JPH05315654A - 発光ダイオードランプ - Google Patents
発光ダイオードランプInfo
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- JPH05315654A JPH05315654A JP14200392A JP14200392A JPH05315654A JP H05315654 A JPH05315654 A JP H05315654A JP 14200392 A JP14200392 A JP 14200392A JP 14200392 A JP14200392 A JP 14200392A JP H05315654 A JPH05315654 A JP H05315654A
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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Abstract
(57)【要約】
【目的】電極を折り曲げ加工したり、光透過性樹脂から
電極となる金属リードフレームを引き出したりすること
なく簡単な構造にしてマトリックス回路基板に高密度の
実装を可能とし、しかも放熱特性に優れた高輝度のＬＥ
Ｄランプの提供。 【構成】発光ダイオードベアチップ（２）が搭載されて
なる発光ダイオードベアチップ搭載用端子（３）と上記
発光ダイオードベアチップ（２）に接続されたワイヤー
ボンディング用端子（４）とを光透過性樹脂（６）で封
止されてなる構造の発光ダイオードランプにおいて、上
記発光ダイオードベアチップ搭載用端子（３）の裏面を
光透過性樹脂（６）で覆うことなくその一部又は全部を
露出させ、その露出部を電極として機能させてなること
を特徴とする発光ダイオードランプ。
電極となる金属リードフレームを引き出したりすること
なく簡単な構造にしてマトリックス回路基板に高密度の
実装を可能とし、しかも放熱特性に優れた高輝度のＬＥ
Ｄランプの提供。 【構成】発光ダイオードベアチップ（２）が搭載されて
なる発光ダイオードベアチップ搭載用端子（３）と上記
発光ダイオードベアチップ（２）に接続されたワイヤー
ボンディング用端子（４）とを光透過性樹脂（６）で封
止されてなる構造の発光ダイオードランプにおいて、上
記発光ダイオードベアチップ搭載用端子（３）の裏面を
光透過性樹脂（６）で覆うことなくその一部又は全部を
露出させ、その露出部を電極として機能させてなること
を特徴とする発光ダイオードランプ。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、発光ダイオード（以下
ＬＥＤという）ランプをドットマトリックス状に配置
し、表示画面に文字、記号、図形等の表示を行うのに使
用されるＬＥＤランプに関する。本発明のＬＥＤランプ
は、表面実装用ＬＥＤランプとして特に好適なものであ
る。
ＬＥＤという）ランプをドットマトリックス状に配置
し、表示画面に文字、記号、図形等の表示を行うのに使
用されるＬＥＤランプに関する。本発明のＬＥＤランプ
は、表面実装用ＬＥＤランプとして特に好適なものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の表示を行うＬＥＤランプ
としては、図４に示すように、ピン挿入型ＬＥＤランプ
１３がある。それは、ＬＥＤベアチップ２を金属リード
フレーム５のＬＥＤベアチップ搭載用端子３に金属ペー
ストを用いて搭載し、ＬＥＤベアチップ２と金属リード
フレーム６のワイヤーボンディング用端子４とを金属線
７により接続した後、光透過性樹脂８により上記両方の
端子の全体を封止すると共に所望形状のランプに成形
し、金属リードフレーム５と６を該樹脂から引き出して
それを電極とした構造のものである。そして、ＬＥＤベ
アチップ搭載用端子３の形状は、ＬＥＤベアチップ２を
搭載する面にそこから発光した光をＬＥＤランプ上面に
反射するように凹みが形成されているのが一般的であ
る。
としては、図４に示すように、ピン挿入型ＬＥＤランプ
１３がある。それは、ＬＥＤベアチップ２を金属リード
フレーム５のＬＥＤベアチップ搭載用端子３に金属ペー
ストを用いて搭載し、ＬＥＤベアチップ２と金属リード
フレーム６のワイヤーボンディング用端子４とを金属線
７により接続した後、光透過性樹脂８により上記両方の
端子の全体を封止すると共に所望形状のランプに成形
