JP2017055038A - 半導体発光装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、第1の半導体層と、第2の半導体層と、発光層と、第1面と、第2面と、を有する半導体層と、p側電極と、n側電極と、第1p側ピラーと、第1n側ピラーと、第1絶縁層と、蛍光体層と、第2絶縁層と、前記p側ピラーに電気的に接続するp側配線と、前記n側ピラーに電気的に接続するn側配線と、を備える。前記第2絶縁層は、前記第1絶縁層の側面の外側の少なくとも一部および前記蛍光体層の側面の外側の少なくとも一部に設けられ、前記第1絶縁層とは異なる材料からなる。
【選択図】図1
Description
図1〜図2(b)を参照して、本実施形態における半導体発光装置の構成の例を説明する。
図2(a)は、本実施形態の半導体発光装置における半導体層のp側電極16と、n側電極17との平面レイアウトの一例を示す模式平面図である。図1の中央部は、図2(a)におけるA−A’断面に対応する。図2(a)は、図1の半導体層15周辺における各第1配線部41、43、樹脂層25、絶縁膜18、および反射膜51等を取り除いて半導体層15の第2面15b側から見た図に対応する。
図2(b)は、本実施形態の半導体発光装置の実装面(図1の半導体発光装置の下面)の一例を示す模式平面図である。
図3(a)に示すように、例えば、MOCVD(metal organic chemical vapor deposition)法により、基板10の主面側に、第1の半導体層11、発光層13および第2の半導体層12が順にエピタキシャル成長される。
図11および図12を参照して、本実施形態における半導体発光装置の構成の例を説明する。
図13および図14を参照して、本実施形態における半導体発光装置の構成の例を説明する。
図15を参照して、本実施形態における半導体発光装置の構成の例を説明する。
図16および図17を参照して、本実施形態における半導体発光装置の構成の例を説明する。
図19〜図22を参照して、本実施形態における半導体発光装置の構成の例を説明する。
図23を参照して、本実施形態における半導体発光装置の構成の例を説明する。
図25および図26を参照して、本実施形態における半導体発光装置の構成の例を説明する。
図28および図29を参照して、本実施形態における半導体発光装置の構成の例を説明する。
図30を参照して、本実施形態における半導体発光装置の構成の例を説明する。
図31を参照して、本実施形態における半導体発光装置の構成の例を説明する。
図32および図33を参照して、本実施形態における半導体発光装置の構成の例を説明する。
本実施形態の半導体発光装置の製造方法において、複数の半導体チップ3を個片化するまでの工程は、図3(a)〜図7(b)に示した工程と同様のため、説明を省略する。
図36および図37を参照して、本実施形態における半導体発光装置の構成の例を説明する。
図38を参照して、本実施形態における半導体発光装置の構成の例を説明する。
Claims (15)
- 第1の半導体層と、第2の半導体層と、前記第1の半導体層と前記第2の半導体層との間に設けられた発光層と、第1面と、前記第1面に対向する第2面と、を有する半導体層と、
前記第2の半導体層と電気的に接続するp側電極と、
前記第1の半導体層と電気的に接続するn側電極と、
前記第2面側に設けられ、前記p側電極と電気的に接続する第1p側ピラーと、
前記第2面側に設けられ、前記n側電極と電気的に接続する第1n側ピラーと、
前記第1p側ピラーと、前記第1n側ピラーと、の間、前記第1p側ピラーの側面の外側、前記第1n側ピラーの側面の外側および前記半導体層の側面の外側に設けられた第1絶縁層と、
前記第1の半導体層の前記第1の面上および前記第1絶縁層上に設けられ、蛍光体を含む蛍光体層と、
前記第1絶縁層の側面の外側の少なくとも一部および前記蛍光体層の側面の外側の少なくとも一部に一体に設けられ、前記第1絶縁層とは異なる材料からなる第2絶縁層と、
前記第1p側ピラーに電気的に接続し、前記第1絶縁層と、前記第2絶縁層をまたいで前記第2絶縁層上まで延びるp側配線と、
前記第1n側ピラーに電気的に接続し、前記第1絶縁層と、前記第2絶縁層をまたいで前記第2絶縁層上まで延びるn側配線と、
を備えた半導体発光装置。 - 前記第2絶縁層は、光反射性を有する材料を含む請求項1記載の半導体発光装置。
- 前記p側電極と、前記第1p側ピラーと、の間に設けられ、前記p側電極および前記第1p側ピラーと電気的に接続するp側中間配線層と、
前記n側電極と、前記第1n側ピラーと、の間に設けられ、前記n側電極および前記第1n側ピラーと電気的に接続するn側中間配線層と、
をさらに備えた請求項1または2に記載の半導体発光装置。 - 前記第1絶縁層と、前記第2絶縁層と、の境界をまたいで設けられ、前記p側配線と前記第1絶縁層との間、および前記p側配線と前記第2絶縁層との間、および前記n側配線と前記第1絶縁層との間、および前記n側配線と前記第2絶縁層との間に設けられた緩衝絶縁材料さらに備えた請求項1〜3のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 前記p側配線と電気的に接続する第2p側ピラーと、
前記n側配線と電気的に接続する第2n側ピラーと、
をさらに備えた請求項1〜4のいずれか1つに記載の半導体発光装置。 - 前記蛍光体上および前記第2絶縁層上に一体に設けられ、光透過性を有する第1層をさらに備えた請求項1〜5のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 前記第1層上に設けられ、光透過性を有する基板をさらに備えた請求項1〜6のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 前記第2面から前記第1面に向かう第1方向において、前記蛍光体層の少なくとも端部が前記第2絶縁層の上面より高く、
前記第1方向において、前記第1絶縁層の上面は、前記蛍光体層の前記上面よりも低い請求項1〜7のいずれか1つに記載の半導体発光装置。 - 前記第1絶縁層は、前記蛍光体層の前記側面と離間している請求項1〜8のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 前記第2絶縁層は、傾斜部を有し、
前記第2面から前記第1面に向かう第1方向に対して交わる第2方向において、前記第1絶縁膜の前記側面の前記外側に設けられた前記第2絶縁層の幅は、前記蛍光体層の前記側面の前記外側に設けられた前記第2絶縁層の幅よりも大きい請求項1〜9のいずれか1つに記載の半導体発光装置。 - 前記第1絶縁層と、前記p側配線部と、の間、前記第2絶縁層と、前記p側配線部と、の間および前記第1p側ピラーと、前記p側配線部と、の間に一体に設けられ、光反射性を有するp側第1金属層と、
前記第1絶縁層と、前記n側配線部と、の間、前記第2絶縁層と、前記n側配線部と、の間および前記第1n側ピラーと、前記n側配線部と、の間に一体に設けられ、光反射性を有するn側第1金属層と、
をさらに備えた請求項1〜10のいずれか1つに記載の半導体発光装置。 - 前記第1絶縁層は、応力緩和剤を含む請求項1〜11のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 第1の半導体層と、第2の半導体層と、前記第1の半導体層と前記第2の半導体層との間に設けられた発光層と、第1面と、前記第1面に対向する第2面と、を有する半導体層と、
前記第2の半導体層と電気的に接続するp側電極と、
前記第1の半導体層と電気的に接続するn側電極と、
前記第2面側に設けられ、前記p側電極と電気的に接続する第1p側ピラーと、
前記第2面側に設けられ、前記n側電極と電気的に接続する第1n側ピラーと、
前記第1p側ピラーと、前記第1n側ピラーと、の間、前記第1p側ピラーの側面の外側および前記第1n側ピラーの側面の外側に設けられた第1絶縁層と、
前記第1の半導体層の前記第1の面上に設けられ、蛍光体を含む蛍光体層と、
前記第1絶縁層の側面の外側の少なくとも一部および前記蛍光体層の側面の外側の少なくとも一部に一体に設けられ、前記第1絶縁層とは異なる材料からなる第2絶縁層と、
前記第1p側ピラーに電気的に接続し、前記第1絶縁層と、前記第2絶縁層をまたいで前記第2絶縁層上まで延びるp側配線と、
前記第1n側ピラーに電気的に接続し、前記第1絶縁層と、前記第2絶縁層をまたいで前記第2絶縁層上まで延びるn側配線と、
を備えた半導体発光装置。 - 基板上に複数の半導体チップを形成する工程であって、
第1の半導体層と、第2の半導体層と、前記第1の半導体層と前記第2の半導体層との間に設けられた発光層と、を有する半導体層を形成する工程と、
前記半導体層と電気的に接続するp側電極およびn側電極を形成する工程と、
前記p側電極と電気的に接続する第1p側ピラー、および、
前記n側電極と電気的に接続する第1n側ピラーを相互に離間して形成する工程と、
を有する複数の半導体チップを形成する工程と、
前記複数の半導体チップの側面の外側および前記第1p側ピラーの側面の外側および前記第1n側ピラーの側面の外側に第1絶縁層を形成する工程と、
前記複数の半導体チップから基板を除去する工程と、
前記基板を除去した部分に、蛍光体層を形成する工程と、
前記複数の半導体チップを個片化する工程と、
個片化された前記複数の半導体チップを支持体上に再配置する工程と、
前記複数の半導体チップの間に、前記第1絶縁層とは異なる材料の第2絶縁層を形成する工程と、
前記第1p側ピラーに電気的に接続し、前記第1絶縁層と、前記第2絶縁層をまたいで前記第2絶縁層上まで延びるp側配線と、
前記第1n側ピラーに電気的に接続し、前記第1絶縁層と、前記第2絶縁層をまたいで前記第2絶縁層上まで延びるn側配線を形成する工程と、
前記複数の半導体チップの間に形成された前記第2絶縁層を切断し、前記複数の半導体チップを個片化する工程と、
を備えた半導体発光装置の製造方法。 - 前記個片化された複数の半導体チップを前記支持体上に再配置する工程において、前記蛍光体層側を前記支持体に向けて再配置してなることを特徴とする請求項14記載の半導体発光装置の製造方法。
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