CN102983125B - Led封装、其制作方法及包含其的led系统 - Google Patents
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- CN102983125B CN102983125B CN201210492577.XA CN201210492577A CN102983125B CN 102983125 B CN102983125 B CN 102983125B CN 201210492577 A CN201210492577 A CN 201210492577A CN 102983125 B CN102983125 B CN 102983125B
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 64
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 140
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 63
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 27
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 21
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 9
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 7
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 3
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 abstract description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract description 3
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 18
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 18
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 8
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 230000006578 abscission Effects 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000011514 reflex Effects 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 2
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229960001866 silicon dioxide Drugs 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
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Abstract
本发明提供了一种LED封装、其制作方法及包含其的LED系统。该LED封装包括：柔性封装主体；筒状的杯体，中部形成容纳腔体，杯体封装在柔性封装主体内，将柔性封装主体分成位于容纳腔体内的内封装体和位于容纳腔体外的外封装体；图形化的导电层，包括沿柔性封装主体的底面延伸的主体导电部以及沿杯体的侧面和顶面延伸的连接导电部；LED芯片，设置在容纳腔体内，并与导电层电连接，LED芯片由内封装体封装。上述LED封装不具有硬质基板，节约了LED封装的制作成本；整个LED封装的主体为柔性封装主体，具有可挠性，便于安装在弯曲平面或柔性表面上；而且，导电层与散热元件的表面可直接接触大大改善了热传导效果。
Description
技术领域
本发明涉及半导体封装领域，具体而言，涉及一种LED封装、其制作方法及包含其的LED系统。
背景技术
如图1所示，目前的LED封装100’具有硬质基板400’，并且将电路元件6’与LED封装100’一起固定在硬质基板400’上作为LED系统使用。为了实现有效的热传导，一般硬质基板400’与散热元件的表面贴合。随着半导体照明应用的发展，散热元件的表面不仅仅是平面，还出现了弯曲表面。但是，由于硬质基板的存在使得LED封装不易弯曲，进而在很大程度上限制了其在LED封装领域的应用。
发明内容
本发明旨在提供一种LED封装、其制作方法及包含其的LED系统，能够将LED封装安装于弯曲表面或柔性表面。
