JP2003113310A - 光学材料用組成物、電子材料用組成物、光学材料、電子材料、発光ダイオード及びその製造方法 - Google Patents
光学材料用組成物、電子材料用組成物、光学材料、電子材料、発光ダイオード及びその製造方法Info
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- JP2003113310A JP2003113310A JP2001309683A JP2001309683A JP2003113310A JP 2003113310 A JP2003113310 A JP 2003113310A JP 2001309683 A JP2001309683 A JP 2001309683A JP 2001309683 A JP2001309683 A JP 2001309683A JP 2003113310 A JP2003113310 A JP 2003113310A
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Abstract
発光ダイオードの封止材、電子材料及びそれを用いた発
光ダイオードを提供する。 【解決手段】(A)SiH基と反応性を有する炭素−炭
素二重結合を1分子中に少なくとも2個有する有機化合
物、(B)1分子中に少なくとも2個のSiH基を有す
る化合物、(C)ヒドロシリル化触媒を必須成分として
有する硬化性組成物であって、上記(A)成分が下記一
般式(I) 【化1】 (式中R1は炭素数1〜50の一価の有機基を表す。)
で表される有機化合物であり、かつ、上記(B)成分が
両末端にSiH基を含有する鎖状シロキサン化合物であ
ることを特徴とする硬化性組成物からなる光学材料用組
成物又は両末端にSiH基を含有する鎖状シロキサン化
合物と上記(A)成分との反応物であることを特徴とす
る硬化性組成物を光学材料用組成物又は電子材料用組成
物とすること。
Description
材料に関するものであり、更に詳しくは耐光耐久性が高
く、特に強靭性を有する光学材料、発光ダイオードの封
止材、電子材料、およびそれを用いた発光ダイオードに
関するものである。
しては、光学的透明性および耐光耐久性の高い材料が使
用される。また成形加工時、使用環境下での耐久性のた
めには高い耐熱性も必要である。こういった要求を満足
する材料として従来ガラス等が使用されてきたが、成形
性が良好でないことや力学的に脆いことから使用範囲に
限界が生じてきており樹脂系材料が使用されてきてい
る。
カーボネート、シクロオレフィン系ポリマー等の熱可塑
性樹脂があるが、一般に高い耐熱性を発現させるために
芳香族骨格を導入するが、それに伴い透明性あるいは耐
光耐久性が損なわれやすい。また、本質的に熱可塑性で
あるので例えば200℃を超えるような高い耐熱性は得
られにくい。さらに、常温で固体あるいは高粘度である
ために成形加工条件に限界があり、発光ダイオードの封
止に使用されるポッティング成形あるいはキャスティン
グ成形には適用困難である。
高い耐熱性が得られ、一般に液状であるためポッティン
グ成形あるいはキャスティング成形も適用できるが、一
般の熱硬化性樹脂は光学的透明性が低い。そこで、特殊
な熱硬化性樹脂として酸無水物系硬化剤を用いる透明エ
ポキシ樹脂が広く用いられている。しかし、かかる透明
エポキシ樹脂においても、特に低波長の光に対する耐光
耐久性が低いという欠点を有していた。
年開発された青色、UV等の低波長光を発光する発光ダ
イオードに対応するため、従来に増した耐光耐久性が必
要とされてきており、透明エポキシ材料では限界が生じ
ている。
子材料としては、はんだ工程に耐える高い耐熱性が必要
とされる。
熱硬化性樹脂が広く用いられてきた。これらの領域では
成形加工あるいは使用環境下での応力に対抗できる強靭
化が検討されている。
して、けい素原子に結合した少なくとも2個の水素原子
を有する水素化けい素化合物と、イソシアヌール酸化合
物とを、付加重合反応させる樹脂状物の製造法が開示さ
れている(特開昭50−100号公報)。しかし、耐光
性に関するデータは示されておらず、光学材料用途、電
子材料用途を含め用途に関しては示唆されていない。
は、耐光耐久性が高く、特に強靭性を有する光学材料、
発光ダイオードの封止材、電子材料、およびそれを用い
た発光ダイオードを提供することである。
めに本発明者らは鋭意研究の結果、特定の構造を有す
る、SiH基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を1
分子中に少なくとも2個含有する有機化合物と、1分子
中に少なくとも2個のSiH基を含有するケイ素化合物
と、ヒドロシリル化触媒を必須成分として硬化性組成物
とすることにより、上記課題を解決できることを見出
し、本発明に至った。
応性を有する炭素−炭素二重結合を1分子中に少なくと
も2個含有する有機化合物、(B)1分子中に少なくと
も2個のSiH基を含有する化合物、(C)ヒドロシリ
ル化触媒、を必須成分として含有する硬化性組成物であ
って、上記(A)成分が下記一般式(I)
れぞれのR1は異なっていても同一であってもよい。)
で表される有機化合物であり、かつ、上記(B)成分が
両末端にSiH基を含有する鎖状シロキサン化合物であ
ることを特徴とする硬化性組成物からなる光学材料用組
成物(請求項1)であり、(A)SiH基と反応性を有
する炭素−炭素二重結合を1分子中に少なくとも2個含
有する有機化合物、(B)1分子中に少なくとも2個の
SiH基を含有する化合物、(C)ヒドロシリル化触
媒、を必須成分として含有する硬化性組成物であって、
上記(A)成分が下記一般式(I)
れぞれのR1は異なっていても同一であってもよい。)
で表される有機化合物であり、上記(B)成分が両末端
にSiH基を含有する鎖状シロキサン化合物と上記
(A)成分との反応物であることを特徴とする硬化性組
成物からなる光学材料用組成物(請求項2)であり、上
記(A)成分がトリアリルイソシアヌレートであること
を特徴とする、請求項1あるいは2に記載の硬化性組成
物からなる光学材料用組成物(請求項3)であり、請求
項1乃至3のいずれか一項に記載の硬化性組成物からな
る発光ダイオードの封止材用組成物(請求項4)であ
り、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の硬化性組成
物からなる電子材料用組成物(請求項5)であり、請求
項1乃至3のいずれか一項に記載の硬化性組成物をあら
かじめ混合し、組成物中のSiH基と反応性を有する炭
素−炭素二重結合とSiH基の一部または全部を反応さ
せることによって硬化させてなる光学材料(請求項6)
であり、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の硬化性
組成物をあらかじめ混合し、組成物中のSiH基と反応
性を有する炭素−炭素二重結合とSiH基の一部または
全部を反応させることによって硬化させてなる発光ダイ
オードの封止材(請求項7)であり、請求項1乃至3の
いずれか一項に記載の硬化性組成物をあらかじめ混合
し、組成物中のSiH基と反応性を有する炭素−炭素二
重結合とSiH基の一部または全部を反応させることに
よって硬化させてなる電子材料(請求項8)であり、請
求項1乃至3のいずれか一項に記載の硬化性組成物をあ
らかじめ混合し、組成物中のSiH基と反応性を有する
炭素−炭素二重結合とSiH基の一部または全部を反応
させることによる請求項6に記載の光学材料の製造方法
(請求項9)であり、請求項1乃至3のいずれか一項に
記載の硬化性組成物をあらかじめ混合し、組成物中のS
iH基と反応性を有する炭素−炭素二重結合とSiH基
の一部または全部を反応させることによる請求項7に記
載の発光ダイオードの封止材の製造方法(請求項10)
であり、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の硬化性
組成物をあらかじめ混合し、組成物中のSiH基と反応
性を有する炭素−炭素二重結合とSiH基の一部または
全部を反応させることによる請求項8に記載の電子材料
の製造方法(請求項11)であり、請求項6に記載の光
学材料、あるいは/および請求項7に記載の発光ダイオ
ードの封止材、あるいは/および請求項8に記載の電子
材料を用いた発光ダイオード(請求項12)であり、請
求項6に記載の発光ダイオードの封止材によって発光素
子を被覆することを特徴とする発光ダイオードの製造方
法(請求項13)である。
説明する。
炭素−炭素二重結合を1分子中に少なくとも2個含有す
る有機化合物であって、下記一般式(I)
れぞれのR1は異なっていても同一であってもよい。)
で表される有機化合物であれば特に制限なく用いること
ができる。
過性やはじきの問題がないという観点からは、ポリシロ
キサン−有機ブロックコポリマーやポリシロキサン−有
機グラフトコポリマーのようなシロキサン単位(Si−
O−Si)を含むものではなく、構成元素としてC、
H、N、O、S、ハロゲンのみを含む骨格であることが
好ましい。
る硬化物の耐熱性がより高くなりうるという観点から
は、炭素数1〜20の一価の有機基であることが好まし
く、炭素数1〜10の一価の有機基であることがより好
ましく、炭素数1〜4の一価の有機基であることがさら
に好ましい。これらの好ましいR1の例としては、メチ
ル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、
ベンジル基、フェネチル基、ビニル基、アリル基、グリ
シジル基、
る硬化物の各種材料との接着性が良好になりうるという
観点からは、3つのR1のうち少なくとも1つがエポキ
シ基を一つ以上含む炭素数1〜50の一価の有機基であ
ることが好ましく、
一価の有機基であることがより好ましい。これらの好ま
しいR1の例としては、グリシジル基、
る硬化物の化学的な熱安定性が良好になりうるという観
点からは、2個以下の酸素原子を含みかつ構成元素とし
てC、H、Oのみを含む炭素数1〜50の一価の有機基
であることが好ましく、炭素数1〜50の一価の炭化水
素基であることがより好ましい。これらの好ましいR 1
の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチ
ル基、フェニル基、ベンジル基、フェネチル基、ビニル
基、アリル基、グリシジル基、
が良好になるという観点からは、3つのR1のうち少な
くとも1つが
機基であることが好ましく、
される基を1個以上含む炭素数1〜50の一価の有機基
であることがより好ましく、3つのR1のうち少なくと
も2つが下記一般式(II)
有機基を表し、R3は水素原子あるいはメチル基を表
す。)で表される有機化合物(複数のR2およびR3はそ
れぞれ異なっていても同一であってもよい。)であるこ
とがさらに好ましい。
るいは炭素数1〜48の二価の有機基であるが、得られ
る硬化物の耐熱性がより高くなりうるという観点から
は、直接結合あるいは炭素数1〜20の二価の有機基で
あることが好ましく、直接結合あるいは炭素数1〜10
の二価の有機基であることがより好ましく、直接結合あ
るいは炭素数1〜4の二価の有機基であることがさらに
好ましい。これらの好ましいR2の例としては、
れる硬化物の化学的な熱安定性が良好になりうるという
観点からは、直接結合あるいは2つ以下の酸素原子を含
みかつ構成元素としてC、H、Oのみを含む炭素数1〜
48の二価の有機基であることが好ましく、直接結合あ
るいは炭素数1〜48の二価の炭化水素基であることが
より好ましい。これらの好ましいR2の例としては、
るいはメチル基であるが、反応性が良好であるという観
点からは、水素原子が好ましい。
れる有機化合物の好ましい例においても、SiH基と反
応性を有する炭素−炭素二重結合を1分子中に少なくと
も2個含有することは必要である。耐熱性をより向上し
得るという観点からは、SiH基と反応性を有する炭素
−炭素二重結合を1分子中に3個以上含有する有機化合
物であることがより好ましい。上記一般式(I)で表さ
れる有機化合物としては、他の成分との均一な混合、お
よび良好な作業性を得るためには100℃以下の温度に
おいて流動性があるものが好ましい。分子量は特に制約
はないが、50〜100,000のものが好適に使用で
きる。分子量が100,000以上では一般に原料が高
粘度となり作業性に劣るとともに、炭素−炭素二重結合
とSiH基との反応による架橋の効果が発現し難い。
化合物の好ましい具体例としては、トリアリルイソシア
ヌレート、
れる有機化合物は単独もしくは2種以上のものを混合し
て用いることが可能である。
ヌレートは各種の方法で製造することができる。例え
ば、特開2000−109314号報、特開2000−
119016号報、特開平11−255753号報、特
開平9−208564号報、特開平8−259711号
報、特開平4−321655号報、特開平4−4928
4号報、特開昭62−48671号報、特開昭62−4
5578号報、特開昭58−85874号報、特開昭5
7−200371号報、特開昭54−130591号
報、特開昭53−92791号報、特開昭50−952
89号報、特開昭48−26022号報、特開昭47−
22588号報、特開昭47−14395号報、特開昭
43−29395号報、特開昭45−15981号報、
特開昭43−29146号報、USP3376301号
報、USP3322761号報、SUP1121260
号報、SUP1121259号報、SUP765265
号報、DEP2126296号報、およびBull.C
hem.Soc.Jpn.(1966)、39(9)、
1922頁に記載の方法等を挙げることができる。
ヌレートは必要に応じ精製してもよい。精製の方法とし
ては減圧蒸留や、酸性水、アルカリ性水あるいは/およ
び中性の水による洗浄や、シリカゲル、活性炭、ケイ酸
アルミニウムといった吸着材による吸着処理や、モレキ
ュラーシーブス等各種乾燥剤による処理、トルエン共沸
等による脱水処理等を挙げることができる。
化合物について説明する。
H基を含有する鎖状シロキサン化合物、あるいは両末端
にSiH基を含有する鎖状シロキサン化合物と上記
(A)成分との反応物である。
シロキサン化合物としては、例えば下記一般式(II
I)
のR1は異なっていても同一であってもよい。nは0〜
1000の数)で表わされる化合物を挙げることができ
る。
体的には水素原子、メチル基、フェニル基、エチル基、
オクチル基、ビニル基、シアノ基、トリフルオロメチル
基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ
基等を挙げることができる。
観点からは、水素原子、メチル基、フェニル基が好まし
く、メチル基、フェニル基がより好ましく、メチル基が
最も好ましい。
分との相溶性が良好であるという観点においては、0〜
10の数が好ましく、0〜3の数がより好ましく、0が
最も好ましい。
のより具体的な例としては、
る鎖状シロキサン化合物と上記(A)成分との反応物で
ある場合の、両末端にSiH基を含有する鎖状シロキサ
ン化合物および(A)成分の説明については上記説明と
同じである。
ン化合物と(A)成分とを反応させる方法については、
例えばヒドロシリル化反応を用いることができる。ヒド
ロシリル化反応は、必要に応じてヒドロシリル化触媒存
在下に、両末端にSiH基を含有する鎖状シロキサン化
合物と(A)成分とを混合すること等によって実施する
ことができる。
ては後述する本発明の(C)成分の説明と同じである。
る鎖状シロキサン化合物と(A)成分との混合比率は、
得られる(B)成分が1分子中に少なくとも2個のSi
H基を含有する化合物である必要があるため、一般に両
末端にSiH基を含有する鎖状シロキサン化合物中のS
iH基の数(Y)と、(A)成分中のSiH基と反応性
を有する炭素−炭素二重結合の数(X)との比が、5≧
Y/X>1であることが好ましく、3≧Y/X≧1.5
であることがより好ましい。
るが、反応中のゲル化を抑制するためには、両末端にS
iH基を含有する鎖状シロキサン化合物中に(A)成分
を徐々に添加する方法が好ましい。
0℃〜150℃が挙げられる。
用しても良い。溶媒としては例えばトルエン等を挙げる
ことができる。
るために、減圧脱揮等を適用しても良い。
(B)成分の混合比率は、必要な強度を失わない限りは
特に限定されないが、(B)成分中のSiH基の数
(Y)の(A)成分中の炭素−炭素二重結合の数(X)
に対する比が、2.0≧Y/X≧0.5であることが好
ましく、1.5≧Y/X≧0.7がより好ましい。2.
0>Y/XあるいはY/X<0.5の場合は、十分な硬
化性が得られず、充分な強度が得られない場合があり、
またY/X<0.5の場合は炭素−炭素二重結合が過剰
となり着色の原因となりやすい。
について説明する。
ル化反応の触媒活性があれば特に限定されないが、例え
ば、白金の単体、アルミナ、シリカ、カーボンブラック
等の担体に固体白金を担持させたもの、塩化白金酸、塩
化白金酸とアルコール、アルデヒド、ケトン等との錯
体、白金−オレフィン錯体(例えば、Pt(CH2=C
H2)2(PPh3)2、Pt(CH2=CH2)2Cl2)、
白金−ビニルシロキサン錯体(例えば、Pt(ViMe
2SiOSiMe2Vi)n、Pt[(MeViSi
O)4]m)、白金−ホスフィン錯体(例えば、Pt(P
Ph3)4、Pt(PBu3)4)、白金−ホスファイト錯
体(例えば、Pt[P(OPh)3]4、Pt[P(OB
u)3]4)(式中、Meはメチル基、Buはブチル基、
Viはビニル基、Phはフェニル基を表し、n、mは、
整数を示す。)、ジカルボニルジクロロ白金、カールシ
ュテト(Karstedt)触媒、また、アシュビー
(Ashby)の米国特許第3159601号および3
159662号明細書中に記載された白金−炭化水素複
合体、ならびにラモロー(Lamoreaux)の米国
特許第3220972号明細書中に記載された白金アル
コラート触媒が挙げられる。さらに、モディック(Mo
dic)の米国特許第3516946号明細書中に記載
された塩化白金−オレフィン複合体も本発明において有
用である。
は、RhCl(PPh)3、RhCl3、RhAl2O3、
RuCl3、IrCl3、FeCl3、AlCl3、PdC
l2・2H2O、NiCl2、TiCl4、等が挙げられ
る。
に含まれるものを(C)成分として使用することも可能
である。
金酸、白金−オレフィン錯体、白金−ビニルシロキサン
錯体等が好ましい。また、これらの触媒は単独で使用し
てもよく、2種以上併用してもよい。
な硬化性を有し、かつ硬化性組成物のコストを比較的低
く抑えるために、SiH基1モルに対して、10-1〜1
0-8モルの範囲が好ましく、より好ましくは、10-2〜
10-6モルの範囲である。
が可能であり、例としてトリフェニルホスフィン等のリ
ン系化合物、ジメチルマレエート等の1、2−ジエステ
ル系化合物、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−ブチン
等のアセチレンアルコール系化合物、単体の硫黄等の硫
黄系化合物、トリエチルアミン等のアミン系化合物等が
挙げられる。助触媒の添加量は特に限定されないが、触
媒1モルに対して、10-2〜102モルの範囲が好まし
く、より好ましくは10-1〜10モルの範囲である。
する目的、あるいは製造過程でのヒドロシリル化反応の
反応性を調整する目的で、硬化遅延剤を使用することが
できる。硬化遅延剤としては、脂肪族不飽和結合を含有
する化合物、有機リン化合物、有機イオウ化合物、窒素
含有化合物、スズ系化合物、有機過酸化物等が挙げら
れ、これらを併用してもかまわない。脂肪族不飽和結合
を含有する化合物として、プロパギルアルコール類、エ
ン−イン化合物類、マレイン酸エステル類等が例示され
る。有機リン化合物としては、トリオルガノフォスフィ
ン類、ジオルガノフォスフィン類、オルガノフォスフォ
ン類、トリオルガノフォスファイト類等が例示される。
有機イオウ化合物としては、オルガノメルカプタン類、
ジオルガノスルフィド類、硫化水素、ベンゾチアゾー
ル、ベンゾチアゾールジサルファイド等が例示される。
窒素含有化合物としては、アンモニア、1〜3級アルキ
ルアミン類、アリールアミン類、尿素、ヒドラジン等が
例示される。スズ系化合物としては、ハロゲン化第一ス
ズ2水和物、カルボン酸第一スズ等が例示される。有機
過酸化物としては、ジ−t−ブチルペルオキシド、ジク
ミルペルオキシド、ベンゾイルペルオキシド、過安息香
酸t−ブチル等が例示される。
好で原料入手性がよいという観点からは、ベンゾチアゾ
ール、チアゾール、ジメチルマレート、3−ヒドロキシ
−3−メチル−1−ブチンが好ましい。
ドロシリル化触媒1molに対し、10-1〜103モル
の範囲が好ましく、より好ましくは1〜50モルの範囲
である。
成形することも可能であるが、該組成物を有機溶剤に溶
解してワニスとすることも可能である。使用できる溶剤
は特に限定されるものではなく、具体的に例示すれば、
ベンゼン、トルエン、ヘキサン、ヘプタンなどの炭化水
素系溶媒、テトラヒドロフラン、1, 4−ジオキサ
ン、ジエチルエーテルなどのエーテル系溶媒、アセト
ン、メチルエチルケトンなどのケトン系溶媒、クロロホ
ルム、塩化メチレン、1, 2−ジクロロエタンなどの
ハロゲン系溶媒を好適に用いることができる。溶媒は2
種類以上の混合溶媒として用いることもできる。溶媒と
しては、トルエン、テトラヒドロフラン、クロロホルム
が好ましい。使用する溶媒量は、用いる反応性(A)成
分1gに対し、0〜10 mLの範囲で用いるのが好ま
しく、0.5〜5mLの範囲で用いるのがさらに好まし
く、1〜3mLの範囲で用いるのが特に好ましい。使用
量が少ないと、低粘度化などの溶媒を用いることの効果
が得られにくく、また、使用量が多いと、材料に溶剤が
残留して熱クラックなどの問題となり易く、またコスト
的にも不利になり工業的利用価値が低下する。
剤、ラジカル禁止剤、紫外線吸収剤、接着性改良剤、難
燃剤、界面活性剤、保存安定改良剤、オゾン劣化防止
剤、光安定剤、増粘剤、可塑剤、酸化防止剤、熱安定
剤、導電性付与剤、帯電防止剤、放射線遮断剤、核剤、
リン系過酸化物分解剤、滑剤、顔料、金属不活性化剤、
物性調整剤などを本発明の目的および効果を損なわない
範囲において添加することができる。
することができる。カップリング剤としては例えばシラ
ンカップリング剤が挙げられる。シランカップリング剤
としては、分子中に有機基と反応性のある官能基と加水
分解性のケイ素基を各々少なくとも1個有する化合物で
あれば特に限定されない。有機基と反応性のある基とし
ては、取扱い性の点からエポキシ基、メタクリル基、ア
クリル基、イソシアネート基、イソシアヌレート基、ビ
ニル基、カルバメート基から選ばれる少なくとも1個の
官能基が好ましく、硬化性及び接着性の点から、エポキ
シ基、メタクリル基、アクリル基が特に好ましい。加水
分解性のケイ素基としては取扱い性の点からアルコキシ
シリル基が好ましく、反応性の点からメトキシシリル
基、エトキシシリル基が特に好ましい。
3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3−グ
リシドキシプロピルトリエトキシシラン、2−(3,4
-エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラ
ン、2−(3,4-エポキシシクロヘキシル)エチルト
リエトキシシラン等のエポキシ官能基を有するアルコキ
シシラン類:3−メタクリロキシプロピルトリメトキシ
シラン、3−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラ
ン、3−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3
−アクリロキシプロピルトリエトキシシラン、メタクリ
ロキシメチルトリメトキシシラン、メタクリロキシメチ
ルトリエトキシシラン、アクリロキシメチルトリメトキ
シシラン、アクリロキシメチルトリエトキシシラン等の
メタクリル基あるいはアクリル基を有するアルコキシシ
ラン類が例示できる。
[(A)成分+(B)成分]100重量部に対して0.
1〜50重量部が好ましく、0.5〜25重量部がより
好ましい。0.1重量部より少ないと密着性改良効果が
表れず、50重量部を超えると硬化物物性に悪影響を及
ぼす。
効果を高めるために、さらにシラノール縮合触媒を用い
ることができ、密着性の向上および/あるいは安定化が
可能である。このようなシラノール縮合触媒としては特
に限定されないが、アルミニウム系化合物および/ある
いはチタン系化合物が好ましい。シラノール縮合触媒と
なるアルミニウム系化合物としては、アルミニウムトリ
イソプロポキシド、sec−ブトキシアルミニウムジイ
ソフロポキシド、アルミニウムトリsec−ブトキシド
等のアルミニウムアルコキシド類:、エチルアセトアセ
テートアルミニウムジイソプロポキシド、アルミニウム
トリス(エチルアセトアセテート)、アルミキレートM
(川研ファインケミカル製、アルキルアセトアセテート
アルミニウムジイソプロポキシド)、アルミニウムトリ
ス(アセチルアセトネート)、アルミニウムモノアセチ
ルアセトネートビス(エチルアセトアセテート)等のア
ルミニウムキレート類等が例示でき、取扱い性の点から
アルミニウムキレート類がより好ましい。シラノール縮
合触媒となるチタン系化合物としては、テトライソプロ
ポキシチタン、テトラブトキシチタン等のテトラアルコ
キシチタン類:チタンテトラアセチルアセトナート等の
チタンキレート類:オキシ酢酸やエチレングリコール等
の残基を有する一般的なチタネートカップリング剤が例
示できる。これらのシラノール縮合触媒は単独で使用し
てもよく、2種以上併用してもよい。
は、カップリング剤100重量部に対して0.1〜30
重量部が好ましく、1〜15重量部が更に好ましい。硬
化触媒の使用量が少なすぎると、シラノール縮合触媒の
添加効果が現れず、多すぎると、硬化時に局部的な発熱
や発泡が生じ、良好な硬化物が得られにくくなるので、
好ましくない。
ラーを添加してもよい。無機フィラーを添加すると、組
成物の流動性の防止、材料の高強度化に効果がある。無
機フィラーとしては光学特性を低下させない、微粒子状
なものが好ましく、アルミナ、水酸化アルミニウム、溶
融シリカ、結晶性シリカ、超微粉無定型シリカや疎水性
超微粉シリカ、タルク、硫酸バリウム等を挙げることが
できる。
アルコキシシラン、アシロキシシラン、ハロゲン化シラ
ン等の加水分解性シランモノマーあるいはオリゴマー
や、チタン、アルミニウム等の金属のアルコキシド、ア
シロキシド、ハロゲン化物等を、本発明の組成物に添加
して、組成物中あるいは組成物の部分反応物中で反応さ
せ、組成物中で無機フィラーを生成させる方法も挙げる
ことができる。
る目的で、種々の熱硬化性樹脂を添加することも可能で
ある。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、シアナー
ト樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ウレタン樹
脂等が例示されるがこれに限定されるものではない。こ
れらのうち、透明性が高く接着性等の実用特性に優れる
という観点から、透明エポキシ樹脂が好ましい。
ェノールAジグリシジルエーテル、2,2’−ビス(4
−グリシジルオキシシクロヘキシル)プロパン、3,4
−エポキシシクロヘキシルメチル−3,4−エポキシシ
クロヘキサンカーボキシレート、ビニルシクロヘキセン
ジオキサイド、2−(3,4−エポキシシクロヘキシ
ル)−5,5−スピロ−(3,4−エポキシシクロヘキ
サン)−1,3−ジオキサン、ビス(3,4−エポキシ
シクロヘキシル)アジペート、1,2−シクロプロパン
ジカルボン酸ビスグリシジルエステル、トリグリシジル
イソシアヌレート、モノアリルジグリシジルイソシアヌ
レート、ジアリルモノグリシジルイソシアヌレート等の
エポキシ樹脂をヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルヘキ
サヒドロ無水フタル酸、トリアルキルテトラヒドロ無水
フタル酸、水素化メチルナジック酸無水物等の脂肪族酸
無水物で硬化させるものが挙げられる。これらのエポキ
シ樹脂あるいは硬化剤はそれぞれ単独で用いても、複数
のものを組み合わせてもよい。
イオード特性改善のための添加剤を添加してもよい。添
加剤としては例えば、発光素子からの光を吸収してより
長波長の蛍光を出す、セリウムで付活されたイットリウ
ム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体等の蛍光体や、
特定の波長を吸収するブルーイング剤等の着色剤、光を
拡散させるための酸化チタン、酸化アルミニウム、シリ
カ、石英ガラス等の酸化ケイ素、タルク、炭酸カルシウ
ム、メラミン樹脂、CTUグアナミン樹脂、ベンゾグア
ナミン樹脂等のような各種無機あるいは有機拡散材、ガ
ラス、アルミノシリケート等の金属酸化物、窒化アルミ
ニウム、窒化ボロン等の金属窒化物等の熱伝導性フィラ
ー等を挙げることができる。
均一に含有させても良いし、含有量に傾斜を付けて含有
させてもよい。この様なフィラー含有樹脂部は発光面前
面のモールド部材用の樹脂を型に流した後、引き続い
て、フィラーを含有させた樹脂を流し発光面後方のモー
ルド部材として形成させることができる。また、モール
ド部材形成後リード端子を表裏両面からテープを張り付
けることによって覆い、この状態でリードフレーム全体
をフィラー含有樹脂を溜めたタンク内に発光ダイオード
のモールド部材の下半分を浸漬した後、引き上げて乾燥
させフィラー含有樹脂部を形成させても良い。
外線、紫外線、X線、レーザーなどの光をその材料中を
通過させる用途に用いる材料一般を示す。
おける基板材料、導光板、プリズムシート、偏向板、位
相差板、視野角補正フィルム、接着剤、偏光子保護フィ
ルムなどの液晶用フィルムなどの液晶表示装置周辺材料
である。また、次世代フラットパネルディスプレイとし
て期待されるカラーPDP(プラズマディスプレイ)の
封止剤、反射防止フィルム、光学補正フィルム、ハウジ
ング材、前面ガラスの保護フィルム、前面ガラス代替材
料、接着剤、また発光ダイオード表示装置に使用される
発光素子のモールド材、発光ダイオードの封止材、前面
ガラスの保護フィルム、前面ガラス代替材料、接着剤、
またプラズマアドレス液晶(PALC)ディスプレイに
おける基板材料、導光板、プリズムシート、偏向板、位
相差板、視野角補正フィルム、接着剤、偏光子保護フィ
ルム、また有機EL(エレクトロルミネッセンス)ディ
スプレイにおける前面ガラスの保護フィルム、前面ガラ
ス代替材料、接着剤、またフィールドエミッションディ
スプレイ(FED)における各種フィルム基板、前面ガ
ラスの保護フィルム、前面ガラス代替材料、接着剤であ
る。
ク)、CD/CD−ROM、CD−R/RW、DVD−
R/DVD−RAM、MO/MD、PD(相変化ディス
ク)、光カード用のディスク基板材料、ピックアップレ
ンズ、保護フィルム、封止剤、接着剤などである。
ズ用材料、ファインダプリズム、ターゲットプリズム、
ファインダーカバー、受光センサー部である。また、ビ
デオカメラの撮影レンズ、ファインダーである。またプ
ロジェクションテレビの投射レンズ、保護フィルム、封
止剤、接着剤などである。光センシング機器のレンズ用
材料、封止剤、接着剤、フィルムなどである。
イッチ周辺のファイバー材料、レンズ、導波路、素子の
封止剤、接着剤などである。光コネクタ周辺の光ファイ
バー材料、フェルール、封止剤、接着剤などである。光
受動部品、光回路部品ではレンズ、導波路、発光素子の
封止剤、接着剤などである。光電子集積回路(OEI
C)周辺の基板材料、ファイバー材料、素子の封止剤、
接着剤などである。
用照明・ライトガイドなど、工業用途のセンサー類、表
示・標識類など、また通信インフラ用および家庭内のデ
ジタル機器接続用の光ファイバーである。
LSI材料用のマイクロリソグラフィー用のレジスト材
料である。
プリフレクタ、ベアリングリテーナー、ギア部分、耐蝕
コート、スイッチ部分、ヘッドランプ、エンジン内部
品、電装部品、各種内外装品、駆動エンジン、ブレーキ
オイルタンク、自動車用防錆鋼板、インテリアパネル、
内装材、保護・結束用ワイヤーネス、燃料ホース、自動
車ランプ、ガラス代替品である。また、鉄道車輌用の複
層ガラスである。また、航空機の構造材の靭性付与剤、
エンジン周辺部材、保護・結束用ワイヤーネス、耐蝕コ
ートである。
バー、シート、ガラス中間膜、ガラス代替品、太陽電池
周辺材料である。農業用では、ハウス被覆用フィルムで
ある。
有機EL素子周辺材料、有機フォトリフラクティブ素
子、光−光変換デバイスである光増幅素子、光演算素
子、有機太陽電池周辺の基板材料、ファイバー材料、素
子の封止剤、接着剤などである。
も含まれる。
電気接点あるいは半導体素子等の封止材料、ダイボンド
剤、導電性接着剤、異方性導電性接着剤、ビルドアップ
基板を含む多層基板の層間接着剤、パッシベーション
膜、ソルダーレジスト等を挙げることができる。
成物中のSiH基と反応性を有する炭素−炭素二重結合
とSiH基の一部または全部およびを反応させることに
よって硬化させて、光学用材料あるいは電子材料とする
ことができる。
合の方法としては、各種方法をとることができるが、
(A)成分に(C)成分を混合したものと、(B)成分
にを混合する方法が好ましい。(A)成分、(B)成分
の混合物に(C)成分を混合する方法だと反応の制御が
困難である。(B)成分に(C)成分を混合したものに
(A)成分を混合する方法をとる場合は、(C)成分の
存在下(B)成分が環境中の水分と反応性を有するた
め、貯蔵中などに変質することもある。(D)成分の混
合の方法としては、相溶性、貯蔵安定性、粘度調整その
他の目的で各種の方法をとることができる。(A)成分
に混合してもよいし、(B)成分に混合してもよいし、
適当な割合で(A)、(B)各成分に分けて混合しても
よい。
て、(A)、(B)、(C)各成分の必要量を一度に混
合して反応させてもよいが、一部を混合して反応させた
後残量を混合してさらに反応させる方法や、混合した後
反応条件の制御や置換基の反応性の差の利用により組成
物中の官能基の一部のみを反応(Bステージ化)させて
から成形などの処理を行いさらに硬化させる方法をとる
こともできる。これらの方法によれば成形時の粘度調整
が容易となる。
けで反応させることもできるし、加熱して反応させるこ
ともできる。反応が速く、一般に耐熱性の高い材料が得
られやすいという観点から加熱して反応させる方法が好
ましい。
ば30〜300℃の温度が適用でき、100〜250℃
がより好ましく、150〜200℃がさらに好ましい。
反応温度が低いと十分に反応させるための反応時間が長
くなり、反応温度が高いと成形加工が困難となりやす
い。
に応じて多段階あるいは連続的に温度を変化させてもよ
い。一定の温度で行うより多段階的あるいは連続的に温
度を上昇させながら反応させた方が歪のない均一な硬化
物が得られやすいという点においてので好ましい。
で反応させるより、比較的低温長時間で反応させた方が
歪のない均一な硬化物が得られやすいという点において
ので好ましい。
常圧、高圧、あるいは減圧状態で反応させることもでき
る。加水分解縮合により発生する揮発分を除きやすいと
いう点においては、減圧状態で反応させることが好まし
い。
じて種々とりうるので特に限定されないが、例えばフィ
ルム状、シート状、チューブ状、ロッド状、塗膜状、バ
ルク状などの形状とすることができる。
方法をはじめとして種々の方法をとることができる。例
えば、キャスト法、プレス法、注型法、トランスファー
成形法、コーティング法、RIM法などの成形方法を適
用することができる。成形型はガラス、ステンレス、ポ
リカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリメ
チルメタクリレート、ポリメチルペンテン等を適用する
ことができる。また、成形型との離型性を向上させるた
めポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリカーボネ
ートフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリエチレン
フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリ
プロピレンフィルム、ポリイミドフィルム、各種離型剤
等を適用することができる。
できる。例えば、成形時に発生するボイドの抑制のため
に組成物あるいは一部反応させた組成物を遠心、減圧な
どにより脱泡する処理、プレス時に一旦圧力を開放する
処理などを適用することもできる。
ドを製造することができる。この場合、発光ダイオード
は上記したような硬化性組成物によって発光素子を被覆
することによって製造することができる。
公知の発光ダイオードに用いられる発光素子を用いるこ
とができる。このような発光素子としては、例えば、M
OCVD法、HDVPE法、液相成長法といった各種方
法によって、必要に応じてGaN、AlN等のバッファ
ー層を設けた基板上に半導体材料を積層して作成したも
のが挙げられる。この場合の基板としては、各種材料を
用いることができるが、例えばサファイヤ、スピネル、
SiC、Si、ZnO、GaN単結晶等が挙げられる。
これらのうち、結晶性の良好なGaNを容易に形成で
き、工業的利用価値が高いという観点からは、サファイ
ヤを用いることが好ましい。
s、GaP、GaAlAs、GaAsP、AlGaIn
P、GaN、InN、AlN、InGaN、InGaA
lN、SiC等が挙げられる。これらのうち、高輝度が
得られるという観点からは、窒化物系化合物半導体(I
nx GayAlz N)が好ましい。このような材料には
付活剤等を含んでいてもよい。
n接合、PIN接合を有するホモ接合、ヘテロ接合やダ
ブルへテロ構造等が挙げられる。また、単一あるいは多
重量子井戸構造とすることもできる。
てもよいし、設けなくてもよい。
て電極を形成することができる。
子等と電気接続できる。電気接続部材としては、発光素
子の電極とのオーミック性機械的接続性等が良いものが
好ましいく、例えば、金、銀、銅、白金、アルミニウム
やそれらの合金等を用いたボンディングワイヤーが挙げ
られる。また、銀、カーボン等の導電性フィラーを樹脂
で充填した導電性接着剤等を用いることもできる。これ
らのうち、作業性が良好であるという観点からは、アル
ミニウム線或いは金線を用いることが好ましい。
本発明の発光ダイオードにおいては発光素子の光度とし
ては垂直方向の光度が1cd以上であれば任意のものを
用いることができるが、垂直方向の光度が2cd以上の
発光素子を用いた場合により本発明の効果が顕著であ
り、3cd以上の発光素子を用いた場合にさらに本発明
の効果が顕著である。
任意のものを用いることができるが、20mAにおいて
1mW以上の発光素子を用いた場合に本発明の効果が顕
著であり、20mAにおいて4mW以上の発光素子を用
いた場合により本発明の効果が顕著であり、20mAに
おいて5mW以上の発光素子を用いた場合にさらに本発
明の効果が顕著である。
で種々のものを用いることができるが、主発光ピーク波
長が550nm以下のものを用いた場合に特に本発明の
効果が顕著である。
も良いし、複数用いて単色或いは多色発光させても良
い。
ド端子としては、ボンディングワイヤー等の電気接続部
材との密着性、電気伝導性等が良好なものが好ましく、
リード端子の電気抵抗としては、300μΩ-cm以下
が好ましく、より好ましくは3μΩ-cm以下である。
これらのリード端子材料としては、例えば、鉄、銅、鉄
入り銅、錫入り銅や、これらに銀、ニッケル等をメッキ
したもの等が挙げられる。これらのリード端子は良好な
光の広がりを得るために適宜光沢度を調整してもよい。
硬化性組成物によって発光素子を被覆することによって
製造することができるが、この場合被覆とは、上記発光
素子を直接封止するものに限らず、間接的に被覆する場
合も含む。具体的には、発光素子を本発明の硬化性組成
物で直接従来用いられる種々の方法で封止してもよい
し、従来用いられるエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ア
クリル樹脂、ユリア樹脂、イミド樹脂等の封止樹脂やガ
ラスで発光素子を封止した後に、その上あるいは周囲を
本発明の硬化性組成物で被覆してもよい。また、発光素
子を本発明の硬化性組成物で封止した後、従来用いられ
るエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ユリ
ア樹脂、イミド樹脂等でモールディングしてもよい。以
上のような方法によって屈折率や比重の差によりレンズ
効果等の種々の効果をもたせることも可能である。
とができる。例えば、底部に発光素子を配置させたカッ
プ、キャビティ、パッケージ凹部等に液状の硬化性組成
物をディスペンサーその他の方法にて注入して加熱等に
より硬化させてもよいし、固体状あるいは高粘度液状の
硬化性組成物を加熱する等して流動させ同様にパッケー
ジ凹部等に注入してさらに加熱する等して硬化させても
よい。この場合のパッケージは種々の材料を用いて作成
することができ、例えば、ポリカーボネート樹脂、ポリ
フェニレンスルフィド樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹
脂、シリコーン樹脂、ABS樹脂、ポリブチレンテレフ
タレート樹脂、ポリフタルアミド樹脂等を挙げることが
できる。また、モールド型枠中に硬化性組成物をあらか
じめ注入し、そこに発光素子が固定されたリードフレー
ム等を浸漬した後硬化させる方法も適用することができ
るし、発光素子を挿入した型枠中にディスペンサーによ
る注入、トランスファー成形、射出成形等により硬化性
組成物による封止層を成形、硬化させてもよい。さら
に、単に液状または流動状態とした硬化性組成物を発光
素子状に滴下あるいはコーティングして硬化させてもよ
い。あるいは、発光素子上に孔版印刷、スクリーン印
刷、あるいはマスクを介して塗布すること等により硬化
性樹脂を成形させて硬化させることもできる。その他、
あらかじめ板状、あるいはレンズ形状等に部分硬化ある
いは硬化させた硬化性組成物を発光素子上に固定する方
法によってもよい。さらには、発光素子をリード端子や
パッケージに固定するダイボンド剤として用いることも
できるし、発光素子上のパッシベーション膜として用い
ることもできる。また、パッケージ基板として用いるこ
ともできる。
状をとることができる。例えば、レンズ形状、板状、薄
膜状、特開平6−244458記載の形状等が挙げられ
る。これらの形状は硬化性組成物を成形硬化させること
によって形成してもよいし、硬化性組成物を硬化した後
に後加工により形成してもよい。
とすることができ、例えば、ランプタイプ、SMDタイ
プ、チップタイプ等いずれのタイプでもよい。SMDタ
イプ、チップタイプのパッケージ基板としては、種々の
ものが用いられ、例えば、エポキシ樹脂、BTレジン、
セラミック等が挙げられる。
公知の種々の方式が適用できる。例えば、発光素子背面
に光を反射あるいは集光する層を設ける方式、封止樹脂
の黄変に対応して補色着色部を底部に形成させる方式、
主発光ピークより短波長の光を吸収する薄膜を発光素子
上に設ける方式、発光素子を軟質あるいは液状の封止材
で封止した後周囲を硬質材料でモールディングする方
式、発光素子からの光を吸収してより長波長の蛍光を出
す蛍光体を含む材料で発光素子を封止した後周囲をモー
ルディングする方式、蛍光体を含む材料をあらかじめ成
形してから発光素子とともにモールドする方式、特開平
6−244458に記載のとおりモールディング材を特
殊形状として発光効率を高める方式、輝度むらを低減さ
せるためにパッケージを2段状の凹部とする方式、発光
ダイオードを貫通孔に挿入して固定する方式、発光素子
表面に主発光波長より短い波長の光を吸収する薄膜を形
成する方式、発光素子をはんだバンプ等を用いたフリッ
プチップ接続等によってリード部材等と接続して基板方
向から光を取出す方式、等を挙げることができる。
の用途に用いることができる。具体的には、例えばバッ
クライト、照明、センサー光源、車両用計器光源、信号
灯、表示灯、表示装置、面状発光体の光源、ディスプレ
イ、装飾、各種ライト等を挙げることができる。
が、本発明は以下によって限定されるものではない。 (合成例1)500mLの4つ口フラスコに、攪拌装
置、冷却管、滴下漏斗をセットした。このフラスコにト
ルエン100gおよび1、1、3、3−テトラメチルジ
シロキサン54.2gを入れ、104℃に加熱したオイ
ルバス中で加温、攪拌した。このフラスコに、トリアリ
ルイソシアヌレート33.6gおよび白金ビニルシロキ
サン錯体のキシレン溶液(白金として3wt%含有)2
42μLをトルエン100gで希釈したものを滴下漏斗
から40分かけて滴下した。オイルバスの温度を118
℃まで昇温し4.5時間加熱攪拌した後放冷し、減圧で
揮発分を留去して薄い茶色のやや粘ちょうな液体(反応
物A)78.3gを得た。
1、3、3−テトラメチルジシロキサンのSiH基の一
部がトリアリルイソシアヌレートと反応したものである
ことがわかった。また、1、2−ジブロモエタンを内部
標準に用いた1H−NMR測定により、生成物は3.1
0mmol/gのSiH基および0.070mmol/
gのアリル基を含有することがわかった。 (合成例2)5Lの4つ口フラスコに、攪拌装置、冷却
管、滴下漏斗をセットした。このフラスコにトルエン1
800gおよび1、3、5、7−テトラメチルシクロテ
トラシロキサン1440gを入れ、120℃に加熱した
オイルバス中で加温、攪拌した。このフラスコに、トリ
アリルイソシアヌレート200gおよび白金ビニルシロ
キサン錯体のキシレン溶液(白金として3wt%含有)
1.44mLをトルエン200gで希釈したものを滴下
漏斗から50分かけて滴下した。同温で6時間加熱攪拌
した後放冷し、1−エチニルシクロヘキサノール2.9
5gを加えて混合し、減圧で揮発分を留去して薄い黄色
のやや粘ちょうな液体(反応物B)723gを得た。
5、7−テトラメチルシクロテトラシロキサンのSiH
基の一部がトリアリルイソシアヌレートと反応したもの
であることがわかった。また、1、2−ジブロモエタン
を内部標準に用いた1H−NMR測定により、生成物は
9.15mmol/gのSiH基および0.164mm
ol/gのアリル基を含有することがわかった。 (実施例1)トリアリルイソシアヌレート4.0gと白
金ビニルシロキサン錯体のキシレン溶液(白金として3
wt%含有)23.3μlを混合した。これに合成例1
で合成した反応物A16.0gと1−エチニルシクロヘ
キサノール60.1mgをあらかじめ混合したものを加
えて混合して硬化性組成物とした。このものを、2枚の
ガラス板に3mm厚みのシリコーンゴムシートをスペー
サーとしてはさみこんで作成したセルに流し、60℃/
6時間、70℃/1時間、80℃/1時間、120℃/
1時間の条件で段階的に加熱を行い無色透明のシート状
硬化物を得た。このものはゴム状で強靭性を有してお
り、手で折り曲げても割れなかった。 (実施例2)トリアリルイソシアヌレート4.3gと白
金ビニルシロキサン錯体のキシレン溶液(白金として3
wt%含有)17.9μlを混合した。これに合成例1
で合成した反応物A11.1gと1−エチニルシクロヘ
キサノール46.2mgをあらかじめ混合したものを加
えて混合して硬化性組成物とした。このものから実施例
1と同様の手順で無色透明のシート状硬化物を得た。こ
のものはゴム状で強靭性を有しており、手で折り曲げて
も割れなかった。 (実施例3)トリアリルイソシアヌレート3.0gと白
金ビニルシロキサン錯体のキシレン溶液(白金として3
wt%含有)25.3μlを混合した。これに合成例1
で合成した反応物A18.8gと1−エチニルシクロヘ
キサノール65.3mgをあらかじめ混合したものを加
えて混合して硬化性組成物とした。このものから実施例
1と同様の手順で薄茶色透明のシート状硬化物を得た。
このものはゴム状で強靭性を有しており、手で折り曲げ
ても割れなかった。 (比較例1)トリアリルイソシアヌレート10.0gと
白金ビニルシロキサン錯体のキシレン溶液(白金として
3wt%含有)81.6μlを混合した。これに合成例
2で合成した反応物B13.44gと1−エチニルシク
ロヘキサノール70.2mgをあらかじめ混合したもの
を加えて混合して硬化性組成物とした。このものから実
施例1と同様の手順で無色透明のシート状硬化物を得
た。このものは硬質でやや脆く、手で折り曲げると折れ
た。 (比較例2)トリアリルイソシアヌレート10.0gと
1−ヘキサデセン13.9gと白金ビニルシロキサン錯
体のキシレン溶液(白金として3wt%含有)157μ
lを混合した。これに合成例2で合成した反応物B2
1.2gと1−エチニルシクロヘキサノール135mg
をあらかじめ混合したものを加えて混合して硬化性組成
物とした。このものから実施例1と同様の手順で無色透
明のシート状硬化物を得た。このものはゴム状であった
が脆く、手で折り曲げると割れた。 (測定例)実施例1〜3、比較例1、2で得た硬化物の
物性データおよびそれぞれの硬化物をスガ試験機製のS
X120型キセノンウェザーメーター(ブラックパネル
温度63℃、照射2時間中降雨18分)にて70時間照
射する耐光性試験を行った後の硬化物の着色を調べた結
果を表に示した。
(有機金属気相成長)法により、アンドープの窒化物半
導体であるn型GaN層、Siドープのn型電極が形成
されn型コンタクト層となるGaN層、アンドープの窒
化物半導体であるn型GaN層、次に発光層を構成する
バリア層となるGaN層、井戸層を構成するInGaN
層、バリア層となるGaN層(量子井戸構造)、発光層
上にMgがドープされたp型クラッド層としてAlGa
N層、Mgがドープされたp型コンタクト層であるGa
N層を順次積層させる。エッチングによりサファイア基
板上の窒化物半導体に同一面側で、pn各コンタクト層
表面を露出させる。各コンタクト層上に、スパッタリン
グ法を用いてAlを蒸着し、正負各電極をそれぞれ形成
させる。出来上がった半導体ウエハーをスクライブライ
ンを引いた後、外力により分割させ発光素子である発光
素子を形成させる。
されるマウントリードのカップ底面上に、ダイボンド樹
脂としてエポキシ樹脂組成物を利用して上記発光素子を
ダイボンドする。これを170℃で75分加熱しエポキ
シ樹脂組成物を硬化させ発光素子を固定する。次に、発
光素子の正負各電極と、マウントリード及びインナーリ
ードとをAu線によりワイヤーボンディングさせ電気的
導通を取る。
性組成物を砲弾型の型枠であるキャスティングケース内
に注入させる。上記の発光素子がカップ内に配置された
マウントリード及びインナーリードの一部をキャスティ
ングケース内に挿入し100℃1時間の初期硬化を行
う。キャスティングケースから発光ダイオードを抜き出
し、窒素雰囲気下において120℃1時間で硬化を行
う。これにより砲弾型等のランプタイプの発光ダイオー
ドを作成することができる。 (実施例5)実施例1乃至4に記載の方法で硬化性組成
物および発光素子を作成する。
ラスエポキシ樹脂上に形成させることによって、リード
電極を持った基板を形成する。発光素子をエポキシ樹脂
を用いてガラスエポキシ樹脂上にダイボンドする。発光
素子の各電極と、各リード電極とをそれぞれAu線でワ
イヤボンディングし電気的導通を取る。基板上にマスク
兼側壁としてとして貫通孔があいたガラスエポキシ樹脂
をエポキシ樹脂により固定配置させる。この状態で真空
装置内に配置させると共に発光素子が配置されたガラス
エポキシ樹脂基板上に硬化性組成物をディスペンスし、
貫通孔を利用したキャビティ内に硬化性組成物を充填す
る。この状態で、100℃1時間、さらに150℃1時
間硬化させる。各発光ダイオードチップごとに分割させ
ることでチップタイプ発光ダイオードを作成することが
できる。 (実施例6)実施例1乃至4に記載の方法で硬化性組成
物および発光素子を作成する。
チップタイプ発光ダイオードのパッケージを形成させ
る。パッケージ内は、発光素子が配される開口部を備
え、銀メッキした銅板を外部電極として配置させる。パ
ッケージ内部で発光素子をエポキシ樹脂を用いてダイボ
ンドして固定する。導電性ワイヤーであるAu線を発光
素子の各電極とパッケージに設けられた各外部電極とに
それぞれワイヤーボンディングし電気的に接続させる。
パッケージ開口部内にモールド部材として硬化性組成物
を充填する。この状態で、100℃1時間、さらに15
0℃1時間硬化させる。この様にして、チップタイプ発
光ダイオードを作成することができる。
は耐光耐久性が高く、特に強靭性を有する光学材料およ
び電子材料に適した材料である。
Claims (13)
- 【請求項1】(A)SiH基と反応性を有する炭素−炭
素二重結合を1分子中に少なくとも2個含有する有機化
合物、(B)1分子中に少なくとも2個のSiH基を含
有する化合物、(C)ヒドロシリル化触媒、を必須成分
として含有する硬化性組成物であって、 上記(A)成分が下記一般式(I) 【化1】 (式中R1は炭素数1〜50の一価の有機基を表し、そ
れぞれのR1は異なっていても同一であってもよい。)
で表される有機化合物であり、 かつ、上記(B)成分が両末端にSiH基を含有する鎖
状シロキサン化合物であることを特徴とする硬化性組成
物からなる光学材料用組成物。 - 【請求項2】(A)SiH基と反応性を有する炭素−炭
素二重結合を1分子中に少なくとも2個含有する有機化
合物、(B)1分子中に少なくとも2個のSiH基を含
有する化合物、(C)ヒドロシリル化触媒、を必須成分
として含有する硬化性組成物であって、 上記(A)成分が下記一般式(I) 【化2】 (式中R1は炭素数1〜50の一価の有機基を表し、そ
れぞれのR1は異なっていても同一であってもよい。)
で表される有機化合物であり、 上記(B)成分が両末端にSiH基を含有する鎖状シロ
キサン化合物と上記(A)成分との反応物であることを
特徴とする硬化性組成物からなる光学材料用組成物。 - 【請求項3】上記(A)成分がトリアリルイソシアヌレ
ートであることを特徴とする、請求項1あるいは2に記
載の硬化性組成物からなる光学材料用組成物。 - 【請求項4】請求項1乃至3のいずれか一項に記載の硬
化性組成物からなる発光ダイオードの封止材用組成物。 - 【請求項5】請求項1乃至3のいずれか一項に記載の硬
化性組成物からなる電子材料用組成物。 - 【請求項6】請求項1乃至3のいずれか一項に記載の硬
化性組成物をあらかじめ混合し、組成物中のSiH基と
反応性を有する炭素−炭素二重結合とSiH基の一部ま
たは全部を反応させることによって硬化させてなる光学
材料。 - 【請求項7】請求項1乃至3のいずれか一項に記載の硬
化性組成物をあらかじめ混合し、組成物中のSiH基と
反応性を有する炭素−炭素二重結合とSiH基の一部ま
たは全部を反応させることによって硬化させてなる発光
ダイオードの封止材。 - 【請求項8】請求項1乃至3のいずれか一項に記載の硬
化性組成物をあらかじめ混合し、組成物中のSiH基と
反応性を有する炭素−炭素二重結合とSiH基の一部ま
たは全部を反応させることによって硬化させてなる電子
材料。 - 【請求項9】請求項1乃至3のいずれか一項に記載の硬
化性組成物をあらかじめ混合し、組成物中のSiH基と
反応性を有する炭素−炭素二重結合とSiH基の一部ま
たは全部を反応させることによる請求項6に記載の光学
材料の製造方法。 - 【請求項10】請求項1乃至3のいずれか一項に記載の
硬化性組成物をあらかじめ混合し、組成物中のSiH基
と反応性を有する炭素−炭素二重結合とSiH基の一部
または全部を反応させることによる請求項7に記載の発
光ダイオードの封止材の製造方法。 - 【請求項11】請求項1乃至3のいずれか一項に記載の
硬化性組成物をあらかじめ混合し、組成物中のSiH基
と反応性を有する炭素−炭素二重結合とSiH基の一部
または全部を反応させることによる請求項8に記載の電
子材料の製造方法。 - 【請求項12】請求項6に記載の光学材料、あるいは/
および請求項7に記載の発光ダイオードの封止材、ある
いは/および請求項8に記載の電子材料を用いた発光ダ
イオード。 - 【請求項13】請求項6に記載の発光ダイオードの封止
材によって発光素子を被覆することを特徴とする発光ダ
イオードの製造方法。
Priority Applications (1)
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Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003091338A1 (en) * | 2002-04-26 | 2003-11-06 | Kaneka Corporation | Hardenable composition, hardening product, process for producing the same and light emitting diode sealed with the hardening product |
JP2004266134A (ja) * | 2003-03-03 | 2004-09-24 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | ダイボンディング用樹脂ペースト及びそれを用いた発光ダイオード |
JP2004292779A (ja) * | 2002-04-26 | 2004-10-21 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 硬化性組成物、硬化物、その製造方法およびその硬化物により封止された発光ダイオード |
JP2005159276A (ja) * | 2003-10-28 | 2005-06-16 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体発光装置及びその製造方法 |
JP2005307064A (ja) * | 2004-04-23 | 2005-11-04 | Kaneka Corp | 硬化性組成物の製造方法 |
JP2006137797A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-01 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 自己接着性オルガノポリシロキサン組成物 |
JP2006206919A (ja) * | 2002-04-26 | 2006-08-10 | Kaneka Corp | 硬化性組成物、硬化物およびその製造方法 |
JP2010532792A (ja) * | 2007-04-10 | 2010-10-14 | ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド | オプトエレクトロニクスデバイス用の組成物、層、及びフィルム、並びにこれらの使用 |
JP2011057590A (ja) * | 2009-09-08 | 2011-03-24 | Kaneka Corp | イソシアヌレート誘導体の精製方法 |
JP2011063670A (ja) * | 2009-09-16 | 2011-03-31 | Kaneka Corp | 硬化性組成物 |
JP2012062424A (ja) * | 2010-09-17 | 2012-03-29 | Kaneka Corp | 光学接着剤及びこれを含む表示デバイス |
US8809414B2 (en) | 2008-10-02 | 2014-08-19 | Kaneka Corporation | Photocurable composition and cured product |
US9464172B2 (en) | 2007-12-10 | 2016-10-11 | Kaneka Corporation | Alkali-developable curable composition, insulating thin film using the same, and thin film transistor |
-
2001
- 2001-10-05 JP JP2001309683A patent/JP2003113310A/ja active Pending
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003091338A1 (en) * | 2002-04-26 | 2003-11-06 | Kaneka Corporation | Hardenable composition, hardening product, process for producing the same and light emitting diode sealed with the hardening product |
JP2004292779A (ja) * | 2002-04-26 | 2004-10-21 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 硬化性組成物、硬化物、その製造方法およびその硬化物により封止された発光ダイオード |
JP4685690B2 (ja) * | 2002-04-26 | 2011-05-18 | 株式会社カネカ | 硬化性組成物、硬化物およびその製造方法 |
JP4611617B2 (ja) * | 2002-04-26 | 2011-01-12 | 株式会社カネカ | 発光ダイオード |
JP2006206919A (ja) * | 2002-04-26 | 2006-08-10 | Kaneka Corp | 硬化性組成物、硬化物およびその製造方法 |
US7371462B2 (en) | 2002-04-26 | 2008-05-13 | Kaneka Corporation | Hardenable composition, hardening product, process for producing the same and light emitting diode sealed with the hardening product |
JP2004266134A (ja) * | 2003-03-03 | 2004-09-24 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | ダイボンディング用樹脂ペースト及びそれを用いた発光ダイオード |
JP2005159276A (ja) * | 2003-10-28 | 2005-06-16 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体発光装置及びその製造方法 |
JP4504077B2 (ja) * | 2004-04-23 | 2010-07-14 | 株式会社カネカ | 硬化性組成物の製造方法 |
JP2005307064A (ja) * | 2004-04-23 | 2005-11-04 | Kaneka Corp | 硬化性組成物の製造方法 |
JP4541842B2 (ja) * | 2004-11-10 | 2010-09-08 | 信越化学工業株式会社 | 自己接着性オルガノポリシロキサン組成物 |
JP2006137797A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-01 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 自己接着性オルガノポリシロキサン組成物 |
JP2010532792A (ja) * | 2007-04-10 | 2010-10-14 | ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド | オプトエレクトロニクスデバイス用の組成物、層、及びフィルム、並びにこれらの使用 |
US9464172B2 (en) | 2007-12-10 | 2016-10-11 | Kaneka Corporation | Alkali-developable curable composition, insulating thin film using the same, and thin film transistor |
US8809414B2 (en) | 2008-10-02 | 2014-08-19 | Kaneka Corporation | Photocurable composition and cured product |
JP2011057590A (ja) * | 2009-09-08 | 2011-03-24 | Kaneka Corp | イソシアヌレート誘導体の精製方法 |
JP2011063670A (ja) * | 2009-09-16 | 2011-03-31 | Kaneka Corp | 硬化性組成物 |
JP2012062424A (ja) * | 2010-09-17 | 2012-03-29 | Kaneka Corp | 光学接着剤及びこれを含む表示デバイス |
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