CN107078199A - 发光装置及其制造方法 - Google Patents
发光装置及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107078199A CN107078199A CN201580051056.2A CN201580051056A CN107078199A CN 107078199 A CN107078199 A CN 107078199A CN 201580051056 A CN201580051056 A CN 201580051056A CN 107078199 A CN107078199 A CN 107078199A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- luminescent device
- semiconductor layer
- type semiconductor
- conductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 168
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 49
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 176
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 51
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 78
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 69
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 61
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 50
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 34
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 20
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000001548 drop coating Methods 0.000 claims description 8
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 5
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 209
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 57
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 38
- 230000008569 process Effects 0.000 description 31
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 23
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 16
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 14
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 13
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 210000004209 hair Anatomy 0.000 description 12
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 11
- 229920006336 epoxy molding compound Polymers 0.000 description 10
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 6
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 6
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 5
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N titanium dioxide Inorganic materials O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 3
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 3
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 3
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 3
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- -1 for example Substances 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004645 aluminates Chemical class 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004446 light reflex Effects 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 1
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002830 nitrogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000026267 regulation of growth Effects 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011435 rock Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/11—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L24/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
- H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
- H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/647—Heat extraction or cooling elements the elements conducting electric current to or from the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
- H01L2224/113—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector
- H01L2224/1131—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in liquid form
- H01L2224/11318—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in liquid form by dispensing droplets
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
- H01L2224/113—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector
- H01L2224/1131—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in liquid form
- H01L2224/1132—Screen printing, i.e. using a stencil
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
- H01L2224/115—Manufacturing methods by chemical or physical modification of a pre-existing or pre-deposited material
- H01L2224/11505—Sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/13198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/13199—Material of the matrix
- H01L2224/132—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13238—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/13239—Silver [Ag] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/13198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/13199—Material of the matrix
- H01L2224/132—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13238—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/13244—Gold [Au] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/13198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/13199—Material of the matrix
- H01L2224/132—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13238—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/13247—Copper [Cu] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/13198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/13199—Material of the matrix
- H01L2224/132—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13263—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
- H01L2224/13269—Platinum [Pt] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/13198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/13199—Material of the matrix
- H01L2224/1329—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0025—Processes relating to coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0075—Processes relating to semiconductor body packages relating to heat extraction or cooling elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
- H01L33/382—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明提供了一种发光器件及其制造方法。发光器件包括：发光结构，其包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层和主动层，且包括第一表面和第二表面；第一接触电极和第二接触电极，其分别与第一导电型半导体层和第二导电型半导体层欧姆接触；以及第一电极和第二电极，其设置在发光结构的第一表面上，其中第一电极和第二电极分别包括烧结的金属粒子，且第一电极和第二电极各自包括倾斜侧面，其中倾斜侧面相对于其垂直横截面的侧面的切向梯度是变化的。
Description
技术领域
本发明涉及一种发光器件及其制造方法，具体而言，涉及一种具有优异的机械性能和更高的可靠性并包括具有优良热特性和电特性的电极的发光器件及其制造方法。
背景技术
近来，随着对小尺寸、高输出发光器件的需求增加，对具有优异散热效率的大面积倒装芯片型发光器件的需求增加。倒装芯片型发光器件的电极直接粘合到第二基板，并且不使用用于将外部电源供给倒装芯片型发光器件的导线，使得所述倒装芯片型发光器件的散热效率明显高于水平型的发光器件的散热效率。因此，即使施加高密度电流时，也可以将热有效地传导到所述第二基板，使得所述倒装芯片型发光器件适用于高输出光源。
此外，对芯片级封装的需求增加，其中在芯片级封装中，将发光器件封装于单独壳体内的过程或类似的过程被省略，并且将发光器件本身用作封装件，以使所述发光器件小型化。具体地说，倒装芯片型发光器件的电极可实现类似于封装的接脚的功能，使得倒装芯片型发光器件也可以有效地应用于芯片级封装。
发明内容
技术问题
本公开技术的示例性实施例提供了一种发光器件，其通过包括具有新结构的电极而具有更高的可靠性。
本公开技术的示例性实施例提供了一种制造发光器件的方法，所述发光器件通过采用烧结法形成电极而具有更高的可靠性。
本公开技术的示例性实施例提供一种发光器件及其制造方法，所述发光器件具有更高的可靠性和优良的电特性。
技术方案
根据本公开技术的示例性实施例，发光器件包括：发光结构，其包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层和设置在所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间的主动层，并且包括第一表面和与所述第一表面相对设置的第二表面；第一电极，其设置在所述发光结构的第一表面上，并且电连接到所述第一导电型半导体层；和第二电极，其设置在所述发光结构的第一表面上，并且电连接到第二导电型半导体层，其中第一电极和第二电极各自包括烧结金属粒子，并且第一电极和第二电极各自包括倾斜侧面，其中倾斜侧面相对于其垂直横截面的侧面的切向梯度是变化的。
根据本公开技术的一个实施例，有可能提供这样的发光器件，其包括具有改进的机械稳定性的电极。
倾斜侧面可包括其中切向梯度增大的区域和其中切向梯度减小的区域。
第一电极和第二电极的每一个的水平横截面面积可朝向远离发光结构的第一表面的方向逐渐减少。
发光器件可进一步包括绝缘部分，绝缘部分覆盖第一电极和第二电极的侧面及发光结构的第一表面，其中第一电极和第二电极可以暴露在绝缘部分的一个表面上。
发光器件还可进一步包括第一电极垫和第二电极垫，第一电极垫和第二电极垫设置在绝缘部分的一个表面上且各自设置在第一电极和第二电极上。
第一电极垫和第二电极垫的每一者的面积可以大于暴露在绝缘部分的一个表面上的第一电极的面积和暴露在绝缘部分的一个表面上的第二电极的面积。
发光器件还可包括设置在发光结构的第二表面上的波长转换单元。
烧结金属粒子可包括数个金属粒子和介置于金属粒子之间的非金属材料。
所述金属粒子可包括Ag。
烧结金属粒子可包括范围为80wt％至98wt％的金属粒子。
发光器件还可以包括：一个区域，其中通过部分地移除主动层以及第二导电型半导体层来使第一导电型半导体层部分地暴露；第一接触电极，其经由第一导电型半导体层暴露的区域与第一导电型半导体层欧姆接触，并部分地覆盖发光结构的第一表面；第二接触电极，其设置在第二导电型半导体层上以与第二导电型半导体层欧姆接触；第一绝缘层，其使第一接触电极和第二接触电极彼此绝缘；以及第二绝缘层，其部分地覆盖第一接触电极和第二接触电极并包括第一开口部分和第二开口部分，其中通过第一开口部分和第二开口部分使第一接触电极和第二接触电极各自暴露，其中第一电极和第二电极各自通过第一开口部分和第二开口部分能够直接与第一接触电极和第二接触电极接触。
第一导电型半导体层暴露的区域可以包括多个孔。
发光结构可以包括至少一个台面，所述至少一个台面包括第二导电型半导体层以及主动层，并且第一导电型半导体层暴露的区域可以设置在所述台面的周围。
发光器件还可以包括第一接触电极和第二接触电极，且第一接触电极和第二接触电极各自与第一导电型半导体层和第二导电型半导体层欧姆接触，其中第一电极和第二电极能够各自直接地与第一接触电极和第二接触电极接触。
发光器件还可以包括在发光结构的第二表面上设置的波长转换单元。
波长转换单元可以接触第一绝缘层。
波长转换单元还可以至少部分地覆盖第一导电型半导体层的一侧。
根据所公开技术的另一个示例性实施例，提供了一种发光器件，其包括：发光结构，发光结构包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及设置在第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的主动层，并且包括第一表面和与第一表面相对设置的第二表面；第一电极，其设置在发光结构的第一表面上并与第一导电型半导体层电连接；以及第二电极，其设置在发光结构的第一表面上并与第二导电型半导体层电连接，其中第一电极和第二电极各自包括烧结金属粒子，而且所述烧结金属粒子可以包括范围为80wt％至98wt％的金属粒子以及介置于所述金属粒子之间的非金属材料。
根据所公开技术的又一示例性实施例，提供了一种制造发光器件的方法，包括：在生长基板上形成发光结构，其中发光结构包括第一导电型半导体层、设置在第一导电型半导体层上的主动层以及设置在主动层上的第二导电型半导体层；在发光结构上形成预成型第一电极和预成型第二电极，其中预成型第一电极和预成型第二电极包括金属粒子，并且分别电连接到第一和第二导电型半导体层；以及通过烧结预成型第一电极和预成型第二电极来分别形成第一电极和第二电极，其中第一电极和第二电极各自包括倾斜侧面，其中倾斜侧面相对于其垂直横截面的侧面的切向梯度可以是变化的。
第一电极和第二电极各自的体积可以比预成型第一电极和预成型第二电极的体积小。
倾斜侧面可以包括切向梯度增大的区域以及切向梯度减小的区域。
预成型第一电极和预成型第二电极的形成可以包括采用滴涂或涂覆方法在发光结构上形成粘稠性材料，其中粘稠性材料包括金属粒子和介置于金属粒子之间的非金属材料。
滴涂或涂覆方法可以包括打点法或网版印刷法。
所述方法还可以包括在发光结构上形成覆盖第一电极和第二电极的绝缘部分。
所述制造发光器件的方法可以包括通过部分地移除第一电极和第二电极以及绝缘部分来在绝缘部分的一个表面上暴露第一电极和第二电极。
所述制造发光器件的方法还可以包括在绝缘部分的一个表面上形成与第一电极和第二电极各自接触的第一电极垫和第二电极垫。
所述制造发光器件的方法还可以包括：在第一电极和第二电极形成之后，将生长基板与发光结构分离；以及在通过将生长基板与发光结构分离所暴露的发光结构的一个表面上形成波长转换单元。
发光结构的形成可以包括形成与第一导电型半导体层和第二导电型半导体层各自欧姆接触的第一接触电极和第二接触电极，其中预成型第一电极和预成型第二电极可以各自与第一接触电极和第二接触电极接触。
根据所公开技术的又一示例性实施例，提供了一种发光器件，包括：发光结构，其包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及设置在第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的主动层，并且包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；第一接触电极和第二接触电极，其设置在发光结构的第一表面上并分别与第一和第二导电型半导体层欧姆接触；第一电极和第二电极，其设置在发光结构的第一表面上并分别电连接到第一接触电极和第二接触电极；以及绝缘部分，其覆盖第一电极和第二电极的侧面以及发光结构的第一表面，其中第一电极和第二电极各自可以包括金属粒子，并且第一电极和第二电极之间的间隔的最短距离的半值可以小于第一电极和第二电极之一的一个侧面到绝缘部分外侧的最短距离。
第一电极和第二电极之间的最短距离的范围可以为从10μm至80μm。
第一电极和第二电极各自可以包括倾斜侧面，其中倾斜侧面相对于其垂直横截面的侧面的切向梯度是变化的。
第一电极和第二电极的侧面与发光结构的上表面形成的角度的范围可以从大于或等于30度至小于90度。
第一电极和第二电极中的每一个的侧面可以与发光结构的第一侧面垂直。
发光器件还可以包括第一电极垫和第二电极垫，其设置在绝缘部分的一个表面上并且各自设置在第一电极和第二电极上。
第一电极和第二电极各自可以包括金属粒子和介置于金属粒子之间的非金属材料。
第一电极和第二电极各自可以包括80wt％至98wt％的金属粒子。
金属粒子可以包括Cu、Au、Ag和Pt中的至少一种。
发光器件还可以包括：一个区域，其中通过部分地移除主动层和第二导电型半导体层使第一导电型半导体层部分地暴露；第一绝缘层，其使第一接触电极和第二接触电极彼此绝缘；以及第二绝缘层，其部分地覆盖第一接触电极和第二接触电极并包括第一开口部分和第二开口部分，其中通过第一开口部分和第二开口部分使第一接触电极和第二接触电极各自暴露，其中第一接触电极可以通过第一导电型半导体层暴露的区域与第一导电型半导体层欧姆接触，并且第一电极和第二电极各自可以通过第一开口部分和第二开口部分与第一接触电极和第二接触电极直接接触。
第一电极和第二电极可以各自直接接触第一接触电极和第二接触电极。
有益效果
根据所公开技术的示例性实施例，可以提供一种具有电极的发光器件，其中所述电极包括用于改善电极的机械稳定性和半导体层可靠性的烧结金属粒子，从而改善了发光器件的可靠性。此外，可以提供一种用于制造发光器件的方法，其能够通过使用烧结形成电极的方法来稳定并简化制程。
此外，可以在制造发光器件的制程中，通过将掩膜或绝缘部分用作一种框架来形成电极以减小电极之间的最短距离，从而改善了发光器件的电学和热学特性。
附图说明
图1是用来描述一种常规倒装芯片型发光器件的截面图。
图2的(a)和图2的(b)是用来描述根据所公开技术的示例性实施例的发光器件的平面图和截面图。
图3的(a)和图3的(b)和图4是用来描述根据所公开技术的另一示例性实施例的发光器件的平面图和截面图。
图5是用来描述根据所公开技术的另一示例性实施例的发光装置的截面图。
图6是用来描述根据所公开技术的另一示例性实施例的发光装置的截面图。
图7至图20是用来描述根据所公开技术的其他示例性实施例的制造发光器件的方法的平面图和截面图。
图21至图25是用来描述根据所公开技术的另一示例性实施例的制造发光器件的方法的截面图。
图26至图30是用来描述根据所公开技术的另一示例性实施例的制造发光器件的方法的截面图。
图31是用来描述根据所公开技术的另一示例性实施例的发光器件的截面图。
图32是用来描述根据所公开技术的另一示例性实施例的发光器件的截面图。
图33和图34是用来描述根据所公开技术的又一示例性实施例的发光器件的平面图和截面图。
图35是用来描述根据所公开技术的另一示例性实施例的发光装置的截面图。
图36是用来描述根据所公开技术的另一示例性实施例的发光装置的截面图。
具体实施方式
图1示出了常规形式的倒装芯片型发光器件。参照图1，所述倒装芯片型发光器件可以包括n型半导体层11、主动层13、p型半导体层15、各自设置在n型和p型半导体层上的n型垫21和p型垫23以及各自设置在n型垫21和p型垫23上并彼此电连接的n型电极41和p型电极43。为了使倒装芯片型发光器件适用于晶圆尺寸封装，n型电极21和p型电极23需要具有范围从几十微米到几百微米的厚度。对于采用诸如电子束蒸发的蒸发方法的情形，金属的生长速度会很慢，使得发光器件的生产率可大为减小。相应地，为了实现具有上述厚度的电极，n型电极和p型电极23可以通过电镀法来形成。
然而，对于采用电镀法形成电极的情形，在电镀期间，半导体层被施加了由金属而产生的应力，因而半导体层可能经受诸如弓状变形的变形以及可能断裂或损坏。此外，为了采用电镀法，独立的晶种层30需要介于垫和电极之间，如图1所示，因此采用电镀法形成电极的方法可能具有复杂的制程，可能减小发光器件的生产率。
此外，为了使倒装芯片型发光器件适用于晶圆尺寸封装，绝缘体被形成来覆盖n型电极21和p型电极23的侧面。由于电极和绝缘体之间的界面角度，可能存在一个问题，即在采用电镀法形成的电极和绝缘体之间形成了缝隙。发光器件可能由于所述缝隙而具有缺陷，使得发光器件的可靠性减小。
在下文中，示例性实施例所公开的技术将参考附图来详细描述。下文提供的示例性实施例能够通过实例的方式来提供，使得可以向本发明所属领域的技术人员充分地传递本公开技术的精神。因此，所公开的技术并不局限于这里所阐述的示例性实施例，而是可以许多不同的形式进行修改。在附图中，为方便起见，部件的宽度、长度、厚度等可能是被放大的。另外，应所述理解的是，当一个部件被称为是在另一个部件“之上”时，一个部件可以直接位于另一个部件上方或者是另外一个部件放置于它们两者之间。通篇说明书中相似的附图标记表示相似的部件。
图2的(a)和图2的(b)是依照本公开技术示例性实施例的发光器件的平面图和截面图。
图2的(a)是发光器件100的平面图，且图2的(b)是沿着图2的(a)的线S-S截取的截面图。
参考图2的(a)和(b)，发光器件100可包括发光单元100L和电极160，并且可以进一步包括绝缘部分170、第一电极垫181和第二电极垫183以及波长转换单元190。
发光单元100L可以包括发光结构，所述发光结构包括第一导电型半导体层和第二导电型半导体层以及设置在第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的主动层。发光单元100L可连接到外部电源供应器以发射具有期望波长的光。
所述发光结构可以包括第一表面以及与第一表面相对的第二表面。这里，第一电极161和第二电极163可以设置在第一表面上。例如，根据本公开技术的示例性实施例，在附图中，发光单元100L的下表面可以定义为发光结构的第一表面，而发光单元100L的上表面可被定义为发光结构的第二表面。然而，所公开的技术并不限于此。
发光单元100L和发光结构可具有各种形式，例如第一电极161与第二电极163可为向下延伸的一种结构。例如，发光单元100L和发光结构可为倒装芯片型，其具有如图1所示的一般结构和如图4所示的类型。这将在下面详细描述。
电极160可以设置在发光结构的第一表面上并且可以包括第一电极161和第二电极163。在这种情况下，第一电极161与第二电极163可以各自电连接到发光结构的第一导电型半导体层和第二导电型半导体层，并且第一电极161和第二电极163可以直接接触发光结构。
第一电极161与第二电极163都可包括倾斜侧面。特别地，如图所示，第一电极161和第二电极163可各自包括倾斜侧面，其中倾斜侧面相对于其垂直横截面的侧面的切向TL梯度是变化的。详细地说，如图2的(a)和图2的(b)所示，相对于第一电极161与第二电极163中的每一个的垂直横截面的侧面的切向TL梯度可以从底部向上进行增加，然后在超过某一反曲点的时候重新降低。因此，第一电极161和第二电极163中的每一个的倾斜侧面可以包括切向TL梯度增大的区域以及切向TL梯度减小的区域。
第一电极161与第二电极163可以各自包括倾斜侧面，其中倾斜侧面相对于其垂直横截面的侧面的切向TL梯度是变化的，这样第一电极161与第二电极163的水平横截面面积可以在垂直方向上改变。例如，如图所示，第一电极161与第二电极163中的每一个的水平横截面面积可以朝着远离发光单元100L的一个表面的方向进行缩减，所述一个表面是指发光结构的第一表面。
因此，第一电极161和第二电极163的形状可以分别被确定成具有上述形状的侧面。例如，第一电极161与第二电极163的形状可以类似于截断的拱形。第一电极161与第二电极163可以各自包括倾斜侧面，其中倾斜侧面相对于其垂直横截面的侧面的切向TL梯度是变化的，这样使得绝缘部分170与第一电极161和第二电极163的界面处的机械稳定性可以得到改进。
第一电极161与第二电极163可以包括多个金属粒子160m。进一步来说，第一电极161和第二电极163各自可以包括烧结的金属粒子，其中烧结的金属粒子可包括金属粒子160m和介置于金属粒子160m之间的非金属粒子160n。在图2的(b)的放大视图中，金属粒子160m被烧结并且因此可以形成其中配置有多个晶粒的形式，而非金属材料160n可介置于金属粒子160m之间的至少一些区域。非金属材料160n可以充当用来减轻施加于第一电极161与第二电极163的应力的缓冲器。因此，第一电极161和第二电极163的机械稳定性可以得到提高，并且因此从电极160施加给发光单元100L的应力可以降低。
相对于第一电极161与第二电极163各自的总质量而言，第一电极161与第二电极163各自可包括80wt％至98wt％的比例的金属粒子160m。
进一步来说，当第一电极161与第二电极163各自包括烧结金属粒子的时候，可包括相对于金属粒子烧结体的总质量的80wt％至98wt％的比例的金属粒子160m。烧结金属粒子可包括前述比率的金属粒子160m以具备优异的导热性和导电性，并且可以有效地缓解施加到电极160的应力，以改善电极160的机械稳定性。
金属粒子160m可以包括具有导热性和导电性的材料而没有任何限制。例如，金属粒子160m可包括Cu、Au、Ag、Pt等。可通过对用于形成电极160的待烧结材料进行衍生(induce)来获得非金属材料160n。例如，非金属材料160n可以是包括碳的聚合物材料。
根据上述示例性实施例，所描述的第一电极161和第二电极163中包含的金属粒子160m为烧结金属粒子的形式，但是所公开的技术并不局限于此。
此外，第一电极161和第二电极163的厚度范围可以为约50μm至约80μm。根据所公开的技术的示例性实施例的发光器件包括具有厚度在上述范围内的电极160，并且因此发光器件本身可以用作晶圆级封装。进一步来说，电极160包括烧结金属粒子，使得电极160即使在上述厚度范围内成形，施加的应力也能够充分得到减轻。因此，施加到发光单元100L的应力得到减轻，使得发光器件的机械稳定性和可靠性能够提高。然而，电极160的厚度并不限于上述范围。
进一步来说，发光器件可进一步包括第一接触电极和第二接触电极(未示出)，第一接触电极和第二接触电极设置在第一电极161和第二电极163与发光单元100L的发光结构之间。第一接触电极和第二接触电极可以分别与第一电导式半导体层和第二电导式半导体层形成欧姆接触。这样，第一电极161和第二电极163可以各自与第一接触电极和第二接触电极直接接触。也就是说，第一电极161和第二电极163可以各自成形与第一接触电极和第二接触电极直接接触。因此，可以省略额外的部件，诸如电镀法所需的晶种层及焊料所需的湿润层。
绝缘部分170可以形成为覆盖发光单元100L的下表面，即发光结构的第一表面上的电极160的侧面。第一电极161和第二电极163可以在绝缘部分170的下表面上暴露出来。
绝缘部分170可以具有电绝缘性质并且覆盖第一电极161和第二电极163的侧面以使第一电极161和第二电极163彼此有效地绝缘。另外，绝缘部分170可以用来支撑第一电极161和第二电极163。绝缘部分170的下表面可形成为与第一电极161和第二电极163的下表面实质上齐平。
绝缘部分170可以包括绝缘聚合物和/或绝缘陶瓷，例如，诸如环氧模塑化合物和/或硅树脂的材料。另外，绝缘部分170还可以包括诸如TiO2粒子的光反射和光散射粒子。绝缘部分170具有将从发光单元100L发出的光向上反射的反射性，从而改善了发光器件的光效率。
此外，与所示出的不同，绝缘部分170还可以覆盖发光单元100L的侧面，而且一些绝缘部分170还可以与波长转换单元190接触。在这种情况下，可以改变从发光单元100L发出的光的发光角度。此外，当绝缘部分170进一步覆盖发光单元100L的侧面时，一些向发光单元100L侧面发出的光可以被向上反射。如上所述，调整绝缘部分170被设置的区域，使得发光器件100的发光角度可以被调整。
第一电极垫181和第二电极垫183可以设置在绝缘部分170的一个表面上。特别地，如图所示，在绝缘部分170的一个表面当中，可以将第一电极垫181和第二电极垫183设置在第一电极161和第二电极163暴露的绝缘部分170的下表面上。
第一电极垫181和第二电极垫183可以各自与第一电极161和第二电极163电接触或者可以彼此隔开。当发光器件应用于模组等时，第一电极161和第二电极163可以使发光器件更稳固地安装在模组的基板上。例如，当第一电极161和第二电极163包括Cu或Ag粒子烧结体时，第一电极161和第二电极163的下表面可以具有差的焊料可湿性。因此，第一电极垫181和第二电极垫183还可以设置在绝缘部分170的下表面上，使得发光器件可以被稳固地安装。
同时，如图2的(a)所示，第一电极垫181和第二电极垫183中各自的水平面积可以大于第一电极161和第二电极163暴露在绝缘部分170的下表面上的水平面积。因此，第一电极161和第二电极163被暴露的区域可以各自被设置在第一电极垫181和第二电极垫183形成的区域内。
第一电极垫181和第二电极垫183中各自的面积形成为大于第一电极161和第二电极163暴露在绝缘部分170的下表面上的区域的面积，使得发光器件可以更稳固地安装在独立的附加基板上。
第一电极垫181和第二电极垫183可以包括诸如金属的导电材料，例如Ni、Pt、Pd、Rh、W、Ti、Al、Ag、Sn、Cu、Ag、Bi、In、Zn、Sb、Mg、Pb等。此外，第一电极垫181和第二电极垫183中各自可以由单层结构或多层结构形成。
波长转换单元190可以设置在发光单元100L的上表面上，即发光结构的第二表面。
波长转换单元190可以将从发光单元100L发出的光的波长进行转换以使发光器件发出具有所期望波段的光。波长转换单元190可以包括磷光体和携带磷光体的载体。磷光体可以包括本领域技术人员公知的各种磷光体，并且可以包括例如石榴石磷光体、铝酸盐磷光体、硫化物磷光体、氧氮化物磷光体、氮化物磷光体、氟化物类的磷光体以及硅酸盐磷光体中的至少一种。载体可以采用本领域技术人员公知的材料。例如，载体可以包括诸如环氧树脂或丙烯酸树脂或硅氧树脂的聚合物树脂。另外，波长转换单元190可以由单层结构或多层结构形成。
如图2的(a)和图2的(b)所示，波长转换单元190可以形成为覆盖发光单元100L的上表面，而且本公开的技术并不限制于此。波长转换单元190还可以覆盖发光单元100L的侧面并且还可以覆盖绝缘部分170的侧面。当波长转换单元190覆盖绝缘部分170的侧面时，发光器件的上表面和其至少一些的侧面被波长转换单元190覆盖。
图3的(a)、图3的(b)和图4是用来描述根据本公开技术的另一示例性实施例的发光器件的平面图和截面图。将参照图3的(a)、图3的(b)和图4来示例性地详细描述发光单元的结构。然而，所公开的技术不限于以下的结构和配置。
图3的(a)是发光器件的平面图，图3的(b)是用于描述孔120h的位置以及第三和第四开口部分153a和153b的位置的平面图，以及图4是示出对应图3的(a)和图3的(b)的线A-A区域的剖面的截面图。
参照图3的(a)、图3的(b)和图4，发光器件100a可以包括发光结构120、第一接触电极130、第二接触电极140、第一绝缘层151、第二绝缘层153、第一电极161以及第二电极163，所述发光结构120包括第一导电型半导体层121、主动层123和第二导电型半导体层125。此外，发光器件100a还可以包括绝缘部分170、第一电极垫181和第二电极垫183、生长基板(未示出)以及波长转换单元190。
发光结构120可以包括第一导电型半导体层121、设置在第一导电型半导体层121上的主动层123以及设置在主动层123上的第二导电型半导体层125。第一导电型半导体层121、主动层123和第二导电型半导体层125可以包括基于III-V族化合物的半导体，例如，诸如(Al，Ga，In)N的基于氮化物的半导体。第一导电型半导体层121可以包括n型杂质(例如，Si)，并且第二导电型半导体层125可以包括p型杂质(例如，Mg)。此外，它们可以是相反的。主动层123可以包括多量子井结构(MQW)。
此外，发光结构120可以包括通过部分移除第二导电型半导体层125和主动层123来使第一导电型半导体层121部分暴露的区域。例如，如图所示，发光结构120可以包括至少一个孔220h，所述孔穿透第二导电型半导体层125和主动层123，以使第一导电型半导体层121暴露。然而，所公开的技术并不限制于此。即孔220h的配置形式和孔220h的数目可以进行各种修改。
另外，使第一导电型半导体层121暴露的形式不限于诸如孔120h的形式。例如，使第一导电型半导体层121暴露的区域可以形成为线形、孔形和线形的组合等。当使第一导电型半导体层121暴露的区域形成为多个线形时，发光结构120可以沿线形成并且还可以包括至少一个台面，所述台面包括主动层123和第二导电型半导体层125。
第二接触电极140设置在第二导电型半导体层125上。第二接触电极140可以至少部分地覆盖第二导电型半导体层125的上表面，并与第二导电型半导体层125欧姆接触。此外，第二接触电极140通常可以覆盖第二导电型半导体层125的上表面，并且可以形成为单一体。因此，可以将电流均匀地供应给整个发光结构120，使得电流分散效率可以得到改善。
然而，所公开的技术并不限制于此。因此，第二接触电极140不会被整体地形成并且多个单元反射电极层也可以设置在第二导电型半导体层125的上表面上。
第二接触电极140可以包括能与第二导电型半导体层125欧姆接触的材料，并且可以包括例如金属材料和/或导电氧化物。
当第二接触电极140包括金属材料时，第二接触电极140可包括反射层和覆盖所述反射层的覆盖层。如上所述，第二接触电极140可用来反射光并同时与第二导电型半导体层125欧姆接触。因此，反射层可以包括可以与第二导电型半导体层125欧姆接触且同时具有高反射率的金属。例如，反射层可包括Ni、Pt、Pd、Rh、W、Ti、Al、Mg、Ag和Au中的至少一种。另外，反射层可以包括单层或多层。
覆盖层可以防止反射层与其它材料之间的相互扩散并且防止反射层因为其他外部材料扩散至所述反射层而受损。因此，覆盖层可以形成来覆盖反射层的下表面和侧面。覆盖层能够与反射层一起电连接到第二导电型半导体层125，以与反射层一起用作一种电极。覆盖层可包括例如Au、Ni、Ti、Cr等，并且包括单层或多层。
同时，当第二接触电极140包括导电氧化物时，导电氧化物可以是ITO、ZnO、AZO、IZO、GZO等。
第一绝缘层151可以部分地覆盖发光结构120的上表面和第二接触电极140。进一步，第一绝缘层151可以覆盖多个孔120h的侧面，但却露出了孔120h的上表面，从而部分地露出第一导电型半导体层121。进一步，第一绝缘层151还可以覆盖发光结构120的至少一些侧面。
同时，发光结构120的侧面有多少被第一绝缘层151所覆盖可以根据发光器件的制作过程中的晶圆单元的分割来加以改变，这将在下面进行详细描述。
第一绝缘层151可以包括设置在与多个孔120h相对应的部分处的第一开口部分以及露出一些第二接触电极140的第二开口部分。第一导电型半导体层121可以通过第一开口部分和孔120h部分地露出，并且第二接触电极140可以通过第二开口部分部分地露出。
第一绝缘层151可以包括绝缘材料，例如，SiO2、SiNx、MgF2等。进一步，第一绝缘层151可以包括多层结构，并且还可以包括其中具有不同折射率的材料交替堆迭的分布式布拉格反射器。特别地，当第二接触电极140包括导电氧化物时，第一绝缘层151可以包括分布式布拉格反射器，从而提高了发光效率。
第一接触电极130可以部分地覆盖发光结构120并且可以通过多个孔120h和第一开口部分与第一导电型半导体层121欧姆接触。在这种情况下，孔120h中可以填有第一接触电极130。第一接触电极130可形成以大致上覆盖除了第一绝缘层151的下表面的某个区域之外的其他部分。另外，第一接触电极130可以形成来覆盖发光结构120的侧表面。当第一接触电极130也形成在发光结构120的侧面上时，第一接触电极130可以将从主动层123发射的光向上反射至侧表面，从而增加发射至发光器件100a的上表面的光的比率。同时，第一接触电极130不能在与第一绝缘层151的第二开口部分相对应的区域中形成，但是能够与第二接触电极绝缘，同时还与第二接触电极140间隔开来。
第一接触电极130可以形成来大致覆盖除了发光结构的某个区域之外的发光结构120的上表面，从而进一步提高电流分散效率。另外，第一接触电极130可以覆盖第二接触电极140所没有覆盖的部分，以更有效地反射光，进而改善发光器件100a的发光效率。
第一接触电极130可用来反射光并同时与第一导电型半导体层121欧姆接触。因此，第一接触电极130可以由单层结构或多层结构形成，并且可以包括高反射金属层，例如Al层。高反射金属层可以形成在由Ti、Cr、Ni或类似物制成的粘附层上。然而，所公开的技术并不限于此。
第一接触电极130通过孔120a与第一导电型半导体层121欧姆接触，使得其中移除了主动层123的区域与对应于多个孔120h的区域相同，从而形成连接至第一导电型半导体层121的电极等。因此，可以使得其中第一导电型半导体层121与金属层欧姆接触的区域最小化，并且可以提供其中发光区域的面积与发光结构的整个水平面积的比值相对较大的发光二极管。
发光器件100a还可以包括第二绝缘层153，其可以覆盖第一接触电极130。第二绝缘层153可以包括第三开口部分153a和第四开口部分153b，第一接触电极130通过第三开口部分153a部分地露出，而第二接触电极140通过第四开口部分153b部分地露出。在这种情况下，第四开口部分153b可以形成在与第二开口部分151b相对应的位置处。
第三开口部分153a和第四开口部分153b的每一个的数量可以是一个或多个。进一步地，如图3的(b)所示，当第三开口部分153a设置成邻近发光器件100a的一个侧面的角落时，第四开口部分153b可以设置成邻近发光器件的其它角落。
第二绝缘层153可以包括绝缘材料，例如，SiO2、SiNx、MgF2等。进一步地，第二绝缘层153可以包括多层结构，并且还可以包括其中具有不同折射率的材料交替堆迭的分布式布拉格反射器。
第一电极161和第二电极163可以设置于第二绝缘层153上。进一步地，第一电极161可以设置在第三开口部分153a上以接触第一接触电极130，并且第二电极163可以设置在第四开口部分153b上以接触第二接触电极140。
照此，第一电极161和第二电极163分别可以直接接触第一接触电极130和第二接触电极140。因此，可以在形成第一电极161和第二电极163之前省略额外的晶种层或润湿层，从而简化了发光器件的制造制程。
第一电极161和第二电极163的描述类似于参考图2所进行的描述，因此将省略其详细描述。
绝缘部分170可以覆盖第二绝缘层153以及第一电极161和第二电极163的侧面。特别地，如图所示，绝缘部分170还可以覆盖发光结构120的侧面。
同时，发光结构120的侧面有多少被绝缘部分170所覆盖可以根据发光器件的制作过程中的晶圆单元的分割来加以改变，这将在下面进行详细描述。
绝缘部分170、第一电极垫181和第二电极垫183的描述大体上类似于参考图2所进行的描述，并且因此将省略其详细描述。
波长转换单元190可以设置在发光结构120的下表面上。波长转换单元190中的一部分也能接触第一绝缘层151。进一步地，与图示所不同的是，波长转换单元190还可以形成来覆盖发光结构120的侧面，并且可以形成来进一步覆盖绝缘部分170的侧面。
波长转换单元190的描述大体上类似于参考图2所进行的描述，并且因此将省略其详细描述。
同时，发光器件100a还可以包括生长基板(未示出)，其设置在发光结构120的下表面上。当发光器件100a包括波长转换单元190时，生长基板可以设置在发光结构120与波长转换单元190之间。
对于生长基板没有限制，只要它是发光结构120可以在上面生长的基板。例如，生长基板可以是蓝宝石基板、碳化硅基板、硅基板、氮化镓基板、氮化铝基板或类似物。也可以将生长基板省略。在生长了发光结构120之后，可以通过诸如雷射光剥离、化学剥离、应力剥离、热剥离和缠绕的方法来将生长基板从发光结构120分离并移除。
根据本公开技术的示例性实施例，发光器件可以采用包括烧结金属粒子的第一电极和第二电极，其中所述发光器件具有电流在驱动时可以在水平方向均匀地分散的结构。因此，即使由于当驱动发光器件时产生的热，应力会施加到第一电极和第二电极，但由于包括在烧结金属粒子中的非金属材料，应力可以被削弱。因此，可以改善发光器件的可靠性。
图5是用来描述根据本公开技术的另一示例性实施例的发光装置的截面图。
参照图5，发光装置可以包括根据本公开技术的示例性实施例的发光器件100和基板300。可以将发光器件100安装在基板300上。
例如，基板300可为PCB、散热基板或类似物，其中PCB包括第一导电图案311、第二导电图案313以及将它们彼此绝缘的绝缘层320。特别地，PCB可以是金属PCB，其中第一与第二导电图案311和313由金属制成。然而，本公开的技术并不限制于此，因此基板300可以是具有本领域技术人员公知的各种结构的基板。
这样，根据本公开技术的示例性实施例的发光器件100可以用作无需单独封装制程而可以直接使用的晶圆级封装。
图6是用来描述根据本公开技术的另一示例性实施例的发光装置的截面图。
参照图6，发光装置可以包括根据本公开技术的示例性实施例的多个发光器件100和基板400。可以将发光器件100安装在基板400上。
图6是发光器件模组，其中多个发光器件100安装在一个基板400上。因此，基板400可以是提供包括导电图案的电性导线的形式。
这样，根据本公开技术的示例性实施例的发光器件100可以作为无需单独封装制程的晶圆级封装而直接被应用于发光器件模组。因此，可以简化制造发光器件模组的制程。
图7至图19是用来描述根据本公开技术的其他示例性实施例的制造发光器件的方法的平面图和截面图。
根据本公开技术的示例性实施例，可以提供图3的(a)、图3的(b)和图4所示的发光器件100a。因此，下面将省略与在图3的(a)、图3的(b)和图4的示例性实施例中描述的那些部件相同的部件的详细描述，而且本公开的技术并不局限于根据本公开技术的示例性实施例的描述。此外，在图7至图20中，截面图(B)示出了沿平面图(A)的B-B所截取的剖面。
首先，参照图7，在生长基板110上形成发光结构120，其中发光结构120包括第一导电型半导体层121、主动层123以及第二导电型半导体层125。
生长基板110可以是可以在上面生长发光结构120的生长基板，并且可以包括例如蓝宝石基板、碳化硅基板、硅基板、氮化镓基板、氮化铝基板或类似物。根据本公开技术的示例性实施例，基板100可为有图案的蓝宝石基板(PSS)。
第一导电型半导体层121、主动层123以及第二导电型半导体层125可以通过顺序生长而形成。发光结构120可以包括氮化物半导体，并且可以通过诸如本领域技术人员公知的MOCVD、HVPE以及MBE的生长氮化物半导体层的方法来形成。此外，在生长第一导电型半导体层121之前，可以进一步在生长基板110上形成缓冲层(未示出)。
发光结构120可以生长在生长基板110上来以晶圆的形式提供。因此，还可以通过根据所公开技术的示例性实施例的制造发光器件的方法来提供多个发光器件。然而，本实施例仅示出和描述了单个发光器件。
接着，参考图8的(a)和图8的(b)，通过部分地移除第二导电型半导体层125和主动层123来形成至少一个孔120h。随着孔120h的形成，可以使第一导电型半导体层121部分地暴露。此外，隔离区域120i可以进一步在生长基板110上形成，其中在所述隔离区域中，发光结构120分割成多个隔离的器件单元。因此，可以在生长基板110上形成在分割的器件单元中的发光结构120。
可以通过光刻制程形成至少一个孔120h。在这种情况下，可以通过光阻热回流制程使孔120h形成倾斜的侧面。孔120h的数量和孔120h的设置形式没有限制，但如图所示，可以将孔120h均匀地设置。
同时，如图9所示，形成了至少一个孔120h，但隔离区域120i的形成也可以省略。在这种情况下，生长基板110的上表面没有暴露，并且在后续的制程中，晶圆分割成器件单元的同时可以将发光结构120隔离。然而，下面将基于先形成隔离区域120i的情况来描述一种制造发光器件的方法，如图8的(a)和图8的(b)所示。
接下来，参考图10的(a)和图10的(b)，第二接触电极140在第二导电型半导体层125上形成。第二接触电极140可以形成为大致覆盖第二导电型半导体层125的表面，并且可以包括开口区域，在所述开口区域中孔120h被暴露。
当第二接触电极140包括金属时，第二接触电极140可以通过电镀和/或沉积方法等来形成，并且可以通过剥离制程图案化。此外，当第二电极140包括导电氧化物时，所述导电氧化物可以通过沉积方法形成，然后可以通过诸如蚀刻的制程图案化。这样，如图所示，第二接触电极140可以整体形成并设置在第二导电型半导体层125的上表面上。
参考图11的(a)和图11的(b)，形成了部分地覆盖发光结构120和第二接触电极140的第一绝缘层151。
第一绝缘层151可以通过沉积诸如SiO2和SiNx的绝缘材料来形成，并且可以通过剥离制程或者蚀刻制程来图案化第一绝缘层，使得第一绝缘层包括第一开口部分151a和第二开口部分151b。第一开口部分151a可以形成为与多个孔120h的位置相对应。特别地，第一绝缘层151可以覆盖多个孔120h的侧面。第二开口部分151b可以使第二接触电极140部分地暴露，并且第二开口部分151b的位置可以依照第二电极163在后续制程中形成的区域来确定。例如，如图所示，第二开口部分151b可以设置成偏向发光结构120的一侧，并且第二开口也可以形成为多个。
同时，第一绝缘层151还可以覆盖生长基板110暴露在隔离区域120i下的表面。然而，当隔离区域120i未形成时，第一绝缘层151可以形成为仅覆盖发光结构120。
接下来，参考图12的(a)和图12的(b)，形成了第一接触电极130，其覆盖第一绝缘层151且通过孔120h与第一导电型半导体层121欧姆接触。
第一接触电极130可以通过电镀和沉积方法等形成，并且可以通过剥离制程等来图案化。第一接触电极130通过孔120h来与第一导电型半导体层121接触，因此可以形成为覆盖第一开口部分151a的侧面和下表面。另外，第一接触电极130可以通过借助第一绝缘层151与第二接触电极140隔开来以与第二接触电极140绝缘。因此，第一接触电极130可以形成为大致覆盖发光结构120，除了对应于第二开口部分151a的区域。
参考图13的(a)和图13的(b)，可以形成部分地覆盖第一接触电极130、第一绝缘层151以及第二接触电极140的第二绝缘层153。
第二绝缘层153可以通过沉积绝缘材料例如SiO2和SiNx来形成，并且可以通过剥离制程或者蚀刻制程来图案化第二绝缘层153，使得第二绝缘层153包括第三开口部分153a和第四开口部分153b。第三开口部分153a可以使第一接触电极130部分地暴露并且可以定义第一电极161电连接到第一接触电极130的部分。同样的，第四开口部分153a可以使第二接触电极140部分地暴露并且可以定义第二电极163电连接到第二接触电极140的部分。如图所示，第三开口部分153a和第四开口部分153b可以形成为彼此偏向到相对侧。
接下来，参考图14a至图16，第一电极161、第二电极163以及绝缘部分170可以在发光结构120和第二绝缘层153上形成。以下将详细描述。
首先参考图14a，预成型第一电极1611和预成型第二电极1631可以分别在第三开口部分153a和第四开口部分153b上形成。
预成型第一电极1611和预成型第二电极1631可包括粘稠性材料，粘稠性材料包括金属粒子和介置于金属粒子之间的非金属材料。在这种情况下，所述粘稠性材料可以通过滴涂的方式在发光结构上形成，从而形成预成型第一电极1611和预成型第二电极1631，所述滴涂的方式例如为打点法。预成型第一电极1611和预成型第二电极1631可以分别通过第三开口部分153a和第四开口部分153b接触第一接触电极130和第二接触电极140。
预成型第一电极1611和预成型第二电极1631具有粘度，并且如图所示，可以在发光结构120上形成为拱形。此外，预成型第一电极1611和预成型第二电极1631可具有黏度，因此可以很容易地通过第三开口部分153a和第四开口部分153b接触第一接触电极130和第二接触电极140。
预成型第一电极1611和预成型第二电极1631可以通过滴涂的方法形成，使得电极160形成的区域可以相对精确地进行控制，并且使得第一电极161和第二电极163之间的间隔可以减少到大约300μm。
同时，与此不同，如图14b所示，预成型第一电极1612及预成型第二电极1632也可以通过其它的方法形成。
参考图14b，预成型第一电极1612及预成型第二电极1632也可以通过涂覆的方式在发光结构120上形成，所述涂覆例如为网版印刷法。在这种情况下，预成型第一电极1612及预成型第二电极1632形成的区域通过掩膜410来定义，然后在掩膜的上表面涂覆粘稠性材料，使得预成型电极1612和预成型电极1632可形成如图13(b)所示。
预成型第一电极1612及预成型第二电极1632可以通过涂覆方法形成，例如网版印刷法，来缩短预成型电极1612和预成型电极1632的形成时间，从而缩短制程时间。
然而，在下面描述的制程中，将描述通过如图14a所示的滴涂方法形成预成型电极1611和预成型电极1631的情况。
接下来，参考图15，预成型电极1611和预成型电极1631可被加热和烧结。因此，可以提供第一电极161’和第二电极163’。
预成型电极1611和预成型电极1631可在300℃或以下的低温下烧结，并且金属粒子在烧结制程期间可被改质为烧结金属粒子的形式。在这种情况下，一些非金属材料介置于金属粒子之间，且因而被包括在烧结金属粒子中。
当预成型电极1611和预成型电极1631被烧结成电极160时，预成型电极1611和预成型电极1631的体积可以减小。因此，第一电极161’和第二电极163’可以以如图15中所示的形状形成。详细地，在烧结制程期间，在预成型电极1611和预成型电极1631接触发光结构120和第二绝缘层153的部分处，预成型电极1611和预成型电极1631的体积可能会些微的减少。另一方面，在预成型电极1611和预成型电极1631接触外部空气的部分处，预成型电极1611和预成型电极1631的体积可能会减小。因此，如图15所示，第一电极161’和第二电极163’的侧面可以弯曲。因此，第一电极161’和第二电极163’中的每一者均可以包括倾斜侧面，其中倾斜侧面的切向TL梯度相对于其垂直横截面的侧面是变化的。特别地，根据烧结过程的特性，相对于第一电极161’和第二电极163’中各自的垂直横截面的侧面的切向TL梯度可以从底部向顶部增加，然后可以通过某一反曲点而再次降低。
与此同时，可以在300℃或更低的低温下烧结预成型电极1611和预成型电极1631，因此在烧结制程期间，发光结构120、绝缘层151和绝缘层153以及接触电极130和接触电极140不会因为热而受到损坏。特别地，当接触电极130和接触电极140包括Ag时，烧结制程可以在低温下进行，因此Ag的反射率不会因为热而恶化，从而防止了发光器件的发光效率的降低。
接着，参照图16，形成了覆盖第一电极161’、第二电极163’和第二绝缘层153的绝缘部分170。此外，第一电极161和第二电极163可以形成为使得第一电极161和第二电极163的上表面可以通过移除绝缘部分170中的一些部分以及第一电极161’与第二电极163’的上部分而暴露出。
绝缘部分170可以通过涂覆并固化诸如EMC的绝缘材料来形成。此外，在形成绝缘部分170之后，第一电极161和第二电极163可以通过使用诸如磨削(grinding)的物理方法沿预定的线L-L部分地移除绝缘部分170以及第一电极161’与第二电极163’的上部分中的一些部分来形成。然而，所公开的技术并不限于此，因此绝缘部分170、第一电极161和第二电极163’可以通过使用本领域技术人员已知的各种方法(例如，蚀刻、物理化学方法等)被部分地移除。
这样，根据所公开的技术的示例性实施方案，第一电极161和第二电极163通过使用烧结方法形成。通过烧结方法制造的第一电极161和第二电极163可以具有拱形以提高与绝缘部分170的界面处的机械稳定性，从而提高发光器件的可靠性。此外，相较于以电镀方法或沉积方法所形成的电极的情况，在通过烧结方法制造第一电极161和第二电极163的情况下，电极施加于发光结构120的应力较低，从而防止发光结构120裂开或损坏。此外，烧结法制程可以具有比电镀方法或使用焊料的方法更简单的制程，并且可以在不形成诸如晶种层和湿润层的附加部件的情况下形成与接触电极接触的电极，从而简化了制造发光器件的制程。
接下来，参照图17，可以在绝缘部分170上形成第一电极垫181和第二电极垫183，其中在绝缘部分170上(第一电极161和第二电极163所暴露出的部分)。
第一电极垫181和第二电极垫183可以分别形成为接触第一电极161和第二电极163，并且可以使用诸如电镀和沉积的方法来形成。
参照图18，生长基板110与发光结构120分离。
生长基板110可以通过诸如激光剥离、化学剥离、应力剥离、热剥离、研光(lapping)等的方法从发光结构120上分离和/或移除。因此，发光结构120的一个表面，即第一导电型半导体层121可以被暴露出来。此外，生长基板100被移除可以暴露出第一绝缘层151下表面的一些部分。
在生长基板100与发光结构分离之后，可以进一步执行增加第一导电型半导体层121所露出表面的表面粗糙度的制程。因此，第一导电型半导体层121的表面可以具有包括在μm至nm级别上的突起和/或凹陷的粗糙度。所述粗糙度可以通过在第一导电型半导体层121的表面上进行干蚀刻、湿蚀刻和/或电化学蚀刻而形成。例如，粗糙度可以通过使用包括KOH和NaOH中的至少一种的溶液在发光结构120的一个表面上进行湿蚀刻而形成，或者可以通过PEC蚀刻而形成。进一步地，粗糙度R也可以通过干蚀刻和湿蚀刻的组合而形成。形成上述粗糙度的方法仅是示例，因此，所述粗糙度可以通过使用本领域技术人员已知的各种方法而形成在发光结构120的表面上。通过在发光结构120的表面上形成粗糙度，可以提高发光器件的提取效率。
接下来参考图19，波长转换单元190可以形成在通过将生长基板110与发光结构120分离而露出的发光结构120上。因此，可以提供如图19所示的发光器件。
波长转换单元190可以通过将包括磷光体的载体涂覆于发光结构120上并对所涂覆的载体进行固化来提供。与此不同的是，单独制作的波长转换单元190(如磷光体片)也可通过附接在发光结构120上而提供。进一步地，波长转换单元190中的一部分可以接触第一绝缘层151。
进一步地，与图示所不同的是，波长转换单元190还可以形成为进一步覆盖发光结构120的侧面，并且可以形成为进一步覆盖绝缘部分170的侧面。
在各个实施例中，当在形成第一绝缘层151之前没有形成隔离区域120i时，可以提供具有如图20的(a)和图20的(b)所示的结构的发光器件。
参考图20的(a)，如果在第一绝缘层151形成之前没有形成隔离区域120i，那么即使分离了生长基板110，第一绝缘层151的下表面仍然不会露出。因此，波长转换单元190可以形成为仅覆盖第一导电型半导体层121的下表面。
进一步地，如图20的(b)所示，即使在第一绝缘层151形成之前没有形成隔离区域120i，波长转换单元190仍然还可以形成为进一步覆盖第一导电型半导体层121的侧面。在这种情况下，第一绝缘层151的一部分可以接触波长转换单元190。
图21至图28是描述根据所公开技术的另一示例性实施例的一种用于制造发光器件的方法的剖面图。在本示例性实施例的附图中，图24的发光器件能够根据图21和图22的制造方法来提供，并且图25的发光器件可以根据图21和图23的制造方法来提供。根据本示例性实施例，将描述一种用于制造在晶圆100上形成的多个第一电极161和第二电极163的方法。
首先，参考图21的(a)至图21的(c)，至少一个绝缘部分170可以形成在晶圆100上。
详细地，参考图21的(a)，包括至少一个开口部分211的掩膜210可以形成在晶圆100上。
晶圆100可以包括生长基板和通过在生长基板上生长而形成的半导体层。特别地，晶圆100可以包括发光结构，其中发光结构包括第一导电型半导体层、主动层和第二导电型半导体层，并且发光结构可以设置在生长基板上。即，晶圆100可以包括其中在大面积生长基板上形成发光结构以制造发光器件的结构。因此，只要生长基板是其上可以生长发光结构的基板，那么就不对其加以限制。例如，生长基板可以是蓝宝石基板、碳化硅基板、硅基板、氮化镓基板、氮化铝基板等。
晶圆100可以包括至少一个器件区域DR，并且每个器件区域DR可以包括第一接触电极和第二接触电极。在这种情况下，第一接触电极和第二接触电极各自可以与第一导电型半导体层和第二导电型半导体层电连接。因此，可以从晶圆100提供至少一个发光器件，并且当晶圆100包括多个器件区域DR时，可以通过将多个器件区域分割成单独器件的制程来提供多个发光器件。以下将对此详细描述。
掩膜210可以在生长基板上生长，并且可以具有至少一个开口部分211。可以通过开口部分211使晶圆100的上表面部分地暴露。
掩膜210可以包括可以将开口部分211定义成使晶圆100部分地暴露的任何材料。例如，掩膜210可以包括光阻。当掩膜210包括光阻时，光阻可以涂覆到晶圆100上，然后被图案化以形成开口部分211，从而形成掩膜210。
同时，掩膜210的开口部分211可以对应于在下文要描述的制程中形成绝缘部分170的区域。因此，开口部分211的宽度D1与D2可以对应于绝缘部分170的宽度，并且可以依照待形成的绝缘部分170的宽度来确定。
开口部分211可以形成为具有至少两种不同的宽度。一些开口部分211可以设置在一个器件区域DR上，其余的开口部分211可以形成为越过邻近的器件区域DR。在这种情况下，设置在一个器件区域DR上的开口部分211的宽度和越过邻近的器件区域DR形成的开口部分211的宽度可以彼此不同。
例如，设置在一个器件区域DR上的开口部分211的宽度可以定义为D1，以及设置成越过邻近的器件区域DR的开口部分211的宽度可以定义为D2。在这种情况下，D1和D2可以彼此不同，D2可以大于D1，进一步地，D2的半值可以大于D1的半值。在下文要描述的将单独器件分割的制程中，在与具有宽度D2的开口部分211对应的区域中形成的绝缘部分170沿着器件分离线L被分离。在这种情况下，对于每个单独器件，具有与D2的半值对应的宽度的绝缘部分170可以沿发光器件的外侧形成。
此外，根据本公开技术的示例性实施例，设置在一个器件区域DR上的开口部分211的宽度D1可以等于或小于100μm，特别地其范围为约10μm至80μm。
接着，参考图21的(b)，可以形成填充于掩膜210的至少一些开口部分211的绝缘部分170。
绝缘部分170可以包括具有电绝缘性质的材料。例如，诸如环氧模塑化合物(EMC)和硅树脂的材料可涂覆在晶圆100上以覆盖掩膜210，然后可以被固化，从而形成绝缘部分170。当固化的绝缘部分170形成为高于掩膜210的高度而完全覆盖掩膜210时，固化的绝缘部分170的上部可被部分地移除以形成如图所示的绝缘部分170。然而，本公开的技术并不限制于此，因此也可以通过沉积和图案化制程来形成绝缘部分170。另外，绝缘部分170还可以包括诸如TiO2粒子的光反射和/或光散射粒子。
形成为填充于至少一些开口部分211的绝缘部分170可以具有与开口部分211的宽度对应的宽度。因此，绝缘部分170可以具有大约10μm至80μm的宽度。此外，绝缘部分170可以具有与掩膜210的高度对应的高度，并且可以具有例如大约50μm至80μm或更多的厚度。
同时，在形成绝缘部分170之前，执行将晶圆100的各器件区域DR的发光结构分割成器件单元的分割制程。尽管未示出，但在这种情况下，生长基板上的发光结构被分割成器件单元，从而在各器件区域DR之间的发光结构上形成槽。绝缘部分170可形成以进一步填充所述槽，且绝缘部分170可形成为覆盖发光结构至少一部分的侧面。因此，在所制作的发光器件中，绝缘部分170还可以形成为进一步覆盖发光结构的侧面。
下面参考图21的(c)，可以通过移除掩膜210在晶圆100上形成彼此隔开的绝缘部分170。因此，晶圆100的上表面暴露于绝缘部分170之间。
可以通过各种已知的方法(例如蚀刻制程)将掩膜210移除。当掩膜210包括光阻时，可以通过与光阻发生反应的化学溶液或类似物来移除掩膜210。
因此，所提供的晶圆100上面有彼此隔开的绝缘部分170。
下面参考图22和图23，电极160或电极260可以形成于晶圆100上，且晶圆100可以分割成独立的器件单元。图22的(a)到图22的(e)以及图23的(a)至图23的(e)是根据所公开技术的不同示例性实施例的发光器件的制作方法的截面图，图24的发光器件可以根据图22的(a)到图22的(e)的方法进行设置，图25的发光器件可以根据图23的(a)至图23的(e)的方法进行设置。
首先，将参考图22的(a)到图22的(e)以及图24来描述根据所公开技术的示例性实施例的发光器件的制作方法。
参考图22的(a)，预成型电极160a可以形成于晶圆100上。
预成型电极160a可以包括粘稠性材料，所述粘稠性材料包括金属粒子以及介置于金属粒子之间的非金属材料。在这种情况下，粘稠性材料可以形成于晶圆100上，以覆盖绝缘部分170之间所暴露的晶圆100的上表面。因此，可以形成至少两个预成型电极160a，所述至少两个预成型电极160a彼此隔开且之间具有绝缘部分170。
粘稠性材料中包括的金属粒子160m可以包括没有任何限制的具有导热性和导电性的材料。例如，金属粒子160m可以包括铜、金、银和铂中的至少一种。特别地，根据本示例性实施例，金属粒子可以包括银粒子。非金属材料可以是例如包括碳的聚合物材料。
可以用例如分注器220将粘稠性材料涂覆到晶圆100上。然而，所公开技术并不限于此，预成型电极160a可以通过诸如网版印刷的方法形成于晶圆100上。预成型电极160a的上表面可形成为实质上与绝缘部分170的上表面齐平，使得绝缘部分170可以至少部分地暴露于预成型电极160a之间。
下面参考图22的(b)，从预成型电极160a形成电极160。
可以通过烧结预成型电极160a来形成电极160。例如，可以通过在大约300℃或以下的温度对预成型电极160a进行加热来形成电极160。在烧结过程中，预成型电极160a的金属粒子可以改质为经烧结形式。在这种情况下，至少一部分非金属材料介置于金属粒子之间，从而可以包括在电极160中。在电极160中，金属粒子被烧结并且因此可以形成为其中设置有多个晶粒的形式，而且非金属材料可以介置于金属粒子之间的至少某些区域中。非金属材料可以用作缓冲器，以释放可能施加在电极160上的应力。因此，可以提高电极160的机械稳定性，并且因此可以减少从电极160施加到晶圆的应力。
与电极160的总质量相比，电极160所包括的金属粒子比例可以为80wt％至98wt％。电极160可以包括具有前述含量的金属粒子，以具有优良的导热性和导电性，并有效地缓解可能施加到电极160上的应力，从而提高电极160的机械稳定性。
同时，电极160可以具有比预成型电极160a小的体积。预成型电极160a的体积会因为烧结过程中，预成型电极160a中所包含的非金属材料的固化和/或蒸发(或类似方式)而减小，因此电极160的体积会小于预成型电极160a的体积。进一步，在烧结过程中，预成型电极160a和晶圆100在其相互接触的部分处彼此结合在一起，使得所述部分的预成型电极160a即使在烧结过程中也可以保持大体上的初始结合状态。因此，位于晶圆100与预成型电极160a接合面上方的预成型电极160a的部分处的体积会减小。如图所示，电极160的侧面160s可以倾斜。特别地，电极160的侧面160s与晶圆100所形成的角度可以小于90度，例如可以具有从大于或等于30度至小于90度的角度。在这种情况下，电极160可以包括侧面160s，其中侧面160s的切向梯度相对于电极垂直截面的侧面是变化的。考虑到烧结制程的特点，电极160可以设置成以下形状：相对于每个电极的垂直横截面的侧面，切向TL梯度可以从底部向顶部增加，然后可以通过某一反曲点而再次下降。
当利用烧结制程形成电极160时，电极160的体积小于预成型电极160a的体积，使得电极160和绝缘部分170之间可以形成间隙区域。
根据本示例性实施例，具有预定宽度的绝缘部分170之间的间隙区域填充有预成型电极160a，且电极160由预成型电极160a形成，使得电极160之间的间隔可以根据绝缘部分170的宽度而自由地决定。因此，对于单个发光器件而言，电极160之间的间隔可以轻易地形成为100μm或更小，特别地为10μm至80μm。因此，根据本示例性实施例而制成的发光器件200a的第一电极161和第二电极163之间的间隔可以设置为10μm至80μm。因此，可以防止由于电极之间的间隔增加而导致发光器件200a的正向电压(Vf)增加。进一步，可以增加与电极之间的间隔减小量差不多的电极水平横截面面积，从而提高发光器件200a的散热效率。
下面参考图22的(c)，可以进一步形成绝缘部分170，所述绝缘部分170填充于电极160和绝缘部分170之间的间隙区域之间。
因此，绝缘部分170可以包括初始形成的一次绝缘部分171以及其次形成的二次绝缘部分173。一次绝缘部分171和二次绝缘部分173可以由相同的材料制成，但可以包括不同的材料。二次绝缘部分173可以包括环氧模塑化合物(EMC)、硅树脂等。二次绝缘部分173可以形成为采用涂覆法等来覆盖电极160和一次绝缘部分171，然后可以通过使电极160的上表面暴露(通过移除其上部的一部分)的方法而形成。然而，所公开技术并不限于此。
可以形成二次绝缘部分173，因而晶圆100的上表面以及覆盖电极160的侧面的绝缘部分170可以形成。
电极160可以包括倾斜侧面，其中相对于电极的垂直横截面的侧面，所述倾斜侧面的切向梯度是变化的，使得覆盖电极160的侧面的绝缘部分170与电极160的接合面处的机械稳定性可以提高。
下面参考图22的(d)，可以形成设置在电极160上的电极垫180。
电极垫180可以设置在每个电极160上，而且可以彼此间隔地形成。电极垫180可以由沉积或电镀材料形成，所述材料包括金属例如镍、铂、钯、铑、钨、钛、铝、银、锡、铜、银、铋、铟、锌、锑、镁、铅等。进一步，每个电极垫180可以由单层结构或多层结构形成。
电极垫180可以形成为具有比电极160中每一者的上表面的面积更大的面积。因此，电极垫180的一部分可以接触绝缘部分170。另外，电极垫180可以电连接到电极160。
形成电极垫180使得根据本示例性实施方案制造的发光器件在应用于模组等时可以更稳固地安装在单独的附加基板等上。例如，在电极160包括Cu或Ag粒子烧结体时，电极160具有差的焊料润湿性等。电极垫180可以形成在绝缘部分170上，使得发光器件可以稳固地安装。
接下来，参照图22的(e)，晶圆100沿着器件隔离线L被分割，且因此可以形成如图24所示的至少一个发光器件200a。
器件隔离线L可以对应于介于晶圆100的多个器件区域DR之间的一部分。将晶圆100分割成多个单独的器件可以包括使用诸如蚀刻、划片和分断的物理方法。一些绝缘部分170设置在器件隔离线L上，并且可以在晶圆100被分割时连同晶圆100一起被切割。
根据本示例性实施方案，可以自由地决定越过相邻器件区域DR形成的绝缘部分170的宽度。因此，越过相邻器件区域DR形成的绝缘部分170的宽度可以足够大，从而防止电极160在单独的器件分割期间由于雷射光或者切割工具而损坏。
也就是说，可以自由地决定形成在电极160之间的绝缘部分170的宽度，从而使得在设置在一个器件区域DR上的电极之间的宽度D1可以相对较小，而在越过相邻器件区域DR设置的电极之间的宽度D2可以相对较大。因此，能够改善制造的发光器件的散热效率，防止正向电压增加，并且有效地防止发光器件在单独的器件分割期间被损坏。
同时，根据本示例性实施方案，制造发光器件的方法可以进一步包括在将晶圆100分割成单独的器件单元之前，将晶圆100的生长基板与发光结构分离。可以通过诸如雷射光剥离、化学剥离、应力剥离、热剥离、研光(lapping)的方法来将生长基板110从发光结构120分离并移除。另外，可以进一步在其中生长基板被分离且暴露出的发光结构的一个表面上执行额外的表面处理制程。通过所述表面处理制程，可以增加上述发光结构的一个表面的粗糙度，并且可以改善通过发光结构具有增加的粗糙度的一个表面发出的光的光提取效率。
另外，根据本示例性实施方案，在晶圆100分割成单独的器件单元之前和/或之后，可以进一步在晶圆100的下表面上形成包括磷光体的波长转换单元。
参照图24，将详细描述根据本示例性实施方案的发光器件200a。发光器件200a包括发光单元100L和电极160，并且可以进一步包括绝缘部分170和第一电极垫181以及第二电极垫183。图24中的发光器件200a可以实质上类似于图2中的发光器件100，并且下面将基于差异描述根据本示例性实施方案的发光器件200a。
发光单元100L可以包括发光结构，所述发光结构包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层和设置在第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的主动层，并且发光单元100L可以包括分别与第一导电型半导体层和第二导电型半导体层欧姆接触的第一接触电极和第二接触电极。根据上述制造方法，当从晶圆100分离时，可以提供发光单元100L。
发光单元100L和发光结构可以具有具备有如下结构的各种形式：第一电极161和第二电极163可以设置在发光单元100L的一个表面(附图中的发光单元的上表面)上。
电极160可以设置在发光单元100L上并且还可以包括第一电极161和第二电极163。在这种情况下，第一电极161和第二电极163分别可以电连接到第一接触电极和第二接触电极，并且第一电极161和第二电极163可以直接接触发光结构。
第一电极161和第二电极163分别可以包括倾斜侧面。由电极160的侧面和发光单元100L的上表面所形成的角度θ可以小于90°。例如，角度θ可以为30°≤θ<90°。
进一步地，如图所示，第一电极161和第二电极163分别可以包括倾斜侧面，这些倾斜侧面相对于第一电极和第二电极的垂直横截面的侧面的切向梯度是变化的。进一步地，相对于第一电极161和第二电极163中的每一个的垂直横截面的侧面的切向梯度可以从底部向顶部增加，并且在通过某一反曲点时可再次降低。
第一电极161和第二电极163分别可以包括倾斜侧面，这些倾斜侧面相对于第一电极和第二电极的垂直横截面的侧面的切向梯度是变化的，使得绝缘部分170与第一电极161和第二电极163的交界处的机械稳定性可以得到改进。第一电极161和第二电极163可以包括金属粒子，并且还可以包括介置于金属粒子之间的非金属材料。进一步地，金属粒子和非金属材料能够以烧结形式形成。
第一电极161与第二电极163之间的间隔160D1的最短距离的半值可以小于自第一电极161和第二电极163中的一个电极的一侧到绝缘部分170外侧的最短距离160D2。进一步地，第一电极161与第二电极163之间的间隔160D1的最短距离可以小于自第一电极161和第二电极163中的一个电极的一侧到绝缘部分170的外侧的最短距离160D2。即，电极160可以形成为相对偏向发光器件200a的中心部分。在发光单元100L中，绝缘层、接触电极等可以设置在发光单元100L的侧面上，使得发光区域(主动层)可以设置成主要偏向发光单元100L的中心部分。发光器件200a发射光时所产生的大部分热会由发光区域产生。根据本示例性实施例，电极可以相对偏向发光器件200a的中心部分，使得驱动发光器件200a时所产生的热可以更高效地经电极160散发出。
进一步地，第一电极161与第二电极163之间的间隔160D1的最短距离可以等于或小于100μm，特别是可以在10至80μm的范围内。根据所公开技术的示例性实施例，间隔160D1的最短距离可以在前述范围内。因此，可以防止由于电极160之间的间距160D1增加而导致的发光器件200a的正向电压(Vf)的增加。进一步地，可以增加与电极之间的间隔160D1减小量差不多的电极水平横截面面积，从而提高了发光器件200a的散热效率。
此外，第一电极161和第二电极163的厚度范围可以为约50μm至80μm。根据所公开技术的示例性实施例的发光器件包括厚度在前述范围内的电极160，因此上述发光器件本身可以用作芯片级封装。第一电极161和第二电极163分别可以形成为与第一接触电极和第二接触电极直接接触。通过这种配置，可以省略电镀法所需的单独的额外部件(如晶种层)以及焊料所需的湿润层。
同时，发光器件220a还可以包括设置在发光单元100L的下表面上的波长转换单元(未示出)。波长转换单元能够对发光单元100L发出的光进行波长转换，使得可以实现发出具有不同波段的光的发光器件200a。
接下来，将参照图23的(a)至图23的(e)和图25描述一种根据所公开的技术的另一示例性实施方案的制造发光器件的方法。根据本示例性实施方案的制造发光器件的方法实质上类似于参照图22的(a)至图22的(e)和图24所描述的示例性实施方案，但是会在预成型电极260a和电极260上有差异。下面将基于差异描述本示例性实施方案，并且参照图22的(a)至图22的(e)和图24所描述的所有技术特征、配置和限制均可以应用于本示例性实施方案。此外，将省略相同配置的详细描述。
参照图23的(a)，预成型电极260a可以形成在晶圆100上。
预成型电极260a可以形成为覆盖在晶圆100上的多个绝缘部分170之间暴露出的晶圆100的上表面，特别地，预成型电极260a可以形成为完全覆盖绝缘部分170。预成型电极260a可以通过将包括金属粒子与非金属材料的粘稠性材料涂覆在晶圆100上来形成。在这种情况下，预成型电极260a可以涂覆在晶圆100上，且预成型电极260a的厚度可以比绝缘部分170的高度更大，以便完全覆盖绝缘部分170。
接下来，参照图23的(b)，由预成型电极260a形成电极260。
电极260可以通过烧结预成型电极260a来形成。例如，电极260可以通过在约300℃或更低的温度下加热预成型电极260a来形成。预成型电极260a的金属粒子在烧结制程期间可以被改质成烧结形式。在电极260通过烧结形成的情况下，预成型电极260a的体积可以减小并且因此预成型电极260a可以形成为电极。因此，如图所示，电极260可以具有比预成型电极260a更小的体积。此外，根据本示例性实施方案，预成型电极260a可以被烧结，因此即使在预成型电极260a的体积减小之后，电极260也可以形成为处于覆盖绝缘部分170的状态。因此，电极260的侧面260s可以形成为实质上垂直于晶圆100的上表面。
虽然预成型电极260a和电极260与图22的(a)至图22的(e)的预成型电极160a和电极160可能在制造方法上有差异，但是它们可以实质上由相同的材料制成。
接下来，参照图23的(c)，绝缘部分170可以通过部分地移除电极260来暴露出。
电极260的上部中的一些部分可以被移除。例如，如图所示，可以通过部分地移除设置在预定假想线F-F的上部分处的电极260来暴露出绝缘部分170的上表面。可以通过例如研光(lapping)制程移除电极260的一部分。
因此，可以形成设置在绝缘部分170之间的区域中的多个电极260。此外，所形成的电极260中的每个电极可以形成为接触绝缘部分170的侧面，并且电极260的侧面可以形成为实质上垂直于晶圆100的上表面。
参照图23的(d)，可以形成设置在电极260上的电极垫180。接下来，参照图23的(e)，晶圆100可以沿器件隔离线L被分割以形成如图25所示的至少一个发光器件200b。
根据根据本示例性实施方案的制造方法，如图25所示，可以提供发光器件200b，其中在发光器件200b中，电极261和电极263的侧面260s形成为实质上垂直于发光单元100L的上表面。图25中的发光器件200b实质上类似于图24中的发光器件200a，但是可以在如下方面有差异：电极261和电极263的侧面形成为实质上垂直的。
第一电极261和第二电极263之间的间距260D1的最短距离的半值可以小于自第一电极261和第二电极263中的一个电极的一侧至绝缘部分170外侧的最短距离260D2。进一步地，第一电极261和第二电极263之间的间距260D1的最短距离可以小于自第一电极261和第二电极263中的一个电极的一侧至绝缘部分170外侧的最短距离260D2。即，电极260可成形为相对偏向于发光器件200b的中心部位。在发光单元100L中，绝缘层、接触电极等可以设置在发光单元100L的侧面上，从而发光区域(主动层)可设置为主要偏向于发光单元100L的中心部位。发光器件200b发光时产生的大部分热会由大部分的发光区域产生。根据本示例性实施例，电极160可以相对偏向于发光器件200b的中心部位，从而驱动发光器件200b时所产生的热可以更高效地经电极160散发出。此外，第一电极261与第二电极263之间的间距260D1可以等于或小于100μm，尤其可以在10μm至80μm的范围内。
根据本示例性实施例，电极260的侧面260s可以形成为实质上垂直于发光单元100L，从而可以进一步提高电极260的散热效率。
图26至图30为截面图，其用于描述根据公开技术的另一示例性实施例的发光器件的制造方法。在本示例性实施例的附图中，根据图26以及图27的(a)至图27的(f)的制造方法可提供图29的发光器件，根据图26以及图28的(a)至图28的(h)的制造方法可提供图30的发光器件。此外，根据本示例性实施例，将省略与图21至图25的示例性实施例描述的部件基本相同的部件的详细描述。相同的参考数字应用于相同的部件。
首先，参考图26，可以在晶圆100上形成包括至少两个开口部分211的掩膜210。
光阻可以被涂覆到晶圆上且随后被图案化以形成开口213，从而提供掩膜210。在这种情况下，至少相邻的两个开口部分213可以设置在一个器件区域DR上。
掩膜210的掩盖区域可形成为具有至少两个不同的宽度。一些掩盖区域可以设置在一个器件区域DR上，其余的掩盖区域可在相邻器件区域DR上形成。在这种情况下，设置在一个器件区域DR上的掩盖区域的宽度D1’可以不同于形成在相邻器件区域DR上的掩盖区域的宽度D2’。
例如，设置在一个器件区域DR上的掩盖区域的宽度可以定义为D1’，设置在相邻器件区域DR上的掩盖区域的宽度可以定义为D2’。在这种情况下，D1’和D2’可互不相同，D2’可以大于D1’，且D2’的半值可以大于D1’的半值。在以下要描述的将单独器件分割的制程中，在与具有宽度D2’的掩盖区域相对应的区域中形成的绝缘部分170沿器件分隔线L被分隔开。在这种情况下，对于每个单独器件，可以沿发光器件的外侧形成绝缘部分170，其中绝缘部分170具有与D2’的半值对应的宽度。
此外，设置在一个器件区域DR上的掩膜210的掩盖区域的宽度D1’可以等于或小于100μm，尤其是在大约10μm至80μm的范围内。
后续制程期间，电极160之间的间距可以根据掩膜210的掩盖区域的宽度来决定。
接着参考图27的(a)至图27的(f)以及图28的(a)至图28的(h)，电极160或电极260及绝缘部分170可以形成于晶圆100上，且晶圆100可以分割成单独的器件单元。图27的(a)到图27的(f)及图28的(a)到图28的(h)是用来描述根据所公开技术的不同示例性实施例的发光器件的制作方法的断面图，图29的发光器件可以根据图27的(a)到图27的(f)的方法来提供，图30的发光器件可以根据图28的(a)到图28的(h)的方法来提供。
首先，将参考图27的(a)到图27的(f)以及图29来描述根据所公开技术的另一个示例性实施例的发光器件的制作方法。
参考图27的(a)，预成型电极160a可以形成于晶圆100上。
可以通过用粘稠性材料覆盖暴露于晶圆100上的绝缘部分170之间的晶圆100的上表面来形成预成型电极160a，所述粘稠性材料包括金属粒子以及介置于金属粒子之间的非金属材料。因此，可以形成至少两个彼此间隔开且其间具有绝缘部分170的预成型电极160a。预成型电极160a的上表面可以形成为实质上与绝缘部分170的上表面齐平，使得绝缘部分170可以至少部分地暴露于预成型电极160a之间。
下面参考图27的(b)，由预成型电极160a形成电极160。
可以通过烧结预成型电极160a来形成电极160。例如，可以通过在大约300℃或更低的温度下对预成型电极160a进行加热来形成电极160。因此，可以形成填充掩膜210的开口部分213的多个电极160。
在烧结制程中，预成型电极160a的金属粒子可以被改质为烧结形式，且非金属材料可介置于金属粒子之间。因此，电极160可以包括金属粒子和介置于金属粒子之间的非金属材料。与电极160的总质量相比，可以80wt％至98wt％的比例来包括电极160的金属粒子。
进一步地，可以通过在烧结过程中固化和/或蒸发(或类似方式)包括在预成型电极160a中的非金属材料来减小预成型电极160a的体积，使得电极160的体积可小于预成型电极160a的体积。然而，预成型电极160a和晶圆100是在其相互接触的部分处相互粘接，使得所述部分的预成型电极160a甚至可以在烧结过程中实质上保持原始粘接状态。因此，在位于晶圆100与预成型电极160a界面上方的预成型电极160a的那部分处的体积会减小。如图所示，电极160的侧面160s可以是倾斜的。具体地，由电极160的侧面160s和晶圆100形成的角度可以是90度或更小的角度。在这种情况下，电极160可以包括侧面160s，其中相对于电极垂直横截面的侧面的切向梯度是变化的。考虑到烧结制程的特性，所述切向TL梯度可以以如下形式来提供，其中相对于每一个电极的垂直横截面的侧面的切向TL梯度可以是从底部朝向顶部增加，然后在通过某个反曲点后可再次下降。
下面参考图27的(c)，通过移除掩膜210可以将彼此隔开的电极160形成于晶圆100上。因此，晶圆100的上表面暴露于电极160之间。
通过各种已知的方法(例如蚀刻制程)可以将掩膜210移除。当掩膜210包括光阻时，可以通过与光阻发生反应的化学溶液或类似物来移除掩膜210。
尽管本发明的示例性实施例描述了形成电极160及移除掩膜210，然而本公开的技术并不限于此，而是可以改变其顺序的。
接下来参考图27的(d)，电极160之间的间隔区域可以设有绝缘部分170。
诸如具有电绝缘性能的环氧模塑化合物(EMC)和Si树脂的材料可以被涂覆于晶圆100上以覆盖在晶圆100上的电极160，并且然后可以被固化，从而形成绝缘部分170。绝缘部分170可以形成为填充电极之间的区域，并且电极的侧面可以接触绝缘部分170。因此，电极160可以彼此绝缘。另外，绝缘部分170还可以包括诸如TiO2粒子的光反射和/或光散射粒子。
参照图27的(e)，可以形成设置在电极160上的电极垫180。接下来，参照图27的(f)，晶圆100可以沿器件隔离线L被分割以形成如图29所示的至少一个发光器件200a。
发光器件200a与图24中的发光器件实质上相同，因此将省略其详细描述。
根据本示例性实施方案，与图21的(a)至图21的(c)和图22的(a)至图22的(e)的示例性实施方案不同，电极160可以在绝缘部分170之前形成。根据本示例性实施方案，绝缘部分170可以在电极160形成之后形成，因此，当形成电极160的同时预成型电极160a的体积减小，使得无需单独形成用于填充电极160与绝缘部分170之间空隙区域的二次绝缘部173。因此，制造发光器件的制程可以得到简化。
首先，将参照图28的(a)至图28的(h)和图30描述一种根据所公开的技术的另一示例性实施方案的制造发光器件的方法。根据本示例性实施方案的制造发光器件的方法实质上类似于参照图27的(a)至图27的(f)和图29所描述的示例性实施方案，但是可以在预成型电极260a和电极260上有差异。下面将基于这种差异来描述本示例性实施方案，并且参照图27的(a)至图27的(f)和图29所描述的所有技术特征、配置和限制均可以应用于本示例性实施方案。此外，将省略对相同配置的详细描述。
参照图28的(a)，预成型电极260a可以形成在晶圆100上。
预成型电极260a可以形成在晶圆100上以覆盖通过开口部213暴露出的晶圆100的上表面，特别地，预成型电极260a可以形成为完全覆盖掩膜210。预成型电极260a可以通过将包括金属粒子和非金属材料的粘稠性材料涂覆在晶圆100上来形成。在这种情况下，预成型电极260a可以涂覆在晶圆100上，且预成型电极260a的厚度可以比掩膜210的高度更大，以便完全覆盖掩膜210。
接下来，参照图28的(b)，由预成型电极260a来形成电极260。
电极260可以通过烧结预成型电极260a来形成。例如，电极260可以通过在约300℃或更低的温度下加热预成型电极260a来形成。预成型电极260a的金属粒子在烧结制程期间可以被改质成烧结形式。在电极260通过烧结形成时，预成型电极260a的体积可以减小，并且因此预成型电极260a可以形成为电极。因此，如图所示，电极260可以具有比预成型电极260a的体积更小的体积。此外，根据本示例性实施方案，预成型电极260a可以被烧结，因此即使预成型电极260a的体积减小之后，电极260也可以形成为处于覆盖掩膜210的状态。因此，电极260的侧面260s可以形成为实质上垂直于晶圆100的上表面。
虽然预成型电极260a和电极260与图27的(a)至图27的(f)的预成型电极160a和电极160可能在制造方法上有差异，但是它们可以实质上由相同的材料制成。
接下来，参照图28的(c)和图28的(d)，掩膜210可以通过部分地移除电极260来暴露出。
电极260的上部中的一些部分可以被移除。例如，如图所示，可以通过部分地移除设置在预定假想线F-F的上部分处的电极260来暴露出掩膜210的上表面。可以通过例如研光(lapping)制程移除电极260的一部分。
因此，可以形成设置在绝缘部分170之间的区域中的多个电极260。进一步地，每个形成的电极260可以形成为接触绝缘部分170的侧面，并且电极260的侧面260s可以形成为实质上垂直于晶圆100的上表面。
参照图28的(e)，通过移除在电极260之间的掩膜210可以使晶圆100的上表面部分地暴露出来。因此，可以形成彼此隔开的多个电极260。
可以通过各种已知的方法比如蚀刻制程来移除掩膜210。当掩膜210包括光阻时，可以通过与光阻反应的化学溶液或类似物来移除掩膜210。
接下来，参照图28的(f)，在电极260之间的间隔区域可以设有绝缘部分170。
比如具有电绝缘性能的环氧模塑化合物(EMC)和Si树脂这样的材料可以涂覆在晶圆100上以覆盖在晶圆100上的电极260，并且然后可以被固化，从而形成绝缘部分170。绝缘部分170可以形成为填充在电极之间的区域，并且电极260的侧面260s可以接触绝缘部分170。因此，电极160可以彼此绝缘。另外，绝缘部分170还可以包括光反射和光散射粒子，比如TiO2粒子。
参照图28的(g)，可以形成设置在电极260上的电极垫180。接下来，参照图27的(h)，晶圆100可以沿着器件隔离线L被分割以形成如图30所示的至少一个发光器件200b。
发光器件200b与图25的发光器件实质上相似，并且因此将省略对其详细描述。
根据图26至图30的示例性实施例，电极160或者260在形成绝缘部分170之前形成。因此，可以根据掩膜210的掩盖区域的宽度来调节在电极160或者260之间的间隔。
详细地，根据本示例性实施例，可以根据掩膜210的掩盖区域的宽度来自由地决定形成越过相邻器件区域DR的绝缘部分170的宽度。因此，越过相邻器件区域DR形成的绝缘部分170的宽度可以足够大，从而防止电极160在单独器件分割期间由于雷射光或者切割工具的作用被破坏。
即，在形成掩膜210的同时可以自由地决定形成在电极160之间的绝缘部分170的宽度，从而使得设置在一个器件区域DR上的电极160之间的宽度D1’可以相对较小，而设置在相邻器件区域DR之上的电极160之间的宽度D2’可以相对较大。因此，可以改进所制备的发光器件的散热效率，防止正向电压增加，并且有效地防止发光器件在单独器件分割期间被破坏。
图31和图32是用于描述根据所公开技术的另一个示例性实施例的发光器件的截面。
图31和图32涉及一种具有常用倒装芯片类型结构的发光器件，下面将对其进行详细描述。然而，用相同的附图标记来表示与参照图21至图30描述的这些部件相同的部件，并且因此将省略对其详细描述。进一步地，根据图21至图30的示例性实施例，另外描述的技术特征、配置和限制可以应用于本示例性实施例。
首先参照图31，发光器件200c可以包括发光结构120、电极160、接触电极130和接触电极140以及绝缘部分170，并且可以进一步包括第一电极垫181和第二电极垫183、绝缘层150和波长转换单元190。
发光结构120可以包括第一导电型半导体层121、设置在第一导电型半导体层123上的主动层121和设置在主动层123上的第二导电型半导体层125。另外，发光结构120可以包括通过部分地移除第二导电型半导体层125和主动层123而使第一导电型半导体层121部分地暴露出来的区域。
接触电极130和接触电极140可以包括第一接触电极130和第二接触电极140。第一接触电极130与第二接触电极140可以通过设置在第一导电型半导体层121和第二导电型半导体层125上来分别接触第一导电型半导体层121和第二导电型半导体层125，并且可以分别与它们形成欧姆接触。
第一接触电极130与第二接触电极140可包括氮化物类的半导体和形成欧姆接触的任何材料。例如，第一接触电极130和第二接触电极140可包括金属、导电氧化物、导电氮化物等。
绝缘层150可部分地覆盖发光结构120和接触电极130和140。绝缘层150可覆盖发光结构120的上表面、包括第二导电型半导体层125和主动层123的台面的侧面及接触电极130和接触电极140的一部分。绝缘层150可用于使第一接触电极与第二电极140更有效地绝缘，并且也可用于保护发光结构免受外部环境影响。
电极160可设置在发光结构120上并且也可包括第一电极161和第二电极163。在这种情况下，第一电极161和第二电极163各自可以通过设置在第一接触电极130和第二接触电极140上而电连接到第一接触电极130和第二接触电极140。因此，第一电极161和第二电极163各自可电连接到第一和第二导电型半导体层121和125。
此外，第一电极161和第二电极163可与接触电极130和140直接接触。
第一电极161和第二电极163各自可包括倾斜侧面。第一电极161和第二电极163各自可包括倾斜侧面，其中倾斜侧面相对于第一电极和第二电极的垂直横截面的侧面的切向梯度是变化的。此外，第一电极161和第二电极163中的每一个的倾斜侧面可包括切向梯度增大的区域及切向梯度减小的区域。
第一电极161和第二电极163各自可包括倾斜侧面，其中倾斜侧面相对于其垂直横截面的侧面的切向梯度是变化的，使得绝缘部分170与第一电极161和第二电极163的界面处的机械稳定性可得到改善。
与此不同，第一电极161和第二电极163中的每一个的侧面可形成为实质上垂直于发光结构120的上表面。在这种情况下，通过第一电极161和第二电极163的散热效率可以得到改善。
同时，第一电极161与第二电极163之间的最短距离的间隔可等于或小于100μm，尤其可在约10μm至80μm的范围内。详细地，根据本示例性实施例，从第一电极161接触绝缘部分150的部分到第二电极163接触绝缘部分150的部分的最短距离可在约10μm至80μm的范围内。第一电极161与第二电极163之间的间隔的最短距离可设置在上述范围内以防止正向电压Vf增大。此外，电极161和163可以具有大的水平横截面面积，以使发光器件200c的散热效率得到改善。此外，第一电极161和第二电极163可包括金属粒子以及介置于金属粒子之间的非金属材料。此外，第一电极161和第二电极163各自可包括金属粒子。相比于第一电极161和第二电极163中的每一者的质量，可包括80wt％至98wt％的比例的金属粒子。
此外，第一电极161和第二电极163可具有约50μm至80μm的范围内的厚度。根据所公开技术的示例性实施例的发光器件包括具有在前述范围内的厚度的电极160，并且由此发光器件本身可用作芯片级封装。
绝缘部分170可形成在发光结构上以覆盖电极160的侧面。第一电极161和第二电极163可暴露在绝缘部分170的上表面上。
绝缘部分170可具有电绝缘性质并覆盖第一电极161和第二电极163的侧面以使第一电极161和第二电极163彼此有效地绝缘。同时，绝缘部分170可用来支撑第一电极161和第二电极163。绝缘部分170的下表面可形成为与实质上在相同高度上的第一电极161和第二电极163的下表面平行。
第一电极垫181和第二电极垫183可设置在绝缘部分170的一个表面上。特别地，如图所示，在绝缘部分170的一个表面当中，第一电极垫181和第二电极垫183可设置在第一电极161和第二电极163暴露的绝缘部分170的下表面上。
波长转换单元190可设置在发光结构120的下表面上。所述波长转换单元190可以转换发光结构120发出的光的波长，让所述发光器件发出具有期望波段的光。
所述发光器件200c还可以包括生长基板(未示出)。在这种情况下，所述生长基板可以设置在发光结构120和波长转换单元190之间。进一步地，绝缘部分170也可形成来进一步覆盖所述发光结构120的侧面。在这种情况下，波长转换单元190也可以接触绝缘部分170。
同时，发光结构120的下表面，即，第一导电型半导体层121的下表面与所述生长基板分离，然后其粗糙度可以增大，从而第一导电型半导体层121的下表面可具有所述粗糙度。由此可提供如图32所示的发光器件200d。图32没有示出波长转换单元190，但发光器件200d可进一步包括波长转换单元190。
所述粗糙度可以通过在第一导电型半导体层121的表面上进行干蚀刻、湿蚀刻和/或电化学蚀刻形成。例如，粗糙度可以通过使用包括KOH和NaOH中的至少一种的溶液在发光结构120的一个表面上进行湿蚀刻而形成，或者可以通过PEC蚀刻而形成。进一步地，粗糙度也可以通过结合干蚀刻和湿蚀刻而形成。因此，第一导电型半导体层121的表面可以具有包括在μm至nm级别上的突起和/或凹陷的粗糙度。形成上述粗糙度的方法仅是示例，因此所述粗糙度可以使用本领域技术人员已知的各种方法在发光结构120的表面上形成。通过在发光结构120的表面上形成粗糙度，可以提高发光器件的提取效率。
图33的(a)和图33的(b)以及图34是用来描述根据所公开技术的又一示例性实施例的发光器件的平面图及截面图。图33的(a)和图33的(b)以及图34的发光器件200e可实质上类似于图3的(a)、图3的(b)以及图4的发光器件100a。然而，发光器件200e在孔120h的数目和孔120h的布置上有所不同，因此将会更详细地来描述电极161和电极163的间隔距离。然而，上述示例性实施例中描述过的部件，同样的部件由同样的附图标记来表示，因此将省略其详细的描述。进一步地，在上述示例性实施例中额外描述的技术特征、配置及限制也可以适用于本示例性实施例。
图33的(a)是发光器件的平面图，图33的(b)是用于描述孔120h的位置以及第三开口部分153a和第四开口部分153b的位置的平面图，以及图34是示出与图33的(a)和图33的(b)的线A-A对应区域的剖面的剖面图。
参考图33的(a)和图33的(b)以及图34，发光器件200e可以包括发光结构120，发光结构120包括第一导电型半导体层121、主动层123以及第二导电型半导体层125、第一接触电极130、第二接触电极140、第一绝缘层151、第二绝缘层153、第一电极161以及第二电极163。进一步地，发光器件200e还可以包括绝缘部分170、第一电极垫181和第二电极垫183、生长基板(未示出)以及波长转换单元(未示出)。
发光结构120可包括第一导电型半导体层121，设置在第一导电型半导体层123上的主动层121，和设置在主动层上的第二导电型半导体层123。此外，发光结构120可包括其中通过部分移除第二导电型半导体层125和主动层121而使第一导电型半导体层123部分地暴露的区域。例如，如图所示，发光结构120可以包括至少一个孔120h，上述孔120h穿透第二导电型半导体层125和主动层123以暴露第一导电型半导体层121。发光结构120还可以包括在其下表面上形成的粗糙度120R。粗糙度120R可以包括形成于第一导电型半导体层121的表面上且在μm至nm级别上的突起和/或凹陷。通过在发光结构120的表面上形成上述粗糙度，可以提高发光器件的提取效率。
第一电极161与第二电极163之间的间隔160D1的最短距离的半值可以小于从第一电极161和第二电极163中的一个电极的一侧到绝缘部分170外侧的最短距离160D2。进一步地，第一电极161与第二电极163之间的间隔160D1的最短距离可以小于从第一电极161和第二电极163中的一个电极的一侧到绝缘部分170的外侧的最短距离160D2。即，电极160可以形成为相对偏向发光器件200e的中心部分。在根据本公开技术的示例实施例的发光器件200e中，绝缘层151和153、接触电极130和140等可设置在发光结构120的侧面，使得主动层123可以主要设置成偏向发光结构120的中心部分。电极160可以相对偏向发光器件200b的中心部分，使得驱动发光器件200e时由主动层123产生的热可更有效地通过电极160散发出。
第一电极161和第二电极163的描述基本相似于参照图21至图32所描述的，因此其详细描述将被省略。特别地，第一电极161和第二电极163最短距离的间隔160D1可为10μm至80μm。
波长转换单元(未示出)可以设置在发光结构120的下表面上。一些波长转换单元也可以接触第一绝缘层151。进一步地，波长转换单元还可以形成为覆盖发光结构120的侧面，并且可以形成为进一步覆盖绝缘部分170的侧面。
波长转换单元190的描述大体上相似于参考图31所描述的，并且因此将省略其详细描述。
同时，发光器件200e还可以包括生长基板(未示出)，其设置在发光结构120的下表面上。当发光器件200e包括波长转换单元时，上述生长基板可以设置在发光结构120与波长转换单元之间。
根据本公开技术的示例实施例，发光器件可以采用包括烧结金属粒子的第一电极和第二电极，其中发光器件具有在驱动时电流可以在水平方向均匀地分散的结构。因此，尽管由于当发光器件驱动时产生的热而引起应力施加在第一电极和第二电极上，但是由于包括在电极中的非金属材料，上述应力可被缓解。因此，发光器件的可靠性得以改善。此外，第一电极161和第二电极163最短距离的间隔160D1的范围可以为10μm至80μm，从而实现低正向电压和有效散发驱动时产生的热量。
图35和图36是用于描述根据公开技术的另一示例实施例的发光装置的截面图。
参考图35，发光装置可以包括根据本公开技术的示例实施例的发光器件和基板300。作为发光器件，参照图21至图34描述的发光器件可以被应用和安装在基板300上。
发光器件200a可以包括第一电极垫181和第二电极垫183，并且第一电极垫181和第二电极垫183可以分别粘合到第一导电图案311和第二导电图案313上，从而使得发光器件200a可以安装在基板300上。第一电极垫181和第二电极垫183可以通过焊料或导电粘合剂分别形成在第一导电图案311和第二导电图案313上。由此，根据所公开技术的示例性实施例的发光器件可以用作芯片级封装，上述芯片级封装无需单独的封装制程而可以直接使用。
同时，根据所公开技术的示例性实施例的发光器件可以在不包括第一电极垫181和第二电极垫183的情况下安装在基板300上。参照图36，发光器件200a不包括第一电极垫181和第二电极垫183，并且可以通过粘合层231和粘合层233来粘合在基板300上。
粘合层231和粘合层233可以包括金属材料，比如金属。例如，发光器件200a可以通过共晶粘合被粘合在基板300上。例如，当第一导电图案311和第二导电图案313包括Au时，发光器件200a通过包括具有共晶结构的Au/Sn合金的粘合层231和233可以有效地黏合在基板300上。然而，所公开技术并不限于此。
虽然本文上面已经对所公开技术的各种示例性实施例进行了描述，但是所公开的技术不限于相应示例性实施例和上面所描述的特征。通过组合和替换在示例性实施例中所描述的技术特征的修改都包括在所公开技术的范围中，并且在不背离如在权利要求中所定义的所公开技术的精神的情况下可以做出各种修改和改变。
Claims (38)
1.一种发光器件，其包括：
发光结构，其包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层和设置在所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间的主动层，并且所述发光结构包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；
第一接触电极和第二接触电极，其设置在所述发光结构的所述第一表面上，并且所述第一接触电极和所述第二接触电极的每一者分别与所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层欧姆接触；
第一电极，其设置在所述发光结构的所述第一表面上并且电连接到所述第一接触电极；
第二电极，其设置在所述发光结构的所述第一表面上并且电连接到所述第二接触电极；以及
绝缘部分，其覆盖所述第一电极和所述第二电极的侧面和所述发光结构的所述第一表面，
其中所述第一电极和所述第二电极各自包括金属粒子，以及
所述第一电极和所述第二电极各自包括倾斜侧面，其中相对于所述第一电极和所述第二电极的垂直横截面的侧面，所述倾斜侧面的切向梯度是变化的。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述倾斜侧面包括所述切向梯度增加的区域和所述切向梯度减少的区域。
3.根据权利要求1或2所述的发光器件，其中所述第一电极和所述第二电极中的每一者的水平横截面面积朝着远离所述发光结构的所述第一表面的方向逐渐减少。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一电极和所述第二电极在所述绝缘部分的一个表面上暴露出。
5.根据权利要求4所述的发光器件，其进一步包括：第一电极垫和第二电极垫，设置在所述绝缘部分的一个表面上且各自分别设置在所述第一电极和所述第二电极上。
6.根据权利要求5所述的发光器件，其中所述第一电极垫和所述第二电极垫的每一者的面积大于所述第一电极暴露在所述绝缘部分的所述一个表面上的面积和所述第二电极暴露在所述绝缘部分的所述一个表面上的面积。
7.根据权利要求1所述的发光器件，其进一步包括：波长转换单元，其设置在所述发光结构的所述第二表面上。
8.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一电极和所述第二电极中的每一者包括烧结的金属粒子，并且
所述烧结的金属粒子包括所述金属粒子和介置于所述金属粒子之间的非金属材料。
9.根据权利要求8所述的发光器件，其中所述金属粒子包括银。
10.根据权利要求8所述的发光器件，其中所述烧结的金属粒子包括范围从80wt％至98wt％的所述金属粒子。
11.根据权利要求1所述的发光器件，其进一步包括：
区域，在所述区域中通过部分地移除所述主动层和所述第二导电型半导体层而使所述第一导电型半导体层部分地暴露出；
第一绝缘层，其使所述第一接触电极和所述第二接触电极彼此绝缘；以及
第二绝缘层，其部分地覆盖所述第一接触电极和所述第二接触电极并且包括第一开口部分和第二开口部分，其中通过所述第一开口部分和所述第二开口部分使所述第一接触电极和所述第二接触电极各自暴露出，
其中所述第一接触电极经由所述第一导电型半导体层暴露的区域与所述第一导电型半导体层欧姆接触，以及
所述第一电极和所述第二电极各自经由所述第一开口部分和所述第二开口部分与所述第一接触电极和所述第二接触电极直接接触。
12.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述第一导电型半导体层暴露的所述区域包括多个孔。
13.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述发光结构包括至少一个台面，所述台面包括所述第二导电型半导体层和所述主动层，以及
所述第一导电型半导体层暴露的所述区域设置在所述台面的周围。
14.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一电极和所述第二电极各自分别与所述第一接触电极和所述第二接触电极直接接触。
15.根据权利要求11所述的发光器件，其还包括：
波长转换单元，设置在所述发光结构的所述第二表面上。
16.根据权利要求15所述的发光器件，其中所述波长转换单元接触所述第一绝缘层。
17.根据权利要求15所述的发光器件，其中所述波长转换单元还至少部分地覆盖所述第一导电型半导体层的侧面。
18.一种发光器件，其包括：
发光结构，其包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及设置在所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层之间的主动层，并且所述发光结构包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；
第一接触电极和第二接触电极，其设置在所述发光结构的所述第一表面上并且各自与所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层欧姆接触；
第一电极，其设置在所述发光结构的所述第一表面上并且电连接到所述第一接触电极；
第二电极，其设置在所述发光结构的所述第一表面上并且电连接到所述第二接触电极；以及
绝缘部分，其覆盖所述第一电极和所述第二电极的侧面以及所述发光结构的所述第一表面，
其中所述第一电极和所述第二电极各自包括范围为80wt％至98wt％的金属粒子和介置于所述金属粒子之间的非金属材料。
19.一种制造发光器件的方法，其包括：
在生长基板上形成发光结构，其中所述发光结构包括第一导电型半导体层、设置在所述第一导电型半导体层上的主动层以及设置在所述主动层上的第二导电型半导体层；
在所述发光结构上形成第一接触电极和第二接触电极，其中所述第一接触电极和所述第二接触电极分别与所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层欧姆接触；
在所述发光结构上形成预成型第一电极和预成型第二电极，其中所述预成型第一电极和所述预成型第二电极包括金属粒子，并且所述预成型第一电极和所述预成型第二电极电连接到所述第一接触电极和所述第二接触电极；
通过烧结所述预成型第一电极和所述预成型第二电极来分别形成第一电极和第二电极；以及
在所述发光结构上形成覆盖所述第一电极和所述第二电极的侧面的绝缘部分，
其中所述第一电极和所述第二电极各自包括倾斜侧面，其中相对于所述第一电极和所述第二电极的垂直横截面的侧面，所述倾斜侧面的切向梯度是变化的。
20.根据权利要求19所述的制造发光器件的方法，其中所述第一电极和所述第二电极的体积分别小于所述预成型第一电极和所述预成型第二电极的体积。
21.根据权利要求20所述的制造发光器件的方法，其中所述倾斜侧面包括所述切向梯度增加的区域以及所述切向梯度减小的区域。
22.根据权利要求19所述的制造发光器件的方法，其中形成所述预成型第一电极和所述预成型第二电极的方法包括使用滴涂或涂覆的方法在所述发光结构上形成粘稠性材料，其中所述粘稠性材料包括所述金属粒子和介置于所述金属粒子之间的非金属材料。
23.根据权利要求22所述的制造发光器件的方法，其中所述滴涂或所述涂覆的方法包括打点或网版印刷方法。
24.根据权利要求19所述的制造发光器件的方法，还包括：通过部分地移除所述第一电极和所述第二电极以及所述绝缘部分以在所述绝缘部分的一个表面上暴露所述第一电极和所述第二电极。
25.根据权利要求24所述的制造发光器件的方法，还包括：在所述绝缘部分的一个表面上形成各自与所述第一电极和所述第二电极接触的第一电极垫和第二电极垫。
26.根据权利要求19所述的制造发光器件的方法，还包括：
在形成所述第一电极和所述第二电极之后，将所述生长基板与所述发光结构分离；以及在通过将所述生长基板与所述发光结构分离而暴露的所述发光结构的一个表面上形成波长转换单元。
27.根据权利要求19所述的制造发光器件的方法，其中所述预成型第一电极和所述预成型第二电极分别与所述第一接触电极和所述第二接触电极接触。
28.一种发光器件，其包括：
发光结构，其包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层和设置在所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层之间的主动层，且所述发光结构包括第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；
第一接触电极和第二接触电极，其设置在所述发光结构的所述第一表面上且分别与所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层欧姆接触；
第一电极和第二电极，其设置在所述发光结构的第一表面上且分别电连接到所述第一接触电极和所述第二接触电极；以及
绝缘部分，其覆盖所述第一电极和所述第二电极的侧面和所述发光结构的所述第一表面，
其中所述第一电极和所述第二电极各自包括金属粒子，并且
所述第一电极和所述第二电极之间的间隔的最短距离的半值小于从所述第一电极和所述第二电极中的一者的一个侧面至所述绝缘部分的外侧的最短距离。
29.根据权利要求28所述的发光器件，其中所述第一电极和所述第二电极之间的所述最短距离的范围为从10μm至80μm。
30.根据权利要求28所述的发光器件，其中所述第一电极和所述第二电极各自包括倾斜的侧面，且相对于所述第一电极和所述第二电极的垂直横截面的侧面，所述倾斜的侧面的切向梯度是变化的。
31.根据权利要求30所述的发光器件，其中所述第一电极和所述第二电极的所述侧面与所述发光结构的上表面形成的角度范围为大于或等于30度至小于90度。
32.根据权利要求28所述的发光器件，其中所述第一电极和所述第二电极中的每一者的所述侧面垂直于所述发光结构的第一侧面。
33.根据权利要求28所述的发光器件，进一步包括：第一电极垫和第二电极垫，其设置在所述绝缘部分的一个表面上并且分别设置在所述第一电极和所述第二电极上。
34.根据权利要求28所述的发光器件，其中所述第一电极和所述第二电极分别包括所述金属粒子和介置于所述金属粒子之间的非金属材料。
35.根据权利要求34所述的发光器件，其中所述第一电极和所述第二电极各自包括80wt％至98wt％的所述金属粒子。
36.根据权利要求28所述的发光器件，其中所述金属粒子包括Cu、Au、Ag和Pt中的至少一种。
37.根据权利要求28所述的发光器件，进一步包括：
区域，在所述区域中通过部分地移除所述主动层和所述第二导电型半导体层使所述第一导电型半导体层部分地暴露；
第一绝缘层，其使所述第一接触电极和所述第二接触电极相互绝缘；以及
第二绝缘层，其部分地覆盖所述第一接触电极和所述第二接触电极，且包括第一开口部分和第二开口部分，通过所述第一开口部分和所述第二开口部分使所述第一接触电极和所述第二接触电极各自暴露出，
其中所述第一接触电极经由其中所述第一导电型半导体层暴露的区域与所述第一导电型半导体层欧姆接触，并且
所述第一电极和所述第二电极各自通过所述第一开口部分和所述第二开口部分与所述第一接触电极和所述第二接触电极直接接触。
38.根据权利要求28所述的发光器件，其中所述第一电极和所述第二电极各自直接接触所述第一接触电极和所述第二接触电极。
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020140129019A KR102263065B1 (ko) | 2014-09-26 | 2014-09-26 | 발광 소자 및 그 제조 방법 |
| KR10-2014-0129019 | 2014-09-26 | ||
| KR10-2014-0142580 | 2014-10-21 | ||
| KR1020140142580A KR102279520B1 (ko) | 2014-10-21 | 2014-10-21 | 발광 소자 및 그 제조 방법 |
| PCT/KR2015/009614 WO2016047950A1 (en) | 2014-09-26 | 2015-09-14 | Light emitting device and method of fabricating the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107078199A true CN107078199A (zh) | 2017-08-18 |
| CN107078199B CN107078199B (zh) | 2019-11-08 |
Family
ID=55581421
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201580051056.2A Active CN107078199B (zh) | 2014-09-26 | 2015-09-14 | 发光器件及其制造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US10283685B2 (zh) |
| CN (1) | CN107078199B (zh) |
| TW (1) | TWI591853B (zh) |
| WO (1) | WO2016047950A1 (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110021695A (zh) * | 2019-04-03 | 2019-07-16 | 苏州大学 | 大功率led封装用基板及其制备方法、大功率led封装结构 |
| CN110556395A (zh) * | 2018-05-31 | 2019-12-10 | 夏普株式会社 | 微型发光元件、图像显示元件及其制造方法 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10860384B2 (en) * | 2012-02-03 | 2020-12-08 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Managing partitions in a scalable environment |
| JP6436531B2 (ja) * | 2015-01-30 | 2018-12-12 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2018122635A (ja) | 2017-01-30 | 2018-08-09 | サンデン・オートモーティブクライメイトシステム株式会社 | 車両用空気調和装置 |
| US11705440B2 (en) * | 2017-06-26 | 2023-07-18 | PlayNitride Inc. | Micro LED display panel |
| US20190189850A1 (en) * | 2017-12-19 | 2019-06-20 | Epistar Corporation | Light-emitting device |
| KR102607596B1 (ko) * | 2018-05-11 | 2023-11-29 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 및 이를 이용한 반도체 발광소자 패키지 |
| JP6897659B2 (ja) * | 2018-12-13 | 2021-07-07 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
| TWI690102B (zh) | 2019-01-04 | 2020-04-01 | 友達光電股份有限公司 | 發光裝置及其製造方法 |
| US11398462B2 (en) | 2019-09-18 | 2022-07-26 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device for display and light emitting package having the same |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100148198A1 (en) * | 2008-12-12 | 2010-06-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting device and method for manufacturing same |
| CN101911219A (zh) * | 2008-01-17 | 2010-12-08 | 日亚化学工业株式会社 | 导电性材料的制造方法、利用该方法获得的导电性材料、含有该导电性材料的电子设备、发光装置、发光装置制造方法 |
| US20110114978A1 (en) * | 2009-11-19 | 2011-05-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing same |
| US20110147774A1 (en) * | 2009-12-21 | 2011-06-23 | Harvatek Corporation | Wafer level led package structure for increasing light-emitting efficiency and heat-dissipating effect and method for manufacturing the same |
| CN102308399A (zh) * | 2008-12-30 | 2012-01-04 | 三星Led株式会社 | 发光器件封装件及其制造方法 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090107584A1 (en) | 2007-09-27 | 2009-04-30 | Nanodynamics, Inc. | Solder and methods of making solder |
| US8211722B2 (en) * | 2009-07-20 | 2012-07-03 | Lu Lien-Shine | Flip-chip GaN LED fabrication method |
| JP2011071272A (ja) * | 2009-09-25 | 2011-04-07 | Toshiba Corp | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| JP5710915B2 (ja) | 2010-09-09 | 2015-04-30 | シチズンホールディングス株式会社 | 半導体発光装置 |
| JP5916334B2 (ja) * | 2011-10-07 | 2016-05-11 | デクセリアルズ株式会社 | 異方性導電接着剤及びその製造方法、発光装置及びその製造方法 |
| WO2013123138A2 (en) | 2012-02-14 | 2013-08-22 | University Of Georgia Research Foundation, Inc. | Spiro [2.4]heptanes for treatment of flaviviridae infections |
| JP5965199B2 (ja) * | 2012-04-17 | 2016-08-03 | デクセリアルズ株式会社 | 異方性導電接着剤及びその製造方法、発光装置及びその製造方法 |
| JP2014053593A (ja) * | 2012-08-09 | 2014-03-20 | Sharp Corp | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| JP6066643B2 (ja) * | 2012-09-24 | 2017-01-25 | デクセリアルズ株式会社 | 異方性導電接着剤 |
| KR102013364B1 (ko) * | 2012-12-06 | 2019-10-21 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광 다이오드 및 그것의 어플리케이션 |
| CN104953000B (zh) * | 2014-03-27 | 2019-02-15 | 首尔伟傲世有限公司 | 发光二极管及发光装置 |
| KR102019914B1 (ko) * | 2014-06-11 | 2019-11-04 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
| US9543488B2 (en) * | 2014-06-23 | 2017-01-10 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device |
| WO2016076637A1 (en) * | 2014-11-12 | 2016-05-19 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device |
| KR20160149827A (ko) * | 2015-06-19 | 2016-12-28 | 서울바이오시스 주식회사 | 복수의 파장변환부를 포함하는 발광 소자 및 그 제조 방법 |
| US20170140365A1 (en) * | 2015-11-16 | 2017-05-18 | Mastercard International Incorporated | Systems and methods using check document images to create pre-paid payment cards |
-
2015
- 2015-09-14 US US15/514,492 patent/US10283685B2/en active Active
- 2015-09-14 CN CN201580051056.2A patent/CN107078199B/zh active Active
- 2015-09-14 WO PCT/KR2015/009614 patent/WO2016047950A1/en active Application Filing
- 2015-09-21 TW TW104131055A patent/TWI591853B/zh active
-
2017
- 2017-12-26 US US15/854,631 patent/US10700249B2/en active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101911219A (zh) * | 2008-01-17 | 2010-12-08 | 日亚化学工业株式会社 | 导电性材料的制造方法、利用该方法获得的导电性材料、含有该导电性材料的电子设备、发光装置、发光装置制造方法 |
| US20100148198A1 (en) * | 2008-12-12 | 2010-06-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting device and method for manufacturing same |
| CN102308399A (zh) * | 2008-12-30 | 2012-01-04 | 三星Led株式会社 | 发光器件封装件及其制造方法 |
| US20110114978A1 (en) * | 2009-11-19 | 2011-05-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing same |
| US20110147774A1 (en) * | 2009-12-21 | 2011-06-23 | Harvatek Corporation | Wafer level led package structure for increasing light-emitting efficiency and heat-dissipating effect and method for manufacturing the same |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| MAVOORI, H., AND S. JIN.: "New, creep-resistant, low melting point solders with ultrafine oxide dispersions", 《ELECTRONIC MATERIALS》 * |
| MOKHTARI, OMID, ET AL.: "Disabling of Nanoparticle Effects at Increased Temperature in Nanocomposite Solders", 《JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS》 * |
| SHEN, J., AND Y. C. CHAN.: "Research advances in nano-composite solders", 《MICROELECTRONICS RELIABILITY》 * |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110556395A (zh) * | 2018-05-31 | 2019-12-10 | 夏普株式会社 | 微型发光元件、图像显示元件及其制造方法 |
| CN110556395B (zh) * | 2018-05-31 | 2023-09-19 | 夏普株式会社 | 微型发光元件、图像显示元件及其制造方法 |
| CN110021695A (zh) * | 2019-04-03 | 2019-07-16 | 苏州大学 | 大功率led封装用基板及其制备方法、大功率led封装结构 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN107078199B (zh) | 2019-11-08 |
| US20170279020A1 (en) | 2017-09-28 |
| WO2016047950A1 (en) | 2016-03-31 |
| US10283685B2 (en) | 2019-05-07 |
| US20180204991A1 (en) | 2018-07-19 |
| TW201622177A (zh) | 2016-06-16 |
| US10700249B2 (en) | 2020-06-30 |
| TWI591853B (zh) | 2017-07-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107078199B (zh) | 发光器件及其制造方法 | |
| US9041020B2 (en) | Electrolytically coated optoelectronic semiconductor component and method for producing an optoelectronic semiconductor component | |
| CN102637784B (zh) | 发光二极管封装基板及其制作方法 | |
| CN105308765B (zh) | 具有通过焊膏粘结的发光二极管的发光二极管模块以及发光二极管 | |
| US9224932B2 (en) | Wafer level photonic device die structure and method of making the same | |
| CN106537616B (zh) | 发光装置 | |
| US8994050B2 (en) | Method for transferring a uniform phosphor layer on an article and light-emitting structure fabricated by the method | |
| CN105322067B (zh) | 发光二极管 | |
| US10170675B2 (en) | P—N separation metal fill for flip chip LEDs | |
| US20150091035A1 (en) | Semiconductor device structure | |
| CN107258022B (zh) | 包括金属块的发光元件 | |
| KR101426433B1 (ko) | 반도체 발광소자를 제조하는 방법 | |
| TWI394299B (zh) | 具有外移式電極之垂直發光二極體 | |
| CN205159366U (zh) | 发光元件 | |
| CN209626251U (zh) | 一种半导体发光元件、封装体和发光装置 | |
| KR102494723B1 (ko) | 발광 소자 및 그 제조 방법 | |
| US20190165216A1 (en) | Ultraviolet light emitting device package | |
| CN102130286B (zh) | 发光二极管的封装结构及封装方法 | |
| US10109776B2 (en) | Light emitting device having curved light emitting element | |
| CN104952985A (zh) | 半导体发光装置及其制造方法 | |
| TW200913315A (en) | Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method | |
| TW201427116A (zh) | 具有傾斜結構之發光二極體封裝 | |
| CN102820411B (zh) | 发光二极管芯片、制法及封装方法 | |
| KR102279520B1 (ko) | 발광 소자 및 그 제조 방법 | |
| KR102325808B1 (ko) | 반도체 발광소자 및 이의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |