CN105283040B - 一种散热单元和电子设备 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种散热单元,应用于电子设备,所述散热单元至少包括:第一材料层和第二材料层;其中,所述第一材料层,位于处理部件以及所述第二材料层中间,用于吸收所述处理部件产生的热量;所述处理部件位于所述电子设备中;所述第二材料层在第一方向上的导热率低于在第二方向上的导热率;其中,所述第一方向为从所述处理部件指向所述第一材料层的方向。本发明还公开了一种设置有所述散热单元的电子设备。

Description

一种散热单元和电子设备
技术领域
本发明涉及电子设备的散热技术,具体涉及一种散热单元和电子设备。
背景技术
随着通信技术的发展,终端等电子设备已然成为人们生活中不可缺少的一部分;而且,用户对电子设备的要求也越来越多元化,例如:超轻薄笔记本电脑越来越受到用户的青睐。目前,超轻薄笔记本电脑通常采用无风扇(fan-less)设计以达到散热的目的,同时可减小超轻薄笔记本电脑整体的重量。现有通常采用高导热性材料将超轻薄笔记本电脑中的热源产生的热量导向冷端,但是,高导热性材料在水平方向快速传导热量的同时,还会在垂直方向将热量传导至超轻薄笔记本电脑的表面,增加表面温度,用户体验较差。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例的主要目的在于提供一种散热单元和电子设备,以至少解决电子设备表面温度高,用户体验较差的问题。
为达到上述目的,本发明的技术方案是这样实现的:
本发明实施例提供了一种散热单元,应用于电子设备,所述散热单元至少包括:第一材料层和第二材料层;其中,
所述第一材料层,位于处理部件以及所述第二材料层中间,用于吸收所述处理部件产生的热量;所述处理部件位于所述电子设备中;
所述第二材料层在第一方向上的导热率低于在第二方向上的导热率;其中,所述第一方向为从所述处理部件指向所述第一材料层的方向。
一个实施例中,所述第一材料层由高导热材料组成;所述高导热材料为导热率大于第一介质的材料。
一个实施例中,所述第二材料层由隔热材料组成;所述隔热材料为导热率小于第一介质的材料。
一个实施例中,所述第二材料层的面积小于所述第一材料层的面积。
一个实施例中,基于所述处理部件的面积,设置所述第二材料层的面积。
一个实施例中,所述第二材料层,还用于使所述第一材料层将吸收的热量在第三方向传输;其中,所述第三方向为所述第一方向的垂直方向。
一个实施例中,所述第二材料层的上层还设置有第三材料层,所述第三材料层包括第一部分和第二部分;其中,
所述第一部分与所述第二材料层的面积相同,所述第一部分和所述第二材料层在与所述第一方向垂直的平面上的投影重合;
所述第三材料层,用于吸收所述第一材料层的热量。
其中,所述第三材料层由高导热材料组成;所述高导热材料为导热率大于第一介质的材料。
本发明实施例还提供了一种电子设备,所述电子设备中具备上文所述的散热单元。
一个实施例中,所述散热单元设置于所述电子设备的第一区域,以对所述电子设备中的处理部件进行散热。
本发明实施例提供的散热单元,应用于电子设备,所述散热单元至少包括:第一材料层和第二材料层;其中,所述第一材料层,位于处理部件以及所述第二材料层中间,用于吸收所述处理部件产生的热量;所述处理部件位于所述电子设备中;所述第二材料层在第一方向上的导热率低于在第二方向上的导热率;其中,所述第一方向为从所述处理部件指向所述第一材料层的方向。可见,设置的所述第二材料层可阻止所述第一材料层吸收的热量在第一方向上(垂直)传输,相应的,可降低设置有所述散热单元的电子设备表面温度高的问题,提高用户体验,也可保证电子设备的正常运行;此外,所述第二材料层的设置可使得所述第一材料层能更靠近热源(处理部件),即使第一材料层吸收更多热量。
附图说明
图1为本发明实施例所述散热单元的结构示意图一;
图2为本发明实施例所述散热单元的结构示意图二;
图3为本发明实施例所述散热单元的结构示意图三;
