JP4201167B2 - 白色発光装置の製造方法 - Google Patents
白色発光装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4201167B2 JP4201167B2 JP2002282023A JP2002282023A JP4201167B2 JP 4201167 B2 JP4201167 B2 JP 4201167B2 JP 2002282023 A JP2002282023 A JP 2002282023A JP 2002282023 A JP2002282023 A JP 2002282023A JP 4201167 B2 JP4201167 B2 JP 4201167B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting device
- blue light
- covering member
- white light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
【発明の属する分野】
本発明は青色発光素子の発光を蛍光体を混入した被覆部材を透過させて白色発光を行う白色発光装置の改良に関し、詳しくは発光色度と発光輝度とを所定範囲に管理することを可能とした白色発光装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、窒化ガリウム系化合物半導体である青色発光素子をイットリウム・アルミニューム・ガーネット系蛍光体(以下YAG系蛍光体と略記)を混入した被覆部材を透過させて白色発光を行う蛍光体混色型の白色発光装置が開発されている(例えば、特許文献1及び該特許文献1に対応する米国の特許文献3、特許文献2及び該特許文献2に対応する米国の特許文献4参照)。以下図面により従来の白色発光装置について説明する。図17は前記特許文献1〜4に基づき、説明用に記載した従来技術における蛍光体混色型の白色発光装置の構成と作用とを示す断面図である。20は白色発光装置であり、外部接続用の電極21、22を有する基板23に青色発光素子24がワイヤー25によってボンディングされており、該青色発光素子24をYAG系蛍光体の蛍光粒子26を混入した透明な被覆部材27でモールドしている。
【0003】
上記白色発光装置20の動作は、前記電極21,22に駆動電圧を印加すると青色発光素子24が青色光Pbを発光する。そしてこの青色光Pbが被覆部材27に混入された蛍光粒子26に衝突すると該蛍光粒子26が励起されて波長変換が行われ、蛍光粒子26から図示のごとく黄色光Peが発光される。この結果、白色発光装置20からは前記青色発光素子24から発光されて蛍光粒子26に衝突せずに出力される青色光Pbと、蛍光粒子26に衝突して波長変換された黄色光Peとが混合された白色光Phが発光される。
【0004】
また、図17に記載した蛍光体混色型の白色発光装置をさらに改良した公知技術がある(例えば、特許文献5及び該特許文献5に対応する米国の特許文献6)。この特許文献5には前記蛍光体を混入した被覆部材の中に着色材としての顔料を混入させることにより、前記青色発光素子24の青色光Pbを蛍光粒子で白色光にした後に着色用の顔料で所望の発光色に調整して出力する構成が開示されている。
【0005】
さらに、前記特許文献5には蛍光体を混入した被覆部材を前記青色発光素子24のモールドとせずに、キャップまたはシート状に形成して前記青色発光素子24実装したケース体に装着することで、前記青色発光素子24と被覆部材とを組み合わせる構成が開示されている。
さらに、図17に記載した蛍光体混色型の白色発光装置の色度を改良した公知技術として、前記YAG系蛍光体を混入した被覆部材の中にストロンチュームを混入させることにより、赤色成分の補正を行った白色発光装置が開示されている(例えば、特許文献7及び該特許文献7に対応する米国の特許文献8)。
【0006】
【特許文献1】
特許第2998696号明細書
【特許文献2】
特許第2927279号明細書
【特許文献3】
米国特許第5998925号明細書
【特許文献4】
米国特許第6069440号明細書
【特許文献5】
特開平11−87784号公報
【特許文献6】
米国特許第6319425号明細書
【特許文献7】
特開2000−44021号公報
【特許文献8】
米国特許第6351069号明細書
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記図17に記載した青色発光素子と蛍光体を混入した被覆部材とによる蛍光体混色型の白色発光装置は、単純な構成で白色発光を得ることが出来るため、極めて優れた白色発光装置であるが、問題点としては前記青色発光素子は化合物半導体であるがゆえに、量産した場合に各青色発光素子の発光波長と発光輝度にかなりのバラツキが発生する。また、前記被覆部材に混入するYAG系蛍光体の蛍光粒子の量や分散のバラツキ等によっても混合される白色光Phに影響を及ぼし、この結果、完成した白色発光装置は図18及び図19で示すように色度と輝度に大きなバラツキが生じる。
【0008】
図18は、ある白色発光装置を1ロット量産したときの色度のバラツキを、一般によく知られているXYZ表色系色度座標の一部を用いて示した分布図である。ここで、それぞれの黒点は白色発光装置の個々の色度データを示しており、その色度は図示するごとく右上がりの帯状に分散している。ここで、幅方向の分散(矢印線A)は主に前記青色発光素子の発光波長のバラツキによって生じる色度のバラツキであり、長手方向の分散(矢印線B)は主に前記被覆部材に混入する蛍光粒子の量や分散バラツキによって生じる色度のバラツキである。尚、青色発光素子の発光波長はロット間バラツキが大きいので、実際の量産に於いては幅方向の分散(矢印線A)はさらに広がっている。
【0009】
このように、青色発光素子やYAG系蛍光体の蛍光粒子によって、白色発光装置の色度はかなりバラツキが生じるが、近年、白色発光装置を採用するメーカーの色度バラツキ要求範囲は非常に厳しく、色度バラツキの規格値はx、y共に0.33±0.01程度を要求されることが多い。例えば、図18において、x、y共に0.33±0.01の範囲内(斜線エリア)を要求エリアとした場合は、大部分の白色発光装置が要求エリアから外れ採用されない。
【0010】
また、図19は、白色発光装置を前述と同様に量産したときの発光輝度のバラツキを示した分布図であり、X軸は発光輝度を表しY軸はその発光輝度を有する白色発光装置の個数を示している。図19で明らかなように、発光輝度のバラツキは分布の中心に対して+30%〜―40%位ある。しかし、近年の白色発光装置を採用するメーカーの要求は厳しく、輝度バラツキの要求範囲は±20%位であり、この範囲から外れる製品は採用されない。尚、実際の量産ではロット間バラツキもあるので、最小輝度と最大輝度の差はさらに大きく通常3倍以上にも及ぶことが多い。
【0011】
また、前記特許文献5等に開示された改良に付いても、前記蛍光体を混入した被覆部材の中に着色材としての顔料を混入させることにより、白色光を所望の発光色に調整して出力する方式、すなわちカラー化のための顔料混入について開示されてはいるが、量産された青色発光素子の発光波長及び発光輝度のバラツキに対する白色発光装置としての色度と輝度の改良に付いてはなんら示唆されていない。
【0012】
さらに、前記特許文献7等に開示された改良に付いても、青色発光素子とYAG系蛍光体との組合せによる白色発光装置の欠点である赤色成分の補正を行うことで、色度の改善を行うことは開示されてはいるが、量産された青色発光素子の発光波長のバラツキに対する色度補正についてはなんら示唆されておらず、また、青色発光素子の発光輝度のバラツキに対する補正についてはまったく開示されていない。
【0013】
さらには、近年、車載用として白色発光装置の採用が求められているが、車載用電子部品の信頼性要求は非常に厳しく、特に動作温度範囲は一般的に−40℃〜+85℃とたいへん厳しい要求仕様がある。しかし、従来の図17で示すチップタイプの白色発光装置では、青色発光素子の発熱を効率よく放熱できないために、特に高温側での動作保証が得られず、車載用として用いることは難しかった。
【0014】
本発明は上記白色発光装置の量産において、青色発光素子の発光波長と発光輝度とのバラツキによって生じる、色度と輝度の分布を所定の範囲に調整することで、いわゆる規格外の製品を極力少なくする事が出来る白色発光装置の製造方法を提供することを目的としている。さらにまた、放熱性に優れ広範囲な動作温度範囲を保証する、信頼性に優れた白色発光装置の製造方法を提供することをも目的としている。
