JP2017124632A - 可撓性反射基材、その製造方法及びその反射基材に用いる原材料組成物 - Google Patents

可撓性反射基材、その製造方法及びその反射基材に用いる原材料組成物 Download PDF

Info

Publication number
JP2017124632A
JP2017124632A JP2017062562A JP2017062562A JP2017124632A JP 2017124632 A JP2017124632 A JP 2017124632A JP 2017062562 A JP2017062562 A JP 2017062562A JP 2017062562 A JP2017062562 A JP 2017062562A JP 2017124632 A JP2017124632 A JP 2017124632A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
flexible
silicone rubber
reflective
resin
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017062562A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6363756B2 (ja
Inventor
田崎　益次
Masuji Tazaki
益次 田崎
直人 五十嵐
Naoto Igarashi
直人 五十嵐
明 市川
Akira Ichikawa
明 市川
勉 小田喜
Tsutomu Kotaki
勉 小田喜
舞美 吉田
Mami Yoshida
舞美 吉田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Asahi Rubber Inc
Original Assignee
Asahi Rubber Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=44672691&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP2017124632(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Asahi Rubber Inc filed Critical Asahi Rubber Inc
Publication of JP2017124632A publication Critical patent/JP2017124632A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6363756B2 publication Critical patent/JP6363756B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D7/00—Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
    • C09D7/40—Additives
    • C09D7/60—Additives non-macromolecular
    • C09D7/61—Additives non-macromolecular inorganic
    • C09D7/62—Additives non-macromolecular inorganic modified by treatment with other compounds
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C48/00—Extrusion moulding, i.e. expressing the moulding material through a die or nozzle which imparts the desired form; Apparatus therefor
    • B29C48/001—Combinations of extrusion moulding with other shaping operations
    • B29C48/002—Combinations of extrusion moulding with other shaping operations combined with surface shaping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/02—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
    • B29C59/04—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing using rollers or endless belts
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/01—Use of inorganic substances as compounding ingredients characterized by their specific function
    • C08K3/013—Fillers, pigments or reinforcing additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K9/00—Use of pretreated ingredients
    • C08K9/02—Ingredients treated with inorganic substances
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K9/00—Use of pretreated ingredients
    • C08K9/04—Ingredients treated with organic substances
    • C08K9/06—Ingredients treated with organic substances with silicon-containing compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04—Polysiloxanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09C—TREATMENT OF INORGANIC MATERIALS, OTHER THAN FIBROUS FILLERS, TO ENHANCE THEIR PIGMENTING OR FILLING PROPERTIES ; PREPARATION OF CARBON BLACK  ; PREPARATION OF INORGANIC MATERIALS WHICH ARE NO SINGLE CHEMICAL COMPOUNDS AND WHICH ARE MAINLY USED AS PIGMENTS OR FILLERS
    • C09C1/00—Treatment of specific inorganic materials other than fibrous fillers; Preparation of carbon black
    • C09C1/36—Compounds of titanium
    • C09C1/3607—Titanium dioxide
    • C09C1/3684—Treatment with organo-silicon compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09C—TREATMENT OF INORGANIC MATERIALS, OTHER THAN FIBROUS FILLERS, TO ENHANCE THEIR PIGMENTING OR FILLING PROPERTIES ; PREPARATION OF CARBON BLACK  ; PREPARATION OF INORGANIC MATERIALS WHICH ARE NO SINGLE CHEMICAL COMPOUNDS AND WHICH ARE MAINLY USED AS PIGMENTS OR FILLERS
    • C09C3/00—Treatment in general of inorganic materials, other than fibrous fillers, to enhance their pigmenting or filling properties
    • C09C3/12—Treatment with organosilicon compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D183/04—Polysiloxanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D5/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
    • C09D5/004—Reflecting paints; Signal paints
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
    • H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02008—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/035281—Shape of the body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/03529—Shape of the potential jump barrier or surface barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048—Encapsulation of modules
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048—Encapsulation of modules
    • H01L31/0481—Encapsulation of modules characterised by the composition of the encapsulation material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H01L31/0547—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means comprising light concentrating means of the reflecting type, e.g. parabolic mirrors, concentrators using total internal reflection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H01L31/0682—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells back-junction, i.e. rearside emitter, solar cells, e.g. interdigitated base-emitter regions back-junction cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C2793/00—Shaping techniques involving a cutting or machining operation
    • B29C2793/0027—Cutting off
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C48/00—Extrusion moulding, i.e. expressing the moulding material through a die or nozzle which imparts the desired form; Apparatus therefor
    • B29C48/001—Combinations of extrusion moulding with other shaping operations
    • B29C48/0022—Combinations of extrusion moulding with other shaping operations combined with cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C48/00—Extrusion moulding, i.e. expressing the moulding material through a die or nozzle which imparts the desired form; Apparatus therefor
    • B29C48/03—Extrusion moulding, i.e. expressing the moulding material through a die or nozzle which imparts the desired form; Apparatus therefor characterised by the shape of the extruded material at extrusion
    • B29C48/07—Flat, e.g. panels
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C48/00—Extrusion moulding, i.e. expressing the moulding material through a die or nozzle which imparts the desired form; Apparatus therefor
    • B29C48/03—Extrusion moulding, i.e. expressing the moulding material through a die or nozzle which imparts the desired form; Apparatus therefor characterised by the shape of the extruded material at extrusion
    • B29C48/07—Flat, e.g. panels
    • B29C48/08—Flat, e.g. panels flexible, e.g. films
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C48/00—Extrusion moulding, i.e. expressing the moulding material through a die or nozzle which imparts the desired form; Apparatus therefor
    • B29C48/03—Extrusion moulding, i.e. expressing the moulding material through a die or nozzle which imparts the desired form; Apparatus therefor characterised by the shape of the extruded material at extrusion
    • B29C48/13—Articles with a cross-section varying in the longitudinal direction, e.g. corrugated pipes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C48/00—Extrusion moulding, i.e. expressing the moulding material through a die or nozzle which imparts the desired form; Apparatus therefor
    • B29C48/15—Extrusion moulding, i.e. expressing the moulding material through a die or nozzle which imparts the desired form; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. extrusion moulding around inserts
    • B29C48/154—Coating solid articles, i.e. non-hollow articles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C48/00—Extrusion moulding, i.e. expressing the moulding material through a die or nozzle which imparts the desired form; Apparatus therefor
    • B29C48/15—Extrusion moulding, i.e. expressing the moulding material through a die or nozzle which imparts the desired form; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. extrusion moulding around inserts
    • B29C48/154—Coating solid articles, i.e. non-hollow articles
    • B29C48/155—Partial coating thereof
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C48/00—Extrusion moulding, i.e. expressing the moulding material through a die or nozzle which imparts the desired form; Apparatus therefor
    • B29C48/16—Articles comprising two or more components, e.g. co-extruded layers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29D—PRODUCING PARTICULAR ARTICLES FROM PLASTICS OR FROM SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE
    • B29D11/00—Producing optical elements, e.g. lenses or prisms
    • B29D11/0074—Production of other optical elements not provided for in B29D11/00009- B29D11/0073
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
    • B29K2083/00—Use of polymers having silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only, in the main chain, as moulding material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
    • B29K2105/00—Condition, form or state of moulded material or of the material to be shaped
    • B29K2105/06—Condition, form or state of moulded material or of the material to be shaped containing reinforcements, fillers or inserts
    • B29K2105/20—Inserts
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
    • B29K2705/00—Use of metals, their alloys or their compounds, for preformed parts, e.g. for inserts
    • B29K2705/08—Transition metals
    • B29K2705/10—Copper
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
    • B29K2995/00—Properties of moulding materials, reinforcements, fillers, preformed parts or moulds
    • B29K2995/0018—Properties of moulding materials, reinforcements, fillers, preformed parts or moulds having particular optical properties, e.g. fluorescent or phosphorescent
    • B29K2995/003—Reflective
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29L—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
    • B29L2007/00—Flat articles, e.g. films or sheets
    • B29L2007/002—Panels; Plates; Sheets
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29L—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
    • B29L2009/00—Layered products
    • B29L2009/005—Layered products coated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • C08K2003/2237—Oxides; Hydroxides of metals of titanium
    • C08K2003/2241—Titanium dioxide
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52—PV systems with concentrators
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24355—Continuous and nonuniform or irregular surface on layer or component [e.g., roofing, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24355—Continuous and nonuniform or irregular surface on layer or component [e.g., roofing, etc.]
    • Y10T428/24372—Particulate matter
    • Y10T428/24413—Metal or metal compound
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24479—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness
    • Y10T428/24612—Composite web or sheet
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/25—Web or sheet containing structurally defined element or component and including a second component containing structurally defined particles
    • Y10T428/256—Heavy metal or aluminum or compound thereof
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
    • Y10T428/269—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension including synthetic resin or polymer layer or component
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31652—Of asbestos
    • Y10T428/31663—As siloxane, silicone or silane

Abstract

【課題】可撓性であって湾曲に追従できて皺やクラックを生じず、発光波長３４０〜５００ｎｍ程度の波長の高輝度光の反射率が高く、さらに熱伝導性に優れ、その高輝度光が照射されても経時的に黄変したり劣化したりせず、耐光性、耐熱性、耐候性、難燃性に優れ、化学的に安定で、しかも繰り返し湾曲のような機械的応力にも安定で、白色のまま長期間維持できるうえ、金属や樹脂への接着性に優れ、配線基板を被覆するために簡便に形成できて、生産効率が高く、安価に製造できる汎用性の可撓性反射基材を提供する。【解決手段】可撓性反射基材１０は、可撓性支持体上で接着成分と共に三次元架橋したシリコーンゴムに、それよりも高屈折率の白色無機フィラー粉末が分散されつつ含有されて形成された可撓性膜状反射層１１と、前記可撓性支持体とを有している可撓性反射基材であって、反射率が波長５５０ｎｍで９０％以上である。【選択図】図１

