JPH07142766A - 発光装置 - Google Patents
発光装置Info
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- JPH07142766A JPH07142766A JP5286924A JP28692493A JPH07142766A JP H07142766 A JPH07142766 A JP H07142766A JP 5286924 A JP5286924 A JP 5286924A JP 28692493 A JP28692493 A JP 28692493A JP H07142766 A JPH07142766 A JP H07142766A
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- Japan
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- light
- emitting element
- resin mold
- light emitting
- led
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 多湿度の環境下においても一定の輝度を維持
できる、耐湿性の優れた発光装置を提供する。 【構成】 発光素子３とこれを封止するための樹脂モー
ルド部６を有する発光装置において、前記樹脂モールド
部表面に耐湿性保護膜７を設けたことを特徴とする発光
装置である。
できる、耐湿性の優れた発光装置を提供する。 【構成】 発光素子３とこれを封止するための樹脂モー
ルド部６を有する発光装置において、前記樹脂モールド
部表面に耐湿性保護膜７を設けたことを特徴とする発光
装置である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、発光装置に関し、高湿
度の環境下に使用される発光装置に関する。
度の環境下に使用される発光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、発光装置は、ＬＥＤ装置を例にと
ると、次のような構成をとっている。上記ＬＥＤ装置
は、図２に示すように、Ｃｕ等からなる一対のリード端
子２１および２２と、一方のリード端子２１の先端部に
固着されたＬＥＤ素子２３と、このＬＥＤ素子２３と他
方のリード端子２２とを接続するためのＣｕ等からなる
金属線２４と、ＬＥＤ素子２３の表面に形成されたアル
ミナ等からなる透明状の保護膜２５と、ＬＥＤ素子２３
および金属線２４を封止するための透光性のエポキシ樹
脂等からなる樹脂モールド部２６とを備えてなるもので
あり、ＬＥＤ素子２３から照射された光が、樹脂モール
ド部２６を介してＬＥＤ装置Ａ’外部へ放出されるとい
う構成である。
ると、次のような構成をとっている。上記ＬＥＤ装置
は、図２に示すように、Ｃｕ等からなる一対のリード端
子２１および２２と、一方のリード端子２１の先端部に
固着されたＬＥＤ素子２３と、このＬＥＤ素子２３と他
方のリード端子２２とを接続するためのＣｕ等からなる
金属線２４と、ＬＥＤ素子２３の表面に形成されたアル
ミナ等からなる透明状の保護膜２５と、ＬＥＤ素子２３
および金属線２４を封止するための透光性のエポキシ樹
脂等からなる樹脂モールド部２６とを備えてなるもので
あり、ＬＥＤ素子２３から照射された光が、樹脂モール
ド部２６を介してＬＥＤ装置Ａ’外部へ放出されるとい
う構成である。
【０００３】以上のような構成において、保護膜２５
は、樹脂モールド部２６からＬＥＤ装置Ａ’内部に浸入
する水分により、ＬＥＤ素子２３が酸化して、ＬＥＤ素
子２３から照射される光の輝度を低下させることを防止
するためのものである。
は、樹脂モールド部２６からＬＥＤ装置Ａ’内部に浸入
する水分により、ＬＥＤ素子２３が酸化して、ＬＥＤ素
子２３から照射される光の輝度を低下させることを防止
するためのものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年、
ＬＥＤ装置は、風雨にさらされる等により、内部に水分
がより浸入しやすい多湿度の環境下に使用されることが
多いので、上記のような従来のＬＥＤ装置Ａ’は、長期
間に亘って上記多湿度の環境下に使用された場合、ＬＥ
Ｄ素子２３の酸化防止用としての保護膜２５が、樹脂モ
ールド部２６表面からＬＥＤ装置Ａ’内部へ浸入する水
分と長期間に亘って接触することとなるので、該水分と
反応して、透明色から黒色へ序々に変化するため、ＬＥ
Ｄ素子２３から照射される光の輝度が、著しく低下して
いた。
ＬＥＤ装置は、風雨にさらされる等により、内部に水分
がより浸入しやすい多湿度の環境下に使用されることが
多いので、上記のような従来のＬＥＤ装置Ａ’は、長期
間に亘って上記多湿度の環境下に使用された場合、ＬＥ
Ｄ素子２３の酸化防止用としての保護膜２５が、樹脂モ
ールド部２６表面からＬＥＤ装置Ａ’内部へ浸入する水
分と長期間に亘って接触することとなるので、該水分と
反応して、透明色から黒色へ序々に変化するため、ＬＥ
Ｄ素子２３から照射される光の輝度が、著しく低下して
いた。
【０００５】本発明は、以上のような状況下で考え出さ
れたもので、多湿度の環境下においても一定の輝度を維
持できる、耐湿性の優れた発光装置を提供することを目
的とする。
れたもので、多湿度の環境下においても一定の輝度を維
持できる、耐湿性の優れた発光装置を提供することを目
的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、発光素子とこれを封止するための樹脂モ
ールド部を有する発光装置において、樹脂モールド部表
面に耐湿性保護膜を設けたことを特徴とする発光装置を
提供するものである。
決するために、発光素子とこれを封止するための樹脂モ
ールド部を有する発光装置において、樹脂モールド部表
面に耐湿性保護膜を設けたことを特徴とする発光装置を
提供するものである。
【０００７】
【作用および効果】本発明の発光装置によれば、内部に
水分が浸入しやすい多湿度の環境下に使用された場合で
も、発光装置の樹脂モールド部表面に耐湿性保護膜を設
けているので、発光装置の表面に付着する水分は、該表
面に付着するにとどまり、耐湿性保護膜内部に浸入する
ことが無いので、常に樹脂モールド部内を透明色に維持
することが可能であるため、ＬＥＤ素子から照射される
光の輝度を一定に維持できるのである。
水分が浸入しやすい多湿度の環境下に使用された場合で
も、発光装置の樹脂モールド部表面に耐湿性保護膜を設
けているので、発光装置の表面に付着する水分は、該表
面に付着するにとどまり、耐湿性保護膜内部に浸入する
ことが無いので、常に樹脂モールド部内を透明色に維持
することが可能であるため、ＬＥＤ素子から照射される
光の輝度を一定に維持できるのである。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の発光装置の一実施例を、図１
を参照しつつ説明する。本発明の発光装置は、ＬＥＤ装
置を例にとると、図１に示すように、次のような構成か
らなるものである。このＬＥＤ装置Ａは、Ｃｕからなる
一対のリード端子１および２と、一方のリード端子１の
先端部１ａに固着されたＬＥＤ素子３（発光素子）と、
ＬＥＤ素子３と他方のリード端子２とを電気的に接続す
るＣｕからなる金属線４と、ＬＥＤ素子３の酸化を防止
するためにＬＥＤ素子３の表面に形成されたアルミナか
らなる透明状の保護膜５と、ＬＥＤ素子３および金属線
４を封止するための透光性のエポキシ樹脂からなるドー
ム状の樹脂モールド部６と、該樹脂モールド部６内への
水分浸入を防止するために樹脂モールド部６の表面全体
に亘って形成したＳｉＯ2からなる絶縁性のガラス膜７
（耐湿性保護膜）とからなるものである。
を参照しつつ説明する。本発明の発光装置は、ＬＥＤ装
置を例にとると、図１に示すように、次のような構成か
らなるものである。このＬＥＤ装置Ａは、Ｃｕからなる
一対のリード端子１および２と、一方のリード端子１の
先端部１ａに固着されたＬＥＤ素子３（発光素子）と、
ＬＥＤ素子３と他方のリード端子２とを電気的に接続す
るＣｕからなる金属線４と、ＬＥＤ素子３の酸化を防止
するためにＬＥＤ素子３の表面に形成されたアルミナか
らなる透明状の保護膜５と、ＬＥＤ素子３および金属線
４を封止するための透光性のエポキシ樹脂からなるドー
ム状の樹脂モールド部６と、該樹脂モールド部６内への
水分浸入を防止するために樹脂モールド部６の表面全体
に亘って形成したＳｉＯ2からなる絶縁性のガラス膜７
（耐湿性保護膜）とからなるものである。
【０００９】上記ガラス膜７は、従来から使用される高
周波スパッタによる蒸着方法を用いて、樹脂モールド部
６の表面上に約５μｍの薄膜状となるように均一に形成
したものである。本実施例では、ガラス膜７を、高周波
スパッタによる蒸着方法を用いて形成しているが、これ
に限定するものでない。
周波スパッタによる蒸着方法を用いて、樹脂モールド部
６の表面上に約５μｍの薄膜状となるように均一に形成
したものである。本実施例では、ガラス膜７を、高周波
スパッタによる蒸着方法を用いて形成しているが、これ
に限定するものでない。
【００１０】また、ガラス膜７の形成厚みを約５μｍと
しているが、これに限定するものでなく、約５μｍ〜１
０μｍとすることが好ましい。さらに、本実施例では、
耐湿性保護膜としてガラス膜７を用いているが、これに
限定するものでなく、フッ素等を化学的に蒸着（ＣＶ
Ｄ）して形成される蒸着膜を用いても良い。
しているが、これに限定するものでなく、約５μｍ〜１
０μｍとすることが好ましい。さらに、本実施例では、
耐湿性保護膜としてガラス膜７を用いているが、これに
限定するものでなく、フッ素等を化学的に蒸着（ＣＶ
Ｄ）して形成される蒸着膜を用いても良い。
【００１１】以上のような構成を有する本発明のＬＥＤ
装置Ａは、内部に水分が浸入しやすい多湿度の環境下に
使用された場合でも、ＬＥＤ装置Ａの外表面全体に亘っ
てガラス膜７に形成しているので、ＬＥＤ装置Ａの表面
に付着する水分は、該表面に付着するにとどまり、ガラ
ス膜７内部に浸入することが無いのである。このため、
水分がＬＥＤ装置Ａ内部の保護膜５と反応することが無
いので、保護膜５を常に透明色に維持することが可能で
あるため、ＬＥＤ装置Ａの輝度を一定に維持できるので
ある。
装置Ａは、内部に水分が浸入しやすい多湿度の環境下に
使用された場合でも、ＬＥＤ装置Ａの外表面全体に亘っ
てガラス膜７に形成しているので、ＬＥＤ装置Ａの表面
に付着する水分は、該表面に付着するにとどまり、ガラ
ス膜７内部に浸入することが無いのである。このため、
水分がＬＥＤ装置Ａ内部の保護膜５と反応することが無
いので、保護膜５を常に透明色に維持することが可能で
あるため、ＬＥＤ装置Ａの輝度を一定に維持できるので
ある。
【００１２】本実施例では、ＬＥＤ素子３の表面に保護
膜５を形成しているが、保護膜５を形成していない発光
装置においても、本発明の目的をなし得る。また、本発
明は、実施例記載のＬＥＤ装置以外の、従来から使用さ
れている発光装置に対しても適用が可能である。
膜５を形成しているが、保護膜５を形成していない発光
装置においても、本発明の目的をなし得る。また、本発
明は、実施例記載のＬＥＤ装置以外の、従来から使用さ
れている発光装置に対しても適用が可能である。
【図１】本発明に係るＬＥＤ装置を示す一部切欠き側面
図である。
図である。
【図２】従来のＬＥＤ装置を示す一部切欠き側面図であ
る。
る。
【符号の説明】 １ リード端子 ２ リード端子 ３ ＬＥＤ素子 ４ 金属線 ５ 保護膜 ６ 樹脂モールド部 ７ ガラス膜 Ａ ＬＥＤ装置
Claims (1)
- 【請求項１】 発光素子とこれを封止するための樹脂モ
ールド部を有する発光装置において、 前記樹脂モールド部表面に耐湿性保護膜を設けたことを
特徴とする発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5286924A JPH07142766A (ja) | 1993-11-16 | 1993-11-16 | 発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5286924A JPH07142766A (ja) | 1993-11-16 | 1993-11-16 | 発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07142766A true JPH07142766A (ja) | 1995-06-02 |
Family
ID=17710729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5286924A Pending JPH07142766A (ja) | 1993-11-16 | 1993-11-16 | 発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07142766A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1031434A (ja) * | 1996-02-29 | 1998-02-03 | Toshiba Lighting & Technol Corp | 発光ダイオード、表示ユニットおよび表示装置 |
| JP2000174350A (ja) * | 1998-12-10 | 2000-06-23 | Toshiba Corp | 光半導体モジュール |
| JP2004088004A (ja) * | 2002-08-29 | 2004-03-18 | Okaya Electric Ind Co Ltd | 発光ダイオード |
| JP2005159276A (ja) * | 2003-10-28 | 2005-06-16 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| JP2006324486A (ja) * | 2005-05-19 | 2006-11-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体発光装置 |
| JP2008135442A (ja) * | 2006-11-27 | 2008-06-12 | Matsushita Electric Works Ltd | 光モジュール |
| DE102008005936A1 (de) * | 2008-01-24 | 2009-07-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronische Anordnung |
| EP3139412A1 (en) * | 2015-09-04 | 2017-03-08 | IDT Europe GmbH | Optoelectronic device and method for producing the same |
-
1993
- 1993-11-16 JP JP5286924A patent/JPH07142766A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1031434A (ja) * | 1996-02-29 | 1998-02-03 | Toshiba Lighting & Technol Corp | 発光ダイオード、表示ユニットおよび表示装置 |
| JP2000174350A (ja) * | 1998-12-10 | 2000-06-23 | Toshiba Corp | 光半導体モジュール |
| JP2004088004A (ja) * | 2002-08-29 | 2004-03-18 | Okaya Electric Ind Co Ltd | 発光ダイオード |
| JP2005159276A (ja) * | 2003-10-28 | 2005-06-16 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| JP2006324486A (ja) * | 2005-05-19 | 2006-11-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体発光装置 |
| JP4727297B2 (ja) * | 2005-05-19 | 2011-07-20 | 三菱電機株式会社 | 半導体発光装置 |
| JP2008135442A (ja) * | 2006-11-27 | 2008-06-12 | Matsushita Electric Works Ltd | 光モジュール |
| DE102008005936A1 (de) * | 2008-01-24 | 2009-07-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronische Anordnung |
| EP3139412A1 (en) * | 2015-09-04 | 2017-03-08 | IDT Europe GmbH | Optoelectronic device and method for producing the same |
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