CN106233474A - 波长转换接合构件、波长转换散热构件及发光装置 - Google Patents

波长转换接合构件、波长转换散热构件及发光装置 Download PDF

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Abstract

波长转换接合构件具备荧光体陶瓷元件和设置在荧光体陶瓷元件的一个面的接合层，接合层的热导率超过0.20W/m·K，接合层的反射率为90％以上。

Description

波长转换接合构件、波长转换散热构件及发光装置
技术领域
本发明涉及波长转换接合构件、波长转换散热构件及发光装置，详细而言，涉及波长转换接合构件、具备该波长转换接合构件的波长转换散热构件及具备该波长转换散热构件的发光装置。
背景技术
近年来，在车头灯等车载用灯具等中使用半导体发光装置等发光装置。这种半导体发光装置具备发出激发光的光半导体、将激发光转换成白色光的波长转换构件、以及使白色光沿目标方向反射的反射镜。
作为这种发光装置，例如提出了以下的发光装置(例如参见专利文献1。)。即，提出了一种发光装置，其具备：朝前方发射激发光的激发光源，在激发光源的前方隔开间隔相对配置并将激发光转换成白色光的发光部，配置在激发光源与发光部之间的透光性的导热构件，接触配置在发光部与导热构件之间的透光性的间隙层，以及以包围发光部的后方周围的方式隔开间隔配置并将由波长转换构件扩散放出的白色光朝前方反射的杯形的反射镜。
该发光装置由于在间隙层中包含无机非晶材料，因此能够通过间隙层高效地将在发光部产生的热传导至导热构件，因而散热性优异。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特许5021089号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，上述专利文献1的发光装置如其图1所示，由于在激发光源与发光构件之间存在间隙层，因此间隙层会吸收由激发光源产生的光。结果，会产生由发光部直接向外部放出的光或者由发光部被反射镜扩散·反射而向外部放出的光量(提取效率)降低的不利情况。
本发明的目的在于提供具备优异的散热性和反射率的波长转换接合构件、波长转换散热构件及发光装置。
用于解决问题的方案
本发明的波长转换接合构件的特征在于，其具备荧光体陶瓷元件和设置在前述荧光体陶瓷元件的一个面的接合层，前述接合层的热导率超过0.20W/m·K，前述接合层的反射率为90％以上。
此外，对本发明的波长转换接合构件而言，适宜的是，前述接合层由陶瓷墨形成。
此外，对本发明的波长转换接合构件而言，适宜的是，前述接合层由含有无机氧化物颗粒和金属颗粒中的至少1种无机颗粒以及固化性树脂的固化性树脂组合物形成。
此外，对本发明的波长转换接合构件而言，适宜的是，前述接合层的厚度为80μm以上且1000μm以下。
本发明的波长转换散热构件的特征在于，其具备上述波长转换接合构件和热扩散保持构件，前述热扩散保持构件通过前述接合层与前述荧光体陶瓷元件接合。
本发明的发光装置的特征在于，其具备：光源，其向一个方向侧照射光；反射镜，其与前述光源隔开间隔在一个方向侧相对配置，形成有用于通过前述光的贯穿孔；以及，上述波长转换散热构件，其与前述反射镜隔开间隔在一个方向侧相对配置，使得前述光照射前述荧光体陶瓷元件。
发明的效果
本发明的波长转换接合构件、波长转换散热构件及发光装置具备荧光体陶瓷元件和设置在荧光体陶瓷元件的一个面的接合层，接合层的热导率超过0.20W/m·K。因此，能够通过接合层高效地将在荧光体陶瓷元件产生的热传导，散热性优异。
此外，本发明的波长转换接合构件、波长转换散热构件及发光装置的接合层的反射率为90％以上。因此，能够抑制在荧光体陶瓷元件扩散和放出的光的吸收，以高效率进行反射。结果，能够使光的提取效率良好。
附图说明
图1示出本发明的发光装置的一个实施方式的侧剖视图。
图2A和图2B示出图1所示的发光装置中的波长转换散热构件，图2A是侧剖视图，图2B是后视图。
图3A、图3B、图3C、图3D和图3E是示出制造本发明的波长转换散热构件的一个实施方式的方法的工序图，图3A示出准备坯片的工序，图3B示出煅烧坯片的工序，图3C示出将接合层设置在荧光体陶瓷层上的工序，图3D示出切断波长转换接合片的工序，图3E示出将波长转换接合构件设置于热扩散保持构件的工序。
图4A和图4B示出本发明的波长转换散热构件的其他实施方式(接合层为剖面コ字形)，图4A是侧剖视图，图4B是后视图。
图5A、图5B、图5C、图5D、图5E、图5F、图5G、图5H和图5I是制造本发明的波长转换散热构件的另一实施方式(接合层为剖面“コ”字形)的第1制造方法的工序图，图5A示出准备坯片的工序，图5B示出煅烧坯片的工序，图5C示出将荧光体陶瓷层配置于基材的工序，图5D示出刮取荧光体陶瓷层的一部分的工序，图5E示出得到荧光体陶瓷元件的工序，图5F示出形成固化性层的工序，图5G示出形成接合层的工序，图5H示出切断接合层和基材的工序，图5I示出得到波长转换接合构件的工序。
图6示出图5E的工序的俯视图。
图7F、图7G、图7H、图7I和图7J是制造本发明的波长转换散热构件的另一实施方式(接合层为剖面“コ”字形)的第2制造方法的工序图，图7F示出将元件配置基材与固化性层相对配置的工序，图7G示出将荧光体陶瓷元件埋设于固化性层的工序，图7H示出使固化性层固化的工序，图7I示出切断接合层和基材的工序，图7J示出得到波长转换接合构件的工序。
图8示出本发明的波长转换散热构件的其他实施方式(热扩散保持构件为剖视梳状)的侧剖视图。
具体实施方式
参照图1～图2B对本发明的发光装置的一个实施方式进行说明。
