JP2015216353A - 波長変換接合部材、波長変換放熱部材および発光装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】優れた放熱性および反射率を備える波長変換接合部材、波長変換放熱部材および発光装置を提供すること
【解決手段】
波長変換接合部材6は、蛍光体セラミックス素子13と、蛍光体セラミックス素子13の一方面に設けられる接合層14とを備え、接合層14の熱伝導率が、0.20W/m・Kを超過し、接合層14の反射率が、90%以上である。
【選択図】図1
【解決手段】
波長変換接合部材6は、蛍光体セラミックス素子13と、蛍光体セラミックス素子13の一方面に設けられる接合層14とを備え、接合層14の熱伝導率が、0.20W/m・Kを超過し、接合層14の反射率が、90%以上である。
【選択図】図1
Description
本発明は、波長変換接合部材、波長変換放熱部材および発光装置、詳しくは、波長変換接合部材、その波長変換接合部材を備える波長変換放熱部材、および、その波長変換放熱部材を備える発光装置に関する。
近年、ヘッドランプなどの車載用灯具などに、半導体発光装置などの発光装置が用いられている。このような半導体発光装置は、励起光を発光する光半導体と、励起光を白色光に変換する波長変換部材と、白色光を目的の方向に反射させる反射鏡とを備えている。
このような発光装置としては、例えば、以下の発光装置が提案されている(例えば、特許文献1参照。)。すなわち、励起光を前方に発光する励起光源と、励起光源の前方に間隔を隔てて対向配置され、励起光を白色光に変換する発光部と、励起光源と発光部との間に配置される透光性の熱伝導部材と、発光部と熱伝導部材との間に接触配置される透光性の間隙層と、発光部の後方周囲を取り囲むように間隔を隔てて配置され、波長変換部材から拡散放出される白色光を前方に反射するカップ形状の反射鏡を備える発光装置が提案されている。
この発光装置は、間隙層に無機非晶質材料が含まれているため、発光部で発生する熱を、間隙層を介して熱伝導部材に効率よく伝導させることができるので、放熱性に優れている。
しかるに、特許文献1の発光装置では、その図1に示すように、励起光源と発光部材との間に間隙層があるため、間隙層が励起光源から発生する光を吸収する。その結果、発光部から直接外部に放出する光、または、発光部から反射鏡に拡散・反射されて外部に放出される光量(取出効率)が低下する不具合が生じる。
本発明の目的は、優れた放熱性および反射率を備える波長変換接合部材、波長変換放熱部材および発光装置を提供することにある。
本発明の波長変換接合部材は、蛍光体セラミックス素子と、前記蛍光体セラミックス素子の一方面に設けられる接合層とを備え、前記接合層の熱伝導率が、0.20W/m・Kを超過し、前記接合層の反射率が、90%以上であることを特徴としている。
また、本発明の波長変換接合部材では、前記接合層が、セラミックスインクから形成されることが好適である。
また、本発明の波長変換接合部材では、前記接合層が、無機酸化物粒子および金属粒子の少なくとも1種の無機粒子、ならびに、硬化性樹脂を含有する硬化性樹脂組成物から形成されることが好適である。
また、本発明の波長変換接合部材では、前記接合層の厚みが、80μm以上1000μm以下であることが好適である。
本発明の波長変換放熱部材は、上記の波長変換接合部材と、熱拡散保持部材とを備え、前記熱拡散保持部材は、前記接合層を介して、前記蛍光体セラミックス素子と接合していることを特徴としている。
本発明の発光装置は、光を一方側に照射する光源と、前記光源と間隔を隔てて一方側に対向配置され、前記光が通過するための貫通孔が形成される反射鏡と、前記光が前記蛍光体セラミックス素子に照射されるように、前記反射鏡と間隔を隔てて一方側に対向配置される上記波長変換放熱部材とを備えることを特徴としている。
本発明の波波長変換接合部材、波長変換放熱部材および発光装置は、蛍光体セラミックス素子と、蛍光体セラミックス素子の一方面に設けられる接合層とを備え、接合層の熱伝導率が、0.20W/m・Kを超過している。そのため、蛍光体セラミックス素子で発生する熱を接合層を介して効率よく伝導することができ、放熱性に優れている。
また、本発明の波長変換接合部材、波長変換放熱部材および発光装置では、接合層の反射率が、90%以上である。そのため、蛍光体セラミックス素子で拡散および放出される光の吸収を抑制して、高効率で反射することができる。その結果、光の取出効率を良好にすることができる。
図1〜図2Bを参照して、本発明の発光装置の一実施形態について説明する。
なお、図1の紙面上下方向を「上下方向」(第1方向)とし、紙面上側が上側であり、紙面下側が下側である。また、図1の紙面左右方向を「前後方向」(第2方向、第1方向に直交する方向)とし、紙面右方向が前側であり、図1の紙面左方向が後側である。また、図1の紙厚方向を「幅方向」(第3方向、左右方向、第1方向および第2方向に直交する方向)とし、図1の紙厚手前が左側であり、図1の紙厚奥側が右側である。図1以外の図面についても、図1の方向を基準する。
図1に示すように、発光装置としての半導体発光装置1は、ハウジング2と、透明部材3と、光源4と、反射鏡5と、波長変換放熱部材6とを備えている。
ハウジング2は、前後方向に延び、後側が閉鎖され、前側が開放される略円筒状に形成されている。ハウジング2は、後述する透明部材3、光源4、反射鏡5および波長変換放熱部材6を内部に収容する。
透明部材3は、背面視において略円形状をなし、前後方向厚みが薄い平板状に形成されている。透明部材3の外形形状は、前後方向に投影したときに、ハウジング2の前端における内周縁と一致するように形成されている。
透明部材3は、ハウジング2の前端に設けられている。具体的には、透明部材3は、ハウジング2の前端縁が透明部材3の前面(前側表面)と上下方向に面一となるように、ハウジング2内に収容されている。
光源4としては、例えば、発光ダイオード(LED)、半導体レーザー(LD)などの半導体光源が挙げられる。光源4は、透明部材3の後側に間隔を隔てて、ハウジング2内部の上下方向および幅方向の略中央部に設けられている。光源4には、ハウジング2の外部から引き回される配線8が接続されている。光源4は、配線8から受け取る電力によって、前側に向かって単色光などの光を照射する。
反射鏡5は、背面視略円形状で、側断面視略半円弧状のドーム形状に形成されている。反射鏡5の外形形状は、前後方向に投影したときに、透明部材3の外端縁と一致するように形成されている。反射鏡5は、透明部材3の他方側(後側)であって、光源4の一方側(前側)に、光源4と間隔を隔てて配置されている。また、反射鏡5は、その前端縁が透明部材3の後面と接触するように、ハウジング2内に収容されている。
反射鏡5の中心(上下方向および幅方向の中央)には、光源4からの光が通過するための貫通孔7が形成されている。反射鏡5は、貫通孔7を前側に向かって通過して波長変換放熱部材6(後述)で後側に向かって拡散される拡散光を、前側に向かって反射する。
波長変換放熱部材6は、ハウジング2内の前側に設けられている。具体的には、反射鏡5と間隔を隔てて前側に対向配置され、透明部材3の後面(後側表面)と隣接配置されている。波長変換放熱部材6は、図2Aおよび図2Bに示すように、熱拡散保持部材9と、波長変換接合部材10とを備えている。
熱拡散保持部材9は、上下方向に延びる背面視略矩形状に形成され、透明部材3に隣接配置されている。具体的には、熱拡散保持部材9は、熱拡散保持部材9の前面が透明部材3の後面と接触するように、配置されている。
熱拡散保持部材9は、載置部11と固定部12とを備えている。
載置部11は、前後方向に厚みを有する背面視略矩形状に形成されている。載置部11は、載置部11の前面が透明部材3の後面の背面視略中央部と接触するように、配置されている。
固定部12は、載置部11の前側下端から下側に延びるように、載置部11と一体的に形成されている。固定部12は、上下方向に延びる背面視略矩形状をなし、前後方向の厚みが載置部11よりも薄い平板形状に形成されている。固定部12は、上側前面が透明部材3の後面と接触し、上下方向途中において透明部材3と離間するように、後側に屈曲している。固定部12の一端(下端)は、反射鏡5を貫通して、ハウジング2の周面(内端縁)に固定されている。
