JP7121294B2 - 発光装置の製造方法 - Google Patents

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Description

本開示は、発光装置の製造方法に関する。
発光装置の製造に用いられる基板において、基板より剛性の高い板状の補強材を基板に接合させることが知られている(例えば、特許文献1)。これにより、基板の反り変形を抑制することができる。
特開2015-76604号公報
しかしながら、上記の方法は、補強材と基板を接合させる構造であり、それぞれの材料に線膨張差がある場合、熱変化による伸縮差で反りを招くため、材料の選択に制限がある。
また、接合するための工程を別途必要とするため、工数が余分にかかってしまう。
実施形態に係る発光装置の製造方法は、以下の工程を含む。
複数の発光装置が形成される第1領域と、前記第1領域を囲む第2領域と、を備える基板を準備する基板準備工程と、
前記第1領域に複数の発光素子を載置する素子載置工程と、
前記第2領域上に補強部材を載置する補強部材配置工程と、
前記補強部材及び前記発光素子と接するように前記補強部材よりも剛性の小さい封止部材を形成して硬化させる封止部材形成工程と、
前記基板と、前記補強部材と、前記封止部材とを切断して個々の発光装置に分離する個片化工程と、
を備える発光装置の製造方法。
以上により、比較的簡便な方法により、基板の反りを抑制することが可能な発光装置の製造方法を提供することができる。
実施形態に係る発光装置の製造方法を用いて作製した発光装置の概略斜視図である。 図1BのIB-IB線における概略断面図である。 実施形態に係る発光装置の製造方法を示す概略平面図である。 図2Aの一部の領域Aを拡大して示す概略平面図である。 図2BのIIC-IICにおける概略断面図である。 実施形態に係る発光装置の製造方法を示す概略平面図である。 図3AのIIIB-IIIB線における概略断面図である。 実施形態に係る発光装置の製造方法を示す概略平面図である。 図4AのIVB-IVB線における概略断面図である。 実施形態に係る発光装置の製造方法を示す概略平面図である。 図5AのVB-VB線における概略断面図である。 実施形態に係る発光装置の製造方法を示す概略平面図である。 図6AのVIB-VIB線における概略断面図である。 実施形態に係る発光装置の製造方法を示す概略平面図である。 図7AのVIIB-VIIB線における概略断面図である。 実施形態に係る発光装置の製造方法を示す概略平面図である。 図8AのVIIIB-VIIIB線における概略断面図である。 実施形態に係る発光装置の製造方法を示す概略平面図である。 図9AのIXB-IXB線における概略断面図である。 実施形態に係る発光装置の製造方法を示す概略平面図である。 図10AのXB-XB線における概略断面図である。 図10Aの一部の領域Aを拡大して示す概略平面図である。 図10CのXD-XD線における概略断面図である。 実施形態に係る発光装置の製造方法を示す概略平面図である。 図11AのXIB-XIB線における概略断面図である。 実施形態に係る発光装置の製造方法を示す概略平面図である。 図12AのXIIB-XIIB線における概略断面図である。 実施形態に係る発光装置の製造方法を示す概略平面図である。 図13AのXIIIB-XIIIB線における概略断面図である。 実施形態に係る発光装置の製造方法を示す概略平面図である。 図14AのXIVB-XIVB線における概略断面図である。 実施形態に係る発光装置の製造方法を示す概略断面図である。
以下、発明の実施の形態について適宜図面を参照して説明する。但し、以下に説明する発光装置の製造方法は、本発明の技術思想を具体化するためのものであって、特定的な記載がない限り、本発明を以下のものに限定しない。また、図面が示す部材の大きさや位置関係は、説明を明確にするため、誇張していることがある。また、基板、基体、補強部材、透光性部材、封止部材等の部材は、硬化の前後において、また、切断の前後において、同じ名称を用いるものとする。
図1Aは、実施形態の発光装置の製造方法を用いて得られた発光装置100の一例を示す概略斜視図であり、図1Bは図1AのIB-IB線における概略断面図である。
発光装置100は、基板10と発光素子30と透光性部材50と封止部材60とを含む。基板10は、基体11と、導電部材12とを有する。導電部材12は、第1導電部材121と第2導電部材122とを備える。
第1導電部材121は、基体11の上面に設けられた第1ランド電極121aと、基体11の下面に設けられた第1端子電極121dと、第1接続電極121eと、を有する。第1ランド電極121aは、第1下部電極121cと第1下部電極121cの上に設けられた第1凸部121bとを含む。また、第1ランド電極121aは、第1ランド電極121aの直下に設けられた基体11を貫通する貫通孔の側面に形成された第1接続電極121eによって第1端子電極121dに接続されている。
同様に、第2導電部材121は、基体11の上面に設けられた第2ランド電極122aと、基体11の下面に設けられた第2端子電極122dと、第2接続電極2e、を有する。第2ランド電極122aは、第2下部電極122cと第2下部電極122cの上に設けられた第2凸部122bとを含む。また、第2ランド電極122aは、第2ランド電極122aの直下に設けられた基体11を貫通する貫通孔の側面に形成された第2接続電極122eによって第2端子電極122dに接続されている。
第1接続電極121e及び第2接続電極122eは、それぞれ基体11の貫通孔の内壁に設けられており、貫通孔において第1接続電極121e及び第2接続電極122eの内側にはそれぞれ、例えば、エポキシ樹脂等の充填材が設けられている。
発光素子30は、例えば、素子基板34と素子基板34の一方の主面に設けられた半導体積層体33とを含む。また、発光素子30は、同一面側である半導体積層体33の表面に設けられたp側電極31とn側電極32とを備える。p側電極31は第1凸部121bに導電性接着部材20を介して接続され、n側電極32は第2凸部122bに導電性接着部材20を介して接続されるようにフリップチップ実装されている。p側電極31は半導体積層体33のp型半導体層に接触し、n側電極32は半導体積層体33のn型半導体層に接触している。また、発光素子30において、p側電極31とn側電極32とが形成された面の反対側の素子基板34の表面が発光素子30の主発光面である。
透光性部材50は、発光素子30からの光を透過させることができる部材であり、発光装置100の発光面を構成する。透光性部材50は、発光素子30からの光を異なる波長に変換する波長変換物質を含んでもよい。また、透光性部材50は、単層又は複数層であってもよい。例えば、透光性部材50として、樹脂からなる母材中に波長変換物質を含んでなる第1透光性部材51と、実質的に波長変換物質を含んでいない第2透光性部材52との積層構造であってもよい。
