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Die vorliegende Erfindung betrifft eine optoelektronische Leuchtvorrichtung, eine optoelektronische Beleuchtungseinrichtung sowie ein Verfahren zur Herstellung von wenigstens einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung oder einer optoelektronischen Beleuchtungseinrichtung.
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Die
DE 10 2012 102 114 A1 beschreibt eine optoelektronische Leuchtvorrichtung, deren emittiertes Licht effizient genutzt werden kann.
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Eine zu lösende Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine optoelektronische Leuchtvorrichtung bereitzustellen, die auf einfache Weise hergestellt werden kann und unempfindlich gegenüber Einflüssen (wie z.B. Feuchte) der Umgebung ist.
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Die Aufgabe wird durch eine optoelektronische Leuchtvorrichtung mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst.
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Eine erfindungsgemäße optoelektronische Leuchtvorrichtung umfasst:
- wenigstens ein lichtemittierendes Halbleiterbauteil, insbesondere eine LED (von Light Emitting Diode) oder einen LED-Chip, wobei das Halbleiterbauteil an wenigstens einer Oberflächenseite einen Austrittsbereich für Licht aufweist,
- einen Träger für das Halbleiterbauteil, wobei das Halbleiterbauteil auf einer Oberseite des Trägers angeordnet ist,
- wenigstens eine Funktionsschicht, insbesondere eine Konversionsschicht zur Konversion von aus dem Austrittsbereich ausgetretenem Licht in Licht mit wenigstens einer anderen Wellenlänge, wobei die Funktionsschicht oberhalb des Austrittsbereichs und/oder neben dem Austrittsbereich angeordnet ist, und
- eine Einfassung für die Funktionsschicht, wobei die Einfassung die Funktionsschicht in einer Umfangsrichtung gesehen umgibt, wobei die Umfangsrichtung parallel zur Trägeroberseite um die Funktionsschicht herum verläuft.
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Bei der Funktionsschicht kann es sich um eine Konversionsschicht handeln. Die Konversionsschicht kann zum Beispiel Leuchtstoff, zum Beispiel Phosphor, aufweisen und insbesondere aus einem Silikon-Leuchtstoff-Gemisch bestehen. Allgemeiner kann es sich bei der Funktionsschicht um jedwede Schicht handeln, die als Schichtlage direkt oberhalb des lichtemittierenden Halbleiterbauteils angeordnet ist.
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Bei dem lichtemittierenden Halbleiterbauteil kann es sich insbesondere um einen Oberflächenemitter handeln, dessen Austrittsbereich für Licht an der vom Träger abgewandten Oberseite des lichtemittierenden Halbleiterbauteils liegt. Die Funktionsschicht kann direkt oberhalb des Austrittsbereichs für Licht liegen und somit in Kontakt mit dem Austrittsbereich sein.
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Bei dem lichtemittierenden Halbleiterbauteil kann es sich auch um einen Volumenemitter handeln, der einen Austrittsbereich für Licht an der vom Träger abgewandten Oberseite aufweist. Alternativ oder zusätzlich kann das lichtemittierende Halbleiterteil einen Austrittsbereich für Licht an wenigstens einer seitlichen Oberfläche aufweisen, die senkrecht zur Trägeroberfläche verläuft. Die Funktionsschicht kann dabei auch in der Ebene der seitlichen Oberfläche angeordnet und somit neben dem Halbleiterbauteil vorgesehen sein.
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Mit Licht soll im Rahmen der vorliegenden Offenbarung nicht nur Licht im sichtbaren Wellenlängenbereich gemeint sein, sondern allgemeiner jedwede elektromagnetische Strahlung, die von einem lichtemittierenden Halbleiterbauteil abgestrahlt werden kann. Insbesondere soll unter Licht auch elektromagnetische Strahlung im infraroten oder ultravioletten Wellenlängenbereich gemeint sein.
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Bei der optoelektronischen Leuchtvorrichtung umgibt die Einfassung die Funktionsschicht in Umfangsrichtung gesehen. Die Einfassung bildet somit einen um die Funktionsschicht umlaufenden Rand, durch den die Funktionsschicht vor Einflüssen der Umgebung, zum Beispiel vor Sauerstoff oder Feuchtigkeit, geschützt werden kann. Da eine Funktions- bzw. Konversionsschicht Leuchtstoff enthalten kann, kann dieser Leuchtstoff zum Beispiel durch die Einfassung vor Feuchtigkeit und/oder Sauerstoff geschützt werden.
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Die Einfassung kann die Funktionsschicht derart umgeben, dass die Funktionsschicht in einer Richtung parallel zur Trägeroberseite gesehen vollständig innerhalb der Einfassung angeordnet ist. Dadurch kann die Funktionsschicht besonders gut gegen Einflüsse, die von der Seite her auf die optoelektronische Leuchtvorrichtung einwirken, geschützt werden.
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Die Einfassung kann eine in der Umfangsrichtung umlaufende Umrandung aufweisen, in deren Mitte eine durchgehende Öffnung vorgesehen ist, wobei die Einfassung die Funktionsschicht derart umgibt, dass die Mitte der Umrandung über dem Austrittsbereich des Halbleiterbauteils liegt und die Funktionsschicht die Öffnung zumindest teilweise und bevorzugt vollständig ausfüllt. Die Formulierung, dass die Mitte der Umrandung über dem Austrittsbereich des Halbleiterbauteils liegt, ist insbesondere so zu verstehen, dass die Mitte der Umrandung längs einer Geraden gesehen, die senkrecht zur Trägeroberseite verläuft, über der Mitte des Austrittsbereichs des optoelektronischen Halbleiterbauteils liegt oder mit der Mitte zusammenfällt. Bei einem Volumenemitter mit einem Austrittsbereich an wenigstens einer seitlichen Oberfläche kann als Mitte auch die geometrische Mitte des Volumenemitters gemeint sein.
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Die Umrandung kann somit einen äußeren Randbereich um die Funktionsschicht bilden. Da die Mitte der Umrandung über dem Austrittsbereich des Halbleiterbauteils liegt, befindet sich über dem Austrittsbereich die Funktionsschicht, zum Beispiel eine Konversionsschicht. Das Licht aus dem optoelektronischen Halbleiterbauteil kann somit in die Funktionsschicht gelangen. Das Licht kann von der Funktionsschicht weiter zur vom Träger abgewandten Oberseite der optoelektronischen Leuchtvorrichtung gelangen und dort nach außen abgestrahlt werden. Das Licht kann alternativ oder zusätzlich durch die für das Licht transparente Umrandung gelangen und an wenigstens einer seitlichen Oberfläche der Leuchtvorrichtung nach außen abgestrahlt werden.
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Die Umrandung der Einfassung kann wenigstens eine Außenseite aufweisen, welche an einer seitlichen Oberfläche der Leuchtvorrichtung liegt. Die Außenseite der Umrandung kann somit einen Teil der seitlichen Oberfläche der Leuchtvorrichtung bilden. Eine einzelne optoelektronische Leuchtvorrichtung kann aus einer zusammenhängenden, matrixartigen Anordnung von derartigen optoelektronischen Leuchtvorrichtungen hergestellt werden. Beim Vereinzeln der optoelektronischen Leuchtvorrichtungen werden die matrixartigen, optoelektronischen Leuchtvorrichtungen voneinander getrennt. Dies kann mittels eines Durchtrennvorgangs, beispielsweise mittels eines Schneidvorgangs, erfolgen, wobei eine Durchtrennung in Ebenen erfolgt, die senkrecht zur Trägeroberseite verlaufen. Die seitlichen Oberflächen der vereinzelten Leuchtvorrichtungen liegen dann in den Trennebenen. Wenn nun die Umrandung der Einfassung an der seitlichen Oberseite der Leuchtvorrichtung liegt, bedeutet dies, dass in der Schichtebene der Funktionsschicht keine Durchtrennung durch die Funktionsschicht, sondern durch die Umrandung der Einfassung erfolgt ist. Dies hat zum Beispiel den Vorteil, dass während des Durchtrennvorgangs die Funktionsschicht nicht mit einem Schneidwerkzeug in Berührung kommt und somit keine Bereiche oder Partikel aus der Funktionsschicht herausgerissen oder beschädigt werden können. Eine derartige Beschädigung könnte beispielsweise im Falle einer Konversionsschicht bei feuchteempfindlichen und/oder oberflächenbeschichteten Leuchtstoffen zu Alterungsproblemen führen. Ferner könnte eine derartige Beschädigung an einer Lichtaustrittsfläche eine sehr raue Oberfläche erzeugen, was sich negativ auf die Bauteileffizienz auswirkt.
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Nach einer bevorzugten Weiterbildung der Erfindung liegt wenigstens eine Außenseite einer Umrandung der Einfassung nicht an einer seitlichen Oberfläche der Leuchtvorrichtung, sondern zwischen der Außenseite und der seitlichen Oberfläche ist wenigstens eine Randschicht, insbesondere aus einem Vergussmaterial, ausgebildet. Die Randschicht kann dabei wenigstens teilweise transparent ausgestaltet sein. Die Einfassung kann somit materialsparend und kostengünstig ausgebildet werden und gegenüber der seitlichen Oberfläche nach hinten zurückversetzt sein.
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Die Einfassung kann einen Brechungsindex aufweisen, der zwischen dem Brechungsindex des Konversionsmaterials und Luft liegt. Die Auskoppeleffizienz kann dadurch erhöht werden.
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Die Einfassung kann aus einem transparenten Material ausgebildet sein. Die Einfassung kann aus einem Material ausgebildet sein, das Silikon und/oder Glas aufweist oder daraus besteht.
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Die Einfassung kann aus einem Material ausgestaltet sein, wie es beispielsweise zur Bildung von Dämmen in elektrischen oder optoelektronischen Bauteilen verwendet wird. Bei dem Material kann es sich beispielsweise um ein zähflüssiges, aushärtendes Silikon handeln, welches mittels eines Dispensers aufgetragen werden kann.
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Die Funktionsschicht kann an ihrer von der Trägeroberseite abgewandten Oberseite flach ausgebildet sein oder in der Mitte der Oberseite eine Vertiefung aufweisen. Die in der Mitte vertiefte Oberseite kann insbesondere zur Reflektorformung ausgestaltet sein. Dadurch kann Licht in verbesserter Weise nach außen zu den seitlichen Oberflächen der Leuchtvorrichtung gelenkt werden.
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Über der Oberseite der Funktionsschicht kann wenigstens eine weitere Schicht vorgesehen sein. Insbesondere kann wenigstens eine über der Funktionsschicht angeordnete Schicht Silikon und/oder Titandioxid (TiO2) aufweisen und insbesondere aus mit Titandioxid versetztem Silikon bestehen.
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Das lichtemittierende Halbleiterbauteil kann an seinen seitlichen Oberflächen von einem Füllmaterial, beispielsweise ein Silikonmaterial, welches mit Titandioxid versetzt sein kann, umgeben sein. Die Oberseite des Halbleiterbauteils sowie die Oberseite des Füllmaterials können eine ebene Oberfläche bilden, auf der die Funktionsschicht und die Einfassung angeordnet werden können. Die Einfassung kann auch zumindest teilweise in das Füllmaterial hineinragen.
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Insbesondere kann wenigstens eine Deckschicht über der Funktionsschicht und der Einfassung vorgesehen sein. Die Deckschicht kann lichtdicht ausgestaltet sein. Sie kann somit für das erzeugte Licht intransparent sein. Lichtemission durch die Deckschicht hindurch und somit an der Oberseite der Leuchtvorrichtung lässt sich dadurch vermeiden. Dagegen kann die Deckschicht eine Emission an den seitlichen Oberflächen der Leuchtvorrichtung unterstützen. Dabei ist die Einfassung vorzugsweise aus einem transparenten Material ausgestaltet, so dass das Licht durch die Einfassung hindurchtreten und an einer seitlichen Oberfläche der Leuchtvorrichtung austreten kann.
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Die Deckschicht kann zur Funktionsschicht hin reflektierend ausgestaltet sein. Licht kann daher an der Grenzfläche zwischen der Deckschicht und der Funktionsschicht von der Deckschicht zurück in die Funktionsschicht reflektiert werden. Wenn es sich bei der Funktionsschicht um eine Konversionsschicht handelt, kann dadurch die Effizienz der Konversion verbessert werden.
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Außerdem kann eine reflektierende Deckschicht als eine Art Lichtleiter wirken, um ein Austreten von Licht nach oben zu verhindern und um das Licht durch die für das Licht zumindest teilweise transparente Einfassung hindurch gewissermaßen nach außen zu lenken. Das Licht kann somit an einer seitlichen Oberfläche der Leuchtvorrichtung austreten.
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Vorzugsweise kann die Deckschicht an ihrer zur Funktionsschicht weisenden Unterseite eine konvexe, nach außen gewölbte Krümmung aufweisen. Dadurch kann die Deckschicht in verbesserter Weise als Reflektor wirken, um das Licht hin zu den seitlichen Außenseiten der Vorrichtung zu lenken.
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Die Erfindung betrifft auch eine optoelektronische Beleuchtungseinrichtung, insbesondere ein LED-Panel, umfassend:
- eine Trägereinrichtung, wobei auf einer Oberseite der Trägereinrichtung eine Vielzahl von Leuchtpunkten matrixartig angeordnet ist, wobei jeder Leuchtpunkt wenigstens ein lichtemittierendes Halbleiterbauteil umfasst, das an wenigstens einer Oberflächenseite einen Austrittsbereich für Licht aufweist,
- eine Funktionsschicht über und/oder neben den Austrittsbereichen der Vielzahl von Leuchtpunkten, insbesondere eine Konversionsschicht zur Konversion von Licht der Halbleiterbauteile in Licht mit wenigstens einer anderen Wellenlänge,
- eine Vielzahl von Einfassungen für die Funktionsschicht, wobei jede Einfassung eine in einer Umfangsrichtung umlaufende Umrandung aufweist, in deren Mitte eine durchgehende Öffnung vorgesehen ist,
- vorzugsweise wenigstens eine Deckschicht über der Funktionsschicht und den Einfassungen,
- wobei die Einfassungen zumindest in der Ebene der Funktionsschicht derart angeordnet oder ausgebildet sind, dass sich die Mitte einer jeweiligen Einfassung zumindest annähernd über einem jeweiligen Leuchtpunkt befindet und die Umrandung einen Bereich der Funktionsschicht über und/oder neben dem jeweiligen Leuchtpunkt umgibt,
- wobei der Bereich der Funktionsschicht die Öffnung der jeweiligen Einfassung zumindest teilweise und vorzugsweise vollständig ausfüllt.
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Die optoelektronische Beleuchtungseinrichtung kann insbesondere als eine matrixartige Anordnung von optoelektronischen Leuchtvorrichtungen betrachtet werden, wobei die optoelektronischen Leuchtvorrichtungen aus der optoelektronischen Beleuchtungseinrichtung durch einen Vereinzelungsvorgang hergestellt werden können. Als matrixartige Anordnung von optoelektronischen Leuchtvorrichtungen wird dabei insbesondere eine arrayartige Anordnung verstanden, bei der die Leuchtvorrichtungen in mehreren Spalten bzw. Reihen angeordnet sind. Dementsprechend wird als matrixartige Anordnung der Leuchtpunkte eine Anordnung verstanden, bei der die Leuchtpunkte arrayartig in mehreren Spalten bzw. Reihen angeordnet sind.
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Die Einfassungen können die Funktionsschicht entsprechend der matrixartigen Anordnung der Leuchtpunkte matrixartig in einzelne Bereiche unterteilen, wobei sich für jeden Bereich die Mitte einer jeweiligen Einfassung zumindest annähernd über einem jeweiligen Leuchtpunkt befindet und die Umrandung den Bereich der Funktionsschicht über und/oder neben dem jeweiligen Leuchtpunkt umgibt. Die Bereiche der Funktionsschicht können insbesondere in den Öffnungen der Einfassungen liegen, wobei benachbarte Bereiche der Funktionsschicht um eine um einen jeweiligen Bereich umlaufende Umrandung voneinander getrennt sind.
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Die Erfindung betrifft außerdem ein Verfahren zur Herstellung von wenigstens einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung oder einer optoelektronischen Beleuchtungseinrichtung, insbesondere eine erfindungsgemäße Leuchtvorrichtung oder eine erfindungsgemäße optoelektronische Beleuchtungseinrichtung, wobei bei dem Verfahren:
- eine Trägereinrichtung bereitgestellt wird, wobei auf einer Oberseite der Trägereinrichtung matrixartig eine Vielzahl von Leuchtpunkten angeordnet ist, wobei jeder Leuchtpunkt wenigstens ein lichtemittierendes Halbleiterbauteil umfasst, das an wenigstens einer Oberflächenseite einen Austrittsbereich für Licht aufweist,
- in einer Schichtebene über und/oder neben den Austrittsbereichen der Vielzahl von Leuchtpunkten eine Funktionsschicht, insbesondere eine Konversionsschicht zur Konversion von Licht der Halbleiterbauteile in Licht mit wenigstens einer anderen Wellenlänge, und eine Vielzahl von Einfassungen vorgesehen werden,
- bevorzugt über der Funktionsschicht und den Einfassungen wenigstens eine Deckschicht vorgesehen wird,
- wobei jede Einfassung der Vielzahl von Einfassungen eine in einer Umfangsrichtung umlaufende Umrandung aufweist, in deren Mitte eine durchgehende Öffnung vorgesehen ist,
- wobei die Einfassungen derart angeordnet oder ausgebildet werden, dass sich die Mitte der Umrandung einer jeweiligen Einfassung zumindest annähernd über einen jeweiligen Leuchtpunkt befindet und die Einfassungen die Funktionsschicht in einzelne Bereiche über und/oder neben den Leuchtpunkten unterteilen.
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Nach einer bevorzugten Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Verfahrens wird zuerst die Vielzahl von Einfassungen in der für die Funktionsschicht vorgesehenen Schichtebene angeordnet oder ausgebildet und erst danach wird die Funktionsschicht gebildet, insbesondere in den Öffnungen der Einfassungen.
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Umgekehrt kann auch zuerst die Funktionsschicht gebildet werden und danach wird die Vielzahl von Einfassungen in der Schichtebene der Funktionsschicht angeordnet oder ausgebildet, insbesondere durch Eindrücken der Vielzahl von Einfassungen in die Funktionsschicht.
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Vorzugsweise ist die Vielzahl von Einfassungen in einer Gitterstruktur, insbesondere aus einem transparenten Material ausgebildet. Die Gitterstruktur kann aus einem festen Material gebildet sein. Die Gitterstruktur lässt sich somit in die Funktionsschicht eindrücken, insbesondere solange die Funktionsschicht nicht ausgehärtet ist.
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Die Vielzahl von Einfassungen kann durch Aufbringen eines fließfähigen Materials, insbesondere eines zähflüssigen Materials, gebildet werden. Die Vielzahl von Einfassungen kann, zum Beispiel vergleichbar einem Damm, mittels eines Dispensverfahrens gebildet werden. Nach dem Aushärten des fließfähigen Materials kann anschließend die Funktionsschicht in den Zwischenbereichen der Einfassungen ausgebildet werden. Insbesondere kann vorgesehen sein, dass die Leuchtpunkte der Vielzahl von Leuchtpunkten vereinzelt werden. Bei der Vereinzelung der Leuchtpunkte ist bevorzugt vorgesehen, dass in der Schichtebene der Funktionsschicht keine Durchtrennung der Funktionsschicht, sondern ausschließlich eine Durchtrennung der Einfassungen erfolgt. Die Einfassungen liegen dadurch an der Außenseite eines vereinzelten Leuchtpunkts und somit an der Außenseite einer durch die Vereinzelung gebildeten optoelektronischen Leuchtvorrichtung. Dadurch kann erreicht werden, dass die Funktionsschicht bei einer vereinzelten optoelektronischen Leuchtvorrichtung innerhalb einer Einfassung liegt. Die Funktionsschicht kann somit von der umliegenden Einfassung vor Einflüssen der Umgebung geschützt werden.
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Im Folgenden werden Ausführungsbeispiele der Erfindung unter Bezugnahme auf die beigefügten Figuren näher erläutert. Es zeigen, jeweils schematisch,
- 1 eine Querschnittsansicht einer ersten Variante einer erfindungsgemäßen optoelektronischen Leuchtvorrichtung,
- 2 eine Querschnittsansicht einer zweiten Variante einer erfindungsgemäßen optoelektronischen Leuchtvorrichtung,
- 3 eine Querschnittsansicht einer dritten Variante einer erfindungsgemäßen optoelektronischen Leuchtvorrichtung,
- 4 eine Querschnittsansicht einer vierten Variante einer erfindungsgemäßen optoelektronischen Leuchtvorrichtung,
- 5 eine Querschnittsansicht einer fünften Variante einer erfindungsgemäßen optoelektronischen Leuchtvorrichtung,
- 6 eine Querschnittsansicht einer ersten Variante einer erfindungsgemäßen optoelektronischen Beleuchtungseinrichtung,
- 7 eine Draufsicht auf die optoelektronische Beleuchtungseinrichtung der 6,
- 8 eine Draufsicht auf eine zweite Variante einer erfindungsgemäßen optoelektronischen Beleuchtungseinrichtung,
- 9 eine Draufsicht auf eine dritte Variante einer erfindungsgemäßen optoelektronischen Beleuchtungseinrichtung, und
- 10 eine Querschnittsansicht einer nicht erfindungsgemäßen Variante einer erfindungsgemäßen optoelektronischen Leuchtvorrichtung.
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Die in 1 dargestellte optoelektronische Leuchtvorrichtung 21 umfasst ein in Form einer LED oder eines LED-Chips ausgestaltetes, lichtemittierendes und optoelektronisches Halbleiterbauteil 23, dessen Unterseite auf der Oberseite 25 eines Trägers 27 angeordnet ist. Das Halbleiterbauteil 23 weist an seiner oberen Oberflächenseite 29 einen Austrittsbereich 31 für Licht auf.
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Seitlich neben dem Halbleiterbauteil 23 ist eine Füllschicht 33 angeordnet, die zum Beispiel aus mit Titandioxid versetztem Silikon ausgebildet ist. Bei dem dargestellten Beispiel gemäß 1 bilden die Füllschicht 33 und die obere Oberflächenseite 29 eine ebene Oberfläche. In der darüberliegenden Schichtebene 35 ist eine Funktionsschicht 37 oberhalb des Austrittsbereichs 31 des Halbleiterbauteils 23 angeordnet. Bei der Funktionsschicht 37 kann es sich insbesondere um eine Konversionsschicht handeln, welche zur Konversion von aus dem Austrittsbereich 31 ausgetretenem Licht in Licht mit wenigstens einer anderen Wellenlänge geeignet ist. Eine derartige Konversionsschicht kann beispielsweise in einer Matrix eingebetteten Leuchtstoff aufweisen.
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Bei der Leuchtvorrichtung 21 ist außerdem eine Einfassung 39 für die Funktionsschicht 37 vorgesehen. Die Einfassung 39 umgibt die Funktionsschicht 37 in einer Umfangsrichtung U, die parallel zur Trägeroberseite 25 um die Funktionsschicht 37 herum verläuft. Wie die Darstellung der 1 zeigt, liegt die Einfassung 39 seitlich oberhalb des Austrittsbereichs 31 des Halbleiterbauteils 23, sodass die Einfassung 39 sich zumindest im Wesentlichen nicht negativ auf die Emissionseigenschaften des Halbleiterbauteils 23 auswirkt. Die Einfassung 39 liegt auf der seitlichen Füllschicht 33 auf und bildet mit der Funktionsschicht 37 eine ebene obere Oberfläche, auf welcher eine Deckschicht 41 angeordnet ist. Die Deckschicht 41 kann beispielsweise aus einem Silikonmaterial ausgestaltet sein, das mit Titandioxid versetzt ist.
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Die Einfassung 39 kann aus einem transparenten Material ausgebildet sein, das zum Beispiel ein Silikon und/oder Glas aufweist oder daraus besteht.
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Die Einfassung 39 kann zum Beispiel nach dem Ausbilden der Füllschicht 33 in Form eines festen Körpers auf der Oberseite der Füllschicht 33 angeordnet werden. In der von der Einfassung 39 umschlossenen, mittigen Öffnung 43 kann sodann die Funktionsschicht 37 ausgebildet werden. Alternativ kann die Einfassung 39 aus einem zähflüssigen Material, ähnlich einem Damm, zum Beispiel mittels eines Dispensverfahrens, auf der Oberseite der Füllschicht 33 gebildet werden. Nach dem Aushärten des zähflüssigen Materials kann dann wieder in der von dem Material umschlossenen Öffnung 43 die Funktionsschicht 37 ausgebildet werden.
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Wie sich aus 1 ergibt, umfasst die Einfassung 39 eine in der Umfangsrichtung U umlaufende Umrandung 45, welche bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel zum Beispiel einen rechteckigen Querschnitt aufweist und in deren Mitte die bereits erwähnte, durchgehende Öffnung 43 liegt. Die Umrandung 45 kann in einer Ebene der Umfangsrichtung U gesehen auch einen quadratischen, vieleckigen oder kreisförmigen Querschnitt aufweisen. Auch andere Querschnittsformen sind möglich.
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Wie ferner aus 1 gesehen werden kann, weist die Einfassung 39 bzw. die Umrandung 45 eine Außenseite 47 auf, die von der Öffnung 43 abgewandt ist und an einer seitlichen Oberfläche der Leuchtvorrichtung 21 liegt. Als seitliche Oberflächen der Leuchtvorrichtung 21 werden diejenigen äußeren Oberflächen bezeichnet, welche senkrecht zur Trägeroberfläche 25 nach oben verlaufen.
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Bei dem Ausführungsbeispiel gemäß 1 liegt somit die Außenseite 47 an einer Außenfläche der Leuchtvorrichtung, wohingegen die Funktionsschicht 37 innerhalb der Einfassung 39 liegt. Die Füllschicht 33 ist somit vor Einflüssen der Umgebung geschützt. Alterungsprozesse, die zum Beispiel durch Feuchtigkeit hervorgerufen werden, können dadurch an der Füllschicht 33 vermieden oder zumindest reduziert werden.
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Die Deckschicht 41 kann lichtdicht ausgestaltet sein, so dass das Licht nicht durch die Deckschicht 41 hindurch nach oben austreten kann. Die Einfassung 39 kann dagegen aus einem transparenten Material ausgestaltet sein, so dass das Licht durch eine der seitlichen Außenseiten 47 nach außen abgestrahlt werden kann
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Die Deckschicht 41 kann zur Funktionsschicht 37 hin reflektierend ausgestaltet sein. Licht kann an der Grenzfläche zwischen der Deckschicht 41 und der Funktionsschicht 37 in die Funktionsschicht 37 zurückreflektiert werden. Wenn es sich bei der Funktionsschicht 37 um eine Konversionsschicht handelt, kann dadurch die Effizienz der Konversion verbessert werden.
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Die reflektierende Deckschicht 41 kann als eine Art Lichtleiter wirken. Gleiches kann für die Füllschicht 33 gelten. Das zwischen Deckschicht 41 und Füllschicht 33 hin und her reflektierte Licht kann dabei in verbesserter Weise zu den seitlichen Außenseiten 47 gelenkt werden.
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Die in 2 gezeigte zweite Variante einer erfindungsgemäßen optoelektronischen Leuchtvorrichtung 21 unterscheidet sich von der Variante gemäß 1 dadurch, dass die Umrandung 45 in die Füllschicht 33 hineinragt. In einer Abwandlung kann die Unterseite der Umrandung 45 auch auf der Trägeroberseite 25 aufliegen. Die Einfassung 39 kann dadurch eine Art Stoppkante für die Füllschicht 33 bilden.
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Zur Herstellung der Leuchtvorrichtung gemäß 2 kann beispielsweise zuerst die Füllschicht 33 ausgebildet werden, und anschließend kann die aus einem festen und vorzugsweise transparenten Material ausgestaltete Einfassung 39 von oben her in die Füllschicht 33 eingedrückt werden. Gemäß einem anderen Beispiel kann zuerst die Einfassung 39 auf die Trägeroberseite 25 aufgebracht werden, und anschließend kann die Öffnung 43 der Einfassung 39 mit der Füllschicht 33 gefüllt werden, insbesondere derart, dass die Füllschicht 33 und die obere Oberflächenseite 29 der LED 23 eine ebene Oberfläche bilden. Auf dieser Oberfläche kann wiederum, wie in 2 dargestellt, die Funktionsschicht 37 gebildet werden.
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Die in 3 dargestellte dritte Variante einer erfindungsgemäßen optoelektronischen Leuchtvorrichtung 21 unterscheidet sich von dem Ausführungsbeispiel gemäß 1 insbesondere dadurch, dass die Oberseite der Funktionsschicht 37 nicht flach ausgebildet ist, sondern in der Mitte der Oberseite eine Vertiefung 49 aufweist. Die Vertiefung 49 kann insbesondere derart ausgestaltet sein, dass die Oberseite der Funktionsschicht 37 eine konkave Krümmung aufweist. Dementsprechend weist die Unterseite der darüber liegenden Deckschicht 41 eine konvexe Krümmung auf. Die Grenzfläche zwischen der Funktionsschicht 37 und der Deckschicht 41 kann als eine Art Reflektor für das an der Unterseite der Deckschicht 41 reflektierte Licht wirken und das Licht zur Seite hin nach außen reflektieren. Das an der Oberseite 29 des Bauteils 23 nach oben abgestrahlte Licht kann somit, zum Beispiel um 90 Grad, nach außen umgelenkt und durch die transparente Einfassung 39 hindurch nach außen gelangen. In der Funktionsschicht 37 kann dabei eine Konversion des Lichts in Licht mit einer anderen Wellenlänge erfolgen. Die Grenzfläche kann daher eine Art Reflektor 51 bilden. Die Auskoppeleffizienz des in der Leuchtvorrichtung 21 erzeugten Lichts an den seitlichen Oberflächen 47 der Einfassung 39 kann dadurch verbessert werden. Die Deckschicht 41 kann auch lichtdicht ausgestaltet sein, während die Einfassung 39 transparent ist. Außerdem kann die der Funktionsschicht 37 zugewandte Unterseite der Deckschicht 41 als Reflektor ausgestaltet sein. Die Unterseite kann zum Beispiel verspiegelt sein.
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Die vierte Variante einer erfindungsgemäßen Leuchtvorrichtung 21 gemäß 4 unterscheidet sich von der Variante gemäß 3 insbesondere dadurch, dass unterhalb der Deckschicht 41 noch eine weitere, sogenannte Zwischenschicht 55 vorgesehen ist. Bei der Zwischenschicht 55 kann es sich zum Beispiel um eine transparente Schicht handeln. Die Zwischenschicht 55 kann auch als weitere Deckschicht über der Funktionsschicht 37 angesehen werden. Sie kann, wie vorstehend in Bezug auf 1 für die Deckschicht 41 erwähnt wurde, auch lichtdicht und zur Funktionsschicht 37 hin reflektierend ausgebildet sein. Dadurch kann eine ausschließliche Lichtauskopplung an einer seitlichen Oberfläche 47 realisiert werden.
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Die fünfte Variante einer erfindungsgemäßen optoelektronischen Leuchtvorrichtung 21 gemäß 5 unterscheidet sich von der Variante gemäß 4 dadurch, dass die Außenseite 47 der Umrandung 45 der Einfassung 39 nicht an einer seitlichen Außenseite der Leuchtvorrichtung 21 liegt, sondern dass zwischen der Außenseite 47 und einer seitlichen Oberfläche 57 der Leuchtvorrichtung 21 eine Randschicht 59 ausgebildet ist. Die Randschicht 59 wird in dem dargestellten Beispiel von der darüberliegenden Zwischenschicht 55 gebildet, die sich in der Schichtebene 35 der Funktionsschicht 37 wie in 5 dargestellt zwischen der Außenseite 47 der Umrandung 45 und der seitlichen Oberfläche 57 der Leuchtvorrichtung 21 erstreckt. Die Zwischenschicht 55 und somit insbesondere auch die Randschicht 59 können aus einem, insbesondere transparenten, Vergussmaterial ausgestaltet sein.
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Die in 6 im Querschnitt und in 7 in Draufsicht dargestellte erste Variante einer erfindungsgemäßen optoelektronischen Beleuchtungseinrichtung 61 umfasst eine Trägereinrichtung 63, auf deren Oberseite 65 eine Vielzahl von Leuchtpunkten 67 matrixartig angeordnet ist. Jeder Leuchtpunkt 67 umfasst dabei wenigstens ein lichtemittierendes Halbleiterbauteil, vergleiche das Halbleiterbauteil 23 in den 1 bis 5. Zwischen den Leuchtpunkten 67 ist eine Füllschicht 33 ausgebildet. Über den Austrittsbereichen des wenigstens einen Halbleiterbauteils eines Leuchtpunkts 67 ist eine Funktionsschicht 37 angeordnet, bei der es sich insbesondere um eine Konversionsschicht zur Konversion von Licht der Halbleiterbauteile in Licht mit wenigstens einer anderen Wellenlänge handelt. Ferner ist eine Vielzahl von Einfassungen 39 zumindest in der Schichtebene 35 der Funktionsschicht 37 vorgesehen. Jede Einfassung 39 weist eine in einer Umlaufrichtung U umlaufende Umrandung 45 auf, in deren Mitte eine durchgehende Öffnung 43 vorgesehen ist. Die Einfassungen 39 sind zumindest in der Ebene der Funktionsschicht 35 derart angeordnet, dass sich die Mitte einer jeweiligen Einfassung zumindest annähernd über einem jeweiligen Leuchtpunkt 67 befindet und die Umrandung 39 einen Bereich der Funktionsschicht 37 über dem jeweiligen Leuchtpunkt 67 umgibt, wobei der Bereich der Funktionsschicht 37 die Öffnung 43 der jeweiligen Einfassung 39 ausfüllt.
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Die Einfassungen 39 unterteilen die Funktionsschicht 37 entsprechend der matrixartigen Anordnung der Leuchtpunkte 67 somit in einzelne Bereiche 69, wobei sich für jeden Bereich 69 die Mitte einer jeweiligen Einfassung 39 zumindest annähernd über dem jeweiligen Leuchtpunkt 67 befindet und die Umrandung 45 den Bereich 69 der Funktionsschicht 37 über dem jeweiligen Leuchtpunkt 67 umgibt.
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Aus der Beleuchtungseinrichtung 61 gemäß den 6 und 7 können mehrere Leuchtvorrichtungen 21 gemäß 1 durch einen Vereinzelungsvorgang hergestellt werden. Dabei erfolgt eine Durchtrennung der Trägereinrichtung 63 sowie den darüber liegenden Schichten in senkrecht zur Oberseite 65 der Trägereinrichtung 63 verlaufenden Trennebenen E. Diese Trennebenen E verlaufen zumindest im Wesentlichen mittig durch die Einfassungen 39 bzw. die Umrandungen 45 hindurch. Dadurch wird erreicht, dass die Außenseiten 47 der Umrandungen 45 bei den vereinzelten Leuchtvorrichtungen 21 an den seitlichen Oberflächen der vereinzelten Leuchtvorrichtungen 21 liegen, wie 1 zeigt. Die Funktionsschicht 37 einer vereinzelten Leuchtvorrichtung 21 kann somit durch die sie umgebende Einfassung 39 vor Einflüssen der Umgebung geschützt werden.
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Eine Durchtrennung längs der Ebenen E kann zum Beispiel anhand von Sägeprozessen erfolgen, bei denen eine Wasserkühlung zum Einsatz kommen kann. Die Einfassung 39 schützt die Funktionsschicht 37 der Leuchtvorrichtungen 21 während des Sägevorgangs zum Beispiel vor Feuchtigkeit durch die Wasserkühlung. Da ein Sägevorgang nicht direkt an dem Material der Funktionsschicht 37 durchgeführt wird, entstehen an der Funktionsschicht 37 außerdem keine mechanischen Beschädigungen.
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Die Beleuchtungseinrichtungen 61 der 8 und 9 sind ähnlich aufgebaut wie die Beleuchtungseinrichtung der 6 und 7. Allerdings weisen bei der Beleuchtungseinrichtung 61 der 8 die Öffnungen 43 der Umrandungen 45 keinen quadratischen Querschnitt auf, sondern einen sechseckigen Querschnitt, insbesondere mit zumindest im Wesentlichen gleich langen Seiten. Bei der Variante der 8 hängen die Einfassungen 39 bzw. die Umrandungen 45 - wie bei der Variante gemäß den 6 und 7 - zusammen. Bei einem Vereinzelungsvorgang und entsprechenden Durchtrennungen längs der Ebenen E werden dabei aneinander angrenzende Einfassungen 39 durchtrennt.
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Die zusammenhängenden Einfassungen 39 bilden, wie die 7 und 8 zeigen, eine Art Gitterstruktur 71, die zum Beispiel als fester, insbesondere transparenter, Körper ausgestaltet sein kann. Die Gitterstruktur 71 kann bei der Herstellung der Beleuchtungseinrichtung 61 auf die Oberseite der Füllschicht 33 gelegt oder auch teilweise in diese eingedrückt werden (vgl. die Variante gemäß 2).
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Bei der Beleuchtungseinrichtung 61 gemäß der 9 sind die Einfassungen 39 voneinander getrennt. Die Umrandung 45 einer jeweiligen Einfassung 39 weist zumindest näherungsweise einen kreisförmigen Querschnitt auf. Die Umrandungen 45 können einzeln gebildet sein, zum Beispiel mittels eines Dispensverfahrens, bei welchem die Einfassungen 39 bzw. die Umrandungen 45 unter Aufbringung eines zähflüssigen Materials gebildet werden, welches aushärtet.
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Die Vereinzelung kann wiederum mittels Durchtrennung an den Trennebenen E erfolgen. Bezogen auf die Schichtebene 35 (vgl. 6) erfolgt dabei eine Durchtrennung im Bereich der Zwischenräume zwischen den Einfassungen 39. Diese Zwischenräume können mit einer Randschicht gefüllt sein, vgl. die Randschicht 59 in 5. Durch Vereinzelung können aus der Beleuchtungseinrichtung 61 der 9 somit Leuchtvorrichtungen gemäß 5 gebildet werden.
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Die in 10 gezeigte, nicht erfindungsgemäße Ausgestaltung einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung weist, im Gegensatz zu den Leuchtvorrichtungen gemäß der 1 bis 5, keine Einfassung 39 auf. Die Funktionsschicht 37 erstreckt sich somit bis an die seitlichen Außenseiten der Leuchtvorrichtung. Einflüsse aus der Umgebung können sich somit direkt auf die Funktionsschicht 37 auswirken und möglicherweise einen Alterungsvorgang beschleunigen.
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Bezugszeichenliste
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- 21
- optoelektronische Leuchtvorrichtung
- 23
- lichtemittierendes Halbleiterbauteil, LED
- 25
- Trägeroberseite
- 27
- Träger
- 29
- Oberflächenseite
- 31
- Austrittsbereich
- 33
- Füllschicht
- 35
- Schichtebene
- 37
- Funktionsschicht
- 39
- Einfassung
- 41
- Deckschicht
- 43
- Öffnung
- 45
- Umrandung
- 47
- Außenseite der Umrandung
- 49
- Vertiefung
- 51
- Reflektor
- 53
- Oberseite
- 55
- Zwischenschicht
- 57
- seitliche Oberfläche
- 59
- Randschicht
- 61
- optoelektronische Beleuchtungseinrichtung
- 63
- Trägereinrichtung
- 65
- Oberseite
- 67
- Leuchtpunkte
- 69
- Funktionsschichtbereich
- 71
- Gitterstruktur
- U
- Umfangsrichtung
- E
- Trennebene
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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- DE 102012102114 A1 [0002]