熱拡散保持部材9は、熱伝導性が良好である材料から形成されており、例えば、アルミニウム、銅などの熱伝導性金属やAlNなどのセラミックス材料から形成されている。
波長変換接合部材10は、載置部11の後面に設けられている。
波長変換接合部材10は、接合層14と、蛍光体セラミックス素子13とを備えている。
接合層14は、背面視略矩形状をなし、平板形状に形成されている。接合層14は、載置部11の後面および蛍光体セラミックス素子13の前面(一方面)に設けられている。すなわち、接合層14は、載置部11と蛍光体セラミックス素子13との間に配置されている。接合層14は、前後方向に投影したときに、載置部11と重複しており、具体的には、背面視において、載置部11と同一形状に形成されている。
接合層14は、無機物を含有する組成物から形成されている。好ましくは、無機物を含有する硬化性組成物を硬化することに形成されている。
硬化性組成物としては、例えば、セラミックスインク、硬化性樹脂および無機粒子を含有する硬化性樹脂組成物、アルカリ金属ケイ酸塩および無機粒子を含有するケイ酸塩水溶液が挙げられる。
セラミックスインクは、例えば、無機物のセラミックスと、オルガノポリシロキサンなどのバインダーと、溶媒とを含有し、低温(例えば、120〜180℃)で硬化(固化)する。セラミックスインクにおける無機物としては、例えば、二酸化珪素、二酸化チタン、チタン酸カリウムなど白色顔料などが挙げられる。溶媒としては、ブチルジグリコールエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテルなどのエーテルが挙げられる。なお、分散性の観点から、好ましくは、白色顔料は表面処理がなされている。
セラミックスインクとしては、市販品を用いることができ、具体的には、株式会社アイン社製のセラミックスインク(RGタイプ、ANタイプ、UVタイプ、SDタイプ)などが挙げられる。
硬化性樹脂組成物に含まれる硬化性樹脂としては、例えば、硬化性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂などが挙げられる。好ましくは、硬化性シリコーン樹脂が挙げられる。
硬化性シリコーン樹脂としては、例えば、縮合反応硬化型シリコーン樹脂、付加反応硬化型シリコーン樹脂などが挙げられる。好ましくは、付加反応硬化型シリコーン樹脂が挙げられる。
付加反応硬化型シリコーン樹脂は、例えば、主剤となるエチレン系不飽和炭化水素基含有ポリシロキサンと、架橋剤となるオルガノハイドロジェンシロキサンとを含有するシリコーン樹脂組成物から構成される。付加反応硬化型シリコーン樹脂は、通常、主剤(エチレン系不飽和炭化水素基含有ポリシロキサン)を含有するA液と、架橋剤(オルガノハイドロジェンシロキサン)を含有するB液との2液として提供される。そして、主剤(A液)と架橋剤(B液)とを混合して混合液を調製し、混合液から接合層14を形成する工程において、エチレン系不飽和炭化水素基含有ポリシロキサンとオルガノハイドロジェンシロキサンとが加熱などにより付加反応することにより、付加反応硬化型シリコーン樹脂が硬化して、シリコーンエラストマー(硬化体)を形成する。
付加反応硬化型シリコーン樹脂としては、市販品(商品名:KER−2500、信越化学工業社製、商品名:LR−7665、旭化成ワッカー社製など)を用いることができる。
無機粒子を構成する無機物としては、例えば、二酸化珪素、二酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、チタン酸複合酸化物(例えば、チタン酸バリウム、チタン酸カリウム)などの無機酸化物、例えば、銀、アルミニウムなどの金属などが挙げられる。光反射性、放熱性の観点から、好ましくは、二酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、チタン酸バリウム、銀が挙げられ、長期耐熱性の観点から、より好ましくは、二酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、チタン酸バリウムが挙げられ、さらに好ましくは、二酸化チタン、酸化アルミニウムが挙げられる。
無機粒子の平均粒子径(平均最大長さ)は、例えば、0.1〜50μmである。
硬化性樹脂組成物としては、好ましくは、二酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、チタン酸バリウムおよび銀からなる群から選択される少なくとも1種から構成される無機粒子、ならびに、硬化性シリコーン樹脂を含有する硬化性樹脂組成物が挙げられ、より好ましくは、二酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウムおよびチタン酸バリウムからなる群から選択される少なくとも1種から構成される無機粒子、ならびに、硬化性シリコーン樹脂を含有する硬化性樹脂組成物が挙げられ、さらに好ましくは、二酸化チタンおよび酸化アルミニウムの少なくとも1種から構成される無機粒子、ならびに、硬化性シリコーン樹脂を含有する硬化性樹脂組成物が挙げられる。
ケイ酸塩水溶液に含まれるアルカリ金属ケイ酸塩としては、例えば、ケイ酸ナトリウム(水ガラス)などが挙げられる。
硬化性組成物における無機物の含有割合(固形分量)は、例えば、30質量%以上、好ましくは、40質量%以上、さらに好ましくは、60質量%以上であり、例えば、90質量%以下、好ましくは、80質量%以下である。硬化性組成物におけるバインダーまたは硬化性樹脂の含有割合(固形分量)は、例えば、10質量%以上、好ましくは、20質量%以上であり、例えば、70質量%以下、好ましくは、60質量%以下、さらに好ましくは、40質量%以下である。
硬化性組成物としては、好ましくは、セラミックスインク;無機酸化物粒子および金属粒子の少なくとも1種の無機粒子ならびに硬化性樹脂を含有する硬化性樹脂組成物が挙げられ、より好ましくは、セラミックスインク;無機酸化物粒子および硬化性樹脂を含有する硬化性樹脂組成物が挙げられ、さらに好ましくは、セラミックスインクが挙げられる。これにより、接合層14の放熱性、反射性を向上させることができる。
接合層14は、蛍光体セラミックス素子13で発生する熱を熱拡散保持部材に効率よく伝導させる放熱層としての役割と、蛍光体セラミックス素子13に入射・拡散される光を後側に効率よく反射させる反射層としての役割とを備える。
接合層14の熱伝導率は、0.20W/m・Kを超過し、好ましくは、1.0W/m・K以上、さらに好ましくは、3.0W/m・K以上であり、また、例えば、30.0W/m・K以下でもある。
熱伝導率は、Xeフラッシュアナライザーにて測定することができる。
接合層14の反射率が、90%以上であり、好ましくは、93%以上、より好ましくは、96%以上であり、また、例えば、100%以下である。
反射率は、紫外可視分光光度計(「V670」、日本分光社製)を用いて、波長450nmの光の反射を測定することにより求められる。
蛍光体セラミックス素子13は、背面視略矩形状をなし、平板形状に形成されている。蛍光体セラミックス素子13は、接合層14の後面に設けられている。蛍光体セラミックス素子13は、前後方向に投影したときに、接合層14および載置部11と重複しており、具体的には、背面視において、接合層14および載置部11と同一形状に形成されている。
また、蛍光体セラミックス素子13は、光源4および貫通孔7と、同一直線上となるように配置されている。具体的には、光源4、貫通孔7および蛍光体セラミックス素子13は、ハウジング2の軸線と一致する直線上に並ぶように、ハウジング2内に収容されている。
蛍光体セラミックス素子13は、蛍光体材料のセラミックス(焼成体)から形成されている。蛍光体セラミックス素子13に含有される蛍光体は、波長変換機能を有しており、例えば、青色光を黄色光に変換することのできる黄色蛍光体、青色光を赤色光に変換することのできる赤色蛍光体などが挙げられる。
黄色蛍光体としては、例えば、(Ba,Sr,Ca)2SiO4;Eu、(Sr,Ba)2SiO4:Eu(バリウムオルソシリケート(BOS))などのシリケート蛍光体、例えば、Y3Al5O12:Ce(YAG(イットリウム・アルミニウム・ガーネット):Ce)、Tb3Al3O12:Ce(TAG(テルビウム・アルミニウム・ガーネット):Ce)などのガーネット型結晶構造を有するガーネット型蛍光体、例えば、Ca−α−SiAlONなどの酸窒化物蛍光体などが挙げられる。赤色蛍光体としては、例えば、CaAlSiN3:Eu、CaSiN2:Euなどの窒化物蛍光体などが挙げられる。
