DE102008005497A1 - Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und eines Wafers - Google Patents

Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und eines Wafers Download PDF

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement, aufweisend eine Mehrzahl von gesonderten und auf einem gemeinsamen Trägerelement (120) angeordneten optisch aktiven Bereichen (110). Gemäß unterschiedlichen Ausgestaltungen sind benachbarte optisch aktive Bereiche (110) derart angeordnet und/oder ausgestaltet, dass wenigstens zwei benachbarte optisch aktive Bereiche (110) für einen Beobachter des Bauelements mit bloßem Auge nicht mehr unterscheidbar sind. Alternativ sind benachbarte optisch aktive Bereiche (110) derart ausgestaltet und angeordnet, dass sie in planarer Richtung des Trägerelements (120) zumindest teilweise ineinander greifen. Die Erfindung betrifft des Weiteren Herstellungsverfahren zur Herstellung derartiger optoelektronischer Bauelemente und eines Wafers mit einer Vielzahl optisch aktiver Bereiche.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement aufweisend eine Mehrzahl von gesonderten und auf einem gemeinsamen Trägerelement angeordneten optisch aktiven Bereichen. Die Erfindung betrifft des Weiteren ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronisches Bauelements sowie eines Wafers.
  • Optoelektronische Bauelemente mit einer Mehrzahl von gesonderten optisch aktiven Bereichen sind vielfach bekannt. Beispielsweise ist es aus dem Bereich der Kfz-Beleuchtung bekannt, eine Mehrzahl von einzelnen Leuchtdiodenelementen, auch als LED-Chips bezeichnet, auf einem gemeinsamen Trägerelement oder in einem gemeinsamen Gehäusekörper anzuordnen. Das gemeinsame Trägerelement dient dabei zur elektrischen Kontaktierung und/oder Kühlung der einzelnen LED-Chips.
  • Werden eine Vielzahl von LED-Chips nebeneinander angeordnet, ergibt sich zudem ein flächiges Leuchtelement. Flächige Leuchtelemente sind für eine Vielzahl von Anwendungen besonders gut geeignet.
  • Obwohl derart aufgebaute Bauelemente eine Vielzahl von Vorteilen und Anwendungen aufweisen, ist deren Herstellung verhältnismäßig aufwändig. Insbesondere müssen die einzelnen optisch aktiven Bereiche einzeln getestet und auf dem Trägerelement angeordnet werden. Verzichtet man auf den Test einzelner optisch aktiver Bereiche, wird die Herstellung des Bauelements zwar vereinfacht, die Qualität der hergestellten Bauelement ist jedoch oft unbefriedigend. Beispielsweise kann es vorkommen, dass defekte optisch aktiv Bereiche verbaut werden, die in dem fertig gestellten Bauelement einen Kurzschluss verursachen. Des Weiteren ist es möglich, dass einzelne optisch aktive Bereiche mit einer anderen Farbe oder einer anderen Intensität als die verbleibenden optisch aktiven Bereiche leuchten und so die Lichtausbeute, Effektivität oder Ästhetik der Lichtquelle mindern.
  • Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, verbesserte Herstellungsverfahren und verbesserte optoelektronische Bauelemente zu beschreiben, bei denen die Qualität der Bauelemente auch bei vereinfachter Herstellung gewahrt bleibt. Insbesondere sollen die zur Herstellung einer Vielzahl optoelektronischer Bauelemente benötigten Verfahrensschritte reduziert werden, ohne dass hierdurch die Ausbeute des Herstellungsprozesses reduziert wird.
  • Die zugrunde liegende Aufgabe wird durch ein optoelektronisches Bauelement, aufweisend eine Mehrzahl von gesonderten und auf einem gemeinsamen Trägerelement angeordneten optisch aktiven Bereichen gelöst, wobei die optisch aktiven Bereiche derart angeordnet und/oder ausgestaltet sind, dass wenigstens zwei benachbarte optisch aktive Bereiche aus Richtung der von Trägerelement abgewandten Seite für einen Beobachter des Bauelements mit bloßem Auge nicht mehr unterscheidbar sind.
  • Durch eine Anordnung und/oder Ausgestaltung benachbarter optisch aktiver Bereiche derart, dass sie für einen Beobachter mit bloßem Auge nicht mehr unterscheidbar sind, wird eine Funktion des einen optisch aktiven Bereichs im Falle eines Defekts oder einer Normabweichung zumindest teilweise von dem benachbarten zweiten optisch aktiven Bereich übernommen. Somit führen Defekte oder Normabweichungen einzelner optisch aktiver Bereiche eines optoelektronischen Bauelements zu einer geringeren, im Regelfall nicht mehr wahrnehmbaren Beeinträchtigung der Funktion des optoelektronischen Bauelements.
  • Gemäß einer vorteilhaften Ausgestaltung ist sind die optisch aktiven Bereiche auf dem Trägerelement derart versetzt angeordnet, dass benachbarte optisch aktive Bereiche puzzleartig, parkettartig, reißverschlussartig oder sägezahnartig ineinander greifen. Durch das Ineinandergreifen benachbarter optisch aktiver Bereiche wird die Bedeutung einzelner optisch aktiver Bereiche für das zu erreichende Gesamtergebnis für einen Beobachter wesentlich reduziert.
  • Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung sind die Mehrzahl optisch aktiver Bereiche in einer Zeilen-, Spalten- oder Matrixstruktur angeordnet, wobei einzelne Zeilen-, Spalten- bzw. Matrixelemente durch einen schmalen Trenngraben voneinander getrennt sind, dessen Breite in der Größenordnung einer dominanten Wellenlänge einer von den optisch aktiven Bereichen emittierbaren elektromagnetischen Strahlung liegt. Dadurch, dass eine Mehrzahl optisch aktiver Bereiche räumlich so dicht benachbart angeordnet sind, dass die zwischen ihnen existierenden Trenngräben optisch nicht mehr wahrnehmbar sind, entsteht der Eindruck einer einheitlich strahlenden Fläche.
  • Die oben genannte Aufgabe wird ebenso gelöst durch ein optoelektronisches Bauelement, dass eine Mehrzahl von gesonderten und auf einem gemeinsamen Trägerelement angeordneten optischen Bereichen aufweist, wobei wenigstens zwei benachbarte optisch aktive Bereiche derart auf dem Trägerelement angeordnet sind, dass sie in einer Erstreckungsrichtung der wenigstens zwei benachbarten optisch aktiven Bereiche parallel zu einer Oberfläche des Trägerelements zumindest teilweise ineinander greifen.
  • Durch ein zumindest teilweises Ineinandergreifen benachbarter optisch aktiver Bereiche wird die üblicherweise vorhandene klare Abgrenzung zwischen benachbarten Bauelementen aufgehoben, so dass einzelne Funktionsbereiche einer Strahlungs- bzw. Detektorfläche scheinbar miteinander verschmelzen.
  • Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung weist ein erster optisch aktiver Bereich der benachbarten optisch aktiven Bereiche in der Erstreckungsrichtung eine Aussparung auf und ein zweiter optisch aktiver Bereich der benachbarten optisch aktiven Bereiche ist derart ausgestaltet und angeordnet, dass er sich in der Erstreckungsrichtung zumindest teilweise in die Aussparung des ersten optisch aktiven Bereichs erstreckt. Durch das teilweise Erstrecken des zweiten optisch aktiven Bereichs in eine Aussparung des ersten optisch aktiven Bereichs übernimmt der zweite optisch aktive Bereich eine Funktion des ersten optisch aktiven Bereichs zumindest teilweise.
  • Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung weist der zweite optisch aktive Bereich in der Erstreckungsrichtung des Trägerelements eine Aussparung auf und der erste optisch aktive Bereich ist derart ausgestaltet und angeordnet, dass er sich in der Erstreckungsrichtung zumindest teilweise in die Aussparung des ersten optisch aktiven Bereichs erstreckt.
  • Auf diese Weise übernimmt der erste optisch aktive Bereich teilweise auch eine Funktion des zweiten optisch aktiven Bereichs.
  • Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung weist das Trägerelement wenigstens einen elektrischen Kontaktbereich auf, wobei wenigstens einer der optisch aktiven Bereiche über den wenigstens einen Kontaktbereich mit einem ersten elektrischen Potenzial verbindbar ist. Durch das Vorsehen eines elektrischen Kontaktbereichs auf dem Trägerelement wird eine elektrische Kontaktierung eines der optisch aktiven Bereiche ermöglicht.
  • Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung weist das Trägerelement eine Mehrzahl von separaten elektrischen Kontaktbereichen auf. Durch die Mehrzahl von separaten Kontaktbereichen können unterschiedliche optisch aktive Bereiche des optoelektronischen Bauelements wahlweise mit einer Betriebsspannung versorgt werden.
  • Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung sind die wenigsten zwei benachbarten optisch aktiven Bereiche auf einem gemeinsamen Kontaktbereich angeordnet. Sind die wenigstens zwei benachbarten optisch aktiven Bereiche gemeinsam in einem Kontaktbereich angeordnet, können sie als ein einheitlicher optisch aktiver Bereich versorgt und betrieben werden.
  • Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung sind die wenigstens zwei benachbarten optisch aktiven Bereiche in wenigstens zwei benachbarten Kontaktbereichen der Mehrzahl der Kontaktbereiche angeordnet. Sind die benachbarten optisch aktiven Bereiche in benachbarten Kontaktbereichen angeordnet, können diese einzeln angesteuert und mit unterschiedlichen Betriebsspannungen versorgt werden.
  • Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung sind die zwei benachbarten optisch aktiven Bereiche über eine gemeinsame Kontaktstruktur mit einem zweiten elektrischen Potenzial verbindbar. Durch die gemeinsame Kontaktstruktur wird ein zweiter Anschluss zum Betrieb der optisch aktiven Bereiche hergestellt.
  • Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung umfasst die gemeinsame Kontaktstruktur wenigstens eine Leiterbahn, die die zwei benachbarten optisch aktiven Bereiche elektrisch miteinander verbindet. In einer weiteren Ausgestaltung ist die wenigstens eine Leiterbahn fotolithographisch auf eine dem Trägerelement abgewandte Seite der wenigstens zwei benachbarten optisch aktiven Bereiche aufgetragen. Durch Verwendung fotolithographisch aufgetragener Leiterbahnen werden benachbarte, sehr kleine optisch aktive Bereiche elektrisch miteinander verbunden.
  • Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung weist die wenigstens eine Leiterbahn wenigstens eine vorbestimmte Trennstelle auf, wobei wenigstens einer der zwei benachbarten optisch aktiven Bereiche durch Trennen der wenigstens einen Leiterbahn an der Trennstelle von dem anderen optisch aktiven Bereich elektrisch isolierbar ist. Durch elektrische Isolierung wenigstens eines der zwei benachbarten optisch aktiven Bereiche kann ein defekter optisch aktiver Bereich von einer Spannungsversorgung isoliert werden, sodass kein Kurzschluss in dem optoelektronischen Bauelement auftritt.
  • Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung ist wenigstens einer der Mehrzahl der optisch aktiven Bereiche rund, oval, dreieckig, streifenförmig, rautenförmig, sechseckig, L-förmig, hufeisenförmig oder puzzlesteinförmig ausgestaltet. Durch eine derartige Ausgestaltung des optisch aktiven Bereichs können optoelektronische Bauelemente mit unterschiedlich aufgebauten und verzahnten optisch aktiven Flächen aufgebaut werden.
  • Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung weist der erste der zwei benachbarten optisch aktiven Bereiche in einer Erstreckungsrichtung der wenigstens zwei benachbarten optisch aktiven Bereiche parallel zu einer Oberfläche des Trägerelements eine erste Begrenzungslinie auf, die im Wesentlichen komplementär zu einer zweiten Begrenzungslinie des zweiten optisch aktiven Bereichs in der Erstreckungsrichtung ist. Durch komplementäre Ausgestaltung benachbarter optisch aktiver Bereiche wird eine flächige und besonders gut miteinander verzahnte optisch aktiven Fläche bereitgestellt.
  • Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung sind die zwei benachbarten optisch aktiven Bereiche zum Emittieren elektromagnetischer Strahlung unterschiedlicher Wellenlängen eingerichtet. Sind die benachbarten optisch aktiven Bereiche zum Emittieren elektromagnetischer Strahlung unterschiedlicher Wellenlänge eingerichtet, wird eine Mischung von elektromagnetischer Strahlung unterschiedlicher Wellenlängen bzw. Farben ermöglicht.
  • Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung weisen die zwei benachbarten optisch aktiven Bereiche in einer Erstreckungsrichtung der wenigstens zwei benachbarten optisch aktiven Bereiche parallel zu einer Oberfläche des Trägerelements jeweils eine Ausdehnung von weniger als 100 μm, insbesondere weniger als 10 μm, auf. Optisch aktive Bereiche mit einer Ausdehnung von weniger als 100 μm, insbesondere weniger als 10 μm, sind in einer Vielzahl von Anwendungen, insbesondere Beleuchtungsanwendungen, mit dem bloßen Auge nicht mehr unterscheidbar.
  • Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung ist wenigstens einer der Mehrzahl der optisch aktiven Bereiche als substratlose Halbleiterstruktur ausgebildet. Die Verwendung substratloser Halbleiterstrukturen ermöglicht die Herstellung besonders dünner Bauelemente.
  • Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung weist die substratlose Halbleiterstruktur eine Dicke von weniger als 10 μm in einer Richtung senkrecht zu einer Oberfläche des Trägerelements auf. Durch die Verwendung von Halbleiterstrukturen mit einer Dicke von weniger als 10 μm wird der Aufbau besonders kompakter optoelektronischer Bauelemente ermöglicht.
  • Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung umfasst die die substratlose Halbleiterstruktur ausschließlich einen epitaktisch gewachsenen Schichtstapel. Durch ausschließliche Verwendung eines epitaktisch gewachsenen Schichtstapels wird eine einfache Herstellung besonders günstiger und dünner optoelektronischer Bauelement ermöglicht.
  • Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung ist der epitaktische gewachsener Schichtstapel zwischen den wenigstens zwei benachbarten optisch aktiven Bereichen vollständig durchtrennt. Durch die vollständige Durchtrennung des epitaktischen gewachsenen Schichtstapels können Defekte benachbarter optisch aktiver Bereiche auf einen einzelnen oder wenige der Bereiche eingegrenzt werden.
  • Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung ist der epitaktische gewachsene Schichtstapel zwischen den wenigstens zwei benachbarten optisch aktiven Bereichen nur teilweise durchtrennt, insbesondere in solchen Schichten, die eine hohe Querleitfähigkeit aufweisen. Durch nur teilweises Durchtrennen des epitaktischen gewachsenen Schichtstapels können benachbarte optisch aktive Bereiche gemeinsam auf das Trägerelement aufgebracht und mit ihm elektrisch und/oder mechanisch verbunden werden. Dabei können solche Schichten, die eine geringe Querleitfähigkeit aufweisen, miteinander verbunden bleiben, ohne dass es zu unbeabsichtigten Querströmen zwischen benachbarten optisch aktiven Bereichen kommt.
  • Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung sind die wenigstens zwei benachbarten optisch aktiven Bereiche derart angeordnet und ausgestaltet, dass elektromagnetische Strahlung, die von einem ersten optisch aktiven Bereich in einer Erstreckungsrichtung der wenigstens zwei benachbarten optisch aktiven Bereiche parallel zu einer Oberfläche des Trägerelements des Trägerelements ausgekoppelt wird, einen zweiten optisch aktiven Bereich zur Emission elektromagnetsicher Strahlung anregt und umgekehrt. Durch Anregung eines optisch aktiven Bereichs durch von einem benachbarten optisch aktiven Bereich ausgekoppelte elektromagnetische Strahlung wird auch ein defekter optisch aktiver Bereich Teil einer einheitlichen Strahlungsfläche.
  • Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung ist über den zwei benachbarten optisch aktiven Bereichen ein gemeinsames Konversionselement angeordnet, das elektromagnetische Strahlung einer ersten Wellenlänge der wenigstens zwei benachbarten optisch aktiven Bereiche in elektromagnetische Strahlung einer zweiten Wellenlänge konvertiert. Durch die Verwendung eines gemeinsamen Konversionselements wird der Aufbau kompakter optoelektronischer Bauelemente weiter vereinfacht. Zum Beispiel kann somit Licht einer gewünschten Farbtemperatur bereitgestellt werden.
  • Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung ist das Konversionselement dazu eingerichtet, elektromagnetische Strahlung der ersten Wellenlänge zumindest teilweise zu absorbieren und elektromagnetische Strahlung der zweiten Wellenlänge zu emittieren. Durch teilweise Absorption und Reemission elektromagnetischer Strahlung wird das Spektrum der elektromagnetischen Strahlung geändert.
  • Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung erscheint das Konversionselement für einen Beobachter des Bauelements aus Richtung der von Trägerelement abgewandten Seite mit bloßem Auge als einheitliche Strahlungsquelle. Dabei ermöglicht die Verwendung des Konversionselements den Aufbau flächig strahlender optoelektronischer Bauelemente.
  • Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung ist über den zwei benachbarten optisch aktiven Bereichen ein gemeinsames optisches Element angeordnet, das eine Abstrahlcharakteristik des Bauelementes bezüglich einer von den wenigstens zwei benachbarten optisch aktiven Bereichen emittierbaren elektromagnetischen Strahlung ändert. Durch die Verwendung eines gemeinsamen optischen Elements wird der Aufbau kompakter optoelektronischer Bauelemente weiter vereinfacht.
  • Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung ist das optische Element dazu eingerichtet, die elektromagnetische Strahlung der wenigstens zwei optisch aktiven Bereiche zu brechen oder zu beugen. Durch Brechung oder Beugung wird der Austrittswinkel elektromagnetischer Strahlung des optoelektronischen Bauelements an ein Bedarfsprofil angepasst.
  • Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung weist wenigstens einer der Mehrzahl der optisch aktiven Bereiche eine Spiegelschicht auf, die von dem optisch aktiven Bereich emittierte elektromagnetische Strahlung reflektiert. Durch Verwendung einer Spiegelschicht kann eine Strahlungsemission des optisch aktiven Bereiches in einer Richtung konzentriert werden.
  • Die genannte Aufgabe wird des Weiteren durch ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements gelöst, das die folgenden Schritte umfasst:
    • – Bereitstellen eines Trägerelements mit wenigstens einem elektrischen Kontaktbereich, aufweisend wenigstens einen ersten Kontaktteilbereich und einen benachbarten zweiten Kontaktteilbereich,
    • – Bereitstellen wenigstens eines ersten optisch aktiven Bereichs mit wenigstens einem ersten Anschlusskontakt,
    • – Anordnen des Trägerelements und des wenigstens einen ersten optisch aktiven Bereichs relativ zueinander derart, dass der wenigstens eine Anschlusskontakt des wenigstens einen ersten optisch aktiven Bereichs dem wenigstens einen ersten Kontaktteilbereich des Trägerelements zugewandt ist,
    • – elektrisches und mechanisches Verbinden des wenigstens einen ersten optisch aktiven Bereichs mit dem ersten Kontaktteilbereich,
    • – Bereitstellen wenigstens eines zweiten optisch aktiven Bereichs mit wenigstens einem ersten Anschlusskontakt,
    • – Anordnen des Trägerelements und des wenigstens einen zweiten optisch aktiven Bereichs relativ zueinander derart, dass der wenigstens eine Anschlusskontakt des wenigstens einen zweiten optisch aktiven Bereichs dem wenigstens einen zweiten Kontaktteilbereich des Trägerelements zugewandt ist, und
    • – elektrisches und mechanisches Verbinden des wenigstens einen zweiten optisch aktiven Bereichs mit dem zweiten Kontaktteilbereich.
  • Durch die oben beschriebenen Verfahrensschritte wird ein optoelektronisches Bauelement mit einem ersten und einem zweiten optisch aktiven Bereich in zwei benachbarten Kontaktteilbereichen eines Kontaktbereichs des Trägerelements hergestellt. Durch die Platzierung der zwei optisch aktiven Bereiche auf demselben Kontaktbereich des Trägerelements bilden sie zusammen ein einheitliches optisch aktives Element.
  • Gemäß einer vorteilhaften Ausgestaltung werden der wenigstens eine erste optisch aktive Bereich und der wenigstens eine zweite optisch aktive Bereich elektrisch und/oder mechanisch in einem einzelnen Verfahrensschritt gemeinsam mit dem Trägerelement verbunden. Durch das gemeinsame Verbinden des ersten und zweiten optisch aktiven Bereichs mit dem Trägerelement wird die Herstellung des Bauelements weiter vereinfacht.
  • Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung werden der wenigstens eine erste optisch aktive Bereich und eine zweite optisch aktive Bereich auf einem gemeinsamen Trägersubstrat bereitgestellt. Durch die gemeinsame Bereitstellung der optisch aktiven Bereiche auf einem gemeinsamen Trägersubstrat wird die Herstellung des Bauelements weiter vereinfacht.
  • Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung werden der wenigstens eine erste optisch aktive Bereich und eine zweite optisch aktive Bereich nach dem mechanischen Verbinden mit dem Trägerelement von dem Trägersubstrat abgelöst werden. Durch entfernen des Trägersubstrats können besonders dünne optoelektronische Bauelemente hergestellt werden.
  • Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung sind der wenigstens eine erste optisch aktive Bereich und zweite optisch aktive Bereich auf dem gemeinsamen Trägersubstrat bei der Bereitstellung relativ zueinander derart angeordnet, wie sie relativ zueinander nach dem mechanischen Verbinden auf dem Trägerelement angeordnet sind. Durch Anordnung der optisch aktiven Bereiche auf dem Trägersubstrat in derselben Weise, wie sie später im fertig gestellten Bauelement verwendet werden, können auch kompliziert angeordnete und/oder ausgestaltete optisch aktive Bereiche in dem Herstellungsverfahren verarbeitet werden.
  • Die zugrunde liegende Aufgabe wird auch gelöst durch ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements, das die folgenden Schritte umfasst:
    • – Bereitstellen eines Trägerelements mit wenigstens einer Bestückungsoberfläche,
    • – Bereitstellen wenigstens eines ersten optisch aktiven Bereichs und eines zweiten optisch aktiven Bereichs auf einem gemeinsamen Trägersubstrat, wobei der wenigstens eine erste und eine zweite optisch aktive Bereich jeweils wenigstens einen ersten Anschlusskontakt aufweisen, benachbart auf dem Trägersubstrat angeordnet sind und in einer Erstreckungsrichtung der wenigstens zwei benachbarten optisch aktiven Bereiche parallel zu einer Oberfläche des Trägersubstrats zumindest teilweise ineinander greifen,
    • – Anordnen des Trägerelements und des Trägersubstrats relativ zueinander derart, dass der wenigstens eine erste und eine zweite optisch aktive Bereich der wenigstens einen Bestückungsoberfläche des Trägerelements zugewandt sind,
    • – mechanisches Verbinden des wenigstens einen ersten und einen zweiten optisch aktiven Bereichs mit dem Trägerelement und
    • – Trennen des wenigstens einen ersten und einen zweiten optisch aktiven Bereichs von dem Trägersubstrat.
  • Durch die oben beschriebenen Verfahrensschritte wird ein optoelektronisches Bauelement mit zumindest teilweise ineinander greifenden optisch aktiven Bereichen hergestellt.
  • Gemäß einer vorteilhaften Ausgestaltung weist das bereitgestellte Trägerelement wenigstens einen ersten Kontaktbereich auf der Bestückungsoberfläche auf und im Schritt des elektrischen Verbindens wird eine elektrische Verbindung zwischen dem wenigstens einen ersten Kontaktbereich und sowohl dem wenigstens einen ersten Anschlusskontakt des wenigstens einen ersten optisch aktiven Bereichs als auch dem wenigstens einen ersten Anschlusskontakt des einen zweiten optisch aktiven Bereichs hergestellt. Durch Herstellen einer elektrischen Verbindung zwischen den zwei optisch aktiven Bereichen und einem Kontaktbereich werden die optisch aktiven Bereiche elektrisch zu einem gemeinsamen optisch aktiven Element verbunden.
  • Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung weist das bereitgestellte Trägerelement wenigstens einen ersten Kontaktbereich und wenigstens einen zweiten Kontaktbereich auf der Bestückungsoberfläche auf und im Schritt des elektrischen Verbindens wird eine erste elektrische Verbindung zwischen dem wenigstens einen Anschlusskontakt des ersten optisch aktiven Bereichs und dem wenigstens einen ersten Kontaktbereich sowie eine zweite elektrische Verbindung zwischen dem wenigstens einen ersten Anschlusskontakt des wenigstens einen zweiten optisch aktiven Bereichs und dem wenigstens einen Kontaktbereich hergestellt. Durch die Herstellung zweier elektrischer Verbindungen können der erste und der zweite optisch aktive Bereich gesondert voneinander angesteuert werden.
  • Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung umfasst das Verfahren des Weiteren ein epitaktisches Aufwachsen einer Halbleiterstruktur auf dem Trägersubstrat und Ausbilden des wenigstens einen ersten optisch aktiven Bereichs und einen zweiten optisch aktiven Bereichs durch wenigstens teilweises Trennen der Halbleiterstruktur. Durch ein gemeinsames epitaktisches Aufwachsen und Trennen des wenigstens einen ersten und einen zweiten optisch aktiven Bereichs wird die Herstellung des optoelektronischen Bauelements weiter vereinfacht.
  • Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung werden der wenigstens eine erste und der wenigstens eine zweite optisch aktive Bereich durch Ätzen eines Trenngrabens in die Halbleiterstruktur voneinander getrennt. Durch Ätzen eines Trenngrabens ist eine prozesstechnisch einfache Trennung von benachbarten optisch aktiven Bereichen möglich.
  • Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung wird das Ätzen des Trenngrabens vor Anordnung der Halbleiterstruktur auf dem Trägerelement durchgeführt. Auf diese Weise wird das Ätzen des Trenngrabens produktionstechnisch mit Vorteil gemeinsam mit der Herstellung der optisch aktiven Bereiche auf dem Trägersubstrat durchgeführt.
  • Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung wird das Ätzen des Trenngrabens nach Anordnung der Halbleiterstruktur auf dem Trägerelement durchgeführt. Durch Durchführung des Ätzens nach der Anordnung der Halbleiterstruktur auf dem Trägerelement wird diese mit Vorteil als ein mechanischer Verbund von dem Trägersubstrat auf das Trägerelement übertragen und erst dort in wenigstens zwei optisch aktive Elemente aufgeteilt.
  • Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung umfasst das Verfahren des Weiteren ein elektrisches Verbinden wenigstens eines zweiten Anschlusskontakts des wenigstens einen ersten und des wenigstens einen zweiten optisch aktiven Bereichs mit einer gemeinsamen Kontaktstruktur. Durch das elektrische Verbinden der optisch aktiven Bereiche mit einer gemeinsamen Kontaktstruktur wird die Zuführung einer gemeinsamen Betriebsspannung ermöglicht.
  • Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung umfasst das Verfahren des Weiteren ein Testen der Funktion des wenigstens einen ersten und des wenigstens einen zweiten optisch aktiven Bereichs, insbesondere ob ein elektrischer Kurzschluss zwischen dem ersten und dem zweiten Anschlusskontakt des wenigstens einen ersten bzw. des wenigstens einen zweiten optisch aktiven Bereichs besteht, und ein elektrisches Trennen des wenigstens einen ersten oder einen zweiten optisch aktiven Bereichs von der gemeinsamen Kontaktstruktur, wenn durch den Test ein Fehler der Funktion des wenigstens einen ersten bzw. des wenigstens einen zweiten optisch aktiven Bereichs festgestellt wurde. Durch das Testen und gegebenenfalls Trennen von optisch aktiven Bereichen werden einzelne, defekte optisch aktive Bereiche elektrisch von anderen optisch aktiven Bereichen isoliert, sodass die Funktion des hergestellten Bauelements nicht beeinträchtigt wird.
  • Die zugrunde liegende Aufgabe wird ebenfalls durch ein Verfahren zur Herstellung eines Wafers mit einer Vielzahl optisch aktiver Bereiche gelöst, das die folgenden Schritte umfasst:
    • – Bereitstellen eines Trägersubstrats,
    • – epitaktisches Aufwachen einer Halbleiterstruktur auf dem Trägersubstrat umfassend eine Halbleiterschichtenfolge, die zum Emittieren elektromagnetischer Strahlung geeignet ist, und
    • – Trennen wenigstens einer Halbleiterschicht der Halbleiterschichtenfolge zum Aufteilen der Halbleiterstruktur in wenigstens einen ersten optisch aktiven Bereichs und eines zweiten optisch aktiven Bereichs derart, dass der wenigstens eine erste und eine zweite optisch aktive Bereich in einer Erstreckungsrichtung der wenigstens zwei benachbarten optisch aktiven Bereiche parallel zu einer Oberfläche des Trägersubstrats zumindest teilweise ineinander greifen.
  • Ein mittels der oben beschriebenen Schritte hergestellter Wafer erlaubt eine besonders einfache Herstellung optoelektronischer Bauelemente mit einer Mehrzahl von optisch aktiven Bereichen gemäß unterschiedlichen Ausführungsformen der Erfindung.
  • Die Erfindung wird nachfolgend anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die Figuren näher erläutert. In den Figuren werden gleiche Bezugszeichen für gleiche oder funktionsähnliche Komponenten unterschiedlicher Ausführungsbeispiele verwendet. In den Figuren zeigen:
  • 1A und 1B eine Draufsicht und einen Querschnitt eines optoelektronischen Bauelements,
  • 2A und 2B einen mit einer Vielzahl optisch aktiver Bereiche bestückten künstlichen Wafer,
  • 3A, 3B und 3C eine Ausgestaltung eines Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements,
  • 4A, 4B und 4C eine Ausgestaltung eines weiteren Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements,
  • 5, 6 und 7 unterschiedliche Anordnungen und Kontaktstrukturen benachbarter optisch aktiver Bereiche,
  • 8A, 8B und 8C eine Draufsicht und zwei Querschnitte auf ein weiteres optoelektronisches Bauelement,
  • 9 und 10 unterschiedliche Kontaktstrukturen zum Anschluss benachbarter optisch aktiver Bereiche,
  • 11A bis 11F unterschiedliche Ausgestaltungen räumlich benachbarter optisch aktiver Bereiche,
  • 12 eine weitere Anordnung mit einer Mehrzahl optisch aktiver Bereiche und einer gemeinsamen Kontaktstruktur und
  • 13 mögliche Trennstellen zur Isolation einzelner optisch aktiver Bereiche.
  • 1A zeigt eine Draufsicht auf ein optoelektronisches Bauelement 100 mit einer Mehrzahl von gesonderten optisch aktiven Bereichen 110. Das optoelektronische Bauelement 100 weist im Ausführungsbeispiel vier optisch aktive Bereiche 110a bis 110d auf. Die vier optisch aktiven Bereiche 110 sind benachbart in einer Matrixstruktur auf einem gemeinsamen Trägerelement 120 angeordnet. Im dargestellten Ausführungsbeispiel dient das Trägerelement 120 sowohl zur mechanischen als auch zur elektrischen Verbindung der optisch aktiven Bereiche 110.
  • Die optisch aktiven Bereiche 110 umfassen einen Halbleiterschichtstapel, der insgesamt eine Diodenstruktur bereitstellt. Insbesondere emittieren die optisch aktiven Bereiche 110 elektromagnetische Strahlung, wenn zwischen der Ober- und Unterseite der optisch aktiven Bereiche 110 eine Betriebsspannung anliegt.
  • Die optisch aktiven Bereiche 110 sind auf Kontaktbereichen 130 angeordnet. Im Ausführungsbeispiel sind Kontaktbereiche 130a bis 130d auf dem Trägerelement 120 aufgebracht. Beispielsweise kann es sich um eine verhältnismäßig dünne Metallschicht handeln, auf dem die optisch aktiven Bereiche 110 aufgelötet sind.
  • Auf der Oberseite der optisch aktiven Bereiche 110 ist jeweils eine Kontaktstruktur 140 angeordnet, die den Anschluss an ein zweites Spannungspotenzial erlauben. Die Kontaktstrukturen 140 sind derart ausgestaltet, dass sie eine möglichst gleichmäßige Verteilung einer angelegten Betriebsspannung über die Oberfläche der optisch aktiven Bereiche 110 gestatten.
  • Der Anschluss der optisch aktiven Bereiche 110a und 110b ist im in der 1B dargestellten Querschnitt durch das optoelektronische Bauelement 100 zu erkennen. Darin ist insbesondere zu erkennen, dass der Kontaktbereich 130 in einen ersten Anschlussbereich 132 übergeht. Die Kontaktstruktur 140 des optisch aktiven Bereichs 110a ist über eine Anschlussrampe 150 mit einem zweiten Anschlussbereich 152 verbunden. Beispielsweise kann eine Kontaktierung 154 aus einem leitenden Material auf einem Rampenelement 156 aus einem elektrisch isolierenden Material aufgebracht werden. Das Rampenelement 156 kann zum Beispiel aus Benzocyclobuten (BCB) aufgebaut sein.
  • Durch die Anschlussrampe 150 wird der zweite Anschlussbereich 152 in dieselbe Ebene wie der erste Anschlussbereich 132 verlegt. Auf diese Weise ist ein besonders einfacher Anschluss der optisch aktiven Bereiche 110 gewährleistet. In dem Ausführungsbeispiel sind beide Anschlussbereiche 132 und 152 auf dem Trägerelement 120 angeordnet und können mit einer Vielzahl bekannter Kontaktierungsmöglichkeiten an eine elektrische Betriebsspannung angeschlossen werden.
  • Zur elektrischen Trennung der optisch aktiven Bereiche 110 von der Anschlussrampe 150 und eventuell weiteren später aufgetragenen Vergussmaterialien weisen die optisch aktiven Bereiche 110a und 110b ein seitlich angeordnetes Passivierungselement 160 auf.
  • Im Ausführungsbeispiel ist das Passivierungselement 160 besonders dünn ausgestaltet, um eine geringe Auskopplung elektromagnetischer Strahlung 170 von dem optisch aktiven Bereich 110a in Richtung des benachbarten optisch aktiven Bereichs 110b zu gestatten. Fällt einer der optisch aktiven Bereiche 110a oder 110b aus, führt die Auskopplung eines Teils der elektromagnetischen Strahlung 170 des jeweils anderen optisch aktiven Bereichs 110b oder 110a zu einem Mitleuchten des ersten optisch aktiven Bereichs 110a oder 110b.
  • Auf diese Weise kann der Effekt eines Ausfalls eines der optisch aktiven Bereiche 110 für einen in der 1B von oben auf das optoelektronische Bauelement 100 blickenden Betrachter reduziert werden. Des Weiteren sind die zwei benachbarten optisch aktiven Bereiche 110a und 110b durch einen so geringen Abstand voneinander getrennt, dass ein sich dazwischen befindliche Trenngraben 180 für einen Beobachter mit bloßem Auge nicht wahrnehmbar ist.
  • Neben den beschriebenen vorteilhaften optischen Eigenschaften ist das optoelektronische Bauelement 100 auch auf eine besonders einfache Weise herstellbar. 2A zeigt einen so genannten Kunstwafer 200, auf dem eine Vielzahl optoelektronischer Bauelemente 210 gemeinsam hergestellt und/oder bearbeitet werden.
  • Beispielsweise handelt es sich bei dem Kunstwafer 200 um einen Wafer aus einem Leiterplattenmaterial, der den Durchmesser eines Siliziumwafers aufweist. Auf dem Kunstwafer 200 können eine Vielzahl von Kontaktbereichen 130 und Anschlussbereiche 132 und 152 in bekannter Art und Weise, beispielsweise mittel Fotolithographie, aufgebracht werden. Anschließend können, wie weiter unten beschrieben, eine Vielzahl von optisch aktiven Bereichen 110 von einem Hilfsträger oder Aufwachssubstrat auf den Kunstwafer 200 übertragen werden.
  • Nach Übertragung und Verbindung der optisch aktiven Bereiche 110 mit dem Kunstwafer 200 können weitere Kontaktstrukturen 140 für die Vielzahl der optisch aktiven Bereiche 110 bzw. die Vielzahl der optoelektronischen Bauelemente 210 gemeinsam auf dem Kunstwafer 200 hergestellt werden.
  • Erst danach, d. h. wenn funktionsfähige optoelektronische Bauelement 210 auf dem Kunstwafer 200 angeordnet sind, wird der Kunstwafer 200 in die einzelnen optoelektronischen Bauelement 210 zerteilt. Die Zerteilung des Kunstwafers 200 kann beispielsweise durch Zersägen oder andere bekannte Methoden zur Bearbeitung von Wafern durchgeführt werden. In der vergrößerten Darstellung der 2B sind mögliche Schnittlinien 220 zwischen optoelektronischen Bauelementen 210 mit jeweils vier optisch aktiven Bereichen 110 dargestellt.
  • 3 zeigt ein Ausführungsbeispiel für ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von optoelektronischen Bauelementen 300, welche in den 3A bis 3C in schematischen Schnittansichten dargestellt sind. Jedes der hergestellten optoelektronischen Bauelementen 300 umfasst eine Mehrzahl von optisch aktiven Bereichen.
  • Zunächst wird ein Trägerverbund 310 bereitgestellt. Dies ist in der 3A dargestellt. Der Trägerverbund 310 umfasst einen Hilfsträger 312 und ein Trägerelement 120. Für den Hilfsträger 312 eignet sich z. B. ein Saphir oder ein siliziumhaltiger Hilfsträger. Die Trägerelemente 120 können auf den Hilfsträger 312 geklebt sein. Der Trägerverband 310 ist weiterhin bevorzugt als Anschlussträgerwafer mit flächig über den Verbund verteilten Trägerelementen 120 ausgebildet.
  • Typischerweise sind auf dem Hilfsträger 312 eine Mehrzahl von Trägerelementen 120 angeordnet. Dies ist in den 3A bis 3C aus Gründen der Übersichtlichkeit jedoch nicht dargestellt. Ein Trägerelement 120 kann insbesondere einem herzustellenden optoelektronischen Bauelement 300 entsprechen. Das Trägerelement 120 weist einen elektrisch isolierenden Trägerkörper 314 auf, auf dem ein Kontaktbereich 130 ausgebildet, insbesondere abgeschieden, ist.
  • Der Trägerkörper 314 des jeweiligen Trägerelements 120 ist bevorzugt als Wärmesenke ausgebildet. Der Trägerkörper 314 enthält hierzu zweckmäßigerweise ein Material hoher Wärmeleitfähigkeit, z. B. von 70 W/(m·K) oder mehr, bevorzugt von 100 W/(m·K) oder mehr, besonders bevorzugt von 200 W/(m·K) oder mehr. Der Trägerkörper 314 kann insbesondere eine Keramik, z. B. eine Aluminiumnitrit- oder Aluminiumoxidkeramik, enthalten. Diese Keramikmaterialien zeichnen sich durch hohe Wärmeleitfähigkeit aus. Im Betrieb der herzustellenden Bauelemente 300 in den optisch aktiven Bereichen 110 erzeugte Wärme kann über die Wärmesenke effektiv von dem jeweiligen optisch aktiven Bereich 110 abgeführt werden. Die Gefahr einer thermisch bedingten Schädigung der optisch aktiven Bereiche 110, insbesondere von Halbleiterelementen, wird hierdurch reduziert.
  • Auch ein elektrisch isolierender Trägerkörper 314, der Silizium enthält, kann eingesetzt werden.
  • Weiterhin wird ein Halbleiterkörperverbund 320 mit einem Trägersubstrat 322 bereitgestellt. Auf dem Trägersubstrat 322 ist eine Vielzahl von eng benachbarten Halbleiterkörpern 324 angeordnet. Die einzelnen Halbleiterkörper 324 sind durch schmale Trenngräben 180 voneinander getrennt.
  • Die Halbleiterkörper 324 umfassen im Ausführungsbeispiel eine Halbleiterschichtenfolge mit einem pn-Übergang, der als optisch aktiver Bereich 110 wirkt. Darüber hinaus umfassen die Halbleiterkörper 324 einen ersten Anschlusskontakt, beispielsweise einem Anodenanschluss, auf einer ersten Oberfläche, beispielsweise der Oberseite eines Schichtstapels, und einen zweiten Anschlusskontakt, beispielsweise einem Kathodenanschluss, auf einer zweiten Oberfläche, beispielsweise der Unterseite eines Schichtstapels.
  • Bei einer weiteren Ausgestaltung ist der Halbleiterkörper 324 ein Dünnfilm-Leuchtdiodenchip. Bei einer Ausgestaltung sind der erste und/oder die zweite Anschlusskontakt zumindest stellenweise zwischen der Halbleiterschichtenfolge und dem Trägersubstrat 322 angeordnet.
  • Ein Dünnfilm-Leuchtdiodenchip zeichnet sich durch mindestens eines der folgenden charakteristischen Merkmale aus:
    • – an einer zu einem Trägerelement 120 oder einem Trägersubstrat 322, hingewandten Hauptfläche der strahlungserzeugenden Halbleiterschichtenfolge, bei der es sich insbesondere um eine strahlungserzeugende Epitaxie-Schichtenfolge handelt, ist eine reflektierende Schicht aufgebracht oder ausgebildet, die zumindest einen Teil der in der Halbleiterschichtenfolge erzeugten elektromagnetischen Strahlung in diese zurückreflektiert;
    • – der Dünnfilm-Leuchtdiodenchip weist ein Trägerelement 120 auf, bei dem es sich nicht um das Wachstumssubstrat handelt, auf dem die Halbleiterschichtenfolge epitaktisch gewachsen wurde, sondern um ein separates Trägerelement 120, das nachträglich an der Halbleiterschichtenfolge befestigt wurde;
    • – die Halbleiterschichtenfolge weist eine Dicke im Bereich von 20 μm oder weniger, insbesondere im Bereich von 10 μm oder weniger auf;
    • - die Halbleiterschichtenfolge ist frei von einem Aufwachs-substrat. Vorliegend bedeutet „frei von einem Aufwachssubstrat, dass ein gegebenenfalls zum Aufwachsen benutztes Aufwachssubstrat von der Halbleiterschichtenfolge entfernt oder zumindest stark gedünnt ist. Insbesondere ist es derart gedünnt, dass es für sich oder zusammen mit der Epitaxie-Schichtenfolge alleine nicht freitragend ist. Der verbleibende Rest des stark gedünnten Aufwachssubstrats ist insbesondere als solches für die Funktion eines Aufwachssubstrates ungeeignet; und
    • – die Halbleiterschichtenfolge enthält mindestens eine Halbleiterschicht mit zumindest einer Fläche, die eine Durchmischungsstruktur aufweist, die im Idealfall zu einer annähernd ergodischen Verteilung des Lichtes in der Halbleiterschichtenfolge führt, das heißt, sie weist ein möglichst ergodisch stochastisches Streuverhalten auf.
  • Ein Grundprinzip eines Dünnfilm-Leuchtdiodenchips ist beispielsweise in der Druckschrift I. Schnitzer et al., Appl. Phys. Lett. 63 (16) 18. Oktober 1993, Seiten 2174–2176 beschrieben, deren Offenbarungsgehalt insofern hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird. Beispiele für Dünnfilm-Leuchtdiodenchips sind in den Druckschriften EP 0905797 A2 und WO 02/13281 A1 beschrieben, deren Offenbarungsgehalt insofern hiermit ebenfalls durch Rückbezug aufgenommen wird.
  • Ein Dünnfilm-Leuchtdiodenchip ist in guter Näherung ein Lambert'scher Oberflächenstrahler und eignet sich von daher beispielsweise gut für die Anwendung in einem Scheinwerfer, etwa einem Kraftfahrzeugscheinwerfer.
  • Im dargestellten Ausführungsbeispiel sollen drei im Querschnitt benachbarte Halbleiterkörper 324a auf einem Trägerelement 120 angeordnet werden. Dabei entspricht die relative Anordnung der Halbleiterkörper 324a auf dem Trägersubstart 322 bereits der relativen Anordnung der Halbleiterkörper 324a auf dem herzustellenden Bauelement 300.
  • Nicht alle Halbleiterkörper 324 des Halbleiterkörperverbundes 320 werden in dem beschriebenen Herstellungsverfahren auf den Trägerverband 310 übertragen. Insbesondere weist der Halbleiterkörperverbund 320 Halbleiterkörper 324b auf, die sich nicht über einen Kontaktbereich 130 eines Trägerelements 120 erstrecken.
  • Das Trägersubstrat 322 ist bevorzugt aus dem Aufwachssubstrat gebildet, auf dem eine Halbleiterschichtstruktur epitaktisch gewachsen wurde, aus der die Halbleiterkörper 324 ausgebildet sind. Die Halbleiterkörper 324 können lithographisch, insbesondere mittels eine fotolithographisch ausgebildeten Maske und nachfolgendem Ätzen, aus der Halbleiterschichtenstruktur ausgebildet sein.
  • Ein Abstand benachbarter Halbleiterkörper 324 auf dem Trägersubstrat 322 kann 10 μm oder weniger, bevorzugt 5 μm oder weniger, besonders bevorzugt 2 μm oder weniger, z. B. 1 μm oder 0,5 μm oder weniger, insbesondere 0,1 μm betragen.
  • Der Abstand zwischen benachbarten Halbleiterkörpern 324 kann beispielsweise 1 μm betragen. Wie nachfolgend beschrieben können die Halbleiterkörper 324 ohne Zerteilen, z. B. Zersägen, des Trägersubstrats 322 auf den Trägerverbund 310 übertragen werden. Daher müssen die Trenngräben 180 zwischen den Halbleiterkörpern 324 nicht an den Zerteilungsprozess angepasst werden. Sägen erfordert relativ breite Gräben zwischen den Halbleiterkörpern 324 von oftmals 60 μm oder mehr. Im Rahmen des vorgeschlagenen Verfahrens können die Halbleiterkörper 324 auf dem Trägersubstrat 322 dicht gepackt sein. Durch eine Verringerung des Abstands zwischen den Halbleiterkörpern 324 wird die Ausbeute an Halbleitermaterial aus der Halbleiterschichtstruktur erhöht. Dies erhöht die Effizienz des Herstellungsverfahrens und verringert die Kosten.
  • Für die Ausbildung schmaler Trenngräben 180 zwischen den Halbleiterkörpern 324 eignet sich z. B. ein Plasmaätzverfahren, z. B. Hochratenplasmaätzen.
  • Auf den Halbleiterkörpern 324 ist eine Spiegelschicht 326 angeordnet. Die Spiegelschicht 326 ist weiterhin auf der von dem Trägersubstrat 322 abgewandten Seite des jeweiligen Halbleiterkörpers 324 angeordnet. Auf der von dem Halbleiterkörper 324 abgewandten Seite der Spiegelschicht 326 können weitere, insbesondere metallische, Schichten angeordnet sein, die in der 3A jedoch nicht explizit dargestellt sind. Es kann z. B. eine Barriereschicht, die die Spiegelschicht 326 schützt, vorgesehen sein. Die Gefahr einer Reflektivitätsminderung der Spiegelschicht 326 beim Befestigen auf dem Trägerelement 120 kann so verringert werden. Beispielsweise können in der Abfolge von Halbleiterkörpern 324 aus gesehen eine TiW(N)-Schicht als Barriereschicht, gefolgt von einer Haft vermittelnden Schicht, z. B. einer Titaniumschicht, einer Platinschicht und einer Goldschicht, vorgesehen sein.
  • Das Trägersubstrat 322 und der Trägerverbund 310 sind derart zueinander angeordnet, dass die Halbleiterkörper 324 dem Kontaktbereich 130 des Trägerelements 120 zugewandt sind.
  • In einem nachfolgenden Schritt werden die Halbleiterkörper 324a auf dem Trägerelement 120, über das sie sich erstrecken, abgelegt. Dies ist in 3B dargestellt.
  • Der Kontaktbereich 130 weist drei Kontaktteilbereiche 318 auf, in denen jeweils eine Befestigungsschicht 316 angeordnet ist. Aufgrund von nur bereichsweise auf dem Kontaktbereich 130 vorgesehenen Befestigungsschichten 316 erheben sich drei Kontaktteilbereiche 318 über den Kontaktbereich 130. Dadurch kann vermieden werden, dass Halbleiterkörper 324b, welche nicht auf das Trägerelement 120 übertragen werden sollen, mit dem Trägerverbund 310 in mechanischen Kontakt treten. Die Gefahr, dass nicht auf dem Trägerverbund 310 zu übertragende Halbleiterkörper 324b, z. B. durch Anhaften an den Kontaktbereich 130, auf den Trägerverbund 310 gelangen, wird so verringert.
  • Nachfolgend werden die auf dem Trägerverbund 310 zu montierenden Halbleiterkörper 324a über die Befestigungsschichten 316 auf dem Trägerverbund 310 befestigt, z. B. geklebt oder gelötet.
  • Daraufhin werden die Halbleiterkörper 324a, welche mit dem Halbleiterkörperverbund 320 verbunden sind, von dem Trägersubstrat 322 getrennt. Gegebenenfalls kann das Trennen auch vor dem Befestigen erfolgen.
  • Die Halbleiterkörper 324b, die nicht mit dem Trägerverbund 310 verbunden sind, verbleiben auf dem Trägersubstrat 322. Die auf dem Trägersubstrat 322 verbleibenden Halbleiterkörper 324b können unter Anwendung des Verfahrens auf einem weiteren Trägerverbund 310 oder einem weiteren Trägerelement 120 desselben Trägerverbunds 310 befestigt werden. Durch selektives Entfernen von Halbleiterkörpern 324 von dem Trägersubstrat 322 kann also ein Halbleiterkörperverbund 320 mittels verschiedener Trägerverbände 310 sukzessive „abgeerntet" werden. Dabei werden diejenigen Halbleiterkörper 324, welche sich über ein Trägerelement 120 des jeweiligen Trägerverbundes 310 erstrecken, von dem Trägersubstrat 322 getrennt und an dem Trägerverbund 310 befestigt.
  • Das selektive Entfernen nur eines Teils der Halbleiterkörper 326 von dem Trägersubstrat 322 kann beispielsweise mittels eines Lasertrenn- oder Ablöseverfahrens erfolgen. Dabei kann eine Grenzfläche zwischen dem abzutrennenden Halbleiterkörper 324a und dem Trägersubstrat 322 mit Laserstrahlung 330 bestrahlt werden. Die Haftung der Halbleiterkörper 324 am Trägersubstrat 322 wird dadurch verringert oder zerstört und die Halbleiterkörper 324a werden vom Trägersubstrat 322 getrennt. Die Laserstrahlung 330 zur Abtrennung der Halbleiterkörper 324a durchstrahlt bevorzugt das Trägersubstrat 322. Das Trägersubstrat 322 ist hierzu zweckmäßigerweise strahlungsdurchlässig.
  • Die abzutrennenden Halbleiterkörper 324a können dabei mittels einer Wafermap des Trägerverbundes 310, aus der die Position der Trägerelemente 120 des Trägerverbundes 310 erhalten werden kann, einer vorgegebenen Anordnung des Trägersubstrats 322 und des Trägerverbundes 310 relativ zueinander und gegebenenfalls einer Wafermap des Trägersubstrats 322, aus der die Anordnung der Halbleiterkörper 324 auf dem Trägersubstrat 322 erhalten werden kann, selektiert werden. Die jeweilige Wafermap wird zweckmäßigerweise zuvor ermittelt und geeignet gespeichert. Die Strahlung 330 kann auf diese Weise selektiv auf diejenigen Halbleiterkörper 324a gerichtet werden, die von dem Trägersubstrat 322 zu trennen sind und insbesondere bereits zuvor am Trägerverbund 310 befestigt wurden.
  • Das Trägersubstrat 322 mit den nicht auf den Trägerverbund 310 übertragenen Halbleiterkörpern 324 kann daraufhin entfernt werden. Die verbleibenden Halbleiterkörper 324 können an einem weiteren Trägerverbund 310 befestigt werden. Dies ist in den 3A bis 3C jedoch nicht dargestellt.
  • Die Spiegelschicht 326 ist nach dem Befestigen der Halbleiterkörper 324 an dem Trägerverbund 310 zwischen dem jeweiligen Halbleiterkörper 324 und dem Trägerelement 120, insbesondere zwischen einem ersten Anschlusskontakt der Halbleiterkörper 324a und der diesen Halbleiterkörpern 324a zugeordneten Befestigungsschicht 316, angeordnet. Der Halbleiterkörper 324a ist mit dem Kontaktbereich 130 zweckmäßigerweise elektrisch leitend verbunden.
  • Nach dem Entfernen des Trägersubstrats 322 ist die vom Trägerelement 120 abgewandte Seite der an dem Trägerverbund 310 befestigten Halbleiterkörper 324a für weitere Prozessschritte zugänglich. Dies ist in 3C dargestellt. Die Halbleiterkörper 324a können auf dieser Seite z. B. beschichtet werden.
  • Es kann eine Passivierungsschicht 340 auf den Trägerverbund 310 und insbesondere auf die Halbleiterkörper 324a aufgebracht werden. Die Passivierungsschicht 340 schützt mit Vorteil die Halbleiterkörper 324a. Die Passivierungsschicht 340 kann zunächst vollflächig auf den Trägerverbund 310 aufgebracht werden und nachfolgend bereichsweise, insbesondere von der von dem Trägerelement 120 abgewandten Seite der Halbleiterkörper 324a für eine elektrische Kontaktbildung zu den Halbleiterkörpern 324a, abgetragen werden.
  • Weiterhin kann in oder auf den Halbleiterkörpern 324a eine Struktur, insbesondere eine Auskoppelstruktur, mittels derer eine Totalreflexion in den Halbleiterkörpern 324a gestört werden kann, ausgebildet werden. Dies ist in der 3C jedoch nicht explizit dargestellt. Die aus dem Halbleiterkörper 324a austretende Strahlungsleistung kann so erhöht werden. Die dem Trägerelement 120 abgewandte Seite der Halbleiterkörper 324a kann hierzu beispielsweise geätzt werden.
  • Ferner kann auf den Trägerverbund 310 eine Formmasse 342, insbesondere für eine Planarisierungsschicht 344, aufgebracht werden. Beispielsweise kann hierfür BCB verwendet werden. Die Formmasse 342 für die Planarisierungsschicht 344 kann auf den Trägerverbund 310 aufgeschleudert werden. Die aufgebrachte Formmasse 342 wird zweckmäßigerweise gehärtet.
  • Ein sich über die von dem Trägerelement 120 abgewandte Seite der Halbleiterkörper 324a erstreckender Teil der Formmasse 342 kann vor oder nach dem Verfestigen der Formmasse 342 vom Trägerverbund 310 entfernt werden.
  • Die Formmasse 342 kann zunächst vollflächig auf den Trägerverbund 310 aufgebracht werden und nachfolgend bereichsweise entfernt werden, sodass in einem Bereich des Bauelements 300 eine Formmassenschicht vorgesehen ist.
  • Die Planarisierungsschicht 344 kann sich über den Kontaktbereich 130 erstrecken. Die Planarisierungsschicht 344 ist neben dem jeweiligen Halbleiterkörper 324a angeordnet.
  • Die Planarisierungsschicht 344 setzt die dem Trägerelement 120 abgewandte Oberfläche der Halbleiterkörper 324a bevorzugt eben fort.
  • Mittels der Planarisierungsschicht 344 kann das Oberflächenprofil des Trägerverbunds 310, insbesondere die auf dem Trägerelement 120 aufgebrachten Teile des Verbunds, geglättet werden. Nachfolgende, in planarer Technik auszuführende Verfahrensschritte werden durch ein geglättetes Oberflächenprofil erleichtert.
  • Die Planarisierungsschicht 344 kann gegebenenfalls auch durch eine dicke Passivierungsschicht 340, z. B. mit einer Dicke von 2 μm oder mehr, bevorzugt von 3 μm oder mehr, besonders bevorzugt von 5 μm oder mehr, ausgebildet werden. Im in der 3C dargestellten Ausführungsbeispiel sind die Trenngräben 180 vollständig mit der Passivierungsschicht 340 ausgefüllt. Auf eine gesonderte Planarisierungsschicht, z. B. aus der Formmasse 342, kann im Bereich der Trenngräben 180 daher verzichtet werden.
  • Bei einem (aufwachs-)substratlosen epitaktisch gewachsenem Halbleiterkörper 324, einer dünnen Befestigungsschicht 316 und der vorzugsweise dünnen Spiegelschicht 326 weist das Oberflächenprofil mit Vorzug keine ausgeprägten Erhebungen, z. B. von 15 μm oder mehr, auf. Eine Planarisierungsschicht mit den oben für die Passivierungsschicht 340 genannten Dicken kann bereits für eine ausreichende Glättung des Oberflächenprofils sorgen.
  • Darauf wird – vorzugsweise nach dem Vorsehen der Planarisierungsschicht 344 – eine elektrische Kontaktstruktur 140 auf die vom Trägerelement 120 abgewandte Seite des jeweiligen Halbleiterkörpers 324 aufgebracht, insbesondere abgeschieden, z. B. aufgedampft oder aufgesputtert.
  • Die Kontaktstruktur 140 kann lithographisch mittels einer Maske abgeschieden werden. Dies ist in der 3C jedoch nicht dargestellt. Die Kontaktstruktur 140 wird bevorzugt so aufgebracht, dass ein Teil der vom Trägerelement 120 abgewandten Oberfläche des Halbleiterkörpers 324 für den Strahlungsdurchtritt nicht mit der Kontaktstruktur 140 bedeckt ist. Die Kontaktstruktur 140 kann als Schicht aufgebracht werden. Die Kontaktstruktur 140 kann eine Dicke von 10 μm oder weniger, bevorzugt con 5 μm oder weniger, besonders bevorzugt von 3 μm oder weniger, z. B. von 2 μm oder weniger oder 1 μm oder weniger, aufweisen.
  • Beispielsweise kann die Kontaktstruktur eine Dicke von 1 μm aufweisen. Die Kontaktstruktur 140 kann sich von den Halbleiterkörpern 324a ausgehend über die vom Trägerelement 120 abgewandte Seite der Planarisierungsschicht 344 erstrecken. Die Gefahr eines Risses in der Kontaktstruktur 140 beim Überschreiten des Randes der Halbleiterkörper 324a wird durch das geglättete Oberflächenprofil vermindert.
  • Die Kontaktstruktur 140 kann als Metallisierung ausgeführt sein. Die Kontaktstruktur 140 kann eine oder eine Mehrzahl von Metallen, z. B. Gold, Platin und/oder Titanium enthalten. Die Kontaktstruktur 140 kann nach dem Aufbringen gegebenenfalls galvanisch verstärkt werden.
  • Ein externer elektrischer Anschlussbereich 152 des herzustellenden Bauelements 300 kann mittels eines freiliegenden Bereichs der Kontaktstruktur 140 gebildet sein. Ein weiterer externer elektrischer Anschlussbereich 132 des herzustellenden Bauelements 300 kann mittels eines freiliegenden, insbesondere nicht mit der Planarisierungsschicht 344 bedeckten, Bereichs des, gegebenenfalls galvanisch verstärkten, Kontaktbereichs 130 gebildet sein.
  • Auf den Trägerverbund 310 und insbesondere auf die Halbleiterkörper 324a, z. B. auf die Kontaktstruktur 140, können nachfolgend ein oder mehrere Konversionselemente, zum Beispiel ein Lumineszenzkonversionselement 350 aufgebracht werden, das bevorzugt einen Leuchtstoff, z. B. in Form von Leuchtstoffpartikeln umfasst.
  • Mittels des Lumineszenzkonversionselements 350 kann in den aktiven Halbleiterkörpern 324a erzeugte Strahlung in Strahlung einer anderen Wellenlänge umgewandelt werden. Das herzustellende Bauelement 300 kann mischfarbiges, vorzugsweise weißes Licht abstrahlen. Das mischfarbige Licht kann Beiträge der in aktiven Bereichen der Halbleiterkörper 324a erzeugten elektromagnetische Strahlung und der vom Lumineszenzkonversionselement 350 konvertierten Strahlung aufweisen.
  • Das Lumineszenzkonversionselement 350 kann als Schicht auf den Halbleiterkörper 324a aufgebracht werden. Für das Aufbringen eignet sich z. B. ein lithographisches Verfahren, insbesondere ein fotolithographisches Verfahren. Mittels einer Maske kann ein Lumineszenzkonversionselement 350 auf einem oder, wie in der 3C dargestellt, gemeinsam auf einer Mehrzahl von Halbleiterkörpern 324a platziert werden.
  • Weiterhin kann ein weiteres Konversionselement, vorzugsweise ein optisches Element 352 zur Strahlformung, wie eine Linse, auf den Trägerverbund 310 und insbesondere die Halbleiterkörper 324a, z. B. auf die Kontaktstruktur 140 und/oder auf das Lumineszenzkonversionselement 350, aufgebracht werden. Das optische Element 352 kann als diskretes Element oder als Elementverbund mit einer Mehrzahl von optischen Elementbereichen aufgebracht werden. Dies ist in 3C jedoch nicht dargestellt. Ein Elementverbund wird dabei zweckmäßigerweise nach dem Aufbringen in eine Mehrzahl von optischen Elementen aufgeteilt.
  • Daraufhin kann der Trägerverbund 310 in eine Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente 300 aufgeteilt werden. Dies kann durch Entfernen des Hilfsträgers 312 von dem Trägerverbund 310 erfolgen, ist in 3C jedoch nicht explizit dargestellt.
  • Die Spiegelschicht 326 ist zwischen dem Trägerelement 120 und den Halbleiterkörpern 324a angeordnet. Der Strahlungsaustritt aus den Halbleiterkörper 324a erfolgt über die dem Trägerelement 120 abgewandte Seite der Halbleiterkörper 324a. Durch die Spiegelschicht 326 kann strahlungsaustrittsseitig eine hohe Strahlungsleistung erzielt werden.
  • Die externen Kontaktbereiche 132 und 152 des Bauelements 300 liegen insbesondere auf verschiedenen Ebenen. Die Anschlussfläche 132 kann in der Ebene des Trägerelements 120 und die Anschlussfläche 152 in der Ebene der Planarisierungsschicht 344 liegen. Weiterhin liegen beide Anschlussflächen 132 und 152 auf der Seite des Trägerelements 120, auf der die Halbleiterkörper 324 angeordnet sind.
  • Die gleichzeitige Verbundfertigung einer Mehrzahl von Bauelementen 300 gemäß dem oben beschriebenen Verfahren ist äußerst kostengünstig. Gesonderte Bearbeitungsschritte für einzelne Bauelemente 300 können weitgehend oder vollständig vermieden werden.
  • Mittels des oben in Zusammenhang mit den 3A bis 3C beschriebenen Verfahrens können nicht nur Bauelemente 300 hergestellt werden, deren externe Anschlussflächen 132 und 152 auf verschiedenen Ebenen liegen. Vielmehr kann sich eine Kontaktierung 154, die mit der vom Trägerelement 120 abgewandten Seite des Halbleiterkörpers 324 elektrisch leitend verbunden ist, von dieser Seite in Richtung der den Halbleiterkörper 324a zugewandten Seite des Trägerelements 120 erstrecken. Die Kontaktierung 154 kann auf dieser Seite des Trägerelements 120 elektrisch leitend mit einem auf dem Trägerelement 120 ausgebildeten zusätzlichen Anschlussbereich verbunden sein.
  • Insbesondere kann ein Trägerelement 120 eingesetzt werden, auf dem zwei elektrische Anschlussbereiche ausgebildet sind, die voneinander elektrisch isoliert sind.
  • Die 4A bis 4C zeigen Querschnitte durch optoelektronische Bauelemente 400 in unterschiedlichen Prozessstufen eines weiteren Herstellungsverfahren. Dabei zeigen die 4A und 4B Zwischenschritten des Verfahrens. Jedes der hergestellten optoelektronischen Bauelementen 400 umfasst eine Mehrzahl von optisch aktiven Bereichen.
  • Zunächst wird ein Trägerverbund 310 bereitgestellt. Dies ist in der 4A dargestellt. Der Trägerverbund 310 umfasst dabei ein Trägerelement 120. Der Trägerverbund 310 weist eine Mehrzahl von Bauelementbereichen 410 auf. Die Bauelementebereiche 410 sind durch Bereiche des Trägerelements 120 gebildet und in der 4A durch die gestrichelte Trennlinie 412 voneinander getrennt dargestellt. Das Trägerelement 120 ist zweckmäßigerweise elektrisch isolierend ausgebildet.
  • In den jeweiligen Bauelementbereichen 410 sind jeweils zwei elektrischer Kontaktbereiche 130 ausgebildet. Der elektrische Kontaktbereich 130 enthält bevorzugt ein Metall oder eine Mehrzahl von Metallen oder eine Metallverbindung oder besteht hieraus.
  • Jeder Bauelementbereich 410 kann eine oder mehrere Anschlussleiterschichten 420 aufweisen. Die Anschlussleiterschicht 420 kann auf das Trägerelement 120 aufgebracht, z. B. abgeschieden, sein. Hierzu eignet sich beispielsweise Aufdampfen oder Sputtern. Die Anschlussleiterschicht 420 enthält bevorzugt ein Metall, z. B. Gold, oder besteht hieraus. Nach dem Aufbringen der Anschlussleiterschicht 420 kann die Anschlussleiterschicht 420 galvanisch verstärkt werden. Die Stromtragfähigkeit der Anschlussleiterschicht 420 wird so erhöht. Die Anschlussleiterschicht 420 kann beispielsweise mittels einer Maske, wie etwa einer Fotomaske, strukturiert abgeschieden sein.
  • Auf der von dem Trägerelement 120 abgewandten Seite der Anschlussleiterschicht 420 ist eine Befestigungsschicht 316 des jeweiligen Kontaktbereichs 130 angeordnet. Die Befestigungsschicht 316 ist zweckmäßigerweise elektrisch leitfähig ausgeführt. Gleiches gilt für die Anschlussleiterschicht 420. Die Befestigungsschicht 316 kann als Lotschicht, z. B. als Gold-Zinn-Lotschicht, oder als elektrisch leitfähige ausgebildete Klebeschicht, z. B. als Silberleitklebeschicht, ausgeführt sein.
  • Die Befestigungsschicht 316 kann mittels einer geeigneten Maske auf das Trägerelement 120 aufgebracht sein. Dies ist in 4A jedoch nicht explizit dargestellt.
  • Weiterhin umfasst der Bauelementbereich 410 ein elektrisches Anschlussteil 422. Das Anschlussteil 422 kann die Befestigungsschicht 316 überragen. Das Anschlussteil 422 kann als Anschlussplättchen, z. B. als Metallplättchen, ausgeführt sein. das Anschlussteil 422 kann auf das Trägerelement 120 und insbesondere auf die Anschlussleiterschicht 420 aufgebracht sein.
  • Eine Dicke der Anschlussleiterschicht 420 beträgt bevorzugt 5 μm oder weniger, besonders bevorzugt 3 μm oder weniger, z. B. 1 μm oder weniger. Die Dicke der Befestigungsschicht 316 beträgt bevorzugt 5 μm oder weniger, besonders bevorzugt 3 μm oder weniger, z. B. 2 μm oder weniger. Das Anschlussteil 422 kann eine Dicke von 15 μm oder weniger, bevorzugt 8 μm oder weniger, aufweisen.
  • Das Trägerelement 120 kann als Folie ausgeführt sein. Das Trägerelement 120 kann insbesondere eine Dicke von 80 μm oder weniger, bevorzugt von 50 μm oder weniger, besonders bevorzugt von 40 μm oder weniger, z. B. 30 μm oder weniger als 20 μm oder weniger, aufweisen.
  • Der mit der Befestigungsschicht 316 belegte Bereich des Trägerelementes 120 bildet einen Kontaktteilbereich 318 des jeweiligen Bauelementbereichs 410. In dem Kontaktteilbereich 318 können Halbleiterkörper 324 auf dem Trägerverbund 310 befestigt und oder/elektrisch angeschlossen werden.
  • Das Trägerelement 120 ist bevorzugt strahlungsdurchlässig für eine elektromagnetische Strahlung Halbleiterbauelements 324. Beispielsweise kann das Trägerelement 120 Glas oder eine Glasfolie umfassen oder aus ihr bestehen.
  • Die Bauelementebereiche 410 sind vorzugsweise flächig über den Trägerverbund 310 und insbesondere das Trägerelement 120 verteilt.
  • Weiterhin wird in dem Verfahren ein Halbleiterkörperverbund 320 bereitgestellt. Der Halbleiterkörperverbund 320 weist ein Trägersubstrat 322 auf. Auf dem Trägersubstrat 322 ist eine Mehrzahl von Halbleiterkörpern 324 angeordnet und insbesondere befestigt. Die Halbleiterkörper 324 sind vorzugsweise flächig über das Trägersubstrat 322 verteilt angeordnet.
  • Die Halbleiterkörper 324 umfassen jeweils einen optisch aktiven Bereich 110. Der optisch aktive Bereich 110 ist vorzugsweise zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung ausgebildet. Bevorzugt ist der jeweilige Halbleiterkörper 324 als Lumineszenzdioden-Halbleiterkörper (LED) ausgeführt.
  • Insbesondere umfassen die Halbleiterkörper 324 jeweils eine Halbleiterschichtenfolge. Beispielsweise kann der optisch aktive Bereich 110 zwischen zwei Halbleiterschichten 430 und 432 angeordnet sein. Die Halbleiterschichten 430 und 432 sind vorzugsweise von unterschiedlichen Leitungstypen, insbesondere für unterschiedliche Leitungstypen dotiert (n- leitend oder p-leitend). Die Halbleiterschicht 430 kann n-leitend oder p-leitend ausgebildet sein.
  • Die Halbleiterkörper 324 sind weiterhin bevorzugt epitaktisch gewachsen. Eine Halbleiterschichtstruktur für die Halbleiterkörper 324 kann auf einem Aufwachssubstrat epitaktisch, z. B. mittels metall-organischer Gasphasenepitaxie (MOVPE) abgeschieden sein. Aus der Halbleiterschichtstruktur können dann Halbleiterkörper 324, z. B. mittels Ätzen, ausgebildet werden.
  • Der Halbleiterkörperverbund 320 und der Trägerverbund 310 sind derart relativ zueinander angeordnet, dass die Halbleiterkörper 324 den Bauelementbereichen 410 zugewandt sind. Die Halbleiterkörper 324 sind weiterhin bevorzugt gemäß einem regulären Muster auf dem Trägersubstrat 322 angeordnet.
  • Zweckmäßigerweise sind der Trägerverbund 310 und der Halbleiterkörperverbund 320 derart aufeinander abgestimmt, dass sich die jeweilige Halbleiterkörper 324 über den Kontaktteilbereich 318, also der jeweiligen Befestigungsschichten 316 der Bauelementbereiche 410, dem diesem Halbleiterkörper 324 zugeordneten ist, erstreckt.
  • Hierzu kann entweder eine Anordnung der Halbleiterkörper 324 auf dem Trägersubstrat 322 entsprechend den vorgegebenen Kontaktteilbereichen 318 eines Trägerverbunds 310 ausgebildet werden oder die Kontaktteilbereiche 318 eines Trägerverbunds 310 können gemäß einer vorgegebenen Anordnung von Halbleiterkörpern 324 auf dem Trägersubstrat 322 ausgebildet werden.
  • Für eine Anordnung der Halbleiterkörper 324 auf dem Trägersubstrat 322 gemäß den Bauelementbereichen 410 können Halbleiterkörper 324, welche auf dem Aufwachssubstrat angeordnet sind, auf einem Zwischenträger befestigt werden. Dies ist in den 4A und 4B jedoch nicht dargestellt. Das Aufwachssubstrat kann daraufhin von den Halbleiterkörpern 324 entfernt werden. Hierzu eignet sich beispielsweise ein Lasertrennverfahren oder Ätzen.
  • Von den auf dem Zwischenträger angeordneten Halbleiterkörpern 324 können Halbleiterkörper 324 derart ausgewählt werden und mit dem Trägersubstrat 322 verbunden werden, dass die Anordnung der auf dem Trägersubstrat 322 angeordneten Halbleiterkörper 324 derjenigen der Kontaktteilbereiche 318 entspricht. Hierzu werden zweckmäßigerweise Halbleiterkörper 324 selektiv von dem Zwischenträger entfernt und gemäß der Anordnung der Kontaktteilbereiche 318 auf das Trägersubstrat 322 übertragen.
  • Alternativ können selektierte Halbleiterkörper 324 vom Aufwachssubstrat, z. B. mittels eines Lasertrennverfahrens, abgetrennt und mit dem Trägersubstrat 322 verbunden werden. Auf einen Zwischenträger kann dann verzichtet werden.
  • Für das Trägersubstrat 322 eignet sich beispielsweise eine Schicht, z. B. eine Folie, wie etwa eine Thermoreleasefolie. Die Folie kann auf einem zusätzlichen, in der 4A jedoch nicht dargestellten Hilfsträger angeordnet sein, um dem Halbleiterkörperverbund 320 eine erhöhte mechanische Stabilität zu verleihen.
  • Daraufhin werden der Trägerverbund 310 und das Trägersubstrat 322 derart zueinander angeordnet, dass die Halbleiterkörper 324 mit dem Trägerverbund 310, insbesondere den Befestigungsschichten 316 des dem jeweiligen Halbleiterkörper 324 zugeordneten Bauelementbereichs 410 in mechanischen Kontakt treten. Nachfolgend können die Halbleiterkörper 324 in den Kontaktbereichen 130 befestigt werden.
  • Dies kann beispielsweise durch Verlöten oder Verkleben der Halbleiterkörper 324 mit dem Trägerverbund 310 mittels der Befestigungsschicht 316 erfolgen.
  • Nach dem Befestigen der Halbleiterkörper 324 am Trägerverbund 310 können die Halbleiterkörper 324 von dem Trägersubstrat 322 getrennt werden. Hierzu kann das Trägersubstrat 322 von den Halbleiterkörpern 324 abgelöst werden. Dazu eignet sich z. B. ein Lasertrennverfahren oder Ätzen. Wird eine Thermoreleasefolie für das Trägersubstrat 322 eingesetzt, so können die Halbleiterkörper 324 durch Erwärmen der Thermoreleasefolie vom Trägersubstrat 322 getrennt werden. Die Haft vermittelnde Wirkung einer Thermoreleasefolie wird durch Erwärmen vermindert. Nach Trennen der Halbleiterkörper 324 kann das Trägersubstrat 322 entfernt werden, wie in 4B dargestellt.
  • Die Anschlussleiterschicht 420 ist dabei bereichsweise, bevorzugt nur bereichsweise, zwischen dem Trägerelement 120 und dem Halbleiterkörper 324 angeordnet. Die dem Trägerelement 120 zugewandte Seite des jeweiligen Halbleiterkörpers 324 wird daher mit Vorteil nicht vollständig von dem Kontaktteilbereich 318 abgeschattet. Eine Absorption von elektromagnetischer Strahlung im Bauelementbereich 410 kann so gering gehalten werden.
  • Bevorzugt ist die Befestigungsschicht 316 vollflächig, die Anschlussleiterschicht 420 nur bereichsweise zwischen dem Halbleiterkörper 324 und dem Trägerelement 120 angeordnet. Das Anschlussteil 422 kann sich neben dem Halbleiterkörper 324 bis zu der von dem Trägerelement 120 abgewandten Seite des Halbleiterkörpers 324 erstrecken.
  • Nach dem Trennen der Halbleiterkörper 324 von dem Trägersubstrat 322 kann auf die von dem Trägerelement 120 abgewandte Seite der Halbleiterkörper 324 eine Spiegelschicht 326 aufgebracht werden. Die Spiegelschicht 326 kann alternativ bereits auf dem noch auf dem Trägersubstrat 322 angeordneten Halbleiterkörper 324 angeordnet sein. Zweckmäßigerweise ist die Spiegelschicht 326 dann zwischen dem jeweiligen Halbleiterkörper 324 und dem Trägersubstrat 322 angeordnet.
  • Die Spiegelschicht 326 ist bevorzugt elektrisch leitfähig ausgeführt und insbesondere elektrisch leitend mit einem Anschlusskontakt der optisch aktiven Bereiche 110 verbunden. Besonders bevorzugt enthält die Spiegelschicht ein Metall oder eine Metallverbindung. Beispielsweise enthält die Spiegelschicht 326 Gold, Aluminium oder Silber oder besteht hieraus. Derartige Materialien zeichnen sich durch hohe Reflektivitäten für eine im optisch aktiven Bereich 110 erzeugte elektromagnetische Strahlung aus.
  • Die Spiegelschicht 326 kann eine Dicke von 1 μm oder weniger, bevorzugt von 800 nm oder weniger, besonders bevorzugt von 500 nm weniger, z. B. von 300 nm oder weniger, aufweisen.
  • Auf dem Trägerverbund 310 wird nachfolgend eine Formmasse 342 aufgebracht. Die Formmasse 342 ist vorzugsweise elektrisch isolierend. Ferner ist die Formmasse 342 für im optisch aktiven Bereich 110 zu erzeugende Strahlung bevorzugt durchlässig. Ein Kurzschluss der gegebenenfalls freiliegenden optisch aktiven Bereiche 110 über die Formmasse 342 wird so vermieden. Die Formmasse 342 kann beispielsweise BCB enthalten oder daraus bestehen. Vorzugsweise wird die Formmasse 342 auf den Trägerverbund 310 aufgeschleudert. Daraufhin wird die Formmasse 342 verfestigt, z. B. mittels thermischen Härtens.
  • Soweit die vom Trägerelement 120 abgewandte Seite der Halbleiterkörper 324 mit der Formmasse 342 bedeckt ist, wird der auf dieser Seite des Halbleiterkörpers 324 angeordnete Teil der Formmasse 342 entfernt. Die von dem Trägerelement 120 abgewandte Seite der Halbleiterkörper 324 wird hierdurch wieder freigelegt. Die gegebenenfalls gehärtete Formmasse kann hierzu abgeschliffen werden. Auch ein so genanntes Fly-Cutting-Verfahren ist für das Entfernen der gegebenenfalls gehärteten Formmasse 342 geeignet. Die Formmasse 342 schützt mit Vorteil die Halbleiterkörper 324.
  • Auf die von dem Trägerelement 120 abgewandte Seite der Halbleiterkörper 324 wird nachfolgend eine elektrische Kontaktstruktur 140, z. B. eine Kontaktmetallisierung, aufgebracht. Die Kontaktstruktur 140 kann z. B. Titanium, Platin und/oder Gold enthalten.
  • Die Kontaktstruktur 140 kann eine Dicke von 5 μm oder weniger, bevorzugt 3 μm oder weniger, besonders bevorzugt 2 μm oder weniger, z. B. 1 μm oder weniger, 800 nm oder weniger, 500 nm oder weniger oder 300 nm oder weniger, aufweisen.
  • Für das Aufbringen der Spiegelschicht 326 und/oder das Aufbringen der Kontaktstruktur 140 eignen sich beispielsweise ein Abscheideverfahren, wie Sputtern oder Aufdampfen. Die Kontaktstruktur 140 erstreckt sich vorzugsweise schichtartig und insbesondere großflächig über die Halbleiterkörper 324. Die Kontaktstruktur 140 ist mit den Halbleiterkörpern 324, insbesondere über die Spiegelschicht 326, elektrisch leitend verbunden. Über das Anschlussteil 422 und die Kontaktstruktur 140 kann der Halbleiterkörper 324 elektrisch kontaktiert werden.
  • Die Kontaktstruktur 140 kann sich dabei über die von dem Trägerelement 120 abgewandte Seite der verfestigten Formmasse 342 erstrecken. Mittels der Formmasse 342 ist vorzugsweise eine Planarisierungsschicht 344 gebildet.
  • Nachfolgend kann der Trägerverbund 310 entlang der Schnittlinie 440 in einzelne optoelektronische Bauelemente 400, die jeweils zumindest einen, vorzugsweise genau einen, Bauelementbereich 410 umfassen, vereinzelt werden. Das Vereinzeln kann beispielsweise durch Sägen oder ein lasergestütztes Vereinzelungsverfahren erfolgen. Beim Vereinzeln kann das Trägerelement 120 durchtrennt werden. Weiterhin kann die Formmasse 342 durchtrennt werden.
  • 4C zeigt anhand einer schematischen Schnittansicht ein gemäß dem oben beschriebenen Verfahren hergestelltes optoelektronisches Bauelement 400.
  • Das optoelektronische Bauelement 400 weist ein Trägerelement 120 auf. Dieses ist vorzugsweise aus dem Trägerverbund 310 vereinzelt. Weiterhin weist das Bauelement 400 eine Planarisierungsschicht 344 auf. Diese ist neben den Halbleiterkörpern 324 angeordnet und kann aus der Formmasse 342 gebildet sein. Über das Anschlussteil 422 und die Kontaktstruktur 140 kann das Bauelement 400 mit einem externen Leiterelement, z. B. einer Leiterbahn oder Leiterplatte, elektrisch leitend verbunden werden, z. B. durch Verlöten.
  • Das Bauelement ist insbesondere oberflächenmontierbar ausgeführt. Eine elektrische Kontaktierung, insbesondere die Anschlussleiterschicht 420, ist bereichsweise zwischen dem Halbleiterkörper 324 und dem Trägerelement 120 angeordnet und erstreckt sich neben dem Halbleiterkörper 324. Externe elektrische Anschlussbereiche 132 und 152 sind auf der vom Trägerelement 120 abgewandten Seite des Bauelements 400 ausgebildet.
  • Das Trägerelement 120 gemäß 2 weist einen elektrisch isolierenden Trägerkörper, z. B. aus Glas, auf, auf dem der Kontaktbereich 130 ausgebildet ist. Der Kontaktbereich 130 wird im Betrieb des Bauelements 400 zweckmäßigerweise von der im Halbleiterkörper 324 erzeugten Strahlung durchstrahlt.
  • Das Bauelement 400 weist mit Vorzug eine durchgehend vereinzelte Seitenfläche 450 auf. Diese kann durch das Trägerelement 120 und gegebenenfalls die Planarisierungsschicht 344 gebildet sein.
  • Mittels der Spiegelschicht 326 kann im Halbleiterkörper 324 erzeugte elektromagnetische Strahlung in Richtung des Trägerelements 120 reflektiert werden. Die von dem Trägerelement 120 ausgekoppelte Strahlungsleistung wird so erhöht.
  • Eine Gesamthöhe des Bauelements 400 kann 50 μm oder weniger, z. B. 35 μm, betragen. Der Halbleiterkörper 324 kann eine Dicke von 10 μm oder weniger, bevorzugt von 7 μm oder weniger, aufweisen. Eine Dicke des Trägerelements 120 kann 50 μm oder weniger, bevorzugt 40 μm oder weniger, besonders bevorzugt 30 μm oder weniger, betragen.
  • Der auf dem Trägerelement 120 angeordnete Teil des Bauelements 400 kann eine Gesamtdicke von 10 μm aufweisen. Beispielsweise kann das Trägerelement 120 eine Dicke von 30 μm und der verbleibende Teil des Bauelements 400 eine Gesamtdicke von 8 μm aufweisen. Der Halbleiterkörper 324 kann eine Dicke von 6 μm aufweisen.
  • Die optisch aktiven Bereiche 110 der 4A bis 4C weisen in der Aufsicht einen im Wesentlichen quadratischen Querschnitt auf. Um die getrennte Wahrnehmung einzelner optisch aktiver Bereiche 110 weiter zu erschweren und so den Eindruck einer gleichmäßig strahlenden Fläche zu schaffen, können mit Vorteil anders geformte optisch aktive Bereiche 110 Verwendung finden. In vorteilhafter Weise sind die einzelnen optisch aktiven Bereiche 110 miteinander verzahnt oder greifen zumindest teilweise ineinander ein. Die Herstellung und Anordnung solcher miteinander verzahnter optisch aktiver Bereiche 110 wird in den nachfolgenden Ausführungsbeispielen weiter erläutert.
  • 5 zeigt eine Draufsicht auf eine Mehrzahl optisch aktiver Bereiche 110, die unter einen gemeinsamen Kontaktstruktur 140 angeordnet sind. Über die Kontaktstruktur 140, im Ausführungsbeispiel ineinander verschachtelte fotolithographisch aufgetragene Leiterbahnen, werden die einzelnen optisch aktiven Elemente 110 in verschiedenen Bereiche ihrer Oberfläche kontaktiert.
  • Im in der 5 dargestellten Ausführungsbeispiel sind die optisch aktiven Bereiche 110 in der Form gleichseitiger Dreiecke ausgeführt. Die Verwendung gleichseitiger Dreiecker ermöglicht eine einfache Herstellung und Verzahnung der einzelnen optisch aktiven Bereiche 110. Auf diese Weise können besonders dicht gepackte Strahlungsflächen, insbesondere Leuchtflächen, mit einer Vielzahl einzelner optisch aktiver Bereiche 110 aufgebaut werden.
  • Durch die gemeinsame Kontaktstruktur 140 können die einzelnen optisch aktiven Bereiche 110 wie ein einzelner größere optisch aktiver Bereich beschaltet werden. Tritt in einem der optisch aktiven Bereiche 110 ein Defekt auf, beispielsweise weil ein Halbleiterkörper 324 durch eine Verunreinigung in dem Aufwachsprozess zerstört wurde, bleiben die anderen optisch aktiven Bereiche 110 funktionsfähig und können die Aufgabe des defekten optisch aktiven Bereichs 110 teilweise ersetzen.
  • 6 zeigt eine weitere Anordnung eines optoelektronischen Bauelements mit einer Vielzahl optisch aktiver Bereiche 110. Zusammengenommen bilden die optisch aktiven Bereiche 110 eine quadratische Leuchtfläche 600. Die Leuchtfläche 600 ist intern jedoch in eine Vielzahl streifenförmiger optisch aktiver Bereiche 110 aufgeteilt, sodass lokale Defekte sich nur geringfügig auf die Leuchtleistung des optoelektronischen Bauelements auswirken. Auch das optoelektronische Bauelement gemäß 6 verfügt über eine gemeinsame Kontaktstruktur 140, über die alle optisch aktiven Bereiche 110 der Leuchtfläche 600 gemeinsam kontaktiert werden.
  • In der 7 ist eine weitere Leuchtfläche 600 eines optoelektronisches Bauelementes dargestellt, in der eine Vielzahl von optisch aktiven Bereichen 110 angeordnet ist. Die optisch aktiven Bereiche 110 sind wiederum streifenförmig ausgeführt. Anders als in dem in 6 dargestellten Ausführungsbeispiel sind die einzelnen optisch aktiven Bereiche 110 jedoch ineinander verzahnt. Auf diese Weise kann die Auswirkung des Ausfalls eines einzelnen optisch aktiven Bereichs 110 für die Gesamtwirkung des optoelektronischen Bauelements weiter reduziert werden.
  • In den 8A, 8B und 8C ist eine weitere Leuchtfläche 600 eines weiteren optoelektronischen Bauelements 800 dargestellt. 8A zeigt eine Aufsicht auf die aus Betrachtungsrichtung rechteckige Leuchtfläche 600.
  • Die Leuchtfläche 600 ist in einen ersten optisch aktiven Bereich 110a und einen benachbarten zweiten optisch aktiven Bereich 110b unterteilt. Die in der 8A obere Leuchtfläche 110a ist von der unteren Leuchtfläche 110b durch einen schmalen Trenngraben 180 getrennt. Der Trenngraben 180 hat eine Meanderform. Bezüglich der Leuchtfläche 600 sind der erste optisch aktive Bereich 110a und der zweite optisch aktive Bereich 110b komplementär zueinander.
  • Der zweite optisch aktive Bereich 110b weist zwei Aussparungen 820b auf. In die Aussparungen 820b ragen je eine Zunge 830a des ersten optisch aktiven Bereichs 110a hinein. Umgekehrt ragt eine Zunge 830b des zweiten optisch aktiven Bereiche 110b in eine durch die zwei Zungen 830a gebildete Aussparung 820a des ersten optisch aktiven Bereichs 110a.
  • Durch die Unterteilung der Leuchtfläche 600 mittels des meanderförmigen Trenngrabens 830 ist eine Unterscheidung der einzelnen optisch aktiven Bereiche 110a und 110b praktisch unmöglich. Weist die Leuchtfläche 600 beispielsweise eine Kantenlänge von 1 mm, 500 μm, 200 μm, 100 μm, 50 μm, 20 μm oder sogar nur 10 μm auf, „verschmelzen" die optisch aktiven Bereiche 110a und 110b zu der einheitlichen Leuchtfläche 600.
  • Gemäß einer vorteilhaften Ausgestaltung sind die beiden optisch aktiven Bereich 110a und 110b zum Emittieren elektromagnetische Strahlung unterschiedlicher Wellenlänge eingerichtet. Beispielsweise kann der erste optisch aktive Bereich 110a sichtbares Licht im blauen Wellenlängenbereich ausstrahlen, zum Beispiel zwischen 450 und 500 nm Wellenlänge, während der zweite optisch aktive Bereich 110b gelbes Licht ausstrahlt, beispielsweise zwischen 560 und 590 nm Wellenlänge. Da sich das von den beiden optisch aktiven Bereichen 110 ausgestrahlte Licht für einen Beobachter des Bauteils überlagert, entsteht mittels additiver Farbmischung der Eindruck einer weißen Leuchtfläche 600.
  • Um das optoelektronische Bauelement 800 auch als einheitliche elektrische Komponente ansteuern zu können, sind der erste optisch aktive Bereich 110a und der zweite optisch aktive Bereich 110b über eine gemeinsame Kontaktstruktur 140 elektrisch miteinander verbunden. Im Ausführungsbeispiel besteht die gemeinsame Kontaktstruktur 140 aus zwei ineinander verschachtelten, ringförmigen Leiterbahnen 840 sowie einer zusätzlichen Zuleitung, die die beiden ringförmigen Leiterbahnen 840 mit einem externen Spannungspotenzial verbindet. Beispielsweise dient die Kontaktstruktur 140 zur Kontaktierung einer Anodenstruktur oder Kathodenstruktur eines Halbleiterkörpers 324.
  • Die Kontaktstruktur 140 bzw. die sie formenden Leiterbahnen 840 sind verhältnismäßig dünn, sodass noch ausreichend Licht von dem ersten optisch aktiven Bereich 110a und dem zweiten optisch aktiven Bereich 110b durch die Kontaktstruktur 140 austreten kann. Beispielsweise sind die Leiterbahnen 840 als fotolithographisch hergestellte Leiterbahnen ausgestaltet und weisen einen Durchmesser von 1 μm oder weniger, z. B. 0,5 μm, auf.
  • In den 8B und 8C sind zwei unterschiedliche Querschnitte durch das optoelektronische Bauelement 800 dargestellt. Im Querschnitt ist zu erkennen, dass der erste optisch aktive Bereiche 110a und der zweite optisch aktive Bereich 110b auf einem gemeinsamen Trägerelement 120 angeordnet sind. An der Grenzfläche zwischen dem Trägerelement 120 und den optisch aktiven Bereichen 110a und 110b befindet sich ein flächiger Kontaktbereich 130. Zwischen dem flächigen Kontaktbereich 130 und der Kontaktstruktur 140 kann eine Betriebsspannung zur Versorgung der optisch aktiven Bereiche 110a und 110b angelegt werden.
  • Im in der 8B dargestellten Schnitt A-A ist zu erkennen, dass die optisch aktiven Bereiche 110a und 110b sich zumindest in Bereichen der Leuchtfläche 600 durchdringen bzw. ineinander greifen. In anderen Bereichen der Leuchtfläche 600, beispielsweise in dem in der 8C dargestellten Schnitt B-B, befindet sich dagegen nur ein optisch aktiver Bereich 110, im dargestellten Beispiel der zweite optisch aktive Bereich 110b.
  • Die in den 8A bis 8C dargestellte Ausgestaltung der optisch aktiven Bereiche 110a und 110b ist wegen der Zungen 830 mechanisch verhältnismäßig instabil. Um die Gefahr einer Zerstörung der einzelnen optisch aktiven Bereiche 110a und 110b bei dem zuvor beschriebenen Transfer von einem Trägersubstrat 322 auf ein Trägerelement 120 zu reduzieren, wird in einer vorteilhaften Ausgestaltung des Verfahrens zunächst ein optisch aktiver Bereich 110 in Form der gesamten Leuchtfläche 600 von einem Trägersubstrat 322 auf das Trägerelement 120 übertragen. Der optisch aktive Bereich 110 wird dann flächig mit dem Trägerelement 120 verbunden. Beispielsweise kann der optisch aktive Bereich 110 auf der Kontaktfläche 130 aufgelötet oder festgeklebt werden.
  • Nach erfolgter Übertragung und mechanischer Verbindung des optisch aktiven Bereichs 110 mit dem Trägerelement 120 werden der erste optisch aktive Bereich 110a und der zweite optisch aktive Bereich 110b in einem weiteren Verfahrensschritt voneinander getrennt. Beispielsweise kann durch Verwendung eines fotolithographischen Prozesses eine Maske in Form des meanderförmigen Trenngrabens 180 auf die Oberfläche des optisch aktiven Bereichs 110 aufgebracht werden. In einem nachfolgenden Ätzschritt wird der Trenngraben 180 zwischen dem ersten optisch aktiven Bereich 110a und dem zweiten optisch aktiven Bereich 110b hergestellt.
  • Je nach Querleitfähigkeit der einzelnen Schichten der optisch aktiven Bereiche 110a und 110b kann sich der Trenngraben 180 entweder, wie in 8B dargestellt, in der Tiefe durch den gesamten Schichtstapel erstrecken oder lediglich solche Schichten voneinander trennen, die eine hohe Querleitfähigkeit aufweisen. Dies ist in den 8A bis 8C jedoch nicht explizit dargestellt.
  • Selbstverständlich können auch weitere optisch aktive Bereiche 110 über eine gemeinsame Kontaktstruktur 140 mit einer Betriebsspannung versorgt werden. Dies ist beispielsweise in der 9 dargestellt. Je zwei erste optisch aktive Bereiche 110 und zwei zweite optisch aktive Bereiche 110b sind zu einer gemeinsamen Leuchtfläche 600 zusammengefasst. Die Kontaktstruktur 140 erstreckt sich über alle vier optisch aktiven Bereiche 110 und versorgt diese mit einer Betriebsspannung.
  • In dem in der 9 dargestellten Ausführungsbeispiel wird die Leuchtfläche 600 somit sowohl durch Zerteilung in Substrukturen als auch durch ein Ineinandergreifen benachbarter, zueinander komplementärer optisch aktiver Bereiche 110a und 110b aufgegliedert. Ein Auftreten eines Defekts oder einer Normabweichung bezüglich einer Wellenlänge oder Intensität einer erzeugten elektromagnetischen Strahlung in einem der vier optisch aktiven Bereiche 110 führt somit nur zu einer minimalen Beeinträchtigung der Leuchtkraft der Leuchtfläche 600.
  • In der 10 ist im Unterschied dazu ein optoelektronisches Bauelement mit zwei benachbarten optisch aktiven Bereichen 110a und 110b dargestellt, bei dem die einzelnen optisch aktiven Bereiche 110a und 110b über gesonderte Kontaktstrukturen 140a und 140b mit einer Betriebsspannung versorgt werden können. Durch die gesonderte Versorgung des ersten optisch aktiven Bereichs 110a und des zweiten optisch aktiven Bereichs 110b können diese getrennt voneinander angesteuert werden. Dies ist insbesondere dann vorteilhaft, wenn die benachbarten optisch aktiven Bereiche 110a und 110b zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung 170 unterschiedlicher Wellenlänge ausgelegt sind.
  • Beispielsweise können Halbleiterschichten der optisch aktiven Bereiche 110a und 110b unterschiedlich dotiert sein. Emittiert der erste optisch aktive Bereich 110a bei Versorgung mit einer Betriebsspannung beispielsweise sichtbares Licht im roten Wellenlängenbereich und der zweite optisch aktive Bereich Licht im grünen Wellenlängenbereich, kann die Leuchtfläche 600 je nach Versorgung des ersten bzw. zweiten optisch aktiven Bereichs 110a bzw. 110b mit einer geeigneten Betriebsspannung entweder grün, rot oder, bei gemeinsamer Versorgung, gelb leuchten. Aufgrund der besonderen Ausgestaltung der optisch aktiven Bereiche 110a und 110b ist dabei eine Trennung der grünen und roten Leuchtbereiche 110a bzw. 110b nicht mehr möglich.
  • In den 11A bis 11F sind weitere Möglichkeiten für eine besonders enge Anordnung benachbarter optisch aktiver Bereiche 110 dargestellt. Darüber hinaus sind in den 11A bis 11F unterschiedliche Kontaktstrukturen 140 zur Versorgung der Mehrzahl von optisch aktiven Bereichen 110 dargestellt.
  • Die einzelnen optisch aktiven Bereiche 110 der in der 11A dargestellten Ausführung haben die Form eines gleichschenkeligen L's bzw. einer Pfeilspitze. Sowohl die in der 11A übereinander dargestellten als auch die nebeneinander angeordneten Spalten von optisch aktiven Bereichen 110 greifen ineinander. Die dargestellten Kontaktstrukturen 140 verbinden die optisch aktiven Bereiche 110 jeweils einer Spalte miteinander.
  • Die in der 11B dargestellten optisch aktiven Bereiche 110 sind im Wesentlichen eieruhrförmig bzw. in Form zweier teilweise überlappender Rauten ausgestaltet. Auch sie greifen in vielfältiger Weise ineinander, sodass einzelne optisch aktive Bereiche 110 mit dem bloßen Auge nicht mehr aufgelöst werden können. Zwei rautenförmige Kontaktbereiche 140 versorgen jeweils eine Mehrzahl der optisch aktiven Bereiche 110 mit einer Betriebsspannung.
  • Die optisch aktiven Bereiche 110 der 11C sind rautenförmig ausgestaltet. Dies ermöglicht eine besonders kompakte Anordnung benachbarter optisch aktiver Bereiche 110 und deren Trennung durch gradlinige Trenngräben 180. Zwei rautenförmige Kontaktbereiche 140 versorgen jeweils vier optisch aktiven Bereiche 110 mit einer Betriebsspannung.
  • Eine vergleichbar enge Anordnung von optisch aktiven Bereichen 110 ist auch durch die Verwendung einer Wabenstruktur, wie sie in 11D gezeigt ist, möglich. Im in der 11D dargestellten Ausführungsbeispiel sind alle optisch aktiven Bereiche 110 über eine gemeinsame Kontaktstruktur 140 verbunden und können somit als einheitliches Bauelement betrieben werden.
  • In der 11E sind neun runde optisch aktive Bereiche 110 dargestellt, die im Wesentlichen in einer Matrixstruktur angeordnet sind. Dabei sind die optisch aktiven Bereiche 110 einer mittleren Spalte bezüglich des Zentrums der Kreise von den zwei benachbarten Spalten versetzt angeordnet. Wie in der 11E dargestellt, sind jeweils drei optisch aktive Bereiche 110 über eine gemeinsame, dreieckige Kontaktstruktur 140 elektrisch miteinander verbunden.
  • 11F zeigt eine weitere Ausgestaltung, bei der optisch aktive Bereiche 110 in der Form von Puzzlesteinen ausgebildet sind. Die einzelnen optisch aktiven Bereiche 110 greifen dabei in vielfältiger Weise ineinander und sind über eine Mehrzahl von Kontaktstrukturen 140, die nicht einzelnen optisch aktiven Bereichen 110 zugeordnet sind, mit einem elektrischen Potenzial verbunden. Die Trenngräben 180 der Ausgestaltung gemäß 11F sind Kurven mit einer verhältnismäßig komplizierten Struktur, sodass der an sich rastermäßige Aufbau der Leuchtfläche gemäß 11F im Betrieb nicht mehr zu erkennen ist.
  • 12 zeigt eine weitere Ausgestaltung eines optoelektronischen Bauelements. Das optoelektronische Bauelement weist eine Leuchtfläche 600 auf, die rechteckig ausgestaltet ist.
  • Im Ausführungsbeispiel ist die Leuchtfläche 600 verhältnismäßig groß. Beispielsweise weist sie eine Kantenlänge von etwa 1 mm auf. Die Herstellung eines so großen optisch aktiven Bereichs 110, beispielsweise durch Aufwachsen epitaktischer Schichten zu einem Halbleiterkörper 324, ist herstellungstechnisch problematisch. Die Wahrscheinlichkeit, dass innerhalb der Grundfläche mit den Abmessungen der Leuchtfläche 600 zumindest ein Defekt auftritt, ist verhältnismäßig groß.
  • Um die Ausbeute eines Herstellungsprozesses dennoch verhältnismäßig groß zu halten, ist der der Leuchtfläche 600 zugeordnete Halbleiterkörper 324 in eine Vielzahl optisch aktiver Bereiche 110 untergliedert. Diese Substruktur, bestehend im Ausführungsbeispiel aus 25 optisch aktiven Bereichen 110, weist eine Matrixstruktur auf. Die einzelnen optisch aktiven Bereiche 110 sind über eine gemeinsame Kontaktstruktur 140 mit drei ineinander verschachtelten fotolithographisch aufgetragenen Leiterbahnen 840 miteinander verbunden. Umfasst nur einer der optisch aktiven Bereiche 110 einen Defekt, werden die anderen optisch aktiven Bereiche 110 im Bereich der Leuchtfläche 600 nicht direkt von dem Defekt betroffen.
  • Eine Trennung eines Halbleiterkörpers 324, beispielsweise eines Leuchtdiodenchips, mit den Ausmaßen der Leuchtfläche 600 in eine Mehrzahl kleinerer optisch aktiver Bereiche 110 kann dabei vor oder nach der oben beschriebenen Übertragung der Halbleiterkörper 324 von einem Trägersubstrat 322, insbesondere einem Aufwachssubstrat, auf ein Trägerelement 120 durchgeführt werden. Zum Trennen von Halbleiterkörpern in eine Mehrzahl von Substrukturen eignen sich verschiedene Ätzverfahren, insbesondere Plasmaätzverfahren.
  • Einige Arten von Defekten führen jedoch zu Kurzschlüssen innerhalb eines Halbleiterkörpers 324 bzw. eines optisch aktiven Bereichs 110. Sind, wie beispielsweise in der 12 dargestellt, mehrere optisch aktive Bereiche 110 über eine gemeinsame Kontaktstruktur 140 und über einen in der 12 nicht dargestellten Kontaktbereich 130 gemeinsam mit einer elektrischen Betriebsspannung verbunden, führt ein Kurzschluss in einem der optisch aktiven Bereiche 110 zu einem Versagen des gesamten Bauteils.
  • Um ein derartiges Versagen auszuschließen und somit die Ausbeute eines Herstellungsverfahrens weiter zu ermöglichen, werden, wie in 13 dargestellt, einzelne optisch aktive Bereiche 110 elektrisch voneinander isoliert. Die einzelnen optisch aktiven Bereiche 110 sind von benachbarten optisch aktiven Bereichen durch Trenngräben 180 voneinander getrennt. Um die elektrische Isolation eines defekten optisch aktiven Bereichs 110, in der Figur dem optisch aktiven Bereich 110a, von den übrigen optisch aktiven Bereichen 110b zu vervollständigen, werden die einzelnen optisch aktiven Bereiche 110 vor Aufbringen der Kontaktstruktur 140 auf ihre Funktion hin überprüft. Wird festgestellt, dass der optisch aktive Bereich 110a defekt ist und insbesondere einen Kurzschluss zwischen einem ersten Anschlusskontakt auf der Oberseite und einem zweiten Anschlusskontakt auf der Unterseite aufweist, wird nach Aufbringen der gemeinsamen Kontaktstruktur 140 die Leiterbahn 840 an Trennstellen 850 durchtrennt. Beispielsweise eignet sich hierfür ein Lasertrennverfahren.
  • Bei der gemeinsamen Herstellung einer Vielzahl von optoelektronischen Bauelementen mit einer Vielzahl von optisch aktiven Bereichen 110b können die einzelnen optisch aktiven Bereiche 110 durch Aufbringen einer Vielzahl von Kontaktnadeln bevorzugt im Waferverbund getestet werden. Dabei als defekt erkannte optisch aktive Bereiche 110a werden in einer dem Trägerverbund 310 zugeordneten Datenstruktur, beispielsweise einer Wafermap, als defekt markiert und in einem späteren Verarbeitungsschritt, beispielsweise nach Aufbringen der Kontaktstrukturen 140, elektrisch von den restlichen optisch aktiven Bereichen 110b isoliert.
  • Anhand der unterschiedlichen in den 1 bis 13 beschriebenen und dargestellten Ausführungsbeispiele wird dem Fachmann klar, dass die hierin offenbarten Möglichkeiten der Herstellung, Ausgestaltung und Anordnung benachbarter optisch aktiver Bereiche 110 auf vielfältige und vorteilhafte Weise miteinander kombiniert und eingesetzt werden können. Daher ist es selbstverständlich möglich, die in den einzelnen Ausführungsbeispielen gezeigten Merkmale in beinahe beliebiger Form miteinander zu kombinieren.
  • Die in den Ausführungsbeispielen beschriebenen optoelektronischen Bauelemente dienen bevorzugt zur Herstellung von Beleuchtungselementen und Erzeugen daher elektromagnetische Strahlung im sichtbaren Wellenlängenbereich, zum Beispiel im Bereich von 400 bis 800 nm. Selbstverständlich eignen sich derartige Bauelemente und Herstellungsverfahren auch für die Erzeugung oder Detektion elektromagnetischer Strahlung anderer Wellenlängenbereiche. Beispielsweise kann elektromagnetische Strahlung im kurzwelligen ultravioletten (UV) Bereich oder langwelligen Infrarot (IR) Bereich erzeugt oder detektiert werden.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • - EP 0905797 A2 [0089]
    • - WO 02/13281 A1 [0089]
  • Zitierte Nicht-Patentliteratur
    • - I. Schnitzer et al., Appl. Phys. Lett. 63 (16) 18. Oktober 1993, Seiten 2174–2176 [0089]

Claims (46)

  1. Optoelektronisches Bauelement aufweisend eine Mehrzahl von gesonderten, auf einem gemeinsamen Trägerelement (120) angeordneten optisch aktiven Bereichen (110), wobei die optisch aktiven Bereiche (110) derart angeordnet und/oder ausgestaltet sind, dass wenigstens zwei benachbarte optisch aktive Bereiche (110) aus Richtung der von Trägerelement (120) abgewandten Seite für einen Beobachter des Bauelements mit bloßem Auge nicht mehr unterscheidbar sind.
  2. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die optisch aktiven Bereiche (110) auf dem Trägerelement (120) derart versetzt angeordnet sind, dass benachbarte optisch aktive Bereiche (110) puzzleartig, parkettartig, reißverschlussartig oder sägezahnartig ineinander greifen.
  3. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die optisch aktiven Bereiche (110) in einer Zeilen-, Spalten- oder Matrixstruktur angeordnet sind, wobei einzelne Zeilen-, Spalten- bzw. Matrixelemente durch einen schmalen Trenngraben (180) voneinander getrennt sind, dessen Breite in der Größenordnung einer dominanten Wellenlänge einer von den optisch aktiven Bereichen (110) emittierbaren elektromagnetischen Strahlung (170) liegt.
  4. Optoelektronisches Bauelement, aufweisend eine Mehrzahl von gesonderten und auf einem gemeinsamen Trägerelement (120) angeordneten optisch aktiven Bereichen (110), wobei wenigstens zwei benachbarte optisch aktive Bereiche (110a, 110b) derart auf dem Trägerelement (120) angeordnet sind, dass sie in einer Erstreckungsrichtung der wenigstens zwei benachbarten optisch aktiven Bereiche (110a, 110b) parallel zu einer Oberfläche des Trägerelements (120) zumindest teilweise ineinander greifen.
  5. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass ein erster optisch aktiver Bereich (110a) der benachbarten optisch aktiven Bereiche (110) in der Erstreckungsrichtung eine Aussparung (820a) aufweist und ein zweiter optisch aktiver Bereich (110b) der benachbarten optisch aktiven Bereichen (110) derart ausgestaltet und angeordnet ist, dass er sich in der Erstreckungsrichtung zumindest teilweise in die Aussparung (820a) des ersten optisch aktiven Bereichs (110a) erstreckt.
  6. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass der zweite optisch aktive Bereich (110b) in der Erstreckungsrichtung eine Aussparung (820b) aufweist und der erste optisch aktive Bereich (110a) derart ausgestaltet und angeordnet ist, dass er sich in der Erstreckungsrichtung zumindest teilweise in die Aussparung (820b) des zweiten optisch aktiven Bereichs (110b) erstreckt.
  7. Optoelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Trägerelement (120) wenigstens einen elektrischen Kontaktbereich (130) aufweist, wobei wenigstens einer der optisch aktiven Bereiche (110) über den wenigstens einen elektrischen Kontaktbereich (130) mit einem ersten elektrischen Potenzial verbindbar ist.
  8. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass das Trägerelement (120) eine Mehrzahl von separaten elektrischen Kontaktbereichen (130) aufweist.
  9. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, dass die wenigstens zwei benachbarten optisch aktiven Bereiche (110) auf einem gemeinsamen elektrischen Kontaktbereich (130) des Trägerelementes (120) angeordnet sind.
  10. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die wenigstens zwei benachbarten optisch aktiven Bereiche (110) in zwei gesonderten und benachbarten Kontaktbereichen (130) der Mehrzahl der Kontaktbereiche (130) angeordnet sind.
  11. Optoelektronisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die wenigstens zwei benachbarten optisch aktiven Bereiche (110) über eine gemeinsame Kontaktstruktur (140) mit einem zweiten elektrischen Potenzial verbindbar sind.
  12. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die gemeinsame Kontaktstruktur (140) wenigstens eine Leiterbahn (840) umfasst, die die zwei benachbarten optisch aktiven Bereiche (110) elektrisch miteinander verbindet.
  13. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die wenigstens eine Leiterbahn (840) fotolithographisch auf eine dem Trägerelement (120) abgewandte Seite der wenigstens zwei benachbarten optisch aktiven Bereiche (110) aufgetragen ist.
  14. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet, dass die wenigstens eine Leiterbahn (840) wenigstens eine vorbestimmte Trennstelle aufweist, wobei wenigstens einer der zwei benachbarten optisch aktiven Bereiche (110a) durch Trennen der wenigstens einen Leiterbahn (840) an der Trennstelle von dem anderen optisch aktiven Bereich (110b) elektrisch isolierbar ist.
  15. Optoelektronisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens einer der Mehrzahl der optisch aktiven Bereiche (110) rund, oval, dreieckig, streifenförmig, rautenförmig, sechseckig, L-förmig, hufeisenförmig oder puzzlesteinförmig ausgestaltet ist.
  16. Optoelektronisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der erste der zwei benachbarten optisch aktiven Bereiche (110a) in einer Erstreckungsrichtung der wenigstens zwei benachbarten optisch aktiven Bereiche (110a, 110b) parallel zu einer Oberfläche des Trägerelements (120) eine erste Begrenzungslinie aufweist, die im Wesentlichen komplementär zu einer zweiten Begrenzungslinie des zweiten optisch aktiven Bereichs (110b) in der Erstreckungsrichtung ist.
  17. Optoelektronisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die zwei benachbarten optisch aktiven Bereiche (110) zum Emittieren elektromagnetischer Strahlung (170) unterschiedlicher Wellenlängen ausgebildet sind.
  18. Optoelektronisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die zwei benachbarten optisch aktiven Bereiche (110) in einer Erstreckungsrichtung der wenigstens zwei benachbarten optisch aktiven Bereiche (110a, 110b) parallel zu einer Oberfläche des Trägerelements (120) jeweils eine Ausdehnung von weniger als 100 μm, insbesondere weniger als 10 μm, aufweisen.
  19. Optoelektronisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens einer der Mehrzahl der optisch aktiven Bereiche (110) als substratlose Halbleiterstruktur ausgebildet ist.
  20. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, dass die substratlose Halbleiterstruktur eine Dicke von weniger als 10 μm in einer Richtung senkrecht zu einer Oberfläche des Trägerelements (120) aufweist.
  21. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 19 oder 20, dadurch gekennzeichnet, dass die substratlose Halbleiterstruktur ausschließlich einen epitaktisch gewachsenen Schichtstapel umfasst.
  22. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, dass der epitaktisch gewachsene Schichtstapel zwischen den wenigstens zwei benachbarten optisch aktiven Bereichen (110) vollständig durchtrennt ist.
  23. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, dass der epitaktisch gewachsene Schichtstapel zwischen den wenigstens zwei benachbarten optisch aktiven Bereichen (110) nur teilweise durchtrennt ist, insbesondere in solchen Schichten, die eine hohe Querleitfähigkeit aufweisen.
  24. Optoelektronisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die wenigstens zwei benachbarten optisch aktiven Bereiche (110) derart angeordnet und ausgestaltet sind, dass elektromagnetische Strahlung (170), die von einem ersten optisch aktiven Bereich (110a) in einer Erstreckungsrichtung der wenigstens zwei benachbarten optisch aktiven Bereiche (110a, 110b) parallel zu einer Oberfläche des Trägerelements (120) des Trägerelements (120) ausgekoppelt wird, einen zweiten optisch aktiven Bereich (110b) zur Emission elektromagnetsicher Strahlung anregt und umgekehrt.
  25. Optoelektronisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass über den zwei benachbarten optisch aktiven Bereichen (110) ein gemeinsames Konversionselement angeordnet ist, das elektromagnetische Strahlung (170) einer ersten Wellenlänge der wenigstens zwei benachbarten optisch aktiven Bereiche (110) in elektromagnetische Strahlung einer zweiten Wellenlänge konvertiert.
  26. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet, dass das Konversionselement dazu eingerichtet ist, elektromagnetische Strahlung (170) der ersten Wellenlänge zumindest teilweise zu absorbieren und elektromagnetische Strahlung (170) der zweiten Wellenlänge zu emittieren.
  27. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 25 oder 26, dadurch gekennzeichnet, dass das Konversionselement für einen Beobachter des Bauelements aus Richtung der von Trägerelement (120) abgewandten Seite mit bloßem Auge als einheitliche Strahlungsquelle erscheint.
  28. Optoelektronisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass über den zwei benachbarten optisch aktiven Bereichen (110) ein gemeinsames optisches Element angeordnet ist, das eine Abstrahlcharakteristik des Bauelementes bezüglich einer von den wenigstens zwei benachbarten optisch aktiven Bereichen (110) emittierbaren elektromagnetischen Strahlung ändert.
  29. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 28, dadurch gekennzeichnet, dass das optische Element dazu eingerichtet ist, die elektromagnetische Strahlung (170) der wenigstens zwei optisch aktiven Bereiche (110) zu brechen oder zu beugen.
  30. Optoelektronisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens einer der Mehrzahl der optisch aktiven Bereiche (110) eine Spiegelschicht aufweist, die von dem optisch aktiven Bereich emittierte elektromagnetische Strahlung reflektiert.
  31. Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements, umfassend: – Bereitstellen eines Trägerelements (120) mit wenigstens einem elektrischen Kontaktbereich (130), aufweisend wenigstens einen ersten Kontaktteilbereich (318) und einen benachbarten zweiten Kontaktteilbereich (318), – Bereitstellen wenigstens eines ersten optisch aktiven Bereichs (110) mit wenigstens einem ersten Anschlusskontakt, – Anordnen des Trägerelements (120) und des wenigstens einen ersten optisch aktiven Bereichs (110) relativ zueinander derart, dass der wenigstens eine Anschlusskontakt des wenigstens einen ersten optisch aktiven Bereichs (110) dem wenigstens einen ersten Kontaktteilbereich (318) des Trägerelements (120) zugewandt ist, – elektrisches und mechanisches Verbinden des wenigstens einen ersten optisch aktiven Bereichs (110) mit dem ersten Kontaktteilbereich (318), – Bereitstellen wenigstens eines zweiten optisch aktiven Bereichs (110) mit wenigstens einem ersten Anschlusskontakt, – Anordnen des Trägerelements (120) und des wenigstens einen zweiten optisch aktiven Bereichs (110) relativ zueinander derart, dass der wenigstens eine Anschlusskontakt des wenigstens einen zweiten optisch aktiven Bereichs (110) dem wenigstens einen zweiten Kontaktteilbereich (318) des Trägerelements (120) zugewandt ist, und – elektrisches und mechanisches Verbinden des wenigstens einen zweiten optisch aktiven Bereichs (110b) mit dem zweiten Kontaktteilbereich (318).
  32. Verfahren nach Anspruch 31, dadurch gekennzeichnet, dass der wenigstens eine erste optisch aktive Bereich (110) und der wenigstens eine zweite optisch aktive Bereich (110) elektrisch und/oder mechanisch in einem einzelnen Verfahrensschritt gemeinsam mit dem Trägerelement (120) verbunden werden.
  33. Verfahren nach Anspruch 31 oder 32, dadurch gekennzeichnet, dass der wenigstens eine erste optisch aktive Bereich (110) und eine zweite optisch aktive Bereich (110) auf einem gemeinsamen Trägersubstrat (322) bereitgestellt werden.
  34. Verfahren nach Anspruch 33, dadurch gekennzeichnet, dass der wenigstens eine erste optisch aktive Bereich (110) und eine zweite optisch aktive Bereich (110) nach dem mechanischen Verbinden mit dem Trägerelement (120) von dem Trägersubstrat (322) abgelöst werden.
  35. Verfahren nach Anspruch 33 oder 34, dadurch gekennzeichnet, dass der wenigstens eine erste optisch aktive Bereich (110) und zweite optisch aktive Bereich (110) auf dem gemeinsamen Trägersubstrat (322) bei der Bereitstellung relativ zueinander derart angeordnet sind, wie sie relativ zueinander nach dem mechanischen Verbinden auf dem Trägerelement (120) angeordnet sind.
  36. Verfahren nach Anspruch 31, dadurch gekennzeichnet, dass der wenigstens eine erste optisch aktive Bereich (110) auf einem ersten Trägersubstrat (322) und der eine zweite optisch aktive Bereich (110) auf einem zweiten Trägersubstrat (322) bereitgestellt wird, wobei der erste optisch aktive Bereich (110) zum Emittieren einer elektromagnetischen Strahlung einer ersten Wellenlänge und der zweite optisch aktive Bereich (110) zum Emittieren einer elektromagnetische Strahlung einer zweiten Wellenlänge eingerichtet ist.
  37. Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements, umfassend: – Bereitstellen eines Trägerelements (120) mit wenigstens einer Bestückungsoberfläche, – Bereitstellen wenigstens eines ersten optisch aktiven Bereichs (110) und eines zweiten optisch aktiven Bereichs (110) auf einem gemeinsamen Trägersubstrat (322), wobei der wenigstens eine erste und eine zweite optisch aktive Bereich (110) jeweils wenigstens einen ersten Anschlusskontakt aufweisen, benachbart auf dem Trägersubstrat (322) angeordnet sind und in einer Erstreckungsrichtung der wenigstens zwei benachbarten optisch aktiven Bereiche (110a, 110b) parallel zu einer Oberfläche des Trägersubstrats (322) zumindest teilweise ineinander greifen, – Anordnen des Trägerelements (120) und des Trägersubstrats (322) relativ zueinander derart, dass der wenigstens eine erste und eine zweite optisch aktive Bereich (110) der wenigstens einen Bestückungsoberfläche des Trägerelements (120) zugewandt sind, – mechanisches Verbinden des wenigstens einen ersten und einen zweiten optisch aktiven Bereichs (110) mit dem Trägerelement (120) und – Trennen des wenigstens einen ersten und einen zweiten optisch aktiven Bereichs (110) von dem Trägersubstrat (322).
  38. Verfahren nach Anspruch 37, dadurch gekennzeichnet, dass das bereitgestellte Trägerelement (120) wenigstens einen ersten Kontaktbereich (130) auf der Bestückungsoberfläche aufweist und im Schritt des elektrischen Verbindens eine elektrische Verbindung zwischen dem wenigstens einen ersten Kontaktbereich (130) und sowohl dem wenigstens einen ersten Anschlusskontakt des wenigstens einen ersten optisch aktiven Bereichs (110) als auch dem wenigstens einen ersten Anschlusskontakt des einen zweiten optisch aktiven Bereichs (110) hergestellt wird.
  39. Verfahren nach Anspruch 37, dadurch gekennzeichnet, dass das bereitgestellte Trägerelement (120) wenigstens einen ersten Kontaktbereich (130) und wenigstens einen zweiten Kontaktbereich (130) auf der Bestückungsoberfläche aufweist und im Schritt des elektrischen Verbindens eine erste elektrische Verbindung zwischen dem wenigstens einen Anschlusskontakt des ersten optisch aktiven Bereichs (110a) und dem wenigstens einen ersten Kontaktbereich (130) sowie eine zweite elektrische Verbindung zwischen dem wenigstens einen ersten Anschlusskontakt des wenigstens einen zweiten optisch aktiven Bereichs (110b) und dem wenigstens einen Kontaktbereich (130) hergestellt wird.
  40. Verfahren nach einem der Ansprüche 37 bis 39, weiter umfassend: epitaktisches Aufwachsen einer Halbleiterstruktur auf dem Trägersubstrat (322) und Ausbilden des wenigstens einen ersten optisch aktiven Bereichs (110) und einen zweiten optisch aktiven Bereichs (110) durch wenigstens teilweises Trennen der Halbleiterstruktur.
  41. Verfahren nach Anspruch 40, dadurch gekennzeichnet, dass der wenigstens eine erste optisch aktiven Bereich (110) und der wenigstens eine zweite optisch aktive Bereich (110) durch Ätzen eines Trenngrabens (180) in die Halbleiterstruktur voneinander getrennt werden.
  42. Verfahren nach Anspruch 41, dadurch gekennzeichnet, dass das Ätzen des Trenngrabens (180) vor Anordnung der Halbleiterstruktur auf dem Trägerelement (120) durchgeführt wird.
  43. Verfahren nach Anspruch 41, dadurch gekennzeichnet, dass das Ätzen des Trenngrabens (180) nach Anordnung der Halbleiterstruktur auf dem Trägerelement (120) durchgeführt wird.
  44. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, weiter umfassend: elektrisches Verbinden wenigstens eines zweiten Anschlusskontakts des wenigstens einen ersten optisch aktiven Bereichs (110) und des wenigstens einen zweiten optisch aktiven Bereichs (110) mit einer gemeinsamen Kontaktstruktur (140).
  45. Verfahren nach Anspruch 44, weiter umfassend: Testen der Funktion des wenigstens einen ersten optisch aktiven Bereichs (110) und des wenigstens einen zweiten optisch aktiven Bereichs (110), insbesondere, ob ein elektrischer Kurzschluss zwischen dem ersten und dem zweiten Anschlusskontakt des wenigstens einen ersten optisch aktiven Bereichs (110) bzw. des wenigstens einen zweiten optisch aktiven Bereichs (110) besteht, und elektrisches Trennen des wenigstens einen ersten optisch aktiven Bereichs (110) oder einen zweiten optisch aktiven Bereichs (110) von der gemeinsamen Kontaktstruktur (140), wenn durch den Test ein Fehler der Funktion des wenigstens einen ersten optisch aktiven Bereichs (110) bzw. des einen zweiten optisch aktiven Bereichs (110) festgestellt wurde.
  46. Verfahren zur Herstellung eines Wafers mit einer Vielzahl optisch aktiver Bereiche (110), umfassend: – Bereitstellen eines Trägersubstrats (322), – epitaktisches Aufwachen einer Halbleiterstruktur auf dem Trägersubstrat (322) umfassend eine Halbleiterschichtenfolge, die zum Emittieren elektromagnetischer Strahlung (170) geeignet ist, und – Trennen wenigstens einer Halbleiterschicht der Halbleiterschichtenfolge zum Aufteilen der Halbleiterstruktur in wenigstens einen ersten optisch aktiven Bereichs (110) und eines zweiten optisch aktiven Bereichs (110) derart, dass der wenigstens eine erste und eine zweite optisch aktive Bereich (110) in einer Erstreckungsrichtung der wenigstens zwei benachbarten optisch aktiven Bereiche (110a, 110b) parallel zu einer Oberfläche des Trägersubstrats (322) zumindest teilweise ineinander greifen.
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