し、金属リードフレーム５と６を該樹脂から引き出して
それを電極とした構造のものである。そして、ＬＥＤベ
アチップ搭載用端子３の形状は、ＬＥＤベアチップ２を
搭載する面にそこから発光した光をＬＥＤランプ上面に
反射するように凹みが形成されているのが一般的であ
る。
【０００３】しかしながら、この種のピン挿入型ＬＥＤ
ランプ１３は、ＬＥＤベアチップ２から発生した熱は、
金属リードフレーム５と６特に金属リードフレーム５を
通ってマトリックス回路基板に伝達されるか、又は光透
過性樹脂８に放熱されるかであるが、金属リードフレー
ム５と６は細く長いので熱伝導性はあまりよくなく、一
方、光透過性樹脂８も熱伝導性は低いので、ＬＥＤベア
チップ２から発生した熱はＬＥＤランプ１３に蓄熱さ
れ、この熱によりＬＥＤランプ１３に流れる電流が制限
されて輝度を充分に高めることができなかった。
ランプ１３は、ＬＥＤベアチップ２から発生した熱は、
金属リードフレーム５と６特に金属リードフレーム５を
通ってマトリックス回路基板に伝達されるか、又は光透
過性樹脂８に放熱されるかであるが、金属リードフレー
ム５と６は細く長いので熱伝導性はあまりよくなく、一
方、光透過性樹脂８も熱伝導性は低いので、ＬＥＤベア
チップ２から発生した熱はＬＥＤランプ１３に蓄熱さ
れ、この熱によりＬＥＤランプ１３に流れる電流が制限
されて輝度を充分に高めることができなかった。
【０００４】一方、近年、電子部品をプリント基板に搭
載する方法として、自動化等の搭載のしやすさと部品実
装の高密度化等の実現から、ピン付部品によるプリント
基板スルーホールへの搭載から表面実装方式に移行しつ
つあり、その一例として、図５と図６に示した構造のも
のがある。
載する方法として、自動化等の搭載のしやすさと部品実
装の高密度化等の実現から、ピン付部品によるプリント
基板スルーホールへの搭載から表面実装方式に移行しつ
つあり、その一例として、図５と図６に示した構造のも
のがある。
【０００５】しかしながら、図５に示した金属フレーム
式表面実装用ＬＥＤランプ１４では、ＬＥＤベアチップ
搭載用端子３及びワイヤーボンディング用端子４の裏面
が光透過性樹脂８により封止されているので、上記のピ
ン挿入型ＬＥＤランプ１３と同様にして放熱性はあまり
よくなく、しかも金属リードフレーム５と６を光透過性
樹脂８から露出させ、それを折り曲げてマトリックス回
路基板への接続用電極とする加工が必要であったり、さ
らには電極が長くなって高密度化には適さないという問
題があった。
式表面実装用ＬＥＤランプ１４では、ＬＥＤベアチップ
搭載用端子３及びワイヤーボンディング用端子４の裏面
が光透過性樹脂８により封止されているので、上記のピ
ン挿入型ＬＥＤランプ１３と同様にして放熱性はあまり
よくなく、しかも金属リードフレーム５と６を光透過性
樹脂８から露出させ、それを折り曲げてマトリックス回
路基板への接続用電極とする加工が必要であったり、さ
らには電極が長くなって高密度化には適さないという問
題があった。
【０００６】また、図６に示したベース基板式表面実装
用ＬＥＤランプ１５では、マトリックス回路基板への高
密度実装は可能だが、ＬＥＤベアチップ２を、一旦、樹
脂製又はセラミックス製のベース基板１６に搭載・ワイ
ヤーボンディングし、さらに光透過性樹脂８で封止され
るものであるため、構造が複雑で高価格となる。しか
も、輝度は、ＬＥＤベアチップ２を搭載している端子面
は、作製上、光がＬＥＤランプ上部に反射しにくい平面
状とせざるを得ず、また、ランプ形状も光が集光しやす
い半円球状には加工しにくいので、ピン挿入型ＬＥＤラ
ンプ１３と比較して低く、その上、熱は熱伝導性のよく
ないベース基板１６を通して伝達されるので放熱特性も
よくなかった。
用ＬＥＤランプ１５では、マトリックス回路基板への高
密度実装は可能だが、ＬＥＤベアチップ２を、一旦、樹
脂製又はセラミックス製のベース基板１６に搭載・ワイ
ヤーボンディングし、さらに光透過性樹脂８で封止され
るものであるため、構造が複雑で高価格となる。しか
も、輝度は、ＬＥＤベアチップ２を搭載している端子面
は、作製上、光がＬＥＤランプ上部に反射しにくい平面
状とせざるを得ず、また、ランプ形状も光が集光しやす
い半円球状には加工しにくいので、ピン挿入型ＬＥＤラ
ンプ１３と比較して低く、その上、熱は熱伝導性のよく
ないベース基板１６を通して伝達されるので放熱特性も
