CN102282685A - 具有外移式电极的垂直发光二极管 - Google Patents

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Abstract

本发明关于一种具有外移式电极的垂直发光二极管，其包含：一导电性衬底；一半导体外延结构，形成在该导电性衬底上；一钝化层，形成在该半导体外延结构的周围；以及一导电性框架，形成在该钝化层上，且与该半导体外延结构的上表面的外侧相接触，以使该导电性框架与该半导体外延结构产生电连接。

Description

具有外移式电极的垂直发光二极管
六、发明说明 ：
【发明所属之技术领域】
本发明系关於一种垂直发光二极体， 尤其，本发明系关於一 种具有外移式电极之垂直发光二极体。
【先前技术】
在习知发光二极体的结构中 ，接触电极皆设置在发光区域 内 ， 因此必须占用发光区域的一部分发光面积，进而降低出光效 率。此外，在发光二极体进行封装之後， 其外观形状为半圆形或 椭圆形，所以发光二极体的出光形式可能为四面八方。又，吾人 通常会在封装结构中加入萤光体，藉以将发光二极体所发出的光 转换成白光或具有其他波长的发射光，然而 ， 由於萤光体通常难 以均匀分布， 因此容易造成发光二极体之发光色温的不均匀 ，并 於光图案外圈经常有所谓黄晕的现象发生。
为解决上述问题，在美国专利第 6,674,096 B2号中 ，揭露一 种利用封装外膜设计形成出光对萤光体转换均匀的方法； 以及在 美国专利第 7, 111 ,964 B2号中，揭露一种将萤光体直接涂布在发光 二极体晶片上以改善出光均匀度的方法。然而 ，上述专利文献并 无法彻底解决位於封装体内之萤光体分布不均的问题以及接触电 极占用发光区域的问题。
【发明内容】
鉴於上述问题，本发明之一实施例为一种具有外移式电极之 垂直发光二极体，其包含： 导电性基底 ； 半导体磊晶结构，形成 在导电性基底上；钝化层 ，形成在半导体磊晶结构的周围 ； 以及 导电性框架 ，形成在钝化层上，且与半导体磊晶结构之上表面的 外侧相接触 ， 以使导电性框架与半导体磊晶结构产生电性连接。
本发明之另一实施例为一种具有外移式电极之垂直发光二极 体， 其包含： 导电性基底； 半导体磊晶结构，形成在导电性基底 上；钝化层 ，形成在半导体磊晶结构的周围 ； 电极框架 ，形成在 半导体磊晶结构之上表面的外侧，并与半导体磊晶结构产生电性 连接； 非导电性框架 ，形成在钝化层以及一部分的电极框架上； 以及金属焊垫，形成在非导电性框架上，并且与电极框架产生电 性连接。
本发明之另一实施例为一种具有框架的发光二体体， 其包 含： 导电性基底； 半导体磊晶结构，形成在导电性基底上；接触 电极，设置在半导体磊晶结构上；钝化层 ，形成在半导体磊晶结 构的周围 ； 以及框架 ，形成在钝化层上。
本发明之其他实施样态以及优点可从以下与用以例示本发明 原理范例之随附图式相结合的详细说明而更显明白。 【实施方式】
图 1A 显示依照本发明之一实施例之具有导电性框架之垂直 发光二极体 (VLED， vertical light emitting diode) 100的立体图 ； 而 图 1B显示图 1A之垂直发光二极体 100的剖面图。如图 1A与 1B 所示，发光二极体 100包含： 导电性基底 1、钝化层 3、导电性框 架 5、 n-GaN层 7、活化层 9、 p-GaN层 11 、 以及镜面层 13。导电 性框架 5系形成在钝化层 3的上方，并且与发光二极体 100之半 导体磊晶结构 (由 n-GaN层 7、活化层 9、以及 p-GaN层 11所构成) 之上表面的外侧相接触（其可形成欧姆接触），俾能使电流导通而流 经 n-GaN层 7， 即， 导电性框架 5可作为发光二极体 100的接触 电极。由於导电性框架 5具有开口 15，所以 n-GaN层 7可从导电 性框架 5的开口 15棵露。导电性基底 1可为 Cu、 Ni、 Ag、 Au、 Co、 A卜 Sn、 W、 Mo、 Pd、 Pt、 Rh、或其合金。此外， 导电性基 底 1亦可为 Si、 SiC、 Ge、 GaAs、 InP、 GaN、或石墨。
为了 P-N之绝缘，在此半导体磊晶结构的周围形成钝化层 3。 举例而言，导电性框架 5可为金属或金属合金，例如 A卜 Ti、Cu、 Ni、 Au、 Ag、 Co、 Fe、 Sn、或其合金。在本发明之其他实施例中 ， 导电性框架 5可由异方性导电膜 (ACF， anisotropic conductive film) 或导电胶 (例如银胶)或其他导电材料所形成。例如， 导电性框架 5 可使用下列至少其中一种方法加以形成： 电镀、无电电镀、物理 气相沉积 (PVD， physical vapor deposition)、化学气相沉积 (CVD， chemical vapor deposition)、 蒸键、激键、喷涂、网版印刷 (screen printing)、喷墨印刷 (inject printing)或其结合。导电性框架 5的宽度 \^可介於约 l〃m到约 200 z m之间，而其高度 可介於约 l〃m 到约 200 / m之间。
由於导电性框架 5系形成在垂直发光二极体 100之发光区域 (即，半导体磊晶结构)的外侧，并且使其取代原来形成在发光区域 内的接触电极， 因此能够增加可被利用的发光面积，进而提升出 光效率。
图 2A 显示依照本发明之另一实施例之垂直发光二极体 200 的立体图 ； 而图 2B显示图 2A之垂直发光二极体 200的剖面图。 如图 2A与 2B所示 ，发光二极体 200包含： 导电性基底 1、钝化 层 3、 n-GaN层 7、活化层 9、 p-GaN层 11 、以及镜面层 13、非导 电性框架 17、金属焊垫 19、以及电极框架 21。电极框架 21系形 成在发光二极体 200之半导体磊晶结构 (由 n-GaN层 7、活化层 9、 以及 p-GaN层 11所构成)之上表面的外侧， 而与 n-GaN层 7产生 电性连接，然後再将非导电性框架 17形成於一部分的电极框架 21 上， 因此非导电性框架 17亦同样位於半导体磊晶结构的外侧。非 导电性框架 17亦同时被形成在钝化层 3 的上方； 而金属焊垫 19 系形成在非导电性框架 17上，并且与电极框架 21产生电性连接。 藉由金属焊垫 19以及电极框架 21 的设置与连接，俾能使电流导 通而流经 n-GaN层 7。 由於非导电性框架 17具有开口 23，所以 n-GaN层 7可从非导电性框架 17的开口 23棵露。
举例来说，非导电性框架 17可为感光性材料，例如光阻 (举例 而言，其可为乾膜光阻 (dry film resist))、或光固化材料 (举例而言 ， 其可为光固化树脂，如光固化环氧树脂 (epoxy))。非导电性框架 17 亦可为非感光性材料，例如有机聚合物，其包含聚亚醯胺
(polyimide)、聚对二甲苯 (parylene)、矽酮树脂 (silicone)、环氧树脂 等等；或其他无机材料，其包含陶瓷、玻璃、 SiQ2、 A1203、 Si3N4、 ZnO、 Ta205、 Ti02、 HfO、 MgO等等。例如，金属焊垫 19可使用 下列至少其中一种方法加以形成： 电镀、无电电镀、物理气相沉 积、化学气相沉积、 蒸镀、溅镀、喷涂、网版印刷、喷墨印刷或 其结合。非导电性框架 17的宽度 W2可介於约 l m到约 200 / m 之间，而其高度 可介於约 l〃m到约 200〃πι之间。举例而言 ， 金属焊垫 19可为金属或金属合金，例如 Al、 Ti、 Cu、 Ni、 Au、 Ag、 Co、 Fe、 Sn、 Pd、 Bi、或其合金。 又 ，例如电极框架 21可 使用下列至少其中一种方法加以形成： 电镀、无电电镀、物理气 相沉积、化学气相沉积、 蒸镀、溅镀、喷涂、网版印刷、喷墨印 刷或其结合。在本发明之实施例中 ， 电极框架 21可为 A卜 Ni、 Au、 Ti、 Pt、 Cu、 Cr、 Pd、 Bi、或其合金，於其中可掺杂 TaN、 TiN、 Si等等的材料， 以增进其电性。
由於非导电性框架 17与电极框架 21 系形成在垂直发光二极 体 200之发光区域 (即，半导体磊晶结构)的外侧，并且使其取代原 来形成在发光区域内的接触电极， 因此能够增加可被利用的发光 面积， 进而提升出光效率。
图 3 显示依照本发明之实施例之具有框架之垂直发光二极体 在进行晶圆等级制作时的实际影像。吾人可在晶圆制作完成之 後，经过分离程序 (例如切割），而获得具有框架的垂直发光二极体 晶片 。
图 4显示依照本发明之另一实施例之垂直发光二极体 400的 剖面图。发光二极体 400的结构系与图 1B所示之发光二极体 100 的结构大致相同 ， 其差异在於：在框架 25 的表面上形成反射层 27，以促进将发光二极体 400所发出的光反射至外界。具体而言 ， 反射层 27可将入射於框架 25上的光反射至发光二极体 400之半 导体磊晶结构 (由 n-GaN层 7、活化层 9、以及 p-GaN层 11所构成) 的上方而进行出光 (如图 4之箭头 A所示），藉以防止框架 25对光 的吸收，进而增加出光效率。虽然 ，在本发明之随附图式中并未 绘示，但本实施例所揭露之反射层 27亦可应用在图 2A与 2B所 示之发光二极体 200，即，反射层 27亦可形成在非导电性框架 17(图 2A与 2B)的表面上。反射层 27可由 Ag、 A1、或其他高反射性金 属、或其他多层介质膜堆叠体所构成。反射层 27可使用下列至少 其中一种方法加以形成： 电镀、无电电镀、物理气相沉积、化学 气相沉积、 蒸镀、溅镀、喷涂、网版印刷、喷墨印刷或其结合。
以下，将说明本发明之具有框架的垂直发光二极体在经过封 装後的各种实施例。
图 5A显示依照本发明之一实施例之垂直发光二极体 500A在 经过封装之後的剖面图；图 5B显示依照本发明之另一实施例之垂 直发光二极体 500B在经过封装之後的剖面图 ； 以及图 5C显示依 照本发明之另一实施例之垂直发光二极体 500C 在经过封装之後 的剖面图。在图 5A中 ， 导线架 35可包含第一导电区段 35A、底 座 35B、以及第二导电区段 35C，并且在各导电区段 35A、35C与 底座 35B之间具有间隙 36。如图 5A所示 ，发光二极体 500A被 设置在导线架 35的底座 35B上，并且透过导线 31 以及焊垫 32， 而与导线架 35的各导电区段 35A、 35C产生电性连接。虽然图式 中仅绘示 2条导线与一个焊垫 32，但吾人可视实际情况而增减导 线与焊垫的数量。在使用图 1A与 1B所示之导电性框架 5的情况 下，藉由导线 31而使垂直发光二极体 100的导电性框架 5与导线 架的导电区段相连接； 而在使用图 2A与 2B所示之非导电性框架 17的情况下，藉由导线 31 而使垂直发光二极体 200的金属焊垫 19与导线架的导电区段相连接。
在习知发光二极体的封装结构中 ， 由於封胶後的结构形状为 半圆形或椭圆形，所以发光二极体的出光形式可能为四面八方。 又， 由於萤光体难以均匀分布 ， 因此容易造成发光二极体之发光 色温的不均匀 ，并於光图案外圈经常有所谓黄晕的现象发生。
在本发明之实施例中 ，发光二极体 500A可藉由框架 29的设 置， 而将萤光体 33局限在框架 29内 ，以使萤光体 33可均匀分布 於框架 29内。萤光体 33可藉由下列方式加以设置：涂布、喷涂、 网版印刷、喷墨印刷、点胶等。吾人可使用封装体 37而对发光二 极体 500A进行封装，以将发光二极体 500A、导线 31 、 以及焊垫 32 包覆於其内 ，俾能防止因碰撞所引起的装置损坏、以及因氧化 所引起的萤光体衰退。在本发明之其他实施例中 ，可省略焊垫 32 的使用 ， 因为焊垫 32可被直接形成在导线架的导电区段上。在本 发明之实施例中 ，封装体可例如为环氧树脂或矽酮树脂。发光二 极体 500A系以垂直方向 (如图 5A之箭头 B所示）进行出光， 由发 光二极体 500A所发出的光在经由分布均匀於框架 29内的萤光体 33转换之後，俾能获得均匀白光发光色温之效果，进而减少萤光 体之使用 ， 降低成本。
为了简化之目的 ，在图 5B与 5( 中 ，省略与图 5A相同的元 件符号。
图 5B可表示两种情况：其一为在框架内填充具有不同粒径的 萤光体 39； 以及另一为由於制作方式的差异，所填充之萤光体 39 会产生溢注并因表面张力而停留在框架上。萤光体 39可藉由下列 方式加以设置： 涂布、喷涂、网版印刷、喷墨印刷、点胶等。
在图 5C中，萤光体 41并不被局限於框架内。具体来说，即， 以萤光体 41 包覆整个发光二极体 500C，然後再以封装体 43包覆 整个萤光体 41。萤光体 41可藉由下列方式加以设置：涂布、喷涂、 网版印刷、喷墨印刷、点胶等。图 5A-5C所示之实施例可同时应 用在图 1A-1B、图 2A-2B、以及图 4所示的实施例中。
此外，若仅单纯为了将萤光体设置在一特定位置而不考虑接 触电极的外移时，为简化之目的，在此以图 1A的结构来说明本发 明之另一实施例 ，於其中 ： 垂直发光二极体的框架部分可为导电 性或非导电性， 以及其接触电极 (未显示)系形成在发光区域 (即， 半导体磊晶结构)内 ，并与 n-GaN层 7形成欧姆接触。因此，吾人 可利用导电性 (或非导电性)框架的设置，而将萤光体局限在期望的 区域内 。本实施例所述之垂直发光二极体可应用在上述图 5A-5C 所示的实施例中 ，於其中吾人可利用导线而使垂直发光二极体的 接触电极与导线架的导电区段相连接。本实施例所述之框架的材 料、尺寸或其应用可与图 1A、图 1B、 图 2A、图 2B、以及图 4 所示的实施例相同 ，於此将不再赘述。 本发明可提供具有外移电极之垂直发光二极体结构。 由於接 触电极的外移，故可增加垂直发光二极体的发光面积，进而提升 出光效率。具体而言 ，依照本发明之实施例，吾人可将垂直发光 二极体的接触电极形成在发光区域之外，俾能利用原来被接触电 极所占据的发光面积，进而提升垂直发光二极体的出光效率。具 体而言 ，本发明可具有下列优点： 以具有框架的垂直发光二极体 来有效局限萤光体的分布 ，使各角度发光色温分布更均匀 ，进而 有效降低成本、提升良率； 以及将金属焊垫外移并独立制作於框 架上， 而使垂直发光二极体的发光区域内不存在金属焊垫， 因此 可进一步增加出光效率，俾使垂直发光二极体可均匀发光。
虽然本发明已参考较佳实施例及图式详加说明 ，但熟习本项 技艺者可了解在不离开本发明之精神与范畴的情况下，可进行各 种修改、变化以及等效替代， 然而这些修改、变化以及等效替代 仍落入本发明所附的申请专利范围内。
【图式简单说明】
在本发明之随附图式中 ，相同的元件以相同的元件符号加以 表示。
图 1 A 显示依照本发明之一实施例之具有导电性框架之垂直 发光二极体的立体图 ；
图 1B显示图 1A之垂直发光二极体的剖面图 ；
图 2A 显示依照本发明之另一实施例之垂直发光二极体的立 图 2B显示图 2A之垂直发光二极体的剖面图 ；
图 3 显示依照本发明之实拖例之具有框架之垂直发光二极体 在进行晶圆等级制作时的实际影像；
图 4显示依照本发明之另一实施例之垂直发光二极体的剖面 图 ；
图 5A 显示依照本发明之一实施例之垂直发光二极体在经过 封装之後的剖面图 ； 图 5B 显示依照本发明之另一实施例之垂直发光二极体在经 过封装之後的剖面图 ；及
图 5C 显示依照本发明之另一实施例之垂直发光二极体在经 过封装之後的剖面图 。
【主要元件符号说明】
I 导电性基底
3 钝化层
5 导电性框架
7 n-GaN层
9 活化层
I I p-GaN层
13 镜面层
15 开口
17 非导电性框架
19 金属焊垫
21 电极框架
23 开口
25 框架
27 反射层
29 框架
31 导线
32 焊垫
33 萤光体
35 导线架
35A 第一导电区段
35B 底座
35C 第二导电区段
36 间隙
37 封装体 1 萤光体
3 封装体
100 垂直发光二极 H
200 垂直发光二极 H
400 垂直发光二极
500A 垂直发光二极
500B 垂直发光二极
500C 垂直发光二极
Hj 高度
H2 高度
W, 宽度
W2 宽度
9

Claims (1)

  1. 七、 申请专利范围 ：
    1.一种具有外移式电极之垂直发光二极体， 包含：
    一导电性基底；
    一半导体磊晶结构，形成在该导电性基底上；
    一钝化层 ，形成在该半导体磊晶结构的周围 ；及
    一导电性框架 ，形成在该钝化层上，且与该半导体磊晶结构 之上表面的外侧相接触 ，以使该导电性框架与该半导体磊晶结构 产生电性连接。
    2.如申请专利范围第 1 项所述之具有外移式电极之垂直发光 二极体， 更包含：
    一镜面层 ，形成在该导电性基底与该半导体磊晶结构之间。
    3.如申请专利范围第 1 项所述之具有外移式电极之垂直发光 二极体，其中该导电性基底为 Cu、 Ni、 Ag、 Au、 Co、 A卜 Sn、 W、 Mo、 Pd、 Pt、 Rh、或其合金。
    4.如申请专利范围第 1 项所述之具有外移式电极之垂直发光 二极体，其中该导电性基底为 Si、 SiC、 Ge、 GaAs、 InP、 GaN、 或石墨。
    5.如申请专利范围第 1 项所述之具有外移式电极之垂直发光 二极体， 更包含：
    一反射层 ，形成在该导电性框架的表面上。
    6.如申请专利范围第 5 项所述之具有外移式电极之垂直发光 二极体，其中该反射层系由高反射性金属或多层介质膜堆叠体所 构成 °
    7.如申请专利范围第 5 项所述之具有外移式电极之垂直发光 二极体，其中该反射层为 Ag或 A卜
    8.如申请专利范围第 5 项所述之具有外移式电极之垂直发光 二极体，其中该反射层系使用下列至少其中一种方法加以形成： 电镀、无电电镀、物理气相沉积、化学气相沉积、 蒸镀、溅镀、 喷涂、网版印刷、喷墨印刷或其结合。
    9.如申请专利范围第 1 项所述之具有外移式电极之垂直发光 二极体， 更包含：
    一萤光体，位於该导电性框架内。
    10.如申请专利范围第 9项所述之具有外移式电极之垂直发光 二极体装置，其中该萤光体系藉由下列方式加以设置： 涂布、喷 涂、网版印刷、喷墨印刷、或点胶。
    11.如申请专利范围第 1项所述之具有外移式电极之垂直发光 二极体，其中该导电性框架系由金属或金属合金所制成。
    12.如申请专利范围第 11 项所述之具有外移式电极之垂直发 光二极体，其中该导电性框架为 A卜 Ti、 Cu、Ni、 Au、 Ag、 Co、 Fe、 Sn、或其合金。
    13.如申请专利范围第 11 项所述之具有外移式电极之垂直发 光二极体， 其中该导电性框架系使用下列至少其中一种方法加以 形成： 电镀、无电电镀、物理气相沉积、化学气相沉积、 蒸镀、 溅镀、喷涂、网版印刷、喷墨印刷或其结合。
    14.如申请专利范围第 12 项所述之具有外移式电极之垂直发 光二极体， 其中该导电性框架系使用下列至少其中一种方法加以 形成： 电镀、无电电镀、物理气相沉积、化学气相沉积、 蒸镀、 溅镀、喷涂、网版印刷、喷墨印刷或其结合
    15.如申请专利范围第 1项所述之具有外移式电极之垂直发光 二极体，其中该导电性框架系由异方性导电膜或导电胶所制成。
    16.如申请专利范围第 15 项所述之具有外移式电极之垂直发 光二极体，其中该导电胶包含银胶。
    17.如申请专利范围第 1项所述之具有外移式电极之垂直发光 二极体，其中该导电性框架的宽度系介於约 1 / m到约 200 m之 间。
    18.如申请专利范围第 1项所述之具有外移式电极之垂直发光 二极体，其中该导电性框架的高度系介於约 1 m到约 200 m之 间。
    19.如申请专利范围第 17 项所述之具有外移式电极之垂直发 光二极体，其中该导电性框架的高度系介於约 l ^tz m到约 200 ^ 01 之间。
    20.如申请专利范围第 1项所述之具有外移式电极之垂直发光 二极体，其中该半导体磊晶结构包含：
    一 p-GaN层 ；
    一活化层 ，形成在该 p-GaN层上；及
    一 n-GaN层 ，形成在该活化层上。
    21.—种具有外移式电极之垂直发光二极体装置， 包含： 一导线架 ， 由一底座与一或多个导电区段所构成；
    如申请专利范围第 1 项所述之垂直发光二极体，设置在该底 座上；及 一或多条导线， 用以使该垂直发光二极体的导电性框架与该 导线架的导电区段相连接。
    22.如申请专利范围第 21 项所述之具有外移式电极之垂直发 光二极体装置，更包含：
    一萤光体，位於该垂直发光二极体的导电性框架内 。
    23.如申请专利范围第 22 项所述之具有外移式电极之垂直发 光二极体装置，更包含：
    一封装体，用以包覆该垂直发光二极体与该萤光体。
    24.如申请专利范围第 21 项所述之具有外移式电极之垂直发 光二极体装置，更包含：
    一萤光体， 用以包覆该垂直发光二极体。
    25.如申请专利范围第 24 项所述之具有外移式电极之垂直发 光二极体装置，更包含：
    一封装体， 用以包覆该萤光体。
    26.如申请专利范围第 22 项所述之具有外移式电极之垂直发 光二极体装置，其中该萤光体系藉由下列方式加以设置： 涂布 、 喷涂、网版印刷、喷墨印刷、或点胶。
    27.如申请专利范围第 24 项所述之具有外移式电极之垂直发 光二极体装置， 其中该萤光体系藉由下列方式加以设置： 涂布、 喷涂、网版印刷、喷墨印刷、或点胶。
    28.—种具有外移式电极之垂直发光二极体， 包含：
    一导电性基底；
    一半导体磊晶结构，形成在该导电性基底上； 一钝化层 ，形成在该半导体磊晶结构的周围 ；
    一电极框架 ，形成在该半导体磊晶结构之上表面的外侧，并 与该半导体磊晶结构产生电性连接；
    一非导电性框架 ，形成在该钝化层以及一部分的该电极框架 上；及
    一金属焊垫，形成在该非导电性框架上，并且与该电极框架 产生电性连接。
    29.如申请专利范围第 28 项所述之具有外移式电极之垂直发 光二极体， 更包含：
    一镜面层 ，形成在该导电性基底与该半导体磊晶结构之间。
    30.如申请专利范围第 28 项所述之具有外移式电极之垂直发 光二极体，其中该导电性基底为 Cu、 Ni、 Ag、 Au、 Co、 A卜 Sn、 W、 Mo、 Pd、 Pt、 Rh、或其合金。
    31.如申请专利范围第 28 项所述之具有外移式电极之垂直发 光二极体，其中该导电性基底为 Si、 SiC、 Ge、 GaAs、 InP、 GaN、 或石墨。
    32.如申请专利范围第 28 项所述之具有外移式电极之垂直发 光二极体， 更包含：
    一反射层 ，形成在该非导电性框架的表面上。
    33.如申请专利范围第 32 项所述之具有外移式电极之垂直发 光二极体，其中该反射层系由高反射性金属或多层介质膜堆叠体 所构成。
    34.如申请专利范围第 32 项所述之具有外移式电极之垂直发 光二极体，其中该反射层为 Ag或 A卜
    35.如申请专利范围第 32 项所述之具有外移式电极之垂直发 光二极体， 其中该反射层系使用下列至少其中一种方法加以形 成： 电镀、无电电镀、物理气相沉积、化学气相沉积、 蒸镀、溅 镀、喷涂、网版印刷、喷墨印刷或其结合。
    36.如申请专利范围第 28 项所述之具有外移式电极之垂直发 光二极体， 更包含：
    一萤光体，位於该非导电性框架内。
    37.如申请专利范围第 36 项所述之具有外移式电极之垂直发 光二极体装置，其中该萤光体系藉由下列方式加以设置： 涂布、 喷涂、网版印刷、喷墨印刷、或点胶。
    38.如申请专利范围第 28 项所述之具有外移式电极之垂直发 光二极体，其中该电极框架系由金属或金属合金所制成。
    39.如申请专利范围第 38 项所述之具有外移式电极之垂直发 光二极体，其中该电极框架为 A卜 Ni、 Au、 Ti、 Pt、 Cu、 Cr、 Pd、 Bi、或其合金。
    40.如申请专利范围第 39 项所述之具有外移式电极之垂直发 光二极体，其中该电极框架更包含 TaN、 TiN、 Si。
    41.如申请专利范围第 38 项所述之具有外移式电极之垂直发 光二极体，其中该电极框架系使用下列至少其中一种方法加以形 成： 电镀、无电电镀、物理气相沉积、化学气相沉积、 蒸镀、溅 镀、喷涂、网版印刷、喷墨印刷或其结合。
    42.如申请专利范围第 39 项所述之具有外移式电极之垂直发 光二极体， 其中该电极框架系使用下列至少其中一种方法加以形 成： 电镀、无电电镀、物理气相沉积、化学气相沉积、 蒸镀、溅 镀、喷涂、网版印刷、喷墨印刷或其结合。
    43.如申请专利范围第 28 项所述之具有外移式电极之垂直发 光二极体 ， 其中该非导电性框架的宽度系介於约 l / m 到约 200 z m之间。
    44.如申请专利范围第 28 项所述之具有外移式电极之垂直发 光二极体 ， 其中该非导电性框架的高度系介於约 到约 200 / m之间。
    45.如申请专利范围第 43 项所述之具有外移式电极之垂直发 光二极体 ， 其中该非导电性框架的高度系介於约 l / m 到约 200 z m之间 °
    46.如申请专利范围第 28 项所述之具有外移式电极之垂直发 光二极体，其中该金属焊垫系由金属或金属合金所制成。
    47.如申请专利范围第 46 项所述之具有外移式电极之垂直发 光二极体， 其中该金属焊垫为 Al、 Ti、 Cu、 Ni、 Au、 Ag、 Co、 Fe、 Sn、 Pd、 Bi、或其合金。
    48.如申请专利范围第 28 项所述之具有外移式电极之垂直发 光二极体，其中该半导体磊晶结构包含：
    一 p-GaN层 ；
    一活化层 ，形成在该 p-GaN层上；及
    一 n-GaN层 ，形成在该活化层上。
    49.如申请专利范围第 28 项所述之具有外移式电极之垂直发 光二极体，其中该非导电性框架为感光性材料或非感光性材料
    50.如申请专利范围第 49 项所述之具有外移式电极之垂直发 光二极体，其中该感光性材料为光阻或光固化材料。
    51.如申请专利范围第 50 项所述之具有外移式电极之垂直发 光二极体，其中该光阻为乾膜光阻。
    52.如申请专利范围第 50 项所述之具有外移式电极之垂直发 光二极体，其中该光固化材料包含光固化树脂。
    53.如申请专利范围第 52 项所述之具有外移式电极之垂直发 光二极体，其中该光固化树脂包含光固化环氧树脂。
    54.如申请专利范围第 49 项所述之具有外移式电极之垂直发 光二极体，其中该非感光性材料为有机聚合物或无机材料。
    55.如申请专利范围第 54 项所述之具有外移式电极之垂直发 光二极体，其中该有机聚合物为聚亚醯胺、聚对二甲苯、矽酮树 脂、或环氧树脂。
    56.如申请专利范围第 54 项所述之具有外移式电极之垂直发 光二极体，其中该无机材料为陶瓷、玻璃、 Si02、 A1203、 S13N4、 ZnO、 Ta205、 Ti02、 HfO、或 MgO。
    57.—种具有外移式电极之垂直发光二极体装置， 包含： 一导线架 ， 由一底座与一或多个导电区段所构成；
    如申请专利范围第 28项所述之垂直发光二极体，设置在该底 座上；及
    一或多条导线， 用以使该垂直发光二极体的金属焊垫与该导 线架的导电区段相连接
    58.如申请专利范围第 57 项所述之具有外移式电极之垂直发 光二极体装置，更包含：
    一萤光体，位於该垂直发光二极体的非导电性框架内。
    59.如申请专利范围第 58 项所述之具有外移式电极之垂直发 光二极体装置，更包含：
    一封装体， 用以包覆该垂直发光二极体与该萤光体。
    60.如申请专利范围第 57 项所述之具有外移式电极之垂直发 光二极体装置，更包含：
    一萤光体， 用以包覆该垂直发光二极体。
    61.如申请专利范围第 60 项所述之具有外移式电极之垂直发 光二极体装置，更包含：
    一封装体， 用以包覆该萤光体。
    62.如申请专利范围第 58 项所述之具有外移式电极之垂直发 光二极体装置，其中该萤光体系藉由下列方式加以设置： 涂布、 喷涂、网版印刷、喷墨印刷、或点胶。
    63.如申请专利范围第 60 项所述之具有外移式电极之垂直发 光二极体装置，其中该萤光体系藉由下列方式加以设置： 涂布、 喷涂、网版印刷、喷墨印刷、或点胶。
    64.—种具有框架的发光二体体， 包含：
    一导电性基底；
    一半导体磊晶结构，形成在该导电性基底上；
    一接触电极，形成在该半导体磊晶结构上； 一钝化层 ，形成在该半导体磊晶结构的周围 ；及 一框架 ，形成在该钝化层上。
    65.如申请专利范围第 64项所述之具有框架的发光二体体，更 包含：
    一镜面层 ，形成在该导电性基底与该半导体磊晶结构之间。
    66.如申请专利范围第 64项所述之具有框架的发光二体体，其 中该导电性基底为 Cu、 Ni、 Ag、 Au、 Co、 A卜 Sn、 W、 Mo、 Pd、 Pt、 Rh、或其合金。
    67.如申请专利范围第 64项所述之具有框架的发光二体体，其 中该导电性基底为 Si、 SiC、 Ge、 GaAs、 InP、 GaN、或石墨。
    68.如申请专利范围第 64项所述之具有框架的发光二体体，更 包含：
    一反射层 ，形成在该框架的表面上。
    69.如申请专利范围第 68项所述之具有框架的发光二体体，其 中该反射层系由高反射性金属或多层介质膜堆叠体所构成。
    70.如申请专利范围第 68项所述之具有框架的发光二体体，其 中该反射层为 Ag或 A1。
    71.如申请专利范围第 68项所述之具有框架的发光二体体，其 中该反射层系使用下列至少其中一种方法加以形成： 电镀、无电 电镀、物理气相沉积、化学气相沉积、 蒸镀、溅镀、喷涂、网版 印刷、喷墨印刷或其结合。 包含：
    一萤光体，位於该框架内。
    73.如申请专利范围第 72项所述之具有框架的发光二体体，其 中该萤光体系藉由下列方式加以设置： 涂布、喷涂、网版印刷、 喷墨印刷、或点胶。
    74.如申请专利范围第 64项所述之具有框架的发光二体体，其 中该框架系由金属或金属合金所制成。
    75.如申请专利范围第 74项所述之具有框架的发光二体体，其 中该框架为 A卜 Ti、 Cu、 Ni、 Au、 Ag、 Co、 Fe、 Sn、或其合金。
    76.如申请专利范围第 74项所述之具有框架的发光二体体，其 中该框架系使用下列至少其中一种方法加以形成： 电镀、无电电 镀、物理气相沉积、化学气相沉积、 蒸镀、溅镀、喷涂、网版印 刷、喷墨印刷或其结合。
    77.如申请专利范围第 75项所述之具有框架的发光二体体，其 中该框架系使用下列至少其中一种方法加以形成： 电镀、无电电 镀、物理气相沉积、化学气相沉积、 蒸镀、溅镀、喷涂、网版印 刷、喷墨印刷或其结合。
    78.如申请专利范围第 64项所述之具有框架的发光二体体，其 中该框架系由异方性导电膜或导电胶所制成。 中该框架的宽度系介於约 到约 200 z m之间。
    81.如申请专利范围第 64项所述之具有框架的发光二体体，其 中该框架的高度系介於约 1 z m到约 200 m之间。
    82.如申请专利范围第 80项所述之具有框架的发光二体体，其 中该框架的高度系介於约 到约 200 m之间。
    83.如申请专利范围第 64项所述之具有框架的发光二体体，其 中该半导体磊晶结构包含：
    一 p-GaN层 ；
    一活化层 ，形成在该 p-GaN层上；及
    一 n-GaN层 ，形成在该活化层上。
    84.如申请专利范围第 64项所述之具有框架的发光二体体，其 中该框架为感光性材料或非感光性材料。
    85.如申请专利范围第 84项所述之具有框架的发光二体体，其 中该感光性材料为光阻或光固化材料。
    86.如申请专利范围第 85项所述之具有框架的发光二体体，其 中该光阻为乾膜光阻。
    87.如申请专利范围第 86项所述之具有框架的发光二体体，其 中该光固化材料包含光固化树脂。
    88.如申请专利范围第 87项所述之具有框架的发光二体体，其 中该光固化树脂包含光固化环氧树脂。
    89.如申请专利范围第 84项所述之具有框架的发光二体体，其 中该非感光性材料为有机聚合物或无机材料。
    90.如申请专利范围第 89项所述之具有框架的发光二体体，其 中该有机聚合物为聚亚醯胺、聚对二曱苯、矽酮树脂、或环氧树 脂。
    91.如申请专利范围第 89项所述之具有框架的发光二体体，其 中该无机材料为陶瓷、玻璃、 Si02、 A1203、 S13N4、 ZnO、 Ta205、 Ti02、 HfO、或 MgO。
    92.—种垂直发光二极体装置， 包含：
    一导线架 ， 由一底座与一或多个导电区段所构成；
    如申请专利范围第 64项所述之垂直发光二极体，设置在该底 座上；及
    一或多条导线， 用以使该垂直发光二极体的接触电极与该导 线架的导电区段相连接。
    93.如申请专利范围第 92项所述之垂直发光二极体装置，更包 含：
    一萤光体，位於该垂直发光二极体的框架内。
    94.如申请专利范围第 93项所述之垂直发光二极体装置，更包 含：
    一封装体， 用以包覆该垂直发光二极体与该萤光体。
    95.如申请专利范围第 92项所述之垂直发光二极体装置，更包 含：
    一萤光体， 用以包覆该垂直发光二极体。
    96.如申请专利范围第 95项所述之垂直发光二极体装置，更包 含：
    一封装体， 用以包覆该萤光体。
    97.如申请专利范围第 93项所述之垂直发光二极体装置，其中 该萤光体系藉由下列方式加以设置： 涂布、喷涂、网版印刷、喷 墨印刷、或点胶。
    98.如申请专利范围第 95项所述之垂直发光二极体装置，其中 该萤光体系藉由下列方式加以设置： 涂布、喷涂、网版印刷、喷 墨印刷、或点胶。 八 、 图式
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201222878A (en) * 2010-11-23 2012-06-01 Siliconware Precision Industries Co Ltd Light-permeating cover board, fabrication method thereof, and package structure having LED
CN105304800B (zh) * 2011-04-20 2019-06-11 松下电器产业株式会社 发光装置、背光单元、液晶显示装置以及照明装置
JP6006525B2 (ja) * 2012-05-15 2016-10-12 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及びそれを用いた灯具
CN108140688B (zh) * 2015-09-28 2021-01-29 曜晟光电有限公司 半导体结构
JP6732586B2 (ja) * 2016-07-28 2020-07-29 ローム株式会社 Ｌｅｄパッケージ
CN106407967B (zh) * 2016-12-02 2019-11-08 信利光电股份有限公司 一种指纹模组及其贴合方法和应用
DE102018121338A1 (de) * 2018-08-31 2020-03-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronische leuchtvorrichtung, optoelektronische beleuchtungseinrichtung und herstellungsverfahren
DE102019204358A1 (de) * 2019-03-28 2020-10-01 Robert Bosch Gmbh Lichtemittierendes Halbleiterbauelement

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1215503A (zh) * 1997-01-31 1999-04-28 松下电子工业株式会社 发光元件与半导体发光装置及其制造方法
JP2008130666A (ja) * 2006-11-17 2008-06-05 Sony Corp 半導体発光装置
CN101807638A (zh) * 2009-02-16 2010-08-18 Lg伊诺特有限公司 半导体发光器件
CN102347413A (zh) * 2010-07-28 2012-02-08 旭明光电股份有限公司 具有电极框架的垂直发光二极管晶粒及其制造方法

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1277240B1 (de) * 2000-04-26 2015-05-20 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Verfahren zur Herstellung eines lichtmittierenden Halbleiterbauelements
US6674096B2 (en) 2001-06-08 2004-01-06 Gelcore Llc Light-emitting diode (LED) package and packaging method for shaping the external light intensity distribution
JP2004216649A (ja) * 2003-01-10 2004-08-05 Kyocera Corp 光プリンタヘッド
JP4182783B2 (ja) 2003-03-14 2008-11-19 豊田合成株式会社 Ｌｅｄパッケージ
KR100452751B1 (ko) * 2003-06-03 2004-10-15 삼성전기주식회사 그물망 전극이 적용된 ⅲ-질화물 반도체 발광소자
KR100613490B1 (ko) * 2004-03-10 2006-08-18 (주)나노팩 발광소자와 그 패키지 구조체 및 제조방법
WO2006028118A1 (ja) * 2004-09-08 2006-03-16 Rohm Co., Ltd 半導体発光素子
EP1820222A1 (en) * 2004-12-08 2007-08-22 Electronics and Telecommunications Research Institute Silicon-based light emitting diode
US7413918B2 (en) * 2005-01-11 2008-08-19 Semileds Corporation Method of making a light emitting diode
US7195944B2 (en) * 2005-01-11 2007-03-27 Semileds Corporation Systems and methods for producing white-light emitting diodes
TWI251352B (en) * 2005-06-15 2006-03-11 Advanced Optoelectronic Tech Method for producing molding compound including fluorescent materials and method for manufacturing light emitting diode device employing molding compound
JP4799975B2 (ja) * 2005-09-16 2011-10-26 昭和電工株式会社 窒化物系半導体発光素子及びその製造方法
JP2007123409A (ja) * 2005-10-26 2007-05-17 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオードチップ
TW200725932A (en) * 2005-12-21 2007-07-01 Lustrous Technology Ltd Micro package structure of light emitting diode
KR100766022B1 (ko) * 2005-12-23 2007-10-11 엘지전자 주식회사 발광 다이오드, 발광 다이오드 패키지 및 발광 다이오드제조 방법
US7452739B2 (en) * 2006-03-09 2008-11-18 Semi-Photonics Co., Ltd. Method of separating semiconductor dies
TW200735407A (en) * 2006-03-14 2007-09-16 Formosa Epitaxy Inc Light-emitting diode structure having bonding-pad reflection layer
TWM341310U (en) * 2006-05-09 2008-09-21 Semi Photonics Co Ltd Light emitting diode device with high brightness
EP2458652B1 (en) * 2006-06-23 2023-08-02 LG Electronics Inc. Method of making light emitting diodes having vertical topology
JP4823866B2 (ja) * 2006-11-13 2011-11-24 株式会社小糸製作所 車両用灯具の発光モジュール
KR100901618B1 (ko) * 2007-04-19 2009-06-08 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 제조방법
US8183582B2 (en) * 2007-10-16 2012-05-22 LumaChip, Inc. Bare die semiconductor device configured for lamination
KR101468696B1 (ko) * 2007-12-31 2014-12-08 서울반도체 주식회사 발광 소자
CN101256989B (zh) * 2008-01-31 2010-06-02 金芃 垂直结构的半导体外延薄膜封装及制造方法
TWM342618U (en) * 2008-05-07 2008-10-11 Harvatek Corp LED chip package structure with efficient heat-dissipating substrate
KR101007117B1 (ko) * 2008-10-16 2011-01-11 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1215503A (zh) * 1997-01-31 1999-04-28 松下电子工业株式会社 发光元件与半导体发光装置及其制造方法
JP2008130666A (ja) * 2006-11-17 2008-06-05 Sony Corp 半導体発光装置
CN101807638A (zh) * 2009-02-16 2010-08-18 Lg伊诺特有限公司 半导体发光器件
CN102347413A (zh) * 2010-07-28 2012-02-08 旭明光电股份有限公司 具有电极框架的垂直发光二极管晶粒及其制造方法

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