JP2003023178A - 窒化ガリウム系発光素子 - Google Patents
窒化ガリウム系発光素子Info
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- JP2003023178A JP2003023178A JP2001206718A JP2001206718A JP2003023178A JP 2003023178 A JP2003023178 A JP 2003023178A JP 2001206718 A JP2001206718 A JP 2001206718A JP 2001206718 A JP2001206718 A JP 2001206718A JP 2003023178 A JP2003023178 A JP 2003023178A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＧａＮ系発光素子の発光効率を向上させる。
【解決手段】 基板１０上にｎ型ＧａＮ層１２、ｎ型Ｓ
ＬＳ層１４、発光層１６、ｐ型ＳＬＳ層１７、ｐ型Ｇａ
Ｎ層１８、ｐ型電極パッド２０、ｎ型電極パッド２２、
透明電極２４を形成する。発光層１６からの波長３６０
ｎｍ以下の光はｐ型電極パッド２０で遮蔽され、ｎ型Ｇ
ａＮ層１２で吸収される。ｐ型メサ領域の面積を１ｍｍ
２以上とすることで、コスト増を招くことなく光取り出
し効率を上げることができる。
ＬＳ層１４、発光層１６、ｐ型ＳＬＳ層１７、ｐ型Ｇａ
Ｎ層１８、ｐ型電極パッド２０、ｎ型電極パッド２２、
透明電極２４を形成する。発光層１６からの波長３６０
ｎｍ以下の光はｐ型電極パッド２０で遮蔽され、ｎ型Ｇ
ａＮ層１２で吸収される。ｐ型メサ領域の面積を１ｍｍ
２以上とすることで、コスト増を招くことなく光取り出
し効率を上げることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は窒化ガリウム系発光
素子、特にＵＶ−ＬＥＤのチップ構造に関する。
素子、特にＵＶ−ＬＥＤのチップ構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】発光層にＧａＮやＡｌＧａＮを用いた窒
化ガリウム（ＧａＮ）系発光素子は短波長（波長３５０
ｎｍ帯）ＬＥＤ等に広く応用されている。
化ガリウム（ＧａＮ）系発光素子は短波長（波長３５０
ｎｍ帯）ＬＥＤ等に広く応用されている。
【０００３】このようなＬＥＤにおいては、層構造の一
部に０．１μｍ以上のＧａＮ層を形成する場合が多い。
例えば、サファイアやＳｉＣ等の基板上にまずＧａＮ層
を成長させ、このＧａＮ層上にデバイス構造を成長させ
る。このＧａＮ層はデバイス構造中の転位を減らすため
に重要な機能を有しており、ＧａＮやＡｌＧａＮを発光
層とするＬＥＤではその発光効率が転位密度に大きく依
存するため、ＧａＮ層の存在が極めて重要となる。
部に０．１μｍ以上のＧａＮ層を形成する場合が多い。
例えば、サファイアやＳｉＣ等の基板上にまずＧａＮ層
を成長させ、このＧａＮ層上にデバイス構造を成長させ
る。このＧａＮ層はデバイス構造中の転位を減らすため
に重要な機能を有しており、ＧａＮやＡｌＧａＮを発光
層とするＬＥＤではその発光効率が転位密度に大きく依
存するため、ＧａＮ層の存在が極めて重要となる。
【０００４】一方、ＬＥＤの外部量子効率（＝チップの
外に出てきたフォトン数／ＬＥＤに流した電子数）は、
光の取り出し効率（＝チップの中で発生したフォトン数
／チップの外に出てきたフォトン数）が同じであればチ
ップサイズには依存しない。但し、実際のデバイス構造
としては有限の大きさのワイヤボンド用の電極パッドが
必要となるため、チップサイズが小さくなると電極パッ
ドで遮蔽される割合が大きくなるので光の取り出し効率
が低下し、外部量子効率も低下する。ここで、チップ内
に光吸収層が存在しない場合には、内部で光反射がある
ものの、いずれ外部に光が射出されるためチップサイズ
には依存しない。
外に出てきたフォトン数／ＬＥＤに流した電子数）は、