【0015】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための本発明の手段は、ケース体に組み込まれた青色発光素子の発光を、蛍光体と減光材を混入した被覆部材を透過させて白色発光させる白色発光装置の製造方法において、複数の前記青色発光素子をその発光波長及び発光輝度に従ってランク分けし、同一ランクの複数の前記青色発光素子を前記ケース体が多数個形成された集合基板上に実装すると共に、前記青色発光素子の発光を波長変換して色調調整をするための蛍光体と、前記青色発光素子の発光の輝度調整をするための減光材との組合せ条件を、前記青色発光素子のランク分けに対応して異ならせた前記被覆部材が、前記集合基板上に形成された前記ケース体に対応して多数個形成された被覆部材集合体を設け、前記ランク分けに対応して複数の前記青色発光素子が実装された前記集合基板に、同一条件の前記被覆部材で構成される前記被覆部材集合体を取り付ける白色発光装置の製造方法とした。
【0016】
また、前記被覆部材は一つの被覆部材に前記蛍光体と前記減光材との両方を混入した白色発光装置の製造方法とした。
【0017】
また、前記被覆部材は前記蛍光体を混入した第1の被覆部材と、前記減光材を混入した第2の被覆部材によってなる白色発光装置の製造方法とした。
【0018】
さらに、前記被覆部材はシリコン系エラストマーに前記蛍光体と前記減光材とを混入した被覆部材である白色発光装置の製造方法とした。
【0019】
また、前記減光材は青色発光素子の発光波長に関わらず輝度を低下させる顔料または染料である白色発光装置の製造方法とした。
【0020】
また、前記青色発光素子はサブマウント基板に実装されたサブマウントパッケージとして一体化する白色発光装置の製造方法とした。
【0022】
上記課題を解決するための本発明の他の手段は、ケース体に組み込まれた青色発光素子の発光を、蛍光体と減光材を混入した被覆部材を透過させて白色発光させる白色発光装置の製造方法において、 複数の前記青色発光素子に通電して各青色発光素子の発光の色調及び輝度を測定してランク分けする工程と、前記ケース体を集合基板上に多数個形成する工程と、同一ランクの複数の前記青色発光素子を前記集合基板上に形成された各ケース体に実装する工程と、前記青色発光素子の発光を波長変換して色調調整をするための蛍光体と前記青色発光素子の発光の輝度調整をするための減光材との組合せ条件を、前記青色発光素子のランク分けに対応して異ならせた前記被覆部材が多数個形成された被覆部材集合体を製造する工程と、前記ランク分けに対応して複数の前記青色発光素子が実装された前記集合基板に同一条件の前記被覆部材で構成される前記被覆部材集合体を取り付けて発光装置を完成させる工程と、前記集合基板上の完成された発光装置を切り離す分離工程とを有する白色発光装置の製造方法とした。
【0023】
また、前記被覆部集合体のそれぞれの被覆部材は前記集合基板上に形成された多数個のケース体のそれぞれの位置に対応して配設され、それぞれの前記被覆部材は連結部材によって一体化される白色発装置の製造方法とした。
【0024】
また、前記被覆部材集合体は前記蛍光体と前記減光材の混入条件が略同一である多数個の被覆部材を備えた白色発装置の製造方法とした。
【0025】
また、前記ケース体は反射面を形成した凹部を有し、該凹部の底面に前記青色発光素子を実装し、該凹部に前記被覆部材を組み込む白色発光装置の製造方法とした。
【0026】
また、前記青色発光素子がInGaN系LEDである白色発光装置の製造方法とした。
【0027】
また、前記蛍光体がYAG系蛍光体である白色発光装置の製造方法とした。
【0028】
また、前記減光材が黒色系顔料である白色発光装置の製造方法とした。
【0029】
さらに、前記ケース体は絶縁部材を挟んだ一対のメタルコア材であり、該メタルコアの表面には光沢メッキが施されている白色発光装置の製造方法とした。
【0030】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。図1は本発明の実施の形態である白色発光装置を構成するケース体の斜視図である。図1において、2は外形が略立方体形状のケース体であり、該ケース体2の上面2aには、発光方向に向けた光を反射する傾斜面を有するカップ形状の凹部2bが形成されている。3a、3bは該ケース体2を構成する熱伝導性の高い射出成形が可能なMg合金系のメタルコア材料から成る一対のメタルコアであり、スリット2cを隔てて対向している。
【0031】
4はケース体2の一部を構成する絶縁部材であり、前記スリット2cの内部に充填され、前記メタルコア3a、3bを一対の電極として絶縁分離し、該メタルコア3a、3bを結合している。さらに、該メタルコア3a、3bの露出面には、光沢仕上げのAgメッキが施され、この結果、前記凹部2bの内面にある傾斜面2dはAgメッキで覆われた光反射面となっている。5は前記凹部2bの底面2eに実装された青色発光素子である。
【0032】
図2は、図1のケース体2をA−Aで断面し、さらに被覆部材を取り付けた本発明の白色発光装置の完成断面図である。図2において、1は白色発光装置であり、前記一対のメタルコア3a、3bと前記絶縁部材4によってなるケース体2で構成されている。6はサブマウントパッケージであり、前記青色発光素子5をセラミック等によってなるサブマウント基板6aにフェースダウンボンディングでよって実装し一体化される。該サブマウントパッケージ6は前記凹部2bの底面2eに半田等の導電性結合部材によって実装される。
【0033】
これにより、前記青色発光素子5はサブマウント基板6aを介してメタルコア3a、3bと電気的に接続し、さらに該メタルコア3a、3bの下部は実装基板へ接続する端子電極を成している。7は外周に傾斜面を有する略円盤状に形成されたシリコン系エラストマーを成分とする被覆部材であり、YAG系蛍光体の蛍光粒子7aと減光材としての顔料7bを混入し、前記凹部2bの傾斜面2dに外周の傾斜面を位置決めして装着し、必要に応じて接着やカシメ等によって固定することにより前記青色発光素子5の上面を覆っている。
【0034】
次に白色発光装置1の動作を図2に基づいて説明する。尚、該白色発光装置1の基本動作は従来例の図17で説明した動作と類似しているので詳細な説明は一部省略する。図2に於いて、白色発光装置1を構成する前記メタルコア3a、3bに駆動電圧を印加すると、サブマウント基板6aを介して青色発光素子5に駆動電圧が印加され、該青色発光素子5から青色光Pb(図示せず)が発光する。そして該青色光Pbが前記被覆部材7に混入された蛍光粒子7aに衝突すると該蛍光粒子7aが励起されて波長変換が行われ、蛍光粒子7aから黄色光Pe(図示せず)が発光される。
【0035】
この結果白色発光装置1からは、前記青色発光素子5から発光されて蛍光粒子7aに衝突せずに出力される青色光Pbと、前記蛍光粒子7aに衝突して波長変換された黄色光Peとが混合された白色光Phが発光される。尚、青色発光素子5は前述した如く反射効率の優れたAgメッキが施された傾斜面2dによって周辺を囲まれているので、白色光Phは効率よく前方に発光することが出来る。
【0036】
次に前記白色発光装置1を製造するための工程である、前記青色発光素子5の発光波長と発光輝度の測定工程について図面に基づいて説明する。まず、該青色発光素子5が実装されたサブマウントパッケージ6をLED専用計測器であるLEDテスタ(図示せず)に接続して駆動電圧を印加して発光させ、青色発光素子5の一つ一つについて発光波長と発光輝度を測定し記憶する。ここで、該青色発光素子5は前述したように化合物半導体であるがゆえに、量産時に於いてその発光波長は±10nm程度バラツキが生じる。
【0037】
図3はピーク波長が470nm仕様の青色発光素子5の量産時の発光波長の分布データを示しており、X軸は発光波長でありY軸は該青色発光素子5の発光波長に対する個数(ピーク値を100とした)を表している。図3で明らかなように発光波長は470nm付近を中心として約460〜480nmの範囲で分布していることがわかる。また、図4はLEDテスタで測定した青色発光素子5の量産時に於ける発光輝度の分布データであり、X軸は分布中心輝度を1とした相対値としての発光輝度であり、Y軸は該発光輝度に対する青色発光素子5の個数(ピーク値を100とした)を表している。図4で明らかなように、発光輝度は主に0.5〜2.0位の範囲で分布しており、最小輝度と最大輝度の比率は約4倍程度ある。
【0038】
次に、該青色発光素子5の発光波長の分布データと発光輝度の分布データに基づいて実施する、発光波長と発光輝度のランク分け工程について説明する。発光波長に関しては図3で示したように発光波長はほぼ460nm〜480nmの範囲で分布しているが、分布限界付近ではほとんど存在しないのでランク範囲を462nm〜478nmとして4ランクで分割する。図5は該青色発光素子5の発光波長のランク表であり、発光波長のランク番号と該ランク番号に対応する発光波長の範囲を示している。すなわち、発光波長のランクはa1〜a4までの4ランクとし、1ランクの波長範囲は4nmである。