よくなかった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
問題を解決し、電極を折り曲げ加工したり、光透過性樹
脂から電極となる金属リードフレームを引き出したりす
ることなく簡単な構造にしてマトリックス回路基板に高
密度の実装を可能とし、しかも放熱特性に優れた高輝度
のＬＥＤランプを提供することにある。
問題を解決し、電極を折り曲げ加工したり、光透過性樹
脂から電極となる金属リードフレームを引き出したりす
ることなく簡単な構造にしてマトリックス回路基板に高
密度の実装を可能とし、しかも放熱特性に優れた高輝度
のＬＥＤランプを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、Ｌ
ＥＤベアチップ２が搭載されてなるＬＥＤベアチップ搭
載用端子３と上記ＬＥＤベアチップ２に接続されたワイ
ヤーボンディング用端子４とを光透過性樹脂６で封止さ
れてなる構造のＬＥＤランプにおいて、上記ＬＥＤベア
チップ搭載用端子３の裏面を光透過性樹脂６で覆うこと
なくその一部又は全部を露出させ、その露出部を電極と
して機能させてなることを特徴とするＬＥＤランプであ
る。
ＥＤベアチップ２が搭載されてなるＬＥＤベアチップ搭
載用端子３と上記ＬＥＤベアチップ２に接続されたワイ
ヤーボンディング用端子４とを光透過性樹脂６で封止さ
れてなる構造のＬＥＤランプにおいて、上記ＬＥＤベア
チップ搭載用端子３の裏面を光透過性樹脂６で覆うこと
なくその一部又は全部を露出させ、その露出部を電極と
して機能させてなることを特徴とするＬＥＤランプであ
る。
【０００９】以下、本発明を実施の一例を示す図面にも
とづいてさらに詳しく説明する。
とづいてさらに詳しく説明する。
【００１０】図１は、本発明のＬＥＤランプ１の一例を
示したものであり、表面実装用ＬＥＤランプである。図
１の（１）は正面図、図１の（２）はＬＥＤベアチップ
を１個搭載した場合の平面図、及び図１の（３）はＬＥ
Ｄベアチップを２個搭載した場合の平面図である
示したものであり、表面実装用ＬＥＤランプである。図
１の（１）は正面図、図１の（２）はＬＥＤベアチップ
を１個搭載した場合の平面図、及び図１の（３）はＬＥ
Ｄベアチップを２個搭載した場合の平面図である
【００１１】まず、ＬＥＤベアチップ２の材質として
は、通常のガリウム・砒素・リン、ガリウム・リン等が
使用され、これを金属リードフレーム５の端部に設けら
れたＬＥＤベアチップ搭載用端子３に導電ペースト又は
半田等により搭載する。次いで、ＬＥＤベアチップ２上
部の電極から金線、銅線、アルミニウム線等の金属線７
を用いたワイヤーボンディングにより金属リードフレー
ム６の端部に設けられたワイヤーボンディング用端子４
に接続する。
は、通常のガリウム・砒素・リン、ガリウム・リン等が
使用され、これを金属リードフレーム５の端部に設けら
れたＬＥＤベアチップ搭載用端子３に導電ペースト又は
半田等により搭載する。次いで、ＬＥＤベアチップ２上
部の電極から金線、銅線、アルミニウム線等の金属線７
を用いたワイヤーボンディングにより金属リードフレー
ム６の端部に設けられたワイヤーボンディング用端子４
に接続する。
【００１２】金属リードフレーム５、６及び端子３、４
の材質としては、電気の良導体であれば特に制限はな
く、Ｎｉ合金、銅、鉄、アルミニウム等が使用でき、必
要に応じてニッケル、金、銀等のメッキが施されたもの
が用いられる。その形状については、線状、棒状、板状
等いづれでもよいが、マトリックス回路基板にＬＥＤラ
ンプを表面実装した際の安定性を持たせるのに、平板と
するのが望ましく、また、その厚みとしては０．１〜２
ｍｍが望ましい。
の材質としては、電気の良導体であれば特に制限はな
く、Ｎｉ合金、銅、鉄、アルミニウム等が使用でき、必
要に応じてニッケル、金、銀等のメッキが施されたもの
が用いられる。その形状については、線状、棒状、板状
等いづれでもよいが、マトリックス回路基板にＬＥＤラ
ンプを表面実装した際の安定性を持たせるのに、平板と
するのが望ましく、また、その厚みとしては０．１〜２
ｍｍが望ましい。
【００１３】ＬＥＤベアチップ搭載用端子３の形状につ
いては、ＬＥＤベアチップ２の搭載面が平面状であって
も充分に本発明の目的を達成することができるが、ＬＥ
Ｄベアチップ２から発生した光がＬＥＤランプ上面に反
射させて高輝度とするために、凹面としておくのが望ま
しい。ワイヤーボンディング用端子４については、特別