图4为本发明实施例所述散热单元的结构示意图四。
具体实施方式
下面结合附图及具体实施例对本发明再作进一步详细的说明。
实施例一
本发明实施例提供了一种散热单元,应用于电子设备,如图1所示,所述散热单元至少包括:第一材料层11和第二材料层12;其中,
所述第一材料层11,位于处理部件以及所述第二材料层12中间,用于吸收所述处理部件10产生的热量;所述处理部件10位于所述电子设备中;
所述第二材料层12在第一方向上的导热率低于在第二方向上的导热率,可阻止所述第一材料层吸收的热量在第一方向上传输;其中,所述第一方向为从所述处理部件10指向所述第一材料层11的方向,示意性地,所述第一方向如图1中的箭头指向所示。所述第二方向可为与所述第一方向不同的其他任意方向。
这里,在制备过程中,所述第二材料层可直接沉积于所述第一材料层之上。由于所述第二材料层可阻止所述第一材料层吸收的热量在第一方向(垂直方向)传输,因此,所述第一材料层可靠近所述处理部件设置,可与处理部件间留有一定空隙,如图1所示,或者,所述第一材料层也可与所述处理部件接触,如:粘贴在一起。
本发明实施例中,所述电子设备中的处理部件10可为:中央处理器(CPU)、显卡、芯片组、光驱或硬盘等等。所述处理部件在运行过程中会产生较多热量,不仅会影响电子设备的正常运行,还会降低用户体验。
本实施例中,所述第一材料层由高导热材料组成,该材料可为各向异性材料;所述高导热材料为导热率大于第一介质的材料。
这里,所述高导热材料为:导热系数高的材料,例如金属材料、或非金属材料或高分子材料等,可包括:铝、金、铜、铁、镁、银或不锈钢、或上述两种金属及以上的混合物;或为石墨、碳纳米管或高分子化合物、或为上述两种非金属及以上的混合物。由于导热系数高,所述第一材料层可快速吸收处理部件处的热量,达到降低处理部件温度的目的。所述第一介质为所述处理部件所处的环境,通常为空气。
本实施例中,所述第二材料层由隔热材料组成;所述隔热材料为导热率小于第一介质的材料。
这里,所述隔热材料为:能阻滞热流传递的材料,又称热绝缘材料。传统绝热材料,可为:玻璃纤维、石棉、岩棉、或硅酸盐等;新型绝热材料,可为:气凝胶毡、或真空板等。隔热材料类型不同,导热系数也就不同;隔热材料的物质构成不同,其物理热性能也就不同;隔热机理存有区别,其导热性能或导热系数也就各有差异。因此,在实际应用时可依据实际成本、材料特性等等因素来选择相应的隔热材料。
可见,本发明实施例在第一材料层上设置第二材料层,第二材料层阻止所述第一材料层吸收的热量在第一方向上(垂直)传输,可降低电子设备表面温度高的问题,提高用户体验;此外,所述第二材料层的设置可使得所述第一材料层能更靠近热源(处理部件),即使第一材料层吸收更多热量。
实施例二
本发明实施例提供了一种散热单元,应用于电子设备,如图2所示,所述散热单元至少包括:第一材料层21和第二材料层22,所述第二材料层22的面积小于所述第一材料层21的面积;其中,
所述第一材料层21,位于处理部件以及所述第二材料层22中间,用于吸收所述处理部件10产生的热量;所述处理部件10位于所述电子设备中;
所述第二材料层22在第一方向上的导热率低于在第二方向上的导热率,可阻止所述第一材料层吸收的热量在第一方向上传输;其中,所述第一方向为从所述处理部件10指向所述第一材料层21的方向,示意性地,所述第一方向如图2中的竖直方向的箭头指向所示。所述第二方向可为与所述第一方向不同的其他任意方向。
这里,在制备过程中,可将所述第二材料层22的材料直接沉积于所述第一材料层21之上,之后利用掩膜版进行曝光、刻蚀等技术得到所述第二材料层22的结构。由于所述第二材料层22可阻止所述第一材料层21吸收的热量在第一方向(垂直方向)传输,因此,所述第一材料层21可靠近所述处理部件设置,可与处理部件间留有一定空隙,如图2所示,或者,所述第一材料层也可与所述处理部件接触,如:粘贴在一起。
本发明实施例中,所述电子设备中的处理部件10可为:中央处理器(CPU)、显卡、芯片组、光驱或硬盘等等。所述处理部件在运行过程中会产生较多热量,不仅会影响电子设备的正常运行,还会降低用户体验。
