圖1至圖9為本發明第一實施例的散熱結構的製作流程圖。
圖10為本發明第二實施例中在所述收容槽的底部形成凹槽的剖視圖。
圖11為本發明第二實施例的散熱結構的剖視圖。
圖12為本發明第三實施例中在所述可撓性基板上形成至少一容置槽的剖視圖。
圖13為本發明第三實施例的散熱結構的剖視圖。
圖14為本發明第四實施例的散熱結構的剖視圖。
下面將結合附圖1~圖14及實施例，對本技術方案提供的散熱結構及其製作方法作進一步的詳細說明。所述散熱結構可應用於電子設備的電子組件(例如剛撓結合板)中，以對該電子組件進行散熱。
請參閱圖1~圖9，本發明第一實施例提供一種散熱結構100的製作方法，其步驟包括：
步驟S1、請參閱圖1及圖2，提供一可撓性基板10並在所述可撓性基板10上形成至少一收容槽11。
所述可撓性基板10包括一第一表面101及一與所述第一表面101相對設置的第二表面102。
本實施方式中，所述可撓性基板10為一銅箔，其厚度為18μm~175μm。所述可撓性基板10的材料並不限於銅箔，還可為鋁箔、銀箔等其他受熱不易形變的材料。所述可撓性基板10的厚度亦可根據實際需要選用更厚或更薄的厚度。
所述至少一收容槽11藉由蝕刻的方式由所述第一表面101朝所述第二表面102開設。
本實施方式中，每一收容槽11為方形槽。在其他實施方式中，所述至少一收容槽11可藉由機械切割、鐳射切割等其他方式形成，每一收容槽11可為圓形槽、橢圓形槽等其他形狀的凹槽。
在其他實施方式中，還可在所述收容槽11內微蝕以使所述收容槽11具備毛細作用。
步驟S2、請參閱圖3，在所述第一表面101上形成導熱接合部20，所述導熱接合部20環繞所述至少一收容槽11。所述導熱接合部20為一膠層，其材料選自散熱板領域中常用的膠材，所述導熱接合部20藉由塗佈、點膠或網版印刷的方式形成。
步驟S3、請參閱圖4，向所述至少一收容槽11中填充相變材料30(PCM-Phase Change Material)。所述相變材料30選自散熱板領域中常用的相變材料，如石蠟、聚乙二醇1000(PEG1000)、月桂酸等。
步驟S4，請參閱圖5及圖6，提供一蓋板40，並壓合所述蓋板40至填充有相變材料30的可撓性基板10，所述蓋板40藉由所述導熱接合部20與所述可撓性基板10固定從而密封所述至少一收容槽11對應形成至少一密封腔50。所述相變材料30收容於所述至少一密封腔50內。
本實施方式中，所述蓋板40為一銅箔。所述蓋板40的材料並不限於銅箔，還可為鋁箔、銀箔等其他受熱不易形變的材料。
步驟S5，請參閱圖7，提供一石墨片60，且所述石墨片60一表面61向內開設至少一容置槽62並將一絕熱材料容置於所述容置槽62內。所述絕熱材料可選自空氣、聚醯亞胺樹脂、滌綸樹脂、石棉及聚丙烯樹脂等常見的熱導率較小的材料。
所述至少一容置槽62可藉由蝕刻、機械切割、鐳射切割等方式形成。本實施方式中，每一容置槽62為圓形槽。在其他實施方式中，每一容置槽62可為方形槽、橢圓形槽等其他形狀的凹槽。
步驟S6，請參閱圖8及圖9，在所述石墨片60的表面61上形成一導熱膠黏層63，並壓合所述石墨片60至所述可撓性基板10遠離所述蓋板40的 第二表面102，所述石墨片60藉由所述導熱膠黏層63與所述第二表面102固定從而密封所述至少一容置槽62對應形成容置腔64，所述容置腔64內的絕熱材料形成一絕熱結構65。
本發明第二實施例提供一種散熱結構200(參閱圖11)的製作方法，請參閱圖10，與第一實施例不同的係，每一收容槽11的底部111朝向所述第二表面102凹設形成若干凹槽113。所述若干凹槽113的大小及形狀可一致，亦可不同；所述若干凹槽113可均勻分佈於所述底部111，亦可根據需要設置所述若干凹槽113。
本發明第三實施例提供一種散熱結構300(參閱圖13)的製作方法，請參閱圖12，與第一實施例不同的係，步驟S1還包括在所述可撓性基板10的第二表面102朝向所述第一表面101開設至少一容置槽12，步驟S6中所述可撓性基板10與所述石墨片60壓合後，所述至少一容置槽12與所述至少一容置槽62相對設置且構成容置腔64，且一絕熱材料容置於所述容置腔64內以形成一絕熱結構65。
本發明第四實施例提供一種散熱結構400(參閱圖14)的製作方法，與第三實施例不同的係，所述石墨片60上的所述至少一容置槽62省略，即步驟S6中所述可撓性基板10與所述石墨片60壓合後，所述至少一容置槽12對應形成容置腔64，且一絕熱材料容置於所述容置腔64內以形成一絕熱結構65。
請參閱圖9，本發明還涉及一種散熱結構100，其包括一可撓性基板10、相變材料30、蓋板40及石墨片60。
所述可撓性基板10包括一第一表面101及一與所述第一表面101相對設置的第二表面102。所述第一表面101朝向所述第二表面102開設有至少一收容槽11。
