JP2006512752A - 発光ダイオードランプとその製造方法 - Google Patents

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Abstract

発光ダイオードランプは、１つ以上の発光ダイオードチップを含むランプ芯と反射部より構成される。ランプ芯上の発光ダイオードチップの発光面（２０６）は反射部の湾曲反射面（２０７）に対向して、反射部（２０２）の光軸（Ｉ）に対して０〜９０°の角度をなす。好ましくは、反射部は１つ以上の放物面反射鏡より成る。放物面の光軸は反射部（２０２）の光軸（Ｉ）と平行であるとともに、反射部の光軸（Ｉ）を中心として均等に等距離に配置される。各発光ダイオードチップまたはチップ群は、１つの放物面反射鏡に対応して、対応する放物面反射鏡の焦点に位置する。このような構成のランプでは、狭小な照射角と高輝度が得られるといった利点がある。

Description

本発明は、発光ダイオードランプとその製造方法に関するものである。
発光ダイオードランプは長寿命で容積が小さく軽量であるといった利点があり、新しいタイプの光源として、表示や照明などの分野でますます広く利用されている。実際の応用では、大抵の場合、発光ダイオードランプはより大きな輝度とより小さな発光角度（即ち、理想的な場合は平行な光）を有することが要求される。発光ダイオードチップは面発光の光源であり、その光度は余弦分布に近く、また、発光角度は比較的大きいので、実際の応用では様々の方法でカプセル化（封入）処理を施した後でのみ使用される。
従来の封入方法でカプセル化処理された発光ダイオードランプの断面図を図１に示す。同図において、１０１は発光ダイオードランプの陽極ピン、１０２は発光ダイオードランプの陰極ピンであり、その上部には凹形状の反射面が形成されている。１０３は凹形状の反射面内に配置された発光ダイオードチップ、１０４はエポキシ樹脂のカプセル部であり、その頂部には球形の集光レンズ１０４が形成され、その曲率半径はｒであり、該レンズの焦点から球面の頂部までの距離はｆである。比較的小さな発光角度で光を発光させるために、発光ダイオードチップ１０３は球形レンズの焦点位置にある。焦点距離の式ｆ＝ｒ＊ｎ２／（ｎ２−ｎ１）によれば、ｎ２はエポキシ樹脂の屈折率で約１．５であり、ｎ１は空気の屈折率で約１であるので、ｆはｒの３倍である。従って、集光レンズの焦点位置で発光ダイオードチップから３０°より小さな角度で発光された光は、集光レンズにより略０°の照射角度で放射される。３°より小さい照射角度が必要な場合は、光の利用率は３０％未満となる。
中国特許出願公開Ｎｏ．ＣＮ１１５６９０８Ａでは、発光ダイオードにより発せられた光が全反射により略１００％使用可能とする発光ダイオードが開示されているが、そこから発せられた光は平行な光ではない。米国特許ＵＳ５００１６０９でも同様の欠陥がある。日本国特許ＪＰ６００６３９７０では発光ダイオードチップを備えた平行な光を発するラジエーター（射光体）が開示されている。ここでは（その図３に示すように）発光ダイオードの支持基盤の影響により、発光ダイオードチップの発光面は反射部に真向こうに面していない。従って、大部分の光は反射板で反射されることはなく、放射された平行光の光利用率は低い。
ヨーロッパ特許出願公開ＥＰ０５７０９８７Ａ１では自転車の後部灯について記載されている。ここでは（その図５に示すように）ＬＥＤ半導体チップが反射部の焦点位置に置かれているが、該ＬＥＤの発光面は外方向に向いており、殆どの光は反射面で反射されることはなく、放射された平行光の光利用率は低い。一方、複数の発光ダイオードがある場合は、これらは発光ダイオードのすべてを湾曲反射面の焦点位置に配置することは不可能であり、従って、平行光の光利用率は低くなる。
従って、小さな照射角度を必要とする場合に、従来の発光ダイオードランプにおける低い光の利用率と低い光度といった課題を解決するために、本発明は、平行な光の光源または小さな発光角度の光源として使用が可能であり、自動車のランプ、プロジェクタの光源、照明用光源等の分野で広く利用可能な高輝度を有することを可能にする新規なカプセル化（封入）構成の発光ダイオードランプを提供するものである。
本発明の原理は、湾曲反射面の焦点から発光さされた光が、該湾曲反射面で反射された後、該湾曲面の光軸に平行な方向に放射されることである。発光ダイオードチップは対応する湾曲反射面鏡の焦点に配置され、発光ダイオードチップの発光面は反射鏡に面するように配置されて反射部の光軸に対して±０〜８５°の角度をなすように形成され、チップから発せられた光の僅かな部分が反射鏡の開口から直接漏れ出る以外の残りの光は、反射鏡により反射された後は、該湾曲面の光軸に平行になり、その照射角度は略０°となり、これにより光の利用率は高くなる。発光ダイオードチップは点光源ではなく面光源であるので、反射光の利用率を高めるために、複数の発光ダイオードを、外方向に向いた発光面を備えた正多角形の形状に配置してもよい。このように形成されたランプ芯の照射角度は３６０°であり、ランプの容積を増加させることなく、輝度は高められる。複数の発光ダイオードを正多角形に配置することにより形成されたランプ芯はその容積は大きくなるので、もはや点光源とは見なすことはできず、従って、該湾曲反射面は複数の曲面に分割され、各発光ダイオードチップは各曲面の焦点に対応するように配置される。反射部が大きい場合は、上記単一の発光ダイオードチップは複数のチップで構成してもよく、前記湾曲反射面はこの場合は点光源と見なされる。
好ましくは、前記湾曲面は放物面である。
好ましい実施形態では、前記発光面は反射鏡に対向し、反射部の光軸に対して±０〜３０°の発光角度を成すように構成される。
本発明は更に前記発光ダイオードランプを製造する方法を提供するものであり、ここでは、湾曲反射面を備えた反射部が最初の段階で作成され、次に、１つ又は複数の発光ダイオードチップまたはチップ群を備えたランプ芯が作成され、前記発光ダイオードチップまたはチップ群の発光面が前記反射部の光軸に対して±０〜８５°の角度を成すように構成され、最後に、前記ランプ芯が前記反射部内に配置され、前記発光ダイオードチップまたはチップ群が前記湾曲反射面の焦点に位置するように調整される。
本発明の実施の形態について添付の図面を参照して以下に説明する。図２Ａ及び２Ｂは本発明の発光ダイオードランプの縦断面図及び横断面図である。
反射部２０２の準備：反射部は４つの放物面反射鏡２０７で構成され、放物線の方程式はｙ２＝８ｘであり、その高さは８ｍｍ、各反射鏡の放物面の光軸は反射部の光軸Ｉから０．５ｍｍ離間して対称的に配置され、反射部の底部は反射部光軸Ｉを中心として２ｍｍの径の開口を有する。
ランプ芯（２０３，２０４，２０５）の準備：面積が１ｍｍ×６ｍｍで厚さが０．２ｍｍの４つの片面プリント回路基板を、面積が１ｍｍ×１ｍｍで高さが１０ｍｍの銅製の四角形部２０５の４つの側面にそれぞれ樹脂接着剤で接着する。ここで、四角形部２０５の頂部と底部から２ｍｍは露出されてランプ芯の基体（２０４，２０５）の導体層（２０５）を形成する。面積が０．３ｍｍ×０．３ｍｍの４つの発光ダイオードチップ２０３が、頂部から１ｍｍの位置でランプ芯の基体の導体層（２０５）の４つの側部にそれぞれ銀スラリーで凝固され、発光ダイオードチップの陰極は前記導体層２０５と電気的に接触し、発光ダイオードチップの発光面は反射部２０２の湾曲反射面２０７に対向し、反射部の光軸Ｉとα＝３０°の角度をなす。発光ダイオードチップの陽極は金製のワイヤ２０８でランプ芯の基体の別の導体層２０４に接続されてランプ芯を形成する。
ランプ芯を底部の開口を通して反射部内に挿入し、各発光ダイオードチップがその対応する放物面反射部の焦点に位置させるようにランプ芯の位置を調整する。
また、さらなる工程では、発光ダイオードランプは防塵用及び防湿用となるための封入樹脂２０１でカプセル化することもできる。
上記工程により作成された発光ダイオードランプの効率は、３°未満の発散角が必要な場合は、８０％より高くすることが可能である。
従来の発光ダイオードのカプセル化構成を示す図である。 本発明の発光ダイオードランプの縦断面図である。 本発明の発光ダイオードランプの横断面図である。
符号の説明
２０１ 封入樹脂、 ２０２ 反射部、 ２０３ 発光ダイオードチップ、 ２０４，２０５ ランプ芯基体の導体層、 ２０６ 発光面、 ２０７ 湾曲反射面

Claims (13)

  1. 発光ダイオードチップ（２０３）を含むランプ芯（２０３，２０４，２０５）と反射部（２０２）より構成された発光ダイオードランプであって、前記ランプ芯上の発光ダイオードチップ（２０３）の発光面（２０６）が、前記反射部（２０２）の湾曲反射面（２０７）に対向して前記湾曲反射面の焦点に配置されるとともに、反射部（２０２）の光軸（Ｉ）に対して０〜９０°の角度（α）を形成することを特徴とする発光ダイオードランプ。
  2. 前記湾曲反射面（２０７）が放物面であることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードランプ。
  3. 前記発光面（２０６）が反射部（２０２）の光軸（Ｉ）に対して０〜３０°の角度（α）を形成することを特徴とする請求項１または２に記載の発光ダイオードランプ。
  4. 前記反射部（２０２）が複数の放物面反射鏡で形成され、該複数の放物面反射鏡の光軸は、前記反射部（２０２）の光軸（Ｉ）と平行であるとともに、該反射部の光軸（Ｉ）を中心として均等に等距離に分布されたことを特徴とする請求項２または３に記載の発光ダイオードランプ。
  5. 前記発光ダイオードチップまたはチップ群と前記反射鏡の数は４個であることを特徴とする請求項４に記載の発光ダイオードランプ。
  6. 前記ランプ芯（２０３，２０４，２０５）は正角柱形状のランプ芯基体（２０４，２０５）と１つ以上の発光ダイオードチップまたはチップ群で形成され、各発光ダイオードチップまたはチップ群は前記ランプ芯基体の一方側に配置され、前記ランプ芯基体は互いに絶縁された第１の導体層（２０５）と第２の導体層（２０４）で形成されたことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の発光ダイオードランプ。
  7. 前記発光ダイオードランプが、防塵及び防湿となるように樹脂でカプセル化されたことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の発光ダイオードランプ。
  8. 請求項１に記載の発光ダイオードランプを製造する方法であって、
    （１）湾曲反射面（２０７）を有する反射部（２０２）を製造する工程と、
    （２）発光ダイオードチップ（２０３）またはチップ群を有するランプ芯（２０３，２０４，２０５）を製造し、該発光ダイオードチップ（２０３）またはチップ群の発光面（２０６）を前記反射部（２０２）の光軸（Ｉ）に対して０〜９０°の角度（α）を形成させる工程と、
    （３）前記ランプ芯を前記反射部（２０２）内に挿入し、前記発光ダイオードチップまたはチップ群を前記湾曲反射面の焦点に位置させるようにランプ芯を調整する工程、とを備えることを特徴とする方法。
  9. 前記ランプを樹脂でカプセル化する工程を更に備えることを特徴とする請求項８記載の方法。
  10. 前記湾曲反射面（２０７）が放物面であることを特徴とする請求項８または９に記載の方法。
  11. 前記発光面（２０６）と前記反射部（２０２）の光軸（Ｉ）との間の角度（α）が０〜３０°であることを特徴とする請求項８〜１０のいずれか１項に記載の方法。
  12. 前記反射部（２０２）が複数の放物面反射鏡で形成され、該複数の放物面反射鏡の光軸は、前記反射部（２０２）の光軸（Ｉ）と平行であるとともに、該反射部の光軸（Ｉ）を中心として均等に等距離に分布されたことを特徴とする請求項１０または１１に記載の方法。
  13. 前記発光ダイオードチップまたはチップ群と前記反射鏡の数は４個であることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007184319A (ja) * 2006-01-04 2007-07-19 Showa Denko Kk 半導体発光装置

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007077960A1 (en) * 2006-01-04 2007-07-12 Showa Denko K.K. Semiconductor light-emitting device
JP2010506348A (ja) * 2006-10-19 2010-02-25 パナソニック株式会社 発光装置とこれを用いた表示装置及び照明装置
CN201053628Y (zh) * 2007-05-30 2008-04-30 鹤山丽得电子实业有限公司 一种尖头led
FR2932493B1 (fr) 2008-06-11 2010-07-30 Arkema France Compositions a base d'hydrofluoroolefines
CN102563426A (zh) * 2012-01-13 2012-07-11 兰普电器有限公司 一种led反光灯
CN102779931B (zh) * 2012-07-17 2014-09-17 福建鸿博光电科技有限公司 偏光led支架、灯珠及偏光led支架制造方法
CN108534091B (zh) * 2018-05-10 2024-07-16 华域视觉科技(上海)有限公司 具有立体点灯效果的车灯及汽车

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3821775A (en) * 1971-09-23 1974-06-28 Spectronics Inc Edge emission gaas light emitter structure
JPS5882581A (ja) * 1981-11-11 1983-05-18 Kimura Denki Kk Ｌｅｄランプ
DE8713875U1 (de) * 1987-10-15 1988-02-18 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Optisches Senderbauelement
US4964025A (en) * 1988-10-05 1990-10-16 Hewlett-Packard Company Nonimaging light source
US5001609A (en) * 1988-10-05 1991-03-19 Hewlett-Packard Company Nonimaging light source
JPH066397A (ja) * 1992-03-13 1994-01-14 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 遅延検波器
DE9206859U1 (de) * 1992-05-20 1992-09-03 Franz, H. G., 2000 Hamburg Lampe für Fahrrad-Rückleuchte
JPH06216411A (ja) * 1993-01-20 1994-08-05 Rohm Co Ltd Ｌｅｄランプ
JPH077185A (ja) * 1993-06-15 1995-01-10 Stanley Electric Co Ltd Ｌｅｄ発光ユニット
US6080464A (en) * 1995-11-20 2000-06-27 Heraeus Med Gmbh Reflector for a radiating luminous source and use of the same
CN1156908A (zh) * 1996-02-09 1997-08-13 葛一萍 发光二极管
JPH09265807A (ja) * 1996-03-29 1997-10-07 Toshiba Lighting & Technol Corp Ｌｅｄ光源，ｌｅｄ信号灯および信号機
DE19624087A1 (de) * 1996-06-17 1997-12-18 Wendelin Pimpl Beleuchtungsvorrichtung
JP2000269551A (ja) * 1999-03-18 2000-09-29 Rohm Co Ltd チップ型発光装置
US6454433B1 (en) * 2001-05-24 2002-09-24 Eveready Battery Company, Inc. Dual faceted reflector
TW507858U (en) * 2001-07-23 2002-10-21 Lin Chau Tang Energy saving lighting device with high illumination
US6682211B2 (en) * 2001-09-28 2004-01-27 Osram Sylvania Inc. Replaceable LED lamp capsule
US20030103348A1 (en) * 2001-11-30 2003-06-05 Sheng-Tien Hung Projection lamp
US6644841B2 (en) * 2002-03-01 2003-11-11 Gelcore Llc Light emitting diode reflector
US7048412B2 (en) * 2002-06-10 2006-05-23 Lumileds Lighting U.S., Llc Axial LED source
US6851835B2 (en) * 2002-12-17 2005-02-08 Whelen Engineering Company, Inc. Large area shallow-depth full-fill LED light assembly

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007184319A (ja) * 2006-01-04 2007-07-19 Showa Denko Kk 半導体発光装置

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