DE102012216738A1 - Optoelektronisches bauelement - Google Patents

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (100, 101, 102, 103). Das Verfahren umfasst ein Bereitstellen wenigstens eines optoelektronischen Halbleiterchips (110, 111, 112), und ein Anordnen einer Ausgangsschicht (130) auf dem Halbleiterchip (110, 111, 112). Die Ausgangsschicht (130) liegt in Form einer Folie vor und umfasst einen ersten Leuchtstoff. Bei dem Verfahren erfolgt ferner ein Anordnen eines Konversionselements (140) auf der Ausgangsschicht (130), wobei das Konversionselement (140) einen zweiten Leuchtstoff umfasst. Weiter vorgesehen ist ein Aushärten der Ausgangsschicht (130) zum Ausbilden einer Verbindungsschicht (131). Die Erfindung betrifft des Weiteren ein optoelektronisches Bauelement (100, 101, 102, 103).

Description

  • Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zum Herstellen eines solchen Bauelements. Das optoelektronische Bauelement weist einen optoelektronischen Halbleiterchip, und einen ersten und einen zweiten Leuchtstoff auf.
  • Ein optoelektronisches Bauelement zum Abgeben von warmweißem Licht kann durch eine Kombination eines im blauen Spektralbereich emittierenden LED-Chips (Light Emitting Diode) mit zwei Arten von Konversionsmitteln („Phosphoren“) verwirklicht werden. Durch Verwendung eines ersten Leuchtstoffs, welcher das blaue Licht partiell in rotes Licht, und eines zweiten Leuchtstoffs, welcher das blaue Licht partiell in gelbgrünes Licht umwandelt, kann durch additive Mischung der unterschiedlichen Spektralfarben weißes Licht erzeugt werden.
  • Ein solches Bauelement kann derart aufgebaut werden, dass ein den zweiten (gelbgrün emittierenden) Leuchtstoff umfassendes Konversionselement mittels eines Silikonklebers auf einen Halbleiterchip aufgeklebt wird, wobei der erste (rot emittierende) Leuchtstoff in dem Silikonkleber enthalten ist. Hierdurch kann ein relativ kleiner Kleberspalt zwischen dem Konversionselement und dem Halbleiterchip vorliegen. Im Rahmen der Herstellung kann zunächst der Silikonkleber als Tropfen auf den Halbleiterchip dispensiert, und nachfolgend das Konversionselement in den Tropfen gedrückt werden.
  • Bei dieser Prozessabfolge ist es jedoch schwierig, die Menge des dispensierten Klebertropfens und damit die finale Höhe bzw. Dicke der das Konversionselement mit dem Halbleiterchip verbindenden Klebstoffschicht mit einer hohen Genauigkeit einzustellen. Da der Farbort der von dem Bauelement abgegebenen Lichtstrahlung jedoch abhängig ist von der Dicke dieser Verbindungsschicht, ist das oben beschriebene Verfahren nur wenig geeignet, um das Bauelement auf zuverlässige Weise mit vorgegebenen Farbparametern herzustellen.
  • Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine Lösung für ein verbessertes optoelektronisches Bauelement anzugeben.
  • Diese Aufgabe wird durch die Merkmale der unabhängigen Patentansprüche gelöst. Weitere vorteilhafte Ausführungsformen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
  • Gemäß einem Aspekt der Erfindung wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements vorgeschlagen. Das Verfahren umfasst ein Bereitstellen wenigstens eines optoelektronischen Halbleiterchips, und ein Anordnen einer Ausgangsschicht auf dem Halbleiterchip. Die Ausgangsschicht liegt in Form einer Folie vor und umfasst einen ersten Leuchtstoff. Bei dem Verfahren erfolgt ferner ein Anordnen eines Konversionselements auf der Ausgangsschicht, wobei das Konversionselement einen zweiten Leuchtstoff umfasst. Weiter vorgesehen ist ein Aushärten der Ausgangsschicht zum Ausbilden einer Verbindungsschicht.
  • Bei dem Verfahren kommt anstelle eines flüssigen bzw. zähflüssigen Klebstoffs eine als Folie vorliegende, zusammenhängende Ausgangsschicht zum Einsatz, welche zwischen dem/den Halbleiterchip(s) und dem Konversionselement positioniert wird. Die folienförmige Ausgangsschicht, welche den ersten Leuchtstoff umfasst und sich in einem (noch) nicht ausgehärteten Zustand befindet, kann mit einer vorgegebenen Dicke bereitgestellt werden. Die durch Aushärten hieraus hervorgehende Verbindungsschicht, welche im Rahmen des Aushärtens an den/die Halbleiterchip(s) und an das Konversionselement angebunden werden kann, kann in gleicher Weise die vorgegebene Schichtdicke aufweisen. Dadurch kann die von dem optoelektronischen Bauelement im Betrieb abgegebene Lichtstrahlung relativ genau vorgegebenen Farbparametern entsprechen. Neben der Dicke können auch die lateralen Abmessungen der Ausgangsschicht und damit der Verbindungsschicht zuverlässig festgelegt werden. Der von der Ausgangsschicht und damit von der Verbindungsschicht umfasste erste Leuchtstoff kann zum Beispiel in Form von Partikeln vorliegen.
  • In einer Ausführungsform ist die Ausgangsschicht eine teilvernetzte Silikonfolie, welche den ersten Leuchtstoff umfasst. Bei dem Aushärten wird die teilvernetzte Silikonfolie vernetzt. Eine solche, aus partiell vernetztem Silikon ausgebildete Folie, welche auch als Bi-Stage-Silikonschicht bezeichnet werden kann, kann mit einer hohen Zuverlässigkeit und Genauigkeit mit einer vorgegebenen Dicke und mit vorgegebenen lateralen Abmessungen hergestellt werden. Hierzu kann vorgesehen sein, eine relativ große teilvernetzte Silikonfolie in einem gefrorenen Zustand bereitzustellen, und hieraus ein Teilstück bzw. ein Plättchen auszuschneiden oder zu stanzen, welches auf die laterale Form des/der Halbleiterchips und/oder des Konversionselements abgestimmt sein kann. Der erste Leuchtstoff kann hierbei, wie oben angedeutet, in Form von Partikeln in der Silikonfolie enthalten sein.
  • Da Silikon ein elektrisch isolierendes Material ist, kann eine solche Folie bzw. Schicht gegebenenfalls auch als zuverlässiger Träger von Kontaktstrukturen eingesetzt werden. Hierauf wird weiter unten noch näher eingegangen.
  • Anstelle von teilvernetztem Silikon kann jedoch auch ein anderes isolierendes und aushärtbares Material für die zusammenhängende folienartige Ausgangsschicht verwendet werden. Hierbei kann es sich insbesondere um ein teilvernetztes Kunststoff- bzw. Polymermaterial handeln, welches vergleichbar zu Silikon durch Ausheizen vernetzt werden kann. In einem solchen Material kann in gleicher Weise der erste Leuchtstoff als Partikelfüllung enthalten sein.
  • In einer weiteren Ausführungsform ist das Konversionselement ein keramisches Konversionselement. Hierbei kann vorgesehen sein, dass das gesamte oder im Wesentlichen das gesamte Konversionselement aus dem zweiten Leuchtstoff gebildet ist. Das keramische Konversionselement kann eine effiziente Wärmeabführung im Betrieb des optoelektronischen Bauelements ermöglichen. Ein weiterer möglicher Vorteil besteht darin, dass eine Lichtstreuung (weitgehend) vermieden werden kann.
  • Das Verfahren kann dazu eingesetzt werden, ein als Weißlichtquelle ausgebildetes optoelektronisches Bauelement herzustellen. In dieser Hinsicht ist gemäß einer weiteren Ausführungsform vorgesehen, dass der Halbleiterchip ausgebildet ist, eine Lichtstrahlung im blauen bis ultravioletten Spektralbereich zu erzeugen.
  • Bei dem optoelektronischen Halbleiterchip kann es sich insbesondere um einen Leuchtdioden- bzw. LED-Chip handeln.
  • Für das Erzeugen von weißer Lichtstrahlung ist gemäß einer weiteren Ausführungsform vorgesehen, dass der erste, von der Ausgangs- und damit der Verbindungsschicht umfasste Leuchtstoff ausgebildet ist, einen Teil der von dem Halbleiterchip abgegebenen Lichtstrahlung in eine Lichtstrahlung im roten Spektralbereich umzuwandeln. Der zweite, von dem Konversionselement umfasste Leuchtstoff ist ausgebildet, einen Teil der von dem Halbleiterchip abgegebenen Lichtstrahlung in eine Lichtstrahlung im gelben bis grünen Spektralbereich umzuwandeln. Durch additive Farbmischung kann erzielt werden, dass das optoelektronische Bauelement im Betrieb eine weiße, beispielsweise warmweiße Lichtstrahlung abgibt.
  • In einer weiteren Ausführungsform umfasst das Aushärten der folienförmigen Ausgangsschicht das Durchführen eines Temperaturprozesses. Bei einer Ausgestaltung der Ausgangsschicht als teilvernetzte Silikonschicht kann der Temperaturprozess zum Beispiel bei einer Temperatur in einem Bereich von 150°C bis 160°C durchgeführt werden.
  • Das optoelektronische Bauelement kann mit unterschiedlichen Ausführungsformen von Halbleiterchips verwirklicht werden.
  • Beispielsweise kann vorgesehen sein, dass der Halbleiterchip einen Vorderseitenkontakt aufweist. Hierauf abgestimmt weisen die Ausgangsschicht und das Konversionselement eine Aussparung für den Vorderseitenkontakt auf. Ein solcher Halbleiterchip mit einem Vorderseitenkontakt kann einen relativ einfachen und kostengünstigen Aufbau aufweisen.