本實施方式中，所述可撓性基板10為一銅箔，其厚度為18μm~175μm。所述可撓性基板10的材料並不限於銅箔，還可為鋁箔、銀箔等其他受熱不易形變的材料。所述可撓性基板10的厚度亦可根據實際需要選用更厚或更薄的厚度。
本實施方式中，每一收容槽11為方形槽，其可藉由蝕刻、機械切割、鐳射切割等方式形成。在其他實施方式中，每一收容槽11可為圓形槽、橢圓形槽等其他形狀的凹槽。
所述蓋板40藉由一導熱接合部20固定於所述可撓性基板10的第一表面101，所述蓋板40覆蓋所述至少一收容槽11以對應形成至少一密封腔50。其中，所述導熱接合部20為一膠層，其材料選自散熱板領域中常用的膠材，所述導熱接合部20藉由塗佈、點膠或網版印刷的方式形成，且環繞所述至少一收容槽11設置。
本實施方式中，所述蓋板40為一銅箔。所述蓋板40的材料並不限於銅箔，還可為鋁箔、銀箔等其他受熱不易形變的材料。
所述相變材料30收容於所述至少一密封腔50內。所述相變材料30選自散熱板領域中常用的相變材料，如石蠟、聚乙二醇1000(PEG1000)、月桂酸等。
在其他實施方式中，每一收容槽11內還可形成有便於相變材料30回流的毛細結構。
所述石墨片60一表面61藉由一導熱膠黏層63結合於所述可撓性基板10的第二表面102上。
所述石墨片60與所述可撓性基板10的介面處形成至少一容置腔64，所述容置腔64連通所述石墨片60與所述可撓性基板10且密封。一絕熱材 料容置於所述容置腔64內形成一絕熱結構65。所述絕熱材料可選自空氣、聚醯亞胺樹脂、滌綸樹脂、石棉及聚丙烯樹脂等常見的熱導率較小的材料。
本實施方式中，所述石墨片60的表面61向內凹設形成至少一容置槽62，所述可撓性基板10覆蓋所述容置槽62以密封所述容置槽62從而構成所述至少一容置腔64。所述至少一容置槽62可藉由蝕刻、機械切割、鐳射切割等方式形成。本實施方式中，每一容置槽62為圓形槽。在其他實施方式中，每一容置槽62可為方形槽、橢圓形槽等其他形狀的凹槽。
請參閱圖11，本發明還涉及一種散熱結構200，與所述散熱結構100不同的係，所述散熱結構200中的每一收容槽11的底部111朝向所述第二表面102凹設形成若干凹槽113(參閱圖10)。所述若干凹槽113的大小及形狀可一致，亦可不同；所述若干凹槽113可均勻分佈於所述底部111，亦可根據需要設置所述若干凹槽113。
本實施方式中，所述凹槽113佔據所述底部111的面積從所述底部111靠近所述容置腔64的區域朝遠離所述容置腔64的區域逐漸減小。具體的，所述凹槽113大小一致，其分佈密度從所述底部111靠近所述容置腔64的區域朝遠離所述容置腔64的區域逐漸減小。在其他實施方式中，還可藉由調整所述凹槽113的大小及分佈方式以使得凹槽113佔據所述底部111的面積從所述底部111靠近所述容置腔64的區域朝遠離所述容置腔64的區域逐漸減小。
請參閱圖13，本發明還涉及一種散熱結構300，與所述散熱結構100不同的係，所述散熱結構300中所述可撓性基板10的第二表面102對應所述至少一容置槽62朝向所述第一表面101凹設至少一容置槽12(參閱圖12)，所述至少一容置槽12與所述至少一容置槽62構成所述至少一容置腔64。
請參閱圖14，本發明還涉及一種散熱結構400，與所述散熱結構300不同的係，所述散熱結構400中所述至少一容置槽62省略，即所述至少一容置槽62被所述石墨片60覆蓋密封構成所述至少一容置腔64。
當所述散熱結構100(200、300、400)在使用時，所述散熱結構100(200、300、400)的石墨片60貼合在需散熱的電子設備的電子組件上，且所述絕熱結構65對應所述電子組件的熱源處，當所述電子組件發熱時，所述石墨片60從所述熱源處吸收熱量並沿石墨片60向四周傳導擴散，熱量藉由所述絕熱結構65及藉由石墨片60傳導至所述可撓性基板10，並藉由所述可撓性基板10及相變材料30向所述蓋板40上傳導而後向外界散發。由於所述散熱片100對應熱源處形成有所述絕熱結構65，熱量在所述絕熱結構65上傳導的速度降低，從而使得所述石墨片60從所述熱源處吸收熱量大部分沿石墨片60的貼合方向擴散，使得電子組件產生的熱量均勻的發散，進而使得電子設備在使用時溫度分佈均勻。
綜上所述，本發明符合發明專利要件，爰依法提出專利申請。惟，以上該者僅為本發明之較佳實施例，舉凡熟悉本案技藝之人士，於爰依本發明精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下之如申請專利範圍內。

Claims (15)