需要说明的是，以图1的纸面上下方向为“上下方向”(第1方向)，纸面上侧为上侧，纸面下侧为下侧。此外，以图1的纸面左右方向为“前后方向”(第2方向、与第1方向正交的方向)，纸面右方为前侧，图1的纸面左方为后侧。此外，以图1的纸张厚度方向为“宽度方向”(第3方向、左右方向、与第1方向和第2方向正交的方向)，以图1的纸张厚度靠近读者的一侧为左侧，图1的纸张厚度远离读者的一侧为右侧。对于图1以外的附图，也以图1的方向为基准。
如图1所示，作为发光装置的半导体发光装置1具备外壳2、透明构件3、光源4、反射镜5和波长转换散热构件6。
外壳2形成为在前后方向延伸、后侧被封闭、前侧开放的大致圆筒状。外壳2在内部容纳后述的透明构件3、光源4、反射镜5和波长转换散热构件6。
透明构件3在后视中呈大致圆形，形成为前后方向厚度薄的平板状。透明构件3的外形形状形成为在沿前后方向投影时与外壳2的前端的内周缘一致。
透明构件3设置在外壳2的前端。具体而言，透明构件3以外壳2的前端缘与透明构件3的前表面(前侧表面)在上下方向上为一个面的方式容纳在外壳2内。
作为光源4，例如可列举出：发光二极管(LED)、半导体激光(LD)等半导体光源。光源4在透明构件3的后侧隔开间隔设置在外壳2内部的上下方向和宽度方向的大致中央部。光源4上连接有自外壳2的外部引出的布线8。光源4通过自布线8获取的电力向前侧照射单色光等光。
反射镜5形成为后视大致圆形、侧剖视大致半圆弧状的圆顶形。反射镜5的外形形状形成为在沿前后方向投影时与透明构件3的外端缘一致。反射镜5在透明构件3的另一侧(后侧)、光源4的一侧(前侧)与光源4隔开间隔配置。此外，反射镜5以其前端缘与透明构件3的后表面接触的方式容纳在外壳2内。
在反射镜5的中心(上下方向和宽度方向的中央)形成有用于通过来自光源4的光的贯穿孔7。反射镜5将向前侧通过贯穿孔7并被波长转换散热构件6(后述)向后侧扩散的扩散光向前侧反射。
波长转换散热构件6设置在外壳2内的前侧。具体而言，与反射镜5隔开间隔在前侧相对配置，与透明构件3的后表面(后侧表面)邻接配置。波长转换散热构件6如图2A和图2B所示，具备热扩散保持构件9和波长转换接合构件10。
热扩散保持构件9形成为在上下方向延伸的后视大致矩形，与透明构件3邻接配置。具体而言，热扩散保持构件9以热扩散保持构件9的前表面与透明构件3的后表面接触的方式配置。
热扩散保持构件9具备载置部11和固定部12。
载置部11形成为前后方向上具有厚度的后视大致矩形。载置部11以载置部11的前表面与透明构件3的后表面的后视大致中央部接触的方式配置。
固定部12以从载置部11的前侧下端延伸至下侧的方式与载置部11形成为一体。固定部12呈在上下方向延伸的后视大致矩形，形成为前后方向的厚度薄于载置部11的平板形状。固定部12的上侧前表面与透明构件3的后表面接触，以在上下方向中间与透明构件3离开的方式向后侧弯曲。固定部12的一端(下端)贯穿反射镜5，固定在外壳2的周面(内端缘)。
热扩散保持构件9由导热性良好的材料形成，例如由铝、铜等导热性金属、AlN等陶瓷材料形成。
波长转换接合构件10设置在载置部11的后表面。
波长转换接合构件10具备接合层14和荧光体陶瓷元件13。
接合层14呈后视大致矩形，形成为平板形状。接合层14设置在载置部11的后表面和荧光体陶瓷元件13的前表面(一侧表面)。即，接合层14配置在载置部11与荧光体陶瓷元件13之间。接合层14在沿前后方向投影时与载置部11重叠，具体而言，在后视中形成为与载置部11相同形状。
接合层14由含有无机物的组合物形成。优选将含有无机物的固化性组合物固化来形成。
作为固化性组合物，例如可列举出：陶瓷墨、含有固化性树脂和无机颗粒的固化性树脂组合物、含有碱金属硅酸盐和无机颗粒的硅酸盐水溶液。
陶瓷墨例如含有无机物的陶瓷、有机聚硅氧烷等粘结剂和溶剂，在低温(例如120～180℃)下固化(固体化)。作为陶瓷墨中的无机物，例如可列举出：二氧化硅、二氧化钛、钛酸钾等白色颜料等。作为溶剂，可列举出：丁二醇醚、二乙二醇二丁醚等醚。另外，从分散性的角度来看，优选白色颜料经过表面处理。
作为陶瓷墨，可以使用市售品，具体可列举出：AIN Co.,Ltd.制造的陶瓷墨(RG型、AN型、UV型、SD型)等。
作为固化性树脂组合物中含有的固化性树脂，例如可列举出：固化性有机硅树脂、环氧树脂、丙烯酸类树脂等。优选列举出固化性有机硅树脂。
作为固化性有机硅树脂，例如可列举出：缩合反应固化型有机硅树脂、加成反应固化型有机硅树脂等。优选列举出加成反应固化型有机硅树脂。
加成反应固化型有机硅树脂例如由含有作为主剂的含烯属不饱和烃基的聚硅氧烷和作为交联剂的有机氢硅氧烷的有机硅树脂组合物构成。加成反应固化型有机硅树脂通常以含有主剂(含烯属不饱和烃基的聚硅氧烷)的A液和含有交联剂(有机氢硅氧烷)的B液的双组分的形式提供。接着，在将主剂(A液)与交联剂(B液)混合制备混合液、由混合液形成接合层14的工序中，含烯属不饱和烃基的聚硅氧烷与有机氢硅氧烷通过加热等进行加成反应，从而加成反应固化型有机硅树脂固化，形成有机硅弹性体(固化体)。
作为加成反应固化型有机硅树脂，可以使用市售品(商品名：KER-2500、信越化学工业株式会社制造、商品名：LR-7665、WACKER ASAHIKASEI SILICONE Co.,Ltd.制造等)。
作为构成无机颗粒的无机物，可列举出：例如二氧化硅、二氧化钛、氧化铝、氧化锆、钛酸复合氧化物(例如钛酸钡、钛酸钾)等无机氧化物，例如银、铝等金属等。从光反射性、散热性的角度来看，优选列举出：二氧化钛、氧化铝、氧化锆、钛酸钡、银，从长期耐热性的角度来看，更优选列举出：二氧化钛、氧化铝、氧化锆、钛酸钡，进一步优选列举出：二氧化钛、氧化铝。
无机颗粒的平均粒径(平均最大长度)例如为0.1～50μm。
作为固化性树脂组合物，优选列举出：含有由选自由二氧化钛、氧化铝、氧化锆、钛酸钡和银组成的组中的至少1种构成的无机颗粒以及固化性有机硅树脂的固化性树脂组合物，更优选列举出：含有由选自由二氧化钛、氧化铝、氧化锆和钛酸钡组成的组中的至少1种构成的无机颗粒以及固化性有机硅树脂的固化性树脂组合物，进一步优选列举出：含有由二氧化钛和氧化铝中的至少1种构成的无机颗粒以及固化性有机硅树脂的固化性树脂组合物。
