KR102225709B1 - 파장 변환 부재, 백라이트 유닛, 화상 표시 장치, 파장 변환용 수지 조성물 및 파장 변환용 수지 경화물 - Google Patents

파장 변환 부재, 백라이트 유닛, 화상 표시 장치, 파장 변환용 수지 조성물 및 파장 변환용 수지 경화물 Download PDF

Info

Publication number
KR102225709B1
KR102225709B1 KR1020207008945A KR20207008945A KR102225709B1 KR 102225709 B1 KR102225709 B1 KR 102225709B1 KR 1020207008945 A KR1020207008945 A KR 1020207008945A KR 20207008945 A KR20207008945 A KR 20207008945A KR 102225709 B1 KR102225709 B1 KR 102225709B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wavelength conversion
white pigment
resin composition
metal oxide
conversion member
Prior art date
Application number
KR1020207008945A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20200064073A (ko
Inventor
고우헤이 무카이가이토
시게아키 후뉴
히로아키 다카하시
도모유키 나카무라
마사토 후쿠이
다카노리 가지모토
요시타카 가츠타
다츠야 야하타
Original Assignee
쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 filed Critical 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤
Publication of KR20200064073A publication Critical patent/KR20200064073A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102225709B1 publication Critical patent/KR102225709B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L101/00—Compositions of unspecified macromolecular compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • G02F1/133606—Direct backlight including a specially adapted diffusing, scattering or light controlling members
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • G02F1/133611—Direct backlight including means for improving the brightness uniformity
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133615—Edge-illuminating devices, i.e. illuminating from the side
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133617—Illumination with ultraviolet light; Luminescent elements or materials associated to the cell
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133614—Illuminating devices using photoluminescence, e.g. phosphors illuminated by UV or blue light
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2202/00—Materials and properties
    • G02F2202/36—Micro- or nanomaterials

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Planar Illumination Modules (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)

Abstract

파장 변환 부재는, 양자 도트 형광체와, 유기물을 포함하는 유기물층을 표면의 적어도 일부에 갖는 백색 안료와, 상기 양자 도트 형광체 및 상기 백색 안료를 포함하는 수지 경화물을 함유한다.