封止部材60は、発光素子30を保護する部材であり、例えば、樹脂からなる母材中に白色顔料を含む光反射性の樹脂部材である。封止部材60は、基板上において発光素子30の側面を被覆する。図2に示す発光装置100では、導光部材40及び透光性部材50を備えており、封止部材60は、これらの側面を被覆している。封止部材60は、発光素子30及び透光性部材50等の側面を全周にわたって包囲している。また、透光性部材50の上面と封止部材60の上面は、実質的に同一面を構成している。
以下、実施形態に係る発光装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。実施形態に係る発光装置の製造方法は、それぞれ発光素子を含む複数の発光装置を集合状態で形成した後に個々の発光装置に分離する発光装置の製造方法である。詳細には、発光装置の製造方法は、基板準備工程と、素子載置工程と、補強部材配置工程と、封止部材形成工程と、個片化工程と、を含む。
本実施形態において、基板10と補強部材70とは、封止部材60形成前において接着剤等で接着していない。基板10と補強部材70とは、成型に用いる金型内の位置決めピン等により互いの位置が大きくずれないように配置されている。こうして配置された補強部材70は、封止部材60の形成時に、基板10と封止部材60で一体的に成形され、補強部材70は封止部材60と接着する。
ここで、補強部材70の剛性は、封止部材60の剛性よりも大きい。換言すると、封止部材60の剛性は、補強部材70の剛性よりも小さい。剛性は、曲げやねじりの力に対する、変形のしづらさの度合いのことであり、材質と厚みと形状から決定されるもので、この値が大きいほど、一定荷重に対する変形が小さい。
また、補強部材70の線膨張係数は、封止部材60よりも小さい。線膨張係数は、温度変化による体積変化の度合いであり、この値が小さいほど、温度変化による体積変化が少ない。つまり、封止部材60を形成する際に、一定荷重に対する変形が小さく、熱変化による体積変化が少ない補強部材70と接する状態で、封止部材60を硬化させることで、補強部材70が封止部材60の変形を抑制することができる。こうして封止部材60の変形を抑制することによって、封止部材60の変形で発生する基板10の反りを抑制して発光装置を製造することができる。
以下、各工程について詳細に説明する。
<基板準備工程>
基板準備工程は、基体11と、その基体11の上面等に設けられた導電部材12と、を備える基板10を準備する工程である。図2Aは、実施形態に係る発光装置の製造方法に使用する基板10の全体構成を示す概略平面図である。図2Bは、図2Aに示す破線で囲まれた領域Aを拡大した一部拡大図であり、1つの第1領域111と、それを囲む第2領域112の一部及び第3領域113の一部を含む図である。図2Cは、図2BのIIC-IIC線における概略端面図である。
基板10は、例えば、上面視形状が図2Aに示すような四角形であり、第1領域111と、第1領域111を囲む第2領域122と、を備える。第1領域111は、発光素子が実装される実装領域を含む領域である。第2領域112は、発光素子が実装されない領域であり、個片化された発光装置には含まれない領域である。
基板10は、1又は複数の第1領域111を備えることができ、図2Aでは、6つの第1領域111を備える基板10を例示している。このように、第1領域11が複数配置されている場合は、その複数の第1領域111の全てを囲む領域を第2領域112とする。また、図2Aに示すように、第2領域112に囲まれた領域に、複数の第1領域111を備える場合は、第1領域111と隣接する第1領域111の間の領域を第3領域113と称する。第3領域113は、第2領域112と同様に、補強部材を配置可能な領域である。
複数の第1領域111は、例えば、1又は複数の行及び列をなして配列される。本明細書において、X方向に配列されたものを列といい、Y方向に配列されたものを行という。図2Aに示す例では、6つの第1領域111は、3行×2列に配置されている。また、各第1領域111のそれぞれは、1つの発光装置100に対応して設けられた単位実装領域111uを複数含む。図2Bに示す例では、1つの単位実装領域111uは横長の長方形で図示しており、各第1領域111において複数の行及び列をなして配列される。例えば、1つの第1領域111には、40行×24列の単位実装領域111uを備えることができる。ここでは、単位実装領域111uを拡大して5行×3列で図示している。
基板10の単位実装領域111uにはそれぞれ、図2Bに示すように、第1ランド電極121a及び第2ランド電極122aが設けられる。第1ランド電極121aは、図2Cに示すような、第1下部電極121cと第1下部電極121cの上に設けられた第1凸部121bと、を含む。同様に、第2ランド電極122aは、第2下部電極122cと第2下部電極122cの上に設けられた第2凸部122bとを含む。
また、単位実装領域111uにおいて基板10の下面には、それぞれ第1端子電極121d及び第2端子電極122dが設けられる。各単位実装領域111uにおいて、第1ランド電極121aは、基板19に設けられた貫通孔の側面に形成された第1接続電極121eによって第1端子電極121dに接続されている。同様に、第2ランド電極122aは、基板10に設けられた貫通孔の側面に形成された第2接続電極122eによって第2端子電極122dに接続されている。
基板10は、主に切断工程において用いられるアライメントマーク13を備えることが好ましい。アライメントマーク13は、例えば、図2Aに示すように、2つのアライメントマーク13x、13yを組み合わせたものを用いることができる。アライメントマーク13xは、長手方向がX方向に一致するように形成され、アライメントマーク13yは、長手方向がY方向に一致するように形成される。具体的には、例えば、アライメントマーク13xは、X方向に延びる対向する長辺と、その長辺の端部をそれぞれ接続する半1状の端辺とを有するX方向に長い形状である。また、アライメントマーク13yは、Y方向に延びる対向する長辺と、その長辺の端部をそれぞれ接続する半円形状の端辺とを有するY方向に長い形状である。アライメントマーク13(13x、13y)は、例えば、図2Aに示すように、そのいずれかまたは双方が、各第1領域111の外側の隅部近傍の第2領域112内に配置される。
基板10は、主に封止部材形成工程において位置決め孔として用いられる貫通孔14を備えることが好ましい。貫通孔14は、基板10上に補強部材70を配置する際に、基板10と補強部材70との位置とを合わせるために用いられる。貫通孔14は、例えば、図2Aに示すように、形状の異なる2種の貫通孔14a、14bを組み合わせたものを用いることができる。貫通孔14aは、例えば円形状であり、封止部材形成工程で用いる位置決めピンの直径と等しくなるように形成される。また、貫通孔14bは、例えば長方形であり、短手方向の長さが位置決めピンの直径と等しくなるように形成される。貫通孔14(14a、14b)は、例えば、図2Aに示すように、そのいずれかまたは双方が、第2領域112内に配置される。
基板10としては、以下のような材料を用いることができる。基板10の母材である基体11は、線膨張係数が、例えば、20ppm/℃程度以下が好ましく、10ppm/℃程度以下がより好ましく、8ppm/℃程度以下、7ppm/℃程度以下、6ppm/℃程度以下、5ppm/℃程度以下、4ppm/℃程度以下、3.5ppm/℃程度以下がより好ましい。基体11の具体的な材料としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン(BT)樹脂、ポリイミド樹脂、シアネート樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、アルキッド樹脂、ウレタン樹脂等を用いることができる。基体11の厚みは、用いる材料、載置する発光素子の種類及び構造等にもよるが、例えば、470μm程度以下が好ましく、370μm程度以下、320μm程度以下、270μm、200μm、150μm、100μm程度以下がより好ましい。また、強度等を考慮すると、基体11の厚みは20μm程度以上が好ましい。基体11の大きさは、例えば、1辺が90mm~60mmの四角形とすることができる。第1領域111の大きさは、例えば、1辺が36mm~14mmの四角形とすることができる。第2領域112は、第1領域111を囲む枠の幅が、75mm~90mmとすることができる。第3領域113は、幅が50mm~78mmとすることができる。
<素子載置工程>
素子載置工程は、発光素子30を基板10上の第1領域111のそれぞれ所定の位置に載置し、接合する工程である。素子載置工程では、図3A、図3Bに示すように、基板10上の第1領域111に配置される第1ランド電極121a及び第2ランド122上aに1つの発光素子30をフリップチップ実装する。
素子載置工程で準備される発光素子30は、公知の半導体発光素子を利用することができる。本実施形態においては、発光素子30として発光ダイオードを例示する。発光素子30は、主に発光を取り出す主発光面と、主発光面と反対側の電極形成面に一対の電極を有する。
発光素子30は、例えば、図1Bに示すようにサファイア等の透光性の素子基板34と、半導体積層体33を備える。半導体積層体33は、発光層と、発光層を挟むn型半導体層およびp型半導体層とを含み、n型半導体層およびp型半導体層にn側電極32およびp側電極31がそれぞれ電気的に接続される。発光素子30は、例えば素子基板を備える主発光面が導光板と対向して配置され、主発光面と反対側の電極形成面に一対の電極を有する。
発光素子30は、任意の波長の光を出射する素子を選択することができる。例えば、青色、緑色の光を出射する素子としては、窒化物系半導体(InAlGa1-x-yN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)を用いることができる。また、これら以外の材料からなる半導体発光素子を用いることもできる。半導体層の材料およびその混晶度によって発光波長を種々選択することができる。用いる発光素子の組成、発光色、大きさ、個数などは、目的に応じて適宜選択すればよい。
発光素子30の大きさは、例えば、平面視において縦および横の寸法は1000μm以下が好ましく、より好ましくは縦および横の寸法が500μm以下であり、さらに好ましくは、縦および横の寸法が200μm以下である。
発光素子30を基板10上に載置する前に、まず、溶融性の導電性接着部材20を、基板10の導電部材12の第1凸部121b上と第2凸部122b上とに配置する。導電性接着部材20としては、例えば、PbSn等の共晶はんだや、AuSn合金、SnAgCu合金等が挙げられる。AuSn合金は、ボール状、半球状に形成することができる。また、導電性接着部材20を、ボール状で形成する場合(AuSn合金の場合)、その上に載置する発光素子の姿勢を安定させるために、AuSn合金のボールの上に仮止材を配置してもよい。仮止材としては、加熱により揮発する部材を用いることが好ましく、例えば、高沸点溶剤等が挙げられる。尚、AuSn合金がボール状でない場合、例えば、上面が平坦な導電性接着部材20の場合は、仮止材の配置は、省略することができる。
次に、発光素子30のp側電極31とn側電極32とが、それぞれ第1凸部121bと第2凸部122bに対向するように、発光素子30を基板10上に載置する。そして、発光素子30を載置した基板10を、リフロー炉などの加熱装置内に配置し、加熱することで導電性接着部材20を溶融させた後、冷却して硬化させる。加熱温度は、導電性接着部材20の融点よりも高い温度であり、例えば、290~330℃程度とすることができる。この加熱溶融させたとき、第1凸部121bと第2凸部122bとによるセルフアライメント効果により、第1凸部121bと第2凸部122bに対して、高い位置精度で発光素子30が実装される。
<透光性部材配置工程>
透光性部材配置工程は、発光素子30上に透光性部材50を配置する工程である。ここでは、透光性部材50を配置する方法として、あらかじめ成形された透光性部材50を、発光素子30上に載置する方法を例に挙げて説明する。
まず、図4A、図4Bに示すように、発光素子30の上に、接着剤となる液状の導光部材40を配置する。次いで、図5A、図5Bに示すように、導光部材40上に透光性部材50を載置した後、加熱することで導光部材40を硬化させる。導光部材40を配置する方法としては、ピンを用いて転写する方法、ディスペンサを用いてポッティングする方法等を挙げることができる。なお、本明細書における「液状」は、ゾル状、スラリー状を含むものとする。
あらかじめ成形された透光性部材50は、X方向に長くY方向に短い直方体状の小片であり、例えば、平面視において発光素子30より一回り大きさである。小片の透光性部材50は、例えば、大判の透光性部材を切断して得ることができ、あるいは、あらかじめ小片の透光性部材50を形成してもよい。成形された透光性部材50を、コレット等によって吸着してピックアップし、発光素子30の発光面上の導光部材40上に載置した後、導光部材40を硬化することで接合される。導光部材40の硬化方法は、加熱又は紫外線照射が挙げられる。
透光性部材50は、単一の層又は複数の層を備えていてもよい。例えば、波長変換物質を含む層と、実質的に波長変換物質を含まない層と、を2以上積層させた積層構造の透光性部材50とすることができる。