  • Neben der Möglichkeit, das optoelektronische Bauelement in Form eines Einzelchip-Bauelements auszubilden, kann auch eine Herstellung in Form eines Multichip-Bauelements bzw. Moduls in Betracht kommen. Eine weitere Ausführungsform sieht in dieser Hinsicht vor, eine Anordnung aus mehreren optoelektronischen Halbleiterchips bereitzustellen, und die Ausgangsschicht auf den mehreren Halbleiterchips anzuordnen.
  • Ein Multichip-Modul kann mit Halbleiterchips verwirklicht werden, welche lediglich Rückseitenkontakte aufweisen. Hierdurch kann eine gesamte Vorderseite der Halbleiterchips zum Abgeben einer Lichtstrahlung genutzt werden. Eine solche Ausgestaltung kann auch für ein Einzelchip-Bauelement in Betracht kommen.
  • In einer alternativen Ausführungsform erfolgt die Herstellung eines Multichip-Moduls mit mehreren Halbleiterchips, welche jeweils zwei Vorderseitenkontakte aufweisen. In dieser Ausführungsform werden des Weiteren Kontaktstrukturen in der Ausgangsschicht ausgebildet, über welche Vorderseitenkontakte von Halbleiterchips, insbesondere benachbarter Halbleiterchips, elektrisch miteinander verbunden sind. Hierdurch ist eine einfache Kontaktierung von Halbleiterchips möglich. Über die Kontaktstrukturen können die Halbleiterchips beispielsweise in Reihe elektrisch miteinander verbunden sein.
  • In einer weiteren Ausführungsform wird eine isolierende Schicht ausgebildet, auf (bzw. in) welcher Kontaktstrukturen zum Kontaktieren der Halbleiterchips angeordnet werden. Hierbei kann es sich insbesondere um Kontaktstrukturen handeln, über welche eine Reihenverbindung von Halbleiterchips an den Enden kontaktierbar ist. Die isolierende Schicht kann zum Beispiel in Form einer die mehreren Halbleiterchips umgebenden Schicht verwirklicht werden.
  • In einer weiteren Ausführungsform wird der Halbleiterchip oder werden die Halbleiterchips auf einem Träger angeordnet. Dieser Verfahrensschritt kann vor dem Anordnen der Ausgangsschicht auf dem/den Halbleiterchip(s) erfolgen. Der Träger kann zum Beispiel ein keramischer Träger sein. Möglich sind auch andere Träger, welche zum Beispiel eine Wärmesenke umfassen können. Der Träger kann mit elektrischen Anschluss- und Kontaktstrukturen ausgebildet sein.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung wird ein optoelektronisches Bauelement vorgeschlagen. Das optoelektronische Bauelement weist einen Träger, wenigstens einen auf dem Träger angeordneten optoelektronischen Halbleiterchip und eine auf dem Halbleiterchip angeordnete Verbindungsschicht auf. Die Verbindungsschicht umfasst einen ersten Leuchtstoff. Das optoelektronische Bauelement weist ferner ein auf der Verbindungsschicht angeordnetes Konversionselement auf, welches einen zweiten Leuchtstoff umfasst. Die Verbindungsschicht ist durch Aushärten einer folienförmigen und den ersten Leuchtstoff umfassenden Ausgangsschicht ausgebildet. Dadurch kann die Verbindungsschicht eine vorgegebene Schichtdicke aufweisen, wodurch eine von dem optoelektronischen Bauelement abgegebene Lichtstrahlung vorgegebenen Farbparametern entsprechen, und das Bauelement eine hohe Farbortgenauigkeit aufweisen kann.
  • Für das optoelektronische Bauelement können oben zu dem Verfahren angegebene Ausführungsformen und Aspekte in gleicher Weise in Betracht kommen.
  • Die vorstehend erläuterten und/oder in den Unteransprüchen wiedergegebenen vorteilhaften Aus- und Weiterbildungen der Erfindung können – außer zum Beispiel in Fällen eindeutiger Abhängigkeiten oder unvereinbarer Alternativen – einzeln oder aber auch in beliebiger Kombination miteinander zur Anwendung kommen.
  • Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen, die im Zusammenhang mit den schematischen Zeichnungen näher erläutert werden. Es zeigen:
  • 1 eine seitliche Darstellung eines auf einem Träger angeordneten optoelektronischen Halbleiterchips, einer Silikonfolie und eines keramischen Konversionselements vor einem Zusammenbau;
  • 2 eine Aufsichtsdarstellung der Komponenten von 1;
  • 3 ein Ausstanzen der Silikonfolie aus einer größeren Folie;
  • 4 eine seitliche Darstellung eines aus den Komponenten von 1 aufgebauten optoelektronischen Bauelements;
  • 5 eine seitliche Darstellung eines Trägers mit mehreren Halbleiterchips, einer Silikonfolie und eines keramischen Konversionselements vor einem Zusammenbau;
  • 6 eine Aufsichtsdarstellung der Komponenten von 5;
  • 7 eine seitliche Darstellung eines aus den Komponenten von 5 aufgebauten optoelektronischen Bauelements;
  • 8 ein Ablaufdiagramm zur Veranschaulichung von Schritten eines Verfahrens zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements;
  • 9 eine seitliche Darstellung eines Trägers mit mehreren Halbleiterchips, einer Silikonfolie und eines keramischen Konversionselements vor einem Zusammenbau, wobei die Halbleiterchips jeweils Vorderseitenkontakte aufweisen;
  • 10 eine Aufsichtsdarstellung der Komponenten von 9;
  • 11 eine seitliche Darstellung des Trägers mit den Halbleiterchips und der auf den Halbleiterchips angeordneten Silikonfolie, wobei eine weitere, die Halbleiterchips umgebende Schicht und Kontaktstrukturen zur Kontaktierung der Halbleiterchips ausgebildet sind;
  • 12 eine 11 entsprechende Aufsichtsdarstellung;
  • 13 eine seitliche Darstellung eines optoelektronischen Bauelements;
  • 14 eine zu 11 abgewandelte Ausgestaltung, wobei die Silikonfolie die Halbleiterchips seitlich überlappt;
  • 15 eine 14 entsprechende Aufsichtsdarstellung;
  • 16 eine seitliche Darstellung eines optoelektronischen Bauelements; und
  • 17 ein Ablaufdiagramm zur Veranschaulichung von Schritten eines weiteren Verfahrens zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements.
  • Auf der Grundlage der folgenden schematischen Figuren werden Ausführungsformen eines Verfahrens zum Herstellen von optoelektronischen Bauelementen beschrieben, welche mit einer hohen Zuverlässigkeit und Genauigkeit vorgegebenen Farbeigenschaften entsprechen können. Die Bauelemente, welche auch als Chipmodule oder Packages bezeichnet werden können, können in Form von Weißlichtquellen verwirklicht sein, und im Betrieb eine weiße, insbesondere warmweiße Lichtstrahlung abgeben.
  • Bei dem Verfahren können in der Halbleitertechnik und in der Fertigung optoelektronischer Bauelemente bekannte Prozesse durchgeführt sowie übliche Materialien zum Einsatz kommen, so dass hierauf nur teilweise eingegangen wird. Es wird ferner darauf hingewiesen, dass neben den dargestellten und beschriebenen Prozessen gegebenenfalls weitere Verfahrensschritte durchgeführt werden können, um die Herstellung der jeweiligen Bauelemente zu vervollständigen. In gleicher Weise können die Bauelemente neben gezeigten und beschriebenen Strukturen weitere Strukturen und Strukturelemente umfassen.
  • Anhand der schematischen 1 bis 4 wird die Herstellung eines ersten optoelektronischen Bauelements 100 beschrieben, welches ein Einzelchip-Bauelement 100 darstellt. Bei dem Verfahren durchgeführte Verfahrensschritte sind ergänzend in dem Ablaufdiagramm von 8 zusammengefasst, auf welches im Folgenden ebenfalls Bezug genommen wird.
  • Bei dem Verfahren wird in einem Schritt 201 (vgl. 8) ein in 1 von der Seite und in 2 in der Aufsicht gezeigter optoelektronischer Halbleiterchip 110 bereitgestellt. Bei dem Halbleiterchip 110 handelt es sich insbesondere um einen Leuchtdioden- bzw. LED-Chip 110. Der Halbleiterchip 110 ist dazu ausgebildet, im Betrieb bei Anlegen eines elektrischen Stroms eine Lichtstrahlung abzugeben. Im Hinblick auf eine Ausgestaltung des herzustellenden optoelektronischen Bauelements 100 als Weißlichtquelle ist der Halbleiterchip 110 zum Abgeben einer Lichtstrahlung im blauen bis ultravioletten Wellenlängenbereich ausgebildet.
  • Für das Anlegen des elektrischen Stroms ist der Halbleiterchip 110 sowohl an einer Vorderseite als auch an einer der Vorderseite entgegen gesetzten Rückseite kontaktierbar. In Bezug auf die Vorderseite weist der Halbleiterchip 110 wie in den 1 und 2 gezeigt einen am Rand bzw. an einer Ecke angeordneten metallischen Kontakt 115 auf. Der Vorderseitenkontakt 115 kann zum Beispiel in Form einer zum Drahtbonden geeigneten metallischen Kontaktfläche (Bondpad) ausgebildet sein. Die Vorderseite des Halbleiterchips 110 dient gleichzeitig zum Emittieren der Lichtstrahlung (Lichtaustrittsseite). An der entgegen gesetzten Rückseite weist der Halbleiterchip 110 einen nicht dargestellten metallischen Rückseitenkontakt auf.
