JP2017135253A - 発光装置、および発光装置の製造方法 - Google Patents

発光装置、および発光装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2017135253A
JP2017135253A JP2016013707A JP2016013707A JP2017135253A JP 2017135253 A JP2017135253 A JP 2017135253A JP 2016013707 A JP2016013707 A JP 2016013707A JP 2016013707 A JP2016013707 A JP 2016013707A JP 2017135253 A JP2017135253 A JP 2017135253A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
emitting device
light
molded body
resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2016013707A
Other languages
English (en)
Inventor
若浩 川井
Wakahiro Kawai
若浩 川井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Omron Corp
Original Assignee
Omron Corp
Omron Tateisi Electronics Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Omron Corp, Omron Tateisi Electronics Co filed Critical Omron Corp
Priority to JP2016013707A priority Critical patent/JP2017135253A/ja
Priority to PCT/JP2016/084781 priority patent/WO2017130544A1/ja
Priority to CN201680046141.4A priority patent/CN107851697A/zh
Priority to EP16888128.2A priority patent/EP3410499B1/en
Priority to US15/750,836 priority patent/US20180233640A1/en
Priority to TW105141492A priority patent/TWI643366B/zh
Publication of JP2017135253A publication Critical patent/JP2017135253A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/56Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/14Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/14Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
    • B29C45/14639Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/568Temporary substrate used as encapsulation process aid
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H01L2221/68386Separation by peeling
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04105Bonding areas formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bonding areas on chip-scale packages
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/241Disposition
    • H01L2224/24135Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/24137Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/241Disposition
    • H01L2224/24151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/24153Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H01L2224/24195Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate the item being a discrete passive component
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93Batch processes
    • H01L2224/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/96Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being encapsulated in a common layer, e.g. neo-wafer or pseudo-wafer, said common layer being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • H01L2924/1815Shape
    • H01L2924/1816Exposing the passive side of the semiconductor or solid-state body
    • H01L2924/18162Exposing the passive side of the semiconductor or solid-state body of a chip with build-up interconnect
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/641Heat extraction or cooling elements characterized by the materials

Abstract

【課題】より小型化かつ薄型化された発光装置を実現する。【解決手段】発光装置(1)において、LED素子(3〜6)は、発光部(32〜62)が樹脂成型体(2)における表面(21)に向きかつ陽極(33〜63)および陰極(34〜64)が樹脂成型体2における裏面(23)に露出するように、樹脂成型体(2)に埋設されている。【選択図】図1