Description

本発明は、照明器具等の発光装置に組み込まれそれらの光源からの光を照射すべき側へ反射させたり、太陽電池アセンブリに組み込まれそれへ入射した光を反射して光電変換素子へ集光させたり、光源から導光板に入射した光を効率良く広範囲の所望の方向へ出射させたりする可撓性反射基材、それの製造方法、及びその反射基材の形成に用いる原材料組成物に関するものである。
照明器具、信号機、液晶ディスプレイのバックライトなど様々な発光装置の光源として、発光ダイオード（ＬＥＤ）のように所望の波長光を出射する発光素子が用いられている。このような発光ダイオード、特に高輝度発光ダイオードは、白熱電球、ハロゲンランプ、水銀灯、蛍光灯などの白色系照明装置よりも、明るくて消費電力が少なく、しかも寿命が長いため、屋内外の発光装置に、組み込まれている。また、太陽光を入射して光電変換するＰ型シリコンとＮ型シリコンとからなるような光電変換素子が、太陽電池アセンブリに、組み込まれている。
このような発光素子や光電変換素子のように光が入出射する素子を実装する配線基板や、これら素子を取り巻いて収容するパッケージケースは、発光素子からの光を照射すべき側へ反射させたり、太陽電池アセンブリへ入射した光を光電変換素子へ反射させて効率よく集光させてエネルギー変換させたりするために、これらの光を反射可能なセラミック製や樹脂製の反射基材で形成されている。配線基板やパッケージケースの反射基材がセラミックス製であると、出射光が漏洩することにより、十分な反射効率が得られない。
一方、樹脂製乃至セラミックス製のパッケージケース等に、エポキシ樹脂、液晶ポリマー、ポリアミド、ビスマレイミド・トリアジン（ＢＴ）樹脂等のような硬化性樹脂と白色フィラーとを含有する白色塗料を塗布したり、セラミックスコートしたりした反射層を形成した反射基材は、熱による線膨張の違いに追従できないためコート面にクラックが生じてしまう。また、可撓性が小さいうえ、無理やり湾曲させるとクラックを生じてしまう。
最近では、発光ダイオード（ＬＥＤ）をフレキシブル基板に直接マウントするなど多様化した各種照明器具や太陽電池の形状に対応できることが、要求されている。そこで、フレキシブル基板自体が反射機能を有するように、エポキシ樹脂のような硬化性樹脂と白色フィラーとを含有する白色フィルムがフレキシブルな配線基板に貼り合わされた反射基材が、用いられるようになっている。また、樹脂製の反射基材として、例えば、特許文献１に開示されているように、脂環式エポキシ樹脂を含むエポキシ系ポリマーやグリシジル（メタ）アクリレート系ポリマーのような樹脂、白色顔料、及び硬化剤を必須成分とする樹脂組成物を、シート状ガラス繊維のような基板に含浸、乾燥させた白色プリプレグも、用いられるようになっている。
また、従来から用いられているこれらエポキシ樹脂等の反射基材は、一般的に黄変等の耐熱性や耐光性に欠けるうえ、波長４００ｎｍ以下の波長域の光を吸収するため反射し難い。しかも、これらエポキシ樹脂等の樹脂製の反射基材は、安価で形成し易いという特長を有するものの、近年の鉛フロー半田化のためにリフロー工程で３００℃前後に加熱されるので熱での黄変により初期劣化したり、また近年の発光波長の短波長化や高出力化等の性能向上に伴い一層高輝度の白色出射光やそれに伴う高熱に耐え切れず黄変して経時劣化したりして、表面が次第にくすんでしまい、反射効率の低下を招いてしまう。その結果、初期設計の照明特性が次第に変化して不十分になり、暗くなってしまうという問題がある。
ＬＥＤ光源の発光波長である３４０〜５００ｎｍの短波長域から長波長の近赤外線領域等の波長の光を、十分に反射でき、発光装置のみならず太陽電池アセンブリ等の配線基板やパッケージケースに用いることができ、可撓性であって温度変化による線膨張の違いに追従でき、また湾曲に追従できて、皺やクラックを生じず、耐熱性・耐光性に優れ、長期間の使用によって反射率が低下せず、熱伝導性に優れた、汎用性の簡易な反射基材が求められている。
さらに、様々な形状の可撓性支持体上に反射層を設けた簡便な可撓性反射基材の製造方法が求められている。また、充分な反射率を示す程度の厚さの膜状、立体状又は板状に形成できる可撓性反射基材の簡便な製造方法が求められている。そして、これら可撓性反射基材及びその製造に有用で、単回の塗布で十分な反射効率を有する反射層を形成できる簡易な組成の原材料組成物が求められている。
特開２００６−３１６１７３号公報
本発明は前記の課題を解決するためになされたもので、可撓性であって線膨張や湾曲に追従できて皺やクラックを生じず、可視領域下限近傍の波長３８０〜４００ｎｍ程度を含む、ＬＥＤ光源の発光波長３４０〜５００ｎｍ程度の短波長から近赤外線領域の長波長に至る幅広い波長での反射率が高く、さらに熱伝導性に優れ、その光が照射されても経時的に黄変したり劣化したりせず、耐光性、耐熱性、耐候性、難燃性に優れ、化学的に安定で、しかも繰り返し湾曲のような機械的応力にも安定で、白色のまま長期間、高い反射率が維持できるうえ、金属や樹脂への接着性に優れ、配線基板を被覆するために簡便に形成できて、生産効率が高く、安価に製造できる可撓性反射基材を提供することを目的とする。
また、本発明は、様々な形状の可撓性を有する基板上に反射層を形成できる原材料組成物、及びその原材料組成物を用いて、充分な反射率となる厚さの膜状、立体状又は板状に反射層を形成できる簡便な可撓性反射基材の製造方法を提供することを別の目的とする。
前記の目的を達成するためになされた特許請求の範囲の請求項１に記載の可撓性反射基材は、
可撓性支持体上で接着成分と共に三次元架橋したシリコーンゴムに、それよりも高屈折率の白色無機フィラー粉末が分散されつつ含有されて形成された１〜２０００μｍの厚さの可撓性膜状反射層と、前記可撓性支持体とを有している可撓性反射基材であって、
前記可撓性膜状反射層が、前記可撓性支持体に付されたカバーコート、又は前記可撓性支持体に貼付されたカバーレイフィルムであって、シリコーンゴム原材料に前記接着成分と前記白色無機フィラー粉末とが分散されつつ含有された原材料組成物の硬化物であり、
前記シリコーンゴムが、前記接着成分が分散されつつ含有されて架橋されており、
前記可撓性膜状反射層が、ゴム硬度をショアＡ硬度で１０以上、かつ、ショアＤ硬度で５０以下としており、
前記可撓性支持体が、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、フッ素樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、アラミド樹脂、ポリエーテルエーテル樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、液晶ポリマー、ポリエーテルサルフォン樹脂、エポキシ樹脂、及びシクロオレフィン樹脂から選ばれる少なくとも何れかのプラスチックで形成されているプラスチックフィルム；又は金属薄膜であり、
前記白色無機フィラー粉末が、Ａｌ、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＺｒＯ２、及び／又はＳｉＯ２で表面処理されて被覆されている酸化チタンを含んでおり、
反射率が波長５５０ｎｍで９０％以上であることを特徴とする。
請求項２に記載の可撓性反射基材は、請求項１に記載されたもので、前記シリコーンゴム中に残留して含まれる、シロキシ基繰返単位を４〜１０とする低分子量ポリシロキサンが、最大で３００ｐｐｍであること特徴とする。
請求項３に記載の可撓性反射基材は、請求項１に記載されたもので、前記酸化チタンが、前記シリコーンゴム１００質量部に対し３０〜３００質量部であることを特徴とする。
請求項４に記載の可撓性反射基材は、請求項１に記載されたもので、１５０℃で１０００時間加熱前後での波長４６０ｎｍ〜７８０ｎｍの全範囲で反射率が少なくとも８５％であることを特徴とする。
この可撓性反射基材は、例えば前記白色無機フィラー粉末が、前記Ａｌ、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＺｒＯ２、及び／又はＳｉＯ２で表面処理されて被覆され、シランカップリング処理されている酸化チタンであることを特徴とする。
請求項５に記載の可撓性反射基材は、請求項１に記載されたもので、前記シリコーンゴムが、非環状のジメチルシロキシ繰返単位を主成分として含んでいることを特徴とする。
請求項６に記載の可撓性反射基材は、請求項１に記載されたもので、前記原材料組成物が、液状又はグリース状若しくは塑性であることを特徴とする。
請求項７に記載の可撓性反射基材は、請求項１に記載されたもので、前記原材料組成物が、加熱によって失活又は揮発する反応抑制剤を含むことを特徴とする。
請求項８に記載の可撓性反射基材は、請求項１に記載されたもので、前記可撓性膜状反射層が、それに含有されている前記シリコーンゴムによって、シランカップリング剤を介することによって、及び／又はシリコーンゴム製接着剤を介することによって、前記可撓性支持体に接着して付されていることを特徴とする。
請求項９に記載の可撓性反射基材は、請求項１に記載されたもので、前記可撓性支持体が、導電パターンを表面に付したプラスチックフィルムであることを特徴とする。
請求項１０に記載の可撓性反射基材は、請求項２に記載されたもので、前記シロキシ基繰返単位を４〜１０とする低分子量ポリシロキサンが、環状低分子量ポリシロキサンであることを特徴とする請求項２に記載の可撓性反射基材。
請求項１１に記載の可撓性反射基材は、請求項１に記載されたもので、前記シリコーンゴムが、屈折率を１．３５以上、１．６５未満とすることを特徴とする。
請求項１２に記載の可撓性反射基材は、請求項１に記載されたもので、前記接着成分が、シランカップリング剤である接着性付与成分であることを特徴とする。
請求項１３に記載の可撓性反射基材は、請求項１に記載されたもので、前記白色無機フィラー粉末が、アルミナ、硫酸バリウム、マグネシア、チッ化アルミニウム、チッ化ホウ素、チタン酸バリウム、カオリン、タルク、炭酸カルシウム、酸化亜鉛、シリカ、マイカ粉、粉末ガラス、粉末ニッケル及び粉末アルミニウムから選ばれる少なくとも１種の光反射剤を含むことを特徴とする。
請求項１４に記載の可撓性反射基材は、請求項１に記載されたもので、前記酸化チタンが、シランカップリング処理されてシリコーンゴム中に分散されたものであることを特徴とする。
この可撓性反射基材は、例えば前記白色無機フィラー粉末中、前記酸化チタンが、アナターゼ型若しくはルチル型の前記酸化チタンであり、アルミナ、又は硫酸バリウムを含むことを特徴とする。
請求項１５に記載の可撓性反射基材は、請求項１に記載されたもので、前記白色無機フィラー粉末が、前記酸化チタンからなることを特徴とする。
請求項１６に記載の可撓性反射基材は、請求項１に記載されたもので、前記白色無機フィラー粉末が、平均粒径０．０５〜５０μｍであって、前記シリコーンゴム中に、２〜８０質量％含有されていることを特徴とする。
請求項１７に記載の可撓性反射基材は、請求項１に記載されたもので、前記可撓性膜状反射層に、前記白色無機フィラー粉末と蛍光体とが分散されつつ含有されていることを特徴とする。
この可撓性反射基材は、例えば前記可撓性膜状反射層の表面に、前記白色無機フィラー粉末と前記蛍光体との少なくとも何れかが露出していることを特徴とする。
この可撓性反射基材は、例えば前記可撓性膜状反射層の表面が連続して、ナノメートル乃至マイクロメートルオーダーの凹凸形状、プリズム形状、及び／又は梨地面形状の何れかの非鏡面となっていることを特徴とする。
請求項１８に記載の可撓性反射基材は、請求項１に記載されたもので、前記可撓性膜状反射層が、発光素子、発光装置及び光電変換素子の何れかの背面、外周及び／又は導光材反射面に、配置されていることを特徴とする。
請求項１９に記載の可撓性反射基材は、請求項１に記載されたもので、金属層と、前記可撓性支持体との間に、前記可撓性膜状反射層を有することを特徴とする。
請求項２０に記載の可撓性反射基材は、請求項１に記載されたもので、前記可撓性膜状反射層と対向する側の前記可撓性支持体に金属層を有することを特徴とする。
請求項２１に記載の可撓性反射基材は、請求項１に記載されたもので、前記可撓性膜状反射層と前記金属層の間にガスバリア層を有することを特徴とする。
この可撓性反射基材は、例えば前記ガスバリア層が、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリパラキシリレン、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、及び／又はポリアミドで形成されていることを特徴とする。
前記の目的を達成するためになされた特許請求の範囲の請求項２２に記載の可撓性反射基材を製造する方法は、
可撓性支持体上で接着成分と共に三次元架橋したシリコーンゴムに、それよりも高屈折率の白色無機フィラー粉末が分散されつつ含有されて形成された可撓性膜状反射層と、前記可撓性支持体とを有している請求項１〜２１の何れかに記載の可撓性反射基材を製造する方法であって、
三次元架橋したシリコーンゴムへと架橋させるシリコーンゴム原材料に、Ａｌ、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＺｒＯ２、及び／又はＳｉＯ２で表面処理されて被覆されている酸化チタンを含む、前記シリコーンゴムよりも高屈折率の前記白色無機フィラー粉末と、前記シリコーンゴムと架橋する接着成分とを分散させて含有させた原材料組成物とした後、
ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、フッ素樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、アラミド樹脂、ポリエーテルエーテル樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、液晶ポリマー、ポリエーテルサルフォン樹脂、エポキシ樹脂、及びシクロオレフィン樹脂から選ばれる少なくとも何れかのプラスチックで形成されているプラスチックフィルム；又は金属薄膜である可撓性支持体を用い、
前記原材料組成物を膜状に付して三次元架橋させることにより、前記可撓性支持体に付したカバーコート、又は前記原材料組成物を三次元架橋させて膜状にしたものを前記可撓性支持体に貼付してカバーレイフィルムとなし、
ゴム硬度をショアＡ硬度で１０以上、かつ、ショアＤ硬度で５０以下としており、１〜２０００μｍの厚さの可撓性膜状反射層とする、反射率が波長５５０ｎｍで９０％以上である可撓性反射基材を製造するというものである。
この可撓性反射基材を製造する方法は、例えば前記シリコーンゴム中に残留して含まれる、シロキシ基繰返単位を４〜１０とする低分子量ポリシロキサンを最大で３００ｐｐｍとすることを特徴とする。
この可撓性反射基材を製造する方法は、例えば前記酸化チタンを前記シリコーンゴム１００質量部に対し３０〜３００質量部となして前記原材料組成物に含ませることを特徴とする。
この可撓性反射基材を製造する方法は、例えば５０℃で１０００時間加熱前後での波長４６０ｎｍ〜７８０ｎｍの全範囲で反射率が少なくとも９０％であることを特徴とする。
この可撓性反射基材を製造する方法は、例えば前記架橋が、加熱、加湿、加圧及び紫外線照射の少なくとも何れかにより、なされることを特徴とする。
この可撓性反射基材を製造する方法は、例えば前記シリコーンゴム原材料に、前記シリコーンゴムへの三次元架橋の架橋剤と、加熱によって失活又は揮発する反応抑制剤とが、分散して含有されており、前記シリコーンゴムよりも高屈折率の前記白色無機フィラー粉末を分散させて、前記原材料組成物となした後、前記原材料組成物を膜状に形成し、加熱によって前記架橋がなされることを特徴とする。
前記の目的を達成するためになされた特許請求の範囲の請求項２３に記載の原材料組成物は、
可撓性支持体上で接着成分と共に三次元架橋したシリコーンゴムに、それよりも高屈折率の白色無機フィラー粉末が分散されつつ含有されて形成された可撓性膜状反射層と、前記可撓性支持体とを有している可撓性反射基材に用いる請求項１〜２１の何れかに記載の原材料組成物であって、
重合性シリコーンゴムの原材料と、前記シリコーンゴムの原材料を三次元架橋させる架橋剤と、Ａｌ、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＺｒＯ２、及び／又はＳｉＯ２で表面処理されて被覆されている酸化チタンを含む、前記シリコーンゴムよりも高屈折率の前記白色無機フィラー粉末と、前記シリコーンゴムと架橋する接着成分とが含まれた液状又はグリース状若しくは塑性の原材料組成物であり、
前記可撓性膜状反射層が、ゴム硬度をショアＡ硬度で１０以上、かつ、ショアＤ硬度で５０以下としており、前記可撓性支持体が、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、フッ素樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、アラミド樹脂、ポリエーテルエーテル樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、液晶ポリマー、ポリエーテルサルフォン樹脂、エポキシ樹脂、及びシクロオレフィン樹脂から選ばれる少なくとも何れかのプラスチックで形成されているプラスチックフィルム；又は金属薄膜であり、前記可撓性膜状反射層が１〜２０００μｍの厚さで前記可撓性支持体に付されたカバーコート、又は前記可撓性支持体に貼付されたカバーレイフィルムであり、反射率が波長５５０ｎｍで９０％以上である、可撓性反射基材を形成するために用いられるものである。
この原材料組成物は、例えば前記酸化チタンを前記シリコーンゴム１００質量部に対し３０〜３００質量部とすることを特徴とする。
この原材料組成物は、例えば前記シリコーンゴム中に残留して含まれる、シロキシ基繰返単位を４〜１０とする低分子量ポリシロキサンが、最大で３００ｐｐｍとすることを特徴とする。
請求項２４に記載の原材料組成物は、請求項２３に記載されたもので、加熱によって失活又は揮発する反応抑制剤が含まれていることを特徴とする。
請求項２５に記載の原材料組成物は、請求項２３に記載されたもので、粘度調整のための有機溶剤及び／又は反応性希釈剤が含まれていることを特徴とする。
この原材料組成物は、例えば前記シリコーンゴムの原材料が、非環状のジメチルシロキシ繰返単位を主成分として含んでいることを特徴とする。
本発明の可撓性反射基材は、可撓性支持体にシリコーンゴム組成物製の可撓性反射層を、カバーコートとして付し、又はカバーレイフィルムとして粘着又は接着等により貼付して用いられるので、柔軟で優れた可撓性を示し、線膨張や湾曲に追従でき、皺やクラックが生じず、３０万回以上、繰り返し湾曲させても剥離も劣化も起こさない。
可撓性反射基材は、シリコーンゴムよりも高屈折率の白色無機フィラー粉末が分散されつつ含有されているので、ＬＥＤ光源の発光波長３４０〜５００ｎｍ程度から、近赤外線領域、例えば１０００ｎｍの長波長までの光の反射効率が高く、しかも熱伝導性に優れ放熱し易いものである。特に従来反射し難かった青色光や近紫外線のような短波長領域でも反射効率が高い。また、この可撓性反射基材は、隠蔽性に優れ、光漏れを引き起こさない。
この可撓性反射基材中の可撓性膜状反射層は、光や熱による分解や変質を引き起こし難い安定な三次元架橋シリコーンゴムで形成され、好ましくは、非環状のジメチルシロキシ繰返単位を主鎖中に主成分として含むシリコーンゴムで形成されている。そのため、熱や光で黄変し易いエポキシ樹脂などよりも遥かに、光や熱に安定で、反射効率のみならず経時的な耐光性とりわけ対紫外線耐光性又は対高輝度光耐光性や、耐熱性や、耐候性のような耐久性、さらに難燃性、加工性に優れ、長期間に亘って黄変を引き起こさず、劣化し難いものである。この可撓性反射基材は、長期間経過しても、反射層が白色のままであるので、高反射性が維持できる。
この可撓性反射基材は、熱や光に安定なシリコーンゴムに起因して、白色無機フィラー粉末、特に分解触媒活性が極めて高い酸化チタンを含有していてさえ、高輝度発光ダイオードや直射日光や高温に長期間曝されても、黄変も劣化もしない。
この可撓性反射基材は、可撓性膜状反射層に白色無機フィラー粉末や蛍光体が分散され表面からそれらの粒子が露出していると、反射率が向上するので、発光装置に実装したときの照射効率を向上させることができる。
特にフッ素変性シリコーンゴム、ジメチルシリコーンゴムなどの屈折率が比較的小さいシリコーンゴム原材料を用いると、白色無機フィラー粉末や蛍光体の表面に接する低屈折率のシリコーンゴム原材料との間の屈折率の差が大きくなり、反射が効率よく行われ、露出された白色無機フィラー粉末や蛍光体の表面からより効率的に光が反射、発光されるので望ましい。
この可撓性反射基材の可撓性膜状反射層の表面が、鏡面となって反射するものであってもよいが、１００ｎｍ〜１０μｍ程度のナノメートル乃至マイクロメートルオーダーの凹凸形状、プリズム形状、サンドブラスト処理などによる梨地面形状となって非鏡面であると、拡散し易くなって拡散反射率が向上し、光の反射ムラを低減することができる。
また、この可撓性反射基材は、シリコーンゴムが酸素原子及び／又は架橋性官能基を介して三次元架橋しているのでそのシリコーンゴムを有する反射層が可撓性支持体上で膜状、立体状又は板状に形成できる。また、白色無機フィラー粉末及びシリコーンゴム原材料を含む液状又はグリース状若しくは塑性の原材料組成物は２０００μｍもの厚さに塗工した後に、三次元架橋させて硬化させ、反射層を形成することができる。そのため、可撓性反射基材は、反射層を光学素子用で可撓性の配線基板やパッケージケース、その他照明器具部材、太陽光発電用光反射部材等の電気部材に応じて自在な形状にすることが可能であるので、汎用性が高い。また、原材料組成物は、パッケージケースなどの部品を可撓性支持体に接着する接着剤を兼ねた反射材を形成するのにも用いることができる。
シリコーンゴム中のＳｉ原子の１〜４個の三次元架橋した各モル数量、酸素原子を介したエーテル結合や架橋性官能基を介した縮合型又は付加型結合のような結合様式を適宜調整することにより、架橋性シリコーンゴム原材料組成物を高粘度にして厚塗り可能に、形成される。また、シリコーンゴム中に、表面張力が低くて溶融金属などをはじき易い揮発性の残留低分子シロキサンの含有量が少ないと導電パターンのような金属めっきや、発光ダイオードのような素子の導線との半田付けなどの配線加工を施し易い。
主鎖中に非環状のジメチルシロキシ繰返単位を主成分として含みつつ三次元架橋したシリコーンゴム、とりわけジメチルシリコーンゴムは、粘度の温度依存性が少ない。そのためこれを含有するシリコーンゴム原材料組成物は、狭ピッチのパターンで塗工することができる。スクリーン印刷などの印刷手法を用いて狭ピッチのパターンを形成する際、エポキシ樹脂含有組成物などでは加熱硬化時に粘度が急速に低下しダレが発生するため狭ピッチパターンを形成することが困難であるのに対し、シリコーンゴム原材料組成物、とりわけジメチルシリコーンゴム原材料組成物は、温度による粘度変化が小さいため、スクリーン印刷のようなピッチの細かいパターンを形成することができる。しかも、厚塗りを行った場合も、同様にダレが防止できるので、可撓性膜状反射層に充分な厚みを確保することができる。
しかもこの可撓性反射基材は、物理的な粗面化やざらついた金型による金型成形や化学的なケミカルエッチングのような表面処理によって、その表面自体がナノメートル乃至マイクロメートルオーダーで粗面化又は凹凸化することによって乱反射し易くなると共に、反射性の白色無機フィラー粉末が露出して反射効率が９０％程度から９７〜９８％程度にまで約数％も一層向上したものとなる。またこのような表面処理された可撓性反射基材は、露出した白色無機フィラー粉末の表面がシランカップリング処理されていると金属との接着が容易になり、表面粗さによるアンカー効果、シランカップリングによる化学的結合の向上により難接着性のシリコーンゴムの表面においても、金属めっき等の金属膜が施され易くなっている。また、可撓性反射層自体の強度も向上する。さらに粗面化することにより、ゴミ、異物の付着防止又はゴミ、異物の除去が一層容易になる。
この可撓性反射基材は、簡便な工程で簡易に、均質で高品質のものを精密に、確実かつ大量に、安価で製造できるものであるため、生産性が高いものである。
また、この可撓性反射基材は、発光ダイオードのような発光素子のみならず太陽電池素子のような光電変換素子等の各種光学素子のための可撓性の配線基板やパッケージケース、バックシート、その他照明器具部材等の電気部材など様々な分野の機器の反射基材として、汎用的に用いることができる。
また、本発明の可撓性反射基材の製造方法によれば、可撓性支持体の材質・形状・表面の凹凸性や平滑性の大小又は広狭・硬軟・厚さに関わらず、高粘度の架橋性シリコーンゴム原材料組成物を用いて、液垂れすることなく、２０００μｍもの厚塗りができる。そのため、架橋性シリコーンゴム原材料組成物の噴霧や塗布後の硬化による層形成や、射出成形（ＬＩＭＳ）や、押圧用金型・ローラーなどを用いたスタンプ成形によって、三次元架橋したシリコーンゴムとして、１〜１０μｍの薄膜から２０００μｍの厚膜乃至板、又は立体形状に、反射層を形成することができる。この厚塗りは、一度でも所期の形状を形成できるため、塗工・乾燥を繰り返す必要がない。
しかも架橋性シリコーンゴム原材料組成物は、適宜有機溶媒や反応性希釈剤で希釈して用いても、エポキシ樹脂等の原材料組成物のような加熱による硬化時の粘度低下を惹き起さないので、加熱時に変形を起こさずにそのまま硬化し所望の形状・厚さの反射層を形成することができる。
このような架橋反応は、加熱、湿度、紫外線照射や必要により加圧下で簡便に完了し、可撓性支持体への接着性に優れた反射層を形成する。そのためこの製造方法は、加工特性に優れ、生産効率が高く、如何なる形状の反射基材でも製造できるので、汎用性に優れ、大量の工業生産に適している。
この可撓性反射基材の製造方法は、シリコーンゴム原材料である重合したポリマー即ち生ゴムに、接着成分として接着性付与成分、三次元架橋の架橋剤（硬化剤）、及び白色無機フィラー粉末が含有されているシリコーンゴム原材料組成物を用いるというものであり、用途に応じ白金族金属系触媒や、加熱によって失活又は揮発する反応抑制剤を用いると、長期間、室温下で安定に保管でき加熱開始までは架橋されないが、加熱によって確実に架橋が開始し短時間で架橋が完了して可撓性膜状反射層を形成するので、生産効率の向上に資する。
本発明を適用する可撓性反射基材１０を示す模式断面図である。 本発明を適用する可撓性反射基材１０を用いた発光装置を示す部分斜視図である。 本発明を適用する可撓性反射基材１０の製造過程を示す模式図である。 本発明を適用する別な可撓性反射基材３０を示す模式断面図である。 本発明を適用する別な可撓性反射基材を用いた発光装置４０を示す部分斜視図である。 本発明を適用する別な可撓性反射基材３０の製造過程を示す模式図である。 本発明を適用する可撓性反射基材３０における照射波長と反射率との相関関係を示す図である。 本発明を適用する、シリコーンゴムの種類を変えた、可撓性反射基材３０の加熱の有無における照射波長と反射率との相関関係を示す図である。 本発明を適用する可撓性反射基材３０の研磨前後における照射波長と反射率との相関関係を示す図である。 本発明を適用する可撓性反射基材３０と本発明を適用外のエポキシ樹脂製可撓性反射基材との照射波長と反射率との相関関係を示す図である。
以下、本発明を実施するための形態について、図１〜６を参照しながら詳細に説明するが、本発明の範囲はこれらの形態に限定されるものではない。
先ず、本発明の可撓性反射基材の好ましい一形態について、図１を参照しながら、詳細に説明する。
本発明の可撓性反射基材１０の一態様は、図１の通り、化学的に安定で変色し難いポリジメチルシロキサンのような主鎖中に非環状のジメチルシロキシ繰返単位を主成分として含みつつ三次元架橋したシリコーンゴムに、それよりも高屈折率の白色無機フィラー粉末１５、例えばアナターゼ型酸化チタン粒子が分散されつつ含有された可撓性膜状反射層１１からなるカバーコートを有する。このようなカバーコートは、絶縁塗料層であって、回路導体の絶縁、外部環境による傷や錆の発生からの保護、耐屈曲性向上などのために、熱硬化性インキや紫外線硬化性インキである原材料組成物を可撓性支持体に塗布して付して形成される絶縁材料である。
なお、カバーコートに代えて、はんだ耐熱性・高接着性を有し、フレキシブルプリント配線板（ＦＰＣ）用の表面保護フィルムであるカバーレイフィルムとして用いてもよい。カバーレイフィルムは、単独でも可撓性反射基材として用いられるが、好ましくは可撓性支持体に貼付されて可撓性反射基材として用いられる。カバーレイフィルムは、例えばポリイミドフィルムのような可撓性支持体の片面に塗布した接着剤を介して、可撓性支持体に粘着又は接着されて貼付されるもので、ハロゲンフリー対応のフィルム、超薄膜のフィルムであってもよい。
可撓性膜状反射層１１は、シリコーンゴムがむき出しになっており、そこで白色無機フィラー粉末１５であるアナターゼ型酸化チタン粒子の一部が露出している。可撓性膜状反射層１１は、白色を呈し、しかも優れた隠蔽性を有するから光を漏洩しないようになっている。さらにその部位で、波長３８０〜４２０ｎｍの短波長域から長波長の近赤外線までに渡る光の反射率が、極めて高くなっている。このように可撓性膜状反射層１１は、高反射率であり、高輝度光に長期間曝されても黄変せず白色を維持でき、しかも高い機械的強度を有し、優れた耐光性、耐熱性、耐候性を示すので、耐久性に優れている。可撓性膜状反射層１１の裏面側には、粘着剤層１３乃至接着剤層が設けられ、剥離紙１４で覆われている。可撓性膜状反射層１１は、粘着剤層１３を介して、可撓性支持体１２へ密着して付され、可撓性反射基材１０となる。
この可撓性反射基材は、可撓性膜状反射層がシリコーンゴムを用いていることから、非接着性を有している。そのためそこへ、埃や塵のようなゴミ・異物が付着した場合は、粘着ローラーを用いて、なぞれば、可撓性反射基材に粘着することなくゴミ、異物が容易に粘着ロールへ粘着され除去される。またこの可撓性反射基材は、非接着性であるが、ゴム特有のタック性（ベタツキ感）を有し、絶縁性も高いため静電気により、埃や塵のようなゴミ・異物が吸着して付着し易い。そこで可撓性反射基材の反射面にシリコーンハードコート層をコーティングすることにより可撓性を有しながら表面のタック性を低減でき、これらゴミ・異物の付着を防止することができる。また、ゴミ・異物が付着したとしてもエアーを吹き付けることにより容易に除去することができる。この可撓性反射基材に追従することができるシリコーンハードコート剤としては、シリカやフッ素パウダーが分散されたシリコーンハード剤や、エアーバックの表面処理に使用されるシリコーンコーティング剤が使用できる。
この可撓性反射基材１０は、例えば、図２に示すように、配線基板２０に被せて照明装置とするのに用いられる。配線基板２０は、可撓性の絶縁板２１上に銅膜のような正負の導電パターン２２ａ・２２ｂの対が何列も付されており、その導電パターン２２ａ・２２ｂに、発光素子２３である複数の発光ダイオードから延びた正負のリード線が、接続されている。導電パターン２２ａ・２２ｂは、電源（不図示）に接続される。可撓性膜状反射層１１には、複数の発光素子２３の対応位置に、穴１６が開けられている。剥離紙１４（図１参照）が剥がされた可撓性膜状反射層１１は、その粘着剤層１３又は接着剤層を介して、配線基板２０に、貼り付けられる。複数の発光素子２３の先端が、可撓性膜状反射層１１の穴１６から、飛び出す構成となっている。
発光素子２３である発光ダイオードが、整然と四方八方に並べられて照明器具となっていてもよい。発光素子２３の出射方向側で可撓性膜状反射層１１が、ガラス製や樹脂製の透明板や透明フィルム、凸レンズや凹レンズやフレネルレンズのようなレンズにより発光素子２３を覆うように、光路上に被されていてもよい（不図示）。その透明板や透明フィルムやレンズが、それの透過光の波長を所期の波長へ変換する顔料、色素、蛍光剤、りん光剤を含有していてもよい。
図２に示すような配線基板２０に貼付された可撓性反射基材１０を有する照明装置は、以下のようにして使用される。この発光素子２３へ、陰極側銅膜と陽極側銅膜とである配線パターン２２ａ・２２ｂに印加すると、発光素子２３は、発光する。発光した光の一部は、可撓性反射基材１０に開口した穴１６から、直接、外界へ照射される。可撓性反射基材１０表面側に向かって発光した光は、可撓性反射基材１０の表面上で反射して、外界へ照射される。
このシリコーンゴム製反射基材１０は、図３（ａ）のようにして製造される。主鎖中に非環状のジメチルシロキシ繰返単位を主成分として含みつつ三次元架橋したシリコーンゴムへと架橋させるシリコーンゴム原材料に、前記シリコーンゴムよりも高屈折率の白色無機フィラー粉末を分散させつつ含有させたシリコーンゴム原材料組成物を、塗工ノズル２５から、剥離シート１７へ塗工し膜状とし、ヒーター２６で加熱することにより三次元架橋させて、反射層膜１１ａとし、粘着剤を噴霧ノズル２８から反射層膜１１ａの上面側へ噴霧し膜状粘着剤層１３ａを形成し、それを剥離紙シート１４ａで覆って両面が剥離シート１７と剥離紙シート１４ａとで覆われた白色可撓性膜状反射層を形成する。次に、剥離シート１７を剥がし、所望の大きさにカッター２９で裁断するとシリコーンゴム製反射基材１０が得られる。
尚、図２におけるＬＥＤ発光装置に適応する場合は、図３（ｂ）に示すように、このシリコーンゴム製反射膜層１１ａ及び剥離シート１７に、穴開けパンチ２７で、等間隔に穴１６（図２参照）を開けた後、剥離紙シート１７を剥がし、粘着剤層１３ａ側を剥離紙シート１４ａで覆ってから、所望の大きさにカッター２９で裁断するとシリコーンゴム製反射基材１０が得られる。その後、剥離紙１４を分離すると、可撓性膜状反射層１１に粘着剤層１３が付されたシリコーンゴム製反射基材１０が得られ、粘着剤層側を配線基板２０に接着することによりＬＥＤ発光装置を得ることができる。尚、図２における複数の発光ダイオードを配列したＬＥＤ発光装置は、単一の発光ダイオード毎にダイシングカットして、可撓性ＬＥＤ発光装置とすることもできる。
この可撓性反射基材１０中の可撓性膜状反射層１１に用いられるシリコーンゴムは、三次元架橋するシリコーンゴムであれば特に限定することなく用いることができる。好ましくは、主鎖中に非環状のジメチルシロキシ繰返単位〔-Ｓｉ(-ＣＨ３)２-Ｏ-〕を主成分として含むシリコーンゴム、例えば屈折率が１．４１であるポリジメチルシロキサンを含んでなるシリコーンゴムや、主鎖にポリジメチルシロキサンとし主鎖同士が三次元架橋したシリコーンゴムが用いることができる。
主鎖中に非環状のジメチルシロキシ繰返単位を主成分として含むシリコーンゴムは、特に限定されない。
シリコーンゴムに白色無機フィラー粉末を含有した可撓性反射層の硬さは、用途に応じて適宜使い分ければよい。可撓性反射層は、可撓性支持体と積層して可撓性反射基材として用いられたとき、その反射基材の撓みに安定して追従することができるものであればよい。一般的には、ＪＩＳ Ｋ６２５３のＪＩＳ−Ａ型硬度計による測定でのショアＡ硬度で１０以上、９０以下、ＪＩＳ−Ｄ型硬度計による測定でのショアＤ硬度で３０以下であると、触ったときの感触でゴムであるという感覚であるが、本発明の可撓性反射基材においては、所期の目的を達成するためには、ショアＡ硬度で１０以上、ショアＤ硬度で５０以下を所望のゴム性のある可撓性反射層領域として捉えることができ、また、ショアＤ硬度で５０を超えると所望の可撓性はなくなり、樹脂性の高い硬質の反射層ということになり、所期の目的を達成できない不向きな反射層領域となる。
このようなシリコーンゴムは、酸素原子及び／又は架橋性官能基を介して、同一主鎖の次の繰返単位又は別な主鎖の繰返単位のＳｉ原子に結合して三次元架橋しているもので、ポリ（ジメチルシロキサン）構造を主鎖とし、その他のポリ（ジアルキルシロキサン）構造やポリ（ジフェニルシロキサン）のようなポリ（ジアリールシロキサン）構造やポリ（架橋性官能基由来架橋基含有シロキサン）を部分的に有していてもよい。
シリコーンゴムは、以下のような物質が挙げられ、架橋構造を有することによりゴム弾性を発現している。
本発明の可撓性反射基材を形成するために用いられるシリコーンゴム原材料組成物は、付加反応硬化型、有機過酸化物硬化型、縮合硬化型のような種々の硬化型のものが挙げられるが、硬化時間を短縮して製造効率を向上させる観点から、付加反応硬化型のものが好ましい。更に付加反応硬化型のものは、硬化時に硬化収縮が小さくフィルムに塗工し、硬化させた際フィルムの皺の発生を防止することができる。
例えば、このような主鎖中に非環状のジメチルシロキシ繰返単位を主成分として含むシリコーンゴムは、より具体的には重合度５０００〜１００００程度で平均分子量約４０万〜８０万の高分子体である。このシリコーンゴムは、ジメチルシロキシ繰返単位〔-Ｓｉ(-ＣＨ３)２-Ｏ-〕のみからなるポリジメチルシロキサン、所謂ジメチル系シリコーンであってもよく、〔-Ｓｉ(-ＣＨ３)２-Ｏ-〕と〔-Ｓｉ(-ＣＨ３)(-ＣＨ＝ＣＨ２)-Ｏ-〕又は更に〔-Ｓｉ(-ＣＨ３)(-Ｃ６Ｈ５)-Ｏ-〕とを含むような所謂メチルビニル系シリコーン又はメチルフェニルビニル系シリコーンであってもよい。
そのようなシリコーンゴム原材料組成物中のシリコーンゴム原材料は、主要成分として、分子中に単一又は複数のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、分子中に単一又は複数のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、白金族金属系触媒含有ポリシロキサンが挙げられる。また、金属粉含有のせいによる体積抵抗率の低減を防止しつつ非導電性を確実に発現するため、オルガノポリシロキサンに対し質量比で０．２％以上の微粉末シリカを含有していてもよい。更に、このシリコーンゴム原材料組成物は、可撓性支持体との密着性・接着性を向上させるために、エポキシ基、アルコキシシリル基、カルボニル基、フェニル基のような反応性の官能基を有する接着性付与成分を含有していてもよい。
また本発明の反射基材を形成するのに用いられるシリコーンゴムは、別な架橋性官能基で三次元架橋していてもよい。このような三次元架橋したシリコーンゴムは、その途中のＳｉ基が、アルキルオキシシリル基やジアルキルオキシシリル基、ビニルシリル基やジビニルシリル基、ヒドロシリル基やジヒドロシリル基であったり、それらの基が複数存在したりすることにより、それら官能基を介して、非環状のジメチルシロキシ繰返単位の主鎖同士が、網目状に三次元的に架橋したものである。シリコーンゴムは、これら架橋性官能基によって直接的に、及び／又はシランカップリング剤を介して間接的に、主鎖同士が三次元的に架橋していてもよい。その主鎖同士は、夫々の架橋性官能基の間や、架橋性官能基とシランカップリング剤との間で、夫々のアルキルオキシシリル基又はジアルキルオキシシリル基同士が脱アルコール化反応により縮合して架橋したり、ビニルシリル基やジビニルシリル基とヒドロシリル基やジヒドロシリル基とが白金錯体等の白金触媒存在下で、無溶媒中、加熱や光照射によって付加して架橋したりしたものである。シリコーンゴムはその中でも、付加して架橋したものであることが好ましい。シリコーンゴムは、主鎖をなすジメチルシロキシ基（-Ｓｉ(ＣＨ３)２-Ｏ-）の繰返単位とジフェニルシロキシ基（-Ｓｉ(Ｃ６Ｈ５)２-Ｏ-）のような繰返単位とを有するものであってもよい。シリコーンゴムは、主鎖のジメチルシロキシ基の繰返単位を有し、アルキルオキシシリル基、ジアルキルオキシシリル基、ビニルシリル基、ジビニルシリル基、ヒドロシリル基、ジヒドロシリル基で架橋したものであると、一層好ましい。
三次元架橋したシリコーンゴムは、例えばシリコーンゴム原材料が三次元架橋して硬化することによって得られる。より具体的には、付加反応硬化型のシリコーンゴムの原材料を例に説明すると、熱硬化によりシリコーンゴムを形成するもので、例えば、オルガノポリシロキサンをベースポリマーとし、オルガノハイドロジェンポリシロキサン及び白金系触媒等の重金属系触媒を含むものが挙げられる。
前記オルガノポリシロキサンとしては、下記平均単位式
Ｒ1 ａＳｉＯ（４−ａ）／２
（式中、Ｒ１は非置換又は置換一価炭化水素基で、好ましくは炭素数１〜１０、特に１〜８のものである。ａは０．８〜２、特に１〜１．８の正数である。）
で示されるものが挙げられる。ここで、Ｒとしてはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等のアルキル基、ビニル基、アリル基、ブテニル基等のアルケニル基、フェニル基、トリル基等のアリール基、ベンジル基等のアラルキル基や、これらの炭素原子に結合した水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換されたクロロメチル基、クロロプロピル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基等のハロゲン置換炭化水素基、或いはシアノ基で置換された２−シアノエチル基等のシアノ基置換炭化水素基などが挙げられ、Ｒ１は同一であっても異なっていてもよいが、Ｒ１としてメチル基、特にジメチルシロキシ基を主成分となるようなメチル基であるものが、反射性発現、耐熱性・耐久性等の観点から好ましい。
また、Ｒ１としてビニル基等の炭素数２〜８のアルケニル基を含むもの、特に全Ｒのうちの１〜２０モル％がアルケニル基であるものが好ましく、中でもアルケニル基を１分子中に２個以上有するものが好ましく用いられる。このようなオルガノポリシロキサンとしては、例えば、末端に、及び／又は主鎖の途中にビニル基等のアルケニル基を有するジメチルポリシロキサンやジメチルシロキサン・メチルフェニルシロキサン共重合体等、末端に、及び／又は主鎖の途中にアルケニル基を含有するジオルガノポリシロキサンが挙げられ、特に、常温で液状のものが好ましく用いられる。
より具体的には、このようなアルケニル基含有オルガノポリシロキサンは、
Ｒ2-[Ｓｉ(Ｒ3)2-Ｏ]ｂ-[Ｓｉ(Ｒ3)(Ｒ4)-Ｏ]ｃ-Ｒ2
（Ｒ２は同一又は異なり前記Ｒ１で例示されたメチル基等の飽和炭化水素基若しくはフェニル基等の芳香族炭化水素基又は前記Ｒ１で例示されたアルケニル基、Ｒ３は同一又は異なり前記Ｒ１で例示された飽和炭化水素基若しくは芳香族炭化水素基、Ｒ４は前記Ｒ１で例示されたアルケニル基、ｂ、ｃは正数）で模式的に示されるもので、ブロック共重合であってもランダム共重合であってもよいものである。
このようなアルケニル基含有オルガノポリシロキサンは、直鎖状であっても、分子構造の一部に分枝状の構造を含んでいてもよく、環状体であってもよい。シリコーンゴムの架橋した可撓性膜状反射層の機械的強度、弾性、耐繰り返し屈曲性などの物性の点から直鎖状のジオルガノポリシロキサンが好ましい。アルケニル基含有オルガノポリシロキサンは、その繰り返し単位の繰り返し数が、１０〜１００００であることが好ましい。このようなアルケニル基含有ジオルガノポリシロキサンは、２５℃における粘度が１０〜１，０００，０００ｃＳｔ程度のものが好ましい。
一方、オルガノハイドロジェンポリシロキサンとしては、直鎖状、分岐状、環状、或いは三次元網状であって、単数又は複数、好ましくは３官能以上（即ち、１分子中にケイ素原子に結合する水素原子（Ｓｉ−Ｈ基）を３個以上有するもの）が好ましく、末端に、及び／又は主鎖の途中にＳｉ−Ｈ基を有するものであれば、特に限定されないが、例えば、メチルハイドロジェンポリシロキサン、メチルフェニルハイドロジェンポリシロキサン等が挙げられ、特に、常温で液状のものが好ましい。また、触媒としては、白金、白金化合物、ジブチル錫ジアセテートやジブチル錫ジラウリレート等の有機金属化合物、又はオクテン酸錫のような金属脂肪酸塩などが挙げられる。これらオルガノハイドロジェンポリシロキサンや触媒の種類や量は、架橋度や硬化速度を考慮して適宜決定すればよい。
前記オルガノハイドロジェンポリシロキサンとしては、下記平均単位式
ＨｄＲ5 ｅＳｉＯ(4-ｄ-ｅ)/2
（式中、Ｒ５はＲ１で例示された基、特に飽和炭化水素基、ｄ及びｅは、０＜ｄ＜２、０．８≦ｅ≦２となる数）で表されるものである。
具体的には、このようなオルガノハイドロジェンポリシロキサンの例としては、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，３，５，７−テトラメチルテトラシクロシロキサン、１，３，５，７，８−ペンタメチルペンタシクロシロキサン等の末端にＳｉ−Ｈ基を有するシロキサンオリゴマー；トリメチルシロキシ末端基含有メチルハイドロジェンポリシロキサン、トリメチルシロキシ末端基含有ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、シラノール末端基含有メチルハイドロジェンポリシロキサン、シラノール末端基含有ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、ジメチルハイドロジェンシロキシ末端基含有ジメチルポリシロキサン、ジメチルハイドロジェンシロキシ末端基含有メチルハイドロジェンポリシロキサン、ジメチルハイドロジェンシロキシ末端基含有ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体のような主鎖の途中にＳｉ−Ｈ基を有するホモポリマー又はコポリマーのハイドロジェンポリシロキサンが挙げられる。このようなオルガノハイドロジェンポリシロキサンは、Ｒ5 2(Ｈ)ＳｉＯ1/2単位とＳｉＯ4/2単位とを含み、Ｒ5 3ＳｉＯ1/2単位、Ｒ5 2ＳｉＯ2/2単位、Ｒ5(Ｈ)ＳｉＯ2/2単位、(Ｈ)ＳｉＯ3/2単位又はＲ5ＳｉＯ3/2単位を含んでいてもよいものである。
より具体的には、環状の-[ＳｉＨ(ＣＨ3)]4-、Ｈ-[Ｓｉ(ＣＨ3)2-Ｏ]-[Ｓｉ(ＣＨ3)2-Ｏ]f-[Ｓｉ(ＣＨ3)2]-Ｈ（但し、ｆは０〜２００の数）、(ＣＨ3)3ＳｉＯ-[Ｓｉ(ＣＨ3)2-Ｏ]g-ＯＳｉ(ＣＨ3)3（但し、ｇは０〜２００の数）、(ＣＨ3)3ＳｉＯ-[Ｓｉ(ＣＨ3)2-Ｏ]h-[Ｓｉ(ＣＨ3)2-Ｏ]i-ＯＳｉ(ＣＨ3)3（但し、ｈは０〜２００、ｉは１〜１００の数）が挙げられる。
このオルガノハイドロジェンポリシロキサンは、例えば、Ｒ5ＳｉＨＣｌ2やＲ5 2ＳｉＨＣｌ（但し、Ｒ5は前記と同じ）のようなクロロシラン化合物を共加水分解し、又はこれらクロロシラン化合物とＲ5 3ＳｉＣｌやＲ5 2ＳｉＣｌ2（但し、Ｒ5は前記と同じ）のような別なクロロシラン化合物とを共加水分解して調製してもよく、さらにそれを平衡化して調製してもよい。
このオルガノハイドロジェンポリシロキサンは、アルケニル基含有オルガノポリシロキサンと共に、用いられる。アルケニル基含有オルガノポリシロキサンのアルケニル基の１モル当量に対し、オルガノハイドロジェンポリシロキサンのＳｉＨ基が０．５〜４モル当量となるように、両者が配合されていることが好ましい。
白金族金属系触媒含有ポリシロキサンに用いられる白金族金属系触媒は、アルケニル基含有オルガノポリシロキサンのアルケニル基と、オルガノハイドロジェンポリシロキサンのＳｉＨ基との付加反応を促進するためのヒドロシリル化反応触媒である。この触媒は、各種金属触媒が挙げられ、具体的には、白金、白金ブラック、ロジウム、パラジウムのような白金族金属単体；Ｈ2ＰｔＣｌ4・ｍＨ2Ｏ、Ｈ2ＰｔＣｌ6・ｍＨ2Ｏ、ＮａＨＰｔＣｌ6・ｍＨ2Ｏ、ＫＨＰｔＣｌ6・ｍＨ2Ｏ、Ｎａ2ＰｔＣｌ6・ｍＨ2Ｏ、Ｋ2ＰｔＣｌ4・ｍＨ2Ｏ、ＰｔＣｌ4・ｍＨ2Ｏ、ＰｔＣｌ2、Ｎａ2ＨＰｔＣｌ4・ｍＨ2Ｏ（但し、ｍは０〜６の数）のような塩化白金錯体、塩化白金酸錯体及び塩化白金酸錯塩；アルコール変性塩化白金酸；塩化白金酸−オレフィン錯体；白金、パラジウム等の白金族金属をアルミナ、シリカ、カーボン等の担体に担持させた担体金属；ロジウム−オレフィン錯体；クロロトリス（トリフェニルフォスフィン）ロジウムのようなウィルキンソン触媒；塩化白金、塩化白金酸又は塩化白金酸塩とビニル基含有の鎖状又は環状シロキサンとの錯体などが挙げられる。白金族金属系触媒は、アルケニル基含有オルガノポリシロキサンやオルガノハイドロジェンポリシロキサンと共存させて、それらに対して０．１〜５００ｐｐｍ程度の触媒量、用いられてもよく、予め担持させていてもよい。
シリコーンゴムは、例えば、トリオルガノシロキシ単位（Ｒ3ＳｉＯ1/2単位：Ｍ単位、）、ジオルガノシロキシ単位（Ｒ2ＳｉＯ単位：Ｄ単位）、モノオルガノシロキシ単位（ＲＳｉＯ3/2単位：Ｔ単位）、シロキシ単位（ＳｉＯ2単位：Ｑ単位）を任意に組み合わせた樹脂（但し、オルガノ基Ｒは、同一又は異なり、メチル基のようなアルキル基やフェニル基、又はビニル基のような架橋性官能基に由来する基）であることが好ましい。これらの組み合わせにより、シリコーンゴムは、三次元架橋が形成されたＭＱゴム、ＭＤＱゴム、ＭＴＱゴム、ＭＤＴＱゴム、ＴＤゴム、ＴＱゴム、ＴＤＱゴムなどの任意の組み合わせのゴムを用いることができる。
このシリコーンゴムが、繰返単位のＳｉ原子が酸素原子又は架橋性官能基を介して次なる繰返単位のＳｉ原子に結合して三次元架橋している。
可撓性反射基材は、電気部品に装着されるものであるから、電気接点障害やくもりの原因となるものでシリコーンゴム中に含有される低分子シロキサン例えばシロキシ基繰返単位が４〜１０（Ｄ４〜Ｄ１０）の環状低分子量シロキサンを、予め３００ｐｐｍ、好ましくは５０ｐｐｍ未満にまで除去したシリコーンゴムで形成されていると、なお一層好ましい。具体的には、市販の低分子シロキサン低減グレードのシリコーンゴム原材料を用いたり、低分子シロキサン除去処理として、加熱オーブン処理（例えば２００℃で４時間加熱処理）、真空加熱処理（例えば真空下２００℃で２時間加熱）などの加熱処理を施したりしたシリコーンゴム原材料を用いることができる。また、これらの処理に加えて、超音波溶媒抽出などの手段を施して成型品から低分子シロキサンを除去することもできる。シリコーンゴム原材料から低分子シロキサンを除去できるが、成形品から低分子シロキサンを除去する方が、より低レベルにまで除去できるので、好ましい。
シリコーンゴム原材料組成物は、通常の硬化性シリコーンゴム組成物と同様に、２液に分け、使用時にこの２液を混合して硬化させる所謂二液型の組成物でもよいが、組成物を使用する際の作業性等の点から一液型とすることが好ましい。このシリコーンゴム原材料組成物は、通常の条件で硬化でき、例えば加熱により、又は紫外線照射により、架橋させて、硬化させ、ゴム弾性を発現させることができる。
可撓性反射基材３０の別な一態様は、図４の通り、シリコーンゴムに、それよりも高屈折率の白色無機フィラー粉末３５が分散されつつ含有された可撓性膜状反射層３１が可撓性支持体３２の表面側に付されているカバーレイフィルムである。可撓性支持体３２の裏面側には、粘着剤層３３乃至接着剤層が設けられ、剥離紙３４で覆われている。
この可撓性反射基材３０は、例えば、図５に示すように、可撓性のあるＬＥＤ発光装置（照明装置）４０に、用いられる。可撓性反射基材３０には、可撓性膜状反射層３１の露出面側に、正負の導電パターン４２ａ・４２ｂの対が何列も付されており、その導電パターン４２ａ・４２ｂに、発光素子である複数の発光ダイオード４３から延びた正負のリード線が、接続されていることによって、照明装置４０となっている。
このシリコーンゴム製反射基材３０は、図６のようにして製造される。例えばポリイミドのような支持体シート３２ａの裏面側に、粘着剤を噴霧ノズル４５から、噴霧して粘着剤層膜３３ａとし、それを剥離紙シート３４ａで覆う。主鎖中に非環状のジメチルシロキシ繰返単位を主成分として含みつつ三次元架橋したシリコーンゴムへと架橋させるシリコーンゴム原材料に、前記シリコーンゴムよりも高屈折率の白色無機フィラー粉末を分散させつつ含有させたシリコーンゴム製原材料組成物を塗工ノズル４６から、支持体シート３２ａの表面側に、噴霧し膜状とし、ヒーター４７で加熱することにより三次元架橋させて、反射層膜３１ａにして、所望の大きさにカッター４８で裁断する。すると、可撓性膜状反射層３１の付された可撓性支持体３２の反対面側に粘着剤層３３及び剥離紙３４が付されたシリコーンゴム製反射基材３０が得られる。尚、カッター４８で裁断することなしに巻き取り機で巻き取ることもできる。
支持体シート３２ａを表面処理しておく必要はないが、架橋性シリコーンゴム原材料組成物の噴霧や塗工の前に、支持体シート３２ａの噴霧面側を予め、コロナ放電処理、プラズマ処理、紫外線処理、フレーム処理、イトロ処理又は粗面処理のような表面処理しておき、その表面処理された支持体シート３２ａ上に反射層膜３１ａが形成されていると、一層強固に密着して接着するのでなお好ましい。これらのコロナ放電処理、プラズマ処理、紫外線照射処理、フレーム処理又はイトロ処理は、支持体上に架橋性シリコーンゴム原材料組成物が付される直前に行われることが好ましい。
また、これらの反射材層３１と可撓性支持体３２とが、コロナ放電処理、プラズマ処理、フレーム処理、イトロ処理又は紫外線照射処理により強固に接着をしていればよく、接着体となる反応性基含有ポリシロキサン溶液で表面処理されていてもよい。
反射材層３１と可撓性支持体３２とを接触によってより一層強固に接着させるには、両者又は、一方の接着体となる面にシランカップリング剤のような機能性シラン化合物を用いてもよい。このような機能性シラン化合物は、ＯＨ基との反応性が高い反応性基を含有するポリシロキサンが挙げられる。
このような反応性基含有ポリシロキサンとして、下記化学式（１）
Figure 2017124632
 （式（１）中、ｎは３〜４の数であって、反応性基である−ＯＣＨ３の少なくとも何れかが、反射層及び金属箔層の表面の官能基例えばＯＨ基と反応するものである）で示される化合物が挙げられる。この化合物は、繰返単位が、ブロック共重合、又はランダム共重合したものであってもよい。このビニルメトキシシロキサンホモポリマーのようなビニルアルコキシシロキサンホモポリマーの溶液に浸漬したりその溶液を塗布したり、反応性を向上させるために、それを白金触媒懸濁液に浸し、活性シリル基中のビニル基に白金触媒を保持させてもよい。
シリコーンゴム原材料に白色無機フィラー粉末を含有したシリコーンゴム原材料の組成物は、重合性シリコーンゴム原材料に白色無機フィラー粉末やシリコーンゴムパウダーの添加量又は有機溶剤や反応性希釈剤の添加量を適宜調整して加えて調製することができ、用途に応じて、液状、グリース状、又は可塑度で定義されるような可塑物である塑性となるように適度に調整して用いることができる。例えば、スプレー、ディスペンサー、或いはスクリーン印刷するときのレジストインクとしては、液状のものとして、粘度を０．５〜５００Ｐａ・ｓ、より好ましくは１０〜２００Ｐａ・ｓとすることが好ましい。また、熱プレス成形をする場合は、国際規格ＩＳＯ ７３２３に基づく可塑度としては、１００〜５００ｍｍ／１００のミラブルタイプ又は可塑物としての原材料組成物として用いることが好ましい。
シリコーンゴムパウダー及び白色無機フィラーを用いる場合、粘度や硬度を調整するために、その添加量としてシリコーンゴム原材料１００質量部に対し、３〜４００質量部、好ましくは５０〜３００質量部添加されることが好ましい。白色無機フィラーの添加量がこの範囲よりも少な過ぎると十分な反射が得られず、逆に白色無機フィラーの添加量がこの範囲よりも多過ぎると加工性が悪くなってしまう。シリコーンゴム原材料組成物を、薄く塗布する場合には、白色無機フィラーの添加量が多い程、高い反射率を発現し、一方、厚く塗布する場合には、これらの添加量が少なくても十分な反射率が得られる。シリコーンゴムパウダーは、前記範囲内で、白色無機フィラーと共に加えられる。
また、有機溶剤は、保存安定性、塗工性向上、塗工量の制御、粘度の調整などのために、添加されてもよい。有機溶剤を用いる場合、その添加量としてシリコーンゴム原材料１００質量部に対し、１００〜１００００質量部添加されることが好ましい。有機溶剤がこの範囲よりも少ない場合には塗布、印刷時において糸引き、目詰まりが生じ生産性が落ちてしまう。一方、有機溶剤がこの範囲よりも多い場合には、厚塗りができなかったり、一度塗りで十分な反射率が得られなかったりする。有機溶媒は、各種コーティング方法や要求される反射率、膜厚、粘度に応じ、適宜調整して用いられる。有機溶剤は、シリコーンゴム原材料、架橋剤、反応抑制剤と反応しないものが適宜用いられ、具体的には、トルエン、キシレン、酢酸エチル、アセトン、メチルエチルケトン、ヘキサンが挙げられる。有機溶剤で粘度を調整する場合、有機溶剤を添加によって白色無機フィラー粉末の充填濃度が相対的に低下するが、硬化後に有機溶剤が揮発すると、白色無機フィラー粉末の充填濃度が粘度調整前の高濃度に戻ることとなるため、塗膜厚みが薄くて高濃度の印刷が可能となる。
反応性希釈剤は、特に一液型接着剤の粘度調整用に使われるもので、有機溶媒と異なり揮発せず、そのままシリコーンゴムとして硬化するものである。反応性希釈剤として、例えば液状シリコーンゴム用反応性希釈剤（モメンティブ・マテリアルズ・パフォーマンス社製 商品名：ＭＥ９１）が挙げられる。反応性希釈剤は、シリコーンゴム原材料１００質量部に対し、０．１〜３０質量部、好ましくは１〜２０質量部添加されて用いられる。添加量がこの範囲より少な過ぎると、粘度の調整ができず、添加量がこの範囲より多過ぎると、シリコーンゴムとしても物性が弱くなる。反応性希釈剤は、シリコーンゴムへと硬化するものであるため、有機溶剤を大量に使用した場合のように硬化後に揮発して肉痩せするようなことが起こらない。そのため、肉厚の可撓性膜状反射層を形成するのに有用である。
有機溶媒と反応性希釈剤との量は、可撓性膜状反射層の厚さや印刷・塗布等の塗工方法に応じ、適宜調整される。
シリコーンゴム原材料に白色無機フィラーを含有した液状、又はグリース状若しくは塑性の原材料組成物は、シリコーンゴムへの三次元架橋の架橋剤、例えば前記のようなハイドロジェンオルガノポリシロキサンや白金族金属系触媒含有ポリシロキサン、過酸化物のような架橋剤が、含有されていてもよい。
シリコーンゴム原材料に白色無機フィラー粉末を含有した液状、又はグリース状若しくは塑性の原材料組成物は、加熱によって失活又は揮発する反応抑制剤が、含有されていてもよい。反応抑制剤は、この原材料組成物の保存中に、必要に応じて添加されている触媒の活性を低下させることなく、シリコーンゴム原材料、例えばアルケニル基含有オルガノポリシロキサンオルガノハイドロジェンポリシロキサン付加反応を抑制し、保存安定性を高めるものである。反応抑制剤は、例えば、メチルビニルシクロテトラシロキサン類；３−メチル−１−ブチン−３−オール、３，５−ジメチル−１−へキシン−３−オール、３−メチル−１−ペンテン−３−オール、フェニルブチノ−ルのようなアセチレンアルコール類；３−メチル−３−ペンテン−１−イン、３，５−ジメチル−１−へキシン−３−インなどのアセチレン化合物；これらのアセチレン化合物とアルコキシシラン、アルコキシシロキサン、ハイドロジェンシラン、又はハイドロジェンシロキサンとを反応させたシロキサン変性アセチレンアルコール類；ベンゾトリアゾールのような窒素含有有機化合物；有機リン化合物；オキシム化合物；有機クロム化合物が挙げられる。
これにより、この原材料組成物は、加熱前には三次元架橋が開始しないから長期間保存ができ、一方、加熱によって三次元架橋が速やかに開始し迅速に三次元架橋が完了して硬化し、反射層を形成する。しかも液状又はグリース状若しくは塑性の原材料組成物が有機溶媒で希釈されたものであったとしても、有機溶媒の揮発が無い時のみならず揮発したときでさえ、塗装しても均一な塗膜を形成することができるので、反射層にむらができない。
架橋剤や反応抑制剤は、シリコーンゴム原材料１００質量部に対して、夫々０．０１〜１０質量部含有されていることが好ましい。
このような原材料組成物は、レジストとしても用いられるものである。この原材料は、加熱硬化型のレジストであり、例えば１００℃以上に加熱されると硬化する。その硬化の際に、反応抑制剤を適宜選択することによりそれの温度依存性及び架橋開始温度制御性によって、硬化温度を適宜調整することができる。
この原材料組成物に、付加反応型の場合、主成分に加え、架橋剤、白金触媒、反応抑制剤、補強剤、用途に応じたその他の種々の添加剤が配合されていてもよい。
この原材料組成物に、接着成分として接着性付与成分が含有されていてもよい。接着性付与成分は、ビニル基、フェニル基、アルコシキ基、２，３−エポキシプロピル基(Ｃ2Ｈ3Ｏ-)のようなエポキシ環含有基、（メタ）アクリロイル基のような反応性の官能基を有するシラン化合物やシロキサン化合物が挙げられる。このような接着性付与成分は、具体的には、ＣＨ2＝ＣＨＳｉ(ＯＣＨ3)3、Ｃ6Ｈ5Ｓｉ(ＯＣＨ3)3、ＣＨ2＝ＣＨＳｉ(ＯＣＨ2Ｈ4ＯＣＨ3)3、Ｃ2Ｈ3Ｏ-ＣＨ2Ｏ(ＣＨ2)3Ｓｉ(ＯＣＨ3)3、Ｃ2Ｈ3Ｏ-ＣＨ2Ｏ(ＣＨ2)3ＳｉＣＨ3(ＯＣＨ3)2、ＣＨ2＝ＣＨ-ＣＯ-Ｏ(ＣＨ2)3ＳｉＣＨ3(ＯＣＨ3)2、ＣＨ2＝ＣＣＨ3-ＣＯ-Ｏ(ＣＨ2)3ＳｉＣＨ3(ＯＣＨ3)2、２−(２，３−エポキシプロピルオキシプロピル)−２、４，６，８−テトラメチル−シクロテトラシロキサン、２−(２，３−エポキシプロピルオキシプロピル)−２、４，６，８−テトラメチル−６−(トリメトキシシリルエチル)シクロテトラシロキサンなどが挙げられる。
可撓性反射層３１が、シリコーンゴム製接着剤（不図示）を介することによって、可撓性支持体３２に密着して接着されていてもよい。シリコーンゴム製接着剤として、例えば、低分子シロキサンカット品ＳＥ−９１８６Ｌ（東レ・ダウコーニング株式会社製；商品名）が挙げられる。
可撓性反射基材１１・３１中、シリコーンゴム１００質量部に対し、白色無機フィラー粉末１５・３５が、反射層の膜厚によって調整されるが３〜４００質量部含まれていることが好ましい。白色無機フィラー粉末が、平均粒径０．１〜１０μｍであると一層好ましい。
白色無機フィラー粉末１５・３５は、例えば、酸化チタン、より具体的にはアナターゼ型酸化チタンやルチル型酸化チタンが挙げられる。酸化チタンと共に、又はその代わりに、アルミナや硫酸バリウム、マグネシア、チッ化アルミニウム、チッ化ホウ素（六方晶・立方晶）、チタン酸バリウム、カオリン、シリカ、タルク、粉末マイカ、粉末ガラス、粉末アルミニウム、粉末ニッケル、炭酸カルシウムのような無機白色顔料を、組み合わせて用いてもよく単独で用いてもよい。無機白色顔料が、微粉末シリカであることが好ましい。微粉末シリカは、電気特性を向上させ維持するためのものである。この原材料組成物に、シリコーンゴム硬化物の体積抵抗率を、１×１０9Ω・ｃｍ以上に維持することができる。微粉末シリカは、結晶性シリカ・溶融性シリカ・煙霧性シリカが挙げられ、中でも煙霧性シリカが好ましい。微粉末シリカのような無機白色顔料は、オルガノポリシロキサンのようなシリコーンゴム原材料１００質量部に対し、０．２質量部以上、好ましくは０．５〜３０質量部であると、組成物を取扱い易い。
シリコーンゴムにアルミナや硫酸バリウムのような無機白色顔料のみを分散可能な最大量を含有させても、光の漏洩を生じる恐れがあるが、このような無機白色顔料と共に酸化チタン特に隠蔽力の大きいルチル型酸化チタンが共存していると、光の漏洩が無くなるので一層好ましい。
熱伝導性改善のために、チッ化アルミニウム、チッ化ホウ素（六方晶・立方晶）、アルミナを配合することが好ましい。なお、これらの熱伝導性材料をシリコーンゴムに分散充填し、別途熱伝導層又は熱伝導部材として、本発明の可撓性反射基材を構成する一部として積層又は載置してもよい。
例えば、堺化学工業株式会社製 商品名：ＧＴＲ−１００ ルチル型酸化チタン２００質量部をシリコーン原材料１００質量部に配合し、寸法７０×７０ｍｍ、厚み０．８ｍｍのテストピースを作製し、熱伝導率と反射率を測定したところ、熱伝導率は１．２Ｗ／ｍ・℃となり、反射率は４５０〜１０００ｎｍの領域で９５％以上となった。一方、熱伝導性向上配合として、堺化学工業株式会社製 商品名：ＧＴＲ−１００ ルチル型酸化チタン１００質量部と昭和電工株式会社製 商品名：Ａ−４２−６ アルミナ１００質量部をシリコーン原材料１００質量部に配合し、寸法７０×７０ｍｍ、厚み０．８ｍｍのテストピースを作製し、熱伝導率と反射率を測定したところ、熱伝導率は１．４Ｗ／ｍ・℃となり、反射率は４５０〜１０００ｎｍの領域で８５〜９０％となった。また比較として、昭和電工株式会社製 商品名：Ａ−４２−６ アルミナ２００質量部をシリコーン原材料１００質量部に配合した寸法７０×７０ｍｍ、厚み０．８ｍｍのテストピースを作製し、熱伝導率と反射率を測定したところ、熱伝導率は１．９Ｗ／ｍ・℃となり、反射率は４５０〜１０００ｎｍの領域で７５〜８０％であった。この結果より、反射率９０％を維持しながら、熱伝導率を向上することができた。また必要に応じて積層したり配合したりして反射率や熱伝導率を調整することができることが分かった。
可撓性膜状反射層表面での光の散乱を増加させ反射率を向上させるために、白色無機フィラー粉末と共に、蛍光体を可撓性膜状反射層に含有させ、それら粒子を表面から露出させ、光を直接反射したり、光で基底状態から励起状態を経て基底状態へ戻るときに発する蛍光やりん光を発光させたりしてもよい。このような蛍光体として、ハロゲン化リン酸塩蛍光体やＥｕ等の希土類金属含有蛍光体やＹＡＧ(イットリウム アルミニウム ガーネット)蛍光体のような無機蛍光物資や有機蛍光物質が用いられる。
その他、補強材としては、シリカ、カオリン、炭酸カルシウム、炭酸亜鉛のような補強性無機充填剤；シリコーンレジン粉末のような補強性有機充填剤などが配合されていてもよい。ケイ酸カルシウム、二酸化チタン等の非補強性無機充填剤が配合されていてもよい。これらの補強材は、これ以外の成分の総量１００質量部に対し、０〜２００質量部用いられる。
可撓性反射基材１１・３１中の白色無機フィラー粉末１５・３５は、酸化チタン、中でもアナターゼ型酸化チタンであると、近紫外ＬＥＤ、青色ＬＥＤの波長を反射するため一層好ましい。アナターゼ型酸化チタンが、シリコーンゴム１００質量部に対し３質量部より少ないと十分な反射性が得られず、一方４００質量部を超えると加工性が困難となり生産性が低下してしまう。アナターゼ型酸化チタンは、シリコーンゴム１００質量部に対し、３０〜３００質量部含まれているとなお一層好ましい。アナターゼ型酸化チタンは、形状に制限がなく任意の粒形状のもの、例えばフレーク状、不定形状、又は球状の粒子が使用できるが、その粒径が０．０５〜５０μｍ、好ましくは０．０５〜３０μｍ、一層好ましくは０．１〜１０μｍであり、また、酸化チタン表面をＡｌ、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＺｒＯ２、及び／又はＳｉＯ２などで処理した酸化チタンを用いると、酸化チタンの光触媒による有機質の酸化分解反応を抑制することができるため、より長期間の使用に耐えることができる。
可撓性反射基材１１・３１に含有された白色の酸化チタン粉末、特にアナターゼ型酸化チタン粉末は、ルチル型酸化チタンと比較し、遥かに分解触媒活性作用が大きい。アナターゼ型酸化チタン粉末は、無機物からなるタイルや外壁材のような建材などに添加されその建材表面に付着した塵埃等の付着異物を分解するほどの強力な光分解触媒として作用するものであるから、通常、ポリカーボネート、ポリフタルアミド、ポリエーテルエーテルケトンのような熱可塑性樹脂等の様々な高分子化合物に添加されるとそれを分解し黄変させたり、劣化してひび割れを生じさせたりしてしまう。しかし、シリコーンゴム、特にジメチルシロキシ繰返単位を主成分として含むシリコーンゴムは、アナターゼ型酸化チタンに対しても化学的に安定であるから、この可撓性反射基材１１・３１は長期間に渡り黄変のような変質も変形もしない。さらにアナターゼ型酸化チタン粉末の表面に、Ａｌ、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＺｒＯ２、及び／又はＳｉＯ２などで表面処理を行うと、分解触媒活性作用が抑制され、より長期間に渡り黄変のような変質を防止できたり、シリコーンゴムへの分散性が向上して可撓性膜状反射層の反射率が一層向上したりする。表面処理は、酸化チタンと、これらの表面処理剤の原末と混練、又はこれら表面処理剤の原末を含有する懸濁液への浸漬又は噴霧等によって施される。市販の表面処理酸化チタンを用いてもよい。酸化チタンが表面処理されていると白色性が高まり、可撓性膜状反射層の反射率が一層向上する。
この可撓性反射基材の可撓性膜状反射層の表面が、１００ｎｍ〜１０μｍ程度のナノメートル乃至マイクロメートルオーダーの凹凸形状、角錐状や角柱状のプリズム形状、エッチング処理やサンドブラスト処理などによる梨地面形状となって非鏡面であると、入射した光が四方八方へ拡散し、鏡面のような特定方向への反射よりも拡散反射率が向上し、光の反射ムラを低減して、白色度が高くなって、反射効率が一層向上する。
このような可撓性支持体は、所謂フレキシブルプリントサーキット（ＦＰＣ）のようにフレキシブルなものであれば特に限定されず、柔軟な軟質のシートや撓むと付勢される程度の硬質なシートであってもよく、様々な素子に内蔵されてさほど面積をとらない微小なワーキングチップであってもよい。可撓性支持体は、導電性を有するものや、熱伝導性・放熱性を有するものであってもよい。可撓性支持体３２を、厚さ５〜３００μｍのプラスチックフィルム又は金属薄膜とすることができる。又、プラスチックフィルムはプラスチックが好ましい。プラスチックフィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、プラスチックフィルムとしてはポリカーボネート樹脂、フッ素樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、アラミド樹脂、ポリエーテルエーテル樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、液晶ポリマー、ポリエーテルサルフォン樹脂、シクロオレフィン樹脂、シリコーン樹脂、及びシリコーンゴムが挙げられ、中でも、耐熱性、剛性の点からポリイミド樹脂が好ましい。金属薄膜は、アルミニウム箔、銅箔、ニッケル箔などが挙げられる。
図７は、ポリジメチルシロキサンのみとポリフェニルシロキサンのみとから夫々成るシリコーンゴム１００質量部中に、シランカップリング処理されたＡｌ２Ｏ３で表面処理されたアナターゼ型酸化チタン、Ａｌ２Ｏ３で表面処理されたルチル型酸化チタン、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）の２００質量部が、各々分散されつつ含有された可撓性反射基材について、照射波長と、それの反射率との相関関係を示す図である。
図７から明らかな通り、低屈折率のポリジメチルシロキサンからなる可撓性反射基材は、高屈折率のポリフェニルシロキサンからなるものよりも、アナターゼ型酸化チタン及びルチル型酸化チタンを含有する何れでも、波長２００〜１０００ｎｍ、とりわけ３５０〜１０００ｎｍの広範囲に渡り、反射率は３％高い。
また、ポリジメチルシロキサンとポリフェニルシロキサンとの何れの可撓性反射基材も、波長４００ｎｍで、ルチル型酸化チタン含有のものの反射率は僅か３０％程度であるのに対し、アナターゼ型酸化チタン含有のものの反射率は８０％を超えている。しかもアナターゼ型酸化チタン含有のものは、ルチル型酸化チタン含有のものよりも、波長３８０〜４２０ｎｍで特に、反射率が４０％も高くなっている。一方、波長４２０〜１０００ｎｍの領域ではルチル型酸化チタンの反射率が６％高い。
アナターゼ型酸化チタンの屈折率は２.４５〜２.５５であるのに対し、ルチル型酸化チタンの屈折率は２.６１〜２.９０である。一方、アルミナの屈折率は約１．７６である。アナターゼ型酸化チタンもルチル型酸化チタンと同様にアルミナよりも屈折率が高いから、より白色を呈する。
アルミナは、酸化チタンよりも屈折率が低い反面、熱伝導性が高く、放熱性に優れている。しかも図７から明らかな通り、アルミナを含有したポリジメチルシロキサンの可撓性反射基材は、アルミナを含有したポリフェニルシロキサンのものよりも、波長３４０〜１０００ｎｍで反射率は６〜９％高い。従来、アルミナを含有したポリフェニルシロキサンのみからなる従来のシリコーンゴムでは、波長４００ｎｍ以上の反射率が８０％程度であり反射基材として不向きであったが、ベースポリマーをポリジメチルシロキサンのようなジメチルシロキシ繰返単位が主成分であるシリコーンゴムにすることにより、白色無機フィラー粉末をアルミナにしても、波長４００ｎｍ以上で反射率が９０％以上となり、反射基材として好適となる。
従って、ジメチルシロキシ繰返単位を主成分として含むシリコーンゴムを用いつつ白色無機フィラー粉末１５・３５を適宜選択することにより、反射性と放熱性とを有することができるが、白色無機フィラー粉末１５・３５として酸化チタンを選択した場合には反射性向上を重視し、アルミナを選択した場合には放熱性向上を重視し、併用することにより反射性及び熱放射性を調節するという目的用途に応じた可撓性反射基材１０・３０を、得ることができる。
図８は、ポリフェニルシロキサンのみから成るシリコーンゴム１００質量部中に、アナターゼ型酸化チタン、ルチル型酸化チタンの２００質量部が、各々分散されつつ含有された可撓性反射基材を１５０℃で１０００時間加熱した前後において、照射波長と、それの反射率との相関関係を示す図である。
図８から明らかな通り、波長４６０ｎｍで、ルチル型酸化チタン含有のポリフェニルシロキサンのみからなるシリコーンゴムの反射率は９７％であるのに対し、ルチル型酸化チタン含有のポリジメチルシロキサンのみからなるシリコーンゴムの反射率は１００％を超えている。ポリジメチルシロキサンのみからなるシリコーンゴムは、ポリフェニルシロキサンのみからなるシリコーンゴムよりも、全波長領域において、反射率が高くなっている結果であった。一方、ルチル型酸化チタン含有のポリジメチルシロキサンのみからなるシリコーンゴムの反射率も１００％を超えていた。
可撓性反射基材１０・３０は、シリコーンゴム原材料と白色無機フィラー粉末１５・３５と必要に応じシランカップリング剤とが含有された液状又はグリース状若しくは塑性の原材料組成物を用いて、付加反応により無溶媒下で加熱硬化するものであり、型を用いて、コンプレッション成形、射出成形、トランスファー成形、射出成形（ＬＩＭＳ）、押し出し成形、カレンダー成形のような方法で可撓性支持体上に形成される。このような液状又はグリース状若しくは塑性の原材料組成物は、コーターを用いて１〜２０００μｍの適切な厚さとなるように調整しながら、塗布されてもよい。また、この原材料組成物を用いて、可撓性膜状反射層を形成するには、シリコーンゴム原材料組成物を、直接、又は適当な粘度に調整した後、スクリーン印刷、バーコーター、ロールコーター、リバースコーター、グラビアコーター、エアナイフコーター、スプレーコーター、カーテンコーターにより、さらに薄膜の塗工には、高精度のオフセットコーター、多段ロールコーターなどの公知の塗布方法により、塗布してもよい。
シランカップリング剤は、反応性官能基として、アルキルオキシ基やビニル基やアミノ基やエポキシ基を有するものが挙げられる。カップリング剤としては、シランカップリング剤の他に、チタネートやアルミネートのカップリング剤でもよい。この組成物にシランカップリング剤が含まれていると、それが含まれていない場合よりも、シリコーンゴムが、白色無機フィラー粉末例えばアナターゼ型酸化チタンを網目構造の中に確りと取り込むため、それの強度が顕著に強くなる。特に、シランカップリング剤処理された白色無機フィラー粉末含有の可撓性反射基材は、白色無機フィラー粉末がシランカップリング剤を介してシリコーンと架橋しているため、曲げ強度、濡れ性・分散性が向上しており、高品質のものとなる。このようなシランカップリング処理は、例えばアナターゼ型酸化チタンに対し１質量％のシランカップリング剤を添加し、ヘンシェルミキサーで撹拌して表面処理を行い、１００〜１３０℃で、３０〜９０分間、乾燥させるというものである。
そのシランカップリング処理の有無による可撓性反射基材の曲げ強度と硬度とを、表１に示す。可撓性支持体として７５μｍ厚のポリイミド製のフィルムを用いた。３０μｍ厚でアナターゼ型酸化チタンの２００質量部を分散することにより作製した可撓性反射層を、一液型加熱硬化シリコーンゴム接着剤Ｘ−３２−１９６４（信越化学工業株式会社製；商品名）を用い、シランカップリング剤としてＮｏ．４を用いて処理した。可撓性支持体にシランカップリング剤含有組成物を塗布してから、加熱し、可撓性反射基材を作製し、各種物性について、検討した。この可撓性反射基材を、Ｒ２０ｍｍのロールで９０°に曲げ、それを開放する試験を３０万回繰り返して行い、反射層の剥離、クラックなど外観の変化を確認した。
Figure 2017124632
表１から明らかな通り、このシランカップリング処理により可撓性反射基材の剥離強度が、向上している。
可撓性膜状反射層１１・１５は、研磨、粗面化、及び／又はケミカルエッチングによって、白色無機フィラー粉末の一部を、反射層表面から露出させていてもよい。研磨は、具体的には、粗さ５００〜１００００番の研磨布紙、例えば紙やすりで擦ったり、微粒子含有研磨剤で磨いたり、砥石で磨くホーニングを行ったり、布皮などの柔軟材料で擦るバフ研磨を行ったり、表面をエンボス加工してやすりのような凹凸を付したローラーを高速回転させながら接触させたりして、シリコーンゴムの表面に白色無機フィラーを露出させるものである。粗面化は、具体的には、金属粗粒、砂又は研磨剤を吹き付けるサンドブラストや梨地加工を行ったり、研磨剤を懸濁した液を噴射するウェットブラストを行ったり、金属やすり等で擦傷したり、金属ブラシや金属タワシやスチールウールで毛掻いたり、紫外線照射による洗浄処理や、コロナ放電処理により、有機物を除去して、シリコーンゴムの表面に、白色無機フィラー粉末が露出するまで物理的に付して表面加工するというものである。ケミカルエッチングは、具体的には、塩酸、硫酸、硝酸、フッ化水素酸のような強酸による酸処理を行ったり、苛性ソーダなどでアルカリ処理をしたりして、シリコーンゴムの表面に、白色無機フィラー粉末が露出するまで化学的に付して表面加工するというものである。可撓性膜状反射層の研磨による粗面化の場合、材料硬度はＪＩＳ Ｋ ６２５３ に準拠したＪＩＳ Ａ硬度計で６０以上あると容易に研磨することができるので望ましい。
このような研磨や粗面化やケミカルエッチングにより露出した白色無機フィラー粉末の粒子表面で、光が反射することから、反射効率が一層向上する。物理的研磨がより好ましい。
図９は、ポリジメチルシロキサンのみから成るシリコーンゴム１００質量部中に、白色無機フィラー粉末としてアナターゼ型酸化チタンとルチル型酸化チタンの１００質量部が、夫々分散されつつ含有された可撓性反射基材について、＃１５００の紙やすりで、表面を擦って研磨した前後における照射波長と、それの反射率との相関関係を示す図である。
図９から明らかな通り、これらの粗面化した可撓性反射基材は、ポリジメチルシロキサン、ポリフェニルシロキサンにおいても白色無機フィラー粉末がアナターゼ型酸化チタンであるかルチル型酸化チタンであるかに関わらず、波長２００〜１０００ｎｍの広範囲に渡り、反射率は３％程度高い。しかも、可撓性反射基材は、ＪＩＳ Ｋ７３７５に準拠し、標準白板を１００としたとき、同じく１００程度の反射率相対値を示し、反射効率が高いことが示された。
特に、図９に示す通り、ルチル型酸化チタンを含有するポリジメチルシロキサンのみから成る可撓性反射基材は、反射率が１００％を越え、反射効率が極めて高いものであった。
