DE102013104572A1 - Verfahren zum Ausbilden einer optoelektronischen Baugruppe und optoelektronische Baugruppe - Google Patents

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sintered material
substrate
optoelectronic
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sintered
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English (en)
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Matthias Knörr
Erik Heinemann
Stefan Listl
Ingo Neudecker
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Ams Osram International GmbH
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Osram Opto Semiconductors GmbH
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    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Abstract

In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Verfahren zum Ausbilden einer optoelektronischen Baugruppe (30) bereitgestellt. Dabei wird ein Sintermaterial (40) über einem Substrat (12) angeordnet. Das Sintermaterial (40) wird auf das Substrat (12) gepresst und unter Wärmezufuhr gesintert, so dass sich das Sintermaterial (40) mit dem Substrat (12) verbindet. Ein optoelektronisches Bauelement (16) wird auf das Sintermaterial (40) gepresst, so dass sich das Sintermaterial (40) mit dem optoelektronischen Bauelement (16) verbindet. Das Substrat (12) und das damit verbundene optoelektronische Bauelement (16) bilden die optoelektronische Baugruppe (30).

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Ausbilden einer optoelektronischen Baugruppe und eine optoelektronische Baugruppe.
  • Eine optoelektronische Baugruppe kann beispielsweise ein optoelektronisches Bauelement und ein Substrat, auf dem das optoelektronische Bauelement angeordnet ist, aufweisen. Das optoelektronische Bauelement kann beispielsweise eine Leuchtdiode (LED), beispielsweise ein LED-Chip, oder eine Solarzelle oder Photodiode sein. Für die Montage beispielsweise von LED-Chips auf Substrate sind Technologien und Materialien zur Herstellung hochstabiler, hochwärmeleitfähiger Verbindungsschichten nötig. Gleichzeitig sollen die LED-Chips platzsparend montiert werden, um kleine Packages oder ein enges Aneinanderrücken von Chips in Multi-Chip Bauteilen zu ermöglichen.
  • Die optoelektronische Baugruppe wird im Folgenden auch kurz als Baugruppe bezeichnet. Das optoelektronische Bauelement wird im Folgenden auch kurz als Bauelement bezeichnet.
  • 1 zeigt schematisch den Aufbau einer herkömmlichen Baugruppe 10, die beispielsweise ein Single-Chip LED-Package sein kann, mit einem Substrat 12, das beispielsweise ein Keramiksubstrat sein kann, und mit einem Bauelement 16, das beispielsweise ein LED-Chip sein kann. Das Bauelement 16 ist auf einem Verbindungspad (Bondpad) 14 des Substrats 12 angeordnet. Das Bauelement 16 ist mit Hilfe von Klebstoff an dem Substrat 12 befestigt. Der Klebstoff bildet einen Kleberhof 18, der sich auf dem Substrat 12 um den Bereich erstreckt, auf dem das Bauelement 16 angeordnet ist. Das Bauelement 16 ist mit Hilfe eines Drahtes (Wirebond) 2 mit einem Anschlusspad (Wirebondpad) 20 elektrisch gekoppelt. Der Kleberhof 18 benötigt Platz um das Bauelement 16 herum, wodurch eine minimale Größe der Baugruppe 10 (Packagegröße) beschränkt ist. Die Klebstoffverbindung kann Reflow-stabil sein, also für eine nachfolgende Behandlung der Baugruppe 10 in einem Reflow-Ofen geeignet sein. Aufgrund der Instabilität des Klebstoffs in flüssigem Zustand und möglichen Spannungen beim Härten und/oder Trocknen, kann das Bauelement 16 relativ zu dem Substrat 12 verkippen, beispielsweise so, dass die in 1 sichtbaren Außenkanten des Bauelements 16 nicht mehr parallel zu den Außenkanten des Substrats 12 sind, und/oder so, dass die in 1 sichtbare Oberfläche des Bauelements 16 nicht mehr parallel zu der Oberfläche des Substrats 12 ist. Falls das Bauelement 16 an seiner dem Substrat 12 zugewandten ersten Seite einen ersten und/oder zweiten elektrischen Anschluss aufweist, so wird ein anisotroper Klebstoff benötigt.
  • Ein Sinterprozess, beispielsweise ein Silber-Sinterprozess (Ag-Sinterprozess), ermöglicht eine sehr stabile, hoch-wärmeleitfähige Verbindung. Allerdings entsteht bei einem Auftragen von Silberpaste auf das Substrat 12 durch herausgequetschte Paste beim Anordnen des Bauelements 16 auf dem Substrat 12 stets ein Pastenhof, der auch als Fillet bezeichnet werden kann, und der zu dem Kleberhof 18 oder dem Lothof 24 korrespondiert.
  • 2 zeigt eine herkömmliche Baugruppe 10 (Multi-Chip LED-Package), die mehrere Bauelemente 16 aufweist. Die Bauelemente 16 sind mit Hilfe von Klebstoff auf dem Substrat 12 angeordnet. Dementsprechend sind um die Bauelemente 16 mehrere Kleberhöfe 18 ausgebildet. Dabei müssen ausreichende Abstände für die Kleberhöfe 18 zwischen den Bauelementen 16 vorgehalten werden, wodurch eine minimale Größe der Baugruppe 10 beschränkt ist. Die Klebstoffverbindung kann Reflow-stabil sein. Aufgrund der Instabilität des Klebstoffs in flüssigem Zustand und möglichen Spannungen beim Härten und/oder Trocknen, kann das Bauelement 16 relativ zu dem Substrat 12 verkippen.
  • 3 zeigt eine herkömmliche Baugruppe 10, bei der das Bauelement 16 mit Hilfe eines Dünnfilms an dem Substrat 12 festgelötet ist. Die Baugruppe 10 kann auch Dünnfilmgelöteter Chip bezeichnet werden. Der Dünnfilm bildet einen Lothof 24. Für den Lothof 24 wird Platz auf dem Substrat 12 benötigt, und zwar neben dem Bereich, auf dem das Bauelement 16 angeordnet ist. Ein derartiger Lothof 24 kann kleiner ausgebildet werden als der Kleberhof 18. Dennoch ist eine minimale Größe der Baugruppe 10 durch den Lothof 24 beschränkt. Die Dünnfilm-Lötverbindung kann Reflow-stabil sein. Da kein Klebstoff verwendet wird, verkippt in der Regel das Bauelement 16 nicht relativ zu dem Substrat 12.
  • 4 zeigt eine herkömmliche Baugruppe 10, die mehrere Bauelemente 16 aufweist. Die Bauelemente 16 sind mit Hilfe von Dünnfilmen an dem Substrat 12 festgelötet. Die Dünnfilme bilden entsprechende Lothöfe 24. Zwischen den Bauelementen 16 müssen Abstände für die Lothöfe 24 gelassen werden, wodurch eine minimale Größe der Baugruppe 10 beschränkt ist. Die Dünnfilm-Lötverbindung kann Reflow-stabil sein. Da kein Klebstoff verwendet wird, verkippt in der Regel das Bauelement 16 nicht relativ zu dem Substrat 12.
  • 5 zeigt eine herkömmliche Baugruppe 10, bei der das Bauelement 16 mit Hilfe von Lotpaste, die beispielsweise SnAgCu aufweist, auf dem Substrat 12 angeordnet ist. Im Idealfall befindet sich die Lotpaste nur unterhalb des Bauelements 16 und benötigt keinen Platz um das Bauelement 16, wobei in der Realität in der Regel zumindest ein kleiner Pastenhof um das Bauelement 16 herum gebildet ist. Die Verbindung mit Hilfe der Lotpaste ist in der Regel nicht Reflow-stabil. Aufgrund der Instabilität der Lotpaste in flüssigem Zustand und möglichen Spannungen beim Härten und/oder Trocknen, kann das Bauelement 16 relativ zu dem Substrat 12 verkippen. Falls das Bauelement 16 an seiner dem Substrat 12 zugewandten ersten Seite einen ersten und/oder zweiten elektrischen Anschluss aufweist, so ist eine erhöhte Präzision beim Lotauftrag nötig.
  • 6 zeigt eine herkömmliche Baugruppe 10, die mehrere Bauelemente 16 aufweist, die mit Hilfe von Lotpaste auf dem Substrat 12 angeordnet sind. Die herkömmliche Baugruppe 10 weist zwischen den Bauelementen 16 Gräben 32, die beispielsweise mit Hilfe eines Lasers ausgebildet werden, auf. Die Gräben 32 können dazu beitragen, zu verhindern, dass die Bauelemente 16 aufeinander zutreiben und/oder zusammenschwimmen, während die Lotpaste noch flüssig ist. Maschinenbedingt können die Breiten der Gräben eine vorgegebene Breite nicht unterschreiten. Somit müssen Abstände zwischen den Bauelementen 16 vorgehalten werden. Diese Abstände können jeweils größer sein als eine Platziergenauigkeit des Die-Bonders. Die Verbindung mit Hilfe der Lotpaste ist in der Regel nicht Reflow-stabil. Aufgrund der Instabilität der Lotpaste in flüssigem Zustand und möglichen Spannungen beim Härten und/oder Trocknen, kann das Bauelement 16 relativ zu dem Substrat 12 verkippen. Alternativ kann zum Festlöten des Bauelements 16 an dem Substrat ein AuSn-Lot verwendet werden, das relativ teuer ist.
  • Alternativ kann das Sintermaterial mittels eines Folientransfer-Prozesses auf das Substrat aufgebracht werden. Beispielsweise kann der Folientransfer-Prozess mit Hilfe des Die-Bonders zum Bonden des Bauelements auf das Substrat durchgeführt werden.
