JP5011441B1 - 発光ユニットおよび照明装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】光出力の高出力化を図れ、且つ、反りを抑制することが可能な発光ユニットおよび照明装置を提供する。
【解決手段】発光ユニット1は、長尺状の実装基板2と、実装基板2の長手方向に沿って配置された複数の固体発光素子3とを備える。実装基板2は、第1金属板により形成され各固体発光素子3が一面側に搭載される長尺状の伝熱板21と、伝熱板21とは線膨張率の異なる第2金属板により形成されてなり伝熱板21の他面側に配置され固体発光素子3が電気的に接続される配線パターン22と、伝熱板21と配線パターン22との間に介在する絶縁層23と、第2金属板よりも第1金属板との線膨張率差が小さく配線パターン22における伝熱板21側とは反対側に配置される長尺状のベース基板24とを備える。照明装置は、発光ユニット1を備える。
【選択図】図1
【解決手段】発光ユニット1は、長尺状の実装基板2と、実装基板2の長手方向に沿って配置された複数の固体発光素子3とを備える。実装基板2は、第1金属板により形成され各固体発光素子3が一面側に搭載される長尺状の伝熱板21と、伝熱板21とは線膨張率の異なる第2金属板により形成されてなり伝熱板21の他面側に配置され固体発光素子3が電気的に接続される配線パターン22と、伝熱板21と配線パターン22との間に介在する絶縁層23と、第2金属板よりも第1金属板との線膨張率差が小さく配線パターン22における伝熱板21側とは反対側に配置される長尺状のベース基板24とを備える。照明装置は、発光ユニット1を備える。
【選択図】図1
Description
本発明は、発光ユニットおよび照明装置に関するものである。
従来から、図21(a),(b)に示すように、光源装置101と、光源装置101に動作電源を供給する電源装置102と、これらを収納する器具本体103とを備えた照明器具Lが提案されている(特許文献1参照)。
光源装置101は、光源ブロックBKと、光源ブロックBKを収納するケース106とを備えている。光源ブロックBKは、図22に示すように、配線パターン111が一面側(表面側)に形成された長尺状のプリント基板110と、プリント基板110の配線パターン111にリフロー半田付けにより面実装される複数の発光ダイオード4A〜4Lを備えている。
発光ダイオード4A〜4Lは、所謂面実装型の高輝度白色発光ダイオードであり、表面が出射口40(図23(a)参照)を備えた出射面、裏面がアノード端子(図示せず)およびカソード端子(図示せず)が露出した実装面となっている。そして、特許文献1には、発光ダイオード4A〜4Lが、図23(a)に示すように、プリント基板110の長手方向に略等間隔で列設され、擬似的な線光源として用いられる旨が記載されている。
プリント基板110は、図22(a),(b)に示すように、長尺矩形板状に形成された片面実装基板であり、左端側には、配線パターン111に電源装置102の出力用電源線107a〜107c(図21(a)参照)を接続するための3つのスルーホール110aが貫設されている。また、このプリント基板110の長手方向の両端部および中央部には、プリント基板110を器具本体103に固定するための固定螺子S1(図21参照)が螺着される螺子孔110bが貫設されている。
プリント基板110の材料としては、紙基材エポキシ樹脂銅張積層板などの紙基材銅張積層板、ガラス布基材エポキシ樹脂銅張積層板などのガラス布基材銅張積層板、ガラス不織布基材エポキシ樹脂銅張積層板などのガラス不織布銅張積層板が記載されている。
このプリント基板110の表面側には、図22(a)に示すように、発光ダイオード4A〜4Lなどが接続される配線パターン111が形成されている。この配線パターン111は、銅箔などの導電材料を用いて形成されている。このプリント基板110では、発光ダイオード4A〜4Fの直列回路と、発光ダイオード4G〜4Lの直列回路とが順方向に並列接続される。
また、プリント基板110の表面側には、配線パターン111において、発光ダイオード4A〜4Lなどとの接続に必要な部分のみを露出させて、必要箇所以外に半田が付着してしまうことを防止するためのソルダレジスト112(図23(a)参照)が形成されている。
一方、プリント基板110の他面側(裏面側)には、反り防止部113が形成されている。この反り防止部113は、図22(b)に示すように、銅箔を用いて配線パターン111と略同じ形状に形成されている。つまり、反り防止部113は、配線パターン111と略同じ形状のダミー用配線パターンとなっている。
発光ダイオード4A〜4Lは、プリント基板110に面実装されているが、これはリフロー半田付けによって行われている。プリント基板110をリフロー炉に通した際には、プリント基板110の熱膨張係数よりも配線パターン111の熱膨張係数の方が小さいため、これらの熱膨張係数の差により、プリント基板110の表面側の熱膨張が抑制されて、プリント基板110には表面側へ反るような力が生じることになる。しかしながら、上述のプリント基板110は、裏面側に配線パターン111と略同じ形状の反り防止部113を形成してあるので、反り防止部13とプリント基板110との熱膨張係数の差により、プリント基板110の裏面側においても熱膨張が抑制され、プリント基板110には裏面側へ反るような力が生じる。そのため、プリント基板110では、両面(表面および裏面)において熱膨張が抑制され、その結果、配線パターン111とプリント基板110の熱膨張係数の差に起因する反りと、反り防止部113とプリント基板110の熱膨張係数の差に起因する反りとは互いに打ち消し合い、プリント基板110の反りは低減されることになる。そして、リフロー炉の通過後に、プリント基板110の温度が下がった際にも温度変化により反りが生じようとするが、上記と同様の理由からプリント基板110の反りは低減されることになる。
光源ブロックBKが収納されるケース106は、アクリル樹脂などの透光性を有する合成樹脂を用いて、下面が開口した長尺箱状に形成されており、その長手方向の両内側面の下端縁部には、ケース106内に収納したプリント基板110を支持するための支持片106a,106aが一体に突設されている。
光源装置101のケース106内には、ケース106を全体的に光らせるため、および光源ブロックBKの放熱性と防水性を向上するために、シリコン樹脂などの透光性を有する樹脂からなる封止材Pが充填され、加熱・硬化されている。
特許文献1には、図23(b)に示すように、反射防止部113として、シルク印刷(シルクスクリーン印刷)により、シルク印刷用のインクをプリント基板110の裏面側の全面を覆うように塗布したものを用いることができる旨が記載されている。また、特許文献1には、反り防止部113として、配線パターン111と同一の材料、または配線パターン111と略同じ熱膨張係数を有する金属材料を用いてプリント基板110の裏面側の全面を覆うように形成したものを用いてもよいことが記載されている。また、この場合には、プリント基板110に実装される発光ダイオード4A〜4Lのような発熱部品の放熱性を向上することが可能になる旨が記載されている。
