CN103107260A - 发光器件 - Google Patents

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Abstract

公开了一种发光器件。该发光器件包括电极，该电极包括设置在第二半导体层上的反射电极层和设置在反射电极层的外侧表面的至少部分区域中同时与第二半导体层接触的接合电极层。因此，可以增强电极与半导体层之间的接合的可靠性。

Description

发光器件
相关申请的交叉引用
本申请要求于2011年11月15日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请10-2011-0119144的优先权，通过引用将其内容并入本文。
技术领域
实施方案涉及一种发光器件。
背景技术
发光二极管(LED)是发光器件的代表，并且指的是使用化合物半导体的特性将电信号转化成光例如红外光或可见光的器件。这种LED用于家用电器、遥控器、电子显示器、显示器以及各种其它自动化机器中，并且LED的应用范围在逐渐地拓宽。
通常，将小型LED制造成表面安装器件以直接安装在印刷电路板(PCB)上，因此用作显示器件的LED灯正开发为表面安装器件。表面安装器件可以替代常规的简单灯，并且可以用于各种彩色开关显示器以及字符显示器和图像显示器中。
由于LED的应用范围广泛，所以家用电灯、求救信号灯等要求高的亮度。因此，需要增加LED的亮度。
发明内容
实施方案提供了一种包括电极的发光器件，所述电极具有与半导体层的优异的接合性能并且具有高的光反射率。
在一个实施方案中，发光器件包括：包括第一半导体层、第二半导体层、以及在第一半导体层与第二半导体层之间的有源层的发光结构；电连接至第一半导体层的第一电极；以及设置在第二半导体层上的第二电极，其中第二电极包括：设置在第二半导体层上的反射电极层，以及设置在反射电极层的外侧表面的至少一部分区域中同时与第二半导体层接触的接合电极层。
附图说明
结合附图通过以下详述，将更清楚地理解实施方案的细节，其中：
图1是示出根据一个示例性实施方案的发光器件的俯视图；
图2是图1所示的发光器件的沿线A-A的截面图；
图3是示出图2的区域“a”的放大图；
图4是示出图2的区域“b”的放大图；
图5是示出根据另一实施方案的发光器件的电极的截面图；
图6是示出根据又一实施方案的发光器件的电极的截面图；
图7是示出根据又一实施方案的发光器件的电极的截面图；
图8是示出根据又一实施方案的发光器件的电极的截面图；
图9是示出根据又一实施方案的发光器件的电极的截面图；
图10是示出根据又一实施方案的发光器件的电极的截面图；
图11是示出根据又一实施方案的发光器件的电极的截面图；
图12是示出根据又一实施方案的发光器件的电极的截面图；
图13是示出根据又一实施方案的发光器件的俯视图；
图14是示出根据又一实施方案的发光器件的俯视图；
图15是示出根据又一实施方案的发光器件的截面图；
图16是示出根据又一实施方案的发光器件的截面图；
图17至图19是示出制造根据示出的实施方案的发光器件的电极的方法的连续工艺的截面图；
图20是示出根据一个示例性实施方案的包括发光器件的发光器件封装件的立体图；
图21是示出包括根据示出的示例性实施方案的发光器件的发光器件封装件的截面图；
图22是示出根据一个示例性实施方案的包括发光器件的照明装置的立体图；
图23是图22所示的照明装置的沿线C-C′的截面图；
图24是示出根据一个示例性实施方案的包括发光器件的液晶显示装置的分解立体图；以及
图25是示出根据一个示例性实施方案的包括发光器件的液晶显示装置的分解立体图。
具体实施方式
现在将详细地参考其示例示出在附图中的实施方案。然而，本公开可以以多种不同的形式实施，而不应理解为限于本文中提出的实施方案。
而是提供这些实施方案，使得本公开可以是全面的和完整的，并且使得本领域技术人员能够充分理解本公开的范围。本公开仅由权利要求的范畴来限定。在可能的情况下，在整个附图中利用相同的附图标记表示相同或相似的部分。
与空间相关的措辞例如“下”、“下方”、“下部”、“上”或“上部”在本文中可以用于描述例如图中示出的一个元件与另一个元件的关系。可以理解，除了在图中描述的方位之外，与空间相关的措辞还意在包括器件的其它方位。例如，如果将一幅图中的器件翻转，那么描述为在其它元件“下”或“下方”的元件将被定向为在其它元件“上”。因此，示例性措辞“下”或“下方”可以包括上和下两个方位。因为可以沿着另一方向定向器件，所以可以根据器件的方位来理解与空间相关的措辞。
本公开中使用的术语仅出于描述具体实施方案的目的而并不意在限制本公开。如在本公开和所附权利要求中所使用的，除非上下文清楚地指出，否则单数形式“一个”、“一种”以及“该/所述”也意在包括复数形式。还可以理解，当在本说明书中使用时，术语“包括”和/或“包含”明确说明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件，但不排除存在或增加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组合。
除非另有定义，否则本文中所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有本领域技术人员一般理解的含义。还可以理解，如在一般使用的词典中定义的那些术语之类的术语应该理解为其含义与相关领域和本公开的上下文中的含义一致，并且，除非在本文中清楚地定义，否则不应以理想化或过度形式化的意义来理解。
在图中，为了方便描述和清楚，放大、省略或示意性地示出各个层的厚度或尺寸。此外，各个组成元件的尺寸和面积并不完全反映其真实尺寸。
用于描述根据实施方案的发光器件的结构的角度和方向基于附图所示的角度和方向。除非说明书中没有对描述发光器件的结构中的角位置关系的参考点进行限定，否则可以参考相关附图。
图1是示出根据一个示例性实施方案的发光器件的俯视图。图2是图1所示的发光器件的沿线A-A的截面图。图3是示出图2的区域“a”的放大图。图4是示出图2的区域“b”的放大图。
参考图1至图4，根据示出的实施方案的用附图标记100表示的发光器件可以主要包括支撑构件110、发光结构以及电极。发光结构可以包括第一半导体层120、第二半导体层140以及在第一半导体层120与第二半导体层140之间的有源层130。
支撑构件110可以由具有透光性的材料例如蓝宝石(Al2O3)、GaN、ZnO以及AlO中的任一种材料制成，但是本公开不限于此。此外，支撑构件110可以由导热率大于蓝宝石(Al2O3)支撑构件的导热率的碳化硅(SiC)制成。但是，优选地，支撑构件110的折射率小于第一半导体层120的折射率，以提高光提取效率。
同时，支撑构件110的下表面处可以形成有表面不规则图案以提高光提取效率。
表面不规则图案可以形成在与形成有发光结构的表面相反的表面处，并且使用蚀刻方法来形成。例如，可以使用干蚀刻方法或湿蚀刻方法，但是本公开不限于此。由于表面不规则图案，因此可以防止光的全反射，从而实现光提取效率的提高。
同时，支撑构件110上可以设置有缓冲层(未示出)，以减小支撑构件110与第一半导体层120之间的晶格失配同时使得半导体层能够容易生长。缓冲层(未示出)可以在较低温度模式下形成，并且可以由能够减小半导体层与支撑构件之间的晶格常数的差的材料制成。例如，缓冲层可以由选自GaN、InN、AlN、AlInN、InGaN、AlGaN以及InAlGaN中的材料制成，但是本公开不限于此。
在缓冲层(未示出)上可以形成包括第一半导体层120、有源层130以及第二半导体层140的发光结构。
第一半导体层120可以设置在缓冲层(未示出)上。第一半导体层120可以实现为n型半导体层，并且可以给有源层130提供电子。第一半导体层120可以由例如具有式InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，且0≤x+y≤1)的半导体材料制成。例如，第一半导体120可以由选自GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN等中的半导体材料制成，并且可以掺杂有n型掺杂剂，例如Si、Ge、Sn等。
第一半导体层120可以还包括设置在第一半导体层120下的未掺杂的半导体层(未示出)，但是本公开不限于此。未掺杂的半导体层指的是形成以增强第一半导体层120的结晶性的层，并且未掺杂的半导体层未掺杂有n型掺杂剂。相应地，除了导电率小于第一半导体120的导电率之外，未掺杂的半导体层可以与第一半导体层120等同。
有源层130可以形成在第一半导体层120上。有源层130可以具有使用III-V族化合物半导体材料形成的单量子阱结构、多量子阱结构(MQW)、量子线结构、量子点结构等。
在有源层130具有量子阱结构时，有源层130例如可以具有单量子阱结构或多量子阱结构，有源层130包括具有式InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，且0≤x+y≤1)的阱层和具有式InaAlbGa1-a-bN(0≤a≤1，0≤b≤1，且0≤a+b≤1)的势垒层。阱层可以由能带隙小于势垒层的能带隙的材料制成。
在有源层130上和/或下可以形成导电覆层(未示出)。导电覆层(未示出)可以由AlGaN基半导体制成，并且其能带隙大于有源层130的能带隙。
第二半导体层140可以实现为p型半导体层，以给有源层130中注入空穴。第二半导体层140可以由具有式InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，且0≤x+y≤1)的半导体材料制成。例如，第二半导体层140可以由选自GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN等中的半导体材料制成，并且可以掺杂有p型掺杂剂，例如Mg、Zn、Ca、Sr、Ba等。
同时，在有源层130与第二半导体层140之间可以形成中间层(未示出)。中间层可以是电子阻挡层，以防止在施加大电流时从第一半导体层120注入到有源层130的电子流至第二半导体层140而未在有源层130中进行电子复合。中间层的能带隙相对大于有源层130的能带隙，从而防止从第一半导体层120注入的电子注入到第二半导体层140中而未在有源层130中进行电子复合。因此，可以增加电子与空穴之间在有源层130中进行复合的几率并且防止电流的泄露。
此处，中间层的能带隙可以大于包括在有源层130中的势垒层的能带隙，并且可以形成为包含铝(Al)半导体层，例如p型AlGaN。但是，中间层不限于上述结构。
上述第一半导体层120、有源层130以及第二半导体层140可以例如使用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)、化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、分子束外延(MBE)、氢化物气相外延(HVPE)或者溅射来形成，但是本公开不限于此。
此外，第一半导体层120和第二半导体层140中的各个层中的导电掺杂剂可以具有均一或不均一的掺杂浓度。即，多个半导体层可以形成为具有各种掺杂浓度分布，但是本公开不限于此。
此外，第一半导体层120可以实现为p型半导体层，第二半导体层140可以实现为n型半导体层，并且在第二半导体层140上还可以形成有包括n型或p型半导体层的第三半导体层(未示出)。因此，发光器件100可以具有n-p结结构、p-n结结构、n-p-n结结构以及p-n-p结结构中的至少一种。
电极用于将发光器件100连接至电源。电极可以包括电连接至第一半导体层120的第一电极170和设置在第二半导体层140上的第二电极180。在第二电极180与第二半导体层140之间可以形成有透光电极层150。
透光电极层150可以由ITO、IZO(In-ZnO)、GZO(Ga-ZnO)、AZO(Al-ZnO)、AGZO(Al-Ga ZnO)、IGZO(In-Ga ZnO)、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au以及Ni/IrOx/Au/ITO中的至少一种制成。透光电极层150可以形成在第二半导体层140的外侧的整个一个表面上，从而防止电流拥挤现象。
第一电极170可以形成在第一半导体层120上。考虑到发光器件100的尺寸等，第一电极170的形成位置不受限制，并且，可以形成有多个第一电极170。此外，如图2所示，移除第二半导体层140和有源层130的部分区域，以暴露出第一半导体层120的一部分，并且可以在第二半导体层120的暴露出的上表面上形成第一电极170。但是，本公开不限于上述结构。例如，移除支撑构件110，并且，第一电极170还可以形成在第一半导体层120的暴露出的表面上。
移除第一半导体层120的上表面的方法不受限制，例如，可以使用湿蚀刻方法、干蚀刻方法等。
第二电极180可以设置在第二半导体层140上。
再次参考图1至图3，第二电极180可以包括设置在第二半导体层140上的反射电极层182和设置在反射电极层182的外侧表面的至少部分区域中同时与第二半导体层140接触的接合电极层188。
反射电极层182可以连接至第二半导体层140。当俯视时，反射电极层182可以具有各种形状，如圆形形状、三角形形状、正方形形状等。尽管在图1中反射电极层182示出为具有圆形形状，但是本公开不限于此。此外，反射电极层182在截面图中可以具有梯级形式或倾斜形式。但是，反射电极层182不限于上述结构，随后将给出对反射电极层182的描述。
反射电极层182可以包括显示出反射性的金属材料。例如，反射电极层182可以包括选自铝(Al)、铑(Rh)、锡(Sn)、银(Ag)、银基合金以及银基氧化物中的任一种。此外，反射电极层182可以具有单层结构或多层结构，但是本公开不限于此。
接合电极层188可以在其下表面处连接至第二半导体层140，并且可以设置在反射电极层182的外侧表面的部分区域或全部区域处。即，接合电极层188可以形成为包封反射电极层182的外侧表面的一部分或全部，并且接合电极层188的下表面可以形成为与第二半导体层140接触。接合电极层188不限于其形状，例如可以具有各种形状。随后将给出对接合电极层188的描述。
接合电极层188可以具有单层结构或多层结构，并且可以包含与第二半导体层140具有优异接合力的材料。例如，接合电极层188可以包含铬(Cr)和钛(Ti)中的任一种，但是本公开不限于此。
接合电极层188可以具有多层结构，并且，接合电极层188上按下述顺序层叠至少例如铬(Cr)层、铝(Al)层、镍(Ni)层以及金(Au)层。Cr层可以设置为与第二半导体层140的上表面接触。此外，这些层可以按照上述顺序重复地层叠。尽管接合电极层188不限制其厚度，但是Cr层可以具有
Figure BDA0000147762240000071
到
Figure BDA0000147762240000072
的厚度，Al层可以具有
Figure BDA0000147762240000073
到
Figure BDA0000147762240000074
的厚度，Ni层可以具有
Figure BDA0000147762240000075
到
Figure BDA0000147762240000076
的厚度，Au层可以具有
Figure BDA0000147762240000077
到
Figure BDA0000147762240000078
的厚度。由于在层叠Al之后进行热处理工艺，并且在热处理工艺之后层叠Cr(常规电极)，所以可以提高电极的反射率，从而提高发光器件的光提取效率。因为Al的功函数是4.28，并且Cr的功函数是4.5，所以可以实现电特性的增强。
如此，在设置反射电极层182并且反射电极层182的外侧表面处设置接合电极层188时，可以防止由于第二半导体层140与反射电极层182之间的接合力弱而引起的反射电极层182的剥离。同时，因为反射电极层182反射从有源层130发出的光，所以可以借助于第二电极180来防止光吸收。
下面，将参考表1来再次给出上述描述。下表1给出关于常规电极与根据示出的实施方案的电极之间的反射率试验的结果。常规电极具有按下述顺序层叠接合电极层、反射电极层以及抗氧化层的结构。另一方面，示例1涉及根据示出的实施方案的电极结构，以及反射电极层182与接合电极层188的宽度比为10：1的情况。示例2涉及根据示出的实施方案的电极结构，以及反射电极层182与接合电极层188的宽度比为10∶4的情况。根据此结果可知，通过根据示出的实施方案的发光器件100的电极结构，可以实现约5％或更大的反射率的提高同时维持电极与半导体层之间的接合力。
[表1]
  反射率(％)(在450nm下)
  常规技术   84.45
  示例1   89.60
  示例2   88.58
同时，接合电极层188可以具有能够包封反射电极层182的外侧表面的宽度和厚度。
在接合电极层188具有过厚的厚度h1时，能够吸收从有源层130发出的光的面积增加，然而，在接合电极层188具有过薄的厚度h1时，反射电极层182与接合电极层188之间的接合力劣化。因此，接合电极层188可以具有300nm到500nm的厚度。或者，接合电极层188的厚度h1可以为反射电极层182的厚度h2的0.2倍到1倍，但是本公开不限于此。
在接合电极层188具有过大的宽度w1时，能够吸收从有源层130发出的光的面积增加，然而，在接合电极层188具有过小的宽度w1时，反射电极层182与第二半导体层140之间的接合力劣化。因此，接合电极层188可以具有1μm到2μm的宽度。或者，接合电极层188的宽度w1可以为反射电极层182的宽度w2的0.1倍到0.5倍，但是本公开不限于此。
再次参考图4，第一电极170可以包括设置在第一半导体层120上的反射电极层172以及设置在反射电极层172的外侧表面的至少部分区域中同时与第一半导体层120接触的接合电极层178。
反射电极层172可以连接至第一半导体层120。当俯视时，反射电极层172可以具有各种形状，如圆形形状、三角形形状、正方形形状等。尽管在图1中反射电极层172示出为具有圆形形状，但是本公开不限于此。此外，反射电极层172在截面图中可以具有梯级形式或倾斜形式。但是，反射电极层172不限于上述结构，随后将给出对反射电极层172的描述。
反射电极层172可以包括显示出反射性的金属材料。例如，反射电极层172可以包括选自铝(Al)、铑(Rh)、锡(Sn)、银(Ag)、银基合金以及银基氧化物中的任一种。此外，反射电极层172可以具有单层结构或多层结构，但是本公开不限于此。
接合电极层178可以在其下表面处连接至第一半导体层120，并且可以设置在反射电极层172的外侧表面的部分区域或全部区域处。即，接合电极层178可以形成为包封反射电极层172的外侧表面的一部分或全部，并且接合电极层178的下表面可以形成为与第一半导体层120接触。接合电极层178不限制其形状，例如可以具有各种形状。随后将给出对接合电极层178的描述。
接合电极层178可以包含与第一半导体层120具有优异接合力的材料。例如，接合电极层178可以包含铬(Cr)和钛(Ti)中的任一种，但是本公开不限于此。
如此，在设置反射电极层172并且在反射电极层172的外侧表面处设置接合电极层178时，可以防止由于第一半导体层120与反射电极层172之间的接合力弱而引起的反射电极层172的剥离。同时，因为反射电极层172反射从有源层130发出的光，所以可以借助于第一电极170来防止光吸收。
同时，接合电极层178可以具有能够包封反射电极层172的外侧表面的宽度和厚度。
在接合电极层178具有过厚的厚度h1时，能够吸收从有源层130发出的光的面积增加，然而，在接合电极层178具有过薄的厚度h1时，反射电极层172与接合电极层178之间的接合力劣化。因此，接合电极层178可以具有300nm到500nm的厚度。或者，接合电极层178的厚度h1可以是反射电极层172的厚度h2的0.2倍到1倍，但是本公开不限于此。
在接合电极层178具有过大的宽度w1时，能够吸收从有源层130发出的光的面积增加，然而，在接合电极层178具有过小的宽度w1时，反射电极层172与第一半导体层120之间的接合力劣化。因此，接合电极层178可以具有1μm到2μm的宽度。或者，接合电极层178的宽度w1可以为反射电极层172的宽度w2的0.1倍到0.5倍，但是本公开不限于此。
下文中，将结合第二电极180给出以下描述。因为第一电极170与第二电极180相似，所以除非特别地提到，否则将不再对第一电极170进行描述。
图5是示出根据另一实施方案的发光器件的电极的截面图。
参考图5，根据示出的实施方案的用附图标记100表示的发光器件包括具有不同于图1所示的实施方案的结构的第一电极170和第二电极180。
第二电极180可以包括反射电极层182和接合电极层188，并且反射电极层182可以具有随着向上的距离的减小而减小的宽度。即，反射电极层182可以在其侧表面处具有倾斜表面。在这种情况下，接合电极层188可以沿着反射电极层182的倾斜表面形成。
如此，在反射电极层182具有随着向上的距离的减小而减小的宽度时，可以增加能够反射从有源层130发出的光的面积，并且可以增加反射电极层182与接合电极层188之间的接合力。从而，还可以防止反射电极层182从半导体层剥离。
第一电极170可以具有与第二电极180相同的结构。
图6是示出根据另一实施方案的发光器件的电极的截面图。
参考图6，根据示出的实施方案的用附图标记100表示的发光器件包括具有不同于图1所示的实施方案的结构的第一电极170和第二电极180。
第二电极180可以包括反射电极层182和接合电极层188。反射电极层182可以包括第一反射电极层182a和第二反射电极层182b，其中第一反射电极层182a形成为高度等于接合电极层188的高度，第二反射电极层182b设置在第一反射电极层182a上同时其宽度小于第一反射电极层182a的宽度。接合电极层188可以设置为从第一反射电极层182a的侧表面沿着第一反射电极层182a的上表面直至第二反射电极层182b的侧表面的部分区域。即，反射电极层182可以在其侧表面处具有梯级形式，并且接合电极层188可以沿着反射电极层182的梯级形式形成。
因此，可以增加能够反射从有源层130发出的光的面积，并且可以增加反射电极层182与接合电极层188之间的接触面积。从而，还可以防止反射电极层182从半导体层剥离。
第一电极170可以具有与第二电极180相同的结构。
图7是示出根据又一实施方案的发光器件的电极的截面图。
参考图7，根据示出的实施方案的用附图标记100表示的发光器件包括与图1所示的实施方案具有不同的结构的第一电极170和第二电极180。
第二电极180可以包括反射电极层182和接合电极层188，并且可以还包括设置在反射电极层182和/或接合电极层188上的保护层183。
保护层183可以包含镍(Ni)。
图8是示出根据另一实施方案的发光器件的电极的截面图。
参考图8，根据示出的实施方案的用附图标记100表示的发光器件包括与图1所示的实施方案具有不同的结构的第一电极170和第二电极180。
第二电极180可以包括反射电极层182和接合电极层188，并且可以还包括设置在反射电极层182和/或接合电极层188上的抗氧化电极层184。
抗氧化电极层184不限制其形状，并且可以设置为与反射电极层182和接合电极层188垂直地交叠。抗氧化电极层184用于防止反射电极层182和接合电极层188的氧化。
抗氧化电极层184可以包含具有抗氧化性的导电材料。例如，抗氧化电极层184可以包含金(Au)、铑(Rh)、钯(Pd)、铜(Cu)、镍(Ni)、钌(Ru)、铱(Ir)以及铂(Pt)中的至少一种，但是本公开不限于此。
图9是示出根据另一实施方案的发光器件的电极的截面图。
参考图9，根据示出的实施方案的用附图标记100表示的发光器件包括与图1所示的实施方案具有不同的结构的第一电极170和第二电极180。
第二电极180可以包括反射电极182和接合电极层188。反射电极层182可以包括第一反射电极层182a和第二反射电极层182b，其中第一反射电极层182a形成为具有与接合电极层188的高度相等的高度，第二反射电极层182b设置在第一反射电极层182a上同时设置为直至第一反射电极层182a的上表面。此外，第二电极180可以还包括设置在第二反射电极层182b上的抗氧化电极层184。
抗氧化电极层184不限制其形状，并且可以设置为与反射电极层182和接合电极层188垂直地交叠。抗氧化电极层184用于防止反射电极层182和接合电极层188的氧化。
抗氧化电极层184可以包含具有抗氧化性的导电材料。例如，抗氧化电极层184可以包含金(Au)、铑(Rh)、钯(Pd)、铜(Cu)、镍(Ni)、钌(Ru)、铱(Ir)以及铂(Pt)中的至少一种，但是本公开不限于此。
图10是示出根据另一实施方案的发光器件的电极的截面图。
参考图10，根据示出的实施方案的用附图标记100表示的发光器件包括与图9所示的实施方案具有不同的结构的第二反射电极层182b。
第二反射电极层182b可以设置为从接合电极层188的上表面延伸至接合电极层188的侧表面。
参考图11，根据示出的实施方案的用附图标记100表示的发光器件100包括与图1所示的实施方案具有不同的结构的第一电极170和第二电极180。
第二电极180可以包括反射电极层182和接合电极层188，并且接合电极层188可以具有大于反射电极层182的高度的高度。此外，接合电极层188可以设置为从反射电极层182的侧表面延伸至反射电极层182的上表面。即，接合电极层188可以包括设置在反射电极层182的侧表面处的第一接合电极层188a和设置在反射电极层182上的第二接合电极层188b。
在这种情况下，反射电极层182可以具有200nm到500nm的厚度。
第二电极180可以还包括设置在第二接合电极层188b上的抗氧化电极层184。
抗氧化电极层184不限制其形状，并且用于防止反射电极层182和接合电极层188的氧化。
抗氧化电极层184可以包含具有抗氧化性的导电材料。例如，抗氧化电极层184可以包含金(Au)、铑(Rh)、钯(Pd)、铜(Cu)、镍(Ni)、钌(Ru)、铱(Ir)以及铂(Pt)中的至少一种，但是本公开不限于此。
图11示出的抗氧化电极层184可以包括由镍(Ni)等制成的第一抗氧化电极层184a和由金(Au)等制成并且设置在第一抗氧化电极层184a上的第二抗氧化电极层184b。
此处，第一抗氧化电极层184a可以具有
Figure BDA0000147762240000131
到
Figure BDA0000147762240000132
的厚度，第二抗氧化电极层184b可以具有
Figure BDA0000147762240000133
到
Figure BDA0000147762240000134
的厚度。但是，本公开不限于上述结构。
第一电极170可以具有与第二电极180相同的结构。
图12是示出根据另一实施方案的发光器件的电极的截面图。
参考图12，反射电极层182可以具有多层结构，并且具有按下述顺序层叠例如至少铝(Al)层182-1、镍(Ni)层182-2以及金(Au)层182-3的结构。Al层182-1可以设置为与第二半导体层140的上表面接触。此外，反射电极层182可以具有按下述顺序层叠Al层182-1、Ni层182-2以及Au层182-3的结构，并且可以还包括设置在Au层182-3上的铬(Cr)层182-4、铝(Al)层182-5、镍(Ni)层182-6以及金(Au)层182-7。但是，本公开不限于上述结构。
尽管各个层不限制其厚度，但是Al层182-1可以具有
Figure BDA0000147762240000135
到
Figure BDA0000147762240000136
的厚度，Ni层182-2可以具有
Figure BDA0000147762240000137
到
Figure BDA0000147762240000138
的厚度，Au层182-3可以具有
Figure BDA0000147762240000139
到
Figure BDA00001477622400001310
的厚度，Cr层182-4可以具有
Figure BDA00001477622400001311
到的厚度。
接合电极层188可以具有多层结构，并且可以具有按下述顺序层叠例如至少铬(Cr)层188-1、铝(Al)层188-2、镍(Ni)层188-3以及金(Au)层188-4的结构。Cr层188-1可以设置为与第二半导体层140的上表面接触。此外，可以按照上述次序重复层叠这些层。尽管接合电极层188不限制其厚度，但是Cr层188-1可以具有
Figure BDA00001477622400001313
到
Figure BDA00001477622400001314
的厚度，Al层188-2可以具有
Figure BDA00001477622400001315
到的厚度，Ni层188-3可以具有到
Figure BDA00001477622400001318
的厚度，Au层188-4可以具有
Figure BDA00001477622400001319
到
Figure BDA00001477622400001320
的厚度。
图13是示出根据另一实施方案的发光器件的俯视图。
参考图13，根据示出的实施方案的用附图标记200表示的发光器件包括与图1所示的实施方案具有不同的结构的第一电极270和第二电极280。
第二电极280可以包括反射电极层282和包封反射电极层282的外侧表面的部分区域的接合电极层288。尽管接合电极层288在图13中示出为分成四段，但是本公开不限于此。例如，接合电极层288可以具有多个段。
第一电极270可以具有与第二电极280相同的结构。
图14是示出根据另一实施方案的发光器件的俯视图。
参考图14，根据示出的实施方案的用附图标记300表示的发光器件包括与图1所示的实施方案具有不同的结构的第一电极370和第二电极380。
第一电极370可以包括：设置在第一半导体层320上的一侧处的第一电极焊盘375、以及连接至第一电极焊盘375以设置在第一半导体层320的另一侧处的至少一个第一电极翼376。但是，本公开不限于上述结构。
第二电极380可以包括：设置在第二半导体层340上的一侧处的第二电极焊盘385、以及连接至第二电极焊盘385以设置在第二半导体层340的另一侧处的至少一个第二电极翼386。但是，本公开不限于上述结构。
图15是示出根据另一实施方案的发光器件的截面图。
参考图15，根据示出的实施方案的用附图标记100A表示的发光器件包括与图2所示的实施方案具有不同的结构的透光电极层150A。
透光电极层150A可以包括在第二电极180与第二半导体层140之间直接接触的通孔。
图16是示出根据另一实施方案的发光器件的截面图。
参考图16，根据示出的实施方案的用附图标记400表示的发光器件可以包括：支撑构件410；设置在支撑构件410上的包括第一电极层470、第一半导体层420、有源层430以及第二半导体层440的发光结构；以及第二电极480。
支撑构件410可以由具有优异的导热率的材料制成，或者，由导电材料制成。例如，支撑构件410可以使用金属材料或导电陶瓷制成。支撑构件410可以具有单层结构。或者，支撑构件410可以具有双层结构或者具有三个层或更多个层的多层结构。
即，支撑构件410由金属制成，例如选自金(Au)、镍(Ni)、钨(W)、钼(Mo)、铜(Cu)、铝(Al)、钽(Ta)、银(Ag)、铂(Pt)以及铬(Cr)中的任一种，或者由包含两种或更多种材料的合金制成。此外，支撑构件410可以通过层叠不同材料的两个层或更多个层来形成。此外，支撑构件410可以使用载体晶片例如Si、Ge、GaAs、ZnO、SiC、SiGe、GaN或Ga2O3形成。这种支撑构件410用于将从发光器件400产生的热容易地耗散，并且从而实现热稳定性的增强。
同时，第一电极层470可以形成在支撑构件410上。第一电极层470可以包括欧姆层(未示出)、反射层(未示出)以及接合层(未示出)中的至少一个层。尽管第一电极层470例如可以具有欧姆层/反射层/接合层结构、欧姆层/反射层结构、或反射层(包括欧姆特性)/接合层结构，但是本公开不限于此。例如，第一电极层470可以具有反射层和欧姆层依次层叠在接合层上的结构。
反射层(未示出)可以设置在欧姆层(未示出)与接合层(未示出)之间。反射层可以由具有高反射特性的材料制成。反射层可以由例如Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf或其选择性组合制成。或者，反射层可以使用金属材料和透光导电材料例如IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO等形成为具有多层结构。反射层(未示出)可以具有IZO/Ni、AZO/Ag、IZO/Ag/Ni、AZO/Ag/Ni等的层叠结构。在反射层(未示出)由与发光结构(例如第一半导体层420)欧姆接触的材料制成时，欧姆层(未示出)可以不单独形成，但是本公开不限于此。
欧姆层(未示出)可以与发光结构的下表面欧姆接触，并且可以形成为具有层或多个图案。对于欧姆层，可以选择性地使用透光电极层或金属。例如，欧姆层可以使用铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铝锌氧化物(AZO)、锑锡氧化物(ATO)、镓锌氧化物(GZO)、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni、Ag、Ni/IrOx/Au以及Ni/IrOx/Au/ITO中的至少一种实现为单层结构或多层结构。欧姆层(未示出)用于将载流子平稳地注入到第一半导体层420中，但是，可以不必形成欧姆层。
第一电极层470可以包括接合层(未示出)。在这种情况下，接合层(未示出)可以包括阻挡金属或接合金属。例如，接合层可以包含Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag以及Ta中的至少一种，但是本公开不限于此。
发光结构可以包括至少第一半导体层420、有源层430以及第二半导体层440。有源层430可以设置在第一半导体层420与第二半导体层440之间。
第一半导体层420可以形成在第一电极层470上。第一半导体层420可以实现为掺杂有p型掺杂剂的p型半导体层。p型半导体层可以由具有式InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，且0≤x+y≤1)的半导体材料制成。例如，p型半导体层可以由选自GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN等中的半导体材料制成，并且可以掺杂有p型掺杂剂，如Mg、Zn、Ca、Sr、Ba等。
有源层430可以形成在第一半导体层420上。有源层430可以使用III-V族化合物半导体材料形成为具有单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子线结构、量子点结构等。
在有源层430具有量子阱结构时，有源层430例如可以具有单量子阱结构或多量子阱结构，并且有源层430包括具有式InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，且0≤x+y≤1)的阱层和具有式InaAlbGa1-a-bN(0≤a≤1，0≤b≤1，且0≤a+b≤1)的势垒层。阱层可以由能带隙大于势垒层的能带隙的材料制成。
此外，在有源层430具有多量子阱结构时，各个阱层(未示出)可以具有不同的铟(In)含量和能带隙，稍后将参考图8至图10给出其描述。
在有源层430上和/或下可以形成有导电覆层(未示出)。导电覆层(未示出)可以由AlGaN基半导体制成，并且具有大于有源层430的能带隙。
同时，有源层430与第一半导体层420之间可以形成有中间层(未示出)。中间层可以是电子阻挡层，以防止在施加大电流时从第一半导体层420注入到有源层430的电子流至第二半导体层440而未在有源层430中进行电子复合。中间层的能带隙相对大于有源层430的能带隙，从而防止从第一半导体层420注入的电子注入到第二半导体层440中而未在有源层430中进行电子复合。因此，可以增加电子与空穴之间在有源层430中进行复合的几率并且防止电流的泄露。
此处，中间层可以具有大于包括在有源层430中的势垒层的能带隙的能带隙，并且可以形成为含Al的半导体层例如AlGaN。但是，中间层不限于上述结构。
第二半导体层440可以形成在有源层430上。第二半导体层440可以实现为n型半导体层。n型半导体层可以由例如具有式InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，且0≤x+y≤1)的半导体材料制成。例如，n型半导体层可以由选自GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN等中的半导体材料制成，并且可以掺杂有n型掺杂剂，如Si、Ge、Sn等。
同时，发光结构可以包括第三半导体层(未示出)，第三半导体层(未示出)设置在第二半导体层440上，具有与第二半导体层440相反的极性。或者，第一半导体层420可以实现为n型半导体层，并且第二半导体层440可以实现为p型半导体层。因此，发光结构可以具有n-p结结构、p-n结结构、n-p-n结结构以及p-n-p结结构中的至少一种结构。
发光结构的上部处可以形成有光提取结构(未示出)。
光提取结构可以形成在第二半导体层440的上表面的部分区域或全部区域处。光提取结构可以通过对第二半导体层440或透光电极层(未示出)的上表面的至少部分区域进行蚀刻工艺来形成，但是本公开不限于此。蚀刻工艺可以包括湿蚀刻工艺和/或干蚀刻工艺。通过进行蚀刻工艺，可以使第二半导体层440或透光电极层(未示出)的上表面形成具有光提取结构的粗糙结构。粗糙结构可以以随机尺寸不规则地形成，但是本公开不限于此。粗糙结构指的是不平坦的表面，粗糙结构可以包括纹理图案、不规则图案以及不平坦图案中的至少一种图案。
粗糙结构可以形成为在其横截面处具有各种形状，如圆形棱镜形状、多边形棱镜形状、圆锥形棱镜形状、多棱锥形状、截顶圆锥形状以及截顶多棱锥形状，并且优选地具有圆锥形状。
光提取结构可以使用光电化学(PEC)方法等来形成，但是本公开不限于此。由于光提取结构形成在透光电极层(未示出)或第二半导体层440的上表面处，所以通过透光电极层(未示出)或第二半导体层440的上表面实现对从有源层430产生的光的全反射。因此，可以防止光的再吸收或散射，从而，提高了发光器件400的光提取效率。
在发光结构的上部和侧表面处可以形成有钝化结构(未示出)，钝化结构可以由绝缘材料制成。
电连接至第二半导体层440的第二电极480可以形成在第二半导体层440上并且包括至少一个焊盘和/或具有预定图案的电极。第二电极480可以设置在第二半导体层440的上表面的中心区域、外部区域或角区域处，但是本公开不限于此。第二电极480可以设置在不同于第二半导体440的上部的区域处，但是本公开不限于此。
第二电极480可以包括：设置在第二半导体层440上的反射电极层482、以及设置在反射电极层482的外侧表面的至少部分区域中同时与第二半导体层440接触的接合电极层488。此处，反射电极层482和接合电极层488的结构与上述结构相同。
图17至图19是示出制造根据示出的实施方案的发光器件的电极的方法的连续工艺的截面图。
参考图17，首先，按下述顺序生长第一半导体层120、有源层130、第二半导体层140以及透光电极层150。
然后，在透光电极层150上设置光刻胶(PR)10。在这种情况下，PR 10可以具有随着向上的距离的减小而减小的宽度，但是本公开不限于此。
然后，层叠反射电极层182。
参考图18，其次，通过烘烤PR 10或使用其它PR来产生大于反射电极层182的宽度的宽度。
然后，按下述顺序层叠接合电极层188、第一抗氧化电极层184a、第二抗氧化电极层184b以及第三抗氧化电极层184c。在这种情况下，还可以在反射电极层182的侧表面处按下述顺序层叠接合电极层188、第一抗氧化电极层184a、第二抗氧化电极层184b以及第三抗氧化电极层184c。
参考图19，然后移除PR 10。
尽管描述了制造第二电极180的方法，但是，可以使用与制造第二电极180的方法相同的方法来制造第一电极170。
图20是示出根据示例性实施方案的包括发光器件的发光器件封装件的立体图。图21是包括根据示出的示例性实施方案的发光器件的发光器件封装件的截面图。
参考图19至图20，用附图标记500表示的发光器件封装件可以包括形成有腔520的本体510、安装在本体510上的第一引线框540和第二引线框550、电连接至第一引线框540和第二引线框550的发光器件530以及填充在腔520中以覆盖发光器件530的密封剂(未示出)。
本体510可以由树脂材料例如聚邻苯二甲酰胺(PPA)、硅(Si)、铝(Al)、氮化铝(AlN)、液晶聚合物例如感光玻璃(PSG)、聚酰胺9T(PA9T)、间规聚苯乙烯(SPS)、金属材料、蓝宝石(Al2O3)以及氧化铍(BeO)中的至少一种制成，或者，本体510可以是印刷电路板(PCB)。本体510可以通过注模工艺、蚀刻工艺等形成，但是本公开不限于此。
本体510可以在其内表面处具有倾斜表面。由于倾斜表面的倾斜，可以改变从发光器件530中发出的光的反射角度。因此，可以调整向外发出的光的方向角。
随着光的方向角减小，从发光器件530向外发出的光的汇聚增加。另一方面，随着光的方向角增加，从发光器件530向外发出的光的汇聚减小。
当俯视时，形成在本体510处的腔520具有圆形、正方形、多边形或椭圆形形状。具体地，腔520可以具有弯曲的角，但是本公开不限于此。
发光器件530安装在第一引线框540上。发光器件530可以是例如发出红光、绿光、蓝光或白光的发光器件或者发出紫外(UV)光的发光器件，但是本公开不限于此。此外，可以安装一个或更多个发光器件。
上述实施方案可以应用于具有其中发光器件530的电端子形成在发光器件530的上表面处的结构的水平型发光器件、具有其中发光器件530的电端子分别形成在发光器件530的上表面和下表面处的结构的垂直型发光器件或倒装型发光器件。
可以在腔520内填充密封剂(未示出)以覆盖发光器件530。
密封剂(未示出)可以由硅树脂、环氧树脂或其它树脂材料制成。密封剂可以通过用密封材料填充腔520并且然后使用紫外光或热来固化填充的材料来形成。
密封剂(未示出)可以包含荧光物质。荧光物质的种类可以根据从发光器件530发出的光的波长来选择，使得发光器件封装件500可以实现发出白光。
取决于从发光器件530发出的光的波长，荧光物质可以是蓝色、蓝绿色、绿色、黄绿色、黄色、黄红色、橙色以及红色的发光荧光物质中的任一种。
即，从发光器件530发出的第一波长的光可以激发荧光物质，以产生第二波长的光。例如，在发光器件530是蓝光发光二极管并且荧光物质是黄色荧光物质时，蓝光激发黄色荧光物质，从而发出黄光。在这种情况下，因为产生自蓝光发光二极管的蓝光与由于蓝光的激发而产生的黄光被混合，所以发光器件封装件500可以提供白光。
相似地，在发光器件530是绿光发光二极管时，可以使用品红荧光物质或蓝色荧光物质与红色荧光物质的混合物作为荧光物质。此外，在发光器件530是红光发光二极管时，可以使用蓝绿色荧光物质或蓝色荧光物质与绿色荧光物质的混合物作为荧光物质。
荧光物质可以是已知的荧光物质，如YAG基荧光物质、TAG基荧光物质、硫化物基荧光物质、硅酸盐基荧光物质、铝基荧光物质、氮化物荧光物质、碳化物基荧光物质、次氮基硅酸盐基荧光物质、硼酸盐基荧光物质、氟化物基荧光物质或磷酸盐基荧光物质。
第一引线框540和第二引线框550可以包含选自例如钛(Ti)、铜(Cu)、镍(Ni)、金(Au)、铬(Cr)、钽(Ta)、铂(Pt)、锡(Sn)、银(Ag)、磷(P)、铝(Al)、铟(In)、钯(Pd)、钴(Co)、硅(Si)、锗(Ge)、铪(Hf)、钌(Ru)以及铁(Fe)或者它们的合金中的至少一种金属材料。第一引线框540和第二引线框550还可以形成为具有单层结构或多层结构，但是本公开不限于此。
第一引线框540与第二引线框550彼此间隔开并且彼此电绝缘。发光器件530可以安装在第一引线框540和第二引线框550上。第一引线框540与第二引线框550可以通过与发光器件530直接接触或者通过导电材料如焊接构件(未示出)彼此电连接。此外，发光器件530可以使用引线接合方法电连接至第一引线框540和第二引线框550，但是本公开不限于此。相应地，在第一引线框540和第二引线框550连接有电源时，可以给发光器件530供电。同时，本体510内可以安装有多个引线框(未示出)，并且各个引线框(未示出)可以电连接至发光器件530，但是本公开不限于此。
图22是示出根据示例性实施方案的包括有发光器件的照明装置。图23是图22所示的照明装置的沿线C-C′的截面图。
参考图22和图23，照明装置600可以包括本体610、耦接至本体610的盖630以及位于本体610的相反端处的端帽650。
本体610的下表面耦接有发光器件模块640。本体610可以由具有优异的导电率和散热效果的金属材料制成，以通过本体610的上表面向外耗散产生自发光器件模块640的热。
发光器件封装件644可以以多行安装在PCB 642上，同时具有各种颜色，以形成多颜色阵列。发光器件封装件644可以以相同的距离安装，或可以以不同的距离安装以使得能够在需要时调整亮度。PCB 642可以是金属芯PCB(MCPCB)、阻燃剂-4(FR4)PCB等。
各个发光器件封装件644可以包括延伸的引线框(未示出)，使得发光器件封装件644可以具有增强的散热功能。因此，可以增强发光器件封装件644的可靠性和效率。此外，还可以延长包括有发光器件封装件644的照明装置600的寿命。
盖630可以具有包封本体610的下表面的圆形形状，但是本公开不限于此。
盖630用于保护发光器件模块640免受外来物质等的影响。盖630可以包含光扩散粒子，以实现防眩光的效果和实现使从发光器件封装件644产生的光均匀发射。盖630的内表面和外表面中的至少之一可以设置有棱镜图案。此外，可以给盖630的内表面和外表面中的至少一个表面施加荧光物质。
由于从发光器件封装件644产生的光通过盖630向外发出，因此，盖630应该具有高的透光性和足以耐受从发光器件封装件644产生的热的耐热性。为此，盖630可以由聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等制成。
端帽650可以设置在本体610的相反的端处，并且用于密封电源装置(未示出)。各个端帽650形成有电源管脚652，使得根据示出的实施方案的照明装置600可以直接连接至其上移除现有的荧光灯的端子而无需另外的连接器。
图24是示出根据示例性实施方案的包括发光器件的液晶显示装置的分解立体图。
图24示出边缘光型液晶显示装置。用附图标记700表示的液晶显示装置可以包括液晶显示面板710和用于给液晶显示面板710提供光的背光单元770。
液晶显示面板710可以使用从背光单元770提供的光来显示图像。液晶显示面板710可以包括滤色器衬底712和薄膜晶体管衬底714，滤色器衬底712与薄膜晶体管衬底714彼此面对并且其间设置有液晶。
滤色器衬底712可以通过液晶显示面板710实现显示的图像的颜色。
薄膜晶体管衬底714借助于驱动膜717电连接至在其上安装有多个电路元件的印刷电路板(PCB)718。薄膜晶体管衬底714可以响应于从PCB718传输的驱动信号来给液晶施加由PCB 718提供的驱动电压。
薄膜晶体管衬底714可以包括形成在由透明材料如玻璃或塑料制成的另一衬底上的薄膜形式的薄膜晶体管和像素电极。
背光单元770包括：发出光的发光器件模块720；将从发光器件模块720发出的光转变成平面光并且将平面光提供给液晶显示面板710的导光板730；增强亮度分布的均匀性并且增强从导光板730显现的光的垂直光入射的多个膜752、膜766、膜764；以及朝着导光板730反射从导光板730向后发出的光的反射片747。
发光器件模块720可以包括多个发光器件封装件724和多个发光器件封装件724安装在其上以形成阵列的PCB 722。在这种情况下，可以提高安装在PCB 722上的弯曲的发光器件封装件724的可靠性。
背光单元770可以包括扩散膜766和棱镜膜752，其中扩散膜766朝着液晶显示面板710扩散从导光板730入射到扩散膜766上的光，棱镜膜752汇聚扩散的光以增强垂直光的入射。背光单元770可以还包括保护棱镜膜752的保护膜764。
图25是示出根据示例性实施方案的包括发光器件的液晶显示装置的分解立体图。此处，将不再详细地重述与图24所示的结构相同的结构。
图25示出直接型液晶显示装置。用附图标记800表示的液晶显示装置可以包括液晶显示面板810和用于给液晶显示面板810提供光的背光单元870。
由于液晶显示面板810与图24中的相类似，所以将不给出对液晶显示面板810的详细描述。
背光单元870可以包括多个发光器件模块823、反射片824、容纳发光器件模块823和反射片824的底架830、扩散板840以及多个光学膜860，扩散板840和光学膜860设置在发光器件模块823上。
各个发光器件模块823可以包括多个发光器件封装件822和多个发光器件封装件822安装在其上以形成阵列的PCB 821。
反射片824朝着液晶显示面板810反射由发光器件封装件822产生的光，从而实现光的利用效率的增强。
同时，从发光器件模块823产生的光在扩散板840上入射。光学膜860设置在扩散板840上。光学膜860可以包括扩散膜866、棱镜膜850以及保护膜864。
由以上描述显见：发光器件包括电极，电极与半导体层具有优异的接合性能并且具有高的光反射率，因此可以提高照明效率和防止电极从半导体层上剥离。
尽管已经参考实施方案的多个示例性实施方案对实施方案进行了描述，但应当理解，本领域技术人员可以设计许多其它修改和应用，它们也落入实施方案的固有方面的范围内。更具体地，可以对实施方案的具体组成元件进行各种变化和修改。此外，应当理解，与变化和修改相关的差异落入所附权利要求中限定的本公开的精神和范围内。

Claims (27)

1.一种发光器件，包括：
包括第一半导体层、第二半导体层以及在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的有源层的发光结构；
电连接至所述第一半导体层的第一电极；以及
设置在所述第二半导体层上的第二电极，
其中所述第二电极包括：
设置在所述第二半导体层上的反射电极层；以及
设置在所述反射电极层的外侧表面的至少部分区域中同时与所述第二半导体层接触的接合电极层。
2.根据权利要求1所述的发光器件，还包括：
设置在所述反射电极层上的保护层。
3.根据权利要求1所述的发光器件，还包括：
设置在所述反射电极层或所述接合电极层上的抗氧化电极层。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件，其中所述反射电极层包括银(Ag)、银合金以及铝(Al)中的至少一种。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件，其中所述第一电极包括：
设置在所述第一半导体层上的反射电极层；以及
设置在所述反射电极层的外侧表面的至少部分区域中同时与所述第一半导体层接触的接合电极层。
6.根据权利要求1至3中任一项所述发光器件，其中所述反射电极层包括：
形成为具有与所述接合电极层的高度相等的高度的第一反射电极层；以及
设置在所述第一反射电极层上同时设置为直至所述接合电极层的上表面的第二反射电极层。
7.根据权利要求6所述的发光器件，其中所述第二反射电极层从所述接合电极层的所述上表面延伸直至所述接合电极层的侧表面。
8.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件，其中所述反射电极层具有200nm到500nm的厚度。
9.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件，其中所述反射电极层具有随着向上的距离的减小而减小的宽度。
10.根据权利要求1所述的发光器件，其中
所述反射电极层包括其中按下述顺序层叠至少铝(Al)层、镍(Ni)层以及金(Au)层的结构；并且
所述Al层设置为与所述第二半导体层的上表面接触。
11.根据权利要求10所述的发光器件，其中所述反射电极层还包括设置在所述Au层上的铬(Cr)层、铝(Al)层、镍(Ni)层以及金(Au)层。
12.根据权利要求11所述的发光器件，其中
所述Al层具有
Figure FDA0000147762230000021
到
Figure FDA0000147762230000022
的厚度；
所述Ni层具有
Figure FDA0000147762230000023
到
Figure FDA0000147762230000024
的厚度；以及
所述Au层具有
Figure FDA0000147762230000025
到
Figure FDA0000147762230000026
的厚度。
13.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述铬层具有到
Figure FDA0000147762230000028
的厚度。
14.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件，其中所述接合电极层具有随着向上的距离的减小而减小的宽度。
15.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件，其中所述反射电极层包括：
形成为具有与所述接合电极层的高度相等的高度的第一反射电极层；以及
设置在所述第一反射电极层上同时具有小于所述第一反射电极层的宽度的宽度的第二反射电极层，并且
其中所述接合电极层设置为从所述第一反射电极层的侧表面沿着所述第一反射电极层的上表面直至所述第二反射电极层的侧表面的部分区域。
16.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件，其中所述接合电极层具有300nm到500nm的厚度。
17.根据权利要求1至3、10至13中任一项所述的发光器件，其中所述接合电极层具有1μm到2μm的宽度。
18.根据权利要求1至3、10至13中任一项所述的发光器件，其中所述接合电极层的宽度为所述反射电极层的宽度的0.1倍到0.5倍。
19.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件，其中所述接合电极层的厚度为所述反射电极层的厚度的0.2倍到1.0倍。
20.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述接合电极层形成为具有大于所述反射电极层的高度的高度。
21.根据权利要求20所述的发光器件，其中所述接合电极层从所述反射电极层的侧表面延伸直至所述反射电极层的上表面。
22.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件，其中所述接合电极层包括其中按下述顺序层叠铬(Cr)层、铝(Al)层、镍(Ni)层以及金(Au)层的结构。
23.根据权利要求22所述的发光器件，其中
所述铬层具有
Figure FDA0000147762230000031
到的厚度；
所述铝层具有
Figure FDA0000147762230000033
到的厚度；
所述镍层具有
Figure FDA0000147762230000035
到
Figure FDA0000147762230000036
的厚度；以及
所述金层具有
Figure FDA0000147762230000037
到
Figure FDA0000147762230000038
的厚度。
24.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述保护层包括镍(Ni)。
25.根据权利要求3所述的发光器件，其中所述抗氧化电极层包括金(Au)、铑(Rh)、钯(Pd)、铜(Cu)、镍(Ni)、钌(Ru)、铱(Ir)和铂(Pt)中的至少一种。
26.根据权利要求1至3、10至13中任一项所述的发光器件，还包括在所述第二电极与所述第二半导体层之间的透光电极层。
27.一种发光器件封装件，包括发光器件，
其中所述发光器件包括：
包括第一半导体层、第二半导体层以及在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的有源层的发光结构；
电连接至所述第一半导体层的第一电极；以及
设置在所述第二半导体层上的第二电极，并且
其中所述第二电极包括：
设置在所述第二半导体层上的反射电极层；以及
设置在所述反射电极层的外侧表面的至少部分区域中同时与所述第二半导体层接触的接合电极层。
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