WO2009095007A1 - Strahlungsemittierende vorrichtung - Google Patents

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WO2009095007A1
WO2009095007A1 PCT/DE2009/000135 DE2009000135W WO2009095007A1 WO 2009095007 A1 WO2009095007 A1 WO 2009095007A1 DE 2009000135 W DE2009000135 W DE 2009000135W WO 2009095007 A1 WO2009095007 A1 WO 2009095007A1
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radiation
layer
emitting device
wavelength conversion
electrical contact
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PCT/DE2009/000135
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Matthias Sabathil
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Osram Opto Semiconductors Gmbh
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Publication date
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    • H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers

Definitions

  • the invention described in the present application relates to a radiation-emitting device.
  • An object of at least one embodiment of the present invention is to provide a radiation-emitting device which has a more homogeneous emission characteristic.
  • a radiation-emitting device comprises in particular
  • wavelength conversion layer between the active layer and the mirror layer, wherein the wavelength conversion layer has at least one phosphor for wavelength conversion of the primary radiation into secondary radiation, the wavelength conversion layer having at least one opening in which an electrical contact element for electrically contacting the semiconductor layer sequence is arranged.
  • the radiation-emitting device may be a semiconductor chip and preferably a light-emitting diode chip, a laser diode chip and / or a photodiode chip.
  • active layer here and below means a layer of an epitaxial semiconductor layer sequence which is suitable and intended to generate and emit electromagnetic radiation during operation of the radiation-emitting device.
  • radiation means electromagnetic radiation having at least one wavelength or one spectral component in an infrared to ultraviolet wavelength range, in particular infrared, visible and / or ultraviolet electromagnetic radiation .
  • the primary radiation generated by the active layer can be radiated with at least a proportion of 50% in the direction of the radiation outcoupling surface, which is arranged on a surface of the epitaxial semiconductor layer sequence.
  • the primary radiation at the radiation coupling surface Due to the different optical densities of the epitaxial semiconductor layer sequence and the ambient air at the radiation coupling-out surface, however, a large part of the primary radiation at the radiation coupling surface is reflected back into the radiation-emitting device, so that up to 90% of the primary radiation is converted by the at least one phosphor in the wavelength conversion layer into secondary radiation can be.
  • the secondary radiation can also be coupled out by the radiation decoupling surface of the radiation-emitting device. Accordingly, a mixed light from non-converted primary 'and converted from secondary radiation is radiated to the radiation decoupling of the epitaxial semiconductor layer sequence.
  • the primary radiation can have, for example, an ultraviolet to green wavelength range, in particular a blue wavelength range.
  • the secondary radiation can have, for example, a green to red wavelength range, in particular a yellow wavelength range.
  • the term "on” with respect to the layer sequence in the radiation-emitting device means here and below that, for example, the radiation decoupling surface can be in direct contact with the epitaxial semiconductor layer sequence, or additionally Further layers may be present between the radiation decoupling surface and the epitaxial semiconductor layers.
  • direct contact can here and below mean, on the one hand, a mechanical, but also an electrical contacting, in which case electrical contact can also take place via an indirect mechanical contact.
  • the at least one phosphor in the wavelength conversion layer according to the invention is not downstream of the radiation coupling surface of the radiation-emitting device in comparison with known radiation-emitting devices with wavelength conversion layers.
  • the at least one phosphor is integrated in the wavelength conversion layer of the radiation-emitting device, so that the radiation decoupling surface is free of phosphor and thus enables the structuring of the radiation decoupling surface, for example by the application of surface structures.
  • An application of surface structures to the radiation decoupling surface means that the surface structures can be arranged in the immediate vicinity of the radiation decoupling surface. This allows a more direct entry of pelflache at the Strahlungsauskop- ⁇ emitted radiation in the surface structure and reduces possible radiation losses.
  • the wavelength conversion layer has the at least one opening in which the electrical contact element for electrical contacting of the semiconductor layer sequence is arranged.
  • the electrical contact element can with the half conductor layer sequence in direct or indirect electrical contact.
  • the electrical contact element mediates the injection of electrons or holes into the semiconductor layer sequence on the side of the active layer facing away from the radiation coupling-out surface.
  • a further electrical contact such as an electrode
  • oppositely charged charge carriers that is to say holes or electrons, can be injected into the semiconductor layer sequence on the side of the active layer facing the radiation decoupling surface.
  • the charge carriers injected into the semiconductor layer sequence from both sides of the active layer can recombine in the active layer under the emission of light.
  • the wavelength conversion layer of the radiation-emitting device may also have a plurality of openings, in each of which an electrical contact element is arranged.
  • the openings may be arranged in any arrangement in the wavelength conversion layer, for example, a rasterized embodiment is conceivable. Preference is given to a regular arrangement of the openings, each with an electrical contact element, in order to be able to ensure an improved electrical contacting of the semiconductor layer sequence and a more homogeneous charge carrier injection into the semiconductor layer sequence. Therefore, the openings may be further arranged at intervals of 20 ⁇ m, preferably at intervals of 10 ⁇ m in the wavelength conversion layer.
  • the openings in each of which an electrical contact element is arranged may preferably occupy ⁇ 2% and ⁇ 5% of the area of the radiation-emitting device, the boundaries being included. Furthermore, the openings may have regular or irregularly shaped transverse have sections. In a regular embodiment, the openings may have, for example, polygonal, circular or elliptical cross sections. In this case, the openings may be configured the same or different from each other and may, for example, also have cross-sections, which pass from one of the forms mentioned to another.
  • the radiation-emitting device may further comprise at least one electrical contact layer, which is located on one of the radiation coupling-out. surface remote surface of the wavelength conversion layer is arranged.
  • the electrical contact layer may be formed, for example, as a bottom electrode, via which an electrical AnARM mich the radiation-emitting device, for example, on a conductor track of a support member such as a circuit board can be made possible.
  • the electrical contact layer may also comprise the electrical contact element.
  • the electrical contact layer and the electrical contact element may preferably be formed in one piece.
  • the electrical contact element may be formed, for example, as a tail of the electrical contact layer, which extends through the wavelength conversion layer to the semiconductor layer sequence and thus enables the electrical contacting of the semiconductor layer sequence.
  • a further embodiment can also consist in that the opening or the openings of the wavelength conversion layer are filled with the electrical contact layer during application of the electrical contact layer and thus provided with an electrical contact element.
  • the electrical contact layer may contain at least one metal, so that the electrical contact layer may be designed, for example, as a contact metallization.
  • the electrical contact layer can, for example, comprise a metal with a high reflectivity, such as aluminum or silver.
  • the electrical contact layer can also be designed in addition to the mirror layer as a further reflective layer.
  • the mirror layer may also comprise the electrical contact layer, so that the. Mirror layer and the electrical contact layer can be integrally formed.
  • the mirror layer may be suitable for reflecting the primary radiation and the secondary radiation in the direction of the radiation decoupling surface. This means that both converted electromagnetic radiation in the form of secondary radiation and unconverted electromagnetic radiation in the form of primary radiation, which can traverse the wavelength conversion layer without being converted, can be reflected by the mirror layer. As a result, it may be possible for electromagnetic primary radiation incident on the mirror layer to be reflected back into the wavelength conversion layer, whereby an increase in the conversion probability for the proportion of primary radiation that could traverse the wavelength conversion layer without conversion in the direction of the mirror layer can be achieved , On the other hand, the mirror layer enables the reflection of already converted secondary radiation, which is radiated away from the phosphor by the radiation coupling-out surface.
  • the mirror layer may comprise a dielectric layer.
  • the dielectric layer of the mirror layer may have a lower refractive index than the wavelength conversion layer.
  • the mirror layer may comprise a layer stack formed as a Bragg mirror with a plurality of dielectric layers. In this way, an almost complete decoupling of the radiation from the radiation-emitting device can be achieved.
  • the dielectric layer or the plurality of dielectric layers comprises a translucent or transparent material.
  • the one or more dielectric layers may include silicon dioxide, silicon nitride, and / or low-k spin-on glass.
  • low-k spin-on glass is distinguished by a refractive index of about 1.17 and can thus enable a total reflection at the transition from the wavelength conversion layer into the dielectric layer.
  • low-k spin-on glass can have nano-pores and / or alternatively nano-columns as nanostructures.
  • the mirror layer may additionally or alternatively comprise a metal layer comprising a metal having a high reflectivity, such as aluminum or silver.
  • the mirror layer may comprise the electrical contact layer.
  • the mirror layer can be arranged between the wavelength conversion layer and the electrical contact layer and furthermore have at least one opening in which the electrical contact element is arranged for electrical contacting of the semiconductor layer sequence.
  • the at least one opening of the mirror layer may have a configuration whose features have already been described for the openings of the wavelength conversion layer.
  • the mirror layer has at least one opening
  • contacting of the electrical contact layer through the mirror layer and through the wavelength conversion layer to the semiconductor layer sequence can take place, for example, which can also be referred to as via.
  • the current conduction takes place through the electrical contact elements, which are arranged in the openings of the wavelength conversion layer, but also in the openings of the mirror layer.
  • the mirror layer which may comprise at least one dielectric layer and / or a Bragg mirror and / or a metal layer or may comprise the electrical contact layer, optimally reflects the primary radiation and the secondary radiation in the direction the Strahlungsau ⁇ koppel design sought.
  • total reflection can be brought about by using, for the dielectric layer, a material having a refractive index lower than the refractive index of the wavelength conversion layer.
  • the wavelength conversion layer may comprise a dielectric matrix material, in which the at least one phosphor for wavelength conversion is embedded.
  • the dielectric matrix material may be transparent and may surround, contain, or be chemically bonded to the at least one phosphor.
  • the transparent matrix material may comprise, for example, siloxanes, epoxides, acrylates, methyl methacrylates, imides, carbonates, olefins, styrenes, urethanes or derivatives thereof in the form of monomers, oligomers or polymers and furthermore also mixtures, copolymers or compounds therewith.
  • the matrix material may comprise or be an epoxy resin, polymethylmethacrylate (PMMA), polystyrene, polycarbonate, polyacrylate, polyurethane or a silicone resin such as polysiloxane or mixtures thereof.
  • the dielectric matrix material of the wavelength conversion layer has a high refractive index, which corresponds to the refractive index of the semiconductor material. Therefore, transparent matrix materials having a high refractive index such as SiN, TiC> 2 or TaO can be preferably used for forming the wavelength conversion layer. With a simultaneously low refractive index of a dielectric layer of the mirror layer adjoining the wavelength conversion layer, as complete a reflection as possible via total reflection of the primary radiation and the secondary radiation can be achieved at the interface between the dielectric layer of the mirror layer and the wavelength conversion layer.
  • Suitable wavelength conversion phosphors such as a YAG: Ce powder, are, for example, in the document WO 98/12757 described / the contents of which is hereby incorporated by reference. Nanocrystalline phosphors are conceivable as further materials for wavelength conversion in the wavelength conversion layer.
  • the wavelength conversion layer has a layer thickness of less than or equal to 2 ⁇ m, preferably less than or equal to 1 ⁇ m.
  • a current spreading layer can be arranged between the active layer and the wavelength conversion layer.
  • This electrically conductive layer can be arranged, for example, additionally or alternatively to the electrical contact layer in the radiation-emitting device between the wavelength conversion layer and the semiconductor layer sequence and can have a transparent conductive oxide (TCO) as an electrically conductive material.
  • TCO transparent conductive oxide
  • Transparent conductive oxides may include metal oxides such as zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide or indium tin oxide (ITO).
  • ternary metal oxygen compounds such as Zn 2 Sn 4, CdSnO 3, ZnSnO 3, Mgln 2 O 4, GaIn 3, Zn 2 ln 2 O 5 or In 4 Sn 3 O 2 or mixtures of different transparent conductive oxides also belong to the group of TCOs.
  • the TCOs do not necessarily correspond to a stoichiometric composition and may also be p- or n-doped.
  • the current spreading layer can be in direct contact with the one or more of the electrical contact elements and thus the electrical supply of the Improve semiconductor layer sequence by a large-area electrical contact to the semiconductor layer sequence.
  • the semiconductor layer sequence is epitaxially grown on a growth substrate from the radiation outcoupling surface. This may mean that the radiation coupling-out surface adjoins the growth substrate after the growth of the semiconductor layer sequence.
  • the wavelength conversion layer, the at least one electrical contact element and, according to further embodiments, the current spreading layer and / or the electrical contact layer can then furthermore be applied to the semiconductor layer sequence.
  • the growth substrate can remain on the semiconductor layer sequence or 'to be replaced after the epitaxial growth of the semiconductor layer sequence.
  • the radiation decoupling surface may have a surface structure. Since the wavelength conversion layer with the phosphor is arranged on the side of the active layer facing away from the radiation decoupling surface and not, for example, on the radiation decoupling surface of the semiconductor layer sequence, the surface of the semiconductor layer sequence can be provided directly with the surface structure.
  • the growth substrate can be removed from the semiconductor layer sequence, for example by an etching method.
  • the surface structure On the exposed radiation decoupling surface, the surface structure may be arranged, which may for example have lenses, filters, prisms, roughenings or combinations thereof.
  • a roughening of the radiation decoupling surface can take place, for example, by a surface treatment of the semiconductor material with KOH.
  • optical elements such as photonic crystals, angle filters, directional filters, polarizing filters or deflection optics can be used on the radiation decoupling surface.
  • optical elements are preferably used, which can be arranged or attached to the semiconductor chip in the smallest possible distance to the radiation coupling-out.
  • optical elements are preferably selected which can uniformly process the mixed light, which can be emitted by the radiation coupling-out surface with a broad spectrum, ie without or with only slight wavelength and / or angular dependence of the radiated primary radiation and secondary radiation.
  • a glass pane can be applied to the radiation coupling-out surface, on which the optical element is arranged.
  • silicon dioxide can be grown on the radiation decoupling surface. By subsequently planarizing the grown SiO 2 layer, the surface is smoothed and the optical element can then be vapor-deposited.
  • FIG. 1 shows a schematic sectional representation of a radiation-emitting device according to an exemplary embodiment
  • FIGS. 2 and 3 are schematic sectional views of radiation emitting devices according to further embodiments.
  • FIGS. 4A to 4C show schematic sectional representations of radiation-emitting devices according to further exemplary embodiments
  • FIGS. 5A and 5B show schematic sectional representations of radiation-emitting devices according to further exemplary embodiments
  • FIG. 6 shows a graphic representation of the emission characteristics of primary and secondary radiation as a function of the refractive index of the dielectric matrix material.
  • FIG. 1 shows a schematic sectional illustration of a radiation-emitting device according to an embodiment of the invention.
  • Example with an epitaxial semiconductor layer sequence 20.
  • the epitaxial semiconductor layer sequence 20 has a layer stack with n- and p-type layers and with an active layer 30 on.
  • the semiconductor layer sequence 20 comprises semiconductor layers based on nitride compound semiconductors.
  • nitride compound semiconductors in the present context means that the semiconductor layer sequence 20 or at least one layer thereof comprises a nitride III / V compound semiconductor material, preferably Al n Ga m In n - m N, where O ⁇ n ⁇ l, O ⁇ m ⁇ l and n + m ⁇ 1.
  • this material does not necessarily have to have a mathematically exact composition according to the above formula, but instead may have one or more dopants and additional constituents which have the characteristic physical properties of the Al n Ga m Ini - n -.
  • the semiconductor layer sequence may comprise a phosphide III / V compound semiconductor material, preferably Al n Ga m Ini_ n _ m P, wherein O ⁇ n ⁇ l, O ⁇ m ⁇ l and n + m ⁇ 1. Further, the semiconductor layer sequence may also include a semiconductor material based on AlGaAs or a II / VI compound semiconductor material.
  • the active layer 30 is arranged between the n- and the p-type layer of the epitaxial semiconductor layer sequence 20 and emits during operation of the radiation-emitting device a primary radiation which has a blue wavelength. range and gives a bluish light impression.
  • the active layer 30 can have a conventional pn junction, a double heterostructure or a multiple double heterostructure, a single quantum well structure (SQW structure) or a multiple quantum well structure (MQW structure).
  • quantum well structure includes in particular any structure in which charge carriers can undergo quantization of their energy states by confinement.
  • quantum well structure does not include information about the dimensionality of the quantization. It thus includes quantum wells, quantum wires and quantum dots and any combination of these structures.
  • the semiconductor layer sequence 20 can comprise, in addition to the active region 30, further functional layers and functional regions, for example p- or n-doped charge carrier transport layers, ie electron or hole transport layers, undoped or p- or n-doped confinement or intermediate layers, buffer layers or protective layers.
  • charge carrier transport layers ie electron or hole transport layers
  • undoped or p- or n-doped confinement or intermediate layers buffer layers or protective layers.
  • the semiconductor layer sequence 20 may in particular have features of a thin-film light-emitting diode chip.
  • a thin-film LED chip is characterized by at least one of the following characteristic features:
  • the thin-film light-emitting diode chip has a carrier element which is not the growth substrate on which the semiconductor layer sequence has been epitaxially grown, but rather a separate carrier element which has subsequently been attached to the semiconductor layer sequence,
  • the semiconductor layer sequence has a thickness in the range of 20 ⁇ m or less, in particular in the range of 10 ⁇ m or less,
  • the semiconductor layer sequence is free of a growth substrate.
  • free of a growth substrate means that a growth substrate which may be used for growth is removed from the semiconductor layer sequence or at least heavily thinned out. In particular, it is thinned such that it alone or together with the epitaxial semiconductor layer sequence is not self-supporting. The remainder of the highly thinned growth substrate is in particular unsuitable as such for the function of a growth substrate, and
  • the semiconductor layer sequence contains at least one semiconductor layer having at least one surface having a mixing structure, which leads in the ideal case to an approximately ergodic distribution of light in the semiconductor layer sequence, that is, it has the most ergodisch stochastic scattering behavior.
  • a basic principle of a thin-film light-emitting diode chip is described, for example, in the publication 1, Schnitzer et al. , Applied Physical Letters 63 (16), 18 October 1993, pages 2174 to 2176, the disclosure content of which is hereby incorporated by reference.
  • Exemplary for thin-film Light-emitting diode chips are described in the publications EP 0905797 A2 and WO 02/13281 A1, the disclosure content of which is hereby also included by reference.
  • a thin-film light-emitting diode chip is, to a good approximation, a Lambertian surface radiator and is therefore suitable, for example, well for use in a headlight, for example a motor vehicle headlight.
  • the primary radiation can be coupled out through a radiation decoupling surface 10 on a surface of the epitaxial semiconductor layer sequence 20.
  • a wavelength conversion layer 100 Disposed on the surface of the semiconductor layer sequence 20 facing away from the radiation coupling-out surface 10 is a wavelength conversion layer 100 which has a phosphor 70 for converting the primary radiation generated in the active layer 30 into a secondary radiation.
  • the secondary radiation has a yellow wavelength range and can produce a yellow-colored luminous impression.
  • the phosphor is embedded in a dielectric, transparent matrix material 80, such as one of the materials mentioned in the general part.
  • the secondary radiation is coupled out of the semiconductor layer sequence 20 via the radiation coupling-out surface 10 so that a mixed-color, in particular in the embodiment shown, a white-colored luminous impression of the primary radiation and the secondary radiation is produced by an external observer.
  • the wavelength conversion layer further has an opening in which an electrical contact element 90 made of a metal, such as copper, silver, aluminum or a mixture or alloy thereof, is arranged.
  • the electrical contact element 90 which penetrates the wavelength conversion layer 100 in this way, serves to electrically contact the semiconductor layer sequence 20 and is in direct contact with the semiconductor layer sequence 20.
  • the semiconductor layer sequence 20 has a further contact element or a further electrode on the side opposite the electrical contact element 90 For clarity, not shown. Via the electrical contact element 90 and the further electrode, charge carriers, that is, electrons and holes, can be injected into the semiconductor layer sequence 20 and thus into the active layer 30, which can recombine in the active region 30 to produce the primary radiation.
  • a mirror layer 50 is arranged, which is suitable, on the one hand to reflect the secondary radiation.
  • the mirror layer 50 also reflects the part of the primary radiation which has not yet been converted by the phosphor 70 and thus makes it possible for the primary radiation to increase the conversion probability through the phosphor 70 in the wavelength conversion layer 100.
  • the mirror layer 50 in the exemplary embodiment shown comprises a dielectric layer whose refractive index is smaller than the refractive index of the dielectric matrix material 80 of the wavelength conversion layer 100, so that the primary radiation and the secondary radiation can be reflected by total reflection at the interface between the wavelength conversion layer 100 and the mirror layer 50
  • Dielectric layer 50 may also include a layer stack formed as a Bragg mirror to increase the reflectivity of mirror layer 50 as compared to a single dielectric layer.
  • the mirror layer 50 may alternatively or additionally comprise a reflective metal layer.
  • the mirror layer 50 has an opening in which the electrical contact element 90 is arranged.
  • the electrical contact element 90 thus projects through the mirror layer 50 and the wavelength conversion layer 100, thus allowing electrical contacting of the side of the semiconductor layer sequence 20 facing away from the radiation coupling surface 10 by the mirror layer 50 and the wavelength conversion layer 100. Therefore, it is possible to arrange the wavelength conversion layer 100 including the phosphor 70 between the epitaxial semiconductor layer sequence 20 and the mirror layer 50 and to perform the radiation-emitting device, for example, as a thin-film LED chip or in a flip-chip design, as shown below in FIGS. 5A and Fig. 5B is shown.
  • FIG. 2 shows a further exemplary embodiment of a radiation-emitting device 1 which has a plurality of openings in the wavelength conversion layer 100 in comparison with the radiation-emitting device according to the preceding exemplary embodiment, in each of which an electrical contact element 90 is arranged.
  • the plurality of electrical contact elements 90 in the plurality of openings in the wavelength conversion layer 100 enables a homogeneous electrical contacting of the semiconductor layer sequence 20.
  • the plurality of contact elements 90 are arranged as described in the general part regularly to each other.
  • the radiation-emitting device in FIG. 2 has a current spreading layer 40, which is arranged on the side of the active layer 30 facing away from the radiation decoupling surface 10.
  • the current spreading layer 40 is arranged on the surface of the semiconductor layer sequence 20 facing away from the radiation coupling-out surface 10 in direct mechanical and electrical contact with the electrical contact elements 90.
  • the current spreading layer 40 has a transparent conductive oxide (TCO) as stated above and serves to further improve the electrical contacting of the epitaxial semiconductor layer sequence 20 by their current-widening properties.
  • TCO transparent conductive oxide
  • the radiation-emitting device according to FIG. 2 has, in comparison to the radiation-emitting device according to FIG. 1, an electrical contact layer 60, which is formed as a metal layer. If the metal of the electrical contact layer 60 additionally has reflective properties, the electrical contact layer 60 can also be used in addition to the mirror layer 50 for improving the reflection properties.
  • the embodiment of the electrical contact layer 60 as a further reflective layer offers the advantage of as complete as possible reflection of primary radiation and secondary radiation.
  • the electrical contact layer 60 and the electrical contact elements 90 may be made of different materials or of the same material, in the latter case, the electrical contact layer 60, the electrical Contact elements 90 may include and may be formed integrally with these.
  • the electrical contact layer 60 allows a large-area thermal and electrical coupling of the radiation-emitting device 1, for example, to a printed circuit board.
  • the wavelength conversion layer 100 can be thermally very well connected to the electrical contact layer 60 serving as a heat sink, whereby the efficiency of the converter can be improved, especially at high primary radiation powers.
  • the radiation decoupling surface 10 has a surface structure 11 in the form of roughening, the roughening offering the possibility of reducing total reflection at the radiation decoupling surface, so that a higher proportion of the primary radiation and the secondary radiation are decoupled in comparison with a radiation decoupling surface without a surface structure ⁇ can.
  • FIG. 3 shows a further embodiment in comparison with the radiation-emitting devices illustrated in FIGS. 1 and 2.
  • the radiation-emitting device shown in FIG. 3 has a mirror layer 50, which comprises the electrical contact layer 60. That is, the radiation-emitting device shown here has no additional mirror layer 50 between the wavelength conversion layer 100 and the electrical contact layer 60, but the mirror layer 50 and the electrical contact layer 60 are integrally formed as the same layer are.
  • the reflection of the primary radiation and the secondary radiation in the direction of the radiation decoupling surface 10 can thus take place through the electrical contact layer 60, which is formed as a bottom electrode and identifies at least one metal with a reflective property in a planar extension.
  • FIGS. 4A to 4C show schematic sectional representations of embodiments of the radiation-emitting device 1 with optical elements shown in FIG.
  • FIG. 4A shows a directional filter 120 which is arranged on a glass plate 130.
  • the pyramid-like structure of this optical element allows the bundling and the frontal radiation of the radiated from the radiation decoupling surface 10 primary radiation and secondary radiation.
  • FIG. 4B shows a polarization filter 140 which, like the directional filter 120 of FIG. 4A, is arranged on a glass plate 130.
  • This polarizing filter 140 may comprise, for example, wires in the form of a grid, which are arranged at a distance of 300-400 nm.
  • FIG. 4C shows a deflection optics 150, which can be arranged directly on the radiation decoupling surface 10 of the surface structure 11.
  • the flank 151 of the deflecting optics 150 inclined to the radiation coupling-out surface 10 can be mirrored by aluminum or silver and thus enables the lateral emission of the primary radiation and secondary radiation emitted by the radiation coupling surface over the surface 152, whereby the operation of the radiation-emitting device as a so-called side-emitting light-emitting diode (“si - DeleD ”) / biltelefonen for example, as a flat display in coupling Mo ⁇ , is conceivable.
  • side-emitting light-emitting diode so-called side-emitting light-emitting diode
  • biltelefonen for example
  • FIGS. 5A and 5B show schematic sectional representations of radiation-emitting devices according to further exemplary embodiments, which represent modifications of the radiation-emitting device from FIG.
  • FIG. 5A shows a radiation-emitting device according to the radiation-emitting device from FIG. 2 in an embodiment as a thin-film semiconductor chip.
  • the current supply takes place laterally via the epitaxial semiconductor layer sequence 20 with the aid of an upper contact 160, which is formed here as a bonding pad.
  • the upper contact 160 is arranged on the surface structure 11 of the radiation decoupling surface 10 and may also be structured, for example, in the form of conductor tracks.
  • gold particles such as titanium gold or other non-transparent, electrically conductive materials are used for the upper contact 160, the application is only partial, so that 5% to 10% of the area of the radiation coupling-out surface 10 is covered by the upper contact 160.
  • a contacting of the radiation-emitting device via electrically conductive layers is conceivable, which allows a bonding wire-free contact.
  • the counter contacting of the semiconductor layer sequence takes place via the electrical contact layer 60 by means of the electrical contact elements 90 and via the current spreading layer 40.
  • an electrically insulating region 170 is arranged in the region of the upper contact 160, the surface of the half-surface facing away from the radiation coupling-out surface 10 is conductor layer sequence 20 between two electrical contact elements 90.
  • the electrically insulating region 170 is used to electrically insulate the semiconductor layer sequence 20 with the active layer 30 from the current supply through the current spreading layer 40.
  • electrically insulating layer 170 and the semiconductor layer sequence 20 no current spreading layer 40 and no wavelength conversion layer 100 arranged.
  • FIG. 5B shows a further contacting possibility, characterized by a lower current supply via a laterally applied first contact 180, which may be, for example, a p-conducting contact, and via a laterally applied second contact 190, which may be, for example, an n-conducting contact.
  • the first contact 180 is disposed directly on the electrical contact layer 60 adjacent to the electrical contacting thereof.
  • the second contact 190 is surrounded by an insulator material 200 that electrically separates the second contact 190 from the power supply by other electrically conductive layers, such as the first contact 180, the electrical contact layer 60, and the current spreading layer 40.
  • the second contact 190 continues inside the radiation-emitting device from a surface remote from the radiation decoupling surface 10, through the electrical contact layer 60, the mirror layer 50, the wavelength conversion layer 100, the current spreading layer 40 and the active layer 30. In this case, the active layer 30 is penetrated by the second contact 190.
  • the semiconductor layer sequence 20 can be electrically contacted from one side of the semiconductor layer sequence 20 directly by a current supply through the first contact 180 and the second contact 190.
  • the contacting option shown here can also be referred to as flip-chip.
  • the second contact 190 can be applied, for example, by the following method: In a large-area applied electrical contact layer, which then forms the first contact 180, a cavity is introduced by means of an etching process. The cavity may be shaped similarly to the electrical contact elements 90. The cavity is then coated with the insulator material 200. The second contact 190 can then be brought into the cavity from below.
  • the embodiment illustrated in FIG. 5B enables the application of optical elements, such as the surface structures shown in FIGS. 4A, 4B and 4C, directly on the radiation decoupling surface 10.
  • FIG. 6 shows a graph of the radiation characteristic of primary radiation and secondary radiation as a function of the refractive index of the dielectric matrix material 80.
  • the ratio of secondary radiation to primary radiation on the Y axis and the radiation angle [°] on the X axis are illustrated.
  • the integration of the wavelength conversion layer with the phosphor between the semiconductor layer sequence and the mirror layer enables the primary radiation as well as the secondary radiation to be emitted with almost the same angular characteristic.
  • This radiation characteristic of primary radiation and secondary radiation which is more homogeneous in comparison with the prior art, follows a lambertian radiation characteristic and can be achieved in particular by casting the phosphor with a dielectric matrix material whose refractive index is almost equal to the refractive index of the semiconductor layer sequence.