  • 7 zeigt eine herkömmliche Baugruppe 10, die ein Bauelement 16 aufweist, das mit Hilfe eines Folientransfer-Prozesses, insbesondere der Folientransfer-Sintertechnologie, auf dem Substrat 12 angeordnet ist. Die herkömmliche Baugruppe 10 mit nur dem einen Bauelement 16 (Single-Chip-Bauteil) lässt sich ähnlich kompakt bauen wie die in 5 gezeigte herkömmliche Baugruppe 10, da sich die Silberschicht nur unter dem Bauelement 16 befindet und kein Pastenhof entsteht. Somit ist hier die kleinstmögliche Größe der Baugruppe 10 verglichen mit den im Vorhergehenden erläuterten Technologien möglich. Darüber hinaus ergibt sich gegenüber der mit Lotpaste gelöteten Baugruppe 10 der Vorteil, dass die Verbindung Reflow-stabil ist und das Bauelement 16 nicht verkippen kann.
  • 8 zeigt eine herkömmliche Baugruppe 10, die mehrere Bauelemente 16 aufweist, die mit Hilfe des Folientransfer-Prozesses, insbesondere der Folientransfer-Sintertechnologie, auf dem Substrat 12 angeordnet sind. Die Silberschicht befindet sich nur unter den Bauelementen 16 und es entstehen keine Pastenhöfe. Bei der Baugruppe 10 mit den mehreren Bauelementen 16 können beim Folientransfer-Sinterprozess die Bauelemente 16 auf die minimale Maschinentoleranz des Die-Bonders zusammengerückt werden. Somit ist hier die kleinstmögliche Größe der herkömmlichen Baugruppe 10 verglichen mit den im Vorhergehenden erläuterten Technologien möglich. Darüber hinaus ergibt sich gegenüber der mit Silberpaste gelöteten herkömmlichen Baugruppe 10 der Vorteil, dass die Verbindung Reflow-stabil ist und das Bauelement 16 nicht verkippen kann.
  • In den 9 bis 13 sind verschiedene aufeinanderfolgende Schritte eines herkömmlichen Verfahrens zum Herstellen einer herkömmlichen optoelektronischen Baugruppe 10, beispielsweise der in 7 gezeigten herkömmlichen Baugruppe 10, mit Hilfe eines Folientransfer-Sinterprozesses gezeigt. In 14 ist die fertiggestellte herkömmliche Baugruppe 10 gezeigt.
  • 9 zeigt einen ersten Schritt des herkömmlichen Verfahrens zum Herstellen der herkömmlichen Baugruppe 10, bei dem das Bauelement 16 von einem Bondkopf 44 gegriffen und mittels des Bondkopfs 44 von einem nicht dargestellten Wafer abgeholt wird. Das Bauelement 16 wird über einem Sintermaterialträger 36 so angeordnet, dass Sintermaterial 40 zwischen dem Bauelement 16 und dem Sintermaterialträger 36 angeordnet ist. Der Sintermaterialträger 36 weist beispielsweise eine Trägerfolie, auf der Sintermaterial 40, beispielsweise Silber, auf. Beispielsweise ist der Sintermaterialträger 36 mit dem Sintermaterial 40, das noch nicht gesintert ist, beschichtet. Beispielsweise ist das Sintermaterial 40 auf den Sintermaterialträger 36 gedruckt und getrocknet. Auf einer dem Sintermaterial 40 zugewandten Seite des Bauelements 16 weist das Bauelement 16 eine Haftschicht 42, beispielsweise eine Metallschicht, auf.
  • 10 zeigt einen zweiten Schritt des herkömmlichen Verfahrens, bei dem mittels des Bondkopfes 44 das Bauelement 44 mit der Haftschicht 42 auf das trockene Sintermaterial 40, das beispielsweise Silber aufweist, gedrückt wird, wobei der Bondkopf 44 beheizt ist. Unter dem Sintermaterialträger 36 kann eine nicht dargestellte elastische Unterlage, beispielsweise eine Silikonmatte, angeordnet sein. Der Bondkopf 44 ist zwar beheizt, weist aber eine noch moderat niedrige Temperatur von beispielsweise 130°C auf. Bei dieser Temperatur sintert das Sintermaterial 40 noch nicht oder nur geringfügig und/oder teilweise, bleibt jedoch aufgrund der moderaten Temperatur und des wirkenden Drucks an der Haftschicht 42 haften.
  • 11 zeigt einen dritten Schritt des herkömmlichen Verfahrens, bei dem der Bondkopf 44 von dem Sintermaterialträger 36 weg bewegt wird und das Sintermaterial 40 an der Haftschicht 42 haften bleibt. Auf dem Sintermaterialträger 36 wird dadurch eine Ausnehmung in der Schicht des Sintermaterials 40 gebildet, in der der Sintermaterialträger 36 zumindest teilweise frei gelegt ist. Dieser Schritt kann auch als Folientransfer bezeichnet werden. Nach diesem Folientransfer fährt der Bondkopf 4 zu dem Substrat 12.
  • 12 zeigt einen vierten Schritt des herkömmlichen Verfahrens, bei dem mittels des Bondkopfs 44 das Bauelement 16 mit dem Sintermaterial 40 über dem Substrat 12 angeordnet wird. Das Substrat 12 wird beheizt, beispielsweise mittels einer Heizplatte 34, auf der das Substrat 12 angeordnet ist. Da für den Sinterprozess hohe Temperaturen, insbesondere größer 200°C nötig sind, der Bondkopf 44 aber nur etwa 130°C heiß ist, beispielsweise um den Wafer und den Sintermaterialträger 36 nicht zu beschädigen und den Sinterprozess nicht vorzeitig zu starten, ist die Temperatur des Substrats 12 hoch und beträgt beispielsweise über 200°C.
  • 13 zeigt wie mittels des Bondkopfs 44 das Bauelement 16 auf das Substrat 12 gepresst wird. Unter der hohen Temperatur des Substrats 12 und einem Druck P beginnt das Sintermaterial 40, beispielsweise Silberpartikel in dem Sintermaterial 40, zu sintern, so dass gesintertes Sintermaterial 41 entsteht. Mittels des gesinterten Sintermaterials 41 wird eine feste Verbindung zwischen dem Substrat 12 und dem Bauelement 16 gebildet.
  • 13 zeigt die fertiggestellte Baugruppe 10 mit dem Substrat 12 und dem auf dem gesinterten Sintermaterial 41 angeordneten Bauelement 16. Das gesinterte Sintermaterial 41 weist beispielsweise poröses Silber auf. Das gesinterte Sintermaterial 41 befindet sich nur genau zwischen dem Bauelement 16 und dem Substrat 12. Um das Bauelement 16 herum wird kein Platz benötigt. Ein Verkippen des Bauelements 16 relativ zu dem Substrat 12 ist in der Regel nicht möglich. Jedoch ist aufgrund des zusätzlichen Schrittes, bei dem mittels des Bondkopfes 44 der Folientransfer durchgeführt wird, insgesamt der Durchsatz des Die-Bonders in etwa halbiert. Dadurch wird die Dauer zum Herstellen der Baugruppe 10 in etwa verdoppelt, wodurch die Kosten zum Herstellen der Baugruppe 10 erhöht sind.
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe bereitgestellt, das ermöglicht, ein oder mehrere optoelektronische Bauelemente der optoelektronischen Baugruppe präzise und/oder platzsparend auf einem Substrat der optoelektronischen Baugruppe anzuordnen, und/oder das schnell, einfach und/oder kostengünstig durchführbar ist.
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird eine optoelektronische Baugruppe bereitgestellt, bei der ein oder mehrere optoelektronische Bauelemente der optoelektronischen Baugruppe präzise und/oder platzsparend auf einem Substrat der optoelektronischen Baugruppe angeordnet sind und/oder die schnell, einfach und/oder kostengünstig herstellbar ist.
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Verfahren zum Ausbilden einer optoelektronischen Baugruppe bereitgestellt. Bei dem Verfahren wird ein Sintermaterial über einem Substrat angeordnet. Das Sintermaterial wird auf das Substrat gepresst und unter Wärmezufuhr gesintert, so dass sich das Sintermaterial mit dem Substrat verbindet, und ein optoelektronisches Bauelement wird auf das Sintermaterial gepresst, so dass sich das Sintermaterial mit dem optoelektronischen Bauelement verbindet. Das Substrat und das damit verbundene optoelektronische Bauelement bilden die optoelektronische Baugruppe.
  • Das Sintermaterial kann beim Anordnen des Bauelements auf dem Substrat mittels des Bauelements auf das Substrat aufgebracht werden. Alternativ dazu kann das Sintermaterial erst auf dem Substrat angeordnet werden und dann kann das Bauelement auf dem Sintermaterial angeordnet werden. Das Sintermaterial wird erst gesintert, wenn das Bauelement über das Sintermaterial körperlich mit dem Substrat gekoppelt ist. Im Vergleich zum im Vorhergehenden beschriebenen Folientransfer mittels des Bondkopfes des Die-Bonders können beide Varianten den Durchsatz beim Bestücken des Substrats mit dem Bauelement zurück auf das normale Maß für geklebte oder gelötete Bauelemente bringen. Die erste Variante, da das Aufbringen des Sintermaterials direkt beim Bestücken, also beim Anordnen des Bauelements auf dem Substrat, erfolgt, und die zweite Variante, da das Sintermaterial vor dem Bestücken auf das Substrat aufgebracht werden kann. Insbesondere ist für den Folientransfer beim Bestücken kein zusätzlicher Schritt nötig. Zudem können relativ einfache Die-Bonder eingesetzt werden, deren Bondkopf nicht den zusätzlichen Schritt für den Folientransfer durchführen können muss. Bei der ersten Variante kann das Sintermaterial sehr sparsam verwendet werden. Bei der zweiten Variante ist zwar ein zusätzlicher Prozessschritt für den Folientransfer auf das Substrat nötig, dieser kann jedoch vor dem Bestücken und/oder mittels einer relativ einfachen Vorrichtung durchgeführt werden. Zudem kann bei der zweiten Variante der Folientransfer für viele Bauelemente gleichzeitig in einem Schritt erfolgen.
  • Ferner ermöglicht das Verfahren einen Auftrag des Sintermaterials in Substratausnehmungen. Ferner wird kein zusätzlicher Platz auf dem Substrat um das Bauelement herum benötigt. Dadurch kann die Größe der Baugruppe, beispielsweise die Packagegröße, beispielsweise von Single-Chip Bauteilen oder Multi-Chip Bauteilen, verringert werden. Für die Multi-Chip Bauteile ergibt sich zusätzlich der Vorteil, dass die Bauelemente bis auf die Maschinengenauigkeit des Die-Bonders nebeneinander gesetzt werden können. Ferner besteht für den Fall, dass benachbarte Bauelemente elektrisch voneinander isoliert bleiben sollen und die Verbindungspads 14 nicht elektrisch miteinander verbunden sind, keine Gefahr eines Kurzschlusses auch bei geringem Abstand der Bauelemente zueinander.
  • Im Vergleich mit dem Anordnen der Bauelemente mittels des Klebstoffes zeigt das Verfahren zusätzlich eine deutliche Steigerung der thermischen Leitfähigkeit der Verbindung mittels des gesinterten Sintermaterials. Im Vergleich mit dem Anordnen des Bauelements mittels der Silberpaste ergibt sich der Vorteil der Reflow-Stabilität und der Vorteil dass es in der Regel nicht zu einem Verkippen der Bauelemente relativ zu dem Substrat kommt. Im Vergleich zu der Verwendung von AuSn-Loten ist ein Kostenvorteil zu erwarten.
  • Ferner kann für Volumenemitter, beispielsweise für Saphir-Chips, eine sehr gute thermisch leitfähige Verbindung mittels des gesinterten Sintermaterials erzielt werden und es wird kein intransparentes Fillet um das Bauelement gebildet, wodurch die Strahlungsemission reduziert werden würde.
  • Bei verschiedenen Ausführungsformen wird das Sintermaterial mit Hilfe des optoelektronischen Bauelements auf das Substrat gepresst. Der Transferschritt zum Aufbringen des Sintermaterials auf das Substrat findet somit während des Anordnens des Bauelements auf dem Substrat statt.
  • Bei verschiedenen Ausführungsformen ist das Sintermaterial in einer Trägerausnehmung eines Sintermaterialträgers angeordnet und das Sintermaterial wird mittels des optoelektronischen Bauelements aus der Ausnehmung herausgedrückt und auf das Substrat gepresst. Dazu wird der Sintermaterialträger, beispielsweise eine Trägerfolie, beispielsweise eine Endlosfolie, beispielsweise über das Substrat gespannt. Der Sintermaterialträger weist beispielsweise mehrere Trägerausnehmungen auf, die beispielsweise von mehreren Öffnungen in dem Sintermaterialträger gebildet sind. In den Trägerausnehmungen ist das Sintermaterial, beispielsweise in Form einer Folie aus Sintermaterial, beispielsweise aus Silberpartikeln, angeordnet. Mit Hilfe des Bauelements wird dann das Sintermaterial ausgestanzt und unmittelbar danach und/oder im selben Schritt auf das Substrat gepresst. Unter hoher Temperatur, beispielsweise über 200°C und unter Druck sintert das Sintermaterial zwischen dem Substrat und dem Bauelement und verbindet so das Substrat mit dem Bauelement. Dies kann zu einem sparsamen Verwenden des Sintermaterials beitragen, da zwischen den verschiedenen Trägerausnehmungen kein Sintermaterial angeordnet sein muss, das beim Ausstanzen stehen und nachfolgend als Abfall übrig bleibt.
  • Bei verschiedenen Ausführungsformen wird das Sintermaterial mit Hilfe eines Stempels auf das Substrat gepresst und das optoelektronische Bauelement wird auf das auf dem Substrat angeordnete Sintermaterial gepresst. Der Transfer des Sintermaterials findet somit vor dem Bestücken und somit vor dem Platzieren der Bauelemente auf dem Substrat statt, wodurch der Durchsatz beim Bestücken nicht verringert wird. Mittels des Stempels wird das Sintermaterial, beispielsweise in Form einer porösen Silberfolie, auf das Substrat laminiert. Dies kann für viele Bauelemente gleichzeitig erfolgen. Dabei können eine großflächige Sintermaterialschicht für mehrere Bauelemente oder einzelne kleine Sintermaterialschichten für je eines der Bauelemente auf dem Substrat ausgebildet werden. Anschließend werden die Bauelemente auf der bzw. den Sintermaterialschichten angeordnet und das Sintermaterial wird unter Druck und hoher Temperatur gesintert.
  • Bei verschiedenen Ausführungsformen ist vor dem Pressen des Sintermaterials auf das Substrat das Sintermaterial auf dem Sintermaterialträger angeordnet und der Sintermaterialträger wird so über dem Substrat angeordnet, dass der Sintermaterialträger dem Stempel zugewandt ist und das Sintermaterial dem Substrat zugewandt ist. Nachfolgend wird mittels des Stempels das Sintermaterial über den Sintermaterialträger auf das Substrat gepresst.
  • Bei verschiedenen Ausführungsformen wird das Sintermaterial bei einer ersten Temperatur auf das Substrat oder das Bauelement übertragen und das optoelektronische Bauelement wird bei einer zweiten Temperatur über das Sintermaterial auf das Substrat gepresst, wobei die zweite Temperatur größer ist als die erste Temperatur. Die die erste Temperatur, beispielsweise die moderate Temperatur, liegt in einem Bereich beispielsweise von 80°C bis 180°C, beispielsweise von 100°C bis 150°C, beispielsweise von 120° bis 140°C. Die die zweite Temperatur, beispielsweise die hohe Temperatur, liegt in einem Bereich beispielsweise von 180°C bis 300°C, beispielsweise von 200°C bis 250°C, beispielsweise von 220°C bis 240°C.
  • Bei verschiedenen Ausführungsformen weist das Substrat eine Ausnehmung auf, das Sintermaterial wird über der Ausnehmung angeordnet und das Sintermaterial wird in der Ausnehmung auf das Substrat gepresst. Dies ermöglicht, das Bauelement mittels des Folientransfer-Sinterprozesses in einer Ausnehmung des Substrats anzuordnen.
  • Bei verschiedenen Ausführungsformen ist der Sintermaterialträger flexibel ausgebildet und der Sintermaterialträger wird beim Pressen des Sintermaterials auf das Substrat zumindest teilweise verformt. Dies kann dazu beitragen, auf besonders einfache Weise das Bauelement mittels des Folientransfer-Sinterprozesses in der Ausnehmung des Substrats anzuordnen.
  • In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Ausbilden einer optoelektronischen Baugruppe bereitgestellt. Bei dem Verfahren wird ein Bauelementverbund, der mehrere optoelektronische Bauelemente aufweist, ausgebildet. Das Sintermaterial wird auf dem Bauelementverbund so angeordnet, dass das Sintermaterial auf einer Seite der optoelektronischen Bauelemente angeordnet ist. Mindestens ein optoelektronisches Bauelement mit dem darauf angeordnetem Sintermaterial wird aus dem Bauelementverbund entfernt. Das optoelektronische Bauelement wird so auf dem Substrat angeordnet, dass das Sintermaterial in direktem körperlichen Kontakt mit dem Substrat ist. Das Sintermaterial wird über das optoelektronische Bauelement so gegen das Substrat gepresst und unter Wärmezufuhr gesintert, dass sich das Sintermaterial mit dem Substrat und dem optoelektronischen Bauelement verbindet, wobei das Substrat und das damit verbundene optoelektronische Bauelement die optoelektronische Baugruppe bilden.
  • Der Schritt des Übertragens des Sintermaterials findet schon in dem Bauelementverbund statt. Der Bauelementverbund kann dabei einen Kunstwafer mit mehreren Bauelementen auf einem Trägerkörper oder den Mutterwafer der Bauelemente aufweisen.
  • Die Bauelemente können bereits vereinzelt und über einen Trägerkörper miteinander verbunden sein oder der Wafer, beispielsweise der Mutterwafer, kann noch einstückig ausgebildet sein. Beim Verwenden eines Kunstwafers können die Bauelemente auf dem Trägerkörper sortiert sein. Beispielsweise können die Bauelemente getestet, geprüft und/oder gemessen werden und dann können die Bauelemente abhängig von ihren dadurch ermittelten bauelementindividuellen Eigenschaften einem speziellen Trägerkörper zugeordnet und auf diesem angeordnet werden. Der Trägerkörper kann beispielsweise eine Trägerfolie aufweisen.
  • Bei verschiedenen Ausführungsformen kann der Sintermaterialträger eine UV-Folie oder eine Thermorelease-Folie sein.
  • Bei verschiedenen Ausführungsformen wird der Bauelementverbund ausgebildet, indem die optoelektronischen Bauelemente aus dem Waferverbund, beispielsweise dem Mutterwafer, vereinzelt werden und an dem Trägerkörper befestigt werden, wobei der Trägerkörper mit den optoelektronischen Bauelementen den Bauelementverbund, beispielsweise den Kunstwafer, bildet.
