CN102282685B - 具有外移式电极的垂直发光二极管 - Google Patents

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Abstract

本发明关于一种具有外移式电极的垂直发光二极管，其包含：一导电性衬底；一半导体外延结构，形成在该导电性衬底上；一钝化层，形成在该半导体外延结构的周围；以及一导电性框架，形成在该钝化层上，且与该半导体外延结构的上表面的外侧相接触，以使该导电性框架与该半导体外延结构产生电连接。

Description

具有外移式电极的垂直发光二极管
技术领域
本发明系关于一种垂直发光二极管，尤其，本发明系关于一种具有外移式电极的垂直发光二极管。
背景技术
在习知发光二极管的结构中，接触电极皆设置在发光区域内，因此必须占用发光区域的一部分发光面积，进而降低出光效率。此外，在发光二极管进行封装之后，其外观形状为半圆形或椭圆形，所以发光二极管的出光形式可能为四面八方。又，吾人通常会在封装结构中加入萤光体，藉以将发光二极管所发出的光转换成白光或具有其他波长的发射光，然而，由于萤光体通常难以均匀分布，因此容易造成发光二极管的发光色温的不均匀，并于光图案外圈经常有所谓黄晕的现象发生。
为解决上述问题，在美国专利第6,674,096 B2号中，揭露一种利用封装外膜设计形成出光对萤光体转换均匀的方法；以及在美国专利第7,111,964 B2号中，揭露一种将萤光体直接涂布在发光二极管晶片上以改善出光均匀度的方法。然而，上述专利文献并无法彻底解决位于封装体内的萤光体分布不均的问题以及接触电极占用发光区域的问题。
发明内容
鉴于上述问题，本发明的一实施例为一种具有外移式电极的垂直发光二极管，其包含：导电性衬底；半导体外延结构，形成在导电性衬底上；钝化层，形成在半导体外延结构的周围；以及导电性框架，形成在钝化层上，且与半导体外延结构的上表面的外侧相接触，以使导电性框架与半导体外延结构产生电连接。
本发明的另一实施例为一种具有外移式电极的垂直发光二极管，其包含：导电性衬底；半导体外延结构，形成在导电性衬底上；钝化层，形成在半导体外延结构的周围；电极框架，形成在半导体外延结构的上表面的外侧，并与半导体外延结构产生电连接；非导电性框架，形成在钝化层以及一部分的电极框架上；以及金属焊垫，形成在非导电性框架上，并且与电极框架产生电连接。
本发明的另一实施例为一种具有框架的发光二体体，其包含：导电性衬底；半导体外延结构，形成在导电性衬底上；接触电极，设置在半导体外延结构上；钝化层，形成在半导体外延结构的周围；以及框架，形成在钝化层上。
本发明的其他实施样态以及优点可从以下与用以例示本发明原理范例的附图相结合的详细说明而更显明白。
附图说明
在本发明的随附图式中，相同的元件以相同的元件符号加以表示；
图1A显示依照本发明的一实施例的具有导电性框架的垂直发光二极管的立体图；
图1B显示图1A的垂直发光二极管的剖面图；
图2A显示依照本发明的另一实施例的垂直发光二极管的立体图；
图2B显示图2A的垂直发光二极管的剖面图；
图3显示依照本发明的实施例的具有框架的垂直发光二极管在进行晶圆等级制作时的实际影像；
图4显示依照本发明的另一实施例的垂直发光二极管的剖面图；
图5A显示依照本发明的一实施例的垂直发光二极管在经过封装之后的剖面图；
图5B显示依照本发明的另一实施例的垂直发光二极管在经过封装之后的剖面图；及
图5C显示依照本发明的另一实施例的垂直发光二极管在经过封装之后的剖而图。
【主要元件符号说明】
1导电性衬底
3钝化层
5导电性框架
7n-GaN层
9活化层
11p-GaN层
13镜面层
15开口
17非导电性框架
19金属焊垫
21电极框架
23开口
25框架
27反射层
29框架
31导线
32焊垫
33萤光体
35导线架
35A第一导电区段
35B底座
35C第二导电区段
36间隙
37封装体
39萤光体
41萤光体
43封装体
100垂直发光二极管
200垂直发光二极管
400垂直发光二极管
500A垂直发光二极管
500B垂直发光二极管
500C垂直发光二极管
H1高度
H2高度
W1宽度
W2宽度
具体实施方式
图1A显示依照本发明的一实施例的具有导电性框架的垂直发光二极管(VLED，verticallight emitting diode)100的立体图；而图1B显示图1A的垂直发光二极管100的剖面图。如图1A与1B所示，发光二极管100包含：导电性衬底1、钝化层3、导电性框架5、n-GaN层7、活化层9、p-GaN层11、以及镜面层13。导电性框架5系形成在钝化层3的上方，并且与发光二极管100的半导体外延结构(由n-GaN层7、活化层9、以及p-GaN层11所构成)的上表面的外侧相接触(其可形成欧姆接触)，俾能使电流导通而流经n-GaN层7，即，导电性框架5可作为发光二极管100的接触电极。由于导电性框架5具有开口15，所以n-GaN层7可从导电性框架5的开口15裸露。导电性衬底1可为Cu、Ni、Ag、Au、Co、Al、Sn、W、Mo、Pd、Pt、Rh、或其合金。此外，导电性衬底1亦可为Si、SiC、Ge、GaAs、InP、GaN、或石墨。
为了P-N的绝缘，在此半导体外延结构的周围形成钝化层3。举例而言，导电性框架5可为金属或金属合金，例如Al、Ti、Cu、Ni、Au、Ag、Co、Fe、Sn、或其合金。在本发明的其他实施例中，导电性框架5可由异方性导电膜(ACF，anisotropic conductive film)或导电胶(例如银胶)或其他导电材料所形成。例如，导电性框架5可使用下列至少其中一种方法加以形成：电镀、无电电镀、物理气相沉积(PVD，physical vapor deposition)、化学气相沉积(CVD，chemical vapor deposition)、蒸镀、溅镀、喷涂、网版印刷(screen printing)、喷墨印刷(inject printing)或其结合。导电性框架5的宽度W1可介于约1μm到约200μm之间，而其高度H1可介于约1μm到约200μm之间。
由于导电性框架5系形成在垂直发光二极管100的发光区域(即，半导体外延结构)的外侧，并且使其取代原来形成在发光区域内的接触电极，因此能够增加可被利用的发光面积，进而提升出光效率。
图2A显示依照本发明的另一实施例的垂直发光二极管200的立体图；而图2B显示图2A的垂直发光二极管200的剖面图。如图2A与2B所示，发光二极管200包含：导电性衬底1、钝化层3、n-GaN层7、活化层9、p-GaN层11、以及镜面层13、非导电性框架17、金属焊垫19、以及电极框架21。电极框架21系形成在发光二极管200的半导体外延结构(由n-GaN层7、活化层9、以及p-GaN层11所构成)的上表面的外侧，而与n-GaN层7产生电连接，然后再将非导电性框架17形成于一部分的电极框架21上，因此非导电性框架17亦同样位于半导体外延结构的外侧。非导电性框架17亦同时被形成在钝化层3的上方；而金属焊垫19系形成在非导电性框架17上，并且与电极框架21产生电连接。藉由金属焊垫19以及电极框架21的设置与连接，俾能使电流导通而流经n-GaN层7。由于非导电性框架17具有开口23，所以n-GaN层7可从非导电性框架17的开口23裸露。
举例来说，非导电性框架17可为感光性材料，例如光刻胶(举例而言，其可为干膜光刻胶(dry film resist))、或光固化材料(举例而言，其可为光固化树脂，如光固化环氧树脂(epoxy))。非导电性框架17亦可为非感光性材料，例如有机聚合物，其包含聚亚酰胺(polyimide)、聚对二甲苯(parylene)、硅酮树脂(silicone)、环氧树脂等等；或其他无机材料，其包含陶瓷、玻璃、SiO2、Al2O3、Si3N4、ZnO、Ta2O5、TiO2、HfO、MgO等等。例如，金属焊垫19可使用下列至少其中一种方法加以形成：电镀、无电电镀、物理气相沉积、化学气相沉积、蒸镀、溅镀、喷涂、网版印刷、喷墨印刷或其结合。非导电性框架17的宽度W2可介于约1μm到约200μm之间，而其高度H2可介于约1μm到约200μm之间。举例而言，金属焊垫19可为金属或金属合金，例如Al、Ti、Cu、Ni、Au、Ag、Co、Fe、Sn、Pd、Bi、或其合金。又，例如电极框架21可使用下列至少其中一种方法加以形成：电镀、无电电镀、物理气相沉积、化学气相沉积、蒸镀、溅镀、喷涂、网版印刷、喷墨印刷或其结合。在本发明的实施例中，电极框架21可为Al、Ni、Au、Ti、Pt、Cu、Cr、Pd、Bi、或其合金，于其中可掺杂TaN、TiN、Si等等的材料，以增进其电性。
由于非导电性框架17与电极框架21系形成在垂直发光二极管200的发光区域(即，半导体外延结构)的外侧，并且使其取代原来形成在发光区域内的接触电极，因此能够增加可被利用的发光面积，进而提升出光效率。
图3显示依照本发明的实施例的具有框架的垂直发光二极管在进行晶圆等级制作时的实际影像。吾人可在晶圆制作完成之后，经过分离程序(例如切割)，而获得具有框架的垂直发光二极管晶片。
图4显示依照本发明的另一实施例的垂直发光二极管400的剖面图。发光二极管400的结构系与图1B所示的发光二极管100的结构大致相同，其差异在于：在框架25的表面上形成反射层27，以促进将发光二极管400所发出的光反射至外界。具体而言，反射层27可将入射于框架25上的光反射至发光二极管400的半导体外延结构(由n-GaN层7、活化层9、以及p-GaN层11所构成)的上方而进行出光(如图4的箭头A所示)，藉以防止框架25对光的吸收，进而增加出光效率。虽然，在本发明的随附图式中并未绘示，但本实施例所揭露的反射层27亦可应用在图2A与2B所示的发光二极管200，即，反射层27亦可形成在非导电性框架17(图2A与2B)的表面上。反射层27可由Ag、Al、或其他高反射性金属、或其他多层介质膜堆迭体所构成。反射层27可使用下列至少其中一种方法加以形成：电镀、无电电镀、物理气相沉积、化学气相沉积、蒸镀、溅镀、喷涂、网版印刷、喷墨印刷或其结合。
以下，将说明本发明的具有框架的垂直发光二极管在经过封装后的各种实施例。
图5A显示依照本发明的一实施例的垂直发光二极管500A在经过封装之后的剖面图；图5B显示依照本发明的另一实施例的垂直发光二极管500B在经过封装之后的剖面图：以及图5C显示依照本发明的另一实施例的垂直发光二极管500C在经过封装的后的剖面图。在图5A中，导线架35可包含第一导电区段35A、底座35B、以及第二导电区段35C，并且在各导电区段35A、35C与底座35B之间具有间隙36。如图5A所示，发光二极管500A被设置在导线架35的底座35B上，并且透过导线31以及焊垫32，而与导线架35的各导电区段35A、35C产生电连接。虽然图式中仅绘示2条导线与一个焊垫32，但吾人可视实际情况而增减导线与焊垫的数量。在使用图1A与1B所示的导电性框架5的情况下，藉由导线31而使垂直发光二极管100的导电性框架5与导线架的导电区段相连接；而在使用图2A与2B所示的非导电性框架17的情况下，藉由导线31而使垂直发光二极管200的金属焊垫19与导线架的导电区段相连接。
在习知发光二极管的封装结构中，由于封胶后的结构形状为半圆形或椭圆形，所以发光二极管的出光形式可能为四面八方。又，由于萤光体难以均匀分布，因此容易造成发光二极管的发光色温的不均匀，并于光图案外圈经常有所谓黄晕的现象发生。
在本发明的实施例中，发光二极管500A可藉由框架29的设置，而将萤光体33局限在框架29内，以使萤光体33可均匀分布于框架29内。萤光体33可藉由下列方式加以设置：涂布、喷涂、网版印刷、喷墨印刷、点胶等。吾人可使用封装体37而对发光二极管500A进行封装，以将发光二极管500A、导线31、以及焊垫32包覆于其内，俾能防止因碰撞所引起的装置损坏、以及因氧化所引起的萤光体衰退。在本发明的其他实施例中，可省略焊垫32的使用，因为焊垫32可被直接形成在导线架的导电区段上。在本发明的实施例中，封装体可例如为环氧树脂或硅酮树脂。发光二极管500A系以垂直方向(如图5A的箭头B所示)进行出光，由发光二极管500A所发出的光在经由分布均匀于框架29内的萤光体33转换之后，俾能获得均匀白光发光色温的效果，进而减少萤光体的使用，降低成本。
为了简化的目的，在图5B与5C中，省略与图5A相同的元件符号。
图5B可表示两种情况：其一为在框架内填充具有不同粒径的萤光体39；以及另一为由于制作方式的差异，所填充的萤光体39会产生溢注并因表面张力而停留在框架上。萤光体39可藉由下列方式加以设置：涂布、喷涂、网版印刷、喷墨印刷、点胶等。
在图5C中，萤光体41并不被局限于框架内。具体来说，即，以萤光体41包覆整个发光二极管500C，然后再以封装体43包覆整个萤光体41。萤光体41可藉由下列方式加以设置：涂布、喷涂、网版印刷、喷墨印刷、点胶等。图5A-图5C所示的实施例可同时应用在图1A-图1B、图2A-图2B、以及图4所示的实施例中。
此外，若仅单纯为了将萤光体设置在一特定位置而不考虑接触电极的外移时，为简化的目的，在此以图1A的结构来说明本发明的另一实施例，于其中：垂直发光二极管的框架部分可为导电性或非导电性，以及其接触电极(未显示)系形成在发光区域(即，半导体外延结构)内，并与n-GaN层7形成欧姆接触。因此，吾人可利用导电性(或非导电性)框架的设置，而将萤光体局限在期望的区域内。本实施例所述的垂直发光二极管可应用在上述图5A-图5C所示的实施例中，于其中吾人可利用导线而使垂直发光二极管的接触电极与导线架的导电区段相连接。本实施例所述的框架的材料、尺寸或其应用可与图1A、图1B、图2A、图2B、以及图4所示的实施例相同，于此将不再赘述。
本发明可提供具有外移电极的垂直发光二极管结构。由于接触电极的外移，故可增加垂直发光二极管的发光面积，进而提升出光效率。具体而言，依照本发明的实施例，吾人可将垂直发光二极管的接触电极形成在发光区域之外，俾能利用原来被接触电极所占据的发光面积，进而提升垂直发光二极管的出光效率。具体而言，本发明可具有下列优点：以具有框架的垂直发光二极管来有效局限萤光体的分布，使各角度发光色温分布更均匀，进而有效降低成本、提升良率；以及将金属焊垫外移并独立制作于框架上，而使垂直发光二极管的发光区域内不存在金属焊垫，因此可进一步增加出光效率，俾使垂直发光二极管可均匀发光。
虽然本发明已参考较佳实施例及图式详加说明，但熟习本项技艺者可了解在不离开本发明的精神与范畴的情况下，可进行各种修改、变化以及等效替代，然而这些修改、变化以及等效替代仍落入本发明权利要求范围内。

Claims (98)

1.一种具有外移式电极的垂直发光二极管，其特征在于，所述的具有外移式电极的垂直发光二极管包含：
一导电性衬底；
一半导体外延结构，形成在所述的导电性衬底上；
一钝化层，形成在所述的半导体外延结构的周围；及
一导电性框架，形成在所述的钝化层上，且与所述的半导体外延结构的上表面的外侧相接触，以使所述的导电性框架与所述的半导体外延结构产生电连接。
2.如权利要求1所述的具有外移式电极的垂直发光二极管，其特征在于，所述的具有外移式电极的垂直发光二极管更包含：
一镜面层，形成在所述的导电性衬底与所述的半导体外延结构之间。
3.如权利要求1所述的具有外移式电极的垂直发光二极管，其特征在于，所述的导电性衬底为Cu、Ni、Ag、Au、Co、Al、Sn、W、Mo、Pd、Pt、Rh、或其合金。
4.如权利要求1所述的具有外移式电极的垂直发光二极管，其特征在于，所述的导电性衬底为Si、SiC、Ge、GaAs、InP、GaN、或石墨。
5.如权利要求1所述的具有外移式电极的垂直发光二极管，其特征在于，所述的具有外移式电极的垂直发光二极管更包含：
一反射层，形成在所述的导电性框架的表面上。
6.如权利要求5所述的具有外移式电极的垂直发光二极管，其特征在于，所述的反射层系由高反射性金属或多层介质膜堆迭体所构成。
7.如权利要求5所述的具有外移式电极的垂直发光二极管，其特征在于，所述的反射层为Ag或Al。
8.如权利要求5所述的具有外移式电极的垂直发光二极管，其特征在于，所述的反射层系使用下列至少其中一种方法加以形成：电镀、无电电镀、物理气相沉积、化学气相沉积、蒸镀、溅镀、喷涂、网版印刷、喷墨印刷或其结合。
9.如权利要求1所述的具有外移式电极的垂直发光二极管，其特征在于，所述的具有外移式电极的垂直发光二极管更包含：
一萤光体，位于所述的导电性框架内。
10.如权利要求9所述的具有外移式电极的垂直发光二极管，其特征在于，所述的萤 光体系藉由下列方式加以设置：涂布、喷涂、网版印刷、喷墨印刷、或点胶。
11.如权利要求1所述的具有外移式电极的垂直发光二极管，其特征在于，所述的导电性框架系由金属或金属合金所制成。
12.如权利要求11所述的具有外移式电极的垂直发光二极管，其特征在于，所述的导电性框架为Al、Ti、Cu、Ni、Au、Ag、Co、Fe、Sn、或其合金。
13.如权利要求11所述的具有外移式电极的垂直发光二极管，其特征在于，所述的导电性框架系使用下列至少其中一种方法加以形成：电镀、无电电镀、物理气相沉积、化学气相沉积、蒸镀、溅镀、喷涂、网版印刷、喷墨印刷或其结合。
14.如权利要求12所述的具有外移式电极的垂直发光二极管，其特征在于，所述的导电性框架系使用下列至少其中一种方法加以形成：电镀、无电电镀、物理气相沉积、化学气相沉积、蒸镀、溅镀、喷涂、网版印刷、喷墨印刷或其结合。
15.如权利要求1所述的具有外移式电极的垂直发光二极管，其特征在于，所述的导电性框架系由异方性导电膜或导电胶所制成。
16.如权利要求15所述的具有外移式电极的垂直发光二极管，其特征在于，所述的导电胶包含银胶。
17.如权利要求1所述的具有外移式电极的垂直发光二极管，其特征在于，所述的导电性框架的宽度系介于1μm到200μm之间。
18.如权利要求1所述的具有外移式电极的垂直发光二极管，其特征在于，所述的导电性框架的高度系介于1μm到200μm之间。
19.如权利要求17所述的具有外移式电极的垂直发光二极管，其特征在于，所述的导电性框架的高度系介于1μm到200μm之间。
20.如权利要求1所述的具有外移式电极的垂直发光二极管，其特征在于，所述的半导体外延结构包含：
一p-GaN层；
一活化层，形成在所述的p-GaN层上；及
一n-GaN层，形成在所述的活化层上。
21.一种具有外移式电极的垂直发光二极管装置，其特征在于，所述的装置包含：
一导线架，由一底座与一或多个导电区段所构成；
如权利要求1所述的垂直发光二极管，设置在所述的底座上；及
一或多条导线，用以使所述的垂直发光二极管的导电性框架与所述的导线架的导电区 段相连接。
22.如权利要求21所述的具有外移式电极的垂直发光二极管装置，其特征在于，所述的装置更包含：
一萤光体，位于所述的垂直发光二极管的导电性框架内。
23.如权利要求22所述的具有外移式电极的垂直发光二极管装置，其特征在于，所述的装置更包含：
一封装体，用以包覆所述的垂直发光二极管与所述的萤光体。
24.如权利要求21所述的具有外移式电极的垂直发光二极管装置，其特征在于，所述的装置更包含：
一萤光体，用以包覆所述的垂直发光二极管。
25.如权利要求24所述的具有外移式电极的垂直发光二极管装置，其特征在于，所述的装置更包含：
一封装体，用以包覆所述的萤光体。
26.如权利要求22所述的具有外移式电极的垂直发光二极管装置，其特征在于，所述的萤光体系藉由下列方式加以设置：涂布、喷涂、网版印刷、喷墨印刷、或点胶。
27.如权利要求24所述的具有外移式电极的垂直发光二极管装置，其特征在于，所述的萤光体系藉由下列方式加以设置：涂布、喷涂、网版印刷、喷墨印刷、或点胶。
28.一种具有外移式电极的垂直发光二极管，其特征在于，所述的具有外移式电极的垂直发光二极管包含：
一导电性衬底；
一半导体外延结构，形成在所述的导电性衬底上；
一钝化层，形成在所述的半导体外延结构的周围；
一电极框架，形成在所述的半导体外延结构的上表面的外侧，并与所述的半导体外延结构产生电连接；
一非导电性框架，形成在所述的钝化层以及一部分的所述的电极框架上；及
一金属焊垫，形成在所述的非导电性框架上，并且与所述的电极框架产生电连接。
29.如权利要求28所述的具有外移式电极的垂直发光二极管，其特征在于，所述的具有外移式电极的垂直发光二极管更包含：
一镜面层，形成在所述的导电性衬底与所述的半导体外延结构之间。
30.如权利要求28所述的具有外移式电极的垂直发光二极管，其特征在于，所述的导 电性衬底为Cu、Ni、Ag、Au、Co、Al、Sn、W、Mo、Pd、Pt、Rh、或其合金。
31.如权利要求28所述的具有外移式电极的垂直发光二极管，其特征在于，所述的具有外移式电极的垂直发光二极管所述的导电性衬底为Si、SiC、Ge、GaAs、InP、GaN、或石墨。
32.如权利要求28所述的具有外移式电极的垂直发光二极管，其特征在于，所述的具有外移式电极的垂直发光二极管更包含：
一反射层，形成在所述的非导电性框架的表面上。
33.如权利要求32所述的具有外移式电极的垂直发光二极管，其特征在于，所述的具有外移式电极的垂直发光二极管所述的反射层系由高反射性金属或多层介质膜堆迭体所构成。
34.如权利要求32所述的具有外移式电极的垂直发光二极管，其特征在于，所述的反射层为Ag或Al。
35.如权利要求32所述的具有外移式电极的垂直发光二极管，其特征在于，所述的反射层系使用下列至少其中一种方法加以形成：电镀、无电电镀、物理气相沉积、化学气相沉积、蒸镀、溅镀、喷涂、网版印刷、喷墨印刷或其结合。
36.如权利要求28所述的具有外移式电极的垂直发光二极管，其特征在于，所述的具有外移式电极的垂直发光二极管更包含：
一萤光体，位于所述的非导电性框架内。
37.如权利要求36所述的具有外移式电极的垂直发光二极管，其特征在于，所述的萤光体系藉由下列方式加以设置：涂布、喷涂、网版印刷、喷墨印刷、或点胶。
38.如权利要求28所述的具有外移式电极的垂直发光二极管，其特征在于，所述的电极框架系由金属或金属合金所制成。
39.如权利要求38所述的具有外移式电极的垂直发光二极管，其特征在于，所述的电极框架为Al、Ni、Au、Ti、Pt、Cu、Cr、Pd、Bi、或其合金。
40.如权利要求39所述的具有外移式电极的垂直发光二极管，其特征在于，所述的电极框架更包含TaN、TiN、Si。
41.如权利要求38所述的具有外移式电极的垂直发光二极管，其特征在于，所述的电极框架系使用下列至少其中一种方法加以形成：电镀、无电电镀、物理气相沉积、化学气相沉积、蒸镀、溅镀、喷涂、网版印刷、喷墨印刷或其结合。
42.如权利要求39所述的具有外移式电极的垂直发光二极管，其特征在于，所述的电 极框架系使用下列至少其中一种方法加以形成：电镀、无电电镀、物理气相沉积、化学气相沉积、蒸镀、溅镀、喷涂、网版印刷、喷墨印刷或其结合。
43.如权利要求28所述的具有外移式电极的垂直发光二极管，其特征在于，所述的非导电性框架的宽度系介于1μm到200μm之间。
44.如权利要求28所述的具有外移式电极的垂直发光二极管，其特征在于，所述的非导电性框架的高度系介于1μm到200μm之间。
45.如权利要求43所述的具有外移式电极的垂直发光二极管，其特征在于，所述的非导电性框架的高度系介于1μm到200μm之间。
46.如权利要求28所述的具有外移式电极的垂直发光二极管，其特征在于，所述的金属焊垫系由金属或金属合金所制成。
47.如权利要求46所述的具有外移式电极的垂直发光二极管，其特征在于，所述的金属焊垫为Al、Ti、Cu、Ni、Au、Ag、Co、Fe、Sn、Pd、Bi、或其合金。
48.如权利要求28所述的具有外移式电极的垂直发光二极管，其特征在于，所述的半导体外延结构包含：
一p-GaN层；
一活化层，形成在所述的p-GaN层上；及
一n-GaN层，形成在所述的活化层上。
49.如权利要求28所述的具有外移式电极的垂直发光二极管，其特征在于，所述的非导电性框架为感光性材料或非感光性材料。
50.如权利要求49所述的具有外移式电极的垂直发光二极管，其特征在于，所述的感光性材料为光刻胶或光固化材料。
51.如权利要求50所述的具有外移式电极的垂直发光二极管，其特征在于，所述的光刻胶为干膜光刻胶。
52.如权利要求50所述的具有外移式电极的垂直发光二极管，其特征在于，所述的光固化材料包含光固化树脂。
53.如权利要求52所述的具有外移式电极的垂直发光二极管，其特征在于，所述的光固化树脂包含光固化环氧树脂。
54.如权利要求49所述的具有外移式电极的垂直发光二极管，其特征在于，所述的非感光性材料为有机聚合物或无机材料。
55.如权利要求54所述的具有外移式电极的垂直发光二极管，其特征在于，所述的有 机聚合物为聚亚酰胺、聚对二甲苯、硅酮树脂、或环氧树脂。
56.如权利要求54所述的具有外移式电极的垂直发光二极管，其特征在于，所述的无机材料为陶瓷、玻璃、SiO2、Al2O3、Si3N4、ZnO、Ta2O5、TiO2、HfO、或MgO。
57.一种具有外移式电极的垂直发光二极管装置，其特征在于，所述的装置包含：
一导线架，由一底座与一或多个导电区段所构成；
如权利要求28所述的垂直发光二极管，设置在所述的底座上；及
一或多条导线，用以使所述的垂直发光二极管的金属焊垫与所述的导线架的导电区段相连接。
58.如权利要求57所述的具有外移式电极的垂直发光二极管装置，其特征在于，所述的装置更包含：
一萤光体，位于所述的垂直发光二极管的非导电性框架内。
59.如权利要求58所述的具有外移式电极的垂直发光二极管装置，其特征在于，所述的装置更包含：
一封装体，用以包覆所述的垂直发光二极管与所述的萤光体。
60.如权利要求57所述的具有外移式电极的垂直发光二极管装置，其特征在于，所述的装置更包含：
一萤光体，用以包覆所述的垂直发光二极管。
61.如权利要求60所述的具有外移式电极的垂直发光二极管装置，其特征在于，所述的装置更包含：
一封装体，用以包覆所述的萤光体。
62.如权利要求58所述的具有外移式电极的垂直发光二极管装置，其特征在于，所述的萤光体系藉由下列方式加以设置：涂布、喷涂、网版印刷、喷墨印刷、或点胶。
63.如权利要求60所述的具有外移式电极的垂直发光二极管装置，其特征在于，所述的萤光体系藉由下列方式加以设置：涂布、喷涂、网版印刷、喷墨印刷、或点胶。
64.一种具有框架的发光二极管，其特征在于，所述的发光二极管包含：
一导电性衬底；
一半导体外延结构，形成在所述的导电性衬底上；
一接触电极，形成在所述的半导体外延结构上；
一钝化层，形成在所述的半导体外延结构的周围；及
一框架，形成在所述的钝化层上。 
65.如权利要求64所述的具有框架的发光二极管，其特征在于，所述的发光二极管更包含：
一镜面层，形成在所述的导电性衬底与所述的半导体外延结构之间。
66.如权利要求64所述的具有框架的发光二极管，其特征在于，所述的导电性衬底为Cu、Ni、Ag、Au、Co、Al、Sn、W、Mo、Pd、Pt、Rh、或其合金。
67.如权利要求64所述的具有框架的发光二极管，其特征在于，所述的导电性衬底为Si、SiC、Ge、GaAs、InP、GaN、或石墨。
68.如权利要求64所述的具有框架的发光二极管，其特征在于，所述的发光二极管更包含：
一反射层，形成在所述的框架的表面上。
69.如权利要求68所述的具有框架的发光二极管，其特征在于，所述的反射层系由高反射性金属或多层介质膜堆迭体所构成。
70.如权利要求68所述的具有框架的发光二极管，其特征在于，所述的反射层为Ag或Al。
71.如权利要求68所述的具有框架的发光二极管，其特征在于，所述的反射层系使用下列至少其中一种方法加以形成：电镀、无电电镀、物理气相沉积、化学气相沉积、蒸镀、溅镀、喷涂、网版印刷、喷墨印刷或其结合。
72.如权利要求64所述的具有框架的发光二极管，其特征在于，所述的发光二极管更包含：
一萤光体，位于所述的框架内。
73.如权利要求72所述的具有框架的发光二极管，其特征在于，所述的萤光体系藉由下列方式加以设置：涂布、喷涂、网版印刷、喷墨印刷、或点胶。
74.如权利要求64所述的具有框架的发光二极管，其特征在于，所述的框架系由金属或金属合金所制成。
75.如权利要求74所述的具有框架的发光二极管，其特征在于，所述的框架为Al、Ti、Cu、Ni、Au、Ag、Co、Fe、Sn、或其合金。
76.如权利要求74所述的具有框架的发光二极管，其特征在于，所述的框架系使用下列至少其中一种方法加以形成：电镀、无电电镀、物理气相沉积、化学气相沉积、蒸镀、溅镀、喷涂、网版印刷、喷墨印刷或其结合。
77.如权利要求75所述的具有框架的发光二极管，其特征在于，所述的框架系使用下 列至少其中一种方法加以形成：电镀、无电电镀、物理气相沉积、化学气相沉积、蒸镀、溅镀、喷涂、网版印刷、喷墨印刷或其结合。
78.如权利要求64所述的具有框架的发光二极管，其特征在于，所述的框架系由异方性导电膜或导电胶所制成。
79.如权利要求78所述的具有框架的发光二极管，其特征在于，所述的导电胶包含银胶。
80.如权利要求64所述的具有框架的发光二极管，其特征在于，所述的框架的宽度系介于1μm到200μm之间。
81.如权利要求64所述的具有框架的发光二极管，其特征在于，所述的框架的高度系介于1μm到200μm之间。
82.如权利要求80所述的具有框架的发光二极管，其特征在于，所述的框架的高度系介于1μm到200μm之间。
83.如权利要求64所述的具有框架的发光二极管，其特征在于，所述的半导体外延结构包含：
一p-GaN层；
一活化层，形成在所述的p-GaN层上；及
一n-GaN层，形成在所述的活化层上。
84.如权利要求64所述的具有框架的发光二极管，其特征在于，所述的框架为感光性材料或非感光性材料。
85.如权利要求84所述的具有框架的发光二极管，其特征在于，所述的感光性材料为光刻胶或光固化材料。
86.如权利要求85所述的具有框架的发光二极管，其特征在于，所述的光刻胶为干膜光刻胶。
87.如权利要求86所述的具有框架的发光二极管，其特征在于，所述的光固化材料包含光固化树脂。
88.如权利要求87所述的具有框架的发光二极管，其特征在于，所述的光固化树脂包含光固化环氧树脂。
89.如权利要求84所述的具有框架的发光二极管，其特征在于，所述的非感光性材料为有机聚合物或无机材料。
90.如权利要求89所述的具有框架的发光二极管，其特征在于，所述的有机聚合物为 聚亚酰胺、聚对二甲苯、硅酮树脂、或环氧树脂。
91.如权利要求89所述的具有框架的发光二极管，其特征在于，所述的无机材料为陶瓷、玻璃、SiO2、Al2O3、Si3N4、ZnO、Ta2O5、TiO2、HfO、或MgO。
92.一种垂直发光二极管装置，其特征在于，所述的装置包含：
一导线架，由一底座与一或多个导电区段所构成；
如权利要求64所述的垂直发光二极管，设置在所述的底座上；及
一或多条导线，用以使所述的垂直发光二极管的接触电极与所述的导线架的导电区段相连接。
93.如权利要求92所述的垂直发光二极管装置，其特征在于，所述的装置更包含：
一萤光体，位于所述的垂直发光二极管的框架内。
94.如权利要求93所述的垂直发光二极管装置，其特征在于，所述的装置更包含：
一封装体，用以包覆所述的垂直发光二极管与所述的萤光体。
95.如权利要求92所述的垂直发光二极管装置，其特征在于，所述的装置更包含：
一萤光体，用以包覆所述的垂直发光二极管。
96.如权利要求95所述的垂直发光二极管装置，其特征在于，所述的装置更包含：
一封装体，用以包覆所述的萤光体。
97.如权利要求93所述的垂直发光二极管装置，其特征在于，所述的萤光体系藉由下列方式加以设置：涂布、喷涂、网版印刷、喷墨印刷、或点胶。
98.如权利要求95所述的垂直发光二极管装置，其特征在于，所述的萤光体系藉由下列方式加以设置：涂布、喷涂、网版印刷、喷墨印刷、或点胶。 
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