Abstract

Es wird eine strahlungsemittierende Vorrichtung mit einer epitaktischen Halbleiterschichtenfolge (20) mit einer aktiven Schicht (30) zur Emission einer Primärstrahlung, einer Strahlungsauskoppelfläche (10) auf einer Oberfläche der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge (20) zur Auskopplung der Primärstrahlung, einer Spiegelschicht (50) auf einer von der Strahlungsauskoppelfläche (10) abgewandten Oberfläche der Halbleiterschichtenfolge (20), und einer Wellenlängenkonversionsschicht (100) zwischen der aktiven Schicht (30) und der Spiegelschicht (50), wobei die Wellenlängenkonversionsschicht (100) zumindest einen Leuchtstoff (70) zur Wellenlängenkonversion der Primärstrahlung in eine Sekundärstrahlung aufweist, wobei die Wellenlängenkonversionsschicht (100) zumindest eine Öffnung aufweist, in der ein elektrisches Kontaktelement (90) zur elektrischen Kontaktierung der Halbleiterschichtenfolge (20) angeordnet ist, angegeben.

Description

Beschreibung
Strahlungsemittierende Vorrichtung
Diese Patentanmeldung beansprucht die Prioritäten der deutschen Patentanmeldungen 10 2008 006 989.2 und 10 2008 012 407.9, deren Offenbarungsgehalte hiermit durch Rückbezug aufgenommen werden.
Die in der vorliegenden Anmeldung beschriebene Erfindung betrifft eine Strahlungsemittierende Vorrichtung.
Eine Aufgabe zumindest einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist es, eine strahlungsemittierende Vorrichtung anzugeben, die eine homogenere Abstrahlcharakteristik aufweist.
Diese Aufgabe wird durch eine Strahlungsemittierende Vorrichtung gemäß dem Patentanspruch 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen sind in den abhängigen Ansprüchen sowie in der nachfolgenden Beschreibung und in den Figuren angegeben. Der Offenbarungsgehalt der Patentansprüche wird hiermit explizit durch Rückbezug in die Beschreibung aufgenommen .
Gemäß einer Ausführungsform umfasst eine strahlungsemittie- rende Vorrichtung insbesondere
- eine epitaktische Halbleiterschichtenfolge mit einer aktiven Schicht zur Emission einer Primärstrahlung,
- eine Strahlungsauskoppelfläche auf einer Oberfläche der e- pitaktischen Halbleiterschichtenfolge zur Auskopplung der
Primärstrahlung, - eine Spiegelschicht auf einer von der Strahlungsauskoppel- fläche abgewandten Oberfläche der Halbleiterschichtenfolge, und
- eine Wellenlängenkonversionsschicht zwischen der aktiven Schicht und der Spiegelschicht, wobei die Wellenlängenkonversionsschicht zumindest einen Leuchtstoff zur Wellenlängenkonversion der Primärstrahlung in eine Sekundärstrahlung aufweist, wobei die Wellenlängenkonversionsschicht zumindest eine Öffnung, aufweist, in der ein elektrisches Kontaktelement zur e- lektrischen Kontaktierung der Halbleiterschichtenfolge angeordnet ist.
Insbesondere kann es sich bei der strahlungsemittierende Vorrichtung um einen Halbleiterchip und bevorzugt um einen Leuchtdiodenchip, einen Laserdiodenchip und/oder um einen Fotodiodenchip handeln.
Dabei bedeutet „aktive Schicht" hier und im Folgenden eine Schicht einer epitaktischen Halbleiterschichtenfolge, die geeignet und dafür vorgesehen ist, im Betrieb der Strahlungsemittierenden Vorrichtung eine elektromagnetische Strahlung zu erzeugen und zu emittieren.
Die Bezeichnungen „Strahlung", „elektromagnetische Strahlung" und „Licht" bedeuten hier und im Folgenden elektromagnetische Strahlung mit zumindest einer Wellenlänge beziehungsweise einer spektralen Komponente in einem infraroten bis ultravioletten Wellenlängenbereich. Insbesondere kann dabei infrarote, sichtbare und/oder ultraviolette elektromagnetische Strahlung bezeichnet sein. Die durch die aktive Schicht erzeugte PrimärStrahlung kann mit zumindest einem Anteil von 50% in Richtung der Strahlungsauskoppelfläche abgestrahlt werden, die auf einer Oberfläche der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge angeordnet ist. Aufgrund der unterschiedlichen optischen Dichten der e- pitaktischen Halbleiterschichtenfolge und der Umgebungsluft an der Strahlungsauskoppelfläche wird jedoch ein Großteil der Primärstrahlung an der Strahlungsauskoppelflache in die Strahlungsemittierende Vorrichtung zurückreflektiert, sodass bis zu 90% der PrimärStrahlung durch den zumindest einen Leuchtstoff in der Wellenlängenkonversionsschicht in eine Sekundärstrahlung konvertiert werden kann. Die SekundärStrahlung kann ebenfalls durch die Strahlungsauskoppelflache der Strahlungsemittierenden Vorrichtung ausgekoppelt werden. Demnach wird an der Strahlungsauskoppelflache der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge ein Mischlicht aus nicht- konvertierter Primär-' und aus konvertierter SekundärStrahlung abgestrahlt .
Insbesondere kann die Primärstrahlung beispielsweise einen ultravioletten bis grünen Wellenlängenbereich, insbesondere einen blauen Wellenlängenbereich, aufweisen. Die Sekundärstrahlung kann beispielsweise einen grünen bis roten Wellenlängenbereich, insbesondere einen gelben Wellenlängenbereich, aufweisen. Dadurch kann es etwa möglich sein, dass die strah- lungsemittierende Vorrichtung weißfarbiges Mischlicht abstrahlt.
Der Ausdruck "auf" in Bezug auf die Schichtenfolge in der Strahlungsemittierenden Vorrichtung bedeutet hier und im Folgenden, dass sich beispielsweise die Strahlungsauskoppelfläche in direktem Kontakt mit der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge befinden kann, oder dass zusätzlich auch noch weitere Schichten zwischen der Strahlungsauskoppelfläche und den epitaktischen Halbleiterschichten vorhanden sein können.
Der Ausdruck „direkter Kontakt" kann dabei hier und im Folgenden zum einen eine mechanische, aber auch eine elektrische Kontaktierung bedeuten. Dabei kann eine elektrische Kontak- tierung auch über einen indirekten mechanischen Kontakt erfolgen.
Bei der hier beschriebenen Strahlungsemittierenden Vorrichtung ist der zumindest eine Leuchtstoff in der Wellenlängenkonversionsschicht im Vergleich mit bekannten strahlungsemittierenden Vorrichtungen mit Wellenlängenkonversionsschichten erfindungsgemäß nicht der Strahlungsauskoppelfläche der Strahlungsemittierenden Vorrichtung nachgeordnet.
Vielmehr ist der zumindest eine Leuchtstoff in die Wellenlängenkonversionsschicht der Strahlungsemittierenden Vorrichtung integriert, sodass die Strahlungsauskoppelfläche frei von Leuchtstoff ist und ermöglicht somit die Strukturierung der Strahlungsauskoppelfläche, beispielsweise durch die Aufbringung von Oberflächenstrukturen. Eine Aufbringung von Oberflächenstrukturen auf die Strahlungsauskoppelflache bedeutet, dass die Oberflächenstrukturen in unmittelbarer Nähe zur Strahlungsauskoppelfläche angeordnet sein können. Dies ermöglicht einen direkteren Eintritt der an der Strahlungsauskop- pelflache emittierten ^Strahlung in die Oberflächenstruktur und vermindert mögliche Strahlungsverluste.
Die Wellenlängenkonversionsschicht weist die zumindest eine Öffnung auf, in der das elektrische Kontaktelement zur elektrischen Kontaktierung der Halbleiterschichtenfolge angeordnet ist. Das elektrische Kontaktelement kann dabei mit der Halb- leiterschichtenfolge in direktem oder indirektem elektrischen Kontakt stehen. Des Weiteren vermittelt das elektrische Kon- taktelement die Injektion von Elektronen oder Löchern in die Halbleiterschichtenfolge auf der der Strahlungsauskoppelfläche abgewandten Seite der aktiven Schicht. Durch einen weiteren elektrischen Kontakt, wie beispielsweise eine Elektrode, können entgegengesetzt geladenen Ladungsträger, also Löcher beziehungsweise Elektronen, in die Halbleiterschichtenfolge auf der der Strahlungsauskoppelflache zugewandten Seite der aktiven Schicht injiziert werden. Die von beiden Seiten der aktiven Schicht in die Halbleiterschichtenfolge injizierten Ladungsträger können in der aktiven Schicht unter ^Emission von Licht rekombinieren.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung kann die Wellenlängenkonversionsschicht der Strahlungsemittierenden Vorrichtung auch eine Mehrzahl von Öffnungen aufweisen, in denen jeweils ein elektrisches Kontaktelement angeordnet ist. Die Öffnungen können in einer beliebigen Anordnung in der Wellenlängenkonversionsschicht angeordnet sein, beispielsweise ist auch eine gerasterte Ausführung denkbar. Bevorzugt wird eine regelmäßige Anordnung der Öffnungen mit jeweils einem elektrischen Kontaktelement, um eine verbesserte elektrische Kontaktierung der Halbleiterschichtenfolge und eine homogenere Ladungsträgerinjektion in die Halbleiterschichtenfolge gewährleisten zu können. Daher können die Öffnungen des Weiteren in Abständen von 20 um, bevorzugt in Abständen von 10 um in der Wellenlängenkonversionsschicht angeordnet werden. Die Öffnungen, in denen jeweils ein elektrisches Kontaktelement angeordnet ist, können bevorzugt ≥2% und ≤5% der Fläche der Strahlungsemittierenden Vorrichtung einnehmen, wobei die Grenzen eingeschlossen sind. Weiterhin können die Öffnungen regelmäßig oder unregelmäßig ausgeformte Quer- schnitte aufweisen. In einer regelmäßigen Ausführung können die Öffnungen beispielsweise polygonale, kreisförmige oder elliptische Querschnitte aufweisen. Dabei können die Öffnungen gleich oder voneinander verschieden ausgestaltet sein und können weiterhin beispielsweise auch Querschnitte aufweisen, die von einer der genannten Formen in eine andere übergehen.
In einer weiteren Ausführungsform kann die strahlungsemittie- rende Vorrichtung weiterhin zumindest eine elektrische Kontaktschicht umfassen, die auf einer der Strahlungsauskoppel- . fläche abgewandten Oberfläche der Wellenlängenkonversions- schicht angeordnet ist. Die elektrische Kontaktschicht kann beispielsweise als Bodenelektrode ausgeformt sein, über die eine elektrische Ankontaktierung der Strahlungsemittierenden Vorrichtung beispielsweise auf einer Leiterbahn eines Trägerelements wie etwa einer Leiterplatte ermöglicht werden kann.
Weiterhin kann die elektrische Kontaktschicht auch das elektrische Kontaktelement umfassen. Dabei können die elektrische Kontaktschicht und das elektrische Kontaktelement bevorzugt einstückig ausgebildet sein. Im Sinne dieser Ausführungsform kann das elektrische Kontaktelement beispielsweise als Ausläufer der elektrischen Kontaktschicht ausgebildet sein, der sich durch die Wellenlängenkonversionsschicht hindurch zur Halbleiterschichtenfolge erstreckt und so die elektrische Kontaktierung der Halbleiterschichtenfolge ermöglicht. Eine weitere Ausgestaltungsform kann auch darin bestehen, dass die Öffnung oder die Öffnungen der Wellenlängenkonversionsschicht beim Aufbringen der elektrischen Kontaktschicht mit der e- lektrischen Kontaktschicht gefüllt und so mit einem elektrischen Kontaktelement versehen werden. In einer weiteren Ausführungsform kann die elektrische Kon- taktschicht zumindest ein Metall enthalten, sodass die elektrische Kontaktschicht beispielsweise als Kontaktmetallisierung ausgeführt sein kann. Die elektrische Kontaktschicht kann beispielsweise ein Metall mit einer hohen Reflektivität , etwa Aluminium oder Silber, aufweisen. Dabei kann die elektrische Kontaktschicht auch zusätzlich zur Spiegelschicht als weitere reflektierende Schicht ausgeführt sein. Alternativ kann die Spiegelschicht auch die elektrische Kontaktschicht umfassen, sodass die. Spiegelschicht und die elektrische Kontaktschicht einstückig ausgebildet sein können. (
Die Spiegelschicht kann geeignet sein, die Primärstrahlung und die Sekundärstrahlung in Richtung der Strahlungsauskoppelfläche zu reflektieren. Das heißt, dass sowohl konvertierte elektromagnetische Strahlung in Form der Sekundärstrahlung als auch nicht-konvertierte elektromagnetische Strahlung in Form von Primärstrahlung, die die Wellenlängenkonversions- schicht unkonvertiert durchqueren kann, von der Spiegelschicht reflektiert werden kann. Dadurch kann es möglich sein, dass zum einen auf die Spiegelschicht treffende elektromagnetische PrimärStrahlung in die Wellenlängenkonversions- schicht zurück reflektiert werden kann, wodurch eine Erhöhung der Konversionswahrscheinlichkeit für den Anteil der Primärstrahlung erreicht werden kann, der die Wellenlängenkonversionsschicht ohne Konversion in Richtung der Spiegelschicht durchqueren konnte. Zum anderen ermöglicht die Spiegelschicht die Reflexion bereits konvertierter Sekundärstrahlung, die vom Leuchtstoff von der Strahlungsauskoppelfläche weggerichtet abgestrahlt wird.
Beispielsweise kann die Spiegelschicht eine dielektrische Schicht umfassen. Damit ein möglichst großer Anteil des Lieh- tes mittels einer derartig ausgebildeten Spiegelschicht reflektiert werden kann, kann die dielektrische Schicht der Spiegelschicht einen niedrigeren Brechungsindex aufweisen als die Wellenlängenkonversionsschicht . Dadurch kann zumindest ein Teil der PrimärStrahlung und Sekundärstrahlung mittels Totalreflexion reflektiert werden. Weiterhin kann die Spiegelschicht einen als Bragg-Spiegel ausgebildeten Schichtenstapel mit einer Mehrzahl dielektrischer Schichten umfassen. Damit kann eine nahezu vollständige Auskopplung der Strahlung aus der strahlungsemittierenden Vorrichtung erreicht .werden.
Vorzugsweise weist die dielektrische Schicht oder die Mehrzahl der dielektrischen Schichten ein transluzentes oder transparentes Material auf. Beispielsweise können die eine oder die mehreren dielektrischen Schichten Siliziumdioxid, Siliziumnitrid und/oder low-k Spin-On Glas aufweisen. Dabei zeichnet sich low-k Spin-On Glas durch einen Brechungsindex von etwa 1.17 aus und kann damit eine Totalreflexion am Übergang von der Wellenlängenkonversionsschicht in die dielektrische Schicht ermöglichen. Des Weiteren kann low-k Spin-On Glas nano-Poren und/oder alternativ auch nano-Säulen als Na- nostrukturierungen aufweisen.
Weiterhin kann die Spiegelschicht zusätzlich oder alternativ eine Metallschicht umfassen, die ein Metall mit einer hohen Reflektivität , etwa Aluminium oder Silber, aufweist. Dabei kann, wie oben beschrieben, die Spiegelschicht die elektrische Kontaktschicht umfassen.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann die Spiegelschicht zwischen der Wellenlängenkonversionsschicht und der elektrischen Kontaktschicht angeordnet sein und weiterhin zumindest eine Öffnung aufweisen, in der das- elektrische Kontaktelement zur elektrischen Kontaktierung der Halbleiterschichtenfolge angeordnet ist.
Dabei kann die zumindest eine Öffnung der Spiegelschicht eine Ausgestaltung besitzen, deren Merkmale bereits für die Öffnungen der Wellenlängenkonversionsschicht beschrieben wurden.
Dadurch, dass die Spiegelschicht zumindest eine Öffnung aufweist, kann beispielsweise eine Kontaktierung von der elektrischen Kontaktschicht durch die Spiegelschicht und durch die Wellenlängenkonversionsschicht hindurch zu der Halbleiterschichtenfolge erfolgen, was auch als Durchkontaktierung bezeichnet werden kann. Dabei erfolgt die Stromleitung durch die elektrischen Kontaktelemente, die in den Öffnungen der Wellenlängenkonversionsschicht, aber auch in den Öffnungen der Spiegelschicht angeordnet sind.
Wie bereits im Vorangegangenen erwähnt, wird durch die Spie- gelschicht, die zumindest eine dielektrische Schicht und/oder einen Bragg-Spiegel und/oder eine MetallSchicht aufweisen kann oder die elektrische Kontaktschicht umfassen kann, eine möglichst effiziente Reflexion der PrimärStrahlung und der SekundärStrahlung in Richtung der Strahlungsauεkoppelfläche angestrebt. Besonders an einer Spiegelschicht mit zumindest einer dielektrischen Schicht, kann eine Totalreflexion herbeigeführt werden, indem für die dielektrische Schicht ein Material mit einem Brechungsindex verwendet wird, der niedriger ist als der Brechungsindex der Wellenlängenkonversionsschicht .
In einer weiteren Ausführungsform kann die Wellenlängenkonversionsschicht ein dielektrisches Matrixmaterial umfassen, in das der zumindest eine Leuchtstoff zur Wellenlängenkonversion eingebettet ist.
Das dielektrische Matrixmaterial kann transparent sein und den zumindest einen Leuchtstoff umgeben, enthalten oder das an den zumindest einen Leuchtstoff chemisch gebunden ist. Das transparente Matrixmaterial kann beispielsweise Siloxane, E- poxide, Acrylate, Methylmethacrylate, Imide, Carbonate, Ole- fine, Styrole, Urethane oder Derivate davon in Form von Monomeren, Oligomeren oder Polymeren und weiterhin auch Mischungen, Copolymere oder Verbindungen damit aufweisen. Beispielsweise kann das Matrixmaterial ein Epoxidharz, Polymethyl- methacrylat (PMMA), Polystyrol, Polycarbonat , Polyacrylat, Polyurethan oder ein Silikonharz wie etwa Polysiloxan oder Mischungen daraus umfassen oder sein.
Dabei kann es vorteilhaft sein, wenn das dielektrische Matrixmaterial der Wellenlängenkonversionsschicht einen hohen Brechungsindex aufweist, der dem Brechungsindex des Halbleitermaterials entspricht. Transparente Matrixmaterialien mit einem hohen Brechungsindex wie beispielsweise SiN, TiC>2 oder TaO können deshalb bevorzugt zur Ausbildung der Wellenlängenkonversionsschicht verwendet werden. Bei einem gleichzeitig niedrigen Brechungsindex einer an die Wellenlängenkonversi- onsschicht angrenzenden dielektrischen Schicht der Spiegelschicht kann an der Grenzfläche zwischen der dielektrischen Schicht der Spiegelschicht und der Wellenlängenkonversionsschicht eine möglichst vollständige Reflexion über eine Totalreflexion der PrimärStrahlung und der SekundärStrahlung erreicht werden.
Geeignete Leuchtstoffe zur Wellenlängenkonversion, wie etwa ein YAG: Ce-Pulver sind zum Beispiel in der Druckschrift WO 98/12757 beschrieben/ deren Inhalt insofern hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird. Als weitere Materialien zur Wellenlängenkonversion in der Wellenlängenkonversionsschicht sind nanokristalline Leuchtstoffe denkbar.
Die Wellenlängenkonversionsschicht weist eine Schichtdicke von kleiner oder gleich 2 μm, bevorzugt von kleiner oder gleich 1 μm, auf.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung kann zwischen der aktiven Schicht und der Wellenlängenkonversionsschicht eine StromaufweitungsSchicht angeordnet sein. Diese elektrisch leitende Schicht kann beispielsweise zusätzlich oder alternativ zur elektrischen Kontaktschicht in der strah- lungsemittierenden Vorrichtung zwischen der Wellenlängenkonversionsschicht und der Halbleiterschichtenfolge angeordnet sein und kann ein transparentes leitendes Oxid (transparent conductive oxides , kurz TCO) als elektrisch leitfähiges Material aufweisen. Transparente leitende Oxide können Metalloxide, wie beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid oder Indiumzinnoxid (ITO) umfassen. Neben binären Metallsauerstoffverbindungen, wie beispielsweise ZnO, Snθ2 oder 1^03 gehören auch ternäre Metallsauerstoffverbindungen, wie beispielsweise Zn2Snθ4, CdSnO3 , ZnSnθ3 , Mgln2θ4, Galnθ3, Zn2ln2θ5 oder In4Sn3θ]_2 oder Mischungen unterschiedlicher transparenter leitender Oxide zu der Gruppe der TCOs . Weiterhin entsprechen die TCOs nicht zwingend einer stöchio- metrischen Zusammensetzung und können auch p- oder n-dotiert sein.
Weiterhin kann die Stromaufweitungsschicht in direktem Kontakt mit dem einen oder der Mehrzahl der elektrischen Kontaktelemente stehen und so die elektrische Versorgung der Halbleiterschichtenfolge durch einen großflächigen elektrischen Kontakt zur Halbleiterschichtenfolge verbessern. Gemäß zumindest einer weiteren Ausführungsform wird die Halbleiterschichtenfolge auf einem Aufwachssubstrat von der Strahlungsauskoppelfläche her epitaktisch aufgewachsen. Das kann bedeuten, dass die Strahlungsauskoppelfläche nach dem Aufwachsen der Halbleiterschichtenfolge an das Aufwachssubstrat angrenzt. Auf der Halbleiterschichtenfolge können dann weiterhin die Wellenlängenkonversionsschicht, das zumindest eine elektrische Kontaktelement, sowie gemäß weiteren Ausführungsformen die Stromaufweitungsschicht und/oder die elektrische Kontaktschicht aufgebracht werden. Das Aufwachssubstrat kann nach dem epitaktischen Aufwachsen der Halbleiterschichtenfolge auf der Halbleiterschichtenfolge verbleiben oder' abgelöst werden.
In einer weiteren Ausführungsform kann die Strahlungsauskoppelfläche eine Oberflächenstruktur aufweisen. Da die Wellen- längenkonversionsschicht mit dem Leuchtstoff auf der der Strahlungsauskoppelflache abgewandten Seite der aktiven Schicht angeordnet ist und nicht beispielsweise auf der Strahlungsauskoppelflache der Halbleiterschichtenfolge, kann die Oberfläche der Halbleiterschichtenfolge direkt mit der Oberflächenstruktur versehen werden.
Zusätzlich kann es zu diesem Zweck nötig sein, die Strahlungsauskoppelflache von dem oben genannten Aufwachssubstrat zu befreien. Dazu kann das Aufwachssubstrat beispielsweise durch ein Ätzungsverfahren von der Halbleiterschichtenfolge entfernt werden. Auf der freigelegten Strahlungsauskoppelflache kann die Oberflächenstruktur angeordnet sein, die zum Beispiel Linsen, Filter, Prismen, Aufrauungen oder Kombinationen daraus aufweisen kann. Eine Aufrauung der Strahlungsauskoppelflache kann beispielsweise durch eine Oberflächenbehandlung des Halbleitermaterials mit KOH erfolgen. Durch eine Aufrauung können die Primärstrahlung und die Sekundärstrahlung effizient und unter geringen Absorptionsverlusten beispielsweise durch Totalreflexion durch das Material an der Strahlungsauskoppelfläche abgestrahlt werden.
Weiterhin können auf der Strahlungsauskoppelflache optische Elemente wie beispielsweise photonische Kristalle, Winkelfilter, Richtungsfilter, Polarisationsfilter oder Umlenkoptiken verwendet werden. Dabei werden bevorzugt optische Elemente eingesetzt, die in möglichst geringem Abstand zur Strahlungsauskoppelfläche am Halbleiterchip angeordnet oder befestigt sein können. Des Weiteren werden bevorzugt optische Elemente ausgewählt, die das Mischlicht, was durch die Strahlungsauskoppelfläche mit einem breiten Spektrum abgestrahlt werden kann, gleichmäßig, also ohne oder nur mit geringer Wellenlängen- und/oder Winkelabhängigkeit der abgestrahlten Primär- strahlung und Sekundärstrahlung, verarbeiten können.
Zur Aufbringung der optischen Elemente auf die Strahlungsauskoppelfläche des Halbleiterelementes kann auf die Strahlungsauskoppelfläche eine Glasscheibe aufgebracht werden, auf der das optische Element angeordnet wird. Alternativ dazu kann anstatt einer Glasscheibe Siliziumdioxid auf die Strahlungsauskoppelfläche aufgewachsen werden. Durch anschließendes Planieren der gewachsenen SiO2-Schicht wird die Oberfläche geglättet und das optische Element kann anschließend aufgedampft werden.
Weitere Vorteile, bevorzugte Ausführungsformen und Weiterbildungen der Strahlungsemittierenden Vorrichtung ergeben sich aus den im Folgenden und in Verbindung mit den Figuren erläuterten Ausführungsbeispielen. Es zeigen:
Figur 1 eine schematische Schnittdarstellung einer strah- lungsemittierenden Vorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel ,
Figuren 2 und 3 schematische Schnittdarstellungen von strah- lungsemittierenden Vorrichtungen gemäß weiteren Ausführungs- beispielen,
Figuren 4A bis 4C schematische Schnittdarstellungen von Strahlungsemittierenden Vorrichtungen gemäß weiteren Ausführungsbeispielen,
Figur 5A und 5B schematische Schnittdarstellungen von strah- lungsemittierenden Vorrichtungen gemäß weiteren Ausführungs- beispielen,
Figur 6 eine graphische Darstellung der Abstrahlcharakte- ristik von Primär- und Sekundärstrahlung in Abhängigkeit vom Brechungsindex des dielektrischen Matrixmaterials .
In den Ausführungsbeispielen und Figuren sind gleiche oder gleich wirkende Bestandteile jeweils mit den gleichen Bezugs- zeichen versehen. Die dargestellten Bestandteile sowie die Größenverhältnisse der Bestandteile untereinander sind nicht als maßstabsgerecht anzusehen. Vielmehr sind einige Details der Figuren zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt.
Figur 1 zeigt eine schematische Schnittdarstellung einer Strahlungsemittierenden Vorrichtung gemäß einem Ausführungs- beispiel mit einer epitaktischen Halbleiterschichtenfolge 20. Die epitaktische Halbleiterschichtenfolge 20 weist einen Schichtenstapel mit n- und p-leitenden Schichten sowie mit einer aktiven Schicht 30 auf. Die Halbleiterschichtenfolge 20 umfasst im gezeigten Ausführungsbeispiel Halbleiterschichten, die auf Nitrid-Verbindungshalbleitern basieren.
„Auf Nitrid-Verbindungshalbleitern basierend" bedeutet im vorliegenden Zusammenhang, dass die Halbleiterschichtenfolge 20 oder zumindest eine Schicht davon ein Nitrid-Ill/V- Verbindungshalbleitermaterial, vorzugsweise AlnGamlni-n-mN umfasst, wobei O ≤ n ≤ l, O ≤ m ≤ l und n+m < 1. Dabei muss dieses Material nicht zwingend eine mathematisch exakte Zusammensetzung nach obiger Formel aufweisen. Vielmehr kann es einen oder mehrere Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen, die die charakteristischen physikalischen Eigenschaften des AlnGamIni-n-mN-Materials im Wesentlichen nicht ändern. Der Einfachheit halber beinhaltet obige Formel jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters (Al, Ga, In, N) , auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt sein können. Alternativ oder- zusätzlich kann die Halbleiterschichtenfolge ein Phosphid-Ill/V- Verbindungshalbleitermaterial, vorzugsweise AlnGamIni_n_mP umfassen, wobei O ≤ n ≤ l, O ≤ m ≤ l und n+m ≤ 1. Weiterhin kann die Halbleiterschichtenfolge auch ein Halbleitermaterial basierend auf AlGaAs oder einem II/VI-Verbindungshalbleiter- material aufweisen.
Die aktive Schicht 30 ist zwischen der n- und der p-leitenden Schicht der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge 20 angeordnet und emittiert im Betrieb der Strahlungsemittierenden Vorrichtung eine Primärstrahlung, die einen blauen Wellenlan- genbereich umfasst und einen blaufarbigen Leuchteindruck erweckt .
Dabei kann die aktive Schicht 30 einen herkömmlichen pn- Übergang, eine Doppelheterostruktur oder eine Mehrfach- Doppelheterostruktur, eine Einfach-Quantentopfstruktur (SQW- Struktur) oder eine Mehrfach-Quantentopfstruktur (MQW- Struktur) aufweisen. Die Bezeichnung QuantentopfStruktur umfasst im Rahmen der Anmeldung insbesondere jegliche Struktur, bei der Ladungsträger durch Einschluss ( "confinement " ) eine Quantisierung ihrer Energiezustände erfahren können. Insbesondere beinhaltet die Bezeichnung Quantentopfstruktur keine Angabe über die Dimensionalität der Quantisierung. Sie umfasst somit unter anderem Quantentröge, Quantendrähte und Quantenpunkte und jede Kombination dieser Strukturen. Die Halbleiterschichtenfolge 20 kann neben dem aktiven Bereich 30 weitere funktionale Schichten und funktionelle Bereiche umfassen, etwa p- oder n-dotierte Ladungsträgertransportschichten, also Elektronen- oder Löchertransportschichten, undotierte oder p- oder n-dotierte Confinement- oder Zwischenschichten, Pufferschichten oder Schutzschichten.
Die Halbleiterschichtenfolge 20 kann insbesondere Merkmale eines Dünnfilm-Leuchtdiodenchips aufweisen. Ein Dünnfilm- Leuchtdiodenchip zeichnet sich durch mindestens eines der folgenden charakteristischen Merkmale aus:
- an einer zu einem Trägerelement, insbesondere dem Trägersubstrat, hingewandten Hauptfläche der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge ist die Spiegelschicht aufgebracht oder ausgebildet, die zumindest einen Teil der in der Halbleiterschichtenfolge erzeugten elektromagnetischen Strahlung in diese zurückreflektiert, - der Dünnfilm-Leuchtdiodenchip weist ein Trägereiement auf, bei dem es sich nicht um das WachstumsSubstrat handelt, auf dem die Halbleiterschichtenfolge epitaktisch gewachsen wurde, sondern um ein separates Trägerelement, das nachträglich an der Halbleiterschichtenfolge befestigt wurde,
- die Halbleiterschichtenfolge weist eine Dicke im Bereich von 20 μm oder weniger, insbesondere im Bereich von 10 um o- der weniger auf,
- die Halbleiterschichtenfolge ist frei von einem Aufwachssubstrat. Vorliegend bedeutet "frei von einem Aufwachssubstrat", dass ein gegebenenfalls zum Aufwachsen benutztes Aufwachssubstrat von der Halbleiterschichtenfolge entfernt oder zumindest stark ausgedünnt ist. Insbesondere ist es derart gedünnt, dass es für sich oder zusammen mit der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge alleine nicht freitragend ist. Der verbleibende Rest des stark gedünnten AufwachsSubstrats ist insbesondere als solches für die Funktion eines Aufwachssub- strates ungeeignet, und
- die Halbleiterschichtenfolge enthält mindestens eine Halbleiterschicht mit zumindest einer Fläche, die eine Durchmischungsstruktur aufweist, die im Idealfall zu einer annähernd ergodischen Verteilung des Lichtes in der Halbleiterschichtenfolge führt, das heißt, sie weist ein möglichst ergodisch stochastisches Streuverhalten auf.
Ein Grundprinzip eines Dünnfilm-Leuchtdiodenchips ist beispielsweise in der Druckschrift 1, Schnitzer et al . , Applied Physical Letters 63 (16), 18. Oktober 1993, Seiten 2174 bis 2176, beschrieben, deren Offenbarungsgehalt insofern hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird. Beispielhaft für Dünnfilm- Leuchtdiodenchips sind in den Druckschriften EP 0905797 A2 und WO 02/13281 Al beschrieben, deren Offenbarungsgehalt insofern hiermit ebenfalls durch Rückbezug aufgenommen wird.
Ein Dünnfilm-Leuchtdiodenchip ist in guter Näherung ein Lambert ' scher Oberflächenstrahler und eignet sich von daher beispielsweise gut für die Anwendung in einem Scheinwerfer, etwa einem Kraftfahrzeugscheinwerfer.
Die Primärstrahlung kann durch eine Strahlungsauskoppelfläche 10 auf einer Oberfläche der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge 20 ausgekoppelt werden.
An der der Strahlungsauskoppelfläche 10 abgewandten Oberfläche der Halbleiterschichtenfolge 20 ist eine Wellenlängenkonversionsschicht 100 angeordnet, die einen Leuchtstoff 70 zur Konversion der in der aktiven Schicht 30 erzeugten Primärstrahlung in eine SekundärStrahlung aufweist. Die Sekundärstrahlung umfasst im gezeigten Ausführungsbeispiel einen gelben Wellenlängenbereich und kann einen gelbfarbigen Leuchteindruck erwecken. Der Leuchtstoff ist in ein dielektrisches, transparentes Matrixmaterial 80, etwa eines der im allgemeinen Teil genannten Materialien, eingebettet. Die Sekundärstrahlung wird zusätzlich zur PrimärStrahlung über die Strahlungsauskoppelfläche 10 aus der Halbleiterschichtenfolge 20 ausgekoppelt, so dass bei einem externen Betrachter ein mischfarbiger , insbesondere im gezeigten Ausführungsbeispiel ein weißfarbiger Leuchteindruck aus der PrimärStrahlung und der SekundärStrahlung entsteht.
Die Wellenlängenkonversionsschicht weist weiterhin eine Öffnung auf, in der ein elektrisches Kontaktelement 90 aus einem Metall, etwa Kupfer, Silber, Aluminium oder einer Mischung oder Legierung daraus, angeordnet ist. Das derart die Wellenlängenkonversionsschicht 100 durchdringende elektrische Kontaktelement 90 dient der elektrischen Kontaktierung der Halbleiterschichtenfolge 20 und steht in direktem Kontakt mit der Halbleiterschichtenfolge 20. Weiterhin weist die Halbleiterschichtenfolge 20 auf der dem elektrischen Kontaktelement 90 gegenüberliegenden Seite ein weiteres Kontaktelement beziehungsweise eine weitere Elektrode auf, die der Übersichtlichkeit halber nicht gezeigt ist. Über das elektrische Kontaktelement 90 und die weitere Elektrode können Ladungsträger, also Elektronen und Löcher, in die Halbleiterschichtenfolge 20 und damit in die aktive Schicht 30 injiziert werden, die im aktiven Bereich 30 unter Erzeugung der Primärstrahlung rekombinieren können.
Auf der der Halbleiterschichtenfolge 20 abgewandten Seite der Wellenlängenkonversionsschicht 100 ist eine Spiegelschicht 50 angeordnet, die geeignet ist, zum einen die Sekundärstrahlung zu reflektieren. Zum anderen reflektiert die Spiegelschicht 50 aber auch den Teil der Primärstrahlung, der noch nicht durch den Leuchtstoff 70 konvertiert wurde und ermöglicht so für die Primärstrahlung eine Erhöhung der KonversionsWahrscheinlichkeit durch den Leuchtstoff 70 in der Wellenlängenkonversionsschicht 100.
Dazu umfasst die Spiegelschicht 50 im gezeigten Ausführungsbeispiel eine dielektrische Schicht, deren Brechungsindex kleiner ist als der Brechungsindex des dielektrischen Matrixmaterials 80 der Wellenlängenkonversionsschicht 100, so dass die Primärstrahlung und die Sekundärstrahlung über Totalreflexion an der Grenzfläche zwischen der Wellenlängenkonversionsschicht 100 und der Spiegelschicht 50 reflektiert werden kann. Die dielektrische Schicht 50 kann auch einen als Bragg- Spiegel ausgebildeten Schichtenstapel umfassen, um die Re- flektivität der Spiegelschicht 50 im Vergleich zu einer einzelnen dielektrischen Schicht zu erhöhen. Weiterhin kann die Spiegelschicht 50 alternativ oder zusätzlich eine reflektierende Metallschicht aufweisen.
Weiterhin weist die Spiegelschicht 50 eine Öffnung auf, in der das elektrische Kontaktelement 90 angeordnet ist. Das e- lektrische Kontaktelement 90 ragt somit durch die Spiegelschicht 50 und die WeIlenlängenkonversionsSchicht 100 hindurch und ermöglicht so eine elektrische Kontaktierung der der Strahlungsauskoppelfläche 10 abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge 20 durch die Spiegelschicht 50 und die Wellenlängenkonversionsschicht 100 hindurch. Daher ist es möglich, die Wellenlängenkonversionsschicht 100, die den Leuchtstoff 70 umfasst, zwischen der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge 20 und der Spiegelschicht 50 anzuordnen und die strahlungsemittierende Vorrichtung beispielsweise als Dünnfilm-Leuchtdiodenchip oder im Flip-Chip-Design auszuführen, wie weiter unten in den Figuren 5A und 5B gezeigt ist.
In Figur 2 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel für eine strahlungsemittierende Vorrichtung 1 gezeigt, die im Vergleich zur Strahlungsemittierenden Vorrichtung gemäß dem vorhergehenden Ausführungsbeispiel eine Mehrzahl von Öffnungen in der Wellenlängenkonversionsschicht 100 aufweist, in denen jeweils ein elektrisches Kontaktelement 90 angeordnet ist. Die Mehrzahl der elektrischen Kontaktelemente 90 in der Mehrzahl von Öffnungen in der Wellenlängenkonversionsschicht 100 ermöglicht eine homogene elektrische Kontaktierung der Halbleiterschichtenfolge 20. Die Mehrzahl der Kontaktelemente 90 sind dabei wie im allgemeinen Teil beschrieben regelmäßig zueinander angeordnet .
Weiterhin weist die strahlungsemittierende Vorrichtung in Figur 2 eine Stromaufweitungsschicht 40 auf, die auf der der Strahlungsauskoppelflache 10 abgewandten Seite der aktiven Schicht 30 angeordnet ist. Insbesondere ist die Stromaufweitungsschicht 40 im gezeigten Ausführungsbeispiel auf der der Strahlungsauskoppelfläche 10 abgewandten Oberfläche der Halbleiterschichtenfolge 20 in direktem mechanischen und elektrischen Kontakt zu den elektrischen Kontaktelementen 90 angeordnet. Die Stromaufweitungsschicht 40 weist ein transparentes leitfähiges Oxid (transparent conductive oxide, TCO) wie weiter oben ausgeführt auf und dient einer weiteren Verbesserung der elektrischen Kontaktierung der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge 20 durch ihre stromaufweitenden Eigenschaften.
Als weiteres Element weist die Strahlungsemittierende Vorrichtung gemäß Figur 2 im Vergleich zur strahlungsemittieren- den Vorrichtung gemäß Figur 1 eine elektrische Kontaktschicht 60 auf, die als Metallschicht ausgeformt ist. Verfügt das Metall der elektrischen Kontaktschicht 60 zusätzlich über reflektierende Eigenschaften, kann die elektrische Kontaktschicht 60 auch zusätzlich zur Spiegelschicht 50 zur Verbesserung der Reflexionseigenschaften verwendet werden. Die Ausführung der elektrischen Kontaktschicht 60 als weitere reflektierende Schicht bietet den Vorteil einer möglichst vollständigen Reflexion von Primärstrahlung und Sekundärstrahlung. Die elektrische Kontaktschicht 60 und die elektrischen Kontaktelemente 90 können dabei aus verschiedenen Materialien oder aus demselben Material ausgeführt sein, wobei im letzteren Fall die elektrische Kontaktschicht 60 die elektrischen Kontaktelemente 90 umfassen kann und mit diesen einstückig ausgebildet sein kann.
Weiterhin ermöglicht die elektrische Kontaktschicht 60 eine großflächige thermische und elektrische Ankopplung der strah- lungsemittierenden Vorrichtung 1 beispielsweise an eine Leiterplatte. Durch die Integration der Wellenlängenkonversionsschicht 100 zwischen die Halbleiterschichtenfolge 20 und die elektrische Kontaktschicht 60 kann die Wellenlängenkonversi- onsschicht 100 thermisch sehr gut an die als Wärmesenke dienende elektrische Kontaktschicht 60 angeschlossen werden, wodurch der Wirkungsgrad des Konverters gerade bei hohen Primärstrahlungsleistungen verbessert werden kann.
Die Strahlungsauskoppelflache 10 weist im gezeigten Ausführungsbeispiel eine Oberflächenstruktur 11 in Form einer Auf- rauung auf, wobei die Aufrauung die Möglichkeit bietet, Totalreflexion an der Strahlungsauskoppelflache zu verringern, sodass im Vergleich zu einer Strahlungsauskoppelflache ohne Oberflächenstruktur ein höherer Anteil der PrimärStrahlung und der SekundärStrahlung ausgekoppelt werden^ kann.
Figur 3 zeigt eine weitere Ausführungsform im Vergleich zu den in den Figuren 1 und 2 dargestellten Strahlungsemittie- renden Vorrichtungen. Im Vergleich mit den vorherigen Ausführungsbeispielen weist die in Figur 3 gezeigte strahlungsemit- tierende Vorrichtung eine Spiegelschicht 50 auf, die die e- lektrische Kontaktschicht 60 umfasst. Das bedeutet, dass die hier gezeigte Strahlungsemittierende Vorrichtung keine zusätzliche Spiegelschicht 50 zwischen der Wellenlängenkonversionsschicht 100 und der elektrischen Kontaktschicht 60 aufweist, sondern dass die Spiegelschicht 50 und die elektrische Kontaktschicht 60 einstückig als dieselbe Schicht ausgeführt sind. Die Reflexion der Primärstrahlung und der Sekundärstrahlung in Richtung der Strahlungsauskoppelflache 10 kann somit durch die elektrische Kontaktschicht 60 erfolgen, die als Bodenelektrode ausgeformt ist und zumindest ein Metall mit einer reflektierenden Eigenschaft in einer flächigen Ausdehnung ausweist.
Die Figuren 4A bis 4C zeigen schematische Schnittdarstellungen von Ausführungsformen der in Figur 2 dargestellten strah- lungsemittierenden Vorrichtung 1 mit optischen Elementen.
Figur 4A zeigt einen Richtungsfilter 120, der auf einer Glasplatte 130 angeordnet ist. Die pyramidenartige Struktur dieses optischen Elements ermöglicht die Bündelung und die frontale Abstrahlung der von der Strahlungsauskoppelfläche 10 abgestrahlten Primärstrahlung und SekundärStrahlung.
Figur 4B zeigt einen Polarisationsfilter 140, der wie der Richtungsfilter 120 der Figur 4A auf einer Glasplatte 130 angeordnet ist. Dieser Polarisationsfilter 140 kann beispielsweise Drähte in Form eines Gitters umfassen, die in einem Abstand von 300-400 nm angeordnet sind.
Figur 4C zeigt eine Umlenkoptik 150, die direkt auf der Strahlungsauskoppelflache 10 der Oberflächenstruktur 11 angeordnet sein kann. Die zur Strahlungsauskoppelfläche 10 geneigte Flanke 151 der Umlenkoptik 150 kann durch Aluminium oder Silber verspiegelt werden und ermöglicht so die seitliche Abstrahlung der von der Strahlungsauskoppelfläche abgestrahlten Primärstrahlung und SekundärStrahlung über die Fläche 152, wodurch der Betrieb der Strahlungsemittierenden Vorrichtung als so genannte seitenemittierende Leuchtdiode („si- deLED")/ beispielsweise als flache Display-Einkopplung in Mo¬ biltelefonen, denkbar ist.
Die Figuren 5A und 5B zeigen schematische Schnittdarstellungen von strahlungsemittierenden Vorrichtungen gemäß weiterer Ausführungsbeispiele, die Modifikationen der Strahlungsemittierenden Vorrichtung aus Figur 2 darstellen.
Dabei zeigt Figur 5A eine Strahlungsemittierende Vorrichtung gemäß der Strahlungsemittierenden Vorrichtung aus Figur 2 in einer Ausführung als Dünnfilm-Halbleiterchip. In dieser Ausführung erfolgt die Stromzuführung lateral über die epitaktische Halbleiterschichtenfolge 20 mit Hilfe eines oberen Kontaktes 160, der hier als Bondpad ausgeformt ist. Der obere Kontakt 160 ist auf der Oberflächenstruktur 11 der Strahlungsauskoppelfläche 10 angeordnet und kann auch beispielsweise in Form von Leiterbahnen strukturiert sein. Werden Goldpartikel wie beispielsweise Titangold oder andere nicht transparente, elektrisch leitfähige Materialien für den oberen Kontakt 160 verwendet, so erfolgt die Aufbringung nur partiell, sodass 5% bis 10% der Fläche der Strahlungsauskoppelfläche 10 mit dem oberen Kontakt 160 bedeckt sind. Alternativ ist auch eine Kontaktierung der strahlungsemittierenden Vorrichtung über elektrisch leitende Schichten denkbar, die eine Bonddraht-freie Kontaktierung ermöglicht.
Die Gegenkontaktierung der Halbleiterschichtenfolge erfolgt über die elektrische Kontaktschicht 60 mittels der elektrischen Kontaktelemente 90 und über die StromaufWeitungsschicht 40.
In dem Bereich des oberen Kontaktes 160 ist auf der der Strahlungsauskoppelfläche 10 abgewandten Oberfläche der Halb- leiterschichtenfolge 20 zwischen zwei elektrischen Kontaktelementen 90 ein elektrisch isolierender Bereich 170 angeordnet. Der elektrisch isolierende Bereich 170 dient der elektrischen Isolierung der Halbleiterschichtenfolge 20 mit der aktiven Schicht 30 von der Stromzuführung durch die Stromauf- Weitungsschicht 40. Um eine mögliche Absorption von Strahlung durch das Material des oberen Kontaktes 160 und damit verbundene Strahlungsverluste zu vermeiden, ist zwischen der elektrisch isolierenden Schicht 170 und der Halbleiterschichtenfolge 20 keine Stromaufweitungsschicht 40 und keine Wellen- längenkonversionsschicht 100 angeordnet.
Figur 5B zeigt eine weitere Kontaktierungsmöglichkeit , gekennzeichnet durch eine untere Stromzuführung über einen seitlich aufgebrachten ersten Kontakt 180, der beispielsweise ein p-leitender Kontakt sein kann, und über einen seitlich aufgebrachten zweiten Kontakt 190, der beispielsweise ein n- leitender Kontakt sein kann. Der erste Kontakt 180 ist direkt an die elektrische Kontaktschicht 60 angrenzend zur elektrischen Kontaktierung dieser angeordnet. Der zweite Kontakt 190 ist von einem Isolatormaterial 200 umgeben, das den zweiten Kontakt 190 elektrisch von der Stromzuführung durch andere elektrisch leitende Schichten wie etwa den ersten Kontakt 180, die elektrische Kontaktschicht 60 und die Stromaufweitungsschicht 40 trennt. Der zweite Kontakt 190 setzt sich innerhalb der Strahlungsemittierenden Vorrichtung von einer der Strahlungsauskoppelflache 10 abgewandten Oberfläche durch die elektrische Kontaktschicht 60, die Spiegelschicht 50, die Wellenlängenkonversionsschicht 100, die Stromaufweitungsschicht 40 und die aktive Schicht 30 fort. Dabei wird die aktive Schicht 30 durch den zweiten Kontakt 190 durchdrungen. Im Gegensatz zu der in der Figur 5A dargestellten Ausführungsform kann die Halbleiterschichtenfolge 20 in dieser Ausführungsform von einer Seite der Halbleiterschichtenfolge 20 direkt durch eine Stromzuführung durch den ersten Kontakt 180 und den zweiten Kontakt 190 elektrisch kontaktiert werden. Die hier gezeigte Kontaktierungsmöglichkeit kann auch als Flip-Chip bezeichnet werden.
Dabei kann der zweite Kontakt 190 beispielsweise durch folgendes Verfahren aufgebracht werden: In eine großflächig aufgebrachte elektrische Kontaktschicht, die dann den ersten Kontakt 180 bildet, wird mit Hilfe eines Ätzverfahrens eine Aushöhlung eingebracht. Die Aushöhlung kann ähnlich den e- lektrischen Kontaktelementen 90 ausgeformt sein. Die Aushöhlung wird anschließend mit dem Isolatormaterial 200 beschichtet. In die Aushöhlung kann anschließend von unten der zweite Kontakt 190 herangeführt werden. Somit ermöglicht die in der Figur 5B dargestellte Ausführungsform die Aufbringung optischer Elemente, wie zum Beispiel die in den Figuren 4A, 4B und 4C dargestellten Oberflächenstrukturen, unmittelbar auf der Strahlungsauskoppelfläche 10.
Figur 6 zeigt in einer graphischen Darstellung die Abstrahl- charakteristik von PrimärStrahlung und Sekundärstrahlung in Abhängigkeit vom Brechungsindex des dielektrischen Matrixmaterials 80. Dabei sind das Verhältnis von SekundärStrahlung zur Primärstrahlung auf der Y-Achse und der Abstrahlwinkel [°] auf der X-Achse dargestellt. Dies ist bei verschiedenen Brechungsindices (A: n=l.β, B und C: n=2.4) der Wellenlängenkonversionsschicht 100 bei verschiedene Betriebsarten (A: Betrieb einer freiliegenden Strahlungsemittierenden Vorrichtung, B: Betrieb einer unvergossenen Strahlungsemittierenden Vorrichtung an Luft und C: Betrieb der strahlungsemittieren- den Vorrichtung im Verguss mit einem transparenten Linsenmaterial aus Epoxydharz) gezeigt.
Der graphischen Darstellung der Figur 6 ist zu entnehmen, dass SekundärStrahlung und PrimärStrahlung zu verhältnismäßig gleichen Anteilen mit einer nahezu homogenen AbstrahlCharakteristik (etwa 1) abgestrahlt werden, wenn der Leuchtstoff 70 mit einem transparenten dielektrischen Matrixmaterial 80 vergossen wird, das einen Brechungsindex aufweist, der in etwa dem Brechungsindex der Halbleiterschichtenfolge (hier GaN, n=2.5) entspricht (Kurven B und C). Dabei scheint es nahezu ohne Einfluss auf die Abstrahlcharakteristik zu sein, ob der Betrieb der Strahlungsemittierenden Vorrichtung unvergossen an Luft (Kurve B) oder im Verguss mit einem transparenten Linsenmaterial (Kurve C) erfolgt.
Wie aus Figur 6 ersichtlich ist, können bei den hier beschriebenen Strahlungsemittierenden Vorrichtungen durch die Integration der Wellenlängenkonversionsschicht mit dem Leuchtstoff zwischen die Halbleiterschichtenfolge und die Spiegelschicht die Primärstrahlung wie auch die Sekundärstrahlung mit nahezu derselben Winkel-Charakteristik abgestrahlt werden. Diese im Vergleich zum Stand der Technik homogenere Abstrahlcharakteristik von Primärstrahlung und Sekundärstrahlung folgt einer Lambertschen Abstrahlcharakteristik und kann insbesondere durch den Verguss des Leuchtstoffes mit einem dielektrischen Matrixmaterial erreicht werden, dessen Brechungsindex nahezu gleich dem Brechungsindex der Halbleiterschichtenfolge ist.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal o- der diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.

Claims

Patentansprüche
1. Strahlungsemittierende Vorrichtung, umfassend
- eine epitaktische Halbleiterschichtenfolge (20) mit einer aktiven Schicht (30) zur Emission einer Primärstrahlung,
- eine Strahlungsauskoppelfläche (10) auf einer Oberfläche der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge 20 zur Auskopplung der Primärstrahlung,
- eine Spiegelschicht (50) auf einer von der Strahlungsauskoppelfläche (10) abgewandten Oberfläche der Halbleiter- schichtenfolge (20) , und
- eine Wellenlängenkonversionsschicht (100) zwischen der aktiven Schicht (30) und der Spiegelschicht (50),
- wobei die Wellenlängenkonversionsschicht (100) zumindest einen Leuchtstoff (70) zur Wellenlängenkonversion der Primärstrahlung in eine Sekundärstrahlung aufweist,
- wobei die Wellenlängenkonversionsschicht (100) zumindest eine Öffnung aufweist, in der ein elektrisches Kontaktelement (90) zur elektrischen Kontaktierung der Halbleiterschichtenfolge (20) angeordnet ist.
2. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei die Wellenlängenkonversionsschicht (100) eine Mehrzahl von Öffnungen aufweist, in denen jeweils ein elektrisches Kontaktelement (90) angeordnet ist.
3. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, weiterhin umfassend zumindest eine elektrische Kontaktschicht (60) , die auf einer der Strahlungsaus- koppelfläche (10) abgewandten Oberfläche der Wellenlängenkonversionsschicht (100) angeordnet ist.
4. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei die elektrische Kontaktschicht (60) das e- lektrische Kontaktelement (90) umfasst.
5. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der Ansprüche 3 oder 4, wobei die elektrische Kontaktschicht (60) zumindest ein Metall enthält.
6. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der Ansprüche 3 bis 5, wobei die Spiegelschicht (50) die elektrische Kontaktschicht (60) umfasst.
7. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Spiegelschicht (50) eine Me- tallschicht umfasst.
8. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die Spiegelschicht (50) zwischen der Wellenlängenkonversionsschicht (100) und der elektrischen Kontaktschicht (60) angeordnet ist.
9. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei die Spiegelschicht (50) zumindest eine Öffnung aufweist, in der das elektrische Kontaktelement (90) zur elektrischen Kontaktierung der Halbleiterschichtenfolge (20) angeordnet ist.
10. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach Anspruch 8 oder 9, wobei die Spiegelschicht (50) eine dielektrische Schicht umfasst .
11. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei die dielektrische Schicht einen als Bragg-Spiegel ausgebildeten Schichtenstapel umfasst.
12. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach Anspruch 10 oder 11, wobei die dielektrische Schicht einen niedrigeren Brechungsindex aufweist als die WeIlenlängenkonversionsSchicht (100) .
13. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Wellenlängenkonversionsschicht (100) ein dielektrisches Matrixmaterial (80) umfasst, in das der Leuchtstoff (70) zur Wellenlängenkonversion eingebettet ist.
14. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei eine Stromaufweitungsschicht (40) zwischen der aktiven Schicht (30) und der Wellenlängenkonversionsschicht (100) angeordnet ist.
15. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei die Stromaufweitungsschicht (40) in direktem Kontakt mit dem elektrischen Kontaktelement (90) steht.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11316077B2 (en) 2017-01-30 2022-04-26 Osram Oled Gmbh Radiation-emitting device
DE102022108133A1 (de) 2022-04-05 2023-10-05 Ams-Osram International Gmbh Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements und optoelektronisches bauelement

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101662010B1 (ko) 2010-05-20 2016-10-05 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
DE102010033137A1 (de) * 2010-08-03 2012-02-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenchip
TWI446590B (zh) * 2010-09-30 2014-07-21 Everlight Electronics Co Ltd 發光二極體封裝結構及其製作方法
DE102011001928A1 (de) * 2011-04-08 2012-10-11 Lumitech Produktion Und Entwicklung Gmbh Farbkonversionselement sowie Lampe
DE102011115083A1 (de) * 2011-09-19 2013-03-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Konverterplättchen, strahlungsemittierendes Bauelement mit einem derartigen Konverterplättchen und Verfahren zum Herstellen eines derartigen Konverterplättchens
DE102011114641B4 (de) * 2011-09-30 2021-08-12 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
DE102018131411A1 (de) 2018-12-07 2020-06-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterchips
CN113555474A (zh) * 2020-04-03 2021-10-26 华为技术有限公司 一种led器件及制作方法、显示模组、终端

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000024064A1 (en) * 1998-10-21 2000-04-27 Sarnoff Corporation A method and apparatus for performing wavelength-conversion using phosphors with light emitting diodes
WO2000038250A1 (en) * 1998-12-22 2000-06-29 Honeywell Inc. Efficient solid-state light emitting device with excited phosphors for producing a visible light output
US6340824B1 (en) * 1997-09-01 2002-01-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device including a fluorescent material
US7196354B1 (en) * 2005-09-29 2007-03-27 Luminus Devices, Inc. Wavelength-converting light-emitting devices

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19638667C2 (de) 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
EP0905797B1 (de) 1997-09-29 2010-02-10 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Halbleiterlichtquelle und Verfahren zu ihrer Herstellung
US20020017652A1 (en) 2000-08-08 2002-02-14 Stefan Illek Semiconductor chip for optoelectronics
JP2006086469A (ja) * 2004-09-17 2006-03-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置、照明モジュール、照明装置及び半導体発光装置の製造方法
JP2007188976A (ja) * 2006-01-11 2007-07-26 Shinko Electric Ind Co Ltd 発光装置の製造方法
KR100799859B1 (ko) * 2006-03-22 2008-01-31 삼성전기주식회사 백색 발광 소자

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6340824B1 (en) * 1997-09-01 2002-01-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device including a fluorescent material
WO2000024064A1 (en) * 1998-10-21 2000-04-27 Sarnoff Corporation A method and apparatus for performing wavelength-conversion using phosphors with light emitting diodes
WO2000038250A1 (en) * 1998-12-22 2000-06-29 Honeywell Inc. Efficient solid-state light emitting device with excited phosphors for producing a visible light output
US7196354B1 (en) * 2005-09-29 2007-03-27 Luminus Devices, Inc. Wavelength-converting light-emitting devices

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11316077B2 (en) 2017-01-30 2022-04-26 Osram Oled Gmbh Radiation-emitting device
DE102022108133A1 (de) 2022-04-05 2023-10-05 Ams-Osram International Gmbh Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements und optoelektronisches bauelement

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TW200941771A (en) 2009-10-01

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