CN1501519A - 用于制造发光器件的方法 - Google Patents

用于制造发光器件的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1501519A
CN1501519A CNA031601464A CN03160146A CN1501519A CN 1501519 A CN1501519 A CN 1501519A CN A031601464 A CNA031601464 A CN A031601464A CN 03160146 A CN03160146 A CN 03160146A CN 1501519 A CN1501519 A CN 1501519A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
brightness
guard block
grade
emitting component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA031601464A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1266781C (zh
Inventor
野口克彦
堀内惠
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Citizen Electronics Co Ltd
Original Assignee
Citizen Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Citizen Electronics Co Ltd filed Critical Citizen Electronics Co Ltd
Publication of CN1501519A publication Critical patent/CN1501519A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1266781C publication Critical patent/CN1266781C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements

Abstract

提供了一种制造发光器件的方法。发光元件被安装在基板上以制成多个发光元件单元，并制造多个保护部件。每个保护部件包括荧光微粒和颜料微粒。对从每个发光元件单元的发光元件发射出的光的波长和亮度进行了测量。从发光元件发射出的光的所测波长和亮度被分成了等级。从荧光微粒发射出的光的波长被分成等级，并对颜料的混合比例进行了分类。发光元件的等级和保护部件的等级依照期望特性进行分组。属于相同组的发光元件和保护部件被安装在管座中。

Description

用于制造发光器件的方法
本发明涉及用于制造发光器件的方法。
图17为美国专利6,096,440中所揭示的常规LED(发光二极管)器件的剖面图。白光LED器件20由基板23、固定在基板23上的电极21和22以及安装在基板23上的蓝光LED24组成。该LED24通过引线25连接到电极21和22。LED24和电极21、22用透明封装树脂27进行封装。
在树脂27中，混合了YAG(钇铝石榴石)组的荧光材料。该荧光材料由荧光微粒26组成。
当激励电流通过电极21和22施加到蓝光LED24时，该LED发出蓝光Pb。当一部分蓝光照射到荧光微粒上时，该荧光微粒吸收蓝光并发出黄光Py。当黄光Py和蓝光Pb相结合，白光Pw便产生了。
此外，美国专利6,319,425揭示了用包含荧光材料的管帽进行保护的发光二极管。
此外，美国专利6,351,069揭示了用包含两种荧光微粒的透明树脂进行封装由此产生白光的发光二极管。
然而，由于发光二极管是化合物半导体，在产品的色度和亮度上存在较大的差异。再者，混合的白光Pw因封装树脂中荧光微粒的数量和分布的分散同样产生差异。
图18和19为显示LED器件色度和亮度的分散情况的图表。
图18为显示通过一次批量大规模生产的LED器件色度的分散情况的XYZ坐标图。各黑点表示LED器件的色度。分散朝着右边增加。在这里，用字母A表示的宽度方向的分散主要是由蓝光LED色度的分散引起的，由字母B表示的长度方向的分散主要是由封装树脂中荧光微粒数量和分布的分散导致的。
具有很大程度上偏离图18中的中心值的色度的LED器件不能作为发射白光的器件使用。较为理想的是，LED器件具有X、Y在0.33±0.01范围的用阴影表示的中心区域的色度。
在图19的图解中，横轴表示亮度，纵轴表示LED器件的数量。相对于中心区域而言分散的分布为+30％～-40％。然而，如图19中的箭头所示，理想的范围为大约±20％。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种可以将色度和亮度校正到期望值的方法。
根据本发明，提供了一种用于制造发光器件的方法，该方法包括将发光元件安装到支撑部件上，制造众多由透明树脂制成的保护部件，每个保护部件包括荧光微粒和亮度降低材料中的任一个，测量从发光元件发射出的光的波长和亮度，将从发光元件发出的光的所测波长分成等级，将从发光元件发射出的光的所测亮度分成等级，将从荧光微粒发出的光的波长分成等级，将亮度降低材料的混合比例分成等级，将发光元件的等级和保护部件的等级依照期望特性进行分组，将发光元件和保护部件进行结合，以及将属于相同组的发光元件和保护部件安装在管座中等步骤。
荧光微粒和亮度降低材料两者都可以包含在同一保护部件中。
亮度降低材料为颜料。
发光元件被安装在基板上，以制成发光元件单元。
本发明的另一个方面，提供了一种用于制造发光器件的方法，该方法包括将发光元件安装在基板上以制成多个发光元件单元，制造具有多个用来安装发光元件单元的区域的管座组件，制造多个由透明树脂制成的保护部件，每个保护部件包括荧光微粒和亮度降低材料的任一个，测量从每个发光元件单元的发光元件发射出的光的波长和亮度，将从发光元件发射出的光的所测波长分成等级，将从发光元件发射出的光的所测亮度分成等级，将从荧光微粒发射出的光的波长分成等级，将亮度降低材料的混合比例分成等级，将发光元件单元的等级和保护部件的等级依照期望特性进行分组，将发光元件单元和保护部件分组，将属于相同组的发光元件单元和保护部件安装到管座组件的各区域里，以及将每个包含发光元件单元的区域与管座组件分开等步骤。
保护部件互相连接以形成保护部件组件，每个保护部件位于与管座组件的区域相应的位置。
每个区域在其中心部分有一个凹槽，发光元件单元被安装在凹槽的底部，保护部件被安装在凹槽中。
该方法进一步包括用金属制造管座组件，将各区域排列成矩阵形式，在每个区域中形成凹槽，在平行排列的这些区域中形成狭缝，将树脂浇注到狭缝中，以及将这些区域与管座组件分开等步骤。
结合附图阅读下面详细说明，本发明的以上目的和其他目的以及特征将会变得更加清楚。
附图简要说明
图1为本发明LED器件的透视图。
图2为沿着II-II线所取的LED器件的剖面图。
图3为显示发射光所测波长分布的曲线图。
图4为显示发射光所测亮度分布的曲线图。
图5为波长的等级分类。
图6为亮度的等级分类。
图7为从荧光微粒发出的黄光的波长的等级分类。
图8为颜料混合比例的等级分类。
图9为显示等级组合的图表。
图10为显示了色度校正的一部分色度坐标的图解。
图11为显示了通过组合形成的亮度校正效果的表格。
图12为显示了制造本发明各组LED器件步骤的透视图。
图13为管座组件的透视图。
图14为安装LED之前的管座组件的透视图。
图15为显示保护部件的安装操作的透视图。
图16为显示管座组件的分离步骤的透视图。
图17为常规LED器件的剖面图；以及
图18和19为显示LED器件色度和亮度分散情况的图表。
较佳实施例的详细说明
图1为本发明LED器件的透视图，图2为沿着图1的II-II线所取的LED器件的剖面图。
参考图1和图2，白光LED器件1包括由具有高热导率如Mg基、Al基和Cu基金属制成并且具有倒转的截顶圆锥的凹槽2b的立方形管座2。该管座2包括第一半和第二半一对金属芯子3a和3b，之间插入由树脂制成并填充狭缝2c的绝缘层4。凹槽2b的内壁通过镀银加工成光反射表面。发光元件单元6被安装在凹槽2b里面。该发光元件单元6由通过焊接固定到金属芯子3a和3b上以便供给激励电流的基板6a、通过连接块6b安装在基板6a上的作为发光元件的蓝光LED5组成。LED5的下侧用树脂6c进行封装以保护连接块6b。
透明树脂的保护部件7具有可以啮合凹槽2b的外部形状并用粘合剂粘接到凹槽的内壁。在保护部件7中，YAG荧光微粒7a和作为亮度降低材料的颜料或染料微粒7b进行混合。对荧光微粒7a和颜料微粒7b进行选择以便从LED5发射出的光的色度被校正到期望色度。
在操作中，当激励电流被施加到金属芯子3a和3b上时，电流通过基板6a和连接块6b被施加到蓝光LED5上。因此LED5被激发而发射出蓝光。当一部分蓝光照射到荧光微粒7a上时，蓝光被荧光微粒7a吸收，该微粒发射出黄光。当黄光和没有照射到荧光微粒上的蓝光混合时，生成了白光Pw。进一步来看，白光的色度和亮度通过颜料微粒7b被校正到期望的色度和亮度。
其次，在本发明LED器件的制造步骤中选择荧光材料和颜料的方法在下文中进行了描述。
在蓝光LED5被安装在基板6a上的步骤中，从蓝光LED发射出的光的波长和亮度通过LED测试器进行测量并存储在存储器中。
图3为显示发射光所测波长的分布的曲线图。横轴标明波长，纵轴标明LED器件的数量。波长分布在460～480nm之间，峰值大约为470nm。
图4为显示发射光所测亮度的分布的曲线图。横轴标明亮度，纵轴标明LED器件的数量。亮度分布在0.5～2.0之间。亮度与最大亮度的比率为1～4。
波长和亮度的分布数据被分成4个等级。
图5为波长的等级分类。波长在462与478之间范围被分成等级数a1~a4。一个等级的范围为4nm。
图6为亮度的等级分类。亮度在0.6与2.0之间范围被分成等级数b1~b4。一个等级的范围为1.35。
因此，蓝光LED被分成16个等级(4等级×4等级＝16等级)。也就是，16个等级数以a1b1，a1b2，...a4b4表示。
其次，通过蓝光照射到荧光微粒7a上生成的黄光的波长被分成4个等级。黄光的波长能够通过改变YAG基荧光材料的组分如镓和钆之间的比例而改变。在这里，具有峰值波长570nm的荧光材料在560到580nm的范围内被分为4个等级。
该分类荧光材料7a被混合在保护部件7中。
图7为从荧光微粒7a发出的黄光波长的等级分类。波长被分成4个等级数c1~c4。一个等级的范围为5nm。
如上所述，颜料微粒7b被混合在保护部件7中以便将亮度校正到期望亮度。该亮度通过改变混合比例而改变。
图8为颜料混合比例的等级分类。亮度颜料的混合比例在0.6到2.0之间的范围内被分成4个等级数d1~d4。混合比例的范围在0％与45％之间。
因此，保护部件7被分成16个等级(4等级×4等级＝16等级)。即，16个等级数以c1d1，c1d2，...c4d4表示。
其次，LED5的波长和亮度等级以及源于荧光微粒的波长等级和颜料等级进行组合。图9所示为等级的组合。例如，G1组为等级a1和等级c1的组合，等级a1为从LED发出的光的中心波长470nm的较短波长一侧的等级，等级c1为从荧光微粒发出光的中心波长570nm的较短波长一侧的等级。
相似地，G2~G4组为波长等级a2~a4和波长等级c2~c4的组合。
进一步来看，例如，G1组为LED亮度的最小等级b1和颜料7b的最小混合比例的等级d1的组合。
图10为显示色度校正的部分色度坐标的图解。G1~G4线表示基于G1~G4组的从LED器件发出的白光的色度变化。在这里，G1~G4线的左下范围P1为从LED器件发出的光的色度，其中，荧光微粒的混合量小，使得白光偏蓝色。G1~G4线的右上范围P2为从LED器件发出的光的色度，其中，荧光微粒的混合量大，使得白光偏黄色。
在这里，G1组的波长等级为波长最短的a1。因此，P1范围的X坐标值为最大值，Y坐标值为最小值。因此，光的色度基本上为蓝色。
此外，G1组的波长等级为波长最短的c1。因此，P2范围的X坐标值为最小值，Y坐标值为最大值。因此，光的色度基本上为绿色。
进一步来看，G4组的波长等级为波长最短的a4。因此，P1范围的X坐标值为最大值，Y坐标值为最大值。因此，光的色度为带绿色的。
再者，G4组的波长等级为波长最长的c4。因此，P2范围的X坐标值为最大值，Y坐标值为最小值。因此，光的色度为带红色的。
因此，可以理解，通过将LED5和荧光微粒混合于其中的保护部件组合，G1~G4组色度的斜度随着波长的不同而变化，并且G1~G4组的色度能够通过改变保护部件7中的荧光微粒的数量校正到阴影表示的所希望区域里的色度。关于其它组G5~G16，有着同样的效果。
图11为显示通过LED5和保护部件7的组合得到的亮度纠正效果的图表。横轴表示相对亮度。由于从LED5发出的光的亮度被分成4个等级b1~b4，如图所示，组合前的亮度被分散成4个等级b1~b4。
如图9所示，当等级b1的LED5与等级d1的保护部件7相结合，等级b2与等级d2相结合，b3+d3并且b4+d4时，如图11中的箭头所示，所有等级的亮度被校正为等级b1的亮度。
更具体的，由于最暗的等级b1与最低混合比例0％的等级d1相结合，白光Pw通过保护部件7而没有颜料的干扰。由于最高亮度的等级b4与最高混合比例45％的等级d4相结合，白光Pw被颜料干扰，使得亮度降低到等级b1的水平。结果，所有的白光集中于等级b1。
当所需亮度不太强时，等级b1和b2与等级d1相结合，等级b3与等级d2相结合，等级b4与等级d3相结合。因此，如图11中的虚线所示，各等级集中于等级b2。
图12为显示制造本发明各组LED器件步骤的透视图。每个都安装在基板6a上的各LED5和保护部件7被分成16组G1~G16，并将各组安装在管座2中。例如，等级a1、b1的LED5被安装在管座2中，然后保护部件7被安装在管座2中，由此制成G1组的LED器件1。对于属于G2组的LED器件1，等级a2、b1的LED5与等级c2、d1的保护部件7分别被安装于管座2中。属于其它组的其它LED器件用相同的方法制造。
在下文中描述了同时制造多个LED器件的方法。
图13为管座组件10的透视图。该管座组件10是用金属例如镁合金通过注模法制成的。
管座组件10通过切割线13和14被分成9个区域12用于9个LED器件。凹槽2b在每个区域12的中心部位形成。除了两端部分之外，3个狭缝2c平行于切割线13形成，以便不与管座组件10分离。每个狭缝2c用绝缘树脂4进行浇注。凹槽2b的壁通过镀银被加工成光滑的表面2d。
其次，如图14所示，属于相同组的每个都安装在基板6a上的9个LED5被安装在凹槽2b中。
图15为显示保护部件7的安装操作的透视图。每个属于与LED5的组相同组的9个保护部件7通过与保护部件7相同材料的连接部件11a相应于凹槽2b进行连接，以形成保护部件组件11。例如，如果LED5的组为a4b1等级的G4组，组件11的保护部件7的组同样为c4d1等级的G4组。
组件11的保护部件7被安装在管座组件10的凹槽2b中，并且通过粘合剂粘接到凹槽2b的壁上。此后，连接部件11a用工具进行切断。
图16为显示管座组件10的分离步骤的透视图。如图16所示，管座组件10沿着切割线13和14被切断，以分离分立的LED器件1。
依照本发明，为得到期望特性，属于各组的发光元件和保护部件进行组合。
因此，发光元件器件能够以高产量进行制造。
虽然本发明结合其较佳具体实施例进行了描述，要理解的是，本说明书意在阐述而非限制本发明由所附权利要求书所定范围。

Claims (15)

1.一种制造白光发光器件的方法，其特征在于，包括下列步骤：
将从发光元件发射出的光的波长和亮度分别分成等级；
根据光的波长和亮度等级分类，提供各种用于从发光元件发射出的光的波长的荧光材料与用于调节光亮度的亮度降低材料的组合；
制造多个保护部件，每个保护部件中混合了所述组合之一的荧光材料和亮度降低材料；
选择发光元件和保护部件；
整合所述发光元件和保护部件。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，荧光微粒和亮度降低材料两者包括在同一保护部件中。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述保护部件包括混合有所述荧光材料的第一保护部件，和混合有亮度降低材料的第二保护部件。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述管座由硅基人造橡胶成形，该橡胶中混合有荧光材料和亮度降低材料。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述亮度降低材料是用于降低光亮度的颜料或染料，而与从发光元件发射的光的波长无关。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述所述发光装置安装在基板上，与基板整合成发光元件单元。
7.一种制造白光发光器件的方法，其特征在于，包含下列步骤：
测量从多个兰光发光元件发射出的光的色度和亮度；
将从发光元件发射出的光的所测色度和亮度分别分成等级；
制造多个保护部件，依照所述兰光发光元件的等级分类而相互间不同；
根据等级，将适合于相互组合的兰光发光元件与保护部件相组合；及
将组合的兰光发光元件与保护部件设置到管座体内成整合状态。
8.一种制造白光发光器件的方法，其特征在于，包含下列步骤：
测量从多个兰光发光元件发射出的光的色度和亮度；
将从发光元件发射出的光的所测色度和亮度分别分成等级；
制造具有多个管座体的管座组件；
在管座体内安装多个属于同一等级的兰光发光元件；
制造多个包括不同荧光材料和亮度降低材料的保护部件；
将与安装在管作组件使的兰光发光元件条件相同的保护部件固定到管座体上，以做成完整的发光器件；
将完整的发光器件从管座组件上分离。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，与管座组件上管座体相对应的保护部件互相连接以形成保护部件组件，每个保护部件位于与管座组件的管座体相应的位置。
10.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述保护部件组件的保护部件中荧光材料和亮度降低材料混合条件基本相同。
11.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述管座包括具有反射面的凹槽，发光元件单元被安装在凹槽的底部，所述保护部件被安装在凹槽中。
12.如权利要求1或7或8所述的方法，其特征在于，所述发光元件是InGaN基发光二极管。
13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述荧光材料是YAG基荧光材料。
14.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述亮度降低材料是黑颜料。
15.如权利要求7或8所述的方法，其特征在于，所述管座体包括一对金属芯子，金属芯子的表面有光亮电镀涂层。
CNB031601464A 2002-09-26 2003-09-26 用于制造发光器件的方法 Expired - Lifetime CN1266781C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002282023A JP4201167B2 (ja) 2002-09-26 2002-09-26 白色発光装置の製造方法
JP2002282023 2002-09-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1501519A true CN1501519A (zh) 2004-06-02
CN1266781C CN1266781C (zh) 2006-07-26

Family

ID=31973324

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB031601464A Expired - Lifetime CN1266781C (zh) 2002-09-26 2003-09-26 用于制造发光器件的方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6858456B2 (zh)
EP (1) EP1403936A3 (zh)
JP (1) JP4201167B2 (zh)
KR (1) KR100576571B1 (zh)
CN (1) CN1266781C (zh)
TW (1) TWI237400B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101300687B (zh) * 2005-10-28 2010-10-06 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 在led上层压包含磷光体的密封剂膜
CN102687295A (zh) * 2009-10-06 2012-09-19 欧司朗光电半导体有限公司 通过转换元件接触光电半导体构件和相应的光电半导体构件
CN108336206A (zh) * 2017-12-29 2018-07-27 华灿光电股份有限公司 一种发光二极管显示器的制造方法

Families Citing this family (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7518158B2 (en) 2003-12-09 2009-04-14 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices and submounts
US7339198B2 (en) * 2004-01-16 2008-03-04 Yu-Nung Shen Light-emitting diode chip package body and packaging method thereof
US7553683B2 (en) 2004-06-09 2009-06-30 Philips Lumiled Lighting Co., Llc Method of forming pre-fabricated wavelength converting elements for semiconductor light emitting devices
US7256057B2 (en) * 2004-09-11 2007-08-14 3M Innovative Properties Company Methods for producing phosphor based light sources
KR101142519B1 (ko) 2005-03-31 2012-05-08 서울반도체 주식회사 적색 형광체 및 녹색 형광체를 갖는 백색 발광다이오드를채택한 백라이트 패널
JP4862274B2 (ja) * 2005-04-20 2012-01-25 パナソニック電工株式会社 発光装置の製造方法及び該発光装置を用いた発光装置ユニットの製造方法
JP4692059B2 (ja) * 2005-04-25 2011-06-01 パナソニック電工株式会社 発光装置の製造方法
JP4896129B2 (ja) 2005-05-24 2012-03-14 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 発光素子及びそれのためのアルカリ土類金属硫化物系蛍光体
US20070001182A1 (en) * 2005-06-30 2007-01-04 3M Innovative Properties Company Structured phosphor tape article
US7294861B2 (en) * 2005-06-30 2007-11-13 3M Innovative Properties Company Phosphor tape article
KR100807015B1 (ko) * 2005-08-16 2008-02-25 가부시끼가이샤 도시바 발광 장치
KR100724591B1 (ko) 2005-09-30 2007-06-04 서울반도체 주식회사 발광 소자 및 이를 포함한 ｌｅｄ 백라이트
CN101313048B (zh) * 2005-11-24 2012-06-20 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有固态荧光材料的显示器件
US8323529B2 (en) 2006-03-16 2012-12-04 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Fluorescent material and light emitting diode using the same
JP4980640B2 (ja) * 2006-03-31 2012-07-18 三洋電機株式会社 照明装置
TWI313943B (en) * 2006-10-24 2009-08-21 Chipmos Technologies Inc Light emitting chip package and manufacturing thereof
JP5132960B2 (ja) * 2007-03-19 2013-01-30 シチズン電子株式会社 発光ダイオードの製造方法及び光源
JP4455620B2 (ja) * 2007-07-17 2010-04-21 東芝モバイルディスプレイ株式会社 表示装置の製造方法及び色バランス調整方法
KR100903308B1 (ko) * 2007-08-10 2009-06-16 알티전자 주식회사 발광 다이오드 패키지
US8531126B2 (en) 2008-02-13 2013-09-10 Canon Components, Inc. White light emitting apparatus and line illuminator using the same in image reading apparatus
KR101226777B1 (ko) 2008-03-25 2013-01-25 가부시끼가이샤 도시바 발광 장치와, 그 제조 방법 및 장치
US8038497B2 (en) * 2008-05-05 2011-10-18 Cree, Inc. Methods of fabricating light emitting devices by selective deposition of light conversion materials based on measured emission characteristics
KR101431711B1 (ko) * 2008-05-07 2014-08-21 삼성전자 주식회사 발광 장치 및 발광 시스템의 제조 방법, 상기 방법을이용하여 제조한 발광 장치 및 발광 시스템
US7988311B2 (en) * 2008-06-30 2011-08-02 Bridgelux, Inc. Light emitting device having a phosphor layer
US20110116520A1 (en) 2008-07-07 2011-05-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Eye-safe laser-based lighting
US20100123386A1 (en) 2008-11-13 2010-05-20 Maven Optronics Corp. Phosphor-Coated Light Extraction Structures for Phosphor-Converted Light Emitting Devices
KR101081246B1 (ko) * 2008-11-21 2011-11-08 엘지이노텍 주식회사 발광 장치 및 그 제조방법
KR20100093981A (ko) * 2009-02-17 2010-08-26 엘지이노텍 주식회사 라이트 유닛
JP5612355B2 (ja) * 2009-07-15 2014-10-22 株式会社Ｋａｎｚａｃｃ メッキ構造及び電気材料の製造方法
DE102009036621B4 (de) 2009-08-07 2023-12-21 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauteil
TWI454179B (zh) * 2009-08-11 2014-09-21 Canon Components Kk A white light emitting device for an image reading device, and a linear lighting device using the same
JP2011096936A (ja) * 2009-10-30 2011-05-12 Alpha- Design Kk 半導体発光ディバイス製造装置
TWI494553B (zh) 2010-02-05 2015-08-01 Samsung Electronics Co Ltd 評估ｌｅｄ光學性質之設備及方法以及製造ｌｅｄ裝置之方法
WO2011105858A2 (ko) * 2010-02-25 2011-09-01 (주)라이타이저코리아 발광 다이오드 및 그 제조방법
WO2011129615A2 (ko) * 2010-04-13 2011-10-20 Park Jae-Soon 발광 모듈 및 발광 모듈의 제조 방법
JP5437177B2 (ja) 2010-06-25 2014-03-12 パナソニック株式会社 発光装置
JP2012009793A (ja) * 2010-06-28 2012-01-12 Panasonic Corp 発光装置、バックライトユニット、液晶表示装置及び照明装置
JP6131048B2 (ja) 2010-10-12 2017-05-17 ローム株式会社 Ｌｅｄモジュール
JP5886584B2 (ja) 2010-11-05 2016-03-16 ローム株式会社 半導体発光装置
CN102072439B (zh) * 2010-11-05 2012-11-21 深圳市华星光电技术有限公司 光源模块以及背光装置
US8901578B2 (en) 2011-05-10 2014-12-02 Rohm Co., Ltd. LED module having LED chips as light source
JP5390566B2 (ja) * 2011-07-14 2014-01-15 シャープ株式会社 発光素子の生産装置およびその生産方法、発光モジュールの生産装置およびその生産方法、発光モジュール、光源装置、液晶表示装置
JP5341154B2 (ja) * 2011-08-31 2013-11-13 株式会社フジクラ 高演色性発光ダイオードランプユニット
US8748847B2 (en) 2011-12-23 2014-06-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing white light emitting device (LED) and apparatus measuring phosphor film
JP6034175B2 (ja) 2012-01-10 2016-11-30 ローム株式会社 Ｌｅｄモジュール
JP2017011098A (ja) * 2015-06-22 2017-01-12 日亜化学工業株式会社 発光装置
EP3419062A4 (en) * 2016-07-21 2019-06-12 Sanken Electric Co., Ltd. LIGHT-EMITTING DEVICE
JP6888292B2 (ja) * 2016-12-21 2021-06-16 日亜化学工業株式会社 パッケージ、発光装置、発光装置の製造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09330611A (ja) * 1996-06-11 1997-12-22 Canon Inc 画像読取装置及び光源ユニット
EP2267801B1 (de) * 1996-06-26 2015-05-27 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
TW383508B (en) * 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
EP0921577A4 (en) * 1997-01-31 2007-10-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, SEMICONDUCTOR ELECTROLUMINESCENT DEVICE, AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
US6319425B1 (en) * 1997-07-07 2001-11-20 Asahi Rubber Inc. Transparent coating member for light-emitting diodes and a fluorescent color light source
US6351069B1 (en) * 1999-02-18 2002-02-26 Lumileds Lighting, U.S., Llc Red-deficiency-compensating phosphor LED
US6504301B1 (en) * 1999-09-03 2003-01-07 Lumileds Lighting, U.S., Llc Non-incandescent lightbulb package using light emitting diodes
JP2001222242A (ja) * 2000-02-10 2001-08-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光ダイオードを用いたディスプレイ
JP4066620B2 (ja) * 2000-07-21 2008-03-26 日亜化学工業株式会社 発光素子、および発光素子を配置した表示装置ならびに表示装置の製造方法
EP1187226B1 (en) * 2000-09-01 2012-12-26 Citizen Electronics Co., Ltd. Surface-mount type light emitting diode and method of manufacturing same
US20020063520A1 (en) * 2000-11-29 2002-05-30 Huei-Che Yu Pre-formed fluorescent plate - LED device
TW490863B (en) * 2001-02-12 2002-06-11 Arima Optoelectronics Corp Manufacturing method of LED with uniform color temperature

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101300687B (zh) * 2005-10-28 2010-10-06 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 在led上层压包含磷光体的密封剂膜
CN102687295A (zh) * 2009-10-06 2012-09-19 欧司朗光电半导体有限公司 通过转换元件接触光电半导体构件和相应的光电半导体构件
CN102687295B (zh) * 2009-10-06 2016-02-24 欧司朗光电半导体有限公司 用于制造光电子半导体构件的方法和相应的光电半导体构件
CN108336206A (zh) * 2017-12-29 2018-07-27 华灿光电股份有限公司 一种发光二极管显示器的制造方法
CN108336206B (zh) * 2017-12-29 2020-07-31 华灿光电股份有限公司 一种发光二极管显示器的制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20040090161A1 (en) 2004-05-13
CN1266781C (zh) 2006-07-26
EP1403936A2 (en) 2004-03-31
TWI237400B (en) 2005-08-01
US6858456B2 (en) 2005-02-22
JP2004119743A (ja) 2004-04-15
KR20040027378A (ko) 2004-04-01
JP4201167B2 (ja) 2008-12-24
EP1403936A3 (en) 2006-07-05
KR100576571B1 (ko) 2006-05-08
TW200406075A (en) 2004-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1266781C (zh) 用于制造发光器件的方法
CN1310345C (zh) 白光发光装置
JP4989936B2 (ja) 照明装置
CN1264228C (zh) 发光半导体器件、全色发光二极管显示装置及其应用
CN1214471C (zh) 具有至少一只发光二极管作为光源的照明单元
US8994045B2 (en) Lighting device having luminescent material between a reflective cup and a solid state light emitter
CN1871714A (zh) 半导体光发射装置及其制造方法
CN1874019A (zh) 发光器件及其制造方法
US20100133561A1 (en) Light emitting apparatus
US8039849B2 (en) LED module
US20060284185A1 (en) Light emitting device and phosphor for the same
US20060214562A1 (en) Light-emitting diode package structure, cold cathode flourescent lamp and photoluminescent material thereof
CN1905226A (zh) 发光半导体器件和含有该发光半导体器件的装置
CN1675781A (zh) 饱和型磷光体固态发射器
KR20100101572A (ko) 하나 이상의 루미퍼를 갖는 조명 장치, 및 이의 제조 방법
KR20090114467A (ko) 발광 장치, 발광 방법, 광 필터 및 광 필터링 방법
CN1919965A (zh) 复合磷光粉、使用其的发光器件以及制备复合磷光粉的方法
CN1841160A (zh) 光源模块、背光灯单元和液晶显示装置
US20080315217A1 (en) Semiconductor Light Source and Method of Producing Light of a Desired Color Point
KR101417874B1 (ko) 고연색성 백색 발광 소자
TW201628231A (zh) 使用釹－氟（Ｎｄ－Ｆ）材料的ＬＥＤ裝置
US10145989B2 (en) Hydrophobized phosphor and light-emitting device
CN101064301A (zh) 半导体发光设备
JP2005056885A (ja) 半導体発光装置の製造方法
CN1819254A (zh) 发光二极管芯片

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20060726

CX01 Expiry of patent term