CN110444645A - 一种具有高反射p电极的红黄光发光二极管芯片 - Google Patents
一种具有高反射p电极的红黄光发光二极管芯片 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110444645A CN110444645A CN201910822392.2A CN201910822392A CN110444645A CN 110444645 A CN110444645 A CN 110444645A CN 201910822392 A CN201910822392 A CN 201910822392A CN 110444645 A CN110444645 A CN 110444645A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- sio
- ito
- face
- yellow light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 37
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 35
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 4
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/405—Reflective materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
- H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明属于发光二极管技术领域，公开了一种具有高反射P电极的红黄光发光二极管芯片，设置有P面；P面先生长一层SiO2或者ITO，P面通过光刻腐蚀出SiO2或ITO的孔，孔里形成P面欧姆接触电极；在SiO2或ITO上形成微米的反射电极，反射电极的起粘结层作用与SiO2连接，反射电极与SiO2或ITO一起组成芯片的全反射镜；全反射镜与导电基板键合在一起，在发光二极管芯片N层层上端设置有N电极。本发明能使Ag与SiO2或ITO紧密粘在一起，使Ag做反射电极，降低了芯片制造成本，提高了对红黄光的反射率。
Description
技术领域
本发明属于发光二极管技术领域，尤其涉及一种具有高反射P电极的红黄光发光二极管芯片。
背景技术
目前，业内常用的现有技术是这样的：
具有高反射P电极的红黄光发光二极管芯片:红黄光芯片为了增加出光效率，必须做成反极性芯片，目前反极性芯片都是在P面先生长一层SiO2或者ITO，然后在光刻腐蚀出SiO2或ITO的孔，露出P面，然后在SiO2或ITO上形成AuBe反射电极，反射电极与SiO2或ITO一起组成芯片的全反射镜，再与导电基板键合在一起，去掉红黄光生长衬底，在N面上形成N电极，形成高亮度的芯片，这里反射电极用Au有两个方面的缺点：
Au对红黄光的反射率没有Ag的高。
Au的使用增加了芯片制造成本，红黄光芯片一直没有使用Ag做反射电极，主要是没有好的办法使Ag与SiO2或ITO紧密粘在一起，这样就不能使用Ag做反射电极。
综上所述，现有技术存在的问题是：
(1)Au对红黄光的反射率没有Ag的高。
(2)Au的使用增加了芯片制造成本，红黄光芯片一直没有使用Ag做反射电极，主要是没有好的办法使Ag与SiO2或ITO紧密粘在一起，这样就不能使用Ag做反射电极。
发明内容
针对现有技术存在的问题，本发明提供了一种具有高反射P电极的红黄光发光二极管芯片。
本发明是这样实现的，一种具有高反射P电极的红黄光发光二极管芯片设置有：
P面；
P面先生长一层SiO2或者ITO，P面通过光刻腐蚀出SiO2或ITO的孔，孔里形成P面欧姆接触电极；
在SiO2或ITO5上形成Al1-/Cu1-/Ag-5微米的反射电极，反射电极的Al1-/Cu1-起粘结作用与SiO2连接，反射电极与SiO2或ITO一起组成芯片的全反射镜；
全反射镜与导电基板键合在一起，SiO2或ITO层上端设置有N电极。
本发明的另一目的在于提供一种具有高反射P电极的红黄光发光二极管芯片制作方法，包括以下步骤：
步骤一，在P面先生长一层SiO2或者ITO，然后在光刻腐蚀出SiO2或ITO的孔，露出P面，在孔里形成欧姆接触；
步骤二，在SiO2或ITO上形成Al1-/Cu1-/Ag-5微米的反射电极，这里Al、Cu的厚度很薄，对Ag的反射率影响不大，这里Cu的作用主要是增加反射电极与SiO2的粘付性，反射电极与SiO2或ITO一起组成芯片的全反射镜；
步骤三，与导电基板键合在一起，去掉红黄光生长衬底，在N面上形成N电极，形成高亮度的芯片。
本发明的另一目的在于提供一种利用所述具有高反射P电极的红黄光发光二极管芯片制作的全反射镜。
综上所述，本发明的优点及积极效果为：
本发明通过P面先生长一层SiO2或者ITO，P面通过光刻腐蚀出SiO2或ITO的孔，孔里形成P面欧姆接触电极，在SiO2或ITO5上形成Al1-/Cu1-/Ag-5微米的反射电极，反射电极通过粘付与SiO2连接，反射电极与SiO2或ITO一起组成芯片的全反射镜，全反射镜与导电基板键合在一起，发光二极管的N层上端设置有N电极；通过上述技术改进本发明能使Ag与SiO2或ITO紧密粘在一起，使Ag做反射电极，降低了芯片制造成本，提高了对红黄光的反射率。
附图说明
图1是本发明实施例提供的具有高反射P电极的红黄光发光二极管芯片结构示意图。
图2是本发明实施例提供的红光生长衬垫到孔里生成欧姆接触实物流程示意图。
图3是本发明实施例提供的孔里生成欧姆接触到高反射P电极的红黄光发光二极管芯片实物流程示意图。
图4是本发明实施例提供的具有高反射P电极的红黄光发光二极管芯片制作流程图。
图中：1、N电极；2、Al/Cu/Ag层；3、导电基板；4、键合层；5、SiO2或ITO层；6、P面欧姆接触电极。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
下面结合附图对本发明的应用原理作详细的描述。
如图1-图3所示，本发明实施例提供的具有高反射P电极的红黄光发光二极管芯片包括：N电极1、Al/Cu/Ag层2、导电基板3、键合层4、SiO2或ITO层5、P面欧姆接触电极6；
P面先生长一层SiO2或者ITO，P面通过光刻腐蚀出SiO2或ITO的孔，孔里形成P面欧姆接触电极6，在SiO2或ITO5上形成Al1-/Cu1-/Ag-5微米的反射电极，反射电极通过粘付与SiO2连接，反射电极与SiO2或ITO一起组成芯片的全反射镜，全反射镜与导电基板键合在一起，SiO2或ITO层5上端设置有N电极1。
如图4所示，本发明实施例提供的具有高反射P电极的红黄光发光二极管芯片制作方法，包括以下步骤：
S101：在P面先生长一层SiO2或者ITO，然后在光刻腐蚀出SiO2或ITO的孔，露出P面，在孔里形成欧姆接触。
S102：在SiO2或ITO上形成Al1-/Cu1-/Ag-5微米的反射电极，这里Al、Cu的厚度很薄，对Ag的反射率影响不大，这里Cu的作用主要是增加反射电极与SiO2的粘付性，反射电极与SiO2或ITO一起组成芯片的全反射镜；
S103：与导电基板键合在一起，去掉红黄光生长衬底，在N面上形成N电极，形成高亮度的芯片。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (3)
1.一种具有高反射P电极的红黄光发光二极管芯片，其特征在于，所述的具有高反射P电极的红黄光发光二极管芯片设置有：
P面；
P面先生长一层SiO2或者ITO，P面通过光刻腐蚀出SiO2或ITO的孔，孔里形成P面欧姆接触电极；
在SiO2或ITO5上形成微米的反射电极，反射电极通过与SiO2连接，反射电极与SiO2或ITO一起组成芯片的全反射镜；
全反射镜与导电基板键合在一起，发光二极管芯片的N层上设置有N电极。
2.一种如权利要求1所述的具有高反射P电极的红黄光发光二极管芯片制作方法，包括以下步骤：
步骤一，在P面先生长一层SiO2或者ITO，然后在光刻腐蚀出SiO2或ITO的孔，露出P面，在孔里形成欧姆接触；
步骤二，在SiO2或ITO上形成微米的反射电极，反射电极与SiO2或ITO一起组成芯片的全反射镜；
步骤三，与导电基板键合在一起，去掉红黄光生长衬底，在N面上形成N电极，形成高亮度的芯片。
3.一种利用权利要求1所述具有高反射P电极的红黄光发光二极管芯片制作的全反射镜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910822392.2A CN110444645A (zh) | 2019-09-02 | 2019-09-02 | 一种具有高反射p电极的红黄光发光二极管芯片 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910822392.2A CN110444645A (zh) | 2019-09-02 | 2019-09-02 | 一种具有高反射p电极的红黄光发光二极管芯片 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110444645A true CN110444645A (zh) | 2019-11-12 |
Family
ID=68438691
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910822392.2A Pending CN110444645A (zh) | 2019-09-02 | 2019-09-02 | 一种具有高反射p电极的红黄光发光二极管芯片 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110444645A (zh) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1734798B (zh) * | 2004-08-02 | 2010-04-28 | 晶元光电股份有限公司 | 具有透明导电层的全方位反射器发光二极管 |
| CN104037295A (zh) * | 2014-06-16 | 2014-09-10 | 江苏汉莱科技有限公司 | 一种led倒装芯片及其制造方法 |
| US9343629B2 (en) * | 2011-11-15 | 2016-05-17 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device |
| CN106098876A (zh) * | 2016-08-24 | 2016-11-09 | 扬州乾照光电有限公司 | 一种铜基板高亮度AlGaInP发光二极管及其制造方法 |
| CN106206903A (zh) * | 2016-10-10 | 2016-12-07 | 江苏新广联半导体有限公司 | 一种具有高可靠性反射电极结构的led芯片的制作方法 |
-
2019
- 2019-09-02 CN CN201910822392.2A patent/CN110444645A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1734798B (zh) * | 2004-08-02 | 2010-04-28 | 晶元光电股份有限公司 | 具有透明导电层的全方位反射器发光二极管 |
| US9343629B2 (en) * | 2011-11-15 | 2016-05-17 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device |
| CN104037295A (zh) * | 2014-06-16 | 2014-09-10 | 江苏汉莱科技有限公司 | 一种led倒装芯片及其制造方法 |
| CN106098876A (zh) * | 2016-08-24 | 2016-11-09 | 扬州乾照光电有限公司 | 一种铜基板高亮度AlGaInP发光二极管及其制造方法 |
| CN106206903A (zh) * | 2016-10-10 | 2016-12-07 | 江苏新广联半导体有限公司 | 一种具有高可靠性反射电极结构的led芯片的制作方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20180287031A1 (en) | Light-emitting device | |
| CN102931318B (zh) | 光电元件与其制造方法 | |
| CN1998094B (zh) | 半导体发光二极管上的反射层的制造 | |
| TWI597864B (zh) | 具有複數個發光結構之發光元件 | |
| CN101345277B (zh) | 发光二极管装置的制造方法 | |
| CN106206903B (zh) | 一种具有高可靠性反射电极结构的led芯片的制作方法 | |
| TW201519467A (zh) | 發光元件 | |
| WO2016000583A1 (zh) | 垂直型led结构及其制作方法 | |
| CN101315962A (zh) | 发光二极管装置及其制造方法 | |
| CN102082216A (zh) | 一种发光二极管芯片及其制造方法 | |
| CN110444645A (zh) | 一种具有高反射p电极的红黄光发光二极管芯片 | |
| US9685588B2 (en) | Light-emitting element having a reflective structure with high efficiency | |
| CN116979012A (zh) | 一种微显示芯片及其制备方法 | |
| CN106848027B (zh) | 高可靠性垂直倒装led芯片的制备方法 | |
| CN103247732B (zh) | 具有平整表面的电流扩散层的发光元件 | |
| CN110034220B (zh) | 一种倒装led芯片及其制作方法 | |
| CN117393681B (zh) | 一种倒装发光二极管芯片的制备方法及发光二极管芯片 | |
| CN102280552B (zh) | 发光二极管晶粒及其制作方法 | |
| CN115411164A (zh) | 改善电极导电性能的发光二极管及其制备方法 | |
| TW201712896A (zh) | 具有高效率反射結構之發光元件 | |
| TWI633683B (zh) | 具有複數個發光結構之發光元件 | |
| TW201836170A (zh) | 具有複數個發光結構之發光元件 | |
| CN117038818A (zh) | 一种高反射MicroLED及其制备方法 | |
| TWI599070B (zh) | 具有平整表面的電流擴散層的發光元件 | |
| CN118263376A (zh) | 一种发光器件、显示装置以及制作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| AD01 | Patent right deemed abandoned | ||
| AD01 | Patent right deemed abandoned |
Effective date of abandoning: 20210903 |