な形状を必要としない。しかし、ＬＥＤベアチップ搭載
用端子３の裏面は、直接、電極として機能させると共に
発生した熱を効率よくマトリックス回路基板に伝達させ
るために、平面としておくのが望ましい。ワイヤーボン
ディング用端子４の裏面形状については、金属リードフ
レーム６を通して熱が伝達されることが少ないので、特
別な配慮を払う必要はないが、これまた平面が望まし
い。
いては、ＬＥＤベアチップ２の搭載面が平面状であって
も充分に本発明の目的を達成することができるが、ＬＥ
Ｄベアチップ２から発生した光がＬＥＤランプ上面に反
射させて高輝度とするために、凹面としておくのが望ま
しい。ワイヤーボンディング用端子４については、特別
な形状を必要としない。しかし、ＬＥＤベアチップ搭載
用端子３の裏面は、直接、電極として機能させると共に
発生した熱を効率よくマトリックス回路基板に伝達させ
るために、平面としておくのが望ましい。ワイヤーボン
ディング用端子４の裏面形状については、金属リードフ
レーム６を通して熱が伝達されることが少ないので、特
別な配慮を払う必要はないが、これまた平面が望まし
い。
【００１４】ＬＥＤベアチップ搭載用端子３とワイヤー
ボンディング用端子４は、図２に示すように、金属板か
らの打抜き又は化学エッチングによる多数個取りによっ
て、好適に得ることができる。なお、図２において、９
は金属板から加工されたフレームであり、１０はＬＥＤ
ベアチップ搭載用端子３となる部分、１１はワイヤーボ
ンディング用端子４となる部分である。
ボンディング用端子４は、図２に示すように、金属板か
らの打抜き又は化学エッチングによる多数個取りによっ
て、好適に得ることができる。なお、図２において、９
は金属板から加工されたフレームであり、１０はＬＥＤ
ベアチップ搭載用端子３となる部分、１１はワイヤーボ
ンディング用端子４となる部分である。
【００１５】光透過性樹脂８としては、光透過性があり
加熱又は紫外線等により硬化するものであれば制限はな
いが、マトリックス回路基板に搭載し接続する際に加熱
されるので耐熱性のある樹脂が好ましく、通常、エポキ
シ樹脂が用いられる。この光透過性樹脂８により、ＬＥ
Ｄベアチップ搭載用端子３とワイヤーボンディング用端
子４が封止され、所望形状のランプが形成される。その
ランプ形状については、ＬＥＤベアチップ２から発光し
た光がＬＥＤランプ上部に集光させ高輝度とするため
に、先端を半円球状とするのが望ましい。
加熱又は紫外線等により硬化するものであれば制限はな
いが、マトリックス回路基板に搭載し接続する際に加熱
されるので耐熱性のある樹脂が好ましく、通常、エポキ
シ樹脂が用いられる。この光透過性樹脂８により、ＬＥ
Ｄベアチップ搭載用端子３とワイヤーボンディング用端
子４が封止され、所望形状のランプが形成される。その
ランプ形状については、ＬＥＤベアチップ２から発光し
た光がＬＥＤランプ上部に集光させ高輝度とするため
に、先端を半円球状とするのが望ましい。
【００１６】光透過性樹脂８を用いてＬＥＤベアチップ
搭載用端子３とワイヤーボンディング用端子４を封止し
たりランプ形状に成形したりするには、所望形状の成形
型、例えば光透過性樹脂が接着しないようにフッ素樹脂
やシリコーン等の樹脂型ないしは離型剤を塗布した金型
を用いて行うか、又は予め所望形状に成形されたキャッ
プに光透過性樹脂を流し込み、そこにＬＥＤベアチップ
２の搭載された上記フレーム９をＬＥＤベアチップを下
にして上記端子３、４の上面付近まで入れ、その状態で
加熱硬化させることによって行うことができる。
搭載用端子３とワイヤーボンディング用端子４を封止し
たりランプ形状に成形したりするには、所望形状の成形
型、例えば光透過性樹脂が接着しないようにフッ素樹脂
やシリコーン等の樹脂型ないしは離型剤を塗布した金型
を用いて行うか、又は予め所望形状に成形されたキャッ
プに光透過性樹脂を流し込み、そこにＬＥＤベアチップ
２の搭載された上記フレーム９をＬＥＤベアチップを下
にして上記端子３、４の上面付近まで入れ、その状態で
加熱硬化させることによって行うことができる。
【００１７】本発明の大きな特徴の一つは、ＬＥＤベア
チップ搭載用端子３の裏面を光透過性樹脂８で覆うこと
なくその一部又は全部を露出させておき、その露出部を
直接マトリックス回路基板に取り付ける際の電極として
用いることである。従って、光透過性樹脂８を用いてＬ
ＥＤベアチップ搭載用端子３とワイヤーボンディング用
端子４を封止した後は、必要に応じて、不要な樹脂分や
金属分を除去して良好な電極面を形成させることの配慮
が必要である。なお、電極面となる上記露出部の広さと
しては、ＬＥＤベアチップ２の底面積の半分以上とする
のが望ましく、またワイヤーボンディング用端子４の裏
面からは熱があまり伝達することはないので、その裏面
は必ずしも露出させておく必要はない。
チップ搭載用端子３の裏面を光透過性樹脂８で覆うこと
なくその一部又は全部を露出させておき、その露出部を
直接マトリックス回路基板に取り付ける際の電極として
用いることである。従って、光透過性樹脂８を用いてＬ
ＥＤベアチップ搭載用端子３とワイヤーボンディング用
端子４を封止した後は、必要に応じて、不要な樹脂分や
金属分を除去して良好な電極面を形成させることの配慮
が必要である。なお、電極面となる上記露出部の広さと
しては、ＬＥＤベアチップ２の底面積の半分以上とする
のが望ましく、またワイヤーボンディング用端子４の裏
面からは熱があまり伝達することはないので、その裏面
は必ずしも露出させておく必要はない。
【００１８】図３には、本発明のＬＥＤランプを複数個
連結してなる多連式ＬＥＤランプ１２の一例を示したも
のであり、このような構造としておくことによって、一
度に複数個のＬＥＤランプをマトリックス回路基板に搭
載できるので、非常に能率的であり、また、搭載した際
のＬＥＤランプの安定性も向上する。ＬＥＤランプの複
数個を連結するには、金属リードフレーム５、６や光透
過性樹脂８を用いて行うことができる。なお、図３の
（１）は正面図、図３の（２）は平面図である。
連結してなる多連式ＬＥＤランプ１２の一例を示したも
のであり、このような構造としておくことによって、一
度に複数個のＬＥＤランプをマトリックス回路基板に搭
載できるので、非常に能率的であり、また、搭載した際
のＬＥＤランプの安定性も向上する。ＬＥＤランプの複
数個を連結するには、金属リードフレーム５、６や光透
過性樹脂８を用いて行うことができる。なお、図３の
（１）は正面図、図３の（２）は平面図である。
【００１９】
【実施例】以下、実施例と比較例をあげてさらに具体的
に説明する。 実施例１ 厚み０．５ｍｍのＦｅ−４２％Ｎｉ合金よりなる金属板
をプレス打抜きして、図２に示すように、皿状の凹みを
設けたＬＥＤベアチップ搭載用端子３となる部分１０と
ワイヤーボンディング用端子４となる部分１１とを１組
とし、それらがピッチ８ｍｍで１列に２０個並んだフレ
ーム９を作製した後、２μｍのＮｉメッキと０．５μｍ
の銀メッキを施した。
に説明する。 実施例１ 厚み０．５ｍｍのＦｅ−４２％Ｎｉ合金よりなる金属板
をプレス打抜きして、図２に示すように、皿状の凹みを
設けたＬＥＤベアチップ搭載用端子３となる部分１０と
ワイヤーボンディング用端子４となる部分１１とを１組
とし、それらがピッチ８ｍｍで１列に２０個並んだフレ
ーム９を作製した後、２μｍのＮｉメッキと０．５μｍ
の銀メッキを施した。
【００２０】次に、ＬＥＤベアチップ搭載用端子３とな
る部分１０に銀ペースト（住友金属社製商品名「Ｔ−３
００７」）をディスペンサーにより塗布後ＬＥＤベアチ
ップ２をダイボンダーにより搭載し、温度１５０℃で３
０分加熱硬化させた後、ワイヤーボンディング用端子４
となる部分１１に直径５０μｍの金からなる金属線５を
ワイヤーボンディングし、ＬＥＤベアチップ２と接続し
た。
る部分１０に銀ペースト（住友金属社製商品名「Ｔ−３
００７」）をディスペンサーにより塗布後ＬＥＤベアチ
ップ２をダイボンダーにより搭載し、温度１５０℃で３
０分加熱硬化させた後、ワイヤーボンディング用端子４
となる部分１１に直径５０μｍの金からなる金属線５を
ワイヤーボンディングし、ＬＥＤベアチップ２と接続し
た。
【００２１】次いで、深さ４ｍｍ、直径５ｍｍで先端は
半球状であり、しかもピッチ８ｍｍで１列に２０個の状
態にして加工されたフッ素樹脂型に、光透過性樹脂８
（グレースジャパン社製商品名「スタイキャスト１２５
３」）を流し込み、上記で得られたＬＥＤベアチップ２
の搭載されたフレームをＬＥＤベアチップ２を下にして
入れ、真空脱泡を行った後、温度１２０℃で１６時間熱
風加熱して光透過性樹脂を硬化させた。硬化後にフッ素
樹脂型からフレームを取り外し、そのフレームからＬＥ
Ｄベアチップ搭載用端子３となる部分１０とワイヤーボ
ンディング用端子４となる部分１１を切離し、図１の
（２）に示す構造のＬＥＤランプを作製した。
半球状であり、しかもピッチ８ｍｍで１列に２０個の状
態にして加工されたフッ素樹脂型に、光透過性樹脂８
（グレースジャパン社製商品名「スタイキャスト１２５
３」）を流し込み、上記で得られたＬＥＤベアチップ２
の搭載されたフレームをＬＥＤベアチップ２を下にして
入れ、真空脱泡を行った後、温度１２０℃で１６時間熱
風加熱して光透過性樹脂を硬化させた。硬化後にフッ素
樹脂型からフレームを取り外し、そのフレームからＬＥ
Ｄベアチップ搭載用端子３となる部分１０とワイヤーボ
ンディング用端子４となる部分１１を切離し、図１の
（２）に示す構造のＬＥＤランプを作製した。
【００２２】実施例２ 金属板として０．８ｍｍの銅板を用い、それを温度４０
℃の塩化第２鉄溶液でエッチングを行ってフレームを製
作し、そしてＬＥＤベアチップ搭載用端子３を２個と
し、それらの端子に波長の異なる２個のＬＥＤベアチッ
プ２を別々に搭載したこと以外は、実施例１に準じて図
１の（３）に示す構造のＬＥＤランプを作製した。
℃の塩化第２鉄溶液でエッチングを行ってフレームを製
作し、そしてＬＥＤベアチップ搭載用端子３を２個と
し、それらの端子に波長の異なる２個のＬＥＤベアチッ
プ２を別々に搭載したこと以外は、実施例１に準じて図
１の（３）に示す構造のＬＥＤランプを作製した。
【００２３】実施例３ 金属リードフレーム５と光透過性樹脂８により連結さ
れ、ドットマトリックスのドットピッチと同じピッチで
４個連結された、図３に示す多連式ＬＥＤランプを実施
例１に準じて作製した。
れ、ドットマトリックスのドットピッチと同じピッチで
４個連結された、図３に示す多連式ＬＥＤランプを実施
例１に準じて作製した。
【００２４】実施例１〜３で作製したＬＥＤランプの底
面をアルミナ製放熱フインに接触させた状態でＬＥＤラ
ンプの電極に直流電流を流し、光透過性樹脂の温度が３
分間で２０℃上昇する電流値とその時のＬＥＤランプの
輝度を測定した。その結果を表１に示す。
面をアルミナ製放熱フインに接触させた状態でＬＥＤラ
ンプの電極に直流電流を流し、光透過性樹脂の温度が３
分間で２０℃上昇する電流値とその時のＬＥＤランプの
輝度を測定した。その結果を表１に示す。
【００２５】
【００２６】比較例１〜３ 比較例１として、図４に示した市販品（スタンレー社製
商品名「ＢＲ３４０３Ｓ］）、比較例２として、図５に
示した市販品（スタンレー社製商品名「ＢＲ２２０２
Ｓ］）及び比較例３として、図６に示した市販品（スタ
ンレー社製商品名「ＢＲ１１０１Ｗ］）を用いて実施例
と同様にして電流値と輝度を測定した。その結果を表１
に示す。
商品名「ＢＲ３４０３Ｓ］）、比較例２として、図５に
示した市販品（スタンレー社製商品名「ＢＲ２２０２
Ｓ］）及び比較例３として、図６に示した市販品（スタ
ンレー社製商品名「ＢＲ１１０１Ｗ］）を用いて実施例
と同様にして電流値と輝度を測定した。その結果を表１
に示す。
【００２７】
【発明の効果】本発明のＬＥＤランプは、従来のように
電極を折り曲げ加工したり、光透過性樹脂から電極とな
る金属リードフレームを引き出したりすることなく簡単
な構造にしてマトリックス回路基板に高密度の実装を可
能とし、しかも放熱特性に優れた高輝度なものとなる。
電極を折り曲げ加工したり、光透過性樹脂から電極とな
る金属リードフレームを引き出したりすることなく簡単
な構造にしてマトリックス回路基板に高密度の実装を可
能とし、しかも放熱特性に優れた高輝度なものとなる。
【図１】 本発明のＬＥＤランプの一例であり表面実装
型のものである。（１）が正面図、（２）と（３）が平
面図であり、（２）はＬＥＤベアチップが１個搭載され
たもの、（３）がＬＥＤベアチップが２個搭載されたも
のである。
型のものである。（１）が正面図、（２）と（３）が平
面図であり、（２）はＬＥＤベアチップが１個搭載され
たもの、（３）がＬＥＤベアチップが２個搭載されたも
のである。
【図２】 本発明で使用されるフレームの一例を示した
平面図である。
平面図である。
【図３】 本発明の多連式ＬＥＤランプの一例であり、
（１）が正面図、（２）が平面図である。
（１）が正面図、（２）が平面図である。
【図４】 従来のピン挿入型ＬＥＤランプの正面図であ
る。
る。
【図５】 従来の金属フレーム式表面実装用ＬＥＤラン
プの正面図である。
プの正面図である。
【図６】 従来のベース基板式表面実装用ＬＥＤランプ
の正面図である。
の正面図である。
１ 本発明のＬＥＤランプ ２ ＬＥＤベアチップ ３ ＬＥＤベアチップ搭載用端子 ４ ワイヤーボンディング用端子 ５ ＬＥＤベアチップ搭載用端子を備えた金属リードフ
レーム ６ ワイヤーボンディング用端子を備えた金属リードフ
レーム ７ 金属線 ８ 光透過性樹脂 ９ フレーム 10 ＬＥＤベアチップ搭載用端子となる部分 11 ワイヤーボンディング用端子となる部分 12 多連式表面実装用ＬＥＤランプ 13 ピン挿入型ＬＥＤランプ 14 金属フレーム式表面実装用ＬＥＤランプ 15 ベース基板式表面実装用ＬＥＤランプ 16 ベース基板
レーム ６ ワイヤーボンディング用端子を備えた金属リードフ
レーム ７ 金属線 ８ 光透過性樹脂 ９ フレーム 10 ＬＥＤベアチップ搭載用端子となる部分 11 ワイヤーボンディング用端子となる部分 12 多連式表面実装用ＬＥＤランプ 13 ピン挿入型ＬＥＤランプ 14 金属フレーム式表面実装用ＬＥＤランプ 15 ベース基板式表面実装用ＬＥＤランプ 16 ベース基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 浅井 新一郎 東京都町田市旭町３丁目５番１号 電気化 学工業株式会社総合研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】 発光ダイオードベアチップ（２）が搭載
されてなる発光ダイオードベアチップ搭載用端子（３）
と上記発光ダイオードベアチップ（２）に接続されたワ
イヤーボンディング用端子（４）とを光透過性樹脂
（６）で封止されてなる構造の発光ダイオードランプに
おいて、上記発光ダイオードベアチップ搭載用端子
（３）の裏面を光透過性樹脂（６）で覆うことなくその
一部又は全部を露出させ、その露出部を電極として機能
させてなることを特徴とする発光ダイオードランプ。 - 【請求項２】 請求項１記載の発光ダイオードランプの
２個以上を連結してなることを特徴とする多連式発光ダ
イオードランプ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14200392A JPH05315654A (ja) | 1992-05-08 | 1992-05-08 | 発光ダイオードランプ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14200392A JPH05315654A (ja) | 1992-05-08 | 1992-05-08 | 発光ダイオードランプ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05315654A true JPH05315654A (ja) | 1993-11-26 |
Family
ID=15305124
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14200392A Pending JPH05315654A (ja) | 1992-05-08 | 1992-05-08 | 発光ダイオードランプ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05315654A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005268431A (ja) * | 2004-03-17 | 2005-09-29 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
| WO2007135764A1 (ja) * | 2006-05-24 | 2007-11-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | 発光装置並びにこれを備えた照明装置および液晶表示装置 |
| US7317181B2 (en) | 2001-12-07 | 2008-01-08 | Hitachi Cable, Ltd. | Light-emitting unit and method for producing same as well as lead frame used for producing light-emitting unit |
| JP2008042158A (ja) * | 2006-08-03 | 2008-02-21 | Itswell Co Ltd | Ｓｍｌ型発光ダイオードランプ用素子およびその製造方法 |
| JP2008066733A (ja) * | 2006-09-07 | 2008-03-21 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | Ｌｅｄパッケージ用レンズ金型及びこれを用いたｌｅｄパッケージの製作方法 |
| WO2011118108A1 (ja) * | 2010-03-23 | 2011-09-29 | 株式会社朝日ラバー | シリコーン樹脂製反射基材、その製造方法、及びその反射基材に用いる原材料組成物 |
| WO2011117649A1 (en) * | 2010-03-26 | 2011-09-29 | Iti Scotland Limited | Encapsulated led array and edge light guide device comprising such an led array |
| US8704258B2 (en) | 2009-06-26 | 2014-04-22 | Asahi Rubber Inc. | White color reflecting material and process for production thereof |
-
1992
- 1992-05-08 JP JP14200392A patent/JPH05315654A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP4543712B2 (ja) * | 2004-03-17 | 2010-09-15 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
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| US8698976B2 (en) | 2006-05-24 | 2014-04-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device, illuminating apparatus having the same, and liquid crystal display apparatus |
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| JP5519774B2 (ja) * | 2010-03-23 | 2014-06-11 | 株式会社朝日ラバー | シリコーン樹脂製反射基材、その製造方法、及びその反射基材に用いる原材料組成物 |
| US10533094B2 (en) | 2010-03-23 | 2020-01-14 | Asahi Rubber Inc. | Silicone resin reflective substrate, manufacturing method for same, and base material composition used in reflective substrate |
| US11326065B2 (en) | 2010-03-23 | 2022-05-10 | Asahi Rubber Inc. | Silicone resin reflective substrate, manufacturing method for same, and base material composition used in reflective substrate |
| WO2011117649A1 (en) * | 2010-03-26 | 2011-09-29 | Iti Scotland Limited | Encapsulated led array and edge light guide device comprising such an led array |
| US9217822B2 (en) | 2010-03-26 | 2015-12-22 | Iti Scotland Limited | Encapsulated LED array and edge light guide device comprising such an LED array |
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