上述の光源ブロックBKのような発光ユニットでは、プリント基板110の反りを低減することが可能となる。しかしながら、上述の光源ブロックBKでは、発光ダイオード4A〜4Lで発生した熱が、プリント基板110を通して放熱されるので、例えば、個々の発光ダイオード4A〜4Lの光出力の増加などによって光源ブロックBK全体の光出力の高出力化を図った場合に、発光ダイオード4A〜4Lの温度上昇を十分に抑制できなくなる懸念がある。
本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、光出力の高出力化を図れ、且つ、反りを抑制することが可能な発光ユニットおよび照明装置を提供することにある。
本発明の発光ユニットは、長尺状の実装基板と、前記実装基板の長手方向に沿って配置された複数の固体発光素子とを備え、前記実装基板は、第1金属板により形成され前記各固体発光素子が一面側に搭載される長尺状の伝熱板と、前記伝熱板とは線膨張率の異なる第2金属板により形成されてなり前記伝熱板の他面側に配置され前記固体発光素子が電気的に接続される配線パターンと、前記伝熱板と前記配線パターンとの間に介在する絶縁層と、前記第2金属板よりも前記第1金属板との線膨張率差が小さく前記配線パターンにおける前記伝熱板側とは反対側に配置される長尺状のベース基板とを備えることを特徴とする。
この発光ユニットにおいて、前記ベース基板は、樹脂に前記樹脂よりも熱伝導率の高いフィラーを混合した樹脂基板からなることが好ましい。
この発光ユニットにおいて、前記ベース基板が前記第1金属板と同じ材料からなる第3金属板により形成され、前記ベース基板と前記配線パターンとの間に前記絶縁層である第1絶縁層と同じ材料からなる第2絶縁層が介在していることが好ましい。
この発光ユニットにおいて、前記固体発光素子は、LEDチップであることが好ましい。
この発光ユニットにおいて、前記伝熱板は、反射板としての機能を有することが好ましい。
この発光ユニットにおいて、前記伝熱板は、前記第1金属板がアルミニウム板であり、前記アルミニウム板における前記絶縁層側とは反対側に前記アルミニウム板よりも高純度のアルミニウム膜が積層され、前記アルミニウム膜に屈折率の異なる2種類の誘電体膜からなる増反射膜が積層されてなることが好ましい。
この発光ユニットにおいて、前記LEDチップから放射された光によって励起されて前記LEDチップの発光色とは異なる色の光を放射する蛍光体および透光性材料を含む色変換部を備え、前記色変換部は、前記伝熱板に接していることが好ましい。
この発光ユニットにおいて、前記各LEDチップは、厚み方向の一面側に第1電極と第2電極とが設けられたものであり、前記第1電極および前記第2電極の各々がワイヤを介して前記配線パターンと電気的に接続されてなり、前記伝熱板は、前記各ワイヤの各々を通す貫通孔が形成されてなることが好ましい。
本発明の照明装置は、前記発光ユニットを備えることを特徴とする。
本発明の発光ユニットにおいては、光出力の高出力化を図れ、且つ、反りを抑制することが可能となる。
本発明の照明装置においては、光出力の高出力化を図れ、且つ、反りを抑制することが可能となる。
(実施形態1)
以下、本実施形態の発光ユニット1について図1〜図8に基づいて説明する。
以下、本実施形態の発光ユニット1について図1〜図8に基づいて説明する。
発光ユニット1は、長尺状の実装基板2と、実装基板2の長手方向に沿って配置された複数の固体発光素子3とを備えている。
実装基板2は、各固体発光素子3が一面側に搭載される長尺状(ここでは、細長の矩形板状)の伝熱板21と、伝熱板21の他面側に配置され固体発光素子3が電気的に接続される配線パターン22と、伝熱板21と配線パターン22との間に介在する絶縁層23(第1絶縁層23)とを備える。ここで、伝熱板21は、第1金属板により形成されており、配線パターン22は、第1金属板とは線膨張率の異なる第2金属板により形成されている。また、実装基板2は、第2金属板よりも第1金属板との線膨張率差が小さく配線パターン22における伝熱板21側とは反対側に配置される長尺状(ここでは、細長の矩形板状)のベース基板24と、配線パターン22とベース基板24との間に介在する第2絶縁層25とを備えている。
以下、発光ユニット1の各構成要素について詳細に説明する。
伝熱板21の基礎となる第1金属板の材料としては、アルミニウム、銅などの熱伝導率の高い金属が好ましい。ただし、第1金属板の材料は、これらに限らず、例えば、ステンレスやスチールなどでもよい。
また、伝熱板21は、反射板としての機能を有することが好ましく、第1金属板の材料としてアルミニウムを採用することが、より好ましい。また、伝熱板21は、第1金属板がアルミニウム板であり、アルミニウム板における第1絶縁層23側とは反対側にアルミニウム板よりも高純度のアルミニウム膜が積層され、アルミニウム膜に屈折率の異なる2種類の誘電体膜からなる増反射膜が積層されていることが好ましい。ここで、2種類の誘電体膜としては、例えば、SiO2膜とTiO2膜とを採用することが好ましい。このような伝熱板21を用いることにより、可視光に対する反射率を95%以上とすることが可能となる。この伝熱板21としては、例えば、アラノッド(alanod)社のMIRO2、MIRO(登録商標)を用いることができる。上述のアルミニウム板としては、表面が陽極酸化処理されたものを用いてもよい。なお、伝熱板21の厚みは、例えば、0.2〜3mm程度の範囲で適宜設定すればよい。
固体発光素子3としては、LEDチップを用いているが、これに限らず、例えば、LEDチップがパッケージに収納されたものでもよい。また、固体発光素子3としては、例えば、レーザダイオード(半導体レーザ)や、有機EL素子などを用いてもよい。
固体発光素子3は、図3に示すように、厚み方向の一面側に第1電極(アノード電極)31と第2電極(カソード電極)32とが設けられており、厚み方向の他面側が接合部35を介して伝熱板21に接合されている。そして、固体発光素子3は、第1電極31および第2電極32の各々がワイヤ(ボンディングワイヤ)26を介して配線パターン22と電気的に接続されている。ここにおいて、伝熱板21は、各ワイヤ26の各々を通す貫通孔21bが形成されている。貫通孔21bは、伝熱板21の幅方向において固体発光素子3の搭載領域の両側に形成してある。貫通孔21bは、開口形状を円形状としてある。貫通孔21bの内径は、0.5mmに設定してあるが、この値は一例であり、特に限定するものではない。貫通孔21bの形状は、円形状に限らず、例えば、矩形状、楕円形状などでもよい。固体発光素子3がLEDチップの場合、接合部35は、ダイボンド材により形成すればよい。
LEDチップは、青色光を放射するGaN系青色LEDチップであり、基板としてサファイア基板を備えたものを用いている。ただし、LEDチップの基板は、サファイア基板に限らず、例えば、GaN基板、SiC基板、Si基板などでもよい。なお、LEDチップの構造は特に限定するものではない。
LEDチップのチップサイズは、特に限定するものではなく、例えば、チップサイズが0.3mm□や0.45mm□や1mm□のものなどを用いることができる。