透光性部材50が積層構造体の場合、図1B、図5B等に示すように下側に波長変換物質を含む第1透光性部材51、その上に、実質的に波長変換物質を含まない第2透光性部材52が積層された積層構造体とすることが好ましい。これにより、例えば、後述する封止部材形成工程において、透光性部材50上の封止部材を研削等によって除去する際に、波長変換物質を含む層まで研削することなく封止部材を除去できる。これにより、発光素子30上に存在する波長変換物質の量のバラツキを小さくでき、発光装置の発光色のバラツキを小さくできる。波長変換物質を含む場合、母材となる樹脂100重量に対して、例えば、80重量%~120重量%の波長変換物質を混合させることができる。尚、波長変換物質を含む第1透光性部材51は、1種類の波長変換物質を含んでもよく、異なる組成の波長変換物質を2種以上含んでもよい。また、第1透光性部材51を積層構造としてもよく、例えば、緑色発光可能な蛍光体を下層とし、赤色発光可能な蛍光体を上層とするなどの積層構造としてもよい。
波長変換物質としては、例えば、緑色発光する蛍光体としては、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(例えばY(Al,Ga)12:Ce)、ルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(例えばLu(Al,Ga)12:Ce)、テルビウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(例えばTb(Al,Ga)12:Ce)系蛍光体、シリケート系蛍光体(例えば(Ba,Sr)SiO:Eu)、クロロシリケート系蛍光体(例えばCaMg(SiOCl:Eu)、βサイアロン系蛍光体(例えばSi6-zAl8-z:Eu(0<z<4.2))、SGS系蛍光体(例えばSrGa:Eu)などが挙げられる。黄色発光の蛍光体としては、αサイアロン系蛍光体(例えばM(Si,Al)12(O,N)16(但し、0<z≦2であり、MはLi、Mg、Ca、Y、及びLaとCeを除くランタニド元素)などが挙げられる。このほか、上記緑色発光する蛍光体の中には黄色発光する蛍光体もある。また例えば、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体は、Yの一部をGdで置換することで発光ピーク波長を長波長側にシフトさせることができ、黄色発光が可能である。また、これらの中には、橙色発光が可能な蛍光体もある。
赤色発光する蛍光体としては、窒素含有アルミノ珪酸カルシウム(CASN又はSCASN)系蛍光体(例えば(Sr,Ca)AlSiN:Eu)などが挙げられる。このほか、マンガン賦活フッ化物系蛍光体(一般式(I)A[M1-aMn]で表される蛍光体である(但し、上記一般式(I)中、Aは、K、Li、Na、Rb、Cs及びNHからなる群から選ばれる少なくとも1種であり、Mは、第4族元素及び第14族元素からなる群から選ばれる少なくとも1種の元素であり、aは0<a<0.2を満たす))が挙げられる。このマンガン賦活フッ化物系蛍光体の代表例としては、マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体(例えばKSiF:Mn)がある。
あらかじめ成形された透光性部材50を発光素子30上にそれぞれ接着した後、透光性部材50の外形を所定のサイズに調整する加工工程を含んでいてもよい。この加工工程は、例えば、ダイサーを用いて、水を吹き付けることなくドライ研削により透光性部材50の側面を研削することが好ましい。ドライ研削によると、水分による波長変換物質の変色を防止することができる。また、この加工工程では、研削用のブレードをアライメントマーク3x、3yにより位置決めして精度よく実施できる。また、加工後の削り屑の洗浄は、例えば、ドライアイスを使用し洗浄することにより、波長変換物質の水分による変色を防止することができる。
なお、透光性部材50は、上述のようにあらかじめ成形された透光性部材50を用いるほか、液状の透光性部材50を発光素子30上にポッティング法やスプレー法で形成し、硬化してもよい。その場合は、導光部材40の配置を省略することができる。また、ポッティング法やスプレー法で透光性部材50を形成する場合は、発光素子30の上面が露出するように後述の封止部材60を形成した後、又は、発光素子30の上面を埋設する封止部材60を形成した後、研削等によって発光素子30の上面を露出させた後に、透光性部材50をポッティング法やスプレー法で形成する。
<補強部材配置工程>
次に、補強部材を、基板10の第2領域112の上に配置する。補強部材は、基板10と接着剤等を用いて貼付けることなく、基板10上に載置するのみである。ただし、位置合わせのために、ピン、ねじ、固定用の冶具等により、基板10と補強部材0との位置が大きくずれないように設置されることが好ましい。
基板10の第2領域112上及び/または第3領域113上に、補強部材が配置される。基板10の第1領域111上は、補強部材は配置されない。
補強部材は、第2領域112のうち、第1領域111により近い位置に配置することが好ましく、例えば、第1領域111の端部から補強部材70の端部までの距離が5mm以下であることが好ましい。
補強部材の大きさは、基板10の大きさと同じか、それよりも小さくすることが好ましい。さらに、補強部材は、1つの基板10に対して、1又は複数個配置することができる。1つの補強部材は、X方向又はY方向において、少なくとも1つの第1領域111の長さの少なくとも60%以上の長さで形成することが好ましく、より好ましくは、1つの第1領域111の長さの少なくとも100%以上の長さで形成することが好ましい。
また、補強部材は、第1領域111を取り囲む第2領域112の全ての領域の上に配置されていてもよく、または、第2領域112の一部の上に配置することができる。基板10が、複数の第1領域111を備え、その第1領域111間に第3領域113を備える場合は、第3領域113の上に補強部材70を配置することができる。この場合、第2領域112の上のみ、又は、第3領域113の上のみに、補強部材を配置してもよく、第2領域112上と第3領域113上の両方に、補強部材を配置してもよい。
また、補強部材の厚みは、発光素子30の上面よりも高くなる厚みが好ましい。さらに、後述の工程において発光素子30上に透光性部材50が配置される場合は、透光性部材50の上面よりも高くなる厚みが好ましい。例えば、補強部材の厚みは、100μm~500μmの厚みとすることが好ましい。
また、補強部材の厚みは、全て同じでなくてもよい。つまり、補強部材の上面の高さが異なる部分を備えていてもよい。あるいは、補強部材の下面が、基板10と接していない部分を備えていてもよい。換言すると、補強部材の一部は、その上面及び/又は下面が、封止部材と接していてもよい。例えば、補強部材が外枠となる第1補強部材と、内枠となる第2補強部材を備える場合、第2補強部材の厚みを、第1補強部材よりも薄くすることで、第2補強部材の上面及び下面に接するように封止部材を形成することができる。
補強部材の断面視形状は、例えば、上面が平面な四角形の形状とすることができる。ただし、これに限らず、補強部材の断面視形状は、半円形、半楕円形、放物曲面、等の形状や、上面が凹面である形状や、上面が凸曲面で側面が略垂直である形状、台形等の形状であってもよい。
また、補強部材の幅(第1補強部材の幅、又は、第2補強部材の幅)は、例えば、1mm~5mmとすることができる。
補強部材の材料は、剛性が、硬化後の封止部材60の剛性よりも大きい材料が好ましい。また、補強部材の材料は、基板10より高い剛性を有することが好ましい。さらに、補強部材の材料は、反り変形防止に優れた材料を使用することが好ましい。補強部材の材料は、例えば、金属、ポリマー複合材、薄型金属層接合材などが挙げられる。具体的には、金属としては銅、ステンレス、等が挙げられる。さらに、ポリマー複合材としては、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、ハイブリッドシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ガラスエポキシ、ビスマレイミドトリアジン(BT)、ポリイミド等が挙げられる。これらは単独で、あるいは、2つ以上を組み合わせて用いることができる。例えば、金属板とポリマー複合材を貼り合わせたものなどを用いることができる。
また、補強部材がポリマー複合材の場合、複合材として、フィラーを含有していてもよい。フィラーとしては、アルミナ、シリカ、チタニア、アルミノほう珪酸ガラスから選択される少なくとも1つを含むことができる。フィラーの配合量は、例えば、母材である樹脂に対して1重量%以上80重量%以下とすることができる。
図6A、図6Bに示す例は、図2A、図2Bに示す6つの第1領域111を含む基板10全体と、その上に配置される補強部材70を示すものである。ここでは、発光素子等、基板10の上に載置されている部材を省略して図示している。尚、図7A~図10Bにおいても、発光素子等は省略して図示している。
図6A、図6Bに示す例では、補強部材70は、基板10上の第1領域111が露出するような開口部71を備えている。補強部材70は、開口部71を囲む枠状であり、基板10の第2領域112上に配置されている。第1領域111の間の第3領域113上には、補強部材70は配置されていない。このように、第2領域112上のみに補強部材70を配置することで、封止部材60の流動を必要とするポッティングやトランスファ成形などの形成方法で、封止部材60の形成を妨げることなく反りを抑制できる。
図6A、図6Bに示す例では、基板10は複数の第1領域111を備えており、その全ての第1領域111を取り囲む第2領域112の上のみに、補強部材70が配置されている。ここでは、枠状の第2領域112上に、枠状の補強部材70が1つ配置されている例を図示している。第1領域111の周囲に連続した枠状の補強部材70を備えることで、基板の反りを抑制することができる。
また、補強部材は1つの枠状の部材でなくてもよい。すなわち、直線状、L字状、T字状、コの字状等の形状の補強部材を1又は複数用いて、第1領域111の周囲の一部に、または周囲を囲むように配置してもよい。複数の補強部材を用いる場合は、それらは、接していてもよく、接していなくてよい。
また、補強部材は、基板10の上面において、線対称となる位置に配置することが好ましい。これにより、基板10の反りを効率よく抑制することができる。
図7A、図7Bに示す例では、補強部材70Aは、第1領域111の全周を囲むのではなく、第1領域111に隣接する第3領域113の一部に配置されている。詳細には、直線状の補強部材70Aを、左右に配置された第1領域111の間に配置している。このように、第1領域111を囲まない補強部材70Aであっても、封止部材成形後の基板10の反りを抑制することができる。このような、第3領域113のみ、もしくは、第3領域113と、その延長に位置する第2領域112の一部に配置される補強部材70Aは、基板10の中央に配置されることが好ましい。これにより、基板10の中央部の反りを効率よく抑制することができる。このような、主として第3領域113に配置される補強部材70Aは、図7Aに示す直線状のほか、L字状、T字状、コの字状等の種々の形状とすることができる。
図8A、図8Bに示す補強部材70Bは、図6A、図6Bに示す補強部材70と、図7A、図7Bに示す補強部材70Aとを合わせたような形状を例示している。詳細には、基板10の複数の第1領域111を囲む枠状の第2領域112上に配置される補強部材と、左右に並んで配置される第1領域111間に位置する第3領域113上に配置される補強部材と、を備える。換言すると、補強部材70Bは、基板10の第2領域112上及び第3領域113上に配置される2つの枠状の補強部材が連結された形状であり、2つの開口部71Aを備える。このように、補強部材70Bが開口部71Aを複数備える場合は、その複数の開口部71Aの全てを囲む部分を、第1補強部材72(外枠部)と称する。さらに、基板10の第3領域113上に配置される部分を、第2補強部73(内枠部)と称する。第1補強部材72と第2補強部材73とは、図8Aに示すように、連続していてもよく、あるいは分離していてもよい。第1補強部材72と第2補強部材73とが連続していることで、効率よく基板10上に配置でき、基板10の反りを抑制することができる。
図7A、図7Bに示す補強部材70Bは、2つの開口部71Aのそれぞれに、基板10の3つの第1領域111が配置される。なお、ここでは、2つの開口部71Aが左右に並んで配置されている例を示しているが、開口部71Aは、上下に並んで配置されてもよく、左右上下に並んで配置されてもよい。また、複数の開口部71Aの大きさや、開口部7Aに配置される第1領域111の数は、適宜選択することができる。
図9A、図9Bに示す補強部材70Cは、基板10の第1領域111のそれぞれに対応する開口部71Bを備える。換言すると、補強部材70Cの開口部71Bの数と、基板10の第1領域111の数とは、同じである。ここでは、基板10は6つの第1領域11を備えており、補強部材70Cは6つの開口部71Bを備える。つまり、基板10の第2領域112上の全てに第2補強部材72が配置されており、基板10の第3領域113上の全てに、第2補強部材73が配置されている。このように、基板10が複数の第1領域111を備え、それらをそれぞれ囲むように補強部材が配置されることで、第1領域111内に形成される封止部材の変形を、より効果的に抑制することができる。
