CN102315346A - 发光器件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

公开了一种发光器件，包括导电支撑基板、被布置于导电支撑基板上的反射层、被布置于反射层上并且在其边缘的至少一个区域中设置有台阶的第一电极层、被布置于台阶上的保护层、和被布置于第一电极层和保护层上的发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和插入在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层，其中反射层和第一电极层的至少一个区域垂直地重叠保护层。基于该构造，发光器件能够改进电极层和反射层之间的粘附性并且设置有更宽的反射层，因此提高亮度。

Description

发光器件及其制造方法
相关申请的交叉引用
该申请要求在韩国知识产权局于2010年7月5日提交的韩国专利申请No.10-2010-0064487的优先权，其公开通过引用并入这里。
技术领域
本发明涉及一种发光器件及其制造方法。
背景技术
发光二极管(LED)是使用化合物半导体的特性将电信号转换成光的器件。LED现在正被应用于诸如家电、远程控制、电子招牌、显示器、各种自动设备等的装置并且其应用范围继续扩大。
通常，制造小型化的LED作为表面安装器件从而它能够直接安装到印刷电路板(PCB)。因此，用作显示装置的LED灯也被开发为表面安装器件类型。这样的表面安装器件可以替代传统的灯并且用作发光显示器、字符显示器、图像显示器等，并且呈现各种颜色。
随着LED的应用范围变广，日常使用中的灯和用于结构信号的灯所要求的亮度增加。因此，重要的是增加LED的亮度。
发明内容
因此，实施例提供一种发光器件及其制造方法，以改进电极层和反射层之间的粘附力，并且通过制造更宽的反射层来增强亮度。
根据实施例的一个方面，提供了一种发光器件，包括：导电支撑基板；被布置于导电支撑基板上的反射层；被布置于反射层上并且在其边缘的至少一个区域中设置有台阶的第一电极层；被布置于台阶上的保护层；和被布置于第一电极层和保护层上的发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和被插入在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层，其中反射层和第一电极层的至少一个区域垂直地重叠保护层。
反射层和第一电极层可以具有相同的宽度。
反射层和第一电极层垂直地重叠保护层的区域的宽度可以是15到30μm。
反射层和第一电极层重叠保护层的区域的宽度可以是保护层的宽度的0.11-0.23倍。
发光器件可以进一步包括布置于发光结构上的光提取结构。
光提取结构可以包括具有预定粗糙度的粗糙。
发光器件可以进一步包括插入在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的中间层，其中该中间层是电子阻挡层。
发光器件可以进一步包括布置于发光结构上的第二电极层。
发光器件可以进一步包括布置在发光结构下面的电流阻挡层，从而该电流阻挡层在至少一个区域中垂直地重叠第二电极层。
第一电极层可以包括布置在第一电极层垂直地重叠第二电极层的区域中的台阶，其中电流阻挡层被布置在该台阶中。
发光器件可以进一步包括被布置在发光结构的侧面的绝缘层。
保护层可以包括至少第一层和布置在第一层下面的第二层。
第一层包含二氧化硅(SiO2)并且第二层可以包含氧化铝(Al2O3)。
反射层可以包含Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO和ATO中的至少一个。
反射层的面积可以大于有源层的面积。
根据另一方面，提供了一种包括实施例的发光器件的发光系统。
根据另一方面，提供了用于制造发光器件的方法，包括：在生长衬底上形成发光结构，该发光结构包括至少第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；在发光结构的边缘的至少一个区域中形成保护层；和同时地烘焙被布置于保护层和发光结构上的第一电极层和反射层。
该方法可以进一步包括：同时蚀刻第一电极层和反射层的边缘；在反射层上形成导电支撑基板；移除生长衬底；和蚀刻发光结构的边缘的至少一个区域从而蚀刻保护层的至少一个区域。
该方法可以进一步包括：在第一导电半导体层上形成粗糙；和在第一导电半导体层上形成第二电极层。
形成保护层可以包括：形成包含二氧化硅(SiO2)的第一层；和在第一层上形成包含氧化铝(Al2O3)的第二层。
附图说明
结合附图，根据以下详细说明，将更清楚地理解实施例的以上和其它特征和其它优点，其中：
图1是示意根据一个实施例的发光器件的结构的截面视图；
图2到9是示意用于制造图1的发光器件的方法的截面视图；
图10A是示意包括根据一个实施例的发光器件封装的发光装置的透视图；
图10B是在图10A中示意的发光器件封装的截面视图；
图11A是示意包括根据一个实施例的发光器件的发光装置的透视图；
图11B是沿着图1的线A-A截取的发光装置的截面视图；
图12是示意包括根据另一实施例的发光器件的液晶显示器的分解透视图；并且
图13是示意包括根据一个实施例的发光器件的液晶显示器的分解透视图。
具体实施方式
现在将详细地参考实施例，在附图中示出其示例。
结合附图，根据以下实施例，将清楚地理解实施例的优点和特征和用于实现它们的方法。然而，实施例不限于实施例并且利用其各种形式来实现。实施例仅提供用于更加完全地示出实施例并且实施例的范围仅由权利要求限定。因此，在一些实施例中，没有详细地示出众所周知的处理、众所周知的器件结构和众所周知的技术以避免使得实施例的不清楚的解释。将在整个说明书中使用相同的附图标记来表示相同或者类似的部分。
在描述实施例之前，将会理解，当元件被称为形成在另一元件“上”或者“下”时，该两个元件可以直接地相互接触，或者可以被间接地布置为在其间插入至少一个中间元件。此外，术语在元件“上或者下”可以表示在元件“上”和在元件“下”。
在说明书中使用的术语是仅用于示出实施例并且不应该被理解为限制实施例的范围和精神。在说明书中，术语的单数形式包括其复数形式，除非具体地另有述及。在如在这里使用的术语“包括”中，所述及的构件、步骤、操作和/或器件并不排除存在或者增加一个或者多个其它构件、步骤、操作和/或器件。
除非另有定义，在这里使用的所有的术语(包括技术和科技术语)可以意在具有本领域技术人员理解的含义。另外，在普通词典中定义的术语不应该被反常地或者夸大地解释，除非被清楚地具体地定义。
在图中，为了说明的清楚和方便起见，各层的厚度或者尺寸被夸大、省略或示意性示出。因此，各元件的尺寸不完全反映其实际尺寸。
虽然使用诸如第一和第二的术语来表示各种元件、构件、层和/或区域，但是该术语不应该被理解成限制元件、构件、层和/或区域。
另外，在发光器件的结构描述期间参考的角度和方向基于在图中的示出。在发光器件的结构的说明中，如果没有清楚地描述关于角度和位置关系的参考点，则将参考相关附图。
现在将详细地参考实施例，在附图中示出其示例。
图1是示出根据一个实施例的发光器件的结构的截面视图。
参考图1，根据这个实施例的发光器件100包括：导电支撑基板110；被布置于导电支撑基板110上的反射层120；被布置于反射层120上并且在其边缘的至少一个区域中设置有台阶的第一电极层130；被布置于台阶上的保护层140；和被布置于第一电极层130和保护层140上的发光结构150，发光结构150包括第一导电半导体层151、第二导电半导体层153和插入在第一导电半导体层151和第二导电半导体层153之间的有源层152，其中反射层120和第一电极层130的至少一个区域在至少一个区域中垂直地重叠保护层140。
导电支撑基板110可以由导热材料或者导电材料例如金属或者导电陶瓷制成。导电支撑基板110可以是单层、或者双层或者多层。
即，导电支撑基板110可以由选自Au、Ni、W、Mo、Cu、Al、Ta、Ag、Pt和Cr或者其合金的金属制成并且可以是包括两种或者更多不同材料的叠层。
这种导电支撑基板110有利于由发光器件100产生的热的发射并且改进了发光器件100的热稳定性。
在发光结构150的有源层152中产生的光的一部分被朝向导电支撑基板110引导的情形中，反射层120朝向发光器件100的顶部反射光，因此改进发光器件100的光提取效率。因此，反射层120可以由具有高的光反射率的材料制成。例如，反射层120由选自Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf及其组合的金属制成，或者由金属和透光导电材料例如IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO和ATO构成的多层。另外，反射层120可以是IZO/Ni、AZO/Ag、IZO/Ag/Ni、AZO/Ag/Ni等的叠层。
第一电极层130可以具有多层结构并且例如可以包括而不限于欧姆层(未示出)和结合层(未示出)。
欧姆层(未示出)欧姆接触发光结构150的底部并且可以包括多个层或者图案。欧姆层(未示出)可以选自透光电极层和金属。欧姆层可以使用选自铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铝锌氧化物(AZO)、锑锡氧化物(ATO)、镓锌氧化物(GZO)、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni、Ag、Ni/IrOx/Au和Ni/IrOx/Au/ITO中的一种或者多种而实现为单层或者多层。欧姆层(未示出)有利于载流子在第二半导体层153中的结合并且在某些情形中可以不形成欧姆层。
另外，第一电极层130可以包括结合层(未示出)并且结合层(未示出)可以包含选自Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag和Ta中的至少一种作为阻挡金属或者结合金属，但不限于此。
同时，反射层120和第一电极层130可以具有相同的宽度(W)并且可以具有优异的粘附力，因为通过同时烘焙工艺形成反射层120和第一电极层130。
第一电极层130可以在其边缘的至少一个区域中包括台阶并且保护层140可以被布置于该台阶上。当蚀刻通过同时烘焙形成的反射层120和第一电极层130时，保护层140防止发光结构150被蚀刻。此时，蚀刻方法可以是例如干法蚀刻。
另外，保护层140可以具有多层结构并且可以例如包括第一层144和在其上布置的第二层142。第一层144可以包含二氧化硅(SiO2)并且第二层142可以包含氧化铝(Al2O3)，因此针对蚀刻更加有效率地保护发光结构150。
保护层140可以被布置为它垂直地部分地与第一电极层130和反射层120重叠。
如下所述，在第一电极层130和反射层120经历同时烘焙和单蚀刻之后，反射层120被布置为它垂直地部分地与保护层140重叠并且具有更宽的区域。这最大化反射层120的反射率并且改进了发光二极管100的发光效率。另外，当第一电极层130和反射层120经历同时烘焙和单蚀刻工艺时，反射层120和第一电极层130可以具有相同的宽度(W)。
同时，反射层120和第一电极层130在垂直地部分地与保护层140重叠的区域的宽度W1可以是15到30μm。考虑保护层140具有大约130μm的宽度W2的事实，反射层120和第一电极层130垂直地部分地与保护层重叠的区域的宽度W1可以是保护层140的宽度W2的0.11-0.23倍。
发光结构150接触第一电极层130和保护层140并且可以包括至少第一导电半导体层151、有源层152和第二导电半导体层153，并且有源层152可以被插入在第一导电半导体层151和第二导电半导体层153之间。另外，发光结构150可以进一步包括被布置于发光结构150上的光提取结构158和第二电极层160。
第一半导体层151可以由n型半导体层实现并且可以向有源层152供应电子。第一半导体层151可以选自具有组成式InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料例如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN和AlInN并且可以掺杂有n型掺杂物例如Si、Ge和Sn。
有源层152可以被布置在第一导电半导体层151下面。
有源层152可以具有利用由III-V族元素构成的化合物半导体材料制成的单或者多量子阱结构、量子线结构、量子点结构等。
在有源层152具有量子阱结构的情形中，例如，它可以具有包括具有组成式InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的阱层和具有组成式InaAlbGa1-a-bN(0≤a≤1，0≤b≤1，0≤a+b≤1)的势垒层的单或者多量子阱结构。阱层可以由具有小于势垒层的带隙的带隙的材料制成。
第二导电半导体层153可以由p型半导体层实现以向有源层152供应空穴。第二导电半导体层153可以例如由具有组成式InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料例如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN和AlInN制成并且可以掺杂有p型掺杂物例如Mg、Zn、Ca、Sr和Ba。
同时，第一导电半导体层151、有源层152和第二导电半导体层153可以由包括但是不限于金属有机化学气相沉积(MOCVD)、化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、分子束外延(MBE)、氢化物气相外延(HVPE)和溅射的方法形成。
同时，中间层(未示出)可以被布置在第一导电半导体层151和第二导电半导体层153之间，中间层(未示出)可以是防止其中当被施加有高电流时从第一导电半导体层151供应到有源层152的电子没有在有源层152中复合而是被供应到第二导电半导体层153的现象的电子阻挡层。中间层(未示出)具有比有源层152更大的带隙，因此防止其中从第一导电半导体层151供应到有源层152的电子没有在有源层152中复合而是供应到第二导电半导体层153的现象。因此，这增加了有源层152中的电子和空穴之间的复合的可能性并且防止了电流泄漏。
同时，中间层(未示出)可以具有大于在有源层152中包括的势垒层的带隙并且可以例如由p型含Al半导体层例如AlGaN制成，但不限制于此。
同时，发光结构150可以包括被布置于第一导电半导体层151上的具有与第一导电半导体层151相反的极性的第三半导体层(未示出)。另外，第一导电半导体层151可以由p型半导体层实现并且第二导电半导体层153可以由n型半导体层实现。结果，发光器件150可以具有n-p、p-n、n-p-n和p-n-p结结构中的至少一种。
同时，第二电极层160可以被布置于第一导电半导体层151上从而它电连接到第一导电半导体层151，并且第二电极层160可以包括具有至少一个焊盘和/或预定图案的电极。第二电极层160可以被布置在第一导电半导体层151上的中心、周边或者边缘区域中并且该区域不限于此。同时，第二电极层160可以被布置在除了在第一导电半导体层151上提供的区域之外的区域中，并且其位置不限于此。
第二电极层160可以由导电材料例如选自In、Co、Si、Ge、Au、Pd、Pt、Ru、Re、Mg、Zn、Hf、Ta、Rh、Ir、W、Ti、Ag、Cr、Mo、Nb、Al、Ni、Cu、和WTi或者其合金的金属制成的单层或者多层。
发光结构150可以进一步在其顶部处设置有光提取结构158。光提取结构158可以被布置在局部区域中或者整个第一导电半导体层151之上。光提取结构158可以通过蚀刻第一导电半导体层151的上表面的至少一个区域形成并且形成方法不限于此。蚀刻处理包括湿法或/和干法蚀刻处理。在蚀刻处理之后，透光电极层(未示出)的上表面或者第一导电半导体层151的上表面可以具有构成光提取结构158的粗糙。具有随机尺寸的粗糙可以不规则地形成，但是不限于此。粗糙包括纹理图案、凹-凸图案和非均匀图案中的至少一种。
粗糙截面可以具有各种形状，例如柱体、多棱镜(polyprism)、锥体、多棱椎(polypyramid)、圆形截头锥体和平截头棱锥体，并且优选地具有锥形或者多棱椎形形状。
同时，光提取结构158可以由光电化学(PEC)方法形成，但是光提取结构158的形成不限于此。当光提取结构158形成在透光电极层151的上表面上时，防止了由于透光电极层(未示出)或者第一半导体层151的上表面的光的全反射导致的光的散射或者从有源层152产生的光被再次吸收到有源层152中，从而有助于提高发光器件100的光提取效率。
电流阻挡层180可以被布置在发光结构150下面从而电流阻挡层180在至少一个区域中垂直地重叠第二电极层160。另外，第一电极层130可以设置有其中布置电流阻挡层180的台阶。
在第一半导体层151由n型半导体层实现的情形中，电流阻挡层180防止通过第二电极层160供应的电子仅在第二电极层160的底部处集中的电流集边。
如下所述，电流阻挡层180可以与保护层140同时形成并且类似于保护层140，其可以由包含二氧化硅(SiO2)的第一层184或者包含氧化铝(Al2O3)的第二层182构成。
发光器件100可以包括被布置在发光结构150的侧面处的绝缘层170。绝缘层170可以由绝缘材料例如氧化硅(SiO2)或者氮化硅(Si3N4)制成并且可以沿着发光结构150的侧面从不垂直地与发光结构150重叠的保护层140的顶部延伸到第一半导体层151的部分顶部。
图2到9是示出用于制造发光器件的方法的截面视图。
参考图2，发光结构150形成在生长衬底101上。
生长衬底101选自由蓝宝石(Al2O3)、GaN、SiC、ZnO、Si、GaP、InP和GaAs组成的组。虽然在图中未示出，但是缓冲层(未示出)可以形成在生长衬底101和发光结构150之间。
缓冲层(未示出)可以由III和V族元素的化合物制成，但是可以从GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN和AlInN中选择并且可以掺杂有掺杂物。
非掺杂的半导体(未示出)可以被布置于生长衬底101或者缓冲层(未示出)上，可以形成或者不形成缓冲层(未示出)和未掺杂的半导体层(未示出)中的至少一个，并且这个结构不受限制。
发光结构150可以包括至少第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层，并且在上面定义了该结构并且因此省略其详细解释。
分别形成保护层140和电流阻挡层180的第一层144和第二层142可以通过诸如溅射的方法顺序地形成在发光结构150上的单独的区域中。
第一层144可以包含二氧化硅(SiO2)并且第二层142可以包含氧化铝(Al2O3)。
如在图3中所示，使用(未示出)在其中将形成保护层140和电流阻挡层180的区域中设置有开口的掩模来构图第一层144和第二层142，并且然后在600℃或者更高温度下烘焙以形成保护层140和电流阻挡层180。
在图4中，同时形成第一电极层130和反射层120。即，可以通过利用诸如溅射的方法顺序地形成这些层，然后同时地进行烘焙来实现第一电极层130和反射层120的形成。当如上所述地通过同时烘焙形成第一电极层130和反射层120时，可以改进第一电极层130和反射层120之间的粘附性。
参考图5，台面蚀刻第一电极层130和反射层120的周边区域。可以通过干法蚀刻执行台面蚀刻。此时，因为第一电极层130和反射层120被同时蚀刻，所以第一电极层130和反射层120可以具有相同的宽度(W)。
因此，反射层120可以具有较宽的面积，因此呈现最大反射性质并且提高发光二极管100的发光效率。
另外，在台面蚀刻第一电极层130和反射层120之后，反射层120垂直地部分地与保护层140重叠并且反射层120垂直地部分地与保护层140重叠的区域的宽度W1可以是15到30μm。此时，考虑保护层140的宽度W2是大约130μm的事实，反射层120垂直地部分地与保护层140重叠的区域的宽度W1可以是保护层140的宽度W2的0.11到0.23倍。
当干法蚀刻反射层120和第一电极层130时，保护层140防止发光结构150被蚀刻。
参考图6，导电支撑构件或者导电支撑基板110可以被布置于反射层120上。导电支撑基板110可以通过粘附层111粘附到反射层120。
在布置导电支撑基板110的情形中，导电支撑基板110位于基底中并且生长衬底101然后被移除。可以通过物理和/或化学方法移除生长衬底101并且物理方法的一个实示例是激光剥离(LLO)方式。
同时，虽然未示出，但是在移除生长衬底101之后，被布置于发光结构150上的缓冲层(未示出)可以被移除。此时，可以通过干法或者湿法蚀刻方法或者打磨工艺移除缓冲层(未示出)。
参考图7和8，台面蚀刻发光结构150的周边区域并且然后布置绝缘层170。通过台面蚀刻发光结构150，有源层152的宽度可以大于反射层120的宽度并且反射层120的面积大于有源层152的面积，因此进一步提高反射层120的反射率。
绝缘层170可以由绝缘材料制成并且可以沿着发光结构150的侧面从不垂直地重叠发光结构150的保护层140的顶部延伸到第一半导体层151的部分顶部。
参考图9，通过预定蚀刻方法部分地或者整体地蚀刻第一导电半导体层151的表面以在第一导电半导体层151上形成光提取结构158和第二电极层160。
在某些情形中可以不形成光提取结构158并且其结构不限于在图9中示出的结构。
同时，第二电极层160在至少一个区域中垂直地重叠电流阻挡层180。即，电流阻挡层180被布置为它对应于第二电极层160的位置，因此防止通过第二电极层160供应的电子仅集中在第二电极层160的底部上的电子集边。
图10A是示出根据一个实施例的发光器件封装的透视图。图10B是在图10A中示出的发光器件封装的截面视图。
参考图10A和10B，根据实施例的发光器件封装200包括具有腔体220的主体210、安装在主体210中的第一和第二引线框架240和250、和电连接到第一和第二引线框架240和250的发光器件230。
主体21可以由选自诸如聚邻苯二甲酰胺(PPA)的树脂、硅(Si)、铝(Al)、氮化铝(AlN)、氧化铝(AlOx)、光敏玻璃(PSG)、聚酰胺9T(PA9T)、间规聚苯乙烯(SPS)、金属、蓝宝石(Al2O3)、氧化铍(BeO)、陶瓷、印刷电路板(PCB)和陶瓷中的至少一种制成。主体210可以通过注入成型、蚀刻等形成并且本实施例不限于该形成方法。
主体210的内表面可以设置有倾斜表面。从发光器件230发射的光的反射角度可以根据倾斜表面的角度而改变。因此，能够控制出射到外部的光的取向角度。
同时，如从顶部看到的，设置在主体210中的腔体可以具有各种形状，其包括而不限于圆形形状、矩形形状、多边形形状、椭圆形形状和带有弯曲角的形状。
可以在腔体中形成树脂层，并且该树脂层可以包括荧光体(未示出)。树脂层可以由透明硅酮、环氧树脂和其它树脂制成并且可以通过利用树脂填充腔体，然后使用UV或者热来固化而形成。
考虑从发光器件230发射的光的波长来选择荧光体(未示出)，以允许发光器件封装200呈现白光。
在树脂层中包括的荧光体可以是蓝发光荧光体、蓝绿发光荧光体、绿发光荧光体、黄绿发光荧光体、黄发光荧光体、黄红发光荧光体、橙发光荧光体和红发光荧光体中的至少一种。
即，荧光体(未示出)被从发光器件230发射的第一光激发以产生第二光。例如，在发光器件230是蓝色发光二极管并且荧光体(未示出)是黄色荧光体的情形中，黄色荧光体被蓝色光激发以发射黄色光，从蓝色发光二极管发射的蓝色光被与由蓝色光激发并产生的黄色光混合以允许发光器件封装200呈现白光。
类似地，在发光器件230是绿色发光二极管的情形中，可以例示洋红色荧光体或者蓝色和红色荧光体的组合，并且在发光器件230是红色发光二极管的情形中，可以例示青色荧光体或者蓝色和绿色荧光体的组合。
这样的荧光体可以是已知的荧光体，例如YAG、TAG、硫化物、硅酸盐、铝酸盐、氮化物、碳化物、氮化硅酸盐、硼酸盐、氟化物和磷酸盐。
同时，主体210可以设置有第一引线框架240和第二引线框架250。第一引线框架240和第二引线框架250电连接到发光器件230以向发光器件230供应电力。
第一引线框架240和第二引线框架250相互电分离，以反射从发光器件230发射的光并且从而提高光效率并且将从发光器件230发射的热排放到外部。
图10A和10B示出发光器件230被设置在第一引线框架250上的情形，但是本实施例不限于该构造。发光器件230可以通过引线接合、倒装芯片或者贴片而电连接到第一引线框架240和第二引线框架250。
第一引线框架240和第二引线框架250可以包含诸如钛(Ti)、铜(Cu)、镍(Ni)、金(Au)、铬(Cr)、钽(Ta)、铂(Pt)、锡(Sn)、银(Ag)、磷(P)、铝(Al)、铟(In)、钯(Pd)、钴(Co)、硅(Si)、锗(Ge)、铪(Hf)、钌(Ru)、铁(Fe)的金属及其合金。另外，第一和第二引线框架240和250可以具有单层或者多层结构，但不限制于此。
图11A是示出包括根据一个实施例的发光器件的发光装置的透视图。图11B是沿着图1的线A-A截取的发光装置的截面视图。
同时，在下文中，为了更好的理解，将基于纵向方向Z、垂直于纵向方向Z的水平方向Y和垂直于纵向方向Z和水平方向Y的高度方向X来描述发光装置300。
即，图11B是沿着纵向方向(Z)和高度方向(X)的截面截取并且从水平方向(Y)看到的图11A的发光装置300的截面视图。
参考图11A和11B，发光装置300可以包括主体310、连接到主体310的盖330和布置在主体310的两端处的端帽350。
发光器件模块340连接到主体310的底部并且主体310可以由金属构成，其表现优异的导电性和优异的散热效果从而通过主体310的顶部向外部释放从发光器件封装344产生的热。
发光器件模块包括PCB 342和包括发光器件(未示出)的发光器件封装344。发光器件封装344被以多种颜色和多行安装在PCB 342上以构成阵列，并且可以根据需要以预定距离或者以不同距离相互隔开以控制亮度。PCB 342可以是金属芯PCB(MCPCB)或者由FR4制成的PCB。
盖330可以采取圆形形状以围绕主体310的底部，但不限制于此。
盖330针对异物保护发光器件模块340。另外，盖330防止从发光器件封装344产生眩光并且包括漫射颗粒以将光均匀地放出到外部。另外，可以在盖330的内表面和外表面中的至少一个上形成棱镜图案等。替代地，可以将荧光体施加到盖330的内表面和外表面中的至少一个上。
同时，盖330应该呈现优异的光透射性，从而它能够通过盖330向外部释放从发光器件封装344产生的光，并且盖330应该呈现足够的耐热性从而它能够经受由发光装置封装344发射的热。优选地，盖330由包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯(PC)或者聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等的材料构成。
端帽350被布置于主体310的两端上并且可以用于密封功率器件(未示出)。另外，端帽350设置有电力插头352，从而在不是用任何额外的装置的情况下允许发光装置300应用于已经从其移除了荧光灯的传统的端子。
图12是示出包括根据另一实施例的发光器件的液晶显示器的分解透视图。
图12示出包括液晶显示面板410和向液晶显示面板410供应光的背光单元470的边缘发光型液晶显示装置400。
液晶显示面板410使用从背光单元470供应的光来显示图像。液晶显示面板410包括彼此面对从而在其间插入液晶的滤色基板412和薄膜晶体管基板414。
滤色基板412能够实现将通过液晶显示面板410显示的彩色图像。
薄膜晶体管基板414通过驱动膜417电连接到其上安装多个电路构件的印刷电路板418。薄膜晶体管基板414响应于从印刷电路板418供应的驱动信号并且可以将来自印刷电路板418的驱动电压施加到液晶。
薄膜晶体管基板414包括在由诸如玻璃或者塑料的透明材料构成的其它基板上的形成为薄膜的像素电极和薄膜晶体管。
背光单元470包括用于发射光的发光器件模块420、用于将从发光器件模块420发射的光转换成表面光源并且向液晶显示器面板410供应光的导光板430、用于均匀化来自导光板430的光的亮度并且改进垂直入射的多个膜450、466和464、和用于向导光板430反射发射到导光板430的背面的光的反射片440。
发光器件模块420包括多个发光器件封装424和其上安装发光器件封装424以形成阵列的PCB 422。
特别地，在发光器件封装424中包括的发光器件与参考图1所述的相同。
同时，背光单元470包括用于朝向液晶显示面板410漫射从导光板430入射的光的漫射膜466、用于集中漫射光并且因此改进垂直入射的棱镜膜450和用于保护棱镜膜450的保护膜464。
图13是示出包括根据一个实施的发光器件的液晶显示器的分解透视图。
没有详细地描述在图12中示出并且描述的内容。
图13示出包括液晶显示面板510和用于向液晶显示面板510供应光的背光单元570的直接型液晶显示装置500。
已经在图13中描述了液晶显示面板510并且因此省略其详细解释。
背光单元570包括多个发光器件模块523、反射片524、在其中容纳发光器件模块523和反射片524的下底座530、和布置于发光器件模块523上的扩散板540和多个光学膜560。
每一个发光器件模块523包括多个发光器件封装和其上安装发光器件封装522以形成阵列的PCB 521。
反射片524朝向液晶显示面板510反射由发光器件封装522产生的光以改进光效能。
同时，从发光器件模块523发射的光在扩散板540上入射并且光学膜560被布置于扩散板540上。光学膜560包括扩散膜566、棱镜膜550和保护膜564。
在该实施例中，发光装置和背光单元可以包括在发光系统中并且本实施例不限于此。
在以上实施例中描述的特征、结构以及效果等等被包括在至少一个实施例中，并且不限于一个实施例。此外，本领域的技术人员将会理解各实施例中示出的特征、结构和效果的各种组合和修改都是可能的。因此，将会理解的是这些组合和修改都落入本发明的范围内。
虽然已经为了示出的目的公开了实施例，但是本领域技术人员将会理解，在不偏离如在所附权利要求中公开的实施例的范围和精神的情况下，各种修改、添加和替代都是可能的。例如，在实施例中详细描述的各元件可以进行修改。此外，将会理解，在所附权利要求中限定的实施例的范围涵盖与这些修改、添加和替代有关的差别。

Claims (20)

1.一种发光器件，包括：
导电支撑基板；
所述导电支撑基板上的反射层；
第一电极层，其位于所述反射层上并且在其边缘的至少一个区域中设置有台阶；
所述台阶上的保护层；和
所述第一电极层和所述保护层上的发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和插入在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间的有源层，
其中所述反射层和所述第一电极层的至少一个区域垂直地重叠所述保护层。
2.根据权利要求1的发光器件，其中所述反射层和所述第一电极层具有相同的宽度。
3.根据权利要求1或2的发光器件，其中所述反射层和所述第一电极层垂直地重叠所述保护层的区域的宽度是15到30μm。
4.根据权利要求1到3中的任一项的发光器件，其中所述反射层和所述第一电极层重叠所述保护层的区域的宽度是所述保护层的宽度的0.11-0.23倍。
5.根据权利要求1到4中的任一项的发光器件，进一步包括：
所述发光结构上的光提取结构。
6.根据权利要求5的发光器件，其中所述光提取结构包括具有预定粗糙度的粗糙。
7.根据权利要求1到6中的任一项的发光器件，进一步包括：插入在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间的中间层，
其中所述中间层是电子阻挡层。
8.根据权利要求1到7中的任一项的发光器件，进一步包括：
所述发光结构上的第二电极层。
9.根据权利要求8的发光器件，进一步包括电流阻挡层，所述电流阻挡层在所述发光结构下面从而所述电流阻挡层在至少一个区域中垂直地重叠所述第二电极层。
10.根据权利要求8或9的发光器件，其中所述第一电极层在所述第一电极层垂直地重叠所述第二电极层的区域中包括台阶，
其中所述电流阻挡层处于所述台阶中。
11.根据权利要求1到10中的任一项的发光器件，进一步包括所述发光结构的侧面处的绝缘层。
12.根据权利要求1到11中的任一项的发光器件，其中所述保护层包括至少第一层和在所述第一层下面的第二层。
13.根据权利要求12的发光器件，其中所述第一层包含二氧化硅(SiO2)，以及所述第二层包含氧化铝(Al2O3)。
14.根据权利要求1到13中的任一项的发光器件，其中所述反射层包含Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO和ATO中的至少一个。
15.根据权利要求1到14中的任一项的发光器件，其中所述反射层的面积大于所述有源层的面积。
16.一种发光系统，其包括根据权利要求1至15中的任一项的发光器件。
17.一种用于制造发光器件的方法，包括：
在生长衬底上形成发光结构，所述发光结构至少包括第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层；
在所述发光结构的边缘的至少一个区域中形成保护层；以及
在所述保护层和所述发光结构上同时形成第一电极层和反射层。
18.根据权利要求17的方法，进一步包括：
同时蚀刻所述第一电极层和所述反射层的边缘；
在所述反射层上形成导电支撑基板；
移除所述生长衬底；以及
蚀刻所述发光结构的边缘的至少一个区域从而蚀刻所述保护层的至少一个区域。
19.根据权利要求18的方法，进一步包括：
在所述第一导电半导体层上形成粗糙；以及
在所述第一导电半导体层上形成第二电极层。
20.根据权利要求17至19中的任一项的方法，其中所述形成保护层包括：
形成包含二氧化硅(SiO2)的第一层；以及
在所述第一层上形成包含氧化铝(Al2O3)的第二层。
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