Description

파장 변환 부재, 백라이트 유닛, 화상 표시 장치, 파장 변환용 수지 조성물 및 파장 변환용 수지 경화물
본 발명은, 파장 변환 부재, 백라이트 유닛, 화상 표시 장치, 파장 변환용 수지 조성물 및 파장 변환용 수지 경화물에 관한 것이다.
최근, 액정 표시 장치 등의 화상 표시 장치의 분야에 있어서는, 디스플레이의 색재현성을 향상시키는 것이 요구되고 있다. 색재현성을 향상시키는 수단으로서, 일본 공표특허공보 2013-544018호 및 국제 공개 제2016/052625호에 기재된 바와 같이, 양자 도트 형광체를 포함하는 파장 변환 부재가 주목을 모으고 있다.
양자 도트 형광체를 포함하는 파장 변환 부재는, 예를 들어 화상 표시 장치의 백라이트 유닛에 배치된다. 적색 광을 발광하는 양자 도트 형광체 및 녹색 광을 발광하는 양자 도트 형광체를 포함하는 파장 변환 부재를 사용하는 경우, 파장 변환 부재에 대하여 여기 광으로서의 청색 광을 조사하면, 양자 도트 형광체로부터 발광된 적색 광 및 녹색 광과, 파장 변환 부재를 투과한 청색 광에 의해, 백색광을 얻을 수 있다. 양자 도트 형광체를 포함하는 파장 변환 부재의 개발에 의해, 디스플레이의 색재현성은, 종래의 NTSC (National Television System Co㎜ittee) 비 72 ％ 에서 NTSC 비 100 ％ 로 확대되었다.
양자 도트 형광체를 포함하는 파장 변환 부재는, 통상 양자 도트 형광체를 함유하는 경화성 조성물을 경화시킨 경화물을 갖는다. 경화성 조성물로는 열 경화형 및 광 경화형이 있고, 생산성의 관점에서는 광 경화형의 경화성 조성물이 바람직하게 사용된다.
그런데, 양자 도트 형광체를 포함하는 파장 변환 부재에서는, 발광 강도가 부족한 경우가 있다.
양자 도트 형광체를 포함하는 파장 변환 부재의 발광 강도의 향상을 목적으로 하여, 광을 산란시키기 위한 입자를 파장 변환 부재에 함유시키는 경우가 있다. 그러나, 광을 산란시키기 위한 입자를 파장 변환 부재에 함유시켜도, 산란 효율이 부족하기 때문에 발광 강도가 충분히 향상되지 않는 경우가 있었다. 나아가서는, 경화성 조성물에 첨가된 입자의 응집 또는 침강이 생겨, 파장 변환 부재를 제조하는 데에 있어서의 문제가 발생하는 경우가 있었다.
본 개시는, 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 발광 강도가 우수한 파장 변환 부재 그리고 이것을 사용한 백라이트 유닛 및 화상 표시 장치를 제공하는 것을 과제로 한다. 또한, 본 개시는, 입자의 응집 또는 침강을 억제할 수 있는 파장 변환용 수지 조성물 및 그것을 사용한 파장 변환용 수지 경화물을 제공하는 것을 과제로 한다.
상기 과제를 달성하기 위한 구체적 수단은 이하와 같다.
＜1＞ 양자 도트 형광체와, 유기물을 포함하는 유기물층을 표면의 적어도 일부에 갖는 백색 안료와, 상기 양자 도트 형광체 및 상기 백색 안료를 포함하는 수지 경화물을 함유하는 파장 변환 부재.
＜2＞ 상기 유기물이, 폴리올 및 유기 실란의 적어도 일방을 포함하는 ＜1＞ 에 기재된 파장 변환 부재.
＜3＞ 상기 백색 안료의 함유율이, 상기 수지 경화물의 전체량에 대하여, 0.1 질량％ ∼ 2.0 질량％ 인 ＜1＞ 또는 ＜2＞ 에 기재된 파장 변환 부재.
＜4＞ 상기 백색 안료가, 산화티탄을 포함하는 ＜1＞ ∼ ＜3＞ 중 어느 한 항에 기재된 파장 변환 부재.
＜5＞ 상기 산화티탄이, 루틸형 산화티탄을 포함하는 ＜4＞ 에 기재된 파장 변환 부재.
＜6＞ 상기 백색 안료가, 금속 산화물을 포함하는 금속 산화물층을 표면의 적어도 일부에 갖는 ＜1＞ ∼ ＜5＞ 중 어느 한 항에 기재된 파장 변환 부재.
＜7＞ 상기 백색 안료의 표면에, 상기 금속 산화물층 및 상기 유기물층이, 상기 금속 산화물층 및 상기 유기물층의 순서로 형성되는 ＜6＞ 에 기재된 파장 변환 부재.
＜8＞ 상기 금속 산화물층이, 이산화규소를 포함하는 제 1 금속 산화물층 및 산화알루미늄을 포함하는 제 2 금속 산화물층을 갖는 ＜6＞ 또는 ＜7＞ 에 기재된 파장 변환 부재.
＜9＞ 상기 백색 안료의 평균 입자경이, 0.1 ㎛ ∼ 1 ㎛ 인 ＜1＞ ∼ ＜8＞ 중 어느 한 항에 기재된 파장 변환 부재.
＜10＞ 상기 백색 안료의 적어도 일부가, 일차 입자로서 존재하는 ＜1＞ ∼ ＜9＞ 중 어느 한 항에 기재된 파장 변환 부재.
＜11＞ 상기 백색 안료 및 상기 양자 도트 형광체 이외의 무기물의 함유율이, 상기 수지 경화물의 전체량에 대하여, 0.5 질량％ 이하인 ＜1＞ ∼ ＜10＞ 중 어느 한 항에 기재된 파장 변환 부재.
＜12＞ 상기 수지 경화물이, 지환식 구조와 술파이드 구조를 포함하는 ＜1＞ ∼ ＜11＞ 중 어느 한 항에 기재된 파장 변환 부재.
＜13＞ 상기 양자 도트 형광체가, Cd 및 In 의 적어도 일방을 포함하는 화합물을 함유하는 ＜1＞ ∼ ＜12＞ 중 어느 한 항에 기재된 파장 변환 부재.
＜14＞ 필름상인 ＜1＞ ∼ ＜13＞ 중 어느 한 항에 기재된 파장 변환 부재.
＜15＞ 화상 표시용인 ＜1＞ ∼ ＜14＞ 중 어느 한 항에 기재된 파장 변환 부재.
＜16＞ 상기 수지 경화물의 적어도 일부를 피복하는 피복재를 갖는 ＜1＞ ∼ ＜15＞ 중 어느 한 항에 기재된 파장 변환 부재.
＜17＞ 상기 피복재가, 산소 및 물의 적어도 일방에 대한 배리어성을 갖는 ＜16＞ 에 기재된 파장 변환 부재.
＜18＞ ＜1＞ ∼ ＜17＞ 중 어느 한 항에 기재된 파장 변환 부재와, 광원을 구비하는 백라이트 유닛.
＜19＞ ＜18＞ 에 기재된 백라이트 유닛을 구비하는 화상 표시 장치.
＜20＞ 양자 도트 형광체와, 유기물을 포함하는 유기물층을 표면의 적어도 일부에 갖는 백색 안료를 포함하는 파장 변환용 수지 조성물.
＜21＞ 상기 유기물이, 폴리올 및 유기 실란의 적어도 일방을 포함하는 ＜20＞ 에 기재된 파장 변환용 수지 조성물.
＜22＞ 상기 백색 안료의 함유율이, 0.1 질량％ ∼ 2.0 질량％ 인 ＜20＞ 또는 ＜21＞ 에 기재된 파장 변환용 수지 조성물.
＜23＞ 상기 백색 안료가, 산화티탄을 포함하는 ＜20＞ ∼ ＜22＞ 중 어느 한 항에 기재된 파장 변환용 수지 조성물.
＜24＞ 상기 산화티탄이, 루틸형 산화티탄을 포함하는 ＜23＞ 에 기재된 파장 변환용 수지 조성물.
＜25＞ 상기 백색 안료가, 금속 산화물을 포함하는 금속 산화물층을 표면의 적어도 일부에 갖는 ＜20＞ ∼ ＜24＞ 중 어느 한 항에 기재된 파장 변환용 수지 조성물.
＜26＞ 상기 백색 안료의 표면에, 상기 금속 산화물층 및 상기 유기물층이, 상기 금속 산화물층 및 상기 유기물층의 순서로 형성되는 ＜25＞ 에 기재된 파장 변환용 수지 조성물.
＜27＞ 상기 금속 산화물층이, 이산화규소를 포함하는 제 1 금속 산화물층 및 산화알루미늄을 포함하는 제 2 금속 산화물층을 갖는 ＜25＞ 또는 ＜26＞ 에 기재된 파장 변환용 수지 조성물.
＜28＞ 상기 백색 안료의 평균 입자경이, 0.1 ㎛ ∼ 1 ㎛ 인 ＜20＞ ∼ ＜27＞ 중 어느 한 항에 기재된 파장 변환용 수지 조성물.
＜29＞ 상기 백색 안료의 적어도 일부가, 일차 입자로서 존재하는 ＜20＞ ∼ ＜28＞ 중 어느 한 항에 기재된 파장 변환용 수지 조성물.
＜30＞ 상기 백색 안료 및 상기 양자 도트 형광체 이외의 무기물의 함유율이, 0.5 질량％ 이하인 ＜20＞ ∼ ＜29＞ 중 어느 한 항에 기재된 파장 변환용 수지 조성물.
＜31＞ 상기 양자 도트 형광체가, Cd 및 In 의 적어도 일방을 포함하는 화합물을 함유하는 ＜20＞ ∼ ＜30＞ 중 어느 한 항에 기재된 파장 변환용 수지 조성물.
＜32＞ 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물과, 다관능 티올 화합물과, 광 중합 개시제를 함유하는 ＜20＞ ∼ ＜31＞ 중 어느 한 항에 기재된 파장 변환용 수지 조성물.
＜33＞ 상기 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물이, 지환식 구조를 갖는 ＜32＞ 에 기재된 파장 변환용 수지 조성물.
＜34＞ 액상 매체를 함유하지 않거나 또는 액상 매체의 함유율이 0.5 질량％ 이하인 ＜20＞ ∼ ＜33＞ 중 어느 한 항에 기재된 파장 변환용 수지 조성물.
＜35＞ 필름 형성에 사용되는 ＜20＞ ∼ ＜34＞ 중 어느 한 항에 기재된 파장 변환용 수지 조성물.
＜36＞ 파장 변환 부재의 형성에 사용되는 ＜20＞ ∼ ＜35＞ 중 어느 한 항에 기재된 파장 변환용 수지 조성물.
＜37＞ ＜20＞ ∼ ＜36＞ 중 어느 한 항에 기재된 파장 변환용 수지 조성물의 경화물인 파장 변환용 수지 경화물.
본 개시에 의하면, 발광 강도가 우수한 파장 변환 부재 그리고 이것을 사용한 백라이트 유닛 및 화상 표시 장치를 제공할 수 있다. 또한, 본 개시에 의하면, 입자의 응집 또는 침강을 억제할 수 있는 파장 변환용 수지 조성물 및 그것을 사용한 파장 변환용 수지 경화물을 제공할 수 있다.
도 1 은 파장 변환 부재의 개략 구성의 일례를 나타내는 모식 단면도이다.
도 2 는 백라이트 유닛의 개략 구성의 일례를 나타내는 도면이다.
도 3 은 액정 표시 장치의 개략 구성의 일례를 나타내는 도면이다.
이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대하여 상세하게 설명한다. 단, 본 발명은 이하의 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 이하의 실시형태에 있어서, 그 구성 요소 (요소 스텝 등도 포함한다) 는, 특별히 명시한 경우를 제외하고, 필수는 아니다. 수치 및 그 범위에 대해서도 동일하며, 본 발명을 제한하는 것은 아니다.
본 개시에 있어서 「공정」이라는 말에는, 다른 공정으로부터 독립된 공정에 더하여, 다른 공정과 명확하게 구별할 수 없는 경우라도 그 공정의 목적이 달성되면, 당해 공정도 포함된다.
본 개시에 있어서 「∼」를 사용하여 나타낸 수치 범위에는, 「∼」의 전후에 기재되는 수치가 각각 최소치 및 최대치로서 포함된다.
본 개시 중에 단계적으로 기재되어 있는 수치 범위에 있어서, 하나의 수치 범위로 기재된 상한치 또는 하한치는, 다른 단계적인 기재된 수치 범위의 상한치 또는 하한치로 치환해도 된다. 또, 본 개시 중에 기재되어 있는 수치 범위에 있어서, 그 수치 범위의 상한치 또는 하한치는, 실시예에 나타나 있는 값으로 치환해도 된다.
본 개시에 있어서 각 성분은 해당하는 물질을 복수종 포함하고 있어도 된다. 조성물 중에 각 성분에 해당하는 물질이 복수종 존재하는 경우, 각 성분의 함유율은, 특별히 언급하지 않는 한, 조성물 중에 존재하는 당해 복수종 물질의 합계의 함유율을 의미한다.
본 개시에 있어서 각 성분에 해당하는 입자는 복수종 포함하고 있어도 된다. 조성물 중에 각 성분에 해당하는 입자가 복수종 존재하는 경우, 각 성분의 입자경은, 특별히 언급하지 않는 한, 조성물 중에 존재하는 당해 복수종 입자의 혼합물에 대한 값을 의미한다.
본 개시에 있어서 「층」또는 「막」이라는 말에는, 당해 층 또는 막이 존재하는 영역을 관찰했을 때에, 당해 영역의 전체에 형성되어 있는 경우에 더하여, 당해 영역의 일부에만 형성되어 있는 경우도 포함된다.
본 개시에 있어서 「적층」이라는 말은, 층을 포개어 쌓는 것을 나타내고, 2 이상의 층이 결합되어 있어도 되고, 2 이상의 층이 착탈 가능해도 된다.
본 개시에 있어서 「(메트)아크릴로일기」란, 아크릴로일기 및 메타크릴로일기의 적어도 일방을 의미하고, 「(메트)아크릴」은 아크릴 및 메타크릴의 적어도 일방을 의미하고, 「(메트)아크릴레이트」는 아크릴레이트 및 메타크릴레이트의 적어도 일방을 의미하고, 「(메트)알릴」은 알릴 및 메탈릴의 적어도 일방을 의미한다.
＜파장 변환 부재＞
본 개시의 파장 변환 부재는, 양자 도트 형광체와, 유기물을 포함하는 유기물층을 표면의 적어도 일부에 갖는 백색 안료와, 상기 양자 도트 형광체 및 상기 백색 안료를 포함하는 수지 경화물을 함유한다. 본 개시의 파장 변환 부재는, 필요에 따라, 후술하는 피복재 등의 그 밖의 구성 요소를 포함하고 있어도 된다.
본 개시에 관련된 수지 경화물은, 후술하는 본 개시의 파장 변환용 수지 조성물의 경화물 (파장 변환용 수지 경화물) 이어도 된다.
본 개시의 파장 변환 부재에 함유되는 백색 안료는, 표면의 적어도 일부에 유기물을 포함하는 유기물층을 갖는다. 백색 안료의 표면에 유기물이 존재함으로써, 백색 안료와 수지 경화물의 친화성이 향상되기 때문에, 수지 경화물 중에서의 백색 안료의 응집이 억제된다. 그 때문에, 파장 변환 부재에 입사된 입사 광의 백색 안료에 의한 산란 효율이 향상되어, 파장 변환 부재의 발광 강도가 우수한 것이 되는 것으로 추찰된다.
본 개시의 파장 변환 부재는, 화상 표시용으로서 바람직하게 사용된다.
파장 변환 부재에 함유되는 수지 경화물은, 양자 도트 형광체 및 백색 안료를 포함하는 것이면 특별히 한정되는 것은 아니다. 수지 경화물은, 지환식 구조와 술파이드 구조를 포함하는 것이어도 된다.
수지 경화물이 지환식 구조와 술파이드 구조를 포함하는 경우, 지환식 구조와 술파이드 구조를 포함하는 수지 경화물은, 예를 들어 티올기를 포함하는 화합물에 있어서의 티올기와 탄소 탄소 이중 결합을 포함하는 화합물에 있어서의 탄소 탄소 이중 결합과의 중합 반응에 의해 형성된 것이어도 된다. 또, 수지 경화물에 포함되는 지환식 구조는, 탄소 탄소 이중 결합을 포함하는 화합물에 포함되는 구조 유래여도 된다.
수지 경화물이 지환식 구조와 술파이드 구조를 포함하는 경우, 수지 경화물에 포함되는 지환식 구조는 특별히 한정되는 것은 아니다. 지환식 구조의 구체예로는, 트리시클로데칸 골격, 시클로헥산 골격, 1,3-아다만탄 골격, 수소 첨가 비스페놀 A 골격, 수소 첨가 비스페놀 F 골격, 수소 첨가 비스페놀 S 골격, 이소보르닐 골격 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 트리시클로데칸 골격 또는 이소보르닐 골격인 것이 바람직하고, 트리시클로데칸 골격인 것이 보다 바람직하다.
수지 경화물에 포함되는 지환식 구조는, 1 종류 단독이거나 적어도 2 종류여도 되고, 적어도 2 종류인 것이 바람직하다.
적어도 2 종류의 지환식 구조가 수지 경화물에 포함되는 경우, 지환식 구조의 조합으로는, 트리시클로데칸 골격 및 이소보르닐 골격의 조합, 수소 첨가 비스페놀 A 골격 및 이소보르닐 골격의 조합 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 트리시클로데칸 골격 및 이소보르닐 골격의 조합이 바람직하다.
푸리에 변환 적외 분광 광도계로 측정한 수지 경화물에 있어서의, S-H 신축 진동에 귀속되는 피크 면적 (V1) 과, C-H 신축 진동에 귀속되는 피크 면적 (V2) 의 비율 (V1/V2) 은, 0.005 이하인 것이 바람직하고, 0.004 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.002 이하인 것이 더욱 바람직하다.
수지 경화물이, 티올기를 포함하는 화합물에 있어서의 티올기와 탄소 탄소 이중 결합을 포함하는 화합물에 있어서의 탄소 탄소 이중 결합과의 중합 반응에 의해 형성된 것인 경우, 비율 (V1/V2) 이 작은 것은 즉, 중합 반응에 기여하고 있지 않는 티올기가 적은 것을 시사한다. 중합 반응에 기여하고 있지 않는 티올기가 적으면, 수지 경화물의 유리 전이 온도가 높아지는 경향이 있다.
수지 경화물에 있어서의, S-H 신축 진동에 귀속되는 피크 면적 (V1) 및 C-H 신축 진동에 귀속되는 피크 면적 (V2) 은, 푸리에 변환 적외 분광 광도계를 사용하여 하기 방법에 의해 측정된 값을 말한다.