光の取り出し効率（＝チップの中で発生したフォトン数
／チップの外に出てきたフォトン数）が同じであればチ
ップサイズには依存しない。但し、実際のデバイス構造
としては有限の大きさのワイヤボンド用の電極パッドが
必要となるため、チップサイズが小さくなると電極パッ
ドで遮蔽される割合が大きくなるので光の取り出し効率
が低下し、外部量子効率も低下する。ここで、チップ内
に光吸収層が存在しない場合には、内部で光反射がある
ものの、いずれ外部に光が射出されるためチップサイズ
には依存しない。
【０００５】図２には、チップサイズが大きい場合
（ａ）と小さい場合（ｂ）が示されている。両チップと
も同一面積の電極パッド２０が表面に形成されており、
チップ面積が小さいと電極パッド２０の占有面積が相対
的に大きくなる。そのため、チップ面積の小さい（ｂ）
の場合には、相対的に電極パッド２０で遮蔽されて発光
層１６から直接外部に射出する光の割合は低下するが、
図示の如く電極パッド２０で遮蔽された光もさらに他の
層との界面で反射されて電極パッド２０の存在しない領
域から外部に射出される。
（ａ）と小さい場合（ｂ）が示されている。両チップと
も同一面積の電極パッド２０が表面に形成されており、
チップ面積が小さいと電極パッド２０の占有面積が相対
的に大きくなる。そのため、チップ面積の小さい（ｂ）
の場合には、相対的に電極パッド２０で遮蔽されて発光
層１６から直接外部に射出する光の割合は低下するが、
図示の如く電極パッド２０で遮蔽された光もさらに他の
層との界面で反射されて電極パッド２０の存在しない領
域から外部に射出される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、転位密度を
低減するための上記のＧａＮ層やＡｌＧａＮ層は、波長
３６０ｎｍ以下の短波長を吸収する特性を有しており、
したがってチップ面積の小さい（ｂ）のような場合に
は、電極パッド２０で遮蔽された光を吸収してしまい、
光取り出し効率が低下してしまう問題があった。
低減するための上記のＧａＮ層やＡｌＧａＮ層は、波長
３６０ｎｍ以下の短波長を吸収する特性を有しており、
したがってチップ面積の小さい（ｂ）のような場合に
は、電極パッド２０で遮蔽された光を吸収してしまい、
光取り出し効率が低下してしまう問題があった。
【０００７】図３には、図２において光吸収層としての
ＧａＮ層が存在する場合が示されている。図２の場合と
異なり、電極パッド２０で遮蔽された光はＧａＮ層１２
で吸収されてしまい外部に射出されない。したがって、
チップ面積が小さい場合には電極パッド２０による遮蔽
の影響が大きくなり、光の取り出し効率及び外部量子効
率が低下してしまう問題があった。
ＧａＮ層が存在する場合が示されている。図２の場合と
異なり、電極パッド２０で遮蔽された光はＧａＮ層１２
で吸収されてしまい外部に射出されない。したがって、
チップ面積が小さい場合には電極パッド２０による遮蔽
の影響が大きくなり、光の取り出し効率及び外部量子効
率が低下してしまう問題があった。
【０００８】本発明は、上記従来技術の有する課題に鑑
みなされたものであり、その目的は、波長３６０ｎｍ以
下の光を吸収するＧａＮ層やＡｌＧａＮ層などを有する
発光素子において、その発光効率を向上させることにあ
る。
みなされたものであり、その目的は、波長３６０ｎｍ以
下の光を吸収するＧａＮ層やＡｌＧａＮ層などを有する
発光素子において、その発光効率を向上させることにあ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、基板上にＧａＮ層及びＧａＮ系発光層を
備え、前記ＧａＮ系発光層上の少なくとも一部に電極パ
ッドを有する窒化ガリウム系発光素子であって、前記Ｇ
ａＮ系発光層の領域面積が１ｍｍ2以上であることを特
徴とする。
に、本発明は、基板上にＧａＮ層及びＧａＮ系発光層を
備え、前記ＧａＮ系発光層上の少なくとも一部に電極パ
ッドを有する窒化ガリウム系発光素子であって、前記Ｇ
ａＮ系発光層の領域面積が１ｍｍ2以上であることを特
徴とする。
【００１０】また、本発明は、基板上に順次ｎ型ＧａＮ
層、ＧａＮ系発光層、ｐ型ＧａＮ層が形成され、前記ｐ
型ＧａＮ層の一部にｐ型電極パッドが形成され、前記Ｇ
ａＮ系発光層及びｐ型ＧａＮ系層がメサ形状にエッチン
グされて前記ｎ型ＧａＮ層の一部にｎ型電極パッドが形
成された窒化ガリウム系発光素子であって、前記メサ形
状の領域面積が１ｍｍ2以上であることを特徴とする。
層、ＧａＮ系発光層、ｐ型ＧａＮ層が形成され、前記ｐ
型ＧａＮ層の一部にｐ型電極パッドが形成され、前記Ｇ
ａＮ系発光層及びｐ型ＧａＮ系層がメサ形状にエッチン
グされて前記ｎ型ＧａＮ層の一部にｎ型電極パッドが形
成された窒化ガリウム系発光素子であって、前記メサ形
状の領域面積が１ｍｍ2以上であることを特徴とする。
【００１１】本発明の発光素子において、前記領域面積
を１ｍｍ2以上１０ｍｍ2以下とすることが好適である。
を１ｍｍ2以上１０ｍｍ2以下とすることが好適である。
【００１２】また、本発明は、基板上にＧａＮ層及びＧ
ａＮ系発光層を備え、前記ＧａＮ系発光層上の少なくと
も一部に電極パッドを有する窒化ガリウム系発光素子で
あって、前記ＧａＮ系発光層の領域面積を前記電極パッ
ドの面積に対して４００倍以上とすることを特徴とす
る。
ａＮ系発光層を備え、前記ＧａＮ系発光層上の少なくと
も一部に電極パッドを有する窒化ガリウム系発光素子で
あって、前記ＧａＮ系発光層の領域面積を前記電極パッ
ドの面積に対して４００倍以上とすることを特徴とす
る。
【００１３】このように、本発明の発光素子では、発光
層からの光がＧａＮ層で吸収される（ＧａＮの光吸収は
波長３６０ｎｍから始まり、３５０ｎｍでは吸収長はお
よそ０．１μｍとなる）ことを考慮し、電極パッドに対
する発光層あるいはメサ形状の領域面積を増大させるこ
とで吸収による光取り出し効率の低下を抑制する。具体
的には、後述するように発光層あるいはメサ形状の領域
面積が１ｍｍ2以上、あるいは発光層と電極パッドの面
積比率でいえば４００以上であれば光取り出し効率の低
下を抑制でき、高い発光効率を得ることができる。な
お、発光層あるいはメサ形状をあまりに大きくすると１
枚のウエハから作成できる素子数が減少するため、コス
ト的には上限を１０ｍｍ2程度とすることが好ましい。
層からの光がＧａＮ層で吸収される（ＧａＮの光吸収は
波長３６０ｎｍから始まり、３５０ｎｍでは吸収長はお
よそ０．１μｍとなる）ことを考慮し、電極パッドに対
する発光層あるいはメサ形状の領域面積を増大させるこ
とで吸収による光取り出し効率の低下を抑制する。具体
的には、後述するように発光層あるいはメサ形状の領域
面積が１ｍｍ2以上、あるいは発光層と電極パッドの面
積比率でいえば４００以上であれば光取り出し効率の低
下を抑制でき、高い発光効率を得ることができる。な
お、発光層あるいはメサ形状をあまりに大きくすると１
枚のウエハから作成できる素子数が減少するため、コス
ト的には上限を１０ｍｍ2程度とすることが好ましい。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づき本発明の実施
形態について説明する。
形態について説明する。
【００１５】図１には、本実施形態に係るＵＶ−ＬＥＤ
の平面図（ａ）及び縦断面図（ｂ）が示されている。サ
ファイア基板１０上にＭＯＣＶＤ等により１０７０度の
高温でｎ型ＧａＮ層１２を０．４μｍ形成する。なお、
ｎ型ＧａＮ層１２を形成するに先立ち、まず５００度の
低温でＳｉＮ及びＧａＮを順次形成し、その後ｎ型Ｇａ
Ｎ層１２を形成することが好適である。これにより転位
密度を一層低減することができる。
の平面図（ａ）及び縦断面図（ｂ）が示されている。サ
ファイア基板１０上にＭＯＣＶＤ等により１０７０度の
高温でｎ型ＧａＮ層１２を０．４μｍ形成する。なお、
ｎ型ＧａＮ層１２を形成するに先立ち、まず５００度の
低温でＳｉＮ及びＧａＮを順次形成し、その後ｎ型Ｇａ
Ｎ層１２を形成することが好適である。これにより転位
密度を一層低減することができる。
【００１６】次に、ＳｉをドープしたＡｌＧａＮとＳｉ
をドープしたＧａＮを交互に積層したｎ型超格子（ＳＬ
Ｓ：Strained Layer Super Lattice）層１４を２μｍ形
成し、アンドープＡｌＧａＮ／ＧａＮ／ＡｌＧａＮ量子
井戸発光層１６を形成する。もちろん、発光層１６とし
てＩｎＧａＮを用いることも可能である。
をドープしたＧａＮを交互に積層したｎ型超格子（ＳＬ
Ｓ：Strained Layer Super Lattice）層１４を２μｍ形
成し、アンドープＡｌＧａＮ／ＧａＮ／ＡｌＧａＮ量子
井戸発光層１６を形成する。もちろん、発光層１６とし
てＩｎＧａＮを用いることも可能である。
【００１７】発光層１６上にＭｇをドープしたＡｌＧａ
ＮとＭｇをドープしたＧａＮを交互に積層し、特定波長
（例えば４．５μｍ）の電磁波を照射したｐ型超格子層
１７を０．１５μｍ形成する。特定波長の電磁波を照射
するのはｐ型不純物であるＭｇとＨとの結合体を解離さ
せＭｇをアクセプタとして活性化させるためである。ｐ
型超格子層１７を形成した後、ｐ型ＧａＮ層１８を２０
ｎｍ程度形成する。
ＮとＭｇをドープしたＧａＮを交互に積層し、特定波長
（例えば４．５μｍ）の電磁波を照射したｐ型超格子層
１７を０．１５μｍ形成する。特定波長の電磁波を照射
するのはｐ型不純物であるＭｇとＨとの結合体を解離さ
せＭｇをアクセプタとして活性化させるためである。ｐ
型超格子層１７を形成した後、ｐ型ＧａＮ層１８を２０
ｎｍ程度形成する。
【００１８】ＰＮ接合構造を形成した後、ｎ型ＧａＮ層
１２が部分的に露出するまで表面の一部をエッチング
し、露出したｎ型ＧａＮ層１２上にｎ型電極パッド２２
としてＡｌパッドを蒸着やスパッタにより形成する。ま
た、エッチングされずに残ったメサ形状のｐ型ＧａＮ層
１８上の一部にｐ型電極パッド２０としてＰｔ／Ａｕパ
ッドを蒸着やスパッタで形成する。
１２が部分的に露出するまで表面の一部をエッチング
し、露出したｎ型ＧａＮ層１２上にｎ型電極パッド２２
としてＡｌパッドを蒸着やスパッタにより形成する。ま
た、エッチングされずに残ったメサ形状のｐ型ＧａＮ層
１８上の一部にｐ型電極パッド２０としてＰｔ／Ａｕパ
ッドを蒸着やスパッタで形成する。
【００１９】最後に、ｐ型ＧａＮ層１８上にｐ型電極パ
ッド２０と接するようにｐ型ＺｎＯ透明電極２４をスパ
ッタなどで形成する。ＺｎＯは波長３５０ｎｍ以上で透
明になることが知られており、またＧａＮの格子定数に
も近似しているため、ｐ型ＧａＮ層１８との密着性にも
優れており、ｐ型電極パッド２０との電気的接触を維持
しつつ発光層１６からの光を外部に透過させることがで
きる。
ッド２０と接するようにｐ型ＺｎＯ透明電極２４をスパ
ッタなどで形成する。ＺｎＯは波長３５０ｎｍ以上で透
明になることが知られており、またＧａＮの格子定数に
も近似しているため、ｐ型ＧａＮ層１８との密着性にも
優れており、ｐ型電極パッド２０との電気的接触を維持
しつつ発光層１６からの光を外部に透過させることがで
きる。
【００２０】以上のようにして基板１０上に発光素子を
形成した後、互いに１２０度をなす２つの方向でウエハ
基板を切断することで、（ａ）の平面図に示されるよう
な平面形状菱形の発光素子チップが得られる。なお、ウ
エハ面内ではｃ軸を回転軸として６回回転対称性を有し
ているため、このように互いに１２０度をなす２つの方
向は結晶構造からみて等価な方向であり、一方向をウエ
ハが割れやすい方向、例えばへき開面に沿った方向に選
ぶと他の方向も同様に割れやすい方向となるのでウエハ
の切断が容易となる。
形成した後、互いに１２０度をなす２つの方向でウエハ
基板を切断することで、（ａ）の平面図に示されるよう
な平面形状菱形の発光素子チップが得られる。なお、ウ
エハ面内ではｃ軸を回転軸として６回回転対称性を有し
ているため、このように互いに１２０度をなす２つの方
向は結晶構造からみて等価な方向であり、一方向をウエ
ハが割れやすい方向、例えばへき開面に沿った方向に選
ぶと他の方向も同様に割れやすい方向となるのでウエハ
の切断が容易となる。