図10Aに示す補強部材70Dは、図9Aに示す補強部材70Cのうち、基板10の貫通孔14(14a、14b)と対応する位置に、貫通孔74(74a、74b)を備えている。さらに、アライメントマーク13と対応する位置に、図10Bに示すような、アライメントマーク認識用の貫通孔75(75a、75b)を備える。
アライメントマーク認識用の貫通孔75は、1つのアライメントマーク13に対して1つの貫通孔75としてもよく、2以上のアライメントマーク13に対して1つの貫通孔75としてもよい。例えば、図10に示す例では、貫通孔75aは、1つのアライメントマーク13が視認され、貫通孔75bは、2つのアライメントマーク13が視認される。このようにアライメントマーク認識用の貫通孔75を設けることで、補強部材の材料の選択肢を多くすることができる。尚、図6A、図7A、図8Aに示すような形状の補強部材も、アライメントマーク認識用の貫通孔75を設けてもよい。このような貫通孔75は、アライメントマーク13が視認可能なように、空気又は透光性の部材を配置することができる。
また、図6A、図7A、図8Aに示す補強部材は、アライメントマーク認識用の貫通孔75を設けていないが、このような場合は、補強部材を透光性の材料で構成することで、アライメントマーク13を認識することができる。
基板10が位置決め用の貫通孔14(14x、14y)を備える場合は、図7A、図8A、図9A、図10Aに示すように、補強部材も、基板10の貫通孔14と対応する位置に位置決め用の貫通孔74(74a、74b)を備えてもよい。尚、図6Aに示す補強部材70は、位置決め用の貫通孔を備えていない例を示しているが、このような場合は、補強部材70の外周に、x方向及びy方向の位置を決める位置決め部材を配置しておくことで、基板10と補強部材との位置決めをすることができる。
位置決め用の貫通孔75は、基板10のアライメントマーク13と重ならない位置に形成することが好ましい。
<封止部材形成工程>
図10C、図10Dは、図10Aに示す波線で囲まれた領域Aを拡大いた一部拡大図である。以下の工程については、補強部材として、図10A~図10Dに示す補強部材70Dを例に挙げて説明する。
封止部材形成工程は、樹脂材料を含む封止部材60を、補強部材70Dと発光素子30と接するように配置し、硬化させる工程である。ここでは、発光素子30の側面に配置される導光部材40及び、発光素子30の上面に配置される透光性部材50とも接するように、封止部材60を形成する。封止部材60は、さらに、基板10とも接するように形成することが好ましい。封止部材60は、発光素子30上の透光性部材50の上面が被覆される高さで形成することが好ましい。
図12A、図12Bに示す例では、補強部材70Dの内側面と封止部材60とが接している。尚、ここでは、補強部材70Dの上面は封止部材60と接していない(覆われていない)場合を図示しているが、これに限らず、補強部材の上面と封止部材60が接していてもよく(覆われていてもよく)、封止部材60の外側面と封止部材60が接していてもよい(覆われていてもよい)。基板10が第3領域113を備える場合は、基板10の第2領域112上に配置される第1補強部材と、第3領域113上に配置される第2補強部材との両方と、封止部材60とが接することが好ましい。
この封止部材形成工程は、例えば、透光性部材50の上面を覆わないように、封止部材60を形成して硬化させる工程を含む。あるいは、補強部材を配置した基板10上に、発光素子30の上の透光性部材50を覆う高さまで封止部材60を形成して、封止部材60を硬化させる工程(A工程)と、硬化させた封止部材60の一部を、透光性部材50の表面が露出するように除去する工程(B工程)と、を含むことができる。以下、A工程とB工程とを含む場合について説明する。
(A工程:封止部材形成工程)
A工程では、図11A、図11Bに示すように、基板10上の第1領域111上に封止部材60を形成する。封止部材60は、発光素子30、導光部材40、透光性部材50、及び補強部材70Dと接するように形成される。封止部材60は、透光性部材50の上面を覆うように形成する。封止部材60を形成する方法としては、例えば、トランスファ成形、圧縮成形、ポッティング、印刷等の方法を用いることができる。
図11Bに示す例では、封止部材60は、補強部材70Dと同じ高さとなるように形成している。ただし、これに限らず、封止部材60を、補強部材70Dよりも高い高さで形成してもよい。例えば、図12A、図12Bに示す例では、封止部材60Aは、基板10の第2領域12上に配置される第1補強部材72Dの内側面と接し、上面とは接しないように形成している。さらに封止部材60Aは、基板10の第3領域113上に配置される第2補強部材73Dの内側面及び上面と接するように形成している。このように、補強部材70Dの一部または全部と接するように封止部材60Aを形成してもよい。
封止部材60を、圧縮成形で形成する場合、発光素子30等を載置した基板10の貫通孔14及び補強部材70Dの貫通孔74に、圧縮成形機の金型内の位置決めピンを挿通させて、基板10と補強部材70Dとを重ねた状態で圧縮成形機にセットする。液状の封止部材60は攪拌装置を用いて撹拌した後、遠心脱泡充填機を用いてシリンジに充填する。シリンジに充填された液状の封止部材60を、発光素子30等が配置された基板10と、補強部材70Dとの上に供給する。その後、上下の金型を型閉して基板10等を挟み込み、封止部材60を硬化させる。圧縮成形の場合、封止部材60の厚みは、供給する封止部材60の量によって決められる。
封止部材60を、トランスファ成形で形成する場合は、基板10の貫通孔14及び補強部材70Dの貫通孔74に、トランスファ成形機の金型内の位置決めピンを挿通させて、基板10と補強部材70Dとを重ねた状態でトランスファ成形機にセットする。上述と同様に準備し、シリンジに充填された液状の封止部材60を金型内のプランジャーに供給する。その後、上下の金型を型閉して基板10及び補強部材70Dを挟み込む。金型と基板10の間にできた空間内にプランジャーにより樹脂材料を押し込み供給し、硬化させる。トランスファ成形の場合は、封止部材60の厚みは金型の形状によって決められる。
封止部材60としては、母材である樹脂と、光反射材と、を含む樹脂材料を用いることができる。封止部材60の材料は、硬化後の剛性が、補強部材よりも小さい材料が好ましい。
また、封止部材60は、硬化後の線膨張係数が、基板10と近い材料が好ましい。例えば、基板10の線膨張係数に対して、±100ppm/℃程度とすることが好ましい。また、封止部材60の線膨張係数は、例えば、120ppm/℃程度以下が好ましく、110ppm/℃程度以下がより好ましい。樹脂の具体的な材料としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等を用いることができる。光反射材の具体的な材料としては、酸化チタン、酸化ケイ素、炭酸カルシウム、酸化アルミニウム等を挙げることができる。光反射材の含有量としては、樹脂に対して10重量%~70重量%とすることができる。
(B工程:封止部材除去工程)
B工程では、図13A、図13Bに示すように、透光性部材50の上方の封止部材60を除去して透光性部材50の上面を露出させる。具体的には、研削若しくはブラストなどによって透光性部材50の上面(発光装置の発光面)が露出するまで、封止部材60を上面から除去する。尚、封止部材60を除去する際に、同時に透光性部材50の一部を除去してもよい。そのような場合は、前の工程で載置された透光性部材50の上面とは異なる面が、発光装置の発光面となる。
以上のようにして、発光素子30及び透光性部材50の側面を覆う封止部材60を形成する。この工程は、光取り出し面となる透光性部材50を露出させると共に、発光装置100の高さを決める工程でもある。本実施形態にかかる製造方法によれば、補強部材70を備えることで、基板10及び封止部材60の変形を抑制することができる。そのため、封止部材60の除去量を一定とすることができるため、高さのバラつきを抑制した発光装置100とすることができる。
また、上述のA工程において、透光性部材50の上面の少なくとも一部が露出するように封止部材60を形成する場合は、B工程を省略することができる。このような場合であっても、補強部材を備えることで基板10の反りが低減されているため、透光性部材50の厚み等を均一にすることができる。
<切断工程>
切断工程は、単位実装領域111u間において封止部材60及び基板10を切断して個々の発光装置100に分離する工程である。
切断工程では、図14A、図14Bに示すように、隣接する発光素子30の間の封止部材60及び基板10を、ブレード80、81を用いて切断する。基板10及び封止部材60を切断する際、補強部材70Dを備えることで基板10及び封止部材60の変形が抑制されているため、所望の切断位置で精度よく切断することができる。これにより、発光装置100のサイズのバラつきを抑制することができる。特に、透光性部材50の側面及び発光素子30の側面に形成される封止部材60の幅(厚み)を均一に切断し易い。これにより、図14Cに示すような、個片化された発光装置100を得ることができる。
この切断工程は、例えば、ダイサーを用いて行うことができる。その際、水を吹き付けることなく行ってもよいし、水を吹き付けながら行ってもよい。透光性部材50が、波長変換物質を含む第1透光性部材51を有している場合は、水を吹き付けることなく切断することが好ましい。これにより、第1透光性部材51に含まれる波長変換物質が耐湿性の低い材料であった場合でも、その変質を抑制できる。尚、この切断工程において、補強部材も同時に切断される。
以上説明した実施形態の発光装置の製造方法によれば、透光性部材50の側面及び発光素子30の側面を所定の幅で被覆する封止部材60を厚さのバラツキを小さくして形成することが可能になる。これにより、発光素子30の側面部について、切断位置の精度のバラツキを考慮して封止部材60を必要以上の厚さに形成する必要がなく、小型の発光装置を製造することが可能になる。
<基板準備工程>
まず、基板準備工程として、図2Aに示すような、上面視形状が四角形の基板10を準備する。基板10は、母材である基体11と、発光素子に通電するための導電部材12と、を備える。基体11は、X方向の長さが90mm、Y方向の長さが60mm、厚みが150μmのBT樹脂の略平板状である。基体11の線膨張係数は3ppm/℃程度である。基体11は、Cuを主成分とする導電部材12を備える。導電部材12は、基体11の上面の第1ランド電極121aと第2ランド電極122aと、基体11の下面の第1端子電極121dと第2端子電極122dと、を備える。さらに、基体11には直径が100μmの貫通孔を備えており、その内部には第1接続電極121e及び第2接続電極122eを備える。貫通孔において第1接続電極121e及び第2接続電極122eの内側にはそれぞれ、エポキシ樹脂が充填されている。
基板10は、6つの第1領域111と、それらを囲む第2領域112と、を備えている。各第1領域111は、X方向の長さが38mm、Y方向の長さが15mmである。第2領域112は、6つの第1領域111を囲む枠状である。X方向に延伸する第2領域16は、X方向の幅が90mmであり、Y方向に延伸する第2領域16は、X方向の幅が60mmである。また、基板10は、隣接する第1領域111の間に配置される第3領域113を備えている。X方向に延伸する2つの第3領域113は、X方向の幅が80mmである。Y方向に延伸する1つの第3領域113は、Y方向の幅が49mmである。
<素子載置工程>
発光素子30を準備する。発光素子30としては、窒化物系半導体(InAlGa1-x-yN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)を用いる。発光素子30の発光色は青色であり、ピーク波長は、約450nmである。発光素子30は平面形状が長方形であり、その大きさは、1100μm×200μm、厚みは120μmである。
次に、基板10の第1領域11の第1ランド電極121a及び第2ランド電極122a上に、接合部材としてボール状のAuSn(AuSnボール)を配置する。また、ボール径は、126μmである。さらに、AuSnボール上に、仮止材を配置する。
発光素子30を、AuSnボール等を介して第1ランド電極121a及び第2ランド電極122a上に載置し、リフロー炉において320℃で0.2時間加熱する。そして、冷却することで、図3A、図3Bに示すように、発光素子30と第1ランド電極121a及び第2ランド電極122aとが接合される。
<透光性部材配置工程>
次に、図4A、図4Bに示すように、発光素子30の上に導光部材40としてシリコーン樹脂を載置する。詳細には、液状の導光部材40を、ピン転写法によって、発光素子30の上に配置する。
次に、透光性部材50を準備する。透光性部材50は、あらかじめ成形された1200μm×240μm×225μmの直方体状のものを用いる。図5A、図5Bに示すように、導光部材40上に透光性部材50を配置する。詳細には、透光性部材50を、コレットで吸着し、発光素子30上の導光部材40上に配置する。その際に透光性部材50と発光素子30の接合面からはみ出した導光部材40の一部が発光素子30の側面を覆う。その後、オーブンを用いて170℃で加熱して、導光部材40を硬化させる。
透光性部材50は、透光性の樹脂材料であり、母材としてシリコーン樹脂を含む。ここでは、積層構造の透光性部材50であり、上側は実質的に波長変換物質を含まない第2透光性部材52であり、下側は波長変換物質を含む第1透光性部材51である。波長変換物質としては、βサイアロン系蛍光体(Si6-zAl8-z:Eu(0<z<4.2))と、マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体(例えばKSiF:Mn)とを含む。