FT-IR Spectrometer (Perkin Elmer 사) 를 사용하여, 측정 대상의 파장 변환 부재의 표면을 ATR (Attenuated Total Reflection (전반사 측정법)) 분석한다. 백그라운드 측정은, 공기로 측정하고, 적산 횟수 16 회의 조건으로 FT-IR 측정을 실시한다. 파장 변환 부재가 피복재를 갖는 경우, 피복재를 박리한 상태의 파장 변환 부재의 경화물층을 FT-IR 측정에 제공한다.
수지 경화물은, 에스테르 구조를 포함하고 있어도 된다. 수지 경화물의 근원이 되는 탄소 탄소 이중 결합을 포함하는 화합물로는, 예를 들어 (메트)알릴기를 포함하는 (메트)알릴 화합물 및 (메트)아크릴로일기를 포함하는 (메트)아크릴레이트 화합물을 들 수 있다. (메트)알릴 화합물과 비교하여 (메트)아크릴레이트 화합물이 중합 반응의 활성이 높은 경향이 있다. 수지 경화물이 에스테르 구조를 포함하는 것은 즉 탄소 탄소 이중 결합을 포함하는 화합물로서 (메트)아크릴레이트 화합물이 사용된 것을 시사한다. (메트)아크릴레이트 화합물을 사용하여 형성된 수지 경화물은, (메트)알릴 화합물을 사용하여 형성된 수지 경화물과 비교하여 유리 전이 온도가 높아지는 경향이 있다.
(백색 안료)
수지 경화물은, 백색 안료를 포함한다.
백색 안료의 구체예로는, 산화티탄, 황산바륨, 산화아연, 탄산칼슘 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 광 산란 효율의 관점에서 산화티탄인 것이 바람직하다.
수지 경화물이 백색 안료로서 산화티탄을 함유하는 경우, 산화티탄으로는, 루틸형 산화티탄이거나 아나타제형 산화티탄이어도 되고, 루틸형 산화티탄인 것이 바람직하다.
백색 안료의 평균 입자경은, 0.1 ㎛ ∼ 1 ㎛ 인 것이 바람직하고, 0.2 ㎛ ∼ 0.8 ㎛ 인 것이 보다 바람직하고, 0.2 ㎛ ∼ 0.5 ㎛ 인 것이 더욱 바람직하다.
백색 안료의 평균 입자경은, 주사형 전자 현미경을 사용한 입자의 관찰에 의해, 50 개의 입자에 대하여 원 상당 직경 (장경과 단경의 기하 평균) 을 산출하고, 그 산술 평균치로서 구해진다.
또한, 파장 변환용 수지 조성물에 포함되는 백색 안료의 평균 입자경은, 이하와 같이 하여 측정할 수 있다.
파장 변환용 수지 조성물로부터 추출한 백색 안료를, 계면 활성제를 포함한 정제수에 분산시켜, 분산액을 얻는다. 이 분산액을 사용하여 레이저 회절식 입도 분포 측정 장치 (예를 들어, 주식회사 시마즈 제작소, SALD-3000J) 로 측정되는 체적 기준의 입도 분포에 있어서, 소직경측으로부터의 적산이 50 ％ 가 될 때의 값 (메디안 직경 (D50)) 을 백색 안료의 평균 입자경으로 한다. 파장 변환용 수지 조성물로부터 백색 안료를 추출하는 방법으로는, 예를 들어 파장 변환용 수지 조성물을 액상 매체로 희석시키고, 원심 분리 처리 등에 의해 백색 안료를 침전시켜 분산시킴으로써 얻을 수 있다.
백색 안료는 유기물을 포함하는 유기물층을 표면의 적어도 일부에 갖는다. 유기물층에 포함되는 유기물로는, 유기 실란, 오르가노실록산, 플루오로실란, 유기 포스포네이트, 유기 인산 화합물, 유기 포스피네이트, 유기 술폰산 화합물, 카르복실산, 카르복실산에스테르, 카르복실산의 유도체, 아미드, 탄화수소 왁스, 폴리올레핀, 폴리올레핀의 코폴리머, 폴리올, 폴리올의 유도체, 알칸올아민, 알칸올아민의 유도체, 유기 분산제 등을 들 수 있다.
유기물층에 포함되는 유기물은, 폴리올, 유기 실란 등을 포함하는 것이 바람직하고, 폴리올 및 유기 실란의 적어도 일방을 포함하는 것이 보다 바람직하다.
유기 실란의 구체예로는, 옥틸트리에톡시실란, 노닐트리에톡시실란, 데실트리에톡시실란, 도데실트리에톡시실란, 트리데실트리에톡시실란, 테트라데실트리에톡시실란, 펜타데실트리에톡시실란, 헥사데실트리에톡시실란, 헵타데실트리에톡시실란, 옥타데실트리에톡시실란 등을 들 수 있다.
오르가노실록산의 구체예로는, 트리메틸실릴 관능기로 종단된 폴리디메틸실록산 (PDMS), 폴리메틸하이드로실록산 (PMHS), PMHS 의 올레핀에 의한 관능화 (하이드로실릴화에 의한) 에 의해 유도되는 폴리실록산 등을 들 수 있다.
유기 포스포네이트의 구체예로는, 예를 들어 n-옥틸포스폰산 및 그 에스테르, n-데실포스폰산 및 그 에스테르, 2-에틸헥실포스폰산 및 그 에스테르 그리고 캄필 (camphyl) 포스폰산 및 그 에스테르를 들 수 있다.
유기 인산 화합물의 구체예로는, 유기산성 포스페이트, 유기 피로포스페이트, 유기 폴리포스페이트, 유기 메타포스페이트, 이들의 염 등을 들 수 있다.
유기 포스피네이트의 구체예로는, 예를 들어 n-헥실포스핀산 및 그 에스테르, n-옥틸포스핀산 및 그 에스테르, 디-n-헥실포스핀산 및 그 에스테르 그리고 디-n-옥틸포스핀산 및 그 에스테르를 들 수 있다.
유기 술폰산 화합물의 구체예로는, 헥실술폰산, 옥틸술폰산, 2-에틸헥실술폰산 등의 알킬술폰산, 이들 알킬술폰산과, 나트륨, 칼슘, 마그네슘, 알루미늄, 티탄 등의 금속 이온, 암모늄 이온, 트리에탄올아민 등의 유기 암모늄 이온 등과의 염을 들 수 있다.
카르복실산의 구체예로는, 말레산, 말론산, 푸마르산, 벤조산, 프탈산, 스테아르산, 올레산, 리놀레산 등을 들 수 있다.
카르복실산에스테르의 구체예로는, 상기 카르복실산과, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 트리메틸올프로판, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 글리세롤, 헥산트리올, 에리트리톨, 만니톨, 소르비톨, 펜타에리트리톨, 비스페놀 A, 하이드로퀴논, 플로로글루시놀 등의 하이드록시 화합물과의 반응에 의해 생성되는 에스테르 및 부분 에스테르를 들 수 있다.
아미드의 구체예로는, 스테아르산아미드, 올레산아미드, 에루크산아미드 등을 들 수 있다.
폴리올레핀 및 그 코폴리머의 구체예로는, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌과, 프로필렌, 부틸렌, 아세트산비닐, 아크릴레이트, 아크릴아미드 등에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 화합물과의 공중합체 등을 들 수 있다.
폴리올의 구체예로는, 글리세롤, 트리메틸올에탄, 트리메틸올프로판 등을 들 수 있다.
알칸올아민의 구체예로는, 디에탄올아민, 트리에탄올아민 등을 들 수 있다.
유기 분산제의 구체예로는, 시트르산, 폴리아크릴산, 폴리메타크릴산, 음이온성, 양이온성, 쌍성, 비이온성 등의 관능기를 갖는 고분자 유기 분산제 등을 들 수 있다.
백색 안료는, 표면의 적어도 일부에 금속 산화물을 포함하는 금속 산화물층을 갖고 있어도 된다. 금속 산화물층에 포함되는 금속 산화물로는, 이산화규소, 산화알루미늄, 지르코니아, 포스포리아 (phosphoria), 보리아 (boria) 등을 들 수 있다. 금속 산화물층은 1 층이거나 2 층 이상이어도 된다. 백색 안료가 2 층의 금속 산화물층을 갖는 경우, 이산화규소를 포함하는 제 1 금속 산화물층 및 산화알루미늄을 포함하는 제 2 금속 산화물층을 포함하는 것인 것이 바람직하다.
백색 안료가 금속 산화물층을 가짐으로써, 지환식 구조와 술파이드 구조를 포함하는 수지 경화물 중에 있어서의 백색 안료의 분산성이 향상되는 경향이 있다.
백색 안료는, 유기물층과 금속 산화물층을 갖는 것이어도 된다. 이 경우, 백색 안료의 표면에, 금속 산화물층 및 유기물층이, 금속 산화물층 및 유기물층의 순서로 형성되는 것이 바람직하다. 백색 안료가 유기물층과 2 층의 금속 산화물층을 갖는 것인 경우, 백색 안료의 표면에, 이산화규소를 포함하는 제 1 금속 산화물층, 산화알루미늄을 포함하는 제 2 금속 산화물층 및 유기물층이, 제 1 금속 산화물층, 제 2 금속 산화물층 및 유기물층의 순서로 형성되는 것이 바람직하다.
수지 경화물 중의 백색 안료의 함유율은, 수지 경화물의 전체량에 대하여, 예를 들어 0.1 질량％ ∼ 2.0 질량％ 인 것이 바람직하고, 0.2 질량％ ∼ 2.0 질량％ 인 것이 보다 바람직하고, 0.2 질량％ ∼ 1.5 질량％ 인 것이 더욱 바람직하고, 0.3 질량％ ∼ 1.5 질량％ 인 것이 특히 바람직하고, 0.4 질량％ ∼ 1.5 질량％ 인 것이 매우 바람직하다.
수지 경화물 중에 있어서, 백색 안료의 적어도 일부는, 일차 입자로서 존재하는 것이 바람직하다. 백색 안료의 적어도 일부가 일차 입자로서 존재함으로써, 파장 변환 부재에 입사된 입사 광의 백색 안료에 의한 산란 효율이 보다 향상되는 경향이 있다.
백색 안료의 적어도 일부가 일차 입자로서 수지 경화물 중에 존재하는지의 여부는, 전자 현미경 관찰에 의해 확인할 수 있다.
백색 안료 및 양자 도트 형광체 이외의 무기물의 함유율은, 수지 경화물의 전체량에 대하여, 0.5 질량％ 이하인 것이 바람직하고, 0.3 질량％ 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.1 질량％ 이하인 것이 더욱 바람직하다. 무기물의 함유율이 0.5 질량％ 이하이면, 백색 안료에 의한 입사 광의 산란 효율의 저하 및 양자 도트 형광체에 의한 발광 효율의 저하가 억제되는 경향이 있다.
(양자 도트 형광체)
수지 경화물은, 양자 도트 형광체를 포함한다. 양자 도트 형광체로는 특별히 제한되지 않고, II-VI 족 화합물, III-V 족 화합물, IV-VI 족 화합물, 및 IV 족 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 포함하는 입자를 들 수 있다. 발광 효율의 관점에서는, 양자 도트 형광체는, Cd 및 In 의 적어도 일방을 포함하는 화합물을 함유하는 것이 바람직하다.
II-VI 족 화합물의 구체예로는, CdSe, CdTe, CdS, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 등을 들 수 있다.
III-V 족 화합물의 구체예로는, GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb, GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP, GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 등을 들 수 있다.
IV-VI 족 화합물의 구체예로는, SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe, SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe, SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 등을 들 수 있다.
IV 족 화합물의 구체예로는, Si, Ge, SiC, SiGe 등을 들 수 있다.
양자 도트 형광체로는, 코어 쉘 구조를 갖는 것이 바람직하다. 코어를 구성하는 화합물의 밴드 갭보다 쉘을 구성하는 화합물의 밴드 갭을 넓게 함으로써, 양자 도트 형광체의 양자 효율을 보다 향상시키는 것이 가능해진다. 코어 및 쉘의 조합 (코어/쉘) 으로는, CdSe/ZnS, InP/ZnS, PbSe/PbS, CdSe/CdS, CdTe/CdS, CdTe/ZnS 등을 들 수 있다.
또, 양자 도트 형광체로는, 쉘이 다층 구조인, 이른바 코어 멀티 쉘 구조를 갖는 것이어도 된다. 밴드 갭이 넓은 코어에 밴드 갭이 좁은 쉘을 1 층 또는 2 층 이상 적층하고, 추가로 이 쉘 위에 밴드 갭이 넓은 쉘을 적층함으로써, 양자 도트 형광체의 양자 효율을 더욱 향상시키는 것이 가능해진다.
수지 경화물은, 1 종류의 양자 도트 형광체를 단독으로 포함하고 있어도 되고, 2 종류 이상의 양자 도트 형광체를 조합하여 포함하고 있어도 된다. 2 종류 이상의 양자 도트 형광체를 조합하여 포함하는 양태로는, 예를 들어 성분은 상이하지만 평균 입자경을 동일하게 하는 양자 도트 형광체를 2 종류 이상 포함하는 양태, 평균 입자경은 상이하지만 성분을 동일하게 하는 양자 도트 형광체를 2 종류 이상 포함하는 양태, 그리고 성분 및 평균 입자경이 상이한 양자 도트 형광체를 2 종류 이상 포함하는 양태를 들 수 있다. 양자 도트 형광체의 성분 및 평균 입자경의 적어도 일방을 변경함으로써, 양자 도트 형광체의 발광 중심 파장을 변경할 수 있다.
예를 들어, 수지 경화물은, 520 ㎚ ∼ 560 ㎚ 의 녹색 파장역에 발광 중심 파장을 갖는 양자 도트 형광체 G 와, 600 ㎚ ∼ 680 ㎚ 의 적색 파장역에 발광 중심 파장을 갖는 양자 도트 형광체 R 을 포함하고 있어도 된다. 양자 도트 형광체 G 와 양자 도트 형광체 R 을 포함하는 수지 경화물을 함유하는 파장 변환 부재에 대하여 430 ㎚ ∼ 480 ㎚ 의 청색 파장역의 여기 광을 조사하면, 양자 도트 형광체 G 및 양자 도트 형광체 R 로부터 각각 녹색 광 및 적색 광이 발광된다. 그 결과, 양자 도트 형광체 G 및 양자 도트 형광체 R 로부터 발광되는 녹색 광 및 적색 광과, 경화물을 투과하는 청색 광에 의해, 백색광을 얻을 수 있다.
또, 수지 경화물 중의 양자 도트 형광체의 함유율은, 수지 경화물의 전체량에 대하여, 예를 들어 0.01 질량％ ∼ 1.0 질량％ 인 것이 바람직하고, 0.05 질량％ ∼ 0.5 질량％ 인 것이 보다 바람직하고, 0.1 질량％ ∼ 0.5 질량％ 인 것이 더욱 바람직하다. 양자 도트 형광체의 함유율이 0.01 질량％ 이상이면, 파장 변환 부재에 여기 광을 조사할 때에 충분한 발광 강도가 얻어지는 경향이 있고, 양자 도트 형광체의 함유율이 1.0 질량％ 이하이면, 양자 도트 형광체의 수지 경화물 중에서의 응집이 억제되는 경향이 있다.
파장 변환 부재의 형상은 특별히 제한되지 않고, 필름상, 렌즈상 등을 들 수 있다. 파장 변환 부재를 후술하는 백라이트 유닛에 적용하는 경우에는, 파장 변환 부재는 필름상인 것이 바람직하다.
파장 변환 부재가 필름상인 경우, 파장 변환 부재의 평균 두께는, 예를 들어 50 ㎛ ∼ 200 ㎛ 인 것이 바람직하고, 50 ㎛ ∼ 150 ㎛ 인 것이 보다 바람직하고, 80 ㎛ ∼ 120 ㎛ 인 것이 더욱 바람직하다. 파장 변환 부재의 평균 두께가 50 ㎛ 이상이면, 파장 변환 효율이 보다 향상되는 경향이 있고, 평균 두께가 200 ㎛ 이하이면, 파장 변환 부재를 후술하는 백라이트 유닛에 적용했을 경우에, 백라이트 유닛을 보다 박형화할 수 있는 경향이 있다.
필름상의 파장 변환 부재의 평균 두께는, 예를 들어 마이크로미터를 사용하여 측정한 임의의 3 군데의 두께의 산술 평균치로서 구해진다.
파장 변환 부재는, 1 종류의 파장 변환용 수지 조성물을 경화시킨 것이어도 되고, 2 종류 이상의 파장 변환용 수지 조성물을 경화시킨 것이어도 된다. 예를 들어, 파장 변환 부재가 필름상인 경우, 파장 변환 부재는, 제 1 양자 도트 형광체를 함유하는 파장 변환용 수지 조성물을 경화시킨 제 1 경화물층과, 제 1 양자 도트 형광체와는 발광 특성이 상이한 제 2 양자 도트 형광체를 함유하는 파장 변환용 수지 조성물을 경화시킨 제 2 경화물층이 적층된 것이어도 된다.
파장 변환 부재는, 파장 변환용 수지 조성물의 도막, 성형체 등을 형성하고, 필요에 따라 건조 처리를 실시한 후, 자외선 등의 활성 에너지선을 조사함으로써 얻을 수 있다. 활성 에너지선의 파장 및 조사량은, 파장 변환용 수지 조성물의 조성에 따라 적절히 설정할 수 있다. 일 양태에서는, 280 ㎚ ∼ 400 ㎚ 의 파장의 자외선을 100 mJ/㎠ ∼ 5000 mJ/㎠ 의 조사량으로 조사한다. 자외선원으로는, 저압 수은등, 중압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 카본 아크등, 메탈 할라이드 램프, 크세논 램프, 케미컬 램프, 블랙 라이트 램프, 마이크로 웨이브 여기 수은등 등을 들 수 있다.
수지 경화물은, 밀착성을 보다 향상시키는 관점에서, 동적 점탄성 측정에 의해 주파수 10 Hz 또한 온도 25 ℃ 의 조건으로 측정한 손실 정접 (tanδ) 이 0.4 ∼ 1.5 인 것이 바람직하고, 0.4 ∼ 1.2 인 것이 보다 바람직하고, 0.4 ∼ 0.6 인 것이 더욱 바람직하다. 수지 경화물의 손실 정접 (tanδ) 은, 동적 점탄성 측정 장치 (예를 들어, Rheometric Scientific 사, Solid Analyzer RSA-III) 를 사용하여 측정할 수 있다.
또, 수지 경화물은, 밀착성, 내열성, 및 내습열성을 보다 향상시키는 관점에서, 유리 전이 온도 (Tg) 가 85 ℃ 이상인 것이 바람직하고, 85 ℃ ∼ 160 ℃ 인 것이 보다 바람직하고, 90 ℃ ∼ 120 ℃ 인 것이 더욱 바람직하다. 수지 경화물의 유리 전이 온도 (Tg) 는, 동적 점탄성 측정 장치 (예를 들어, Rheometric Scientific 사, Solid Analyzer RSA-III) 를 사용하여, 주파수 10 Hz 의 조건으로 측정할 수 있다.
또, 수지 경화물은, 밀착성, 내열성, 및 내습열성을 보다 향상시키는 관점에서, 주파수 10 Hz 또한 온도 25 ℃ 의 조건으로 측정한 저장 탄성률이 1×107 Pa ∼ 1×1010 Pa 인 것이 바람직하고, 5×107 Pa ∼ 1×1010 Pa 인 것이 보다 바람직하고, 5×107 Pa ∼ 5×109 Pa 인 것이 더욱 바람직하다. 수지 경화물의 저장 탄성률은, 동적 점탄성 측정 장치 (예를 들어, Rheometric Scientific 사, Solid Analyzer RSA-III) 를 사용하여 측정할 수 있다.
본 개시의 파장 변환 부재는, 수지 경화물의 적어도 일부를 피복하는 피복재를 갖고 있어도 된다. 예를 들어, 수지 경화물이 필름상인 경우, 필름상의 수지 경화물의 편면 또는 양면이 필름상의 피복재에 의해 피복되어 있어도 된다.
피복재는, 양자 도트 형광체의 발광 효율의 저하를 억제하는 관점에서, 산소 및 물의 적어도 일방에 대한 배리어성을 갖는 것이 바람직하고, 산소 및 물의 양방에 대한 배리어성을 갖는 것이 보다 바람직하다. 산소 및 물의 적어도 일방에 대한 배리어성을 갖는 피복재로는 특별히 제한되지 않고, 무기물층을 갖는 배리어 필름 등의 공지된 피복재를 사용할 수 있다.
피복재가 필름상인 경우, 피복재의 평균 두께는, 예를 들어 100 ㎛ ∼ 150 ㎛ 인 것이 바람직하고, 100 ㎛ ∼ 140 ㎛ 인 것이 보다 바람직하고, 100 ㎛ ∼ 135 ㎛ 인 것이 더욱 바람직하다. 평균 두께가 100 ㎛ 이상이면, 배리어성 등의 기능이 충분한 것이 되는 경향이 있고, 평균 두께가 150 ㎛ 이하이면, 광 투과율의 저하가 억제되는 경향이 있다.
필름상의 피복재의 평균 두께는, 필름상의 파장 변환 부재와 동일하게 하여 구해진다.
피복재의 산소 투과율은, 예를 들어 0.5 mL/(㎡·24 h·atm) 이하인 것이 바람직하고, 0.3 mL/(㎡·24 h·atm) 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.1 mL/(㎡·24 h·atm) 이하인 것이 더욱 바람직하다. 피복재의 산소 투과율은, 산소 투과율 측정 장치 (예를 들어, MOCON 사, OX-TRAN) 를 사용하여, 온도 23 ℃ 또한 상대습도 65 ％ 의 조건으로 측정할 수 있다.
또, 피복재의 수증기 투과율은, 예를 들어 5×10-2 g/(㎡·24 h·Pa) 이하인 것이 바람직하고, 1×10-2 g/(㎡·24 h·Pa) 이하인 것이 보다 바람직하고, 5×10-3 g/(㎡·24 h·Pa) 이하인 것이 더욱 바람직하다. 피복재의 수증기 투과율은, 수증기 투과율 측정 장치 (예를 들어, MOCON 사, AQUATRAN) 를 사용하여, 온도 40 ℃ 또한 상대습도 90 ％ 의 조건으로 측정할 수 있다.
본 개시의 파장 변환 부재는, 광의 이용 효율을 보다 향상시키는 관점에서, 전광선 투과율이 55 ％ 이상인 것이 바람직하고, 60 ％ 이상인 것이 보다 바람직하고, 65 ％ 이상인 것이 더욱 바람직하다. 파장 변환 부재의 전광선 투과율은, JIS K 7136 : 2000 의 측정법에 준거하여 측정할 수 있다.
또, 본 개시의 파장 변환 부재는, 광의 이용 효율을 보다 향상시키는 관점에서, 헤이즈가 95 ％ 이상인 것이 바람직하고, 97 ％ 이상인 것이 보다 바람직하고, 99 ％ 이상인 것이 더욱 바람직하다. 파장 변환 부재의 헤이즈는, JIS K 7136 : 2000 의 측정법에 준거하여 측정할 수 있다.
파장 변환 부재의 개략 구성의 일례를 도 1 에 나타낸다. 단, 본 개시의 파장 변환 부재는 도 1 의 구성에 한정되는 것은 아니다. 또, 도 1 에 있어서의 경화물층 및 피복재의 크기는 개념적인 것으로, 크기의 상대적인 관계는 이것에 한정되지 않는다. 또한, 각 도면에 있어서, 동일한 부재에는 동일한 부호를 부여하고, 중복된 설명은 생략하는 경우가 있다.
도 1 에 나타내는 파장 변환 부재 (10) 는, 필름상의 수지 경화물인 경화물층 (11) 과, 경화물층 (11) 의 양면에 형성된 필름상의 피복재 (12A 및 12B) 를 갖는다. 피복재 (12A) 및 피복재 (12B) 의 종류 및 평균 두께는, 각각 동일하거나 상이해도 된다.
도 1 에 나타내는 구성의 파장 변환 부재는, 예를 들어 이하와 같은 공지된 제조 방법에 의해 제조할 수 있다.
우선, 연속 반송되는 필름상의 피복재 (이하, 「제 1 피복재」라고도 한다.) 의 표면에 후술하는 파장 변환용 수지 조성물을 부여하여, 도막을 형성한다. 파장 변환용 수지 조성물의 부여 방법은 특별히 제한되지 않고, 다이 코팅법, 커튼 코팅법, 익스트루전 코팅법, 로드 코팅법, 롤 코팅법 등을 들 수 있다.
이어서, 파장 변환용 수지 조성물의 도막 위에, 연속 반송되는 필름상의 피복재 (이하, 「제 2 피복재」라고도 한다.) 를 첩합 (貼合) 한다.
이어서, 제 1 피복재 및 제 2 피복재 중 활성 에너지선을 투과할 수 있는 피복재측으로부터 활성 에너지선을 조사함으로써, 도막을 경화시켜, 경화물층을 형성한다. 그 후, 규정된 사이즈로 잘라냄으로써, 도 1 에 나타내는 구성의 파장 변환 부재를 얻을 수 있다.
또한, 제 1 피복재 및 제 2 피복재 모두 활성 에너지선을 투과할 수 없는 경우에는, 제 2 피복재를 첩합하기 전에 도막에 활성 에너지선을 조사하고, 경화물층을 형성해도 된다.
＜백라이트 유닛＞
본 개시의 백라이트 유닛은, 상기 서술한 본 개시의 파장 변환 부재와 광원을 구비한다.
백라이트 유닛으로는, 색재현성을 향상시키는 관점에서, 다파장 광원화된 것이 바람직하다. 바람직한 일 양태로는, 430 ㎚ ∼ 480 ㎚ 의 파장역에 발광 중심 파장을 갖고, 반치폭이 100 ㎚ 이하인 발광 강도 피크를 갖는 청색 광과, 520 ㎚ ∼ 560 ㎚ 의 파장역에 발광 중심 파장을 갖고, 반치폭이 100 ㎚ 이하인 발광 강도 피크를 갖는 녹색 광과, 600 ㎚ ∼ 680 ㎚ 의 파장역에 발광 중심 파장을 갖고, 반치폭이 100 ㎚ 이하인 발광 강도 피크를 갖는 적색 광을 발광하는 백라이트 유닛을 들 수 있다. 또한, 발광 강도 피크의 반치폭이란, 피크 높이의 1/2 의 높이에 있어서의 피크폭을 의미한다.
색재현성을 보다 향상시키는 관점에서, 백라이트 유닛이 발광하는 청색 광의 발광 중심 파장은, 440 ㎚ ∼ 475 ㎚ 의 범위인 것이 바람직하다. 동일한 관점에서, 백라이트 유닛이 발광하는 녹색 광의 발광 중심 파장은, 520 ㎚ ∼ 545 ㎚ 의 범위인 것이 바람직하다. 또, 동일한 관점에서, 백라이트 유닛이 발광하는 적색 광의 발광 중심 파장은, 610 ㎚ ∼ 640 ㎚ 의 범위인 것이 바람직하다.
또, 색재현성을 보다 향상시키는 관점에서, 백라이트 유닛이 발광하는 청색 광, 녹색 광, 및 적색 광의 각 발광 강도 피크의 반치폭은, 모두 80 ㎚ 이하인 것이 바람직하고, 50 ㎚ 이하인 것이 보다 바람직하고, 40 ㎚ 이하인 것이 더욱 바람직하고, 30 ㎚ 이하인 것이 특히 바람직하고, 25 ㎚ 이하인 것이 매우 바람직하다.
백라이트 유닛의 광원으로는, 예를 들어 430 ㎚ ∼ 480 ㎚ 의 파장역에 발광 중심 파장을 갖는 청색 광을 발광하는 광원을 사용할 수 있다. 광원으로는, 예를 들어 LED (Light Emitting Diode) 및 레이저를 들 수 있다. 청색 광을 발광하는 광원을 사용하는 경우, 파장 변환 부재는, 적어도 적색 광을 발광하는 양자 도트 형광체 R 및 녹색 광을 발광하는 양자 도트 형광체 G 를 포함하는 것이 바람직하다. 이로써, 파장 변환 부재로부터 발광되는 적색 광 및 녹색 광과, 파장 변환 부재를 투과한 청색 광에 의해, 백색광을 얻을 수 있다.
또, 백라이트 유닛의 광원으로는, 예를 들어 300 ㎚ ∼ 430 ㎚ 의 파장역에 발광 중심 파장을 갖는 자외광을 발광하는 광원을 사용할 수도 있다. 광원으로는, 예를 들어 LED 및 레이저를 들 수 있다. 자외광을 발광하는 광원을 사용하는 경우, 파장 변환 부재는, 양자 도트 형광체 R 및 양자 도트 형광체 G 와 함께, 여기 광에 의해 여기되어 청색 광을 발광하는 양자 도트 형광체 B 를 포함하는 것이 바람직하다. 이로써, 파장 변환 부재로부터 발광되는 적색 광, 녹색 광, 및 청색 광에 의해, 백색광을 얻을 수 있다.
본 개시의 백라이트 유닛은, 에지 라이트 방식이거나 직하형 방식이어도 된다.
에지 라이트 방식의 백라이트 유닛의 개략 구성의 일례를 도 2 에 나타낸다. 단, 본 개시의 백라이트 유닛은, 도 2 의 구성에 한정되는 것은 아니다. 또, 도 2 에 있어서의 부재의 크기는 개념적인 것으로, 부재간 크기의 상대적인 관계는 이것에 한정되지 않는다.
도 2 에 나타내는 백라이트 유닛 (20) 은, 청색 광 LB 를 출사하는 광원 (21) 과, 광원 (21) 으로부터 출사된 청색 광 LB 를 도광하여 출사시키는 도광판 (22) 과, 도광판 (22) 과 대향 배치되는 파장 변환 부재 (10) 와, 파장 변환 부재 (10) 를 개재하여 도광판 (22) 과 대향 배치되는 재귀 반사성 부재 (23) 와, 도광판 (22) 을 개재하여 파장 변환 부재 (10) 와 대향 배치되는 반사판 (24) 을 구비한다. 파장 변환 부재 (10) 는, 청색 광 LB 의 일부를 여기 광으로서 적색 광 LR 및 녹색 광 LG 를 발광하고, 적색 광 LR 및 녹색 광 LG 와, 여기 광으로 이루어진 청색 광 LB 를 출사한다. 이 적색 광 LR, 녹색 광 LG, 및 청색 광 LB 에 의해, 재귀 반사성 부재 (23) 로부터 백색광 LW 가 출사된다.
＜화상 표시 장치＞
본 개시의 화상 표시 장치는, 상기 서술한 본 개시의 백라이트 유닛을 구비한다. 화상 표시 장치로는 특별히 제한되지 않고, 예를 들어 액정 표시 장치를 들 수 있다.
액정 표시 장치의 개략 구성의 일례를 도 3 에 나타낸다. 단, 본 개시의 액정 표시 장치는, 도 3 의 구성에 한정되는 것은 아니다. 또, 도 3 에 있어서의 부재의 크기는 개념적인 것으로, 부재간 크기의 상대적인 관계는 이것에 한정되지 않는다.
도 3 에 나타내는 액정 표시 장치 (30) 는, 백라이트 유닛 (20) 과, 백라이트 유닛 (20) 과 대향 배치되는 액정 셀 유닛 (31) 을 구비한다. 액정 셀 유닛 (31) 은, 액정 셀 (32) 이 편광판 (33A) 과 편광판 (33B) 의 사이에 배치된 구성으로 된다.
액정 셀 (32) 의 구동 방식은 특별히 제한되지 않고, TN (Twisted Nematic) 방식, STN (Super Twisted Nematic) 방식, VA (Virtical Alig㎚ent) 방식, IPS (In-Plane-Switching) 방식, OCB (Optically Compensated Birefringence) 방식 등을 들 수 있다.
＜파장 변환용 수지 조성물＞
본 개시의 파장 변환용 수지 조성물은, 양자 도트 형광체와, 유기물을 포함하는 유기물층을 표면의 적어도 일부에 갖는 백색 안료를 포함한다. 파장 변환용 수지 조성물은, 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물과, 다관능 티올 화합물과, 광 중합 개시제를 추가로 함유해도 된다.
본 개시의 파장 변환용 수지 조성물에 함유되는 백색 안료는, 표면의 적어도 일부에 유기물을 포함하는 유기물층을 갖는다. 백색 안료의 표면에 유기물이 존재함으로써, 백색 안료와 파장 변환용 수지 조성물에 함유되는 백색 안료 이외의 그 밖의 성분과의 친화성이 향상되기 때문에, 파장 변환용 수지 조성물 중에서의 백색 안료의 분산성이 향상된다. 그 때문에, 백색 안료의 응집 또는 침강이 억제 가능해지는 것으로 추찰된다.
이하, 본 개시의 파장 변환용 수지 조성물에 함유되는 성분에 대하여 상세하게 설명한다.
(양자 도트 형광체)
파장 변환용 수지 조성물은, 양자 도트 형광체를 함유한다. 양자 도트 형광체의 자세한 것은, 파장 변환 부재의 항에서 상세히 서술한 대로이다.
양자 도트 형광체는, 분산 매체에 분산된 양자 도트 형광체 분산액 상태로 사용해도 된다. 양자 도트 형광체를 분산하는 분산 매체로는, 각종 유기 용제 및 단관능 (메트)아크릴레이트 화합물을 들 수 있다. 양자 도트 형광체가 양자 도트 형광체 분산액으로서 사용되는 경우, 필요에 따라 분산제를 사용해도 된다.
분산 매체로서 사용 가능한 유기 용제로는, 물, 아세톤, 아세트산에틸, 톨루엔, n-헥산 등을 들 수 있다.
분산 매체로서 사용 가능한 단관능 (메트)아크릴레이트 화합물로는, 실온 (25 ℃) 에 있어서 액체이면 특별히 한정되는 것은 아니고, 이소보르닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
이들 중에서도, 분산 매체로는, 파장 변환용 수지 조성물을 경화시킬 때에 분산 매체를 휘발시키는 공정이 불필요하게 되는 관점에서, 단관능 (메트)아크릴레이트 화합물인 것이 바람직하고, 지환식 구조를 갖는 단관능 (메트)아크릴레이트 화합물인 것이 보다 바람직하고, 이소보르닐(메트)아크릴레이트 및 디시클로펜타닐(메트)아크릴레이트인 것이 더욱 바람직하고, 이소보르닐(메트)아크릴레이트인 것이 특히 바람직하다.
분산 매체로서 단관능 (메트)아크릴레이트 화합물을 사용하는 경우, 단관능 (메트)아크릴레이트 화합물과 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물의 질량 기준의 함유 비율 (단관능 (메트)아크릴레이트 화합물/다관능 (메트)아크릴레이트 화합물) 은, 0.01 ∼ 0.30 인 것이 바람직하고, 0.02 ∼ 0.20 인 것이 보다 바람직하고, 0.05 ∼ 0.20 인 것이 더욱 바람직하다.
양자 도트 형광체 분산액에서 차지하는 양자 도트 형광체의 질량 기준의 비율은, 1 질량％ ∼ 20 질량％ 인 것이 바람직하고, 1 질량％ ∼ 10 질량％ 인 것이 보다 바람직하다.
파장 변환용 수지 조성물 중의 양자 도트 형광체 분산액의 함유율은, 양자 도트 형광체 분산액에서 차지하는 양자 도트 형광체의 질량 기준의 비율이 1 질량％ ∼ 10 질량％ 인 경우, 파장 변환용 수지 조성물의 전체량에 대하여, 예를 들어 1 질량％ ∼ 10 질량％ 인 것이 바람직하고, 4 질량％ ∼ 10 질량％ 인 것이 보다 바람직하고, 4 질량％ ∼ 7 질량％ 인 것이 더욱 바람직하다.
또, 파장 변환용 수지 조성물 중의 양자 도트 형광체의 함유율은, 파장 변환용 수지 조성물의 전체량에 대하여, 예를 들어 0.01 질량％ ∼ 1.0 질량％ 인 것이 바람직하고, 0.05 질량％ ∼ 0.5 질량％ 인 것이 보다 바람직하고, 0.1 질량％ ∼ 0.5 질량％ 인 것이 더욱 바람직하다. 양자 도트 형광체의 함유율이 0.01 질량％ 이상이면, 경화물에 여기 광을 조사할 때에 충분한 발광 강도가 얻어지는 경향이 있고, 양자 도트 형광체의 함유율이 1.0 질량％ 이하이면, 양자 도트 형광체의 응집이 억제되는 경향이 있다.
(백색 안료)
