KR101296353B1 - 외향배치된 전극을 가지는 수직 발광다이오드 - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 외향배치된 전극을 가지는 수직 발광다이오드에 관한 것으로서, 이 수직 발광다이오드는, 도전성 베이스, 상기 도전성 베이스 상에 형성된 반도체 에피택셜구조, 상기 반도체 에피택셜구조의 주변에 형성된 둔화층, 및 상기 둔화층 상에 형성된 도전성 프레임을 구비하고, 이 도전성 프레임은, 상기 반도체 에피택셜구조의 상면의 가장자리에 접촉하여, 상기 도전성 프레임이 상기 반도체 에피택셜구조에 전기적으로 연결되도록 한다.
Description
본 출원은, 2009년 11월 6일자로 출원된 대만 출원 제98137665에 우선권을 주장한다. 상기 대만 출원의 개시내용은 모두 참조에 의하여 여기에 포함되어 있다.
본 발명은, 수직 발광다이오드(VLED; Vertical Light Emitting Diode)에 관한 것으로서, 보다 상세히는, 외향으로 배치된 전극을 가지는 VLED에 관한 것이다.
종래의 LED의 구조에 있어서는, 접촉전극이 발광영역 내에 배치되어 있어서, 발광영역의 일부를 차지하게 되어서, 광출사효율의 저하를 초래한다. 또한, 봉합된 후에는, LED패키지는, 반원형 또는 타원형 단면을 가지는 돔(dome)을 가지게 되고, 광은 그곳으로부터 모든 방향으로 방사된다. 또한, LED패키지 내부에는 대개 형광체가 포함되어 있어서, LED칩에서 발광된 광이 백색광이나 파장이 상이한 광으로 변환된다. 통상적으로, 형광체는 불균일하게 분산되기 쉬워서, LED는 주변부에서 옐로 할로(yellow halo) 현상을 가지는 불균일 색온도 및 광 패턴을 가지는 광을 발광한다.
상기 문제를 해결하기 위하여, 미국특허 제6,674,096 B2는, LED패키지의 외측표면에 대한 디자인에 의하여 균일발광을 생성하는 방법을 개시하고 있다. 그리고, 미국특허 제7,111,964 B2는, 발광균일성을 개선하는 방법을 개시하고 있는데, 여기서는, LED칩이 형광체로 직접 코팅되어 있다.
하지만, 상기 문헌들은, 불균일 형광체 분산에 관한 문제도, 접촉전극이 발광영역의 일부를 차지하는 문제도, 모두 해결하지 못하였다.
상기 문제를 감안하여, 본 발명의 일실시예는, 외향배치된 전극을 가지는 VLED를 제공하며, 이는 다음을 구비한다: 도전성 베이스; 상기 도전성 베이스 상에 형성된 반도체 에피택셜구조; 상기 반도체 에피택셜구조의 주변에 형성된 둔화(passivation)층; 및 상기 둔화층 상에 형성되는 도전성 프레임. 여기서, 상기 도전성 프레임이 상기 반도체 에피택셜구조에 전기적으로 연결되도록 상기 반도체 에피택셜구조의 상면의 가장자리와 접촉한다.
본 발명의 다른 실시예는, 외향배치된 전극을 가지는 VLED를 제공하며, 이는 다음을 구비한다: 도전성 베이스; 상기 도전성 베이스 상에 형성된 반도체 에피택셜구조; 상기 반도체 에피택셜구조의 주변에 형성된 둔화층; 상기 반도체 에피택셜구조의 상면의 가장자리에 형성되어, 상기 반도체 에피택셜구조에 전기적으로 연결되는 전극프레임; 상기 둔화층과 상기 전극프레임의 일부 상에 형성되는 비도전성 프레임; 및 상기 비도전성 프레임 상에 형성되어 상기 전극프레임에 전기적으로 연결되는 본드패드(bond pad).
본 발명의 또 다른 실시예는, 프레임을 가지는 LED를 제공하며, 이는 다음을 구비한다: 도전성 베이스; 상기 도전성 베이스 상에 형성된 반도체 에피택셜구조; 상기 반도체 에피택셜구조 상에 배치된 접촉전극; 상기 반도체 에피택셜구조의 주변에 형성된 둔화층; 및 상기 둔화층 상에 형성된 프레임.
본 발명의 기타 측면 및 장점들은, 본 발명의 예시로서 설명하고 있는 첨부도면과 함께 참고하는, 이하의 상세한 설명으로부터 보다 명확해질 것이다.
본 발명에 의하면, 불균일 형광체 분산 문제와 접촉전극이 발광영역의 일부를 차지하는 문제가 동시에 모두 해결된다.
본 출원의 첨부도면에 있어서, 동일 참조부호는 유사한 구성요소에 대하여 사용된다.
도 1a는, 본 발명의 실시예에 의한 도전성 프레임을 가지는 VLED를 나타내는 사시도이다.
도 1b는, 도 1a의 VLED를 나타내는 단면도이다.
도 2a는, 본 발명의 다른 실시예에 의한 VLED를 나타내는 사시도이다.
도 2b는, 도 2a의 VLED를 나타내는 단면도이다.
도 3은, 본 발명의 일실시예에 의한 프레임을 가지는 VLED를 나타내는, 웨이퍼-레벨 처리과정 중의 실제 이미지이다.
도 4는, 본 발명의 다른 실시예에 의한 VLED를 나타내는 단면도이다.
도 5a는, 본 발명의 일실시예에 의한 패키징된 VLED를 나타내는 단면도이다.
도 5b는, 본 발명의 다른 실시예에 의한 패키징된 VLED를 나타내는 단면도이다.
도 5c는, 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 패키징된 VLED를 나타내는 단면도이다.
도 1a는, 본 발명의 실시예에 의한 도전성 프레임을 가지는 VLED를 나타내는 사시도이다.
도 1b는, 도 1a의 VLED를 나타내는 단면도이다.
도 2a는, 본 발명의 다른 실시예에 의한 VLED를 나타내는 사시도이다.
도 2b는, 도 2a의 VLED를 나타내는 단면도이다.
도 3은, 본 발명의 일실시예에 의한 프레임을 가지는 VLED를 나타내는, 웨이퍼-레벨 처리과정 중의 실제 이미지이다.
도 4는, 본 발명의 다른 실시예에 의한 VLED를 나타내는 단면도이다.
도 5a는, 본 발명의 일실시예에 의한 패키징된 VLED를 나타내는 단면도이다.
도 5b는, 본 발명의 다른 실시예에 의한 패키징된 VLED를 나타내는 단면도이다.
도 5c는, 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 패키징된 VLED를 나타내는 단면도이다.
도 1a는, 본 발명의 실시예에 의한 도전성 프레임을 가지는 VLED(수직 발광다이오드)(100)를 나타내는 사시도이다. 도 1b는, 도 1a의 VLED(100)를 나타내는 단면도이다. VLED(100)는, 도 1a 및 도 1b에 나타낸 바와 같이, 다음을 구비한다: 도전성 베이스(1), 둔화층(3), 도전성 프레임(5), n-GaN층(7), 액티브층(9), p-GaN층(11), 및 미러층(13). 반도체 에피택셜구조는, 상기 n-GaN층(7), 상기 액티브층(9) 및 상기 p-GaN층(11)으로 구성된다. 도전성 프레임(5)은, 둔화층(3) 상에 형성되고, VLED(100)의 상기 반도체 에피택셜구조의 상면의 가장자리와 접촉하는데, 이 경우에, 전류가 턴온되어 상기 n-GaN층(7)을 통하여 흐르도록 옴 접촉이 형성될 수 있다. 말하자면, 상기 도전성 프레임(5)은, VLED(100)의 접촉전극으로서 이용될 수 있다. 상기 도전성 프레임(5)에는, 개구(15)가 구비되어 있어서, 상기 n-GaN층(7)은, 상기 개구(15)를 통하여 상기 도전성 프레임(5)으로부터 노출된다. 상기 도전성 베이스(1)는, Cu, Ni, Ag, Au, Co, Al, Sn, W, Mo, Pd, Pt, Rh 또는 이들의 합금으로 만들어질 수 있다. 또한, 상기 도전성 베이스(1)는, Si, SiC, Ge, GaAs, InP, GaN, 또는 그라파이트로 만들어질 수 있다.
P-N 절연을 위하여, 상기 둔화층(3)이, 상기 반도체 에피택셜구조의 주변에 형성된다. 예컨대, 상기 도전성 프레임(5)은, Al, Ti, Cu, Ni, Au, Ag, Co, Fe, Sn, 및 이들의 합금과 같은, 금속 또는 금속합금으로 만들어질 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에 있어서, 상기 도전성 프레임(5)은, 이방성 도전필름(ACF; Anisotropic Conductive Film), 도전성 접착제(예컨대 은 페이스트) 또는 기타 도전성 물질로 만들어질 수 있다. 상기 도전성 프레임(5)은, 예컨대, 전기도금, 무전해도금, PVD(Physical Vapor Deposition; 드라이 플레이팅), CVD(Chemical Vapor Deposition; 화학증착), 증발, 스퍼터링, 스프레이 코팅, 스크린 프린팅, 인젝트 프린팅, 및 이들의 조합 중 하나의 사용에 의하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 프레임(5)은, 약 1㎛에서 약 200㎛ 사이의 폭(W1), 및 약 1㎛에서 약 200㎛ 사이의 높이(H1)를 가진다.
상기 도전성 프레임(5)이, 상기 발광영역 내에 배치된 종래의 접촉전극 대신에 VLED(100)의 상기 발광영역(즉, 상기 반도체 에피택셜구조)의 가장자리에 형성되어 있기 때문에, 발광의 유효면적이 증대되어, 광출사효율이 증가되게 된다.
도 2a는, 본 발명의 다른 실시예에 의한 VLED(200)를 나타내는 사시도이다. 도 2b는, 도 2a의 VLED(200)를 나타내는 단면도이다. VLED(200)는, 도 2a 및 도 2b에 나타낸 바와 같이, 다음을 구비한다: 도전성 베이스(1), 둔화층(3), n-GaN층(7), 액티브층(9), p-GaN층(11), 미러층(13), 비(非)도전성 프레임(17), 본드패드(bond pad)(19), 및 전극프레임(21). 반도체 에피택셜구조는, 상기 n-GaN층(7), 상기 액티브층(9) 및 상기 p-GaN층(11)으로 구성된다. 상기 전극프레임(21)은, VLED(200)의 상기 반도체 에피택셜구조의 상면의 가장자리에 형성되어, 상기 n-GaN층(7)에 전기적으로 연결된다. 그 후, 상기 비도전성 프레임(17)이, 상기 전극프레임(21)의 일부 위에 형성된다. 따라서, 상기 비도전성 프레임(17)도 상기 반도체 에피택셜구조의 가장자리에 배치되어 있다. 상기 비도전성 프레임(17)은, 상기 둔화층(3) 위에도 형성되어 있고, 상기 본드패드(19)는, 상기 비도전성 프레임(17) 상에 형성되어 상기 전극프레임(21)에 전기적으로 연결된다. 상기 본드패드(19) 및 상기 전극프레임(21)의 상기 배치 및 연결을 이용함으로써, 전류가 턴온되어 상기 n-GaN층(7)을 통하여 흐른다. 상기 비도전성 프레임(17)에 개구(23)가 구비되어 있어서, 상기 n-GaN층(7)이 상기 개구(23)를 통하여 상기 비도전성 프레임(17)으로부터 노출되어 있다.
예컨대, 상기 비도전성 프레임(17)은, 포토레지스트(예컨대 드라이 필름 레지스트), 광중합(light-curing) 재료(예컨대 광중합 에폭시와 같은 광중합 수지)와 같은, 감광성 재료로 만들어질 수도 있다. 비도전성 프레임(17)은, 유기 고분자(폴리이미드, 파릴렌, 실리콘, 에폭시 등 포함), 기타 무기 재료(세라믹, 유리, SiO2, Al2O3, Si3N4, ZnO, Ta2O5, TiO2, HfO, MgO 등 포함)와 같은 비(非)감광성 재료로 만들어질 수도 있다. 본드패드(19)는, 예컨대 전기도금, 무전해도금, PVD, CVD, 증발, 스퍼터링, 스프레이 코팅, 스크린 프린팅, 인젝트 프린팅, 및 이들의 조합 중 하나를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 비도전성 프레임(17)은, 약 1㎛에서 약 200㎛ 사이의 폭(W2), 및 약 1㎛에서 약 200㎛ 사이의 높이(H2)를 가진다. 예컨대, 상기 본드패드(19)는, Al, Ti, Cu, Ni, Au, Ag, Co, Fe, Sn, Pd, Bi 및 이들의 합금과 같은 금속 또는 금속합금으로 만들어질 수 있다. 또한, 상기 전극프레임(21)은, 예컨대 전기도금, 무전해도금, PVD, CVD, 증발, 스퍼터링, 스프레이 코팅, 스크린 프린팅, 인젝트 프린팅, 및 이들의 조합 중 하나를 이용하여 형성될 수 있다. 본 발명의 실시예에 있어서, 상기 전극프레임(21)은, Al, Ni, Au, Ti, Pt, Cu, Cr, Pd, Bi 또는 이들의 합금으로 만들어질 수 있고, 합금에는 그 도전성을 증가시키기 위하여 TaN, TiN, Si같은 재료가 도핑될 수 있다.
상기 비도전성 프레임(17) 및 상기 전극프레임(21)이, 상기 발광영역 내에 형성된 종래의 접촉전극 대신에 VLED(200)의 상기 발광영역(즉 상기 반도체 에피택셜구조)의 가장자리에 형성되므로, 발광을 위한 유효면적이 확대되어, 광출사효율이 증가된다.
도 3은, 본 발명의 일실시예에 의한 프레임을 가지는 VLED를 나타내는, 웨이퍼-레벨 처리과정 중의 실제 이미지이다. 웨이퍼 제작이 완료되면, 프레임을 가지는 VLED칩들을 얻기 위하여 웨이퍼 스크라이빙과 같은 분리과정이 이용될 수 있다.
도 4는, 본 발명의 다른 실시예에 의한 VLED(400)를 나타내는 단면도이다. VLED(400)는, 도 1b에 나타낸 VLED(100)의 구조와 유사한 구조를 가진다. 이들 사이의 차이점은, VLED(400)가 반사층(27)을 구비한다는 점이고, 이 반사층은 프레임(25)의 표면상에 형성되어 있어서, VLED(400)으로부터 발광된 광을 외부로 반사시키는 것을 도와준다. 보다 상세히는, 상기 프레임(25) 상에 발광된 광은, 상향으로(도 4에서 화살표 A로 표시된 바와 같이) VLED(400)의 반도체 에피택셜구조(상기 n-GaN층(7), 상기 액티브층(9) 및 상기 p-GaN층(11)으로 구성됨)로부터 멀어지도록 반사층(27)에 의하여 반사될 수 있어서, 광이 상기 프레임(25)에 의하여 흡수되는 것을 방지하여, 광출사효율의 증가를 가져온다. 도 2a 및 도 2b에 도시되지는 않았지만, 본 실시예에서 개시된 상기 반사층(27)은, 상기 도면에 개시된 VLED(200)에 적용될 수도 있다. 말하자면, 상기 반사층(27)은, 상기 비도전성 프레임(17)(도 2a 및 도 2b)의 표면상에 형성될 수도 있다. 상기 반사층(27)은, Ag, Al, 기타 높은 반사성 재료, 또는 기타 복층 유전체 필름 스택으로 만들어질 수 있다. 상기 반사층(27)은, 전기도금, 무전해도금, PVD, CVD, 증발, 스퍼터링, 스프레이 코팅, 스크린 프린팅, 인젝트 프린팅, 및 이들의 조합 중 하나를 이용하여 형성될 수 있다.
이하, 본 발명에 의한 프레임을 가지는 패키징된 VLED에 관한 다양한 실시예가 설명된다.
도 5a는, 본 발명의 일실시예에 의한 패키징된 VLED(500A)를 나타내는 단면도이다. 도 5b는, 본 발명의 다른 실시예에 의한 패키징된 VLED(500B)를 나타내는 단면도이다. 도 5c는, 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 패키징된 VLED(500C)를 나타내는 단면도이다. 도 5a에 도시된 바와 같이, 리드프레임(35)은, 제1 도전성 섹터(35A), 베이스프레임(35B), 및 제2 도전성 섹터(35C)를 구비하고, 여기서 갭(36)이 상기 베이스프레임(35B)과 상기 도전성 섹터들(35A, 35C) 사이에 각각 존재한다. 도 5a에 도시된 바와 같이, VLED(500A)는, 상기 리드프레임(35)의 상기 베이스프레임(35B) 상에 마운트되어 있고, 와이어(31) 및 본드패드(32)를 통하여 상기 리드프레임(35)의 상기 도전성 섹터들(35A, 35C)에 전기적으로 연결되어 있다. 다만 도면에는 2개의 와이어(31)와 하나의 본드패드(32)가 도시되어 있지만, 다양한 요구사항에 따라서 본드패드 뿐 아니라 와이어의 수를 변경시킬 수 있다. 도 1a 및 도 1b에 도시된 상기 도전성 프레임(5)을 사용할 때에는, VLED(100)의 상기 도전성 프레임(5)이 상기 와이어(31)를 통하여 상기 리드프레임의 상기 도전성 섹터에 연결된다. 도 2a 및 도 2b에 도시된 비도전성 프레임(17)을 이용할 때에는, VLED(200)의 상기 본드패드(19)가 상기 와이어(31)를 통하여 상기 리드프레임의 상기 도전성 섹터에 연결된다.
종래의 LED패키지의 구조에 있어서는, LED패키지가 반원형 또는 타원형 단면을 가지는 돔을 가지므로, 광이 거기에서 모든 방향으로 발광된다. 또한, 형광체가 균일하게 분산되기 어려우므로, LED패키지는 주변에 옐로 할로 현상을 가지는 불균일 색온도 및 광 패턴을 가지는 광을 발하는 경향을 가진다.
본 발명의 실시에에 의하면, 프레임(29)이 VLED(500A) 내에 배치되어 있기 때문에, 형광체(33)가 상기 프레임(29) 내에 한정되어 형광체(33)가 상기 프레임(29) 내에서 균일하게 분포될 수 있다. 상기 형광체(33)는, 코팅, 스프레이 코팅, 스크린 프린팅, 인젝트 프린팅, 또는 디스펜싱의 이용에 의하여 배치될 수 있다. VLED(500A)는, VLED(500A), 상기 와이어(31) 및 상기 본드패드(32)를 그 안에 봉합하기 위하여 봉합재(encapsulant)(37)의 이용에 의하여 패키징될 수 있고, 이로써 충격이나 산화에 기인한 형광체 부식에 의한 장치손상으로부터 보호될 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에 의하면, 상기 리드프레임의 상기 도전성 섹터 상에 상기 본드패드(32)가 직접 형성될 수 있으므로, 상기 본드패드(32)는 생략된다. 본 발명의 실시예에 있어서, 상기 봉합재는, 에폭시 또는 실리콘수지로 만들어진다. 도 5a에 화살표 B로 나타낸 바와 같이, 광은, VLED(500A)로부터 수직방향으로 발광된다. 상기 프레임(29) 내에 균일하게 분포된 상기 형강체(33)를 통하여, VLED(500A)로부터 발광되는 광이 전환되어 균일한 색온도를 가지며, 형광체의 양의 저감 및 비용 저감이 도모된다.
도 5b 및 도 5c에 있어서, 도 5a에 있어서와 동일한 참조부호는, 간이성을 위하여 생략되어 있다.
도 5b는 2가지 상황을 나타낸다. 첫째로, 상기 프레임은 상이한 입자크기를 가지는 형광체(39)로 채워져 있다. 둘째로, 상이한 제조방법으로 인하여, 형광체(39)가 상기 프레임에 넘치지만 표면장력으로 인하여 잔존하고 있다. 형광체(39)는, 코팅, 스프레이 코팅, 스크린 프린팅, 인젝트 프린팅, 또는 디스펜싱의 이용에 의하여 배치될 수 있다.
도 5c에 도시된 바와 같이, 형광체(41)는 상기 프레임 내부로 한정되지 않는다. 보다 상세히는, VLED(500C)는 형광체(41)에 의하여 봉합되어 있다. 그 후, 형광체(41)는, 봉합재(43)에 의하여 봉합되어 있다. 형광체(41)는, 코팅, 스프레이 코팅, 스크린 프린팅, 인젝트 프린팅, 또는 디스펜싱의 이용에 의하여 배치될 수 있다. 도 5a~도 5c에 도시된 상기 실시예들은, 도 1a~도 1b, 도 2a~도 2b 및 도 4에 도시된 것들에 동시에 적용될 수 있다.
또한, 도 1a에 도시된 구조는, 간이성을 위하여 본 발명의 다른 실시예의 해석에 이용될 수 있고, 여기서 형광체는 특정위치에 배치되고 상기 접촉전극은 외향으로 쉬프트되지 않으며, 여기서, VLED의 상기 프레임은 도전성이거나 비도전성이고, 그것의 상기 접촉전극(미도시)은 상기 발광영역(즉 상기 반도체 에피택셜구조) 내에 형성되며, 옴 접촉이 상기 접촉전극과 상기 n-GaN층(7) 사이에 형성된다. 따라서, 형광체는, 상기 도전성 또는 비도전성 프레임의 설치에 의하여 어느 예정된 영역 내에 한정될 수 있다. 본 실시예에서 설명된 VLED는, 도 5a~도 5c에 도시된 실시예에 적용될 수 있고, 여기서 VLED의 접촉전극은, 와이어를 통하여 상기 리드프레임의 상기 도전성 섹터에 연결된다. 본 실시예에서 설명된 상기 프레임은, 도 1a, 도 1b, 도 2a, 도 2b 및 도 4에서 설명된 실시예의 것과 동일한 재료, 치수 및 응용성을 가지며, 그 상세는 여기서 설명하지 않는다.
본 발명은, 외향으로 배치된 전극을 가지는 VLED구조를 제공한다. 상기 접촉전극이 외향으로 배치되므로, VLED의 발광영역이 증가되어, 광출사효율의 증가가 도모된다. 보다 상세히는, 본 발명의 실시예에 의하면, VLED의 상기 접촉전극은 발광영역의 외부에 형성될 수 있고, 이로써 종래의 접촉전극에 의하여 점유되고 있었던 영역을 회수하여 VLED의 광출사효율을 증가시킨다. 이상을 요약하면, 본 발명은 이하의 장점을 가진다: (1) 상기 프레임을 가지는 VLED는 형광체의 분포를 효율적으로 한정할 수 있으므로, 광이 모든 각도에서 보다 균일한 색온도 분포를 가져서, 효율적 비용저감 및 수율향상이 도모된다; 또한 (2) 상기 본드패드가 외향으로 배치되고 독립적으로 상기 프레임 상에 형성되므로, VLED의 발광영역을 차지하지 않아서, 광출사효율의 증가 및 VLED로부터의 균일한 발광이 도모된다.
이상, 본 발명의 몇 가지 실시예가 설명되었지만, 본 발명의 범위는, 이에 첨부된 청구범위에 의하여 한정되지 않는 한, 이 상세한 설명에 의해서는 한정되지 않는 것을 의도하는 것이다. 또한, 하기 첨부되는 청구범위는, 본 발명의 진정한 사상과 범위 내에 드는 모든 변형, 치환, 및 균등물을 포함하는 것으로 해석되는 것을 의도하고 있다.
1 도전성 베이스 3 둔화층 5 도전성 프레임 7 n-GaN층 9 액티브층 11 p-GaN층 13 미러층 15 개구 17 비도전성 프레임 19 본드패드 21 전극프레임 23 개구 25 프레임 27 반사층 29 프레임 31 와이어 32 본드패드 33 형광체 35 리드프레임 35A 제1 도전성 섹터 35B 베이스프레임 35C 제2 도전성 섹터 36 갭 37 봉합재 39 형광체 41 형광체 43 봉합재 100, 200, 400, 500A, 500B, 500C VLED H1, H2 높이 W1, W2 폭
Claims (22)
- 외향배치된 전극을 가지는 수직 발광다이오드로서,
도전성 베이스;
상기 도전성 베이스 상에 배치된 반도체 에피택셜구조;
상기 반도체 에피택셜구조의 주변에 형성된 둔화(passivation)층; 및
상기 둔화층 상에 형성되는 도전성 프레임
을 구비하고,
상기 도전성 프레임이, 상기 반도체 에피택셜구조의 상면의 가장자리와 접촉하여, 상기 반도체 에피택셜구조에 전기적으로 연결되는 수직 발광다이오드. - 청구항 1에 있어서,
상기 도전성 베이스와 상기 반도체 에피택셜구조 사이에 형성된 미러층을 더욱 구비하는 수직 발광다이오드. - 청구항 1에 있어서,
상기 도전성 베이스가, Cu, Ni, Ag, Au, Co, Al, Sn, W, Mo, Pd, Pt, Rh, Si, SiC, Ge, GaAs, InP, GaN, 또는 그라파이트 또는 이들의 합금으로 만들어지는 수직 발광다이오드. - 청구항 1에 있어서,
상기 도전성 프레임의 표면상에 형성된 반사층을 더욱 구비하는 수직 발광다이오드. - 청구항 4에 있어서,
상기 반사층이, 반사성 금속 또는 복층 유전체 필름 스택으로 구성되는 수직 발광다이오드. - 청구항 1에 있어서,
상기 도전성 프레임 내에 배치된 형광체를 더욱 구비하는 수직 발광다이오드. - 청구항 1에 있어서,
상기 도전성 프레임이, 금속 또는 금속합금으로 만들어지는 수직 발광다이오드. - 청구항 1에 있어서,
상기 도전성 프레임이, Al, Ti, Cu, Ni, Au, Ag, Co, Fe, Sn, 또는 이들의 합금으로 만들어지는 수직 발광다이오드. - 외향배치된 전극을 가지는 수직 발광다이오드 장치로서,
베이스프레임 및 하나 이상의 도전성 섹터로 구성되는 프레임;
상기 베이스프레임 상에 배치된, 청구항 1에 기재된 수직 발광다이오드; 및
상기 프레임의 상기 도전성 섹터에 상기 수직 발광다이오드의 상기 도전성 프레임을 연결시키도록 구성된, 하나 이상의 와이어
를 구비하는 수직 발광다이오드 장치. - 청구항 9에 있어서,
상기 수직 발광다이오드의 상기 도전성 프레임 내에 배치된 형광체를 더욱 구비하는 수직 발광다이오드 장치. - 청구항 10에 있어서,
상기 수직 발광다이오드와 상기 형광체를 봉합하도록 구성된 봉합재를 더욱 구비하는 수직 발광다이오드 장치. - 외향배치된 전극을 가지는 수직 발광다이오드로서,
도전성 베이스;
상기 도전성 베이스 상에 배치된 반도체 에피택셜구조;
상기 반도체 에피택셜구조의 주변에 형성된 둔화층;
상기 반도체 에피택셜구조의 상면의 가장자리 위에 형성되어, 상기 반도체 에피택셜구조에 전기적으로 연결되는 전극프레임;
상기 둔화층 및 상기 전극프레임의 일부 위에 형성된 비(非)도전성 프레임; 및
상기 비도전성 프레임 상에 형성되어, 상기 전극프레임에 전기적으로 연결되는 본드패드(bond pad)
를 구비하는 수직 발광다이오드. - 청구항 12에 있어서,
상기 도전성 베이스와 상기 반도체 에피택셜구조 사이에 형성된 미러층을 더욱 구비하는 수직 발광다이오드. - 청구항 12에 있어서,
상기 비도전성 프레임 내에 배치된 형광체를 더욱 구비하는 수직 발광다이오드. - 청구항 12에 있어서,
상기 전극프레임이, Al, Ni, Au, Ti, Pt, Cu, Cr, Pd, Bi, Ta, Ti, Si 또는 이들의 합금으로 만들어지는 수직 발광다이오드. - 외향배치된 전극을 가지는 수직 발광다이오드 장치로서,
베이스프레임 및 하나 이상의 도전성 섹터로 구성되는 프레임;
상기 베이스프레임 상에 배치된, 청구항 12에 기재된 수직 발광다이오드; 및
상기 프레임의 상기 도전성 섹터에 상기 수직 발광다이오드의 상기 본드패드를 연결시키도록 구성된, 하나 이상의 와이어
를 구비하는 수직 발광다이오드 장치. - 청구항 16에 있어서,
상기 수직 발광다이오드의 상기 비도전성 프레임 내에 배치된 형광체를 더욱 구비하는 수직 발광다이오드 장치. - 청구항 16에 있어서,
상기 수직 발광다이오드를 봉합하도록 구성된 형광체를 더욱 구비하는 수직 발광다이오드 장치. - 프레임을 가지는 수직 발광다이오드로서,
도전성 베이스;
상기 도전성 베이스 상에 배치된 반도체 에피택셜구조;
상기 반도체 에피택셜구조상에 형성된 접촉전극;
상기 반도체 에피택셜구조의 주변에 형성된 둔화층; 및
상기 둔화층 상에 형성된 프레임
을 구비하는 수직 발광다이오드. - 청구항 19에 있어서,
상기 프레임의 표면상에 형성된 반사층을 더욱 구비하는 수직 발광다이오드. - 수직 발광다이오드 장치로서,
베이스프레임 및 하나 이상의 도전성 섹터로 구성되는 프레임;
상기 베이스프레임 상에 배치된, 청구항 19에 기재된 수직 발광다이오드; 및
상기 프레임의 상기 도전성 섹터에 상기 수직 발광다이오드의 상기 접촉전극이 연결되도록 구성된 하나 이상의 와이어
를 구비하는 수직 발광다이오드 장치. - 청구항 21에 있어서,
상기 수직 발광다이오드의 상기 프레임 내에 배치되는 형광체를 더욱 구비하는 수직 발광다이오드 장치.
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