JPH0810211Y2 - チツプ型発光ダイオードの取付構造 - Google Patents
チツプ型発光ダイオードの取付構造Info
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- JPH0810211Y2 JPH0810211Y2 JP1990100245U JP10024590U JPH0810211Y2 JP H0810211 Y2 JPH0810211 Y2 JP H0810211Y2 JP 1990100245 U JP1990100245 U JP 1990100245U JP 10024590 U JP10024590 U JP 10024590U JP H0810211 Y2 JPH0810211 Y2 JP H0810211Y2
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- Japan
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- light emitting
- chip type
- mounting structure
- emitting diode
- bonding wire
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
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- H01L2224/48475—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball
- H01L2224/48476—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area
- H01L2224/48477—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding)
- H01L2224/48478—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding) the connecting portion being a wedge bond, i.e. wedge on pre-ball
- H01L2224/4848—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding) the connecting portion being a wedge bond, i.e. wedge on pre-ball outside the semiconductor or solid-state body
-
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- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Description
【考案の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本考案は、多数のチップ型発光ダイオードを光源とし
て使用する車輛用灯具、照明装置等を適用して好適なチ
ップ型発光ダイオードの取付構造に関するものである。
て使用する車輛用灯具、照明装置等を適用して好適なチ
ップ型発光ダイオードの取付構造に関するものである。
［従来の技術］ 近年、半導体技術の発達により高輝度の発光ダイオー
ドが開発され、しかも安価に入手できるようになったこ
とから、車輛用灯具、例えば尾灯、制動灯、ハイマウン
トストップランプ等においては電球の代わりに発光ダイ
オードを光源として使用したものが実用化されている。
その場合、発光ダイオードの取付構造は、半導体チップ
自体を直接基板上に配設したものと、透明樹脂からなる
外囲器内に半導体チップを封止したディスクリートタイ
プの発光ダイオードをプリント基板に配設したものの二
種類がある。第３図〜第５図は前者のダイオード取付構
造を示す従来例で、これを概略説明すると、セラミック
ス等の絶縁材料からなる基板１の表面には多数の収納凹
部２が所望の間隔をおいて凹設されると共に、回路パタ
ーンとしての導電層３とリード電極４が焼成されてお
り、また各収納凹部２の内部にはチップ型発光ダイオー
ド（以下LEDと略称する）５が導電層３を介してそれぞ
れ配設されている。この場合、基板１がアルミニウム等
の良導体からなる金属で形成されるものにあっては、基
板１の収納凹部２を含む表面全体に絶縁層が印刷、蒸着
等によって予め形成され、その上に導電層３とリード電
極４が形成される。
ドが開発され、しかも安価に入手できるようになったこ
とから、車輛用灯具、例えば尾灯、制動灯、ハイマウン
トストップランプ等においては電球の代わりに発光ダイ
オードを光源として使用したものが実用化されている。
その場合、発光ダイオードの取付構造は、半導体チップ
自体を直接基板上に配設したものと、透明樹脂からなる
外囲器内に半導体チップを封止したディスクリートタイ
プの発光ダイオードをプリント基板に配設したものの二
種類がある。第３図〜第５図は前者のダイオード取付構
造を示す従来例で、これを概略説明すると、セラミック
ス等の絶縁材料からなる基板１の表面には多数の収納凹
部２が所望の間隔をおいて凹設されると共に、回路パタ
ーンとしての導電層３とリード電極４が焼成されてお
り、また各収納凹部２の内部にはチップ型発光ダイオー
ド（以下LEDと略称する）５が導電層３を介してそれぞ
れ配設されている。この場合、基板１がアルミニウム等
の良導体からなる金属で形成されるものにあっては、基
板１の収納凹部２を含む表面全体に絶縁層が印刷、蒸着
等によって予め形成され、その上に導電層３とリード電
極４が形成される。
前記収納凹部２は略皿型（逆台形）に形成され、その
内面は、導電層３の形成によって反射面を形成し光の有
効利用を図っている。
内面は、導電層３の形成によって反射面を形成し光の有
効利用を図っている。
前記LED5は、各列毎にボンディングワイヤ６によって
前記導電層３を介して直列に接続され、また両端のLED5
はボンディングワイヤ６によりリード電極４に接続され
ている。そして、各列のLED5は電源に対して並列に接続
されている。
前記導電層３を介して直列に接続され、また両端のLED5
はボンディングワイヤ６によりリード電極４に接続され
ている。そして、各列のLED5は電源に対して並列に接続
されている。
７は基板１の表面を覆う透明樹脂で、これによって各
LED5を外気、特に湿気、水から保護している。透明樹脂
７としてはエポキシ樹脂等が使用され、その表面で各LE
D5に対応する部分にはLED5から出た光を集光する凸レン
ズ８が膨出形成されている。
LED5を外気、特に湿気、水から保護している。透明樹脂
７としてはエポキシ樹脂等が使用され、その表面で各LE
D5に対応する部分にはLED5から出た光を集光する凸レン
ズ８が膨出形成されている。
［考案が解決しようとする課題］ しかしながら、このような従来のLED5の取付構造にあ
っては、LED5と導電部３とをボンディングワイヤ６によ
って接続する際、第５図に示すように当該LED5が設けら
れている導電層3Aのボンディングワイヤ引き出し側端部
が収納凹部２の周壁を超えて基板表面にまで延長形成さ
れていると、この延長部分3aにボンディングワイヤ６が
接触してショートすると云う問題があった。そこで、こ
のような問題を解決する方法として第６図および第７図
に示すように、導電層３のボンディングワイヤ引き出し
方向側端部を収納凹部２の周壁の途中までに留めること
も考えられるが、このようにすると透明樹脂７を通して
収納凹部２を見た場合、収納凹部２の周壁で導電層３が
施されていない部分９（第７図斜線部）が反射面を形成
せず、そのためこの部分９が暗部を形成して収納凹部２
の有効反射面積を減少させるばかりか、配光パターンも
左右対称でなくなると云う新たな問題が生じるという不
都合があった。
っては、LED5と導電部３とをボンディングワイヤ６によ
って接続する際、第５図に示すように当該LED5が設けら
れている導電層3Aのボンディングワイヤ引き出し側端部
が収納凹部２の周壁を超えて基板表面にまで延長形成さ
れていると、この延長部分3aにボンディングワイヤ６が
接触してショートすると云う問題があった。そこで、こ
のような問題を解決する方法として第６図および第７図
に示すように、導電層３のボンディングワイヤ引き出し
方向側端部を収納凹部２の周壁の途中までに留めること
も考えられるが、このようにすると透明樹脂７を通して
収納凹部２を見た場合、収納凹部２の周壁で導電層３が
施されていない部分９（第７図斜線部）が反射面を形成
せず、そのためこの部分９が暗部を形成して収納凹部２
の有効反射面積を減少させるばかりか、配光パターンも
左右対称でなくなると云う新たな問題が生じるという不
都合があった。
したがって、本考案は上記したような従来の問題点に
鑑みてなされたもので、その目的とするところは、比較
的簡単な構成で本来の有効反射面積を減少させることな
くボンディングワイヤと導電層のショートを防止し得る
ようにしたチップ型発光ダイオードの取付構造を提供す
ることにある。
鑑みてなされたもので、その目的とするところは、比較
的簡単な構成で本来の有効反射面積を減少させることな
くボンディングワイヤと導電層のショートを防止し得る
ようにしたチップ型発光ダイオードの取付構造を提供す
ることにある。
［課題を解決するための手段］ 本考案は上記目的を達成するため、基板上に複数個の
チップ型発光ダイオードを配列し、これらのダイオード
をボンディングワイヤによって直列に接続したチップ型
発光ダイオードの取付構造において、前記基板の表面に
各発光ダイオードをそれぞれ収納する略皿型の収納凹部
を設け、この収納凹部の周壁の外周寄りに環状の段差面
を形成し、且つこの段差面より外側の周壁面のうちで前
記ボンディングワイヤの引き出し方向の壁面部分を除く
収納凹部の内面全体に導電層を形成したものである。
チップ型発光ダイオードを配列し、これらのダイオード
をボンディングワイヤによって直列に接続したチップ型
発光ダイオードの取付構造において、前記基板の表面に
各発光ダイオードをそれぞれ収納する略皿型の収納凹部
を設け、この収納凹部の周壁の外周寄りに環状の段差面
を形成し、且つこの段差面より外側の周壁面のうちで前
記ボンディングワイヤの引き出し方向の壁面部分を除く
収納凹部の内面全体に導電層を形成したものである。
［作用］ 本考案において、収納凹部の段差面が形成された部分
より外側の周壁面でボンディングワイヤ引き出し方向の
壁面部分は、導電層が施されておらず、ボンディングワ
イヤと導電層の接触を生じないようにする。
より外側の周壁面でボンディングワイヤ引き出し方向の
壁面部分は、導電層が施されておらず、ボンディングワ
イヤと導電層の接触を生じないようにする。
［実施例］ 以下、本考案を図面に示す実施例に基づいて詳細に説
明する。
明する。
第１図は本考案に係るチップ型発光ダイオードの取付
構造の一実施例を示す断面図、第２図は平面図である。
なお、図中第３図〜第７図と同一構成部品のものに対し
ては同一符号を以て示し、その説明を省略する。これら
の図において、本実施例は収納凹部２の周壁外周寄りに
適宜幅を有する環状の段差面11を形成すると共に、この
段差面11より外側の周壁面12のうちでボンディングワイ
ヤ６の引き出し方向の壁面部分12a（第２図斜線部）を
除く収納凹部２の内面全体を導電層３で被覆したもので
ある。段差面11の外径は、本来の収納凹部２の開口面側
穴径と略等しい。
構造の一実施例を示す断面図、第２図は平面図である。
なお、図中第３図〜第７図と同一構成部品のものに対し
ては同一符号を以て示し、その説明を省略する。これら
の図において、本実施例は収納凹部２の周壁外周寄りに
適宜幅を有する環状の段差面11を形成すると共に、この
段差面11より外側の周壁面12のうちでボンディングワイ
ヤ６の引き出し方向の壁面部分12a（第２図斜線部）を
除く収納凹部２の内面全体を導電層３で被覆したもので
ある。段差面11の外径は、本来の収納凹部２の開口面側
穴径と略等しい。
その他の構成は従来構造と同様である。
かくしてこのような構成からなるチップ型発光ダイオ
ードの取付構造にあっては、収納凹部２の最外周壁面で
ボンディングワイヤ６の引き出し方向の壁面部分12aに
導電層３が形成されていないので、ボンディングワイヤ
６を接続する際に前記壁面部分12aの縁部13に当接して
も導電層３との接触を確実に防止することができ、また
収納凹部２の周壁を段差面11の形成により２段の反射面
とし、有効反射面積を増大させているので、前記壁面部
分12aが非反射面を形成するにも拘らず、反射効率を向
上させることができる。
ードの取付構造にあっては、収納凹部２の最外周壁面で
ボンディングワイヤ６の引き出し方向の壁面部分12aに
導電層３が形成されていないので、ボンディングワイヤ
６を接続する際に前記壁面部分12aの縁部13に当接して
も導電層３との接触を確実に防止することができ、また
収納凹部２の周壁を段差面11の形成により２段の反射面
とし、有効反射面積を増大させているので、前記壁面部
分12aが非反射面を形成するにも拘らず、反射効率を向
上させることができる。
なお、上記実施例は収納凹部２の周壁を斜面に形成し
た場合を示したが、これに限らず、放物面状の凹曲面で
あってもよい。
た場合を示したが、これに限らず、放物面状の凹曲面で
あってもよい。
［考案の効果］ 以上説明したように本考案に係るチップ型発光ダイオ
ードの取付構造は、基板上面に凹設されチップ型発光ダ
イオードを収納する収納凹部の周壁の外周寄りに段差面
を形成し、この段差面より外側の周壁面のうちでボンデ
ィングワイヤ引き出し方向の壁面部分を除く収納凹部の
内面全体に導電層を形成したので、ボンディングワイヤ
が導電層とショートするのを確実に防止することがで
き、また段差面の形成により、有効反射面が増大し、収
納凹部の反射効率を向上させるなど、その実用的効果は
大である。
ードの取付構造は、基板上面に凹設されチップ型発光ダ
イオードを収納する収納凹部の周壁の外周寄りに段差面
を形成し、この段差面より外側の周壁面のうちでボンデ
ィングワイヤ引き出し方向の壁面部分を除く収納凹部の
内面全体に導電層を形成したので、ボンディングワイヤ
が導電層とショートするのを確実に防止することがで
き、また段差面の形成により、有効反射面が増大し、収
納凹部の反射効率を向上させるなど、その実用的効果は
大である。
第１図は本考案に係るチップ型発光ダイオードの取付構
造の一実施例を示す断面図、第２図は平面図、第３図は
従来のチップ型発光ダイオードの取付構造を示す一部破
断平面図、第４図は要部の平面図、第５図は第３図のＶ
−Ｖ線拡大断面図、第６図はボンディングワイヤのショ
ートを防止する構造例を示す断面図、第７図はその平面
図である。 １……基板、２……収納凹部、３……導電層、４……リ
ード電極、５……チップ型発光ダイオード、６……ボン
ディングワイヤ、７……透明樹脂、８……凸レンズ、11
……段差面、12……外側の周壁面、12a……ボンディン
グワイヤ引き出し方向の壁面部分。
造の一実施例を示す断面図、第２図は平面図、第３図は
従来のチップ型発光ダイオードの取付構造を示す一部破
断平面図、第４図は要部の平面図、第５図は第３図のＶ
−Ｖ線拡大断面図、第６図はボンディングワイヤのショ
ートを防止する構造例を示す断面図、第７図はその平面
図である。 １……基板、２……収納凹部、３……導電層、４……リ
ード電極、５……チップ型発光ダイオード、６……ボン
ディングワイヤ、７……透明樹脂、８……凸レンズ、11
……段差面、12……外側の周壁面、12a……ボンディン
グワイヤ引き出し方向の壁面部分。
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に複数個のチップ型発光ダイオード
を配列し、これらのダイオードをボンディングワイヤに
よって直列に接続したチップ型発光ダイオードの取付構
造において、 前記基板の表面に各発光ダイオードをそれぞれ収納する
略皿型の収納凹部を設け、この収納凹部の周壁の外周寄
りに環状の段差面を形成し、且つこの段差面より外側の
周壁面のうちで前記ボンディングワイヤの引き出し方向
の壁面部分を除く収納凹部の内面全体に導電層を形成し
たことを特徴とするチップ型発光ダイオードの取付構
造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990100245U JPH0810211Y2 (ja) | 1990-09-27 | 1990-09-27 | チツプ型発光ダイオードの取付構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990100245U JPH0810211Y2 (ja) | 1990-09-27 | 1990-09-27 | チツプ型発光ダイオードの取付構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0459167U JPH0459167U (ja) | 1992-05-21 |
| JPH0810211Y2 true JPH0810211Y2 (ja) | 1996-03-27 |
Family
ID=31842749
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1990100245U Expired - Lifetime JPH0810211Y2 (ja) | 1990-09-27 | 1990-09-27 | チツプ型発光ダイオードの取付構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0810211Y2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10021114B4 (de) * | 2000-05-02 | 2009-04-30 | Robert Bosch Gmbh | Beleuchtungsvorrichtung |
| JP4788109B2 (ja) * | 2003-10-28 | 2011-10-05 | パナソニック電工株式会社 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| KR101090575B1 (ko) * | 2006-09-29 | 2011-12-08 | 로무 가부시키가이샤 | 반도체 발광 장치 |
| JP7244771B2 (ja) * | 2020-04-02 | 2023-03-23 | 日亜化学工業株式会社 | 面状光源の製造方法 |
| US12027501B2 (en) | 2020-04-02 | 2024-07-02 | Nichia Corporation | Surface light source and method of manufacturing surface light source |
-
1990
- 1990-09-27 JP JP1990100245U patent/JPH0810211Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0459167U (ja) | 1992-05-21 |
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