JPS61103931A - シリコ−ンゴム成形体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はシリコーンゴム成形体の製造方法、特には成形
体中に含有されている低分子環状シロキサンを除去して
なるシリコーンゴム成形体の製造方法に関するものであ
る。

（従来の技術） シリコーンゴム成形体はシリコーンゴムコンパウンドに
適宜の加硫剤、顔料その他を配合し、混練後これを加熱
加硫して硬化させるという方法で作られているが、この
シリコーンゴムコンパウンドにはこの主体となる直鎖状
のジメチルポリシロキサンが環状の４量体メチルシロキ
サンの開環重合によって製造されるものであり、この反
応が可逆反応であるために、この環状の低分子シロキサ
ンまたはこれから生成した分子量の若干大きい環状シロ
キサンを含んだものとなっている。

そのため通常のシリコーンゴムコンパウンドか′　ら作
られたシリコーンゴム成形体には若干量の低分子シロキ
サンが残存しており、この４量体から６量体のものは沸
点が１７１〜２３７℃と比較的低いものであることから
この成形品を長期間使用していると、この低分子シロキ
サンがその表面から揮発して系外に出できて付近に存在
する他の物質に付着するということがあり、この成形体
の近くに比較的大きな電流の流れる接点あるいは直流モ
ーターのブラシなどがあると、この低分子シロキサンが
そこに付着し、これが電流などで燃焼して絶縁性のシリ
カとなり、結果において接点障害を起すという不利が生
じる。

したがって、シリコーンゴム成形品については、成形後
に後加熱をしてこの中に含有されている低分子シロキサ
ンを除去するという方法も採られているが、これは通常
２００℃前後の温度で数時間加熱するというものである
ため１作業性もわるくその効果も充分なものではない。

（発明の構鳴） 本発明はこのような不利を解決した低分子シロキサンを
効率よく除去することのできるシリコーンゴム成形体の
製造方法に関するもので、これはシリコーンゴム成形体
を高真空に加熱し、ついでガス流通下に低真空で加熱し
て、成形体から低分子シロキサンを除去すること特徴と
するものである。

これを説明すると１本発明者らはシリコーンゴム成形体
からの低分子シロキサンの除去方法について種々検討し
た結果、これにはシリコーンゴム成形体を真空加熱する
ことがよく、この真空加熱もガス流通下としてこの真空
度を高低に変えると高真空下で発揮された低分子シロキ
サンがこれを低真空としたときに流動ガスに伴流されて
系外に除去されるので低分子シロキサンの除去が効果的
に行なわれるということを見出し、ここに使用する流動
ガスの種類、真空度、加熱温度などについての研究を進
めて本発明を完成させた。

つぎにこれをさらに詳細に説明すると、高沸点の物質を
除去するために減圧処理を行なうことは公知とされると
ころであるが、シリコーンゴム成形体は例えば２００℃
、１００履ｍＨｇで４時間加熱しても、低分子シロキサ
ンの量は初期状態、すなわち未第理時と比較して殆んど
変化しない、またこれを常圧下に２００℃で４時間処理
したとき。

またこの処理快さら５龍Ｈ，の高真空下に４時間熱処理
したときにはつざの第１表に示したように。

３量体（Ｄ３）、４量体（Ｄ）４が重合した５量体〜１
５量体（Ｄ５〜Ｄ１５）の量の増加することが認められ
た。

第１表 これはシリコーンゴム成形体を真空下に加熱すると、こ
れに含まれている低分子シロキサンが一応系外に除去さ
れるけれどもこれらは分子量の大きい重いものであるた
め揮散速度がおそく、成形体表面の近傍に停滞し、成形
体表面が低分子シロキサン蒸気の飽和状思となり、これ
によって爾後の系内からの低分子シロキサンの揮発が抑
止されるためと推定される。

本発明の方法はこの知見にもとづいてなされたものであ
り、シリコーンゴム成形体を例えば２００℃の真空加熱
炉でｌＯｍｍＨｇ以下の真空度に保ちｌＯ分程度過する
と成形体から揮発した低分子シロキサン蒸気で成形体表
面は飽和状況となるので、この時点で炉内の真空度を例
えば１００ｍ■）Ｉｇにまで低下させてからここに空気
または酸素を含んだ不活性ガスを外部から導入すると、
この圧力でも低分子シロキサンの揮発は続けられるが、
高真空下で発生した低分子シロキサンの飽和′１Ｍ気は
このガス気流に伴流されて系外に除去されるのでこれに
よれば低分子シロキサンの含有量が、減少したシリコー
ンゴム成形体を容易に得ることができる。

本発明の方法を実施するための条件については、低分子
シロキサンを揮発させるための高真空度は低分子シロキ
サンの沸点、蒸気圧の関係式ここに、Ｐ＝低分子シロキ
サンの蒸気圧（腸ｍＨｇ）Ｔ＝絶対温度（０ｋ） Ｘ＝低分子シロキサンの重合度 から明らかなように低い程沸点が低くなるのであるが、
２０１■Ｈ８以上では低分子シロキサンの揮発時間が長
くなり短時間での処理で難しくなるので、２０ｍｍＨｇ
以下、好ましくは１０ｇ１８以下とすることがよく、ま
たこの低真空度処理については高真空度で揮発し、成形
体表面に飽和蒸気となっている低分子シロキサンを外部
から導入した流動ガスで県外に伴出させるものであり、
これを高くしすぎると低分子シロキサンの揮発が抑えら
れ、また加熱によって所定温度となっている成形体の温
度が低下するので、これは３０〜３００　ｍｍＨｇの範
囲、好ましくは７０〜２００腸ｍＨＨの範囲とすること
がよい。

また、この処理時間については高真空度での処理時間を
５〜３０分、好ましくは１０〜２０分、低真空度の処理
時間を２〜２０分、好ましくは５〜１０分とすればよく
、これは高低の真空度ｆＪ４節をくり返せば低分子シロ
キサン含有のより低いシリコーンゴム成形体を得ること
ができる。

つぎに本発明方法の実施例をあげるが、例中におけるシ
リコーンゴム成形体の残留低分子シロキサンの定量は、
シリコーンゴム成形体を細かく粉砕して四塩化炭素で４
時間環流して低分子シロキサンを抽出し、この抽出液を
ガスクロマトグラフＳＡＭ（島津製作所製商品名）を用
いて、充填剤ＤＥＸＩＬ　３００ＧＧ、３％、プログラ
ムレイト１０℃７分、カラム湿度ｔｏｏ−ｔｓｏ℃、注
入口温度２８０℃、検出器２８０℃、キャリヤ−ガス窒
素ガス４０ｓＪＬ／分、注入量３ル見の条件で測定した
ちのである。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　。

実施例 シリコーンゴムコンパウンドＫＥ−９５１σ　［信越化
学工業（株）商品名］に加硫剤Ｃ−８（同社商品名）を
配合し、均一に混練りしたのち、分出しロールで厚さ１
．２■■の分出しシートとし、ついで１７５℃で５分間
プレス加硫して厚さｌ薦■のシリコーンゴムシートを作
り、これを５０ｘ５０ｘｌ■−に切断して試料を作成し
た。

つぎに、内容１ｉ６００ｘ６００ｘ６００ｍｍで棚段数
１０枚の真空電気炉内にこの試料１，０００枚を入れ、
１　ｍｉ＋Ｈｇの高真空下で１０分間、２００℃に加熱
し、ついで真空度を１００曹ｍＨｇとして５分間、２０
０℃に加熱し、このサイクルを数回くり返してから試料
を取り出して、この試料中における低分子シロキサン量
を測定したところ、この処理時間と低分子シロ手サン量
について第２表および第１図に示したとおりの結果が得
られた。

また比較のために上記における処理を常圧２００℃で処
理したところ、第２表および第１図に併記したとおりの
結果が得られ、本発明方法によれば常圧法にくらべて低
分子シロキサンを効率よく除去できることが確認された
。

第２表 目

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の方法による減圧処理時と常圧処理時の
残留低分子シロキサン量の処理時間による変化の度合を
比較因示したグラフである。 第１図 □翅謬時組Ｈｒ） 手続補正書 昭和５９年１２月１１日

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、シリコーンゴム成形体を高真空下に加熱し、ついで
   ガス流通下に低真空で加熱して、成形体から低分子シロ
   キサンを除去することを特徴とするシリコーンゴム成形
   体の製造方法。