【0039】
次に発光輝度に関しては図4で示したように相対輝度で約0.5〜2.0の範囲で分布している。ここで、分布の最小輝度付近は輝度が暗すぎてしまうので、相対輝度0.6以下の青色発光素子5は除き、0.6〜2.0の輝度範囲の青色発光素子を波長と同じく4ランクで分割する。図6は該青色発光素子5の発光輝度のランク表であり、発光輝度のランク番号と該ランク番号に対応する発光輝度の範囲を示している。すなわち、発光輝度のランクはb1〜b4までの4ランクとし、1ランクの輝度範囲は約1.35倍である。
【0040】
以上の工程を実施することにより、青色発光素子5は発光波長のランク数と発光輝度のランク数の積、4ランク×4ランク=16ランクに分類される。すなわち、発光波長で分類される4ランクのそれぞれひとつのランク毎に、発光輝度でランク分けされる4ランクが存在することになり、それぞれの青色発光素子5のランク番号をa1b1、a1b2、a1b3、a1b4、a2b1、a2b2、a2b3、a2b4〜a4b4としてランク付けし製造工程の中で保存する。尚、青色発光素子5のランク数は16ランクに限ることは無く、メーカーの要求仕様に応じて、また、青色発光素子5の特性や製造工程の都合等により、任意に変えることが出来る。
【0041】
次にYAG系蛍光体の蛍光粒子7aを混入した前記被覆部材7の製造工程について説明する。先に図2で説明した如く、YAG系蛍光体の蛍光粒子7aは前記青色発光素子の青色光Pbが該蛍光粒子7aに衝突すると黄色光Peを発光するが、この黄色光PeはYAG系蛍光体の成分であるガリウムとガドリニウムの比率を変えることによって、その発光波長を変化させることができる。ここでは一例として、ピーク波長が570nmであるYAG系蛍光体を、その成分調整によりピーク波長を約560nm〜580nm程度の範囲で4ランクに分けて製造する。
【0042】
次に、4ランクに分けて製造した前記YAG系蛍光体の蛍光粒子7aを前記被覆部材7の主成分であるシリコン系エラストマーに混入し、4ランクに分かれた被覆部材7を製造する。図7は該被覆部材7に混入したYAG系蛍光体の蛍光粒子7aの発光波長によってランク分けしたランク表であり、ランク番号と該ランク番号に対応する発光波長の範囲を示している。すなわち、発光波長のランクはc1〜c4までの4ランクとし、1ランクの波長範囲は5nmである。
【0043】
次に前記YAG系蛍光体の蛍光粒子7aを混入すると共に、前記顔料7bを混入した被覆部材7の製造とランク分け工程について説明する。該被覆部材7への顔料7bの混入は、前記青色発光素子5の発光輝度ばらつきを補正して、個々の白色発光装置1ができる限り一定の発光輝度になるように、減光材としての役目を目的としている。ここで、顔料7bによる被覆部材7のランク分けは、該被覆部材7への顔料7bの混入率を変えることによって行う。図8は該被覆部材7に顔料7bを混入した顔料混入率ランク表でありランク番号と該ランク番号に対応する顔料混入率を示している。すなわち、顔料混入率のランクはd1〜d4までの4ランクとし、それぞれの混入率は前記青色発光素子5の発光輝度のランクを基にして実験的に定めたものであり、その混入率は0%〜45%位の範囲である。
【0044】
尚、被覆部材7に混入する蛍光粒子7aと顔料7bの混入工程は、説明上別々に述べたが、実際には蛍光粒子7aと顔料7bの混入工程は同時に行うことが一般的である。以上の工程を実施することにより、被覆部材7はYAG系蛍光体のランクと顔料混入率のランクの積、4ランク×4ランク=16ランクで分割されることになる。すなわち、被覆部材7はYAG系蛍光体で分類されるランクc1〜c4のそれぞれに、顔料混入率で分類されるランクd1〜d4の顔料7bをさらに混入して完成するものであり、それぞれの被覆部材7のランク番号はc1d1、c1d2、c1d3、c1d4、c2d1、c2d2、c2d3、c2d4〜c4d4としてランク付けを行い製造工程の中で保存する。尚、該被覆部材7のランク数は16ランクに限ることは無く、メーカーの要求仕様に応じて、また青色発光素子5のランク数に合わせて、さらにはYAG系蛍光体や顔料の種類によって任意に変えることが出来る。
【0045】
次に、前記青色発光素子5のランク分け工程で分類した青色発光素子5を実装したサブマウントパッケージ6の各ランクと、前記被覆部材7のランク分け工程で分類した被覆部材7の各ランクを組み合わせる組み合わせ工程について説明する。図9は青色発光素子5を実装したサブマウントパッケージ6とYAG系蛍光体の蛍光粒子7a及び顔料7bを混入した被覆部材7との組み合わせ例を示した組み合わせ表である。図9において、グループG1は青色発光素子5の中心波長である470nmに対して短波長側の462〜466nmにずれているランクa1と、被覆部材7に混入するYAG系蛍光体の発光波長が中心波長570nmに対して同じく短波長側の560〜565nmにずれているランクc1との組み合わせである。
【0046】
また同様に、グループG2〜G4についても青色発光素子5の発光波長のランクa2〜a4に対応して被覆部材7に混入するYAG系蛍光体の発光波長のランクc2〜c4を組み合わせている。以下同様に、グループG5〜G8、グループG9〜G12、グループG13〜G16においても、青色発光素子5のランクa1〜a4に対応して被覆部材7もランクc1〜c4を組み合わせている。
【0047】
また更にグループG1〜G4は、青色発光素子5の発光輝度が最も小さいランクb1のグループであり、これに対応して被覆部材7は混入する顔料7bの混入率が最も少ないランクd1を組み合わせている。以下同様に、グループG5〜G8では青色発光素子5のランクb2と被覆部材7のランクd2を組み合わせ、グループG9〜G12では青色発光素子5のランクb3と被覆部材7のランクd3を組み合わせ、グループG13〜G16では青色発光素子5のランクb4と被覆部材7のランクd4を組み合わせる。
【0048】
次に図10に於いて、図9で示した組み合わせグループG1〜G16を実際に組み合わせて発光させた場合、青色発光素子5が発光する青色光Pbと被覆部材7に混入するYAG系蛍光体が発光する黄色光Peを混合した白色光Phの色度がどのように補正されるかを説明する。図10はXYZ表色系色度座標の一部を用いた色度補正の概念図であり、直線G1〜G4は前記グループG1〜G4がそれぞれ発光する白色光Phの色度の変化を示している。ここで、直線G1〜G4の左下付近(楕円P1)は、前記被覆部材7に混入しているYAG系蛍光体の蛍光粒子7aの混入量が少ない場合の色度であり、前記青色発光素子5の青色光Pbが大きく影響しやや青味を帯びた白色光Phとなる。
【0049】
また、直線G1〜G4の右上付近(楕円P2)は前記被覆部材7に混入しているYAG系蛍光体の蛍光粒子7aの混入量が多い場合の色度であり、該YAG系蛍光体の黄色光Peが大きく影響しやや黄色味を帯びた白色光Phとなる。ここで、グループG1は青色発光素子5の波長が最も短いランクa1であるので、直線G1の左下付近(楕円P1)では色度座標xの値は最も大きく色度座標yの値は最も小さく、楕円P1付近の色度としては他のグループより青に近い。また、該グループG1はYAG系蛍光体の発光波長も最も短いランクc1であるので、直線G1の右上付近(楕円P2)では色度座標xの値が最も小さく色度座標yの値は最も大きく、楕円P2付近の色度としては他のグループより緑に近づいている。この結果、直線G1は他の直線G2〜G4より最も傾きが大きい。
【0050】
また、グループG4は青色発光素子5の波長が最も長いランクa4であるので、直線G4の左下付近(楕円P1)では色度座標xの値は最も小さく色度座標yの値は最も大きく、楕円P1付近の色度としては他のグループよりやや緑に近づいている。また、該グループG4はYAG系蛍光体の発光波長も最も長いランクc4であるので、直線G4の右上付近(楕円P2)では色度座標xの値が最も大きく色度座標yの値は最も小さく、楕円P2付近の色度としては他のグループよりやや赤に近づいている。この結果、直線G4は他の直線G1〜G3より最も傾きが小さい。このように、各青色発光素子5とそれに対応するYAG系蛍光体を混入する被覆部材7を組み合わせたそれぞれのグループG1〜G4は、その発光波長の僅かな違いによってそれぞれの色度の傾きが変化することがわかる。
【0051】
ここで、前述した如く、メーカーが要求する前記白色発光装置1の白色光Phの色度バラツキ要求範囲は一般的に色度座標xで0.33±0.01、色度座標yで同じく0.33±0.01であり、図10で斜線を引いたエリアが要求エリアとなる。よって、該要求エリアの外に白色光Phの色度があると、その白色発光装置は規格外品として採用されない。しかし、図10で示すようにグループG1〜G4の色度変化を示す直線G1〜G4は、すべて要求エリアを通過するので、該要求エリア上でグループG1〜G4を発光させることができれば、どのグループであってもその白色発光装置1は採用される。
