DE102015109333A1 - Optoelektronisches Bauelement - Google Patents

Optoelektronisches Bauelement Download PDF

Info

Publication number
DE102015109333A1
DE102015109333A1 DE102015109333.2A DE102015109333A DE102015109333A1 DE 102015109333 A1 DE102015109333 A1 DE 102015109333A1 DE 102015109333 A DE102015109333 A DE 102015109333A DE 102015109333 A1 DE102015109333 A1 DE 102015109333A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
contact surface
semiconductor chip
band
component according
molded body
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE102015109333.2A
Other languages
English (en)
Inventor
Andreas Plössl
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority to DE102015109333.2A priority Critical patent/DE102015109333A1/de
Priority to PCT/EP2016/063113 priority patent/WO2016198502A1/de
Priority to US15/735,587 priority patent/US10361350B2/en
Publication of DE102015109333A1 publication Critical patent/DE102015109333A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/54Encapsulations having a particular shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/568Temporary substrate used as encapsulation process aid
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04105Bonding areas formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bonding areas on chip-scale packages
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/19Manufacturing methods of high density interconnect preforms
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/82Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/82Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
    • H01L2224/82001Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI] involving a temporary auxiliary member not forming part of the bonding apparatus
    • H01L2224/82005Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI] involving a temporary auxiliary member not forming part of the bonding apparatus being a temporary or sacrificial substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body