  1. 一種散熱結構，包括一可撓性基板及一石墨片，所述可撓性基板包括一第一表面及一與所述第一表面相對的第二表面，所述石墨片結合於所述第二表面，所述可撓性基板與所述石墨片的介面處形成至少一容置腔，所述容置腔被所述可撓性基板與所述石墨片密封，所述容置腔內容置有一絕熱材料以形成一絕熱結構，以降低所述絕熱結構方向上的熱傳導速率。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的散熱結構，其中所述散熱結構還包括相變材料及一蓋板，所述可撓性基板的第一表面朝向所述第二表面開設至少一收容槽，所述蓋板與所述第一表面結合以密封所述至少一收容槽從而對應形成至少一密封腔，所述相變材料收容於所述至少一密封腔。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的散熱結構，其中每一密封腔的底部朝向所述第二表面凹設形成若干凹槽，所述若干凹槽佔據所述底部的面積從所述底部靠近所述容置腔的區域朝遠離所述容置腔的區域逐漸減小。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的散熱結構，其中所述石墨片與所述可撓性基板結合的表面向內凹設形成至少一容置槽，所述至少一容置槽藉由所述可撓性基板密封，從而形成所述容置腔。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的散熱結構，其中所述可撓性基板的第二表面朝向所述第一表面凹設至少一容置槽，所述至少一容置槽藉由所述石墨片密封，從而形成所述容置腔。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的散熱結構，其中所述可撓性基板的第二表面朝向所述第一表面凹設至少一容置槽，所述石墨片與所述可撓性基板結合的表面向內凹設形成至少一容置槽，所述可撓性基板的至少一容置槽與所述石墨片的至少一容置槽對應設置以形成所述容置腔。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的散熱結構，其中所述絕熱材料選自空氣、聚醯亞胺樹脂、滌綸樹脂、石棉及聚丙烯樹脂中的至少一種。
  8. 一種散熱結構的製作方法，包括如下步驟：提供一可撓性基板及一石墨片，所述可撓性基板包括一第一表面及一與所述第一表面相對的第二表面；於所述可撓性基板的第二表面及/或石墨片的一表面形成至少一容置槽；於所述至少一容置槽中填充絕熱材料；以及將上述石墨片與可撓性基板的第二表面黏合以將所述至少一容置槽密封，從而在可撓性基板與石墨片的介面間形成容置腔，於所述至少一容置槽中容置絕熱材料形成一絕熱結構，以降低所述絕熱結構方向上的熱傳導速率。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的散熱結構的製作方法，其中所述散熱結構的製作方法還包括以下步驟：在所述第一表面開設至少一收容槽；提供一相變材料，並將所述相變材料填充於所述收容槽內；以及提供一蓋板，並將所述蓋板與可撓性基板的第一表面黏合以將所述至少一收容槽密封，從而對應形成至少一密封腔。
  10. 如申請專利範圍第8項所述的散熱結構的製作方法，其中所述“於所述可撓性基板的第二表面及/或石墨片的一表面形成至少一容置槽”的步驟如下：於所述石墨片與所述可撓性基板結合的表面朝遠離所述可撓性基板的方向開設至少一容置槽。
  11. 如申請專利範圍第8項所述的散熱結構的製作方法，其中所述“於所述可撓性基板的第二表面及/或石墨片的一表面形成至少一容置槽”的步驟如下：於所述第二表面朝向所述第一表面開設至少一容置槽。
  12. 如申請專利範圍第8項所述的散熱結構的製作方法，其中所述“於所述可撓性基板的第二表面及/或石墨片的一表面形成至少一容置槽”的步驟如下：於所述第二表面朝向所述第一表面開設至少一容置槽，並於所述石墨片與所述可撓性基板結合的表面朝遠離所述可撓性基板的方向開設至少一另一容置槽，且所述第二表面上的容置槽與所述石墨片上的容置槽對應。
  13. 如申請專利範圍第9項所述的散熱結構的製作方法，其中所述散熱結構的製作方法還包括以下步驟：於每一密封腔的底部朝向所述第二表面開設若干凹槽，且所述若干凹槽佔據所述底部的面積從所述底部靠近所述容置腔的區域朝遠離所述容置腔的區域逐漸減小。
  14. 如申請專利範圍第8項所述的散熱結構的製作方法，其中所述絕熱材料選自空氣、聚醯亞胺樹脂、滌綸樹脂、石棉及聚丙烯樹脂中的至少一種。
  15. 一種電子設備，其包括電子組件，所述電子組件在工作狀態時產生熱量，其改良在於：該電子設備還包括至少一如申請專利範圍第1-7項所述的散熱結構，所述散熱結構中的石墨片與所述電子組件貼合，且所述絕熱結構對應所述電子組件發熱的區域設置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI768914B (zh) * 2021-05-18 2022-06-21 大陸商鵬鼎控股（深圳）股份有限公司 具有散熱功能的線路板及其製作方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110621141A (zh) * 2019-09-23 2019-12-27 Oppo广东移动通信有限公司 复合膜及电子设备
CN111029350B (zh) * 2019-11-26 2023-09-05 上海微阱电子科技有限公司 一种图像传感器结构和形成方法
CN111276403B (zh) * 2020-02-17 2021-08-31 中山市木林森微电子有限公司 一种半导体功率模块及其制备方法
CN111293093B (zh) * 2020-02-17 2021-12-21 合肥星波通信技术有限公司 一种智能功率模块及其制备方法
CN214300348U (zh) * 2021-01-26 2021-09-28 苏州晶湛半导体有限公司 石墨盘

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1949486A (zh) * 2005-10-12 2007-04-18 索尼计算机娱乐公司 半导体装置、半导体装置的制作方法
TW201623902A (zh) * 2014-12-19 2016-07-01 臻鼎科技股份有限公司 散熱結構及其製作方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10916674B2 (en) * 2002-05-07 2021-02-09 Nanoptek Corporation Bandgap-shifted semiconductor surface and method for making same, and apparatus for using same
TWI257543B (en) * 2003-07-02 2006-07-01 Delta Electronics Inc Equalizing temperature device
KR101244587B1 (ko) * 2008-06-02 2013-03-25 파나소닉 주식회사 그래파이트 복합체 및 그 제조 방법
TWI472423B (zh) * 2010-12-23 2015-02-11 Compal Electronics Inc 殼體結構及電子裝置殼體結構製造方法
WO2014013711A1 (ja) * 2012-07-19 2014-01-23 株式会社カネカ グラファイト複合材料
CN104582234A (zh) * 2013-10-12 2015-04-29 富葵精密组件(深圳)有限公司 散热装置、其制作方法及具有散热装置的柔性电路板
JPWO2015072428A1 (ja) * 2013-11-12 2017-03-16 Jnc株式会社 ヒートシンク
JP6311111B2 (ja) * 2014-01-29 2018-04-18 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 放熱構造
JP6421555B2 (ja) * 2014-11-18 2018-11-14 富士通株式会社 電子機器
CN105704978A (zh) * 2014-11-26 2016-06-22 英业达科技有限公司 电子装置
CN105283040B (zh) * 2015-10-23 2019-04-26 联想(北京)有限公司 一种散热单元和电子设备
CN108207097B (zh) * 2018-02-09 2022-04-29 中兴通讯股份有限公司 一种隔热装置和电子产品

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1949486A (zh) * 2005-10-12 2007-04-18 索尼计算机娱乐公司 半导体装置、半导体装置的制作方法
TW201623902A (zh) * 2014-12-19 2016-07-01 臻鼎科技股份有限公司 散熱結構及其製作方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI768914B (zh) * 2021-05-18 2022-06-21 大陸商鵬鼎控股（深圳）股份有限公司 具有散熱功能的線路板及其製作方法

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