本实施例中,所述第一材料层由高导热材料组成,该材料可为各向异性材料;所述高导热材料为导热率大于第一介质的材料。
这里,所述高导热材料为:导热系数高的材料,例如金属材料、或非金属材料或高分子材料等,可包括:铝、金、铜、铁、镁、银或不锈钢、或上述两种金属及以上的混合物;或为石墨、碳纳米管或高分子化合物、或为上述两种非金属及以上的混合物。由于导热系数高,所述第一材料层可快速吸收处理部件处的热量,达到降低处理部件温度的目的。所述第一介质为所述处理部件所处的环境,通常为空气。
本实施例中,所述第二材料层由隔热材料组成;所述隔热材料为导热率小于第一介质的材料。
这里,所述隔热材料为:能阻滞热流传递的材料,又称热绝缘材料。传统绝热材料,可为:玻璃纤维、石棉、岩棉、或硅酸盐等;新型绝热材料,可为:气凝胶毡、或真空板等。隔热材料类型不同,导热系数也就不同;隔热材料的物质构成不同,其物理热性能也就不同;隔热机理存有区别,其导热性能或导热系数也就各有差异。因此,在实际应用时可依据实际成本、材料特性等等因素来选择相应的隔热材料。
这里,可基于所述处理部件10的面积,设置所述第二材料层22的面积。如图2所示,所述第二材料层22的面积可与所述处理部件10的面积相当或略大于所述处理部件10的面积,目的在于:阻止与该第二材料层22相对位置处的第一材料层21所吸收的热量,防止该部分热量在第一方向上传输。
可见,在不影响隔热效果的前提下可相应减少所述第一材料层21的面积,节约了生产成本,也节约了相应电子设备的内部空间,便于实现电子设备超薄的设置要求。
本发明实施例中,所述第二材料层,还用于使所述第一材料层将吸收的热量在第三方向传输;其中,所述第三方向为所述第一方向的垂直方向。所述第三方向如图2中的水平方向的箭头指向所示。
这里,由于所述第二材料层的阻挡,使得所述第一材料层吸收的热量无法在第一方向传输,热量被迫在所述第一材料层中沿着所述第三方向传输,即:阻止热量在垂直方向传输,迫使更多的热量沿着水平方向传输到电子设备的外部,降低电子设备表面的温度,提高用户体验。
本实施例在第一材料层上设置第二材料层,第二材料层阻止所述第一材料层吸收的热量在第一方向上(垂直)传输,可降低电子设备表面温度高的问题,提高用户体验;另外,由于所述第二材料层的阻挡,使得所述第一材料层吸收的热量无法在第一方向传输,热量被迫在所述第一材料层中沿着所述第三方向传输,同样可降低电子设备表面的温度;此外,所述第二材料层的设置可使得所述第一材料层能更靠近热源(处理部件),即使第一材料层吸收更多热量;而且,在不影响隔热效果的前提下可相应减少所述第一材料层的面积,节约了生产成本,也节约了相应电子设备的内部空间,便于实现电子设备超薄的设置要求。
实施例三
本发明实施例提供了一种散热单元,应用于电子设备,如图3所示,所述散热单元包括:第一材料层31、第二材料层32和第三材料层33,所述第二材料层32的面积小于所述第一材料层31的面积;其中,
所述第一材料层31,位于处理部件以及所述第二材料层32中间,用于吸收所述处理部件10产生的热量;所述处理部件10位于所述电子设备中;
所述第二材料层32在第一方向上的导热率低于在第二方向上的导热率,可阻止所述第一材料层吸收的热量在第一方向上传输;其中,所述第一方向为从所述处理部件10指向所述第一材料层31的方向,示意性地,所述第一方向如图3中的竖直方向的箭头指向所示;所述第二方向可为与所述第一方向不同的其他任意方向;
所述第三材料层33,包括第一部分和第二部分;其中,
所述第一部分与所述第二材料层32的面积相同,所述第一部分和所述第二材料层32在与所述第一方向垂直的平面上的投影重合;
所述第三材料层33,用于吸收所述第一材料层的热量。
