JP2011204897A - 発光モジュール - Google Patents

発光モジュール Download PDF

Info

Publication number
JP2011204897A
JP2011204897A JP2010070542A JP2010070542A JP2011204897A JP 2011204897 A JP2011204897 A JP 2011204897A JP 2010070542 A JP2010070542 A JP 2010070542A JP 2010070542 A JP2010070542 A JP 2010070542A JP 2011204897 A JP2011204897 A JP 2011204897A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
light
layer
insulating layer
reflective layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2010070542A
Other languages
English (en)
Inventor
Tomohiro Sanpei
友広 三瓶
Erika Takenaka
絵梨果 竹中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Lighting and Technology Corp
Original Assignee
Toshiba Lighting and Technology Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Lighting and Technology Corp filed Critical Toshiba Lighting and Technology Corp
Priority to JP2010070542A priority Critical patent/JP2011204897A/ja
Priority to EP20110158451 priority patent/EP2369223A3/en
Priority to US13/049,571 priority patent/US8446082B2/en
Priority to CN2011100745171A priority patent/CN102252176A/zh
Publication of JP2011204897A publication Critical patent/JP2011204897A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28Applying non-metallic protective coatings
    • H05K3/284Applying non-metallic protective coatings for encapsulating mounted components
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21KNON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/20Light sources comprising attachment means
    • F21K9/23Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/05Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
    • H05K1/056Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate the metal substrate being covered by an organic insulating layer
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21VFUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V23/00Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices
    • F21V23/001Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices the elements being electrical wires or cables
    • F21V23/002Arrangements of cables or conductors inside a lighting device, e.g. means for guiding along parts of the housing or in a pivoting arm
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21VFUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V29/00Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
    • F21V29/50Cooling arrangements
    • F21V29/70Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks
    • F21V29/74Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks with fins or blades
    • F21V29/77Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks with fins or blades with essentially identical diverging planar fins or blades, e.g. with fan-like or star-like cross-section
    • F21V29/773Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks with fins or blades with essentially identical diverging planar fins or blades, e.g. with fan-like or star-like cross-section the planes containing the fins or blades having the direction of the light emitting axis
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21VFUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V29/00Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
    • F21V29/85Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems characterised by the material
    • F21V29/89Metals
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21VFUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V3/00Globes; Bowls; Cover glasses
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21YINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2105/00Planar light sources
    • F21Y2105/10Planar light sources comprising a two-dimensional array of point-like light-generating elements
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21YINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10Light-emitting diodes [LED]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48135Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48135Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H01L2224/48139Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate with an intermediate bond, e.g. continuous wire daisy chain
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/56Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • H01L33/60Reflective elements
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0274Optical details, e.g. printed circuits comprising integral optical means
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007Types of components
    • H05K2201/10106Light emitting diode [LED]
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/20Details of printed circuits not provided for in H05K2201/01 - H05K2201/10
    • H05K2201/2054Light-reflecting surface, e.g. conductors, substrates, coatings, dielectrics

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)

Abstract

【課題】光出力を増加できるとともに、光出力を長期間にわたり維持できる発光モジュールを提供する。
【解決手段】発光モジュール1は、絶縁層7を有したモジュール基板5、複数の発光素子21、ボンディングワイヤ23、及び封止部材28を有する。酸無水物を硬化剤として硬化されたエポキシ樹脂で絶縁層7を形成する。この絶縁層7より光反射率が高い金属製の反射面部位Cを有した反射層11を絶縁層7に積層する。この反射層11に発光素子21を搭載する。隣接した発光素子21同士をボンディングワイヤ23で接続する。ガス透過性を有する透光性材料からなる封止部材28で、反射層11、各発光素子21、及び各ボンディングワイヤ23を埋設したことを特徴としている。
【選択図】図3

