DE102017117441A1 - Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements - Google Patents

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Abstract

Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements weist die folgenden Verfahrensschritte auf. Ein Träger mit einer Oberseite wird bereitgestellt. Ein optoelektronischer Halbleiterchip wird über der Oberseite des Trägers angeordnet. Weiterhin wird ein Vergussmaterial über der Oberseite des Trägers angeordnet, wobei der optoelektronische Halbleiterchip in das Vergussmaterial eingebettet wird. Das Vergussmaterial bildet eine Vergussoberfläche. Das Vergussmaterial wird an der Vergussoberfläche umgeformt, wobei an der Vergussoberfläche eine Topographie erzeugt wird.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements gemäß dem unabhängigen Anspruch.
  • Aus dem Stand der Technik sind optoelektronische Bauelemente mit in ein Vergussmaterial eingebetteten optoelektronischen Halbleiterchips bekannt. Weiterhin sind aus dem Stand der Technik optoelektronische Bauelemente bekannt, deren Vergussmaterial eine aufgeraute Vergussoberfläche aufweist.
  • Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements anzugeben.
  • Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements mit den Merkmalen des unabhängigen Anspruchs gelöst.
  • Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements weist die folgenden Verfahrensschritte auf. Ein Träger mit einer Oberseite wird bereitgestellt. Über der Oberseite des Trägers wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angeordnet. Weiterhin wird über der Oberseite des Trägers ein Vergussmaterial angeordnet, wobei der optoelektronische Halbleiterchip in das Vergussmaterial eingebettet wird. Das Vergussmaterial bildet eine Vergussoberfläche. Das Vergussmaterial wird an der Oberfläche umgeformt, wobei an der Vergussoberfläche eine Topographie erzeugt wird. Die Topographie, die durch das Umformen des Vergussmaterials an der Vergussoberfläche erzeugt wird, bietet den Vorteil, dass von außen einfallende elektromagnetische Strahlung diffus an der Vergussoberfläche gestreut werden kann. Dadurch kann eine spekulare Reflexion der elektromagnetischen Strahlung an der Vergussoberfläche unterdrückt werden. Auf diese Weise kann es gelingen, einen Glanz der Vergussoberfläche zu reduzieren oder zu eliminieren. Dies kann beispielsweise für Anzeigebildschirme, die eine Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente aufweisen können und in einer hellen Umgebung aufgestellt sind, von Bedeutung sein. Beispielsweise ermöglicht eine unterdrückte spekulare Reflexion an der Vergussoberfläche, dass insbesondere dunkel oder schwarz darzustellende Elemente ohne Glanzeffekte dargestellt werden können. Das Verfahren zum Herstellen des optoelektronischen Bauelements bietet den Vorteil, dass eine solche Topographie der Vergussoberfläche auf einfache Art und Weise, nämlich durch das Umformen des Vergussmaterials an der Vergussoberfläche, erzeugt werden kann.
  • In einer Ausführungsform erfolgt das Umformen des Vergussmaterials einer Vergussoberfläche durch Prägen. In einer Ausführungsform erfolgt das Prägen mittels eines Stempels. In einer Ausführungsform erfolgt das Prägen mittels einer Walze. In einer Ausführungsform erfolgt das Prägen mittels einer Folie.
  • In einer Ausführungsform wird das Vergussmaterial vor oder während des Prägens geheizt. Vorteilhafterweise ermöglicht ein Heizen eines bereits ausgehärteten Vergussmaterials vor oder während des Prägens, dass das Vergussmaterial in einen weichen Zustand übergeführt wird, der ein Prägen der Vergussoberfläche erlaubt.
  • In einer Ausführungsform erfolgt das Umformen des Vergussmaterials an der Vergussoberfläche durch eine Härtung der Vergussoberfläche. Mit der Härtung der Vergussoberfläche geht eine Faltung der Vergussoberfläche einher.
  • In einer Ausführungsform erfolgt die Härtung der Vergussoberfläche durch eine thermische Behandlung.
  • In einer Ausführungsform erfolgt das Härten der Vergussoberfläche durch eine UV-Bestrahlung. Vorteilhafterweise kann nur die Vergussoberfläche mit UV-Strahlung behandelt werden, während das übrige Vergussmaterial nicht bestrahlt wird, sodass eine bevorzugte Härtung der Vergussoberfläche erfolgt.
  • In einer Ausführungsform wird das Vergussmaterial während der Härtung der Vergussoberfläche Vibrationen ausgesetzt. Vorteilhafterweise unterstützen Vibrationen während der Härtung einer Vergussoberfläche eine Faltung der Vergussoberfläche.
  • In einer Ausführungsform erfolgt vor dem Umformen des Vergussmaterials an der Vergussoberfläche ein teilweises Aushärten des Vergussmaterials. Vorteilhafterweise erlaubt ein zumindest teilweises Aushärten des Vergussmaterials, dass das Vergussmaterial an der Vergussoberfläche umgeformt werden kann.
  • In einer Ausführungsform erfolgt nach dem Umformen des Vergussmaterials an der Vergussoberfläche ein Aushärten des Vergussmaterials. Vorteilhafterweise wird die durch das Umformen des Vergussmaterials an der Vergussoberfläche erzeugte Topographie an der Vergussoberfläche durch das Aushärten des Vergussmaterials in einen stabilen Zustand überführt.
  • In einer Ausführungsform weist das Vergussmaterial eingebettete Partikel auf. Vorteilhafterweise können die Partikel dazu vorgesehen sein, einfallende elektromagnetische Strahlung im Vergussmaterial diffus zu streuen. Dies kann einen Glanz an anderen Komponenten des optoelektronischen Bauelements unterdrücken. Beispielsweise können die weiteren Partikel dazu vorgesehen sein, einen Glanz an einem Leiterrahmen zu verhindern, wobei der optoelektronische Halbleiterchip an dem Leiterrahmen angeordnet sein kann. Weiterhin können die Partikel dazu vorgesehen sein, einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Vergussmaterials anzupassen. Beispielsweise ist es möglich, dass der Träger und das Vergussmaterial derart verschiedene thermische Ausdehnungskoeffizienten aufweisen, dass eine thermische Belastung, beispielsweise während des Betriebs des optoelektronischen Bauelements, zu einer Beschädigung des optoelektronischen Bauelements führen würde. Beispielsweise könnte eine thermische Belastung eine Delamination des Vergussmaterials von dem Träger bewirken, wodurch beispielsweise Feuchtigkeit in das optoelektronische Bauelement eindringen könnte. Die Partikel können dazu ausgebildet sein, solche Effekte zu verhindern.
  • In einer Ausführungsform weist das Vergussmaterial einen wellenlängenkonvertierenden Leuchtstoff auf. Vorteilhafterweise ist der wellenlängenkonvertierende Leuchtstoff dazu ausgebildet, eine Wellenlänge elektromagnetischer Strahlung, die vom optoelektronischen Halbleiterchip emittiert werden kann, zu modifizieren, indem der wellenlängenkonvertierende Leuchtstoff die vom optoelektronischen Halbleiterchip emittierte elektromagnetische Strahlung absorbiert und daraufhin elektromagnetische Strahlung mit einer anderen Wellenlänge emittiert. Beispielsweise ist es denkbar, dass der optoelektronische Halbleiterchip dazu ausgebildet ist, blaues Licht zu emittieren, während der in das Vergussmaterial eingebettete wellenlängenkonvertierende Leuchtstoff dazu ausgebildet ist, das blaue Licht zu absorbieren und beispielsweise gelbes Licht zu emittieren. Das optoelektronische Bauelement könnte in diesem Fall in der Summe Licht mit einem weißen Farbeindruck abstrahlen.
  • Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, sind klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden. Dabei zeigen in jeweils schematischer Darstellung:
    • 1: ein Prägen einer Vergussoberfläche mittels eines Stempels;
    • 2: ein Prägen einer Vergussoberfläche mittels einer Walze;
    • 3: ein Prägen einer Vergussoberfläche mittels einer Folie;
    • 4: eine Härtung einer Vergussoberfläche mit einer einhergehenden Faltung der Vergussoberfläche; und
    • 5: eine Seitenansicht eines optoelektronischen Bauelements.