这里,在制备过程中,可将所述第二材料层32的材料直接沉积于所述第一材料层31之上,之后利用掩膜版进行曝光、刻蚀等技术得到所述第二材料层32的结构;之后,再在所述第二材料层上沉积所述第三材料层33对应的材料,所述第三材料层33完全覆盖在所述第二材料层32,且覆盖在未被所述第二材料层32覆盖的第一材料层31之上,如图3所示。需要说明的是,由于所述第三材料层33具有一定厚度,图3中显示的所述第三材料层33的第一部分的面积略大于所述第二材料层32的面积,该图仅为示意性的,理论上所述第三材料层33的第一部分的面积与所述第二材料层32的面积相等。当然,为了满足所述电子设备的超薄的设计要求,所述第三材料层的厚度可相对薄一些。
示意性的,由于所述第二材料层32可阻止所述第一材料层31吸收的热量在第一方向(垂直方向)传输,因此,所述第一材料层31可靠近所述处理部件设置,可与处理部件间留有一定空隙,如图3所示;或者,所述第一材料层31也可与所述处理部件接触,如:粘贴在一起。
本发明实施例中,所述电子设备中的处理部件10可为:中央处理器(CPU)、显卡、芯片组、光驱或硬盘等等。所述处理部件在运行过程中会产生较多热量,不仅会影响电子设备的正常运行,还会降低用户体验。
本实施例中,所述第一材料层由高导热材料组成,该材料可为各向异性材料;所述高导热材料为导热率大于第一介质的材料。
这里,所述高导热材料为:导热系数高的材料,例如金属材料、或非金属材料或高分子材料等,可包括:铝、金、铜、铁、镁、银或不锈钢、或上述两种金属及以上的混合物;或为石墨、碳纳米管或高分子化合物、或为上述两种非金属及以上的混合物。由于导热系数高,所述第一材料层可快速吸收处理部件处的热量,达到降低处理部件温度的目的。所述第一介质为所述处理部件所处的环境,通常为空气。
本实施例中,所述第二材料层由隔热材料组成;所述隔热材料为导热率小于第一介质的材料。
这里,所述隔热材料为:能阻滞热流传递的材料,又称热绝缘材料。传统绝热材料,可为:玻璃纤维、石棉、岩棉、或硅酸盐等;新型绝热材料,可为:气凝胶毡、或真空板等。隔热材料类型不同,导热系数也就不同;隔热材料的物质构成不同,其物理热性能也就不同;隔热机理存有区别,其导热性能或导热系数也就各有差异。因此,在实际应用时可依据实际成本、材料特性等等因素来选择相应的隔热材料。
本实施例中,所述第三材料层由高导热材料组成;所述高导热材料为导热率大于第一介质的材料。
这里,所述第三材料层所选用的高导热材料可与所述第一材料层的高导热材料相同、或选用不同的高导热材料。例如:所述第一材料层选用金属材料,如:铝、金、铜、铁、镁、银或不锈钢、或上述两种金属及以上的混合物;而所述第三材料层选用非金属材料,如:石墨;或者,第一材料层和第三材料层均为金属材料,但是为不同种类的金属材料;或者,第一材料层和第三材料层为不同种类的非金属材料或高分子材料等等,可依据实际需要采用多种实现方式。
本实施例中,所述第三材料层的设置可加速所述第一材料层吸收的热量在水平方向传输,具体的,所述第二材料层阻挡所述第一材料层吸收的热量,覆盖在所述第一材料层上的所述第三材料层的第二部分进一步吸收所述第一材料层吸收的热量,热量由所述两层材料层向外部扩散,可相应加快散热速度,降低电子设备的温度。
这里,可基于所述处理部件10的面积,设置所述第二材料层32的面积。如图3所示,所述第二材料层32的面积可与所述处理部件10的面积相当或略大于所述处理部件10的面积,目的在于:阻止与该第二材料层32相对位置处的第一材料层31所吸收的热量,防止该部分热量在第一方向上传输。可见,在不影响隔热效果的前提下可相应减少所述第一材料层31的面积,节约了生产成本,也节约了相应电子设备的内部空间,便于实现电子设备超薄的设置要求。
本发明实施例中,所述第二材料层,还用于使所述第一材料层将吸收的热量在第三方向传输;其中,所述第三方向为所述第一方向的垂直方向。所述第三方向如图3中的水平方向的箭头指向所示。
这里,由于所述第二材料层的阻挡,使得所述第一材料层吸收的热量无法在第一方向传输,热量被迫在所述第一材料层中沿着所述第三方向传输,即:阻止热量在垂直方向传输,迫使更多的热量沿着水平方向传输到电子设备的外部,降低电子设备表面的温度,提高用户体验。
