JP7121294B2 - 発光装置の製造方法 - Google Patents
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Description
また、接合するための工程を別途必要とするため、工数が余分にかかってしまう。
複数の発光装置が形成される第1領域と、前記第1領域を囲む第2領域と、を備える基板を準備する基板準備工程と、
前記第1領域に複数の発光素子を載置する素子載置工程と、
前記第2領域上に補強部材を載置する補強部材配置工程と、
前記補強部材及び前記発光素子と接するように前記補強部材よりも剛性の小さい封止部材を形成して硬化させる封止部材形成工程と、
前記基板と、前記補強部材と、前記封止部材とを切断して個々の発光装置に分離する個片化工程と、
を備える発光装置の製造方法。
基板準備工程は、基体11と、その基体11の上面等に設けられた導電部材12と、を備える基板10を準備する工程である。図2Aは、実施形態に係る発光装置の製造方法に使用する基板10の全体構成を示す概略平面図である。図2Bは、図2Aに示す破線で囲まれた領域Aを拡大した一部拡大図であり、1つの第1領域111と、それを囲む第2領域112の一部及び第3領域113の一部を含む図である。図2Cは、図2BのIIC-IIC線における概略端面図である。
素子載置工程は、発光素子30を基板10上の第1領域111のそれぞれ所定の位置に載置し、接合する工程である。素子載置工程では、図3A、図3Bに示すように、基板10上の第1領域111に配置される第1ランド電極121a及び第2ランド122上aに1つの発光素子30をフリップチップ実装する。
透光性部材配置工程は、発光素子30上に透光性部材50を配置する工程である。ここでは、透光性部材50を配置する方法として、あらかじめ成形された透光性部材50を、発光素子30上に載置する方法を例に挙げて説明する。
図10C、図10Dは、図10Aに示す波線で囲まれた領域Aを拡大いた一部拡大図である。以下の工程については、補強部材として、図10A~図10Dに示す補強部材70Dを例に挙げて説明する。
A工程では、図11A、図11Bに示すように、基板10上の第1領域111上に封止部材60を形成する。封止部材60は、発光素子30、導光部材40、透光性部材50、及び補強部材70Dと接するように形成される。封止部材60は、透光性部材50の上面を覆うように形成する。封止部材60を形成する方法としては、例えば、トランスファ成形、圧縮成形、ポッティング、印刷等の方法を用いることができる。
B工程では、図13A、図13Bに示すように、透光性部材50の上方の封止部材60を除去して透光性部材50の上面を露出させる。具体的には、研削若しくはブラストなどによって透光性部材50の上面(発光装置の発光面)が露出するまで、封止部材60を上面から除去する。尚、封止部材60を除去する際に、同時に透光性部材50の一部を除去してもよい。そのような場合は、前の工程で載置された透光性部材50の上面とは異なる面が、発光装置の発光面となる。
切断工程は、単位実装領域111u間において封止部材60及び基板10を切断して個々の発光装置100に分離する工程である。
まず、基板準備工程として、図2Aに示すような、上面視形状が四角形の基板10を準備する。基板10は、母材である基体11と、発光素子に通電するための導電部材12と、を備える。基体11は、X方向の長さが90mm、Y方向の長さが60mm、厚みが150μmのBT樹脂の略平板状である。基体11の線膨張係数は3ppm/℃程度である。基体11は、Cuを主成分とする導電部材12を備える。導電部材12は、基体11の上面の第1ランド電極121aと第2ランド電極122aと、基体11の下面の第1端子電極121dと第2端子電極122dと、を備える。さらに、基体11には直径が100μmの貫通孔を備えており、その内部には第1接続電極121e及び第2接続電極122eを備える。貫通孔において第1接続電極121e及び第2接続電極122eの内側にはそれぞれ、エポキシ樹脂が充填されている。
発光素子30を準備する。発光素子30としては、窒化物系半導体(InxAlyGa1-x-yN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)を用いる。発光素子30の発光色は青色であり、ピーク波長は、約450nmである。発光素子30は平面形状が長方形であり、その大きさは、1100μm×200μm、厚みは120μmである。
次に、図4A、図4Bに示すように、発光素子30の上に導光部材40としてシリコーン樹脂を載置する。詳細には、液状の導光部材40を、ピン転写法によって、発光素子30の上に配置する。
次に、図9A、図9Bに示すような、平面視において外形形状が四角形の補強部材70D を準備する。補強部材70DはX方向の長さが90mm、Y方向の長さが60mm、厚みが450μmのガラエポ樹脂の略平板状である。基体11の線膨張係数は3ppm/℃程度である。
次に、図11A、図11Bに示すように、補強部材70Dを配置した基板10上に、封止部材60を形成する。このとき、第1領域111の発光素子30の上に配置されている透光性部材50の上面が埋まるよう、0.5mm程度の高さの封止部材60を形成する。封止部材60は、トランスファ成形により形成する。封止部材60は、シリコーン樹脂に酸化チタンを60重量%含有させた樹脂材料である。
最後に、ブレード80、81を用いて基板10及び封止部材60を切断し、個々の発光装置100に分離する。1つの第1領域111において、約5000個の発光装置100が得られる。発光装置100は、図1に示すような略直方体の外形であり、設計値としては、X方向の長さ(幅)1.5mm、Y方向の長さ(奥行)0.3mm、Z方向の長さ(高さ)0.46mmである。これに対し、得られた発光装置100のうち、規格内のサイズとなった良品は98%以上である。
10…基板
11…基体
111…第1領域
111u…単位実装領域
112…第2領域
113…第3領域
12…導電部材
121…第1導電部材
121a…第1ランド電極
121b…第1凸部
121c…第1下部電極
121d…第1端子電極
121e…第1接続電極
122…第2導電部材
122a…第2ランド電極
122b…第2凸部
122c…第2下部電極
122d…第2端子電極
122e…第2接続電極
13、13x、13y…アライメントマーク
14、14a、14b…貫通孔(位置決め用)
20…導電性接着部材
30…発光素子
31…p側電極
32…n側電極
33…半導体積層体
34…素子基板
40…導光部材
50…透光性部材
51…第1透光性部材
52…第2透光性部材
60、60A…封止部材
70、70A、70B、70C、70D…補強部材
71、71A、71B…開口部
72、72D…第1補強部材(外枠)
73、73D…第2補強部材(内枠)
74、74x、74b…貫通孔(位置決め用)
75…貫通孔(アライメントマーク認識用)
80、81…ブレード
Claims (12)
- 複数の発光装置が形成される第1領域と、前記第1領域を囲む第2領域と、を備える基板を準備する基板準備工程と、
前記第1領域に複数の発光素子を載置する素子載置工程と、
前記第2領域上に補強部材を、接着剤を用いて接着することなく載置する補強部材配置工程と、
前記補強部材及び前記発光素子と接するように前記補強部材よりも剛性の小さい封止部材を形成して硬化させる封止部材形成工程と、
前記基板と、前記補強部材と、前記封止部材とを切断して個々の発光装置に分離する個片化工程と、
を備える発光装置の製造方法。 - 前記基板は、複数の第1領域と、前記第1領域の間の第3領域を備える、請求項1に記載の発光装置の製造方法。
- 前記補強部材は、前記基板の前記第2領域上に配置される第1補強部材と、前記第3領域上に配置される第2補強部材と、を備える、請求項2に記載の発光装置の製造方法。
- 前記第2補強部材の厚みは、前記第1補強部材よりも薄い、請求項3に記載の発光装置の製造方法。
- 前記第1補強部材と前記第2補強部材は、連続している、請求項3または4に記載の発光装置の製造方法。
- 前記補強部材は、前記第2領域上のみに配置される、請求項2に記載の発光装置の製造方法。
- 前記補強部材は、前記第3領域と、その延長に位置する第2領域上のみに配置される、請求項2に記載の発光装置の製造方法。
- 前記補強部材の厚みは、前記基板よりも厚い、請求項1~請求項7のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。
- 前記補強部材は、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、ハイブリッドシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ガラスエポキシ、ビスマレイミドトリアジン、ポリイミドのうちいずれか1つを含む請求項1~請求項8のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。
- 前記補強部材は、銅、ステンレスのうちいずれか1つを含む、請求項1~請求項9のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。
- 前記補強部材はフィラーを含有し、前記フィラーはアルミナ、シリカ、チタニア、アルミノほう珪酸ガラスのうち少なくとも1つを含む請求項1~請求項9のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。
- 前記補強部材はフィラーを含有し、前記フィラーの配合量は、1重量%以上80重量%以下である請求項1~請求項11のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。
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