Abstract

Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement aufweisend: einen Formkörper, einen Halbleiterchip, eine elektrische Durchkontaktierung, die eine elektrisch leitende Verbindung durch den Formkörper darstellt, wobei die Durchkontaktierung und der Halbleiterchip nebeneinander im Formkörper eingebettet sind, wobei ein zweiter elektrischer Kontakt des Halbleiterchips auf einer Oberseite des Halbleiterchips ausgebildet ist, wobei eine erste Kontaktfläche der Durchkontaktierung auf der Unterseite des Formkörpers ausgebildet ist, wobei eine zweite Kontaktfläche der Durchkontaktierung auf der Oberseite des Formkörpers ausgebildet ist, wobei die zweite Kontaktfläche mit dem zweiten elektrischen Kontakt des Halbleiterchips elektrisch leitend verbunden ist, wobei die Durchkontaktierung in der Weise ausgebildet ist, dass wenigstens in einem Abschnitt zwischen der ersten und der zweiten Kontaktfläche auf einer Geraden zwischen der ersten und der zweiten Kontaktfläche ein Formkörper angeordnet ist. Zudem betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Herstellen des optoelektronischen Bauelementes.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement gemäß Patentanspruch 1 und ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelementes gemäß Patentanspruch 12.
  • Aus DE 10 2009 036 621 A1 ist ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements bekannt, wobei ein optoelektronischer Halbleiterchip mit einer Durchkontaktierung in einen Formkörper eingebettet wird. Der Halbleiterchip weist auf einer Unterseite einen ersten Kontakt und auf einer Oberseite einen zweiten Kontakt auf. Der zweite Kontakt ist mit einer oberen Kontaktfläche der Durchkontaktierung elektrisch leitend verbunden. Auf diese Weise wird der zweite elektrische Kontakt der Oberseite des Halbleiterchips auf die Unterseite des Formkörpers geführt.
  • Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein verbessertes optoelektronisches Bauelement und ein verbessertes Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelementes bereitzustellen.
  • Die Aufgabe der Erfindung wird durch das Bauelement gemäß Patentanspruch 1 und durch das Verfahren gemäß Patentanspruch 12 gelöst.
  • Ein Vorteil des vorgeschlagenen Bauelementes besteht darin, dass die Durchkontaktierung besser im Formkörper verankert ist. Dies wird dadurch erreicht, dass die Durchkontaktierung in der Weise ausgebildet ist, dass wenigstens in einem Abschnitt zwischen der ersten und der zweiten Kontaktfläche der Durchkontaktierung auf einer Geraden ein Formkörper angeordnet ist. Somit kann eine Verschiebung der Durchkontaktierung gegenüber dem Formkörper zumindest erschwert, insbesondere vermieden werden.
  • In einer Ausführungsform ist die Durchkontaktierung in Form eines gefalteten oder gebogenen Bandes ausgebildet. Dadurch wird eine starke Verankerung der Durchkontaktierung im Formkörper erreicht. Zudem wird durch die Ausbildung in Form des Bandes eine relativ große Leitungsquerschnittsfläche für einen geringen elektrischen Widerstand bereitgestellt.
  • In einer weiteren Ausführungsform ist die Durchkontaktierung in Form einer Spirale ausgebildet. Die Spiralform ermöglicht eine relativ große Elastizität. Zudem ist die Spiralform relativ unempfindlich gegenüber Beschädigungen. Abhängig von der gewählten Ausführungsform kann die Spiralform mit einer Längsachse parallel zu einer Achse der Durchkontaktierung oder senkrecht zur Achse der Durchkontaktierung angeordnet sein. Die parallele Anordnung bietet eine hohe Stabilität. Die senkrechte Anordnung bietet eine große effektive Leitungsquerschnittsfläche.
  • In einer weiteren Ausführungsform ist die Durchkontaktierung in Form von wenigstens zwei oder mehreren, miteinander mechanisch verbundenen Leitungselementen ausgebildet. Die Leitungselemente können in Form von Drähten oder Bändern ausgebildet sein. Die Enden der Leitungselemente können dabei die erste und die zweite Kontaktfläche bilden. Die Leitungselemente können als mechanische Verbindung z.B. verdrillt sein. Verdrillte Leitungselemente insbesondere in Form von Drähten oder Bänder sind kostengünstig und einfach herzustellen. Zudem kann eine stabile Verankerung der verdrillten Leitungselemente im Formkörper erreicht werden. Weiterhin kann ein relativ großer effektiver Leitungsquerschnitt durch eine entsprechende Anzahl von Leitungselementen bereitgestellt werden.
  • Die Ausbildung der Durchkontaktierung in Form eines gebogenen oder gefalteten Bandes oder in Form einer Spirale oder in Form von verbundenen Leitungselementen ermöglicht die Ausbildung eines flexiblen, insbesondere eines elastisch und/oder plastisch verformbaren Kontaktelementes.
  • In einer weiteren Ausführungsform weist die Durchkontaktierung wenigstens eine Ausnehmung auf, die beispielsweise in Form einer Vertiefung, einer Ausbuchtung oder eines Loches ausgebildet ist. Die Ausnehmung ist mit dem Formkörper gefüllt. Auf diese Weise wird eine starke Verankerung der Durchkontaktierung im Formkörper erreicht.
  • In einer weiteren Ausführung weist die in Form eines Bandes ausgebildete Durchkontaktierung wenigstens zwei Abschnitte, insbesondere drei Abschnitte auf, die im Wesentlichen parallel zueinander angeordnet sind und über wenigstens einen Zwischenabschnitt miteinander verbunden sind. Auf diese Weise wird eine stabile Ausbildung der Durchkontaktierung bei gleichzeitig stabiler Verankerung im Formkörper erreicht.
  • In einer weiteren Ausbildung ist das Band mäanderförmig ausgebildet. Dadurch wird eine weitere verbesserte Verankerung des Bandes im Formkörper erreicht.
  • Zudem betrifft die Erfindung Verfahren zur Herstellung des optoelektronischen Bauelementes.
  • Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden, wobei
  • 1 bis 6 verschiedene Verfahrensschritte zur Herstellung des optoelektronischen Bauelementes,
  • 7 eine Ansicht auf eine Unterseite des Bauelementes,
  • 8 eine Ansicht auf die Oberseite des Bauelementes,
  • 9 eine Durchkontaktierung in Form eines gefalteten Bandes,
  • 10 eine Durchkontaktierung in Form eines gebogenen Bandes,
  • 11 eine Durchkontaktierung in Form von drei miteinander verdrillten Drähten,
  • 12 eine Durchkontaktierung in Form einer senkrecht zur Oberseite des Formkörpers angeordneten Durchkontaktierung,
  • 13 eine Durchkontaktierung in Form einer Spirale, die parallel zur Oberseite des Formkörpers angeordnet ist,
  • 14 eine Durchkontaktierung in Form eines Mäanderbandes mit einem Halbleiterchip,
  • 15 eine schematische Seitenansicht eines Mäanderbandes,
  • 16 ein Bauelement mit einem Halbleiterchip und einem Mäanderband,
  • 17 eine Durchkontaktierung in Form eines in Z-Form gefalteten Bandes,
  • 18 eine Durchkontaktierung in Form von drei miteinander verdrillten Bändern,
  • 19 eine Durchkontaktierung in Form einer senkrecht zur Oberseite des Formkörpers angeordneten Durchkontaktierung in Form einer Bandspirale,
  • 20 eine Durchkontaktierung in Form einer Bandspirale, die parallel zur Oberseite des Formkörpers angeordnet ist,
  • 21 einen schematischen Querschnitt durch eine Anordnung mit zwei optoelektronischen Bauelementen mit Durchkontaktierungen in Form von Z-förmigen Bändern,
  • 22 eine Ansicht von oben auf eine weitere Ausführungsform eines optoelektronischen Bauelementes, und
  • 23 eine darstellt.
  • 1 zeigt in einer schematischen Schnittdarstellung einen ersten Verfahrensschritt zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelementes. Es wird ein Träger 1 bereitgestellt. Der Träger 1 kann beispielsweise aus Metall, wie zum Beispiel Kupfer oder Aluminium, oder aus Keramik oder aus einem Halbleitermaterial oder aus Kunststoff gebildet sein. Der Träger 1 kann auch in Form einer Folie ausgebildet sein. Auf dem Träger 1 werden optoelektronische Bauelemente 2, die beispielsweise in Form einer Laserdiode oder einer lichtemittierenden Diode oder in Form eines Fotosensors ausgebildet sind, befestigt. Zudem wird eine Durchkontaktierung 3 auf dem Träger 1 befestigt. Die Durchkontaktierungen 3 weisen eine Ausnehmung 50 auf. Zur Befestigung kann beispielsweise eine Klebeschicht verwendet werden, die auf der Oberseite des Trägers 1 aufgebracht ist. Der optoelektronische Halbleiterchip 2 kann in der Weise auf dem Träger 1 angeordnet sein, dass eine lichtemittierende Seite auf dem Träger 1 aufliegt.
  • Anschließend wird auf den Träger 1 eine Formmasse 4 aufgebracht, in die die Halbleiterchips 2 und die Durchkontaktierungen 3 eingebettet werden. Zudem werden die Ausnehmungen 50 mit Formmasse 4 wenigstens teilweise aufgefüllt. Die Ausnehmungen 50 können in Form von Löchern, Ausbuchtungen oder Einbuchtungen ausgebildet sein. Jede Durchkontaktierung kann wenigstens eine Ausnehmung 50 aufweisen. Dadurch wird eine stärkere Verankerung der Durchkontaktierung 3 in der Formmasse 4 erreicht. Die Formmasse 4 kann durch Umformen, Umhüllen, beispielsweise mittels Spritzen, Gießen, Drucken, Laminieren einer Folie oder dergleichen, aufgebracht werden. Dieser Verfahrensstand ist in 2 dargestellt. Abhängig von der gewählten Ausführungsform können dabei sowohl die Halbleiterchips 2 als auch die Durchkontaktierungen 3 mit der Formmasse 4 überfüllt werden, wie in 2 dargestellt ist. Die Formmasse 4 kann aus einem Kunststoffmaterial, z.B. Epoxid oder aus Silikon bestehen oder aufweisen.
  • Zudem kann die Dicke des Formkörpers 5 schon bei der Herstellung an die Dicke der Halbleiterchips 2 angepasst werden, indem ein Formwerkzeug auf die Halbleiterchips 2 und die Durchkontaktierungen 3 aufgelegt wird und in die Zwischenräume das Formmaterial eingefüllt wird. Bei dieser Ausführung ist es von Vorteil, wenn die Durchkontaktierung in der Länge bzw. der Höhe flexibel ist, um sich an unterschiedlich dicke Halbleiterchips beim Formprozess und einbetten in den Formkörper anpassen zu können. Die Durchkontaktierung kann elastisch oder plastisch verformbar ausgebildet sein.
  • Nach einem Aushärten der Formmasse 4 wird die Anordnung gemäß 3 erhalten, bei der die Halbleiterchips 2 und die Durchkontaktierungen 3 in einen Formkörper 5 eingebettet sind. Ist die Dicke des Formkörpers 5 größer als die Dicke der Halbleiterchips 2, so ist nach dem Aushärten der Formmasse 4 noch ein Abtragen der überstehenden Formmasse 4 erforderlich, um die Anordnung gemäß 3 zu erhalten. Dabei ist eine erste Seite 6 der Halbleiterchips 2 und eine erste Kontaktfläche 7 der Durchkontaktierungen 3 auf einer ersten Seite des Formkörpers 5 angeordnet und frei von dem Formkörper. Eine zweite Seite 8 der Halbleiterchips 2 liegt auf dem Träger 1 auf. Eine zweite Kontaktfläche 9 der Durchkontaktierungen 3 ist auf einer zweiten Seite des Formkörpers 5 angeordnet und liegt auf dem Träger 1 auf. Die erste und die zweite Seite 7, 9 sind auf gegenüber liegenden Seiten des Formkörpers 5 angeordnet. Seitenflächen der Halbleiterchips 2 und Seitenflächen der Durchkontaktierungen 3 sind in den Formkörper 5 eingebettet. Aufgrund der Ausnehmungen 50 sind die Durchkontaktierungen 3 stärker im Formkörper 5 verankert, da auf einer Geraden zwischen der ersten und der zweiten elektrischen Kontaktfläche 7, 9 ein Formkörper 5 angeordnet ist. Auf der zweiten Seite 8 der Halbleiterchips 2 kann ein zweiter elektrischer Kontakt 13 vorgesehen sein, der vor der Montage der Halbleiterchips 2 auf die zweite Seite 8 der Halbleiterchips aufgebracht wurde. Je nach Ausführung kann der zweite elektrische Kontakt 13 auch in einem späteren Verfahrensschritt aufgebracht werden.
  • Anschließend wird, wie in 4 dargestellt, ein erster elektrischer Kontakt 10 auf die ersten Seiten 6 der Halbleiterchips 2 aufgebracht. Zudem kann vor dem Aufbringen des ersten Kontaktes 10 auf die ersten Seiten 6 der Halbleiterchips ein Metall/Halbleiterkontakt auf die ersten Seiten 6 der Halbleiterchips aufgebracht werden. Dies ist dann von Vorteil, wenn bei dem Abtragend der überstehenden Formmasse auch Halbleitermaterial von den Seiten 6 der Halbleiterchips entfernt wurde.
  • In einer weiteren Ausführung weisen die Halbleiterchips 2 bereits beim Einbetten in den Formkörper 5 auf den ersten Seiten 6 erste elektrische Kontakte 10 auf, so dass eine Aufbringung der ersten elektrischen Kontakte 10 bei dem Verfahrensschritt der 4 nicht mehr erforderlich ist.
  • Zudem wird auf die erste Kontaktfläche 7 der Durchkontaktierungen 3 ein weiterer erster elektrischer Kontakt 11 aufgebracht. Der erste elektrische Kontakt 10 und der weitere erste elektrische Kontakt 11 sind z.B. in Form einer Metallschicht ausgebildet. Der weitere elektrische Kontakt 11 kann sich auch seitlich über die Durchkontaktierung 3 hinaus bis auf den Formkörper 5 erstrecken. Die Metallschicht der ersten und weiteren ersten Kontakte 10, 11 kann durch eine Kombination von Abscheide- und Strukturierungsverfahren hergestellt werden. Dabei können Abscheideverfahren wie Aufdampfen, Zerstäuben oder Galvanik im Zusammenspiel mit fotolithographischer Strukturierung und Trockenätzen oder nasschemischem Ätzen eingesetzt werden. Zudem können Druckverfahren wie Siebdruck, Tintenstrahldruck oder Aerosolstrahldruck gegebenenfalls mit einem nachfolgenden Sinterschritt verwendet werden. Zudem können auch Kombinationen der beschriebenen Verfahren verwendet werden.
  • Anschließend wird der Formkörper 5 mit den Halbleiterchips 2 und den Durchkontaktierungen 3 vom Träger 1 gelöst und mit der ersten Seite 6 bzw. der ersten Kontaktfläche 7 auf einem zweiten Träger 12 befestigt, wie in 5 dargestellt. Der zweite Träger 12 kann gemäß dem ersten Träger 1 ausgebildet sein. Die Halbleiterchips 2 weisen bereits einen zweiten elektrischen Kontakt 13 auf der zweiten Seite 8 auf oder die zweiten elektrischen Kontakte 13 werden in einem Randbereich der zweiten Seite 8 der Halbleiterchips 2, die einer Durchkontaktierung 3 zugewandt ist bzw. benachbart ist, aufgebracht. Weiterhin wird eine zweite elektrische Schicht 14 in der Weise auf die zweite Kontaktfläche 9 der Durchkontaktierungen 3 und den Formkörper 5 und den zweiten elektrischen Kontakt 13 der Halbleiterchips 2 aufgebracht, dass jeweils ein zweiter elektrischer Kontakt 13 eines Halbleiterchips 2 über die zweite elektrisch leitende Schicht 14 mit einer benachbarten Durchkontaktierung 3 elektrisch leitend verbunden ist.