  • 1 bis 4 zeigen jeweils in einer schematischen Seitenansicht Varianten eines Verfahrens zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements 10.
  • Ein Träger 20 mit einer Oberseite 21 wird bereitgestellt. Im in 1 gezeigten Beispiel ist der Träger 20 als Gehäusekörper ausgebildet. Der als Gehäusekörper ausgebildete Träger 20 weist eine Kavität 23 auf, die von einer Wandung 24 lateral umschlossen wird. Dies ist jedoch nicht zwingend erforderlich. Der Träger 20 kann auch ein flaches Substrat sein, sodass die Kavität 23 und die Wandung 24 entfallen können. In 1 bis 5 wird beispielhaft nur die Variante des Trägers 20 dargestellt, in der der Träger 20 als Gehäusekörper ausgebildet ist.
  • Ist der Träger 20 als Gehäusekörper ausgebildet, so kann er einen Kunststoff, beispielsweise ein Polyphthalamid (PPA) aufweisen. Der Träger 20 kann beispielsweise durch ein Formverfahren (Moldverfahren), beispielsweise ein Spritzgussverfahren (engl.: injection molding), hergestellt werden. Ist der Träger 20 ein flaches Substrat, so kann der Träger 20 beispielsweise ein Metallsubstrat, ein Halbleitersubstrat, ein Halbleiteroxidsubstrat, ein Keramiksubstrat, ein Glassubstrat oder eine gedruckte Leiterplatte (engl.: printed circuit board, PCB) sein.
  • Über der Oberseite 21 des Trägers 20 ist ein optoelektronischer Halbleiterchip 30 angeordnet. Der optoelektronische Halbleiterchip 30 weist eine Oberseite 31 und eine der Oberseite 31 gegenüberliegende Unterseite 32 auf. Der optoelektronische Halbleiterchip 30 ist mit seiner Unterseite 32 über der Oberseite 21 des Trägers 20 angeordnet.
  • Der optoelektronische Halbleiterchip 30 kann beispielsweise dazu ausgebildet sein, an seiner Oberseite 31 elektromagnetische Strahlung zu emittieren. Der optoelektronische Halbleiterchip 30 kann allerdings auch dazu ausgebildet sein, auf die Oberseite 31 auftreffende elektromagnetische Strahlung zu detektieren. Somit kann der optoelektronische Halbleiterchip 30 beispielsweise ein Leuchtdiodenchip oder ein Photodiodenchip sein.
  • Zur Versorgung des optoelektronischen Halbleiterchips 30 mit elektrischer Energie für den Betrieb weist der Träger 20 seitlich herausragende elektrische Anschlüsse 22 auf. Die elektrischen Anschlüsse 22 können beispielsweise Teil eines metallischen Leiterrahmens sein, der in den Träger 20, der als Gehäusekörper ausgebildet ist, eingebettet sein kann. Typischerweise weist ein Leiterahmen einen ersten und einen zweiten Leiterrahmenabschnitt auf, wobei die Leiterrahmenabschnitte an der Oberseite 21 des Trägers 20 freiliegen (in 1 nicht dargestellt). Der optoelektronische Halbleiterchip 30 kann am ersten Abschnitt des Leiterrahmens angeordnet sein, wobei der optoelektronische Halbleiterchip 30 mittels eines Bonddrahts mit dem zweiten Abschnitt des Leiterrahmens verbunden sein kann. In diesem Fall weist der optoelektronische Halbleiterchip 30 eine Kontaktfläche an seiner Oberseite 31 und eine weitere Kontaktfläche an seiner Unterseite 32 auf.
  • In den Darstellungen der 1 bis 5 ist jeweils ein optoelektronischer Halbleiterchip 30 über der Oberseite 21 des Trägers 20 angeordnet. Es kann aber auch eine Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips 30 über der Oberseite 21 des Trägers 20 angeordnet sein. Beispielsweise können drei optoelektronische Halbleiterchips 30 über der Oberseite 21 des Trägers 20 angeordnet sein. Die drei optoelektronischen Halbleiterchips 30 können beispielsweise dazu ausgebildet sein, elektromagnetische Strahlung verschiedener Wellenlängen zu emittieren. Beispielsweise können die drei optoelektronischen Halbleiterchips 30 ein RGB-Pixel bilden. In diesem Fall emittieren die optoelektronischen Halbleiterchips 30 rotes, grünes und blaues Licht.
  • Über der Oberseite 21 des Trägers 20 ist ein Vergussmaterial 40 angeordnet. Im dargestellten Beispiel der 1 ist das Vergussmaterial 40 in der Kavität 23 angeordnet. Da der Träger 20 nicht notwendigerweise als Gehäusekörper ausgebildet sein muss, muss auch das Vergussmaterial 40 nicht notwendigerweise in einer Kavität 23 angeordnet werden. Ist der Träger 20 beispielsweise als flaches Substrat ausgebildet, so kann das Vergussmaterial 40 über der Oberseite 21 des Trägers 20 derart angeordnet werden, dass das Vergussmaterial 40 beispielsweise eine Linse bildet. In beiden Fällen bildet das Vergussmaterial 40 eine Vergussoberfläche 41.
  • Das Vergussmaterial 40 kann einen Kunststoff, beispielsweise ein Epoxid oder ein Silikon, aufweisen. Das Vergussmaterial 40 kann beispielsweise durch ein Dosierverfahren über der Oberseite 21 des Trägers 20 angeordnet werden.
  • In den Darstellungen der 1 bis 5 ist das Vergussmaterial 40 jeweils bis zu einer Oberkante 25 der Wandung 24 in der Kavität 23 angeordnet worden. Dies ist ebenfalls nicht zwingend erforderlich. Für den Fall, dass der Träger 20 als Gehäusekörper ausgebildet ist, kann auch eine Mehrzahl von Vergussmaterialien 40 in der Kavität 23 schichtweise angeordnet werden. Dies ist beispielhaft in 1 gezeigt, wo ein weiteres Material 42 über dem Vergussmaterial 40 angeordnet ist. Auch das weitere Material 42 weist einen Kunststoff, beispielsweise ein Epoxid oder ein Silikon, auf. Das weitere Material 42 kann ebenfalls mittels eines Dosierverfahrens über der Vergussoberfläche 41 angeordnet worden sein. Das weitere Material 42 kann aber auch entfallen. Dass das weitere Material 42 über der Vergussoberfläche 41 angeordnet sein kann, wurde anhand der 1 beispielhaft erläutert. Der Einfachheit halber wird in der nachfolgenden Beschreibung das weitere Material 42 nicht weiter berücksichtigt.
  • In das Vergussmaterial 40 sind Partikel 80 eingebettet. Die Partikel 80 können beispielsweise Siliziumdioxid oder Titandioxid aufweisen. Die Partikel 80 können eine der Darstellung der 1 entsprechende sphärische Form aufweisen. Dies ist jedoch nicht zwingend erforderlich. Die Partikel 80 können auch eine andere Form, beispielsweise eine flockenartige Form, aufweisen. Ein durchschnittlicher Durchmesser der Partikel 80 kann beispielsweise zwischen 1µm und 30µm betragen. Abweichungen von dem angegebenen durchschnittlichen Durchmesser sind möglich.
  • Die Partikel 80 können beispielsweise dazu vorgesehen sein, einfallende elektromagnetische Strahlung innerhalb des Vergussmaterials 40 diffus zu streuen. Auf diese Weise kann es beispielsweise gelingen, dass ein Glanz an einem Leiterrahmen verhindert wird. Weiterhin können die Partikel 80 auch eine Anpassung des thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Vergussmaterials 40 bewirken. Die Partikel 80 können aber auch entfallen.
  • Das optoelektronische Bauelement 10 kann darüber hinaus einen in das Vergussmaterial 40 eingebetteten wellenlängenkonvertierenden Leuchtstoff 100 aufweisen. Der wellenlängenkonvertierende Leuchtstoff 100 ist dazu ausgebildet, eine Wellenlänge vom optoelektronsichen Halbleiterchip 30 emittierter elektromagnetischer Strahlung zu konvertieren. Der wellenlängenkonvertierende Leuchtstoff 100 kann beispielsweise in Form von Partikeln vorliegen. In Frage kommen Partikel, die infolge einer Absorption elektromagnetischer Strahlung aus einem ersten Spektralbereich, elektromagnetische Strahlung aus einem anderen Spektralbereich emittieren. Beispielsweise kann der wellenlängenkonvertierende Leuchtstoff 100 einen mit seltenen Erden dotierten Granatleuchtstoff, beispielsweise mit Cer-Ionen dortiertes Yttrium-Aluminium-Granat (Ce:YAG), aufweisen, der typischerweise dazu ausgebildet ist, eine größere Wellenlänge durch Fluoreszenz zu erzeugen. Der wellenlängenkonvertierende Leuchtstoff 100 kann aber auch entfallen.
  • Nach dem Anordnen des Vergussmaterial 40 über der Oberseite 21 des Trägers 20 wird das Vergussmaterial 40 an der Vergussoberfläche 41 umgeformt. Dabei wird an der Vergussoberfläche 41 eine Topographie erzeugt. Die durch das Umformen der Vergussoberfläche 41 erzeugte Topographie an der Vergussoberfläche 41 ist dazu ausgebildet, einfallende elektromagnetische Strahlung diffus zu streuen, sodass eine spekulare Reflexion einfallender elektromagnetischer Strahlung unterdrückt wird.
  • Eine Möglichkeit, das Vergussmaterial 40 an der Vergussoberfläche 41 umzuformen, besteht darin, die Vergussoberfläche 41 zu prägen. Eine Prägung der Vergussoberfläche 41 kann auf verschiedene Art und Weisen erfolgen. Dies ist in den 1 bis 3 schematisch dargestellt. 1 zeigt das Prägen der Vergussoberfläche 41 mittels eines Stempels 50. Der Stempel 50 weist Strukturen 54 auf, die auf die Vergussoberfläche 41 übertragen werden sollen. Dazu wird der Stempel 50 an der Vergussoberfläche 41 angeordnet und in die Vergussoberfläche 41 hineingedrückt.
  • 2 zeigt eine Variante des Prägens, wobei statt eines Stempels 50 eine Walze 51 verwendet wird. Auch die Walze 51 weist Strukturen 54 auf, die auf die Vergussoberfläche 41 übertragen werden sollen. Dazu wird die Walze 51 über die Vergussoberfläche 41 gerollt.
  • Eine weitere Methode zum Prägen der Vergussoberfläche 41 ist in 3 dargestellt. In diesem Fall wird eine Folie 52, die ebenfalls Strukturen 54 aufweist, die auf die Vergussoberfläche 41 übertragen werden sollen, an der Vergussoberfläche 41 angeordnet. Damit die Strukturen 54 der Folie 52 auf die Vergussoberfläche 41 übertragen werden können, ist der Träger 20 in einer Druckkammer 53 angeordnet. Wird der Druck in der Druckkammer 53 erhöht, so kann sich die Folie 52 an die Vergussoberfläche 41 schmiegen. Auf diese Weise werden die Strukturen 54 auf die Vergussoberfläche 41 übertragen.
  • Bei allen Varianten, die in den 1 bis 3 dargestellt sind, ist es zweckmäßig, das Vergussmaterial 40 nach dem Prägen auszuhärten. Auf diese Weise bleiben die Strukturen 54, die auf die Vergussoberfläche 41 übertragen wurden, an der Vergussoberfläche 41 erhalten. Damit die Strukturen 54 auf die Vergussoberfläche 41 übertragen werden können, kann das Vergussmaterial 40 zuvor teilweise ausgehärtet worden sein. Alternativ kann das Vergussmaterial 40 zuvor auch vollständig ausgehärtet worden sein. In diesem Fall ist es zweckmäßig, dass vor oder während des Prägens der Vergussoberfläche 41 das Vergussmaterial 40 geheizt wird. So geht das Vergussmaterial 40 in einem weichen Zustand über, wodurch die Strukturen 54 auf die Vergussoberfläche 41 übertragen werden können. Wird das Vergussmaterial 40 vor dem Prägen geheizt, so sollte das Prägen im Anschluss an das Heizen erfolgen, so lange das Vergussmaterial 40 noch in einem weichen Zustand ist.
  • Der Stempel 50, die Walze 51 und die Folie 52, die zum Prägen verwendet werden können beispielsweise ein Elastomer aufweisen, beispielsweise gehärtetes Polydimethylsiloxan (PDMS). In diesem Fall sind die Werkzeuge, die zum Prägen der Vergussoberfläche 41 verwendet werden, weich ausgebildet. Dies kann von Vorteil sein, wenn beispielsweise eine Kavität 23 nicht vollständig bis zur Oberkante 25 der Wandung 24 mit dem Vergussmaterial 40 befüllt worden ist. Dann können ein Stempel 50, eine Walze 51 oder eine Folie 52 aufgrund ihrer Weichheit partiell in die Kavität 23 hineingedrückt werden, sodass Unebenheiten 90 auch auf eine Vergussoberfläche 41 übertragen werden können, die unterhalb der Oberkante 25 der Wandung 24 ausgebildet ist.
  • Neben einem Prägen des Vergussmaterials 40 an der Vergussoberfläche 41, kann das Umformen des Vergussmaterials 40 an der Vergussoberfläche 41 auch anders erfolgen. 4 zeigt eine weitere Variante zum Umformen des Vergussmaterials 40 an der Vergussoberfläche 41, wobei eine Härtung der Vergussoberfläche 41 erfolgt. Mit der Härtung der Vergussoberfläche 41 geht eine Faltung der Vergussoberfläche 41 einher. Das Härten der Vergussoberfläche 41 kann beispielsweise thermisch oder durch UV-Bestrahlung erfolgen. Um eine Faltung der Vergussoberfläche 41 zu unterstützen, kann das Vergussmaterial 40 Vibrationen 61 ausgesetzt werden. Die Vibrationen 61 können beispielsweise durch ein Ultraschallbad oder durch Vibrationen 61 eines Piezoelements erzeugt werden. Nach dem Umformen des Vergussmaterial 40 an der Vergussoberfläche 41 wird das Vergussmaterial 40 ausgehärtet, damit die Faltung der Vergussoberfläche 41 erhalten bleiben kann.
  • 5 zeigt das optoelektronische Bauelement 10 in einer schematischen Seitenansicht. Die Vergussoberfläche 41 weist Unebenheiten 90 auf, die durch eine der in 1 bis 4 gezeigten Methoden hergestellt worden sind. Die Unebenheiten 90 der Vergussoberfläche 41 sind dazu ausgebildet, einfallende elektromagnetische Strahlung an der Vergussoberfläche 41 diffus zu streuen, wodurch eine spekulare Reflexion einfallender elektromagnetischer Strahlung an der Vergussoberfläche 41 unterdrückt wird.
  • Abgesehen davon, dass das Umformen des Vergussmaterials 40 an der Vergussoberfläche 41 eine Topographie an der Vergussoberfläche 41 erzeugt, wobei die Vergussoberfläche 41 dazu ausgebildet ist, von außen einfallende elektromagnetische Strahlung diffus zu streuen, kann die an der Vergussoberfläche 41 erzeugte Topographie auch dazu ausgebildet sein, eine Extraktionseffizienz des opotelektronischen Bauelements 10 zu erhöhen. Die auf der Vergussoberfläche 41 erzeugten Unebenheiten 90 können nämlich eine Totalreflexion vom opotelektronischen Halbleiterchip 30 emittierter elektromagnetischer Strahlung an der Vergussoberfläche 41 unterdrücken.
  • Das Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements 10 ist nicht auf individuelle optoelektronische Bauelemente 10 beschränkt. Beispielsweise kann auch ein zweidimensionaler Verbund aus einer Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente 10, beispielsweise ein LED-Array, mit Unebenheiten 90, die simultan auf einer Mehrzahl von Vergussoberflächen 41 erzeugt wurden, bereitgestellt werden. Individuelle optoelektronische Bauelemente 10 können auch durch eine Vereinzelung des Verbunds hergestellt werden. Dadurch müssten die Unebenheiten 90 nicht auf jedem einzelnen optoelektronischen Bauelement 10 erzeugt werden.
  • Die vorliegende Erfindung wurde anhand der bevorzugten Ausführungsbeispiele näher illustriert und beschrieben. Dennoch ist die Erfindung nicht auf die offenbarten Beispiele beschränkt. Vielmehr können hieraus andere Variationen vom Fachmann abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen.
  • Bezugszeichenliste
    • 10
    optoelektronisches Bauelement
    20
    Träger
    21
    Oberseite des Trägers
    22
    elektrische Anschlüsse für einen optoelektronischen Halbleiterchip
    23
    Kavität
    24
    Wandung
    25
    Oberkante der Wandung
    30
    optoelektronischer Halbleiterchip
    31
    Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips
    32
    Unterseite des optoelektronischen Halbleiterchips
    40
    Vergussmaterial
    41
    Vergussoberfläche
    42
    weiteres Material
    50
    Stempel
    51
    Walze
    52
    Folie
    53
    Druckkammer
    54
    Strukturen
    60
    UV-Strahlen
    61
    Vibrationen
    80
    Partikel
    90
    Unebenheiten
    100
    wellenlängenkonvertierender Leuchtstoff

Claims (14)

  1. Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (10) mit den folgenden Verfahrensschritten: - Bereitstellen eines Trägers (20) mit einer Oberseite (21); - Anordnen eines optoelektronischen Halbleiterchips (30) über der Oberseite (21) des Trägers (20); - Anordnen eines Vergussmaterials (40) über der Oberseite (21) des Trägers (20), wobei der optoelektronische Halbleiterchip (30) in das Vergussmaterial (40) eingebettet wird, wobei das Vergussmaterial (40) eine Vergussoberfläche bildet (41); - Umformen des Vergussmaterials (40) an der Vergussoberfläche (41), wobei an der Vergussoberfläche (41) eine Topographie erzeugt wird.
  2. Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei das Umformen des Vergussmaterials (40) an der Vergussoberfläche (41) durch Prägen erfolgt.
  3. Verfahren gemäß Anspruch 2, wobei das Prägen mittels eines Stempels (50) erfolgt.
  4. Verfahren gemäß Anspruch 2, wobei das Prägen mittels einer Walze (51) erfolgt.
  5. Verfahren gemäß Anspruch 2, wobei das Prägen mittels einer Folie (52) erfolgt.
  6. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Vergussmaterial (40) vor oder während des Prägens geheizt wird.
  7. Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei das Umformen des Vergussmaterials (40) an der Vergussoberfläche (41) durch eine Härtung der Vergussoberfläche (41) erfolgt, wobei mit der Härtung der Vergussoberfläche (41) eine Faltung der Vergussoberfläche (41) einhergeht.
  8. Verfahren gemäß Anspruch 7, wobei die Härtung der Vergussoberfläche (41) durch eine thermische Behandlung erfolgt.
  9. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 7 und 8, wobei die Härtung der Vergussoberfläche (41) durch UV-Bestrahlung erfolgt.
  10. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 7 bis 9, wobei das Vergussmaterial (40) während der Härtung der Vergussoberfläche (41) Vibrationen (61) ausgesetzt wird.
  11. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei vor dem Umformen des Vergussmaterials (40) an der Vergussoberfläche (41) ein teilweises Aushärten des Vergussmaterials (40) erfolgt.
  12. Verfahren gemäß Anspruch einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei nach dem Umformen des Vergussmaterials (40) an der Vergussoberfläche (41) ein Aushärten des Vergussmaterials (40) erfolgt.
  13. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Vergussmaterial (40) eingebettete Partikel (80) aufweist.
  14. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Vergussmaterial (40) einen wellenlängenkonvertierenden Leuchtstoff (100) aufweist.
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