  • Bei verschiedenen Ausführungsformen ist der Bauelementverbund von dem Waferverbund, beispielsweise dem Mutterwafer, gebildet. Die optoelektronischen Bauelemente werden nach dem Anordnen des Sintermaterials auf dem Bauelementverbund und/oder vor dem Entfernen der optoelektronischen Bauelemente aus dem Bauelementverbund vereinzelt.
  • In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Ausbilden einer optoelektronischen Baugruppe bereitgestellt. Bei dem Verfahren wird ein Trägerkörper bereitgestellt, der auf einer Seite des Trägerkörpers ein Sintermaterial aufweist. Mindestens eine Eigenschaft eines optoelektronischen Bauelements wird ermittelt. das optoelektronische Bauelement wird abhängig von den ermittelten Eigenschaften dem Trägerkörper zugeordnet. Das optoelektronische Bauelement wird mit direktem körperlichen Kontakt so gegen das Sintermaterial auf dem Trägerkörper gepresst, dass das Sintermaterial an dem optoelektronischen Bauelement haftet. Das optoelektronische Bauelement mit dem Sintermaterial wird von dem Trägerkörper entfernt. Das optoelektronische Bauelement wird so auf dem Substrat angeordnet, dass das Sintermaterial zwischen dem optoelektronischen Bauelement und dem Substrat angeordnet ist. Das Sintermaterial wird über das optoelektronische Bauelement so gegen das Substrat gepresst und unter Wärmezufuhr gesintert, dass sich das Sintermaterial mit dem Substrat und dem optoelektronischen Bauelement verbindet, wobei das Substrat und das damit verbundene optoelektronische Bauelement die optoelektronische Baugruppe bilden.
  • Der Schritt des Übertragens des Sintermaterials findet während des Sortierens der Bauelemente statt, wodurch kein zusätzlicher Schritt beim Bestücken des Substrat nötig ist. Die Bauelemente werden in einer Sortiervorrichtung (Die-Sorter) wie bei einem herkömmlichen Sortiervorgang vom Mutterwafer abgeholt und auf dem Trägerkörper des Kunstwafers sortiert. Das Sintermaterial ist auf dem Trägerkörper des Kunstwafers angeordnet. Das Bauelement kann mit der moderaten Temperatur, beispielsweise mit ca. 130°C, mit dem Sintermaterial in Kontakt gebracht werden. Das Bauelement kann beispielsweise über einen beheizten Sortierkopf der Sortiervorrichtung beheizt werden. Alternativ oder zusätzlich kann die moderate Temperatur mittels einer beheizten Matte, beispielsweise einer beheizten Silikonmatte, oder mittels eines beheizten Stempels, beispielsweise eines Silikon-Stempels unter dem Kunstwafer erfolgen.
  • In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Ausbilden einer optoelektronischen Baugruppe bereitgestellt. Bei dem Verfahren wird ein Trägerkörper bereitgestellt, der auf einer Seite des Trägerkörpers ein Sintermaterial aufweist. Ein optoelektronisches Bauelement, das an einer ersten Seite des optoelektronischen Bauelements mindestens einen ersten elektrischen Anschluss zum elektrischen Kontaktieren des optoelektronischen Bauelements aufweist, wird so gegen den Trägerkörper gepresst, dass der erste elektrische Anschluss in direktem körperlichen Kontakt mit dem Sintermaterial ist und das Sintermaterial an dem ersten elektrischen Anschluss haftet. Das optoelektronische Bauelement wird so auf einem Substrat angeordnet, dass das Sintermaterial zwischen dem ersten elektrischen Anschluss und dem Substrat angeordnet ist. Das Sintermaterial wird über das optoelektronische Bauelement und den ersten elektrischen Anschluss so gegen das Substrat gepresst und unter Wärmezufuhr gesintert, dass sich das Sintermaterial mit dem Substrat und dem ersten elektrischen Anschluss verbindet. Das Substrat und das damit verbundene optoelektronische Bauelement bilden die optoelektronische Baugruppe.
  • Das Bauelement ist beispielsweise eine Flip Chip LED. Bei dem Übertragen des Sintermaterials haftet das Sintermaterial nur an dem ersten Anschluss, der beispielsweise als Metallfläche, beispielsweise als Edelmetall-Kontaktfläche, ausgebildet sein kann, und nicht an der Isolation um den ersten Anschluss oder nicht zwischen dem ersten Anschluss und gegebenenfalls einem zweiten Anschluss auf der ersten Seite des Bauelements. Dies trägt dazu bei, dass das Bauelement nicht kurzgeschlossen wird.
  • Bei verschiedenen Ausführungsformen weist das Sintermaterial Silber auf.
  • In verschiedenen Ausführungsformen wird eine optoelektronische Baugruppe bereitgestellt, die mit Hilfe eines Verfahrens der im Vorhergehenden erläuterten Verfahren ausgebildet ist.
  • Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert.
  • Es zeigen
  • 1 eine herkömmliche optoelektronische Baugruppe;
  • 2 eine herkömmliche optoelektronische Baugruppe;
  • 3 eine herkömmliche optoelektronische Baugruppe;
  • 4 eine herkömmliche optoelektronische Baugruppe;
  • 5 eine herkömmliche optoelektronische Baugruppe;
  • 6 eine herkömmliche optoelektronische Baugruppe;
  • 7 eine herkömmliche optoelektronische Baugruppe;
  • 8 eine herkömmliche optoelektronische Baugruppe;
  • 9 einen ersten Schritt eines herkömmlichen Verfahrens zum Herstellen einer herkömmlichen optoelektronischen Baugruppe;
  • 10 einen zweiten Schritt des herkömmlichen Verfahrens zum Herstellen der herkömmlichen optoelektronischen Baugruppe;
  • 11 einen dritten Schritt des herkömmlichen Verfahrens zum Herstellen der herkömmlichen optoelektronischen Baugruppe;
  • 12 einen vierten Schritt des herkömmlichen Verfahrens zum Herstellen der herkömmlichen optoelektronischen Baugruppe;
  • 13 einen fünften Schritt des herkömmlichen Verfahrens zum Herstellen der herkömmlichen optoelektronischen Baugruppe;
  • 14 die mittels des herkömmlichen Verfahrens hergestellte herkömmliche optoelektronische Baugruppe;
  • 15 einen ersten Schritt eines Ausführungsbeispiels eines Verfahrens zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe;
  • 16 einen zweiten Schritt des Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum Herstellen der optoelektronischen Baugruppe gemäß 15;
  • 17 einen dritten Schritt des Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum Herstellen der optoelektronischen Baugruppe gemäß 15;
  • 18 ein Ausführungsbeispiel einer optoelektronischen Baugruppe;
  • 19 einen ersten Schritt eines Ausführungsbeispiels eines Verfahrens zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe;
  • 20 einen zweiten Schritt des Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum Herstellen der optoelektronischen Baugruppe gemäß 19;
  • 21 einen dritten Schritt des Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum Herstellen der optoelektronischen Baugruppe gemäß 19;
  • 22 ein Ausführungsbeispiel einer optoelektronischen Baugruppe;
  • 23 einen ersten Schritt eines Ausführungsbeispiels eines Verfahrens zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe;
  • 24 einen alternativen ersten Schritt des Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum Herstellen der optoelektronischen Baugruppe gemäß 23;
  • 25 einen zweiten Schritt des Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum Herstellen der optoelektronischen Baugruppe gemäß 23;
  • 26 einen dritten Schritt des Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum Herstellen der optoelektronischen Baugruppe gemäß 23;
  • 27 einen vierten Schritt des Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum Herstellen der optoelektronischen Baugruppe gemäß 23;
  • 28 einen ersten Schritt eines Ausführungsbeispiels eines Verfahrens zum Herstellen der optoelektronischen Baugruppe;
  • 29 einen zweiten Schritt des Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum Herstellen der optoelektronischen Baugruppe gemäß 28;
  • 30 einen dritten Schritt des Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum Herstellen der optoelektronischen Baugruppe gemäß 28;
  • 31 einen vierten Schritt des Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe gemäß 28;
  • 32 einen ersten Schritt eines Ausführungsbeispiels eines Verfahrens zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe;
  • 33 einen zweiten Schritt des Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum Herstellen der optoelektronischen Baugruppe gemäß 32;
  • 34 einen dritten Schritt des Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum Herstellen der optoelektronischen Baugruppe gemäß 32;
  • 35 einen vierten Schritt des Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe gemäß 32;
  • 36 einen fünften Schritt des Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum Herstellen der optoelektronischen Baugruppe gemäß 32;
  • 37 einen sechsten Schritt des Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum Herstellen der optoelektronischen Baugruppe gemäß 32.
  • In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser Beschreibung bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische Ausführungsbeispiele gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird Richtungsterminologie wie etwa „oben“, „unten“, „vorne“, „hinten“, „vorderes“, „hinteres“, usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur(en) verwendet. Da Komponenten von Ausführungsbeispielen in einer Anzahl verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsbeispiele benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen Ausführungsbeispiele miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert.
  • Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe "verbunden", "angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist.
  • Eine optoelektronische Baugruppe kann ein, zwei oder mehr optoelektronische Bauelemente und ein Substrat, auf dem das bzw. die optoelektronischen Bauelemente angeordnet sind, aufweisen. Ein optoelektronisches Bauelement kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement oder ein elektromagnetische Strahlung absorbierendes Bauelement sein. Ein elektromagnetische Strahlung absorbierendes Bauelement kann beispielsweise eine Solarzelle oder eine Photodiode sein. Ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement kann beispielsweise ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Halbleiter-Bauelement sein und/oder als eine elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als eine organische elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als ein elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor oder als ein organischer elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor ausgebildet sein. Die Strahlung kann beispielsweise Licht im sichtbaren Bereich, UV-Licht und/oder Infrarot-Licht sein. In diesem Zusammenhang kann das elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement beispielsweise als Licht emittierende Diode (light emitting diode, LED) als organische Licht emittierende Diode (organic light emitting diode, OLED), als Licht emittierender Transistor oder als organischer Licht emittierender Transistor ausgebildet sein. Das Licht emittierende Bauelement kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen Teil einer integrierten Schaltung sein.
  • Das Sintern ist allgemein ein Verfahren zum Herstellen oder Verändern von Werkstoffen. Dabei werden beispielsweise feinkörnige, keramische oder metallische Stoffe, beispielsweise unter erhöhtem Druck, erhitzt. Die dabei auftretenden Temperaturen bleiben unterhalb der Schmelztemperatur der Werkstoffe, so dass die äußere Form des den Werkstoff aufweisenden Werkstücks erhalten bleibt. Dabei kann es zu einem Schwinden des Volumens des Werkstücks kommen, da sich die Partikel des Werkstoffs verdichten und Porenräume aufgefüllt werden.
  • 1 bis 8 zeigen verschiedene herkömmliche optoelektronische Baugruppen 10.
  • 9 bis 13 zeigen ein herkömmliches Verfahren zum Herstellen einer herkömmlichen Baugruppe 10.
  • 14 zeigt die herkömmliche Baugruppe 10, die mittels des Verfahrens gemäß den 9 bis 13 hergestellt wurde.
  • In den 15 bis 17 sind verschiedene Schritte eines Ausführungsbeispiels eines Verfahrens zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe, insbesondere eines Ausführungsbeispiels einer optoelektronischen Baugruppe 30 (siehe 18), gezeigt. Insbesondere ist in den 15 bis 17 ein Folientransfer-Prozess mittels Ausstanzens gezeigt.
  • 15 zeigt einen ersten Schritt eines Ausführungsbeispiels eines Verfahrens zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe. Ein Substrat 12 wird auf einem Heizkörper 34, beispielsweise einer Heizplatte, angeordnet. Über dem Substrat 12 wird ein Sintermaterialträger 36 angeordnet. Beispielsweise wird der Sintermaterialträger 36 über das Substrat 12 gespannt. Der Sintermaterialträger 36 kann beispielsweise von einer Trägerfolie, beispielsweise von einer Endlos-Trägerfolie, gebildet sein. Der Sintermaterialträger 36 weist mindestens eine Trägerausnehmung 38 auf. In der Trägerausnehmung 38 ist Sintermaterial 40 angeordnet. Das Sintermaterial 40 kann beispielsweise Silber, beispielsweise Silberpartikel, aufweisen. Das Sintermaterial 40 kann beispielsweise folienartig ausgebildet sein.
  • 16 zeigt einen zweiten Schritt des Verfahrens gemäß 15, bei dem mit Hilfe einer Haltevorrichtung, beispielsweise mittels eines Bondkopfes 44, ein optoelektronisches Bauelement 16 in einer Richtung 46 hin zu dem Sintermaterial 40 und dem Substrat 12 bewegt wird. Das optoelektronische Bauelement 16 weist an seiner dem Sintermaterial 40 zugewandten Seite, die auch als erste Seite und/oder Rückseite des Bauelements 16 bezeichnet werden kann, eine Haftschicht 42 auf. Die Haftschicht 42 weist beispielsweise Metall auf oder ist daraus gebildet. Die Haftschicht 42 kann auf das optoelektronische Bauelement 16 aufgebracht sein oder einen Teil des optoelektronischen Bauelements 16 bilden.
  • 17 zeigt einen dritten Schritt des Verfahrens gemäß 15, bei dem das Sintermaterial 40 aus der Trägerausnehmung 38 des Sintermaterialträgers 36 herausgedrückt und/oder ausgestanzt wird und das optoelektronische Bauelement 16 mit dem Sintermaterial 40 an seiner Haftschicht 42 unter einem Druck P gegen das Substrat 12 gepresst wird. Das Substrat 12 weist eine hohe Temperatur auf. Die hohe Temperatur kann in einem Bereich liegen, beispielsweise von 180°C bis 300°C, beispielsweise von 200°C bis 250°C, beispielsweise von 220°C bis 240°C. Unter dem Druck P und der hohen Temperatur sintert das Sintermaterial 40 zwischen dem Bauelement 16 und dem Substrat 12, so dass sich eine Schicht von gesintertem Sintermaterial 41 zwischen der Haftschicht 42 und dem Bauelement 12 bildet. Die Schicht von gesintertem Sintermaterial 41 verbindet das Substrat 12 und über die Haftschicht 42 das optoelektronische Bauelement 16 fest miteinander. Nachfolgend können der Bondkopf 44 und der Sintermaterialträger 36 mit dem übrigen Sintermaterial 40 entfernt werden.
  • 18 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer optoelektronischen Baugruppe 30, die beispielsweise mittels des in den 15 bis 17 erläuterten Verfahrens oder einem im der im Nachfolgenden erläuterten Verfahren hergestellt ist. Die optoelektronische Baugruppe 30 weist das optoelektronische Bauelement 16 und das Substrat 12 auf. Das optoelektronische Bauelement 16 ist auf dem Substrat 12 angeordnet. Zwischen dem optoelektronischen Bauelement 16 mit seiner Haftschicht 42 und dem Substrat ist das gesinterte Sintermaterial 41 ausgebildet. Das gesinterte Sintermaterial 41 koppelt das Bauelement 16 fest mit dem Substrat 12.
  • Im Folgenden wird die optoelektronische Baugruppe 30 kurz als Baugruppe 30 bezeichnet. Im Folgenden wird das optoelektronische Bauelement 16 kurz als Bauelement 16 bezeichnet.
  • Die 19 bis 22 zeigen einen Folientransfer-Prozess auf dem Substrat 12.
  • 19 zeigt einen ersten Schritt eines Ausführungsbeispiels eines Verfahrens zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe 30, die beispielsweise weitgehend der im Vorhergehenden erläuterten optoelektronischen Baugruppe 30 entsprechen kann. Das Substrat 12 ist auf der Heizvorrichtung 34 angeordnet. Das Substrat 12 weist an seiner von der Heizvorrichtung 34 abgewandten Seite eine Substratausnehmung 48 auf, die auch als Kavität bezeichnet werden kann. Die Substratausnehmung 48 ist von Wandungen 50 des Substrats 12 begrenzt. Der Sintermaterialträger 36 wird so über dem Substrat 12 angeordnet, dass das Sintermaterial 40 dem Substrat 12 zugewandt ist und über der Substratausnehmung 48 angeordnet ist. Der Sintermaterialträger 36 kann optional keine Trägerausnehmungen 38 aufweisen und/oder das Sintermaterial 40 kann großflächig auf den Sintermaterialträger 36 ausgebildet sein.
  • 20 zeigt einen zweiten Schritt des Verfahrens gemäß 19, bei dem der Sintermaterialträger 36 mittels eines Stempels 52 so in Richtung hin zu dem Substrat 12 gedrückt wird, dass das Sintermaterial 40 gegen das Substrat 12 in der Substratausnehmung 48 gepresst wird. Der Stempel 52 kann beispielsweise ein Laminierstempel sein und/oder als Laminierstempel bezeichnet werden. Bei diesem Schritt können das Substrat 12 und/oder der Stempel 52 eine moderate Temperatur aufweisen. Die moderate Temperatur kann in einem Bereich liegen beispielsweise von 80 bis 180°C, beispielsweise von 100°C bis 150°C, beispielsweise von 120°C bis 140°C. Nachfolgend können der Stempel 52 und der Sintermaterialträger 36 entfernt werden und das Sintermaterial 40 bleibt nur geringfügig gesintert oder vollständig nicht gesintert an dem Substrat 12 haften. Die Schicht von Sintermaterial 40 auf dem Substrat 12 kann von einer Silberschicht, beispielsweise von einer porösen Silberschicht, gebildet sein. In anderen Worten kann das Sintermaterial 40 in der Substratausnehmung 48 auf das Substrat 12 laminiert werden.
  • Beim Pressen des Sintermaterialträgers 36 gegen das Substrat 12 kann der Sintermaterialträger 36 im Bereich der Wandungen 50 des Substrats 12 verbogen werden. Aus diesem Grund kann der Sintermaterialträger 36 flexibel und/oder einfach mechanisch verformbar ausgebildet sein.
  • 21 zeigt einen dritten Schritt des Verfahrens gemäß 19, bei dem mehrere Bauelemente 16 mittels einer Haltevorrichtung, beispielsweise mittels des Bondkopfes 44 in der Substratausnehmung 48 auf das Sintermaterial 40 aufgesetzt und/oder auf diesem angeordnet werden. Dabei können das Substrat 12 und/oder das Bauelement 16 auf die hohe Temperatur aufgeheizt werden. Zusätzlich können die Bauelemente 16 mit dem hohen Druck P gegen das Substrat 12 gepresst werden. Aufgrund der hohen Temperatur und des hohen Drucks P sintert das Sintermaterial 40 zwischen den Bauelementen 16 und dem Substrat 12, so dass die Bauelemente 16 mittels des gesinterten Sintermaterials 41 fest mit dem Substrat 12 verbunden werden. In anderen Worten werden die Bauelemente 16 sequentiell auf das Substrat 12 gesintert, beispielsweise mit Hilfe eines Die-Bonders. Zwischen den Bauelementen 16 kann nicht gesintertes Sintermaterial 40 verbleiben.
  • 22 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer Baugruppe, die beispielsweise mit Hilfe des in den 19 bis 21 erläuterten Verfahrens hergestellt wurde. Die optoelektronische Baugruppe 30 weist fünf Bauelemente 16 auf. Die Baugruppe 30 kann jedoch auch mehr oder weniger Bauelemente 16 aufweisen. Ferner kann die Baugruppe 30 auch ein Substrat 12 ohne Substratausnehmung 48 aufweisen. Somit wird die Schicht von Sintermaterial 40, die in dem in 20 gezeigten einen Schritt auf das Substrat 12 aufgebracht wird, für mehrere Bauelemente 16 verwendet.
  • Die 23 bis 25 zeigen einen Folientransfer-Prozess, wobei sich 23 auf einen vereinzelten Wafer und 24 auf einen nicht-vereinzelten Wafer bezieht. Der Prozess kann beispielsweise in einem Wafer-Bonder ablaufen.
  • 23 zeigt einen ersten Schritt eines Ausführungsbeispiels eines Verfahrens zum Herstellen einer Baugruppe, beispielsweise der im Vorhergehenden erläuterten Baugruppe 30, bei dem ein Bauelementverbund bereitgestellt wird. Der Bauelementverbund wird bereitgestellt, in dem mehrere Bauelemente 16 eines Wafers, beispielsweise eines Mutterwafers, vereinzelt werden und mit Hilfe des Stempels 52 aufgenommen werden, wobei die Bauelemente 16 an dem Stempel 42 haften und die Bauelemente 16 über den Stempel 52 miteinander gekoppelt sind und so den Bauelementverbund bilden. In diesem Zusammenhang kann der Stempel 52 als Trägerkörper bezeichnet werden. Alternativ oder zusätzlich können die Bauelemente 16 auf einer Trägerfolie angeordnet sein und die Bauelemente 16 und die Trägerfolie können den Bauelementverbund bilden und/oder als Kunstwafer bezeichnet werden. In diesem Zusammenhang kann die Trägerfolie als Trägerkörper bezeichnet werden. Falls der Bauelementverbund die Bauelemente 16 auf der Trägerfolie aufweist, so kann der Stempel 52 beispielsweise die Trägerfolie aufnehmen, beispielsweise indem der Stempel 52 die Trägerfolie ansaugt. Die Bauelemente 16 werden so mit dem Stempel 52 gekoppelt, dass die Haftschichten 42 von dem Stempel 52 abgewandt sind. Beispielsweise können die Vorderseiten der Bauelemente 16 dem Stempel 52 zugewandt sein. Der Stempel 52 mit den Bauelementen 16 wird so auf den Sintermaterialträger 36 gesetzt, dass die Haftschichten 42 in Kontakt mit dem Sintermaterial 40 sind.
  • 24 zeigt einen zu dem in 23 gezeigten Schritt alternativen Schritt des Verfahrens zum Herstellen der optoelektronischen Baugruppe 30, bei dem die Bauelemente 16 nicht vereinzelt sind. Insbesondere sind die Bauelemente 16 im Waferverbund 56, der beispielsweise von einem Mutterwafer gebildet ist, einstückig miteinander verbunden. Der Waferverbund 56 mit den Bauelementen 16 wird von dem Stempel 52 aufgenommen, und zwar so, dass die Haftschichten 42 von dem Stempel 52 abgewandt sind. Beispielsweise können die Vorderseiten der Bauelemente 16 dem Stempel 52 zugewandt sein. Der Stempel 52 mit dem Waferverbund 56 und insbesondere den Bauelementen 16 wird so auf den Sintermaterialträger 36 gesetzt, dass die Haftschichten 42 in Kontakt mit dem Sintermaterial 40 sind.
  • Bei den in den 23 und 24 gezeigten Schritten können die vereinzelten Bauelemente 16 bzw. der gesamte Mutterwafer 56 unter Druck und bei der moderaten Temperatur mit dem Sintermaterial 40 so gekoppelt werden, dass das Sintermaterial 40 an der bzw. den Haftschichten 42 haftet jedoch noch nicht sintert oder zumindest nur teilweise gesintert ist. Nachfolgend können die Bauelemente 16 gegebenenfalls aus dem Waferverbund 56 vereinzelt werden. Die vereinzelten Bauelemente 16 können auf einem in 25 gezeigten Trägerkörper 54 angeordnet werden, wodurch ein Kunstwafer gebildet werden kann.
  • 25 zeigt einen zweiten Schritt des Verfahrens gemäß den 23 oder 24, bei dem eines der Bauelemente 16 von dem von dem Trägerkörper 54 abgeholt wird, beispielsweise mit Hilfe der Haltevorrichtung, beispielsweise dem Bondkopf 44. Das Bauelement 16 weist die Haftschicht 42 auf, an der das Sintermaterial 40 haftet. Die Bauelemente 16 können vor dem Anordnen oder im Zuge des Anordnens auf dem Trägerkörper 54 sortiert werden. Beispielsweise werden mittels Überprüfens, Testens und/oder Messens von Spannungen, Strömen und/oder emittierter elektromagnetischer Strahlung bauelementindividuelle Eigenschaften der Bauelemente 16 ermittelt. Abhängig von den ermittelten Eigenschaften werden die Bauelemente 16 verschiedenen Trägerkörpern 54 zugeordnet, so dass alle Bauelemente auf demselben Trägerkörper 54 die gleiche oder zumindest eine ähnliche ermittelte Eigenschaft haben. Die Bauelemente 16 und der Trägerkörper 54 bilden den Kunstwafer.
  • 26 zeigt einen dritten Schritt des Verfahrens gemäß den 23 oder 24, bei dem das Bauelement 16 über dem Substrat 12 angeordnet wird.
  • 27 zeigt einen vierten Schritt des Verfahrens gemäß den 23 oder 24, bei dem das Bauelement 16 unter dem Druck P und bei der hohen Temperatur gegen das Substrat 12 gepresst wird. Dadurch bildet sich das gesinterte Sintermaterial 41, das das Bauelement 16 fest mit dem Substrat 12 koppelt. Nachfolgend können der Bondkopf 44 von dem Bauelement 16 und das Substrat 12 von der Heizvorrichtung 34 entfernt werden, so dass die Baugruppe 30 fertiggestellt ist, die beispielsweise gemäß der in 18 gezeigten Baugruppe 30 ausgebildet ist.
  • Die 28 bis 31 zeigen einen Folientransfer-Prozess mit Hilfe einer Sortiervorrichtung, beispielsweise einem Die-Sorter.
  • 28 zeigt einen ersten Schritt eines weiteren Verfahrens zum Ausbilden einer optoelektronischen Baugruppe 30, beispielsweise der im Vorhergehenden erläuterten Baugruppe 30, bei dem ein Übertagen des Sintermaterials 40 auf das Bauelement 16 während eines Sortierens der Bauelemente 16 durchgeführt wird. Das Bauelement 16 ist im Waferverbund, beispielsweise auf einem Mutterwafer 58, angeordnet und wird mittels eines Sortierkopfes 59 von dem Mutterwafer 58 abgeholt. Der Sortierkopf 59 kann beispielsweise beheizt sein und die moderate Temperatur aufweisen. Alternativ oder zusätzlich kann der Sintermaterialträger 36 beheizt sein und die moderate Temperatur aufweisen, beispielsweise mittels einer nicht dargestellten unterhalb des Sintermaterialträgers 36 angeordneten Heizvorrichtung. Die bauelement-individuelle Eigenschaft bzw. Eigenschaften des Bauelements 16 können vor oder nach dem Vereinzeln der Bauelemente 16 ermittelt werden.
  • 29 zeigt einen zweiten Schritt des Verfahrens gemäß 28, bei dem das Bauelement 16 auf dem Sintermaterial 40 auf dem Sintermaterialträger 36 angeordnet wird und bei moderatem Druck und/oder bei der moderaten Temperatur gegen das Sintermaterial 40 gepresst wird, so dass das Sintermaterial 40 an der Haftschicht 42 haftet, wobei das Sintermaterial 40 nicht gesintert oder zumindest nur teilweise gesintert ist. Der Sintermaterialträger 36 dient dabei als Trägerkörper zum Sortieren der Bauelemente 16. Beispielsweise können alle Bauelemente 16, die die gleiche oder ähnliche ermittelte Eigenschaft aufweisen, auf demselben Sintermaterialträger 36 angeordnet werden.
  • 30 zeigt einen dritten Schritt des Verfahrens gemäß 28, bei dem der Sortierkopf 59 von dem Bauelement 16 entfernt ist. Alle Bauelemente 16 auf dem Sintermaterialträger 36 und der Sintermaterialträger 36 können zusammen einen Kunstwafer bilden.
  • 31 zeigt einen vierten Schritt des Verfahrens gemäß 28, bei dem das Bauelement 16 mit dem Sintermaterial 40 von dem Sintermaterialträger 36 entfernt wird, wobei das Sintermaterial 40 an der Haftschicht 42 haftet und eine Ausnehmung in der Schicht des Sintermaterials 40 auf dem Sintermaterialträger 40 hinterlässt.
  • Nachfolgend kann das Verfahren gemäß 28 korrespondierend zu dem Verfahren gemäß den 26 und 27 fortgesetzt werden, wobei das Bauelement 16 auf das Substrat 12 gesetzt und mit diesem fest verbunden wird. Dadurch kann die Baugruppe 30, die beispielsweise gemäß der in 18 dargestellten Baugruppe 30 ausgebildet sein kann, fertiggestellt werden.
  • Die 32 bis 37 zeigen einen Folientransfer-Sinterprozess für ein Bauelement 16, das zwei Kontakte an seiner Rückseite aufweist.
  • 32 zeigt einen ersten Schritt eines Ausführungsbeispiels eines Verfahrens zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe 30. Das Bauelement 16 weist an seiner dem Sintermaterialträger 36 zugewandten Seite, beispielsweise seiner in 32 gezeigten Unterseite, beispielsweise seiner Rückseite, mindestens einen ersten Anschluss 60 zum elektrischen Kontaktieren des Bauelements 16 und optional einen zweiten elektrischen Anschluss 62 auf. Das Bauelement 16 kann beispielsweise ein Flip-Chip, beispielsweise eine Flip-Chip-LED sein. Die elektrischen Anschlüsse 60, 62 können auch als Kontaktpads bezeichnet werden. Bei diesem Ausführungsbeispiel kann optional auf die Haftschicht 42 verzichtet werden, da das Sintermaterial 40 an dem Material der Anschlüsse 60, 62 haften kann. Das Bauelement 16 wird mittels des Bondkopfes 44 derart über dem Sintermaterialträger 36 angeordnet, dass die Anschlüsse 60, 62 dem Sintermaterial 40 zugewandt sind.
  • 33 zeigt einen zweiten Schritt des Verfahrens gemäß 32, bei dem das Bauelement 16 derart in Richtung hin zu dem Sintermaterialträger 36 bewegt wird, dass die Anschlüsse 60, 62 in direktem körperlichen Kontakt mit dem Sintermaterial 40 sind. Insbesondere können die Anschlüsse 60, 62 auf und/oder zumindest teilweise in das Sintermaterial 40 gepresst werden. Die Anschlüsse 60, 62 können auf die moderate Temperatur aufgeheizt werden, beispielsweise mittels des Bondkopfes 44, und/oder mittels der nicht dargestellten unter dem Sintermaterialträger 36 angeordneten Heizvorrichtung, wodurch das Sintermaterial 40 an den Anschlüssen 60, 62 haftet.
  • 34 zeigt einen dritten Schritt des Verfahrens gemäß 32, bei dem das Bauelement 16 in Richtung weg von dem Sintermaterialträger 36 bewegt wird. Das Sintermaterial 40 ist nicht gesintert oder zumindest nur teilweise gesintert und haftet ausschließlich an den Anschlüssen 60, 62. Insbesondere befindet sich zwischen den Anschlüssen 60, 62 kein Sintermaterial 40, so dass diese elektrisch voneinander isoliert sind und das Bauelement 16 durch das Sintermaterial 40 nicht kurzgeschlossen wird. Aufgrund des Entfernens des Sintermaterials 40 von dem Sintermaterialträger 36 sind auf dem Sintermaterialträger 36 in der Schicht des Sintermaterials Ausnehmungen gebildet. Bei der Verwendung von Silber, insbesondere Silberpartikeln als Sintermaterial 40 haften somit die Silberpartikel nur an den Anschlüssen 60, 62 und nicht zwischen ihnen, was bewirkt, dass das Bauelement 16 durch die Silberpartikel nicht kurzgeschlossen wird.
  • 35 zeigt einen vierten Schritt des Verfahrens gemäß 32, bei dem das optoelektronische Bauelement 16 mit dem Sintermaterial 40 an den Anschlüssen 60, 62 über dem Substrat 12 angeordnet wird.
  • 36 zeigt einen fünften Schritt des Verfahrens gemäß 32, bei dem das Bauelement 16 mittels des Bondkopfes 44 unter dem Druck P gegen das Substrat 12 derart gedrückt wird, dass das Sintermaterial 40 zwischen den Anschlüssen 60, 62 und dem Substrat 12 sintert, wodurch das gesinterte Sintermaterial 41 gebildet wird. Das gesinterte Sintermaterial 41 verbindet das Substrat 12 mit den Anschlüssen 60, 62 und dadurch das Substrat 12 mit dem Bauelement 16. Nachfolgend können der Bondkopf 44 und die Heizplatte 34 entfernt werden.
  • 37 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer Baugruppe 30, die beispielsweise weitgehend gemäß der im Vorhergehenden erläuterten Baugruppe 30 ausgebildet ist und/oder gemäß dem Verfahren gemäß den 32 bis 36 hergestellt wurde. Das Bauelement 16 ist beispielsweise ein Volumenemitter, der in einem großen Bereich seines Volumens elektrisch-magnetische Strahlung erzeugt und diese in alle Richtungen, beispielsweise in Richtung weg von dem Substrat 12 und seitlich, beispielsweise parallel zu einer Oberfläche des Substrats 12, und/oder zumindest in einen oberen Halbraum und dazu seitliche Halbräume emittiert. Die seitliche Emission der elektromagnetischen Strahlung ist nicht durch die Anschlüsse 60, 62 und das gesinterte Sintermaterial 41 behindert, da sich diese ausschließlich zwischen dem Substrat 12 und dem Bauelement 16 befinden. Es ist somit kein Fillet vorhanden, das bei einem volumenemittierenden Bauelement, beispielsweise einem Saphir-Chip, die an den Seiten, beispielsweise den Flanken, des Bauelements 16 austretende elektromagnetische Strahlung abschatten könnte.
  • Die Erfindung ist nicht auf die angegebenen Ausführungsbeispiele beschränkt. Beispielsweise können die Ausführungsbeispiele miteinander kombiniert werden. Ferner kann jede der gezeigten Baugruppen 30 ein, zwei oder mehr Bauelemente 16 aufweisen. Ferner können unterschiedliche Bauelemente 16 in einer Baugruppe 30 kombiniert werden. Beispielsweise können elektromagnetische Strahlung emittierende und elektromagnetische Strahlung absorbierende Bauelemente 16 in einer einzigen Baugruppe 30 angeordnet sein. Alternativ oder zusätzlich kann eine einzige Baugruppe 30 Bauelemente 16 aufweisen, die elektromagnetische Strahlung unterschiedlicher Wellenlänge emittieren. Beispielsweise kann die Baugruppe 30 ein rotes Licht emittierendes Bauelement 16, ein grünes Licht emittierendes 16 und ein blaues Licht emittierendes Bauelement 16 aufweisen, wobei die Baugruppe 30 dann beispielsweise als RGB-Modul bezeichnet werden kann. Ferner können alle gezeigten Ausführungsbeispiele nicht dargestellte elektrische Verbindungen, wie beispielsweise Bonddrähte aufweisen. Alternativ oder zusätzlich kann auch das Substrat 12 nicht gezeigte elektrische Verbindungspads aufweisen, beispielsweise zum elektrischen Kontaktieren der Abschlüsse 60, 62.

Claims (15)

  1. Verfahren zum Ausbilden einer optoelektronischen Baugruppe (30), bei dem – ein Sintermaterial (40) über einem Substrat (12) angeordnet wird, – das Sintermaterial (40) auf das Substrat (12) gepresst wird und unter Wärmezufuhr gesintert wird, so dass sich das Sintermaterial (40) mit dem Substrat (12) verbindet, und ein optoelektronisches Bauelement (16) auf das Sintermaterial (40) gepresst wird, so dass sich das Sintermaterial (40) mit dem optoelektronischen Bauelement (16) verbindet, wobei das Substrat (12) und das damit verbundene optoelektronische Bauelement (16) die optoelektronische Baugruppe (30) bilden.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das Sintermaterial (40) mit Hilfe des optoelektronischen Bauelements (16) auf das Substrat (12) gepresst wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 2, bei dem das Sintermaterial (40) in einer Trägerausnehmung (38) eines Sintermaterialträgers (36) angeordnet ist und bei dem das Sintermaterial (40) mit Hilfe des optoelektronischen Bauelements (16) aus der Trägerausnehmung (38) des Sintermaterialträgers (36) heraus gedrückt und auf das Substrat (12) gepresst wird.
  4. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das Sintermaterial (40) mit Hilfe eines Stempels (44) auf das Substrat (12) gepresst wird und das optoelektronische Bauelement (16) auf das auf dem Substrat (12) angeordnete Sintermaterial (40) gepresst wird.
  5. Verfahren nach Anspruch 4, bei dem vor dem Pressen des Sintermaterials (40) auf das Substrat (12) das Sintermaterial (40) auf einem Sintermaterialträger (36) angeordnet ist, bei dem der Sintermaterialträger (36) mit dem Sintermaterial (40) so über dem Substrat (12) angeordnet wird, dass der Sintermaterialträger (36) dem Stempel (44) zugewandt ist und das Sintermaterial (40) dem Substrat (12) zugewandt ist, und bei dem der Stempel (44) das Sintermaterial (40) über den Sintermaterialträger (36) auf das Substrat (12) presst.
  6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem das Sintermaterial (40) bei einer ersten Temperatur auf das Substrat (12) oder das Bauelement (16) übertragen wird und das optoelektronische Bauelement (16) bei einer zweiten Temperatur auf das Sintermaterial (40) auf dem Substrat (12) gepresst wird und bei dem die zweite Temperatur größer ist als die erste Temperatur.
  7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem das Substrat (12) eine Substratausnehmung (48) aufweist, bei dem das Sintermaterial (40) über der Substratausnehmung (48) angeordnet wird und bei dem das Sintermaterial (40) in der Substratausnehmung (48) auf das Substrat (12) gepresst wird.
  8. Verfahren nach Anspruch 7, bei dem der Sintermaterialträger (36) flexibel ausgebildet ist und bei dem der flexible Sintermaterialträger (36) beim Pressen des Sintermaterials (40) auf das Substrat (12) zumindest teilweise verformt wird.
  9. Verfahren zum Ausbilden einer optoelektronischen Baugruppe (30), bei dem ein Bauelementverbund, der mehrere optoelektronische Bauelemente (16) aufweist, ausgebildet wird, – ein Sintermaterial (40) auf dem Bauelementverbund so angeordnet wird, dass das Sintermaterial (40) auf einer Seite der optoelektronischen Bauelemente (16) angeordnet ist, – mindestens ein optoelektronisches Bauelement (16) mit dem darauf angeordneten Sintermaterial (40) aus dem Bauelementverbund entfernt wird, – das optoelektronische Bauelement (16) so auf einem Substrat (12) angeordnet wird, dass das Sintermaterial (40) in direktem körperlichen Kontakt mit dem Substrat (12) ist, – das Sintermaterial (40) mittels des optoelektronischen Bauelements (16) so gegen das Substrat (12) gepresst und unter Wärmezufuhr gesintert wird, dass sich das Sintermaterial (40) mit dem Substrat (12) und dem optoelektronischen Bauelement (16) verbindet, wobei das Substrat (12) und das damit verbundene optoelektronische Bauelement (16) die optoelektronische Baugruppe (30) bilden.
  10. Verfahren nach Anspruch 9, bei dem der Bauelementverbund ausgebildet wird, indem die optoelektronischen Bauelemente (16) aus einem Waferverbund (56) vereinzelt werden und an einem Trägerkörper (54) befestigt werden, wobei der Trägerkörper (54) mit den optoelektronischen Bauelementen (16) den Bauelementverbund bildet.
  11. Verfahren nach Anspruch 9, bei dem der Bauelementverbund von einem Waferverbund (56) gebildet ist und bei dem die optoelektronischen Bauelemente (16) nach dem Anordnen des Sintermaterials (40) auf dem Bauelementverbund und vor dem Entfernen der optoelektronischen Bauelemente (16) aus dem Bauelementverbund vereinzelt werden.
  12. Verfahren zum Ausbilden einer optoelektronischen Baugruppe (30), bei dem – ein Trägerkörper (54) bereitgestellt wird, der auf einer Seite des Trägerkörpers (54) ein Sintermaterial (40) aufweist, – mindestens eine Eigenschaft eines optoelektronischen Bauelements (16) ermittelt wird, – das optoelektronische Bauelement (16) abhängig von den ermittelten Eigenschaft dem Trägerkörper (54) zugeordnet wird, – das optoelektronische Bauelement (16) mit direktem körperlichen Kontakt so gegen das Sintermaterial (40) auf dem Trägerkörper (54) gepresst wird, dass das Sintermaterial (40) an dem optoelektronischen Bauelement (16) haftet, – das optoelektronische Bauelement (16) mit dem Sintermaterial (40) von dem Trägerkörper (54) entfernt wird, – das optoelektronische Bauelement (16) so auf einem Substrat (12) angeordnet wird, dass das Sintermaterial (40) zwischen dem optoelektronischen Bauelement (16) und dem Substrat (12) angeordnet ist, – das Sintermaterial (40) mittels des optoelektronischen Bauelements (16) so gegen das Substrat (12) gepresst und unter Wärmezufuhr gesintert wird, dass sich das Sintermaterial (40) mit dem Substrat (12) und dem optoelektronischen Bauelement (16) verbindet, wobei das Substrat (12) und das damit verbundene optoelektronische Bauelement (16) die optoelektronische Baugruppe (30) bilden.
  13. Verfahren zum Ausbilden einer optoelektronischen Baugruppe (30), bei dem – ein Sintermaterialträger (36) bereitgestellt wird, der auf einer Seite des Trägerkörpers ein Sintermaterial (40) aufweist – ein optoelektronisches Bauelement (16), das an einer ersten Seite des optoelektronischen Bauelements (16) mindestens einen ersten elektrischen Anschluss (60) zum elektrischen Kontaktieren des optoelektronischen Bauelements (16) aufweist, so gegen den Sintermaterialträger (36) gepresst wird, dass der erste elektrische Anschluss (60) in direktem körperlichen Kontakt mit dem Sintermaterial (40) ist und das Sintermaterial (40) an dem ersten elektrischen Anschluss haftet, – das optoelektronische Bauelement (16) so auf einem Substrat (12) angeordnet wird, dass das Sintermaterial (40) zwischen dem ersten elektrischen Anschluss (60) und dem Substrat (12) angeordnet ist, – das Sintermaterial (40) über das optoelektronische Bauelement (16) und den ersten elektrischen Anschluss so gegen das Substrat (12) gepresst und unter Wärmezufuhr gesintert wird, dass sich das Sintermaterial (40) mit dem Substrat (12) und dem ersten elektrischen Anschluss (60) verbindet, wobei das Substrat (12) und das damit verbundene optoelektronische Bauelement (16) die optoelektronische Baugruppe (30) bilden.
  14. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem das Sintermaterial (40) Silber aufweist.
  15. Optoelektronische Baugruppe (30), die mit Hilfe eines Verfahrens nach einem der vorstehenden Ansprüche ausgebildet ist.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015101420B3 (de) * 2015-01-30 2015-12-10 Infineon Technologies Ag Verfahren zum kontaminationsarmen Erzeugen einer Schicht mit einem Verbindungsmittel auf einem Fügepartner, Verfahren zum kontaminationsarmen Herstellen einer stoffschlüssigen Verbindung zwischen einem Fügepartner und einer Metallschicht, sowie Anlage zur Durchführung dieser Verfahren
JP2017522739A (ja) * 2014-07-11 2017-08-10 ヘラエウス ドイチュラント ゲゼルシャフト ミット ベシ 基板アダプタを製造する方法、基板アダプタ、および、半導体素子に対して接触する方法
DE102019106394A1 (de) * 2019-03-13 2020-09-17 Danfoss Silicon Power Gmbh Verfahren zum Herstellen einer kohäsiven Verbindung
WO2020224806A1 (en) * 2019-05-07 2020-11-12 Alpha Assembly Solutions Inc. Sinter-ready silver films
US11081464B2 (en) * 2015-05-29 2021-08-03 Infineon Technologies Ag Method for producing an integral join and automatic placement machine
DE102020111394A1 (de) 2020-04-27 2021-10-28 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zum herstellen einer halbleiterlaseranordnung und halbleiterlaseranordnung

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004019567B3 (de) * 2004-04-22 2006-01-12 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Befestigung von elektronischen Bauelementen auf einem Substrat
DE102004056702B3 (de) * 2004-04-22 2006-03-02 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Befestigung von elektronischen Bauelementen auf einem Substrat
DE102009018541A1 (de) * 2009-04-24 2010-10-28 W.C. Heraeus Gmbh Kontaktierungsmittel und Verfahren zur Kontaktierung elektrischer Bauteile
US20110084369A1 (en) * 2009-10-08 2011-04-14 Infineon Technologies Ag Device including a semiconductor chip and a carrier and fabrication method

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004019567B3 (de) * 2004-04-22 2006-01-12 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Befestigung von elektronischen Bauelementen auf einem Substrat
DE102004056702B3 (de) * 2004-04-22 2006-03-02 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Befestigung von elektronischen Bauelementen auf einem Substrat
DE102009018541A1 (de) * 2009-04-24 2010-10-28 W.C. Heraeus Gmbh Kontaktierungsmittel und Verfahren zur Kontaktierung elektrischer Bauteile
US20110084369A1 (en) * 2009-10-08 2011-04-14 Infineon Technologies Ag Device including a semiconductor chip and a carrier and fabrication method

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017522739A (ja) * 2014-07-11 2017-08-10 ヘラエウス ドイチュラント ゲゼルシャフト ミット ベシ 基板アダプタを製造する方法、基板アダプタ、および、半導体素子に対して接触する方法
DE102015101420B3 (de) * 2015-01-30 2015-12-10 Infineon Technologies Ag Verfahren zum kontaminationsarmen Erzeugen einer Schicht mit einem Verbindungsmittel auf einem Fügepartner, Verfahren zum kontaminationsarmen Herstellen einer stoffschlüssigen Verbindung zwischen einem Fügepartner und einer Metallschicht, sowie Anlage zur Durchführung dieser Verfahren
CN105845586A (zh) * 2015-01-30 2016-08-10 英飞凌科技股份有限公司 生成具有粘结剂的层和形成材料配合连接的方法以及装置
CN105845586B (zh) * 2015-01-30 2018-09-18 英飞凌科技股份有限公司 生成具有粘结剂的层和形成材料配合连接的方法以及装置
US10615138B2 (en) * 2015-01-30 2020-04-07 Infineon Technologies Ag Method for producing a connecting medium on an assembly partner, method for producing a material-fit connection between an assembly partner and a metal layer, and a system for carrying out the methods
DE102015108512B4 (de) 2015-05-29 2022-06-23 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung einer stoffschlüssigen Verbindung und Bestückungsautomat
US11081464B2 (en) * 2015-05-29 2021-08-03 Infineon Technologies Ag Method for producing an integral join and automatic placement machine
DE102019106394A1 (de) * 2019-03-13 2020-09-17 Danfoss Silicon Power Gmbh Verfahren zum Herstellen einer kohäsiven Verbindung
DE102019106394B4 (de) 2019-03-13 2023-06-01 Danfoss Silicon Power Gmbh Verfahren zum Herstellen einer kohäsiven Verbindung und Bondmaterialvorform dafür
WO2020224806A1 (en) * 2019-05-07 2020-11-12 Alpha Assembly Solutions Inc. Sinter-ready silver films
JP2022531686A (ja) * 2019-05-07 2022-07-08 アルファ・アセンブリー・ソリューションズ・インコーポレイテッド 焼結準備済み銀フィルム
JP7259084B2 (ja) 2019-05-07 2023-04-17 アルファ・アセンブリー・ソリューションズ・インコーポレイテッド 焼結準備済み銀フィルム
DE102020111394A1 (de) 2020-04-27 2021-10-28 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zum herstellen einer halbleiterlaseranordnung und halbleiterlaseranordnung

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