  • Die zweite elektrisch leitende Schicht 14 kann durch eine Kombination von Abscheide- und Strukturierungsverfahren hergestellt werden. Dabei können Abscheideverfahren wie Aufdampfen, Zerstäuben oder Galvanik im Zusammenspiel mit fotolithographischer Strukturierung und Trockenätzen oder nasschemischem Ätzen eingesetzt werden. Zudem können Druckverfahren wie Siebdruck, Tintenstrahldruck oder Aerosolstrahldruck gegebenenfalls mit einem nachfolgenden Sinterschritt verwendet werden. Zudem können auch Kombinationen der beschriebenen Verfahren verwendet werden. Abhängig von der gewählten Ausführungsform kann auf die zweite Seite 8 der Halbleiterchips 2, die eine Strahlung emittierende Seite der Halbleiterchips darstellt, eine Konversionsschicht 15 aufgebracht werden. In einem weiteren Verfahrensschritt wird die Anordnung gemäß 6 vereinzelt, wobei die Trennlinie in Form von gestrichelten Linien 16 schematisch dargestellt ist. Die Vereinzelung kann durch Sägen, Schleifen, Laserschneiden oder Brechen durchgeführt werden. Zudem wird der zweite Träger 12 entfernt.
  • 7 zeigt in einer perspektivischen Darstellung ein optoelektronisches Bauelement 16, das gemäß dem Verfahren der 1 bis 6 hergestellt wurde. In 7 ist eine Unterseite des Halbleiterbauelements nach dem Entfernen des zweiten Trägers 12 dargestellt. Auf der Unterseite ist der erste elektrische Kontakt 10 des Halbleiterchips 2 angeordnet. Der Formkörper 5 umgibt den Halbleiterchip 2 seitlich. Zudem sind auf der Unterseite weitere erste elektrische Kontakte 11 von zwei Durchkontaktierungen 3 angeordnet. In dem dargestellten Ausführungsbeispiel sind zwei Durchkontaktierungen 3 für den Halbleiterchip 2 vorgesehen und somit auch zwei weitere erste elektrische Kontakte 11 auf der Unterseite des Bauelementes 16 angeordnet. Abhängig von der gewählten Ausführung können die zwei weiteren ersten elektrischen Kontakte 11 der zwei Durchkontaktierungen 3 mittels einer weiteren Kontaktschicht, die auf der Unterseite des Formkörpers 5 aufgebracht ist, zu einem elektrischen Anschluss zusammengefasst werden.
  • 8 zeigt die Oberseite des Bauelementes 16 in einer schematischen perspektivischen Darstellung. Die Oberseite stellt in der dargestellten Ausführung die Seite dar, über die Strahlung emittiert wird oder Strahlung bei der Ausbildung als Fotosensor empfangen wird. In dem dargestellten Ausführungsbeispiel weist der Halbleiterchip 2 zwei zweite elektrische Kontakte 13 auf, die über entsprechende zweite elektrische Schichten 14 mit jeweils einer Durchkontaktierung 3 elektrisch leitend verbunden sind. Abhängig von der gewählten Ausführung können die zwei zweiten elektrischen Schichten 14 der zwei Durchkontaktierungen 3 auch in Form einer gemeinsamen zweiten elektrischen Schicht 14 ausgebildet sein.
  • Abhängig von der gewählten Ausführungsform kann der Halbleiterchip 2 auch nur einen zweiten elektrischen Kontakt 13 aufweisen. In dieser Ausführungsform ist dann auch nur eine Durchkontaktierung 3 vorgesehen. Auf der Oberseite ist die Konversionsschicht 15 angeordnet, die seitlich von dem Formkörper 5 umgeben ist. Abhängig von der gewählten Ausführungsform kann auf die Konversionsschicht 15 verzichtet werden und eine Abstrahlseite oder eine Einstrahlseite des optoelektronischen Halbleiterchips 2 angeordnet sein.
  • In den 1 bis 8 sind die Durchkontaktierungen 3 nur schematisch dargestellt. Anhand der folgenden Figuren werden mögliche Ausführungsformen der Durchkontaktierungen genauer beschrieben.
  • 9 zeigt in einer schematischen Darstellung eine Durchkontaktierung in Form eines gefalteten Bandes 17. Das Band 17 weist einen ersten Abschnitt 18 auf, der im verbauten Zustand parallel zur Oberseite des Formkörpers bzw. des Bauelementes angeordnet ist. Der erste Abschnitt 18 ist über einen ersten Zwischenabschnitt 19 mit einem zweiten Abschnitt 20 verbunden. Der zweite Abschnitt 20 ist parallel zum ersten Abschnitt 18 angeordnet. Der erste Zwischenabschnitt 19 kann senkrecht zum ersten Abschnitt 18 angeordnet sein. Der erste Zwischenabschnitt 19 kann auch gebogen, gefaltet oder in einem festgelegten Winkel ungleich 90° zum ersten Abschnitt 18 angeordnet sein. Der zweite Abschnitt 20 ist über einen zweiten Zwischenabschnitt 21 mit einem dritten Abschnitt 22 verbunden. Der zweite Zwischenabschnitt 21 kann gemäß dem ersten Zwischenabschnitt 19 ausgebildet und angeordnet sein. Der dritte Abschnitt 20 ist parallel zum ersten und zum zweiten Abschnitt 18, 20 angeordnet. Das gefaltete Band 17 kann aus einem Metall gefertigt sein. Das gefaltete Band 17 kann weitere Ausnehmungen 23 aufweisen. Die weiteren Ausnehmungen 23 können in Form von Löchern, Ausbuchtungen des Bandes oder Ausnehmungen bis zu einem gewissen Prozentsatz der Schichtdicke des Bandes ausgebildet sein. In einer einfachen Ausführung ist die weitere Ausnehmung 23 als durchgängiges Loch des Bandes 17 ausgebildet.
  • Der erste Abschnitt 18 stellt eine erste Kontaktfläche der Durchkontaktierung dar, die an der Oberseite des Formkörpers angeordnet ist. Der dritte Abschnitt 22 stellt eine zweite Kontaktfläche der Durchkontaktierung dar, die an der Unterseite des Formkörpers angeordnet ist. Die Freiräume zwischen den Abschnitten 18, 20, 22 stellen Ausnehmungen 50 dar.
  • 10 zeigt eine Durchkontaktierung in Form eines gebogenen Bandes 24. Das gebogene Band 24 weist einen ersten Endbereich 25 und einen zweiten Endbereich 26 auf, die beispielsweise parallel zueinander angeordnet sind. Der erste Endbereich 25 stellt eine erste Kontaktfläche der Durchkontaktierung dar und ist im verbauten Zustand an der Oberseite des Formkörpers angeordnet. Der zweite Endbereich 26 stellt eine zweite Kontaktfläche der Durchkontaktierung dar und ist im verbauten Zustand an der Unterseite des Formkörpers angeordnet. Abhängig von der gewählten Ausführungsform kann das gebogene Band 24 wenigstens eine oder mehrere weitere Ausnehmungen 23 aufweisen. Die weiteren Ausnehmungen 23 können Einbuchtungen, Ausbuchtungen oder durchgehende Löcher sein. Das gebogene Band kann aus einem Metall hergestellt sein. Der Freiraum zwischen dem ersten und dem zweiten Endbereich 25,26 stellt eine Ausnehmung 50 dar.
  • 11 zeigt eine weitere Ausführungsform einer Durchkontaktierung in Form von elektrisch leitenden Drähten 27, 28, 29 als Leitungselementen. Die Drähte weisen z.B. einen kreisförmigen Querschnitt auf. Die Drähte sind in einem Verbindungsbereich 30, der in der Mitte der Länge der Drähte angeordnet ist, mechanisch miteinander verbunden, insbesondere miteinander verdrillt. Dabei sind die Drähte umeinander gebogen, so dass die Drähte im Verbindungsbereich formschlüssig zusammen gehalten werden. Abhängig von der gewählten Ausführungsform können auch nur zwei Drähte oder mehr als drei Drähte miteinander verdrillt als Durchkontaktierung vorgesehen sein. Die ersten Enden 31 der Drähte 27, 28, 29 stellen eine erste Kontaktfläche der Durchkontaktierung dar. Zweite Enden 32 der Drähte 27, 28, 29 stellen eine zweite Kontaktfläche der Durchkontaktierung dar. Im montierten Zustand sind die ersten Enden 31 im Bereich der Oberseite des Formkörpers 5 angeordnet. Die zweiten Enden 32 der Drähte 27, 28, 29 sind im Bereich der Unterseite des Formkörpers angeordnet. Die Drähte sind z.B. aus Metall oder einer Metalllegierung hergestellt. Der Freiraum zwischen den Drähten 2728, 29 stellt eine Ausnehmung 50 dar. 12 zeigt eine weitere Ausführungsform einer Durchkontaktierung, die in Form einer Spirale 33 ausgebildet ist. Die Spirale 33 weist eine erste Windung 34 auf. Zudem weist die Spirale 33 am gegenüberliegenden Ende eine letzte Windung 35 auf. Die erste Windung 34 stellt eine erste Kontaktfläche der Durchkontaktierung dar und ist im verbauten Zustand im Bereich der Oberseite des Formkörpers 5 angeordnet. Die letzte Windung 35 stellt eine zweite Kontaktfläche der Durchkontaktierung dar und ist im verbauten Zustand auf der Unterseite des Formkörpers 5 angeordnet. Die Spirale 33 ist aus einem um eine Längsachse gewundenen Draht gebildet. Die Freiräume zwischen den Windungen der Spirale 33 stellen Ausnehmungen 50 dar.
  • 13 zeigt eine weitere Ausführungsform der Durchkontaktierung, die in Form einer Spirale 33 ausgebildet ist. Bei dieser Anwendung ist jedoch die Spirale 33 mit einer Längsachse 38 parallel zur Oberseite bzw. zur Unterseite des Formkörpers 5 angeordnet. Dabei bilden obere Windungsabschnitte 36 eine erste Kontaktfläche der Durchkontaktierung. Untere Windungsabschnitte 37, die gegenüberliegend zu den oberen Windungsabschnitten 36 angeordnet sind, bilden eine zweite Kontaktfläche der Durchkontaktierung. Im verbauten Zustand sind die oberen Windungsabschnitte 36 an der Oberseite des Formkörpers 5 angeordnet. Die unteren Windungsabschnitte 37 sind an der Unterseite des Formkörpers 5 angeordnet. In 13 ist schematisch der Formkörper 5 eingezeichnet. Die Freiräume zwischen den Windungen der Spirale 33 stellen Ausnehmungen 50 dar.
  • 14 zeigt in einer schematischen Darstellung optoelektronische Halbleiterchips 2, die in einem Raster auf einem Träger 1 angeordnet sind. Neben den Halbleiterchips 2 ist jeweils eine Durchkontaktierung in Form eines Mäanderbandes 39 auf dem Träger 1 angeordnet. Die Mäanderbänder 39 sind in Form eines zusammenhängenden Bandes 51 ausgebildet. Zwischen den Reihen von Halbleiterchips 2 sind Bänder 51 angeordnet. Die Bänder 51 sind aus einem elektrisch leitenden Material, insbesondere aus einem Metall oder einer Metalllegierung gebildet. Ein Mäanderband 39 weist einen ersten Abschnitt 40 auf, der über einen ersten Zwischenabschnitt 41 zu einem zweiten Abschnitt verbunden ist. Der zweite Abschnitt 42 geht über einen zweiten Zwischenabschnitt 43 in einen dritten Abschnitt 44 über. Der dritte Abschnitt 44 ist parallel zu dem ersten und dem zweiten Abschnitt 40, 42 angeordnet und in der Höhenposition zwischen dem ersten und dem zweiten Abschnitt 40, 42 angeordnet. Der dritte Abschnitt 44 geht über einen dritten Zwischenabschnitt 45 in einen vierten Abschnitt 46 über. Der vierte Abschnitt 46 ist zwischen dem zweiten und dem dritten Abschnitt 42, 44 angeordnet. Der vierte Abschnitt 46 ist über einen vierten Zwischenabschnitt 47 mit einem fünften Abschnitt 48 verbunden. Der fünfte Abschnitt 48 ist auf der gleichen Höhe wie der erste Abschnitt 40 angeordnet. Der erste Zwischenabschnitt 41 und der zweite Zwischenabschnitt 43 sind parallel zueinander angeordnet. Der vierte Zwischenabschnitt 47 ist parallel zum ersten Zwischenabschnitt 41 angeordnet. Der dritte Zwischenabschnitt 44 ist zwischen dem zweiten und dem vierten Zwischenabschnitt 43, 47 angeordnet. Zudem ist der dritte Zwischenabschnitt 45 ausgehend von einem Endbereich des dritten Abschnittes 44 schräg nach oben zu einem Anfangsbereich des vierten Abschnittes 46 geführt. Der zweite Abschnitt 42 stellt eine erste Kontaktfläche der Durchkontaktierung dar. Der fünfte Abschnitt 48 stellt eine zweite Kontaktfläche der Durchkontaktierung dar. Mithilfe eines Bandes 51 mit mehreren Mäanderbändern 39 können mehrere Halbleiterchips 2 einer Reihe bei einem Verarbeitungsprozess gleichzeitig in den Formkörper eingebettet werden und entsprechend elektrisch mit den Mäanderbändern 39 kontaktiert werden. Nach dem Einbetten der Bänder 51 in den Formkörper und der elektrischen Kontaktierung der Halbleiterchips 2, die gemäß dem Prozess der 1 bis 6 erfolgt, werden die Bänder 51 in einzelne Mäanderband 39, wobei jedes Band 51 Schnittlinien 60 unterteilt wird.
  • 15 zeigt eine schematische Seitenansicht eines vereinzelten Mäanderbandes 39 gemäß 14 in einer Längsrichtung. Die Freiräume zwischen den Abschnitten 42, 46, 45, 44, 48 stellen Ausnehmungen 50 dar.
  • Ein Halbleiterchip 2 und ein Mäanderband 39 der 14 werden gemäß dem Verfahren, das anhand der 1 bis 6 beschrieben wurde jeweils zu einem Bauelement 16 verarbeitet, wie in 16 schematisch dargestellt. 16 zeigt eine Ansicht in einer Querrichtung des Mäanderbandes 39. Dabei sind ein Mäanderband 39 und ein Halbleiterchip 2 in einen Formkörper 5 eingebettet. Die Ausbildung der Durchkontaktierung in Form eines Mäanderbandes ermöglicht eine kostengünstige Herstellung, wobei das Mäanderband 39 sicher und zuverlässig im Formkörper 5 verankert ist. Abhängig von der gewählten Ausführungsform kann das Mäanderband 39 weitere Ausnehmungen 23 aufweisen. Die weiteren Ausnehmungen 23 können in Form von Ausbuchtungen, Vertiefungen oder durchgehenden Löchern ausgebildet sein. Das Mäanderband 39 ist flexibel, insbesondere elastisch oder plastisch verformbar und kann sich in der Höhe an unterschiedlich dicke Halbleiterchips 2 anpassen.
  • 17 zeigt in einer schematischen Darstellung eine Durchkontaktierung in Form eines gefalteten Bandes 17. Das Band 17 weist einen ersten Abschnitt 18 auf, der im verbauten Zustand parallel zur Oberseite des Formkörpers bzw. des Bauelementes angeordnet ist. Der erste Abschnitt 18 ist über einen ersten Zwischenabschnitt 19 mit einem zweiten Abschnitt 20 verbunden. Der zweite Abschnitt 20 ist parallel zum ersten Abschnitt 18 angeordnet. Der erste Zwischenabschnitt 19 kann senkrecht zum ersten Abschnitt 18 angeordnet sein. Der erste Zwischenabschnitt 19 kann auch gebogen, gefaltet oder in einem festgelegten Winkel ungleich 90° zum ersten Abschnitt 18 angeordnet sein. In der dargestellten Ausführung weist das gefaltete Band im Querschnitt eine Z-Form auf. Das gefaltete Band 17 kann aus einem Metall gefertigt sein. Das gefaltete Band 17 kann weitere Ausnehmungen 23 aufweisen. Die weiteren Ausnehmungen 23 können in Form von Löchern, Ausbuchtungen des Bandes oder Ausnehmungen bis zu einem gewissen Prozentsatz der Schichtdicke des Bandes ausgebildet sein. In einer einfachen Ausführung ist die weitere Ausnehmung 23 als durchgängiges Loch des Bandes 17 ausgebildet. Der erste Abschnitt 18 stellt eine erste Kontaktfläche der Durchkontaktierung dar, die an der Oberseite des Formkörpers angeordnet ist. Der zweite Abschnitt 20 stellt eine zweite Kontaktfläche der Durchkontaktierung dar, die an der Unterseite des Formkörpers angeordnet ist. Die Freiräume zwischen den Abschnitten 18, 19, 20 stellen Ausnehmungen 50 dar.
  • 18 zeigt eine weitere Ausführungsform einer Durchkontaktierung in Form von elektrisch leitenden Bändern 67, 68, 69 als Leitungselementen. Die Bänder weisen z.B. einen rechteckförmigen Querschnitt auf. Die Bänder sind in einem Verbindungsbereich 30, der in der Mitte der Länge der Bänder angeordnet ist, mechanisch miteinander verbunden, insbesondere miteinander verdrillt. Dabei sind die Bänder umeinander gebogen, so dass die Bänder im Verbindungsbereich formschlüssig zusammen gehalten werden. Abhängig von der gewählten Ausführungsform können auch nur zwei Bänder oder mehr als drei Bänder miteinander verdrillt als Durchkontaktierung vorgesehen sein. Die ersten Enden 31 der Bänder 67, 68, 69 stellen eine erste Kontaktfläche der Durchkontaktierung dar. Zweite Enden 32 der Bänder 67, 68, 69 stellen eine zweite Kontaktfläche der Durchkontaktierung dar. Im montierten Zustand sind die ersten Enden 31 der Bänder im Bereich der Oberseite des Formkörpers 5 angeordnet. Die zweiten Enden 32 der Bänder 67, 68, 69 sind im Bereich der Unterseite des Formkörpers angeordnet. Die Bänder sind z.B. aus Metall oder einer Metalllegierung hergestellt. Die Freiräume zwischen den Bändern 67, 68, 69 stellen eine Ausnehmung 50 dar.
  • 19 zeigt eine weitere Ausführungsform einer Durchkontaktierung, die in Form einer zweiten Spirale 73 ausgebildet ist. Die zweite Spirale 73 ist aus einem Band gebildet. Die zweite Spirale 73 weist eine erste Windung 34 auf. Zudem weist die Spirale 73 am gegenüberliegenden Ende eine letzte Windung 35 auf. Die erste Windung 34 stellt eine erste Kontaktfläche der Durchkontaktierung dar und ist im verbauten Zustand im Bereich der Oberseite des Formkörpers 5 angeordnet. Die letzte Windung 35 stellt eine zweite Kontaktfläche der Durchkontaktierung dar und ist im verbauten Zustand auf der Unterseite des Formkörpers 5 angeordnet. Die zweite Spirale 73 ist aus einem um eine Längsachse gewundenen Band gebildet. Die Freiräume zwischen den Windungen der zweiten Spirale 73 stellen Ausnehmungen 50 dar.
  • 20 zeigt eine weitere Ausführungsform der Durchkontaktierung, die in Form einer zweiten Spirale 73 ausgebildet ist. Bei dieser Anwendung ist jedoch die zweite Spirale 73 mit einer Längsachse 38 parallel zur Oberseite bzw. zur Unterseite des Formkörpers 5 angeordnet. Dabei bilden obere Windungsabschnitte 36 eine erste Kontaktfläche der Durchkontaktierung. Untere Windungsabschnitte 37, die gegenüberliegend zu den oberen Windungsabschnitten 36 angeordnet sind, bilden eine zweite Kontaktfläche der Durchkontaktierung. Im verbauten Zustand sind die oberen Windungsabschnitte 36 an der Oberseite des Formkörpers 5 angeordnet. Die unteren Windungsabschnitte 37 sind an der Unterseite des Formkörpers 5 angeordnet. In 20 ist schematisch der Formkörper 5 eingezeichnet. Die Freiräume zwischen den Windungen der Spirale 33 stellen Ausnehmungen 50 dar.
  • 21 zeigt zwei optoelektronische Bauelemente 16, die gemäß den Verfahrensschritten hergestellt wurden, die anhand der 1 bis 6 oben beschrieben wurden. In diesem Ausführungsbeispiel ist ein in Z-Form gefaltetes Band 17 als Durchkontaktierung vorgesehen. Wie oben ausgeführt, können als Durchkontierung auch die anhand der vorhergehenden Figuren beschriebenen Formen von Durchkontaktierungen verwendet werden, um optoelektronische Bauelemente mit Durchkontaktierungen herzustellen.
  • Das anhand der 1 bis 6 beschriebene Verfahren kann auch zur Einbettung des optoelektronischen Bauelementes und der Einbringung von wenigstens zwei Durchkontaktierungen verwendet werden, wobei das Bauelement den ersten elektrischen Kontakt 10 und den zweiten elektrischen Kontakt 13 auf der Oberseite aufweist, wobei der erste elektrische Kontakt und der zweite elektrische Kontakt über zwei entsprechende Durchkontaktierungen im Formkörper auf eine Unterseite geführt sind.
  • 22 zeigt in einer schematischen Anordnung ein optoelektronisches Bauelement 16, das auf einer oberen Seite einen ersten und einen zweiten elektrischen Kontakt 10, 13 aufweist, die voneinander beabstandet und elektrisch voneinander isoliert sind. Die zwei elektrischen Kontakte werden zum Betreiben des Bauelementes 16 verwendet. Der erste elektrische Kontakt 10 ist über eine zweite elektrische Schicht 14 mit einer Durchkontaktierung 3 elektrisch leitend verbunden. Die Durchkontaktierung 3 ist in den Formkörper 5 eingebettet und bis zu einer unteren Seite des Formkörpers 5 geführt. Auf der unteren Seite des Formkörpers 5 ist ein weiterer erster elektrischer Kontakt 11 angeordnet, der mit der Durchkontaktierung 3 elektrisch leitend verbunden ist. Der zweite elektrische Kontakt 13 ist über eine weitere zweite elektrische Schicht 14 mit einer weiteren Durchkontaktierung 3 elektrisch leitend verbunden. Die weitere Durchkontaktierung 3 ist in den Formkörper 5 eingebettet und bis zu einer ersten Seite des Formkörpers 5 geführt. Auf der ersten Seite des Formkörpers 5 ist ein weiterer erster elektrischer Kontakt 11 angeordnet, der mit der Durchkontaktierung 3 elektrisch leitend verbunden ist. Die Durchkontaktierung 3 kann in einer der in den vorhergehenden Beispielen beschriebenen Formen realisiert sein. Insbesondere kann die Durchkontaktierung in Form eines gebogenen oder gefalteten Bandes oder in Form einer Spirale oder in Form von verbundenen Leitungselementen ausgebildet sein.
  • 23 zeigt eine Ansicht von unten auf das Bauelement 16 der 22 mit Blick auf die zwei weiteren ersten elektrischen Kontakte 11 der zwei Durchkontaktierungen 3.
  • Obwohl die Erfindung im Detail durch das bevorzugte Ausführungsbeispiel näher illustriert und beschrieben wurde, so ist die Erfindung nicht durch die offenbarten Beispiele eingeschränkt und andere Variationen können vom Fachmann hieraus abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen.
  • Bezugszeichenliste
  • 1
    Träger
    2
    optoelektronischer Halbleiterchip
    3
    Durchkontaktierung
    4
    Formmasse
    5
    Formkörper
    6
    erste Seite
    7
    erste Kontaktfläche
    8
    zweite Seite
    9
    zweite Kontaktfläche
    10
    erster elektrischer Kontakt
    11
    weiterer erster elektrischer Kontakt
    12
    zweiter Träger
    13
    zweiter elektrischer Kontakt
    14
    zweite elektrische Schicht
    15
    Konversionschicht
    16
    Bauelement
    17
    gefaltetes Band
    18
    erster Abschnitt
    19
    erster Zwischenabschnitt
    20
    zweiter Abschnitt
    21
    zweiter Zwischenabschnitt
    22
    dritter Abschnitt
    23
    weitere Ausnehmung
    24
    gebogenes Band
    25
    erster Endbereich
    26
    zweiter Endbereich
    27
    erster Draht
    28
    zweiter Draht
    29
    dritter Draht
    30
    Verbindungsbereich
    31
    erstes Ende
    32
    zweites Ende
    33
    Spirale
    34
    erste Windung
    35
    letzte Windung
    36
    obere Windungsabschnitte
    37
    untere Windungsabschnitte
    38
    Längsachse
    39
    Mäanderband
    40
    erster Abschnitt
    41
    erster Zwischenabschnitt
    42
    zweiter Abschnitt
    43
    zweiter Zwischenabschnitt
    44
    dritter Abschnitt
    45
    dritter Zwischenabschnitt
    46
    vierter Abschnitt
    47
    vierter Zwischenabschnitt
    48
    fünfter Abschnitt
    50
    Ausnehmung
    51
    Band
    60
    Schnittlinie
    67
    erstes Band
    68
    zweites Band
    69
    drittes Band
    73
    zweite Spirale
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • DE 102009036621 A1 [0002]

Claims (16)

  1. Optoelektronisches Bauelement (16) aufweisend: einen Formkörper (5), einen Halbleiterchip (2), eine elektrische Durchkontaktierung (3), die eine elektrisch leitende Verbindung durch den Formkörper (5) darstellt, wobei die Durchkontaktierung (3) und der Halbleiterchip (2) nebeneinander und beabstandet im Formkörper (5) eingebettet sind, wobei ein elektrischer Kontakt (13) des Halbleiterchips (2) auf einer Oberseite des Halbleiterchips (2) ausgebildet ist, wobei eine erste Kontaktfläche der Durchkontaktierung (3) an der Unterseite des Formkörpers (5) angeordnet ist, wobei eine zweite Kontaktfläche der Durchkontaktierung (3) an einer Oberseite des Formkörpers (5) angeordnet ist, wobei die zweite Kontaktfläche (9) mit dem elektrischen Kontakt (13) des Halbleiterchips elektrisch leitend verbunden ist, wobei die Durchkontaktierung (3) in der Weise ausgebildet ist, dass wenigstens in einem Abschnitt zwischen der ersten und der zweiten Kontaktfläche (7, 9) auf einer Geraden zwischen der ersten und der zweiten Kontaktfläche ein Formkörper (5, 50) angeordnet ist.
  2. Bauelement nach Anspruch 1, wobei die Durchkontaktierung in Form eines gebogenen oder gefalteten Bandes (17, 24, 39) ausgebildet ist, wobei ein erster Abschnitt des Bandes (17, 24, 39) die erste Kontaktfläche bildet, wobei ein zweiter Abschnitt des Bandes (17, 24, 39) die zweite Kontaktfläche bildet, und wobei die zwei Abschnitte über einen Verbindungsabschnitt miteinander verbunden sind, wobei das Band (17, 24, 39) zwischen der ersten und der zweiten Kontaktfläche flexibel, insbesondere elastisch oder plastisch verformbar ausgebildet ist.
  3. Bauelement nach Anspruch 1, wobei die Durchkontaktierung eine Spiralform (33) aufweist, wobei ein erstes Ende (34) der Spiralform (33) die erste Kontaktfläche bildet, und wobei ein zweites Ende (35) der Spiralform (33) die zweite Kontaktfläche bildet.
  4. Bauelement nach Anspruch 1, wobei die Durchkontaktierung eine Spiralform (33) aufweist, wobei die Spiralform parallel mit einer Längsachse quer, insbesondere parallel zu einer Oberseite des Formkörpers (5) angeordnet ist, wobei obere Windungsabschnitte (36) eine erste Kontaktfläche der Durchkontaktierung bilden, wobei untere Windungsabschnitte (37), die gegenüberliegend zu den oberen Windungsabschnitten (36) angeordnet sind, eine zweite Kontaktfläche der Durchkontaktierung bilden.
  5. Bauelement nach Anspruch 1, wobei die Durchkontaktierung in Form von wenigstens zwei miteinander mechanisch verbundenen, insbesondere verdrillten Leitungselementen (27, 28, 29; 67, 68, 69) ausgebildet ist, wobei die Enden (31, 32) der Leitungselemente (27, 28, 29; 67, 68, 69) die erste und die zweite Kontaktfläche (31, 32) bilden.
  6. Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei eine Durchkontaktierung (17, 24, 39) eine Ausnehmung (23, 50), insbesondere ein Loch aufweist, das mit Formkörper (5) wenigstens teilweise gefüllt ist.
  7. Bauelement nach einem der Ansprüche 2 oder 5, wobei das Band (17, 39, 51) wenigstens zwei Abschnitte, insbesondere drei Abschnitte (18, 20, 22; 42, 44, 46, 48) aufweist, wobei die wenigstens zwei Abschnitte (18, 20, 22; 42, 44, 46, 48) im Wesentlichen parallel zueinander angeordnet sind und über wenigstens einen Zwischenabschnitt (18, 20, 22; 42, 44, 46, 48) miteinander verbunden sind.
  8. Bauelement nach Anspruch 7, wobei das Band (51, 39) mäanderförmig (39) ausgebildet ist.
  9. Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei eine weitere elektrische Durchkontaktierung (3) vorgesehen ist, wobei die weitere elektrische Durchkontaktierung (3) eine elektrisch leitende Verbindung durch den Formkörper (5) darstellt, wobei die weitere Durchkontaktierung (3) beabstandet zum Halbleiterchip und zur Durchkontaktierung (3) im Formkörper (5) eingebettet ist, wobei ein weiterer elektrischer Kontakt (10) des Halbleiterchips (2) auf der Oberseite des Halbleiterchips (2) ausgebildet ist, wobei eine weitere erste Kontaktfläche (11) der weiteren Durchkontaktierung (3) an der Unterseite des Formkörpers (5) angeordnet ist, wobei eine weitere zweite Kontaktfläche (9) der weiteren Durchkontaktierung (3) an der Oberseite des Formkörpers (5) ausgebildet ist, wobei die weitere zweite Kontaktfläche (9) mit dem weiteren zweiten elektrischen Kontakt (13) des Halbleiterchips (2) elektrisch leitend verbunden ist, wobei die weitere Durchkontaktierung (3) in der Weise ausgebildet ist, dass wenigstens in einem Abschnitt zwischen der ersten und der zweiten Kontaktfläche (7, 9) auf einer Geraden zwischen der ersten und der zweiten Kontaktfläche ein Formkörper (5, 50) angeordnet ist.
  10. Bauelement nach Anspruch 9, wobei die weitere Durchkontaktierung in Form eines gebogenen oder gefalteten Bandes (17, 24, 39) oder in Form einer Spirale (33, 73) oder in Form von verdrillten Leitungselementen (27, 28, 29; 67, 68, 69) ausgebildet ist.
  11. Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Halbleiterchip (2) einen ersten elektrischen Kontakt (10) auf einer Unterseite aufweist.
  12. Verfahren zum Herstellen eines Bauelementes nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei ein Halbleiterchip mit wenigstens einer Durchkontaktierung in einen Formkörper eingebettet wird, wobei die Durchkontaktierung eine elektrisch leitende Verbindung von einer Oberseite zu einer Unterseite des Formkörpers darstellt, wobei die Durchkontaktierung und der Halbleiterchip nebeneinander und beabstandet im Formkörper eingebettet werden, wobei ein zweiter elektrischer Kontakt des Halbleiterchips auf einer Oberseite des Halbleiterchips ausgebildet wird, wobei eine erste Kontaktfläche des Durchkontaktes auf der Unterseite des Formkörpers angeordnet wird, wobei eine zweite Kontaktfläche der Durchkontaktierung auf der Oberseite des Formkörpers angeordnet wird, wobei die zweite Kontaktfläche mit dem zweiten elektrischen Kontakt des Halbleiterchips elektrisch leitend verbunden wird, wobei die Durchkontaktierung in der Weise ausgebildet wird, dass wenigstens in einem Abschnitt zwischen der ersten und der zweiten Kontaktfläche auf einer Geraden zwischen der ersten und der zweiten Kontaktfläche ein Formkörper angeordnet wird.
  13. Verfahren nach Anspruch 12, wobei die Durchkontaktierung in Form eines gefalteten Bandes ausgebildet wird, wobei ein erster Abschnitt des Bandes die erste Kontaktfläche bildet, wobei ein zweiter Abschnitt des Bandes die zweite Kontaktfläche bildet, und wobei die zwei Abschnitte über einen Verbindungsabschnitt miteinander verbunden sind, wobei das Band zwischen der ersten und der zweiten Kontaktfläche flexibel, insbesondere elastisch oder plastisch verformbar ist.
  14. Verfahren nach Anspruch 13, wobei die Durchkontaktierung eine Spiralform aufweist, wobei die Spiralform mit einer Längsachse parallel oder senkrecht zwischen der Oberseite und der Unterseite des Formkörpers angeordnet wird.
  15. Verfahren nach Anspruch 13, wobei die Durchkontaktierung in Form von wenigstens zwei miteinander mechanisch verbundenen, insbesondere verdrillten Leitungselementen ausgebildet wird, wobei Enden der Drähte die erste und die zweite Kontaktfläche bilden.
  16. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 15, wobei Durchkontaktierung eine Ausnehmung, insbesondere ein Loch aufweist, das mit Formkörper gefüllt wird.
DE102015109333.2A 2015-06-11 2015-06-11 Optoelektronisches Bauelement Pending DE102015109333A1 (de)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102015109333.2A DE102015109333A1 (de) 2015-06-11 2015-06-11 Optoelektronisches Bauelement
PCT/EP2016/063113 WO2016198502A1 (de) 2015-06-11 2016-06-09 Optoelektronisches bauelement und herstellungsverfahren dafür
US15/735,587 US10361350B2 (en) 2015-06-11 2016-06-09 Optoelectronic component and production method therefor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102015109333.2A DE102015109333A1 (de) 2015-06-11 2015-06-11 Optoelektronisches Bauelement