【0052】
ここで、該グループG1〜G4の色度を楕円P1領域から楕円P2領域に移動させるためには、被覆部材7に混入するYAG系蛍光体の蛍光粒子7aの混入量を変えることによって可能であるので、該被覆部材7に混入するYAG系蛍光体の蛍光粒子7aの混入量を適切に管理すれば、グループG1〜G4のどの組み合わせであってもほとんど全ての白色発光装置1の色度を要求エリア(すなわち図10の斜線エリア)に入れることが可能である。尚、他のグループであるグループG5〜G16についても、その組み合わせは図9で説明したように同じであるので、色度補正は同様に可能となる。
【0053】
次に前記青色発光素子5を実装したサブマウントパッケージ6の発光輝度ランクと前記被覆部材7の顔料混入率のランクの組み合わせによって、混合された白色光Phがどのように輝度補正され一定の輝度範囲内に調整されるかを説明する。図11は青色発光素子5を実装したサブマウントパッケージ6と被覆部材7の組合せによって輝度補正される有様を示した輝度補正概念図である。図11に於いて、横軸は相対値としての輝度を示している。ここで青色発光素子5はb1〜b4の4つのランクに分類されているので、被覆部材7と組合せる前の青色発光素子5の発光輝度は、実線の丸印で図示するようにそれぞれb1〜b4のランクに分かれて分散している。
【0054】
ここで、先に示した図9の組合せに従ってランクb1の青色発光素子5にはランクd1の被覆部材7を組合せ、ランクb2の青色発光素子5にはランクd2の被覆部材7を組合せ、ランクb3の青色発光素子5にはランクd3の被覆部材7を組合せ、ランクb4の青色発光素子5にはランクd4の被覆部材7を組合せると、その組合せ後の白色光Phの発光輝度は図11の実線の矢印線と丸印で示すように、すべてのランクがランクb1の輝度レベルに補正される。
【0055】
すなわち、青色発光素子5の発光輝度が最も暗いランクb1は、顔料混入率が0%のランクd1である被覆部材7と組み合わされるので、白色光Phは顔料に妨げられることなく被覆部材7を通過する。また、青色発光素子5の発光輝度が最も明るいランクb4は顔料混入率が最も高い45%のランクd4の被覆部材7と組み合わされるので、合成される白色光Phは顔料7bに最も妨げられて被覆部材7を通過し、よってランクb4の輝度はランクb1と同じレベルまで低下し、結果としてすべての白色光Phがランクb1の範囲に収まることになる。
【0056】
また、白色発光装置を採用するメーカーの発光輝度のバラツキ要求範囲が、それほど厳しくなく、図11において要求範囲が0.6〜1.1程度(すなわち2ランク分の範囲)である場合について説明する。この場合は、青色発光素子5のランクb1とb2は顔料混入率が0%のランクd1の被覆部材7と組み合わせる。また、青色発光素子5のランクb3はランクd2の被覆部材7と組合せ、さらに青色発光素子5のランクb4はランクd3の被覆部材7と組み合わせる。図11において破線の矢印線と破線の丸印がこの組合せを示しており、この組合せに於いては、被覆部材7のランクが3種類だけで青色発光素子5の全ランクをカバーすることが出来ので、製造工程が簡素化しコストダウンが可能となる。
【0057】
次に、前記青色発光素子5を実装したサブマウントパッケージ6と前記被覆部材7の組み合わせ工程で得られた組合せグループG1〜G16を1つの前記ケース体2に組み込んで一体化し、白色発光装置1として完成する工程ついて説明する。図12は前記ケース体2にサブマウントパッケージ6と被覆部材7をグループごとに組み込む工程を示している。図12において、例えば、グループG1の白色発光装置1を完成させる場合は、まず、図示する如くランクa1b1のサブマウントパッケージ6をケース体2に実装する。次に、前記サブマウントパッケージ6のランクa1b1に対応する被覆部材7のランクc1d1を選び、前記ケース体2に組み込む。これにより、一体化したグループG1の白色発光装置1が完成する。
【0058】
以下同様に、グループG2を完成する場合は、まず、ランクa2b1のサブマウントパッケージ6をケース体2に実装し、次にランクc2d1の被覆部材7をケース体に組み込み、グループG2の白色発光装置1を完成する。また、グループG16を完成させる場合は、ランクa4b4のサブマウントパッケージ6をケース体2に実装し、次にランクc4d4の被覆部材7をケース体2に組み込み、グループG16の白色発光装置1を完成する。すなわち、この組み込み工程により、前記青色発光素子5を実装したサブマウントパッケージ6と前記YAG系蛍光体の蛍光粒子7aと顔料7bを混入した被覆部材7との最適な組合せが可能となり、色度と輝度のバラツキが極めて少ない白色発光装置1を得ることが出来る。
【0059】
次に白色発光装置1の製造効率を上げるために、前記ケース体2を集合基板によって多数個同時に形成する製造工程を説明する。図13は集合基板の製造工程を示す斜視図であり、10は集合基板でありMg合金等のメタルコア材料から射出成形又はプレス成形によって形成され、カップ状の前記凹部2bが縦横に合計9個整列している。次に該凹部2bの中心を左右に分離するようにスリット2cを加工し、更に、該スリット2cへ前記絶縁部材4である樹脂を充填して硬化させる。次に、凹部2bの内側の傾斜面2dに光沢Agメッキを施し、該凹部2bの傾斜面2dが光の反射面として機能するようにする。
【0060】
次に集合基板10に前記青色発光素子5実装したサブマウントパッケージ6を実装する工程を説明する。図14は前記集合基板10に複数のサブマウントパッケージ6を実装する工程を示している。ここで、青色発光素子5を実装したサブマウントパッケージ6は、前述した如く発光波長のランクと発光輝度のランクにより各グループに分類されているが、集合基板10に複数のサブマウントパッケージ6を実装する場合、同一グループのサブマウントパッケージ6を実装する。すなわち、図14で示すように、1つの集合基板10に9個の凹部2bが形成され9個の白色発光装置1が製造される場合は、発光波長のランクと発光輝度のランクが共に等しい同一グループのサブマウントパッケージ6を9個用意し、該9個のサブマウントパッケージ6を1つの集合基板10の凹部2bの底面2eにそれぞれ同時に実装する。
【0061】
次にサブマウントパッケージ6を実装した集合基板10に前記被覆部材7を取り付ける工程を説明する。図15は集合基板10に多数個の被覆部材7を同時に取り付ける工程を示している。11は多数個の前記被覆部材7が一体化された被覆部材集合体であり、それぞれの被覆部材7は前記集合基板10に形成されるケース体2を構成する凹部2bの位置に対応して配設される。11aは連結部材であり、それぞれの前記被覆部材7の周辺部を3箇所乃至4箇所連結して一体化し、前記被覆部材集合体11を構成する。
【0062】
ここで、被覆部材7は前述した如く、混入するYAG系蛍光体の発光波長のランクと混入する顔料7bの混入率のランクにより各グループに分類されているが、前記被覆部材集合体11を構成する各被覆部材7は、混入するYAG系蛍光体の発光波長ランクも混入する顔料7bの混入率ランクも同一ランクによって構成される。すなわち、前記集合基板10に前記被覆部材集合体11を取り付ける場合、既に実装されている青色発光素子5を実装した前記サブマウントパッケージ6と同一グループの被覆部材7によって構成される被覆部材集合体11を取り付ける。
【0063】
例えば、既に実装されている青色発光素子5が図9で示したグループG4(すなわちランクa4b1)であったとするならば、取り付ける被覆部材集合体11も同一グループであるグループG4(すなわちランクc4d1)を用意し、前記集合基板10を構成するそれぞれの凹部2bにはめ込む形で装着し、必要に応じて接着やカシメ等によって固定する。また、前記連結部材11aは各被覆部材7が集合基板10に取り付けられた後、治具等によって該被覆部材7から切断され除去される。
【0064】
次に完成した集合基板10から白色発光装置1を切り離す分離工程について説明する。図16は白色発光装置1の分離工程を示しており、90度の角度で交差する複数のダイシングラインDLに沿って集合基板10を切断分離し、個々の白色発光装置1を完成させる。このように、集合基板10と被覆部材集合体11による製造方法によれば、白色発光装置1の大量生産が可能となり、製造効率を大幅に向上させることが出来る。
【0065】
また、1つの集合基板10ごとに、同一グループの青色発光素子5を実装したサブマウントパッケージ6と、該サブマウントパッケージ6に対応する同一グループの被覆部材集合体11を取り付ける工程を実施するならば、1つの集合基板10に、別々のグループのサブマウントパッケージ6と該サブマウントパッケージ6に対応する別々のグループの被覆部材7を取り付ける工程と比べて、作業効率が格段に優れ、また、サブマウントパッケージ6と被覆部材7の組合せミスも防ぐことが出来る。
【0066】
なお、集合基板10は白色発光装置1の取り個数を9個として示したが、取り個数はこれに限定されず、適宜選択できることは勿論である。また、絶縁部材4の形状は、一対のメタルコア3a、3bを絶縁分離する機能と結束する機能とを有する限り、必ずしも以上の実施の形態の形状に限定されるものではない。また、被覆部材7はランク分けしたYAG系蛍光体の蛍光粒子7aとランク分けした顔料7bの両方を混入して一つの被覆部材として白色発光装置を製造したが、これに限定されず、例えば二つの被覆部材として構成し、第1の被覆部材にランク分けしたYAG系蛍光体の蛍光粒子7aを混入し、第2の被覆部材にランク分けした顔料7bを混入し、第1の被覆部材と第2の被覆部材を組み合わせて色度及び輝度を調整する白色発光装置の製造方法も可能である。さらに前記第1の被覆部材と第2の被覆部材とを、それぞれ被覆部材集合体として大量生産を行うことで、製造効率の大幅向上が可能となる。
【0067】
【発明の効果】
以上の説明によって明らかなように本発明の白色発光装置の製造方法によれば、青色発光素子の発光波長や発光輝度がばらついたとしても、被覆部材に混入するYAG系発光体と顔料をそれぞれランク分けして組み合わせることにより、白色光の色度と輝度の分布を所定の範囲に調整できるので、白色発光装置を量産する上において規格外の製品を極力減らすことができ、製造工程の効率化、品質向上、コストダウン等にその効果は極めて大きい。
【0068】
また、青色発光素子は放熱効果の優れたメタルコア上に実装されているので、周囲温度が高い環境での動作も可能となり、車載用を初めとして多くの用途で使用することが可能である。さらには、発光の反射面となる凹部内側の傾斜面は、光の反射効率の良い光沢メッキが施されているので、被覆部材に混入する顔料によって発光輝度がある程度低下したとしても、その低下分を十分に補う反射面を有しているので、発光効率の優れた白色発光装置を提供することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施の形態である白色発光装置を構成するケース体の斜視図である。
【図2】 本発明の実施の形態である白色発光装置の完成断面図である。
【図3】 本発明の実施の形態である青色発光素子の発光波長分布図である。
【図4】 本発明の実施の形態である青色発光素子の発光輝度分布図である。
【図5】 本発明の実施の形態である青色発光素子の発光波長ランク表である。
【図6】 本発明の実施の形態である青色発光素子の発光輝度ランク表である。
【図7】 本発明の実施の形態である被覆部材の発光波長ランク表である。
【図8】 本発明の実施の形態である被覆部材の顔料混入率ランク表である。
【図9】 本発明の実施の形態である青色発光素子を実装したサブマウントパッケージと被覆部材の組み合わせ表である。
【図10】 本発明の実施の形態であるXYZ表色系色度座標の一部を用いた色度補正の概念図である。
【図11】 本発明の実施の形態である青色発光素子を実装したサブマウントパッケージと被覆部材との組合せによる輝度補正概念図である。
【図12】 本発明の実施の形態である青色発光素子を実装したサブマウントパッケージと被覆部材の組み込み工程を示す説明図である。
【図13】 本発明の実施の形態である集合基板の製造工程を示す斜視図である。
【図14】 本発明の実施の形態である集合基板にサブマウントパッケージを実装する工程を示す斜視図である。
【図15】 本発明の実施の形態である集合基板に被覆部材集合体を取り付ける工程を示す斜視図である。
【図16】 本発明の実施の形態である集合基板から白色発光装置を切り離す分離工程を示す斜視図である。
【図17】 従来の白色発光装置の構成と作用を示す断面図である。
【図18】 従来の白色発光装置の色度バラツキを示す分布図である。
【図19】 従来の白色発光装置の発光輝度のバラツキを示す分布図である。
【符号の説明】
1、20 白色発光装置
2 ケース体
2a 上面
2b 凹部
2c スリット
2d 傾斜面
2e 底面
3a、3b メタルコア
4 絶縁部材
5、24 青色発光素子
6 サブマウントパッケージ
6a サブマウント基板
7、27 被覆部材
7a、26 蛍光粒子
7b 顔料
10 集合基板
11 被覆部材集合体
11a 連結部材
Pb 青色光
Pe 黄色光
Ph 白色光
Claims (14)
- ケース体に組み込まれた青色発光素子の発光を、蛍光体と減光材を混入した被覆部材を透過させて白色発光させる白色発光装置の製造方法において、
複数の前記青色発光素子をその発光波長及び発光輝度に従ってランク分けし、同一ランクの複数の前記青色発光素子を前記ケース体が多数個形成された集合基板上に実装すると共に、
前記青色発光素子の発光を波長変換して色調調整をするための蛍光体と、前記青色発光素子の発光の輝度調整をするための減光材との組合せ条件を、前記青色発光素子のランク分けに対応して異ならせた前記被覆部材が、前記集合基板上に形成された前記ケース体に対応して多数個形成された被覆部材集合体を設け、
前記ランク分けに対応して複数の前記青色発光素子が実装された前記集合基板に、同一条件の前記被覆部材で構成される前記被覆部材集合体を取り付けることを特徴とする白色発光装置の製造方法。 - 前記被覆部材は一つの被覆部材に前記蛍光体と前記減光材との両方を混入したことを特徴とする請求項1記載の白色発光装置の製造方法。
- 前記被覆部材は前記蛍光体を混入した第1の被覆部材と、前記減光材を混入した第2の被覆部材によってなることを特徴とする請求項1記載の白色発光装置の製造方法。
- 前記被覆部材はシリコン系エラストマーに前記蛍光体と前記減光材とを混入した被覆部材であることを特徴とする請求項1乃至請求項3記載の白色発光装置の製造方法。
- 前記減光材は青色発光素子の発光波長に関わらず輝度を低下させる顔料または染料であることを特徴とする請求項1乃至請求項4記載の白色発光装置の製造方法。
- 前記青色発光素子はサブマウント基板に実装されたサブマウントパッケージとして一体化されていることを特徴とする請求項1記載の白色発光装置の製造方法。
- ケース体に組み込まれた青色発光素子の発光を、蛍光体と減光材を混入した被覆部材を透過させて白色発光させる白色発光装置の製造方法において、
複数の前記青色発光素子に通電して各青色発光素子の発光の色調及び輝度を測定してランク分けする工程と、前記ケース体を集合基板上に多数個形成する工程と、同一ランクの複数の前記青色発光素子を前記集合基板上に形成された各ケース体に実装する工程と、前記青色発光素子の発光を波長変換して色調調整をするための蛍光体と前記青色発光素子の発光の輝度調整をするための減光材との組合せ条件を、前記青色発光素子のランク分けに対応して異ならせた前記被覆部材が多数個形成された被覆部材集合体を製造する工程と、前記ランク分けに対応して複数の前記青色発光素子が実装された前記集合基板に同一条件の前記被覆部材で構成される前記被覆部材集合体を取り付けて発光装置を完成させる工程と、前記集合基板上の完成された発光装置を切り離す分離工程とを有することを特徴とする白色発光装置の製造方法。 - 前記被覆部集合体のそれぞれの被覆部材は前記集合基板上に形成された多数個のケース体のそれぞれの位置に対応して配設され、それぞれの前記被覆部材は連結部材によって一体化されることを特徴とする請求項7記載の白色発光装置の製造方法。
- 前記被覆部材集合体は前記蛍光体と前記減光材の混入条件が略同一である多数個の被覆部材を備えたことを特徴とする請求項7又は請求項8記載の白色発装置の製造方法。
- 前記ケース体は反射面を形成した凹部を有し、該凹部の底面に前記青色発光素子を実装し、さらに、該凹部に前記被覆部材を組み込むことを特徴とする請求項7乃至請求項9記載の白色発光装置の製造方法。
- 前記青色発光素子がInGaN系LEDであることを特徴とする請求項1乃至請求項10の何れか1項記載の白色発光装置の製造方法。
- 前記蛍光体がYAG系蛍光体であることを特徴とする請求項11記載の白色発光装置の製造方法。
- 前記減光材が黒色系顔料であることを特徴とする請求項11又は請求項12記載の白色発光装置の製造方法。
- 前記ケース体は絶縁部材を挟んだ一対のメタルコア材であり、該メタルコアの表面には光沢メッキが施されていることを特徴とする請求項1乃至請求項13のいずれかに記載の白色発光装置の製造方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002282023A JP4201167B2 (ja) | 2002-09-26 | 2002-09-26 | 白色発光装置の製造方法 |
KR1020030066199A KR100576571B1 (ko) | 2002-09-26 | 2003-09-24 | 발광 장치의 제조 방법 |
US10/668,204 US6858456B2 (en) | 2002-09-26 | 2003-09-24 | Method for manufacturing a light emitting device |
TW092126320A TWI237400B (en) | 2002-09-26 | 2003-09-24 | Method for manufacturing a light emitting device |
EP03256045A EP1403936A3 (en) | 2002-09-26 | 2003-09-25 | Method for manufacturing a light emitting device |
CNB031601464A CN1266781C (zh) | 2002-09-26 | 2003-09-26 | 用于制造发光器件的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002282023A JP4201167B2 (ja) | 2002-09-26 | 2002-09-26 | 白色発光装置の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004119743A JP2004119743A (ja) | 2004-04-15 |
JP2004119743A5 JP2004119743A5 (ja) | 2006-04-20 |
JP4201167B2 true JP4201167B2 (ja) | 2008-12-24 |
Family
ID=31973324
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002282023A Expired - Lifetime JP4201167B2 (ja) | 2002-09-26 | 2002-09-26 | 白色発光装置の製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6858456B2 (ja) |
EP (1) | EP1403936A3 (ja) |
JP (1) | JP4201167B2 (ja) |
KR (1) | KR100576571B1 (ja) |
CN (1) | CN1266781C (ja) |
TW (1) | TWI237400B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2400567A2 (en) | 2010-06-25 | 2011-12-28 | Panasonic Electric Works Co., Ltd | Phosphor selection for a Light-Emitting Device |
Families Citing this family (50)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7518158B2 (en) * | 2003-12-09 | 2009-04-14 | Cree, Inc. | Semiconductor light emitting devices and submounts |
US7339198B2 (en) * | 2004-01-16 | 2008-03-04 | Yu-Nung Shen | Light-emitting diode chip package body and packaging method thereof |
US7553683B2 (en) | 2004-06-09 | 2009-06-30 | Philips Lumiled Lighting Co., Llc | Method of forming pre-fabricated wavelength converting elements for semiconductor light emitting devices |
US7256057B2 (en) * | 2004-09-11 | 2007-08-14 | 3M Innovative Properties Company | Methods for producing phosphor based light sources |
KR101142519B1 (ko) | 2005-03-31 | 2012-05-08 | 서울반도체 주식회사 | 적색 형광체 및 녹색 형광체를 갖는 백색 발광다이오드를채택한 백라이트 패널 |
JP4862274B2 (ja) * | 2005-04-20 | 2012-01-25 | パナソニック電工株式会社 | 発光装置の製造方法及び該発光装置を用いた発光装置ユニットの製造方法 |
JP4692059B2 (ja) * | 2005-04-25 | 2011-06-01 | パナソニック電工株式会社 | 発光装置の製造方法 |
US8088302B2 (en) | 2005-05-24 | 2012-01-03 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Green phosphor of thiogallate, red phosphor of alkaline earth sulfide and white light emitting device thereof |
US7294861B2 (en) * | 2005-06-30 | 2007-11-13 | 3M Innovative Properties Company | Phosphor tape article |
US20070001182A1 (en) * | 2005-06-30 | 2007-01-04 | 3M Innovative Properties Company | Structured phosphor tape article |
KR100807015B1 (ko) * | 2005-08-16 | 2008-02-25 | 가부시끼가이샤 도시바 | 발광 장치 |
KR100724591B1 (ko) | 2005-09-30 | 2007-06-04 | 서울반도체 주식회사 | 발광 소자 및 이를 포함한 led 백라이트 |
US7344952B2 (en) | 2005-10-28 | 2008-03-18 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Laminating encapsulant film containing phosphor over LEDs |
EP1957607B1 (en) * | 2005-11-24 | 2012-02-01 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Display device with solid state fluorescent material |
EP1999232B1 (en) | 2006-03-16 | 2017-06-14 | Seoul Semiconductor Co., Ltd | Fluorescent material and light emitting diode using the same |
JP4980640B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2012-07-18 | 三洋電機株式会社 | 照明装置 |
TWI313943B (en) * | 2006-10-24 | 2009-08-21 | Chipmos Technologies Inc | Light emitting chip package and manufacturing thereof |
JP5132960B2 (ja) * | 2007-03-19 | 2013-01-30 | シチズン電子株式会社 | 発光ダイオードの製造方法及び光源 |
JP4455620B2 (ja) * | 2007-07-17 | 2010-04-21 | 東芝モバイルディスプレイ株式会社 | 表示装置の製造方法及び色バランス調整方法 |
KR100903308B1 (ko) * | 2007-08-10 | 2009-06-16 | 알티전자 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 |
US8531126B2 (en) | 2008-02-13 | 2013-09-10 | Canon Components, Inc. | White light emitting apparatus and line illuminator using the same in image reading apparatus |
WO2009118985A2 (en) * | 2008-03-25 | 2009-10-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting device, and method and apparatus for manufacturing same |
US8038497B2 (en) * | 2008-05-05 | 2011-10-18 | Cree, Inc. | Methods of fabricating light emitting devices by selective deposition of light conversion materials based on measured emission characteristics |
KR101431711B1 (ko) * | 2008-05-07 | 2014-08-21 | 삼성전자 주식회사 | 발광 장치 및 발광 시스템의 제조 방법, 상기 방법을이용하여 제조한 발광 장치 및 발광 시스템 |
US7988311B2 (en) * | 2008-06-30 | 2011-08-02 | Bridgelux, Inc. | Light emitting device having a phosphor layer |
US20110116520A1 (en) * | 2008-07-07 | 2011-05-19 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Eye-safe laser-based lighting |
TWI608760B (zh) | 2008-11-13 | 2017-12-11 | 行家光電有限公司 | 形成螢光粉轉換發光元件之方法 |
KR101081246B1 (ko) * | 2008-11-21 | 2011-11-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 장치 및 그 제조방법 |
KR20100093981A (ko) * | 2009-02-17 | 2010-08-26 | 엘지이노텍 주식회사 | 라이트 유닛 |
JP5612355B2 (ja) * | 2009-07-15 | 2014-10-22 | 株式会社Kanzacc | メッキ構造及び電気材料の製造方法 |
DE102009036621B4 (de) | 2009-08-07 | 2023-12-21 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches Halbleiterbauteil |
TWI454179B (zh) * | 2009-08-11 | 2014-09-21 | Canon Components Kk | A white light emitting device for an image reading device, and a linear lighting device using the same |
DE102009048401A1 (de) | 2009-10-06 | 2011-04-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil |
JP2011096936A (ja) * | 2009-10-30 | 2011-05-12 | Alpha- Design Kk | 半導体発光ディバイス製造装置 |
TWI494553B (zh) | 2010-02-05 | 2015-08-01 | Samsung Electronics Co Ltd | 評估led光學性質之設備及方法以及製造led裝置之方法 |
WO2011105858A2 (ko) * | 2010-02-25 | 2011-09-01 | (주)라이타이저코리아 | 발광 다이오드 및 그 제조방법 |
KR20110114494A (ko) * | 2010-04-13 | 2011-10-19 | 박재순 | 발광 모듈 및 발광 모듈의 제조 방법 |
JP2012009793A (ja) * | 2010-06-28 | 2012-01-12 | Panasonic Corp | 発光装置、バックライトユニット、液晶表示装置及び照明装置 |
US10050179B2 (en) | 2010-10-12 | 2018-08-14 | Rohm Co., Ltd. | LED module |
CN102072439B (zh) * | 2010-11-05 | 2012-11-21 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 光源模块以及背光装置 |
JP5886584B2 (ja) | 2010-11-05 | 2016-03-16 | ローム株式会社 | 半導体発光装置 |
US8901578B2 (en) | 2011-05-10 | 2014-12-02 | Rohm Co., Ltd. | LED module having LED chips as light source |
JP5390566B2 (ja) * | 2011-07-14 | 2014-01-15 | シャープ株式会社 | 発光素子の生産装置およびその生産方法、発光モジュールの生産装置およびその生産方法、発光モジュール、光源装置、液晶表示装置 |
JP5341154B2 (ja) * | 2011-08-31 | 2013-11-13 | 株式会社フジクラ | 高演色性発光ダイオードランプユニット |
US8748847B2 (en) | 2011-12-23 | 2014-06-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing white light emitting device (LED) and apparatus measuring phosphor film |
JP6034175B2 (ja) | 2012-01-10 | 2016-11-30 | ローム株式会社 | Ledモジュール |
JP2017011098A (ja) * | 2015-06-22 | 2017-01-12 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
KR102092573B1 (ko) * | 2016-07-21 | 2020-03-24 | 산켄덴키 가부시키가이샤 | 발광장치 |
JP6888292B2 (ja) * | 2016-12-21 | 2021-06-16 | 日亜化学工業株式会社 | パッケージ、発光装置、発光装置の製造方法 |
CN108336206B (zh) * | 2017-12-29 | 2020-07-31 | 华灿光电股份有限公司 | 一种发光二极管显示器的制造方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09330611A (ja) * | 1996-06-11 | 1997-12-22 | Canon Inc | 画像読取装置及び光源ユニット |
DE29724848U1 (de) * | 1996-06-26 | 2004-09-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement |
TW383508B (en) * | 1996-07-29 | 2000-03-01 | Nichia Kagaku Kogyo Kk | Light emitting device and display |
EP1959506A2 (en) * | 1997-01-31 | 2008-08-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor light-emitting device |
US6319425B1 (en) * | 1997-07-07 | 2001-11-20 | Asahi Rubber Inc. | Transparent coating member for light-emitting diodes and a fluorescent color light source |
US6351069B1 (en) * | 1999-02-18 | 2002-02-26 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Red-deficiency-compensating phosphor LED |
US6504301B1 (en) * | 1999-09-03 | 2003-01-07 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Non-incandescent lightbulb package using light emitting diodes |
JP2001222242A (ja) * | 2000-02-10 | 2001-08-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光ダイオードを用いたディスプレイ |
JP4066620B2 (ja) * | 2000-07-21 | 2008-03-26 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子、および発光素子を配置した表示装置ならびに表示装置の製造方法 |
EP1187226B1 (en) * | 2000-09-01 | 2012-12-26 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Surface-mount type light emitting diode and method of manufacturing same |
US20020063520A1 (en) * | 2000-11-29 | 2002-05-30 | Huei-Che Yu | Pre-formed fluorescent plate - LED device |
TW490863B (en) * | 2001-02-12 | 2002-06-11 | Arima Optoelectronics Corp | Manufacturing method of LED with uniform color temperature |
-
2002
- 2002-09-26 JP JP2002282023A patent/JP4201167B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-09-24 US US10/668,204 patent/US6858456B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-09-24 KR KR1020030066199A patent/KR100576571B1/ko active IP Right Grant
- 2003-09-24 TW TW092126320A patent/TWI237400B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-09-25 EP EP03256045A patent/EP1403936A3/en not_active Withdrawn
- 2003-09-26 CN CNB031601464A patent/CN1266781C/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2400567A2 (en) | 2010-06-25 | 2011-12-28 | Panasonic Electric Works Co., Ltd | Phosphor selection for a Light-Emitting Device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1266781C (zh) | 2006-07-26 |
EP1403936A2 (en) | 2004-03-31 |
US20040090161A1 (en) | 2004-05-13 |
KR20040027378A (ko) | 2004-04-01 |
EP1403936A3 (en) | 2006-07-05 |
TW200406075A (en) | 2004-04-16 |
JP2004119743A (ja) | 2004-04-15 |
TWI237400B (en) | 2005-08-01 |
US6858456B2 (en) | 2005-02-22 |
CN1501519A (zh) | 2004-06-02 |
KR100576571B1 (ko) | 2006-05-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4201167B2 (ja) | 白色発光装置の製造方法 | |
EP2400567B1 (en) | Phosphor selection for a Light-Emitting Device | |
US7180240B2 (en) | White light emitting device having corrected distributions of chromaticity and luminance | |
KR100448416B1 (ko) | 발광 다이오드 | |
US8405304B2 (en) | Light emtting device | |
US6914267B2 (en) | Light emitting diode | |
US20070001188A1 (en) | Semiconductor device for emitting light and method for fabricating the same | |
JP2004128424A5 (ja) | ||
US9947840B2 (en) | Light emitting device and light source | |
JP2007066969A (ja) | 白色発光ダイオード装置とその製造方法 | |
JPWO2005091387A1 (ja) | 発光装置および照明装置 | |
JP2000216434A5 (ja) | ||
JP2002241586A (ja) | 波長変換ペースト材料、複合発光素子、半導体発光装置及びそれらの製造方法 | |
JP4799809B2 (ja) | 半導体発光装置の製造方法 | |
JP2007335462A (ja) | 半導体複合素子およびその製造方法 | |
JP5657012B2 (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法 | |
JP2001223388A (ja) | 光源装置 | |
JP2002232013A (ja) | 半導体発光素子 | |
JP2002100813A (ja) | 波長変換ペースト材料と半導体発光装置、及びその製造方法 | |
JP2002232012A (ja) | 半導体発光素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050914 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050914 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060302 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080701 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080711 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080826 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20081002 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20081002 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4201167 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111017 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111017 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141017 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |