TWI394299B - 具有外移式電極之垂直發光二極體 - Google Patents

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Description

具有外移式電極之垂直發光二極體
本發明係關於一種垂直發光二極體，尤其，本發明係關於一種具有外移式電極之垂直發光二極體。
在習知發光二極體的結構中，接觸電極皆設置在發光區域內，因此必須佔用發光區域的一部分發光面積，進而降低出光效率。此外，在發光二極體進行封裝之後，其外觀形狀為半圓形或橢圓形，所以發光二極體的出光形式可能為四面八方。又，吾人通常會在封裝結構中加入螢光體，藉以將發光二極體所發出的光轉換成白光或具有其他波長的發射光，然而，由於螢光體通常難以均勻分佈，因此容易造成發光二極體之發光色溫的不均勻，並於光圖案外圈經常有所謂黃暈的現象發生。
為解決上述問題，在美國專利第6,674,096 B2號中，揭露一種利用封裝外膜設計形成出光對螢光體轉換均勻的方法；以及在美國專利第7,111,964 B2號中，揭露一種將螢光體直接塗佈在發光二極體晶片上以改善出光均勻度的方法。然而，上述專利文獻並無法徹底解決位於封裝體內之螢光體分佈不均的問題以及接觸電極佔用發光區域的問題。
鑒於上述問題，本發明之一實施例為一種具有外移式電極之垂直發光二極體，其包含：導電性基底；半導體磊晶結構，形成在導電性基底上；鈍化層，形成在半導體磊晶結構的周圍；以及導電性框架，形成在鈍化層上，且與半導體磊晶結構之上表面的外側相接觸，以使導電性框架與半導體磊晶結構產生電性連接。
本發明之另一實施例為一種具有外移式電極之垂直發光二極體，其包含：導電性基底；半導體磊晶結構，形成在導電性基底上；鈍化層，形成在半導體磊晶結構的周圍；電極框架，形成在 半導體磊晶結構之上表面的外側，並與半導體磊晶結構產生電性連接；非導電性框架，形成在鈍化層以及一部分的電極框架上；以及金屬焊墊，形成在非導電性框架上，並且與電極框架產生電性連接。
本發明之另一實施例為一種具有框架的發光二極體，其包含：導電性基底；半導體磊晶結構，形成在導電性基底上；接觸電極，設置在半導體磊晶結構上；鈍化層，形成在半導體磊晶結構的周圍；以及框架，形成在鈍化層上。
本發明之其他實施樣態以及優點可從以下與用以例示本發明原理範例之隨附圖式相結合的詳細說明而更顯明白。
圖1A顯示依照本發明之一實施例之具有導電性框架之垂直發光二極體(VLED，vertical light emitting diode)100的立體圖；而圖1B顯示圖1A之垂直發光二極體100的剖面圖。如圖1A與1B所示，發光二極體100包含：導電性基底1、鈍化層3、導電性框架5、n-GaN層7、活化層9、p-GaN層11、以及鏡面層13。導電性框架5係形成在鈍化層3的上方，並且與發光二極體100之半導體磊晶結構(由n-GaN層7、活化層9、以及p-GaN層11所構成)之上表面的外側相接觸(其可形成歐姆接觸)，俾能使電流導通而流經n-GaN層7，即，導電性框架5可作為發光二極體100的接觸電極。由於導電性框架5具有開口15，所以n-GaN層7可從導電性框架5的開口15裸露。導電性基底1可為Cu、Ni、Ag、Au、Co、Al、Sn、W、Mo、Pd、Pt、Rh、或其合金。此外，導電性基底1亦可為Si、SiC、Ge、GaAs、InP、GaN、或石墨。
為了P-N之絕緣，在此半導體磊晶結構的周圍形成鈍化層3。舉例而言，導電性框架5可為金屬或金屬合金，例如Al、Ti、Cu、Ni、Au、Ag、Co、Fe、Sn、或其合金。在本發明之其他實施例中，導電性框架5可由異方性導電膜(ACF，anisotropic conductive film)或導電膠(例如銀膠)或其他導電材料所形成。例如，導電性框架5可使用下列至少其中一種方法加以形成：電鍍、無電電鍍、物理氣相沉積(PVD，physical vapor deposition)、化學氣相沉積(CVD，chemical vapor deposition)、蒸鍍、濺鍍、噴塗、網版印刷(screen printing)、噴墨印刷(inject printing)或其結合。導電性框架5的寬度W1 可介於約1μm到約200μm之間，而其高度H1 可介於約1μm到約200μm之間。
由於導電性框架5係形成在垂直發光二極體100之發光區域(即，半導體磊晶結構)的外側，並且使其取代原來形成在發光區域內的接觸電極，因此能夠增加可被利用的發光面積，進而提升出光效率。
圖2A顯示依照本發明之另一實施例之垂直發光二極體200的立體圖；而圖2B顯示圖2A之垂直發光二極體200的剖面圖。如圖2A與2B所示，發光二極體200包含：導電性基底1、鈍化層3、n-GaN層7、活化層9、p-GaN層11、以及鏡面層13、非導電性框架17、金屬焊墊19、以及電極框架21。電極框架21係形成在發光二極體200之半導體磊晶結構(由n-GaN層7、活化層9、以及p-GaN層11所構成)之上表面的外側，而與n-GaN層7產生電性連接，然後再將非導電性框架17形成於一部分的電極框架21上，因此非導電性框架17亦同樣位於半導體磊晶結構的外側。非導電性框架17亦同時被形成在鈍化層3的上方；而金屬焊墊19係形成在非導電性框架17上，並且與電極框架21產生電性連接。藉由金屬焊墊19以及電極框架21的設置與連接，俾能使電流導通而流經n-GaN層7。由於非導電性框架17具有開口23，所以n-GaN層7可從非導電性框架17的開口23裸露。
舉例來說，非導電性框架17可為感光性材料，例如光阻(舉例而言，其可為乾膜光阻(dry film resist))、或光固化材料(舉例而言，其可為光固化樹脂，如光固化環氧樹脂(epoxy))。非導電性框架17亦可為非感光性材料，例如有機聚合物，其包含聚亞醯胺(polyimide)、聚對二甲苯(parylene)、矽酮樹脂(silicone)、環氧樹脂等等；或其他無機材料，其包含陶瓷、玻璃、SiO2 、Al2 O3 、Si3 N4 、ZnO、Ta2 O5 、TiO2 、HfO、MgO等等。例如，金屬焊墊19可使用下列至少其中一種方法加以形成：電鍍、無電電鍍、物理氣相沉積、化學氣相沉積、蒸鍍、濺鍍、噴塗、網版印刷、噴墨印刷或其結合。非導電性框架17的寬度W2 可介於約1μm到約200μm之間，而其高度H2 可介於約1μm到約200μm之間。舉例而言，金屬焊墊19可為金屬或金屬合金，例如Al、Ti、Cu、Ni、Au、Ag、Co、Fe、Sn、Pd、Bi、或其合金。又，例如電極框架21可使用下列至少其中一種方法加以形成：電鍍、無電電鍍、物理氣相沉積、化學氣相沉積、蒸鍍、濺鍍、噴塗、網版印刷、噴墨印刷或其結合。在本發明之實施例中，電極框架21可為Al、Ni、Au、Ti、Pt、Cu、Cr、Pd、Bi、或其合金，於其中可摻雜TaN、TiN、Si等等的材料，以增進其電性。
由於非導電性框架17與電極框架21係形成在垂直發光二極體200之發光區域(即，半導體磊晶結構)的外側，並且使其取代原來形成在發光區域內的接觸電極，因此能夠增加可被利用的發光面積，進而提升出光效率。
圖3顯示依照本發明之實施例之具有框架之垂直發光二極體在進行晶圓等級製作時的實際影像。吾人可在晶圓製作完成之後，經過分離程序(例如切割)，而獲得具有框架的垂直發光二極體晶片。
圖4顯示依照本發明之另一實施例之垂直發光二極體400的剖面圖。發光二極體400的結構係與圖1B所示之發光二極體100的結構大致相同，其差異在於：在框架25的表面上形成反射層27，以促進將發光二極體400所發出的光反射至外界。具體而言，反射層27可將入射於框架25上的光反射至發光二極體400之半導體磊晶結構(由n-GaN層7、活化層9、以及p-GaN層11所構成)的上方而進行出光(如圖4之箭頭A所示)，藉以防止框架25對光的吸收，進而增加出光效率。雖然，在本發明之隨附圖式中並未繪示，但本實施例所揭露之反射層27亦可應用在圖2A與2B所示之發光二極體200，即，反射層27亦可形成在非導電性框架17(圖2A與2B)的表面上。反射層27可由Ag、Al、或其他高反射性金屬、或其他多層介質膜堆疊體所構成。反射層27可使用下列至少其中一種方法加以形成：電鍍、無電電鍍、物理氣相沉積、化學氣相沉積、蒸鍍、濺鍍、噴塗、網版印刷、噴墨印刷或其結合。
以下，將說明本發明之具有框架的垂直發光二極體在經過封裝後的各種實施例。
圖5A顯示依照本發明之一實施例之垂直發光二極體500A在經過封裝之後的剖面圖；圖5B顯示依照本發明之另一實施例之垂直發光二極體500B在經過封裝之後的剖面圖；以及圖5C顯示依照本發明之另一實施例之垂直發光二極體500C在經過封裝之後的剖面圖。在圖5A中，導線架35可包含第一導電區段35A、底座35B、以及第二導電區段35C，並且在各導電區段35A、35C與底座35B之間具有間隙36。如圖5A所示，發光二極體500A被設置在導線架35的底座35B上，並且透過導線31以及焊墊32，而與導線架35的各導電區段35A、35C產生電性連接。雖然圖式中僅繪示2條導線與一個焊墊32，但吾人可視實際情況而增減導線與焊墊的數量。在使用圖1A與1B所示之導電性框架5的情況下，藉由導線31而使垂直發光二極體100的導電性框架5與導線架的導電區段相連接；而在使用圖2A與2B所示之非導電性框架17的情況下，藉由導線31而使垂直發光二極體200的金屬焊墊19與導線架的導電區段相連接。
在習知發光二極體的封裝結構中，由於封膠後的結構形狀為半圓形或橢圓形，所以發光二極體的出光形式可能為四面八方。又，由於螢光體難以均勻分佈，因此容易造成發光二極體之發光色溫的不均勻，並於光圖案外圈經常有所謂黃暈的現象發生。
在本發明之實施例中，發光二極體500A可藉由框架29的設置，而將螢光體33侷限在框架29內，以使螢光體33可均勻分佈於框架29內。螢光體33可藉由下列方式加以設置：塗佈、噴塗、網版印刷、噴墨印刷、點膠等。吾人可使用封裝體37而對發光二極體500A進行封裝，以將發光二極體500A、導線31、以及焊墊32包覆於其內，俾能防止因碰撞所引起的裝置損壞、以及因氧化所引起的螢光體衰退。在本發明之其他實施例中，可省略焊墊32的使用，因為焊墊32可被直接形成在導線架的導電區段上。在本發明之實施例中，封裝體可例如為環氧樹脂或矽酮樹脂。發光二極體500A係以垂直方向(如圖5A之箭頭B所示)進行出光，由發光二極體500A所發出的光在經由分佈均勻於框架29內的螢光體33轉換之後，俾能獲得均勻白光發光色溫之效果，進而減少螢光體之使用，降低成本。
為了簡化之目的，在圖5B與5C中，省略與圖5A相同的元件符號。
圖5B可表示兩種情況：其一為在框架內填充具有不同粒徑的螢光體39；以及另一為由於製作方式的差異，所填充之螢光體39會產生溢注並因表面張力而停留在框架上。螢光體39可藉由下列方式加以設置：塗佈、噴塗、網版印刷、噴墨印刷、點膠等。
在圖5C中，螢光體41並不被侷限於框架內。具體來說，即，以螢光體41包覆整個發光二極體500C，然後再以封裝體43包覆整個螢光體41。螢光體41可藉由下列方式加以設置：塗佈、噴塗、網版印刷、噴墨印刷、點膠等。圖5A-5C所示之實施例可同時應用在圖1A-1B、圖2A-2B、以及圖4所示的實施例中。
此外，若僅單純為了將螢光體設置在一特定位置而不考慮接觸電極的外移時，為簡化之目的，在此以圖1A的結構來說明本發明之另一實施例，於其中：垂直發光二極體的框架部分可為導電性或非導電性，以及其接觸電極(未顯示)係形成在發光區域(即，半導體磊晶結構)內，並與n-GaN層7形成歐姆接觸。因此，吾人可利用導電性(或非導電性)框架的設置，而將螢光體侷限在期望的區域內。本實施例所述之垂直發光二極體可應用在上述圖5A-5C所示的實施例中，於其中吾人可利用導線而使垂直發光二極體的接觸電極與導線架的導電區段相連接。本實施例所述之框架的材料、尺寸或其應用可與圖1A、圖1B、圖2A、圖2B、以及圖4所示的實施例相同，於此將不再贅述。
本發明可提供具有外移電極之垂直發光二極體結構。由於接觸電極的外移，故可增加垂直發光二極體的發光面積，進而提升出光效率。具體而言，依照本發明之實施例，吾人可將垂直發光二極體的接觸電極形成在發光區域之外，俾能利用原來被接觸電極所佔據的發光面積，進而提升垂直發光二極體的出光效率。具體而言，本發明可具有下列優點：以具有框架的垂直發光二極體來有效侷限螢光體的分佈，使各角度發光色溫分佈更均勻，進而有效降低成本、提升良率；以及將金屬焊墊外移並獨立製作於框架上，而使垂直發光二極體的發光區域內不存在金屬焊墊，因此可進一步增加出光效率，俾使垂直發光二極體可均勻發光。
雖然本發明已參考較佳實施例及圖式詳加說明，但熟習本項技藝者可瞭解在不離開本發明之精神與範疇的情況下，可進行各種修改、變化以及等效替代，然而這些修改、變化以及等效替代仍落入本發明所附的申請專利範圍內。
1．．．導電性基底
3．．．鈍化層
5．．．導電性框架
7．．．n-GaN層
9．．．活化層
11．．．p-GaN層
13．．．鏡面層
15．．．開口
17．．．非導電性框架
19．．．金屬焊墊
21．．．電極框架
23．．．開口
25．．．框架
27．．．反射層
29．．．框架
31．．．導線
32．．．焊墊
33．．．螢光體
35．．．導線架
35A．．．第一導電區段
35B．．．底座
35C．．．第二導電區段
36．．．間隙
37．．．封裝體
39‧‧‧螢光體
41‧‧‧螢光體
43‧‧‧封裝體
100‧‧‧垂直發光二極體
200‧‧‧垂直發光二極體
400‧‧‧垂直發光二極體
500A‧‧‧垂直發光二極體
500B‧‧‧垂直發光二極體
500C‧‧‧垂直發光二極體
H1 ‧‧‧高度
H2 ‧‧‧高度
W1 ‧‧‧寬度
W2 ‧‧‧寬度
在本發明之隨附圖式中，相同的元件以相同的元件符號加以表示。
圖1A顯示依照本發明之一實施例之具有導電性框架之垂直發光二極體的立體圖；
圖1B顯示圖1A之垂直發光二極體的剖面圖；
圖2A顯示依照本發明之另一實施例之垂直發光二極體的立體圖；
圖2B顯示圖2A之垂直發光二極體的剖面圖；
圖3顯示依照本發明之實施例之具有框架之垂直發光二極體在進行晶圓等級製作時的實際影像；
圖4顯示依照本發明之另一實施例之垂直發光二極體的剖面圖；
圖5A顯示依照本發明之一實施例之垂直發光二極體在經過封裝之後的剖面圖；
圖5B顯示依照本發明之另一實施例之垂直發光二極體在經過封裝之後的剖面圖；及
圖5C顯示依照本發明之另一實施例之垂直發光二極體在經過封裝之後的剖面圖。
1．．．導電性基底
3．．．鈍化層
5．．．導電性框架
7．．．n-GaN層
9．．．活化層
11．．．p-GaN層
13．．．鏡面層
15．．．開口
100．．．垂直發光二極體

Claims (95)

  1. 一種具有外移式電極之垂直發光二極體，包含：一導電性基底；一半導體磊晶結構，包含：一p-GaN層，形成在該導電性基底上；一活化層，形成在該p-GaN層上；及一n-GaN層，形成在該活化層上；一鈍化層，形成在該半導體磊晶結構的周圍；及一導電性框架，形成在該鈍化層上，且與該n-GaN層之上表面的外側相接觸，以使該導電性框架與該半導體磊晶結構產生電性連接。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之具有外移式電極之垂直發光二極體，更包含：一鏡面層，形成在該導電性基底與該半導體磊晶結構之間。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之具有外移式電極之垂直發光二極體，其中該導電性基底為Cu、Ni、Ag、Au、Co、Al、Sn、W、Mo、Pd、Pt、Rh、或其合金。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之具有外移式電極之垂直發光二極體，其中該導電性基底為Si、SiC、Ge、GaAs、InP、GaN、或石墨。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之具有外移式電極之垂直發光二極體，更包含：一反射層，形成在該導電性框架的表面上。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之具有外移式電極之垂直發光二極體，其中該反射層係由高反射性金屬或多層介質膜堆疊體所 構成。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之具有外移式電極之垂直發光二極體，其中該反射層為Ag或Al。
  8. 如申請專利範圍第5項所述之具有外移式電極之垂直發光二極體，其中該反射層係使用下列至少其中一種方法加以形成：電鍍、無電電鍍、物理氣相沉積、化學氣相沉積、蒸鍍、濺鍍、噴塗、網版印刷、噴墨印刷或其結合。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之具有外移式電極之垂直發光二極體，更包含：一螢光體，位於該導電性框架內。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之具有外移式電極之垂直發光二極體裝置，其中該螢光體係藉由下列方式加以設置：塗佈、噴塗、網版印刷、噴墨印刷、或點膠。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之具有外移式電極之垂直發光二極體，其中該導電性框架係由金屬或金屬合金所製成。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之具有外移式電極之垂直發光二極體，其中該導電性框架為Al、Ti、Cu、Ni、Au、Ag、Co、Fe、Sn、或其合金。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之具有外移式電極之垂直發光二極體，其中該導電性框架係使用下列至少其中一種方法加以形成：電鍍、無電電鍍、物理氣相沉積、化學氣相沉積、蒸鍍、濺鍍、噴塗、網版印刷、噴墨印刷或其結合。
  14. 如申請專利範圍第12項所述之具有外移式電極之垂直發光二極體，其中該導電性框架係使用下列至少其中一種方法加以形成：電鍍、無電電鍍、物理氣相沉積、化學氣相沉積、蒸鍍、濺鍍、噴塗、網版印刷、噴墨印刷或其結合。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之具有外移式電極之垂直發光二極體，其中該導電性框架係由異方性導電膜或導電膠所製成。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之具有外移式電極之垂直發光二極體，其中該導電膠包含銀膠。
  17. 如申請專利範圍第1項所述之具有外移式電極之垂直發光二極體，其中該導電性框架的寬度係介於約1μm到約200μm之間。
  18. 如申請專利範圍第1項所述之具有外移式電極之垂直發光二極體，其中該導電性框架的高度係介於約1μm到約200μm之間。
  19. 如申請專利範圍第17項所述之具有外移式電極之垂直發光二極體，其中該導電性框架的高度係介於約1μm到約200μm之間。
  20. 一種具有外移式電極之垂直發光二極體裝置，包含：一導線架，由一底座與一或多個導電區段所構成；如申請專利範圍第1項所述之垂直發光二極體，設置在該底座上；及一或多條導線，用以使該垂直發光二極體的導電性框架與該導線架的導電區段相連接。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之具有外移式電極之垂直發光二極體裝置，更包含：一螢光體，位於該垂直發光二極體的導電性框架內。
  22. 如申請專利範圍第21項所述之具有外移式電極之垂直發光二極體裝置，更包含：一封裝體，用以包覆該垂直發光二極體與該螢光體。
  23. 如申請專利範圍第20項所述之具有外移式電極之垂直發光二極體裝置，更包含：一螢光體，用以包覆該垂直發光二極體。
  24. 如申請專利範圍第23項所述之具有外移式電極之垂直發光二極體裝置，更包含：一封裝體，用以包覆該螢光體。
  25. 如申請專利範圍第21項所述之具有外移式電極之垂直發光二極體裝置，其中該螢光體係藉由下列方式加以設置：塗佈、噴塗、網版印刷、噴墨印刷、或點膠。
  26. 如申請專利範圍第23項所述之具有外移式電極之垂直發光二極體裝置，其中該螢光體係藉由下列方式加以設置：塗佈、噴塗、網版印刷、噴墨印刷、或點膠。
  27. 一種具有外移式電極之垂直發光二極體，包含：一導電性基底；一半導體磊晶結構，包含：一p-GaN層，形成在該導電性基底上；一活化層，形成在該p-GaN層上；及一n-GaN層，形成在該活化層上； 一鈍化層，形成在該半導體磊晶結構的周圍；一電極框架，形成在該n-GaN層之上表面的外側，並與該半導體磊晶結構產生電性連接；一非導電性框架，形成在該鈍化層以及一部分的該電極框架上；及一金屬焊墊，形成在該非導電性框架上，並且與該電極框架產生電性連接。
  28. 如申請專利範圍第27項所述之具有外移式電極之垂直發光二極體，更包含：一鏡面層，形成在該導電性基底與該半導體磊晶結構之間。
  29. 如申請專利範圍第27項所述之具有外移式電極之垂直發光二極體，其中該導電性基底為Cu、Ni、Ag、Au、Co、Al、Sn、W、Mo、Pd、Pt、Rh、或其合金。
  30. 如申請專利範圍第27項所述之具有外移式電極之垂直發光二極體，其中該導電性基底為Si、SiC、Ge、GaAs、InP、GaN、或石墨。
  31. 如申請專利範圍第27項所述之具有外移式電極之垂直發光二極體，更包含：一反射層，形成在該非導電性框架的表面上。
  32. 如申請專利範圍第31項所述之具有外移式電極之垂直發光二極體，其中該反射層係由高反射性金屬或多層介質膜堆疊體所構成。
  33. 如申請專利範圍第31項所述之具有外移式電極之垂直發光二極體，其中該反射層為Ag或Al。
  34. 如申請專利範圍第31項所述之具有外移式電極之垂直發光二極體，其中該反射層係使用下列至少其中一種方法加以形成：電鍍、無電電鍍、物理氣相沉積、化學氣相沉積、蒸鍍、濺鍍、噴塗、網版印刷、噴墨印刷或其結合。
  35. 如申請專利範圍第27項所述之具有外移式電極之垂直發光二極體，更包含：一螢光體，位於該非導電性框架內。
  36. 如申請專利範圍第35項所述之具有外移式電極之垂直發光二極體裝置，其中該螢光體係藉由下列方式加以設置：塗佈、噴塗、網版印刷、噴墨印刷、或點膠。
  37. 如申請專利範圍第27項所述之具有外移式電極之垂直發光二極體，其中該電極框架係由金屬或金屬合金所製成。
  38. 如申請專利範圍第37項所述之具有外移式電極之垂直發光二極體，其中該電極框架為Al、Ni、Au、Ti、Pt、Cu、Cr、Pd、Bi、或其合金。
  39. 如申請專利範圍第38項所述之具有外移式電極之垂直發光二極體，其中該電極框架更包含TaN、TiN、Si。
  40. 如申請專利範圍第37項所述之具有外移式電極之垂直發光二極體，其中該電極框架係使用下列至少其中一種方法加以形成：電鍍、無電電鍍、物理氣相沉積、化學氣相沉積、蒸鍍、濺鍍、噴塗、網版印刷、噴墨印刷或其結合。
  41. 如申請專利範圍第38項所述之具有外移式電極之垂直發 光二極體，其中該電極框架係使用下列至少其中一種方法加以形成：電鍍、無電電鍍、物理氣相沉積、化學氣相沉積、蒸鍍、濺鍍、噴塗、網版印刷、噴墨印刷或其結合。
  42. 如申請專利範圍第27項所述之具有外移式電極之垂直發光二極體，其中該非導電性框架的寬度係介於約1μm到約200μm之間。
  43. 如申請專利範圍第27項所述之具有外移式電極之垂直發光二極體，其中該非導電性框架的高度係介於約1μm到約200μm之間。
  44. 如申請專利範圍第42項所述之具有外移式電極之垂直發光二極體，其中該非導電性框架的高度係介於約1μm到約200μm之間。
  45. 如申請專利範圍第27項所述之具有外移式電極之垂直發光二極體，其中該金屬焊墊係由金屬或金屬合金所製成。
  46. 如申請專利範圍第45項所述之具有外移式電極之垂直發光二極體，其中該金屬焊墊為Al、Ti、Cu、Ni、Au、Ag、Co、Fe、Sn、Pd、Bi、或其合金。
  47. 如申請專利範圍第27項所述之具有外移式電極之垂直發光二極體，其中該非導電性框架為感光性材料或非感光性材料。
  48. 如申請專利範圍第47項所述之具有外移式電極之垂直發光二極體，其中該感光性材料為光阻或光固化材料。
  49. 如申請專利範圍第48項所述之具有外移式電極之垂直發 光二極體，其中該光阻為乾膜光阻。
  50. 如申請專利範圍第48項所述之具有外移式電極之垂直發光二極體，其中該光固化材料包含光固化樹脂。
  51. 如申請專利範圍第50項所述之具有外移式電極之垂直發光二極體，其中該光固化樹脂包含光固化環氧樹脂。
  52. 如申請專利範圍第47項所述之具有外移式電極之垂直發光二極體，其中該非感光性材料為有機聚合物或無機材料。
  53. 如申請專利範圍第52項所述之具有外移式電極之垂直發光二極體，其中該有機聚合物為聚亞醯胺、聚對二甲苯、矽酮樹脂、或環氧樹脂。
  54. 如申請專利範圍第52項所述之具有外移式電極之垂直發光二極體，其中該無機材料為陶瓷、玻璃、SiO2 、Al2 O3 、Si3 N4 、ZnO、Ta2 O5 、TiO2 、HfO、或MgO。
  55. 一種具有外移式電極之垂直發光二極體裝置，包含：一導線架，由一底座與一或多個導電區段所構成；如申請專利範圍第27項所述之垂直發光二極體，設置在該底座上；及一或多條導線，用以使該垂直發光二極體的金屬焊墊與該導線架的導電區段相連接。
  56. 如申請專利範圍第55項所述之具有外移式電極之垂直發光二極體裝置，更包含：一螢光體，位於該垂直發光二極體的非導電性框架內。
  57. 如申請專利範圍第56項所述之具有外移式電極之垂直發光二極體裝置，更包含：一封裝體，用以包覆該垂直發光二極體與該螢光體。
  58. 如申請專利範圍第55項所述之具有外移式電極之垂直發光二極體裝置，更包含：一螢光體，用以包覆該垂直發光二極體。
  59. 如申請專利範圍第58項所述之具有外移式電極之垂直發光二極體裝置，更包含：一封裝體，用以包覆該螢光體。
  60. 如申請專利範圍第56項所述之具有外移式電極之垂直發光二極體裝置，其中該螢光體係藉由下列方式加以設置：塗佈、噴塗、網版印刷、噴墨印刷、或點膠。
  61. 如申請專利範圍第58項所述之具有外移式電極之垂直發光二極體裝置，其中該螢光體係藉由下列方式加以設置：塗佈、噴塗、網版印刷、噴墨印刷、或點膠。
  62. 一種具有框架的發光二極體，包含：一導電性基底；一半導體磊晶結構，包含：一p-GaN層，形成在該導電性基底上；一活化層，形成在該p-GaN層上；及一n-GaN層，形成在該活化層上；一接觸電極，形成在該半導體磊晶結構上；一鈍化層，形成在該半導體磊晶結構的周圍；及一框架，形成在該鈍化層上，且與該n-GaN層之上表面的外側相接觸。
  63. 如申請專利範圍第62項所述之具有框架的發光二極體，更包含：一鏡面層，形成在該導電性基底與該半導體磊晶結構之間。
  64. 如申請專利範圍第62項所述之具有框架的發光二極體，其中該導電性基底為Cu、Ni、Ag、Au、Co、Al、Sn、W、Mo、Pd、Pt、Rh、或其合金。
  65. 如申請專利範圍第62項所述之具有框架的發光二極體，其中該導電性基底為Si、SiC、Ge、GaAs、InP、GaN、或石墨。
  66. 如申請專利範圍第62項所述之具有框架的發光二極體，更包含：一反射層，形成在該框架的表面上。
  67. 如申請專利範圍第66項所述之具有框架的發光二極體，其中該反射層係由高反射性金屬或多層介質膜堆疊體所構成。
  68. 如申請專利範圍第66項所述之具有框架的發光二極體，其中該反射層為Ag或Al。
  69. 如申請專利範圍第66項所述之具有框架的發光二極體，其中該反射層係使用下列至少其中一種方法加以形成：電鍍、無電電鍍、物理氣相沉積、化學氣相沉積、蒸鍍、濺鍍、噴塗、網版印刷、噴墨印刷或其結合。
  70. 如申請專利範圍第62項所述之具有框架的發光二極體，更包含：一螢光體，位於該框架內。
  71. 如申請專利範圍第70項所述之具有框架的發光二極體，其中該螢光體係藉由下列方式加以設置：塗佈、噴塗、網版印刷、噴墨印刷、或點膠。
  72. 如申請專利範圍第62項所述之具有框架的發光二極體，其中該框架係由金屬或金屬合金所製成。
  73. 如申請專利範圍第72項所述之具有框架的發光二極體，其中該框架為Al、Ti、Cu、Ni、Au、Ag、Co、Fe、Sn、或其合金。
  74. 如申請專利範圍第72項所述之具有框架的發光二極體，其中該框架係使用下列至少其中一種方法加以形成：電鍍、無電電鍍、物理氣相沉積、化學氣相沉積、蒸鍍、濺鍍、噴塗、網版印刷、噴墨印刷或其結合。
  75. 如申請專利範圍第73項所述之具有框架的發光二極體，其中該框架係使用下列至少其中一種方法加以形成：電鍍、無電電鍍、物理氣相沉積、化學氣相沉積、蒸鍍、濺鍍、噴塗、網版印刷、噴墨印刷或其結合。
  76. 如申請專利範圍第62項所述之具有框架的發光二極體，其中該框架係由異方性導電膜或導電膠所製成。
  77. 如申請專利範圍第76項所述之具有框架的發光二極體，其中該導電膠包含銀膠。
  78. 如申請專利範圍第62項所述之具有框架的發光二極體，其中該框架的寬度係介於約1μm到約200μm之間。
  79. 如申請專利範圍第62項所述之具有框架的發光二極體，其中該框架的高度係介於約1μm到約200μm之間。
  80. 如申請專利範圍第78項所述之具有框架的發光二極體，其中該框架的高度係介於約1μm到約200μm之間。
  81. 如申請專利範圍第62項所述之具有框架的發光二極體，其中該框架為感光性材料或非感光性材料。
  82. 如申請專利範圍第81項所述之具有框架的發光二極體，其中該感光性材料為光阻或光固化材料。
  83. 如申請專利範圍第82項所述之具有框架的發光二極體，其中該光阻為乾膜光阻。
  84. 如申請專利範圍第83項所述之具有框架的發光二極體，其中該光固化材料包含光固化樹脂。
  85. 如申請專利範圍第84項所述之具有框架的發光二極體，其中該光固化樹脂包含光固化環氧樹脂。
  86. 如申請專利範圍第81項所述之具有框架的發光二極體，其中該非感光性材料為有機聚合物或無機材料。
  87. 如申請專利範圍第86項所述之具有框架的發光二極體，其中該有機聚合物為聚亞醯胺、聚對二甲苯、矽酮樹脂、或環氧樹脂。
  88. 如申請專利範圍第86項所述之具有框架的發光二極體，其中該無機材料為陶瓷、玻璃、SiO2 、Al2 O3 、Si3 N4 、ZnO、Ta2 O5 、 TiO2 、HfO、或MgO。
  89. 一種垂直發光二極體裝置，包含：一導線架，由一底座與一或多個導電區段所構成；如申請專利範圍第62項所述之垂直發光二極體，設置在該底.座上；及一或多條導線，用以使該垂直發光二極體的接觸電極與該導線架的導電區段相連接。
  90. 如申請專利範圍第89項所述之垂直發光二極體裝置，更包含：一螢光體，位於該垂直發光二極體的框架內。
  91. 如申請專利範圍第90項所述之垂直發光二極體裝置，更包含：一封裝體，用以包覆該垂直發光二極體與該螢光體。
  92. 如申請專利範圍第89項所述之垂直發光二極體裝置，更包含：一螢光體，用以包覆該垂直發光二極體。
  93. 如申請專利範圍第92項所述之垂直發光二極體裝置，更包含：一封裝體，用以包覆該螢光體。
  94. 如申請專利範圍第90項所述之垂直發光二極體裝置，其中該螢光體係藉由下列方式加以設置：塗佈、噴塗、網版印刷、噴墨印刷、或點膠。
  95. 如申請專利範圍第92項所述之垂直發光二極體裝置，其中 該螢光體係藉由下列方式加以設置：塗佈、噴塗、網版印刷、噴墨印刷、或點膠。
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