  • In einer möglichen Ausführungsform weist der Halbleiterchip 110 ein Trägersubstrat und eine vorderseitig angeordnete Nutzschicht bzw. Nutzschichtanordnung auf (nicht dargestellt). Die Nutzschicht umfasst eine Halbleiterschichtenfolge mit einer zur Strahlungsemission geeigneten aktiven Zone. Dabei ist der Vorderseitenkontakt 115 auf der Nutzschicht, und ist der Rückseitenkontakt auf dem Trägersubstrat angeordnet. Die beiden Kontakte sind elektrisch mit unterschiedlichen Seiten der Halbleiterschichtenfolge verbunden.
  • Im Rahmen des Schritts 201 (vgl. 8) ist des Weiteren vorgesehen, den bereitgestellten Halbleiterchip bzw. LED-Chip 110 wie in 1 gezeigt auf einem Träger 120 anzuordnen. Der Träger 120, welcher auch als Submount bezeichnet werden kann, weist elektrische Anschluss- und Kontaktstrukturen für den Chip 110 auf (nicht dargestellt).
  • Der Träger 120 kann insbesondere einen auf den Rückseitenkontakt des Halbleiterchips 110 abgestimmten metallischen Gegenkontakt aufweisen. Bei dem Anordnen des Halbleiterchips 110 auf dem Träger 120 werden diese Kontakte elektrisch und mechanisch verbunden. Dies kann durch Löten unter Verwendung eines Lotmittels erfolgen. Der Träger 120 kann ferner einen weiteren Gegenkontakt aufweisen, an welchen ein zum Kontaktieren des Vorderseitenkontakts 115 des Chips 110 vorgesehener Bonddraht anschließbar ist.
  • Der Träger 120 kann zum Beispiel in Form eines keramischen Trägers 120 ausgebildet sein. Alternativ kann eine andere Ausgestaltung in Betracht kommen. Beispielsweise kann der Träger 120 eine metallische Wärmesenke aufweisen, wobei die Wärmesenke, sowie zum Teil entsprechende Kontakt- bzw. Leiterbahnstrukturen, von einem Kunststoffmaterial umgeben sind (Premold-Träger).
  • Im Rahmen des Schritts 201 (vgl. 8) werden weitere, in den 1 und 2 gezeigte Komponenten für die Herstellung des optoelektronischen Bauelements 100 bereitgestellt. Hierbei handelt es sich um ein plättchenförmiges Teilstück einer zusammenhängenden Folie 130 aus partiell vernetztem Silikon und um ein plättchenförmiges keramisches Konversionselement 140. Wie in 2 gezeigt ist, weisen die Silikonfolie 130 und das Konversionselement 140 im Wesentlichen die gleichen lateralen Abmessungen wie der Halbleiterchip 110 auf, und sind am Rand bzw. an einer Ecke jeweils mit einer auf den Vorderseitenkontakt 115 des Halbleiterchips 110 abgestimmten Aussparung 137, 147 ausgebildet.
  • Die aus teilvernetztem Silikon ausgebildete Silikonfolie 130 wird einerseits zum Befestigen des Konversionselements 140 auf dem Halbleiterchip 110 verwendet, und zu diesem Zeck, wie weiter unten näher beschrieben wird, in eine entsprechende Verbindungsschicht 131 umgewandelt (vgl. 4). Andererseits dienen die Silikonfolie 130 bzw. die hieraus hervorgehende Verbindungsschicht 131 dazu, einen Teil der Lichtstrahlung des Halbleiterchips 110 zu konvertieren.
  • In dieser Hinsicht umfasst die Silikonfolie 130 ein erstes Konversionsmaterial bzw. einen ersten Leuchtstoff, mit dessen Hilfe ein Teil der von dem Halbleiterchip 110 über dessen Vorderseite abgegebenen primären Lichtstrahlung in eine sekundäre Lichtstrahlung umgewandelt werden kann. Im Hinblick auf die Ausgestaltung des Bauelements 100 als Weißlichtquelle kommt eine sekundäre Lichtstrahlung im roten Spektralbereich in Betracht. Bei dem ersten Leuchtstoff kann es sich beispielsweise um einen nitridbasierten Leuchtstoff handeln. Der erste Leuchtstoff kann in Form von Partikeln in der Silikonfolie 130 enthalten sein.
  • Die Herstellung der für das Bauelement 100 vorgesehenen Silikonfolie 130 kann dadurch erfolgen, dass zunächst, wie in 3 gezeigt, eine großflächige Folie 135 aus partiell vernetztem Silikon erzeugt wird, welche mit Partikeln des ersten Leuchtstoffs gefüllt ist. Zu diesem Zweck kann ein Gießverfahren (Molding) durchgeführt werden. Dadurch ist die Möglichkeit gegeben, die Höhe bzw. Dicke und die Höhenvariation der Silikonfolie 135 mit einer hohen Genauigkeit zu kontrollieren, wodurch die Silikonfolie 135, und dadurch auch die Teilfolie 130 für das Bauelement 100, mit einer vorgegebenen Schichtdicke hergestellt werden können. Die Silikonfolie 135 mit Leuchtstoffpartikelfüllung kann zum Beispiel eine einheitliche Dicke aufweisen, welche in einem Bereich zwischen 50µm und 150µm liegt.
  • Die teilvernetzte Silikonfolie 135 wird in einem gefrorenen Zustand, beispielsweise bei einer Temperatur von –18°C, gelagert, so dass eine weitere Vernetzung des Silikons, wie sie erst in einem späteren Verfahrensstadium vorgesehen ist, vermieden werden kann. Eine weitere Vernetzung kann bei Raumtemperatur bzw. (noch) höheren Temperaturen erfolgen. Eine solche, in einem vorvernetzten Zustand befindliche Folie, welche auf gezielte Weise durchvernetzt werden kann, wird auch als Bi-Stage-Silikonfolie bezeichnet.
  • Wie des Weiteren in 3 angedeutet ist, kann das für das Bauelement 100 vorgesehene Silikonfolien-Plättchen 130 durch Ausschneiden oder Stanzen aus der großflächigen Silikonfolie 135 gewonnen werden. Aufgrund des gefrorenen Zustands ist dies mit einer hohen Genauigkeit möglich. Die Silikonfolie 130 kann somit auf zuverlässige Weise mit einer dem Konversionselement 140 entsprechenden, und auf den Halbleiterchip 110 abgestimmten lateralen Form erzeugt werden. Entsprechend der Silikonfolie 135 kann die hieraus gewonnene Teilfolie 130 eine vorgegebene Schichtdicke besitzen. Diese vorteilhaften Aspekte, d.h. das Vorliegen einer vorgegebenen genauen Form und Schichtdicke, treffen in gleicher Weise auf die aus der Silikonfolie 130 erzeugte Verbindungsschicht 131 zu.
  • In Bezug auf das Ausschneiden oder Stanzen kann vorgesehen sein, dass eine Mehrzahl an Teilfolien 130 für eine entsprechende Mehrzahl an herzustellenden Bauelementen 100 gleichzeitig oder nacheinander aus der großflächigen Silikonfolie 135 erzeugt werden.
  • Das ebenfalls im Rahmen des Schritts 201 bereitgestellte keramische Konversionselement 140 umfasst ein zweites Konversionsmaterial bzw. einen zweiten Leuchtstoff, mit dessen Hilfe ein Teil der von dem Halbleiterchip 110 abgegebenen primären Lichtstrahlung ebenfalls in eine sekundäre Lichtstrahlung umgewandelt werden kann. Im Hinblick auf die Ausgestaltung des Bauelements 100 als Weißlichtquelle handelt es sich um eine sekundäre Lichtstrahlung im gelben bis grünen Spektralbereich. Es kann vorgesehen sein, dass im Wesentlichen das gesamte Konversionselement 140 aus dem zweiten Leuchtstoff gebildet ist. In Betracht kommt zum Beispiel eine Ausgestaltung basierend auf YAG (Yttrium-Aluminium-Granat) oder LuAG (Lutetium-Aluminium-Granat). Die Herstellung des keramischen Konversionselements 140 kann beispielsweise ein Sintern des zunächst in Pulverform bereitgestellten zweiten Leuchtstoffs umfassen.
  • Die Verwendung des keramischen Konversionselements 140 bietet den Vorteil, eine effiziente Wärmeabführung im Betrieb des optoelektronischen Bauelements 100 zu ermöglichen. Ein weiterer möglicher Vorteil besteht darin, dass keine oder nur eine relativ kleine Lichtstreuung auftritt.
  • In einem weiteren Schritt 202 (vgl. 8) werden diese Komponenten in Form eines Stapels übereinander angeordnet, d.h. dass die Silikonfolie 130 auf dem Halbleiterchip 110 (bzw. dessen Vorderseite), und das keramische Konversionselement 140 auf der Silikonfolie 130 positioniert werden (vgl. 1 und 4). Das Anordnen dieser Komponenten wird derart durchgeführt, dass keine, oder lediglich eine vernachlässigbare Vernetzung der Silikonfolie 130 stattfindet. Vorzugsweise befindet sich die Silikonfolie 130 daher weiterhin in einem gefrorenen, oder in einem nur wenig aufgetauten Zustand.
  • In einem nachfolgenden Schritt 203 (vgl. 8) erfolgt ein Aushärten der Silikonfolie 130, wodurch die Silikonfolie 130 in die Verbindungsschicht 131 umgewandelt, und dadurch das in 4 gezeigte Bauelement 100 bereitgestellt werden kann. Zu diesem Zweck wird ein Temperaturprozess durchgeführt, beispielsweise mit einer Ausheiztemperatur in einem Temperaturbereich von 150°C bis 160°C. Das Ausheizen hat zur Folge, dass das zunächst in teilvernetzter Form vorliegende Silikon fertig vernetzt bzw. vollständig durchvernetzt wird. Bei dem Vernetzungsschritt findet des Weiteren eine Anbindung des Silikons an den Halbleiterchip 110 und an das Konversionselement 140 statt. Auf diese Weise sorgt die aus der Silikonfolie 130 hervorgegangene ausgehärtete Verbindungsschicht 131 dafür, dass das Konversionselement 140 fest mit dem Halbleiterchip 110 verbunden ist.
  • Hieran anschließend können weitere, nicht dargestellte Prozesse zum Vervollständigen des optoelektronischen Bauelements 100 durchgeführt werden, welche bei dem Ablaufdiagramm von 8 in einem weiteren Schritt 204 zusammengefasst sind. Hierunter fällt zum Beispiel ein Anbringen eines Bonddrahts an den Vorderseitenkontakt 115 des Halbleiterchips 110 und an den dazugehörigen Gegenkontakt des Trägers 120. Aufgrund der Aussparungen 137, 147 der Silikonfolie 130 und des Konversionselements 140 ist der Vorderseitenkontakt 115 für diesen Prozess frei zugänglich. Weitere mögliche Prozesse sind zum Beispiel ein Vergießen des Bauelements 100, ein Anordnen einer Linse, usw.
  • Das optoelektronische Bauelement 100 kann wie oben angedeutet in Form einer Weißlichtquelle ausgebildet sein. Hierbei kann die Überlagerung der unterschiedlichen Teilstrahlungen, d.h. vorliegend der blauen bzw. ultravioletten Primärstrahlung des Halbleiterchips 110, der mit Hilfe der Leuchtstoffpartikel der Verbindungsschicht 131 erzeugten roten Sekundärstrahlung, und der gelbgrünen Sekundärstrahlung des Konversionselements 140 eine weiße bzw. warmweiße Lichtstrahlung ergeben. Da die als Ausgangsschicht dienende teilvernetzte Silikonfolie 130 und dadurch die Verbindungsschicht 131 eine vorgegebene Schichtdicke aufweisen können, können Farbparameter des optoelektronischen Bauelements 100, insbesondere der Farbort der emittierten Lichtstrahlung, mit einer hohen Zuverlässigkeit und Genauigkeit festgelegt sein.
  • Anhand der folgenden Figuren werden weitere optoelektronische Bauelemente bzw. mögliche Verfahren zu deren Herstellung beschrieben. Dabei wird darauf hingewiesen, dass in Bezug auf bereits beschriebene Details, welche sich auf gleichartige oder übereinstimmende Komponenten und Merkmale, mögliche Vorteile usw. beziehen, auf die vorstehenden Ausführungen Bezug genommen wird. Möglich ist es ferner, dass Merkmale und Aspekte, welche im Hinblick auf eine der folgenden Ausführungsformen genannt werden, auch bei anderen der im Folgenden beschriebenen Ausführungsformen zur Anwendung kommen können.
  • Das Verfahren kann nicht nur zur Herstellung von Einzelchip-Bauelementen, sondern in gleicher Weise zur Herstellung von Bauelementen mit mehreren Chips, welche auch als Multichip-Bauelemente oder Multichip-Module bezeichnet werden, herangezogen werden. Ein mögliches Beispiel ist die in den schematischen 5 bis 7 veranschaulichte Herstellung eines optoelektronischen Bauelements 101, welches ein solches Multichip-Bauelement 101 darstellt. Bei dem Verfahren durchgeführte Verfahrensschritte sind ebenfalls in dem Ablaufdiagramm von 8 zusammengefasst.
  • Bei dem Verfahren werden in einem Schritt 201 (vgl. 8) mehrere, beispielsweise wie in den 5 und 6 gezeigt vier optoelektronische Halbleiterchips 111 bereitgestellt. Die Halbleiterchips 111 stellen insbesondere LED-Chips 111 dar. Im Hinblick auf eine Ausgestaltung des herzustellenden optoelektronischen Bauelements 101 als Weißlichtquelle sind die Chips 111 zum Abgeben einer Lichtstrahlung im blauen bis ultravioletten Spektralbereich ausgebildet.
  • Wie in 5 gezeigt ist, weisen die einzelnen Halbleiterchips 111 jeweils zwei metallische Kontakte 116 auf, über welche im Betrieb ein elektrischer Strom an die Chips 111 angelegt werden kann. Die Kontakte 116 sind an der der Vorderseite (Lichtaustrittsseite) entgegen gesetzten Rückseite der Chips 111 angeordnet. Die Rückseitenkontakte 116 können zum Beispiel in Form von Kontaktflächen, Drahtkontakten oder Kontakterhebungen (Bumps) verwirklicht sein. Des Weiteren kann vorgesehen sein, die Rückseitenkontakte 116 im Rahmen des Bereitstellens der Halbleiterchips 111 mit einem Lotmittel, beispielsweise in Form von Lotkugeln, zu versehen.
  • In einer möglichen Ausführungsform weisen die Halbleiterchips 111 ein Trägersubstrat und eine vorderseitig angeordnete Nutzschicht bzw. Nutzschichtanordnung auf (nicht dargestellt). Die Nutzschicht umfasst eine Halbleiterschichtenfolge mit einer zur Strahlungsemission geeigneten aktiven Zone. Hierbei sind die Rückseitenkontakte 116 eines Chips 111 auf dem Trägersubstrat angeordnet, und elektrisch mit unterschiedlichen Seiten der Halbleiterschichtenfolge verbunden.
  • Im Rahmen des Schritts 201 (vgl. 8) werden die bereitgestellten Halbleiterchips bzw. LED-Chips 111 wie in 5 gezeigt auf einem Träger 120 angeordnet. In der hier gezeigten Ausgestaltung werden die Chips 111 nebeneinander in Form einer Linie bzw. Zeile auf dem Träger 120 positioniert, wie auch in der Aufsichtsdarstellung von 6 angedeutet ist.
  • Bei dem Träger 120 kann es sich beispielsweise um einen keramischen Träger, oder um einen anderen Träger wie zum Beispiel einen Premold-Träger handeln. Der Träger 120 weist auf die Chips 111 abgestimmte Anschluss- und Kontaktstrukturen auf (nicht dargestellt). Hierunter fallen zu den Rückseitenkontakten 116 der Chips 111 korrespondierende metallische Gegenkontakte. Bei dem Anordnen der Halbleiterchips 111 auf dem Träger 120 werden diese Kontakte elektrisch und mechanisch verbunden, was im Rahmen eines Lötens unter Verwendung eines Lotmittels erfolgen kann.
  • Im Rahmen des Schritts 201 (vgl. 8) werden des Weiteren eine teilvernetzte Silikonfolie 130 und ein keramisches Konversionselement 140 bereitgestellt. Wie in 6 angedeutet ist, weisen diese plättchenförmigen Komponenten 130, 140 jeweils die gleiche längliche Rechteck- bzw. Streifenform auf. Diese Form ist auf die Anordnung der Chips 111 auf dem Träger 120 abgestimmt, um beide Komponenten 130, 140 auf den mehreren Chips 111 positionieren zu können.
  • Die teilvernetzte Silikonfolie 130 kann in der oben beschriebenen Weise, d.h. durch Ausschneiden oder Stanzen aus einer (gefrorenen) großflächigen Silikonfolie hergestellt werden (nicht dargestellt). Dadurch kann die Silikonfolie 130 relativ genau mit einer vorgegebenen Form und Dicke erzeugt werden. Die Silikonfolie 130 umfasst einen ersten Leuchtstoff, mit dessen Hilfe ein Teil der von den Halbleiterchips 111 abgegebenen primären Lichtstrahlung in eine sekundäre Lichtstrahlung umgewandelt werden kann. Im Hinblick auf die Ausgestaltung des Bauelements 101 als Weißlichtquelle kommt eine rote Lichtstrahlung in Betracht. Der erste Leuchtstoff kann in Form von Partikeln in der Silikonfolie 130 enthalten sein.
  • Das keramische Konversionselement 140 umfasst einen zweiten Leuchtstoff, mit dessen Hilfe ein Teil der von den Halbleiterchips 111 abgegebenen primären Lichtstrahlung ebenfalls in eine sekundäre Lichtstrahlung umgesetzt werden kann. Im Hinblick auf die Ausgestaltung des Bauelements 101 als Weißlichtquelle kommt eine gelbe bzw. grüne Lichtstrahlung in Betracht. Im Wesentlichen das gesamte Konversionselement 140 kann aus dem zweiten Leuchtstoff ausgebildet sein.
  • In einem weiteren Schritt 202 (vgl. 8) werden diese Komponenten übereinander gestapelt, d.h. dass die Silikonfolie 130 auf den Halbleiterchips 111 (bzw. deren Vorderseiten), und das keramische Konversionselement 140 auf der Silikonfolie 130 abgelegt wird (vgl. 5 und 7). Hierbei befindet sich die Silikonfolie 130 vorzugsweise in einem gefrorenen oder nur wenig aufgetauten Zustand, so dass noch keine, oder lediglich eine vernachlässigbare Vernetzung der Silikonfolie 130 stattfinden kann.
  • In einem anschließenden Schritt 203 (vgl. 8) wird die Silikonfolie 130 durch Ausheizen in eine durchvernetzte Verbindungsschicht 131 umgewandelt. Während des Vernetzens wird das Silikon sowohl an die Halbleiterchips 111 als auch an das Konversionselement 140 angebunden. Auf diese Weise ist bei dem in 7 gezeigten Bauelement 101 das Konversionselement 140 über die ausgehärtete Verbindungsschicht 131 fest mit den Halbleiterchips 111 verbunden.
  • Hieran anschließend können weitere, nicht dargestellte Prozesse zum Vervollständigen des optoelektronischen Bauelements 101 durchgeführt werden (Schritt 204 in 8). In Betracht kommt beispielsweise ein Vergießen des Bauelements 101, ein Anordnen einer Linse, usw.
  • Auch das optoelektronische Bauelement 101 kann als Weißlichtquelle ausgebildet sein. Dabei kann durch Überlagerung der blauen bzw. ultravioletten Primärstrahlung der Halbleiterchips 111, der roten Sekundärstrahlung der Verbindungsschicht 131 und der gelbgrünen Sekundärstrahlung des Konversionselements 140 eine weiße bzw. warmweiße Lichtstrahlung erzeugt werden. Da die Verbindungsschicht 131 eine definierte Schichtdicke besitzen kann, kann die Lichtstrahlung auf zuverlässige Weise einem vorgegebenen Farbort entsprechen.
  • Eine ausgehärtete Verbindungsschicht 131 kann neben den oben beschriebenen Funktionen – Befestigung eines Konversionselements 140 und Strahlungskonversion – auch als Träger von (versenkten) Kontaktstrukturen verwendet werden. Mögliche Ausführungsformen werden im Folgenden näher beschrieben.
  • Die schematischen 9 bis 13 veranschaulichen die Herstellung eines weiteren Multichip-Bauelements 102. Bei dem Verfahren durchgeführte Verfahrensschritte sind ergänzend in dem Ablaufdiagramm von 17 zusammengefasst, auf welches im Folgenden ebenfalls Bezug genommen wird.
  • Bei dem Verfahren werden in einem Schritt 201 (vgl. 17) mehrere, beispielsweise wie in 10 gezeigt zwölf Halbleiterchips 112 bereitgestellt. Hierbei handelt es sich insbesondere um LED-Chips 112. Im Hinblick auf eine Ausgestaltung des herzustellenden optoelektronischen Bauelements 102 als Weißlichtquelle sind die Chips 112 zum Abgeben einer Lichtstrahlung im blauen bis ultravioletten Spektralbereich ausgebildet. Wie in den 9 und 10 gezeigt ist, weisen die einzelnen Chips 112 jeweils zwei metallische Kontakte 117 auf, über welche im Betrieb ein elektrischer Strom an die Chips 112 angelegt werden kann. Die Kontakte 117 sind am Rand bzw. an Ecken der Vorderseite (Lichtaustrittsseite) der Chips 112 angeordnet. Die Vorderseitenkontakte 117 können zum Beispiel in Form von Kontaktflächen verwirklicht sein.
  • In einer möglichen Ausführungsform weisen die Halbleiterchips 112 ein Trägersubstrat und eine vorderseitig angeordnete Nutzschicht bzw. Nutzschichtanordnung auf (nicht dargestellt). Die Nutzschicht umfasst eine Halbleiterschichtenfolge mit einer zur Strahlungsemission geeigneten aktiven Zone. Hierbei sind die Vorderseitenkontakte 117 auf der Nutzschicht angeordnet. Die Vorderseitenkontakte 117 sind ferner elektrisch mit unterschiedlichen Seiten der Halbleiterschichtenfolge verbunden.
  • Im Rahmen des Schritts 201 (vgl. 17) werden die bereitgestellten Halbleiterchips bzw. LED-Chips 112 wie in 9 gezeigt auf einem Träger 120 angeordnet. In der hier gezeigten Ausgestaltung werden die Chips 112 in Form einer Matrix, d.h. in Form von Zeilen und Spalten, auf dem Träger 120 positioniert (vgl. 10 und 12). Dabei liegen die Vorderseitenkontakte 117 einer Zeile aus Chips 112 jeweils auf einer gemeinsamen Linie, was im Hinblick auf eine herzustellende Kontaktierung der Chips 112 gewählt ist.
  • Der Träger 120 kann beispielsweise ein keramischer Träger, oder ein anderer Träger wie zum Beispiel ein eine Wärmesenke umfassender Premold-Träger sein. Bei dem Anordnen werden die Halbleiterchips 112 lediglich mechanisch mit dem Träger 120 verbunden. Dies kann im Rahmen eines Lötens unter Verwendung eines Lotmittels erfolgen. Zum Begünstigen des Herstellens der Lotverbindung können die Halbleiterchips 112 und der Träger 120 aufeinander abgestimmte metallische Schichten aufweisen. Bei den Chips 112 können diese Schichten auf der Rückseite (bzw. auf dem Trägersubstrat) vorgesehen sein (nicht dargestellt).
  • Im Rahmen des Schritts 201 (vgl. 17) werden des Weiteren eine teilvernetzte Silikonfolie 130 und ein keramisches Konversionselement 140 bereitgestellt. Wie in 10 angedeutet ist, weisen die beiden plättchenförmigen Komponenten 130, 140 jeweils eine Rechteckform mit übereinstimmenden lateralen Abmessungen auf. Diese Form ist auf die Anordnung der Chips 112 auf dem Träger 120 abgestimmt, um beide Komponenten 130, 140 auf den mehreren Chips 112 zu positionieren. In der gezeigten Ausgestaltung ist ferner vorgesehen, dass die (nachfolgend) auf den Chips 112 angeordnete Silikonfolie 130 an den Rand der Chips 112 heranreicht (vgl. 12).
  • Die teilvernetzte Silikonfolie 130 kann erneut durch Ausschneiden oder Stanzen aus einer (gefrorenen) großflächigen Silikonfolie hergestellt werden (nicht dargestellt). Dadurch kann die Silikonfolie 130 relativ genau mit einer vorgegebenen Form und Dicke erzeugt werden. Die Silikonfolie 130 umfasst einen ersten Leuchtstoff, mit dessen Hilfe ein Teil der von den Halbleiterchips 112 abgegebenen primären Lichtstrahlung in eine sekundäre Lichtstrahlung umgewandelt werden kann. Im Hinblick auf die Ausgestaltung des Bauelements 102 als Weißlichtquelle kommt eine rote Lichtstrahlung in Betracht. Der erste Leuchtstoff kann in Form von Partikeln in der Silikonplatte 130 enthalten sein.
  • Das keramische Konversionselement 140 umfasst einen zweiten Leuchtstoff, mit dessen Hilfe ein Teil der von den Halbleiterchips 112 abgegebenen primären Lichtstrahlung ebenfalls in eine sekundäre Lichtstrahlung umgesetzt werden kann. Im Hinblick auf die Ausgestaltung des Bauelements 102 als Weißlichtquelle kommt eine gelbe bzw. grüne Lichtstrahlung in Betracht. Im Wesentlichen das gesamte Konversionselement 140 kann aus dem zweiten Leuchtstoff gebildet sein.
  • In einem weiteren Schritt 205 (vgl. 17) erfolgt ein Ausbilden von metallischen Kontaktstrukturen 151, 152, 153, 154, mit deren Hilfe die Halbleiterchips 112 kontaktiert werden können (vgl. die schematische seitliche Schnittdarstellung in 11 und die Aufsichtsdarstellung in 12). Vor dem eigentlichen Herstellen dieser Strukturen 151, 152, 153, 154 wird in dem Schritt 205 zunächst die Silikonfolie 130 auf den Halbleiterchips 112 (bzw. auf deren Vorderseiten) angeordnet. Die Silikonfolie 130 ragt dabei, wie in 12 dargestellt, an den Rand der Chips 112 heran. In 12 sind die Chips 112 sowie deren Vorderseitenkontakte 117 anhand von gestrichelten Linien angedeutet.
  • Vor dem Ausbilden der Kontaktstrukturen 151, 152, 153, 154 wird darüber hinaus eine weitere Schicht 160 auf dem Träger 120 angeordnet bzw. ausgebildet. Die mehreren Halbleiterchips 112 und die hierauf angeordnete Silikonfolie 130 sind, wie in den 11 und 12 gezeigt, von dieser Schicht 160 umgeben. Die Schicht 160 kann direkt an die Chips 112 und an die Silikonfolie 130 angrenzen, und vorderseitig (im Wesentlichen) bündig mit der Silikonfolie 130 abschließen. Die Schicht 160 weist, vergleichbar zu der Silikonfolie 130 und der hieraus hervorgehenden Verbindungsschicht 131, ein isolierendes Material auf.
  • Bei der Schicht 160 kann es sich beispielsweise um eine Silikonschicht handeln. In Betracht kommt zum Beispiel die Verwendung von weißem Silikon, in welchem Titanoxid-Partikel enthalten sind. Das in dem Schritt 205 durchgeführte Anordnen der Schicht 160 auf dem Träger 120 kann vor, oder auch nach einem Ablegen der Silikonfolie 130 auf den Halbleiterchips 112 erfolgen.
  • Eine mögliche Vorgehensweise besteht zum Beispiel darin, die Schicht 160 im Anschluss an das Anordnen der Halbleiterchips 112 auf dem Träger 120, also vor dem Anordnen der Silikonfolie 130 auf den Chips 112, in flüssiger Form auf den Träger 120 aufzubringen und auszuhärten. Alternativ kann in Betracht kommen, die bereits ausgehärtete und eine rahmenförmige bzw. umschließende Form aufweisende Schicht 160 beispielsweise auf den Träger 120 aufzukleben, was vor oder auch nach einem Anordnen der Silikonfolie 130 auf den Chips 112 erfolgen kann. Möglich ist es ferner, dass die Schicht 160 eine (weitere) teilvernetzte Bi-Stage-Silikonschicht (ohne Leuchtstoff) darstellt, welche zusammen mit der Silikonfolie 130 in einem späteren Verfahrensstadium vernetzt, und dadurch an den Träger 120 angebunden werden kann. Eine weitere mögliche Variante besteht darin, den Träger 120 mit der hierauf angeordneten Schicht 160 bereits im Rahmen des Schritts 201 bereitzustellen, also bevor die Halbleiterchips 112 auf dem Träger 120 angeordnet werden.
  • Wie des Weiteren in den 11 und 12 gezeigt ist, werden die nachfolgend erzeugten Kontaktstrukturen 151, 152, 153, 154 innerhalb der Silikonfolie 130 und auf bzw. in der umgebenden Schicht 160 ausgebildet. Die Kontaktstrukturen 151, 152, 153, 154, welche die Vorderseitenkontakte 117 der Halbleiterchips 112 kontaktieren, dienen dazu, die Halbleiterchips 112 in Form einer Reihenschaltung elektrisch miteinander zu verbinden, und ein Kontaktieren der hieraus gebildeten Reihenschaltung an den Enden zu ermöglichen. Vorliegend ist eine S-förmige Reihenverbindung vorgesehen.
  • Anhand von 12 wird deutlich, dass jeweils benachbarte Halbleiterchips 112 einer Zeile über relativ kurze Kontaktstrukturen 152 elektrisch miteinander verbunden sind. Am Rand der Chipanordnung liegen in der Aufsicht U-förmige Kontaktstrukturen 153, 154 vor, mit deren Hilfe benachbarte Chips 112 unterschiedlicher Zeilen miteinander verbunden sind. Weitere länglich dargestellte Kontaktstrukturen 151, welche sich von der Chipanordnung seitlich weg erstrecken, dienen zum Kontaktieren der Enden der Reihenschaltung. Die Kontaktstrukturen 151 können insbesondere auf der Schicht 160 angeordnete Leiterbahnstrukturen darstellen. Dabei kann es sich bei den in den 11 bis 13 gezeigten Strukturen 151 um endseitige Teilabschnitte der Leiterbahnstrukturen handeln.
  • Die Kontaktstrukturen 151, 152, 153, 154 sind ferner, wie in 11 angedeutet ist, in Form von versenkten Strukturen in der Silikonfolie 130 und in der Schicht 160 ausgebildet. Dabei grenzen die Kontaktstrukturen 151, 152, 153, 154 an eine Oberseite der Silikonfolie 130 und der Schicht 160 an, und bilden mit diesen beiden Schichten 130, 160 eine gemeinsame ebene Oberfläche. Die versenkte Ausgestaltung dient dazu, (nachfolgend) ein flächiges Aufliegen des Konversionselements 140 zu ermöglichen.
  • Hinsichtlich der oben beschriebenen und anhand der Abschnitte 151 angedeuteten Leiterbahnstrukturen kann die versenkte Ausgestaltung lediglich für die in den 11 bis 13 gezeigten Abschnitte 151 vorgesehen sein. Andere, nicht gezeigte Leiterbahnabschnitte können hierzu nach oben versetzt auf der Schicht 160 angeordnet sein.
  • Die Kontaktstrukturen 151, 152, 153, 154, welche in Form einer sogenannten CPHF-Metallisierung (Compact Planar High Flux) vorliegen können, ermöglichen ein einfaches elektrisches Kontaktieren der Halbleiterchips 112. Hierdurch kann insbesondere der Träger 120 einen relativ einfachen Aufbau, d.h. ohne Kontaktstrukturen für die Chips 112, aufweisen.
  • Das Herstellen der Kontaktstrukturen 151, 152, 153, 154 kann dadurch erfolgen, dass zunächst die Silikonfolie 130 und die Schicht 160 strukturiert werden, beispielsweise unter Verwendung eines Lasers. Hierbei werden an die Vorderseitenkontakte 117 der Halbleiterchips 112 heranreichende Öffnungen, sowie auf die (laterale) Form der herzustellenden Kontaktstrukturen 151, 152, 153, 154 abgestimmte Aussparungen bzw. Gräben erzeugt. Nachfolgend wird ein metallisches Material aufgebracht, wobei die Öffnungen und Aussparungen metallisch verfüllt werden.
  • Dieser Vorgang kann zum Beispiel das Durchführen eines Galvanikverfahrens umfassen. Hierzu kann vorgesehen sein, eine Keimschicht auf der Silikonfolie 130 und der Schicht 160 auszubilden, die Keimschicht außerhalb der herzustellenden Kontaktstrukturen 151, 152, 153, 154 beispielsweise mittels eines Fotolacks zu maskieren, und nachfolgend ein Metall elektrochemisch abzuscheiden. Die Abscheidung findet dabei lediglich an nicht maskierten Stellen auf der Keimschicht statt. Anschießend kann die Maskierung entfernt, und kann die Keimschicht außerhalb der Kontaktstrukturen 151, 152, 153, 154 durch Ätzen abgetragen werden. Als Material für die Keimschicht und das abgeschiedene Metall kann zum Beispiel Kupfer in Betracht kommen.
  • In dem Schritt 205 wird des Weiteren das keramische Konversionselement 140 auf der Silikonfolie 130 angeordnet (vgl. 13). Dieser Vorgang, sowie die oben beschriebenen, im Rahmen des Schritts 205 durchgeführten Prozesse werden derart durchgeführt, dass keine, oder lediglich eine vernachlässigbare Vernetzung der Silikonfolie 130 (sowie der gegebenenfalls teilvernetzt vorliegenden Schicht 160) stattfindet.
  • In einem anschließenden Schritt 203 (vgl. 17) wird ein Ausheizen durchgeführt, wodurch die teilvernetzte Silikonfolie 130 in der oben beschriebenen Weise in die durchvernetzte Verbindungsschicht 131 umgewandelt, und dadurch das in 13 seitlich im Schnitt gezeigte Bauelement 102 bereitgestellt wird. Dabei wird das Silikon an die Halbleiterchips 112, an die Kontaktstrukturen 151, 152, 153, 154, und an das Konversionselement 140 angebunden. Sofern die Schicht 160 ebenfalls anfänglich als teilvernetzte Silikonschicht vorliegt, hat das bei dem Ausheizen stattfindende Vernetzen ein Anbinden an den Träger 120 und an die Kontaktstrukturen 151, 153, 154 zur Folge.
  • Hieran anschließend können weitere, nicht dargestellte Prozesse zum Vervollständigen des optoelektronischen Bauelements 102 durchgeführt werden (Schritt 204 in 17). In Betracht kommt beispielsweise ein Vergießen des Bauelements 102, ein Anordnen einer Linse, ein Verbinden der Kontaktstrukturen 151 mit weiteren Kontakt- bzw. Anschlussstrukturen, usw.
  • Das optoelektronische Bauelement 102 kann ebenfalls als Weißlichtquelle ausgebildet sein, wobei durch Überlagerung der blauen bzw. ultravioletten Primärstrahlung der Halbleiterchips 112, der roten Sekundärstrahlung der Verbindungsschicht 131 und der gelbgrünen Sekundärstrahlung des Konversionselements 140 eine weiße bzw. warmweiße Lichtstrahlung erzeugt werden kann. Da die Verbindungsschicht 131 eine vorgegebene Schichtdicke aufweisen kann, kann die Lichtstrahlung auf zuverlässige Weise einem vorgegebenen Farbort entsprechen.
  • Anhand der schematischen 14 bis 16 wird im Folgenden die Herstellung eines weiteren Multichip-Bauelements 103 beschrieben, welches im Wesentlichen den gleichen Aufbau wie das vorstehend beschriebene Bauelement 102 besitzt. Dabei wird ebenfalls auf das Ablaufdiagramm von 17 Bezug genommen.
  • Bei dem Verfahren werden in einem Schritt 201 (vgl. 17) mehrere, erneut wie in der Aufsicht in 15 gezeigt zwölf optoelektronische Halbleiterchips bzw. LED-Chips 112 mit jeweils zwei Vorderseitenkontakten 117 bereitgestellt. Die Halbleiterchips 112 werden, wie in der seitlichen Schnittdarstellung in 14 und in der Aufsichtsdarstellung in 15 gezeigt, in Form einer Matrix auf einem Träger 120 angeordnet.
  • In dem Schritt 201 (vgl. 17) werden des Weiteren eine rechteckige teilvernetzte Silikonfolie 130, umfassend einen ersten Leuchtstoff, und ein rechteckiges keramisches Konversionselement 140, umfassend einen zweiten Leuchtstoff, bereitgestellt. Im Unterschied zu dem oben beschriebenen Bauelement 102 weist die für das Bauelement 103 vorgesehene Silikonfolie 130 derartige laterale Abmessungen auf, dass die (nachfolgend) auf den Halbleiterchips 112 angeordnete Silikonfolie 130 seitlich über den Rand der Chips 112 hinausragt (vgl. 14 und 15). Auch besitzt die Silikonfolie 130 größere laterale Abmessungen als das Konversionselement 140.
  • Im Rahmen eines weiteren Schritts 205 (vgl. 17) wird die Silikonfolie 130 auf den Halbleiterchips 112 angeordnet. Die die Halbleiterchips 112 am Rand seitlich überlappende Silikonfolie 130 wird hierbei, wie in den 14 und 15 dargestellt ist, auch seitlich der Halbleiterchips 112 und zum Teil auf dem Träger 120 angeordnet, und weist daher am Rand eine Stufenform auf. Dies kann durch ein entsprechendes Verformen bzw. Biegen der Silikonfolie 130 nach dem Positionieren derselben auf den Halbleiterchips 112 verwirklicht werden. Das Verformen kann in einem aufgetauten, und dadurch verformbaren Zustand der Silikonfolie 130 erfolgen.
  • Wie in den 14 und 15 gezeigt ist, wird für das Bauelement 103 ebenfalls eine weitere isolierende Schicht 160 auf dem Träger 120 angeordnet bzw. ausgebildet, welche die mehreren Halbleiterchips 112 und die Silikonfolie 130 einfasst, und welche direkt an die Silikonfolie 130 angrenzen kann. Die Schicht 160 weist eine relativ kleine Schichtdicke auf, welche mit der Dicke der Silikonfolie 130 übereinstimmen kann. Für die Schicht 160 können oben zur Herstellung des Bauelements 102 genannte Details (beispielsweise Ausgestaltung als weiße Silikonschicht, Ausbilden der Schicht 160 vor oder nach dem Anordnen der Silikonfolie 130, usw.) in analoger Weise zur Anwendung kommen.
  • Dies gilt in entsprechender Weise für das im Rahmen des Schritts 205 (vgl. 17) durchgeführte Ausbilden von metallischen Kontaktstrukturen 151, 152, 153, 154 innerhalb der Silikonfolie 130 und auf der umgebenden Schicht 160. Im Unterschied zu dem Bauelement 102 werden die U-förmigen Kontaktstrukturen 153, 154 – wie die relativ kurzen Kontaktstrukturen 152 – lediglich im Bereich der Silikonfolie 130 angeordnet (vgl. 15). Des Weiteren weisen die zum Kontaktieren der Enden der Reihenverbindung der Chips 112 vorgesehenen Kontaktstrukturen 151, wie in 14 gezeigt, eine durch die Stufenform der Silikonfolie 130 vorgegebene stufenförmige Gestalt auf. Die Kontaktstrukturen 151, welche Leiterbahnstrukturen bzw. endseitige Teilabschnitte solcher Leiterbahnstrukturen darstellen können, sind hierbei nur in einem Teilbereich der Silikonfolie 130 versenkt ausgebildet.
  • In dem Schritt 205 wird des Weiteren das keramische Konversionselement 140 auf der Silikonfolie 130 angeordnet (vgl. die seitliche Schnittdarstellung in 16). Nachfolgend wird in einem Schritt 203 (vgl. 17) ein Ausheizen durchgeführt, wodurch die teilvernetzte Silikonfolie 130 in der oben beschriebenen Weise in die durchvernetzte Verbindungsschicht 131 umgewandelt wird. Sofern die Schicht 160 ebenfalls als teilvernetzte Silikonschicht vorliegt, wird diese durch das Ausheizen ebenfalls vollständig vernetzt. Hieran anschließend können weitere, nicht dargestellte Prozesse zum Vervollständigen des optoelektronischen Bauelements 103 von 16 durchgeführt werden (Schritt 204 in 17). Das optoelektronische Bauelement 103 kann ebenfalls als Weißlichtquelle verwirklicht sein.
  • Die anhand der Figuren erläuterten Ausführungsformen stellen bevorzugte bzw. beispielhafte Ausführungsformen der Erfindung dar. Neben den beschriebenen und abgebildeten Ausführungsformen sind weitere Ausführungsformen vorstellbar, welche weitere Abwandlungen bzw. Kombinationen von Merkmalen umfassen können. Beispielsweise können anstelle der oben angegebenen Materialien andere Materialien verwendet werden, und können obige Zahlenangaben zu Schichtdicken, Temperaturen, usw. durch andere Angaben ersetzt werden.
  • Eine mögliche Kombination besteht zum Beispiel darin, das in 4 gezeigte Einzelchip-Bauelement 100 mit einem lediglich Rückseitenkontakte 116 aufweisen Halbleiterchip 111 (vgl. 5 und 7) aufzubauen. Dadurch können die Silikonfolie 130 und das Konversionselement 140 eines solchen Bauelements mit einer Rechteckform ohne Aussparungen 137, 147 verwirklicht werden.
  • Des Weiteren ist die Möglichkeit gegeben, Multichip-Module mit einer anderen Anzahl und/oder mit anderen geometrischen Anordnungen von Halbleiterchips auf einem Träger 120 herzustellen. Beispielsweise kann das Bauelement 101 von 7 mit einer Matrixanordnung von Chips 111 verwirklicht werden. Ferner können die Bauelemente 102, 103 der 13 und 16 mit zum Beispiel lediglich auf einer Linie angeordneten, und mittels Kontaktstrukturen in Reihe verbundenen Chips 112 aufgebaut werden. Andere Anzahlen von Chips und/oder Formen von Chipanordnungen können in entsprechender Weise andere Formen von Silikonfolien 130 und Konversionselementen 140 zur Folge haben, um diese Komponenten 130, 140 auf den Chips positionieren zu können.
  • Bei dem Bauelement 102 von 13 sind die Kontaktstrukturen 151, 153, 154 auch in der isolierenden Schicht 160 versenkt ausgebildet. Dadurch ist es möglich, ein Konversionselement 140 mit größeren lateralen Abmessungen als die Silikonfolie 130 zu verwenden und flächig hierauf aufzulegen.
  • Eine weitere mögliche Abwandlung des Bauelements 102 von 13 besteht darin, die Kontaktstrukturen 151, 153, 154 nur in der Silikonfolie 130 und dadurch in der Verbindungsschicht 131 versenkt auszubilden. Hinsichtlich der isolierenden Schicht 160 können die Kontaktstrukturen 151, 153, 154 nicht in, sondern lediglich auf der Schicht 160 angeordnet werden. Sofern auch hier die Verwendung eines Konversionselements 140 mit größeren lateralen Abmessungen vorgesehen ist, kann ein flächiges Aufliegen durch ein Erzeugen der Schicht 160 mit einer entsprechend kleineren Dicke ermöglicht werden.
  • Eine weitere mögliche, und für die Bauelemente 102, 103 der 13 und 16 in Betracht kommende Abwandlung besteht zum Beispiel darin, dass die Schicht 160 die Anordnung aus Chips 112 nicht vollständig umgibt. Hierbei können lediglich Teilabschnitte der Schicht 160 im Bereich der am Rand der Chipanordnung herzustellenden Kontaktstrukturen ausgebildet werden.
  • Darüber hinaus wird auf die Möglichkeit hingewiesen, das Ausbilden von Kontaktstrukturen 151, 152, 153, 154 nicht mit Hilfe eines Galvanikverfahrens, sondern basierend auf anderen Verfahren durchzuführen. Beispielsweise kann das Aufbringen bzw. Verfüllen eines Metalls für die Kontaktstrukturen 151, 152, 153, 154 mit Hilfe einer leitfähigen bzw. metallischen Paste oder mit einem Lotmittel durchgeführt werden.
  • In der obigen Beschreibung sind mögliche Ausführungsformen für die optoelektronischen Halbleiterchips 110, 111, 112 genannt, welche jeweils ein Trägersubstrat und eine hierauf angeordnete Nutzschicht bzw. Nutzschichtanordnung mit einer Halbleiterschichtenfolge zur Lichtemission aufweisen. Dabei sind die Halbleiterchips 110, 111, 112 mit den Trägersubstraten (bzw. hierauf angeordneten Rückseitenkontakten oder metallischen Schichten) auf dem Träger 120 angeordnet, so dass die Nutzschicht auf einer dem Träger 120 abgewandten Seite angeordnet ist. Alternativ können jedoch auch andere Ausführungsformen von lichtemittierenden Halbleiter- bzw. Dünnfilmchips zur Anwendung kommen.
  • Eine mögliche Ausführungsform sind sogenannte Flip-Chips, bei denen eine Nutzschicht mit einer Halbleiterschichtenfolge auf einem lichtdurchlässigen Trägersubstrat (insbesondere Saphirsubstrat) angeordnet ist. Derartige Chips können mit der Nutzschicht bzw. hierauf angeordneten Rückseitenkontakten auf dem Träger 120 angeordnet werden, so dass das lichtdurchlässige Trägersubstrat, über welches eine Lichtstrahlung abgegeben werden kann, auf einer dem Träger 120 abgewandten Seite zu liegen kommt. Eine solche Ausgestaltung, bei welcher im Rahmen der Herstellung eine Silikonschicht 130 auf dem lichtdurchlässigen Trägersubstrat abgelegt wird, kann zum Beispiel für die Halbleiterchips 111 in Betracht kommen.
  • Das beschriebene Verfahren sowie dessen unterschiedliche Ausführungsformen sind nicht nur auf die Herstellung von optoelektronischen Bauelementen in Form von Weißlichtquellen beschränkt, sondern können auch zur Herstellung anderer Lichtquellen herangezogen werden, bei denen basierend auf dem Prinzip der additiven Lichtmischung eine Lichtstrahlung mit einer anderen Farbe erzeugt wird. In dieser Hinsicht können die oben angegebenen Spektralbereiche für die Halbleiterchips 110, 111, 112 und für den ersten und zweiten Leuchtstoff durch andere Spektralbereiche ersetzt werden. Auch derartige Bauelemente können aufgrund der genau einstellbaren Dicke der Verbindungsschicht 131 ebenfalls mit einer hohen Farbortgenauigkeit verwirklicht werden.
  • Des Weiteren wird auf die Möglichkeit hingewiesen, anstelle einer teilvernetzten Bi-Stage-Silikonfolie 130 eine andere folienförmige bzw. zusammenhängende Ausgangsschicht umfassend einen ersten Leuchtstoff zu verwenden, welche durch Aushärten bzw. Ausheizen in eine feste Verbindungsschicht 131 umgewandelt werden kann. Eine solche Ausgangsschicht kann aus einem teilvernetzten isolierenden Material, insbesondere Kunststoff- bzw. Polymermaterial, ausgebildet sein, welches durch Aushärten vollständig vernetzt werden kann. Eine solche Ausgangsschicht kann ebenfalls in einem gefrorenen Zustand bereitgestellt, und aus einer größeren (gefrorenen) Folie durch Ausschneiden oder Stanzen gewonnen werden.
  • Ferner ist die Möglichkeit gegeben, anstelle eines keramischen Konversionselements 140 bzw. einer Phosphorkeramik ein anderes, einen zweiten Leuchtstoff umfassendes Konversionselement einzusetzen. Ein mögliches Beispiel ist ein aus einem Polymermaterial bzw. Silikon ausgebildetes und den zweiten Leuchtstoff umfassendes Konversionselement. Hierbei kann der zweite Leuchtstoff ebenfalls in Form von Partikeln vorliegen.
  • Obwohl die Erfindung im Detail durch bevorzugte bzw. beispielhafte Ausführungsformen näher illustriert und beschrieben wurde, so ist die Erfindung nicht durch die offenbarten Beispiele eingeschränkt und andere Variationen können vom Fachmann hieraus abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen.
  • Bezugszeichenliste
    • 100, 101
    Bauelement
    102, 103
    Bauelement
    110, 111
    Chip
    112
    Chip
    115, 116
    Kontakt
    117
    Kontakt
    120
    Träger
    130
    Silikonfolie
    131
    Verbindungsschicht
    135
    Silikonfolie
    137
    Aussparung
    140
    Konversionselement
    147
    Aussparung
    151, 152
    Kontaktstruktur
    153, 154
    Kontaktstruktur
    160
    Schicht
    201, 202
    Verfahrensschritt
    203, 204
    Verfahrensschritt
    205
    Verfahrensschritt

Claims (15)

  1. Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (100, 101, 102, 103), umfassend die Verfahrensschritte: Bereitstellen wenigstens eines optoelektronischen Halbleiterchips (110, 111, 112); Anordnen einer Ausgangsschicht (130) auf dem Halbleiterchip (110, 111, 112), wobei die Ausgangsschicht (130) in Form einer Folie vorliegt und einen ersten Leuchtstoff umfasst; Anordnen eines Konversionselements (140) auf der Ausgangsschicht (130), wobei das Konversionselement (140) einen zweiten Leuchtstoff umfasst; und Aushärten der Ausgangsschicht (130) zum Ausbilden einer Verbindungsschicht (131).
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Ausgangsschicht eine den ersten Leuchtstoff umfassende teilvernetzte Silikonfolie (130) ist, welche bei dem Aushärten vernetzt wird.
  3. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Konversionselement ein keramisches Konversionselement (140) ist.
  4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Halbleiterchip (110, 111, 112) ausgebildet ist, eine Lichtstrahlung im blauen bis ultravioletten Spektralbereich zu erzeugen.
  5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der erste Leuchtstoff ausgebildet ist, einen Teil einer von dem Halbleiterchip (110, 111, 112) abgegebenen Lichtstrahlung in eine Lichtstrahlung im roten Spektralbereich umzuwandeln, und wobei der zweite Leuchtstoff ausgebildet ist, einen Teil der von dem Halbleiterchip (110, 111, 112) abgegebenen Lichtstrahlung in eine Lichtstrahlung im gelben bis grünen Spektralbereich umzuwandeln.
  6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Aushärten der Ausgangsschicht (130) das Durchführen eines Temperaturprozesses umfasst.
  7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Halbleiterchip (110) einen Vorderseitenkontakt (115) aufweist, und wobei die Ausgangsschicht (130) und das Konversionselement (140) eine Aussparung (137, 147) für den Vorderseitenkontakt (115) aufweisen.
  8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei eine Anordnung aus mehreren optoelektronischen Halbleiterchips (111, 112) bereitgestellt wird, und wobei die Ausgangsschicht (130) auf den mehreren Halbleiterchips (111, 112) angeordnet wird.
  9. Verfahren nach Anspruch 8, wobei die mehreren Halbleiterchips (112) jeweils zwei Vorderseitenkontakte (117) aufweisen, und wobei Kontaktstrukturen (152, 153, 154) in der Ausgangsschicht (130) ausgebildet werden, über welche Vorderseitenkontakte (117) von Halbleiterchips (112) elektrisch miteinander verbunden sind.
  10. Verfahren nach Anspruch 9, wobei eine isolierende Schicht (160) ausgebildet wird, auf welcher Kontaktstrukturen (151, 153, 154) zum Kontaktieren der Halbleiterchips (112) angeordnet werden.
  11. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, weiter umfassend Anordnen des oder der Halbleiterchips (110, 111, 112) auf einem Träger (120).
  12. Optoelektronisches Bauelement (100, 101, 102, 103), aufweisend: einen Träger (120); wenigstens einen auf dem Träger (120) angeordneten optoelektronischen Halbleiterchip (110, 111, 112); eine auf dem Halbleiterchip (110, 111, 112) angeordnete Verbindungsschicht (131), umfassend einen ersten Leuchtstoff; und ein auf der Verbindungsschicht (131) angeordnetes Konversionselement (140), umfassend einen zweiten Leuchtstoff, wobei die Verbindungsschicht (131) durch Aushärten einer folienförmigen und den ersten Leuchtstoff umfassenden Ausgangsschicht (130) ausgebildet ist.
  13. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 12, wobei die Ausgangsschicht eine den ersten Leuchtstoff umfassende teilvernetzte Silikonfolie (130) ist, und wobei die Verbindungsschicht (131) durch Vernetzen der Silikonfolie (130) ausgebildet ist.
  14. Optoelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 12 oder 13, wobei das Konversionselement ein keramisches Konversionselement (140) ist.
  15. Optoelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 12 bis 14, wobei der Halbleiterchip (110, 111, 112) ausgebildet ist, eine Lichtstrahlung im blauen bis ultravioletten Spektralbereich zu erzeugen, wobei der erste Leuchtstoff ausgebildet ist, einen Teil der von dem Halbleiterchip (110, 111, 112) abgegebenen Lichtstrahlung in eine Lichtstrahlung im roten Spektralbereich umzuwandeln, und wobei der zweite Leuchtstoff ausgebildet ist, einen Teil der von dem Halbleiterchip (110, 111, 112) abgegebenen Lichtstrahlung in eine Lichtstrahlung im gelben bis grünen Spektralbereich umzuwandeln.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014114372A1 (de) * 2014-10-02 2016-04-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und optoelektronisches Halbleiterbauelement
DE102015102460A1 (de) * 2015-02-20 2016-08-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines lichtemittierenden Bauteils und lichtemittierendes Bauteil
DE102015105474A1 (de) * 2015-04-10 2016-10-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Konverterbauteil für eine optoelektronische Leuchtvorrichtung
WO2021110580A1 (de) * 2019-12-05 2021-06-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronische vorrichtung und verfahren zur herstellung einer optoelektronischen vorrichtung

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11194179B2 (en) * 2016-07-15 2021-12-07 Tectus Corporation Wiring on curved surfaces
US10642068B2 (en) 2016-07-15 2020-05-05 Tectus Corporation Process for customizing an active contact lens
US10559727B2 (en) * 2017-07-25 2020-02-11 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Manufacturing method of colorful Micro-LED, display modlue and terminals
JP2019102715A (ja) * 2017-12-06 2019-06-24 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置およびその製造方法
DE102018105910B4 (de) * 2018-03-14 2023-12-28 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Konversionselementen
DE102020124016A1 (de) * 2020-09-15 2022-03-17 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronische vorrichtung

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005061828A1 (de) * 2005-06-23 2007-01-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wellenlängenkonvertierendes Konvertermaterial, lichtabstrahlendes optisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
WO2009016585A2 (en) * 2007-08-02 2009-02-05 Koninklijke Philips Electronics N.V. Color conversion device
DE102009048401A1 (de) * 2009-10-06 2011-04-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7285791B2 (en) * 2006-03-24 2007-10-23 Goldeneye, Inc. Wavelength conversion chip for use in solid-state lighting and method for making same
WO2008056300A1 (en) * 2006-11-10 2008-05-15 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Illumination system comprising monolithic ceramic luminescence converter
DE102007054800A1 (de) * 2007-09-28 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzkonversionsvorrichtung und Verfahren zum Herstellen von Lumineszenzdiodenchips mit einer derartigen Vorrichtung
DE102008016487A1 (de) * 2008-03-31 2009-10-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
DE102008038748B4 (de) * 2008-08-12 2022-08-04 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Oberflächenmontierbares, optoelektronisches Halbleiterbauteil
US8513062B2 (en) * 2010-02-16 2013-08-20 Infineon Technologies Ag Method of manufacturing a semiconductor device with a carrier having a cavity and semiconductor device
DE102010047454A1 (de) * 2010-10-04 2012-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Silikonfolie, Silikonfolie und optoelektronisches Halbleiterbauteil mit einer Silikonfolie

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005061828A1 (de) * 2005-06-23 2007-01-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wellenlängenkonvertierendes Konvertermaterial, lichtabstrahlendes optisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
WO2009016585A2 (en) * 2007-08-02 2009-02-05 Koninklijke Philips Electronics N.V. Color conversion device
DE102009048401A1 (de) * 2009-10-06 2011-04-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014114372A1 (de) * 2014-10-02 2016-04-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und optoelektronisches Halbleiterbauelement
US10103296B2 (en) 2014-10-02 2018-10-16 Osram Opto Semiconductor Gmbh Method for producing optoelectronic semiconductor devices and an optoelectronic semiconductor device
DE102014114372B4 (de) 2014-10-02 2022-05-05 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und optoelektronisches Halbleiterbauelement
DE102015102460A1 (de) * 2015-02-20 2016-08-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines lichtemittierenden Bauteils und lichtemittierendes Bauteil
DE102015105474A1 (de) * 2015-04-10 2016-10-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Konverterbauteil für eine optoelektronische Leuchtvorrichtung
WO2021110580A1 (de) * 2019-12-05 2021-06-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronische vorrichtung und verfahren zur herstellung einer optoelektronischen vorrichtung

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