WO2014048905A1 - Optoelektronisches halbleiterbauelement - Google Patents

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WO2014048905A1
WO2014048905A1 PCT/EP2013/069811 EP2013069811W WO2014048905A1 WO 2014048905 A1 WO2014048905 A1 WO 2014048905A1 EP 2013069811 W EP2013069811 W EP 2013069811W WO 2014048905 A1 WO2014048905 A1 WO 2014048905A1
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semiconductor device
semiconductor chip
semiconductor
protective layer
layer
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PCT/EP2013/069811
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Georg DIRSCHERL
Walter Wegleiter
Caroline Cassignol
Karl Weidner
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Osram Opto Semiconductors Gmbh
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Publication date
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    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Definitions

  • Optoelectronic Semiconductor Device It becomes an optoelectronic semiconductor device
  • LED packages which have at least one LED chip in a housing or on a support which is covered for protection with a potting material such as silicone.
  • a potting material such as silicone
  • SO 2 and a hydrochloric acid atmosphere are considered to be critical in terms of corrosion resistance.
  • the reason for this is a certain permeability of the usual potting materials such as silicone. Because of this permeability are those parts of the LED components that
  • potting materials such as based on epoxides, can be used, which are less permeable. However, such materials are not resistant to yellowing and also only slightly resistant to moisture.
  • At least one object of certain embodiments is to specify an optoelectronic semiconductor component with a protective layer. This object is achieved by an article according to the
  • Optoelectronic semiconductor component a carrier element on which an optoelectronic semiconductor chip is arranged with at least one active layer, which is adapted to emit light during operation of the semiconductor device or receive. Furthermore, the
  • Optoelectronic semiconductor device on a protective layer, with which the semiconductor chip is covered and having the parylene.
  • the protective layer consists of parylene.
  • the protective layer may in particular be an uppermost layer, ie an outer layer, of the optoelectronic
  • Such a layer can also be referred to as the terminating layer and forms the layer which, in the finished semiconductor device, is directly filled with gases and moisture
  • parylene as well as the terms parylene and parylene polymer, denote here and below
  • aromatic polymers from a group of thermoplastic polymers linked via ethylene bridges in the 1,4-position
  • phenylene radicals and which may for example be referred to as poly-para-xylylene or poly-p-xylylene.
  • the protective layer has in particular polymers with the
  • n can be in the range of 10 to 500,000.
  • the hydrogen atoms in these can also at least
  • halogens for example by bromine, chlorine and / or preferred
  • Parylene may be a fluorine ⁇ substituted parylene, which is also under the name
  • Parylene F is known:
  • Such parylene may also be stable at high temperatures, that is, they are stable enough to be at high temperatures
  • Soldering processes can be processed. such as
  • Be semiconductor devices by means of soldering processes such as Reflow soldering processes can be mounted on carriers at temperatures of up to 260 ° C.
  • the protective layer described here forms a barrier layer against damaging environmental influences such as moisture and harmful gases, such as oxygen, H 2 S and SO 2 .
  • the barrier effect and a sufficient barrier layer form a barrier layer against damaging environmental influences such as moisture and harmful gases, such as oxygen, H 2 S and SO 2 .
  • the protective layer can in particular from the gas phase in
  • Vacuum are deposited. As a result, a pore-free application of the protective layer is achieved, whereby
  • optical and mechanical properties for example, a low moisture permeability and a low
  • Spectral range have a transparency of more than 95%.
  • the protective layer described here is UV stable, that is, the protective layer does not degrade or yellow by light having a wavelength in the range of 450 to 460 nm.
  • the protective layer described here has a good adhesion to all conventional semiconductor and carrier element materials and metallizations, for example to conventional
  • Metal surfaces such as Ni / Au, Cu, Al, Ag.
  • the protective layer described here with the parylene offers high abrasion protection. On glass substrates and metallized substrates it could be shown that all reliability tests can be successfully passed.
  • the protective layer described here thus has an im
  • Encapsulation materials have higher reliability
  • in light-emitting semiconductor devices may yield a more efficient light output.
  • the optoelectronic semiconductor chip has in particular an optoelectronic semiconductor layer sequence, particularly preferably an epitaxially grown one
  • the semiconductor layer sequence is preferably based on a III-V
  • the semiconductor material is preferably a nitride compound semiconductor material such as Al x In ] __ x _yGayN or else a phosphide compound semiconductor material such as Al x In ] __ x _yGayP or an arsenide compound semiconductor material such as
  • the semiconductor layer sequence comprises at least one active layer adapted to generate or receive light in an ultraviolet to infrared wavelength range.
  • the active layer includes For example, at least one pn junction or, preferably, one or more quantum well structures.
  • the light generated by the active layer during operation or intended for reception lies in particular in a visible spectral range.
  • the optoelectronic semiconductor layer sequence can be any one of the optoelectronic semiconductor layer sequence.
  • emit light and to it as a light-emitting semiconductor chip as a light-emitting diode (LED), edge-emitting semiconductor laser, as a vertically emitting semiconductor laser (VCSEL), as a laser array, as a laser bar or as a plurality or combination thereof, be formed or at least one or more of said elements.
  • a light-emitting semiconductor chip as a light-emitting diode (LED), edge-emitting semiconductor laser, as a vertically emitting semiconductor laser (VCSEL), as a laser array, as a laser bar or as a plurality or combination thereof, be formed or at least one or more of said elements.
  • Solar cell panel as a phototransistor or as a plurality or combination thereof, be formed or have one or more of said elements.
  • MOVPE metalorganic vapor phase epitaxy
  • MBE molecular beam epitaxy
  • the growth substrate may be an electrically insulating material or a
  • the growth substrate may include or be made of sapphire, GaAs, GaP, GaN, InP, SiC, Si and / or Ge.
  • the growth process can in particular in the wafer composite
  • a growth substrate is provided in the form of a wafer onto which the
  • Optoelectronic semiconductor layer sequence is grown over a large area.
  • Semiconductor layer sequence can in another
  • Step in individual semiconductor chips to form a plurality of optoelectronic semiconductor devices are isolated.
  • the semiconductor layer sequence can preferably be transferred to a carrier substrate before being singulated.
  • the carrier substrate can be formed, for example, by one of the materials mentioned above for growth substrates.
  • the carrier substrate can be formed, for example, by a metal-containing foil or a metal-containing plate, for example a metal foil or a metal plate.
  • the growth substrate can be thinned after transfer, so at least partially or completely removed.
  • Carrier substrate is then together with the
  • Semiconductor layer sequence on a carrier substrate for example, on one side facing away from the growth substrate side of the semiconductor layer sequence one or more
  • the one or more mirror layers may comprise or be a metal, particularly preferably silver.
  • the one or more mirror layers may comprise or be a metal, particularly preferably silver.
  • Carrier substrate may also be referred to as so-called
  • Thin-film semiconductor chips in the case of light-emitting thin-film semiconductor chips, also as thin-film light-emitting diode chips.
  • a thin-film light-emitting diode chip can be characterized in particular by the following characteristic features:
  • Semiconductor layer sequence is a reflective layer, in particular a mirror layer, applied or
  • the semiconductor layer sequence has a thickness in the range of 20 ⁇ or less, in particular in the range of 4 ⁇ and 10 ⁇ on;
  • the semiconductor layer sequence contains at least one
  • Semiconductor layer having at least one surface which has a mixing structure which, in the ideal case, results in an approximately ergodic distribution of the light in the
  • Semiconductor layer sequence leads, i. H. it has as ergodically stochastic scattering behavior as possible.
  • a thin-film LED chip is in good approximation
  • the basic principle of a thin-film light-emitting diode chip is, for example, in
  • electrical contact elements for example in the form of one or more electrical contact layers such as
  • Through holes be present, by means of which the optoelectronic semiconductor chip and in particular the active layer can be electrically contacted.
  • the semiconductor layer sequence can comprise, in addition to the active region, further functional layers and functional regions, for example p-doped or n-doped ones
  • Charge carrier transport layers ie electron or
  • Barrier layers planarization layers, buffer layers, protective layers and / or electrodes and combinations thereof.
  • additional layers such as buffer layers, barrier layers and / or protective layers also perpendicular to the growth direction of the
  • Semiconductor layer sequence may be arranged around, that is approximately on the side surfaces of the semiconductor layer sequence.
  • the support member may for example by a
  • Printed circuit board a ceramic plate, a ceramic housing, a plastic plate, a plastic housing or a combination thereof may be formed.
  • the carrier element can furthermore have electrical connection elements for electrically contacting the optoelectronic semiconductor chip,
  • conductor tracks on the carrier element and / or vias through the carrier element For example, conductor tracks on the carrier element and / or vias through the carrier element.
  • electrical connection elements can be electrical Have connection areas, via which the optoelectronic semiconductor device can be contacted from the outside. Is an electrical connection element formed as a via, so this may preferably from a
  • Optoelectronic semiconductor chip facing away from the mounting surface of the support member through the support member through to a side on which the semiconductor chip is arranged protrude.
  • On the mounting surface has a via on an electrical connection area.
  • An electrical contact of the semiconductor chip can be achieved, for example, via a direct mounting of the semiconductor chip on an electrical connection element.
  • At least one electrical contact structure may be present, via which an electrical contact can be achieved, for example a wire connection such as a bonding wire and / or a metal film in the form of a metal film connection, and extending from a
  • the contact structure can be special
  • the protective layer preferably be covered by the protective layer, in particular in the case of a metal film formed by a
  • the semiconductor chip is on all sides facing away from the carrier element of the
  • Covered protective layer This may in particular mean that all after the mounting of the semiconductor chip on the
  • Carrier element exposed surfaces of the semiconductor chip are covered with the protective layer.
  • a wavelength conversion layer on the semiconductor chip so in particular the semiconductor chip and the wavelength conversion layer on all the
  • Carrier element facing away exposed surfaces of the protective layer to be covered.
  • Semiconductor device may have contact with the environment in the form that, for example, atomic or molecular substances from the environment, such as moisture or harmful gases, can reach the surface. Therefore, a surface or a surface area of a non-hermetically sealed layer, such as a non-hermetically sealed plastic layer, for example by a
  • Casting material is formed, covered, falling under the term exposed here.
  • Protective layer contiguous extend from the semiconductor chip on the support element.
  • the protective layer can effectively encapsulate, for example, the interface between the semiconductor chip and the carrier element.
  • environment-sensitive materials of the carrier element for example metal surfaces, which are formed by conductor tracks and / or plated-through holes and over which the protective layer extends, may be present damaging environmental influences such as moisture and
  • the carrier element has a mounting surface which is adapted to the
  • Such a carrier can be formed for example by a printed circuit board or a heat sink.
  • the protective layer may be particularly particularly preferred except for
  • Mounting surface extend over all surfaces of the semiconductor device, so that all surfaces of the semiconductor device are covered with the protective layer except for the mounting surface. After mounting the semiconductor device on a carrier by means of the mounting surface, the semiconductor device in this case no longer has a surface which faces the environment and which is free of the protective layer, so that all-round protection against damaging environmental influences can be achieved.
  • the semiconductor chip is at least partially covered by a potting material on the
  • the semiconductor chip can be laterally, ie in a direction parallel to the interface between the semiconductor chip and the
  • Carrier element be surrounded by the potting material. This can be achieved, for example, that the potting material to the semiconductor chip or optionally to a
  • Wavelength conversion layer on the semiconductor layer is connected in a planar manner, so that the optoelectronic semiconductor component can have a plane or substantially planar surface.
  • the protective layer also covers the
  • Permeability of moisture or harmful gases can be selected. According to a further embodiment, the
  • the protective layer can be any suitable material.
  • the protective layer can be any suitable material.
  • the wavelength conversion layer may be, for example
  • the wavelength conversion layer may in particular be adapted to a part of the semiconductor chip in
  • Wavelength convert so that the semiconductor device can emit mixed-colored light, for example white light.
  • the wavelength conversion layer comprises at least one wavelength conversion substance which may be selected from one or more of the following materials: rare earth and alkaline earth metal garnets, for example
  • YAG Ce 3+ , Nitrides, Nitridosilicates, Sione, Sialone,
  • Aluminates, oxides, halophosphates, orthosilicates, sulfides, vanadates and chlorosilicates are aluminates, oxides, halophosphates, orthosilicates, sulfides, vanadates and chlorosilicates. Furthermore, the
  • Wavelength conversion material additionally or alternatively comprise an organic material selected from a group
  • the wavelength conversion layer can be any wavelength conversion layer. Furthermore, the wavelength conversion layer can be any wavelength conversion layer.
  • the transparent matrix material can be, for example, siloxanes, epoxides, acrylates, methyl methacrylates, imides, carbonates, olefins, styrenes, urethanes or derivatives thereof in the form of monomers, oligomers or polymers and furthermore also mixtures, copolymers or compounds thereof
  • the matrix material may be any suitable material.
  • the matrix material may be any suitable material.
  • Epoxy resin polymethyl methacrylate (PMMA), polystyrene,
  • Polycarbonate, polyacrylate, polyurethane or a silicone resin such as polysiloxane or mixtures thereof include or be.
  • the wavelength conversion layer may be sprayed, dripped, sedimented or electrophoresed onto the
  • Wavelength conversion layer as a prefabricated plate with one of the aforementioned matrix materials and a Wavelength conversion substance is formed. Furthermore, the wavelength conversion layer can also be used as a ceramic
  • Wavelength conversion material and a ceramic
  • Figure 1 is a schematic representation of a
  • FIGS. 2 and 3 are schematic representations of
  • FIG. 4 shows a schematic representation of an arrangement of optoelectronic semiconductor components on a carrier according to a further exemplary embodiment.
  • identical, identical or identically acting elements can each be provided with the same reference numerals.
  • the illustrated elements and their proportions with each other are not to be regarded as true to scale, but individual elements, such as layers, components, components and areas, for better presentation and / or better understanding may be exaggerated.
  • exemplary embodiments of optoelectronic semiconductor components are described, which are embodied purely by way of example as light-emitting semiconductor components. The in conjunction with the figures
  • semiconductor layer chips 2 described in each case each have an active layer which is suitable for emitting light during operation, and may be formed, for example, as light-emitting diode chips.
  • the semiconductor chips 2 can be a semiconductor layer sequence with a compound semiconductor material described above in the general part on a
  • the semiconductor chips 2 are designed as so-called carrierless semiconductor chips, in which the growth substrate is thinned or peeled off and no carrier substrate is present.
  • the embodiments described below are not limited to light emitting semiconductor chips and light emitting semiconductor devices. Rather, in the described embodiments, alternatively or additionally, light-receiving semiconductor chips with a light-receiving semiconductor layer sequence with
  • Figure 1 is an embodiment of a
  • the support member 1 may, for example, by a plastic housing, a
  • Plastic plate, a ceramic housing, a ceramic plate, a circuit board or a combination thereof may be formed.
  • the carrier 1 may be such act called pre-mold package in which a lead frame with a plastic material to form a
  • Plastic housing is formed, in which the semiconductor chip 2 can be mounted by means of the lead frame and electrically contacted.
  • a plastic housing may be a surface-mountable housing.
  • Carrier element 1 is designed as a so-called QFN package (QFN: "quad-flat no leads") Furthermore, it is also possible for the carrier element to be embodied, for example, as a ceramic substrate or as a ceramic carrier, to which the conductor tracks are applied and / or in which plated-through holes are present, by means of which the semiconductor chip 2 can be mounted and / or electrically contacted.
  • QFN quad-flat no leads
  • the semiconductor chip 2 is covered with a protective layer 3 having parylene.
  • the protective layer 3 may consist of parylene.
  • the semiconductor chip 2 on all the carrier element 1 facing away from sides or surfaces of the protective layer 3 is covered.
  • the Semiconductor chip 2 may be formed in this case as a so-called flip-chip semiconductor chip.
  • the protective layer 3 comprises or consists of a fluorine-substituted parylene or a combination of two or more parylene derivatives which has a high temperature stability and a high resistance and barrier effect against damaging environmental influences.
  • the protective layer 3 can also be achieved protection against mechanical effects by a high abrasion protection.
  • FIG. 2 shows an optoelectronic semiconductor component 102 according to a further exemplary embodiment, in which the carrier element 1 has electrical connection elements 4 in the form of conductor tracks on the surface facing the semiconductor chip 2.
  • the semiconductor chip 2 is mounted on one of the connection elements 4.
  • an electrical connection element 4 in the form of conductor tracks on the surface facing the semiconductor chip 2.
  • the further electrical connection element 4 is electrically conductively connected to the top and an electrical contact element, for example an electrode, of the semiconductor chip 2 arranged there.
  • an electrically insulating layer 5 made of a dielectric inorganic material or a polymer material is disposed around the electrical contact structure 6, for example, electrically isolate side surfaces of the semiconductor chip 2.
  • Carrier element 1 facing away from a surface
  • Protective layer 3 which has or is parylene covered. The protective layer 3, however, extends in the
  • Support element 1 extending protective layer 3, which also covers the electrical contact structure 6.
  • the protective layer 3 may extend, for example, over the entire side of the carrier element 1 facing the semiconductor chip 2, wherein connecting regions of the electrical
  • FIG. 3 shows an optoelectronic semiconductor component 103 according to a further exemplary embodiment.
  • Optoelectronic semiconductor device 103 has a
  • Carrier element 1 for example made of plastic or a ceramic material having at least two electrical connection elements 4 formed as plated-through holes.
  • the electrical connection elements 4 protrude from one
  • the electrical connection elements 4 electrical connection areas to the Have surfaces of the support member 1, which are adapted to a predetermined Lötdesign on the mounting surface 10 and the Kunststofftechniksart for the semiconductor chip 2.
  • the semiconductor chip 2 is directly on one of the two
  • an electrical contact element 9 for example in the form of a solder layer or an electrode layer, for electrical connection of the top of the semiconductor chip 2 to the
  • the wavelength conversion layer 7 may be formed as described above in the general part.
  • the semiconductor chip 2 and the wavelength conversion layer 7 are lateral, that is to say along a direction parallel to the interface between the semiconductor chip 2 and the semiconductor chip 2
  • the potting material 8 may for example comprise or be made of silicone and, as in the embodiment shown
  • Semiconductor device 103 is a substantially planar
  • Contact element 9 is an opening in the
  • Wavelength conversion layer 7 is provided.
  • an electrical contact structure 6 in the form of a
  • Semiconductor chip 2 is thus electrically conductively connected via the formed by a metal film contact structure 6 with the other of the at least two electrical connection elements 4 of the support member 1, wherein the electrical
  • connection structure 6 through an opening in the potting material 8 to the connection element 4 extends.
  • the wavelength conversion layer it is also possible for the wavelength conversion layer to be applied to the semiconductor chip 2 only after the electrical contacting of the semiconductor chip, ie after the formation of the contact structure 6, so that the wavelength conversion layer can also cover the electrical contact structure 6.
  • a protective layer 3 is arranged on all surfaces of the semiconductor device 103 except for the mounting surface 10 of the carrier element 1, which has or is a parylene, so that the protective layer 3 except for the
  • Mounting surface 10 covers all surfaces of the semiconductor device 103 and forms an outer layer of the semiconductor device 103. It can thereby be achieved that, after assembly of the semiconductor component 103 on a carrier 11, as shown in FIG. 4, all the surfaces of the semiconductor component 103 facing the surroundings are protected by the
  • Moisture and harmful gases sensitive materials of the semiconductor device 103 such as the
  • Potting material 8 metal surfaces, which may for example comprise Ni / Au, Cu, Al, Ag or combinations thereof, and the semiconductor material of the semiconductor chip 2 are protected.
  • Figure 4 is an arrangement of a plurality of
  • Optoelectronic semiconductor devices 103 according to the previous embodiment shown on a support 11, for example, by a printed circuit board or a
  • Heatsink for example, a mounting plate is formed.
  • the arrangement of the optoelectronic semiconductor components 103 can also be realized, for example, in a two-dimensional manner
  • the optoelectronic semiconductor components 103 are protected by the parylene protective layer 3 from damaging environmental influences, so that the arrangement shown in FIG. 4 is used, for example, as a lighting element, for example in FIG.
  • Automotive applications can be used without additional encapsulation or protective measures.

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Abstract

Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement angegeben, das ein Trägerelement (1) aufweist, auf dem ein optoelektronischer Halbleiterchip (2) mit zumindest einer aktiven Schicht angeordnet ist, wobei die aktive Schicht dazu eingerichtet ist, im Betrieb Licht abzustrahlen oder zu empfangen und wobei der Halbleiterchip (2) mit einer Schutzschicht (3) bedeckt ist, die Parylene aufweist.

Description

Beschreibung
Optoelektronisches Halbleiterbauelement Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement
angegeben .
Es sind so genannte LED-Packages bekannt, die zumindest einen Leuchtdiodenchip in einem Gehäuse oder auf einem Träger aufweisen, der zum Schutz mit einem Vergussmaterial wie beispielsweise Silikon bedeckt ist. Abhängig von den
Einsatzbereichen solcher LED-Packages, beispielsweise in Automotive-Anwendungen, sind diese schädigenden
Umwelteinflüssen ausgesetzt. Beispielsweise sind
Feuchtigkeit, schädigende Gase wie beispielsweise H2S oder
SO2 sowie eine salzsaure Atmosphäre als kritisch hinsichtlich der Korrosionsbeständigkeit anzusehen. Ursächlich hierfür ist eine gewisse Permeabilität der üblichen Vergussmaterialien wie beispielsweise Silikon. Aufgrund dieser Permeabilität sind diejenigen Teile der LED-Komponenten, die
korrosionsanfällig sind, beispielsweise Halbleitermaterialien und Metallisierungen, den schädigenden Gasen und der
Feuchtigkeit ausgesetzt. Um Schädigungen zu vermeiden, können beispielsweise andere Vergussmaterialien, etwa auf Basis von Epoxiden, eingesetzt werden, die weniger durchlässig sind. Jedoch sind solche Materialien nicht vergilbungsstabil und auch nur begrenzt feuchteresistent .
Zumindest eine Aufgabe von bestimmten Ausführungsformen ist es, ein optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einer Schutzschicht anzugeben. Diese Aufgabe wird durch einen Gegenstand gemäß dem
unabhängigen Patentanspruch gelöst. Vorteilhafte
Ausführungsformen und Weiterbildungen des Gegenstands sind in den abhängigen Ansprüchen gekennzeichnet und gehen weiterhin aus der nachfolgenden Beschreibung und den Zeichnungen hervor .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist ein
optoelektronisches Halbleiterbauelement ein Trägerelement auf, auf dem ein optoelektronischer Halbleiterchip mit zumindest einer aktiven Schicht angeordnet ist, die dazu eingerichtet ist, im Betrieb des Halbleiterbauelements Licht abzustrahlen oder zu empfangen. Weiterhin weist das
optoelektronische Halbleiterbauelement eine Schutzschicht auf, mit der der Halbleiterchip bedeckt ist und die Parylene aufweist .
Gemäß einer besonders bevorzugten Ausführungsform besteht die Schutzschicht aus Parylene.
Die Schutzschicht kann insbesondere eine zu oberst liegende Schicht, also eine Außenschicht, des optoelektronischen
Halbleiterbauelements bilden. Eine solche Schicht kann auch als Abschlussschicht bezeichnet werden und bildet diejenige Schicht, die im fertig gestellten Halbleiterbauelement unmittelbar mit Gasen und Feuchtigkeit der
Umgebungsatmosphäre in Kontakt sein kann. Der Begriff Parylene, ebenso wie die Begriffe Parylen und Parylene-Polymer, bezeichnen hier und im Folgenden
aromatische Polymere aus einer Gruppe thermoplastischer Polymere, die über Ethylen-Brücken in 1,4-Position verknüpfte Phenylen-Reste aufweisen und die beispielsweise auch als Poly-para-xylylen oder Poly-p-xylylen bezeichnet werden können .
Die Schutzschicht weist insbesondere Polymere mit der
Molekülstruktur
Figure imgf000005_0001
auf, wobei n im Bereich von 10 bis 500000 liegen kann.
Anstelle der Materialien mit der gezeigten Strukturformel können in diesen die Wasserstoffatome auch zumindest
teilweise oder gänzlich durch Halogene substituiert sein, beispielsweise durch Brom-, Chlor- und/oder bevorzugt
Fluoratome. Insbesondere kann das Parylene ein Fluor¬ substituiertes Parylene sein, das auch unter dem Namen
Parylene F bekannt ist:
Figure imgf000005_0002
Derartige Parylene können auch bei hohen Temperaturen stabil sein, das heißt, sie sind stabil genug, um bei hohen
Temperaturen mechanisch und/oder optisch nicht zu
degradieren, so dass das optoelektronische
Halbleiterbauelement bei hohen Temperaturen, etwa bei
Lötprozessen, weiterverarbeitet werden kann. Derartige
Einsatzbedingungen können beispielsweise typisch für
Halbleiterbauelemente sein, die mittels Lötprozessen wie etwa Reflow-Lötprozessen bei Temperaturen von bis zu 260°C auf Trägern montiert werden.
Weiterhin kann das Parylene beispielsweise auch eine
Kombination aus zwei oder mehreren Parylene-Derivaten sein, also beispielsweise eine Kombination aus Parylene-Derivaten, die unterschiedliche Anzahlen von Substituenten und/oder unterschiedliche Substituenten, beispielsweise verschiedne Halogene, aufweisen.
Die hier beschriebene Schutzschicht bildet insbesondere eine Barriereschicht gegenüber schädigenden Umwelteinflüssen wie etwa Feuchtigkeit und schädigenden Gasen, etwa Sauerstoff, H2S und SO2. Die Barrierewirkung und ein hinreichender
Korrosionsschutz werden dabei bereits bei dünnen
Schichtdicken der Schutzschicht erreicht, wie von den
Erfindern in entsprechenden Vorversuchen gezeigt werden konnte . Die Schutzschicht kann insbesondere aus der Gasphase im
Vakuum abgeschieden werden. Hierdurch wird eine porenfreie Aufbringung der Schutzschicht erreicht, wodurch sich
Strukturen wie Spitzen, Spalten und Ränder gleichmäßig beschichten lassen, was beispielsweise mit
flüssigkeitsbasierten Verfahren nicht möglich ist.
Neben dem Vorteil der gleichmäßigen Umformung und
Spaltgängigkeit weist die Schutzschicht insbesondere für optoelektronische Halbleiterbauelemente erforderliche
optische und mechanische Eigenschaften auf, beispielsweise eine geringe Feuchtedurchlässigkeit und eine geringe
Feuchteaufnahme sowie eine ausreichende Gasundurchlässigkeit, was im Rahmen von Salzsprühtests und Korrosionsschutztests gezeigt werden konnte. Weiterhin ist die hier beschriebene Schutzschicht hoch transparent und kann im sichtbaren
Spektralbereich eine Transparenz von mehr als 95% aufweisen. Darüber hinaus ist die hier beschriebene Schutzschicht UV- stabil, das heißt, die Schutzschicht degradiert oder vergilbt nicht durch Licht mit einer Wellenlänge im Bereich von 450 bis 460 nm. Weiterhin konnte eine Temperaturstabilität bei 150°C im Dauerbetrieb sowie in Reflow-Lötverfahren bei 260°C für acht Minuten gezeigt werden.
Die hier beschriebene Schutzschicht weist eine gute Adhäsion auf allen üblichen Halbleiter- und Trägerelement-Materialien sowie Metallisierungen auf, beispielsweise auf üblichen
Vergussmaterialien wie beispielsweise Silikon sowie
Metalloberflächen wie beispielsweise Ni/Au, Cu, AI, Ag. Zudem bietet die hier beschriebene Schutzschicht mit dem Parylene einen hohen Abrasionsschutz auf. Auf Glassubstraten und metallisierten Substraten konnte gezeigt werden, dass alle Zuverlässigkeitstests erfolgreich bestanden werden können.
Die hier beschriebene Schutzschicht weist somit eine im
Vergleich zu den üblichen Verguss- und
Verkapselungsmaterialien höhere Zuverlässigkeit auf,
insbesondere eine gleichmäßigere Schicht sowie eine
Lückenfreiheit, und darüber hinaus bessere optische
Eigenschaften, die durch eine dünne Schichtdicke und eine hohe Transparenz erreicht werden können, wodurch sich
beispielsweise bei Licht emittierenden Halbleiterbauelementen eine effizientere Lichtausbeute ergeben kann. Durch die
Möglichkeit, die hier beschriebene Schutzschicht mit Parylene mit einer dünnen Schichtdicke aufzubringen, ergibt sich eine Materialersparnis und somit auch eine Ersparnis von Kosten, insbesondere auch dadurch, dass billigere und korrosionsanfälligere Metalle für Kontaktierungen verwendet werden können.
Durch die hier beschriebene Beschichtung des
optoelektronischen Halbleiterbauelements mit der
Schutzschicht, die Parylene oder dessen Derivate aufweist, konnte gezeigt werden, dass die Anforderungen bezüglich der Zuverlässigkeit, die an optoelektronisch
Halbleiterbauelemente gestellt werden, erfüllt werden können.
Der optoelektronische Halbleiterchip weist insbesondere eine optoelektronische Halbleiterschichtenfolge auf, besonders bevorzugt eine epitaktisch gewachsene
Halbleiterschichtenfolge. Die Halbleiterschichtenfolge basiert bevorzugt auf einem III-V-
Verbindungshalbleitermaterial . Bei dem Halbleitermaterial handelt es sich bevorzugt um ein Nitrid- Verbindungshalbleitermaterial wie AlxIn]__x_yGayN oder auch um ein Phosphid-Verbindungshalbleitermaterial wie AlxIn]__x_yGayP oder auch um ein Arsenid-Verbindungshalbleitermaterial wie
AlxIn]__x_yGayAs, wobei jeweils O ^ x ^ l, O ^ y ^ l und x + y ^ 1 gilt. Dabei kann die Halbleiterschichtenfolge
Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen. Der Einfachheit halber sind jedoch nur die wesentlichen
Bestandteile des Kristallgitters der
Halbleiterschichtenfolge, also AI, As, Ga, In, N oder P, angegeben, auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt und/oder ergänzt sein können. Die Halbleiterschichtenfolge umfasst zumindest eine aktive Schicht, die zur Erzeugung oder zum Empfang von Licht in einem ultravioletten bis infraroten Wellenlängenbereich eingerichtet ist. Die aktive Schicht beinhaltet beispielsweise wenigstens einen pn-Übergang oder, bevorzugt, eine oder mehrere Quantentopfstrukturen . Das von der aktiven Schicht im Betrieb erzeugte oder zum Empfang vorgesehene Licht liegt insbesondere in einem sichtbaren Spektralbereich.
Die optoelektronische Halbleiterschichtenfolge kann
beispielsweise im Betrieb Licht abstrahlen und dazu als Licht emittierender Halbleiterchip, etwa als Licht emittierende Diode (LED) , als Kanten emittierender Halbleiterlaser, als vertikal emittierender Halbleiterlaser (VCSEL) , als Laser- Array, als Laserbarren oder als Mehrzahl oder Kombination daraus, ausgebildet sein oder zumindest eines oder mehrere der genannten Elemente aufweisen. Alternativ oder zusätzlich kann die optoelektronische Halbleiterschichtenfolge im
Betrieb Licht empfangen und dazu als Licht empfangender
Halbleiterchip, etwa als Fotodiode, als Solarzelle, als
Solarzellenpanel, als Fototransistor oder als eine Mehrzahl oder Kombination dieser, ausgebildet sein oder eines oder mehrere der genannten Elemente aufweisen.
Besonders bevorzugt kann die optoelektronische
Halbleiterschichtenfolge mittels eines Epitaxieverfahrens, beispielsweise metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOVPE) oder Molekularstrahlepitaxie (MBE) , auf einem
Aufwachssubstrat aufgewachsen werden. Das Aufwachssubstrat kann ein elektrisch isolierendes Material oder ein
Halbleitermaterial, beispielsweise ein oben genanntes
Verbindungshalbleitermaterialsystem, aufweisen oder daraus sein. Insbesondere kann das Aufwachssubstrat Saphir, GaAs, GaP, GaN, InP, SiC, Si und/oder Ge aufweisen oder aus einem solchen Material sein. Der Aufwachsprozess kann insbesondere im Waferverbund
stattfinden. Mit anderen Worten wird ein Aufwachssubstrat in Form eines Wafers bereitgestellt, auf den die
optoelektronische Halbleiterschichtenfolge großflächig aufgewachsen wird. Die aufgewachsene optoelektronische
Halbleiterschichtenfolge kann in einem weiteren
Verfahrensschritt in einzelne Halbleiterchips zur Bildung einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen vereinzelt werden.
Weiterhin kann die Halbleiterschichtenfolge bevorzugt vor dem Vereinzeln auf ein Trägersubstrat übertragen werden. Das Trägersubstrat kann beispielsweise durch eines der oben für Aufwachssubstrate genannten Materialien gebildet werden.
Weiterhin ist es auch möglich, dass das Trägersubstrat beispielsweise durch eine metallhaltige Folie oder eine metallhaltige Platte, beispielsweise eine Metallfolie oder eine Metallplatte, gebildet wird. Das Aufwachssubstrat kann nach dem Übertragen gedünnt werden, also zumindest teilweise oder ganz entfernt werden. Das
Trägersubstrat wird dann zusammen mit der
Halbleiterschichtenfolge zur Bildung von optoelektronischen Halbleiterchips vereinzelt. Vor dem Übertragen der
Halbleiterschichtenfolge auf ein Trägersubstrat können beispielsweise auf einer dem Aufwachssubstrat abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge eine oder mehrere
Spiegelschichten aufgebracht werden. Insbesondere können die eine oder die mehreren Spiegelschichten ein Metall, besonders bevorzugt Silber, aufweisen oder daraus sein. Weiterhin sind als Spiegelschicht auch Kombinationen von Schichten mit einem oder mehreren transparenten leitenden Oxiden und mit einem oder mehreren Spiegelmetallen oder mit einem oder mehreren transparenten dielektrischen Materialien und mit einem oder mehreren Spiegelmetallen möglich.
Halbleiterchips, die anstelle des Aufwachssubstrats ein
Trägersubstrat aufweisen, können auch als so genannte
Dünnfilm-Halbleiterchips bezeichnet werden, im Fall von Licht emittierenden Dünnfilm-Halbleiterchips auch als Dünnfilm- Leuchtdiodenchips . Ein Dünnfilm-Leuchtdiodenchip kann sich insbesondere durch folgende charakteristische Merkmale auszeichnen:
- an einer zu dem Trägersubstrat hin gewandten ersten
Hauptfläche einer Licht emittierenden
Halbleiterschichtenfolge ist eine reflektierende Schicht, insbesondere eine Spiegelschicht, aufgebracht oder
ausgebildet, die zumindest einen Teil der in der
Halbleiterschichtenfolge erzeugten elektromagnetischen Strahlung in diese zurückreflektiert;
- die Halbleiterschichtenfolge weist eine Dicke im Bereich von 20 μιη oder weniger, insbesondere im Bereich von 4 μιη und 10 μιη, auf; und
- die Halbleiterschichtenfolge enthält mindestens eine
Halbleiterschicht mit zumindest einer Fläche, die eine Durchmischungsstruktur aufweist, die im Idealfall zu einer annähernd ergodischen Verteilung des Lichts in der
Halbleiterschichtenfolge führt, d. h. sie weist ein möglichst ergodisch stochastisches Streuverhalten auf.
Ein Dünnfilm-Leuchtdiodenchip ist in guter Näherung ein
Lambert ' scher Oberflächenstrahler. Das Grundprinzip eines Dünnfilm-Leuchtdiodenchips ist beispielsweise in der
Druckschrift I. Schnitzer et al . , Applied Physics Letters 63 (16), 18. Oktober 1993, Seiten 2174-2176 beschrieben. Weiterhin können auf oder in der Halbleiterschichtenfolge elektrische Kontaktelemente, beispielsweise in Form einer oder mehrerer elektrischer Kontaktschichten wie etwa
Elektrodenschichten und/oder einer oder mehrerer
Durchkontaktierungen, vorhanden sein, mittels derer der optoelektronische Halbleiterchip und insbesondere die aktive Schicht elektrisch kontaktiert werden kann.
Die Halbleiterschichtenfolge kann neben dem aktiven Bereich weitere funktionale Schichten und funktionelle Bereiche umfassen, etwa p- oder n-dotierte
Ladungsträgertransportschichten, also Elektronen- oder
Löchertransportschichten, undotierte oder p- oder n-dotierte Confinement- , Cladding- oder Wellenleiterschichten,
Barriereschichten, Planarisierungsschichten, Pufferschichten, Schutzschichten und/oder Elektroden sowie Kombinationen daraus. Darüber hinaus können zusätzliche Schichten, etwa Pufferschichten, Barriereschichten und/oder Schutzschichten auch senkrecht zur Aufwachsrichtung der
Halbleiterschichtenfolge beispielsweise um die
Halbleiterschichtenfolge herum angeordnet sein, also etwa auf den Seitenflächen der Halbleiterschichtenfolge. Das Trägerelement kann beispielsweise durch eine
Leiterplatte, eine Keramikplatte, ein Keramikgehäuse, eine Kunststoffplatte, ein Kunststoffgehäuse oder eine Kombination hieraus gebildet sein. Das Trägerelement kann weiterhin elektrische Anschlusselemente zur elektrischen Kontaktierung des optoelektronischen Halbleiterchips aufweisen,
beispielsweise Leiterbahnen auf dem Trägerelement und/oder Durchkontaktierungen durch das Trägerelement. Die
elektrischen Anschlusselemente können elektrische Anschlussbereiche aufweisen, über die das optoelektronische Halbleiterbauelement von außen kontaktiert werden kann. Ist ein elektrisches Anschlusselement als Durchkontaktierung ausgebildet, so kann dieses bevorzugt von einer dem
optoelektronischen Halbleiterchip abgewandten Montagefläche des Trägerelements durch das Trägerelement hindurch bis zu einer Seite ragen, auf der der Halbleiterchip angeordnet ist. Auf der Montagefläche weist eine Durchkontaktierung einen elektrischen Anschlussbereich auf.
Eine elektrische Kontaktierung des Halbleiterchips kann beispielsweise über eine direkte Montage des Halbleiterchips auf einem elektrischen Anschlusselement erreicht werden.
Weiterhin kann zumindest eine elektrische Kontaktstruktur vorhanden sein, über die eine elektrische Kontaktierung erreichet werden kann, beispielsweise eine Drahtverbindung wie etwa einen Bonddraht und/oder ein Metallfilm in Form einer Metallfilmverbindung, und die sich von einem
elektrischen Kontaktelement des Halbleiterchips zu einem elektrischen Anschlusselement des Trägerelements erstreckt und das elektrische Anschlusselement des Trägerelements mit dem elektrischen Kontaktelement des Halbleiterchip elektrisch leitend verbindet. Die Kontaktstruktur kann besonders
bevorzugt von der Schutzschicht bedeckt sein, insbesondere im Falle einer durch einen Metallfilm gebildeten
Kontaktstruktur .
Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist der Halbleiterchip auf allen dem Trägerelement abgewandten Seiten von der
Schutzschicht bedeckt. Dies kann insbesondere bedeuten, dass alle nach der Montage des Halbleiterchips auf dem
Trägerelement freiliegenden Oberflächen des Halbleiterchips mit der Schutzschicht bedeckt werden. Weist das optoelektronische Halbleiterbauelement, wie weiter unten beschrieben ist, eine Wellenlängenkonversionsschicht auf dem Halbleiterchip auf, so können insbesondere der Halbleiterchip und die Wellenlängenkonversionsschicht auf allen dem
Trägerelement abgewandten freiliegenden Oberflächen von der Schutzschicht bedeckt sein.
Als freiliegende Oberflächen werden hier und im Folgenden solche Oberflächen und Oberflächenbereiche bezeichnet, die nach Fertigstellung des optoelektronischen
Halbleiterbauelements Kontakt mit der Umgebung in der Form haben können, dass beispielsweise atomare oder molekulare Stoffe aus der Umgebung, etwa Feuchtigkeit oder schädigende Gase, an die Oberfläche gelangen können. Daher kann auch eine Oberfläche oder ein Oberflächenbereich, der von einer nicht hermetisch dichten Schicht, etwa einer nicht hermetisch dichten KunststoffSchicht , beispielsweise durch ein
Vergussmaterial gebildet, bedeckt ist, vorliegend unter den Begriff freiliegend fallen.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform erstreckt sich die
Schutzschicht zumindest auf einen Teil des Trägerelements, sodass die Schutzschicht zumindest einen Teil des
Trägerelements bedeckt. Insbesondere kann sich die
Schutzschicht zusammenhängend vom Halbleiterchip auf das Trägerelement erstrecken. Dadurch kann die Schutzschicht beispielsweise die Grenzfläche zwischen dem Halbleiterchip und dem Trägerelement wirksam verkapseln. Darüber hinaus können gegenüber der Umgebung empfindliche Materialien des Trägerelements, beispielsweise Metalloberflächen, die durch Leiterbahnen und/oder Durchkontaktierungen gebildet werden und über die sich die Schutzschicht erstreckt, vor schädigenden Umgebungseinflüssen wie Feuchtigkeit und
schädigenden Gasen geschützt werden.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist das Trägerelement eine Montagefläche auf, die dazu eingerichtet ist, das
Halbleiterbauelement auf einem Träger zu montieren. Ein solcher Träger kann beispielsweise durch eine Leiterplatte oder einen Kühlkörper gebildet werden. Die Schutzschicht kann sich insbesondere besonders bevorzugt bis auf die
Montagefläche über alle Oberflächen des Halbleiterbauelements erstrecken, sodass bis auf die Montagefläche alle Oberflächen des Halbleiterbauelements mit der Schutzschicht bedeckt sind. Nach einer Montage des Halbleiterbauelements auf einem Träger mittels der Montagefläche weist das Halbleiterbauelement n diesem Fall keine Oberfläche mehr auf, die der Umgebung zugewandt ist und die frei von der Schutzschicht ist, sodass ein allseitiger Schutz vor schädigenden Umgebungseinflüssen erreicht werden kann. Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird der Halbleiterchip zumindest teilweise von einem Vergussmaterial auf dem
Trägermaterial umgeben. Beispielsweise kann das
Vergussmaterial Silikon aufweisen. Insbesondere kann der Halbleiterchip lateral, also in einer Richtung parallel zur Grenzfläche zwischen dem Halbleiterchip und dem
Trägerelement, vom Vergussmaterial umgeben sein. Hierdurch kann beispielsweise erreicht werden, dass das Vergussmaterial an den Halbleiterchip oder gegebenenfalls an eine
Wellenlängenkonversionsschicht auf der Halbleiterschicht plan anschließt, sodass das optoelektronische Halbleiterbauelement eine plane oder im Wesentlichen plane Oberfläche aufweisen kann. Insbesondere bedeckt die Schutzschicht auch das
Vergussmaterial, sodass dieses unabhängig von seinen Eigenschaften in Bezug auf eine Empfindlichkeit oder
Durchlässigkeit von Feuchtigkeit oder schädigenden Gasen ausgewählt werden kann. Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist das
optoelektronische Halbleiterbauteil eine
Wellenlängenkonversionsschicht auf, die auf dem
Halbleiterchip angeordnet ist. Die Schutzschicht kann
insbesondere auf der Wellenlängenkonversionsschicht
angeordnet sein, sodass die Wellenlängenkonversionsschicht auf dem Halbleiterchip und unter der Schutzschicht angeordnet ist. Dadurch kann die Schutzschicht den Halbleiterchip und die Wellenlängenkonversionsschicht zusammen verkapseln. Die Wellenlängenkonversionsschicht kann beispielsweise
unmittelbar auf der Halbleiterschichtenfolge aufgebracht sein .
Die Wellenlängenkonversionsschicht kann insbesondere dazu eingerichtet sein, einen Teil des vom Halbleiterchip im
Betrieb erzeugten Lichts in Licht mit einer anderen
Wellenlänge umzuwandeln, sodass das Halbleiterbauelement mischfarbiges Licht, zum Beispiel weißes Licht, abstrahlen kann. Beispielsweise kann der optoelektronische
Halbleiterchip als blau oder grün emittierender
Halbleiterchip ausgeführt sein, während die
Wellenlängenkonversionsschicht einen Teil des vom
Halbleiterchip erzeugten Lichts in gelbes und/oder rotes und/oder grünes Licht umwandeln kann, sodass bei einer geeigneten Wahl des Materials des Halbleiterchips und des Materials der Wellenlängenkonversionsschicht im Betrieb des Halbleiterbauelements die Abstrahlung von weißem Licht erreicht werden kann. Die Wellenlängenkonversionsschicht weist zumindest einen Wellenlängenkonversionsstoff auf, der aus einem oder mehreren der folgenden Materialien ausgewählt sein kann: Granate der Seltenen Erden und der Erdalkalimetalle, beispielsweise
YAG:Ce3+, Nitride, Nitridosilikate, Sione, Sialone,
Aluminate, Oxide, Halophosphate, Orthosilikate, Sulfide, Vanadate und Chlorosilikate . Weiterhin kann der
Wellenlängenkonversionsstoff zusätzlich oder alternativ ein organisches Material umfassen, das aus einer Gruppe
ausgewählt sein kann, die Perylene, Benzopyrene, Coumarine, Rhodamine und Azo-Farbstoffe umfasst.
Weiterhin kann die Wellenlängenkonversionsschicht ein
transparentes Matrixmaterial aufweisen, das den oder die Wellenlängenkonversionsstoffe umgibt oder enthält oder das an den oder die Wellenlängenkonversionsstoffe chemisch gebunden ist. Das transparente Matrixmaterial kann beispielsweise Siloxane, Epoxide, Acrylate, Methylmethacrylate, Imide, Carbonate, Olefine, Styrole, Urethane oder Derivate davon in Form von Monomeren, Oligomeren oder Polymeren und weiterhin auch Mischungen, Copolymere oder Verbindungen damit
aufweisen. Beispielsweise kann das Matrixmaterial ein
Epoxidharz, Polymethylmethacrylat (PMMA) , Polystyrol,
Polycarbonat , Polyacrylat, Polyurethan oder ein Silikonharz wie etwa Polysiloxan oder Mischungen daraus umfassen oder sein .
Die Wellenlängenkonversionsschicht kann durch Aufsprühen, Auftropfen, Sedimentation oder Elektrophorese auf den
optoelektronischen Halbleiterchip aufgebracht werden.
Alternativ hierzu kann es auch möglich sein, dass die
Wellenlängenkonversionsschicht als vorgefertigtes Plättchen mit einem der vorgenannten Matrixmaterialien und einem Wellenlängenkonversionsstoff ausgebildet ist. Weiterhin kann die Wellenlängenkonversionsschicht auch als keramische
Wellenlängenkonversionsschicht mit einem keramischen
Wellenlängenkonversionsstoff oder mit einem keramischen
Wellenlängenkonversionsstoff und einem keramischen
Matrixmaterial ausgebildet sein.
Weitere Vorteile, vorteilhafte Ausführungsformen und
Weiterbildungen ergeben sich aus den im Folgenden in
Verbindung mit den Figuren beschriebenen
Ausführungsbeispielen .
Es zeigen:
Figur 1 eine schematische Darstellung eines
optoelektronischen Halbleiterbauelements gemäß einem Ausführungsbeispiel,
Figuren 2 und 3 schematische Darstellungen von
optoelektronischen Halbleiterbauelementen gemäß weiteren Ausführungsbeispielen und
Figur 4 eine schematische Darstellung einer Anordnung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen auf einem Träger gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel. In den Ausführungsbeispielen und Figuren können gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente jeweils mit denselben Bezugszeichen versehen sein. Die dargestellten Elemente und deren Größenverhältnisse untereinander sind nicht als maßstabsgerecht anzusehen, vielmehr können einzelne Elemente, wie zum Beispiel Schichten, Bauteile, Bauelemente und Bereiche, zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein. In Verbindung mit den Figuren werden Ausführungsbeispiele für optoelektronische Halbleiterbauelemente beschrieben, die rein exemplarisch als Licht emittierende Halbleiterbauelemente ausgebildet sind. Die in Verbindung mit den Figuren
beschriebenen Halbleiterschichtenchips 2 weisen somit jeweils eine aktive Schicht auf, die geeignet ist, im Betrieb Licht abzustrahlen, und können beispielsweise als Leuchtdiodenchips ausgebildet sein. Hierzu können die Halbleiterchips 2 eine Halbleiterschichtenfolge mit einem oben im allgemeinen Teil beschriebene Verbindungshalbleitermaterial auf einem
Aufwachssubstrat oder einem Trägersubstrat aufweisen.
Weiterhin ist es auch möglich, dass die Halbleiterchips 2 als so genannte trägerlose Halbleiterchips ausgebildet sind, bei denen das Aufwachssubstrat gedünnt oder abgelöst ist und kein Trägersubstrat vorhanden ist.
Die nachfolgend beschriebenen Ausführungsbeispiele sind jedoch nicht auf Licht emittierende Halbleiterchips und Licht emittierende Halbleiterbauelemente beschränkt. Vielmehr können in den beschriebenen Ausführungsbeispielen alternativ oder zusätzlich auch Licht empfangende Halbleiterchips mit einer Licht empfangenden Halbleiterschichtenfolge mit
zumindest einer Licht empfangenden aktiven Schicht vorgesehen sein .
In Figur 1 ist ein Ausführungsbeispiel für ein
optoelektronisches Halbleiterbauelement 101 gezeigt, bei dem auf einem Trägerelement 1 ein optoelektronischer
Halbleiterchip 2 angeordnet ist. Das Trägerelement 1 kann beispielsweise durch ein Kunststoffgehäuse, eine
Kunststoffplatte, ein Keramikgehäuse, eine Keramikplatte, eine Leiterplatte oder eine Kombination hieraus gebildet sein. Beispielsweise kann es sich bei dem Träger 1 um ein so genanntes Pre-Mold-Package handeln, bei dem ein Leiterrahmen mit einem Kunststoffmaterial zur Bildung eines
Kunststoffgehäuses umformt wird, bei dem der Halbleiterchip 2 mittels des Leiterrahmens montiert und elektrisch kontaktiert werden kann. Insbesondere kann es sich bei einem solchen Kunststoffgehäuse um ein oberflächenmontierbares Gehäuse handeln. Weiterhin ist es auch möglich, dass das
Trägerelement 1 als so genanntes QFN-Package (QFN: „quad-flat no leads") ausgebildet ist. Weiterhin ist es auch möglich, dass das Trägerelement beispielsweise als Keramiksubstrat beziehungsweise als Keramikträger ausgebildet ist, auf das beziehungsweise den Leiterbahnen aufgebracht sind und/oder in dem Durchkontaktierungen vorhanden sind, mittels derer der Halbleiterchip 2 montiert und/oder elektrisch kontaktiert werden kann.
Der Halbleiterchip 2 ist mit einer Schutzschicht 3 bedeckt, die Parylene aufweist. Insbesondere kann die Schutzschicht 3 aus Parylene bestehen. Um einen allseitigen Schutz des
Halbleiterchips 2 vor schädigenden Umwelteinflüssen wie
Feuchtigkeit und schädigenden Gasen zu erreichen, ist der Halbleiterchip 2 auf allen dem Trägerelement 1 abgewandten Seiten beziehungsweise Oberflächen von der Schutzschicht 3 bedeckt. Hierzu wird die Schutzschicht 3 auf den
Halbleiterchip 2 aufgebracht, nachdem der Halbleiterchip 2 auf dem Trägerelement 1 montiert und elektrisch angeschlossen ist. Alternativ hierzu kann es auch möglich sein, den
Halbleiterchip 2 zuerst mit der Parylene-Schutzschicht 3 zu bedecken und dann auf dem Trägerelement 1 zu montieren. Dies kann insbesondere dann möglich sein, wenn der Halbleiterchip 2 nur auf der dem Trägerelement 1 zugewandten Seite
elektrische Kontaktelemente, beispielsweise
Elektrodenschichten, aufweist. Beispielsweise kann der Halbleiterchip 2 in diesem Fall als so genannter Flip-Chip- Halbleiterchip ausgebildet sein.
Besonders vorteilhaft ist es, wenn die Schutzschicht 3 ein Fluor-substituiertes Parylene oder eine Kombination aus zwei oder mehreren Parylene-Derivaten aufweist oder daraus besteht, das eine hohe Temperaturstabilität sowie eine hohe Beständigkeit und Barrierewirkung gegenüber schädigenden Umwelteinflüssen aufweist. Durch die Schutzschicht 3 kann weiterhin auch ein Schutz gegenüber mechanischen Einwirkungen durch einen hohen Abrasionsschutz erreicht werden.
Die weiteren Figuren zeigen Ausführungsbeispiele, die
Modifikationen des in Figur 1 dargestellten
Ausführungsbeispiels bilden. Die nachfolgende Beschreibung bezieht daher im Wesentlichen auf die Unterschiede zum
Ausführungsbeispiel der Figur 1.
In Figur 2 ist ein optoelektronisches Halbleiterbauelement 102 gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel gezeigt, bei dem das Trägerelement 1 elektrische Anschlusselemente 4 in Form von Leiterbahnen auf der dem Halbleiterchip 2 zugewandten Oberfläche aufweist. Der Halbleiterchip 2 ist auf einem der Anschlusselemente 4 montiert. Über eine elektrische
Kontaktstruktur 6, die als Metallfilm ausgebildet ist, wird das weitere elektrische Anschlusselement 4 mit der Oberseite und einem dort angeordneten elektrischen Kontaktelement, beispielsweise einer Elektrode, des Halbleiterchips 2 elektrisch leitend verbunden. Zwischen dem Halbleiterchip 2 und der elektrischen Kontaktstruktur 6 ist eine elektrisch isolierende Schicht 5 aus einem dielektrischen anorganischen Material oder einem Polymermaterial angeordnet, um die elektrische Kontaktstruktur 6 beispielsweise von Seitenflächen des Halbleiterchips 2 elektrisch zu isolieren.
Wie im vorherigen Ausführungsbeispiel wird der Halbleiterchip 2 im Ausführungsbeispiel der Figur 2 auf allen dem
Trägerelement 1 abgewandten Oberflächen von einer
Schutzschicht 3, die Parylene aufweist oder daraus ist, bedeckt. Die Schutzschicht 3 erstreckt sich jedoch im
Vergleich zum vorherigen Ausführungsbeispiel auch auf einen Teil des Trägerelements 1 und bildet somit eine
zusammenhängende, sich vom Halbleiterchip 2 auf das
Trägerelement 1 erstreckende Schutzschicht 3, die zusätzlich auch die elektrische Kontaktstruktur 6 bedeckt. Insbesondere kann sich die Schutzschicht 3 beispielsweise über die gesamte dem Halbleiterchip 2 zugewandte Seite des Trägerelements 1 erstrecken, wobei Anschlussbereiche der elektrischen
Anschlusselemente 4 zur Kontaktierung des
Halbleiterbauelements 102 frei von der Schutzschicht 3 bleiben .
In Figur 3 ist ein optoelektronisches Halbleiterbauelement 103 gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel. Das
optoelektronische Halbleiterbauelement 103 weist ein
Trägerelement 1 auf, beispielsweise aus Kunststoff oder einem Keramikmaterial, das zumindest zwei als Durchkontaktierungen ausgebildete elektrische Anschlusselemente 4 aufweist. Die elektrischen Anschlusselemente 4 ragen von einer
Montagefläche 10 des Trägerelements 1, mittels derer das optoelektronische Halbleiterbauelement 103 auf einem Träger montiert werden kann, zu der dem Halbleiterchip 2 zugewandten Seite des Trägerelements 1 durch das Trägerelement 1
hindurch. Wie in Figur 3 gezeigt ist, können die elektrischen Anschlusselemente 4 elektrische Anschlussbereiche an den Oberflächen des Trägerelements 1 aufweisen, die an ein vorgegebenes Lötdesign auf der Montagefläche 10 sowie an die Kontaktierungsart für den Halbleiterchip 2 angepasst sind. Der Halbleiterchip 2 ist direkt auf einem der beiden
elektrischen Anschlusselemente 4 montiert und weist ein elektrisches Kontaktelement 9, beispielsweise in Form einer Lotschicht oder einer Elektrodenschicht, zum elektrischen Anschluss der Oberseite des Halbleiterchips 2 an das
elektrische Anschlusselement 4 auf. Auf dem Halbleiterchip 2 ist eine Wellenlängenkonversionsschicht 7 aufgebracht, die, wie oben im allgemeinen Teil beschrieben ist, dazu
eingerichtet ist, zumindest einen Teil des vom Halbleiterchip 2 im Betrieb emittierten Lichts in Licht mit einer anderen Wellenlänge umzuwandeln. Die Wellenlängenkonversionsschicht 7 kann wie oben im allgemeinen Teil beschrieben ausgebildet sein .
Der Halbleiterchip 2 sowie die Wellenlängenkonversionsschicht 7 sind lateral, also entlang einer Richtung parallel zur Grenzfläche zwischen dem Halbleiterchip 2 und dem
Trägerelement 1, von einem Vergussmaterial 8 umgeben. Das Vergussmaterial 8 kann beispielsweise Silikon aufweisen oder daraus sein und, wie im gezeigten Ausführungsbeispiel
dargestellt, plan an die die Wellenlängenkonversionsschicht 7 anschließen, sodass das optoelektronische
Halbleiterbauelement 103 eine im Wesentlichen plane
Oberfläche aufweist. Zur Kontaktierung der Oberseite des Halbleiterchips 2
beziehungsweise des dort vorhandenen elektrischen
Kontaktelements 9 ist eine Öffnung in der
Wellenlängenkonversionsschicht 7 vorgesehen. In der Öffnung ist eine elektrische Kontaktstruktur 6 in Form eines
Metallfilms angeordnet, der sich vom elektrischen
Kontaktelement 9 auf der Oberseite des Halbleiterchips 2 zum anderen elektrischen Anschlusselement 4 erstreckt. Hierzu ist auch im Vergussmaterial 8 eine entsprechende Öffnung
vorgesehen. Das elektrische Kontaktelement des
Halbleiterchips 2 ist somit über die durch einen Metallfilm gebildete Kontaktstruktur 6 mit dem anderen der zumindest zwei elektrischen Anschlusselemente 4 des Trägerelements 1 elektrisch leitend verbunden, wobei die elektrische
Kontaktstruktur 6 durch eine Öffnung im Vergussmaterial 8 zum Anschlusselement 4 reicht. Alternativ hierzu ist es auch möglich, dass die Wellenlängenkonversionsschicht erst nach der elektrischen Kontaktierung des Halbleiterchips, also nach der Ausbildung der Kontaktstruktur 6, auf dem Halbleiterchip 2 aufgebracht wird, sodass die Wellenlängenkonversionsschicht auch die elektrische Kontaktstruktur 6 bedecken kann.
Weiterhin ist auf allen Oberflächen des Halbleiterbauelements 103 bis auf die Montagefläche 10 des Trägerelements 1 eine Schutzschicht 3 angeordnet, die ein Parylene aufweist oder daraus ist, sodass die Schutzschicht 3 bis auf die
Montagefläche 10 alle Oberflächen des Halbleiterbauelements 103 bedeckt und eine Außenschicht des Halbleiterbauelements 103 bildet. Dadurch kann erreicht werden, dass nach einer Montage des Halbleiterbauelements 103 auf einem Träger 11, wie in Figur 4 gezeigt ist, alle der Umgebung zugewandten Oberflächen des Halbleiterbauelements 103 durch die
Schutzschicht 3 gebildet werden, wodurch gegenüber
Feuchtigkeit und schädigenden Gasen empfindliche Materialien des Halbleiterbauelements 103 wie beispielsweise das
Vergussmaterial 8, Metalloberflächen, die beispielsweise Ni/Au, Cu, AI, Ag oder Kombinationen daraus aufweisen können, sowie das Halbleitermaterial des Halbleiterchips 2 geschützt sind .
In Figur 4 ist eine Anordnung einer Mehrzahl von
optoelektronischen Halbleiterbauelementen 103 gemäß dem vorherigen Ausführungsbeispiel auf einem Träger 11 gezeigt, der beispielsweise durch eine Leiterplatte oder einen
Kühlkörper, beispielsweise ein Montageblech, gebildet wird. Die Anordnung der optoelektronischen Halbleiterbauelemente 103 kann beispielsweise auch in einer zweidimensionalen
Matrix erfolgen. Wie in Verbindung mit Figur 3 beschrieben ist, sind die optoelektronischen Halbleiterbauelemente 103 durch die Parylene-Schutzschicht 3 gegenüber schädigenden Umwelteinflüssen geschützt, sodass die in Figur 4 gezeigte Anordnung beispielsweise als Beleuchtungselement, etwa in
Automotive-Anwendungen, ohne zusätzliche Verkapselungs- oder Schutzmaßnahmen eingesetzt werden kann.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den
Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2012 109 177.3, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.

Claims

Patentansprüche
1. Optoelektronisches Halbleiterbauelement, aufweisend ein Trägerelement (1), auf dem ein optoelektronischer
Halbleiterchip (2) mit zumindest einer aktiven Schicht angeordnet ist, wobei die aktive Schicht dazu
eingerichtet ist, im Betrieb Licht abzustrahlen oder zu empfangen und wobei der Halbleiterchip (2) mit einer Schutzschicht (3) bedeckt ist, die Parylene aufweist.
2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, wobei das
Trägerelement (1) eine dem optoelektronischen
Halbleiterchip abgewandte Montagefläche (10) aufweist, der Halbleiterchip (2) lateral von einem Vergussmaterial (8) umgeben ist und die Schutzschicht (3) bis auf die Montagefläche alle Oberflächen des Halbleiterbauelements bedeckt und eine Außenschicht des Halbleiterbauelements bildet .
3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Schutzschicht (3) aus Parylene besteht.
4. Halbleiterbauelement nach einem der vorherigen
Ansprüche, wobei das Parylene ein Fluor-substituiertes Parylene und/oder eine Kombination aus zwei oder
mehreren Parylene-Derivaten ist.
5. Halbleiterbauelement nach einem der vorherigen
Ansprüche, wobei der Halbleiterchip (2) auf allen dem Trägerelement (1) abgewandten Seiten von der
Schutzschicht (3) bedeckt ist. Halbleiterbauelement nach einem der vorherigen
Ansprüche, wobei die Schutzschicht (3) eine Außenschicht des Halbleiterbauelements bildet.
Halbleiterbauelement nach einem der vorherigen
Ansprüche, wobei die Schutzschicht (3) zumindest einen Teil des Trägerelements (1) bedeckt.
Halbleiterbauelement nach Anspruch 7, wobei sich die Schutzschicht (3) zusammenhängend vom Halbleiterchip (2) auf das Trägerelement (1) erstreckt.
Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, wobei das
Trägerelement (1) eine Montagefläche (10) aufweist, die dazu eingerichtet ist, das Halbleiterbauelement auf einem Träger (11) zu montieren, und wobei die
Schutzschicht (3) bis auf die Montagefläche (10) alle
Oberflächen des Halbleiterbauelements bedeckt.
Halbleiterbauelement nach einem der vorherigen
Ansprüche, wobei auf dem Halbleiterchip (2) unter der
Schutzschicht (3) eine Wellenlängenkonversionsschicht
(7) angeordnet ist.
Halbleiterbauelement nach einem der vorherigen
Ansprüche, wobei zumindest eine Kontaktstruktur (6) vorhanden ist, die zumindest ein elektrisches
Anschlusselement (4) des Trägerelements (1) mit einem elektrischen Kontaktelement (9) des Halbleiterchips elektrisch leitend verbindet, und die Kontaktstruktur
(6) von der Schutzschicht (3) bedeckt ist.
12. Halbleiterbauelement nach Anspruch 11, wobei das elektrische Anschlusselement (4) durch eine
Durchkontaktierung durch das Trägerelement (1) gebildet wird .
13. Halbleiterbauelement nach Anspruch 11 oder 12, wobei die Kontaktstruktur (6) durch einen Metallfilm gebildet wird .
Halbleiterbauelement nach einem der vorherigen
Ansprüche, wobei der Halbleiterchip (2) zumindest teilweise von einem Vergussmaterial (8) auf dem
Trägerelement (1) umgeben ist und die Schutzschicht das Vergussmaterial (8) bedeckt.
Halbleiterbauelement nach Anspruch 14, wobei das
Vergussmaterial (8) ein Silikon aufweist.
16. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, wobei
- das Trägerelement (1) zumindest zwei als
Durchkontaktierungen ausgebildete elektrische
Anschlusselemente (4) aufweist, die von einer dem
Halbleiterchip (2) abgewandten Montagefläche (10) durch das Trägerelement (1) hindurch bis zu der dem
Halbleiterchip (2) zugewandten Seite des Trägerelements
(1) reichen,
- der Halbleiterchip (2) lateral von einem Vergussmaterial
(8) umgeben ist,
- der Halbleiterchip (2) auf einem der Anschlusselemente (4) angeordnet ist und ein elektrisches Kontaktelement (9) des Halbleiterchips (2) über eine durch einen Metallfilm gebildete Kontaktstruktur (6) mit einem anderen der zumindest zwei elektrischen Anschlusselemente (4) elektrisch leitend verbunden ist und die elektrische Kontaktstruktur (6) durch eine Öffnung im
Vergussmaterial (8) zum anderen der zumindest zwei elektrischen Anschlusselemente (4) reicht,
eine Wellenlängenkonversionsschicht (7) auf dem
Halbleiterchip (2) angeordnet ist und das
Vergussmaterial (8) plan an die
Wellenlängenkonversionsschicht (7) anschließt, und die Schutzschicht (3) bis auf die Montagefläche (10) alle Oberflächen des Halbleiterbauelements bedeckt und eine Außenschicht bildet.
17. Halbleiterbauelement nach einem der vorherigen
Ansprüche, wobei der optoelektronische Halbleiterch (2) ein Licht emittierender Halbleiterchip ist.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5884921B2 (ja) * 2012-11-30 2016-03-15 富士電機株式会社 圧力センサ装置および圧力センサ装置の製造方法
DE102013205179A1 (de) * 2013-03-25 2014-09-25 Osram Gmbh Verfahren zum Herstellen einer elektromagnetische Strahlung emittierenden Baugruppe und elektromagnetische Strahlung emittierende Baugruppe
DE102013113190A1 (de) * 2013-11-28 2015-05-28 Osram Oled Gmbh Elektronisches Bauteil
DE102015107742A1 (de) * 2015-05-18 2016-11-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils und optoelektronisches Bauteil
KR102458034B1 (ko) * 2015-10-16 2022-10-25 삼성전자주식회사 반도체 패키지, 반도체 패키지의 제조방법, 및 반도체 모듈
JP2018056512A (ja) * 2016-09-30 2018-04-05 デクセリアルズ株式会社 発光装置、及び発光装置の製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6483196B1 (en) * 2000-04-03 2002-11-19 General Electric Company Flip chip led apparatus
WO2009156856A2 (en) * 2008-06-25 2009-12-30 Wen-Huang Liu Led with improved external light extraction efficiency
US20100264432A1 (en) * 2009-04-15 2010-10-21 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Light emitting device with high color rendering index and high luminescence efficiency
US20110031513A1 (en) * 2009-08-04 2011-02-10 Advanced Optoelectronic Technology, Inc. Waterproof smd led module and method of manufacturing the same
DE102011013821A1 (de) * 2011-03-14 2012-09-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung zumindest eines optoelektronischen Halbleiterchips

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8040469B2 (en) * 2004-09-10 2011-10-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, method for manufacturing the same and apparatus for manufacturing the same
US20070148390A1 (en) * 2005-12-27 2007-06-28 Specialty Coating Systems, Inc. Fluorinated coatings
DE102006015335B4 (de) * 2006-04-03 2013-05-02 Ivoclar Vivadent Ag Halbleiter-Strahlungsquelle sowie Lichthärtgerät
TWI508331B (zh) * 2008-11-13 2015-11-11 Maven Optronics Corp 用於形成螢光轉換型發光元件之薄膜螢光層的系統及方法、以及用於螢光轉換型發光元件之薄膜螢光層

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6483196B1 (en) * 2000-04-03 2002-11-19 General Electric Company Flip chip led apparatus
WO2009156856A2 (en) * 2008-06-25 2009-12-30 Wen-Huang Liu Led with improved external light extraction efficiency
US20100264432A1 (en) * 2009-04-15 2010-10-21 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Light emitting device with high color rendering index and high luminescence efficiency
US20110031513A1 (en) * 2009-08-04 2011-02-10 Advanced Optoelectronic Technology, Inc. Waterproof smd led module and method of manufacturing the same
DE102011013821A1 (de) * 2011-03-14 2012-09-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung zumindest eines optoelektronischen Halbleiterchips

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
SCHNITZER ET AL., APPLIED PHYSICS LETTERS, vol. 63, no. 16, 18 October 1993 (1993-10-18), pages 2174 - 2176

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