また、LEDチップの発光層の材料や発光色は特に限定するものではない。すなわち、LEDチップとしては、青色LEDチップに限らず、例えば、紫色光LEDチップ、紫外光LEDチップ、赤色LEDチップ、緑色LEDチップなどを用いてもよい。
ダイボンド材としては、例えば、シリコーン系のダイボンド材、エポキシ系のダイボンド材、銀ペーストなどを用いることができる。
また、ワイヤ26としては、例えば、金ワイヤ、アルミニウムワイヤなどを用いることができる。
ところで、発光ユニット1は、固体発光素子3としてLEDチップを用いている場合、例えば図3に示すように、伝熱板21の上記一面側において固体発光素子3およびワイヤ26を封止した封止部36を備えることが好ましい。図3では、封止部36の材料として、第1透光性材料であるシリコーン樹脂を用いている。第1透光性材料は、シリコーン樹脂に限らず、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ガラスなどを用いてもよい。
また、発光ユニット1は、固体発光素子3としてLEDチップを用いている場合、高出力の白色光を得るためには、LEDチップの発光色とは異なる色の光を放射する波長変換材料を有する色変換部37を備えていることが好ましい。このような色変換部37としては、例えば、LEDチップから放射された光によって励起されてLEDチップの発光色とは異なる色の光を放射する蛍光体を波長変換材料として用い、蛍光体および第2透光性材料を含むものが好ましい。
発光ユニット1は、例えば、LEDチップとして青色LEDチップを用い、色変換部37の蛍光体として黄色蛍光体を用いれば、白色光を得ることが可能となる。すなわち、発光ユニット1は、LEDチップから放射された青色光と黄色蛍光体から放射された光とが色変換部37の表面を通して放射されることとなり、白色光を得ることができる。色変換部37の材料として用いる第2透光性材料として、シリコーン樹脂を用いているが、これに限らず、例えば、アクリル樹脂、ガラス、有機成分と無機成分とがnmレベルもしくは分子レベルで混合、結合した有機・無機ハイブリッド材料などを採用してもよい。また、色変換部37の材料として用いる蛍光体も黄色蛍光体に限らず、例えば、黄色蛍光体と赤色蛍光体とを用いたり、赤色蛍光体と緑色蛍光体とを用いることにより、演色性を高めることが可能となる。また、色変換部37の材料として用いる蛍光体は、1種類の黄色蛍光体に限らず、発光ピーク波長の異なる2種類の黄色蛍光体を用いてもよい。
また、LEDチップ単体で白色光を放射できる場合や、封止部36に蛍光体を分散させている場合や、発光ユニット1で得たい光の色がLEDチップの発光色と同じである場合には、色変換部37を備えていない構造を採用することができる。
発光ユニット1は、色変換部37が、伝熱板21に接していることが好ましい。これにより、発光ユニット1は、LEDチップで発生した熱だけでなく、色変換部37で発生した熱も伝熱板21を通して放熱させることが可能となり、光出力の高出力化を図ることが可能となる。図3に示した例では、色変換部37が、半円筒状の形状に形成されており、伝熱板21の上記一面側において伝熱板21との間にLEDチップおよび封止部36などを囲む形で配設されている。更に説明すれば、色変換部37は、伝熱板21の上記一面側において封止部36との間に気体層(例えば、空気層)38が形成されるように配設されている。発光ユニット1は、図9に示すように、色変換部37を半球状の形状として、色変換部37により固体発光素子3であるLEDチップおよびワイヤ26を封止するようにしてもよい。また、発光ユニット1は、図10に示すように、色変換部37をドーム状の形状として、色変換部37により、固体発光素子3であるLEDチップおよびワイヤ26を封止するようにしてもよい。また、発光ユニット1は、図11に示すように、色変換部37を、層状の形状として、色変換部37により、固体発光素子3であるLEDチップおよびワイヤ26を封止するようにしてもよい。なお、図3や図10のような色変換部37は、成形したものを用い、伝熱板21側の端縁(開口部の周縁)を伝熱板21に対して、例えば接着剤(例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂など)を用いて固着すればよい。また、図9に示すような色変換部37は、例えば、成形法により形成することができる。また、図11に示すような色変換部37は、例えば、ディスペンサを用いた塗布法や、スクリーン印刷法などにより形成することが可能である。
配線パターン22は、上述のように伝熱板21とは線膨張率の異なる第2金属板により形成されている。ここで、第2金属板は、金属フープ材に対してプレスによる打ち抜き加工を施すことにより形成したリードフレーム120(図8(c)参照)を用いている。
第2金属板の材料としては、金属の中で熱伝導率が比較的高い銅(銅の熱伝導率は、398W/m・K程度)が好ましいが、銅に限らず、例えば、リン青銅などでもよいし、銅合金(例えば、42アロイなど)などでもよい。また、第2金属板の厚みは、例えば、100μm〜1500μm程度の範囲で設定することが好ましい。
リードフレーム120は、外枠部121の内側に支持片122(図8(d)参照)を介して配線パターン22が支持されたものである。
配線パターン22は、固体発光素子3の第1電極31が接続される第1パターン22aと第2電極32が接続される第2パターン22bとが、伝熱板21の幅方向に並んで配置されている。また、配線パターン22は、第1パターン22aおよび第2パターン22bの各々を規定数(例えば、16個)ずつ備えており、図6に示すように、第1パターン22aおよび第2パターン22bそれぞれが、伝熱板21の長手方向に並んで配置されている。第1パターン22aおよび第2パターン22bは、長方形状に形成されており、伝熱板21と長手方向が一致するように配置されている。そして、配線パターン22は、伝熱板21の長手方向に並んだ第1パターン22aが、2個ずつの組に分けられ、組をなす第1パターン22a同士が連結片22cにより連結されている。また、配線パターン22は、伝熱板21の長手方向に並んだ規定数(例えば、16個)の第2パターン22aが、2個ずつの組に分けられ、組をなす第2パターン22b同士が連結片22dにより連結され電気的に接続されている。連結片22c,22dは、伝熱板21の幅方向に沿って配置された直線状の第1部位22ca,22daと、当該第1部位22ca,22daの長手方向の両端部から伝熱板21の長手方向において逆向きに延設された第2部位22cb,22dbおよび第3部位22cc,22dcとで構成されている。また、連結片22cは、第1パターン22aよりも幅狭に形成され、連結片22dは、第2パターン22bよりも幅狭に形成されている。ここで、配線パターン22は、組をなす2個の第1パターン22aと、これら2個の第1パターン22aを連結した連結片22cと、組をなす2個の第2パターン22bと、これら2個の第2パターン22bを連結した連結片22dとで、1つの単位パターン22uを構成している。上述のリードフレーム120は、複数の単位ユニット22uが、外枠部121の長さ方向に沿って配列されている。また、配線パターン22は、伝熱板21の長手方向において隣り合う単位パターン22u同士において、一方の単位パターン22uの第1パターン22aと他方の単位パターン22uの第2パターン22bとが連絡片22eにより連結され電気的に接続されている。連絡片22eは、第1パターン22aおよび第2パターン22bよりも幅狭に形成されている。
配線パターン22は、単位パターン22uごとに、伝熱板21の長手方向に並んで配置される所定数(例えば、6個)の固体発光素子3を並列接続して並列回路を構成できるようになっており、隣り合う単位パターン22uごとに形成される並列回路を直列接続できるようになっている。したがって、伝熱板21の長手方向の一端部の第1パターン22aと他端部の第2パターン22bとの間に給電することにより、全ての固体発光素子3に対して給電することができる。
また、第1絶縁層23は、シリカやアルミナなどのフィラーからなる充填材を含有し且つ加熱時に低粘度化するとともに流動性が高くなる性質を有するBステージのエポキシ樹脂層とプラスチックフィルム(PETフィルム)とが積層された熱硬化型のシート状接着剤(例えば、東レ株式会社製の接着剤シートTSAなど)のエポキシ樹脂層を熱硬化させることにより形成されている。ここにおいて、シート状接着剤のエポキシ樹脂層は、電気絶縁性を有するとともに熱伝導率が高く加熱時の流動性が高く凹凸面への密着性が高いという性質を有している。したがって、第1絶縁層23と伝熱板21および配線パターン22との間に空隙が発生するのを防止することができて密着信頼性が向上するとともに、密着不足による熱抵抗の増大やばらつきの発生を抑制することが可能となる。しかして、伝熱板21と配線パターン22との間にサーコン(登録商標)のようなゴムシート状の放熱シートなどを挟む場合に比べて、各固体発光素子3から配線パターン22までの熱抵抗を低減できるとともに、熱抵抗のばらつきを低減できて、放熱性が向上し、各固体発光素子3のジャンクション温度の温度上昇を抑制できるから、入力電力を大きくでき、光出力の高出力化を図ることが可能となる。上述のエポキシ樹脂層の厚みは、100μmに設定してあるが、この値は一例であり、特に限定するものではなく、例えば、50μm〜150μm程度の範囲で適宜設定すればよい。なお、上述のエポキシ樹脂層の熱伝導率は、4W/m・K以上であることが好ましい。また、シート状接着剤のプラスチックフィルムは、配線パターン22と伝熱板21とを重ね合わせる前に、エポキシ樹脂層から剥離する。要するに、エポキシ樹脂層におけるプラスチックフィルム側とは反対側の一面を対象物に固着した後、プラスチックフィルムを剥離する。
ここで、第1絶縁層23の形成にあたっては、伝熱板21とエポキシ樹脂層と配線パターン22を有するリードフレーム120とを重ね合わせた状態で適宜加圧するようにしてもよい。
第1絶縁層23の外形サイズは、リードフレーム120の外形サイズに基づいて適宜設定すればよい。ここで、第1絶縁層23は、電気絶縁性および熱伝導性を有し、伝熱板21と配線パターン22とを電気的に絶縁する機能および熱結合する機能を有している。
また、第1絶縁層23は、伝熱板21の各貫通孔21bの各々に連通する貫通孔23bが形成されている。したがって、発光ユニット1の製造時には、ワイヤ26を伝熱板21の貫通孔21bと第1絶縁層23の貫通孔23bとを通して配線パターン22にボンディングすることができる。ここで、発光ユニット1の製造時には、固体発光素子3の第1電極31および第2電極32それぞれと第1パターン22aおよび第2パターン22bとをワイヤ26を介して接続した後に、例えば、ディスペンサなどにより、貫通孔21bおよび貫通孔23bに封止部36(図3参照)の材料を充填してワイヤ26が第1金属板に接触しないようにし、その後、封止部36を形成すればよい。
ところで、配線パターン22は、第2金属板に比べて耐酸化性および耐腐食性の高い金属材料からなり第1絶縁層23との密着性の高い表面処理層(図示せず)が形成されていることが好ましい。第2金属板の材料がCuの場合、表面処理層としては、例えば、Ni膜、Ni膜とAu膜との積層膜、Ni膜とPd膜とAu膜との積層膜などを形成することが好ましい。なお、表面処理層は、例えば、めっき法により形成すればよい。
ベース基板24は、第2金属板よりも第1金属板との線膨張率差が小さい材料により形成する必要がある。本実施形態では、ベース基板24を、第1金属板と同じ材料からなる第3金属板により形成してある。したがって、第3金属板の材料としては、アルミニウム、銅などの熱伝導率の高い金属が好ましい。ただし、第3金属板の材料は、これらに限らず、例えば、ステンレスやスチールなどでもよい。なお、アルミニウムの熱伝導率は23ppm程度、銅の熱伝導率は17ppm程度である。
また、配線パターン22とベース基板24との間に介在する第2絶縁層25の材料としては、第1絶縁層23と同じ材料を採用することが好ましい。
ところで、伝熱板21の熱容量の大きさによっては、エポキシ樹脂層の加熱温度を170℃程度まで上げて硬化させると、伝熱板21と配線パターン22との固着性能が低下し、加熱温度を150℃程度まで下げて硬化させると伝熱板21と配線パターン22との間の電気絶縁性が低下する懸念がある。すなわち、固着性能と電気絶縁性とがトレードオフの関係を有している。そこで、本実施形態では、後述のように、シート状接着剤123,133(図7(b)および図8(a)参照)のエポキシ樹脂層123a,133a(図7(c)および図8(b)参照)を重ね合わせるようにし、一方のエポキシ樹脂層123aを170℃で硬化させることにより電気絶縁性および熱伝導性を確保し、他方のエポキシ樹脂層133aを150℃で硬化させることにより固着性能および熱伝導性を確保するようにしている。さらに説明すれば、一方のエポキシ樹脂層123aを対象物である伝熱板21に170℃で固着させた後、他方のエポキシ樹脂層133aおよびリードフレーム120を重ね合わせて当該他方のエポキシ樹脂層133aを150℃で硬化させるようにすればよい。これにより、本実施形態の発光ユニット1の製造にあたっては、伝熱板21の熱容量に関わらず、固着性能と電気絶縁性との両方の要求を満足させることが可能となる。
以下、実装基板2の製造方法について図7および図8を参照しながら簡単に説明する。
まず、伝熱板21に貫通孔21bなどを形成することによって、図7(a)に示す構造を得る。
その後、図7(b)に示すように、伝熱板21の上記他面側にシート状接着剤123をエポキシ樹脂層123aが伝熱板21に接するように重ねて、円柱状のゴムローラ140により所定圧力(例えば、0.5MPa)で加圧するとともにエポキシ樹脂層123aの硬化温度よりも低い第1規定温度(例えば、110℃〜120℃)で加熱してシート状接着剤123を伝熱板21に仮固着する。続いて、シート状接着剤123を適当な長さで切断する。
その後、シート状接着剤123が仮固着されている伝熱板21を自然冷却させる。続いて、図7(c)に示すように、エポキシ樹脂層123aからプラスチックフィルム123bを剥がす。
その後、エポキシ樹脂層123aが仮固着されている伝熱板21を乾燥炉(図示せず)内に投入しエポキシ樹脂層123aを上記硬化温度以上の温度(例えば、170℃)で加熱して硬化させることでエポキシ樹脂層123aを伝熱板21に本固着する。
その後、エポキシ樹脂層123aにシート状接着剤133をエポキシ樹脂層133aがエポキシ樹脂層123aに接するように重ねて、円柱状のゴムローラ140により所定圧力(例えば、0.5MPa)で加圧するとともにエポキシ樹脂層133aの硬化温度よりも低い第1規定温度(例えば、110℃〜120℃)で加熱してシート状接着剤133をエポキシ樹脂層123aに仮固着する。続いて、シート状接着剤133を適当な長さで切断する。
その後、エポキシ樹脂層123aとエポキシ樹脂層133aとの積層構造において、絶縁層23の貫通孔23bに対応する各領域に、図8(a)に示すように、例えばレーザ装置150により貫通孔134を形成する。なお、貫通孔134を形成する手段は、レーザ装置150に限らず、例えば、ドリルなどを用いてもよい。
その後、図8(b)に示すように、エポキシ樹脂層133aからプラスチックフィルム133bを剥がす。
その後、図8(c)に示すように、リードフレーム120をエポキシ樹脂層133a上に載置して適宜の荷重を印加した後、乾燥炉(図示せず)内においてエポキシ樹脂層133aを上記硬化温度以上の温度(例えば、150℃)で硬化させることでリードフレーム120とエポキシ樹脂層133aとを本固着する。これにより、第1絶縁層23が形成される。
その後、配線パターン22をリードフレーム120の支持片122から切断し、図8(d)に示すように、リードフレーム120のうち配線パターン22以外の部分を取り外す。
その後、伝熱板21と配線パターン22とを第1絶縁層23を介して接合したのと同様にして、ベース基板24と配線パターン22とを第2絶縁層25を介して接合することにより、図4の実装基板2を得ることができる。
発光ユニット1の製造にあたっては、実装基板2の上記一面側に固体発光素子3を接合してから、各固体発光素子3の第1電極31および第2電極32それぞれと第1パターン22aおよび第2パターン22bとをワイヤ26を介して電気的に接続すればよい。その後、必要に応じて封止部36、色変換部37を実装基板2の上記一面側に設ければよい。
ところで、上述の発光ユニット1は、伝熱板21とリードフレーム120を用いて形成される配線パターン22とを備えていることにより、固体発光素子3を金属ベースプリント配線板に実装して用いる場合に比べて、低コスト化を図ることが可能となる。しかも、発光ユニット1は、伝熱板21として、反射板としての機能を有するものを用いることにより、伝熱板21での光損失を低減することが可能となり、光出力の高出力化を図ることが可能となる。したがって、本実施形態の発光ユニット1は、低消費電力化を図ることも可能となる。ここで、発光ユニット1は、伝熱板21の第1金属板がアルミニウム板であり、アルミニウム板における第1絶縁層23側とは反対側にアルミニウム板よりも高純度のアルミニウム膜が積層され、アルミニウム膜に屈折率の異なる2種類の誘電体膜からなる増反射膜が積層されているものを用いることにより、光出力の高出力化を図ることが可能となる。特に、発光ユニット1は、固体発光素子3として、LEDチップを用いている場合に、LEDチップで発生した熱を効率よく放熱させることが可能となって光出力の高出力化を図れ、そのうえ、LEDチップから放射された光の利用効率の向上を図ることが可能となる。また、発光ユニット1は、色変換部37(図3など参照)を備えている場合、色変換部37の波長変換材料である蛍光体から伝熱板21側へ放射された光や、LEDチップから放射され蛍光体で伝熱板21側へ散乱された光などを反射させることが可能なので、光の利用効率の向上を図ることが可能となる。
しかしながら、上述の発光ユニット1では、配線パターン22の略全体が第1絶縁層23と接合されているので、例えば、第1金属板と第2金属板との線膨張率の差に起因して、製造時や使用時の温度変化で伝熱板21が反ったり、配線パターン22が第1絶縁層23から剥離してしまう懸念がある。本願発明者らは、配線パターン22にかかる応力を緩和するために、上述の連結片22c,22dおよび連絡片22eそれぞれを曲がった形状としてあるが、ベース基板24および第2絶縁層25を備えていない試作品において、伝熱板21の長さや第1パターン22aおよび第2パターン22bの長さによっては第1金属板と第2金属板との線膨張率の差に起因して、伝熱板21に反りが発生してしまうことがあるという知見を得た。
これに対して、本実施形態の発光ユニット1では、上述のベース基板24を備えている。また、本実施形態の発光ユニット1では、ベース基板24が第3金属板により形成されているので、ベース基板24と配線パターン22とを電気的に絶縁するために、ベース基板24と配線パターン22との間に第2絶縁層25を介在させてある。
本実施形態の発光ユニット1は、上述のように、長尺状の実装基板2と、実装基板2の長手方向に沿って配置された複数の固体発光素子3とを備えている。そして、発光ユニット1は、実装基板2が、第1金属板により形成され各固体発光素子3が上記一面側に搭載される長尺状の伝熱板21と、伝熱板21とは線膨張率の異なる第2金属板により形成されてなり伝熱板21の上記他面側に配置され固体発光素子3が電気的に接続される配線パターン22と、伝熱板21と配線パターン22との間に介在する絶縁層23とを備えている。これにより、発光ユニット1は、各固体発光素子3で発生した熱を、伝熱板21により横方向に効率よく伝熱させて放熱させることが可能となり、また、伝熱板21の厚み方向へも伝熱させて放熱させることが可能となる。したがって、発光ユニット1は、各固体発光素子3の温度上昇を抑制できて光出力の高出力化を図ることが可能となる。
しかも、発光ユニット1は、第2金属板よりも第1金属板との線膨張率差が小さく配線パターン22における伝熱板21側とは反対側に配置される長尺状のベース基板24を備えているので、伝熱板21の反りを抑制することが可能となり、発光ユニット1全体の反りを抑制することが可能となる。これにより、発光ユニット1は、製造時の歩留まりの向上による低コスト化を図ることが可能となるとともに、製品としての信頼性の向上を図ることが可能となる。
また、発光ユニット1は、ベース基板24が第1金属板と同じ材料からなる第3金属板により形成され、ベース基板24と配線パターン22との間に第1絶縁層23と同じ材料からなる第2絶縁層25が介在しているので、伝熱板21の反りを、より抑制することが可能となる。なお、ベース基板24の長手方向の寸法は、伝熱板21の長手方向の寸法と同じであることが好ましい。
また、本実施形態の発光ユニット1では、固体発光素子3がLEDチップであり、厚み方向の一面側に第1電極31と第2電極32とが設けられており、第1電極31および第2電極32の各々がワイヤ26を介して配線パターン22と電気的に接続されてなり、伝熱板21に、各ワイヤ26の各々を通す貫通孔21bが形成されているので、LEDチップを伝熱板21にダイボンドすることができ、LEDチップで発生した熱が伝熱板21の横方向へ伝熱されやすくなり、放熱性を向上させることが可能となる。
なお、固体発光素子3としてLEDチップを用いる場合、固体発光素子3と伝熱板21との線膨張率の差に起因してLEDチップに働く応力を緩和するサブマウント部材を介して伝熱板21にダイボンドするようにしてもよい。ここで、サブマウント部材は、LEDチップのチップサイズよりも大きな平面サイズに形成したものを用いることが好ましい。なお、LEDチップがGaN系青色LEDチップであり、第1金属板がアルミニウム板の場合、サブマウント部材の材料としては、例えば、AlN、複合SiC、Si、CuWなどを採用することができる。また、サブマウント部材は、LEDチップが接合される側の表面におけるLEDチップとの接合部位(つまり、LEDチップに重なる部位)の周囲に、LEDチップから放射された光を反射する反射膜が形成されていることが好ましい。また、LEDチップとして厚み方向の両面に電極が設けられたものを用いる場合には、サブマウント部材に、LEDチップにおいてサブマウント部材側に配置される第1電極31あるいは第2電極32に電気的に接続される導体パターンを設けておき、当該導体パターンと第1パターン22aあるいは第2パターン22bとをワイヤ26を介して電気的に接続するようにすればよい。
図12に発光ユニット1を備えた照明装置7の一例を示す。この照明装置7は、照明器具であり、発光ユニット1と、発光ユニット1を保持する器具本体71とを備えている。
器具本体71は、発光ユニット1よりも平面サイズの大きな長尺状(ここでは、矩形板状)に形成されており、発光ユニット1における伝熱板21の上記他面側の配線パターン22、ベース基板24などを収納する凹所71aが、器具本体71の長手方向に沿って形成されている。
そして、照明装置7は、発光ユニット1が、複数の樹脂製の螺子からなる取付具8により器具本体71に保持されている。ここにおいて、発光ユニット1は、伝熱板21における幅方向の両側縁の各々に、半円状の切欠部21cが、伝熱板21の長手方向に離間して略等間隔で形成されている。したがって、発光ユニット1の伝熱板21における切欠部21cを、取付具8を構成する螺子の円形状の頭部よりも半径の小さな半円状としておけば、螺子の頭部と器具本体71とで発光ユニット1を挟持することができる。この照明装置7では、図21および図22のようにプリント基板110の長手方向の両端部および中央部に、プリント基板110を器具本体103に固定するための固定螺子S1が螺着されるねじ孔110bが貫設されている構成を採用した照明器具Lにおける発光ダイオード4A〜4Lに比べて、各固体発光素子3や各接合部35にかかる応力を低減することが可能となる。
発光ユニット1は、配線パターン22に半田などにより接続された2本の電線73を介して電源ユニット(図示せず)に接続されており、電源ユニットから発光ユニット1へ電力を供給することにより、各固体発光素子3を発光させることができる。なお、図12では、伝熱板21の長手方向の一端部側で第1パターン22aに連結された第1端子パターン22fに接続された1本の電線73のみを図示してあるが、伝熱板21の長手方向の他端部側では、第2パターン22bに連結された第2端子パターン(図示せず)に、もう1本の電線73が接続されている。なお、第1端子パターン22fおよび第2端子パターンは、上述のリードフレーム120から形成される配線パターン22の一部により構成されている。
発光ユニット1は、伝熱板21の反りを抑制することができるので、固体発光素子3の配列ピッチを短くすることにより、個々の固体発光素子3が点光源として粒々に光っているように見えるのを抑制することが可能となり、線状光源に見えるようにすることが可能となる。
以上説明した本実施形態の照明装置7では、上述の発光ユニット1を備えていることにより、発光ユニット1の光出力の高出力化を図れ、且つ、反りを抑制することが可能となる。
(実施形態2)
以下、本実施形態の発光ユニット1について図13および図14に基づいて説明する。
以下、本実施形態の発光ユニット1について図13および図14に基づいて説明する。
本実施形態の発光ユニット1の基本構成は実施形態1と略同じであり、実装基板2におけるベース基板24を、伝熱板21と同じ形状とした点などが相違する。なお、実施形態1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
ベース基板24は、伝熱板21の貫通孔21bに対応する部位に貫通孔24bが形成され、伝熱板21の切欠部21cに対応する部位に、切欠部24cが形成されている。また、第2絶縁層25は、第1絶縁層23と同じ形状であり、第1絶縁層23の貫通孔23bに対応する部位に貫通孔25bが形成されている。
本実施形態の発光ユニット1では、実施形態1の発光ユニット1と同様、光出力の高出力化を図れ、且つ、反りを抑制することが可能となる。
また、本実施形態の発光ユニット1では、伝熱板21と同じ材料により形成されるベース基板24の形状を伝熱板21と同じ形状とすることで、発光ユニット1の反りを、より抑制することが可能となる。また、本実施形態の発光ユニット1は、伝熱板21とベース基板24との部品の共通化を図れ、低コスト化を図ることも可能となる。
また、本実施形態の発光ユニット1を、実施形態1で説明した照明装置7の発光ユニット1に代えて用いてもよい。
また、本実施形態の発光ユニット1は、ベース基板24における第2絶縁層25側にも固体発光素子3を搭載するようにすれば、実装基板2の厚み方向の一面側と他面側との両方へ光を放射することが可能となり、両面発光ユニットとして用いることができる。ここにおいて、本実施形態の発光ユニット1では、ベース基板24も伝熱板としての機能を有し、実装基板2の上記一面側の固体発光素子3などで発生した熱は伝熱板21で横方向へ効率良く伝熱されて放熱され、実装基板2の上記他面側の固体発光素子3などで発生した熱はベース基板24で横方向へ効率良く伝熱されて放熱される。発光ユニット1は、両面発光ユニットを構成する場合、ベース基板24が、伝熱板21と同様の伝熱板の機能と、反射板の機能とを有することとなる。
(実施形態3)
以下、本実施形態の発光ユニット1について図15に基づいて説明する。
以下、本実施形態の発光ユニット1について図15に基づいて説明する。
本実施形態の発光ユニット1の基本構成は実施形態1と略同じであり、ベース基板24が、樹脂に当該樹脂よりも熱伝導率の高いフィラーを混合した樹脂基板からなる点などが相違する。なお、実施形態1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
樹脂基板の樹脂としては、伝熱板21の基礎となる第1金属板との線膨張率が小さいことが好ましく、例えば、第1金属板の材料がアルミニウム、第2金属板の材料が銅であれば、ビニルエステル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂などを用いることが好ましい。また、フィラーとしては、例えば、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、水酸化アルミニウム、ガラス繊維などを用いることが好ましい。また、フィラーの充填率は、60体積パーセント〜75体積パーセント程度が好ましく、これにより、樹脂基板の熱伝導率を4W/mK〜10W/mK程度とすることが可能となる。
一例を挙げれば、樹脂基板は、樹脂としてビニルエステル樹脂を、フィラーの材料として酸化マグネシウムを、それぞれ採用し、フィラーの充填率を67体積パーセントとすれば、熱伝導率を5W/mK、線膨張率を18〜22ppm程度とすることが可能となる。なお、上述したように、アルミニウムの熱伝導率は23ppm程度、銅の熱伝導率は17ppm程度である。
本実施形態の発光ユニット1では、ベース基板24として樹脂基板を用いているので、ベース基板24を実施形態1で説明した図1の発光ユニット1のように第1金属板と同じ材料からなる第3金属板により形成し、配線パターン22とベース基板24との間に第2絶縁層25を介在させる場合に比べて、低コスト化を図ることが可能となる。
本実施形態の発光ユニット1では、製造時に、ベース基板24と配線パターン22とを同時成形することが可能となり、製造コストの低減による低コスト化を図ることが可能となる。
図16に発光ユニット1を備えた照明装置7の一例を示す。この照明装置7は、照明器具であり、発光ユニット1と、発光ユニット1を保持する器具本体71とを備えている。
ところで、発光ユニット1は、ベース基板24の幅寸法を伝熱板21の幅寸法よりも大きく設定してある。したがって、器具本体71が金属製で導電性を有しているような場合でも、ベース基板24の幅寸法を適宜設定することによって、伝熱板21や配線パターン22と器具本体71との間の沿面距離を長くすることが可能となり、所定の沿面距離を確保することが可能となる。本実施形態の照明装置7では、器具本体71を金属製とすれば、発光ユニット1で発生した熱をより効率良く放熱させることが可能となる。なお、器具本体71が導電性を有していない場合には、必ずしもベース基板24の幅寸法を伝熱板21の幅寸法よりも大きくする必要はない。
また、本実施形態の照明装置7では、発光ユニット1を器具本体71に取り付けるための複数の取付具8を備えている。取付具8は、合成樹脂製であり、器具本体71とベース基板24の長手方向に沿った側面とに当接する基台部81と、基台部81から延設され器具本体71との間に発光ユニット1を保持する保持部82とを有している。図16における取付具8は、取付具8を器具本体71に固定するための螺子(図示せず)を挿通させる挿通孔83が形成されている。また、本実施形態の照明装置7では、取付具8の保持部82が伝熱板21の幅方向の側部に重なるように配置されるので、伝熱板21の反りを抑制することが可能となる。
取付具8は、螺子により器具本体71に固定するものに限らず、例えば、図17に示すように、器具本体71の取付孔9に挿入して取り付けるものでもよい。ここで、図17における取付具8は、基台部81における器具本体71側の一面からT字状のスライド片84が突設されている。一方、器具本体71の取付孔9は、スライド片84を挿入可能な幅広部91と、幅広部91よりも開口幅の狭い幅狭部92とが連続した平面視T字状に形成されている。したがって、取付具8は、スライド片84を取付孔9の幅広部91から挿入し、幅狭部92側へスライドさせることにより、幅狭部92の周部にスライド片84が係止される。これにより、照明装置7は、螺子を用いることなく、発光ユニット1を器具本体71に取り付けることが可能となる。
また、本実施形態の発光ユニット1は、ベース基板24の長手方向の一端面から他の部位よりも薄肉の第1突片24dが突設され、長手方向の他端面から他の部位よりも薄肉の第2突片24eが突設されている。ここで、第1突片24dは、厚み方向の一方の面がベース基板24の上記一面と面一になっている。また、第2突片24eは、厚み方向の一方の面がベース基板24の上記他面と面一になっている。また、ベース基板24は、第1突片24dの厚さ寸法と第2突片24eの厚さ寸法との合計寸法が、ベース基板24の厚さ寸法と等しくなるように設計してある。
したがって、複数の発光ユニット1を一直線上に並べて配置する場合に、隣り合う発光ユニット1のうち一方の発光ユニット1におけるベース基板24の第1突片24dと、他方の発光ユニット1におけるベース基板24の第2突片24eとを、図18(a),(b)のように重ねて配置することが可能となる。これにより、本実施形態の照明装置7では、第1突片24dおよび第2突片24eを設けていないベース基板24の端面同士を突き合わせて配置する場合に比べて、伝熱板21や配線パターン22と器具本体71との間の沿面距離を長くすることが可能となる。なお、隣り合う発光ユニット1は、配線パターン22同士を、例えば、送り配線用の電線(図示せず)やコネクタ(図示せず)などにより電気的に接続するようにすればよい。これにより、複数の発光ユニット1を備えた照明装置7では、発光ユニット1の直列回路に対して、1つの電源ユニットから電力を供給して、各発光ユニット1の全ての固体発光素子3を発光させることが可能となる。
ところで、各実施形態1〜3では、伝熱板21の上記他面側に配置された配線パターン22にワイヤ26をボンディングしているが、図19に示すように、配線パターン22の一部に第1絶縁層23の貫通孔23bおよび伝熱板21の貫通孔21bに挿入される突出部22hを設けておき、突出部22hの先端面にワイヤ26をボンディングするようにしてもよい。
また、各実施形態1〜3の発光ユニット1では、貫通孔21bを、伝熱板21の幅方向において固体発光素子3の搭載領域の両側に形成してある。言い換えれば、伝熱板21の幅方向において並ぶ2つの貫通孔21bの間の部位に固体発光素子3を搭載してある。しかし、これらに限らず、例えば、図20に示すように、伝熱板21の幅方向において並ぶ2つの貫通孔21bの組のうち伝熱板21の長手方向に並ぶ2つの組の間に、固体発光素子3を配置するようにしてもよい。
1 発光ユニット
2 実装基板
3 固体発光素子(LEDチップ)
7 照明装置
21 伝熱板
21b 貫通孔
22 配線パターン
23 絶縁層(第1絶縁層)
24 ベース基板
25 第2絶縁層
26 ワイヤ
31 第1電極
32 第2電極
37 色変換部
2 実装基板
3 固体発光素子(LEDチップ)
7 照明装置
21 伝熱板
21b 貫通孔
22 配線パターン
23 絶縁層(第1絶縁層)
24 ベース基板
25 第2絶縁層
26 ワイヤ
31 第1電極
32 第2電極
37 色変換部
Claims (9)
- 長尺状の実装基板と、前記実装基板の長手方向に沿って配置された複数の固体発光素子とを備え、前記実装基板は、第1金属板により形成され前記各固体発光素子が一面側に搭載される長尺状の伝熱板と、前記伝熱板とは線膨張率の異なる第2金属板により形成されてなり前記伝熱板の他面側に配置され前記固体発光素子が電気的に接続される配線パターンと、前記伝熱板と前記配線パターンとの間に介在する絶縁層と、前記第2金属板よりも前記第1金属板との線膨張率差が小さく前記配線パターンにおける前記伝熱板側とは反対側に配置される長尺状のベース基板とを備えることを特徴とする発光ユニット。
- 前記ベース基板は、前記ベース基板は、樹脂に前記樹脂よりも熱伝導率の高いフィラーを混合した樹脂基板からなることを特徴とする請求項1記載の発光ユニット。
- 前記ベース基板が前記第1金属板と同じ材料からなる第3金属板により形成され、前記ベース基板と前記配線パターンとの間に前記絶縁層である第1絶縁層と同じ材料からなる第2絶縁層が介在していることを特徴とする請求項1記載の発光ユニット。
- 前記固体発光素子は、LEDチップであることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の発光ユニット。
- 前記伝熱板は、反射板としての機能を有することを特徴とする請求項4記載の発光ユニット。
- 前記伝熱板は、前記第1金属板がアルミニウム板であり、前記アルミニウム板における前記絶縁層側とは反対側に前記アルミニウム板よりも高純度のアルミニウム膜が積層され、前記アルミニウム膜に屈折率の異なる2種類の誘電体膜からなる増反射膜が積層されてなることを特徴とする請求項5記載の発光ユニット。
- 前記LEDチップから放射された光によって励起されて前記LEDチップの発光色とは異なる色の光を放射する蛍光体および透光性材料を含む色変換部を備え、前記色変換部は、前記伝熱板に接していることを特徴とする請求項4ないし請求項6のいずれか1項に記載の発光ユニット。
- 前記各LEDチップは、厚み方向の一面側に第1電極と第2電極とが設けられたものであり、前記第1電極および前記第2電極の各々がワイヤを介して前記配線パターンと電気的に接続されてなり、前記伝熱板は、前記各ワイヤの各々を通す貫通孔が形成されてなることを特徴とする請求項4ないし請求項7のいずれか1項に記載の発光ユニット。
- 請求項1ないし請求項8のいずれか1項に記載の発光ユニットを備えることを特徴とする照明装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011072772A JP5011441B1 (ja) | 2011-03-29 | 2011-03-29 | 発光ユニットおよび照明装置 |
KR1020127026385A KR101495580B1 (ko) | 2010-04-26 | 2011-04-26 | 리드 프레임, 배선판, 발광 유닛, 조명 장치 |
PCT/JP2011/060193 WO2011136236A1 (ja) | 2010-04-26 | 2011-04-26 | リードフレーム、配線板、発光ユニット、照明装置 |
US13/641,483 US8967827B2 (en) | 2010-04-26 | 2011-04-26 | Lead frame, wiring board, light emitting unit, and illuminating apparatus |
CN201180020874.8A CN102893418B (zh) | 2010-04-26 | 2011-04-26 | 发光单元、照明装置 |
EP11775017.4A EP2565951B1 (en) | 2010-04-26 | 2011-04-26 | Light emitting unit and illuminating apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011072772A JP5011441B1 (ja) | 2011-03-29 | 2011-03-29 | 発光ユニットおよび照明装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012127331A Division JP2012209562A (ja) | 2012-06-04 | 2012-06-04 | 照明装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP5011441B1 true JP5011441B1 (ja) | 2012-08-29 |
JP2012209364A JP2012209364A (ja) | 2012-10-25 |
Family
ID=46844515
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011072772A Expired - Fee Related JP5011441B1 (ja) | 2010-04-26 | 2011-03-29 | 発光ユニットおよび照明装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5011441B1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017168469A (ja) * | 2014-08-04 | 2017-09-21 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光装置の製造方法、発光装置、および発光装置の製造装置 |
JP6516461B2 (ja) * | 2014-12-08 | 2019-05-22 | 三菱電機株式会社 | 光源ユニット及び照明器具 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006066631A (ja) * | 2004-08-26 | 2006-03-09 | Kyocera Corp | 配線基板および電気装置並びに発光装置 |
JP2006147999A (ja) * | 2004-11-24 | 2006-06-08 | Kyocera Corp | 発光素子用配線基板並びに発光装置 |
JP2007035890A (ja) * | 2005-07-26 | 2007-02-08 | Matsushita Electric Works Ltd | 光源装置、及びそれを用いた照明器具 |
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2011
- 2011-03-29 JP JP2011072772A patent/JP5011441B1/ja not_active Expired - Fee Related
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---|---|---|---|---|
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Also Published As
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---|---|
JP2012209364A (ja) | 2012-10-25 |
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