Description

本発明は、直列接続された複数のベアチップからなるLED(発光ダイオード)等の発光素子を発光させて、例えば照明装置の光源部等に使用される発光モジュールに関する。
第1、第2の素子電極が設けられた片面電極型のベアチップからなる複数の青色発光LEDを、装置基板の一面に列をなして配設し、列が延びる方向に隣接されたLEDの第1の素子電極と第2の素子電極をボンディングワイヤで直列に接続するとともに、このLED列の両端に配置されたLEDの素子電極を夫々装置基板上の給電端子に端部ボンディングワイヤで接続し、かつ、黄色の蛍光体が混ぜられた透光性の封止部材で各LEDを封止した照明装置(発光モジュール)が、従来技術として知られている(例えば、特許文献1参照。)。
前記装置基板のLED実装面はエポキシ樹脂製であり、又、封止部材には透明なシリコーン樹脂が用いられている。
この照明装置の直列接続された複数のLEDは通電により一斉に青色の光を放出する。それに伴い一部の青色光により封止部材に含まれた蛍光体が、励起されて、青色に対して補色の関係にある黄色の光を放射する。そのため、これら青色と黄色の光が混ざることにより生成される白色の光で、照明をすることができる。
特開2008−277561号公報
特許文献1でLED実装面をなしたエポキシ樹脂は白色を呈している。この色を出すために、通常は、酸化チタンの粉末がエポキシ樹脂に混ぜられている。しかし、酸化チタンは、LED実装面をなしたエポキシ樹脂に入射するLEDの青色光によって分解され易いので、LED実装面は次第に劣化して荒れた状態となる。そのため、白色のLED実装面での所期の反射性能が実用上支障のない程度にまで低下することを、長期間例えば4万時間以上に維持することは困難である。
この点に鑑みて、本発明者は、LEDと同数の金属製反射層をLED実装面に積層して、これら反射層にLEDを一個ずつ実装した構成の発光モジュールを開発し、既に出願済みである。しかし、この発光モジュールでも以下の解決すべき課題があることが、本発明者等の研究により分かった。
即ち、各反射層の周りには夫々エポキシ樹脂製のLED実装面が露出されるように設けられていて、このように反射層で覆われていない部位に、LEDが発した光が差し込むので、この部位において、エポキシ樹脂をなした樹脂成分(有機物)の一部が分解しガス化して外部に放出される。
この現象は、エポキシ樹脂が未結合分子を含んでいるので、それが光で分解することが原因である、と現状では考えられている。
又、LED及び反射層等を埋設している封止部材をなしたシリコーン樹脂は、ガス透過性を有している。そのため、既述のようにガスとなって放出された成分が、LEDの熱が加わる反射層表面と反応して、この反射層表面が黒ずむように変色し、こうした反応は、特に、反射層の表面がAg(銀)の場合に著しいことが分かった。この黒化現象は前記ガスが放出されなくなるまでの期間中進行する。
こうした黒化現象により反射層の反射効率は低下する。したがって、金属製の反射層を設けたにも拘らず、所期の反射性能を長期間にわたり維持し難いので、それに伴い、所期の光束を長期間にわたり維持し難いことが分かった。
以上のように従来技術は、ベアチップからなるLEDからモジュール基板側へ放射された光を、光の利用方向に反射させて光出力(光束)を増加させる上では改善の余地があり、モジュール基板に金属製反射層を設けて光出力を増加させる工夫を採用しても、それにより改善された所期の光出力を長期間にわたり維持し難い、という課題がある。
前記の課題を解決するために、請求項1の発明は、酸無水物を硬化剤として硬化されたエポキシ樹脂からなる絶縁層を有したモジュール基板と;前記絶縁層に積層されるとともに光反射率が前記絶縁層よりも高い金属製の反射面部位を有した反射層と;正極側及び負極側の素子電極を有し前記反射層に搭載された複数の発光素子と;隣接した前記発光素子同士を接続したボンディングワイヤと;ガス透過性を有する透光性材料からなり、前記反射層、各発光素子、及び各ボンディングワイヤを埋めて前記モジュール基板上に設けられた封止部材と;を具備することを特徴としている。
この発明で、モジュール基板には、単層の絶縁板からなるモジュール基板、又は複数枚の絶縁板を積層してなるモジュール基板、或いは鉄やアルミニウム等の金属製ベースに絶縁材製の層を積層してなるモジュール基板等を用いることができる。この発明で、モジュール基板が単層の絶縁板からなる場合、このモジュール基板の表層部位が絶縁層を形成する。この発明で、モジュール基板の絶縁層をなすエポキシ樹脂は、酸化チタン等のフィラーが混合されていてもよいとともに、その光反射率は50%以下であっても良い。
この発明で前記表層部位は酸無水物を硬化剤として硬化されたエポキシ樹脂からなるが、前記表層部位の裏面に積層された他の層が合成樹脂製である場合は、酸無水物を硬化剤として硬化されたエポキシ樹脂であっても、そうでなくても良い。この発明で、硬化剤をなす酸無水物は、脂肪族、脂環族、芳香族、及びハロゲン族に分類される。脂肪族の硬化剤としては、ドデセニル無水コハク酸(DDSA)、ポリアゼライン酸無水物(PAPA)が代表的であり、脂環族の硬化剤としては、ヘキサヒドロ無水フタル酸(HHPA)、メチルテトラヒドロ無水フタ酸(MTHPA)、無水メチルナジック酸(MMA)が代表的である。芳香族の硬化剤としては、無水トリメット酸(TMA)、無水ピロメリット酸(PMDA)、ベンゾフェノンテトラカルボン酸(BTDA)が代表的であり、ハロゲン族の硬化剤としては、テトラブロモ無水フタル酸(TBPA)、無水ヘット酸(HET)が代表的である。
この発明及び以下の発明で、反射層の反射面部位をなす金属はAg製であることが好ましいが、Ag以外の金属であっても可能であり、反射面部位がAg製である場合、このAg製の反射面部位は無電解めっきにより設けることが好ましい。この発明及び以下の発明で、反射層は、1個の発光素子が搭載される大きさで発光素子毎に設けられていてもよく、或いは複数の発光素子が搭載される大きさで設けられていてもよい。
この発明及び以下の発明で、発光素子は、ベアチップからなるLED(発光ダイオード)、又はEL(エレクトロルミネッセンス)素子等の半導体製の発光素子を指しており、片面電極型と通称されている発光素子を好適に使用できる。この種の発光素子は、その片面に正極側と負極側の素子電極を有している。LEDを発光素子として用いる場合、青色の光を発するLEDチップを用いることが好ましい。
この発明及び以下の発明で、ボンディングワイヤは、素子電極又は給電導体等との接合性を確保するために、例えばAuの細線を用いることが好ましいが、これ以外の金属細線を用いることも可能である。この発明及び以下の発明で、ボンディングワイヤは、その一端を発光素子毎に設けられた反射層に接続するとともに他端を発光素子の一方の素子電極に接続して、複数の発光素子を直列接続した状態に設けることができ、或いは、ボンディングワイヤの両端を隣接した発光素子の素子電極に接続して、複数の発光素子を直列接続した状態に設けることができる。
この発明及び以下の発明で、ガス透過性を有する封止部材をなす透光性材料として、例えば透明なシリコーン樹脂を挙げることができる。封止部材には所望とする光色の照明光を得るための蛍光体が混ぜられていてもいなくても差し支えないが、封止部材がそれに混ぜられた蛍光体を有する場合、その蛍光体には、白色の照明光を得る上で、例えば発光素子が青色の光を発する条件では黄色の蛍光体を好適に用いることができる。
請求項1の発明では、モジュール基板の金属製反射面部位を有した反射層に発光素子を搭載したので、発光素子からモジュール基板側に放射された光を、反射層の反射面部位で効率よく光の利用方向に反射させることができる。
この一方で、反射層で覆われずに封止部材で覆われた絶縁層の反射可能な部位には発光素子から光が差し込む。しかし、絶縁層は、酸無水物を硬化剤として硬化されたエポキシ樹脂であり、フェノール樹脂やアミン樹脂を硬化剤として含んでいない。
ところで、エポキシ樹脂が単独で使用されるケースは稀であり、一般的には、用途に適った物質を与えるために、エポキシ樹脂を硬化剤と反応させて、三次元橋かけ構造としたエポキシ樹脂が多用されている。こうしたエポキシ樹脂の中でも、電気用のプリント配線基板に用いられるエポキシ樹脂としては、硬化剤にフェノール類を用いたエポキシ・フェノール系のエポキシ樹脂、硬化剤にアミン類を用いたエポキシ・アミン系のエポキシ樹脂、硬化剤に酸無水物を用いたエポキシ・酸無水物系のエポキシ樹脂等が知られている。そして、現状でプリント配線基板用のエポキシ樹脂には、エポキシ・フェノール系のエポキシ樹脂が多用されている。
本発明者は、青色LEDが発する光で前記各系のエポキシ樹脂が分解する現象と金属製反射層の黒化現象について鋭意研究した結果、ある種の硬化剤が、青色LEDが発した光によって分解しガス化することを見出した。すなわち、プリント配線基板が、エポキシ・フェノール系のエポキシ樹脂である場合、及びエポキシ・アミン系のエポキシ樹脂である場合は、その硬化剤であるフェノール系樹脂やアミン系樹脂の分解成分を原因としてAg等の金属製反射層に黒化現象を生じることを見出し、プリント配線基板がエポキシ・酸無水物系のエポキシ樹脂である場合、その硬化剤である酸無水物の分解成分を原因としてAgの金属製反射層に黒化現象を生じない、という事実を見出すに至った。
したがって、エポキシ・酸無水物系のエポキシ樹脂の樹脂成分が、発光素子の光によって分解されガス化して、ガス透過性の封止部材内に放出されるにも拘らず、このガスと金属製の反射面部位を有する反射層とが反応しないか、反応があっても無視できる程度であるので、反射層の反射面部位が黒ずむように変色してその反射効率が低下することがない。
以上のように請求項1の発明によれば、発光素子からモジュール基板側へ放射された光を、モジュール基板に設けた金属製反射層の反射面部位により、光の利用方向に反射させて光出力(光束)を増加させることができ、更に、モジュール基板が有したエポキシ樹脂製の絶縁層が発光素子から入射する光でガス化するにも拘らず、反射層の反射効率が低下しないことに伴い、金属製反射層により改善された所期の光出力を長期間にわたり維持できる。
請求項2の発明は、ポリイミド樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、フッ素樹脂のうちのいずれかの樹脂からなる絶縁層を有したモジュール基板と;前記絶縁層に積層されるとともに光反射率が前記絶縁層よりも高い金属製の反射面部位を有した反射層と;正極側及び負極側の素子電極を有し前記反射層に搭載された複数の発光素子と;隣接した前記発光素子同士を接続したボンディングワイヤと;ガス透過性を有する透光性材料からなり、前記反射層、各発光素子、及び各ボンディングワイヤを埋めて前記モジュール基板上に設けられた封止部材と;を具備することを特徴としている。
この請求項2の発明では、発光素子をモジュール基板の金属製反射面部位を有した反射層に搭載したので、発光素子からモジュール基板側に放射された光を、反射層の反射面部位で効率よく光の利用方向に反射させることができる。
これとともに、反射層で覆われずに封止部材で覆われた絶縁層の反射可能な部位には発光素子から光が差し込む。しかし、絶縁層は、ポリイミド樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、フッ素樹脂のうちのいずれかの樹脂からなり、フェノール樹脂やアミン樹脂を含んでいない。
したがって、絶縁層の樹脂成分が、発光素子の光によって分解されガス化して、ガス透過性の封止部材内に放出されるにも拘らず、このガスと反射層の金属製反射面部位とが反応しないか、反応があっても無視できる程度であるので、反射層が黒ずむように変色してその反射効率が低下することがない。
以上のように請求項2の発明によれば、発光素子からモジュール基板側へ放射された光を、モジュール基板に設けた金属製反射層の反射面部位により、光の利用方向に反射させて光出力(光束)を増加させることができ、更に、モジュール基板が有した絶縁層が、ポリイミド樹脂又はポリエチレンテレフタレート樹脂或いはフッ素樹脂からなるので、発光素子から入射する光による絶縁層のガス化を原因として金属製反射面部位を有した反射層の反射効率が低下しないことに伴い、反射層により改善された所期の光出力を長期間にわたり維持できる。
請求項1,2の発明に係る発光モジュールによれば、光出力を増加できるとともに、光出力を長期間にわたり維持できる、という効果がある。
本発明の一実施形態に係る発光モジュールを一部切欠いた状態で示す平面図である。 図1の発光モジュールが備えたモジュール基板を示す平面図である。 図1中矢印F3−F3線に沿って示す断面図である。
以下、図1〜図3を参照して本発明の一実施形態について、詳細に説明する。
図1中符号1は照明装置例えばE26型の口金を備えた電球の光源部として使用されるCOB(chip on board)型の発光モジュールを示している。この発光モジュール1は、モジュール基板5と、金属製の反射層11と、正極側給電導体12及び負極側給電導体13と、複数の発光素子21と、直列接続用のボンディングワイヤ23と、給電用の端部ボンディングワイヤ24と、枠部材25と、封止部材28を具備している。
モジュール基板5は所定形状例えば図2に示すように略四角形である。このモジュール基板5には、各発光素子の放熱性を高める上で例えば金属ベース基板を用いることが好ましい。こうしたモジュール基板5として、金属製のベース板6の一面にこのベース板6より薄い絶縁材製の層からなる絶縁層7が積層された構成のモジュール基板5が、図3に例示されている。
ベース板6は例えばアルミニウム製である。絶縁層7は、フェノール系樹脂又はアミン系樹脂を硬化剤として使用していないエポキシ樹脂、すなわち、酸無水物、例えばヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタ酸、無水ピロメリット酸等を硬化剤として硬化されたエポキシ樹脂製である。
この絶縁層7には例えばフィラーが50w%混ぜられている。これとともに、絶縁層7の厚みは100μmm以下、例えば0.8mmである。この絶縁層7の全光線反射率は50%以下例えば35.9%である。絶縁層7はモジュール基板5の実装面をなしている。
モジュール基板5はねじ止め等で前記電球の光源取付け部9(図3参照)に固定されている。光源取付け部9は金属製であり、その外周面は大気中に露出する放熱面をなしている。この光源取付け部9にモジュール基板5のベース板6が密接されていて、この接触部を通ってモジュール基板5の熱が光源取付け部6に放出されるようになっている。
反射層11、正極側給電導体12、及び負極側給電導体13は、いずれも絶縁層7に積層されている。図2に示すように反射層11は絶縁層7の中央部を占めて例えば四角形に設けられ、正極側給電導体12及び負極側給電導体13は、反射層11の近傍に例えば反射層11を挟むようにこの反射層11の長手方向両側に夫々配設されている。この発明で、給電導体12、13は、反射層11が複数の場合これら反射層群を挟むようにその両側に設けることができる。
図1及び図2中符号14,15はいずれも給電端子を示しており、一方の給電端子14は正極側給電導体12に図示しない導電部材を介して接続され、他方の給電端子15は負極側給電導体13に図示しない導電部材を介して接続される。更に、給電端子14,15にはモジュール基板5に直流を給電するための駆動装置16(図1参照)が接続されている。駆動装置16は、モジュール基板5とは別に設けたが、これに代えてモジュール基板5の一部に配設することも可能である。
反射層11、正極側給電導体12、負極側給電導体13、及び給電端子14,15の表層をなす反射面部位Cは、いずれもAgからなり、その光反射率は絶縁層7の光反射率より高く、Agからなる反射面部位Cの全光線反射率は例えば90.0%である。
反射層11、正極側給電導体12、負極側給電導体13のうちの少なくとも反射層11表面の線粗さRaは、0.2以下とすることが好ましい。こうした表面粗さにより、反射層11表面の微細な凹凸に起因する反射層表面積の増加、つまり、後述するガスとの反応可能な反射層11の表面積の増加が抑制されるので、それに伴い、反射層11表面が後述するガスと反応して黒化する現象による反射層11の反射性能の低下を抑制できる。
反射層11、正極側給電導体12、負極側給電導体13、及び給電端子14,15は、図3に示した反射層11、正極側給電導体12、及び負極側給電導体13で代表して示すようにベース層部位Aと、中間層部位Bと、前記反射面部位Cの三層構造である。ベース層部位Aは、Cu製で、モジュール基板5の絶縁層7上にエッチングにより設けられている。中間層部位Bは、Ni製で、ベース層部位A上にめっきされている。Ag製の反射面部位Cは、中間層部位B上に無電解めっきされている。
反射面部位Cを無電解めっきにより設けることは、製造性がよい良い点で好ましい。つまり、無電解めっきではなく通常のめっきで反射面部位Cを形成する場合には、メッキリードを設ける必要があることに伴い、めっきパターンが複雑化し勝ちであるだけではなく、メッキ後に不要となる前記メッキリードを除去する工程が必要であるが、こうした工程などを無電解めっきでは要しないので、製造性に優れる。
各発光素子21はLED(発光ダイオード)のベアチップからなる。このベアチップには、図3に示すように素子基板例えばサファイア等の上に窒化物系化合物半導体例えば窒化ガリウム系化合物半導体を形成してなる半導体ウエハーを、例えばダイシングカッター等によりカットして、略直方体に形成されていて、その片面に図1に示すように正極側及び負極側の素子電極21aを有した片面電極型のものである。このLED製の発光素子21の素子電極21aの大きさは例えば縦0.5mm、横0.25mmである。各発光素子21には、例えば白色系の光を発光部で発光させるために、青色の光を発するLEDからなる発光素子21が用いられている。
図3に示すように各発光素子21は、その直下での反射ができるように好ましくは透光性のダイボンド材22を用いて、前記素子基板の一面(前記片面に対して反対側に位置した他の片面)をモジュール基板5の実装面である絶縁層7に接着止めされている。これらの発光素子21は、図1に示すように縦横に整列してモジュール基板5上に実装されている。反射層11の長手方向に延びるように並べられた複数の発光素子21によって第1〜第3の発光素子列が形成されている。
個々の発光素子列において、その列が延びる方向に隣接された発光素子21の異極の素子電極同士、つまり、隣接された発光素子21の内で一方の発光素子21の正極側の素子電極21aと、隣接された発光素子21の内で他方の発光素子21の負極側の素子電極21aは、例えばAu製の細線からなるボンディングワイヤ23で接続されている。それにより、個々の発光素子列が有した複数の発光素子21は電気的に直列に接続されていて、これら発光素子21は通電状態で一斉に発光されるようになっている。
更に、個々の発光素子列において、その列の端に配置された発光素子21の素子電極21aは、正極側給電導体12又は負極側給電導体13に、Au製の細線からなる端部ボンディングワイヤ24で接続されている。したがって、前記第1〜第3の発光素子列は電気的には並列に設けられていて、正極側給電導体12及び負極側給電導体13を通じて給電されるようになっている。そのため、第1〜第3の発光素子列のうちのいずれか一列がボンディング不良などを原因として発光できなくなることがあっても、発光モジュール1全体の発光が停止することはない。なお、端部ボンディングワイヤ24が金属細線であることで、発光素子21の熱が拡散される金属製の反射層11の熱が給電端子14,15へ移動し(逃げ)難くなるに伴い、反射層11の各部での温度分布の不均一、言い換えれば、反射層11に搭載された複数の発光素子21の温度差を抑制できる点で好ましい。
枠部材25は、合成樹脂等からなり、モジュール基板5上に接着止めされている。この枠部材25は例えば四角い封止用孔25aを有している。封止用孔25a内に、反射層11の全体、及び正極側給電導体12と負極側給電導体13の反射層11の両側に配置された部位が収められている。封止用孔25aは後述の封止面積を規定している。この封止用孔25aの大きさは、反射層11の全体、及び正極側給電導体12と負極側給電導体13の反射層11の両側に配置された部位が占める領域の大きさより少し大きい。
なお、第1図中符号26は、枠部材25を図1中上下から挟むようにモジュール基板5に積層されたレジストを示している。これらのレジスト26は、モジュール基板5の所定部位を露出させるための露出孔等を有している。
封止部材28は、封止用孔25aに充填されてモジュール基板5上に設けられていて、反射層11、正極側給電導体12、負極側給電導体13、各発光素子21、ボンディングワイヤ23、及び端部ボンディングワイヤ24を埋めている。封止部材28はガス透過性を有する透光性合成樹脂例えば透明シリコーン樹脂で作られている。
封止部材28には図示しない蛍光体が適量混ぜられている。蛍光体は、発光素子21が発する光で励起されて、発光素子21が発する光の色とは異なる色の光を放射する。発光素子21が青色光を発する本実施形態では、白色光を出射できるようにするために、蛍光体に青色の光とは補色の関係にある黄色系の光を放射する黄色蛍光体が使用されている。このように蛍光体が混ぜられた封止部材28は、その蛍光体が発光するので、発光モジュール1の発光部をなす。
封止部材28は、未硬化の状態で封止用孔25aに所定量注入された後に加熱硬化させて設けられている。そのため、封止部材28の封止面積は封止用孔25aで規定されている。
この封止部材28の封止面積に対する反射層11の占有面積は、特に規定されるものではないが、80%以上であれば、その数値が高い方が、より高い光束維持率を得る上で好ましい。ここに光束維持率とは、発光モジュール1を初めて発光させた時(初期発光時)の光束と、この初期発光時からの連続発光時間が1000時間経過した時の光束との比率を指している。なお、1000時間の連続発光時間は、発光モジュール1を照明装置の光源部として実際に使用した場合の約4万時間の使用時間に相当する。このような占有面積により、相対光束が90%以上確保されるとともに、実際の使用状態で約4万時間経過後にも、初期発光時の光束に対して略80%の光束が維持されるので、発光モジュール1の光出力が高く、高品質な発光モジュール1とできる。
前記構成の発光モジュール1が駆動装置16を介して通電されると、封止部材28で覆われた各発光素子21が一斉に発光されて、発光モジュール1は白色の光を出射する面状光源として使用される。この発光中において、反射層11は各発光素子21が発した熱を拡散するヒートスプレッダとして機能する。
発光モジュール1の発光中、発光素子21が放射した光のうちでモジュール基板5側に向かった光は、主としてAg製の反射面部位Cを有した反射層11で効率よく光の利用方向に反射される。
加えて、既述のように光の利用方向に反射される光量に対してモジュール基板5の絶縁層7で反射される光量は少ない。即ち、モジュール基板5に設けたAg製の反射面部位Cを有した反射層11に複数の発光素子21を搭載したので、複数の発光素子21がこれらと同数の反射層に一個ずつ搭載された構成に比較して、反射層11で覆われずにその周りに露出するように位置されてかつ封止部材28で覆われた絶縁層7の部位の面積が小さく、この逆に、絶縁層7の前記部位の面積に対し反射層11の面積の方がはるかに大きい。そのため、発光素子21からモジュール基板5側に放射された光の反射が絶縁層7での低い反射性能に更に依存され難く、Ag製の反射面部位Cを有した反射層11でより効率よく光の利用方向に反射させることができる。この利点は、反射層11等を埋めて設けられた封止部材28の封止面積に対する反射層11の占有面積が80%以上であることにより、更に効果的に実現できる。
こうして光がその利用方向に反射される一方で、反射層11から外れた絶縁層7の部位には、発光素子21からの光が差し込み、この光で絶縁層7の樹脂成分が分解されガス化するが、モジュール基板5の少なくとも表層部位をなした絶縁層7は、エポキシ・酸無水物系のエポキシ樹脂製であり、フェノール系樹脂やアミン系樹脂からなる硬化剤を含んでいない。
したがって、エポキシ・酸無水物系のエポキシ樹脂の樹脂成分が、発光素子21の光によって分解されガス化して、ガス透過性の封止部材28内に放出されるにも拘らず、このガスに反射層11のAg製の反射層部位Cが反応しないか、反応をしても無視できる程度であるので、反射層11の反射層部位Cが黒ずむように変色して反射層11の反射効率が低下することがない。
以上のように前記構成の発光モジュール1は、モジュール基板5に設けた反射層11により、発光素子21からモジュール基板5側への放射された光を、光の利用方向に反射させて光出力(光束)を増加させることができ、更に、モジュール基板5の絶縁層7のガス化を原因とする反射層11の反射効率の低下を抑制できるに伴い、反射層11のAg製の反射層部位Cにより改善された所期の光出力を長期間にわたり維持できる。
又、本発明は前記一実施形態には制約されない。例えば、前記一実施形態の構成において、モジュール基板5の少なくとも表層部位をなす絶縁層7を、非エポキシ樹脂からなる絶縁層に代えて実施することが可能である。ここに、非エポキシ樹脂とは、ポリイミド樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、フッ素樹脂のうちのいずれかの樹脂を指している。この絶縁層以外の発光モジュールの他の構成は、既述の一実施形態の発光モジュールと同じであり、この発光モジュールの作用について、以下、図1〜図3を参照して説明する。
この発明の実施形態では、発光モジュール1の発光中、発光素子21が放射した光のうちでモジュール基板5側に向かった光は、反射層11で主として光の利用方向に反射される。そのため、発光素子21からモジュール基板5側に放射された光の反射が絶縁層7での低い反射性能に依存され難く、Ag製の反射面部位Cを有した反射層11で効率よく光の利用方向に反射させることができる。
加えて、既述のように光の利用方向に反射される光量に対してモジュール基板5の絶縁層7で反射される光量は少ない。即ち、モジュール基板5に設けたAg製の反射面部位Cを有した反射層11に複数の発光素子21を搭載したので、複数の発光素子21がこれらと同数の反射層に一個ずつ搭載された構成に比較して、反射層11で覆われずにその周りに露出するように位置されてかつ封止部材28で覆われた絶縁層7の部位の面積が小さく、この逆に、絶縁層7の前記部位の面積に対し反射層11の面積の方がはるかに大きい。そのため、発光素子21からモジュール基板5側に放射された光の反射が絶縁層7での低い反射性能に更に依存され難く、Ag製の反射面部位Cを有した反射層11でより効率よく光の利用方向に反射させることができる。この利点は、反射層11等を埋めて設けられた封止部材28の封止面積に対する反射層11の占有面積が80%以上であることにより、更に効果的に実現できる。
こうして光がその利用方向に反射される一方で、反射層11から外れた絶縁層7の部位には、発光素子21からの光が差し込み、この光で絶縁層7の樹脂成分が分解されガス化する。しかし、モジュール基板5の少なくとも表層部位をなした絶縁層7は、ポリイミド樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、フッ素樹脂のうちのいずれかの樹脂からなり、フェノール樹脂やアミン樹脂を含んでいない。
したがって、絶縁層7の樹脂成分が発光素子21の光によって分解されガス化して、ガス透過性の封止部材28内に放出されるにも拘らず、このガスに反射層11の表層をなした反射層部位Cが反応しないか、反応をしても無視できる程度であるので、反射層11の反射層部位Cが黒ずむように変色してその反射効率が低下しないことに伴い、反射層11により改善された所期の光出力を長期間にわたり維持できる。
1…発光モジュール、5…モジュール基板、7…モジュール基板の絶縁層、11…反射層、C…反射面部位、21…発光素子、21a…素子電極、23…ボンディングワイヤ、28…封止部材

Claims (2)

  1. 酸無水物を硬化剤として硬化されたエポキシ樹脂からなる絶縁層を有したモジュール基板と;
    前記絶縁層に積層されるとともに光反射率が前記絶縁層よりも高い金属製の反射面部位を有した反射層と;
    正極側及び負極側の素子電極を有し前記反射層に搭載された複数の発光素子と;
    隣接した前記発光素子同士を接続したボンディングワイヤと;
    ガス透過性を有する透光性材料からなり、前記反射層、各発光素子、及び各ボンディングワイヤを埋めて前記モジュール基板上に設けられた封止部材と;
    を具備することを特徴とする発光モジュール。
  2. ポリイミド樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、フッ素樹脂のうちのいずれかの樹脂からなる絶縁層を有したモジュール基板と;
    前記絶縁層に積層されるとともに光反射率が前記絶縁層よりも高い金属製の反射面部位を有した反射層と;
    正極側及び負極側の素子電極を有し前記反射層に搭載された複数の発光素子と;
    隣接した前記発光素子同士を接続したボンディングワイヤと;
    ガス透過性を有する透光性材料からなり、前記反射層、各発光素子、及び各ボンディングワイヤを埋めて前記モジュール基板上に設けられた封止部材と;
    を具備することを特徴とする発光モジュール。
JP2010070542A 2010-03-25 2010-03-25 発光モジュール Pending JP2011204897A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010070542A JP2011204897A (ja) 2010-03-25 2010-03-25 発光モジュール
EP20110158451 EP2369223A3 (en) 2010-03-25 2011-03-16 Light-emitting device and illumination device
US13/049,571 US8446082B2 (en) 2010-03-25 2011-03-16 Light-emitting device and illumination device
CN2011100745171A CN102252176A (zh) 2010-03-25 2011-03-23 发光装置以及照明装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010070542A JP2011204897A (ja) 2010-03-25 2010-03-25 発光モジュール

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2011204897A true JP2011204897A (ja) 2011-10-13

Family

ID=44310091

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010070542A Pending JP2011204897A (ja) 2010-03-25 2010-03-25 発光モジュール

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8446082B2 (ja)
EP (1) EP2369223A3 (ja)
JP (1) JP2011204897A (ja)
CN (1) CN102252176A (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101923189B1 (ko) * 2011-08-11 2018-11-28 엘지이노텍 주식회사 발광소자 어레이
KR101772588B1 (ko) * 2011-08-22 2017-09-13 한국전자통신연구원 클리어 컴파운드 에폭시로 몰딩한 mit 소자 및 그것을 포함하는 화재 감지 장치
JP6024957B2 (ja) * 2012-09-24 2016-11-16 東芝ライテック株式会社 発光装置および照明装置
US9970646B2 (en) * 2015-09-10 2018-05-15 GE Lighting Solutions, LLC Heatsink with integrated electrical and base contacts

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006140207A (ja) * 2004-11-10 2006-06-01 Hitachi Chem Co Ltd 光反射用熱硬化性樹脂組成物、ならびにこれを用いた光半導体搭載用基板とその製造方法および光半導体装置。
JP2008235824A (ja) * 2007-03-23 2008-10-02 Sharp Corp 発光装置およびその製造方法
JP2008277561A (ja) * 2007-04-27 2008-11-13 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明装置
WO2009088059A1 (ja) * 2008-01-09 2009-07-16 Hitachi Chemical Company, Ltd. 熱硬化性樹脂組成物、エポキシ樹脂成形材料及び多価カルボン酸縮合体

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100425566B1 (ko) * 1999-06-23 2004-04-01 가부시키가이샤 시티즌 덴시 발광 다이오드
MY145695A (en) * 2001-01-24 2012-03-30 Nichia Corp Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same
US20050099727A1 (en) * 2003-11-12 2005-05-12 Headway Technologies, Inc. Write-head having recessed magnetic material in gap region
WO2007004572A1 (ja) * 2005-06-30 2007-01-11 Matsushita Electric Works, Ltd. 発光装置
JP4905052B2 (ja) * 2005-10-21 2012-03-28 三菱瓦斯化学株式会社 プリプレグおよび銅張積層板
JP2007138017A (ja) * 2005-11-18 2007-06-07 Kyocera Chemical Corp 絶縁性透光基板及び光半導体装置
JP5232369B2 (ja) * 2006-02-03 2013-07-10 日立化成株式会社 光半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法およびこれを用いた光半導体装置の製造方法
JP5168152B2 (ja) * 2006-12-28 2013-03-21 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2008251664A (ja) * 2007-03-29 2008-10-16 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明装置
JP2009026485A (ja) * 2007-07-17 2009-02-05 Sumitomo Electric Ind Ltd 非水電解質電池、並びにそれに用いる非水電解質電池用リード線及び非水電解質電池用封入袋
JP2009065137A (ja) * 2007-08-09 2009-03-26 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置
CN101842891A (zh) * 2007-08-29 2010-09-22 松下电器产业株式会社 布线构件、带有树脂的金属部件和树脂密封半导体装置以及它们的制造方法
CN101873929B (zh) * 2007-11-29 2013-02-06 三菱树脂株式会社 金属层压体、发光二极管承载基板和白色膜
JP5499325B2 (ja) * 2009-06-01 2014-05-21 東芝ライテック株式会社 発光モジュールおよび照明装置
JP2011071242A (ja) * 2009-09-24 2011-04-07 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置及び照明装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006140207A (ja) * 2004-11-10 2006-06-01 Hitachi Chem Co Ltd 光反射用熱硬化性樹脂組成物、ならびにこれを用いた光半導体搭載用基板とその製造方法および光半導体装置。
JP2008235824A (ja) * 2007-03-23 2008-10-02 Sharp Corp 発光装置およびその製造方法
JP2008277561A (ja) * 2007-04-27 2008-11-13 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明装置
WO2009088059A1 (ja) * 2008-01-09 2009-07-16 Hitachi Chemical Company, Ltd. 熱硬化性樹脂組成物、エポキシ樹脂成形材料及び多価カルボン酸縮合体

Also Published As

Publication number Publication date
EP2369223A2 (en) 2011-09-28
EP2369223A3 (en) 2013-03-20
US20110234080A1 (en) 2011-09-29
US8446082B2 (en) 2013-05-21
CN102252176A (zh) 2011-11-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2261548B1 (en) Light emitting module and illumination device
US20070075325A1 (en) High power light emitting diode package
JP2010219562A (ja) 照明装置
JP2011071242A (ja) 発光装置及び照明装置
JP2005209763A (ja) 発光装置及び発光装置の製造方法
JP2008244165A (ja) 照明装置
JP2010109119A (ja) 発光モジュール及びその製造方法
JP2008085302A (ja) 照明装置
JP2012004391A (ja) 発光装置及び照明装置
JP2010129615A (ja) 発光装置及び照明装置
KR101051488B1 (ko) 발광 다이오드 유닛의 제조 방법과, 이 방법에 의하여 제조된 발광 다이오드 유닛
JP5515822B2 (ja) 発光装置及び照明装置
JP5817297B2 (ja) 発光装置及び照明装置
JP2011204897A (ja) 発光モジュール
JP5447686B2 (ja) 発光モジュール、および照明器具
KR101719692B1 (ko) 인쇄 회로 기판과 이의 제조방법 및 이를 이용한 led 모듈과 led 램프
JP2014082481A (ja) 発光装置
JP2009231397A (ja) 照明装置
JP2010080796A (ja) 照明装置
JP2011060960A (ja) 発光モジュール
JP2009212126A (ja) 照明装置
US20110305017A1 (en) Light-emitting module and illumination device
JP2011166036A (ja) 発光装置及び照明装置
JP2011096876A (ja) 発光装置及び照明装置
JP2016127281A (ja) 発光装置及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120918

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130430

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130514

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20131105