可见,本实施例在第一材料层上设置第二材料层,第二材料层阻止所述第一材料层吸收的热量在第一方向上(垂直)传输,可降低电子设备表面温度高的问题,提高用户体验;另外,由于所述第二材料层的阻挡,使得所述第一材料层吸收的热量无法在第一方向传输,热量被迫在所述第一材料层中沿着所述第三方向传输,同样可降低电子设备表面的温度;此外,所述第二材料层的设置可使得所述第一材料层能更靠近热源(处理部件),即使第一材料层吸收更多热量;而且,在不影响隔热效果的前提下可相应减少所述第一材料层的面积,节约了生产成本,也节约了相应电子设备的内部空间,便于实现电子设备超薄的设置要求。
此外,所述第三材料层的设置可加速所述第一材料层吸收的热量在水平方向传输,相应的可进一步降低热量在垂直方向上传输的机会,降低电子设备的表面温度。
实施例四
本发明实施例提供了一种散热单元,应用于电子设备,如图4所示,所述散热单元包括:第一材料层41、第二材料层42、第三材料层43和第四材料层44,所述第二材料层42的面积小于所述第一材料层41的面积;其中,
所述第一材料层41,位于处理部件以及所述第二材料层42中间,用于吸收所述处理部件10产生的热量;所述处理部件10位于所述电子设备中;
所述第二材料层42在第一方向上的导热率低于在第二方向上的导热率,可阻止所述第一材料层吸收的热量在第一方向上传输;其中,所述第一方向为从所述处理部件10指向所述第一材料层41的方向,示意性地,所述第一方向如图4中的竖直方向的箭头指向所示;所述第二方向可为与所述第一方向不同的其他任意方向;
所述第三材料层43,包括第一部分和第二部分;其中,
所述第一部分与所述第二材料层42的面积相同,所述第一部分和所述第二材料层42在与所述第一方向垂直的平面上的投影重合;
所述第三材料层43,用于吸收所述第一材料层的热量;
所述第四材料层44,在第一方向上的导热率低于在第二方向上的导热率,可阻止所述第三材料层吸收的热量在第一方向上传输。
这里,在制备过程中,可将所述第二材料层42的材料直接沉积于所述第一材料层41之上,之后利用掩膜版进行曝光、刻蚀等技术得到所述第二材料层42的结构;之后,再在所述第二材料层上沉积所述第三材料层43对应的材料,所述第三材料层43完全覆盖在所述第二材料层42,且覆盖在未被所述第二材料层42覆盖的第一材料层41之上,如图4所示;所述第四材料层44的制备方法与所述第二材料层42的方法相同,即:可将所述第四材料层44的材料直接沉积于所述第三材料层43之上,之后利用掩膜版进行曝光、刻蚀等技术得到所述第四材料层44的结构。需要说明的是,由于所述第三材料层43具有一定厚度,图4中显示的所述第三材料层43的第一部分的面积略大于所述第二材料层42的面积,该图仅为示意性的,理论上所述第三材料层43的第一部分的面积与所述第二材料层42的面积相等。当然,为了满足所述电子设备的超薄的设计要求,所述第三材料层的厚度可相对薄一些。
示意性的,由于所述第二材料层42可阻止所述第一材料层41吸收的热量在第一方向(垂直方向)传输,因此,所述第一材料层41可靠近所述处理部件设置,可与处理部件间留有一定空隙,如图4所示;或者,所述第一材料层41也可与所述处理部件接触,如:粘贴在一起。
本发明实施例中,所述电子设备中的处理部件10可为:中央处理器(CPU)、显卡、芯片组、光驱或硬盘等等。所述处理部件在运行过程中会产生较多热量,不仅会影响电子设备的正常运行,还会降低用户体验。
本实施例中,所述第一材料层由高导热材料组成,该材料可为各向异性材料;所述高导热材料为导热率大于第一介质的材料。
这里,所述高导热材料为:导热系数高的材料,例如金属材料、或非金属材料或高分子材料等,可包括:铝、金、铜、铁、镁、银或不锈钢、或上述两种金属及以上的混合物;或为石墨、碳纳米管或高分子化合物、或为上述两种非金属及以上的混合物。由于导热系数高,所述第一材料层可快速吸收处理部件处的热量,达到降低处理部件温度的目的。所述第一介质为所述处理部件所处的环境,通常为空气。
本实施例中,所述第二材料层由隔热材料组成;所述隔热材料为导热率小于第一介质的材料。