为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种LED封装，LED封装包括：柔性封装主体；筒状的杯体，中部形成容纳腔体，杯体封装在柔性封装主体内，将柔性封装主体分成位于容纳腔体内的内封装体和位于容纳腔体外的外封装体；图形化的导电层，包括沿柔性封装主体的底面延伸的主体导电部以及沿杯体的侧面和顶面延伸的连接导电部；LED芯片，设置在容纳腔体内，并与导电层电连接，LED芯片由内封装体封装。
进一步地，上述杯体为一个，LED芯片为一个或多个，且至少一个LED芯片设置在杯体的容纳腔体内；或杯体为多个，LED芯片为多个，且各杯体的容纳腔体内设置有至少一个LED芯片。
进一步地，上述杯体的杯壁由下向上逐渐收缩，且杯壁的内壁的倾斜角α为30°≤α≤90°。
进一步地，上述LED封装还包括电路元件，电路元件封装在柔性封装主体的外封装体内并与导电层电连接。
进一步地，上述LED封装还包括电路元件，导电层的部分主体导电部封装在杯体的杯壁内，至少部分电路元件设在杯体的杯壁内并与导电层电连接。
进一步地，上述导电层的朝向柔性封装主体外部的表面上设置有保护层。
进一步地，形成上述导电层的材料选自金属、导电化合物和混有导电物质的高分子材料中的任一种；导电层为：单层导电层；或多层导电层和绝缘层交替形成的导电层，且多层导电层电连接。
进一步地，上述电路元件包括控制电路元件和/或驱动电路元件。
根据本发明的另一方面，还提供了一种LED系统，该LED系统包括：LED封装，为上述的LED封装，荧光粉层，设置在LED封装的杯体上方；透镜，设置在荧光粉层的上方。
进一步地，上述LED封装的柔性封装主体的上表面为平面，荧光粉层包括：载体，内部具有腔体，载体的下表面为与柔性封装主体的上表面贴合的平面，且导电层与载体固定连接；荧光粉区，设置在载体的腔体内，并与LED封装的杯体所围成的区域正对，透镜设置在荧光粉区的上方。
根据本发明的又一方面，还提供了一种LED封装的制作方法，该制作方法包括：A、在硬质基板的上表面上设置杯体和导电层；B、在位于杯体内的硬质基板上设置LED芯片，并将LED芯片与导电层电连接；C、将杯体、LED芯片和导电层封装在柔性封装主体中；以及D、将硬质基板从柔性封装主体上去除，形成LED封装。
进一步地，上述步骤A包括：A1、在硬质基板的上表面上设置杯体；A2、在杯体和硬质基板形成的腔体的表面、杯体的顶面、至少部分杯体的外表面以及位于杯体外围的硬质基板的至少部分上表面上制备导电层，并对导电层进行图形化处理。
进一步地，上述步骤B还包括在硬质基板的位于杯体外围的上表面上设置电路元件，并将电路元件与导电层电连接；步骤C还包括将电路元件封装在柔性封装主体中。
进一步地，上述步骤A包括：A1’、在硬质基板上设置导电层的主体导电部，并对主体导电部进行图形化处理；A2’、在主体导电部上设置杯体；A3’、在杯体的内表面、顶面以及至少部分外表面上设置导电层的连接导电部，并对连接导电部进行图形化处理，连接导电部与主体导电部连接。
进一步地，上述步骤A2’还包括：A21’、在主体导电部上设置电路元件，并将电路元件与主体导电部电连接；A22’、在主体导电部上设置杯体，部分电路元件被封装在杯体内。
进一步地，上述步骤A采用模塑方法形成杯体；步骤C采用模塑方法形成柔性封装主体。
进一步地，上述步骤D采用化学腐蚀法或机械剥离法或辐照法去除硬质基板。
进一步地，上述制作方法在步骤D之后还包括采用电镀法或化学镀法在导电层的裸露的表面上制备惰性保护层。
应用本发明的LED封装，不存在现有技术中的硬质基板，节约了LED封装的制作成本；整个LED封装的主体为柔性封装主体，因此具有可挠性，便于安装在弯曲平面或柔性表面上；而且，除去硬质基板后导电层与散热元件的表面可直接接触，使得从LED封装向散热元件的热传导过程中，由原来的热量从导电层传导到硬质基板再从硬质基板传导到散热元件表面至少两次热传导过程变为直接从导电层传导到散热元件表面的一次热传导过程，大大改善了热传导效果；而且，现有技术中的LED封装的硬质基板为金属印刷电路板时，在导电层与金属印刷电路板之间需要布置绝缘导热薄层，而本发明由于省去了硬质基板，因此不需要布置绝缘导热薄层，进一步节约了LED封装的制作成本。同时，上述的图形化的导电层不仅可以用来布置电路，而且还可用来反射LED芯片发射出的光线成为反射层。
附图说明
构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1示出了现有技术中的LED封装的结构示意图；
图2示出了根据本发明一种优选的实施例中的LED封装的剖视图；
图3示出了根据本发明图2所示的LED封装的立体结构示意图；
图4示出了包含图2所示的LED封装的LED系统结构示意图；
图5示出了根据本发明另一种优选的实施例中的LED封装的剖视图；
图6示出了根据本发明图5所示的LED封装的立体结构示意图；以及
图7示出了包含图5所示的LED封装的LED系统结构示意图。
具体实施方式
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。
如图2所示，在本发明一种典型的实施方式中，提供了一种LED封装，该LED封装包括柔性封装主体1、筒状的杯体2、图形化的导电层4和LED芯片3，杯体2的中部形成容纳腔体，杯体2封装在柔性封装主体1内，将柔性封装主体1分成位于容纳腔体内的内封装体和位于容纳腔体外的外封装体；图形化的导电层4包括沿柔性封装主体1的底面延伸的主体导电部以及沿杯体2的侧面和顶面延伸的连接导电部；LED芯片3设置在容纳腔体内，并与导电层4电连接，LED芯片3由内封装体封装。
具有上述结构的LED封装，不存在现有技术中的硬质基板，节约了LED封装的制作成本；整个LED封装的主体为柔性封装主体1，因此具有可挠性，便于安装在弯曲平面或柔性表面上；而且，除去硬质基板后导电层4与散热元件的表面可直接接触，使得从LED封装向散热元件的热传导过程中，由原来的热量从导电层传导到硬质基板再从硬质基板传导到散热元件表面至少两次热传导过程变为直接从导电层传导到散热元件表面的一次热传导过程，大大改善了热传导效果；而且，现有技术中的LED封装的硬质基板为金属印刷电路板时，在导电层与金属印刷电路板之间需要布置绝缘导热薄层，而本发明由于省去了硬质基板，因此不需要布置绝缘导热薄层，进一步节约了LED封装的制作成本。同时，上述的图形化的导电层4不仅可以用来布置电路，而且还可用来反射LED芯片3发射出的光线成为反射层，同时导电层4在应用时还用来接通外界电路。
上述LED封装的杯体2为一个，LED芯片3为一个或多个，且至少一个LED芯片3设置在杯体2的容纳腔体内；或杯体2为多个，LED芯片3为多个，且各杯体2的容纳腔体内设置有至少一个LED芯片3。无论杯体2为一个还是多个，杯体2的容纳腔体内都设置有至少一个LED芯片3以实现较好的发光性能。
上述的LED封装用高分子材料可以选用LED封装领域常用的硅树脂、环氧树脂和塑料，透明的LED封装用高分子材料可以选用LED封装领域常用的透明的硅树脂，保证了LED芯片所发出的光线能够发射出去。LED芯片3和导电层4的电连接方式包括但不限于引线键合连接，也可以使用倒装焊、回流焊等技术。
如图2所示，杯体2的杯壁由下向上逐渐收缩，且杯壁的内壁的倾斜角α为30°≤α<90°。杯体2设置为如图2所示的形状，便于杯体2的制作以及在其上设置的导电层4的制作。
如图2和图3所示，在本发明一种优选的实施例中，上述LED封装还包括电路元件6，电路元件6封装在柔性封装主体1的外封装体内并与导电层4电连接。将电路元件6与LED芯片3一起封装所得到的LED封装可以直接使用，无需后续的LED芯片3和电路元件6的集成与组装，大大简化了LED封装的制作工艺流程，有利于降低成本。电路元件6和导电层4的电连接方式包括但不限于引线键合连接，也可以使用倒装焊、回流焊等技术。
如图5和6所示，在本发明的另一种优选的实施例中，LED封装还包括电路元件6，导电层4的部分主体导电部封装在杯体2的杯壁内，至少部分电路元件6设在杯体2的杯壁内并与导电层4电连接。将电路元件6封装在杯体2的杯壁内，不仅进一步减小了封装面积，而且，所得到的LED封装可以直接使用，无需后续的LED芯片3和电路元件6的集成与组装，大大简化了LED封装的制作工艺流程，有利于降低成本；同时，LED芯片3和电路元件6远离设置，能够有效地避免工作时LED芯片和电路元件6产生的热量过于集中难于散热的问题，保证了LED封装的稳定工作。
如图2和图3所示，导电层4的朝向柔性封装主体1外部的表面上设置有保护层7。设置的保护层7可以有效地防止导电层4裸露的部分被氧化，并提供可靠的对外电连接区域。
形成上述导电层4的材料选自金属、导电化合物和混有导电物质的高分子材料中的任一种；导电层4为单层导电层；或多层导电层和绝缘层交替形成的导电层，且多层导电层电连接。本领域技术人员可以根据实际需求，将导电层4设置为单层结构还是多层导电层和绝缘层交替形成的导电层。
上述LED封装的电路元件6包括控制电路元件和/或驱动电路元件。如果LED封装仅仅用作简单的照明产品，可以采用驱动电路元件通过稳流、调整电流，以实现出光亮度的调整；如果LED封装需要实现某些控制功能，如控制电流的时域模式或频率模式对驱动电路进行控制，指示驱动电路调整或改变LED中的电流，可以采用逻辑控制电路元件或智能控制元件以实现相应的功能。
如图4和图7所示，在本发明另一种典型的实施方式中，还提供了一种LED系统，LED系统包括LED封装100、荧光粉层200和透镜300，其中LED封装100为上述的LED封装，荧光粉层200设置在LED封装100的杯体2上方；透镜300设置在荧光粉层200的上方。
本发明的LED封装的LED芯片3由于被封装在柔性封装主体1内，因此，将其与荧光粉层200组合时，荧光粉层200与LED芯片3相互隔离，避免了在工作时LED芯片3发出的热量被荧光粉层200吸收造成荧光粉层200的温度过高，造成LED系统的光效降低的问题。
如图4和图7所示，在本发明另一种优选的实施例中，LED封装100的柔性封装主体1的上表面为平面，荧光粉层200包括载体201和荧光粉区202，载体201内部具有腔体，载体201的下表面为与柔性封装主体1的上表面贴合的平面，且导电层4与载体201固定连接；荧光粉区202设置在载体201的腔体内，并与LED封装100的杯体2所围成的区域正对，透镜300设置在荧光粉区202的上方。
上述实施例中载体201主要是作为荧光粉区202的承载物而设置，只要是适应于LED封装的材料都可作为形成载体201的原料，而且出于出光效果的考虑，载体201的设置不能妨碍光线透过荧光粉区202，因此载体201为透明的载体或将载体201的腔体设置为连通载体201上表面和下表面的通孔。荧光粉区202设置在载体201上形成荧光粉层200，然后直接将其与LED封装100组装在一起，提高了LED系统的制作效率。
在本发明又一种典型的实施方式中，还提供了一种LED封装的制作方法，该制作方法包括：A、在硬质基板的上表面上设置杯体2和导电层4；B、在位于杯体2内的硬质基板上设置LED芯片3，并将LED芯片3与导电层4电连接；C、将杯体2、LED芯片3和导电层4封装在柔性封装主体1中；以及D、将硬质基板从柔性封装主体1上去除，形成LED封装。
采用上述制作方法制作LED封装，不仅制作方法简单，有利于LED封装的批量制作。上述导电层4的制作方法包括但不限于溅射法、蒸发法、电镀法。可用于本发明的硬质基板包括但不限于硅基板、玻璃基板、陶瓷基板、金属基板。可以采用光刻结合湿法腐蚀、光刻结合干法腐蚀、压掩模对导电层4进行图形化或直接淀积图形化的金属层。
在本发明又一种优选的实施例中，上述制作方法的步骤A包括：A1、在硬质基板的上表面上设置杯体2；A2、在杯体2和硬质基板形成的腔体的表面、杯体2的顶面、至少部分杯体2的外表面以及位于杯体2外围的硬质基板的至少部分上表面上制备导电层4，并对导电层4进行图形化处理。保证了杯体2的内表面上设置有导电层4进而起到对LED芯片3发出的光起到反射作用。
为了进一步简化制作具有多种功能的LED封装的制作方法，优选上述制作方法的步骤B还包括在硬质基板的位于杯体2外围的上表面上设置电路元件6，并将电路元件6与导电层4电连接；步骤C还包括将电路元件6封装在柔性封装主体1中。采用将电路元件6与LED芯片3同时封装在柔性封装主体1内，通过简单的封装方法即可得到多种功能叠加的LED封装。
在本发明又一种优选的实施例中，上述制作方法的步骤A包括：A1’、在硬质基板上设置导电层4的主体导电部，并对主体导电部进行图形化处理；A2’、在主体导电部上设置杯体2；A3’、在杯体2的内表面、顶面以及至少部分外表面上设置导电层4的连接导电部，并对连接导电部进行图形化处理，连接导电部与主体导电部连接。在杯体2的内表面设置导电层4的连接导电部，实现了对LED芯片3发射出的光的反射作用，进而提高了LED封装的光效；而且，前后设置的主体导电部和连接导电部相互连接形成导电层4不仅有利于在柔性封装主体1内继续封装更多的元件，而且，也有利于通过导电层4与外部的电路或导热装置相连接。
为了进一步减少LED封装的封装面积，优选上述制作方法的步骤A2’还包括：A21’、在主体导电部上设置电路元件6，并将电路元件6与主体导电部电连接；A22’、在主体导电部上设置杯体2，部分电路元件6被封装在杯体2内。
在本发明又一种优选的实施例中，上述步骤A采用模塑方法形成杯体2；步骤C采用模塑方法形成柔性封装主体1。本领域技术人员采用现有的模塑方法即可得到本发明的杯体2和柔性封装主体1，因此，可以利用现有模塑设备以及工艺制作本发明的杯体2和柔性封装主体1，不需要引进新的模塑设备并开发新的工艺，从而节约了LED封装的制作成本。
在LED封装的制作过程中，上述步骤D采用化学腐蚀法或机械剥离法或辐照法去除硬质基板。当采用辐照法去除硬质基板时，可以在硬质基板的表面上涂覆一层脱离层，形成该脱离层的材料可以为在特定温度下或光线照射下粘附力降低的材料，比如热释放胶（thermalrelease adhesive）和紫外照射释放胶（UV-tape）；或在特定化学环境下分解，比如可以被碱性溶液腐蚀的光刻胶等，或者可以被酸性溶液腐蚀的氧化硅等。当采用机械剥离法或辐照法去除的硬质基板由于在剥离过程中没有收到破坏，因此可以重复利用，进一步节约了LED封装的制作成本。
为了有效地避免在储存、销售或运输过程中，导电层4裸露在LED封装外部的部分被氧化，优选上述制作方法在步骤D之后还包括采用电镀法或化学镀法在导电层4的裸露的表面上制备惰性保护层7。
以下将结合实施例，进一步说明本发明的有益效果。
实施例1
采用硅基板作为制作LED系统的硬质基板，在硅基板上涂覆一层光刻胶AZ9260，并在150°下烘烤30分钟，采用OE6550硅树脂为原料在该光刻胶层上模塑出杯体，杯体的内壁的倾斜角为45°，按照如图3所示的LED封装的示意图采用溅射法制作铝导电层，并采用压掩模法对所制作的铝导电层进行图形化处理；采用LED粘结胶将四个蓝色LED芯片固定在位于杯体内的铝导电层上，且四个蓝色LED芯片串联，并采用引线键合的方式将LED芯片与铝导电层电连接；采用LED粘结胶将IL9910驱动芯片、电阻和电容设置在杯体外围的铝导电层上，并采用引线键合的方式将驱动电路元件与铝导电层电连接；以OE6550硅树脂为原料采用模塑法将杯体、LED芯片、铝导电层以及电路元件之间的孔隙填充形成柔性封装主体；将一体连接的柔性封装主体和硬质基板在40%的KOH溶液中浸泡60分钟后，适当施加外力使硬质基板从柔性封装主体的下表面分离，得到LED封装。
同时，在硅基板上模塑出中间具有空腔的载体，该空腔的横截面大于杯体的下部开口的面积，在该空腔内采用丝网印刷技术填充荧光粉形成荧光粉区，从而得到荧光粉层。
将荧光粉层的荧光粉区域与LED封装的杯体所围成的区域对正，采用LED粘结胶将荧光粉层和LED封装固定，在荧光粉区的上方固定硅胶透镜，得到实施例1的LED系统。
实施例2
采用硅基板作为制作LED系统的硬质基板，在硅基板上涂覆一层光刻胶AZ9260，并在150°下烘烤30分钟。然后在该光刻胶层上溅射形成单层的第一铝导电层，并采用光刻结合湿法腐蚀对第一铝导电层进行图形化处理；采用LED粘结胶将IL9910驱动芯片、OB235X系列控制芯片、电阻、电容固定在第一铝导电层上，该IL9910驱动芯片、OB235X系列控制芯片和部分电阻、电容设置在欲设置杯体的位置，并采用引线键合的方式与第一铝导电层电连接；在第一铝导电层上模塑出杯体，将驱动电路封装在杯体的杯壁内；按照如图6所示在杯体的表面上溅射形成第二铝导电层，并对第二铝导电层进行图形化；采用LED粘结胶将四个蓝色LED芯片固定在位于杯体围成的区域内的第一铝导电层上，四个蓝色LED芯片串联，并采用引线键合的方式将LED芯片与铝导电层电连接；以OE6550硅树脂为原料采用模塑法将杯体、LED芯片、第一铝导电层、第二铝导电层以及电路元件之间的孔隙填充形成柔性封装主体；将一体连接的柔性封装主体和硬质基板在40%的KOH溶液中浸泡60分钟后，适当施加外力使硬质基板从柔性封装主体的下表面分离，得到LED封装。
同时，在硅基板上模塑出中间具有空腔的载体，该空腔的横截面大于杯体的下部开口的面积，在该空腔内采用丝网印刷技术填充荧光粉形成荧光粉区，从而得到荧光粉层。
将荧光粉层的荧光粉区域与LED封装的杯体所围成的区域对正，采用LED粘结胶将荧光粉层和LED封装固定，在荧光粉区的上方固定硅胶透镜，得到实施例2的LED系统。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (16)
1.一种LED封装，其特征在于，所述LED封装包括：
柔性封装主体(1)；
筒状的杯体(2)，中部形成容纳腔体，所述杯体(2)封装在所述柔性封装主体(1)内，将所述柔性封装主体(1)分成位于所述容纳腔体内的内封装体和位于所述容纳腔体外的外封装体；
图形化的导电层(4)，包括沿所述柔性封装主体(1)的底面延伸的主体导电部以及沿所述杯体(2)的侧面和顶面延伸的连接导电部；
LED芯片(3)，设置在所述容纳腔体内，并与所述导电层(4)电连接，所述LED芯片(3)由所述内封装体封装，
所述LED封装还包括电路元件(6)，所述电路元件(6)封装在所述柔性封装主体(1)的所述外封装体内并与所述导电层(4)电连接；或者
所述LED封装还包括电路元件(6)，所述导电层(4)的部分主体导电部封装在所述杯体(2)的杯壁内，至少部分所述电路元件(6)设在所述杯体(2)的杯壁内并与所述导电层(4)电连接。
2.根据权利要求1所述的LED封装，其特征在于，
所述杯体(2)为一个，所述LED芯片(3)为一个或多个，且至少一个所述LED芯片(3)设置在所述杯体(2)的容纳腔体内；或
所述杯体(2)为多个，所述LED芯片(3)为多个，且各所述杯体(2)的容纳腔体内设置有至少一个所述LED芯片(3)。
3.根据权利要求1所述的LED封装，其特征在于，所述杯体(2)的杯壁由下向上逐渐收缩，且所述杯壁的内壁的倾斜角α为30°≤α≤90°。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的LED封装，其特征在于，所述导电层(4)的朝向所述柔性封装主体(1)外部的表面上设置有保护层(7)。
5.根据权利要求4所述的LED封装，其特征在于，形成所述导电层(4)的材料选自金属、导电化合物和混有导电物质的高分子材料中的任一种；所述导电层(4)为：
单层导电层；或
多层导电层和绝缘层交替形成的导电层(4)，且所述多层导电层电连接。
6.根据权利要求1所述的LED封装，其特征在于，所述电路元件(6)包括控制电路元件和/或驱动电路元件。
7.一种LED系统，其特征在于，所述LED系统包括：
LED封装(100)，为权利要求1至5中任一项所述的LED封装，
荧光粉层(200)，设置在所述LED封装(100)的杯体(2)上方；
透镜(300)，设置在所述荧光粉层(200)的上方。
8.根据权利要求7所述的LED系统，其特征在于，所述LED封装(100)的柔性封装主体(1)的上表面为平面，所述荧光粉层(200)包括：
载体(201)，内部具有腔体，所述载体(201)的下表面为与所述柔性封装主体(1)的上表面贴合的平面，且所述导电层(4)与所述载体(201)固定连接；
荧光粉区(202)，设置在所述载体(201)的腔体内，并与所述LED封装(100)的杯体(2)所围成的区域正对，所述透镜(300)设置在所述荧光粉区(202)的上方。
9.一种LED封装的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
A、在硬质基板的上表面上设置杯体(2)和导电层(4)；
B、在位于所述杯体(2)内的硬质基板上设置LED芯片(3)，并将所述LED芯片(3)与所述导电层(4)电连接；
C、将所述杯体(2)、所述LED芯片(3)和所述导电层(4)封装在柔性封装主体(1)中；以及
D、将所述硬质基板从所述柔性封装主体(1)上去除，形成所述LED封装。
10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述步骤A包括：
A1、在硬质基板的上表面上设置杯体(2)；
A2、在所述杯体(2)和所述硬质基板形成的腔体的表面、所述杯体(2)的顶面、至少部分所述杯体(2)的外表面以及位于所述杯体(2)外围的所述硬质基板的至少部分上表面上制备导电层(4)，并对所述导电层(4)进行图形化处理。
11.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，
所述步骤B还包括在所述硬质基板的位于所述杯体(2)外围的上表面上设置电路元件(6)，并将所述电路元件(6)与所述导电层(4)电连接；
所述步骤C还包括将所述电路元件(6)封装在所述柔性封装主体(1)中。
12.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述步骤A包括：
A1’、在所述硬质基板上设置导电层(4)的主体导电部，并对所述主体导电部进行图形化处理；
A2’、在所述主体导电部上设置杯体(2)；
A3’、在所述杯体(2)的内表面、顶面以及至少部分外表面上设置所述导电层(4)的连接导电部，并对所述连接导电部进行图形化处理，所述连接导电部与所述主体导电部连接。
13.根据权利要求12所述的制作方法，其特征在于，所述步骤A2’还包括：
A21’、在所述主体导电部上设置电路元件(6)，并将所述电路元件(6)与所述主体导电部电连接；
A22’、在所述主体导电部上设置杯体(2)，部分所述电路元件(6)被封装在所述杯体(2)内。
14.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，
所述步骤A采用模塑方法形成所述杯体(2)；
所述步骤C采用模塑方法形成所述柔性封装主体(1)。
15.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述步骤D采用化学腐蚀法或机械剥离法或辐照法去除所述硬质基板。
16.根据权利要求9至15中任一项所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法在所述步骤D之后还包括采用电镀法或化学镀法在所述导电层(4)的裸露的表面上制备惰性保护层(7)。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210492577.XA CN102983125B (zh) | 2012-11-27 | 2012-11-27 | Led封装、其制作方法及包含其的led系统 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210492577.XA CN102983125B (zh) | 2012-11-27 | 2012-11-27 | Led封装、其制作方法及包含其的led系统 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102983125A CN102983125A (zh) | 2013-03-20 |
| CN102983125B true CN102983125B (zh) | 2015-07-01 |
Family
ID=47856996
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201210492577.XA Expired - Fee Related CN102983125B (zh) | 2012-11-27 | 2012-11-27 | Led封装、其制作方法及包含其的led系统 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102983125B (zh) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20140264808A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Andreas Wolter | Chip arrangements, chip packages, and a method for manufacturing a chip arrangement |
| CN103296188B (zh) * | 2013-05-27 | 2015-12-09 | 北京半导体照明科技促进中心 | Led封装结构及其制作方法 |
| CN103346243B (zh) * | 2013-07-12 | 2016-08-31 | 广东洲明节能科技有限公司 | 承载散热板和远程荧光粉结构的led光源及其生产方法 |
| CN103851596B (zh) * | 2014-02-28 | 2016-02-03 | 捷普科技（上海）有限公司 | 灯组件 |
| CN104835901B (zh) * | 2015-04-09 | 2018-04-10 | 苏州晶品新材料股份有限公司 | 基于二次光学设计的超薄柔性双面发光led光源 |
| CN106025050A (zh) * | 2016-06-08 | 2016-10-12 | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 | 一种柔性共形封装结构 |
| CN107393975A (zh) * | 2017-07-31 | 2017-11-24 | 张家港协鑫集成科技有限公司 | 硅片及其制备方法、硅片的扩散方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1595671A (zh) * | 2003-09-09 | 2005-03-16 | 西铁城电子股份有限公司 | 半导体封装 |
| CN202158410U (zh) * | 2011-06-07 | 2012-03-07 | 梁俊 | 硅胶灌封的led柔性灯条 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009046658A (ja) * | 2007-07-23 | 2009-03-05 | Sony Corp | 硬化性樹脂材料−微粒子複合材料及びその製造方法、光学材料、並びに発光装置 |
| KR100956888B1 (ko) * | 2008-01-24 | 2010-05-11 | 삼성전기주식회사 | 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법 |
-
2012
- 2012-11-27 CN CN201210492577.XA patent/CN102983125B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1595671A (zh) * | 2003-09-09 | 2005-03-16 | 西铁城电子股份有限公司 | 半导体封装 |
| CN202158410U (zh) * | 2011-06-07 | 2012-03-07 | 梁俊 | 硅胶灌封的led柔性灯条 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102983125A (zh) | 2013-03-20 |
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| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C53 | Correction of patent of invention or patent application | ||
| CB03 | Change of inventor or designer information |
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|
| COR | Change of bibliographic data |
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|
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| GR01 | Patent grant | ||
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