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102015109333A1 true DE102015109333A1 (de) 2016-12-15

Family

ID=56116437

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102015109333.2A Pending DE102015109333A1 (de) 2015-06-11 2015-06-11 Optoelektronisches Bauelement

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10361350B2 (de)
DE (1) DE102015109333A1 (de)
WO (1) WO2016198502A1 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019162443A1 (de) * 2018-02-23 2019-08-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Opto-elektronische baugruppe, verfahren und formteil
WO2022136419A1 (de) * 2020-12-22 2022-06-30 Ams-Osram International Gmbh Halbleiterbauteil und verfahren zur herstellung eines halbleiterbauteils

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7332880B2 (ja) 2019-09-30 2023-08-24 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
WO2023169673A1 (en) * 2022-03-09 2023-09-14 Ams-Osram International Gmbh Optoelectronic package and method for manufactuiring an optoelectronic package

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040125515A1 (en) * 2002-08-26 2004-07-01 Popovich John M. Electronic assembly/system with reduced cost, mass, and volume and increased efficiency and power density
DE102007019809A1 (de) * 2006-05-01 2007-11-15 Avago Technologies General Ip Pte. Ltd. Leuchtdiodengehäuse mit direkter Leitungsrahmen-Wärmeableitung
DE102009036621A1 (de) 2009-08-07 2011-02-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements und optoelektronisches Halbleiterbauelement
DE102010024862A1 (de) * 2010-06-24 2011-12-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement
US20120175657A1 (en) * 2011-01-11 2012-07-12 Lextar Electronics Corporation Light-emitting diode lamp with an improved leadframe
EP2672535A2 (de) * 2012-06-06 2013-12-11 Dai-Ichi Seiko Co., Ltd. Gehäuse für elektrische Teile

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4651008B2 (ja) 2005-02-01 2011-03-16 シチズン電子株式会社 発光ダイオード
KR100845856B1 (ko) 2006-12-21 2008-07-14 엘지전자 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조방법
US7888184B2 (en) * 2008-06-20 2011-02-15 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit packaging system with embedded circuitry and post, and method of manufacture thereof
KR20120020983A (ko) * 2010-08-31 2012-03-08 삼성전자주식회사 패키지 온 패키지
US8987022B2 (en) 2011-01-17 2015-03-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting device package and method of manufacturing the same
US9236547B2 (en) 2011-08-17 2016-01-12 3M Innovative Properties Company Two part flexible light emitting semiconductor device
DE102012212968A1 (de) * 2012-07-24 2014-01-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches halbleiterbauteil mit elektrisch isolierendem element
DE102013203350A1 (de) 2013-02-28 2014-08-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102013222200A1 (de) 2013-10-31 2015-08-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelements

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040125515A1 (en) * 2002-08-26 2004-07-01 Popovich John M. Electronic assembly/system with reduced cost, mass, and volume and increased efficiency and power density
DE102007019809A1 (de) * 2006-05-01 2007-11-15 Avago Technologies General Ip Pte. Ltd. Leuchtdiodengehäuse mit direkter Leitungsrahmen-Wärmeableitung
DE102009036621A1 (de) 2009-08-07 2011-02-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements und optoelektronisches Halbleiterbauelement
DE102010024862A1 (de) * 2010-06-24 2011-12-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement
US20120175657A1 (en) * 2011-01-11 2012-07-12 Lextar Electronics Corporation Light-emitting diode lamp with an improved leadframe
EP2672535A2 (de) * 2012-06-06 2013-12-11 Dai-Ichi Seiko Co., Ltd. Gehäuse für elektrische Teile

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019162443A1 (de) * 2018-02-23 2019-08-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Opto-elektronische baugruppe, verfahren und formteil
US11527689B2 (en) 2018-02-23 2022-12-13 Osram Oled Gmbh Optoelectronic assembly, method and molded part
WO2022136419A1 (de) * 2020-12-22 2022-06-30 Ams-Osram International Gmbh Halbleiterbauteil und verfahren zur herstellung eines halbleiterbauteils

Also Published As

Publication number Publication date
US10361350B2 (en) 2019-07-23
WO2016198502A1 (de) 2016-12-15
US20180315910A1 (en) 2018-11-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE4310288B4 (de) Oberflächenmontierbarer Widerstand
EP3262666B1 (de) Elektrisches bauelement und verfahren zur herstellung eines elektrischen bauelements
DE102014104399B4 (de) Halbleiterchipgehäuse umfassend einen Leadframe
DE102019212672A1 (de) Spulenkomponente
DE102016208431A1 (de) Anordnung mit einem elektrischen Bauteil
DE102011013449A1 (de) Baugruppe mit einem Träger, einem SMD-Bauteil und einem Stanzgitterteil
DE102013213073A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes
DE102015109333A1 (de) Optoelektronisches Bauelement
DE3010876A1 (de) Verfahren zur herstellung einer leiterplatte
DE102010027149A1 (de) Verbiegbare Metallkernleiterplatte
EP0811995B1 (de) Magnetspule sowie Verfahren zu deren Herstellung
DE102009016160B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer Kontaktvorrichtung und Kontaktvorrichtung
DE2603151B2 (de) Bauelement für Schalt- und/oder Trennleisten in Verteilern für Fernmeldeanlagen
DE102008045408A1 (de) Befestigungsstruktur für eine elektronische Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben
DE102013219992A1 (de) Schaltungsvorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
DE202021101540U1 (de) Optimierte Stanzgitteranordnung
DE102013109234B4 (de) Leiterplatteneinheit mit Mitteln zur Kontaktierung eines Randkontaktsteckers
DE10333840A1 (de) Halbleiterbauteil mit einem Kunststoffgehäuse, das eine Umverdrahrungsstruktur aufweist und Verfahren zu deren Herstellung
DE3440925C2 (de)
DE102014217938B4 (de) Elektronisches Bauelement
DE10352349B4 (de) Halbleiterchip mit Flip-Chip-Kontakten und Verfahren zur Herstellung desselben
DE10152128C1 (de) Vorrichtung zur elektrischen Verbindung wenigstens zweier räumlich voneinander getrennter Elektrodenbereiche, Verwendung derselben sowie Verfahren zur Herstellung einer Brückenverbindung auf einem einlagigen Schaltungsträger
DE102017207677A1 (de) Platinenverbindungsstecker, Platinenverbund und Verfahren zur Herstellung eines Platinenverbindungssteckers
DE202010013738U1 (de) Elektrischer Verbinder
DE102008044379A1 (de) Drahtbasierte Schaltungsvorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer drahtbasierten Schaltungsvorrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
R163 Identified publications notified
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication