DE102013104132A1 - Optoelektronischer Halbleiterchip und optoelektronisches Halbleiterbauteil - Google Patents

Optoelektronischer Halbleiterchip und optoelektronisches Halbleiterbauteil Download PDF

Info

Publication number
DE102013104132A1
DE102013104132A1 DE102013104132.9A DE102013104132A DE102013104132A1 DE 102013104132 A1 DE102013104132 A1 DE 102013104132A1 DE 102013104132 A DE102013104132 A DE 102013104132A DE 102013104132 A1 DE102013104132 A1 DE 102013104132A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
optoelectronic semiconductor
semiconductor chip
radiation exit
conversion element
exit surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE102013104132.9A
Other languages
English (en)
Inventor
Adam Bauer
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority to DE102013104132.9A priority Critical patent/DE102013104132A1/de
Priority to CN201480023789.0A priority patent/CN105144414B/zh
Priority to DE112014002162.8T priority patent/DE112014002162A5/de
Priority to US14/778,556 priority patent/US9793447B2/en
Priority to PCT/EP2014/056261 priority patent/WO2014173623A1/de
Priority to JP2016509355A priority patent/JP6188919B2/ja
Priority to KR1020157032964A priority patent/KR20160002962A/ko
Priority to TW103114472A priority patent/TWI556471B/zh
Publication of DE102013104132A1 publication Critical patent/DE102013104132A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/382—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Abstract

Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben, mit – einer nicht rechteckigen, parallelogrammförmigen Deckfläche (1) und – einer aktiven Zone (21), die beabstandet zur Deckfläche (1) ist und zumindest stellenweise parallel zur Deckfläche (1) verläuft, wobei – die Deckfläche (1) eine Strahlungsaustrittsfläche (11) umfasst, durch die im Betrieb in der aktiven Zone (21) erzeugte elektromagnetische Strahlung austritt, – die Strahlungsaustrittsfläche (11) wenigstens vier Ecken (12) aufweist und – die Deckfläche (1) zumindest eine dreieckige Anschlussfläche (13a, 13b) umfasst, über die die aktive Zone elektrisch anschließbar ist.

