KR20180044470A - 반도체 발광소자 - Google Patents

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Abstract

본 개시는, 반도체 발광소자에 있어서, 제1 도전부, 제2 도전부 및 제1 도전부와 제2 도전부 사이에 위치하는 절연부를 포함하는 기판; 기판 위에 배치되고 기판과 전기적으로 연결된 반도체 발광소자 칩; 그리고, 기판의 측면에 위치하고, 반도체 발광소자 칩 및 기판을 둘러싸고 있는 벽;으로서, 벽의 하면과 이어진 제1 면 및 제1 면과 이어진 제2 면을 포함하는 벽;을 포함하고, 벽의 하면과 기판의 하면은 동일한 선상에 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.

Description

반도체 발광소자{SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE}
본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 발광소자에 관한 것으로, 특히 광 추출 효율을 향상시킨 반도체 발광소자에 관한 것이다.
여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art). 또한 본 명세서에서 상측/하측, 위/아래 등과 같은 방향 표시는 도면을 기준으로 한다.
도 1은 종래의 반도체 발광소자 칩의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자 칩은 성장 기판(100; 예: 사파이어 기판), 성장 기판(100) 위에, 버퍼층(200), 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(300; 예: n형 GaN층), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(400; 예; INGaN/(In)GaN MQWs), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(500; 예: p형 GaN층)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 전류 확산을 위한 투광성 도전막(600)과, 본딩 패드로 역할하는 전극(700)이 형성되어 있고, 식각되어 노출된 제1 반도체층(300) 위에 본딩 패드로 역할하는 전극(800; 예: Cr/Ni/Au 적층 금속 패드)이 형성되어 있다. 버퍼층(200)은 생략될 수 있다.
도 1과 같은 형태의 반도체 발광소자 칩을 특히 레터럴 칩(Lateral Chip)이라고 한다. 여기서, 성장 기판(100) 측이 외부와 전기적으로 연결될 때 장착면이 된다.
도 2는 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 제시된 반도체 발광소자 칩의 다른 예를 보여주는 도면으로서, 반도체 발광소자 칩은 성장 기판(100), 성장 기판(100) 위에, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(300), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(400), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(500)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 성장 기판(100) 측으로 빛을 반사시키기 위한 3층으로 된 제1 전극막(901), 제2 전극막(902) 및 제3 전극막(903)이 형성되어 있고, 식각되어 노출된 제1 반도체층(300) 위에 본딩 패드로 기능하는 전극(800)이 형성되어 있다.
제1 전극막(901)은 Ag 반사막, 제2 전극막(902)은 Ni 확산 방지막, 제3 전극막(903)은 Au 본딩층일 수 있다. 여기서, 제3 전극막(903) 측이 외부와 전기적으로 연결될 때 장착면이 된다. 도 2와 같은 형태의 반도체 발광소자 칩을 특히 플립 칩(Flip Chip)이라고 한다. 도 2에 도시된 플립 칩의 경우 제1 반도체층(300) 위에 형성된 전극(800)이 제2 반도체층(500) 위에 형성된 전극막(901, 902, 903)보다 낮은 높이에 있지만, 동일한 높이에 형성될 수 있도록 할 수 도 있다. 여기서 높이의 기준은 성장 기판(100)으로부터의 높이일 수 있다.
도 3은 종래의 반도체 발광소자의 일 예를 보여주는 도면이다.
반도체 발광소자(100)는 리드 프레임(110, 120), 몰드(130), 그리고 캐비티(140) 내에 수직형 반도체 발광소자 칩(150; Vertical Type Light Emitting Chip)이 구비되어 있고, 캐비티(140)는 파장 변환재(160)를 함유하는 봉지재(170)로 채워져 있다. 수직형 반도체 발광소자 칩(150)의 하면이 리드 프레임(110)에 전기적으로 직접 연결되고, 상면이 와이어(180)에 의해 리드 프레임(120)에 전기적으로 연결되어 있다.
수직형 반도체 발광소자 칩(150)에서 나온 광의 일부가 파장 변환재(160)를 여기 시켜 다른 색의 광을 만들어 두 개의 서로 다른 광이 혼합되어 백색광을 만들 수 있다. 예를 들어 반도체 발광소자 칩(150)은 청색광을 만들고 파장 변환재(160)에 여기 되어 만들어진 광은 황색광이며, 청색광과 황색광이 혼합되어 백색광을 만들 수 있다. 도 3은 수직형 반도체 발광소자 칩(150)을 사용한 반도체 발광소자를 보여주고 있지만, 도 1 및 도 2에 도시된 반도체 발광소자 칩을 사용하여 도 3과 같은 형태의 반도체 발광소자를 제조할 수도 있다.
이에 본 개시는 공정은 단순화하면서 광 추출 효율을 향상시키는 반도체 발광소자를 제공하고자 한다.
이에 대하여 '발명을 실시하기 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니 된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).
본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 반도체 발광소자에 있어서, 제1 도전부, 제2 도전부 및 제1 도전부와 제2 도전부 사이에 위치하는 절연부를 포함하는 기판; 기판 위에 배치되고 기판과 전기적으로 연결된 반도체 발광소자 칩; 그리고, 기판의 측면에 위치하고, 반도체 발광소자 칩 및 기판을 둘러싸고 있는 벽;으로서, 벽의 하면과 이어진 제1 면 및 제1 면과 이어진 제2 면을 포함하는 벽;을 포함하고, 벽의 하면과 기판의 하면은 동일한 선상에 위치하는 반도체 발광소자가 제공된다.
이에 대하여 '발명을 실시하기 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
도 1은 종래의 반도체 발광소자 칩의 일 예를 나타내는 도면,
도 2는 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 제시된 반도체 발광소자 칩의 다른 예를 나타내는 도면,
도 3은 종래의 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 4는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 보여주는 도면,
도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 일 예를 보여주는 도면,
도 6은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 보여주는 도면,
도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 보여주는 도면,
도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 보여주는 도면,
도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 제조방법의 일 예를 보여주는 도면.
이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)).
도 4는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 4(a)는 사시도이며, 도 4(b)는 AA'를 따라 자른 단면도이다.
반도체 발광소자(200)는 기판(210), 반도체 발광소자 칩(220), 벽(230) 및 봉지재(240)를 포함한다.
기판(210)은 제1 도전부(211), 제2 도전부(212) 및 제1 도전부(211)과 제2 도전부(212) 사이에 위치하는 절연부(213)를 포함한다. 여기서, 기판(210)을 제조하는 방법은 한국 공개특허공보 제2012-0140454호에 기재되어 있다.
제1 도전부(211) 및 제2 도전부(212)는 예를 들어 알루미늄(Al), 구리(Cu) 등과 같은 금속성 물질로 형성될 수 있다.
제1 도전부(211) 및 제2 도전부(212)가 도 3에 기재된 반도체 발광소자에서 리드 프레임 기능을 갖고 외부와 전기적으로 연결된다.
제1 도전부(211) 및 제2 도전부(212)는 빛을 반사하는 효율이 높아 반사성이 우수하고 전기적인 접촉이 우수한 물질, 예를 들어, 은(Ag), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 로듐(Rh), 납(Pd), 이리듐(Ir), 루테늄(Ru), 마그네슘(Mg), 아연(Zn) 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다.
본 예에서, 제1 도전부(211) 및 제2 도전부(212)가 빛 예를 들어 자외선을 반사하는 효율이 높은 알루미늄(Al)으로 형성됨으로써, 반도체 발광소자 칩(220)으로부터 나온 빛의 일부를 반사시킴으로써, 반도체 발광소자의 광 추출 효율(extraction efficiency)을 향상시킬 수 있다.
절연부(213)는 전기 절연물질로 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
반도체 발광소자 칩(220)은 제1 전극(221) 및 제2 전극(222)을 포함하며, 래터럴 칩, 플립 칩 또는 수직 칩이 가능하다. 다만 플립 칩을 사용하는 경우 제1 전극(221)과 제2 전극(222)이 와이어 본딩을 사용하지 않고 제1 도전부(211) 및 제2 도전부(212) 위에 위치하여 전기적으로 연결될 수 있어 바람직하다.
벽(230)은 제1 내측면(231), 제2 내측면(232) 및 하면(233)을 포함한다. 벽(230)은 기판(210)의 측면에 형성되며 기판(210) 및 반도체 발광소자 칩(220)을 둘러싸고 있다. 즉, 벽(230)의 하면(233)과 기판(210)의 하면은 동일한 선상 라인에 위치한다.
여기서, 벽(230)은 예를 들어 에폭시 수지나 실리콘 수지와 같은 절연성 물질을 사용하여 사출 성형을 통해 얻을 수 있다.
벽(230)의 높이(H3)는 기판(210)의 높이(H1)와 반도체 발광소자 칩(220)의 높이(H2)를 결합된 높이(H1+H2)와 동일하게 또는 낮게 형성될 수 있지만, 광 경로 등을 고려하여 벽(230)의 높이(H3)는 기판(210) 및 반도체 발광소자 칩(220)이 결합된 높이(H1+H2)보다 크게 형성될 수 있다.
예를 들어, 기판(210)의 높이(H1)는 0.3mm ~ 1mm이고, 반도체 발광소자 칩(220)의 높이(H2)는 0.1mm ~ 0.3mm이므로, 벽(230)의 높이(H3)는 0.4mm 이상 2mm이하 일 수 있다.
제1 내측면(231)은 하면(233)과 이어져 있고, 제2 내측면(232)은 제1 내측면(231)과 이어져 있다. 여기서, 제1 내측면(231) 및 제2 내측면(232)은 광 추출 효율의 향상을 위채 경사진 것이 바람직하다.
제1 내측면(231)이 벽(230)의 하면(233)과 이루는 경사각(234)는 둔각인 것이 바람직하다.
제2 내측면(232)이 벽(230)의 하면(233)과 평행한 가상의 면(235)과 이루는 경사각(236)은 예각인 것이 바람직하다.
제1 내측면(231)과 제2 내측면(232)이 각각 경사각(234, 236)을 가짐으로써, 기판(210)과의 접촉이 방지되어 쇼트 위험성이 낮아질 수 있다.
또한, 제1 내측면(231)과 제2 내측면(232)이 만나는 지점의 높이(H4)는 쇼트 방지를 위해서 5um 이상이 이에 바람직하다.
봉지재(240)는 기판(210) 및 반도체 발광소자 칩(220)을 덮도록(cover) 벽(230) 내부에 형성된다.
봉지재(240)는 투광성을 갖고 있으며, 에폭시 수지 및 실리콘 수지 중 하나로 이루어질 수 있다. 필요한 경우 파장 변환재(미도시)를 포함할 수 있다.
도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 일 예를 보여주는 도면이다.
반도체 발광소자(300)는 벽(330)의 제1 내측면(331) 및 제2 내측면(332)에 형성된 반사층(350)을 포함한다.
반사층(350)은 벽(330)의 제1 내측면(331) 및 제2 내측면(332)의 일면에 형성된다. 즉, 반사층(350)은 봉지재(340)와 접촉하는 제1 내측면(331) 및 제2 내측면(332)의 일면에 형성된다.
반사층(350)은 빛을 반사하는 효율이 높은 금속성 물질로 이루어진 것이 바람직하며 예를 들어 금속성 물질이 코팅, 도금 및 증착 등과 같은 방법으로 형성될 수 있다.
반사층(350)을 형성하는 금속성 물질에는 예를 들어 은(Ag), 알루미늄(Al), 분포 브래그 리플렉터(DBR: Distributed Bragg Reflector), 고반사 백색 반사물질 등으로 될 수 있다. 하지만, 비용 및 효율을 고려했을 때 알루미늄(Al)이 바람직하다.
반사층(350)을 벽(330)의 제1 내측면(331) 및 제2 내측면(332)에 증착이나 코팅할 때 제1 내측면(331) 및 제2 내측면(332)이 경사져 있으므로, 빛을 반사시키는 효율이 증가하여 광 추출 효율이 향상된다.
또한, 반사율이 높은 금속성 물질로 이루어진 반사층(350)을 형성하더라도 제1 내측면(331) 및 제2 내측면(332)이 경사져 있으므로, 기판(310)과의 접촉에 의한 쇼트 위험이 적다.
도 5에 기재된 반사층(350)을 제외하고는 도 4에 기재된 반도체 발광소자(200)와 동일한 특성을 갖는다.
도 6은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 일 예를 보여주는 도면이다.
반도체 발광소자(400)는 벽(430)의 제2 내측면(432)에만 형성되는 반사층(450)을 포함한다.
반사층(450)은 벽(430)의 제2 내측면(432)의 일면에만 형성된다. 즉, 반사층(450)은 봉지재(440)와 접촉하는 제2 내측면(432)의 일면에만 형성된다.
반사층(450)이 제2 내측면(432)에만 형성됨으로써, 금속성 물질로 이루어지는 반사층(450)과 기판(410) 사이에 쇼트 위험성이 더 낮아 질 수 있다.
도 6에 기재된 반사층(450)을 제외하고는 도 4에 기재된 반도체 발광소자(200)와 동일한 특성을 갖는다.
도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 보여주는 도면이다.
반도체 발광소자(500)는 벽(530)의 하면(533)과 이루는 경사각(534)이 예각인 벽(530)의 제1 내측면(531) 및 제2 내측면(532)에만 형성되는 반사층(550)을 포함한다.
제1 내측면(531)이 벽(530)의 하면(533)과 이루는 경사각(534)은 도 4와 같이 둔각이 바람직하지만 예각을 배제하는 것은 아니다.
도 7에 기재된 벽(530) 및 반사층(550)을 제외하고는 도 4에 기재된 반도체 발광소자(200)와 동일한 특성을 갖는다.
도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 보여주는 도면이다.
반도체 발광소자(600)는 벽(630)의 제1 내측면(631)에 형성된 절연층(636) 및 제2 내측면(632)에만 형성되는 반사층(650)을 포함한다.
벽(630)의 제2 내측면(632)에 반사층(650)이 형성되는 과정에서 제1 내측면(631) 일부에 반사층(650)이 형성될 수 있기 때문에 절연층(636)을 반사층(650) 형성 이후에 제1 내측면(631)에 절연층(636)을 별도로 형성하여 쇼트 위험성을 낮출 수 있다.
도 8에 기재된 절연층(636) 및 반사층(650)을 제외하고는 도 4에 기재된 반도체 발광소자(200)와 동일한 특성을 갖는다.
도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 제조 방법의 일 예를 설명하기 위한 도면이다.
반도체 발광소자의 제조 방법에 있어서, 도 9(a)에 도시된 바와 같이, 베이스(700) 위에 벽(730)을 배치한다. 여기서, 벽(730)은 사출 성형을 통해 얻을 수 있다.
베이스(700)는 플렉시블한 필름 또는 테이프이거나, 리지드(rigid)한 금속 판 또는 비금속 판일 수 있다.
필름 또는 테이프도 특별한 제한은 없으며, 점착성 또는 접착성을 가지며 내열성을 가지는 것이 바람직하다. 예를 들어, 내열성 테이프, 블루테이프 등이 사용될 수 있으며, 다양한 색상이나 광반사율을 선택할 수 있다.
금속 판으로는 특별한 한정이 있는 것은 아니며, 예를 들어, Al, Cu, Ag, Cu-Al 합금, Cu-Ag 합금, Cu-Au 합금, SUS(스테인리스스틸) 등이 사용될 수 있으며, 도금된 판도 물론 사용 가능하다.
비금속 판으로는 플라스틱이 사용될 수 있으며, 다양한 색상이나 광반사율을 선택할 수 있다.
다음으로, 도 9(b)에 도시한 바와 같이, 벽(730)의 제2 내측면(732)의 일면에 반사층(750)을 형성한다. 여기서, 반사층(750)은 스프레이 코팅, 스핀 코딩 등을 이용하여 형성될 수 있다.
다음으로, 도 9(c)에 도시된 바와 같이, 기판(710)과 결합된 반도체 발광소자 칩(720)을 벽(730) 내부에 배치한다.
벽(730)의 패턴을 인식하고, 위치 및 각도 보정이 가능한 소자 이송 장치(미도시)를 이용하여 베이스(700) 위에 기판(710)과 결합된 반도체 발광소자 칩(720)을 배치할 수 있다.
여기서, 반도체 반도체 발광소자 칩(720)의 제1 전극(721) 및 제2 전극(722)은 각각 기판(710)의 제1 도전부(711) 및 제2 도전부(712) 위에 위치하여 서로 전기적 및 물리적으로 연결된다. 본 예에서, 반도체 발광소자 칩(720)으로는 플립 칩(flip chip)이 적합하지만, 레터럴 칩(lateral chip)이나 수직형 칩(vertical chip)을 배제하는 것은 아니다.
다음으로, 도 9(d)에 도시된 바와 같이, 반도체 발광소자 칩(720)이 배치된 벽(730) 내부에 봉지재(740)를 투입하여 형성하고 경화한다. 여기서 봉지재(740)는 디스펜싱, 스텐실, 스크린 프린팅, 스핀 코팅 등을 이용하여 형성할 수 있다. 두께의 균일도나 형광체의 내부 밀도 등의 관점에서 디스펜싱이 바람직하다.
봉지재(740)에 의해 반도체 발광소자 칩(720)과 결합된 기판(710)이 베이스(700)에 고정된다. 봉지재(740)는 반도체 발광소자 분야에서 일반적으로 사용되는 에폭시 수지, 실리콘 수지 중 하나 일 수 있다. 한편, 봉지재(740)는 생략될 수 있다. 봉지재(740)가 생략되는 경우 유리 또는 석영 등으로 덮일 수 있다.
다음으로, 도 9(e)에 도시된 바와 같이, 봉지재(740)에 의해 결합된 기판(710), 반도체 발광소자 칩(720) 및 벽(730)을 베이스(700)로부터 분리한다.
본 예에서, 베이스(700)와 봉지재(740)에 의해 결합된 기판(710), 반도체 발광소자 칩(720) 및 벽(730)은 외력에 의해 가압되어 서로 접하거나, 접착물질을 이용하여 서로 접착할 수 있다. 예를 들어, 접착 물질은 도전성 페이스트, 절연성 페이스트, 폴리머 접착제 등 다양하게 선택가능하며, 특별히 제한되지는 않는다. 어느 온도 범위에서는 접착력을 상실하는 물질을 사용하면, 베이스(700)와 봉지재(740)에 의해 결합된 기판(710), 반도체 발광소자 칩(720) 및 벽(730)의 분리 시에 상기 온도 범위에서 분리가 쉽게 될 수 있다.
한편 이와 달리, 소자 이송 장치(미도시)를 이용하여 봉지재(740)에 의해 결합된 기판(710), 반도체 발광소자 칩(720) 및 벽(730)을 베이스(700)로부터 픽업(pick-up)하여 베이스(700)로부터 분리할 수 있다.
즉, 베이스(700)의 아래에서 핀 또는 봉이 봉지재(740)에 의해 결합된 기판(710), 반도체 발광소자 칩(720) 및 벽(730)을 치면 베이스(700)로부터 봉지재(740)에 의해 결합된 기판(710), 반도체 발광소자 칩(720) 및 벽(730)이 떨어지며, 그 순간 소자 이송 장치가 봉지재(740)에 의해 결합된 기판(710), 반도체 발광소자 칩(720) 및 벽(730)를 전기적 흡착 또는 진공 흡착할 수 있다.
본 개시에 따른 반도체 발광소자의 제조방법의 순서는 당업자가 용이하게 변경할 수 있는 범위에서는 본 개시의 범위에 포함될 수 있다.
본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.
(1) 반도체 발광소자에 있어서, 제1 도전부, 제2 도전부 및 제1 도전부와 제2 도전부 사이에 위치하는 절연부를 포함하는 기판; 기판 위에 배치되고 기판과 전기적으로 연결된 반도체 발광소자 칩; 그리고, 기판의 측면에 위치하고, 반도체 발광소자 칩 및 기판을 둘러싸고 있는 벽;으로서, 벽의 하면과 이어진 제1 면 및 제1 면과 이어진 제2 면을 포함하는 벽;을 포함하고, 벽의 하면과 기판의 하면은 동일한 선상에 위치하는 반도체 발광소자. 여기서, 반도체 발광소자 칩 및 기판은 봉지재, 유리 또는 석영으로 덮일 수 있다.
(2) 벽의 하면과 제1 면이 이루는 경사각이 둔각인 반도체 발광소자.
(3) 벽의 제2 면이 벽의 하면과 평행한 가상의 면과 이루는 경사각이 예각인 반도체 발광소자.
(4) 벽의 제1 면과 제2 면이 만나는 지점의 높이는 기판의 높이보다 낮은 반도체 발광소자.
(5) 벽의 제1 면과 제2 면에 형성된 반사층을 포함하는 반도체 발광소자.
(6) 벽의 제2 면에만 형성된 반사층을 포함하는 반도체 발광소자.
(7) 벽의 제1 면에 형성된 절연층;을 포함하는 반도체 발광소자.
(8) 벽의 제1 면 및 제2 면은 벽의 하면으로 기울어진 경사각을 갖는 반도체 발광소자.
(9) 반도체 발광소자 칩은 제1 전극 및 제2 전극을 포함하며, 제1 전극이 제1 도전부 위에 위치하고 제2 전극이 제2 도전부 위에 위치하여 전기적으로 연결되는 반도체 발광소자.
(10) 반도체 발광소자 칩은 전자와 전공의 재결합에 의해 자외선을 생성하는 복수의 반도체층과, 복수의 반도체층에 전기적으로 연결된 전극을 갖는 반도체 발광소자.
본 개시에 따르면 반도체 기울기를 갖는 벽을 반도체 발광소자 칩의 주변에 배치함으로써, 반사율을 증가시키면서 기판과 반도체 발광소자 칩의 전기적 접촉을 유지할 수 있는 반도체 발광소자를 얻을 수 있다.
반도체 발광소자 : 200 기판 :210
반도체 발광소자 칩: 220 벽 : 230
봉지재 : 240 반사층 : 250

Claims (10)

  1. 반도체 발광소자에 있어서,
    제1 도전부, 제2 도전부 및 제1 도전부와 제2 도전부 사이에 위치하는 절연부를 포함하는 기판;
    기판 위에 배치되고 기판과 전기적으로 연결된 반도체 발광소자 칩; 그리고,
    기판의 측면에 위치하고, 반도체 발광소자 칩 및 기판을 둘러싸고 있는 벽;으로서, 벽의 하면과 이어진 제1 면 및 제1 면과 이어진 제2 면을 포함하는 벽;을 포함하고,
    벽의 하면과 기판의 하면은 동일한 선상에 위치하는 반도체 발광소자.
  2. 제1항에 있어서,
    벽의 하면과 제1 면이 이루는 경사각이 둔각인 반도체 발광소자.
  3. 제1항에 있어서,
    벽의 제2 면이 벽의 하면과 평행한 가상의 면과 이루는 경사각이 예각인 반도체 발광소자.
  4. 제1항에 있어서,
    벽의 제1 면과 제2 면이 만나는 지점의 높이는 기판의 높이보다 낮은 반도체 발광소자.
  5. 제1항에 있어서,
    벽의 제1 면과 제2 면에 형성된 반사층을 포함하는 반도체 발광소자.
  6. 제1항에 있어서,
    벽의 제2 면에만 형성된 반사층을 포함하는 반도체 발광소자.
  7. 제6항에 있어서,
    벽의 제1 면에 형성된 절연층;을 포함하는 반도체 발광소자.
  8. 제6항에 있어서,
    벽의 제1 면 및 제2 면은 벽의 하면으로 기울어진 경사각을 갖는 반도체 발광소자.
  9. 제1항에 있어서,
    반도체 발광소자 칩은 제1 전극 및 제2 전극을 포함하며,
    제1 전극이 제1 도전부 위에 위치하고 제2 전극이 제2 도전부 위에 위치하여 전기적으로 연결되는 반도체 발광소자.
  10. 제1항에 있어서,
    반도체 발광소자 칩은 전자와 전공의 재결합에 의해 자외선을 생성하는 복수의 반도체층과, 복수의 반도체층에 전기적으로 연결된 전극을 갖는 반도체 발광소자.
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