これらの表面を粗面化した可撓性反射基材は、金属と接着し易く、そのシリコーンゴムの表面で、金属膜が確りと付され易くなる。また、カップリング処理された白色無機フィラー粉末を用いた可撓性反射基材においても同様に接着し易くなり両者を組み合わせると更に接着しやすくなる。金属膜は、銅、銀、金、ニッケル、パラジウム等のめっき被膜、金属蒸着被膜、接着剤、金属溶射で接着された金属箔膜が挙げられる。
金属膜は、可撓性反射基材に直接、めっきされ、金属蒸着され、又は金属箔膜を接着剤で接着されて形成されていてもよい。可撓性反射基材が予めコロナ処理、プラズマ処理、紫外線処理、フレーム処理、イトロ処理され、あるいはポリパラキシリレンでコーティング処理されて下塗りされ、その上に蒸着等による金属膜で被覆されてもよい。
金属膜の形成方法の一例は、以下の通りである。白色無機フィラー粉末が含有されて板状に形成された可撓性反射基材に、マスキング材としてフィルムを貼付する。次にポリパラキシリレン類である「パリレンＣ」（日本パリレン株式会社製の商品名；「パリレン」は登録商標；-[(ＣＨ２)-Ｃ６Ｈ３Ｃｌ-(ＣＨ２)]ｎ-）の被膜を設けるため、「パリレンＣ」の原料ダイマーである粉末状のモノクロロパラキシリレン類２量体を気化室に入れ減圧下で加熱して、蒸発したダイマーが熱分解室に誘導され反応性の高いパラキシリレンモノマーのラジカルとした後、反射基材に蒸着させて０．５〜５ミクロン、好ましくは１〜２ミクロンのポリパラキシリレン類コーティング処理し、下塗り層を形成して調製する。その下塗り層の上に、真空蒸着により、金属層として厚さ数ミクロンの銀層を形成させる。その後、マスキング材を剥がすと、金属膜が付されてしかもガス透過係数や絶縁抵抗の小さい可撓性反射基材が得られる。
金属蒸着に代え、金属めっき、金属箔膜の接着であってもよく、それの調製方法は、特に限定されない。
めっきの方法としては、まず白色無機フィラー粉末が含有されて板状に形成された可撓性反射基材を、酸又はアルカリを用いて表面を粗面化し、その後、無電解ニッケルめっきによってニッケルめっきし、その後電解めっきにより銅めっきをする。さらに用途に合わせ金や銀のめっきを行う。
銅箔を貼り合わせる方法としては、銅箔の裏面に接着剤層を形成し、その接着剤層側を、白色無機フィラー粉末が含有されてシート状に形成されたシリコーンゴム製可撓性反射層に貼り合わせ油圧プレスにて加熱硬化させ、架橋接着をすることができる。銅箔はロール状の連続シートであってもそれを裁断した個別シートであってもよい。巻かれているロール状に巻かれた銅箔を、引き出し、シリコーン樹脂製反射基材と貼り合わせてから、再度、ロール状に巻き取られてもよい。
このように可撓性支持体の上に金属層を設け、その金属層に回路をエッチングにより形成し、発光ダイオードチップを結線する部分及び搭載する部分を除いて、シルク印刷によりシリコーンゴム原材料組成物を塗布し、可撓性膜状反射層を形成する場合、前記回路と可撓性膜状反射層の間に、ガスバリア層を設けてもよい。可撓性膜状反射層は、三次元架橋したシリコーンゴム及び無機フィラー粉末よりなるので、エポキシ樹脂などの通常の樹脂よりもガス透過性が高いため、回路の金属層が腐食され酸化皮膜を形成するため可撓性膜状反射層と金属層の間で剥離が発生する場合がある。これを防止するためガスバリア性を有する皮膜を可撓性膜状反射層と金属層の間に形成するとよい。ガスバリア層も、可撓性を有している。ガスバリア層の厚みとしては、１〜３０μｍが好ましく、材料としては、シリコーンゴムよりガス透過性が小さい樹脂であれば適宜選択して使用することができるが、エポキシ樹脂などのフォトレジストや、パラキシリレンコート、ポリイミド樹脂、ポリパラキシリレン、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、ポリアミドなどが特に望ましい。
シリコーンゴム製可撓性膜状反射層の上に金属箔や金属めっきを付してもよい。また、銅箔にシリコーンゴム原材料組成物を塗工し基板に貼り合わせてエッチングしパターンを作製してもよく、基板にシリコーンゴムを塗工しその後めっきを付してもよい。
可撓性反射基材は、一般的な白熱電球やハロゲンランプやＬＥＤ等による電気スタンドのような照明装置の他、太陽電池のように光を反射するのに用いてもよく、電気ストーブや燃焼ストーブ等の熱源近傍の壁や什器に貼付して赤外線を反射させ加熱効率を上げたり壁や什器の対熱保護のために用いられたりしてもよい。
以下に、本発明の可撓性反射基材を試作し、装置に組み込んだ例を示す。
（実施例１）
初期反射率の比較
（ポリフェニルシロキサンゴムとポリジメチルシロキサンゴムとの比較）
ポリフェニルシロキサンゴム（商品名ＸＥ１４−Ｃ２５０８：モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ）とポリジメチルシロキサンゴム（商品名ＩＶＳＭ４５００：モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製）を用いて、アナターゼ型酸化チタン（商品名Ａ−９５０：堺化学工業株式会社製）とルチル型酸化チタン（商品名ＧＴＲ−１００；堺化学工業株式会社製；平均粒径０．２６μｍ）とアルミナ（商品名ＡＥＳ１２：住友化学株式会社製）を各々２００質量部添加し、加熱プレスにて、２５μｍのポリイミドを支持体に１５０℃で１０分間の硬化条件によって、縦７０ｍｍ、横７０ｍｍ、厚さ５０μｍのシリコーンゴム白色可撓性膜状反射層を有する可撓性反射基材を作製した。なお、硬化後のシリコーンゴム白色反射層の硬度はショアーＤ３０〜５０の範囲にあり、ゴム弾性の性質を有していた。それぞれの反射率を、分光光度計ＵＶ−３１５０（株式会社島津製作所製）を用いて測定した。その結果を示す図７よりすべてにおいてポリジメチルシロキサンをベースポリマーとした場合３〜５％の反射率の向上が見られた。
（実施例２）
高温での経時後の反射率
ポリフェニルシロキサンゴム（商品名ＸＥ１４−Ｃ２５０８：モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ）とポリジメチルシロキサンゴム（商品名ＩＶＳＭ４５００：モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製）にアナターゼ型酸化チタン（商品名Ａ−９５０：堺化学工業株式会社製）とルチル型酸化チタン（商品名ＧＴＲ−１００；堺化学工業株式会社製）をそれぞれ２００質量部添加し、加熱プレスにて、２５μｍのポリイミドの支持体に１５０℃で１０分間の硬化条件によって、縦７０ｍｍ、横７０ｍｍ、厚さ５０μｍのシリコーンゴム白色可撓性膜状反射層を有する可撓性反射基材を作製した。１５０℃で１０００時間、加熱経過後の反射率を、分光光度計ＵＶ−３１５０（株式会社島津製作所製）を用いて測定した。その結果を示す図８より、ポリフェニルシロキサンゴムの可撓性反射基材は短波長側で反射率の低下が見られるのに対し、ポリジメチルシロキサンゴムの可撓性反射基材は反射率の低下が見られない。
（実施例３）
ポリジメチルシロキサンゴム（商品名ＩＶＳＭ４５００：モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製）にアナターゼ型酸化チタン（商品名Ａ−９５０：堺化学工業株式会社製）とルチル型酸化チタン（商品名ＧＴＲ−１００；堺化学工業株式会社製）をそれぞれ１００質量部添加し、加熱プレスにて、２５μｍのポリイミドの支持体に１５０℃で１０分間の硬化条件によって、縦７０ｍｍ、横７０ｍｍ、厚さ５０μｍのシリコーンゴム白色可撓性膜状反射層を有する可撓性反射基材を作製した。それぞれの反射率を、分光光度計（商品名ＵＶ−３１５０；株式会社島津製作所製）を用いて初期反射率を測定した後、＃１５００のサンドペーパーでシリコーンゴム白色可撓性膜状反射層の表面をそれぞれ研磨し、再度反射率を測定した。その結果を示す図９より、研磨などで表面加工を行うことにより２〜３％反射率が向上した。
以上から明らかな通り、ポリフェニルシロキサンゴムの可撓性反射基材は、十分な反射率を有している。ポリジメチルシロキサンをベースポリマーとした場合ポリフェニルシロキサンをベースにした場合よりも反射率が高くさらには１０００時間経過後でも反射率の低下は見られない。これより黄変したり劣化したりすることが無いため、耐光性、耐熱性、耐候性に優れており、有用な反射材料であることがわかった。また表面加工をすることによって、反射率が向上するとも分かった。
（実施例４）
ポリジメチルシロキサンゴム（商品名ＩＶＳＭ４５００：モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製）にシリコーンゴム１００質量部に対してルチル型酸化チタン（商品名ＧＴＲ−１００；堺化学工業株式会社製）を１００質量部添加し、加熱プレスにて、２５μｍのポリイミドの支持体に１５０℃で１０分間の硬化条件によって、縦７０ｍｍ、横７０ｍｍ、厚さ５０μｍのシリコーンゴム白色可撓性膜状反射層を有する可撓性反射基材を作製した。
（比較例１）
エポキシ樹脂１００質量部に対してルチル型酸化チタン（商品名ＧＴＲ−１００；堺化学工業株式会社製）を１００質量部添加したエポキシ樹脂組成物を用いたこと以外は、実施例４と同様にして、エポキシ樹脂白色反射シートを作製した。
実施例４の可撓性反射基材と比較例１の反射シートとを、実施例２と同様に耐熱性試験を行った。加熱前と１５０℃で１０００時間加熱経過後の反射率を、分光光度計ＵＶ−３１５０（株式会社島津製作所製）を用いて測定した。その結果を図１０に示す。図１０から明らかな通り、エポキシ樹脂白色反射シートは全波長領域でポリジメチルシロキサンゴム製可撓性反射基材より反射率が低い。また、加熱経時したエポキシ樹脂白色反射シートは、短波長側で著しい反射率の低下が見られるのに対し、ポリジメチルシロキサンゴム製可撓性反射基材は反射率の低下が見られない。
（実施例５）
支持体として、２５μｍのポリイミドフィルムに１５μｍの銅めっきを施した。これにフォトレジストを用いて、エッチング加工により回路を形成した。次に、アナターゼ型酸化チタンをシリコーンゴム１００質量部に対して１５０〜２００質量部の範囲で配合を変え、必要によりシリコーンゴムパウダーを夫々適量ずつ加えてアナターゼ型酸化チタン含有白色反射材用の原材料組成物となし、これを回路の表面にＬＥＤチップ及び配線を行う部分を除いて、スクリーン印刷を用いて３０μｍの厚みで塗布し、１５０℃×１時間加熱し、可撓性反射層を形成した。このとき反射層の硬さはＪＩＳ Ａ型硬度計で５、１０、２０、５０、８０、ＪＩＳ Ｄ型硬度計で３０、５０の硬度を有するシリコーンゴム製可撓性白色反射基材を作製した。
（比較例２）
別のシリコーン樹脂を用いてＪＩＳ Ｄ型硬度計で７０の反射層を有するシリコーン樹脂製白色反射基材を作製した。
実施例５と比較例２とのシリコーン樹脂製白色反射基材を、その反射層が外側になるようにしながら、Ｒ５ｍｍのロールに巻き付け、それを開放する試験を３００００回繰り返して行い、反射層の剥離、クラックなど外観の変化を確認した。その結果を、表２に示す。表２から明らかな通り可撓性反射層には変化が見られなかった。
Figure 2017124632
一方比較例２のＪＩＳ Ｄ型硬度計で７０の硬度の反射層を有するシリコーン樹脂製白色反射基材は反射層に可撓性が無いため初期からクラックが入った。
（実施例６）
実施例５及び比較例２で用いた試料を１５０℃×１０００時間の高温試験により外観に変化が無いか比較試験を行った。その結果を表３にまとめて示す。
表３から明らかな通り、実施例５の可撓性反射層には変化が見られなかった。一方、比較例のＪＩＳ Ｄ型硬度計で７０の硬度の反射層を有する反射基材は線膨張に追従できず、初期からクラックが入っていた。
Figure 2017124632
このことから明らかな通り、実施例５及び６のような本発明を適用するシリコーンゴム原材料組成物からなる反射層は、支持体の可撓性に追随し、加熱における線膨張の違いによる応力も緩和でき良好な結果を有する。
（実施例７）
支持体として、２５μｍのポリイミドフィルムに１５μｍの銅めっきを施した。この銅めっきにフォトレジストを用いて、エッチング加工により回路を形成した。この回路の表面にＬＥＤチップ及びその配線を行う部分を除いてポリイミドワニス（商品名；ＦＣ−１１４ ファイン・ポリイミドワニス：ファインケミカルジャパン社製）を２回塗りして加熱硬化し膜厚４μｍのガスバリアー層を設けた。しかる後、実施例５と同様にして可撓性反射基材（ともに反射層の硬度はＪＩＳ Ａ硬度計で８０）を作製した。
実施例５及び実施例７の可撓性反射基材を２８０℃の半田ディップ層に１０秒間３回浸漬した。その結果、実施例５の可撓性反射基材は、金属層と可撓性膜状反射層との間で層間剥離が生じたが、実施例７の可撓性反射基材は、剥離は生じず変化が見られなかった。
（比較例３）
実施例５のシリコーンゴム原材料組成物よりなる可撓性反射層に変えてエポキシ樹脂を用いたこと以外は、実施例５と同様にしてエポキシ樹脂製反射基材を得た。
実施例５の可撓性反射基材及び比較例３のエポキシ樹脂製反射基材を波長４００ｎｍの光源を５０００時間照射した。その結果、実施例５の可撓性反射基材は、外観、反射率共に変化は確認されなかったが、比較例３のエポキシ樹脂製反射基材は、外観が褐色に変化し短波長側の反射率が大幅に低下した。
（実施例８）
シリコーン接着剤（商品名Ｘ−３２−１９６４：信越化学工業株式会社製）にルチル型酸化チタン（商品名ＧＴＲ−１００；堺化学工業株式会社製）を１００質量部添加しさらに反応抑制剤としてアセチレンアルコールを０．０１部添加し可撓性反射基材に用いる液状の原材料組成物（粘度６００Ｐａ・ｓ）を得た。この保存缶を開封後、室温において７日間放置し粘度を測定した結果変化が見られず、酸化チタンの沈降が見られず、１５０℃１時間の加熱硬化においても反射率、硬さとも初期の原材料組成物のものと同じ特性を示し、長期の保管性を示し、また図２のようにＬＥＤを実装でき、量産において生産性に優れていることが分かった。
（比較例４）
一液型エポキシ樹脂性レジストインクにおいては、その保存缶の開封後、室温において２４時間放置し確認した結果、外周が硬化し内部がゲル化し使用ができない状況であった。
（実施例９）
チップオンフィルム（以下ＣＯＦとする）として、厚さ３８μｍのポリイミドフィルムに厚さ８μｍの導体（銅箔）に回路を形成し、ランドパターン部を除いてガスバリア層としてポリイミドワニス（商品名；ＦＣ−１１４ ファイン・ポリイミドワニス：ファインケミカルジャパン社製）を２回塗りして加熱硬化し膜厚４μｍのガスバリアー層を設けたのち、スクリーン印刷により、ランドパターン部を除き、白色無機フィラー含有の原材料組成物を３０μｍ塗布し、１５０℃×１時間で硬化させ、可撓性膜状反射層を形成し、ＣＯＦの可撓性反射基材を得た。白色無機フィラー含有の原材料組成物はポリジメチルシロキサンゴム（商品名ＩＶＳＭ４５００：モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製）１００質量部にアナターゼ型酸化チタン（商品名Ａ−９５０：堺化学工業株式会社製）とルチル型酸化チタン（商品名ＧＴＲ−１００；堺化学工業株式会社製）を８０質量部添加したものである。この可撓性反射基材に日亜化学製白色ＬＥＤパッケージＮＳＳＷ０６４を直接ランド部の上にマウントし、鉛フリーリフローに通しハンダを行い、高反射ＣＯＦ基板のフレキシブルＬＥＤ照明基板を得た。この基板は可撓性に優れ厚みも薄く曲面にあわせて狭いところに入れられ、熱による黄変もない反射率９８％のＣＯＦとなった。また、金属と可撓性膜状反射層との剥離も認めれなかった。
（実施例１０）
実施例９と同様にしてＣＯＦの可撓性反射基材を得た。そこにベアチップ（ＬＥＤ素子自体）を直接基板上のランドパターンに実装しワイヤー（金線）ボンディングし、シリコーン透明樹脂で封止を行い、フレキシブルＬＥＤ照明基板を得た。この基板は熱による黄変もなく反射率９８％のＣＯＦとなった。
（実施例１１）
実施例１０と同様にしてＣＯＦの可撓性反射基材を得た。そこにベアチップ（ＬＥＤ素子自体）を直接基板上のパターンに実装しワイヤー（金線）ボンディングし、シリコーン透明樹脂で封止を行った。さらに、樹脂封止されたベアチップ周辺を囲むようにして反射枠として酸化チタン含有シリコーンゴム原材料組成物をディスペンサーにより、高さ０．５ｍｍで吐出したのち１５０℃×１時間で硬化させ厚物成形を行いシリコーンゴム製可撓性反射枠付高反射ＣＯＦを得た。
（実施例１２）
実施例９と同様にして回路を形成した後、φ１ｍｍに収まるランドパターン部を除いて酸化チタン含有ジメチルシリコーンゴム原材料組成物をスクリーン印刷により塗布し、１５０℃×１時間で硬化させ、φ１ｍｍの微細なランドパターンにダレることなく反射層を形成することができた。
（実施例１３）
実施例９と同様にして回路を形成した後、φ１ｍｍに収まるランドパターン部を除いて酸化チタン含有ジメチルシリコーンゴム原材料組成物をスクリーン印刷により塗布し、１５０℃×１時間で硬化させ、φ１ｍｍの微細なランドパターンにダレることなく反射層を形成することができた。更に、サンドペーパー＃１０００を用い表面を研磨し、酸化チタン粉末を露出させた基板の反射率を測定したところ、３％の反射率向上が見られた。
（実施例１４）
実施例９と同様にして回路を形成した後、φ１ｍｍに収まるランドパターン部を除いて無機白色フィラー粉末としてアナターゼ酸化チタンを１００質量部、ＹＡＧ蛍光体を３質量部含有させたジメチルシリコーンゴム原材料組成物をスクリーン印刷により塗布し、１５０℃×１時間で硬化させ、φ１ｍｍの微細なランドパターンにダレることなく可撓性反射層を形成することができた。サンドペーパー＃１０００を用い表面を研磨し、無機白色フィラー粉末を露出させた基板の反射率を測定したところ９０％であった。４００〜５００ｎｍの吸収が確認されその分反射率が低下したものの十分な反射率を維持できるとともに、５５０ｎｍの励起光が確認された。
（実施例１５）
支持体として、２５μｍのポリイミドフィルムにプラズマ処理を行い、プライマー処理を行い可撓性反射層として、シリコーンゴム１００質量部に対してアルミナで表面処理を行ったアナターゼ型酸化チタン２００質量部を配合し分散させ３０μｍの厚みで塗布し、その支持体の反対の面にはシリコーン粘着剤を３０μｍで塗工し、離型シートを積層し、１５０℃×１時間加熱し、可撓性反射層と粘着層を有したカバーレイフィルムを得た。このカバーレイフィルムを、回路を設けてあるＦＲ−４基板にランドパターンを逃がすように穴を開け、位置を合わせて、貼り合わせた。
（実施例１６）
シリコーン樹脂原材料組成物を調製後、シロキシ基繰返単位を４〜１０とする低分子量ポリシロキサンを３００ｐｐｍ未満になるまで、減圧下及び／又は２００℃で維持した後、常圧に戻して用いたこと以外は、実施例１〜１５と同様にして、シリコーン樹脂製反射基材を作製し、夫々ＬＥＤを実装してＬＥＤ照明基板を製造したところ、何れも電気接点障害、くもりの発生による照度低下などの現象は、認められなかった。
（実施例１７）
酸化チタンを、前記化学式（１）で示される反応性基含有ポリシロキサンをシランカップリング剤として浸漬し、表面処理したこと以外は、実施例１と同様にして、シリコーン樹脂製反射基材を作製したところ、表面処理しない場合よりも、前記表1で示す場合と同様に、樹脂製反射基材の曲げ強度と硬度とが、向上していた。
（製造例１）
チップオンボード（以下ＣＯＢとする）として、ガラエポ基板（ＦＲ−４基板）に導体厚み８μｍ（銅箔）に回路を形成しランドパターン部を除き、ガスバリア層としてエポキシ樹脂でコーティングし１５０℃×４時間で硬化させたのち、スクリーン印刷により酸化チタン含有のシリコーンゴム原材料組成物（シリコーンゴム原材料組成物はポリジメチルシロキサンゴム（商品名ＩＶＳＭ４５００：モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製）１００質量部にアナターゼ型酸化チタン（商品名Ａ−９５０：堺化学工業株式会社製）とルチル型酸化チタン（商品名ＧＴＲ−１００；堺化学工業株式会社製）を８０質量部添加したもの）を塗布し、１５０℃×１時間で硬化させ、ＣＯＦのシリコーンゴム製可撓性反射層を有する反射基材を得た。そこに日亜化学製白色ＬＥＤパッケージＮＳＳＷ０６４を直接フィルム上にマウントし、鉛フリーリフローに通しハンダを行い、高反射ＣＯＢ基板を得た。
（製造例２）
製造例１と同様にしてＣＯＢのシリコーンゴム製可撓性反射層を有する基材を得た。そこにベアチップ（ＬＥＤ素子自体）を直接基板上のランドパターンに実装しワイヤー（金線）ボンディングし、シリコーン透明樹脂で封止を行い、ガラスエポキシＬＥＤ照明基板を得た。この基板は熱による黄変もなく反射率９８％のＣＯＢとなった。
（製造例３）
ＣＯＢとしてＢＴレジン製基板（三菱ガス化学株式会社製）に導体厚み８μｍ（銅箔）を形成しランドパターン部を除き、ガスバリア層としてエポキシ樹脂を２０μｍコーティングし１５０℃×４時間で硬化させたのち、可撓性反射層をスクリーン印刷により塗布し、１５０℃×１時間で硬化させ、ＣＯＢのシリコーンゴム製可撓性反射層を有する基材を得た。そこにベアチップ（ＬＥＤ素子自体）を直接基板上のパターンに実装しワイヤー（金線）ボンディングしシリコーン透明樹脂で封止を行った。さらに、樹脂封止されたベアチップ周辺を囲むようにして反射枠として酸化チタン含有シリコーンゴム原材料組成物をディスペンサーにより、高さ０．５ｍｍで吐出したのち１５０℃×１時間で硬化させ厚物成形を行いシリコーンゴム製可撓性反射枠付高反射ＣＯＢを得た。
（製造例４）
製造例１と同様にして回路を形成した後、φ１ｍｍに収まるランドパターン部を除いて酸化チタン含有ジメチルシリコーンゴム原材料組成物をスクリーン印刷により塗布し、１５０℃×１時間で硬化させ、φ１ｍｍの微細なランドパターンにダレることなく反射層を形成することができた。
（製造例５）
製造例１と同様にして回路を形成した後、φ１ｍｍに収まるランドパターン部を除いて酸化チタンジメチルシリコーンゴム原材料組成物をスクリーン印刷により塗布し、１５０℃×１時間で硬化させ、φ１ｍｍの微細なランドパターンにダレることなく反射層を形成することができた。更に、サンドペーパー＃１０００を用い表面を研磨し、酸化チタン粉末を露出させた基板の反射率を測定したところ、３％の反射率向上が見られた。
（製造例６）
製造例１と同様にして回路を形成した後、φ１ｍｍに収まるランドパターン部を除いて無機白色フィラー粉末としてアナターゼ酸化チタンを１００質量部、ＹＡＧ蛍光体を３質量部含有させたジメチルシリコーンゴム原材料組成物をスクリーン印刷により塗布し、１５０℃×１時間で硬化させ、φ１ｍｍの微細なランドパターンにダレることなく可撓性反射層を形成することができた。サンドペーパー＃１０００を用い表面を研磨し、無機白色フィラー粉末を露出させた基板の反射率を測定したところ９０％であった。４００〜５００ｎｍの吸収が確認されその分反射率が低下したものの十分な反射率を維持できるとともに、５５０ｎｍの励起光が確認された。
（製造例７）
支持体として、２５μｍのポリイミドフィルムにプラズマ処理を行い、プライマー処理を行い可撓性反射層としてシリコーンゴム１００質量部に対してアルミナで表面処理を行ったアナターゼ型酸化チタン２００質量部を配合し分散させ３０μｍの厚みで塗布し、その支持体の反対の面にはシリコーン粘着剤を１０μｍで塗工し、熱伝導層として、５０μｍのアルミ箔を積層し、更に粘着剤を１０μｍで塗工し離型シートを積層し、１５０℃×１時間加熱し、可撓性反射層と粘着層を有したカバーレイフィルムを得た。このカバーレイフィルムを、回路を設けてあるＦＲ−４基板にランドパターンを逃がすように穴を開け、位置を合わせて、貼り合わせた。
（製造例８）
シリコーンゴムに代えてシリコーン樹脂を用いて、酸化チタンを含有したシリコーン樹脂製の液状又は塑性の原材料組成物となし、これを２５μｍのポリイミドフィルムの可撓性支持体上の導電回路に半田付けしたベアチップの周りに最外直径３ｍｍのケーシングとして、高さ１ｍｍでドーナッツ状にポッティングして高反射枠を設け、チップ該当箇所を透明シリコーン樹脂で封止し、可撓性反射基材を作製した。この可撓性反射基材を曲率半径２０ｍｍに撓ませたが剥離異常は起きなかった。このポッティングした箇所の硬度は、ＪＩＳ Ｄ型硬度計により、ショアＤ硬度で７０であった。
以上の製造例１〜７に示すように、シリコーンゴム及び酸化チタンのようなシリコーンゴムよりも高屈折率の白色無機フィラー粉末を含有するシリコーンゴム製の液状又は塑性の原材料組成物は、可撓性支持体のみならず、板状支持体とも組み合わせることができる。
また、製造例８のように、可撓性支持体にシリコーンゴムに代えてシリコーン樹脂を用いて、酸化チタンのようなシリコーン樹脂よりも高屈折率の白色無機フィラー粉末を含有するシリコーン樹脂製の液状又は塑性の原材料組成物をベアチップのケーシングとして、直径４ｍｍ以下といったように面積を取らない形でポッティングして用いても可撓性支持体の撓みの曲率半径が例えば２０ｍｍ以上と大きい場合は、可撓性反射基材に用いることができる。
本発明の可撓性反射基材は、発光ダイオードのような発光素子、白熱電球、ハロゲンランプ、水銀灯、蛍光灯のような発光装置に装着するもので、発光した光を反射して所望の方向へ出射させるために、それら発光光源に実装される配線基板やパッケージケースとして用いられる。また、この可撓性反射基材は、太陽電池素子のような光電変換素子に装着するもので、入射する光を反射して、光電変換素子へ集光させるために、それら光電変換素子に実装される配線基板やパッケージケースとして用いられる。
本発明の可撓性反射基材の製造方法は、それら発光装置の作製に有用である。
また、本発明の原材料組成物は、可撓性反射基材を塗布、噴霧、浸漬、成型等により簡易に形成するのに有用である。
また、本発明の原材料組成物は、室温に対して安定して保管することができるので、缶に入れ、レジストインクとして製品となる。また、適宜に粘度を調整して、可撓性支持体に印刷、ポッティング、塗布、噴霧、浸漬、成形等簡易に反射層を形成するのに有用である。
１０は可撓性反射基材、１１は可撓性膜状反射層、１１ａは反射層膜、１２は可撓性支持体、１３・１３ａは粘着剤層、１４は剥離紙、１４ａは剥離紙シート、１７は剥離シート、１５は白色無機フィラー粉末、１６は穴、２０は配線基板、２１は絶縁板、２２ａ・２２ｂは配線パターン、２３は発光素子、２５は塗工ノズル、２６はヒーター、２７は穴開けパンチ、２８は噴霧ノズル、２９はカッター、３０は可撓性反射基材、３１は可撓性膜状反射層、３１ａは反射層膜、３２は可撓性支持体、３２ａは支持体シート、３３は粘着剤層、３３ａは粘着剤層膜、３４は剥離紙、３４ａは剥離紙シート、４０はＬＥＤ発光装置、４２ａ・４２ｂは配線パターン、４３は発光素子、４５は噴霧ノズル、４６は塗工ノズル、４７はヒーター、４８はカッターである。

Claims (25)

  1. 可撓性支持体上で接着成分と共に三次元架橋したシリコーンゴムに、それよりも高屈折率の白色無機フィラー粉末が分散されつつ含有されて形成された１〜２０００μｍの厚さの可撓性膜状反射層と、前記可撓性支持体とを有している可撓性反射基材であって、
    前記可撓性膜状反射層が、前記可撓性支持体に付されたカバーコート、又は前記可撓性支持体に貼付されたカバーレイフィルムであって、シリコーンゴム原材料に前記接着成分と前記白色無機フィラー粉末とが分散されつつ含有された原材料組成物の硬化物であり、
    前記シリコーンゴムが、前記接着成分が分散されつつ含有されて架橋されており、
    前記可撓性膜状反射層が、ゴム硬度をショアＡ硬度で１０以上、かつ、ショアＤ硬度で５０以下としており、
    前記可撓性支持体が、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、フッ素樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、アラミド樹脂、ポリエーテルエーテル樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、液晶ポリマー、ポリエーテルサルフォン樹脂、エポキシ樹脂、及びシクロオレフィン樹脂から選ばれる少なくとも何れかのプラスチックで形成されているプラスチックフィルム；又は金属薄膜であり、
    前記白色無機フィラー粉末が、Ａｌ、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＺｒＯ２、及び／又はＳｉＯ２で表面処理されて被覆されている酸化チタンを含んでおり、
    反射率が波長５５０ｎｍで９０％以上であることを特徴とする可撓性反射基材。
  2. 前記シリコーンゴム中に残留して含まれる、シロキシ基繰返単位を４〜１０とする低分子量ポリシロキサンが、最大で３００ｐｐｍであること特徴とする請求項１に記載の可撓性反射基材。
  3. 前記酸化チタンが、前記シリコーンゴム１００質量部に対し３０〜３００質量部であることを特徴とする請求項１に記載の可撓性反射基材。
  4. １５０℃で１０００時間加熱前後での波長４６０ｎｍ〜７８０ｎｍの全範囲で反射率が少なくとも８５％であることを特徴とする請求項１に記載の可撓性反射基材。
  5. 前記シリコーンゴムが、非環状のジメチルシロキシ繰返単位を主成分として含んでいることを特徴とする請求項１に記載の可撓性反射基材。
  6. 前記原材料組成物が、液状又はグリース状若しくは塑性であることを特徴とする請求項１に記載の可撓性反射基材。
  7. 前記原材料組成物が、加熱によって失活又は揮発する反応抑制剤を含むことを特徴とする請求項１に記載の可撓性反射基材。
  8. 前記可撓性膜状反射層が、それに含有されている前記シリコーンゴムによって、シランカップリング剤を介することによって、及び／又はシリコーンゴム製接着剤を介することによって、前記可撓性支持体に接着して付されていることを特徴とする請求項１に記載の可撓性反射基材。
  9. 前記可撓性支持体が、導電パターンを表面に付したプラスチックフィルムであることを特徴とする請求項１に記載の可撓性反射基材。
  10. 前記シロキシ基繰返単位を４〜１０とする低分子量ポリシロキサンが、環状低分子量ポリシロキサンであることを特徴とする請求項２に記載の可撓性反射基材。
  11. 前記シリコーンゴムが、屈折率を１．３５以上、１．６５未満とすることを特徴とする請求項１に記載の可撓性反射基材。
  12. 前記接着成分が、シランカップリング剤である接着性付与成分であることを特徴とする請求項１に記載の可撓性反射基材。
  13. 前記白色無機フィラー粉末が、アルミナ、硫酸バリウム、マグネシア、チッ化アルミニウム、チッ化ホウ素、チタン酸バリウム、カオリン、タルク、炭酸カルシウム、酸化亜鉛、シリカ、マイカ粉、粉末ガラス、粉末ニッケル及び粉末アルミニウムから選ばれる少なくとも１種の光反射剤を含むことを特徴とする請求項１に記載の可撓性反射基材。
  14. 前記酸化チタンが、シランカップリング処理されてシリコーンゴム中に分散されたものであることを特徴とする請求項１に記載の可撓性反射基材。
  15. 前記白色無機フィラー粉末が、前記酸化チタンからなることを特徴とする請求項１に記載の可撓性反射基材。
  16. 前記白色無機フィラー粉末が、平均粒径０．０５〜５０μｍであって、前記シリコーンゴム中に、２〜８０質量％含有されていることを特徴とする請求項１に記載の可撓性反射基材。
  17. 前記可撓性膜状反射層に、前記白色無機フィラー粉末と蛍光体とが分散されつつ含有されていることを特徴とする請求項１に記載の可撓性反射基材。
  18. 前記可撓性膜状反射層が、発光素子、発光装置及び光電変換素子の何れかの背面、外周及び／又は導光材反射面に、配置されていることを特徴とする請求項１に記載の可撓性反射基材。
  19. 金属層と、前記可撓性支持体との間に、前記可撓性膜状反射層を有することを特徴とする請求項１に記載の可撓性反射基材。
  20. 前記可撓性膜状反射層と対向する側の前記可撓性支持体に金属層を有することを特徴とする請求項１に記載の可撓性反射基材。
  21. 前記可撓性膜状反射層と前記金属層の間にガスバリア層を有することを特徴とする請求項２０に記載の可撓性反射基材。
  22. 可撓性支持体上で接着成分と共に三次元架橋したシリコーンゴムに、それよりも高屈折率の白色無機フィラー粉末が分散されつつ含有されて形成された可撓性膜状反射層と、前記可撓性支持体とを有している請求項１〜２１の何れかに記載の可撓性反射基材を製造する方法であって、
    三次元架橋したシリコーンゴムへと架橋させるシリコーンゴム原材料に、Ａｌ、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＺｒＯ２、及び／又はＳｉＯ２で表面処理されて被覆されている酸化チタンを含む、前記シリコーンゴムよりも高屈折率の前記白色無機フィラー粉末と、前記シリコーンゴムと架橋する接着成分とを分散させて含有させた原材料組成物とした後、
    ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、フッ素樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、アラミド樹脂、ポリエーテルエーテル樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、液晶ポリマー、ポリエーテルサルフォン樹脂、エポキシ樹脂、及びシクロオレフィン樹脂から選ばれる少なくとも何れかのプラスチックで形成されているプラスチックフィルム；又は金属薄膜である可撓性支持体を用い、
    前記原材料組成物を膜状に付して三次元架橋させることにより、前記可撓性支持体に付したカバーコート、又は前記原材料組成物を三次元架橋させて膜状にしたものを前記可撓性支持体に貼付してカバーレイフィルムとなし、
    ゴム硬度をショアＡ硬度で１０以上、かつ、ショアＤ硬度で５０以下としており、１〜２０００μｍの厚さの可撓性膜状反射層とする、反射率が波長５５０ｎｍで９０％以上である可撓性反射基材を製造する方法。
  23. 可撓性支持体上で接着成分と共に三次元架橋したシリコーンゴムに、それよりも高屈折率の白色無機フィラー粉末が分散されつつ含有されて形成された可撓性膜状反射層と、前記可撓性支持体とを有している請求項１〜２１の何れかに記載の可撓性反射基材に用いる原材料組成物であって、
    重合性シリコーンゴムの原材料と、前記シリコーンゴムの原材料を三次元架橋させる架橋剤と、Ａｌ、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＺｒＯ２、及び／又はＳｉＯ２で表面処理されて被覆されている酸化チタンを含む、前記シリコーンゴムよりも高屈折率の白色無機フィラー粉末と、前記シリコーンゴムと架橋する接着成分とが含まれた液状又はグリース状若しくは塑性の原材料組成物であり、
    前記可撓性膜状反射層が、ゴム硬度をショアＡ硬度で１０以上、かつ、ショアＤ硬度で５０以下としており、前記可撓性支持体が、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、フッ素樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、アラミド樹脂、ポリエーテルエーテル樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、液晶ポリマー、ポリエーテルサルフォン樹脂、エポキシ樹脂、及びシクロオレフィン樹脂から選ばれる少なくとも何れかのプラスチックで形成されているプラスチックフィルム；又は金属薄膜であり、前記可撓性膜状反射層が１〜２０００μｍの厚さで前記可撓性支持体に付されたカバーコート、又は前記可撓性支持体に貼付されたカバーレイフィルムであり、反射率が波長５５０ｎｍで９０％以上である、可撓性反射基材を形成するために用いられる原材料組成物。
  24. 加熱によって失活又は揮発する反応抑制剤が含まれていることを特徴とする請求項２３に記載の原材料組成物。
  25. 粘度調整のための有機溶剤及び／又は反応性希釈剤が含まれていることを特徴とする請求項２３に記載の原材料組成物。
JP2017062562A 2010-03-23 2017-03-28 可撓性反射基材、その製造方法及びその反射基材に用いる原材料組成物 Active JP6363756B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010065888 2010-03-23
JP2010065888 2010-03-23

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012506782A Division JP6157118B2 (ja) 2010-03-23 2010-12-24 可撓性反射基材、その製造方法及びその反射基材に用いる原材料組成物

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018123430A Division JP6581695B2 (ja) 2010-03-23 2018-06-28 可撓性反射基材、その製造方法及びその反射基材に用いる原材料組成物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017124632A true JP2017124632A (ja) 2017-07-20
JP6363756B2 JP6363756B2 (ja) 2018-07-25

Family

ID=44672691

Family Applications (7)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012506782A Active JP6157118B2 (ja) 2010-03-23 2010-12-24 可撓性反射基材、その製造方法及びその反射基材に用いる原材料組成物
JP2012506781A Active JP5519774B2 (ja) 2010-03-23 2010-12-24 シリコーン樹脂製反射基材、その製造方法、及びその反射基材に用いる原材料組成物
JP2011064492A Active JP5770502B2 (ja) 2010-03-23 2011-03-23 反射材
JP2014077292A Active JP5836420B2 (ja) 2010-03-23 2014-04-03 シリコーン樹脂製反射基材、その製造方法、及びその反射基材に用いる原材料組成物
JP2017062562A Active JP6363756B2 (ja) 2010-03-23 2017-03-28 可撓性反射基材、その製造方法及びその反射基材に用いる原材料組成物
JP2018123430A Active JP6581695B2 (ja) 2010-03-23 2018-06-28 可撓性反射基材、その製造方法及びその反射基材に用いる原材料組成物
JP2019156646A Active JP6717512B2 (ja) 2010-03-23 2019-08-29 可撓性反射基材、その製造方法及びその反射基材に用いる原材料組成物

Family Applications Before (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012506782A Active JP6157118B2 (ja) 2010-03-23 2010-12-24 可撓性反射基材、その製造方法及びその反射基材に用いる原材料組成物
JP2012506781A Active JP5519774B2 (ja) 2010-03-23 2010-12-24 シリコーン樹脂製反射基材、その製造方法、及びその反射基材に用いる原材料組成物
JP2011064492A Active JP5770502B2 (ja) 2010-03-23 2011-03-23 反射材
JP2014077292A Active JP5836420B2 (ja) 2010-03-23 2014-04-03 シリコーン樹脂製反射基材、その製造方法、及びその反射基材に用いる原材料組成物

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018123430A Active JP6581695B2 (ja) 2010-03-23 2018-06-28 可撓性反射基材、その製造方法及びその反射基材に用いる原材料組成物
JP2019156646A Active JP6717512B2 (ja) 2010-03-23 2019-08-29 可撓性反射基材、その製造方法及びその反射基材に用いる原材料組成物

Country Status (7)

Country Link
US (3) US9574050B2 (ja)
EP (2) EP2551929A4 (ja)
JP (7) JP6157118B2 (ja)
KR (2) KR101853598B1 (ja)
CN (2) CN102893417B (ja)
HK (1) HK1179048A1 (ja)
WO (2) WO2011118109A1 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6429049B1 (ja) * 2017-08-04 2018-11-28 鼎展電子股▲分▼有限公司 可撓性ｌｅｄ素子と可撓性ｌｅｄ表示パネル
WO2019003981A1 (ja) 2017-06-26 2019-01-03 テクノＵｍｇ株式会社 熱可塑性樹脂組成物並びにその樹脂成形品及び塗装加工品
JP2019129305A (ja) * 2018-01-26 2019-08-01 鼎展電子股▲分▼有限公司 可撓性マイクロ発光ダイオード表示モジュール
KR20200064073A (ko) * 2017-09-29 2020-06-05 히타치가세이가부시끼가이샤 파장 변환 부재, 백라이트 유닛, 화상 표시 장치, 파장 변환용 수지 조성물 및 파장 변환용 수지 경화물
KR102127425B1 (ko) * 2019-01-10 2020-06-26 미르텍알앤디 주식회사 마이크로 콘택트 핀 조립체
JPWO2020111180A1 (ja) * 2018-11-30 2021-10-14 デンカ株式会社 積層体

Families Citing this family (163)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG183402A1 (en) * 2010-02-19 2012-09-27 Toray Industries Phosphor-containing cured silicone, process for production of same, phosphor-containing silicone composition, precursor of the composition, sheet-shaped moldings, led package, light -emitting device, and process for production of led-mounted substrate
WO2012078617A1 (en) * 2010-12-08 2012-06-14 Dow Corning Corporation Siloxane compositions including titanium dioxide nanoparticles suitable for forming encapsulants
EP2943046A1 (en) 2010-12-13 2015-11-11 Toray Industries, Inc. Phosphor sheet, led and light emitting device using same and method for producing led
JP5274586B2 (ja) 2011-01-17 2013-08-28 キヤノン・コンポーネンツ株式会社 フレキシブル回路基板
US9232634B2 (en) 2011-01-17 2016-01-05 Canon Components, Inc. Flexible circuit board for mounting light emitting element, illumination apparatus, and vehicle lighting apparatus
JP2013157592A (ja) * 2012-01-05 2013-08-15 Canon Components Inc 発光素子実装用フレキシブル回路基板
GB2491209B (en) * 2011-05-27 2013-08-21 Renewable Energy Corp Asa Solar cell and method for producing same
JP5764423B2 (ja) * 2011-08-02 2015-08-19 日東電工株式会社 光半導体装置用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体装置用リードフレームまたは光半導体装置用基板、ならびに光半導体装置
JP5897862B2 (ja) * 2011-10-13 2016-04-06 シチズン電子株式会社 半導体発光装置
CN103115282A (zh) * 2011-11-16 2013-05-22 苏州通亮照明科技有限公司 一种背光模组及用于背光模组上的扩散构件
US10115862B2 (en) 2011-12-27 2018-10-30 eLux Inc. Fluidic assembly top-contact LED disk
JP2013157341A (ja) * 2012-01-05 2013-08-15 Canon Components Inc Ｌｅｄ照明装置
KR20140112032A (ko) * 2012-01-16 2014-09-22 히타치가세이가부시끼가이샤 은의 표면 처리제 및 발광 장치
JP5948890B2 (ja) * 2012-01-20 2016-07-06 住友電気工業株式会社 集光型太陽光発電モジュール、集光型太陽光発電パネル、及び、集光型太陽光発電モジュール用フレキシブルプリント配線板
CN104303103B (zh) * 2012-02-10 2019-04-26 得克萨斯大学体系董事会 用于薄膜嵌段共聚物的取向控制的酸酐共聚物的面涂层
JP2013175528A (ja) * 2012-02-24 2013-09-05 Stanley Electric Co Ltd 発光装置及びその製造方法
JP5926986B2 (ja) * 2012-03-05 2016-05-25 株式会社朝日ラバー 回路付白色反射シートロール、及びその製造方法
EP2717331A4 (en) * 2012-03-29 2015-03-04 Dainippon Printing Co Ltd COLLECTOR PLATE FOR A SOLAR CELL AND SOLAR CELL MODULE WITH A COLLECTOR FILM FOR A SOLAR CELL
KR20130111155A (ko) 2012-03-30 2013-10-10 주식회사 엘지화학 유기전자소자용 기판
US20130273259A1 (en) * 2012-04-13 2013-10-17 Mélanie Emilie Céline Depardieu Marking coating
JP2013226769A (ja) * 2012-04-27 2013-11-07 Asahi Rubber Inc 白色反射膜付基材、それを用いた白色反射膜付カバーレイシート及び白色反射膜付回路基板
JP5234209B1 (ja) * 2012-07-20 2013-07-10 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 太陽電池封止材用樹脂組成物
US20140043814A1 (en) * 2012-08-07 2014-02-13 Toshiba Lighting & Technology Corporation Light emitting module and lighting system
JP2014053582A (ja) * 2012-08-07 2014-03-20 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光モジュール及び照明装置
JP6060578B2 (ja) * 2012-09-14 2017-01-18 日亜化学工業株式会社 発光装置
US9203002B2 (en) * 2012-10-19 2015-12-01 Osram Sylvania Inc. Ultraviolet reflective silicone compositions, reflectors, and light sources incorporating the same
JP2014095038A (ja) * 2012-11-09 2014-05-22 Idemitsu Kosan Co Ltd 反射材用組成物及びこれを用いた光半導体発光装置
US9507054B2 (en) 2012-12-27 2016-11-29 Dow Corning Corporation Composition for forming an article having excellent reflectance and flame retardant properties and article formed therefrom
EP2945197A4 (en) * 2013-01-10 2016-08-03 Konica Minolta Inc LED DEVICE AND COATING LIQUID USED IN THE MANUFACTURE THEREOF
JP6105966B2 (ja) * 2013-02-15 2017-03-29 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置
TWI616489B (zh) * 2013-02-18 2018-03-01 可應用於發光二極體元件之聚矽氧烷組合物、基座配方及其發光二極體元件
KR101769223B1 (ko) * 2013-02-27 2017-08-17 가부시키가이샤 아사히 러버 백색 반사막용 잉크, 백색 반사막용 분체 도료, 백색 반사막의 제조 방법, 백색 반사막, 광원 마운트 및 조명기구 쉐이드
US9115870B2 (en) 2013-03-14 2015-08-25 Cree, Inc. LED lamp and hybrid reflector
JP6327679B2 (ja) * 2013-03-15 2018-05-23 ダウ シリコーンズ コーポレーション アルカリ土類金属を含むアリール基含有シロキサン組成物
EP3004230B1 (en) * 2013-06-06 2016-10-05 Philips Lighting Holding B.V. Reflective composition
WO2015002326A1 (en) 2013-07-05 2015-01-08 Nitto Denko Corporation Photocatalyst sheet
JP6301602B2 (ja) 2013-07-22 2018-03-28 ローム株式会社 パワーモジュールおよびその製造方法
ES2808376T3 (es) * 2013-09-04 2021-02-26 Softpv Inc Célula solar con placa de circuito impreso
US9666733B2 (en) 2013-09-04 2017-05-30 Hyeon Woo AHN Solar cell using printed circuit board
JP6352613B2 (ja) * 2013-10-24 2018-07-04 帝人フィルムソリューション株式会社 白色反射フィルム
JP5954295B2 (ja) * 2013-10-28 2016-07-20 住友電気工業株式会社 フラットケーブルとその製造方法
CN105705200A (zh) * 2013-11-12 2016-06-22 皮奇泰克株式会社 Led垫、用于制造led垫的方法以及包括led垫的个人用治疗器
JP6244857B2 (ja) * 2013-11-26 2017-12-13 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN104730606A (zh) * 2013-12-24 2015-06-24 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 光反射片及其制造方法
JP2015138704A (ja) * 2014-01-23 2015-07-30 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 発光素子モジュール
CN104804660B (zh) * 2014-01-23 2017-03-15 台虹科技股份有限公司 具耐高温性及高反射率的印刷电路板用覆盖保护胶片
JP6332787B2 (ja) * 2014-02-17 2018-05-30 住友電工プリントサーキット株式会社 カバーレイ及びプリント配線板
WO2015126431A1 (en) * 2014-02-24 2015-08-27 Empire Technology Development Llc Increased interlayer adhesions of three-dimensional printed articles
US10743412B2 (en) * 2014-02-27 2020-08-11 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Substrate and semiconductor apparatus
JP5702482B2 (ja) * 2014-03-05 2015-04-15 帝人デュポンフィルム株式会社 白色反射フィルム
EP2916628A1 (en) * 2014-03-07 2015-09-09 Taiflex Scientific Co., Ltd. Cover layer with high thermal resistance and high reflectivity for a printed circuit board
TWI647598B (zh) * 2014-03-07 2019-01-11 日商富士軟片股份有限公司 帶有裝飾材料的基板及其製造方法、觸控面板及資訊顯示裝置
US20150257296A1 (en) * 2014-03-07 2015-09-10 Taiflex Scientific Co., Ltd. Cover layer with high thermal resistance and high reflectivity for a printed circuit board
CN103895615A (zh) * 2014-03-14 2014-07-02 金少青 一种汽车大灯翻新工艺
FR3019314B1 (fr) * 2014-03-28 2017-08-11 Gaggione Sas Collimateur de lumiere
CN106061627B (zh) * 2014-03-28 2020-08-04 日产化学工业株式会社 表面粗化方法
US9671085B2 (en) 2014-04-22 2017-06-06 Dow Corning Corporation Reflector for an LED light source
JP2015216353A (ja) * 2014-04-23 2015-12-03 日東電工株式会社 波長変換接合部材、波長変換放熱部材および発光装置
EP3142159B1 (en) * 2014-05-09 2018-10-24 Kyocera Corporation Substrate for mounting light-emitting element, and light-emitting device
EP3143647A4 (en) * 2014-05-15 2017-09-27 3M Innovative Properties Company Flexible circuit on reflective substrate
CN105322433B (zh) * 2014-05-28 2020-02-04 深圳光峰科技股份有限公司 波长转换装置及其相关发光装置
US9356185B2 (en) 2014-06-20 2016-05-31 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Compact light sensing modules including reflective surfaces to enhance light collection and/or emission, and methods of fabricating such modules
JP2016009690A (ja) * 2014-06-20 2016-01-18 大日本印刷株式会社 実装基板および実装基板の製造方法
JP6484972B2 (ja) * 2014-06-20 2019-03-20 大日本印刷株式会社 発光部品が実装された実装基板、および発光部品が実装される配線基板
JP2016009689A (ja) * 2014-06-20 2016-01-18 大日本印刷株式会社 実装基板の製造方法および実装基板
RU2571176C1 (ru) * 2014-07-14 2015-12-20 Гиа Маргович Гвичия Светодиодная матрица
JP6425945B2 (ja) * 2014-08-21 2018-11-21 東洋アルミニウム株式会社 インターコネクタ用光拡散部材及びこれを備える太陽電池用インターコネクタ、並びに太陽電池モジュール
JP6634668B2 (ja) * 2014-08-29 2020-01-22 大日本印刷株式会社 実装基板の製造方法および実装基板
JP6579419B2 (ja) * 2014-09-03 2019-09-25 大日本印刷株式会社 配線基板および実装基板
JP6590445B2 (ja) * 2014-09-10 2019-10-16 ダウ・東レ株式会社 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置
JP6378020B2 (ja) * 2014-09-26 2018-08-22 株式会社Ｔ＆Ｋ Ｔｏｋａ 積層シート
KR20160038568A (ko) * 2014-09-30 2016-04-07 (주)포인트엔지니어링 복수의 곡면 캐비티를 포함하는 칩 기판
JP2018505560A (ja) * 2014-10-27 2018-02-22 ヘンケル・アクチェンゲゼルシャフト・ウント・コムパニー・コマンディットゲゼルシャフト・アウフ・アクチェンＨｅｎｋｅｌ ＡＧ ＆ Ｃｏ． ＫＧａＡ 光学半導体デバイスの製造方法およびそのためのシリコーン樹脂組成物
CN105732118B (zh) * 2014-12-11 2020-03-24 深圳光峰科技股份有限公司 漫反射材料、漫反射层、波长转换装置以及光源系统
KR101640588B1 (ko) * 2015-01-13 2016-07-19 주식회사 베이스 광균일도가 우수한 led용 색변환 유리
DE102015001902A1 (de) * 2015-02-18 2016-08-18 Continental Reifen Deutschland Gmbh Verfahren zur Verbesserung der Haftung zwischen einem Verstärkungselement und einem elastomeren Matrixmaterial
JP2016171199A (ja) * 2015-03-12 2016-09-23 イビデン株式会社 発光素子搭載基板
JP6684779B2 (ja) * 2015-03-31 2020-04-22 太陽インキ製造株式会社 硬化性樹脂組成物、ドライフィルム、硬化物およびプリント配線板
WO2016172290A1 (en) * 2015-04-21 2016-10-27 Salk Institute For Biological Studies Methods of treating lipodystrophy using fgf-1 compounds
CN106206904B (zh) * 2015-04-29 2019-05-03 深圳光峰科技股份有限公司 一种波长转换装置、荧光色轮及发光装置
JP6596920B2 (ja) 2015-05-21 2019-10-30 コニカミノルタ株式会社 音響レンズ、その製造方法、超音波探触子および超音波撮像装置
EP3292168A4 (en) * 2015-06-18 2019-01-02 Nusil Technology LLC High strength silicone elastomers and compositions therefor
KR101788381B1 (ko) * 2015-06-18 2017-10-20 삼성에스디아이 주식회사 윈도우 필름용 조성물, 이로부터 형성된 플렉시블 윈도우 필름 및 이를 포함하는 플렉시블 디스플레이 장치
CN106317894B (zh) * 2015-06-30 2019-03-29 比亚迪股份有限公司 有机硅组合物、反光涂层及其制备方法与包括其的光伏组件
CN105086381B (zh) * 2015-07-31 2017-04-26 深圳市兴盛迪新材料有限公司 聚对苯二甲酸丁二醇酯复合材料及其制备方法
JP6718132B2 (ja) * 2015-11-06 2020-07-08 セイコーエプソン株式会社 三次元構造物の製造方法及びその製造装置
JP2017088776A (ja) * 2015-11-13 2017-05-25 信越化学工業株式会社 付加硬化型シリコーン樹脂組成物、該組成物の製造方法、及び光学半導体装置
KR102450574B1 (ko) 2015-11-19 2022-10-11 삼성전자주식회사 반도체 패키지용 본딩 와이어 및 이를 포함하는 반도체 패키지
DE102016202103A1 (de) * 2016-02-11 2017-08-17 Osram Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Leuchtmoduls, Leuchtmodul sowie Verwendung eines Optikelements in einem Leuchtmodul
MA43805A (fr) 2016-02-23 2018-11-28 Advanced Environmental Recycling Tech Inc Compositions et procédés pour réduire la température de surface d'articles composites
CN109075229B (zh) * 2016-03-30 2021-03-19 昭和电工材料株式会社 热固化性树脂组合物、光半导体元件搭载用基板及其制造方法、以及光半导体装置
JP6089144B1 (ja) * 2016-03-30 2017-03-01 日本タングステン株式会社 銅張積層板およびその製造方法
US10644210B2 (en) * 2016-04-01 2020-05-05 Nichia Corporation Method of manufacturing light emitting element mounting base member, method of manufacturing light emitting device using the light emitting element mounting base member, light emitting element mounting base member, and light emitting device using the light emitting element mounting base member
JP2017191839A (ja) * 2016-04-12 2017-10-19 株式会社カネカ 赤外ｌｅｄ発光装置の半導体パッケージ用熱硬化性樹脂組成物、タブレット、半導体パッケージ、赤外ｌｅｄ発光装置。
CN107819047B (zh) * 2016-05-13 2019-06-21 广东大粤新能源科技股份有限公司 一种新型太阳能光伏组件
JP6658295B2 (ja) * 2016-05-19 2020-03-04 株式会社オートネットワーク技術研究所 止水用シリコーンゴム組成物、止水用シリコーンゴム成形体およびワイヤーハーネス
JP6680081B2 (ja) * 2016-05-30 2020-04-15 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP6418200B2 (ja) * 2016-05-31 2018-11-07 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
US10074626B2 (en) * 2016-06-06 2018-09-11 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Wafer laminate and making method
CN105949998B (zh) * 2016-06-12 2018-12-04 上海宜瓷龙新材料股份有限公司 用于太阳能背板高反射率的陶瓷涂料及其制备方法
CN106085214B (zh) * 2016-06-12 2019-01-11 上海宜瓷龙新材料股份有限公司 一种用于玻璃基太阳能背板的陶瓷涂料及其制备方法
DE112017003086T5 (de) * 2016-06-21 2019-03-14 Soraa, Inc. LED-Package
CN107546301B (zh) * 2016-06-29 2019-12-06 江西省晶能半导体有限公司 一种白胶、led灯珠及其的封装方法
JP7065381B2 (ja) * 2016-07-19 2022-05-12 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 光反射体、ベース体、発光装置及びベース体の製造方法
KR102543179B1 (ko) * 2016-08-22 2023-06-14 삼성전자주식회사 발광다이오드 모듈 제조방법
KR20190053876A (ko) * 2016-09-07 2019-05-20 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 파장 변환 재료 함유 실리콘 수지 조성물 및 파장 변환 재료 함유 시트
US9837390B1 (en) * 2016-11-07 2017-12-05 Corning Incorporated Systems and methods for creating fluidic assembly structures on a substrate
CN106542820A (zh) * 2016-11-08 2017-03-29 泰州职业技术学院 一种用于降低沥青路面温度的红外热辐射功能降温粉体
JP6536560B2 (ja) 2016-12-27 2019-07-03 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
CN106775167B (zh) * 2017-01-13 2020-12-18 京东方科技集团股份有限公司 触控基板及其制备方法、显示装置
DE102017101729A1 (de) * 2017-01-30 2018-08-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierende Vorrichtung
JP6867203B2 (ja) * 2017-03-17 2021-04-28 旭化成株式会社 硬化性組成物
KR20190141668A (ko) * 2017-04-19 2019-12-24 코베스트로 엘엘씨 반사 코팅 및 중합체 기재로의 그의 적용을 위한 금형내 방법
US10153416B1 (en) * 2017-05-23 2018-12-11 Radiant Choice Limited Package body and light emitting device using same
EP3637158A4 (en) * 2017-06-06 2020-06-10 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. WAVELENGTH CONVERTER AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND LIGHT EMITTING DEVICE USING THE WAVELENGTH CONVERTER
WO2019003775A1 (ja) * 2017-06-29 2019-01-03 京セラ株式会社 回路基板およびこれを備える発光装置
DE102017117150A1 (de) * 2017-07-28 2019-01-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen und optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE102017117441A1 (de) * 2017-08-01 2019-02-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
JP6988295B2 (ja) * 2017-09-14 2022-01-05 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 照明装置及び該照明装置を備えた画像読取装置
US10897824B2 (en) * 2017-10-30 2021-01-19 Baker Hughes, A Ge Company, Llc Encapsulation of downhole microelectronics and method the same
KR102542426B1 (ko) * 2017-12-20 2023-06-12 삼성전자주식회사 파장변환 필름과, 이를 구비한 반도체 발광장치
CN110120623B (zh) * 2018-02-05 2021-06-08 深圳光峰科技股份有限公司 密封件及发光装置
CN110299441A (zh) * 2018-03-22 2019-10-01 中国科学院半导体研究所 可提高led出光效率的硅基反射圈、制备方法及led器件
JP6992654B2 (ja) * 2018-03-30 2022-01-13 Jnc株式会社 積層シート、放熱部品、発光デバイス、発光装置
JP6680311B2 (ja) * 2018-06-04 2020-04-15 日亜化学工業株式会社 発光装置および面発光光源
KR102567653B1 (ko) * 2018-06-11 2023-08-17 삼성디스플레이 주식회사 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 표시 장치
JP7206746B2 (ja) * 2018-09-26 2023-01-18 富士フイルムビジネスイノベーション株式会社 定着部材、定着装置、プロセスカートリッジ及び画像形成装置
CN111087819A (zh) * 2018-10-23 2020-05-01 北京科化新材料科技有限公司 一种液体硅材料复合物及其制备方法和应用
US20200163209A1 (en) * 2018-11-20 2020-05-21 Wen Yao Chang Circuit board with substrate made of silicone
CN113226686B (zh) * 2018-12-04 2024-05-07 哈利玛化成株式会社 带硬涂层的模制树脂及其制造方法
CN109825212A (zh) * 2019-03-07 2019-05-31 昆山雅森电子材料科技有限公司 Led用高反射性超薄覆盖膜及其制备方法
JP7111041B2 (ja) * 2019-03-25 2022-08-02 信越化学工業株式会社 積層体の製造方法
WO2020211091A1 (en) 2019-04-19 2020-10-22 Materion Precision Optics (Shanghai) Limited High temperature resistant reflective layer for wavelength conversion devices
KR102149426B1 (ko) * 2019-05-13 2020-08-31 주식회사 레다즈 엘씨디 모듈 및 그 제조방법
US11447659B2 (en) * 2019-06-24 2022-09-20 The Johns Hopkins University Low solar absorptance coatings
CN110469787A (zh) * 2019-08-19 2019-11-19 深圳市百柔新材料技术有限公司 一种可印制led背光板的制作方法
JP7121294B2 (ja) * 2019-09-10 2022-08-18 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
CN110964323A (zh) * 2019-10-30 2020-04-07 安徽康宁油脂科技有限公司 一种高性能工业复合甘油及其制备方法
JP2021076753A (ja) * 2019-11-11 2021-05-20 株式会社朝日ラバー シリコーン樹脂製紫外線反射保護基材、その製造方法、及びそれに用いる原材料組成物
JPWO2021117400A1 (ja) * 2019-12-11 2021-06-17
DE102019134728A1 (de) * 2019-12-17 2021-06-17 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optische komponente, optoelektronisches halbleiterbauteil und verfahren zur herstellung einer optischen komponente
US11842944B2 (en) * 2019-12-26 2023-12-12 Intel Corporation IC assemblies including die perimeter frames suitable for containing thermal interface materials
JP7343220B2 (ja) * 2020-01-20 2023-09-12 岡本硝子株式会社 レジストインク
JPWO2021166431A1 (ja) 2020-02-18 2021-08-26
WO2021166433A1 (ja) 2020-02-18 2021-08-26 富士フイルム株式会社 光源ユニット、表示装置、及び光源ユニット製造装置
JP7078863B2 (ja) * 2020-04-01 2022-06-01 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
CN111552166B (zh) * 2020-04-03 2021-05-25 维沃移动通信有限公司 电子设备、交互方法及装置
JP7337025B2 (ja) * 2020-05-01 2023-09-01 株式会社小糸製作所 車両用灯具
KR20230015314A (ko) * 2020-05-22 2023-01-31 도레이 카부시키가이샤 Led 기판, 적층체, 및 led 기판의 제조 방법
US11865200B2 (en) 2020-10-02 2024-01-09 Michael E. Stein Chemical composition and related methods
JP7305236B2 (ja) * 2020-10-05 2023-07-10 株式会社朝日ラバー 紫外線ｌｅｄ用光学部材
CN112251088B (zh) * 2020-10-22 2022-03-11 重庆建谊祥科技有限公司 双氟处理液、制备方法及镁合金建筑模板表面处理方法
CN112266571A (zh) * 2020-10-26 2021-01-26 东莞市鑫聚光电科技股份有限公司 一种pdlc调光膜
CN114958063B (zh) * 2021-02-25 2023-11-17 合肥京东方光电科技有限公司 组合物、基板及反光层的制备方法
WO2022209840A1 (ja) * 2021-03-30 2022-10-06 株式会社朝日ラバー 紫外線反射材、その製造方法、及びそれの原材料組成物
CN113443487B (zh) * 2021-08-30 2021-11-23 常州欣盛半导体技术股份有限公司 Fpc烘烤箱用转向调节装置
CN115212591B (zh) * 2021-09-27 2023-09-29 江门市尚逸家居用品有限公司 一种拼图玩具组件
CN114023899A (zh) * 2021-10-25 2022-02-08 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
JP2023173245A (ja) * 2022-05-25 2023-12-07 北陽電機株式会社 反射ミラー部材、光電センサ、および光測距装置
CN115248469B (zh) * 2022-07-11 2023-09-12 中国科学院上海技术物理研究所 一种长波红外宽波段吸收结构
CN115407554A (zh) * 2022-08-16 2022-11-29 昆山锦林光电材料有限公司 一种小型led背光模组反光白胶封装结构
CN115418164B (zh) * 2022-09-16 2024-03-26 奥创特新(苏州)科技有限公司 一种高温热反射材料及其施工工艺
WO2024084965A1 (ja) * 2022-10-18 2024-04-25 東京エレクトロン株式会社 回折格子の形成方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007129053A (ja) * 2005-11-02 2007-05-24 Citizen Electronics Co Ltd Ｌｅｄ発光装置。
JP2009135485A (ja) * 2007-11-07 2009-06-18 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体発光装置及びその製造方法
JP2009164275A (ja) * 2007-12-28 2009-07-23 Asahi Rubber:Kk シリコーン樹脂基材
JP2009269337A (ja) * 2008-05-09 2009-11-19 Taika:Kk 熱伝導性シート、熱伝導性シート積層体及びその製造方法
JP2010004035A (ja) * 2008-05-22 2010-01-07 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体発光装置、照明装置、および画像表示装置
JP2010274540A (ja) * 2009-05-29 2010-12-09 Mitsubishi Plastics Inc 白色フィルム、金属積層体、ｌｅｄ搭載用基板及び光源装置
JP2010283244A (ja) * 2009-06-05 2010-12-16 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体発光装置、照明装置、及び画像表示装置