次に、透光性部材50の外周部の一部を、ダイサーを用いてドライ研削する。その後、透光性部材50の側面に、ドライアイスを噴霧して透光性部材50の屑を除去する。
<補強部材載置工程>
次に、図9A、図9Bに示すような、平面視において外形形状が四角形の補強部材70D を準備する。補強部材70DはX方向の長さが90mm、Y方向の長さが60mm、厚みが450μmのガラエポ樹脂の略平板状である。基体11の線膨張係数は3ppm/℃程度である。
補強部材70Dは、6つの開口部71Bと、それらを囲む外枠である第1補強部材72を備える。各開口部71Bは、X方向の長さが38mm、Y方向の長さが15mmである。第1補強部材72は、6つの開口部71Bを囲む枠状である。X方向に延伸する第1補強部材72は、X方向の幅が90mmであり、Y方向に延伸する第1補強部材72は、Y方向の幅が60mmである。また、補強部材70Dは、隣接する開口部71Bの間に配置される内枠である第2補強部材73を備えている。X方向に延伸する2つの第2補強部材73は、X方向の幅が80mmである。Y方向に延伸する1つの第2補強部材73は、Y方向の幅が49mmである。
このような補強部材70Dと、基板10とを重ねる。図10A、図10Cに示すように、補強部材70Dの貫通孔75(75a、75b)から、基板10のアライメントマーク13が視認できるように、位置を合わせる。
<封止部材形成工程>
次に、図11A、図11Bに示すように、補強部材70Dを配置した基板10上に、封止部材60を形成する。このとき、第1領域111の発光素子30の上に配置されている透光性部材50の上面が埋まるよう、0.5mm程度の高さの封止部材60を形成する。封止部材60は、トランスファ成形により形成する。封止部材60は、シリコーン樹脂に酸化チタンを60重量%含有させた樹脂材料である。
封止部材60を硬化後、図13A、図13Bに示すように、第2透光性部材52の一部が露出するまで封止部材60の一部を研削する。
<切断工程>
最後に、ブレード80、81を用いて基板10及び封止部材60を切断し、個々の発光装置100に分離する。1つの第1領域111において、約5000個の発光装置100が得られる。発光装置100は、図1に示すような略直方体の外形であり、設計値としては、X方向の長さ(幅)1.5mm、Y方向の長さ(奥行)0.3mm、Z方向の長さ(高さ)0.46mmである。これに対し、得られた発光装置100のうち、規格内のサイズとなった良品は98%以上である。
100…発光装置
10…基板
11…基体
111…第1領域
111u…単位実装領域
112…第2領域
113…第3領域
12…導電部材
121…第1導電部材
121a…第1ランド電極
121b…第1凸部
121c…第1下部電極
121d…第1端子電極
121e…第1接続電極
122…第2導電部材
122a…第2ランド電極
122b…第2凸部
122c…第2下部電極
122d…第2端子電極
122e…第2接続電極
13、13x、13y…アライメントマーク
14、14a、14b…貫通孔(位置決め用)
20…導電性接着部材
30…発光素子
31…p側電極
32…n側電極
33…半導体積層体
34…素子基板
40…導光部材
50…透光性部材
51…第1透光性部材
52…第2透光性部材
60、60A…封止部材
70、70A、70B、70C、70D…補強部材
71、71A、71B…開口部
72、72D…第1補強部材(外枠)
73、73D…第2補強部材(内枠)
74、74x、74b…貫通孔(位置決め用)
75…貫通孔(アライメントマーク認識用)
80、81…ブレード

Claims (12)

  1. 複数の発光装置が形成される第1領域と、前記第1領域を囲む第2領域と、を備える基板を準備する基板準備工程と、
    前記第1領域に複数の発光素子を載置する素子載置工程と、
    前記第2領域上に補強部材を、接着剤を用いて接着することなく載置する補強部材配置工程と、
    前記補強部材及び前記発光素子と接するように前記補強部材よりも剛性の小さい封止部材を形成して硬化させる封止部材形成工程と、
    前記基板と、前記補強部材と、前記封止部材とを切断して個々の発光装置に分離する個片化工程と、
    を備える発光装置の製造方法。
  2. 前記基板は、複数の第1領域と、前記第1領域の間の第3領域を備える、請求項1に記載の発光装置の製造方法。
  3. 前記補強部材は、前記基板の前記第2領域上に配置される第1補強部材と、前記第3領域上に配置される第2補強部材と、を備える、請求項2に記載の発光装置の製造方法。
  4. 前記第2補強部材の厚みは、前記第1補強部材よりも薄い、請求項3に記載の発光装置の製造方法。
  5. 前記第1補強部材と前記第2補強部材は、連続している、請求項3または4に記載の発光装置の製造方法。
  6. 前記補強部材は、前記第2領域上のみに配置される、請求項2に記載の発光装置の製造方法。
  7. 前記補強部材は、前記第3領域と、その延長に位置する第2領域上のみに配置される、請求項2に記載の発光装置の製造方法。
  8. 前記補強部材の厚みは、前記基板よりも厚い、請求項1~請求項7のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。
  9. 前記補強部材は、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、ハイブリッドシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ガラスエポキシ、ビスマレイミドトリアジン、ポリイミドのうちいずれか1つを含む請求項1~請求項8のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。
  10. 前記補強部材は、銅、ステンレスのうちいずれか1つを含む、請求項1~請求項9のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。
  11. 前記補強部材はフィラーを含有し、前記フィラーはアルミナ、シリカ、チタニア、アルミノほう珪酸ガラスのうち少なくとも1つを含む請求項1~請求項9のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。
  12. 前記補強部材はフィラーを含有し、前記フィラーの配合量は、1重量%以上80重量%以下である請求項1~請求項11のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。
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