TW201503413A - 光電半導體晶片及光電半導體組件 - Google Patents

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Abstract

詳述的是一種光電半導體晶片，包含-非矩形、平行四邊形頂面(1)以及-主動區(21)，其與頂面(1)相隔一段距離，並且至少有些地方與頂面(1)平行，其中-頂面(1)包含輻射出射面(11)，透過輻射出射面(11)，主動區(21)中出現操作期間所產生的電磁輻射，-輻射出射面(11)具有至少四個頂點(12)，以及-頂面(1)包含至少一個三角形連接區(13,13b)，主動區可經由三角形連接區(13,13b)電連接。

Description

光電半導體晶片及光電半導體組件
本發明詳述的是一種光電半導體晶片。此外，本發明詳述的是一種光電半導體組件。
第6,163,036號美國專利說明一種光電半導體晶片和光電半導體組件。
本發明所要達成的一個目的在於詳述一種可將輻射出射面(radiation exit surface)做得特別大的光電半導體晶片。此外，所要達成的一個目的在於詳述可簡單地且省成本地予以生產的光電半導體組件。
根據光電半導體晶片的至少一個具體實施例，光電半導體晶片包含非矩形、平行四邊形頂面。頂面在生產公差(production tolerance)範圍(scope)內呈平行四邊形。也就是說，頂面在生產公差範圍內，在各實例中都具有彼此平行的邊界線(boundary line)。邊界線在這裡係經配置成以+/-5%的公差彼此平行。
頂面係藉由光電半導體晶片的主面予以形 成。
主面背對著(face away from)光電半導體晶 片的底面。可在這底面供光電半導體晶片例如安裝載體(carrier)。
頂面係形成於例如光電半導體晶片的頂 側，並且包含光電半導體晶片的整個頂側。除了非矩形、平行四邊形的頂面外，光電半導體晶片還型具有非矩形、平行四邊形的截面(cross-sectional surface)以及非矩形、平行四邊形的底面。截面及底面可在生產公差範圍內與頂面平行。
根據光電半導體晶片的至少一個具體實施 例，光電半導體晶片包含主動區。主動區是提供用來在操作光電半導體晶片期間產生電磁輻射，例如光。主動區係配置在與光電半導體晶片內部頂面相隔一段距離處，並且在生產公差範圍內至少某些地方與頂面平行。
根據光電半導體晶片的至少一個具體實施 例，頂面包含輻射出射面，操作期間所產生的電磁輻射係透過輻射出射面而於主動區出現。也就是說，輻射出射面係藉由頂面的一部分形成的。此輻射出射面為例如光電半導體晶片唯一的輻射出射面。在此實例中，透過光電半導體晶片的側面，主動區中產生的電磁輻射難以或根本未出現自此半導體晶片。
根據光電半導體晶片的至少一個具體實施 例，輻射出射面具有至少四個頂點。例如，可將輻射出射 面體現成長方形的形狀(fashion)。此外，有可能將輻射出射面作成多邊形，例如五邊形或六邊形。
根據光電半導體晶片的至少一個具體實施 例，頂面包含至少一個三角形連接區。在此實例中，連接區是在生產公差範圍內予以體現成三角形的形狀。此連接區為光電半導體晶片的電連接區，主動區經由此電連接區而可電連接。可藉由導電材料，例如金屬化，在某些地方或完全覆蓋連接區。
根據光電半導體晶片的至少一個具體實施 例，光電半導體晶片包含非矩形、平行四邊形的頂面以及主動區，其係經配置而與頂面相隔一段距離，並且至少某些地方與頂面平行。在此實例中，頂面包含輻射出射面，操作期間產生的電磁輻射透過此輻射出射面而出現於主動區中。其中此輻射出射面具有至少四個頂點。此外，頂面包含至少一個三角形連接區，主動區經由此三角形連接區而可電連接。
這裡所述的光電半導體晶片係基於洞悉 (insight)，特別是，在具有非矩形、平行四邊形之頂面的非矩形、平行四邊形之半導體晶片的末端(end)，可用特別省空間的方式體現電連接區。
此外，有可能藉由沿著直線敷設(run)的分 割槽(singulation trench)，在生產時生產這裡所述的光電半導體晶片。分割槽舉例可為鋸切槽(sawing trench)。具有大量光電半導體晶片的半導體晶圓係藉由分割槽予以分割 (singulated)以形成光電半導體晶片。在此實例中，順著不同方向敷設之分割槽的主延伸方向未彼此垂直，反而是彼此橫切(transversely)而設，從而使半導體晶片具有平行四邊形、非矩形的頂面。
此外，按照這個方法，有可能實現具有矩 形或幾乎矩形輻射出射面的半導體晶片，光電半導體晶片的連接區不用遍布(extend over)光電半導體晶片頂面的整個寬度或整個長度。也就是說，具有非矩形、平行四邊形之頂面的光電半導體晶片使其有可能提供同質的發光影像(homogeneous luminous image)，方式是藉助於幾乎矩形的總體(overall)發光影像，再搭配相較於習知、矩形光電半導體晶片面積較小的接觸區(contact area)。在上述光電半導體晶片的實例中，輻射出射面的選擇，相較於連接區可特別大。
在這裡及下文中，即使未明確陳述，「平 行」、「三角形」、「矩形」之類的幾何術語不應以嚴格的數學觀念予以理解，反而這些術語關係到生產公差範圍內可行的組態。
根據光電半導體晶片的至少一個具體實施 例，頂面僅僅(exclusively)包含輻射出射面以及至少一個三角形連接區。也就是說，頂面係經形成而僅僅具有這些一起完全填裝(fill)頂面的組件。
根據光電半導體晶片的至少一個具體實施 例，頂面包含恰好(exactly)一個輻射出射面以及恰好兩個 三角形連接區，其係配置於頂面的互相對立側。在此情況下，輻射出射面係配置於兩個三角形連接區之間。在此情況下，頂面由輻射出射面和兩個三角形連接區所組成。平行四邊形的頂面因而係細分成兩個三角形以及例如一個矩形或六邊形。按照此方式，有可能以特別簡單的方式提供含輻射出射面的光電半導體晶片，其中連接區係配置在平行四邊形頂面的頂點中。頂面由連接區佔有的面積比例可藉由平行四邊形的傾角以簡單的方式予以設定。
根據光電半導體晶片的至少一個具體實施 例，輻射出射面為矩形。這可例如藉由區分成恰好一個矩形輻射出射面和兩個三角形連接區的頂面予以達成。三角形連接區接著係配置於矩形輻射出射面的兩對立側。
根據光電半導體晶片的至少一個具體實施 例，輻射出射面為六邊形。也就是說，輻射出射面具有六個頂點。在此情況下，三角形連接區係依據其面積而做得特別小，並且僅包含例如平行四邊形頂面的頂點端(vertex tip)。按照這個方式，剩餘的輻射出射面係做得特別大，但幾乎是矩形，使得半導體晶片在使用上可具有應用效率，其中舉例而言，方形(square)輻射出射面是不令人期望的。
根據光電半導體晶片的至少一個具體實施 例，光電半導體晶片包含至少一個穿透主動區的鍍覆穿孔(plated-through hole)，其中鍍覆穿孔係導電性連接到至少一個三角形連接區。在此情況下，光電半導體晶片在輻射出射面處無用於分佈(distribute)電流供操作光電半導體晶 片用的導體軌道(conductor track)或接觸軌道，反而是在輻射出射面下方產生晶片上方的電流分佈。此等含穿透主動區之鍍覆穿孔的光電半導體晶片原則上係予以說明並且用於第2010/0171135號美國專利中的矩形半導體晶片，其揭露內容係明文引用合併於此。
根據光電半導體晶片的至少一個具體實施例，至少一個三角形連接區為可引線接合的(wire-bondable)。也就是說，光電半導體晶片的三角形連接區係提供用於引線接合(wire bonding)。
另外還細述的是一種光電半導體組件。該光電半導體組件包含至少一個如上所述的光電半導體晶片。也就是說，所有針對光電半導體晶片所揭露的特徵也都針對光電半導體組件揭露。
根據光電半導體組件的至少一個具體實施例，光電半導體組件包含至少一個如上所述的光電半導體晶片。光電半導體組件在此種情況下，包含僅僅一個此類光電半導體晶片，或兩個或更多個此類光電半導體晶片。
根據光電半導體晶片的至少一個具體實施例，光電半導體組件包含轉換元件(conversion element)。轉換元件例如為含有亮度(luminescence)轉換材料的箔或硬板(foil or rigid plate)。
轉換材料係提供用來吸收部分主動區中所產生的電磁輻射，並且用於重發射(re-emitting)具有例如較長波長的電磁輻射。轉換元件因而波長轉換所述輻射。
若光電半導體晶片在其主動區中產生藍光， 舉例而言，則可提供轉換元件用來吸收部分藍光並且發射具有較高波長的光。按照這個方法，半導體組件可發射白色混合光，舉例而言，其組成有光電半導體晶片直接發射的光以及轉換出來的光。此外，轉換元件有可能幾乎吸收全部來自光電半導體晶片的輻射，所述輻射穿入轉換元件，從而令半導體組件發射色光(coloured light)。
根據光電半導體組件的至少一個具體實施 例，轉換元件係配置於此至少一個光電半導體晶片的輻射出射面。在此種情況下，可將轉換元件直接施用(applied)於光電半導體晶片的輻射出射面。此外，轉換元件有可能經由舉例如輻射透射黏著劑(radiation-transmissive adhesive)的連接手段連接至此一個光電半導體晶片的輻射出射面。
根據光電半導體組件的至少一個具體實施 例，轉換元件在生生公差範圍內為矩形。也就是說，轉換元件無截部(cutout)或凹部(recess)，藉以確保轉換元件未覆蓋光電半導體晶片的這個或多個連接區。反而，轉換元件係例如體現成矩形薄片(lamella)或矩形箔。
在此情況下，光電半導體組件所立基的概 念尤其是，必須在轉換元件中提供不含具有非矩形、平行四邊形頂面、凹部供保持連接區空置(free)之光電半導體晶片的習知光電半導體組件。所述凹部係例如藉由沖壓(stamping)或鋸切自轉換元件而予以產生。生產光電半導體組件的成本因這裡所述的光電半導體組件僅需非結構化 (unstructured)矩形轉換元件而可降低。
根據光電半導體組件的至少一個具體實施 例，轉換元件完全覆蓋此至少一個光電半導體晶片的輻射出射面。也就是說，此至少一個光電半導體組件的輻射出射面係由轉換元件完全覆蓋，這非必然意指轉換元件與輻射出射面直接接觸。然而，在此情況下，輻射出射面上面沒有未配置部分轉換元件的部分。
根據光電半導體組件的至少一個具體實施 例，轉換元件在一些地方凸出(project)超過(beyond)光電半導體晶片的側面。這樣的情況就像是，例如，若光電半導體晶片的輻射出射面未體現成矩形的形狀，則是呈例如六邊形的形狀。在此情況下，毗鄰(adjacent to)三角形連接區有小面積轉換元件，其未直接置於輻射出射面的下游，而是凸出超過光電半導體晶片的側面，從而未由輻射出射面直接照射(illuminate)。然而，由於轉換元件中導引(guide)的光，主動區中所產生的電磁輻射仍有可能進入轉換元件的這個區域，從而電磁輻射也發射自轉換元件的這個區域。光電半導體組件的發光區按照這個方式增大，並且大於輻射出射面。
此外，在上述光電半導體組件中，可體現 兩個或更多個光電半導體晶片(其係由單一轉換元件覆蓋其輻射出射面)以便形成大同質發光區。
根據光電半導體組件的至少一個具體實施 例，轉換元件完全覆蓋至少兩個光電半導體晶片的輻射出 射面。為達此目的，由於光電半導體晶片的連接區係體現成三角形的形狀，並且係配置在平行四邊形頂面的頂點中，故有可能使用完全覆蓋複數個輻射出射面的矩形轉換元件。
根據光電半導體組件的至少一個具體實施 例，光電半導體組件包含兩個光電半導體晶片，各具有剛好一個三角形連接區，其中這兩個光電半導體晶片彼此鄰接(adjoin)於其分別背對著三角形連接區的側面，以及轉換元件完全覆蓋兩個光電半導體晶片的輻射出射面。
在此情況下，兩個光電半導體晶片的兩個 非矩形輻射出射面係用於形塑(fashion)以非結構化矩形轉換元件予以覆蓋的矩形輻射出射面，此轉換元件無截部供光電半導體晶片的連接區用。
1‧‧‧頂面
3‧‧‧轉換元件
11‧‧‧輻射出射面
12‧‧‧頂點
13a、13b‧‧‧連接區
20‧‧‧生長基底
20a‧‧‧結構物
21‧‧‧主動區
22‧‧‧p型導電區
23‧‧‧n型導電區
24‧‧‧p型連接材料
25‧‧‧鍍覆穿孔
27‧‧‧連接手段
28‧‧‧載體
29‧‧‧鏡面
30‧‧‧接觸線
100‧‧‧半導體晶片
100c‧‧‧側面
130‧‧‧連接區
AA’‧‧‧截線
這裡所述的光電半導體晶片及這裡所述的光電半導體組件係以示例性(exemplary)具體實施例及相關圖示為基礎而在下面更詳細地說明。
這裡所述光電半導體晶片的示例性具體實施例係搭配第1A、1B、1C、2A、2B、2C、2D、3A、3B、3C、3D圖中的示意圖更詳細地說明。
這裡所述光電半導體組件的示例性具體實施例係搭配第4A、4B、5圖中的示意圖予以更詳細地說明。
這裡所述的光電半導體組件係搭配第6A、6B、6C圖予以更詳細地說。
相同(identical)、同類或作用等同的元件在 圖示中設有相同的參考元件符號。圖示及圖示中所述元件的尺寸關係彼此之間不應視為有按照比例。反而，可用誇大的尺寸描述各個元件以便使描述更佳及/或給予更佳的理解。
請參閱第1A圖，更詳細說明的是這裡所述光電半導體晶片的第一示例性具體實施例。第1A圖表示光電半導體晶片100的示意平面圖。光電半導體晶片100包含非矩形、平行四邊形頂面1。頂面1係細分成四邊形(quadrilateral)輻射出射面11以及三角形連接區13a。
光電半導體晶片100中在操作期間所產生的電磁輻射透過輻射出射面11出現。在第1A圖的示例性體實施例中，輻射出射面11具有四個頂點12。其直接鄰接三角形連接區13a。
三角形連接區13a適用於引線接合。經由三角形連接區13a，可經由接觸線供應操作用所需的電流給光電半導體晶片100。
第1B圖以示意截面圖的方式表示沿著截線AA’(sectional line)穿過光電半導體晶片100的一種可能截面。本實施例中的光電半導體晶片為沒有生長基底(growth substrate)的薄膜晶片。光電半導體晶片100包含p型導電區22、n型導電區23以及介於其之間的主動區21。在主動區21中，電磁輻射係產生於操作半導體晶片100期間， 所述輻射接著至少部分透過輻射出射面11出現。
頂面1包含輻射出射面11以及三角形連接 區13a，其在本實例中係體現為接合墊(bonding pad)，並且舉例而言，可經由此接合墊在n型側與光電半導體晶片100接觸。鏡面層29(mirror layer)係配置於背對著頂面1之光電半導體晶片100的底側(underside)，此鏡面層可例如用銀等反射金屬予以形成。載體28(carrier)可在背對著主動區21之側接續(succeed)鏡面層29，此載體是用導電材料予以形成，並且舉例而言，經此接觸的載體可在p型側製有光電半導體晶片100。
作為參閱第1B圖所述示例性具體實施例的 替代案(alternative)，光電半導體晶片也可體現成第1C圖中所示。在此情況下，三角形連接區13a未配置在光電半導體晶片100的n型導電區上，反而是在半導體層22、23、24的沿側(alongside)。
在此情況下，光電半導體晶片100包含鍍覆 穿孔25，其穿透主動區21，並且其在n型導電區23與三角形連接區13a之間產生導電連接。光電半導體晶片再一次包含主動區21、p型導電區22以及n型導電區23。
如第1C圖中所示，可粗糙化(roughen)輻射 出射面11，例如藉以提升光出現的機率。光電半導體晶片至少在其側翼(side flank)處可包含鈍化層(passivation)。光電半導體晶片另可包含配置於p型導電區22與p型連接材料24之間的鏡面29。載體28可經由例如焊料之連接手段 27予以固定於光電半導體晶片100的底側。
至於第1C圖中的光電半導體晶片，輻射出 射面11有可能無導電結構，如導體軌道，舉例而言，其將來自三角形連接區13a的電流分佈於輻射出射面11上。然而，在第1C圖中的示例性具體實施例中，n型側外加(impressed)的電流係經由至少一個鍍覆穿孔25予以分佈在輻射出射面11下方。
請參閱第2A圖，更詳細說明的是這裡所述 光電半導體晶片的另一示例性具體實施例。在本示例性具體實施例中，頂面11係由兩個三角形連接區13a、13b以及矩形輻射出射面11所組成。
可如第2B圖所示實施光電半導體晶片的一 種可能實現。第2B圖中沿著截線AA’的截面表示含p型導電區22、n型導電區23以及主動區21的光電半導體晶片。半導體晶片100另含p型連接材料24、連接手段27以及載體28，其係例如以電氣絕緣的方式(fashion)予以體現。經由三角形連接區13a、13b與光電半導體晶片100接觸，其中製作的是經由連接區13b在p型側與光電半導體晶片的接觸。兩連接區13a、13b都可引線接合並且接著經由接觸線30予以電接觸連接。
第2C圖中的示意截面圖表示光電半導體晶 片沿著截線AA’的進一步可能實現。光電半導體晶片包含p型導電區22、n型導電區23以及主動區21。這些區域係磊晶生長在生長基底20上，其係例如以電絕緣的方式 予以體現。生長基底20是一種由例如藍寶石構成的基底。結構物20a(structuring)可呈現於背對著主動區21之生長基底20的頂側，此結構物可有助於改良來自光的耦合及/或改良後續層件的生長。
三角形連接區13a、13b係導電性連接至半導體晶片的相關區域。藉由實施例的方式，三角形連接區13a係經由鍍覆穿孔25予以連接至n型導電區23。
鏡面29係配置於背對著主動區21之生長基底20的底側，此鏡面可予以體現成金屬鏡面及/或介電鏡面及/或布拉格鏡面(Bragg mirror)。
第2D圖中的示意截面圖表示光電半導體晶片沿著截線AA’的另一可能實現。與第2C圖中的示例性具體實施例相比，電磁輻射在本示例性具體實施例中透過生長基底20出現。鏡面29係配置於p型導電區22背對著生長基底20之側。
請參閱第3A及3B圖，借助示意平面圖，更詳細地說明這裡所述光電半導體晶片的另一示例性具體實施例。在此情況下，可如參照第1B、1C、2B圖所述建構光電半導體晶片。
至於第3A圖中的示例性具體實施例，半導體晶片100的輻射出射面11係體現成六邊形的形狀。所以，舉例而言，可藉由面積小於第2A圖示例性具體實施例所述實例的區域形成三角形連接區13a、13b。
在第3B圖的示例性具體實施例中，輻射出 射面11係藉由五邊形予以形成，其中光電半導體晶片僅具有體現成可引線接合單一的三角形連接區13a。第二電連接可例如藉由如第1B圖所示載體28的底側予以形成。
在第3C圖的示例性具體實施例中，輻射出 射面11係藉由六邊形予以形成。在本示例性具體實施例中，三角形連接區13a、13b的面積係做得特別小。連接區13a、13b僅包含頂面最外的頂端點，並且相較於上述示例性具體實施例，係體現成直角三角形。
至於第3D圖的示例性具體實施例，電流分 佈軌道30在輻射出射面11上自三角形連接區13a、13b的每一者延伸。此等電流分佈軌道30也可呈現於這裡所述半導體晶片100的其它示例性具體實施例。電流分佈軌道30係導電性連接至指定的(assigned)連接區13a、13b。藉由電流分佈軌道30，經由連接區外加的電流尤其可均勻分佈於輻射出射面11上，從而在主動區21上特別均勻。電流分佈軌道30可用金屬及/或透明導電氧化物予以形成。
請參閱第4A圖，藉助於示意平面圖，更詳 細地說明這裡所述光電半導體組件的第一示例性具體實施例。光電半導體組件包含例如參閱第3A圖所述的光電半導體晶片100。光電半導體晶片100包含具有六個頂點的輻射出射面11。此外，半導體晶片100於其頂面1包含兩個配置在平行四邊形頂面1頂點中的三角形連接區13a、13b。
光電半導體晶片100的整體輻射出射面11 係由轉換元件3予以覆蓋。轉換元件3係體現成矩形的形狀，並且在小區域中凸出超過光電半導體晶片的側面100c，從而超過輻射出射面。轉換元件3沒有截部或凹部，透過所述截部或凹部可與連接區的接觸。因此，轉換元件3為非結構化、矩形轉換元件。
請參閱第4B圖的示例性具體實施例，所示 為包含兩個光電半導體晶片100的光電半導體組件，其中輻射出射面11在各實例中係體現成五邊形的形狀。每一個光電半導體晶片100都包含單一的三角形連接區13a，其與五邊形輻射出射面11共同形成所指定光電半導體晶片的頂面1。
單一、矩形轉換元件3將兩個半導體晶片 100完全覆蓋於其輻射出射面。光電半導體晶片的每一者都有小區域的轉換元件3，轉換元件3於其中凸出超過各別半導體晶片100的側面100c。在此情況下，光電半導體晶片係如參照第3B圖所述予以體現。
請參閱第5圖，所示為這裡所述光電半導體 組件的另一示例性具體實施例。在本示例性具體實施例中，光電半導體組件包含兩個如參閱第3A圖所述的光電半導體晶片100。也就是說，每一個半導體晶片100都包含由六邊形輻射出射面11和兩個三角形連接區13a、13b組成的頂面1。這兩個半導體晶片係彼此毗鄰於其側面100a而予以配置，並且係藉由單一矩形轉換元件3予以覆蓋。此一光電半導體組件使其有可能形成特大發光區，此 特大發光區係由背對著半導體晶片100之轉換元件3的頂側予以形成。
第6A、6B、6C圖藉助於示意平面圖表示光 電半導體組件，其中光電半導體晶片100不具有三角形連接區，但卻是使用矩形轉換元件3。在各實例中，至少一個矩形連接區130係呈現於所示的實施例中。
第6A圖中的實施例有大區域，轉換元件3 在其中凸出超過輻射出射面11。再者，轉換元件3的這些區域不再可藉由光導引(light guiding)予以充分照明，所以這個解決方案不經濟。
至於第6B圖的實施例，矩形連接區130沿 著半導體晶片的整體長度延伸。在這裡，其的確有可能使用覆蓋整體輻射出射面11的矩形轉換元件3。然而，半導體晶片頂面的大區域係藉由矩形連接區130予以覆蓋，所以這個解決方案也不經濟，理由是，必須選擇比連接區130面積還小的輻射出射面11。
在第6C圖的實施例中，矩形連接區130於 頂面較短側的配置也有類似問題。在這裡，輻射出射面的面積同樣要極度大幅縮減。
本發明不侷限於以所述示例性具體實施例為基礎所作說明的示例性具體實施例。反而，本發明含括新穎性特徵還有任何特徵組合，其特別包括申請專利範圍中之特徵的任意組合，即便是特徵或其組合未在申請專利範圍或示例性具體實施例中明確詳述亦然。
本專利申請案主張第102013104132.9號德國專利申請案的優先權，其揭示內容係引用合併於本文。
1‧‧‧頂面
11‧‧‧輻射出射面
12‧‧‧頂點
13a‧‧‧連接區
30‧‧‧接觸線
100‧‧‧半導體晶片
AA’‧‧‧截線

Claims (13)

  1. 一種光電半導體組件，包含至少一個光電半導體晶片，以及轉換元件(3)，係配置於該至少一個光電半導體晶片的輻射出射面(11)，其中該轉換元件(3)為矩形，以及該轉換元件(3)完全覆蓋該輻射出射面(11)，其中，該至少一個光電半導體晶片包含：非矩形、平行四邊形頂面(1)，以及主動區(21)，係與該頂面(1)相隔一段距離，且至少在某些地方與該頂面(1)平行，其中該頂面(1)包含該輻射出射面(11)，於操作期間所產生的電磁輻射透過該輻射出射面(11)在該主動區(21)中出現，該輻射出射面(11)具有至少四個頂點(12)，以及該頂面(1)包含至少一個三角形連接區(13a,13b)，該主動區經由該至少一個三角形連接區(13a,13b)可電連接。
  2. 一種光電半導體晶片，包含非矩形、平行四邊形頂面(1)，以及主動區(21)，係與該頂面(1)相隔一段距離，且至少在某些地方與該頂面(1)平行，其中該頂面(1)包含輻射出射面(11)，於操作期間所產生 的電磁輻射透過該輻射出射面(11)在該主動區(21)中出現，該輻射出射面(11)具有至少四個頂點(12)，以及該頂面(1)包含至少一個三角形連接區(13a,13b)，該主動區經由該至少一個三角形連接區(13a,13b)可電連接。
  3. 如申請專利範圍第1至2項中任一項所述之光電半導體晶片，其中，該頂面(1)包含恰好一個輻射出射面(11)及恰好兩個三角形連接區(13a,13b)，係配置於該頂面(1)的互對立側，其中，該輻射出射面(11)係配置於該兩個三角形連接區(13a,13b)之間。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之光電半導體晶片，其中，該輻射出射面(11)為矩形。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項所述之光電半導體晶片，其中，該輻射出射面(11)具有六個頂點(12)。
  6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項所述之光電半導體晶片，包含至少一個穿透該主動區(21)的鍍覆穿孔(25)，其中，該鍍覆穿孔(25)係導電性連接到該至少一個三角形連接區(13a,13b)。
  7. 如申請專利範圍第1至6項中任一項所述之光電半導體晶片，其中，該頂面(1)僅僅包含該輻射出射面(11)及該至少一個三角形連接區(13a,13b)。
  8. 如申請專利範圍第1至7項中任一項所述之光電半導體晶片，其中，該至少一個三角形連接區(13a,13b)可引 線接合。
  9. 一種光電半導體組件，包含至少一個如申請專利範圍第1至8項中任一項所述之光電半導體晶片(100)，以及轉換元件(3)，係配置於該至少一個光電半導體晶片之該輻射出射面(11)，其中該轉換元件(3)為矩形，以及該轉換元件(3)完全覆蓋該輻射出射面(11)。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之光電半導體組件，其中，該轉換元件(3)在某些地方凸出超過該光電半導體晶片(100)的側表面(100c)。
  11. 如申請專利範圍第1至10項中任一項所述之光電半導體組件，其中，該轉換元件(3)完全覆蓋至少兩個光電半導體晶片(100)之該輻射出射面(11)。
  12. 如申請專利範圍第1至11項中任一項所述之光電半導體組件，包含兩個光電半導體晶片(100)，各具有恰好一個三角形連接區(13a,13b)，其中該兩個光電半導體晶片(100)在其分別背對該三角形連接區(13a,13b)之側面(100b)處彼此鄰接，以及該轉換元件(3)完全覆蓋兩個光電半導體晶片(100)的該等輻射出射面(11)。
  13. 如申請專利範圍第1至12項中任一項所述之光電半導體組件，其中，於操作期間透過該輻射出射面(11)出現 的該電磁輻射係藉由該轉換元件(3)進行至少部分波長轉換。
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