Family Cites Families (81)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4087585A (en) * 1977-05-23 1978-05-02 Dow Corning Corporation Self-adhering silicone compositions and preparations thereof
JPS61103931A (ja) * 1984-10-26 1986-05-22 Shin Etsu Polymer Co Ltd シリコ−ンゴム成形体の製造方法
US4544696A (en) * 1984-10-29 1985-10-01 Sws Silicones Corporation Silicone elastomers having thermally conductive properties
JPS62223722A (ja) * 1986-03-25 1987-10-01 Canon Inc 光変調素子用材料
JP3029680B2 (ja) * 1991-01-29 2000-04-04 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 オルガノペンタシロキサンおよびその製造方法
JPH05315654A (ja) * 1992-05-08 1993-11-26 Denki Kagaku Kogyo Kk 発光ダイオードランプ
JPH06329803A (ja) * 1993-05-24 1994-11-29 Shin Etsu Chem Co Ltd 電気接点障害のないシリコーン製品
JP2879773B2 (ja) * 1993-05-31 1999-04-05 京セラ株式会社 画像装置及びその製造方法
US5599894A (en) * 1994-06-07 1997-02-04 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Silicone gel compositions
JP3031184B2 (ja) * 1994-11-22 2000-04-10 株式会社コスモテック シリコーンゴム粘着シート及びその製造方法
JPH1077413A (ja) * 1996-08-30 1998-03-24 Toray Dow Corning Silicone Co Ltd 加熱硬化性シリコーンゴム組成物
US6468638B2 (en) 1999-03-16 2002-10-22 Alien Technology Corporation Web process interconnect in electronic assemblies
JP3704286B2 (ja) 1999-11-17 2005-10-12 信越化学工業株式会社 酸化チタン充填付加反応硬化型シリコーンゴム組成物及びその硬化物
JP4735910B2 (ja) * 2000-09-28 2011-07-27 Ｄｉｃ株式会社 水性インク組成物
JP2002258020A (ja) * 2001-02-19 2002-09-11 Three M Innovative Properties Co 反射シート及び反射膜
JP2002265901A (ja) * 2001-03-15 2002-09-18 Fujimori Kogyo Co Ltd 剥離シートの製造方法
JP4101468B2 (ja) * 2001-04-09 2008-06-18 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
US6632892B2 (en) * 2001-08-21 2003-10-14 General Electric Company Composition comprising silicone epoxy resin, hydroxyl compound, anhydride and curing catalyst
JP2003185813A (ja) * 2001-12-21 2003-07-03 Mitsui Chemicals Inc 反射体およびその用途
JP4121874B2 (ja) 2002-03-13 2008-07-23 日世株式会社 生分解性成形物の製造方法およびそれに用いる成形型
JP4180844B2 (ja) 2002-06-06 2008-11-12 昭和電工株式会社 硬化性難燃組成物、その硬化物及びその製造方法
US6800373B2 (en) 2002-10-07 2004-10-05 General Electric Company Epoxy resin compositions, solid state devices encapsulated therewith and method
US7445769B2 (en) * 2002-10-31 2008-11-04 Cadbury Adams Usa Llc Compositions for removing stains from dental surfaces and methods of making and using the same
JP4774201B2 (ja) 2003-10-08 2011-09-14 日亜化学工業株式会社 パッケージ成形体及び半導体装置
US7403008B2 (en) * 2004-08-02 2008-07-22 Cornell Research Foundation, Inc. Electron spin resonance microscope for imaging with micron resolution
JP4803342B2 (ja) * 2004-10-19 2011-10-26 信越化学工業株式会社 耐擦傷性表面被膜形成用シリコーンコーティング組成物及びそれを用いた被覆物品
JP2006124600A (ja) * 2004-11-01 2006-05-18 Teijin Chem Ltd 光高反射性ポリカーボネート樹脂組成物およびその製造方法
JP4634810B2 (ja) * 2005-01-20 2011-02-16 信越化学工業株式会社 シリコーン封止型ｌｅｄ
EP1845133B1 (en) * 2005-01-24 2015-10-14 Momentive Performance Materials Japan LLC Silicone composition for encapsulating luminescent element and luminescent device
AT501491B1 (de) * 2005-02-18 2007-03-15 Knorr Bremse Gmbh Dichtungsprofil
JP4371234B2 (ja) 2005-03-03 2009-11-25 信越化学工業株式会社 フレキシブル金属箔ポリイミド積層板
EP1710847B1 (en) * 2005-04-08 2014-09-17 Nichia Corporation Light emitting device with silicone resin layer formed by screen printing
JP4634856B2 (ja) 2005-05-12 2011-02-16 利昌工業株式会社 白色プリプレグ、白色積層板、及び金属箔張り白色積層板
TWI256737B (en) * 2005-05-19 2006-06-11 Pi-Fu Yang One-block light-emitting device and manufacturing method thereof
JP2006343445A (ja) 2005-06-08 2006-12-21 Mitsubishi Engineering Plastics Corp 光反射材及びその製造法
KR100984733B1 (ko) * 2005-08-04 2010-10-01 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광 장치 및 그 제조 방법 및 성형체 및 밀봉 부재
WO2007034919A1 (ja) * 2005-09-22 2007-03-29 Mitsubishi Chemical Corporation 半導体発光デバイス用部材及びその製造方法、並びにそれを用いた半導体発光デバイス
US8017687B2 (en) * 2005-11-15 2011-09-13 Momentive Performance Materials Inc. Swollen silicone composition and process of producing same
US7863361B2 (en) * 2005-11-15 2011-01-04 Momentive Performance Materials Inc. Swollen silicone composition, process of producing same and products thereof
JP4518013B2 (ja) * 2005-12-14 2010-08-04 Ｔｄｋ株式会社 電子部品
WO2007072659A1 (ja) 2005-12-20 2007-06-28 Toshiba Lighting & Technology Corporation 発光装置
WO2007074892A1 (ja) * 2005-12-26 2007-07-05 Teijin Limited 透明フィルム
WO2007074813A1 (ja) * 2005-12-26 2007-07-05 Kaneka Corporation 硬化性組成物
JP5232369B2 (ja) * 2006-02-03 2013-07-10 日立化成株式会社 光半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法およびこれを用いた光半導体装置の製造方法
JP2007270054A (ja) 2006-03-31 2007-10-18 Jsr Corp 金属酸化物微粒子含有ポリシロキサン組成物およびその製造方法
WO2007145711A1 (en) * 2006-06-05 2007-12-21 Dow Corning Corporation Electronic package and method of preparing same
EP2056364A4 (en) * 2006-08-11 2013-07-24 Mitsubishi Chem Corp LIGHTING APPARATUS
US8502364B2 (en) * 2006-08-22 2013-08-06 Mitsubishi Chemical Corporation Semiconductor device member, production method of semiconductor-device-member formation liquid and semiconductor device member, and semiconductor-device-member formation liquid, phosphor composition, semiconductor light-emitting device, lighting system and image display system using the same
ATE530946T1 (de) 2006-08-22 2011-11-15 Konica Minolta Holdings Inc Anzeigeelement
TW200821632A (en) * 2006-08-23 2008-05-16 Mitsui Chemicals Inc Light reflector and light source having same
US20090246499A1 (en) * 2006-10-05 2009-10-01 Dimitris Katsoulis Silicone Resin Film and Method of Preparing Same
US20080117619A1 (en) * 2006-11-21 2008-05-22 Siew It Pang Light source utilizing a flexible circuit carrier and flexible reflectors
JP2008143981A (ja) 2006-12-07 2008-06-26 Three M Innovative Properties Co 光反射性樹脂組成物、発光装置及び光学表示装置
US20080144322A1 (en) * 2006-12-15 2008-06-19 Aizar Abdul Karim Norfidathul LED Light Source Having Flexible Reflectors
JP2008159713A (ja) * 2006-12-21 2008-07-10 Momentive Performance Materials Japan Kk 発光装置
JP2008187030A (ja) 2007-01-30 2008-08-14 Stanley Electric Co Ltd 発光装置
JP2008222828A (ja) 2007-03-12 2008-09-25 Momentive Performance Materials Japan Kk 凸レンズ形成用シリコーンゴム組成物及びそれを用いた光半導体装置
JP2008225326A (ja) * 2007-03-15 2008-09-25 Mitsubishi Plastics Ind Ltd 反射フィルム及び反射板
JP4973279B2 (ja) 2007-03-29 2012-07-11 豊田合成株式会社 発光装置及びその製造方法
JP2008251316A (ja) 2007-03-30 2008-10-16 Hitachi Ltd プラズマディスプレイパネル及びその製造方法
JP4771179B2 (ja) * 2007-05-31 2011-09-14 東芝ライテック株式会社 照明装置
JP2009021394A (ja) * 2007-07-12 2009-01-29 Nitto Denko Corp 光半導体素子収納用実装パッケージ用樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体発光装置
JP2009046658A (ja) * 2007-07-23 2009-03-05 Sony Corp 硬化性樹脂材料−微粒子複合材料及びその製造方法、光学材料、並びに発光装置
US20090032829A1 (en) 2007-07-30 2009-02-05 Tong Fatt Chew LED Light Source with Increased Thermal Conductivity
US7968899B2 (en) 2007-08-27 2011-06-28 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. LED light source having improved resistance to thermal cycling
JP5315654B2 (ja) 2007-09-20 2013-10-16 横浜ゴム株式会社 空気入りタイヤ
JP2009103915A (ja) * 2007-10-23 2009-05-14 Fuji Xerox Co Ltd 光導波路フィルム及びその製造方法、並びに、光送受信モジュール
US8017246B2 (en) * 2007-11-08 2011-09-13 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Silicone resin for protecting a light transmitting surface of an optoelectronic device
JP2009129801A (ja) * 2007-11-27 2009-06-11 Denki Kagaku Kogyo Kk 金属ベース回路基板
JP4623322B2 (ja) * 2007-12-26 2011-02-02 信越化学工業株式会社 光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物並びに光半導体ケース及びその成形方法
JP2009173773A (ja) * 2008-01-24 2009-08-06 Toshiba Corp シリコーン樹脂組成物および半導体装置
JP5064254B2 (ja) 2008-01-30 2012-10-31 日東電工株式会社 光半導体素子封止用樹脂シートおよび光半導体装置
JP2009224538A (ja) * 2008-03-17 2009-10-01 Citizen Holdings Co Ltd 半導体発光装置
JP2009235279A (ja) * 2008-03-27 2009-10-15 Shin Etsu Chem Co Ltd 熱伝導性成形体およびその製造方法
JP2009244551A (ja) 2008-03-31 2009-10-22 Konica Minolta Business Technologies Inc 画像表示装置用表示粒子および画像表示装置
JP5355030B2 (ja) * 2008-04-24 2013-11-27 シチズンホールディングス株式会社 Ｌｅｄ光源及びｌｅｄ光源の色度調整方法
JP2009275196A (ja) * 2008-05-19 2009-11-26 Sony Corp 硬化性樹脂材料組成物、光学材料、発光装置及びその製造方法、並びに電子デバイス
JP5289835B2 (ja) * 2008-06-25 2013-09-11 シャープ株式会社 発光装置およびその製造方法
WO2010064725A1 (ja) 2008-12-03 2010-06-10 新日本製鐵株式会社 塗装金属材及びその製造方法
JP2010232252A (ja) 2009-03-26 2010-10-14 Unon Giken:Kk 白色反射層を有するカバーレイフィルム
KR101821101B1 (ko) 2009-06-26 2018-01-22 가부시키가이샤 아사히 러버 백색 반사재 및 그 제조방법

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007129053A (ja) * 2005-11-02 2007-05-24 Citizen Electronics Co Ltd Ｌｅｄ発光装置。
JP2009135485A (ja) * 2007-11-07 2009-06-18 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体発光装置及びその製造方法
JP2009164275A (ja) * 2007-12-28 2009-07-23 Asahi Rubber:Kk シリコーン樹脂基材
JP2009269337A (ja) * 2008-05-09 2009-11-19 Taika:Kk 熱伝導性シート、熱伝導性シート積層体及びその製造方法
JP2010004035A (ja) * 2008-05-22 2010-01-07 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体発光装置、照明装置、および画像表示装置
JP2010274540A (ja) * 2009-05-29 2010-12-09 Mitsubishi Plastics Inc 白色フィルム、金属積層体、ｌｅｄ搭載用基板及び光源装置
JP2010283244A (ja) * 2009-06-05 2010-12-16 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体発光装置、照明装置、及び画像表示装置

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019003981A1 (ja) 2017-06-26 2019-01-03 テクノＵｍｇ株式会社 熱可塑性樹脂組成物並びにその樹脂成形品及び塗装加工品
JP6429049B1 (ja) * 2017-08-04 2018-11-28 鼎展電子股▲分▼有限公司 可撓性ｌｅｄ素子と可撓性ｌｅｄ表示パネル
JP2019033240A (ja) * 2017-08-04 2019-02-28 鼎展電子股▲分▼有限公司 可撓性ｌｅｄ素子と可撓性ｌｅｄ表示パネル
KR20200064073A (ko) * 2017-09-29 2020-06-05 히타치가세이가부시끼가이샤 파장 변환 부재, 백라이트 유닛, 화상 표시 장치, 파장 변환용 수지 조성물 및 파장 변환용 수지 경화물
KR102225709B1 (ko) 2017-09-29 2021-03-09 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 파장 변환 부재, 백라이트 유닛, 화상 표시 장치, 파장 변환용 수지 조성물 및 파장 변환용 수지 경화물
JP2019129305A (ja) * 2018-01-26 2019-08-01 鼎展電子股▲分▼有限公司 可撓性マイクロ発光ダイオード表示モジュール
JPWO2020111180A1 (ja) * 2018-11-30 2021-10-14 デンカ株式会社 積層体
JP7300464B2 (ja) 2018-11-30 2023-06-29 デンカ株式会社 積層体
KR102127425B1 (ko) * 2019-01-10 2020-06-26 미르텍알앤디 주식회사 마이크로 콘택트 핀 조립체

Also Published As

Publication number Publication date
JP2018180551A (ja) 2018-11-15
WO2011118108A1 (ja) 2011-09-29
CN102893417B (zh) 2016-06-15
JP2011221518A (ja) 2011-11-04
JP2014129549A (ja) 2014-07-10
US11326065B2 (en) 2022-05-10
JP6157118B2 (ja) 2017-07-05
JP6363756B2 (ja) 2018-07-25
JP6581695B2 (ja) 2019-09-25
EP2551929A4 (en) 2013-08-14
US9574050B2 (en) 2017-02-21
US20130011617A1 (en) 2013-01-10
JP5519774B2 (ja) 2014-06-11
KR20170066684A (ko) 2017-06-14
JP5836420B2 (ja) 2015-12-24
WO2011118109A1 (ja) 2011-09-29
JPWO2011118109A1 (ja) 2013-07-04
JP5770502B2 (ja) 2015-08-26
CN102893417A (zh) 2013-01-23
JPWO2011118108A1 (ja) 2013-07-04
EP2551929A1 (en) 2013-01-30
CN106025053B (zh) 2020-01-10
US10533094B2 (en) 2020-01-14
KR20130038847A (ko) 2013-04-18
JP2020013142A (ja) 2020-01-23
US20200095430A1 (en) 2020-03-26
KR101853598B1 (ko) 2018-04-30
EP3490015A1 (en) 2019-05-29
JP6717512B2 (ja) 2020-07-01
US20170114226A1 (en) 2017-04-27
CN106025053A (zh) 2016-10-12
HK1179048A1 (zh) 2013-09-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6581695B2 (ja) 可撓性反射基材、その製造方法及びその反射基材に用いる原材料組成物
JP5746620B2 (ja) 白色反射材及びその製造方法
JP5149529B2 (ja) 照明用光学部品及びそれを用いた照明器具
JP2010265437A (ja) 熱硬化性シリコーン樹脂用組成物
CN110268019B (zh) 可固化的硅酮组合物
WO2022209840A1 (ja) 紫外線反射材、その製造方法、及びそれの原材料組成物
JP2021076753A (ja) シリコーン樹脂製紫外線反射保護基材、その製造方法、及びそれに用いる原材料組成物
JP6344881B2 (ja) 反射材の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180529

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180628

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6363756

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250