Description

本発明は、発光ダイオード(LED)素子等の発光素子を有する発光装置に関する。
従来、電子写真方式等のプリンタで用いられている光プリンタヘッド、または光表示装置等で用いられる発光電子装置として、複数の発光ダイオード(LED)素子を有する発光装置が良く用いられる。このような発光装置の一例を、図6に示す。
図6は、従来技術に係る発光装置101の構成を示す図である。図6の(a)に示すように、発光装置101は、プリント基板102および複数のLED素子103を備えている。また、図6の(b)に示すように、LED素子103は、基部131、発光部132、陽極133、および陰極134を備えている。
プリント基板102の表面には、エッチング等の方法によって配線121が形成されている。
基部131における一方の面に、発光ダイオードからなる発光部132が設けられている。さらに、基部131における他方の面に、陽極133および陰極134が設けられている。各LED素子103は、陽極133および陰極134がはんだ材料122を用いて配線121に接続されることによって、プリント基板102の表面に実装されている。
しかし、図6に示す発光装置101のように、プリント基板102の表面にLED素子103を実装させる構成では、はんだ材料122を硬化させる際のはんだ材料122の熱収縮等が原因となって、LED素子103の高さおよび実装位置が仕様からずれる恐れがある。このようなずれが生じると、完成された発光装置101の発光特性が仕様からばらつく問題が生じる。また、はんだ材料122を硬化させるための高熱の印加によって、LED素子103の特性が変化する問題もある。
さらに、近年の電子装置の小型化および薄型化への要求の高まりから、発光装置の小型化が必要になっている。しかし、従来のはんだ材料122を用いる実装方法によって得られる発光装置101では、はんだ材料122の濡れ広がり、または実装強度を確保するため等の観点によって、発光装置101におけるはんだ材料122の設置スペースを確保する必要が生じる。したがって発光装置101の小型化に限界が生じる。
そこで従来、はんだ材による表面実装時のLED位置ずれへの対策として、次のような各種の提案がなされている。
特許文献1には、プリント基板上のLED実装位置に溝を形成し、該溝にLEDの実装ピッチと同寸法のダミーを接合したLED部材を挿入することで、LEDの実装位置を固定する方法が開示されている。
特許文献2には、プリント基板に形成した孔に接着剤を投入し、該接着剤の上部にLEDを実装して硬化することによってLEDの実装位置を固定する方法が開示されている。
特許文献3には、LEDを一旦位置決めされた部材と組み立てた上で、プリント基板の回路にLEDをはんだ材付けしてLEDの実装位置を固定する方法が開示されている。
特開昭64−25582号公報(1989年1月27日公開) 特開平11−219961号公報(1999年8月10日公開) 特開2008−16297号公報(2008年1月24日公開) 特開平5−150807号公報(1993年7月30日公開) 特開平9−179512号公報(1997年7月11日公開)
しかし、これらの従来技術では、基板への加工、ダミー部材、組立部材等の加工精度の観点から、ミクロン単位のLED実装位置の精度を実現することは困難である。
さらに、溝または孔の加工スペース、あるいはダミー部材または組立部材の設置スペースが必要になるため、発光装置が大型化してしまうといった問題がある。さらに、プリント基板に追加工を施したり、組立部材を作製するために製造コストが上昇したり、製造工程が複雑で製造歩留りを低下させてしまうといった問題もある。
本発明は、前記の課題を解決するためになされたものである。そして、その目的は、より小型化かつ薄型化された発光装置、およびそのような発光装置をより簡易に製造する製造方法を実現することにある。
本発明に係る発光装置は、上記の課題を解決するために、樹脂成型体と、少なくとも発光部および電極を有し、前記発光部が前記樹脂成型体における表面に向きかつ前記電極が前記樹脂成型体における前記表面に対向する裏面に露出するように、前記樹脂成型体に埋設されている発光素子と、前記樹脂成型体における前記裏面に形成され、かつ前記電極に接続される配線とを備えていることを特徴としている。
上記の構成によれば、発光素子が樹脂成型体に埋設される形で発光装置に実装されている。そのため、発光素子を実装するためのプリント基板を必要としないので、発光装置の高さを発光素子(樹脂成型体)の高さにほぼ一致させることができる。また、樹脂成型体の裏面に露出する発光素子の電極に接続される配線は、印刷によって形成することができるので、接続のためのはんだ材料を用いる必要がない。これにより、発光素子間のはんだ材料用のスペースが不要になるので、発光素子間の実装ピッチを最小限にすることができる。
以上のように、本発明によれば、より小型化かつ薄型化された発光装置を実現することができる。
本発明に係る発光装置は、さらに、前記発光部が前記表面に露出していることを特徴としている。
上記の構成によれば、発光部からの光が樹脂成型体によって阻害されることなく発光装置の表面から発せされる。また、樹脂成型体を光透過性の低い材料によって構成することもできる。
本発明に係る発光装置は、さらに、前記樹脂成型体が、90%以上の光反射率を有する樹脂材料によって構成されていることを特徴としている。
上記の構成によれば、発光装置が複数の発光素子を備えている場合、各発光素子からの発光が、隣接する発光素子の方向に漏れることを抑制することができるので、各発光同士の干渉を減らすことができる。
本発明に係る発光装置は、さらに、前記樹脂成型体が、80%以上の光透過率を有する樹脂材料によって構成されていることを特徴としている。
上記の構成によれば、視認性および装飾性の良い発光が発光装置から発せられる。
本発明に係る発光装置は、さらに、前記樹脂成型体が、1W/m・K以上の熱伝導率を有する樹脂材料によって構成されていることを特徴としている。
上記の構成によれば、発光素子の発熱が樹脂成型体を通じて発光装置の外部に放出されやすいので、発熱による問題を抑制することができる。
本発明に係る発光装置は、さらに、複数の前記発光素子が前記樹脂成型体に埋設されており、それぞれの前記発光素子が備える前記電極が、前記配線によって互いに接続されていることを特徴としている。
上記の構成によれば、複数の発光素子を備えた発光装置を実現することができる。
本発明に係る発光装置は、さらに、前記樹脂成型体に埋設され、かつ前記発光素子を駆動する駆動回路をさらに備えており、前記電極と前記駆動回路が、前記配線によって互いに接続されていることを特徴としている。
上記の構成によれば、電源の投入のみで発光する発光装置を実現することができる。
本発明に係る発光装置では、さらに、前記樹脂成型体における前記発光部の上部に、前記発光部からの光に指向性を付与する光学部品が形成されていることを特徴としている。
上記の構成によれば、指向性が付与された光を発光装置から発することができる。
本発明に係る発光装置は、さらに、前記発光素子は発光ダイオード素子であることを特徴としている。
上記の構成によれば、低消費電力の発光装置を実現することができる。
本発明に係る発光装置の製造方法は、上記の課題を解決するために、少なくとも発光部および電極を有する発光素子を、当該電極が仮固定フィルムに接する形で当該仮固定フィルムに仮固定する工程と、前記発光素子が仮固定された仮固定フィルムを金型内の空隙に配置し、当該空隙に樹脂材料を注入することによって、前記発光素子が埋設された樹脂成型体を形成する工程と、前記樹脂成型体から前記仮固定フィルムを剥離する工程と、前記樹脂成型体における前記電極が露出する裏面に、前記電極と接続される配線を形成する工程とを有することを特徴としている。
上記の構成によれば、より小型化かつ薄型化された発光装置をより簡易に製造することができる。
本発明の一態様によれば、より小型化かつ薄型化された発光装置、およびそのような発光装置をより簡易に製造する製造方法を実現することができる。
本発明の実施形態1に係る発光装置の構成を示す図である。 本発明の実施形態1に係る発光装置を製造する方法を説明する図である。 本実施形態に係る発光装置におけるLED素子の実装間距離の設計数値からのずれ量を示す図である。 本発明の実施形態2に係る発光装置の構造を示す図である。 本発明の実施形態6に係る発光装置の構成を示す図である。 従来技術に係る発光装置の構成を示す図である。
〔実施形態1〕
本発明に係る実施形態1について、図1〜3を参照して以下に説明する。
図1は、本発明の実施形態1に係る発光装置1の構成を示す図である。図1の(a)は、発光装置1をその発光面(表面)から見た図であり、図1の(b)は、発光装置1をその発光面と直交する面(側面)から見た図であり、図1の(c)は、発光装置1をその発光面と対向する面(裏面)から見た図である。
図1に示すように、発光装置1は、樹脂成型体2、LED素子(発光ダイオード素子、発光素子)3〜6、および配線71〜75を備えている。
樹脂成型体2は、発光装置1の基体としての役割を有し、各種の樹脂材料によって構成される。このような材料として、たとえばPC(ポリカーボネート)またはABS(アクリロニトリルブタジエンスチレン)が挙げられる。
LED素子3〜6は、SMD(表面実装)タイプのLED素子である。図1に示すように、LED素子3は、基部31、発光部32、陽極33(電極)、および陰極34(電極)を備えている。LED素子4は、基部41、発光部42、陽極43(電極)、および陰極44(電極)を備えている。LED素子5は、基部51、発光部52、陽極53(電極)、および陰極54(電極)を備えている。LED素子6は、基部61、発光部62、陽極63(電極)、および陰極64(電極)を備えている。
基部31はLED素子3の本体部分である。基部31の表面に、LEDからなる発光部32が形成されている。LED素子3が発光するとき、光は発光部32から発せされる。陽極33および陰極34は、発光装置1の外部部品または発光装置1内の他のLED素子4〜6のいずれかと接続される接続電極である。陽極33および陰極34は、基部31における表面と対向する裏面に、形成されている。
LED素子4〜6の詳細な構成はLED素子3と同様であるため、詳細な説明を省略する。
LED素子3〜6は、樹脂成型体2の内部に埋設されている。図1に示すように、発光装置1では、4個のLED素子3〜6が直線的に配置されている。図1の(a)に示すように、発光部32〜62は、樹脂成型体2の表面21に露出している。したがって、図1の(b)の矢印に示すように、発光装置1が発光するとき、光は樹脂成型体2の表面21から発せられる。
図1の(c)に示すように、陽極33〜63および陰極34〜64は、樹脂成型体2の表面21に対向する裏面23に露出している。
配線71〜75は、樹脂成型体2の裏面23に形成されており、対応する陽極33〜63または陰極34〜64の少なくともいずれかに接続されている。配線71〜75は、たとえば銀インク等を用いた印刷方法によって、樹脂成型体2の裏面23に印刷によって形成される。したがって、配線71〜75と、陽極33〜63または陰極34〜64との接続にはんだ材料は不要である。
図1に示すように、配線71の一端は、陽極33に接続されている。配線71の他端は、発光装置1の外部にある図示しない駆動回路に接続されている。配線72の一端は、陰極34に接続されており、他端は陽極43に接続されている。このように、配線72はLED素子3とLED素子4とを結線する役割を有する。
配線73の一端は、陰極44に接続されており、他端は陽極53に接続されている。このように、配線73はLED素子4とLED素子5とを結線する役割を有する。
配線74の一端は、陰極54に接続されており、他端は陽極63に接続されている。このように、配線74はLED素子5とLED素子6とを結線する役割を有する。
配線75の一端は、陰極64に接続されている。配線75の他端は、発光装置1の外部にある図示しない駆動回路に接続されている。
以上のように、LED素子3〜6は、配線71〜75を用いて互いに直列接続されている。したがって、外部の駆動回路によってLED素子3〜6が一度に駆動されると、LED素子3〜6は同時に発光する。
本実施形態に係る発光装置1は、電子写真方式のプリンタに搭載される光プリンタヘッド等に好適に用いられる。特に、発光装置1における発光面と、配線71〜75の形成面とが発光装置1の表面および裏面に相当することから、LED素子3〜6を駆動する駆動回路またはプリンタを構成する他部品と発光装置1との組立性を良くすることができる。
(発光装置1の製造方法)
図2は、本実施形態に係る発光装置1を製造する方法を説明する図である。この図を参照して、本実施形態に係る発光装置1の製造方法を以下に説明する。
(仮固定工程)
まず、図2の(a)に示すように、LED素子3〜6を仮固定するための仮固定フィルム11を用意し、この仮固定フィルム11にLED素子3〜6を仮固定する。仮固定フィルム11として、たとえばPET(ポリエチレンテレフタレート)製のフィルムが用いられる。
本実施形態では、LED素子3〜6の陽極33〜63および陰極34〜64が仮固定フィルム11に接するように、LED素子3〜6を仮固定フィルム11に接着剤等を用いて仮固定する。この仮固定には、仮固定フィルム11に塗布されたたとえば紫外線硬化型の接着剤(図示せず)を用いることができる。具体的には、接着材として(有)グルーラボ製のGL−3005Hを用い、50μmのPET製の仮固定フィルム11に接着剤を2〜3μmの厚さで塗布する。
それから、仮固定フィルム11におけるLED素子3〜6の位置を決定し、LED素子3〜6を仮固定フィルム11における決定された位置に設置する。その後、3000mJ/cmの紫外線を仮固定フィルム11およびLED素子3〜6に照射することによって、接着剤を硬化させる。これにより、LED素子3〜6が仮固定フィルム11に仮固定される。
(射出成型工程)
次に、図2の(b)に示すように、仮固定工程において作製したLED素子3〜6が仮固定された仮固定フィルム11を、金型12と金型13との間にある空隙内に配置し、それから樹脂材料を当該空隙内に注入する。これにより、LED素子3〜6が樹脂成型体2に内に埋設されるように、樹脂材料の射出成型を行う。
この工程に用いる樹脂材料としては、PC(ポリカーボネート)およびABS(アクリロニトリルブタジエンスチレン)などの多様な樹脂材料が挙げられる。PCを用いる場合、PCを射出温度270℃かつ射出圧力100Mpaで用いる。ABSを用いる場合、ABSを射出温度180℃かつ射出圧力20kgf/cmで用いる。
(剥離工程)
次に、図2の(c)に示すように、射出成型工程において得られた射出成型品を、金型12と金型13との間にある空隙から取り出し、それから仮固定フィルム11を射出成型品から剥離する。これにより、LED素子3〜6の発光部32〜62が樹脂成型体2の表面に露出する。一方、LED素子3〜6の陽極33〜63および陰極34〜64が、樹脂成型体2の裏面に露出する。
なお、仮固定フィルム11として使用したPETフィルムは、射出成型工程における射出成型時の熱によって大きく変形し、射出成型品から剥離した状態になっている。そのため、仮固定フィルム11を射出成型品から容易に分離することができる。
(配線形成工程)
最後に、図2の(d)に示すように、樹脂成型体2の裏面23に露出した各LED素子3〜6の陽極33〜63および陰極34〜64に接続される配線71〜75を、樹脂成型体2の裏面23に形成する。これにより、発光装置1が完成される。
配線71〜75の形成には、さまざまな方法を用いることができる。たとえば、インクジェットプリンタ等を用いて導電材料(たとえば銀インク等)を噴射して配線71〜75を印刷形成する方法、エアロゾルを用いて配線71〜75を形成する方法、またはディスペンサを用いて配線71〜75を形成する方法等が挙げられる。
(実装間距離のずれ量)
図3は、本実施形態に係る発光装置1におけるLED素子3〜6の実装間距離の設計数値からのずれ量を示す図である。この図に示すように、図2の(a)に示す仮固定工程(LED素子3〜6の仮固定時)におけるLED素子3とLED素子4との実装間距離a、およびLED素子4とLED素子5との実装間距離bの設計数値からのズレ量は、−12μmおよび+21μmであった。一方、図2の(b)に示す配線形成工程(発光装置1の完成時)におけるLED素子3とLED素子4との実装間距離a、およびLED素子4とLED素子5との実装間距離bの設計数値からのズレ量は、+14μmおよび+39μmであった。
図3に示すように、仮固定時におけるLED素子3〜6の実装間距離のずれ量は、発光装置1の完成時においてもほとんど変化がない。したがって、本実施形態によれば、仮固定フィルム11への仮固定時の位置通りにLED素子3〜6が配置される発光装置1を製造することができる。
(本実施形態の利点)
図1に示す発光装置1は、従来技術に係る発光装置では必要であるプリント基板を有しておらず、かつ、配線と電極(陽極、陰極)と接続するためのはんだ材料も必要としない。これにより、発光装置1の小型化および薄型化に寄与する次のような効果が得られる。
(1)発光装置1の高さをLED素子3〜6の高さにほぼ等しい最小のものにできるので、発光装置1を薄型化できる。
(2)従来技術におけるはんだ材料によるLED素子の電極と配線との接続には必要であったLED素子3〜6間のスペースが発光装置1には必要ないので、発光装置1にLED素子3〜6を実装する際のピッチ(LED素子3〜6の間隔)を従来技術よりも小さくすることができる。
また、本実施形態に係る発光装置1の製造方法では、LED素子3〜6が樹脂成型体2内に埋設されることによって樹脂成型体2内において固定されるため、発光装置1におけるLED素子3〜6の実装位置が、仮固定工程における仮固定フィルム11へのLED素子3〜6の設置位置に応じて正確に決まる。これにより、次の効果が得られる。
(3)発光装置1におけるLED素子3〜6の平面方向(X−Y方向)における実装位置の精度として、LED素子実装機における精度±50μm程度の正確なものが得られる。
(4)さらに、発光装置1におけるLED素子3〜6の高さ方向(H方向)の位置の精度を、仮固定工程において用いる接着剤の塗布厚さばらつき程度の数μm以内に抑えることができる。
また、本実施形態に係る発光装置1の製造方法には、従来技術におけるはんだ材料の硬化に要する260℃以上の熱処理が必要ではないので、次の効果が得られる。
(5)LED素子3〜6に高熱が印加されないので、LED素子3〜6における発光特性の変化を抑制することができる。
さらに、本実施形態に係る発光装置1の製造方法には、プリント基板の追加工程および他部材とLED素子3〜6との組み立て等の複雑な工程がないため、次の効果が得られる。
(6)発光装置1の製造歩留りを低下させる要因をなくせたり、発光装置1の部品コストおよび製造コストを低下させたりすることができる。
(変形例)
図1に示すLED素子3〜6の配置はあくまで一例に過ぎない。発光装置1が備える複数のLED素子は、たとえば樹脂成型体2の内部においてマトリックス状に配置されていてもよい。また、発光装置1は、LED素子3〜6以外の発光素子、たとえば有機EL素子等を備えている構成であってもよい。
〔実施形態2〕
本発明に係る実施形態2について、図4を参照して以下に説明する。なお、説明の便宜上、前記実施形態において説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
実施形態1では、樹脂成型体2の表面にLED素子3〜6の発光部32〜62が露出される構造の発光装置1について説明した。しかし本発明はこれに限られず、発光装置1は、発光部32〜62が樹脂成型体2内に埋設されている構造であってもよい。この場合、樹脂成型体2は一定の光透過性を有している必要がある。
図4は、本発明の実施形態2に係る発光装置1の構造を示す図である。本実施形態に係る発光装置1における発光部32〜62の上部には、図4に示すように、発光部32〜62からの発光に指向性を付与する所定の光学部品(構造物)があってもよい。図4の例では、発光部32の上部にはレンズ24が設けられ、発光部42の上部にはプリズム状の多面体25が設けられ、発光部52の上部には凹形状の光反射部26が設けられている。これらのレンズ24、多面体25、および光反射部26は、いずれも樹脂成型体2の一部として、樹脂成型体2の成型時に形成される。
従来技術では、これらの指向性を付与する部材は、LED素子とは別の部品として別途用意し、LED素子に組み付ける必要がある。これでは、発光装置の組み立てが複雑になったり、製造コストが高くなったりする問題が生ずる。また、図6に示すようなLED素子103をアレイ状に複数個実装する構成の発光装置101では、各LED素子103の実装位置がばらつく恐れがあることから、別部品として用意したレンズ等の光学部品とLED素子103との位置合わせ時に精度の高い調整が要求される問題がある。あるいは、位置あわせがうまくいかない結果として、発光装置101の不良率が高くなってしまう問題もある。
一方、本実施形態に係る発光装置1は、LED素子3〜6を樹脂成型体2に埋設させるのと同時に、LED素子3〜6の埋設位置にレンズ24等の光学部品を射出成型する。これにより、LED素子3〜6とは別の部品として用意したレンズ等の光学部品をLED素子3〜6に対して組み立てる必要がない。また、図3に示すようにLED素子3〜6の実装位置のばらつきもほとんどないため、LED素子3〜6とレンズ24等との精度の高い位置調整が不要になる。これにより、発光装置1の不良品の発生率を低下することができる。
〔実施形態3〕
本発明に係る実施形態3について以下に説明する。なお、説明の便宜上、前記実施形態において説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
図6に示す従来技術では、各LED素子103の発光面122からの発光は図6の矢印に示す上部方向以外のたとえば隣接するLED素子103の方向にも漏れる。これにより、各LED素子103からの発光が互いに干渉し合う状態になる。こうした状態の発光装置101を光プリンタヘッド等に用いると、ドット像をぼやけさせたり、書き込み記憶される画像品質を低下させたりするといった問題が生じる。
そこで、こうした問題への対策として、本実施形態では、発光装置1を構成する樹脂成型体2の材料として、90%以上の光反射率を有する樹脂材料を用いる。このような材料の例として、たとえば、PP(ポリプロピレン)系の樹脂であるフルブライト(パナソニック(株)製)、またはPC(ポリカーボネート)系の樹脂であるEHRグレード(三菱エンジニアリングプラスチック(株)製)材等が挙げられる。
このような材料からなる樹脂成型体2を備える発光装置1では、各LED素子3〜6の発光部32〜62からの発光が、隣接するLED素子3〜6の方向に漏れることを抑制することができる。そのため、各発光同士の干渉を減らす効果が得られる。
〔実施形態4〕
本発明に係る実施形態4について以下に説明する。なお、説明の便宜上、前記実施形態において説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
実施形態3では、LED素子3〜6が埋設される樹脂成型体2の材料として、高い光反射率を有する樹脂材を用いる例を説明した。しかし本発明はこれに限らず、樹脂成型体2の材料として、高い光透過性を有する透明樹脂材を用いることも可能である。
本実施形態に係る発光装置1では、発光装置1が備える樹脂成型体2の材料として、可視光線の80%以上を透過する光透過率を有する材料を用いる。このような材料として、たとえば、透明PC(ポリカーボネート)または透明アクリル樹脂等が挙げられる。
このような材料からなる樹脂成型体2を備える発光装置1では、発光装置1の発光面積が広く、かつ視認性および装飾性の良い発光が発光装置1から発せられる。したがって、発光装置1を、発光表示部を有するスイッチ、または電飾装置等に好適に用いることができる。
〔実施形態5〕
本発明に係る実施形態5について以下に説明する。なお、説明の便宜上、前記実施形態において説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
実施形態1では、LED素子3〜6が埋設される樹脂成型体2の材料としてPC(ポリカーボネート)およびABS(アクリロニトリルブタジエンスチレン)を用いる方法を説明したが、本発明はこれに限られない。樹脂成型体2の材料として、高い熱伝導性能を有する材料を用いることもできる。
近年、LED素子を照明等のライト部品として用いる用途が増え、この需要に伴うLED素子の高輝度化によってLED素子の発熱による問題が発生している。従来、こうしたLED素子の発熱に対する対策として、図6に示す従来技術に係る発光装置101において、プリント基板102にアルミ材等の金属を用いる方法、特殊な昇圧回路を用いてLED素子の発熱を最小限に抑える方法、あるいはLED素子に配線する電線を放熱体として用いる方法等が、採られている。
しかし、こうした従来の方法では、基板加工コストが増加したり、回路が複雑化したりすることによって、発光装置101の製造コストが増加する問題が生じたり、あるいは発光装置101の大きさの制限から十分な放熱が得られない問題などが生ずる。
そこで、こうした問題への対策として、本実施形態に係る発光装置1では、樹脂成型体2の材料として、1W/m・K以上の熱伝導率を有する材料を用いる。このような材料として、たとえば、トレリナH718LB(東レ(株)製)、あるいはユニチカ(株)製の高熱伝導絶縁性フィラーを混ぜたナイロン系樹脂が挙げられる。
このような材料からなる樹脂成型体2を備える発光装置1では、樹脂成型体2が、LED素子3〜6が発熱した熱を放熱する広面積のヒートシンクとして作用するため、LED素子3〜6の発熱による問題を抑制することができる。
〔実施形態6〕
本発明に係る実施形態6について、図5を参照して以下に説明する。なお、説明の便宜上、前記実施形態において説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
実施形態1では、樹脂成型体2内にLED素子3〜6のみが埋設される発光装置1を例示した。この発光装置1には、LED素子3〜6を駆動させるため駆動回路を別部品として接続する必要がある。しかし本発明はこれに限らず、LED素子3〜6が埋設される樹脂成型体2内には、LED素子3〜6を動作させるための駆動回路を構成する駆動IC、抵抗、およびコンデンサ等の各種の電子部品(チップ部品)等を埋設することも可能である。電源の投入のみでLEDを動作させることができる発光電子装置を作製できる。
図5は、本発明の実施形態6に係る発光装置1aの構成を示す図である。図5の(a)は、発光装置1aをその発光面(表面)から見た図であり、図5の(b)は、発光装置1aをその発光面と直交する面(側面)から見た図であり、図5の(c)は、発光装置1をその発光面と対向する面(裏面)から見た図である。
図5に示すように、発光装置1aは、樹脂成型体2、LED素子3、LED素子4、電子部品81、電子部品82、および電子部品83、配線71、配線72、および配線91〜95を備えている。
電子部品81〜83は、駆動回路を構成するたとえば駆動IC、抵抗、およびコンデンサ等の各種の電子部品である。電子部品81〜83は図示しない接続電極(陽極および陰極)をその裏面に備えており、これらの接続電極を樹脂成型体2の裏面23に露出させる形で樹脂成型体2内に埋設されている。
配線91〜95は、電子部品81〜83の接続電極に接続される配線であり、配線71および配線72と同様に、銀インク等を用いた印刷方法によって、樹脂成型体2の裏面23に形成される。したがって、電子部品81〜83の接続電極と配線91〜95とを接続するためのはんだ材料は不要である。
図1の(c)に示すように、発光装置1aでは、配線91の一端は電子部品82に接続され、他端は配線71の他端に接続されている。配線92の一端は電子部品81に接続され、他端は陰極44に接続されている。配線93の一端は電子部品83に接続され、他端は電子部品81に接続されている。配線94の一端は発光装置1aの外部にある図示しない電源に接続され、他端は電子部品82に接続されている。配線95の一端は発光装置1aの外部にある図示しない電源に接続され、他端は電子部品83に接続されている。
以上の構成を取ることによって、電源からの電力が、電子部品81〜83によって構成される駆動回路に供給される。また、LED素子3および4が駆動回路に直列的に接続されているので、駆動回路はLED素子3および4を駆動することができる。このように、本実施形態では、LED素子3および4が埋設される樹脂成型体2内に駆動回路も埋設されているので、発光装置1aの外部に駆動回路を別途設ける必要がない。これにより、駆動回路を発光装置1aに接続する際の加工コストまたは配線コストを削減することができる。
本実施形態に係る電子部品81〜83を樹脂成型体2に埋設するために、図2の(a)を参照して説明した実施形態1におけるLED素子3〜6を仮固定フィルム11に固定する工程と同様の工程を用いることができる。また、配線91〜95を樹脂成型体2の裏面23に形成するために、図2の(d)を参照して説明した実施形態1における配線71〜75を印刷形成する工程と同様の工程を用いることができる。
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態も、本発明の技術的範囲に含まれる。各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることによって、新しい技術的特徴を形成することもできる。
1、1a 発光装置
2 樹脂成型体
3〜6LED素子(発光素子)
11 仮固定フィルム
12、13 金型
24 レンズ
25 多面体
26 光反射部
31〜61 基部
32〜62 発光部
33〜63 陽極(電極)
34〜64 陰極(電極)
71〜75、91〜95 配線
81〜83 電子部品

Claims (10)

  1. 樹脂成型体と、
    少なくとも発光部および電極を有し、前記発光部が前記樹脂成型体における表面に向きかつ前記電極が前記樹脂成型体における前記表面に対向する裏面に露出するように、前記樹脂成型体に埋設されている発光素子と、
    前記樹脂成型体における前記裏面に形成され、かつ前記電極に接続される配線とを備えていることを特徴とする発光装置。
  2. 前記発光部が前記表面に露出していることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
  3. 前記樹脂成型体が、90%以上の光反射率を有する樹脂材料によって構成されていることを特徴とする請求項2に記載の発光装置。
  4. 前記樹脂成型体が、80%以上の光透過率を有する樹脂材料によって構成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の発光装置。
  5. 前記樹脂成型体が、1W/m・K以上の熱伝導率を有する樹脂材料によって構成されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の発光装置。
  6. 複数の前記発光素子が前記樹脂成型体に埋設されており、それぞれの前記発光素子が備える前記電極が、前記配線によって互いに接続されていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の発光装置。
  7. 前記樹脂成型体に埋設され、かつ前記発光素子を駆動する駆動回路をさらに備えており、
    前記電極と前記駆動回路が、前記配線によって互いに接続されていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の発光装置。
  8. 前記樹脂成型体における前記発光部の上部に、前記発光部からの光に指向性を付与する光学部品が形成されていることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の発光装置。
  9. 前記発光素子は発光ダイオード素子であることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載の発光装置。
  10. 少なくとも発光部および電極を有する発光素子を、当該電極が仮固定フィルムに接する形で当該仮固定フィルムに仮固定する工程と、
    前記発光素子が仮固定された仮固定フィルムを金型内の空隙に配置し、当該空隙に樹脂材料を注入することによって、前記発光素子が埋設された樹脂成型体を形成する工程と、
    前記樹脂成型体から前記仮固定フィルムを剥離する工程と、
    前記樹脂成型体における前記電極が露出する裏面に、前記電極と接続される配線を形成する工程とを有する発光装置の製造方法。
JP2016013707A 2016-01-27 2016-01-27 発光装置、および発光装置の製造方法 Pending JP2017135253A (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016013707A JP2017135253A (ja) 2016-01-27 2016-01-27 発光装置、および発光装置の製造方法
PCT/JP2016/084781 WO2017130544A1 (ja) 2016-01-27 2016-11-24 発光装置、および発光装置の製造方法
CN201680046141.4A CN107851697A (zh) 2016-01-27 2016-11-24 发光装置以及发光装置的制造方法
EP16888128.2A EP3410499B1 (en) 2016-01-27 2016-11-24 Light emitting device, and manufacturing method of light emitting device
US15/750,836 US20180233640A1 (en) 2016-01-27 2016-11-24 Light emitting device, and manufacturing method of light emitting device
TW105141492A TWI643366B (zh) 2016-01-27 2016-12-15 Light emitting device and method of manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016013707A JP2017135253A (ja) 2016-01-27 2016-01-27 発光装置、および発光装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2017135253A true JP2017135253A (ja) 2017-08-03

Family

ID=59398137

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016013707A Pending JP2017135253A (ja) 2016-01-27 2016-01-27 発光装置、および発光装置の製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20180233640A1 (ja)
EP (1) EP3410499B1 (ja)
JP (1) JP2017135253A (ja)
CN (1) CN107851697A (ja)
TW (1) TWI643366B (ja)
WO (1) WO2017130544A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021149861A1 (ko) * 2020-01-22 2021-07-29 엘지전자 주식회사 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7003478B2 (ja) * 2017-08-02 2022-01-20 オムロン株式会社 電子装置およびその製造方法
US10522709B1 (en) * 2017-12-05 2019-12-31 Facebook Technologies, Llc Method of direct wafer mapping by determining operational LEDs from non-operational LEDs using photo-reactive elastomer deposition

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012099545A (ja) * 2010-10-29 2012-05-24 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びその製造方法
WO2014064871A1 (ja) * 2012-10-25 2014-05-01 パナソニック株式会社 発光装置およびその製造方法ならびに発光装置実装体
WO2014100652A1 (en) * 2012-12-21 2014-06-26 Dow Corning Corporation Layered polymer structures and methods
JP2015177005A (ja) * 2014-03-14 2015-10-05 シチズン電子株式会社 Led発光装置
JP2015207703A (ja) * 2014-04-22 2015-11-19 オムロン株式会社 電子部品を埋設した樹脂構造体およびその製造方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6425582A (en) 1987-07-22 1989-01-27 Oki Electric Ind Co Ltd Mounting construction of led device
JP2962008B2 (ja) 1991-11-29 1999-10-12 松下電器産業株式会社 シーケンシャル制御装置
JP3690852B2 (ja) 1995-12-27 2005-08-31 シャープ株式会社 面発光型表示装置
JPH11219961A (ja) 1998-02-03 1999-08-10 Oki Electric Ind Co Ltd 光半導体モジュールの実装構造及びその実装方法
JP4279207B2 (ja) * 2004-06-18 2009-06-17 アルプス電気株式会社 入力装置およびこの入力装置を用いた表示入力装置
KR100867970B1 (ko) * 2004-10-04 2008-11-11 가부시끼가이샤 도시바 발광 장치 및 그것을 이용한 조명 기구 또는 액정표시장치
JP4910518B2 (ja) 2006-07-05 2012-04-04 富士ゼロックス株式会社 有機電界発光素子の製造方法
JP5515223B2 (ja) * 2008-02-12 2014-06-11 ソニー株式会社 半導体装置
DE102009036621B4 (de) * 2009-08-07 2023-12-21 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE112011100376T5 (de) * 2010-01-29 2012-11-29 Citizen Electronics Co., Ltd. Verfahren zur herstellung einer licht aussendenden vorrichtung und licht aussendende vorrichtung
JP2011253925A (ja) * 2010-06-02 2011-12-15 Toshiba Corp 発光装置の製造方法
JP2013021175A (ja) * 2011-07-12 2013-01-31 Toshiba Corp 半導体発光素子
DE102011080458A1 (de) * 2011-08-04 2013-02-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronische anordnung und verfahren zur herstellung einer optoelektronischen anordnung
JP5943898B2 (ja) * 2012-11-29 2016-07-05 日東電工株式会社 熱硬化性樹脂シート及び電子部品パッケージの製造方法
DE102013207611A1 (de) * 2013-04-25 2014-10-30 Osram Gmbh Beleuchtungsvorrichtung mit optoelektronischem Bauelement
EP2919284B1 (en) * 2014-03-14 2019-07-03 Citizen Electronics Co., Ltd. Light emitting apparatus

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012099545A (ja) * 2010-10-29 2012-05-24 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びその製造方法
WO2014064871A1 (ja) * 2012-10-25 2014-05-01 パナソニック株式会社 発光装置およびその製造方法ならびに発光装置実装体
WO2014100652A1 (en) * 2012-12-21 2014-06-26 Dow Corning Corporation Layered polymer structures and methods
JP2015177005A (ja) * 2014-03-14 2015-10-05 シチズン電子株式会社 Led発光装置
JP2015207703A (ja) * 2014-04-22 2015-11-19 オムロン株式会社 電子部品を埋設した樹脂構造体およびその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021149861A1 (ko) * 2020-01-22 2021-07-29 엘지전자 주식회사 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치

Also Published As

Publication number Publication date
EP3410499A4 (en) 2019-08-14
TW201727950A (zh) 2017-08-01
WO2017130544A1 (ja) 2017-08-03
TWI643366B (zh) 2018-12-01
EP3410499B1 (en) 2023-05-10
US20180233640A1 (en) 2018-08-16
EP3410499A1 (en) 2018-12-05
CN107851697A (zh) 2018-03-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10560988B2 (en) Display module and method for coating the same
JP5097461B2 (ja) 液晶ディスプレイ及びそのバックライトモジュール
US20070001564A1 (en) Light emitting diode package in backlight unit for liquid crystal display device
US8157400B2 (en) Light emitting apparatus, display apparatus and method for manufacturing light emitting apparatus
US20070194336A1 (en) Light emitting device package and method of manufacturing the same
US10607967B2 (en) Light emitting device, backlight device, and manufacturing method of light emitting device
JP5581029B2 (ja) 照明モジュール
WO2017130544A1 (ja) 発光装置、および発光装置の製造方法
JP2008159659A (ja) 発光装置および表示装置
JP2006286347A (ja) 面状照明装置
US9004721B2 (en) Light source heat dissipation structure and backlight module
US11942485B2 (en) Substrate having dual edge connection line and method for manufacturing the same, display panel, and display apparatus
JP2016207757A (ja) Led発光装置およびその製造方法
JP2010129923A (ja) 発光部材、発光装置、照明装置、バックライト装置および発光部材の製造方法
JP2007256953A (ja) バックライトユニット及びその製造方法
JP2013201255A (ja) 配線基板装置、発光モジュール、照明装置および配線基板装置の製造方法
KR101164958B1 (ko) 백라이트 유닛용 브라켓 일체형 방열 인쇄회로기판 및 이에 사용되는 메탈 마스크
JP5803749B2 (ja) 面状発光体及び照明装置
KR101101776B1 (ko) 발광 장치 및 이의 제조방법
KR101732277B1 (ko) 액정 디스플레이 백라이트용 광원장치의 제조방법
KR102427764B1 (ko) 표시장치용 구동부 및 그 제조방법
KR20150072814A (ko) 방열판 일체형 led 모듈
TW202218142A (zh) 發光封裝體及其製造方法
KR20070050776A (ko) 오엘이디 디스플레이 패널
KR20120008564A (ko) 브라켓 일체형 방열 인쇄회로기판이 장착된 백라이트 유닛용 샤시구조물

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20171026

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20181030

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20190423