次いで、図3A〜図3Eを参照して、波長変換放熱部材6の製造方法を説明する。
波長変換放熱部材6の製造方法は、グリーンシート22を用意する工程、グリーンシート22を焼成する工程、接合層14を蛍光体セラミックス層23の上に設ける工程、波長変換接合シート21を切断する工程、波長変換接合部材10を熱拡散保持部材9に設ける工程を備える。
まず、図3Aに示すように、グリーンシート22を用意する(用意工程)。グリーンシート22は、例えば、蛍光体材料、バインダー樹脂および溶媒を含むスラリーを、離型シート28の上面に塗布および乾燥させることにより、形成する。
蛍光体材料としては、上記の蛍光体を構成する原材料であって、例えば、酸化アルミニウム、酸化イットリウム、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、さらには、それらに他の元素を賦活させたものなどから適宜選択して調製される。
バインダー樹脂は、グリーンシート22の作製に用いられる公知のバインダー樹脂を使用すればよく、例えば、アクリル系ポリマー、ブチラール系ポリマー、ビニル系ポリマー、ウレタン系ポリマーなどが挙げられる。好ましくは、アクリル系ポリマーが挙げられる。
バインダー樹脂の含有割合は、蛍光体材料とバインダー樹脂との合計体積量に対して、例えば、5体積%以上、好ましくは、20体積%以上であり、また、80体積%以下、好ましくは、60体積%以下である。
溶媒としては、例えば、水、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メタノール、エタノール、トルエン、プロピオン酸メチル、メチルセルソルブなどの有機溶媒が挙げられる。
溶媒の含有割合は、スラリーにおいて、例えば、1〜30質量%である。
スラリーには、必要に応じて、分散剤、可塑剤、焼結助剤などの公知の添加剤を含有することができる。
そして、上記成分を上記割合で配合し、ボールミルなどで湿式混合することにより、スラリーを調製する。
次いで、スラリーを、ドクターブレード、グラビアコータ、ファウンテンコータ、キャストコータ、スピンコータ、ロールコータなどの公知の塗布方法により離型シート28の上面に塗布し、乾燥することにより、グリーンシート22を形成する。
離型シート28としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムなどのポリエステルフィルム、例えば、ポリカーボネートフィルム、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルムなどのポリオレフィンフィルム、例えば、ポリスチレンフィルム、例えば、アクリルフィルム、例えば、シリコーン樹脂フィルム、フッ素樹脂フィルムなどの樹脂フィルムなどが挙げられる。さらに、例えば、銅箔、ステンレス箔などの金属箔も挙げられる。好ましくは、樹脂フィルム、さらに好ましくは、ポリエステルフィルムが挙げられる。
離型シート28の表面には、離型性を高めるため、必要により離型処理が施されている。
離型シート28の厚みは、例えば、取扱性、コストの観点から、例えば、10〜200μmである。
このようにして得られるグリーンシート22は、蛍光体セラミックス層23(蛍光体セラミックスプレート)の焼結前セラミックスであって、平面視略矩形状の平板形状に形成されている。
なお、グリーンシート22は、所望の厚みを得るために、複数(複層)のグリーンシート22を熱ラミネートによって積層することにより形成することもできる。
グリーンシート22の厚みは、例えば、10μm以上、好ましくは、30μm以上であり、また、例えば、500μm以下、好ましくは、200μm以下である。
次いで、図3Bに示すように、グリーンシート22を焼成する(焼成工程)。これにより、蛍光体セラミックス層23(蛍光体セラミックスプレート)を得る。
焼成温度は、例えば、1300℃以上、好ましくは、1500℃以上であり、また、例えば、2000℃以下、好ましくは、1800℃以下である。
焼成時間は、例えば、1時間以上、好ましくは、2時間以上であり、また、例えば、24時間以下、好ましくは、5時間以下である。
焼成は、常圧下で実施してもよく、また、減圧下または真空下で実施してもよい。好ましくは、減圧下または真空下で実施する。
上記焼成(本焼成)の前に、バインダー樹脂や分散剤などの有機成分を熱分解および除去するために、電気炉を用いて、空気中、例えば、600〜1300℃で予備加熱し、脱バインダー処理を実施してもよい。
また、焼成における昇温速度は、例えば、0.5〜20℃/分である。
このようにして得られる蛍光体セラミックス層23は、平面視略矩形状の平板形状に形成されている。
蛍光体セラミックス層23の厚みは、例えば、10μm以上、好ましくは、50μm以上であり、また、例えば、500μm以下、好ましくは、200μm以下である。
次いで、図3Cに示すように、接合層14を蛍光体セラミックス層23の上に設ける(接合層形成工程)。
具体的には、無機物を含有する硬化性組成物を、蛍光体セラミックス層23の表面に公知の方法で塗布し、蛍光体セラミックス層23の表面に硬化性層を形成する。次いで、この硬化性層を加熱などにより硬化(固化)させることにより、接合層14を形成する。
硬化性組成物の塗布方法としては、ドクターブレード、グラビアコータ、ファウンテンコータ、キャストコータ、スピンコータ、ロールコータなどの公知の塗布方法が挙げられる。
硬化性層を硬化させる加熱温度は、例えば、100℃以上、好ましくは、120℃以上であり、また、例えば、200℃以下、好ましくは、180℃以下である。
加熱時間は、例えば、0.5時間以上、好ましくは、1時間以上であり、また、例えば、12時間以下、好ましくは、6時間以下である。
また、必要に応じて、加熱硬化の前に、例えば、50〜100℃、1〜10時間の条件下で、硬化性層を乾燥する乾燥工程を実施することもできる。
これにより、接合層(接合シート)14が形成される。すなわち、蛍光体セラミックス層23と、蛍光体セラミックス層23の上面に設けられる接合層14とを備える波長変換接合シート21を得る。
接合層14の厚みTは、例えば、10μm以上、好ましくは、50μm以上、より好ましくは、80μm以上、さらに好ましくは、90μm以上であり、また、例えば、1000μm以下、好ましくは、500μm以下、より好ましくは、200μm以下、さらに好ましくは、115μm以下である。この範囲にすることにより、接合層14の熱伝導率および反射率がより一層優れる。
次いで、図3Cの一点鎖線が示すように、波長変換接合シート21を上下方向に切断する。具体的には、波長変換接合シート21を、所望の幅方向長さおよび所望の前後方向長さ(図3Cでは、紙厚方向における長さ)となるように、上下方向(厚み方向)に切断加工する(切断工程)。
切断加工は、ダイシング装置、スクライビング装置、レーザー切断装置などの公知の切断装置によって実施する。
これにより、蛍光体セラミックス層23が所望の大きさに切断され、蛍光体セラミックス素子13を得る。すなわち、図3Dに示すように、蛍光体セラミックス素子13と、蛍光体セラミックス素子13の上面に設けられる接合層14とを備える波長変換接合部材10を得る。
蛍光体セラミックス素子13の幅方向長さは、例えば、0.2mm以上、好ましくは、1mm以上であり、また、例えば、10mm以下、好ましくは、3mm以下である。蛍光体セラミックス素子13の前後方向長さは、例えば、0.05mm以上、好ましくは、0.1mm以上であり、また、例えば、5mm以下、好ましくは、3mm以下である。接合層14の幅方向長さおよび前後方向長さも、蛍光体セラミックス素子13の幅方向長さおよび前後方向長さと同様である。
次いで、図3Eに示すように、波長変換接合部材10に熱拡散保持部材9を設ける。具体的には、波長変換接合部材10の接合層14を、熱伝導性接着剤層(図示せず)を介して、熱拡散保持部材9の載置部11と接着する。
熱伝導性接着剤層を形成する熱伝導性接着剤は、熱伝導性を有すればよく、その熱伝導率は、例えば、1〜20W/m・kである。
熱伝導性接着剤層の厚みは、例えば、5〜100μmである。
これにより、波長変換放熱部材6を得る。
そして、図3Eに示す波長変換放熱部材6の上側を、図1の後側となるように回転させて、波長変換放熱部材6をハウジング2および透明部材3に固定することにより、図1の半導体発光装置1を得る。
そして、本発明の波長変換放熱部材6を備える半導体発光装置1では、光源4から照射される光h0が、貫通孔7を通過し、蛍光体セラミックス素子13にて白色光に波長変換されると同時に、全方向に拡散される。この際、蛍光体セラミックス素子13と隣接配置される接合層14の反射率が90%以上であるため、拡散される白色光を、効率よく反射鏡5側(後側に)反射することができる(図1の光h1〜h4を参照)。すなわち、波長変換放熱部材6における光量の損失を低下しつつ、高効率で反射鏡5側に反射することができる。そのため、反射鏡5にて前側(ひいては外部)に放出される光の取出効率が良好となる。
また、接合層14の熱伝導率が0.20W/m・Kを超過するため、蛍光体セラミックス素子13で発生する熱を、接合層14を通じて、効率よく熱拡散保持部材9に伝導させることができる。そのため、放熱性に優れる。また、光の波長が変換される蛍光体セラミックス素子13は、蛍光体のセラミックスから形成されているため、耐熱性および放熱性に優れる。
この半導体発光装置1は、例えば、車載灯具、高天井吊下げ灯具、道路灯具、演芸灯具などの遠方照射用途に好適に用いることができる。
(変形例)
以降の各図において、上記した各部に対応する部材については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
以降の各図において、上記した各部に対応する部材については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
図2Aに示す実施形態の波長変換放熱部材6では、接合層14が、背面視略矩形状をなし、平板形状に形成されているが、例えば、図4Aおよび図4Bに示すように、背面視略矩形状をなし、断面視において後側を開放するコ字状に形成されていてもよい。
図4Aおよび図4Bに示す(断面コ字状)接合層14aは、背面視略矩形状の平板状に形成される底部15と、底部15の周端から後側に向かって突出する枠部16とを備えている。
底部15の厚みTは、図3Dに示す接合層14の厚みTと同様である。
枠部16の幅Wは、例えば、10μm以上、好ましくは、50μm以上であり、また、例えば、500μm以下であり、好ましくは、200μm以下である。
蛍光体セラミックス素子13は、枠部16の内縁と同一となるように形成され、接合層14aの内部に収容されている。すなわち、蛍光体セラミックス素子13の後面は、枠部16の後端縁と面一となるように配置され、蛍光体セラミックス素子13の前面は、底部15の後面と一致するように配置されている。これにより、蛍光体セラミックス素子13の前面が、底部15により被覆され、蛍光体セラミックス素子13の周側面が枠部16により被覆され、蛍光体セラミックス素子13の後面が接合層14aから露出される。
図4Aおよび図4Bの実施形態では、蛍光体セラミックス素子13に照射され、反射・拡散される白色光の広がりを抑制することができる。すなわち、枠部16を備えているため、蛍光体セラミックス素子13で反射・拡散される白色光は、上側および下側に拡散することが抑制される。具体的には、図1で示される光h1は、図4Aの波長変換放熱部材6からは出射されず、光h2〜h4などが示す範囲の光が出射する。このため、前側へ反射する光の広がりを限定することができ、前側方向の特定範囲での光の取り出し効率が向上する。
一方、図2Aおよび図2Bの実施態様では、光h1〜h4などの上下方向(および幅方向)の広がりがある光を取り出すことができる。
図5A〜図5Iを参照して、図4Aおよび図4Bの実施形態の製造方法を説明する。
図4Aおよび図4Bの波長変換放熱部材6の製造方法は、グリーンシート22を用意する工程、グリーンシート22を焼成する工程、蛍光体セラミックス層23を基材24に配置する工程、蛍光体セラミックス層23の一部を掻き取る工程、蛍光体セラミックス素子13を得る工程、硬化性層26を形成する工程、硬化性層26を硬化させる工程、接合層14および基材24を切断する工程、波長変換接合部材10を得る工程、波長変換接合部材10を熱拡散保持部材9に設ける工程を備える。
まず、図3Aと同様にして、図5Aに示すように、グリーンシート22を用意する(用意工程)。次いで、図3Bと同様にして、図5Bに示すように、グリーンシート22を焼成する(焼成工程)。
次いで、図5Cに示すように、蛍光体セラミックス層23を基材24に配置する(配置工程)。具体的には、蛍光体セラミックス層23を基材24の上面の略中央部に配置する。
基材24としては、ブレード(後述)の掻き取り性、および、波長変換接合部材10に対する基材24の剥離性の観点から、好ましくは、易剥離性シートが挙げられる。易剥離性シートは、例えば、加熱などにより容易に剥離できる熱剥離シートから形成されている。
熱剥離シートは、支持層と、支持層の上面に積層された粘着層とを備えている。
支持層は、例えば、ポリエステルなどの耐熱性樹脂から形成されている。
粘着層は、例えば、常温(25℃)において、粘着性を有し、加熱時に、粘着性が低減する(あるいは、粘着性を失う)熱膨張性粘着剤などから形成されている。
熱剥離シートは、市販品を用いることができ、具体的には、リバアルファシリーズ(登録商標、日東電工社製)などを用いることができる。
熱剥離シートは、支持層によって、蛍光体セラミックス層23(ひいては、波長変換接合部材10)を、粘着層を介して確実に支持しながら、加熱による粘着層の粘着性の低下に基づいて、波長変換接合部材10から剥離される。
また、基材24は、例えば、ポリオレフィン(具体的には、ポリエチレン、ポリプロピレン)、エチレン・酢酸ビニル共重合体(EVA)などのビニル重合体、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネートなどのポリエステル、例えば、ポリテトラフルオロエチレンなどのフッ素樹脂などの樹脂材料などから形成されていてもよい。また、基材は、例えば、鉄、アルミニウム、ステンレスなどの金属材料などから形成することもできる。
基材24の厚みは、例えば、10〜1000μmである。
これにより、基材24と、基材24の上面に設けられる蛍光体セラミックス層23とを備えるセラミックス積層体29を得る。
次いで、図5Dに示すように、蛍光体セラミックス層23の一部を除去する(除去工程)。具体的には、ダイシングブレード30などのブレードを用いて、蛍光体セラミックス層23の一部を掻き取る。
ダイシングブレード30は、公知または市販のダイシング装置に使用される円盤状の回転刃である。ダイシングブレード30の先端(下端)は、切断方向に沿う方向(図5Dでは、紙厚方向である前後方向)に投影したときに、上下方向(蛍光体セラミックス層23の厚み方向)に延びる略矩形状(板状)に形成されている。すなわち、切断面が略矩形状となるように形成されている。
ダイシングブレード30の先端における幅方向長さXは、例えば、0.05mm以上、好ましくは、0.1mm以上であり、例えば、2.0mm以下、好ましくは、1.0mm以下である。
この工程では、まず、図5Dに示すように、蛍光体セラミックス層23の一部を前後方向に沿って掻き取る。
具体的には、セラミックス積層体29を、切断方向が前後方向となるように、ダイシング装置内に配置する。続いて、ダイシングブレード30の移動時に、ダイシングブレード30の先端(下端)が蛍光体セラミックス層23と接触し、かつ、基材24を貫通しないように、ダイシングブレード30またはセラミックス積層体29の配置を調整する。すなわち、ダイシングブレード30の先端が基材24の上面に到達し、かつ、基材24の下面に到達しないように、ダイシングブレード30またはセラミックス積層体29の上下方向位置を調整する。続いて、ダイシングブレード30を高速回転させながら、切断方向に沿う前後方向に移動させる。
これにより、ダイシングブレード30(先端周辺)と接触する部分の蛍光体セラミックス層23を、前後方向に沿って、基材24から掻き取る。すなわち、蛍光体セラミックス層23は、略矩形状に掻き取られる。掻き取られた部分では、基材24の上面が露出する。
この前後方向の掻き取りを、図5Dの仮想線に示すように、所望の間隔(すなわち、所望の蛍光体セラミックス素子13の幅方向長さ)を隔てて、繰り返し実施する。
次いで、上記と同様にして、ダイシングブレード30を高速回転させながら、切断方向が幅方向に沿うように移動させることにより、蛍光体セラミックス層23の一部を幅方向に沿って掻き取る。この幅方向の掻き取りを所望の間隔を隔てて、繰り返し実施する。
すなわち、図6に示すように、蛍光体セラミックス層23を格子状に掻き取る。
このようにして、図5Eおよび図6に示すように、基材24と、基材24の上面に格子状に整列配置された複数の蛍光体セラミックス素子13とを備える素子配置基材31を得る。
なお、上記工程では、蛍光体セラミックス層23を固定し、ダイシングブレード30を移動することにより、蛍光体セラミックス層23の一部を掻き取っているが、例えば、高速回転するダイシングブレード30の位置を固定し、ダイシングブレード30に対し、セラミックス積層体29をX−Yステージなどによって前後方向または幅方向に移動させることにより、蛍光体セラミックス層23の一部を掻き取ることもできる。
蛍光体セラミックス素子13のそれぞれは、断面視略矩形状および平面視略矩形状に形成されている。
蛍光体セラミックス素子13の幅方向長さYおよび前後方向長さは、図2Aおよび図2Bの実施態様と同様である。
複数の蛍光体セラミックス素子13の幅方向間隔および前後方向間隔は、ダイシングブレード30の先端の幅方向長さXと同一である。
次いで、図5Fおよび図5Gに示すように、蛍光体セラミックス素子13の表面を被覆するように、接合層14を基材24の上に形成する(形成工程)。
形成工程では、まず、図5Fに示すように、無機物を含有する硬化性組成物を蛍光体セラミックス素子13の上面および側面を被覆するように基材24の上に公知の方法で塗布し、硬化性層26を形成する(硬化性層形成工程)。
硬化性組成物の塗布方法としては、印刷、ディスペンサなどの公知の塗布方法が挙げられる。
このようにして、基材24と、基材24の上に整列配置された複数の蛍光体セラミックス素子13と、複数の蛍光体セラミックス素子13の上面および側面を被覆するように、基材24の上に形成された硬化性層26とを備える硬化性層−素子積層体32を得る。
次いで、図5Gに示すように、接合層14を形成する(接合層形成工程)。具体的に、図3Cと同様にして、硬化性層26を加熱によって硬化(固化)させることにより、接合層14を形成する。
これにより、基材24と、基材24の上に整列配置された複数の蛍光体セラミックス素子13と、複数の蛍光体セラミックス素子13の上面および側面を被覆するように、基材24の上に形成された接合層14とを備える接合層−素子積層体33を得る。
次いで、図5Hに示すように、1つの蛍光体セラミックス素子13を含むように、接合層14および基材24を上下方向に切断する(切断工程)。すなわち、複数の蛍光体セラミックス素子13に切り分けて、蛍光体セラミックス素子13を個片化(個別化)する。
具体的に、互いに隣接する蛍光体セラミックス素子13の間において、上下方向(接合層−素子積層体33の厚み方向)に沿って、幅狭ブレード39を用いて、接合層14および基材24を、ダイシングにより切断加工する。
幅狭ブレード39は、ダイシングブレード30よりも幅が狭いブレードであって、ダイシング装置に使用される円盤状の回転刃である。幅狭ブレード39は、切断方向に沿う方向(図5Hでは、紙厚方向である前後方向)に投影したときに、上下方向に延びる略矩形状(板状)に形成されている。
幅狭ブレード39の幅方向長さZは、ダイシングブレード30の幅方向長さXよりも狭く、例えば、Xの80%以下、好ましくは、60%以下であり、また、例えば、10%以上、好ましくは、30%以上である。具体的には、例えば、0.01mm以上、好ましくは、0.05mm以上であり、また、例えば、1.5mm以下、好ましくは、0.8mm以下である。
この切断工程では、接合層−素子積層体33をダイシング装置内に配置する。続いて、接合層14および基材24を上下方向に切断するように、幅狭ブレード39または接合層−素子積層体33の配置を調整する。すなわち、幅狭ブレード39の先端が、接合層14を貫通して基材24の下面に到達するように、幅狭ブレード39または接合層−素子積層体33の上下方向位置を調整する。そして、上記除去工程と同様にして、幅狭ブレード39を高速回転させながら、互いに隣接する蛍光体セラミックス素子13の間を、前後方向および幅方向に(すなわち格子状に)移動させて、接合層14および基材24を切断加工する。
これにより、図5Iに示すように、波長変換接合部材10を得る。具体的には、基材24と、その基材24の上に設けられ、1つの蛍光体セラミックス素子13および(断面コ字状)接合層14aを有する波長変換接合部材10とを備える基材積層波長変換接合部材34を得る。
次いで、図5Iの仮想線に示すように、基材24を剥離した後、図3Eの工程と同様にして、波長変換接合部材10を熱拡散保持部材9に設ける。
これにより、図4Aおよび4Bに示す波長変換放熱部材6を得る。
また、図4Aおよび4Bに示す波長変換放熱部材6は、図7F〜図7Jに示す方法によっても製造することができる。
まず、図5A〜図5Eと同様にして、基材24と、基材24の上面に格子状に整列配置された複数の蛍光体セラミックス素子13とを備える素子配置基材31を得る。
次いで、図7Fに示すように、素子配置基材31を、硬化性層26と対向配置する(対向配置工程)。具体的には、まず、硬化性層26が離型シート28aの上に設けられた硬化性層シート38を用意する。硬化性層シート38は、離型シート28aの上面に、無機物を含有する硬化性組成物を、離型シート28aの上に、公知の方法で塗布することにより製造する。
離型シート28aは、離型シート28と同様である。
硬化性層26の厚みは、例えば、80μm以上、好ましくは、90μm以上であり、また、例えば、1000μm以下、好ましくは、500μm以下である。
次いで、蛍光体セラミックス素子13が硬化性層26と向かい合うように、素子配置基材31を硬化性層シート38とを間隔を隔てて上下方向に対向配置する。
次いで、図7Gに示すように、蛍光体セラミックス素子13を硬化性層26に埋没させる(埋没工程)。具体的には、素子配置基材31を下側に移動させて、硬化性層シート38に押圧する。
これにより、蛍光体セラミックス素子13の表面(下面および側面)が、硬化性層26に被覆される。これとともに、蛍光体セラミックス素子13から露出していた基材24の表面が、硬化性層26に被覆される。
圧力は、例えば、0.03MPa以上、好ましくは、0.1MPa以上であり、また、例えば、2MPa以下、好ましくは、0.5MPa以下である。
このようにして、基材24と、基材24の下に整列配置された複数の蛍光体セラミックス素子13と、複数の蛍光体セラミックス素子13の下面および側面を被覆するように、基材24の下に形成された硬化性層26と、硬化性層26の下に配置された離型シート28aとを備える硬化性層−素子積層体32を得る。
なお、素子配置基材31を硬化性層シート38と対向配置する工程と、蛍光体セラミックス素子13を硬化性層26に埋没する工程とは、連続する一つの工程として実施することができる。
次いで、図7Hに示すように、硬化性層26を硬化させる(硬化工程)。具体的には、図3Cと同様にして、硬化性層−素子積層体32を加熱することにより、硬化性層26を硬化(固化)させて、接合層14を形成する。
これにより、基材24と、基材24の下に整列配置された複数の蛍光体セラミックス素子13と、複数の蛍光体セラミックス素子13の下面および側面を被覆するように、基材24の下に形成された接合層14と、接合層14の下に配置された離型シート28aとを備える接合層−素子積層体33を得る。
次いで、図7Iに示すように、1つの蛍光体セラミックス素子13を含むように、接合層14および基材24を上下方向に切断する(切断工程)。すなわち、複数の蛍光体セラミックス素子13に切り分けて、蛍光体セラミックス素子13を個片化(個別化)する。
具体的に、図5Hと同様にして、互いに隣接する蛍光体セラミックス素子13の間において、上下方向に沿って、幅狭ブレード39を用いて、基材24、接合層14および離型シート28aを、ダイシングにより切断加工する。
これにより、図7Jに示すように、波長変換接合部材10を得る。具体的には、基材24と、離型シート28aと、これらに挟まれ、蛍光体セラミックス素子13および(断面コ字状)接合層14aを有する波長変換接合部材10とを備える両面積層波長変換接合部材34aを得る。
次いで、図7Jの仮想線に示すように、基材24および離型シート28aを剥離した後、図3Eの工程と同様にして、波長変換接合部材10を熱拡散保持部材9に設ける。
これにより、図4Aおよび4Bに示す波長変換放熱部材6を得る。
なお、図2Aの実施態様では、熱拡散保持部材9は、載置部11および固定部12を備えているが、例えば、図8に示すように、断面視櫛形状に形成され、載置部11aおよび複数の凸部17を備えることもできる。
載置部11aは、前後方向に厚みを有する背面視略矩形状に形成され、波長変換接合部材10よりも大きく形成されている。具体的には、載置部11aは、前後方向に投影したときに、波長変換接合部材10を含むように形成されている。
複数の凸部17は、放熱性を向上させるために、載置部11aと一体成形され、載置部11aの前面から前方に向かって突出するように設けられている。
図8の実施形態も、図2Aの実施形態と同様の作用効果を奏する。
以下に、実施例および比較例を挙げて本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はそれらに限定されない。また、以下の記載において用いられる配合割合(含有割合)、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合(含有割合)、物性値、パラメータなど該当記載の上限値(「以下」、「未満」として定義されている数値)または下限値(「以上」、「超過」として定義されている数値)に代替することができる。
(蛍光体セラミックス層の作製)
酸化イットリウム粒子(純度99.9%、日本イットリウム社製)11.34g、酸化アルミニウム粒子(純度99.9%、住友化学社製)8.577g、および、酸化セリウム粒子0.087gからなる蛍光体材料の粉末を調製した。
酸化イットリウム粒子(純度99.9%、日本イットリウム社製)11.34g、酸化アルミニウム粒子(純度99.9%、住友化学社製)8.577g、および、酸化セリウム粒子0.087gからなる蛍光体材料の粉末を調製した。
調製した蛍光体材料の粉末20gと、水溶性バインダー樹脂(「WB4101」、Polymer Inovations,Inc社製)とを、固形分の体積比率が60:40となるように混合し、さらに蒸留水を加えてアルミナ製容器に入れ、直径3mmのジルコニアボールを加えて24時間、ボールミルにより湿式混合することで、蛍光体の原料粒子のスラリーを調製した。
次いで、調製したスラリーを、離型シートとしてのPETフィルム28上に、ドクターブレード法によりテープキャスティングして乾燥することにより、厚み75μmのグリーンシート22を形成した(図3A参照)。その後、グリーンシート22をPETフィルム28から剥離し、グリーンシート22を20mm×20mmのサイズに切り出した。切り出したグリーンシート22を2枚作製し、この2枚のグリーンシート22をホットプレスを用いて熱ラミネートすることにより、グリーンシート積層体22を作製した。
次いで、作製したグリーンシート積層体22を、電気マッフル炉にて、大気中、1℃/分の昇温速度で1200℃まで加熱し、バインダー樹脂などの有機成分を分解除去する脱バインダー処理を実施した。その後、高温真空炉にグリーンシート積層体22を移し、約10−3Torr(約0.13Pa)の減圧下で、5℃/分の昇温速度で1750℃まで加熱し、その温度で3時間焼成することで、厚み120μmの、Y3Al5O12:Ceからなる蛍光体セラミックス層23(蛍光体セラミックスプレート)を作製した(図3B参照)。
(接合層作製用の硬化性組成物の準備)
準備例1
セラミックスインク(商品名「RG12−22」、白色、無機物リッチ、株式会社アイン製)を、接合層作製用の硬化性組成物として準備した。
準備例1
セラミックスインク(商品名「RG12−22」、白色、無機物リッチ、株式会社アイン製)を、接合層作製用の硬化性組成物として準備した。
準備例2
二液付加反応硬化型シリコーンレジン(商品名「KER2500−A/B」、信越化学工業株式会社製)A:B液を100:100の混合比(質量比)で撹拌し、次いで、この混合液5.0gに、銀粒子(商品名「AG−404」、株式会社ニラコ製)2.0gおよび銀粒子(商品名「SPN08S」、三井金属鉱業株式会社製)3.0gを撹拌混合することにより、接合層作製用の硬化性組成物を調製した。
二液付加反応硬化型シリコーンレジン(商品名「KER2500−A/B」、信越化学工業株式会社製)A:B液を100:100の混合比(質量比)で撹拌し、次いで、この混合液5.0gに、銀粒子(商品名「AG−404」、株式会社ニラコ製)2.0gおよび銀粒子(商品名「SPN08S」、三井金属鉱業株式会社製)3.0gを撹拌混合することにより、接合層作製用の硬化性組成物を調製した。
準備例3
二液付加反応硬化型シリコーンレジン(商品名「KER2500−A/B」、信越化学工業株式会社製)A:B液を100:100の混合比(質量比)で撹拌し、次いで混合液6.0gに、チタン酸バリウム粒子(「BT−03」、堺化学工業株式会社製)4.0gを撹拌混合することにより、接合層作製用の硬化性組成物を調製した。
二液付加反応硬化型シリコーンレジン(商品名「KER2500−A/B」、信越化学工業株式会社製)A:B液を100:100の混合比(質量比)で撹拌し、次いで混合液6.0gに、チタン酸バリウム粒子(「BT−03」、堺化学工業株式会社製)4.0gを撹拌混合することにより、接合層作製用の硬化性組成物を調製した。
準備例4
珪酸ナトリウム(水ガラス)1号(昭和化学株式会社製)6.0gにチタン酸バリウム粒子(商品名「BT−03」、堺化学工業株式会社製)4.0gを撹拌混合することにより、接合層作製用の硬化性組成物を調製した。
珪酸ナトリウム(水ガラス)1号(昭和化学株式会社製)6.0gにチタン酸バリウム粒子(商品名「BT−03」、堺化学工業株式会社製)4.0gを撹拌混合することにより、接合層作製用の硬化性組成物を調製した。
準備例5
二液付加反応硬化型シリコーンレジン(商品名「KER2500−A/B」、信越化学工業株式会社製)A:B液を100:100の混合比(質量比)で撹拌し、次いで混合液5.0gに、ルチル型二酸化チタン粒子(平均粒子径0.2μm)5.5gを撹拌混合することにより、接合層作製用の硬化性組成物を調製した。
二液付加反応硬化型シリコーンレジン(商品名「KER2500−A/B」、信越化学工業株式会社製)A:B液を100:100の混合比(質量比)で撹拌し、次いで混合液5.0gに、ルチル型二酸化チタン粒子(平均粒子径0.2μm)5.5gを撹拌混合することにより、接合層作製用の硬化性組成物を調製した。
準備例6
酸化アルミニウム粒子60〜100質量部および硬化性シリコーン樹脂(シリコーン樹脂10〜30質量部、ポリビニルシロキサン1〜5質量部、ビニルポリジメチルシロキサン1〜5質量部、メチルハイドロジェンポリシロキサン1〜5質量部)を含有した硬化性組成物(商品名「IVS7620」、モーメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ株式会社製)を接合層作製用の硬化性組成物として準備した。
酸化アルミニウム粒子60〜100質量部および硬化性シリコーン樹脂(シリコーン樹脂10〜30質量部、ポリビニルシロキサン1〜5質量部、ビニルポリジメチルシロキサン1〜5質量部、メチルハイドロジェンポリシロキサン1〜5質量部)を含有した硬化性組成物(商品名「IVS7620」、モーメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ株式会社製)を接合層作製用の硬化性組成物として準備した。
準備例7
銀ペースト(商品名「P−1032」、ムロマチテクノス株式会社製)を接合層作製用の硬化性組成物として準備した。
銀ペースト(商品名「P−1032」、ムロマチテクノス株式会社製)を接合層作製用の硬化性組成物として準備した。
準備例8
メタクリル樹脂ペレット5.0gをメチルエチルケトン15gに溶解し、チタン酸バリウム粒子(商品名「BT−03」、堺化学工業株式会社製)5.0gを撹拌混合することにより、接合層作製用の硬化性組成物を調製した。
メタクリル樹脂ペレット5.0gをメチルエチルケトン15gに溶解し、チタン酸バリウム粒子(商品名「BT−03」、堺化学工業株式会社製)5.0gを撹拌混合することにより、接合層作製用の硬化性組成物を調製した。
(波長変換接合部材の作製)
実施例1
ドクターブレードを用いて、準備例1で準備した硬化性組成物(セラミックスインク)を蛍光体セラミックス層23の一方面に塗布し、90℃で5時間加熱することによりセラミックスインクを乾燥し、次いで、150℃で2時間加熱することにより、硬化した。これにより、蛍光体セラミックス層23(厚み120μm)と接合層14(厚み100μm)とを備える波長変換接合シート21を得た(図3C参照)。
実施例1
ドクターブレードを用いて、準備例1で準備した硬化性組成物(セラミックスインク)を蛍光体セラミックス層23の一方面に塗布し、90℃で5時間加熱することによりセラミックスインクを乾燥し、次いで、150℃で2時間加熱することにより、硬化した。これにより、蛍光体セラミックス層23(厚み120μm)と接合層14(厚み100μm)とを備える波長変換接合シート21を得た(図3C参照)。
次いで、ダイシング装置により3.0mm×3.0mmのサイズにて切断加工し、蛍光体セラミックス素子13と接合層14とを備える波長変換接合部材10を作製した(図3D参照)。
実施例2
接合層の厚み100μmを120μmに変更した以外は、実施例1と同様にして、波長変換接合部材を作製した。
接合層の厚み100μmを120μmに変更した以外は、実施例1と同様にして、波長変換接合部材を作製した。
実施例3
準備例1の硬化性組成物を準備例2の硬化性組成物に変更し、70℃で1時間加熱乾燥し、150℃で2時間加熱硬化した以外は、実施例1と同様にして、波長変換接合部材を作製した。
準備例1の硬化性組成物を準備例2の硬化性組成物に変更し、70℃で1時間加熱乾燥し、150℃で2時間加熱硬化した以外は、実施例1と同様にして、波長変換接合部材を作製した。
実施例4
準備例1の硬化性組成物を準備例3の硬化性組成物に変更し、70℃で1時間加熱乾燥し、150℃で2時間加熱硬化した以外は、実施例1と同様にして、波長変換接合部材を作製した。
準備例1の硬化性組成物を準備例3の硬化性組成物に変更し、70℃で1時間加熱乾燥し、150℃で2時間加熱硬化した以外は、実施例1と同様にして、波長変換接合部材を作製した。
実施例5
準備例1の硬化性組成物を準備例4の硬化性組成物に変更し、70℃で8時間加熱乾燥し、150℃で2時間加熱硬化した以外は、実施例1と同様にして、波長変換接合部材を作製した。
準備例1の硬化性組成物を準備例4の硬化性組成物に変更し、70℃で8時間加熱乾燥し、150℃で2時間加熱硬化した以外は、実施例1と同様にして、波長変換接合部材を作製した。
実施例6
準備例1の硬化性組成物を準備例5の硬化性組成物に変更し、70℃で1時間加熱乾燥し、150℃で2時間加熱硬化した以外は、実施例1と同様にして、波長変換接合部材を作製した。
準備例1の硬化性組成物を準備例5の硬化性組成物に変更し、70℃で1時間加熱乾燥し、150℃で2時間加熱硬化した以外は、実施例1と同様にして、波長変換接合部材を作製した。
実施例7
準備例1の硬化性組成物を準備例6の硬化性組成物に変更し、100℃で1時間加熱乾燥し、150℃で2時間加熱硬化した以外は、実施例1と同様にして、波長変換接合部材を作製した。
準備例1の硬化性組成物を準備例6の硬化性組成物に変更し、100℃で1時間加熱乾燥し、150℃で2時間加熱硬化した以外は、実施例1と同様にして、波長変換接合部材を作製した。
比較例1
接合層の厚み100μmを75μmに変更した以外は、実施例1と同様にして、波長変換接合部材を作製した。
接合層の厚み100μmを75μmに変更した以外は、実施例1と同様にして、波長変換接合部材を作製した。
比較例2
接合層の厚み100μmを75μmに変更した以外は、実施例4と同様にして、波長変換接合部材を作製した。
接合層の厚み100μmを75μmに変更した以外は、実施例4と同様にして、波長変換接合部材を作製した。
比較例3
準備例1の硬化性組成物を準備例7の硬化性組成物に変更し、70℃で1時間加熱乾燥し、150℃で1時間加熱硬化した以外は、実施例1と同様にして、波長変換接合部材を作製した。
準備例1の硬化性組成物を準備例7の硬化性組成物に変更し、70℃で1時間加熱乾燥し、150℃で1時間加熱硬化した以外は、実施例1と同様にして、波長変換接合部材を作製した。
比較例4
準備例1の硬化性組成物を準備例8の硬化性組成物に変更し、60℃で2時間加熱乾燥した以外は、実施例1と同様にして、波長変換接合部材を作製した。
準備例1の硬化性組成物を準備例8の硬化性組成物に変更し、60℃で2時間加熱乾燥した以外は、実施例1と同様にして、波長変換接合部材を作製した。
実施例8
蛍光体セラミックス層23を、ダイシング装置(商品名「ダイシングソー」、DISCO社製)のダイシングフレームに設置された熱剥離シート24(基材、商品名「リバアルファ31950」、日東電工社製)の粘着層面(上面)に貼着して、セラミックス積層体29を得た(図5C参照)。
蛍光体セラミックス層23を、ダイシング装置(商品名「ダイシングソー」、DISCO社製)のダイシングフレームに設置された熱剥離シート24(基材、商品名「リバアルファ31950」、日東電工社製)の粘着層面(上面)に貼着して、セラミックス積層体29を得た(図5C参照)。
次いで、先端が断面視略矩形状のダイシングブレード30(先端の幅X:0.4mm)の上下方向位置を、ダイシングブレード30の先端が熱剥離シート24の上面と一致するように、調整した。
次いで、ダイシングブレード30を高速回転させながら、幅方向の間隔(Y)および前後方向の間隔のそれぞれが3.0mmとなるように、ダイシングブレード30をセラミックス積層体29に対して相対移動させることにより、蛍光体セラミックス層23の一部を格子状に掻き取った(図5D参照)。
これにより、熱剥離シート24の上に、複数の蛍光体セラミックス素子13(3.0mm×3.0mm)が、前後方向および幅方向に0.4mmの間隔を隔てて格子状に整列配置された素子配置基材31を得た(図5Eおよび図6参照)。
次いで、硬化性層26の材料として、準備例1の硬化性組成物を、蛍光体セラミックス素子13の上面および側面を被覆するように、ドクターブレードにて塗布し、硬化性層26を形成した。これにより、硬化性層−素子積層体32を得た(図5F参照)。
次いで、硬化性層−素子積層体32を90℃で5時間乾燥させた後に、150℃で2時間加熱硬化させることにより、接合層14(厚み100μm)を形成した。これにより、接合層−素子積層体33を得た(図5G参照)。
次いで、ダイシング装置内に接合層−素子積層体33を配置した。その後、先端が断面視略矩形状の幅狭ブレード39(先端の幅Z:0.2mm)を用いて、蛍光体セラミックス素子13間の幅方向中央および前後方向中央を、接合層14および熱剥離シート24の上下方向に貫通するように切断した(図5H参照)。すなわち、3.2mm×3.2mmのサイズとなるように接合層−素子積層体33を切断した。これにより、蛍光体セラミックス素子13を個片化し、基材積層波長変換接合部材34を得た。
次いで、得られた基材積層波長変換接合部材34から熱剥離シート24を200℃で剥離した。これにより、1つの蛍光体セラミックス素子13(3.0mm×3.0mm、厚み120μm)および接合層14(3.2mm×3.2mm、側面幅W:0.1mm、厚みT:100μm)を備える波長変換接合部材10を作製した(図5I参照)。
(接合層の反射率:初期反射率)
各実施例および各比較例の波長変換接合部材10の接合層14における反射率を、紫外可視分光光度計(「V670」、日本分光社製)にて、波長450nmの条件にて測定した。この結果を表1に示す。
各実施例および各比較例の波長変換接合部材10の接合層14における反射率を、紫外可視分光光度計(「V670」、日本分光社製)にて、波長450nmの条件にて測定した。この結果を表1に示す。
(接合層の熱伝導率)
下記の方法によって、各実施例および各比較例の波長変換接合部材10の接合層14の熱伝導率をXeフラッシュアナライザー(NETZSCH社製、LFA447)にて測定した。
下記の方法によって、各実施例および各比較例の波長変換接合部材10の接合層14の熱伝導率をXeフラッシュアナライザー(NETZSCH社製、LFA447)にて測定した。
この結果を表1に示す。
(波長変換放熱部材の製造)
各実施例および各比較例の波長変換接合部材10の接合層14の表面に、熱伝導グリース(商品名「MX−4」、熱伝導率8.5W/m・K、Arctic Cooling社製)を塗布し、次いで、熱伝導グリース層を介して、十分なサイズの熱拡散保持部材9としてのヒートシンクを接合層14に接着させた。これにより、各実施例および各比較例の波長変換放熱部材6を製造した(図3E参照)。
各実施例および各比較例の波長変換接合部材10の接合層14の表面に、熱伝導グリース(商品名「MX−4」、熱伝導率8.5W/m・K、Arctic Cooling社製)を塗布し、次いで、熱伝導グリース層を介して、十分なサイズの熱拡散保持部材9としてのヒートシンクを接合層14に接着させた。これにより、各実施例および各比較例の波長変換放熱部材6を製造した(図3E参照)。
(評価)
1.LD装置を点灯した際の蛍光体の表面温度
(1)光出力が1.6Wの場合
電源(ネオアーク株式会社製)および放熱器に接続したLD装置(商品名「NDB7875」、最大1.6W光出力、日亜化学株式会社製)を用意した。LD装置に1200mA電流を印加して、各実施例および各比較例の波長変換放熱部材にレーザー光を照射することにより、波長変換放熱部材を発光させた。波長変換放熱部材を1分間発光した後の蛍光体の表面の最大温度をサーモグラフィーで測定した。
1.LD装置を点灯した際の蛍光体の表面温度
(1)光出力が1.6Wの場合
電源(ネオアーク株式会社製)および放熱器に接続したLD装置(商品名「NDB7875」、最大1.6W光出力、日亜化学株式会社製)を用意した。LD装置に1200mA電流を印加して、各実施例および各比較例の波長変換放熱部材にレーザー光を照射することにより、波長変換放熱部材を発光させた。波長変換放熱部材を1分間発光した後の蛍光体の表面の最大温度をサーモグラフィーで測定した。
55℃未満である場合を◎と評価し、55℃以上100℃未満である場合を○と評価し、100℃以上である場合を×と評価した。
この結果を表1に示す。
(2)光出力が4.8Wの場合
上記LD装置を複数個印加して最大4.8Wの光出力となるように調整し、各実施例および各比較例の波長変換放熱部材にレーザー光を照射することにより、波長変換放熱部材を発光させた。波長変換放熱部材を1分間発光した後の蛍光体の表面温度をサーモグラフィーで測定した。
(2)光出力が4.8Wの場合
上記LD装置を複数個印加して最大4.8Wの光出力となるように調整し、各実施例および各比較例の波長変換放熱部材にレーザー光を照射することにより、波長変換放熱部材を発光させた。波長変換放熱部材を1分間発光した後の蛍光体の表面温度をサーモグラフィーで測定した。
55℃未満である場合を◎と評価し、55℃以上150℃未満である場合を○と評価し、150℃以上である場合を×と評価した。
この結果を表1に示す。
2.LD装置を点灯した際の蛍光体からの光反射効率
上記1.で作製した各実施例および各比較例の波長変換放熱部材を、側面に細孔が形成された積分球の中心位置に配置した。次いで、積分球の外部より細孔を通して、上記1.(1)(光出力が1.6Wの場合)の条件におけるレーザー光を波長変換放熱部材に照射し、1分間発光させた後の反射放射束を測定した。
上記1.で作製した各実施例および各比較例の波長変換放熱部材を、側面に細孔が形成された積分球の中心位置に配置した。次いで、積分球の外部より細孔を通して、上記1.(1)(光出力が1.6Wの場合)の条件におけるレーザー光を波長変換放熱部材に照射し、1分間発光させた後の反射放射束を測定した。
一方、波長変換放熱部材の代わりに、レーザー波長440〜450nmの波長領域で99%以上の反射ミラーを配置し、同様に反射放射束を測定した。
反射ミラーの反射放射束Xに対する、波長変換放射部材の反射放射束Yを百分率で算出した。すなわち、「(Y/X)×100」の計算式で算出した
85%以上である場合を◎と評価し、75%以上85%未満である場合を○と評価し75%未満である場合を×と評価した。
85%以上である場合を◎と評価し、75%以上85%未満である場合を○と評価し75%未満である場合を×と評価した。
この結果を表1に示す。
3.経時信頼性
各実施例および各比較例の波長変換接合部材を、200℃の乾燥炉内に1000時間に設置した後に、接合層の反射率を測定した。初期反射率に対する、乾燥炉内に設置後の反射率の変化を測定した。
各実施例および各比較例の波長変換接合部材を、200℃の乾燥炉内に1000時間に設置した後に、接合層の反射率を測定した。初期反射率に対する、乾燥炉内に設置後の反射率の変化を測定した。
90%以上である場合を○と評価し、50%以上90%未満である場合を△と評価し、50%未満である場合を×と評価した。
1 半導体発光装置
4 光源
5 反射鏡
6 波長変換接合部材
7 貫通孔
9 熱拡散保持部材
10 波長変換放熱部材
13 蛍光体セラミックス素子
14 接合層
4 光源
5 反射鏡
6 波長変換接合部材
7 貫通孔
9 熱拡散保持部材
10 波長変換放熱部材
13 蛍光体セラミックス素子
14 接合層
Claims (6)
- 蛍光体セラミックス素子と、
前記蛍光体セラミックス素子の一方面に設けられる接合層とを備え、
前記接合層の熱伝導率が、0.20W/m・Kを超過し、
前記接合層の反射率が、90%以上である
ことを特徴とする、波長変換接合部材。 - 前記接合層が、セラミックスインクから形成されることを特徴とする、請求項1に記載の波長変換接合部材。
- 前記接合層が、無機酸化物粒子および金属粒子の少なくとも1種の無機粒子、ならびに、硬化性樹脂を含有する硬化性樹脂組成物から形成されることを特徴とする、請求項1に記載の波長変換接合部材。
- 前記接合層の厚みが、80μm以上1000μm以下であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の波長変換接合部材。
- 請求項1〜4のいずれか一項に記載の波長変換接合部材と、熱拡散保持部材とを備え、
前記熱拡散保持部材は、前記接合層を介して、前記蛍光体セラミックス素子と接合していることを特徴とする、波長変換放熱部材。 - 光を一方側に照射する光源と、
前記光源と間隔を隔てて一方側に対向配置され、前記光が通過するための貫通孔が形成される反射鏡と、
前記光が前記蛍光体セラミックス素子に照射されるように、前記反射鏡と間隔を隔てて一方側に対向配置される請求項5に記載の波長変換放熱部材と
を備える発光装置。
Priority Applications (7)
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WO2021251533A1 (ko) * | 2020-06-12 | 2021-12-16 | 주식회사 대신테크젠 | 혼합 충전제를 이용한 고 방열성 조성물 및 이의 제조방법 |
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DE112011100376T5 (de) * | 2010-01-29 | 2012-11-29 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Verfahren zur herstellung einer licht aussendenden vorrichtung und licht aussendende vorrichtung |
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---|---|---|---|---|
WO2021251533A1 (ko) * | 2020-06-12 | 2021-12-16 | 주식회사 대신테크젠 | 혼합 충전제를 이용한 고 방열성 조성물 및 이의 제조방법 |
JP2023016550A (ja) * | 2021-07-21 | 2023-02-02 | 日亜化学工業株式会社 | 波長変換モジュール |
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