Description

  • Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben. Darüber hinaus wird ein optoelektronisches Halbleiterbauteil angegeben.
  • Die Druckschrift US 6,163,036 beschreibt einen optoelektronischen Halbleiterchip sowie ein optoelektronisches Halbleiterbauteil.
  • Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, einen optoelektronischen Halbleiterchip anzugeben, bei dem eine Strahlungsaustrittsfläche besonders groß ausgebildet werden kann. Ferner besteht eine zu lösende Aufgabe darin, ein optoelektronisches Halbleiterbauteil anzugeben, das besonderes einfach und kostengünstig herstellbar ist.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips umfasst der optoelektronische Halbleiterchip eine nicht rechteckige, parallelogrammförmige Deckfläche. Die Deckfläche ist im Rahmen der Herstellungstoleranz parallelogrammförmig. Das heißt, die Deckfläche weist je zwei im Rahmen der Herstellungstoleranz zueinander parallele Begrenzungslinien auf. Die Begrenzungslinien sind dabei mit einer Toleranz von +/–5 % parallel zueinander angeordnet.
  • Die Deckfläche ist durch eine Hauptfläche des optoelektronischen Halbleiterchips gebildet.
  • Die Deckfläche ist einer Bodenfläche des optoelektronischen Halbleiterchips abgewandt. An der Bodenfläche kann der optoelektronische Halbleiterchip beispielsweise zur Montage auf einem Träger vorgesehen sein.
  • Die Deckfläche ist beispielsweise an der Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips ausgebildet und umfasst die gesamte Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips. Der optoelektronische Halbleiterchip kann neben der nicht rechteckigen, parallelogrammförmigen Deckfläche auch eine nicht rechteckige, parallelogrammförmige Querschnittsfläche und eine nicht rechteckige, parallelogrammförmige Bodenfläche aufweisen. Die Querschnittsfläche und die Bodenfläche können im Rahmen der Herstellungstoleranz parallel zur Deckfläche verlaufen.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips umfasst der optoelektronische Halbleiterchip eine aktive Zone. Die aktive Zone ist zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung, beispielsweise von Licht, im Betrieb des optoelektronischen Halbleiterchips vorgesehen. Die aktive Zone ist beabstandet zur Deckfläche im Inneren des optoelektronischen Halbleiterchips angeordnet und verläuft im Rahmen der Herstellungstoleranz zumindest stellenweise parallel zur Deckfläche.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips umfasst die Deckfläche eine Strahlungsaustrittsfläche, durch die im Betrieb in der aktiven Zone erzeugte elektromagnetische Strahlung austritt. Das heißt, die Strahlungsaustrittsfläche ist durch einen Teil der Deckfläche gebildet. Bei der Strahlungsaustrittsfläche handelt es sich beispielsweise um die einzige Strahlungsaustrittsfläche des optoelektronischen Halbleiterchips. Durch Seitenflächen des optoelektronischen Halbleiterchips tritt in diesem Fall kaum oder gar keine in der aktiven Zone erzeugte elektromagnetische Strahlung aus dem Halbleiterchip aus.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips weist die Strahlungsaustrittsfläche wenigstens vier Ecken auf. Die Strahlungsaustrittsfläche kann beispielsweise rechteckig ausgebildet sein. Darüber hinaus ist es möglich, dass die Strahlungsaustrittsfläche durch ein Vieleck, beispielsweise ein Fünfeck oder Sechseck, gebildet ist.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips umfasst die Deckfläche zumindest eine dreieckige Anschlussfläche. Die Anschlussfläche ist dabei im Rahmen der Herstellungstoleranz dreieckig ausgebildet. Die Anschlussfläche ist eine elektrische Anschlussfläche des optoelektronischen Halbleiterchips, über die die aktive Zone elektrisch anschließbar ist. Die Anschlussfläche kann stellenweise oder vollständig von einem elektrisch leitenden Material, beispielsweise einer Metallisierung, bedeckt sein.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips umfasst der optoelektronische Halbleiterchip eine nicht rechteckige, parallelogrammförmige Deckfläche und eine aktive Zone, die beabstandet zur Deckfläche angeordnet ist und zumindest stellenweise parallel zur Deckfläche verläuft. Dabei umfasst die Deckfläche eine Strahlungsaustrittsfläche, durch die im Betrieb in der aktiven Zone erzeugte elektromagnetische Strahlung austritt, wobei die Strahlungsaustrittsfläche wenigstens vier Ecken aufweist. Ferner umfasst die Deckfläche zumindest eine dreieckige Anschlussfläche, über die die aktive Zone elektrisch anschließbar ist.
  • Einem hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterchip liegt unter anderem die Erkenntnis zugrunde, dass an den Enden eines nicht rechteckigen, parallelogrammförmigen Halbleiterchips, der eine nicht rechteckige, parallelogrammförmige Deckfläche aufweist, eine elektrische Anschlussfläche besonders platzsparend ausgebildet werden kann.
  • Weiter ist es möglich hier beschriebene optoelektronische Halbleiterchips in der Herstellung durch Vereinzelungsgräben zu erzeugen, die entlang gerader Linien verlaufen. Bei den Vereinzelungsgräben kann es sich beispielsweise um Sägegräben handeln. Ein Halbleiterwafer mit einer Vielzahl der optoelektronischen Halbleiterchips wird mittels der Vereinzelungsgräben zu den optoelektronischen Halbleiterchips vereinzelt. Die Haupterstreckungsrichtungen von Vereinzelungsgräben, die in unterschiedlichen Richtungen verlaufen, stehen dabei nicht senkrecht aufeinander, sondern sie verlaufen quer zueinander, so dass Halbleiterchips mit parallelogrammförmigen, nicht rechteckigen Deckflächen resultieren.
  • Ferner ist es auf diese Weise möglich, einen optoelektronischen Halbleiterchip mit einer rechteckigen oder fast rechteckigen Strahlungsaustrittsfläche zu realisieren, ohne dass sich die Anschlussfläche des optoelektronischen Halbleiterchips über die gesamte Breite oder die gesamte Länge der Deckfläche des optoelektronischen Halbleiterchips erstrecken muss. Das heißt, mit einem optoelektronischen Halbleiterchip mit einer nicht rechteckigen, parallelogrammförmigen Deckfläche ist es möglich, ein homogenes Leuchtbild durch ein nahezu rechteckiges Gesamtleuchtbild bei gleichzeitig flächenmäßig kleinerer Kontaktfläche im Vergleich zu herkömmlichen, rechteckigen optoelektronischen Halbleiterchips, zu schaffen. Die Strahlungsaustrittsfläche kann beim hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterchip im Verhältnis zur Anschlussfläche besonders groß gewählt werden.
  • Geometrische Begriffe wie „parallel“, „Dreieck“, „Rechteck“ sind hier und im Folgenden, auch wenn dies nicht explizit erwähnt ist, nicht im streng mathematischen Sinne zu verstehen, sondern diese Begriffe beziehen sich auf im Rahmen der Herstellungstoleranz mögliche Ausgestaltung.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips weist die Deckfläche genau eine Strahlungsaustrittsfläche und genau zwei dreieckige Anschlussflächen auf, die an einander gegenüberliegenden Seiten der Deckfläche angeordnet sind. Dabei ist die Strahlungsaustrittsfläche zwischen den beiden dreieckigen Anschlussflächen angeordnet. In diesem Fall besteht die Deckfläche aus der Strahlungsaustrittsfläche und den zwei dreieckigen Anschlussflächen. Die parallelogrammförmige Deckfläche ist also in zwei Dreiecke und zum Beispiel ein Rechteck oder ein Sechseck unterteilt. Auf diese Weise ist es besonders einfach möglich, einen optoelektronischen Halbleiterchip mit einer Strahlungsaustrittsfläche zu schaffen, bei dem die Anschlussflächen in den Ecken der parallelogrammförmigen Deckfläche angeordnet sind. Der Flächenanteil, den die Anschlussflächen an der Deckfläche einnehmen, kann in einfacher Weise über den Winkel, um den das Parallelogramm verkippt ist, eingestellt werden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips ist die Strahlungsaustrittsfläche rechteckig. Dies kann beispielsweise dadurch erreicht werden, dass die Deckfläche in genau eine rechteckige Strahlungsaustrittsfläche und zwei dreieckige Anschlussflächen aufgeteilt wird. Die dreieckigen Anschlussflächen sind dann an zwei gegenüberliegenden Seiten der rechteckigen Strahlungsaustrittsfläche angeordnet.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips ist die Strahlungsaustrittsfläche sechseckig. Das heißt, die Strahlungsaustrittsfläche weist sechs Ecken auf. In diesem Fall sind die dreieckigen Anschlussflächen von ihrer Fläche her besonders klein ausgebildet und umfassen beispielsweise nur die Spitzen der parallelogrammförmigen Deckfläche. Die verbleibende Strahlungsaustrittsfläche ist auf diese Weise besonders groß ausgebildet und dennoch nahezu rechteckförmig, so dass der Halbleiterchip in Anwendungen, in denen beispielsweise nicht quadratische Strahlungsaustrittsflächen gewünscht sind, mit hoher Effizienz eingesetzt werden kann.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips umfasst der optoelektronische Halbleiterchip zumindest eine Durchkontaktierung, die die aktive Zone durchdringt, wobei die Durchkontaktierung mit der zumindest einen dreieckigen Anschlussfläche elektrisch leitend verbunden ist. In diesem Fall weist der optoelektronische Halbleiterchip an der Strahlungsaustrittsfläche keine Leiterbahnen oder Kontaktbahnen auf, mit denen ein Strom zum
  • Betreiben des optoelektronischen Halbleiterchips verteilt wird, sondern die Verteilung des Stroms über die Chipfläche erfolgt unterhalb der Strahlungsaustrittsfläche. Solche optoelektronischen Halbleiterchips, die eine Durchkontaktierung durch die aktive Zone aufweisen, sind vom Prinzip her und für rechteckige Halbleiterchips in der Druckschrift US 2010/0171135 beschrieben, deren Offenbarungsgehalt hiermit ausdrücklich durch Rückbezug aufgenommen ist.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips ist die zumindest eine dreieckige Anschlussfläche drahtkontaktierbar. Das heißt, die dreieckigen Anschlussflächen des optoelektronischen Halbleiterchips sind zur Drahtkontaktierung (englisch: Wirebonding) vorgesehen.
  • Es wird weiter ein optoelektronisches Halbleiterbauteil angegeben. Das optoelektronische Halbleiterbauteil umfasst zumindest einen optoelektronischen Halbleiterchip wie er hier beschrieben ist. Das heißt, sämtliche für den optoelektronischen Halbleiterchip offenbarten Merkmale sind auch für das optoelektronische Halbleiterbauteil offenbart.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil zumindest einen optoelektronischen Halbleiterchip wie er hier beschrieben ist. Das optoelektronische Halbleiterbauteil kann dabei genau einen solchen optoelektronischen Halbleiterchip, zwei oder mehr solche optoelektronische Halbleiterchips umfassen.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil ein Konversionselement. Bei dem Konversionselement handelt es sich beispielsweise um eine Folie oder eine starre Platte, die ein Lumineszenzkonversionsmaterial enthält.
  • Das Konversionsmaterial ist dazu vorgesehen, einen Teil der in der aktiven Zone erzeugten elektromagnetischen Strahlung zu absorbieren und elektromagnetische Strahlung beispielsweise einer größeren Wellenlänge zu re-emittieren.
  • Erzeugt der optoelektronische Halbleiterchip beispielsweise in seiner aktiven Zone blaues Licht, so kann das Konversionselement dazu vorgesehen sein, einen Teil des blauen Lichts zu absorbieren und Licht einer höheren Wellenlänge zu emittieren. Auf diese Weise kann vom Halbleiterbauteil beispielsweise weißes Mischlicht abgestrahlt werden, das sich aus dem vom optoelektronischen Halbleiterchip direkt emittierten Licht und dem konvertierten Licht zusammensetzt. Darüber hinaus ist es möglich, dass das Konversionselement nahezu die gesamte in das Konversionselement eindringende Strahlung des optoelektronischen Halbleiterchips absorbiert und das Halbleiterbauteil somit farbiges Licht emittiert.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils ist das Konversionselement an der Strahlungsaustrittsfläche des zumindest einen optoelektronischen Halbleiterchips angeordnet. Das Konversionselement kann dabei direkt auf die Strahlungsaustrittsfläche des optoelektronischen Halbleiterchips aufgebracht sein. Ferner ist es möglich, dass das Konversionselement über ein Verbindungsmittel, wie beispielsweise einen strahlungsdurchlässigen Klebstoff, mit der Strahlungsaustrittsfläche des zumindest einen optoelektronischen Halbleiterchips verbunden ist.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils ist das Konversionselement im Rahmen der Herstellungstoleranz rechteckig. Das heißt, das Konversionselement ist frei von Ausschnitten oder Ausnehmungen, durch welche sichergestellt wird, dass das Konversionselement die Anschlussfläche oder die Anschlussflächen des optoelektronischen Halbleiterchips nicht bedeckt. Das Konversionselement ist vielmehr zum Beispiel als rechteckiges Plättchen oder rechteckige Folie ausgebildet.
  • Dem optoelektronischen Halbleiterbauteil liegt dabei unter anderem die Idee zugrunde, dass bei herkömmlichen optoelektronischen Halbleiterbauteilen, die keine optoelektronischen Halbleiterchips mit nicht rechteckiger, parallelogrammförmiger Deckfläche aufweisen, in einem Konversionselement Ausnehmungen zum Freihalten der Anschlussflächen vorgesehen sein müssen. Diese Ausnehmungen werden beispielsweise durch Stanzen oder Aussägen aus dem Konversionselement erzeugt. Die Kosten für die Herstellung des optoelektronischen Halbleiterbauteils können nun reduziert werden, da für das hier beschriebene optoelektronische Halbleiterbauteil lediglich unstrukturierte rechteckige Konversionselemente notwendig sind.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils überdeckt das Konversionselement die Strahlungsaustrittsfläche des zumindest einen optoelektronischen Halbleiterchips vollständig. Das heißt, die Strahlungsaustrittsfläche des zumindest einen optoelektronischen Halbleiterchips ist vom Konversionselement vollständig bedeckt, was nicht zwangsläufig heißt, dass das Konversionselement mit der Strahlungsaustrittsfläche in direktem Kontakt steht. Es sind jedoch in diesem Fall keine Teile der Strahlungsaustrittsfläche vorhanden, über denen nicht ein Teil des Konversionselements angeordnet ist.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils steht das Konversionselement stellenweise über eine Seitenfläche des optoelektronischen Halbleiterchips über. Dies ist beispielsweise der Fall, wenn die Strahlungsaustrittsfläche des optoelektronischen Halbleiterchips nicht rechteckig, sondern beispielsweise sechseckig ausgebildet ist. In diesem Fall gibt es benachbart zur dreieckigen Anschlussfläche einen kleinen Bereich des Konversionselements, der der Strahlungsaustrittsfläche nicht direkt nachgeordnet ist, sondern der über eine Seitenfläche des optoelektronischen Halbleiterchips übersteht und damit nicht direkt durch die Strahlungsaustrittsfläche ausgeleuchtet wird. Durch Lichtleitung im Konversionselement ist es jedoch dennoch möglich, dass in der aktiven Zone erzeugte elektromagnetische Strahlung auch in diesem Bereich des Konversionselements eintritt und daher auch aus diesem Bereich des Konversionselements elektromagnetische Strahlung emittiert wird. Die Leuchtfläche des optoelektronischen Halbleiterbauteils wird auf diese Weise erhöht und ist größer als die Strahlungsaustrittsfläche.
  • Ferner können in einem hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauteil zwei oder mehr optoelektronische Halbleiterchips, die von einem einzigen Konversionselement an ihren Strahlungsaustrittsflächen überdeckt werden, zur Bildung großer homogener Leuchtflächen kombiniert werden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils überdeckt das Konversionselement die Strahlungsaustrittsflächen von wenigstens zwei optoelektronischen Halbleiterchips vollständig. Dazu kann aufgrund der Tatsache, dass die Anschlussflächen der optoelektronischen Halbleiterchips dreieckig ausgebildet und in den Ecken der parallelogrammförmigen Deckfläche angeordnet sind, ein rechteckiges Konversionselement Verwendung finden, das mehrere Strahlungsaustrittsflächen vollständig überdeckt.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil zwei optoelektronische Halbleiterchips, die jeweils genau eine dreieckige Anschlussfläche aufweisen, wobei die beiden optoelektronischen Halbleiterchips an ihren den dreieckigen Anschlussflächen jeweils abgewandten Seitenflächen aneinander grenzen und das Konversionselement die Strahlungsaustrittsflächen beider optoelektronischer Halbleiterchips vollständig überdeckt.
  • In diesem Fall wird aus zwei nicht rechteckigen Strahlungsaustrittsflächen der beiden optoelektronischen Halbleiterchips eine rechteckige Strahlungsaustrittsfläche zusammengesetzt, die mit einem unstrukturierten rechteckigen Konversionselement, das frei von Aussparungen für Anschlussflächen der optoelektronischen Halbleiterchips ist, überdeckt ist.
  • Im Folgenden werden die hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterchips sowie die hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauteile anhand von Ausführungsbeispielen und den dazugehörigen Figuren näher erläutert.
  • In Verbindung mit den schematischen Darstellungen der 1A, 1B, 1C, 2A, 2B, 2C, 2D, 3A, 3B, 3C, 3D sind Ausführungsbeispiele von hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterchips näher erläutert.
  • In Verbindung mit den schematischen Darstellungen der 4A, 4B, 5 sind Ausführungsbeispiele von hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauteilen näher erläutert.
  • Anhand der 6A, 6B, 6C ist ein hier beschriebenes optoelektronisches Halbleiterbauteil näher erläutert.
  • Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder für eine bessere Verständlichkeit übertrieben groß dargestellt sein.
  • In Verbindung mit der 1A ist ein erstes Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterchips näher erläutert. Die 1A zeigt eine schematische Aufsicht auf den optoelektronischen Halbleiterchip 100. Der optoelektronische Halbleiterchip 100 umfasst eine nicht rechteckige, parallelogrammförmige Deckfläche 1. Die Deckfläche 1 unterteilt sich in die viereckige Strahlungsaustrittsfläche 11 und die dreieckige Anschlussfläche 13a.
  • Durch die Strahlungsaustrittsfläche 11 tritt im Betrieb im optoelektronischen Halbleiterchip 100 erzeugte elektromagnetische Strahlung aus. Die Strahlungsaustrittsfläche 11 weist im Ausführungsbeispiel der 1A vier Ecken 12 auf. Sie grenzt direkt an die dreieckige Anschlussfläche 13a.
  • Die dreieckige Anschlussfläche 13a ist zur Drahtkontaktierung geeignet. Über die dreieckige Anschlussfläche 13a kann der optoelektronische Halbleiterchip 100 über den Kontaktdraht 30 mit den für den Betrieb erforderlichen elektrischen Strom versorgt werden.
  • Die 1B zeigt in einer schematischen Schnittdarstellung einen möglichen Schnitt durch den optoelektronischen Halbleiterchip 100 entlang der Schnittlinie AA‘. Bei dem optoelektronischen Halbleiterchip handelt es sich in diesem Beispiel um einen Dünnfilmchip, der frei von einem Aufwachssubstrat ist. Der optoelektronische Halbleiterchip 100 umfasst einen p-leitenden Bereich 22, einen n-leitenden Bereich 23 und dazwischen die aktive Zone 21. In der aktiven Zone 21 wird im Betrieb des Halbleiterchips 100 die elektromagnetische Strahlung erzeugt, die dann zumindest zum Teil durch die Strahlungsaustrittsfläche 11 austritt.
  • Die Deckfläche 1 umfasst die Strahlungsaustrittsfläche 11 und die dreieckige Anschlussfläche 13a, die vorliegend beispielsweise als Bondpad ausgebildet ist und über die der optoelektronische Halbleiterchip 100 n-seitig kontaktiert werden kann. An der der Deckfläche 1 abgewandten Unterseite des optoelektronischen Halbleiterchips 100 ist die Spiegelschicht 29 angeordnet, die beispielsweise mit einem reflektierenden Metall wie Silber gebildet sein kann. Der Spiegelschicht 29 kann an der der aktiven Zone 21 abgewandten Seite der Träger 28 nachfolgen, der beispielsweise mit einem elektrisch leitenden Material gebildet ist und über den der optoelektronische Halbleiterchip 100 p-seitig kontaktiert werden kann.
  • Alternativ zum in Verbindung mit der 1B beschriebenen Ausführungsbeispiel kann der optoelektronische Halbleiterchip auch wie in der 1C gezeigt ausgebildet sein. In diesem Fall ist die dreieckige Anschlussfläche 13a nicht auf dem n-leitenden Bereich des optoelektronischen Halbleiterchips 100 angeordnet, sondern neben den Halbleiterschichten 22, 23, 24.
  • Der optoelektronische Halbleiterchip 100 weist in diesem Fall eine Durchkontaktierung 25 auf, die die aktive Zone 21 durchdringt und die eine elektrisch leitende Verbindung zwischen dem n-leitenden Bereich 23 und der dreieckigen Anschlussfläche 13a herstellt. Der optoelektronische Halbleiterchip umfasst wiederum die aktive Zone 21, den p-leitenden Bereich 22 und den n-leitenden Bereich 23.
  • Wie in der 1C gezeigt ist, kann die Strahlungsaustrittsfläche 11 beispielsweise aufgeraut sein, wodurch die Wahrscheinlichkeit für einen Lichtaustritt erhöht ist. Der optoelektronische Halbleiterchip kann zumindest an seinen Seitenflanken eine Passivierung 26 aufweisen. Der optoelektronische Halbleiterchip kann ferner den Spiegel 29 aufweisen, der zwischen dem p-leitenden Bereich 22 und einem p-Anschlussmaterial 24 angeordnet ist. An der Unterseite des optoelektronischen Halbleiterchips 100 kann der Träger 28 über das Verbindungsmittel 27, beispielsweise ein Lotmaterial, befestigt sein.
  • Beim optoelektronischen Halbleiterchip der 1C ist es möglich, dass die Strahlungsaustrittsfläche 11 frei von elektrisch leitenden Strukturen, wie beispielsweise Leiterbahnen ist, die einen elektrischen Strom von der dreieckigen Anschlussfläche 13a über die Strahlungsaustrittsfläche 11 verteilt. Vielmehr wird der n-seitig eingeprägte Strom im Ausführungsbeispiel der 1C unterhalb der Strahlungsaustrittsfläche 11 über die zumindest eine Durchkontaktierung 25 verteilt.
  • In Verbindung mit der 2A ist ein weiteres Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterchips näher erläutert. In diesem Ausführungsbeispiel setzt sich die Deckfläche 11 aus zwei dreieckigen Anschlussflächen 13a, 13b sowie einer rechteckigen Strahlungsaustrittsfläche 11 zusammen.
  • Eine mögliche Realisierung des optoelektronischen Halbleiterchips kann wie in der 2B gezeigt erfolgen. Die Schnittdarstellung der 2B entlang der Schnittlinie AA‘ zeigt einen optoelektronischen Halbleiterchip mit einem p-leitenden Bereich 22, einen n-leitenden Bereich 23 und einer aktiven Zone 21. Der Halbleiterchip 100 weist ferner ein p-Anschlussmaterial 24, ein Verbindungsmittel 27 und einen Träger 28 auf, der beispielsweise elektrisch isolierend ausgebildet ist. Der optoelektronische Halbleiterchip 100 wird über die dreieckigen Anschlussflächen 13a, 13b kontaktiert, wobei über die Anschlussfläche 13b eine p-seitige Kontaktierung des optoelektronischen Halbleiterchips erfolgt. Beide dreieckigen Anschlussflächen 13a, 13b können drahtkontaktierbar sein und sind dann über Kontaktdrähte 30 elektrisch kontaktiert.
  • Die schematische Schnittdarstellung der 2C gezeigt eine weitere mögliche Realisierung des optoelektronischen Halbleiterchips entlang der Schnittlinie AA‘. Der optoelektronische Halbleiterchip umfasst einen p-leitenden Bereich 22, einen n-leitenden Bereich 23 und einer aktiven Zone 21. Diese Bereiche sind epitaktisch auf das Aufwachssubstrat 20 aufgewachsen, das beispielsweise elektrisch isolierend ausgebildet ist. Bei dem Aufwachssubstrat 20 handelt es sich beispielsweise um ein Substrat aus Saphir. An der der aktiven Zone 21 zugewandten Oberseite des Aufwachsubstrats 20 kann eine Strukturierung 20a vorhanden sein, die zur Verbesserung der Lichtauskopplung und/oder einem verbesserten Aufwachsen der nachfolgenden Schichten beitragen kann.
  • Die dreieckigen Anschlussflächen 13a, 13b sind mit den zugehörigen Bereichen des Halbleiterchips elektrisch leitend verbunden. Beispielsweise ist die dreieckige Anschlussfläche 13a über eine Durchkontaktierung 25 mit dem n-leitenden Bereich 23 verbunden.
  • An der der aktiven Zone 21 abgewandten Unterseite des Aufwachsubstrats 20 ist der Spiegel 29 angeordnet, der als Metallspiegel und/oder als dielektrischer Spiegel und/oder als Bragg-Spiegel ausgebildet sein kann.
  • Die schematische Schnittdarstellung der 2D gezeigt eine weitere mögliche Realisierung des optoelektronischen Halbleiterchips entlang der Schnittlinie AA‘. Im Unterschied zum Ausführungsbeispiel der 2C erfolgt ein Austritt von elektromagnetischer Strahlung in diesem Ausführungsbeispiel durch das Aufwachssubstrat 20. Der Spiegel 29 ist an der dem Aufwachssubstrat 20 abgewandten Seite des p-leitenden Bereich 22 angeordnet.
  • In Verbindung mit den 3A und 3B sind anhand schematischer Aufsichten weitere Ausführungsbeispiele von hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterchips näher erläutert. Die optoelektronischen Halbleiterchips können dabei wie in Verbindung mit den 1B, 1C, 2B beschrieben aufgebaut sein.
  • Beim Ausführungsbeispiel der 3A ist die Strahlungsaustrittsfläche 11 des Halbleiterchips 100 sechseckig ausgebildet. Die dreieckigen Anschlussbereiche 13a, 13b können dadurch durch flächenmäßig kleinere Bereiche gebildet werden, als dies beispielsweise für das Ausführungsbeispiel der 2A der Fall ist.
  • Im Ausführungsbeispiel der 3B ist die Strahlungsaustrittsfläche 11 durch ein Fünfeck gebildet, wobei der optoelektronische Halbleiterchip lediglich eine einzige dreieckige Anschlussfläche 13a aufweist, die drahtkontaktierbar ausgebildet ist. Der zweite elektrische Anschluss kann beispielsweise durch die Unterseite eines Trägers 28 ausgebildet sein, wie dies in der 1B dargestellt ist.
  • Im Ausführungsbeispiel der 3C ist die Strahlungsaustrittsfläche 11 durch ein Sechseck gebildet. Die dreieckigen Anschlussflächen 13a, 13b sind in diesem Ausführungsbeispiel hinsichtlich ihrer Fläche besonders klein ausgebildet. Die Anschlussflächen 13a, 13b umfassen lediglich die äußersten Spitzen der Deckfläche und sind, anders als bei den zuvor beschriebenen Ausführungsbeispielen, nicht als rechtwinklige Dreiecke ausgebildet.
  • Beim Ausführungsbeispiel der 3D erstrecken sich von den dreieckigen Anschlussflächen 13a, 13b jeweils Stromverteilungsbahnen 30 über die Strahlungsaustrittsfläche 11. Solche Stromverteilungsbahnen 30 können auch bei anderen hier beschriebenen Ausführungsbeispielen des Halbleiterchips 100 vorhanden sein. Die Stromverteilungsbahnen 30 sind elektrisch leitend mit einer zugeordneten Anschlussfläche 13a, 13b verbunden. Mit den Stromverteilungsbahnen 30 kann über die Anschlussflächen eingeprägter Strom besonders gleichmäßig über die Strahlungsaustrittsfläche 11 und damit besonders gleichmäßig über die aktive Zone 21 verteilt werden. Die Stromverteilungsbahnen 30 können mit einem Metall und/oder mit einem transparenten leitfähigen Oxid gebildet sein.
  • In Verbindung mit der 4A ist anhand einer schematischen Draufsicht ein erstes Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauteils näher erläutert. Das optoelektronische Halbleiterbauteil umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip 100, wie er beispielsweise in Verbindung mit der 3A beschrieben ist. Der optoelektronische Halbleiterchip 100 weist eine Strahlungsaustrittsfläche 11 mit sechs Ecken auf. Ferner weist der Halbleiterchip 100 an seiner Deckfläche 1 zwei dreieckige Anschlussflächen 13a, 13b, die in den Ecken der parallelogrammförmigen Deckfläche 1 angeordnet sind, auf.
  • Die gesamte Strahlungsaustrittsfläche 11 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 ist vom Konversionselement 3 überdeckt. Das Konversionselement 3 ist rechteckig ausgebildet und steht in kleinen Bereichen über die Seitenflächen 100c des optoelektronischen Halbleiterchips und damit über die Strahlungsaustrittsfläche über. Das Konversionselement 3 ist frei von Aussparungen oder Ausnehmungen, durch die hindurch die Anschlussflächen kontaktiert werden können. Es handelt sich daher bei dem Konversionselement 3 um ein unstrukturiertes, rechteckiges Konversionselement.
  • In Verbindung mit dem Ausführungsbeispiel der 4B ist ein optoelektronisches Halbleiterbauteil mit zwei optoelektronischen Halbleiterchips 100 gezeigt, bei denen die Strahlungsaustrittsflächen 11 jeweils fünfeckig ausgebildet sind. Jeder optoelektronische Halbleiterchip 100 weist eine einzige dreieckige Anschlussfläche 13a auf, die zusammen mit der fünfeckigen Strahlungsaustrittsfläche 11 die Deckfläche 1 des zugeordneten optoelektronischen Halbleiterchips bildet.
  • Ein einziges, rechteckiges Konversionselement 3 überdeckt die beiden Halbleiterchips 100 an ihren Strahlungsaustrittsflächen vollständig. Für jeden der optoelektronischen Halbleiterchips gibt es einen kleinen Bereich des Konversionselements 3, in dem das Konversionselement 3 über die Seitenfläche 100c des jeweiligen Halbleiterchips 100 übersteht. Die optoelektronischen Halbleiterchips sind dabei wie in Verbindung mit der 3B beschrieben ausgeführt.
  • In Verbindung mit der 5 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauteils gezeigt. In diesem Ausführungsbeispiel umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil zwei optoelektronische Halbleiterchips 100, wie sie in Verbindung mit der 3A beschrieben sind. Das heißt, jeder Halbleiterchip 100 umfasst eine Deckfläche 1, die sich aus einer sechseckigen Strahlungsaustrittsfläche 11 und zwei dreieckigen Anschlussflächen 13a, 13b zusammensetzt. Die beiden Halbleiterchips sind an ihren Seitenflächen 100a benachbart zueinander angeordnet und werden von einem einzigen rechteckigen Konversionselement 3 überdeckt. Mit einem solchen optoelektronischen Halbleiterbauteil ist es möglich, eine besonders große leuchtende Fläche auszubilden, die durch die den Halbleiterchips 100 abgewandte Oberseite des Konversionselements 3 gebildet ist.
  • In den 6A, 6B, 6C sind anhand schematischer Aufsichten optoelektronische Halbleiterbauteil gezeigt, bei denen der optoelektronische Halbleiterchip 100 keine dreieckige Anschlussfläche aufweist, aber ein rechteckiges Konversionselement 3 verwendet wird. In den gezeigten Beispielen ist jeweils zumindest eine rechteckige Anschlussfläche 130 vorhanden.
  • Beim Beispiel der 6A gibt es große Bereiche, in denen das Konversionselement 3 über die Strahlungsaustrittsfläche 11 übersteht. Diese Bereiche des Konversionselements 3 können auch durch Lichtleitung nicht mehr ausreichend ausgeleuchtet werden, so dass diese Lösung unwirtschaftlich ist.
  • Beim Beispiel der 6B erstreckt sich eine rechteckige Anschlussfläche 130 entlang der gesamten Länge des Halbleiterchips. Hier kann zwar ein rechteckiges Konversionselement 3 Verwendung finden, dass die gesamte Strahlungsaustrittsfläche 11 bedeckt. Jedoch wird durch die rechteckige Anschlussfläche 130 ein großer Bereich der Deckfläche des Halbleiterchips abgedeckt, so dass auch diese Lösung unwirtschaftlich ist, da die Strahlungsaustrittsfläche 11 im Verhältnis zur Fläche der Anschlussfläche 130 relativ klein gewählt werden muss.
  • Im Beispiel der 6C ergibt sich ein ähnliches Problem für eine Anordnung von rechteckigen Anschlussflächen 130 an der kürzeren Seite der Deckfläche. Auch hier wird die Strahlungsaustrittsfläche zu stark reduziert.
  • Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • US 6163036 [0002]
    • US 2010/0171135 [0021]

Claims (10)

  1. Optoelektronischer Halbleiterchip mit – einer nicht rechteckigen, parallelogrammförmigen Deckfläche (1) und – einer aktiven Zone (21), die beabstandet zur Deckfläche (1) ist und zumindest stellenweise parallel zur Deckfläche (1) verläuft, wobei – die Deckfläche (1) eine Strahlungsaustrittsfläche (11) umfasst, durch die im Betrieb in der aktiven Zone (21) erzeugte elektromagnetische Strahlung austritt, – die Strahlungsaustrittsfläche (11) wenigstens vier Ecken (12) aufweist und – die Deckfläche (1) zumindest eine dreieckige Anschlussfläche (13a, 13b) umfasst, über die die aktive Zone elektrisch anschließbar ist.
  2. Optoelektronischer Halbleiterchip nach dem vorherigen Anspruch, bei dem die Deckfläche (1) genau eine Strahlungsaustrittsfläche (11) und genau zwei dreieckige Anschlussflächen (13a, 13b) umfasst, die an einander gegenüberliegenden Seiten der Deckfläche (1) angeordnet sind, wobei die Strahlungsaustrittsfläche (11) zwischen den beiden dreieckigen Anschlussflächen (13a, 13b) angeordnet ist.
  3. Optoelektronischer Halbleiterchip nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem die Strahlungsaustrittsfläche (11) rechteckig ist.
  4. Optoelektronischer Halbleiterchip nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem die Strahlungsaustrittsfläche (11) sechs Ecken (12) aufweist.
  5. Optoelektronischer Halbleiterchip nach einem der vorherigen Ansprüche mit zumindest einer Durchkontaktierung (25), die die aktive Zone (21) durchdringt, wobei die Durchkontaktierung (25) mit der zumindest einen dreieckigen Anschlussfläche (13a, 13b) elektrisch leitend verbunden ist.
  6. Optoelektronischer Halbleiterchip nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem die zumindest eine dreieckige Anschlussfläche (13a, 13b) drahtkontaktierbar ist.
  7. Optoelektronisches Halbleiterbauteil mit – zumindest einem optoelektronischen Halbleiterchip (100) nach einem der vorherigen Ansprüche und – einem Konversionselement (3), das an der Strahlungsaustrittsfläche (11) des zumindest einen optoelektronischen Halbleiterchips angeordnet ist, wobei – das Konversionselement (3) rechteckig ist und – das Konversionselement (3) die Strahlungsaustrittsfläche (11) vollständig überdeckt.
  8. Optoelektronisches Halbleiterbauteil nach dem vorherigen Anspruch, bei dem das Konversionselement (3) stellenweise über eine Seitenfläche (100c) des optoelektronischen Halbleiterchips (100) übersteht.
  9. Optoelektronisches Halbleiterbauteil nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem das Konversionselement (3) die Strahlungsaustrittsflächen (11) von wenigstens zwei optoelektronischen Halbleiterchips (100) vollständig überdeckt.
  10. Optoelektronisches Halbleiterbauteil nach einem der vorherigen Ansprüche mit – zwei optoelektronischen Halbleiterchips (100), die jeweils genau eine dreieckige Anschlussfläche (13a, 13b) aufweisen, wobei – die beiden optoelektronischen Halbleiterchips (100) an ihren den dreieckigen Anschlussflächen (13a, 13b) jeweils abgewandten Seitenflächen (100b) aneinander grenzen und – das Konversionselement (3) die Strahlungsaustrittsflächen (11) beider optoelektronischer Halbleiterchips (100) vollständig überdeckt.
DE102013104132.9A 2013-04-24 2013-04-24 Optoelektronischer Halbleiterchip und optoelektronisches Halbleiterbauteil Withdrawn DE102013104132A1 (de)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102013104132.9A DE102013104132A1 (de) 2013-04-24 2013-04-24 Optoelektronischer Halbleiterchip und optoelektronisches Halbleiterbauteil
CN201480023789.0A CN105144414B (zh) 2013-04-24 2014-03-28 光电半导体芯片和光电半导体组件
DE112014002162.8T DE112014002162A5 (de) 2013-04-24 2014-03-28 Optoelektronischer Halbleiterchip und optoelektronisches Halbleiterbauteil
US14/778,556 US9793447B2 (en) 2013-04-24 2014-03-28 Optoelectronic semiconductor chip and optoelectronic semiconductor component
PCT/EP2014/056261 WO2014173623A1 (de) 2013-04-24 2014-03-28 Optoelektronischer halbleiterchip und optoelektronisches halbleiterbauteil
JP2016509355A JP6188919B2 (ja) 2013-04-24 2014-03-28 オプトエレクトロニクス半導体チップ及びオプトエレクトロニクス半導体部品
KR1020157032964A KR20160002962A (ko) 2013-04-24 2014-03-28 광전자 반도체 칩 및 광전자 반도체 컴포넌트
TW103114472A TWI556471B (zh) 2013-04-24 2014-04-22 光電半導體晶片及光電半導體組件

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102013104132.9A DE102013104132A1 (de) 2013-04-24 2013-04-24 Optoelektronischer Halbleiterchip und optoelektronisches Halbleiterbauteil

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102013104132A1 true DE102013104132A1 (de) 2014-10-30

Family

ID=50390101

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102013104132.9A Withdrawn DE102013104132A1 (de) 2013-04-24 2013-04-24 Optoelektronischer Halbleiterchip und optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE112014002162.8T Pending DE112014002162A5 (de) 2013-04-24 2014-03-28 Optoelektronischer Halbleiterchip und optoelektronisches Halbleiterbauteil

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE112014002162.8T Pending DE112014002162A5 (de) 2013-04-24 2014-03-28 Optoelektronischer Halbleiterchip und optoelektronisches Halbleiterbauteil

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9793447B2 (de)
JP (1) JP6188919B2 (de)
KR (1) KR20160002962A (de)
CN (1) CN105144414B (de)
DE (2) DE102013104132A1 (de)
TW (1) TWI556471B (de)
WO (1) WO2014173623A1 (de)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102013104132A1 (de) 2013-04-24 2014-10-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und optoelektronisches Halbleiterbauteil
US20190164945A1 (en) * 2017-11-27 2019-05-30 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode for display and display apparatus having the same
DE102020130211A1 (de) * 2020-11-16 2022-05-19 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung zumindest eines optoelektronischen Halbleiterbauteils

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19953160A1 (de) * 1998-11-20 2000-05-31 Hewlett Packard Co Verbesserte Elektrodenstrukturen für lichtemittierende Bauelemente
US6163036A (en) 1997-09-15 2000-12-19 Oki Data Corporation Light emitting element module with a parallelogram-shaped chip and a staggered chip array
US20060231852A1 (en) * 2002-08-01 2006-10-19 Nichia Corporation Semiconductor light-emitting device, method for manufacturing same and light-emitting apparatus using same
DE102008005497A1 (de) * 2008-01-22 2009-07-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und eines Wafers
US20100102336A1 (en) * 2008-10-29 2010-04-29 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting diode for ac operation
US20100171135A1 (en) 2007-04-26 2010-07-08 Karl Engl Optoelectronic Semiconductor Body and Method for Producing the Same

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003023178A (ja) * 2001-07-06 2003-01-24 Shiro Sakai 窒化ガリウム系発光素子
US20030137031A1 (en) * 2002-01-23 2003-07-24 Tai-Fa Young Semiconductor device having a die with a rhombic shape
US20050127374A1 (en) * 2003-12-16 2005-06-16 Chao-Huang Lin Light-emitting device and forming method thereof
US7906788B2 (en) 2004-12-22 2011-03-15 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting device, illumination module, illumination apparatus, method for manufacturing semiconductor light emitting device, and method for manufacturing semiconductor light emitting element
US20070158804A1 (en) * 2006-01-10 2007-07-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and RFID tag
US8481977B2 (en) * 2006-03-24 2013-07-09 Goldeneye, Inc. LED light source with thermally conductive luminescent matrix
JP2008041626A (ja) * 2006-08-10 2008-02-21 Mimaki Denshi Buhin Kk 色変換板
JP4823866B2 (ja) * 2006-11-13 2011-11-24 株式会社小糸製作所 車両用灯具の発光モジュール
WO2009148176A1 (en) 2008-06-02 2009-12-10 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting apparatus and light source apparatus using the same
JP5410167B2 (ja) 2009-06-12 2014-02-05 株式会社小糸製作所 発光モジュールおよび車両用前照灯
US20120234375A1 (en) * 2009-11-17 2012-09-20 Mitsubishi Electric Corporation Thin film solar cell and method of manufacturing the same
WO2011145794A1 (ko) * 2010-05-18 2011-11-24 서울반도체 주식회사 파장변환층을 갖는 발광 다이오드 칩과 그 제조 방법, 및 그것을 포함하는 패키지 및 그 제조 방법
JP2011249573A (ja) * 2010-05-27 2011-12-08 三菱電機照明株式会社 発光装置及び波長変換シート及び照明装置
DE102011010118A1 (de) * 2011-02-02 2012-08-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Keramisches Konversionselement, Halbleiterchip mit einem keramischen Konversionselement und Verfahren zur Herstellung eines keramischen Konversionselements
JP2012169189A (ja) 2011-02-15 2012-09-06 Koito Mfg Co Ltd 発光モジュールおよび車両用灯具
JP5843859B2 (ja) 2011-07-01 2016-01-13 シチズンホールディングス株式会社 半導体発光素子の製造方法
JP2013055187A (ja) * 2011-09-02 2013-03-21 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光素子アレイ及び車両用灯具
US8937323B2 (en) * 2011-09-02 2015-01-20 Stanley Electric Co., Ltd. LED array capable of reducing uneven brightness distribution
DE102013104132A1 (de) 2013-04-24 2014-10-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und optoelektronisches Halbleiterbauteil

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6163036A (en) 1997-09-15 2000-12-19 Oki Data Corporation Light emitting element module with a parallelogram-shaped chip and a staggered chip array
DE19953160A1 (de) * 1998-11-20 2000-05-31 Hewlett Packard Co Verbesserte Elektrodenstrukturen für lichtemittierende Bauelemente
US20060231852A1 (en) * 2002-08-01 2006-10-19 Nichia Corporation Semiconductor light-emitting device, method for manufacturing same and light-emitting apparatus using same
US20100171135A1 (en) 2007-04-26 2010-07-08 Karl Engl Optoelectronic Semiconductor Body and Method for Producing the Same
DE102008005497A1 (de) * 2008-01-22 2009-07-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und eines Wafers
US20100102336A1 (en) * 2008-10-29 2010-04-29 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting diode for ac operation

Also Published As

Publication number Publication date
TWI556471B (zh) 2016-11-01
WO2014173623A1 (de) 2014-10-30
TW201503413A (zh) 2015-01-16
CN105144414A (zh) 2015-12-09
JP2016521004A (ja) 2016-07-14
US9793447B2 (en) 2017-10-17
DE112014002162A5 (de) 2016-01-14
JP6188919B2 (ja) 2017-08-30
US20160276552A1 (en) 2016-09-22
CN105144414B (zh) 2018-06-12
KR20160002962A (ko) 2016-01-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2901479B1 (de) Optoelektronisches bauelement
EP2583319B1 (de) Optoelektronisches bauteil
DE112015002796B4 (de) Optoelektronischer Halbleiterchip
DE102005025416A1 (de) Lumineszenzdiodenchip mit einer Kontaktstruktur
DE102007022947A1 (de) Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines solchen
EP2415077B1 (de) Optoelektronisches bauelement
DE102006015117A1 (de) Optoelektronischer Scheinwerfer, Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Scheinwerfers und Lumineszenzdiodenchip
DE102009019161A1 (de) Leuchtdiode und Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode
DE102010048159A1 (de) Leuchtdiodenchip
WO2014154632A1 (de) Halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements
EP2340568A1 (de) Optoelektronischer halbleiterkörper
WO2015010997A1 (de) Oberflächenmontierbares optoelektronisches halbleiterbauteil und verfahren zur herstellung zumindest eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen halbleiterbauteils
DE102014101492A1 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauelement
DE102015104886A1 (de) Optoelektronischer Halbleiterchip, optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
DE102017111706A1 (de) Lichtemissionsvorrichtung
WO2013124420A1 (de) Verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements und derart hergestelltes optoelektronisches bauelement
EP2609633B1 (de) Strahlungsemittierendes bauelement und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden bauelements
WO2016074914A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauteil und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauteils
DE102013104132A1 (de) Optoelektronischer Halbleiterchip und optoelektronisches Halbleiterbauteil
EP2304816B1 (de) Elektrolumineszierende vorrichtung und verfahren zur herstellung einer elektrolumineszierenden vorrichtung
EP2537163B1 (de) Elektrisches widerstandselement geignet für leuchtdioden, laserdioden oder fotodetektoren
EP2619807B1 (de) Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zu dessen herstellung
DE102013212294A1 (de) Optoelektronischer Halbleiterchip
WO2020178021A1 (de) Strahlungsemittierender halbleiterchip, strahlungsemittierendes halbleiterbauelement und scheinwerfer
DE102019119891A1 (de) Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterchips

Legal Events

Date Code Title Description
R163 Identified publications notified
R118 Application deemed withdrawn due to claim for domestic priority