【００２１】このように、本実施形態に係る発光素子
は、基板１０上に光吸収層として機能するｎ型ＧａＮ層
１２（ｐ型ＧａＮ層１８は薄いため影響はほとんどな
い）が存在するため、発光層１６からの光（波長３６０
ｎｍ以下）はｐ型電極パッド２０で反射された後にｎ型
ＧａＮ層１２で吸収されてしまい外部に射出されない。
そこで、ｐ型電極パッド２０の面積を２５００μｍ2と
一定にし、ｐ型メサ領域の面積、すなわち発光層１６の
領域面積を種々変化させて発光させその外部量子効率を
測定したところ、以下のような結果が得られた。
は、基板１０上に光吸収層として機能するｎ型ＧａＮ層
１２（ｐ型ＧａＮ層１８は薄いため影響はほとんどな
い）が存在するため、発光層１６からの光（波長３６０
ｎｍ以下）はｐ型電極パッド２０で反射された後にｎ型
ＧａＮ層１２で吸収されてしまい外部に射出されない。
そこで、ｐ型電極パッド２０の面積を２５００μｍ2と
一定にし、ｐ型メサ領域の面積、すなわち発光層１６の
領域面積を種々変化させて発光させその外部量子効率を
測定したところ、以下のような結果が得られた。
【００２２】
【表１】
なお、表では最も高い外部量子効率を１として規格化し
てある。
てある。
【００２３】この表より、ｐ型メサの領域面積が１ｍｍ
2より小さいと外部量子効率が著しく低下し、逆に領域
面積が１ｍｍ2以上の場合には発光効率が格段に向上す
ることが分かる。
2より小さいと外部量子効率が著しく低下し、逆に領域
面積が１ｍｍ2以上の場合には発光効率が格段に向上す
ることが分かる。
【００２４】もちろん、比率Ｒ＝ｐ型メサ領域面積／ｐ
型電極パッド面積とした場合にこの比率が大きいほど外
部量子効率が高くなるが、あまりにｐ型メサ領域を大き
くするとウエハの単位面積から作成できるＬＥＤの個数
が低下するためＬＥＤのコスト増を招くことになる。ま
た、上記比率を大きくするためにｐ型電極パッドの面積
を小さくすることも有効であるが、ワイヤボンディング
の確実性を考慮するとあまり小さくすることはできず、
上記した２５００μｍ2程度が一般的である。したがっ
て、ｐ型電極パッドの面積及びＬＥＤのコストを考慮す
ると、ｐ型メサ領域の面積としては１ｍｍ2〜１０ｍｍ2
が好適であり、上記の比率Ｒでは、４００〜４０００が
好適である。
型電極パッド面積とした場合にこの比率が大きいほど外
部量子効率が高くなるが、あまりにｐ型メサ領域を大き
くするとウエハの単位面積から作成できるＬＥＤの個数
が低下するためＬＥＤのコスト増を招くことになる。ま
た、上記比率を大きくするためにｐ型電極パッドの面積
を小さくすることも有効であるが、ワイヤボンディング
の確実性を考慮するとあまり小さくすることはできず、
上記した２５００μｍ2程度が一般的である。したがっ
て、ｐ型電極パッドの面積及びＬＥＤのコストを考慮す
ると、ｐ型メサ領域の面積としては１ｍｍ2〜１０ｍｍ2
が好適であり、上記の比率Ｒでは、４００〜４０００が
好適である。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によればＧ
ａＮ系発光素子の発光効率を向上させることができる。
ａＮ系発光素子の発光効率を向上させることができる。
【図１】 実施形態の発光素子の平面図及び断面図であ
る。
る。
【図２】 チップ面積の異なる発光素子の取り出し効率
説明図である。
説明図である。
【図３】 光吸収層を有する発光素子の取り出し効率説
明図である。
明図である。
１０ 基板、１２ ｎ型ＧａＮ層、１４ ｎ型ＳＬＳ
層、１６ 発光層、１７ｐ型ＳＬＳ層、１８ ｐ型Ｇａ
Ｎ層、２０ ｐ型電極パッド、２２ ｎ型電極パッド、
２４ 透明電極。
層、１６ 発光層、１７ｐ型ＳＬＳ層、１８ ｐ型Ｇａ
Ｎ層、２０ ｐ型電極パッド、２２ ｎ型電極パッド、
２４ 透明電極。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 イーヴ ラクロワ
徳島県徳島市南常三島町２−１ 徳島大学
内
Ｆターム(参考） 5F041 AA03 CA05 CA34 CA40 CA46
CA65 CA74 CA76 CA83 CA88
CA93 CB05
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上にＧａＮ層及びＧａＮ系発光層を
備え、前記ＧａＮ系発光層上の少なくとも一部に電極パ
ッドを有する窒化ガリウム系発光素子であって、 前記ＧａＮ系発光層の領域面積が１ｍｍ2以上であるこ
とを特徴とする窒化ガリウム系発光素子。 - 【請求項２】 基板上に順次ｎ型ＧａＮ層、ＧａＮ系発
光層、ｐ型ＧａＮ層が形成され、前記ｐ型ＧａＮ層の一
部にｐ型電極パッドが形成され、前記ＧａＮ系発光層及
びｐ型ＧａＮ系層がメサ形状にエッチングされて前記ｎ
型ＧａＮ層の一部にｎ型電極パッドが形成された窒化ガ
リウム系発光素子であって、 前記メサ形状の領域面積が１ｍｍ2以上であることを特
徴とする窒化ガリウム系発光素子。 - 【請求項３】 請求項１、２のいずれかに記載の素子に
おいて、 前記領域面積を１ｍｍ2以上１０ｍｍ2以下であることを
特徴とする窒化ガリウム系発光素子。 - 【請求項４】 基板上にＧａＮ層及びＧａＮ系発光層を
備え、前記ＧａＮ系発光層上の少なくとも一部に電極パ
ッドを有する窒化ガリウム系発光素子であって、 前記ＧａＮ系発光層の領域面積を前記電極パッドの面積
に対して４００倍以上とすることを特徴とする窒化ガリ
ウム系発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001206718A JP2003023178A (ja) | 2001-07-06 | 2001-07-06 | 窒化ガリウム系発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001206718A JP2003023178A (ja) | 2001-07-06 | 2001-07-06 | 窒化ガリウム系発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003023178A true JP2003023178A (ja) | 2003-01-24 |
Family
ID=19042807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001206718A Pending JP2003023178A (ja) | 2001-07-06 | 2001-07-06 | 窒化ガリウム系発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003023178A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2006028118A1 (ja) * | 2004-09-08 | 2008-05-08 | ローム株式会社 | 半導体発光素子 |
| JP2009531851A (ja) * | 2006-03-28 | 2009-09-03 | ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド | ツェナーダイオードを備える発光素子及びその製造方法 |
| JP2016521004A (ja) * | 2013-04-24 | 2016-07-14 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ | オプトエレクトロニクス半導体チップ及びオプトエレクトロニクス半導体部品 |
| CN106299059A (zh) * | 2015-05-20 | 2017-01-04 | 南通同方半导体有限公司 | 一种可提高内量子效率带电子阻挡层的led外延结构 |
-
2001
- 2001-07-06 JP JP2001206718A patent/JP2003023178A/ja active Pending
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