파장 변환용 수지 조성물은, 유기물을 포함하는 유기물층을 표면의 적어도 일부에 갖는 백색 안료를 함유한다. 백색 안료의 자세한 것은, 파장 변환 부재의 항에서 상세히 서술한 대로이다.
파장 변환용 수지 조성물 중의 백색 안료의 함유율은, 파장 변환용 수지 조성물의 전체량에 대하여, 예를 들어 0.1 질량％ ∼ 2.0 질량％ 인 것이 바람직하고, 0.2 질량％ ∼ 2.0 질량％ 인 것이 보다 바람직하고, 0.2 질량％ ∼ 1.5 질량％ 인 것이 더욱 바람직하고, 0.3 질량％ ∼ 1.5 질량％ 인 것이 특히 바람직하고, 0.4 질량％ ∼ 1.5 질량％ 인 것이 매우 바람직하다.
파장 변환용 수지 조성물 중에 있어서, 백색 안료의 적어도 일부는, 일차 입자로서 존재하는 것이 바람직하다. 백색 안료의 적어도 일부가 일차 입자로서 존재함으로써, 수지 경화물 중에 있어서, 백색 안료의 적어도 일부가 일차 입자로서 존재하기 쉬워지는 경향이 있다. 그 때문에, 파장 변환 부재에 입사된 입사 광의 백색 안료에 의한 산란 효율이 보다 향상되는 경향이 있다.
백색 안료의 적어도 일부가 일차 입자로서 파장 변환용 수지 조성물 중에 존재하는지의 여부는, 전자 현미경 관찰에 의해 확인할 수 있다.
파장 변환용 수지 조성물 중에 있어서, 백색 안료 및 양자 도트 형광체 이외의 무기물의 함유율은, 0.5 질량％ 이하인 것이 바람직하고, 0.2 질량％ 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.1 질량％ 이하인 것이 더욱 바람직하다. 무기물의 함유율이 0.5 질량％ 이하이면, 파장 변환용 수지 조성물로 형성된 파장 변환용 수지 경화물 중에 있어서, 백색 안료에 의한 입사 광의 산란 효율의 저하 및 양자 도트 형광체에 의한 발광 효율의 저하가 억제되는 경향이 있다.
(다관능 (메트)아크릴레이트 화합물)
본 개시의 파장 변환용 수지 조성물은, 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물을 함유해도 된다. 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물은 특별히 한정되는 것은 아니고, 수지 경화물의 내습열성의 관점에서, 지환식 구조를 갖는 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물을 함유하는 것이 바람직하다.
지환식 구조를 갖는 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물은, 골격에 지환식 구조를 갖고, 1 분자 중에 2 개 이상의 (메트)아크릴로일기를 갖는 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물이다. 구체예로는, 트리시클로데칸디메탄올디(메트)아크릴레이트, 시클로헥산디메탄올디(메트)아크릴레이트, 1,3-아다만탄디메탄올디(메트)아크릴레이트, 수소 첨가 비스페놀 A (폴리)에톡시디(메트)아크릴레이트, 수소 첨가 비스페놀 A (폴리)프로폭시디(메트)아크릴레이트, 수소 첨가 비스페놀 F (폴리)에톡시디(메트)아크릴레이트, 수소 첨가 비스페놀 F (폴리)프로폭시디(메트)아크릴레이트, 수소 첨가 비스페놀 S (폴리)에톡시디(메트)아크릴레이트, 수소 첨가 비스페놀 S (폴리)프로폭시디(메트)아크릴레이트 등의 지환식 (메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
파장 변환용 수지 조성물의 내습열성을 보다 향상시키는 관점에서, 지환식 구조를 갖는 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물에 포함되는 지환식 구조가 트리시클로데칸 골격을 포함하는 것이 바람직하다. 지환식 구조가 트리시클로데칸 골격을 포함하는 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물로는, 트리시클로데칸디메탄올디(메트)아크릴레이트인 것이 바람직하다.
파장 변환용 수지 조성물은, 골격에 지환식 구조를 갖지 않는 그 밖의 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물을 포함해도 된다. 그 밖의 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물의 구체예로는, 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리메틸올프로판디아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 1,4-부탄디올디아크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디아크릴레이트, 디트리메틸올프로판테트라아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트, 트리스(β-하이드록시에틸)이소시아누레이트의 트리아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 트리메틸올프로판디메타크릴레이트, 트리메틸올프로판트리메타크릴레이트, 1,4-부탄디올디메타크릴레이트, 1,6-헥산디올디메타크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디메타크릴레이트, 디트리메틸올프로판테트라메타크릴레이트, 펜타에리트리톨트리메타크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라메타크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사메타크릴레이트, 트리스(β-하이드록시에틸)이소시아누레이트의 트리메타크릴레이트 등을 들 수 있다.
파장 변환용 수지 조성물 중의 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물의 함유율은, 파장 변환용 수지 조성물의 전체량에 대하여, 예를 들어 60 질량％ ∼ 90 질량％ 인 것이 바람직하고, 70 질량％ ∼ 85 질량％ 인 것이 보다 바람직하다. 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물의 함유율이 상기 범위에 있는 경우, 경화물의 내습열성이 보다 향상되는 경향이 있다.
파장 변환용 수지 조성물은, 1 종류의 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물을 단독으로 함유하고 있어도 되고, 2 종류 이상의 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물을 조합하여 함유하고 있어도 된다.
다관능 (메트)아크릴레이트 화합물에서 차지하는 지환식 구조를 갖는 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물의 질량 기준의 비율은, 60 질량％ ∼ 100 질량％ 인 것이 바람직하고, 70 질량％ ∼ 100 질량％ 인 것이 보다 바람직하고, 80 질량％ ∼ 100 질량％ 인 것이 더욱 바람직하다.
(티올 화합물)
파장 변환용 수지 조성물은, 다관능 티올 화합물을 함유해도 된다. 파장 변환용 수지 조성물이 다관능 티올 화합물을 함유함으로써, 파장 변환용 수지 조성물이 경화될 때에 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물과 다관능 티올 화합물의 사이에서 엔티올 반응이 진행되어, 경화물의 밀착성이 보다 향상되는 경향이 있다. 또, 파장 변환용 수지 조성물이 다관능 티올 화합물을 함유함으로써, 경화물의 광학 특성이 보다 향상되는 경향이 있다.
또한, (메트)알릴 화합물과 티올 화합물을 함유하는 조성물은 보존 안정성이 열등한 경우가 많지만, 본 개시의 파장 변환용 수지 조성물은 다관능 티올 화합물을 함유함에도 불구하고 보존 안정성이 우수하다. 이것은, 파장 변환용 수지 조성물이 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물을 함유하기 때문으로 추측된다.
다관능 티올 화합물의 구체예로는, 에틸렌글리콜비스(3-메르캅토프로피오네이트), 디에틸렌글리콜비스(3-메르캅토프로피오네이트), 테트라에틸렌글리콜비스(3-메르캅토프로피오네이트), 1,2-프로필렌글리콜비스(3-메르캅토프로피오네이트), 디에틸렌글리콜비스(3-메르캅토부티레이트), 1,4-부탄디올비스(3-메르캅토프로피오네이트), 1,4-부탄디올비스(3-메르캅토부티레이트), 1,8-옥탄디올비스(3-메르캅토프로피오네이트), 1,8-옥탄디올비스(3-메르캅토부티레이트), 헥산디올비스티오글리콜레이트, 트리메틸올프로판트리스(3-메르캅토프로피오네이트), 트리메틸올프로판트리스(3-메르캅토부티레이트), 트리메틸올프로판트리스(3-메르캅토이소부티레이트), 트리메틸올프로판트리스(2-메르캅토이소부티레이트), 트리메틸올프로판트리스티오글리콜레이트, 트리스-[(3-메르캅토프로피오닐옥시)-에틸]-이소시아누레이트, 트리메틸올에탄트리스(3-메르캅토부티레이트), 펜타에리트리톨테트라키스(3-메르캅토프로피오네이트), 펜타에리트리톨테트라키스(3-메르캅토부티레이트), 펜타에리트리톨테트라키스(3-메르캅토이소부티레이트), 펜타에리트리톨테트라키스(2-메르캅토이소부티레이트), 디펜타에리트리톨헥사키스(3-메르캅토프로피오네이트), 디펜타에리트리톨헥사키스(2-메르캅토프로피오네이트), 디펜타에리트리톨헥사키스(3-메르캅토부티레이트), 디펜타에리트리톨헥사키스(3-메르캅토이소부티레이트), 디펜타에리트리톨헥사키스(2-메르캅토이소부티레이트), 펜타에리트리톨테트라키스티오글리콜레이트, 디펜타에리트리톨헥사키스티오글리콜레이트 등을 들 수 있다.
또, 다관능 티올 화합물은, 미리 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물과 반응한 티오에테르 올리고머 상태여도 된다.
티오에테르 올리고머는, 다관능 티올 화합물과 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물을 중합 개시제의 존재하에서 부가 중합시킴으로써 얻을 수 있다. 티오에테르 올리고머를 부가 중합에 의해 얻는 경우, 원료가 되는 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물의 (메트)아크릴로일기의 당량수에 대한 다관능 티올 화합물의 티올기의 당량수의 비율 (티올기의 당량수/(메트)아크릴로일기의 당량수) 은, 예를 들어 3.0 ∼ 3.3 인 것이 바람직하고, 3.0 ∼ 3.2 인 것이 보다 바람직하고, 3.05 ∼ 3.15 인 것이 더욱 바람직하다.
티오에테르 올리고머의 중량 평균 분자량은, 예를 들어 3000 ∼ 10000 인 것이 바람직하고, 3000 ∼ 8000 인 것이 보다 바람직하고, 4000 ∼ 6000 인 것이 더욱 바람직하다.
또한, 티오에테르 올리고머의 중량 평균 분자량은, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (GPC) 를 사용하여 측정되는 분자량 분포로부터 표준 폴리스티렌의 검량선을 사용하여 환산하여 구해진다.
또, 티오에테르 올리고머의 티올 당량은, 예를 들어 200 g/eq ∼ 400 g/eq 인 것이 바람직하고, 250 g/eq ∼ 350 g/eq 인 것이 보다 바람직하고, 250 g/eq ∼ 270 g/eq 인 것이 더욱 바람직하다.
또한, 티오에테르 올리고머의 티올 당량은, 이하와 같은 요오드 적정법에 의해 측정할 수 있다.
측정 시료 0.2 g 을 정밀 칭량하고, 이것에 클로로포름 20 mL 를 첨가하여 시료 용액으로 한다. 전분 지시약으로서 가용성 전분 0.275 g 을 30 g 의 순수에 용해시킨 것을 사용하고, 순수 20 mL, 이소프로필알코올 10 mL, 및 전분 지시약 1 mL 를 첨가하여 스터러로 교반한다. 요오드 용액을 적하하여, 클로로포름층이 녹색을 나타낸 점을 종점으로 한다. 이 때 하기 식으로 부여되는 값을, 측정 시료의 티올 당량으로 한다.
티올 당량 (g/eq) = 측정 시료의 질량 (g) × 10000/요오드 용액의 적정량 (mL) × 요오드 용액의 팩터
파장 변환용 수지 조성물은, 1 분자 중에 1 개의 티올기를 갖는 단관능 티올 화합물을 함유해도 된다.
단관능 티올 화합물의 구체예로는, 헥산티올, 1-헵탄티올, 1-옥탄티올, 1-노난티올, 1-데칸티올, 3-메르캅토프로피온산, 메르캅토프로피온산메틸, 메르캅토프로피온산메톡시부틸, 메르캅토프로피온산옥틸, 메르캅토프로피온산트리데실, 2-에틸헥실-3-메르캅토프로피오네이트, n-옥틸-3-메르캅토프로피오네이트 등을 들 수 있다.
파장 변환용 수지 조성물 중의 티올 화합물 (다관능 티올 화합물 및 단관능 티올 화합물의 합계) 의 함유율은, 파장 변환용 수지 조성물의 전체량에 대하여, 예를 들어 5 질량％ ∼ 40 질량％ 인 것이 바람직하고, 10 질량％ ∼ 30 질량％ 인 것이 보다 바람직하고, 15 질량％ ∼ 25 질량％ 인 것이 더욱 바람직하다. 이 경우, 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물과의 엔티올 반응에 의해, 경화물이 더욱 치밀한 가교 구조를 형성하여, 내습열성이 보다 향상되는 경향이 있다.
다관능 티올 화합물 및 단관능 티올 화합물의 합계에서 차지하는 다관능 티올 화합물의 질량 기준의 비율은, 60 질량％ ∼ 100 질량％ 인 것이 바람직하고, 70 질량％ ∼ 100 질량％ 인 것이 보다 바람직하고, 80 질량％ ∼ 100 질량％ 인 것이 더욱 바람직하다.
다관능 (메트)아크릴레이트 화합물과 다관능 티올 화합물의 질량 기준의 함유 비율 (다관능 (메트)아크릴레이트 화합물/다관능 티올 화합물) 은, 0.5 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 0.5 ∼ 8.0 인 것이 보다 바람직하고, 0.5 ∼ 6.0 인 것이 더욱 바람직하다.
(광 중합 개시제)
파장 변환용 수지 조성물은, 광 중합 개시제를 함유해도 된다. 광 중합 개시제로는 특별히 제한되지 않고, 구체예로서 자외선 등의 활성 에너지선의 조사에 의해 라디칼을 발생하는 화합물을 들 수 있다.
광 중합 개시제의 구체예로는, 벤조페논, N,N'-테트라알킬-4,4'-디아미노벤조페논, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부타논-1, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노-프로파논-1, 4,4'-비스(디메틸아미노)벤조페논 (「미힐러케톤」이라고도 칭해진다), 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논, 4-메톡시-4'-디메틸아미노벤조페논, 1-하이드록시시클로헥실페닐케톤, 1-(4-이소프로필페닐)-2-하이드록시-2-메틸프로판-1-온, 1-(4-(2-하이드록시에톡시)-페닐)-2-하이드록시-2-메틸-1-프로판-1-온, 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온 등의 방향족 케톤 화합물 ; 알킬안트라퀴논, 페난트렌퀴논 등의 퀴논 화합물 ; 벤조인, 알킬벤조인 등의 벤조인 화합물 ; 벤조인알킬에테르, 벤조인페닐에테르 등의 벤조인에테르 화합물 ; 벤질디메틸 케탈 등의 벤질 유도체 ; 2-(o-클로로페닐)-4,5-디페닐이미다졸 2 량체, 2-(o-클로로페닐)-4,5-디(m-메톡시페닐)이미다졸 2 량체, 2-(o-플루오로페닐)-4,5-디페닐이미다졸 2 량체, 2-(o-메톡시페닐)-4,5-디페닐이미다졸 2 량체, 2,4-디(p-메톡시페닐)-5-페닐이미다졸 2 량체, 2-(2,4-디메톡시페닐)-4,5-디페닐이미다졸 2 량체 등의 2,4,5-트리아릴이미다졸 2 량체 ; 9-페닐아크리딘, 1,7-(9,9'-아크리디닐)헵탄 등의 아크리딘 유도체 ; 1,2-옥탄디온1-[4-(페닐티오)-2-(O-벤조일옥심)], 에타논1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심) 등의 옥심에스테르 화합물 ; 7-디에틸아미노-4-메틸쿠마린 등의 쿠마린 화합물 ; 2,4-디에틸티오크산톤 등의 티오크산톤 화합물 ; 2,4,6-트리메틸벤조일-디페닐-포스핀옥사이드, 2,4,6-트리메틸벤조일-페닐-에톡시-포스핀옥사이드 등의 아실포스핀옥사이드 화합물 ; 등을 들 수 있다. 파장 변환용 수지 조성물은, 1 종류의 광 중합 개시제를 단독으로 함유하고 있어도 되고, 2 종류 이상의 광 중합 개시제를 조합하여 함유하고 있어도 된다.