这里,所述隔热材料为:能阻滞热流传递的材料,又称热绝缘材料。传统绝热材料,可为:玻璃纤维、石棉、岩棉、或硅酸盐等;新型绝热材料,可为:气凝胶毡、或真空板等。隔热材料类型不同,导热系数也就不同;隔热材料的物质构成不同,其物理热性能也就不同;隔热机理存有区别,其导热性能或导热系数也就各有差异。因此,在实际应用时可依据实际成本、材料特性等等因素来选择相应的隔热材料。
这里,可基于所述处理部件10的面积,设置所述第二材料层42的面积。如图4所示,所述第二材料层42的面积可与所述处理部件10的面积相当或略大于所述处理部件10的面积,目的在于:阻止与该第二材料层42相对位置处的第一材料层41所吸收的热量,防止该部分热量在第一方向上传输。可见,在不影响隔热效果的前提下可相应减少所述第一材料层41的面积,节约了生产成本,也节约了相应电子设备的内部空间,便于实现电子设备超薄的设置要求。
本发明实施例中,所述第二材料层,还用于使所述第一材料层将吸收的热量在第三方向传输;其中,所述第三方向为所述第一方向的垂直方向。所述第三方向如图4中的水平方向的箭头指向所示。
这里,由于所述第二材料层的阻挡,使得所述第一材料层吸收的热量无法在第一方向传输,热量被迫在所述第一材料层中沿着所述第三方向传输,即:阻止热量在垂直方向传输,迫使更多的热量沿着水平方向传输到电子设备的外部,降低电子设备表面的温度,提高用户体验。
本实施例中,所述第三材料层由高导热材料组成;所述高导热材料为导热率大于第一介质的材料。
这里,所述第三材料层所选用的高导热材料可与所述第一材料层的高导热材料相同、或选用不同的高导热材料。例如:所述第一材料层选用金属材料,如:铝、金、铜、铁、镁、银或不锈钢、或上述两种金属及以上的混合物;而所述第三材料层选用非金属材料,如:石墨;或者,第一材料层和第三材料层均为金属材料,但是为不同种类的金属材料;或者,第一材料层和第三材料层为不同种类的非金属材料或高分子材料等等,可依据实际需要采用多种实现方式。
本实施例中,所述第三材料层的设置可加速所述第一材料层吸收的热量在水平方向传输,具体的,所述第二材料层阻挡所述第一材料层吸收的热量,覆盖在所述第一材料层上的所述第三材料层的第二部分进一步吸收所述第一材料层吸收的热量,热量由所述两层材料层向外部扩散,可相应加快散热速度,降低电子设备的温度。
本实施例中,所述第四材料层由隔热材料组成;所述隔热材料为导热率小于第一介质的材料。
这里,所述第四材料层所选用的隔热材料可与所述第二材料层的隔热材料相同、或选用不同的隔热材料。例如:所述第二材料层选用传统隔热材料,如:玻璃纤维、石棉、岩棉、或硅酸盐、或上述两种及以上的混合物;而所述第四材料层选用新型绝热材料,如:气凝胶毡、或真空板;或者,第二材料层和第四材料层均为传统隔热材料,但是为不同种类的传统隔热材料;或者,第二材料层和第四材料层为不同种类的新型绝热材料等等,可依据实际需要采用多种实现方式。
示意性地,如图4所示,所述第四材料层44完全覆盖在所述第三材料层43上。当然,也可以根据实际需要适当减小所述第四材料层44的面积。所述第四材料层的设置可阻挡所述第三材料层吸收的热量在第一方向(垂直方向)传输,具体的,由于所述第三材料层吸收所述第一材料层吸收的热量后会向各个方向传输,因此设置所述第四材料层44,可阻止所述第三材料层43吸收的热量在第一方向上传输,不仅可加速热量在第三方向(水平方向)扩散,同时阻止热量在第一方向上传输,降低电子设备的表面温度。
本发明实施例仅示意性地给出几种散热单元的结构,在实际应用时,可依据需要设置包括多层(四层及以上)材料层组成的复合薄膜。
可见,本实施例在第一材料层上设置第二材料层,第二材料层阻止所述第一材料层吸收的热量在第一方向上(垂直)传输,可降低电子设备表面温度高的问题,提高用户体验;另外,由于所述第二材料层的阻挡,使得所述第一材料层吸收的热量无法在第一方向传输,热量被迫在所述第一材料层中沿着所述第三方向传输,同样可降低电子设备表面的温度;此外,所述第二材料层的设置可使得所述第一材料层能更靠近热源(处理部件),即使第一材料层吸收更多热量;而且,在不影响隔热效果的前提下可相应减少所述第一材料层的面积,节约了生产成本,也节约了相应电子设备的内部空间,便于实现电子设备超薄的设置要求。
此外,所述第三材料层的设置可加速所述第一材料层吸收的热量在水平方向传输,所述第四材料层的设置可进一步阻止第三材料层吸收的热量在第一方向上传输,即可进一步降低热量在垂直方向上传输的机会,降低电子设备的表面温度。
实施例五
本发明实施例还提供了一种电子设备,所述电子设备具备上述任一实施例中所述的散热单元。所述散热单元设置于所述电子设备的第一区域,以对所述电子设备中的处理部件进行散热。所述第一区域可为电子设备中发热比较高的元器件,例如:CPU、显卡、芯片组、光驱或硬盘等等。当然,所述散热单元可分别设置于所述发热比较高的各部分。
这里,所述电子设备可以以各种形式来实施。例如,本发明中描述的终端可以包括诸如移动电话、智能电话、笔记本电脑、数字广播接收器、PDA(个人数字助理)、PAD(平板电脑)、PMP(便携式多媒体播放器)、导航装置等等的移动终端以及诸如数字TV、台式计算机等等的固定终端。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (8)

1.一种散热单元,应用于电子设备,其特征在于,所述散热单元至少包括:第一材料层和第二材料层;其中,
所述第一材料层,位于处理部件以及所述第二材料层中间,用于吸收所述处理部件产生的热量;所述处理部件位于所述电子设备中;
所述第二材料层在第一方向上的导热率低于在第二方向上的导热率,所述第二材料层用于阻止所述第一材料层吸收的热量在所述第一方向上传输;其中,所述第一方向为从所述处理部件指向所述第一材料层的方向;
所述第二材料层的面积小于所述第一材料层的面积;
所述第二材料层的上层还设置有第三材料层,所述第三材料层包括第一部分和第二部分;其中,所述第一部分与所述第二材料层的面积相同,所述第一部分和所述第二材料层在与所述第一方向垂直的平面上的投影重合;所述第二部分覆盖在所述第一材料层上;所述第三材料层,用于吸收所述第一材料层的热量。
2.根据权利要求1所述的散热单元,其特征在于,所述第一材料层由高导热材料组成;所述高导热材料为导热率大于第一介质的材料。
3.根据权利要求1所述的散热单元,其特征在于,所述第二材料层由隔热材料组成;所述隔热材料为导热率小于第一介质的材料。
4.根据权利要求1所述的散热单元,其特征在于,基于所述处理部件的面积,设置所述第二材料层的面积。
5.根据权利要求1所述的散热单元,其特征在于,所述第二材料层,还用于使所述第一材料层将吸收的热量在第三方向传输;其中,所述第三方向为所述第一方向的垂直方向。
6.根据权利要求1所述的散热单元,其特征在于,所述第三材料层由高导热材料组成;所述高导热材料为导热率大于第一介质的材料。
7.一种电子设备,其特征在于,所述电子设备中具备权利要求1-6中任一项所述的散热单元。
8.根据权利要求7所述的电子设备,其特征在于,所述散热单元设置于所述电子设备的第一区域,以对所述电子设备中的处理部件进行散热。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107846810A (zh) 2016-09-18 2018-03-27 鹏鼎控股(深圳)股份有限公司 散热结构及其制作方法及电子设备
CN108207097B (zh) * 2018-02-09 2022-04-29 中兴通讯股份有限公司 一种隔热装置和电子产品

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2663136Y (zh) * 2003-08-18 2004-12-15 仁宝电脑工业股份有限公司 隔热板材
US20050006083A1 (en) * 2003-07-02 2005-01-13 Yin-Yuan Chen Temperature-homogenizing device
CN103025122A (zh) * 2011-09-23 2013-04-03 联想(北京)有限公司 一种电子设备

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DD257536A1 (de) * 1987-02-03 1988-06-15 Robotron Elektronik Mehrschichtiger multichipmodul
DE19705003A1 (de) * 1996-02-13 1997-11-06 Andus Electronic Gmbh Leiterpl Bi- oder Multilayeranordnung
JP4556174B2 (ja) * 2004-12-15 2010-10-06 日本電気株式会社 携帯端末機器及び放熱方法
JPWO2006080335A1 (ja) * 2005-01-25 2008-06-19 松下電器産業株式会社 表示装置
US7486517B2 (en) * 2006-12-20 2009-02-03 Nokia Corporation Hand-held portable electronic device having a heat spreader
US20120087088A1 (en) * 2008-08-05 2012-04-12 Pipeline Micro, Inc. Microscale heat transfer systems
JP2011241375A (ja) * 2010-04-23 2011-12-01 Sumitomo Chemical Co Ltd 放熱部材及びこれからなる照明器具用部品
TWI445483B (zh) * 2010-12-23 2014-07-11 Compal Electronics Inc 殼體結構及具有其之電子裝置
JP5568486B2 (ja) * 2011-01-05 2014-08-06 富士フイルム株式会社 放射線撮影用電子カセッテ
TW201404287A (zh) * 2012-07-09 2014-01-16 Wah Hong Ind Corp 散熱複合材料及其用途
US10100432B2 (en) * 2012-07-19 2018-10-16 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Apparatus for producing SiC single crystal and method for producing SiC single crystal
TW201409136A (zh) * 2012-08-17 2014-03-01 Wash Hong Ind Corp 背光模組之各向異性散熱
US9282681B2 (en) * 2014-01-21 2016-03-08 Seagate Technology Llc Dissipating heat during device operation
US9741635B2 (en) * 2014-01-21 2017-08-22 Infineon Technologies Austria Ag Electronic component

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050006083A1 (en) * 2003-07-02 2005-01-13 Yin-Yuan Chen Temperature-homogenizing device
CN2663136Y (zh) * 2003-08-18 2004-12-15 仁宝电脑工业股份有限公司 隔热板材
CN103025122A (zh) * 2011-09-23 2013-04-03 联想(北京)有限公司 一种电子设备

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