作为硅酸盐水溶液中含有的碱金属硅酸盐，例如可列举出硅酸钠(水玻璃)等。
固化性组合物中的无机物的含有比率(固体成分量)例如为30质量％以上，优选为40质量％以上，进一步优选为60质量％以上，例如为90质量％以下，优选为80质量％以下。固化性组合物中的粘结剂或固化性树脂的含有比率(固体成分量)例如为10质量％以上，优选为20质量％以上，例如为70质量％以下，优选为60质量％以下，进一步优选为40质量％以下。
作为固化性组合物，可优选列举出陶瓷墨、含有无机氧化物颗粒和金属颗粒中的至少1种无机颗粒以及固化性树脂的固化性树脂组合物，更优选可列举出陶瓷墨、含有无机氧化物颗粒和固化性树脂的固化性树脂组合物，进一步优选列举出陶瓷墨。由此，能够提高接合层14的散热性、反射性。
接合层14具备作为将在荧光体陶瓷元件13产生的热高效传导至热扩散保持构件的散热层的作用、以及作为使入射·扩散至荧光体陶瓷元件13的光高效反射至后侧的反射层的作用。
接合层14的热导率超过0.20W/m·K，优选为1.0W/m·K以上，进一步优选为3.0W/m·K以上，并且，例如为30.0W/m·K以下。
热导率可以用Xe闪光分析仪测定。
接合层14的反射率为90％以上，优选为93％以上，更优选为96％以上，并且，例如为100％以下。
反射率通过使用紫外可见分光光度计(“V670”、日本分光株式会社制造)测定波长450nm的光的反射来求出。
荧光体陶瓷元件13呈后视大致矩形，形成为平板形状。荧光体陶瓷元件13设置在接合层14的后表面。荧光体陶瓷元件13在沿前后方向投影时，与接合层14以及载置部11重叠，具体而言，在后视中，与接合层14以及载置部11形成为相同形状。
此外，荧光体陶瓷元件13以与光源4和贯穿孔7在同一直线上的方式配置。具体而言，光源4、贯穿孔7和荧光体陶瓷元件13以排列在与外壳2的轴线一致的直线上的方式容纳在外壳2内。
荧光体陶瓷元件13由荧光体材料的陶瓷(煅烧体)形成。荧光体陶瓷元件13中含有的荧光体具有波长转换功能，例如可列举出：能够将蓝色光转换成黄色光的黄色荧光体、能够将蓝色光转换成红色光的红色荧光体等。
作为黄色荧光体，可列举出：例如(Ba,Sr,Ca)2SiO4:Eu、(Sr,Ba)2SiO4:Eu(原硅酸钡(BOS))等硅酸盐荧光体、例如Y3Al5O12:Ce(YAG(钇·铝·石榴石):Ce)、Tb3Al3O12:Ce(TAG(铽·铝·石榴石):Ce)等具有石榴石型晶体结构的石榴石型荧光体，例如Ca-α-SiAlON等氮氧化物荧光体等。作为红色荧光体，例如可列举出：CaAlSiN3:Eu、CaSiN2:Eu等氮化物荧光体等。
接着，参照图3A～图3E说明波长转换散热构件6的制造方法。
波长转换散热构件6的制造方法具备准备坯片(green sheet)22的工序、煅烧坯片22的工序、将接合层14设置在荧光体陶瓷层23上的工序、切断波长转换接合片21的工序、将波长转换接合构件10设置于热扩散保持构件9的工序。
首先，如图3A所示，准备坯片22(准备工序)。坯片22例如通过将含有荧光体材料、粘结剂树脂和溶剂的浆料涂布在脱模片28的上表面并干燥来形成。
作为荧光体材料，是构成上述荧光体的原材料，例如从氧化铝、氧化钇、氧化铈、氧化锆、氧化钛、还有进一步使其他元素活化而得到的物质等中适当选择来制备。
粘结剂树脂使用坯片22的制作中使用的公知的粘结剂树脂即可，例如可列举出：丙烯酸类聚合物、缩丁醛类聚合物、乙烯基类聚合物、聚氨酯类聚合物等。优选列举出丙烯酸类聚合物。
对于粘结剂树脂的含有比率，相对于荧光体材料与粘结剂树脂的总体积量，例如为5体积％以上，优选为20体积％以上，并且，为80体积％以下，优选为60体积％以下。
作为溶剂，可列举出：例如水，例如丙酮、甲乙酮、甲醇、乙醇、甲苯、丙酸甲酯、甲基溶纤剂等有机溶剂。
对于溶剂的含有比率，在浆料中，例如为1～30质量％。
在浆料中可以根据需要而含有分散剂、增塑剂、烧结助剂等公知的添加剂。
接着，将上述成分按上述比例配混，用球磨机等进行湿式混合，由此制备浆料。
接着，将浆料利用刮刀、照相凹版涂布机、喷注涂布机、铸涂机、旋转涂布机、辊涂布机等公知的涂布方法涂布在脱模片28的上表面，进行干燥，由此形成坯片22。
作为脱模片28，可列举出：例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜等聚酯薄膜，例如聚碳酸酯薄膜，例如聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜等聚烯烃薄膜，例如聚苯乙烯薄膜，例如丙烯酸薄膜，例如有机硅树脂薄膜、氟树脂薄膜等树脂薄膜等。进而，还可列举出：例如铜箔、不锈钢箔等金属箔。优选列举出树脂薄膜，进一步优选列举出聚酯薄膜。
为了提高脱模性，可根据需要而对脱模片28的表面实施脱模处理。
脱模片28的厚度从例如操作性、成本的角度来看例如为10～200μm。
如此得到的坯片22是荧光体陶瓷层23(荧光体陶瓷片)的烧结前陶瓷，形成为俯视大致矩形的平板形状。
需要说明的是，坯片22为了获得所期望的厚度，也可以通过利用热层压将多个(多层)坯片22层叠来形成。
坯片22的厚度例如为10μm以上，优选为30μm以上，并且，例如为500μm以下，优选为200μm以下。
接着，如图3B所示，煅烧坯片22(煅烧工序)。由此，得到荧光体陶瓷层23(荧光体陶瓷片)。
煅烧温度例如为1300℃以上，优选为1500℃以上，并且，例如为2000℃以下，优选为1800℃以下。
煅烧时间例如为1小时以上，优选为2小时以上，并且，例如为24小时以下，优选为5小时以下。
煅烧可以在常压下实施，另外，可以在减压下或真空下实施。优选在减压下或真空下实施。
在上述煅烧(主煅烧)前，为了将粘结剂树脂、分散剂等有机成分热分解和去除，可以使用电炉在空气中、例如在600～1300℃下预加热，实施脱粘结剂处理。
此外，煅烧的升温速度例如为0.5～20℃/分钟。
如此得到的荧光体陶瓷层23形成为俯视大致矩形的平板形状。
荧光体陶瓷层23的厚度例如为10μm以上，优选为50μm以上，并且，例如为500μm以下，优选为200μm以下。
接着，如图3C所示，将接合层14设置在荧光体陶瓷层23上(接合层形成工序)。
具体而言，用公知的方法将含有无机物的固化性组合物涂布在荧光体陶瓷层23的表面，在荧光体陶瓷层23的表面形成固化性层。接着，通过加热等使该固化性层固化(固体化)，由此形成接合层14。
作为固化性组合物的涂布方法，可列举出：刮刀、照相凹版涂布机、喷注涂布机、铸涂机、旋转涂布机、辊涂布机等公知的涂布方法。
使固化性层固化的加热温度例如为100℃以上，优选为120℃以上，并且，例如为200℃以下，优选为180℃以下。
加热时间例如为0.5小时以上，优选为1小时以上，并且，例如为12小时以下，优选为6小时以下。
此外，也可以根据需要而在加热固化前在例如50～100℃、1～10小时的条件下实施对固化性层进行干燥的干燥工序。
由此，形成接合层(接合片)14。即，得到具备荧光体陶瓷层23和设置在荧光体陶瓷层23上表面的接合层14的波长转换接合片21。
接合层14的厚度T例如为10μm以上，优选为50μm以上，更优选为80μm以上，进一步优选为90μm以上，并且，例如为1000μm以下，优选为500μm以下，更优选为200μm以下，进一步优选为115μm以下。通过设定为该范围，接合层14的热导率和反射率更加优异。
接着，如图3C的单点划线所示，将波长转换接合片21沿上下方向切断。具体而言，对于波长转换接合片21，以达到所期望的宽度方向长度和所期望的前后方向长度(图3C中纸张厚度方向的长度)的方式沿上下方向(厚度方向)进行切断加工(切断工序)。
切断加工通过分割装置、划片装置、激光切断装置等公知的切断装置来实施。
由此，荧光体陶瓷层23被切断成所期望的大小，得到荧光体陶瓷元件13。即，如图3D所示，得到具备荧光体陶瓷元件13和设置在荧光体陶瓷元件13的上表面的接合层14的波长转换接合构件10。
荧光体陶瓷元件13的宽度方向长度例如为0.2mm以上，优选为1mm以上，并且，例如为10mm以下，优选为3mm以下。荧光体陶瓷元件13的前后方向长度例如为0.05mm以上，优选为0.1mm以上，并且，例如为5mm以下，优选为3mm以下。接合层14的宽度方向长度和前后方向长度也与荧光体陶瓷元件13的宽度方向长度和前后方向长度同样。
接着，如图3E所示，在波长转换接合构件10上设置热扩散保持构件9。具体而言，通过导热性粘接剂层(未图示)将波长转换接合构件10的接合层14与热扩散保持构件9的载置部11粘接。
形成导热性粘接剂层的导热性粘接剂具有导热性即可，其热导率例如为1～20W/m·K。
导热性粘接剂层的厚度例如为5～100μm。
由此，得到波长转换散热构件6。
接着，使图3E所示的波长转换散热构件6的上侧旋转形成图1的后侧，将波长转换散热构件6固定于外壳2和透明构件3，由此得到图1的半导体发光装置1。
于是，在具备本发明的波长转换散热构件6的半导体发光装置1中，由光源4照射的光h0通过贯穿孔7，在于荧光体陶瓷元件13波长转换成白色光的同时向所有方向扩散。此时，由于与荧光体陶瓷元件13邻接配置的接合层14的反射率为90％以上，因此能够使扩散的白色光高效反射至反射镜5侧(后侧)(参照图1的光h1～h4)。即，能够降低波长转换散热构件6的光量的损失并以高效率反射至反射镜5侧。因此，在反射镜5向前侧(甚至是外部)放出的光的提取效率变良好。
此外，由于接合层14的热导率超过0.20W/m·K，因此能够通过接合层14将在荧光体陶瓷元件13产生的热高效传导至热扩散保持构件9。因此，散热性优异。此外，由于对光的波长进行转换的荧光体陶瓷元件13由荧光体的陶瓷形成，因此耐热性和散热性优异。
该半导体发光装置1例如可以适宜地用于车载灯具、高天花板悬挂灯具、道路灯具、演出灯具等远处照射用途。
(变形例)
在以下各图中，对与上述各部对应的构件标以相同的附图标记，省略其详细说明。
图2A所示的实施方式的波长转换散热构件6中，接合层14呈后视大致矩形，形成为平板形状，而例如可以如图4A和图4B所示，呈后视大致矩形，在剖视中形成为开放后侧的コ字形。
图4A和图4B所示的(剖面“コ”字形)接合层14a具备形成为后视大致矩形的平板状的底部15和从底部15的周端向后侧突出的框部16。
底部15的厚度T与图3D所示的接合层14的厚度T同样。
框部16的宽度W例如为10μm以上，优选为50μm以上，并且，例如为500μm以下，优选为200μm以下。
荧光体陶瓷元件13形成为与框部16的内缘相同，容纳在接合层14a的内部。即，荧光体陶瓷元件13的后表面以与框部16的后端缘成一个面的方式配置，荧光体陶瓷元件13的前表面以与底部15的后表面一致的方式配置。由此，荧光体陶瓷元件13的前表面被底部15被覆，荧光体陶瓷元件13的周侧面被框部16被覆，荧光体陶瓷元件13的后表面从接合层14a露出。
在图4A和图4B的实施方式中，能够抑制照射至荧光体陶瓷元件13、被荧光体陶瓷元件13反射·扩散的白色光的分散。即，由于具备框部16，因此可抑制在荧光体陶瓷元件13被反射·扩散的白色光向上侧和下侧扩散。具体而言，图1所示的光h1不从图4A的波长转换散热构件6射出，光h2～h4等所示的范围的光射出。因此，能够限定向前侧反射的光的分散，前侧方向的特定范围内的光的提取效率提高。
而在图2A和图2B的实施方式中，能够输出光h1～h4等具有上下方向(和宽度方向)的分散的光。
参照图5A～图5I说明图4A和图4B的实施方式的制造方法。
图4A和图4B的波长转换散热构件6的制造方法具备：准备坯片22的工序、煅烧坯片22的工序、将荧光体陶瓷层23配置于基材24的工序、刮取荧光体陶瓷层23的一部分的工序、得到荧光体陶瓷元件13的工序、形成固化性层26的工序、使固化性层26固化的工序、切断接合层14和基材24的工序、得到波长转换接合构件10的工序、将波长转换接合构件10设置于热扩散保持构件9的工序。
首先，与图3A同样，如图5A所示，准备坯片22(准备工序)。接着，与图3B同样，如图5B所示，煅烧坯片22(煅烧工序)。
接着，如图5C所示，将荧光体陶瓷层23配置于基材24(配置工序)。具体而言，将荧光体陶瓷层23配置在基材24的上表面的大致中央部。
作为基材24，从刮板(后述)的刮取性和基材24对波长转换接合构件10的剥离性的角度来看，优选列举出易剥离性片。易剥离性片例如由可以通过加热等而容易地剥离的热剥离片形成。
热剥离片具备支撑层和层叠在支撑层的上表面的粘合层。
支撑层例如由聚酯等耐热性树脂形成。
粘合层例如由在常温(25℃)下具有粘合性、在加热时粘合性减小(或者失去粘合性)的热膨胀性粘合剂等形成。
热剥离片可以使用市售品，具体而言，可以使用REVALPHA系列(注册商标、日东电工株式会社制造)等。
热剥离片在通过支撑层隔着粘合层确实地支撑荧光体陶瓷层23(甚至是波长转换接合构件10)的同时，通过基于加热的粘合层的粘合性的降低自波长转换接合构件10剥离。
此外，基材24可以由例如聚烯烃(具体为聚乙烯、聚丙烯)、乙烯·乙酸乙烯酯共聚物(EVA)等乙烯基聚合物、例如聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯等聚酯、例如聚四氟乙烯等氟树脂等树脂材料等形成。此外，基材也可以由例如铁、铝、不锈钢等金属材料等形成。
基材24的厚度例如为10～1000μm。
由此，得到具备基材24和设置在基材24的上表面的荧光体陶瓷层23的陶瓷层叠体29。
接着，如图5D所示，将荧光体陶瓷层23的一部分去除(去除工序)。具体而言，使用分割刮板30等刮板刮取荧光体陶瓷层23的一部分。
分割刮板30是公知或市售的分割装置中使用的圆盘状的旋转刀片。分割刮板30的尖端(下端)形成为在沿着切断方向的方向(图5D中为纸张厚度方向的前后方向)投影时在上下方向(荧光体陶瓷层23的厚度方向)上延伸的大致矩形(板状)。即，以切断面为大致矩形的方式形成。
分割刮板30的尖端的宽度方向长度X例如为0.05mm以上，优选为0.1mm以上，例如为2.0mm以下，优选为1.0mm以下。
该工序中，首先，如图5D所示，沿前后方向刮取荧光体陶瓷层23的一部分。
具体而言，将陶瓷层叠体29以切断方向为前后方向的方式配置在分割装置内。接着，在分割刮板30移动时，以分割刮板30的尖端(下端)与荧光体陶瓷层23接触且不贯穿基材24的方式调节分割刮板30或陶瓷层叠体29的配置。即，以分割刮板30的尖端到达基材24的上表面且不到达基材24的下表面的方式调节分割刮板30或陶瓷层叠体29的上下方向位置。接着，一边使分割刮板30高速旋转，一边使其沿沿着切断方向的前后方向移动。
由此，沿前后方向自基材24刮取与分割刮板30(尖端周边)相接触的部分的荧光体陶瓷层23。即，荧光体陶瓷层23刮取为大致矩形。在被刮取的部分处，基材24的上表面露出。
如图5D的虚拟线所示，隔开所期望的间隔(即，所期望的荧光体陶瓷元件13的宽度方向长度)反复实施该前后方向的刮取。
接着，与上述同样，一边使分割刮板30高速旋转，一边使其以切断方向沿宽度方向的方式移动，由此沿宽度方向刮取荧光体陶瓷层23的一部分。隔开所期望的间隔反复实施该宽度方向的刮取。
即，如图6所示，将荧光体陶瓷层23刮取为网格状。
如此，如图5E和图6所示，得到具备基材24和在基材24的上表面以网格状整齐排列的多个荧光体陶瓷元件13的元件配置基材31。
需要说明的是，在上述工序中，通过固定荧光体陶瓷层23、移动分割刮板30来刮取荧光体陶瓷层23的一部分，但例如也可以通过固定进行高速旋转的分割刮板30的位置、利用X-Y滑台等使陶瓷层叠体29相对于分割刮板30沿前后方向或宽度方向移动来刮取荧光体陶瓷层23的一部分。
荧光体陶瓷元件13分别形成为剖视大致矩形和俯视大致矩形。
荧光体陶瓷元件13的宽度方向长度Y和前后方向长度与图2A和图2B的实施方式同样。
多个荧光体陶瓷元件13的宽度方向间隔和前后方向间隔与分割刮板30的尖端的宽度方向长度X相同。
接着，如图5F和图5G所示，以被覆荧光体陶瓷元件13的表面的方式在基材24上形成接合层14(形成工序)。
形成工序中，首先，如图5F所示，用公知的方法将含有无机物的固化性组合物以被覆荧光体陶瓷元件13的上表面和侧面的方式涂布在基材24上，形成固化性层26(固化性层形成工序)。
作为固化性组合物的涂布方法，可列举出：印刷、喷涂机等公知的涂布方法。
如此，得到具备基材24、在基材24上整齐排列的多个荧光体陶瓷元件13和以被覆多个荧光体陶瓷元件13的上表面和侧面的方式形成在基材24上的固化性层26的固化性层-元件层叠体32。
接着，如图5G所示，形成接合层14(接合层形成工序)。具体而言，与图3C同样，通过加热使固化性层26固化(固体化)，由此形成接合层14。
由此，得到具备基材24、在基材24上整齐排列的多个荧光体陶瓷元件13和以被覆多个荧光体陶瓷元件13的上表面和侧面的方式形成在基材24上的接合层14的接合层-元件层叠体33。
接着，如图5H所示，以包括1个荧光体陶瓷元件13的方式将接合层14和基材24沿上下方向切断(切断工序)。即，切分成多个荧光体陶瓷元件13，对荧光体陶瓷元件13进行单片化(单个化)。
具体而言，在相互邻接的荧光体陶瓷元件13之间，沿上下方向(接合层-元件层叠体33的厚度方向)，使用窄刮板39通过分割对接合层14和基材24进行切断加工。
窄刮板39是宽度比分割刮板30窄的刮板，是分割装置中使用的圆盘状的旋转刀片。窄刮板39形成为在向沿着切断方向的方向(图5H中为纸张厚度方向的前后方向)投影时在上下方向延伸的大致矩形(板状)。
窄刮板39的宽度方向长度Z比分割刮板30的宽度方向长度X窄，例如为X的80％以下，优选为60％以下，并且，例如为10％以上，优选为30％以上。具体而言，例如为0.01mm以上，优选为0.05mm以上，并且，例如为1.5mm以下，优选为0.8mm以下。
在该切断工序中，将接合层-元件层叠体33配置在分割装置内。接着，调节窄刮板39或接合层-元件层叠体33的配置，以便将接合层14和基材24沿上下方向切断。即，以窄刮板39的尖端贯穿接合层14并到达基材24的下表面的方式调节窄刮板39或接合层-元件层叠体33的上下方向位置。接着，与上述去除工序同样，一边使窄刮板39高速旋转，一边使其沿前后方向和宽度方向(即以网格状)在相互邻接的荧光体陶瓷元件13之间移动，对接合层14和基材24进行切断加工。
由此，如图5I所示，得到波长转换接合构件10。具体而言，得到具备基材24和设置在该基材24上的具有1个荧光体陶瓷元件13和(剖面“コ”字形)接合层14a的波长转换接合构件10的基材层叠波长转换接合构件34。
接着，如图5I的虚拟线所示，剥离基材24后，与图3E的工序同样，将波长转换接合构件10设置于热扩散保持构件9。
由此，得到图4A和4B所示的波长转换散热构件6。
此外，图4A和4B所示的波长转换散热构件6也可以通过图7F～图7J所示的方法制造。
首先，与图5A～图5E同样，得到具备基材24和在基材24的上表面以网格状整齐排列的多个荧光体陶瓷元件13的元件配置基材31。
接着，如图7F所示，将元件配置基材31与固化性层26相对配置(相对配置工序)。具体而言，首先，准备固化性层26设置在脱模片28a上的固化性层片38。固化性层片38通过在脱模片28a的上表面用公知的方法将含有无机物的固化性组合物涂布在脱模片28a上来制造。
脱模片28a与脱模片28同样。
固化性层26的厚度例如为80μm以上，优选为90μm以上，并且，例如为1000μm以下，优选为500μm以下。
接着，以荧光体陶瓷元件13与固化性层26相对的方式，将元件配置基材31与固化性层片38隔开间隔沿上下方向相对配置。
接着，如图7G所示，将荧光体陶瓷元件13埋设于固化性层26(埋没工序)。具体而言，使元件配置基材31向下侧移动，按压至固化性层片38。
由此，荧光体陶瓷元件13的表面(下表面和侧面)被固化性层26被覆。并且，自荧光体陶瓷元件13露出的基材24的表面被固化性层26被覆。
压力例如为0.03MPa以上，优选为0.1MPa以上，并且，例如为2MPa以下，优选为0.5MPa以下。
如此，得到具备基材24、在基材24下整齐排列的多个荧光体陶瓷元件13、以被覆多个荧光体陶瓷元件13的下表面和侧面的方式形成在基材24下的固化性层26和配置在固化性层26下的脱模片28a的固化性层-元件层叠体32。
需要说明的是，将元件配置基材31与固化性层片38相对配置的工序和将荧光体陶瓷元件13埋设于固化性层26的工序可以作为连续进行的一个工序来实施。
接着，如图7H所示，使固化性层26固化(固化工序)。具体而言，与图3C同样，通过加热固化性层-元件层叠体32，使固化性层26固化(固体化)，形成接合层14。
由此，得到具备基材24、在基材24下整齐排列的多个荧光体陶瓷元件13、以被覆多个荧光体陶瓷元件13的下表面和侧面的方式形成在基材24下的接合层14和配置在接合层14下的脱模片28a的接合层-元件层叠体33。
接着，如图7I所示，以包括1个荧光体陶瓷元件13的方式将接合层14和基材24沿上下方向切断(切断工序)。即，切分多个荧光体陶瓷元件13，对荧光体陶瓷元件13进行单片化(单个化)。
具体而言，与图5H同样，在相互邻接的荧光体陶瓷元件13之间，沿上下方向，使用窄刮板39通过分割对基材24、接合层14和脱模片28a进行切断加工。
由此，如图7J所示，得到波长转换接合构件10。具体而言，得到具备基材24、脱模片28a和被它们夹持的具有荧光体陶瓷元件13和(剖面“コ”字形)接合层14a的波长转换接合构件10的两面层叠波长转换接合构件34a。
接着，如图7J的虚拟线所示，剥离基材24和脱模片28a后，与图3E的工序同样，将波长转换接合构件10设置于热扩散保持构件9。
由此，得到图4A和4B所示的波长转换散热构件6。
需要说明的是，图2A的实施方式中，热扩散保持构件9具备载置部11和固定部12，但例如也可以如图8所示，形成为剖视梳状，具备载置部11a和多个凸部17。
载置部11a形成前后方向上具有厚度的后视大致矩形，形成得比波长转换接合构件10还大。具体而言，载置部11a以在沿前后方向投影时包含波长转换接合构件10的方式形成。
为了提高散热性，多个凸部17与载置部11a进行一体成型，以自载置部11a的前表面向前方突出的方式设置。
图8的实施方式也发挥与图2A的实施方式同样的作用效果。
实施例
以下列举出实施例和比较例进一步对本发明进行详细说明，但本发明不限定于此。此外，在以下记载中使用的配混比率(含有比率)、物性值、参数等具体数值可以替换上述“具体实施方式”中记载的与它们对应的配混比率(含有比率)、物性值、参数等相应记载的上限值(以“以下”、“小于”的方式定义的数值)或下限值(以“以上”、“超过”的方式定义的数值)。
(荧光体陶瓷层的制作)
制得由氧化钇颗粒(纯度99.9％、Nippon Yttrium Co.,Ltd.制造)11.34g、氧化铝颗粒(纯度99.9％、住友化学株式会社制造)8.577g和氧化铈颗粒0.087g形成的荧光体材料的粉末。
将所制得的荧光体材料的粉末20g和水溶性粘结剂树脂(“WB4101”、PolymerInovations,Inc制造)以固体成分的体积比例为60:40的方式混合，进一步加入蒸馏水并装入氧化铝制容器，加入直径3mm的氧化锆珠通过球磨机进行24小时湿式混合，由此制得荧光体的原料颗粒的浆料。
接着，通过刮刀法将所制备的浆料流延成型在作为脱模片的PET薄膜28上并干燥，由此形成厚度75μm的坯片22(参照图3A)。然后，将坯片22自PET薄膜28剥离，从坯片22切出20mm×20mm的尺寸。制作2片切出的坯片22，使用热压机对这2片坯片22进行热层压，由此制得坯片层叠体22。
接着，将所制得的坯片层叠体22在电马弗炉中、大气中以1℃/分钟的升温速度加热至1200℃，实施分解去除粘结剂树脂等有机成分的脱粘结剂处理。然后，将坯片层叠体22移至高温真空炉，在约10-3Torr(约0.13Pa)的减压下以5℃/分钟的升温速度加热至1750℃，在该温度下煅烧3小时，由此制得厚度120μm的由Y3Al5O12:Ce形成的荧光体陶瓷层23(荧光体陶瓷片)(参照图3B)。
(接合层制作用的固化性组合物的准备)
准备例1
作为接合层制作用的固化性组合物，准备陶瓷墨(商品名“RG12-22”、白色、富含无机物、AIN Co.,Ltd.制造)。
准备例2
将双组分加成反应固化型有机硅树脂(商品名“KER2500-A/B”、信越化学工业株式会社制造)A:B液按100:100的混合比(质量比)搅拌，接着，在该混合液5.0g中搅拌混合银颗粒(商品名“AG-404”、The Nilaco Corporation制造)2.0g和银颗粒(商品名“SPN08S”、三井金属矿业株式会社制造)3.0g，由此制得接合层制作用的固化性组合物。
准备例3
将双组分加成反应固化型有机硅树脂(商品名“KER2500-A/B”、信越化学工业株式会社制造)A:B液按100:100的混合比(质量比)搅拌，接着，在混合液6.0g中搅拌混合钛酸钡颗粒(“BT-03”、堺化学工业株式会社制造)4.0g，由此制得接合层制作用的固化性组合物。
准备例4
在硅酸钠(水玻璃)1号(昭和化学株式会社制造)6.0g中搅拌混合钛酸钡颗粒(商品名“BT-03”、堺化学工业株式会社制造)4.0g，由此制得接合层制作用的固化性组合物。
准备例5
将双组分加成反应固化型有机硅树脂(商品名“KER2500-A/B”、信越化学工业株式会社制造)A:B液按100:100的混合比(质量比)搅拌，接着，在混合液5.0g中搅拌混合金红石型二氧化钛颗粒(平均粒径0.2μm)5.5g，由此制得接合层制作用的固化性组合物。
准备例6
准备含有氧化铝颗粒60～100质量份和固化性有机硅树脂(有机硅树脂10～30质量份、聚乙烯基硅氧烷1～5质量份、乙烯基聚二甲基硅氧烷1～5质量份、甲基氢聚硅氧烷1～5质量份)的固化性组合物(商品名“IVS7620”、Momentive Performance Materials Inc.制造)作为接合层制作用的固化性组合物。
准备例7
准备银糊剂(商品名“P-1032”、Muromachi Technos Co.,Ltd.制造)作为接合层制作用的固化性组合物。
准备例8
将甲基丙烯酸树脂粒料5.0g溶于甲乙酮15g，搅拌混合钛酸钡颗粒(商品名“BT-03”、堺化学工业株式会社制造)5.0g，由此制得接合层制作用的固化性组合物。
(波长转换接合构件的制作)
实施例1
使用刮刀将准备例1中准备的固化性组合物(陶瓷墨)涂布在荧光体陶瓷层23的一侧表面，通过在90℃下加热5小时将陶瓷墨干燥，接着，通过在150℃下加热2小时进行固化。由此，得到具备荧光体陶瓷层23(厚度120μm)和接合层14(厚度100μm)的波长转换接合片21(参照图3C)。
接着，通过分割装置以3.0mm×3.0mm的尺寸进行切断加工，制得具备荧光体陶瓷元件13和接合层14的波长转换接合构件10(参照图3D)。
实施例2
将接合层的厚度100μm变更为120μm，除此之外与实施例1同样进行，制得波长转换接合构件。
实施例3
将准备例1的固化性组合物变更为准备例2的固化性组合物，在70℃下加热干燥1小时、在150℃下加热固化2小时，除此之外与实施例1同样进行，制得波长转换接合构件。
实施例4
将准备例1的固化性组合物变更为准备例3的固化性组合物，在70℃下加热干燥1小时、在150℃下加热固化2小时，除此之外与实施例1同样进行，制得波长转换接合构件。
实施例5
将准备例1的固化性组合物变更为准备例4的固化性组合物，在70℃下加热干燥8小时、在150℃下加热固化2小时，除此之外与实施例1同样进行，制得波长转换接合构件。
实施例6
将准备例1的固化性组合物变更为准备例5的固化性组合物，在70℃下加热干燥1小时、在150℃下加热固化2小时，除此之外与实施例1同样进行，制得波长转换接合构件。
实施例7
将准备例1的固化性组合物变更为准备例6的固化性组合物，在100℃下加热干燥1小时、在150℃下加热固化2小时，除此之外与实施例1同样进行，制得波长转换接合构件。
比较例1
将接合层的厚度100μm变更为75μm，除此之外与实施例1同样进行，制得波长转换接合构件。
比较例2
将接合层的厚度100μm变更为75μm，除此之外与实施例4同样进行，制得波长转换接合构件。
比较例3
将准备例1的固化性组合物变更为准备例7的固化性组合物，在70℃下加热干燥1小时、在150℃下加热固化1小时，除此之外与实施例1同样进行，制得波长转换接合构件。
比较例4
将准备例1的固化性组合物变更为准备例8的固化性组合物，在60℃下加热干燥2小时，除此之外与实施例1同样进行，制得波长转换接合构件。
实施例8
将荧光体陶瓷层23粘贴在于分割装置(商品名“分割锯”、DISCO公司制造)的分割框上设置的热剥离片24(基材、商品名“REVALPHA31950”、日东电工株式会社制造)的粘合层面(上表面)，得到陶瓷层叠体29(参照图5C)。
接着，调节尖端为剖视大致矩形的分割刮板30(尖端的宽度X：0.4mm)的上下方向位置，使得分割刮板30的尖端与热剥离片24的上表面一致。
接着，一边使分割刮板30高速旋转，一边以宽度方向的间隔(Y)和前后方向的间隔的分别为3.0mm的方式使分割刮板30相对于陶瓷层叠体29相对移动，由此以网格状刮取荧光体陶瓷层23的一部分(参照图5D)。
由此，得到多个荧光体陶瓷元件13(3.0mm×3.0mm)在热剥离片24上沿前后方向和宽度方向隔开0.4mm的间隔以网格状整齐排列的元件配置基材31(参照图5E和图6)。
接着，用刮刀以被覆荧光体陶瓷元件13的上表面和侧面的方式涂布作为固化性层26的材料的准备例1的固化性组合物，形成固化性层26。由此，得到固化性层-元件层叠体32(参照图5F)。
接着，将固化性层-元件层叠体32在90℃下干燥5小时后，通过在150℃下加热固化2小时，形成接合层14(厚度100μm)。由此，得到接合层-元件层叠体33(参照图5G)。
接着，在分割装置内配置接合层-元件层叠体33。然后，使用尖端为剖视大致矩形的窄刮板39(尖端的宽度Z：0.2mm)，将荧光体陶瓷元件13间的宽度方向中央和前后方向中央以贯穿接合层14和热剥离片24的上下方向的方式切断(参照图5H)。即，以形成3.2mm×3.2mm的尺寸的方式切断接合层-元件层叠体33。由此，将荧光体陶瓷元件13单片化，得到基材层叠波长转换接合构件34。
接着，在200℃下将热剥离片24自所得基材层叠波长转换接合构件34剥离。由此，制得具备1个荧光体陶瓷元件13(3.0mm×3.0mm、厚度120μm)和接合层14(3.2mm×3.2mm、侧面宽度W：0.1mm、厚度T：100μm)的波长转换接合构件10(参照图5I)。
(接合层的反射率：初始反射率)
用紫外可见分光光度计(“V670”、日本分光株式会社制造)在波长450nm的条件下测定各实施例和各比较例的波长转换接合构件10的接合层14的反射率。该结果示于表1。
(接合层的热导率)
通过下述方法，用Xe闪光分析仪(NETZSCH公司制造、LFA447)测定各实施例和各比较例的波长转换接合构件10的接合层14的热导率。
该结果示于表1。
(波长转换散热构件的制造)
在各实施例和各比较例的波长转换接合构件10的接合层14的表面涂布导热脂(商品名“MX-4”、热导率8.5W/m·K、Arctic Cooling公司制造)，接着，通过导热脂层将足够尺寸的作为热扩散保持构件9的散热片与接合层14粘接。由此，制得各实施例和各比较例的波长转换散热构件6(参照图3E)。
(评价)
1.点亮LD装置时荧光体的表面温度
(1)光输出功率为1.6W的情况
准备电源(NEOARK Corporation制造)和连接有散热器的LD装置(商品名“NDB7875”、最大1.6W光输出功率、日亚化学株式会社制造)。对LD装置加载1200mA电流，对各实施例和各比较例的波长转换散热构件照射激光，由此使波长转换散热构件发光。用温度记录法测定波长转换散热构件发光1分钟后荧光体的表面的最大温度。
将小于55℃的情况评价为◎，将55℃以上且小于100℃的情况评价为○，将100℃以上的情况评价为×。
该结果示于表1。
(2)光输出功率为4.8W的情况
对多个上述LD装置加载电流，调节至达到最大4.8W的光输出功率，对各实施例和各比较例的波长转换散热构件照射激光，由此使波长转换散热构件发光。用温度记录法测定波长转换散热构件发光1分钟后荧光体的表面温度。
将小于55℃的情况评价为◎，将55℃以上且小于150℃的情况评价为○，将150℃以上的情况评价为×。
该结果示于表1。
2.点亮LD装置时自荧光体的光反射效率
将上述1.中制作的各实施例和各比较例的波长转换散热构件配置在于侧面形成有细孔的积分球的中心位置。接着，自积分球的外部通过细孔对波长转换散热构件照射上述1.(1)(光输出功率为1.6W的情况)的条件下的激光，测定使其发光1分钟后的反射通量(reflected flux)。
另一方面，代替波长转换散热构件，配置在激光波长440～450nm的波长区域为99％以上的反射镜，同样测定反射通量。
以百分比算出波长转换放射构件的反射通量Y相对于反射镜的反射通量X的值。即，以“(Y/X)×100”的计算式算出。
将85％以上的情况评价为◎，将75％以上且小于85％的情况评价为○，将小于75％的情况评价为×。
该结果示于表1。
3.经时可靠性
将各实施例和各比较例的波长转换接合构件在200℃的干燥炉内设置1000小时后，测定接合层的反射率。测定在干燥炉内设置后的反射率相对于初始反射率的变化。
将90％以上的情况评价为○，将50％以上且小于90％的情况评价为△，将小于50％的情况评价为×。
[表1]
需要说明的是，虽然作为本发明的例示实施方式给出了上述技术方案，但这仅仅是例示，不能做限定性解释。本领域技术人员所清楚的本发明的变形例是包括在本发明的保护范围内的。
产业上的可利用性
本发明的波长转换接合构件、波长转换散热构件及发光装置可以应用于各种工业产品，例如可以适宜地用于具备半导体发光装置的车载灯具、高天花板悬挂灯具、道路灯具、演出灯具等。
附图标记说明
1 半导体发光装置
4 光源
5 反射镜
6 波长转换接合构件
7 贯穿孔
9 热扩散保持构件
10 波长转换散热构件
13 荧光体陶瓷元件
14 接合层

Claims (6)

1.一种波长转换接合构件，其特征在于，
其具备荧光体陶瓷元件和设置在所述荧光体陶瓷元件的一个面的接合层，
所述接合层的热导率超过0.20W/m·K，
所述接合层的反射率为90％以上。
2.根据权利要求1所述的波长转换接合构件，其特征在于，所述接合层由陶瓷墨形成。
3.根据权利要求1所述的波长转换接合构件，其特征在于，所述接合层由含有无机氧化物颗粒和金属颗粒中的至少1种无机颗粒以及固化性树脂的固化性树脂组合物形成。
4.根据权利要求1所述的波长转换接合构件，其特征在于，所述接合层的厚度为80μm以上且1000μm以下。
5.一种波长转换散热构件，其特征在于，
其具备权利要求1所述的波长转换接合构件和热扩散保持构件，
所述热扩散保持构件通过所述接合层与所述荧光体陶瓷元件接合。
6.一种发光装置，其具备：
光源，其向一个方向侧照射光；
反射镜，其与所述光源隔开间隔在一个方向侧相对配置，形成有用于通过所述光的贯穿孔；以及，
权利要求5所述的波长转换散热构件，其与所述反射镜隔开间隔在一个方向侧相对配置，使得所述光照射所述荧光体陶瓷元件。
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