광 중합 개시제로는, 경화성의 관점에서, 아실포스핀옥사이드 화합물, 방향족 케톤 화합물, 및 옥심에스테르 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 바람직하고, 아실포스핀옥사이드 화합물 및 방향족 케톤 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 보다 바람직하고, 아실포스핀옥사이드 화합물이 더욱 바람직하다.
파장 변환용 수지 조성물 중의 광 중합 개시제의 함유율은, 파장 변환용 수지 조성물의 전체량에 대하여, 예를 들어 0.1 질량％ ∼ 5 질량％ 인 것이 바람직하고, 0.1 질량％ ∼ 3 질량％ 인 것이 보다 바람직하고, 0.5 질량％ ∼ 1.5 질량％ 인 것이 더욱 바람직하다. 광 중합 개시제의 함유율이 0.1 질량％ 이상이면, 파장 변환용 수지 조성물의 감도가 충분한 것이 되는 경향이 있고, 광 중합 개시제의 함유율이 5 질량％ 이하이면, 파장 변환용 수지 조성물의 색상에 대한 영향 및 보존 안정성의 저하가 억제되는 경향이 있다.
(액상 매체)
파장 변환용 수지 조성물은, 액상 매체를 함유하지 않거나 또는 액상 매체의 함유율이 0.5 질량％ 이하인 것이 바람직하다. 액상 매체란, 실온 (25 ℃) 에 있어서 액체 상태의 매체를 말한다.
액상 매체의 구체예로는, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸-n-프로필케톤, 메틸이소프로필케톤, 메틸-n-부틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 메틸-n-펜틸케톤, 메틸-n-헥실케톤, 디에틸케톤, 디프로필케톤, 디이소부틸케톤, 트리메틸노나논, 시클로헥사논, 시클로펜타논, 메틸시클로헥사논, 2,4-펜탄디온, 아세토닐아세톤 등의 케톤 용제 ; 디에틸에테르, 메틸에틸에테르, 메틸-n-프로필에테르, 디이소프로필에테르, 테트라하이드로푸란, 메틸테트라하이드로푸란, 디옥산, 디메틸디옥산, 에틸렌글리콜디메틸에테르, 에틸렌글리콜디에틸에테르, 에틸렌글리콜디-n-프로필에테르, 에틸렌글리콜디-n-부틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸-n-프로필에테르, 디에틸렌글리콜메틸-n-부틸에테르, 디에틸렌글리콜디-n-프로필에테르, 디에틸렌글리콜디-n-부틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸-n-헥실에테르, 트리에틸렌글리콜디메틸에테르, 트리에틸렌글리콜디에틸에테르, 트리에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 트리에틸렌글리콜메틸-n-부틸에테르, 트리에틸렌글리콜디-n-부틸에테르, 트리에틸렌글리콜메틸-n-헥실에테르, 테트라에틸렌글리콜디메틸에테르, 테트라에틸렌글리콜디에틸에테르, 테트라에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 테트라에틸렌글리콜메틸-n-부틸에테르, 테트라에틸렌글리콜디-n-부틸에테르, 테트라에틸렌글리콜메틸-n-헥실에테르, 프로필렌글리콜디메틸에테르, 프로필렌글리콜디에틸에테르, 프로필렌글리콜디-n-프로필에테르, 프로필렌글리콜디-n-부틸에테르, 디프로필렌글리콜디메틸에테르, 디프로필렌글리콜디에틸에테르, 디프로필렌글리콜메틸에틸에테르, 디프로필렌글리콜메틸-n-부틸에테르, 디프로필렌글리콜디-n-프로필에테르, 디프로필렌글리콜디-n-부틸에테르, 디프로필렌글리콜메틸-n-헥실에테르, 트리프로필렌글리콜디메틸에테르, 트리프로필렌글리콜디에틸에테르, 트리프로필렌글리콜메틸에틸에테르, 트리프로필렌글리콜메틸-n-부틸에테르, 트리프로필렌글리콜디-n-부틸에테르, 트리프로필렌글리콜메틸-n-헥실에테르, 테트라프로필렌글리콜디메틸에테르, 테트라프로필렌글리콜디에틸에테르, 테트라프로필렌글리콜메틸에틸에테르, 테트라프로필렌글리콜메틸-n-부틸에테르, 테트라프로필렌글리콜디-n-부틸에테르, 테트라프로필렌글리콜메틸-n-헥실에테르 등의 에테르 용제 ; 프로필렌카보네이트, 에틸렌카보네이트, 디에틸카보네이트 등의 카보네이트 용제 ; 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산n-프로필, 아세트산이소프로필, 아세트산n-부틸, 아세트산이소부틸, 아세트산sec-부틸, 아세트산n-펜틸, 아세트산sec-펜틸, 아세트산3-메톡시부틸, 아세트산메틸펜틸, 아세트산2-에틸부틸, 아세트산2-에틸헥실, 아세트산2-(2-부톡시에톡시)에틸, 아세트산벤질, 아세트산시클로헥실, 아세트산메틸시클로헥실, 아세트산노닐, 아세토아세트산메틸, 아세토아세트산에틸, 아세트산디에틸렌글리콜메틸에테르, 아세트산디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 아세트산디프로필렌글리콜메틸에테르, 아세트산디프로필렌글리콜에틸에테르, 디아세트산글리콜, 아세트산메톡시트리에틸렌글리콜, 프로피온산에틸, 프로피온산n-부틸, 프로피온산이소아밀, 옥살산디에틸, 옥살산디-n-부틸, 락트산메틸, 락트산에틸, 락트산n-부틸, 락트산n-아밀, 에틸렌글리콜메틸에테르프로피오네이트, 에틸렌글리콜에틸에테르프로피오네이트, 에틸렌글리콜메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜프로필에테르아세테이트, γ-부티로락톤, γ-발레로락톤 등의 에스테르 용제 ; 아세토니트릴, N-메틸피롤리디논, N-에틸피롤리디논, N-프로필피롤리디논, N-부틸피롤리디논, N-헥실피롤리디논, N-시클로헥실피롤리디논, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, 디메틸술폭시드 등의 비프로톤성 극성 용제 ; 메탄올, 에탄올, n-프로판올, 이소프로판올, n-부탄올, 이소부탄올, sec-부탄올, t-부탄올, n-펜탄올, 이소펜탄올, 2-메틸부탄올, sec-펜탄올, t-펜탄올, 3-메톡시부탄올, n-헥산올, 2-메틸펜탄올, sec-헥산올, 2-에틸부탄올, sec-헵탄올, n-옥탄올, 2-에틸헥산올, sec-옥탄올, n-노닐알코올, n-데칸올, sec-운데실알코올, 트리메틸노닐알코올, sec-테트라데실알코올, sec-헵타데실알코올, 시클로헥산올, 메틸시클로헥산올, 벤질알코올, 에틸렌글리콜, 1,2-프로필렌글리콜, 1,3-부틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 트리프로필렌글리콜 등의 알코올 용제 ; 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노페닐에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노-n-부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노-n-헥실에테르, 트리에틸렌글리콜모노에틸에테르, 테트라에틸렌글리콜모노-n-부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르, 트리프로필렌글리콜모노메틸에테르 등의 글리콜모노에테르 용제 ; 테르피넨, 테르피네올, 미르센, 알로오시멘, 리모넨, 디펜텐, 피넨, 카르본, 오시멘, 페란드렌 등의 테르펜 용제 ; 디메틸 실리콘 오일, 메틸페닐 실리콘 오일, 메틸하이드로젠 실리콘 오일 등의 스트레이트 실리콘 오일 ; 아미노 변성 실리콘 오일, 에폭시 변성 실리콘 오일, 카르복시 변성 실리콘 오일, 카르비놀 변성 실리콘 오일, 메르캅토 변성 실리콘 오일, 이종 관능기 변성 실리콘 오일, 폴리에테르 변성 실리콘 오일, 메틸스티릴 변성 실리콘 오일, 친수성 특수 변성 실리콘 오일, 고급 알콕시 변성 실리콘 오일, 고급 지방산 변성 실리콘 오일, 불소 변성 실리콘 오일 등의 변성 실리콘 오일 ; 부탄산, 펜탄산, 헥산산, 헵탄산, 옥탄산, 노난산, 데칸산, 운데칸산, 도데칸산, 트리데칸산, 테트라데칸산, 펜타데칸산, 헥사데칸산, 헵타데칸산, 옥타데칸산, 노나데칸산, 이코산산, 에이코센산 등의 탄소수 4 이상의 포화 지방족 모노카르복실산 ; 올레산, 엘라이딘산, 리놀레산, 팔미톨레산 등의 탄소수 8 이상의 불포화 지방족 모노카르복실산 ; 등을 들 수 있다. 파장 변환용 수지 조성물이 액상 매체를 함유하는 경우, 1 종류의 액상 매체를 단독으로 함유하고 있어도 되고, 2 종류 이상의 액상 매체를 조합하여 함유하고 있어도 된다.
(그 밖의 성분)
파장 변환용 수지 조성물은, 중합 금지제, 실란 커플링제, 계면 활성제, 밀착 부여제, 산화 방지제 등의 그 밖의 성분을 추가로 함유하고 있어도 된다. 파장 변환용 수지 조성물은, 그 밖의 성분의 각각에 대하여, 1 종류를 단독으로 함유하고 있어도 되고, 2 종류 이상을 조합하여 함유하고 있어도 된다.
또, 파장 변환용 수지 조성물은, 필요에 따라 (메트)알릴 화합물을 함유해도 된다.
(파장 변환용 수지 조성물의 조제 방법)
파장 변환용 수지 조성물은, 백색 안료 및 양자 도트 형광체 그리고 필요에 따라 사용되는 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물, 다관능 티올 화합물, 광 중합 개시제 및 그 밖의 성분을 통상적인 방법에 의해 혼합함으로써 조제할 수 있다. 양자 도트 형광체는, 액상 매체에 분산시킨 상태로 혼합하는 것이 바람직하다.
(파장 변환용 수지 조성물의 용도)
파장 변환용 수지 조성물은, 필름 형성에 바람직하게 사용 가능하다. 또, 파장 변환용 수지 조성물은, 파장 변환 부재의 형성에 바람직하게 사용 가능하다.
＜파장 변환용 수지 경화물＞
본 개시의 파장 변환용 수지 경화물은, 본 개시의 파장 변환용 수지 조성물의 경화물이다. 파장 변환용 수지 조성물의 경화 조건은, 특별히 한정되는 것은 아니고, 일 양태에서는, 280 ㎚ ∼ 400 ㎚ 의 파장의 자외선을 100 mJ/㎠ ∼ 5000 mJ/㎠ 의 조사량으로 조사한다. 자외선원으로는, 저압 수은등, 중압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 카본 아크등, 메탈 할라이드 램프, 크세논 램프, 케미컬 램프, 블랙 라이트 램프, 마이크로 웨이브 여기 수은등 등을 들 수 있다.
파장 변환용 수지 경화물에 대한 동적 점탄성 측정에 의해 측정된 유리 전이 온도는, 85 ℃ 이상인 것이 바람직하고, 85 ℃ ∼ 160 ℃ 인 것이 보다 바람직하고, 90 ℃ ∼ 120 ℃ 인 것이 더욱 바람직하다.
본 개시의 파장 변환용 수지 경화물은, 파장 변환 부재의 구성 요소로서 적용 가능하다.
실시예
이하, 본 발명을 실시예에 의해 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.
＜실시예 1 ∼ 3 및 비교예 1 ∼ 3＞
(파장 변환용 수지 조성물의 조제)
표 1 에 나타내는 각 성분을 동 표에 나타내는 배합량 (단위 : 질량부) 으로 혼합함으로써, 실시예 1 ∼ 3 및 비교예 1 ∼ 3 의 파장 변환용 수지 조성물을 각각 조제하였다. 표 1 중의 「-」은 미배합을 의미한다.
또한, 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물로는, 트리시클로데칸디메탄올디아크릴레이트 (신나카무라 화학 공업 주식회사, A-DCP) 를 사용하였다.
또, 다관능 티올 화합물로는, 펜타에리트리톨테트라키스(3-메르캅토프로피오네이트) (SC 유기 화학 주식회사, PEMP) 를 사용하였다.
또, 광 중합 개시제로는, 2,4,6-트리메틸벤조일-디페닐-포스핀옥사이드 (BASF 사, IRGACURE TPO) 를 사용하였다.
또, 양자 도트 형광체 IBOA (이소보르닐아크릴레이트) 분산액으로는, CdSe/ZnS (코어/쉘) 분산액 (Nanosys 사, Gen3.5 QD Concentrate) 을 사용하였다. 이 CdSe/ZnS (코어/쉘) 분산액의 분산 매체로는, 이소보르닐아크릴레이트를 사용하였다. CdSe/ZnS (코어/쉘) 분산액 중에, 이소보르닐아크릴레이트가 90 질량％ 이상 함유되어 있다.
또 백색 안료 또는 무기 입자 등의 입자로는,
R-706 (Chemours 사, 타이 퓨어 R-706, 재질 : 루틸형 산화티탄, 입경 : 0.36 ㎛, 표면 처리 : 유기 폴리올),
R-105 (Chemours 사, 타이 퓨어 R-105, 재질 : 루틸형 산화티탄, 입경 : 0.31 ㎛, 표면 처리 : 유기 실란),
R-900 (Chemours 사, 타이 퓨어 R-900, 재질 : 루틸형 산화티탄, 입경 : 0.31 ㎛, 표면 처리 : 없음),
SO-C5 (주식회사 아도마텍스, 아도마파인 SO-C5, 재질 : 실리카, 입경 : 1.3 ∼ 1.7 ㎛, 표면 처리 : 없음), 및
MX40T (소켄 화학 주식회사, MX40T, 재질 : 아크릴, 입경 : 0.4 ㎛, 표면 처리 : 없음) 를 사용하였다.
Figure 112020032282115-pct00001
(파장 변환 부재의 제조)
상기에서 얻어진 각 파장 변환용 수지 조성물을 평균 두께 125 ㎛ 의 배리어 필름 (다이닛폰 인쇄 주식회사) (피복재) 위에 도포하여 도막을 형성하였다. 이 도막 위에 두께 125 ㎛ 의 배리어 필름 (다이닛폰 인쇄 주식회사) (피복재) 를 첩합하고, 자외선 조사 장치 (아이그래픽스 주식회사) 를 사용하여 자외선을 조사 (조사량 : 1000 mJ/㎠) 함으로써, 파장 변환용 수지 경화물을 포함하는 경화물층의 양면에 피복재가 배치된 파장 변환 부재를 각각 얻었다. 경화물층의 평균 두께는 100 ㎛ 였다.
＜평가＞
실시예 1 ∼ 3 및 비교예 1 ∼ 3 에서 얻어진 파장 변환용 수지 조성물 및 파장 변환 부재를 사용하여, 이하의 각 평가 항목을 측정 및 평가하였다. 결과를 표 2 에 나타낸다.
(휘도)
상기에서 얻어진 각 파장 변환 부재를, 폭 100 ㎜, 길이 100 ㎜ 의 치수로 재단한 평가용 파장 변환 부재에 대하여 휘도계 PR-655 (포토 리서치사) 를 사용하여 휘도를 측정하였다. 휘도계는, 상부에 광학 특성을 인식하는 카메라 유닛이 설치되고, 렌즈 아래의 지점에, 블랙 마스크, BEF (휘도 상승 필름) 판, 확산판, LED 광원을 갖고, BEF 판과 확산판의 사이에 측정 샘플을 세트하여, 휘도를 측정하였다.
(외관)
상기에서 얻어진 각 파장 변환용 수지 조성물을 50 mL 스크루관에 30 g 취하여, 25 ℃, 24 시간 후의 각 파장 변환용 수지 조성물의 외관을 육안으로 확인하였다.
그리고, 이하의 평가 기준에 따라, 각 파장 변환용 수지 조성물의 외관을 평가하였다.
-평가 기준-
○ : 변화 없음
× : 입자의 침강 있음
Figure 112020032282115-pct00002
표 2 로부터 분명한 바와 같이, 양자 도트 형광체와, 유기물을 포함하는 유기물층을 표면의 적어도 일부에 갖는 백색 안료를 함유하는 파장 변환용 수지 조성물로 제조된 파장 변환 부재는, 비교예 1 ∼ 3 의 파장 변환용 수지 조성물로 제조된 파장 변환 부재와 비교하여, 휘도가 우수하였다. 또, 양자 도트 형광체와, 유기물을 포함하는 유기물층을 표면의 적어도 일부에 갖는 백색 안료를 함유하는 파장 변환용 수지 조성물은, 유기물층을 갖지 않는 백색 안료를 함유하는 비교예 1 또는 2 의 파장 변환용 수지 조성물과 비교하여 백색 안료의 침전이 잘 생기지 않는 것을 알 수 있다.
본 명세서에 기재된 모든 문헌, 특허 출원, 및 기술 규격은, 개개의 문헌, 특허 출원, 및 기술 규격이 참조에 의해 받아들여지는 것이 구체적이고 또한 개개에 기재된 경우와 동일한 정도로, 본 명세서 중에 참조에 의해 받아들여진다.

Claims (38)

  1. 양자 도트 형광체와, 유기물을 포함하는 유기물층을 표면의 적어도 일부에 갖는 백색 안료와, 상기 양자 도트 형광체 및 상기 백색 안료를 포함하는 수지 경화물을 함유하고,
    상기 수지 경화물이, 지환식 구조와 술파이드 구조를 포함하는 파장 변환 부재.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 백색 안료가, 금속 산화물을 포함하는 금속 산화물층을 표면의 적어도 일부에 갖는 파장 변환 부재.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 백색 안료의 표면에, 상기 금속 산화물층 및 상기 유기물층이, 상기 금속 산화물층 및 상기 유기물층의 순서로 형성되는 파장 변환 부재.
  4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 금속 산화물층이, 이산화규소를 포함하는 제 1 금속 산화물층 및 산화알루미늄을 포함하는 제 2 금속 산화물층을 갖는 파장 변환 부재.
  5. 양자 도트 형광체와, 유기물을 포함하는 유기물층을 표면의 적어도 일부에 갖는 백색 안료와, 상기 양자 도트 형광체 및 상기 백색 안료를 포함하는 수지 경화물을 함유하고,
    상기 백색 안료가, 금속 산화물을 포함하는 금속 산화물층을 표면의 적어도 일부에 갖고,
    상기 금속 산화물층이, 이산화규소를 포함하는 제 1 금속 산화물층 및 산화알루미늄을 포함하는 제 2 금속 산화물층을 갖는 파장 변환 부재.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 백색 안료의 표면에, 상기 금속 산화물층 및 상기 유기물층이, 상기 금속 산화물층 및 상기 유기물층의 순서로 형성되는 파장 변환 부재.
  7. 제 1 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 유기물이, 폴리올 및 유기 실란의 적어도 일방을 포함하는 파장 변환 부재.
  8. 제 1 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 백색 안료의 함유율이, 상기 수지 경화물의 전체량에 대하여, 0.1 질량％ ∼ 2.0 질량％ 인 파장 변환 부재.
  9. 제 1 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 백색 안료가, 산화티탄을 포함하는 파장 변환 부재.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 산화티탄이, 루틸형 산화티탄을 포함하는 파장 변환 부재.
  11. 제 1 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 백색 안료의 평균 입자경이, 0.1 ㎛ ∼ 1 ㎛ 인 파장 변환 부재.
  12. 제 1 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 백색 안료의 적어도 일부가, 입자로서 존재하는 파장 변환 부재.
  13. 제 1 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 백색 안료 및 상기 양자 도트 형광체 이외의 무기물의 함유율이, 상기 수지 경화물의 전체량에 대하여, 0.5 질량％ 이하인 파장 변환 부재.
  14. 제 1 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 양자 도트 형광체가, Cd 및 In 의 적어도 일방을 포함하는 화합물을 함유하는 파장 변환 부재.
  15. 제 1 항 또는 제 5 항에 있어서,
    필름상인 파장 변환 부재.
  16. 제 1 항 또는 제 5 항에 있어서,
    화상 표시용인 파장 변환 부재.
  17. 제 1 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 수지 경화물의 적어도 일부를 피복하는 피복재를 갖는 파장 변환 부재.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 피복재가, 산소 및 물의 적어도 일방에 대한 배리어성을 갖는 파장 변환 부재.
  19. 제 1 항 또는 제 5 항에 기재된 파장 변환 부재와, 광원을 구비하는 백라이트 유닛.
  20. 제 19 항에 기재된 백라이트 유닛을 구비하는 화상 표시 장치.
  21. 양자 도트 형광체와, 유기물을 포함하는 유기물층을 표면의 적어도 일부에 갖는 백색 안료와, 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물과, 다관능 티올 화합물과, 광 중합 개시제를 함유하고,
    상기 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물이, 지환식 구조를 갖는 파장 변환용 수지 조성물.
  22. 양자 도트 형광체와, 유기물을 포함하는 유기물층을 표면의 적어도 일부에 갖는 백색 안료를 포함하고,
    액상 매체를 함유하지 않거나 또는 액상 매체의 함유율이 0.5 질량％ 이하인 파장 변환용 수지 조성물.
  23. 제 21 항 또는 제 22 항에 있어서,
    상기 백색 안료가, 금속 산화물을 포함하는 금속 산화물층을 표면의 적어도 일부에 갖는 파장 변환용 수지 조성물.
  24. 제 23 항에 있어서,
    상기 백색 안료의 표면에, 상기 금속 산화물층 및 상기 유기물층이, 상기 금속 산화물층 및 상기 유기물층의 순서로 형성되는 파장 변환용 수지 조성물.
  25. 양자 도트 형광체와, 유기물을 포함하는 유기물층을 표면의 적어도 일부에 갖는 백색 안료를 포함하고,
    상기 백색 안료가, 금속 산화물을 포함하는 금속 산화물층을 표면의 적어도 일부에 갖고,
    상기 금속 산화물층이, 이산화규소를 포함하는 제 1 금속 산화물층 및 산화알루미늄을 포함하는 제 2 금속 산화물층을 갖는 파장 변환용 수지 조성물.
  26. 제 25 항에 있어서,
    상기 백색 안료의 표면에, 상기 금속 산화물층 및 상기 유기물층이, 상기 금속 산화물층 및 상기 유기물층의 순서로 형성되는 파장 변환용 수지 조성물.
  27. 제 22 항 또는 제 25 항에 있어서,
    다관능 (메트)아크릴레이트 화합물과, 다관능 티올 화합물과, 광 중합 개시제를 함유하는 파장 변환용 수지 조성물.
  28. 제 21 항, 제 22 항 또는 제 25 항에 있어서,
    상기 유기물이, 폴리올 및 유기 실란의 적어도 일방을 포함하는 파장 변환용 수지 조성물.
  29. 제 21 항, 제 22 항 또는 제 25 항에 있어서,
    상기 백색 안료의 함유율이, 0.1 질량％ ∼ 2.0 질량％ 인 파장 변환용 수지 조성물.
  30. 제 21 항, 제 22 항 또는 제 25 항에 있어서,
    상기 백색 안료가, 산화티탄을 포함하는 파장 변환용 수지 조성물.
  31. 제 30 항에 있어서,
    상기 산화티탄이, 루틸형 산화티탄을 포함하는 파장 변환용 수지 조성물.
  32. 제 21 항, 제 22 항 또는 제 25 항에 있어서,
    상기 백색 안료의 평균 입자경이, 0.1 ㎛ ∼ 1 ㎛ 인 파장 변환용 수지 조성물.
  33. 제 21 항, 제 22 항 또는 제 25 항에 있어서,
    상기 백색 안료의 적어도 일부가, 입자로서 존재하는 파장 변환용 수지 조성물.
  34. 제 21 항, 제 22 항 또는 제 25 항에 있어서,
    상기 백색 안료 및 상기 양자 도트 형광체 이외의 무기물의 함유율이, 0.5 질량％ 이하인 파장 변환용 수지 조성물.
  35. 제 21 항, 제 22 항 또는 제 25 항에 있어서,
    상기 양자 도트 형광체가, Cd 및 In 의 적어도 일방을 포함하는 화합물을 함유하는 파장 변환용 수지 조성물.
  36. 제 21 항, 제 22 항 또는 제 25 항에 있어서,
    필름 형성에 사용되는 파장 변환용 수지 조성물.
  37. 제 21 항, 제 22 항 또는 제 25 항에 있어서,
    파장 변환 부재의 형성에 사용되는 파장 변환용 수지 조성물.
  38. 제 21 항, 제 22 항 또는 제 25 항에 기재된 파장 변환용 수지 조성물의 경화물인 파장 변환용 수지 경화물.
KR1020207008945A 2017-09-29 2017-09-29 파장 변환 부재, 백라이트 유닛, 화상 표시 장치, 파장 변환용 수지 조성물 및 파장 변환용 수지 경화물 KR102225709B1 (ko)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2017/035726 WO2019064590A1 (ja) 2017-09-29 2017-09-29 波長変換部材、バックライトユニット、画像表示装置、波長変換用樹脂組成物及び波長変換用樹脂硬化物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200064073A KR20200064073A (ko) 2020-06-05
KR102225709B1 true KR102225709B1 (ko) 2021-03-09

Family

ID=65902737

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020207008945A KR102225709B1 (ko) 2017-09-29 2017-09-29 파장 변환 부재, 백라이트 유닛, 화상 표시 장치, 파장 변환용 수지 조성물 및 파장 변환용 수지 경화물

Country Status (6)

Country Link
US (2) US11061278B2 (ko)
JP (1) JP6782419B2 (ko)
KR (1) KR102225709B1 (ko)
CN (2) CN112180488A (ko)
TW (1) TW201921738A (ko)
WO (1) WO2019064590A1 (ko)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019064589A1 (ja) * 2017-09-29 2019-04-04 日立化成株式会社 波長変換部材、バックライトユニット、画像表示装置、波長変換用樹脂組成物及び波長変換用樹脂硬化物
JP6782419B2 (ja) * 2017-09-29 2020-11-11 昭和電工マテリアルズ株式会社 波長変換部材、バックライトユニット、画像表示装置、波長変換用樹脂組成物及び波長変換用樹脂硬化物
KR20200070481A (ko) * 2018-12-07 2020-06-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2021206703A1 (en) * 2020-04-08 2021-10-14 E Ink California, Llc Quantum dot film
JP2021015284A (ja) * 2020-10-15 2021-02-12 昭和電工マテリアルズ株式会社 波長変換部材、バックライトユニット、画像表示装置、波長変換用樹脂組成物及び波長変換用樹脂硬化物
WO2022208663A1 (ja) * 2021-03-30 2022-10-06 昭和電工マテリアルズ株式会社 波長変換部材、バックライトユニット、画像表示装置及び硬化性組成物
CN114058269B (zh) * 2021-11-29 2023-09-01 镭昱光电科技(苏州)有限公司 量子点光固化胶水及其制备方法、显示装置

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001166104A (ja) 1999-09-28 2001-06-22 Fuji Photo Film Co Ltd 反射防止膜、偏光板、及びそれを用いた画像表示装置
JP2006106503A (ja) 2004-10-07 2006-04-20 Dainippon Printing Co Ltd カラーフィルター用硬化性樹脂組成物、カラーフィルター、液晶パネル、及び樹脂硬化膜と無機材料薄膜の積層体の製造方法
JP2007119310A (ja) 2005-10-28 2007-05-17 Fujifilm Corp 無機微粒子、これを用いた分散液、コーティング組成物、光学フィルム、偏光板および画像表示装置
JP2014032216A (ja) 2012-08-01 2014-02-20 3M Innovative Properties Co 反射防止ハードコートおよび反射防止物品
JP2014078380A (ja) 2012-10-10 2014-05-01 Konica Minolta Inc 白色エレクトロルミネッセンスデバイス
JP2015228415A (ja) 2014-05-30 2015-12-17 富士フイルム株式会社 波長変換部材、バックライトユニット、偏光板、液晶パネル、および液晶表示装置
JP2017124632A (ja) 2010-03-23 2017-07-20 株式会社朝日ラバー 可撓性反射基材、その製造方法及びその反射基材に用いる原材料組成物
JP2017165860A (ja) 2016-03-16 2017-09-21 大日本印刷株式会社 光波長変換組成物、光波長変換部材、光波長変換シート、バックライト装置、および画像表示装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1089093B1 (en) 1999-09-28 2008-04-02 FUJIFILM Corporation Anti-reflection film, polarizing plate comprising the same, and image display device using the anti-reflection film or the polarizing plate
US7473673B2 (en) * 2006-03-07 2009-01-06 Conopco, Inc. Hydrophilic structured bar compositions comprising individually coated flat platy particles, each having surface deposition chemistry mechanism
DE102007053770A1 (de) * 2007-11-12 2009-05-14 Merck Patent Gmbh Beschichtete Leuchtstoffpartikel mit Brechungsindex-Anpassung
EP3540300B1 (en) 2010-11-10 2024-05-08 Shoei Chemical Inc. Quantum dot films, lighting devices, and lighting methods
EP2721652B1 (en) * 2011-06-20 2019-05-08 Crystalplex Corporation Quantum dot containing light module
WO2014004801A1 (en) * 2012-06-29 2014-01-03 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. Optical waveguide, method of manufacturing thereof, and polymeric composition
EP2943527A1 (en) * 2013-01-08 2015-11-18 SABIC Global Technologies B.V. Polymer light armature
JP2016008662A (ja) * 2014-06-24 2016-01-18 日本精工株式会社 転がり軸受の組立方法、及び転がり軸受
WO2016052625A1 (ja) 2014-09-30 2016-04-07 富士フイルム株式会社 バックライトユニット、液晶表示装置、波長変換部材、および光硬化性組成物
JP2017537351A (ja) * 2014-11-17 2017-12-14 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー チオール−アルケンマトリクスを有する量子ドット物品
JP5996053B1 (ja) * 2015-07-21 2016-09-21 古河電気工業株式会社 電子デバイス封止用硬化性吸湿性樹脂組成物、樹脂硬化物、電子デバイス、樹脂硬化物の製造方法および電子デバイスの製造方法
JP2017078120A (ja) * 2015-10-20 2017-04-27 富士フイルム株式会社 重合性組成物、重合物、波長変換部材、バックライトユニット、および液晶表示装置
JP6864986B2 (ja) * 2016-01-20 2021-04-28 株式会社メイワパックス 包装袋
JP6261710B2 (ja) 2016-12-06 2018-01-17 富士フイルム株式会社 導光板、これを含むバックライトユニットおよび液晶表示装置
JP6782419B2 (ja) * 2017-09-29 2020-11-11 昭和電工マテリアルズ株式会社 波長変換部材、バックライトユニット、画像表示装置、波長変換用樹脂組成物及び波長変換用樹脂硬化物

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001166104A (ja) 1999-09-28 2001-06-22 Fuji Photo Film Co Ltd 反射防止膜、偏光板、及びそれを用いた画像表示装置
JP2006106503A (ja) 2004-10-07 2006-04-20 Dainippon Printing Co Ltd カラーフィルター用硬化性樹脂組成物、カラーフィルター、液晶パネル、及び樹脂硬化膜と無機材料薄膜の積層体の製造方法
JP2007119310A (ja) 2005-10-28 2007-05-17 Fujifilm Corp 無機微粒子、これを用いた分散液、コーティング組成物、光学フィルム、偏光板および画像表示装置
JP2017124632A (ja) 2010-03-23 2017-07-20 株式会社朝日ラバー 可撓性反射基材、その製造方法及びその反射基材に用いる原材料組成物
JP2014032216A (ja) 2012-08-01 2014-02-20 3M Innovative Properties Co 反射防止ハードコートおよび反射防止物品
JP2014078380A (ja) 2012-10-10 2014-05-01 Konica Minolta Inc 白色エレクトロルミネッセンスデバイス
JP2015228415A (ja) 2014-05-30 2015-12-17 富士フイルム株式会社 波長変換部材、バックライトユニット、偏光板、液晶パネル、および液晶表示装置
JP2017165860A (ja) 2016-03-16 2017-09-21 大日本印刷株式会社 光波長変換組成物、光波長変換部材、光波長変換シート、バックライト装置、および画像表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2019064590A1 (ja) 2019-04-04
US20210292643A1 (en) 2021-09-23
CN111183376A (zh) 2020-05-19
JP6782419B2 (ja) 2020-11-11
KR20200064073A (ko) 2020-06-05
CN112180488A (zh) 2021-01-05
US20200241361A1 (en) 2020-07-30
JPWO2019064590A1 (ja) 2020-08-13
TW201921738A (zh) 2019-06-01
US11061278B2 (en) 2021-07-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102225709B1 (ko) 파장 변환 부재, 백라이트 유닛, 화상 표시 장치, 파장 변환용 수지 조성물 및 파장 변환용 수지 경화물
JP7120279B2 (ja) 波長変換部材、バックライトユニット、画像表示装置、波長変換用樹脂組成物及び波長変換用樹脂硬化物
US20210040383A1 (en) Wavelength conversion member, backlight unit, image display device and curable composition
KR20200138248A (ko) 파장 변환 부재, 백 라이트 유닛, 화상 표시 장치, 경화성 조성물 및 경화물
KR20200135972A (ko) 파장 변환 부재, 백 라이트 유닛, 및 화상 표시 장치
KR20200135974A (ko) 파장 변환 부재, 백 라이트 유닛, 및 화상 표시 장치
JP6658990B1 (ja) 波長変換部材、バックライトユニット、画像表示装置及び硬化性組成物
JP6702515B2 (ja) 波長変換部材、バックライトユニット、画像表示装置及び硬化性組成物
KR20210137043A (ko) 파장 변환 부재, 백 라이트 유닛, 화상 표시 장치 및 파장 변환용 수지 조성물
WO2019189497A1 (ja) 波長変換部材、バックライトユニット、画像表示装置及び硬化性組成物
KR20200138251A (ko) 파장 변환 부재, 백 라이트 유닛, 화상 표시 장치 및 경화성 조성물
JP2021015284A (ja) 波長変換部材、バックライトユニット、画像表示装置、波長変換用樹脂組成物及び波長変換用樹脂硬化物
WO2021084603A1 (ja) 波長変換用樹脂組成物、波長変換用樹脂硬化物、波長変換部材、バックライトユニット及び画像表示装置
WO2019186730A1 (ja) 波長変換部材、バックライトユニット、画像表示装置及び硬化性組成物
CN113557457A (zh) 波长转换构件、背光单元和图像显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant