CN105185876A - 一种反射电极制程工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种反射电极制程工艺，包括以下步骤：步骤(1)：首先进行外延片清洗，进行P-SiO2沉积，黄光光刻，化学腐蚀、去胶清洗，在外延片上得到P-SiO2图形；步骤(2)：将步骤(1)得到的外延片进行ITO前清洗，再镀ITO膜层；进行黄光Mesa光刻、再浸泡ITO蚀刻液；步骤(3)：ITO蚀刻完成后甩干；步骤(4)：进行钝化层SiO2黄光光刻，将P电极区域露出；步骤(5)：RTA融合后，进行钝化层SiO2沉积，然后进行P-N负胶光刻，浸泡BOE蚀刻液进行蚀刻后甩干；再金属蒸镀，去胶、清洗。本发明将ITO薄膜的沉积工序前置，同时取消了ITO黄光光刻工序，再将钝化层氧化硅沉积工序前置避免了氢氟酸与金属电极的接触。
Description
技术领域
本发明涉及LED芯片制作技术领域，具体为一种反射电极制程工艺。
背景技术
半导体发光二极管(light-emissiondiodes,LED)因其具有节能、环保、绿色健康、长寿命等有着非常明显的优势，在指示、显示、背光领域逐渐得到广泛应用。随着LED在照明的应用领域的推进，人们需要开发高功率、高亮度LED的芯片，取代目前的其他光源。
现有专利公布了用绝缘材料将深沟槽填充为较为平坦的表面，在此基础上做金属布线。此类平坦化工艺复杂繁琐，良率不高。另外如晶科电子(广州)有限公司公开的专利号为201020520114.6的“一种由倒装发光单元阵列组成的发光器件”专利，虽然解决了金属布线的难题，但由于没有反射镜结构导致出光率低等新的问题。再如申请号201210564002.4的专利，其公布的方法中有提到金属反射镜结构，但因其结构特点导致金属反射镜面积不够大，因此出光率还有较大的提高空间。
发明内容
本发明所解决的技术问题在于提供一种反射电极制程工艺，以解决上述背景技术中的问题。
本发明所解决的技术问题采用以下技术方案来实现：一种反射电极制程工艺，包括以下步骤：
步骤(1)：选取外延片，首先进行外延片清洗，外延清洗后，进行P-SiO2沉积，黄光光刻，化学腐蚀、去胶清洗，在外延片上得到P-SiO2图形；
步骤(2)：将步骤(1)得到的外延片进行ITO前清洗，再镀ITO膜层；ITO膜层蒸镀完成后，进行黄光Mesa光刻、再浸泡ITO蚀刻液，通过控制蚀刻时间来达到控制ITO薄膜边缘到Mesa边缘的距离；
步骤(3)：ITO蚀刻完成后甩干，进行ICP刻蚀，去胶、清洗甩干；
步骤(4)：进行钝化层SiO2黄光光刻，浸泡ITO蚀刻液进行蚀刻，去胶、清洗，将P电极区域露出；
步骤(5)：RTA融合后，进行钝化层SiO2沉积，然后进行P-N负胶光刻，浸泡BOE蚀刻液进行蚀刻后甩干；再金属蒸镀，去胶、清洗。
与已公开技术相比，本发明存在以下优点：本发明将ITO薄膜的沉积工序前置，黄光光刻后通过控制湿法腐蚀的时间来达到控制ITO薄膜边缘到Mesa边缘的距离的目的。同时取消了ITO黄光光刻工序，再将钝化层氧化硅沉积工序前置避免了氢氟酸与金属电极的接触。
附图说明
图1为本发明的P-SiO2图形示意图；
图2为本发明的ITO薄膜与Mesa示意图；
图3为本发明的露出P电极区域示意图。
具体实施方式
为了使本发明的技术手段、创作特征、工作流程、使用方法达成目的与功效易于明白了解，下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
首先选取外延片，首先进行外延片清洗；后进行P-SiO2沉积，黄光光刻，化学腐蚀、去胶清洗，在外延片上得到P-SiO2图形，如图1所示；将上述晶片进行ITO前清洗，再镀ITO膜层；然后进行黄光Mesa光刻、再浸泡ITO蚀刻液，通过控制蚀刻时间来达到控制ITO薄膜边缘到Mesa边缘的距离，如图2所示；ITO蚀刻完成后甩干，进行ICP刻蚀，去胶、清洗甩干；再进行钝化层SiO2黄光光刻，浸泡ITO蚀刻液进行蚀刻，去胶、清洗，将P电极区域露出，如图3所示；RTA融合后，进行钝化层SiO2沉积，然后进行P-N负胶光刻，浸泡BOE蚀刻液进行蚀刻后甩干；再金属蒸镀，去胶、清洗,金属熔合后完成点测。
通过该验证方法，可以减少一道黄光光刻，避免了化学腐蚀药液(氢氟酸)对电极的影响，所制备出的产品电性参数正常，具体数据如下：
| 样片号 | VF | LOP | Ir＜0.2占比 | WLD |
| B26BEBAW-A1 | 2.91 | 72.09 | 91.90％ | 455.8 |
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以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征及本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明的要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (1)
1.一种反射电极制程工艺，其特征在于：包括以下步骤：
步骤(1)：选取外延片，首先进行外延片清洗，外延清洗后，进行P-SiO2沉积，黄光光刻，化学腐蚀、去胶清洗，在外延片上得到P-SiO2图形；
步骤(2)：将步骤(1)得到的外延片进行ITO前清洗，再镀ITO膜层；ITO膜层蒸镀完成后，进行黄光Mesa光刻、再浸泡ITO蚀刻液，通过控制蚀刻时间来达到控制ITO薄膜边缘到Mesa边缘的距离；
步骤(3)：ITO蚀刻完成后甩干，进行ICP刻蚀，去胶、清洗甩干；
步骤(4)：进行钝化层SiO2黄光光刻，浸泡ITO蚀刻液进行蚀刻，去胶、清洗，将P电极区域露出；
步骤(5)：RTA融合后，进行钝化层SiO2沉积，然后进行P-N负胶光刻，浸泡BOE蚀刻液进行蚀刻后甩干；再金属蒸镀，去胶、清洗。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108717942A (zh) * | 2018-05-31 | 2018-10-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled基板及其制作方法、显示装置 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008192710A (ja) * | 2007-02-01 | 2008-08-21 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子 |
| US20120267672A1 (en) * | 2011-04-19 | 2012-10-25 | Semicon Light Co., Ltd. | Semiconductor Light-Emitting Device |
| CN103107260A (zh) * | 2011-11-15 | 2013-05-15 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件 |
| TW201424042A (zh) * | 2012-12-14 | 2014-06-16 | Seoul Viosys Co Ltd | 藉由使用反射層強化發光二極體的光擷取效率 |
| CN104218124A (zh) * | 2014-09-09 | 2014-12-17 | 圆融光电科技有限公司 | Led芯片的制备方法和led芯片 |
| CN104393135A (zh) * | 2014-11-18 | 2015-03-04 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 一种led芯片及其制作方法 |
-
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Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008192710A (ja) * | 2007-02-01 | 2008-08-21 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子 |
| US20120267672A1 (en) * | 2011-04-19 | 2012-10-25 | Semicon Light Co., Ltd. | Semiconductor Light-Emitting Device |
| CN103107260A (zh) * | 2011-11-15 | 2013-05-15 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件 |
| TW201424042A (zh) * | 2012-12-14 | 2014-06-16 | Seoul Viosys Co Ltd | 藉由使用反射層強化發光二極體的光擷取效率 |
| CN104218124A (zh) * | 2014-09-09 | 2014-12-17 | 圆融光电科技有限公司 | Led芯片的制备方法和led芯片 |
| CN104393135A (zh) * | 2014-11-18 | 2015-03-04 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 一种led芯片及其制作方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108717942A (zh) * | 2018-05-31 | 2018-10-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled基板及其制作方法、显示装置 |
| US11545529B2 (en) | 2018-05-31 | 2023-01-03 | Beijing Boe Technology Development Co., Ltd. | Organic light emitting diode (OLED) substrate and manufacturing method thereof, display device |
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