CN102687295B - 用于制造光电子半导体构件的方法和相应的光电半导体构件 - Google Patents

Abstract

一种光电半导体构件，具有半导体芯片（200、404），所述半导体芯片具有用于发射初级辐射的有源侧（204）和设置在有源侧（204）上的接触端子（108）。在有源侧（204）上安置发光转换元件（210）。在有源侧（204）和发光转换元件（204）之间设置耦合元件（208）。描述一种用于制造光电半导体构件的方法。

Description

用于制造光电子半导体构件的方法和相应的光电半导体构件

技术领域

本发明涉及一种用于制造光电半导体构件的方法以及一种光电半导体构件。

背景技术

光电半导体构件的实例具有发光转换元件。这种构件例如从参考文献[1]中已知。其包括在工作中发射初级辐射的光电半导体芯片和在其中将初级辐射的一部分转换成其他波长的次级辐射的发光转换元件。所产生的辐射由发光转换元件发射的初级辐射和所产生的次级辐射的叠加形成。因此，尤其能够提供发射白光的光源。

在制造半导体构件时，尤其有问题的是，半导体芯片的初级辐射的色度坐标在色度空间中经受一定制造偏差。希望的是，根据相应的色度坐标来选择发光转换元件并且将其与半导体芯片相关联，以便因此得到具有希望的发射特性的光源。

发明内容

本发明基于下述问题，制造具有所追求的色度坐标的光电半导体构件，或者提供一种相应的半导体构件。

该问题通过根据一种用于制造光电半导体构件的方法来实现，其中该方法包括：-在晶圆复合物中提供半导体芯片，所述半导体芯片具有用于发射初级辐射的有源侧和设置在所述有源侧上的接触端子，其中所述晶圆复合物是人造晶圆；-确定所述半导体芯片的色度坐标；-根据所述色度坐标分类所述半导体芯片；-基于所述半导体芯片的所述色度坐标将所述半导体芯片设置在人造晶圆中；-在所述有源侧上施加耦合元件；-将用于将所述初级辐射的一部分转换成次级辐射的发光转换元件安置在所述耦合元件上，其中根据所述半导体芯片的色度坐标选择所述发光转换元件，或通过一种光电半导体构件，其中其包括：-半导体层序列，具有用于发射初级辐射的有源侧和设置在所述有源侧上的接触端子；-安置在所述有源侧上的发光转换元件；和-设置在有源侧和发光转换元件之间的耦合元件，其中为所述半导体层序列确定色度坐标，根据所述色度坐标分类所述半导体层序列，基于所述半导体层序列的所述色度坐标将所述半导体芯片设置在人造晶圆中，来实现。

用于制造光电半导体构件的方法或者光电半导体构件的改进形式和有利的扩展方案在本文中说明。

用于制造光电半导体构件的方法的不同的实施形式具有下述步骤：

-在晶圆复合物中提供半导体芯片，所述半导体芯片具有用于发射初级辐射的有源侧和设置在有源侧上的接触端子；

-在有源侧上施加耦合元件；

-将用于把初级辐射的一部分转变成次级辐射的发光转换元件置放在耦合元件上。

光电半导体构件的不同的实施形式具有半导体层序列，所述半导体层序列具有用于发射初级辐射的有源侧和设置在有源侧上的接触端子。在有源侧上设置发光转换元件，其中在有源侧和发光转换元件之间设有耦合元件。

半导体芯片是在半导体工艺中产生的在半导体衬底上的层序列。在此，设置下述半导体：例如III-V族半导体，于是如GaAs半导体或者GaN半导体。在衬底上生长的外延层作为半导体层序列是可能的。衬底例如包括如SiC、蓝宝石、Ge、Si、GaAs、GaN或者GaP的材料。外延层例如具有四元系半导体，如用于可见范围中的蓝色或者绿色发射光谱的AlInGaN或者用于可见范围中的红色发射光谱的AlInGaP。同样，外延层能够具有五元系半导体。这种半导体例如为AlGaInAsP，其能用于发射在红外范围中的辐射。

在分割之后，半导体芯片设有电接触部，其中能够执行如在导体框架或支承体上进行施加和/或对接合线(接合)进行安置的工艺步骤。在将半导体芯片引入到芯片壳体之后，称作半导体构件。

晶圆复合物在下面是具有多个未封装的半导体芯片的任何布置。这例如能够是半导体晶圆，尤其是具有多个单个半导体芯片的未切割半导体晶圆。同样，晶圆复合物能够是支承体，在其上施加有多个未封装的但是已经分割的半导体芯片，以便实现这些半导体芯片的其他工艺。在这种情况下，其还称为人造晶圆(artificalwafer(人造晶圆))。半导体芯片优选固定在支承体上，例如在所述支承体中所述半导体芯片借助如硅树脂的浇注材料进行包封。同样，为了固定，能够将半导体芯片引入到在支承体中的容纳部中。

耦合元件用于将发光转换元件耦合到半导体芯片上。所述耦合元件置放在光电半导体芯片的有源侧上。优选的是，所述耦合元件具有高的光学稳定性和高的热稳定性。典型地，材料在由光电半导体芯片所发射的光谱上是透明的。作为典型的耦合介质尤其在此考虑下述材料：其也使用在发光转换元件中，尤其是在那里使用的基质材料。用于耦合元件的可能的材料是光结构化的材料和/或如玻璃、硅树脂、氧化铝、粘合剂、旋涂硅(SoS)、旋涂玻璃(SoG)、苯并环丁烯(BCB)等的材料。耦合元件例如能够通过离心涂覆来施加为耦合层。

发光转换元件能理解为任何在其中将由半导体芯片发射的初级辐射的一部分转换成其他波长的辐射的装置。所述其他波长的辐射称为次级辐射。发光转换元件与半导体芯片独立地制成。其例如具有小板的形状，所述小板能够施加到半导体芯片的有源侧上。耦合元件用于固定小板。通常，发光转换元件包括透射辐射的基质材料和引入到基质材料中的发光材料。基质材料确定发光转换元件的机械特性。尤其考虑辐射稳定的和透明的材料作为基质材料。例如考虑硅树脂用于在可见范围(光)中的初级辐射。基质材料能够为膜状的、柔性的层。例如，所述基质材料还为热塑的或者热固性的塑料，基质材料能够通过支承元件来支撑或者自承地构成。通常基质材料的折射率选择为，使得在将发光转换元件置放在半导体芯片上之后不形成不希望的散射效果。在此，例如考虑半导体材料或者可能设置的耦合层的折射率。

在基质材料中引入的发光材料吸收初级辐射的至少一部分并且发射处于另一波长范围中的次级辐射。用作发光材料的例如有机发光材料，例如借助稀土掺杂的石榴石。同样能够使用如二萘嵌苯的有机发光材料或者不同发光材料的混合物。从参考文献[2]中已知大量可能的发光材料，其公开内容通过引用结合到本申请中。

发光转换元件能够构成为平的小板。其能够是膜。发光转换元件的出射表面能够平地构成。同样可能的是，发光转换元件具有适合的出射表面，以便实现所希望的光耦合输出。为此，发光转换元件例如能够线型地或者借助凸形弯曲的出射表面构成。同样可能的是，发光转换元件具有平的或者替选地适当粗化的出射表面。

不同的实施形式的基本思想为，将发光转换元件施加到已经设有接触端子的半导体芯片上。在半导体芯片被接触或者被借助接合线进行接触并且封装在壳体中之前进行发光转化材料的施加。因此，尤其白色的、未封装的半导体芯片的销售是可能的。此外因此提供借助于芯片级封装(WLP)进行封装的半导体芯片。在WLP中，在芯片级上、即在分割之前已经执行尽可能多的接触和封装步骤。形成仅不显著地大于半导体芯片的半导体构件。

在此，发光转换元件能够分离于半导体芯片作为单个元件来制造。所述发光转换元件能够事后施加并且借助于耦合元件固定到半导体芯片的有源侧上。因此可能的是，通过已经设置的接触端子确定初级辐射的光谱并且接下来将适当选出的发光转换元件施加到半导体芯片的有源侧上。在此，能够进行发光转换元件的选择，使得在发光转换元件中产生次级辐射的确定比例的或者确定光谱，使得所发射的初级辐射和所产生的次级辐射的叠加的光谱符合于希望的发射光谱。由此可能地制造具有所追求的色度坐标的光电半导体构件。

在方法的实施形式中，露出接触端子。露出例如通过激光烧蚀或者通过光刻工艺来进行。接触端子事后的露出允许发光转换元件简单的施加。在此，方法尤其执行为使得在施加耦合元件和发光转换元件时不必注意保持暴露接触端子。

附图说明

下面，借助参考附图详细地阐明根据本发明的解决方案的不同的实施例。在附图中，附图标记的第一数字说明首先使用该附图标记的附图。在全部的附图中，对于类似的或者起相同作用的元件或者特性设置相同的附图标记。

其中：

图1示出具有光电半导体元件的晶圆复合物的示意俯视图；

图2a至2e借助沿着剖面轴线A-A穿过在图1中示出的晶圆复合物的断面示出在制造光电半导体构件时的方法步骤的示意图；

图3示出光电半导体构件的实施形式的示意图；

图4a至4e借助沿着剖面轴线A-A穿过在图1中示出的晶圆复合物的断面示出在制造光电半导体构件时的方法步骤的示意图；

图5示出用于制造光电半导体构件的方法的实施例的流程图；

图6示出在制造光电半导体构件中的方法步骤的实施例的流程图，和

图7示出在制造光电半导体构件中的方法步骤的另一实施例的流程图。

具体实施方式

图1示出具有光电半导体芯片的晶圆复合物100的示意俯视图。晶圆复合物100能够是半导体晶圆。半导体晶圆包含例如硅的半导体材料。在制造光电半导体构件时，通常使用III-V族化合物半导体，例如氮化镓或者氮化铟来代替硅衬底，所述化合物半导体例如外延地生长到SiC衬底上。在半导体晶圆的工艺处理中，制造具有发射辐射的有源区域的半导体层序列。在此，有源区域例如具有产生辐射的pn结或者产生辐射的单量子结构或者多量子结构。多重结构和用于制造半导体器件的方法对于本领域技术人员而言是已知的并且因此不需要阐明。施加电压时在有源区中产生的辐射通过半导体芯片的有源侧辐射出。有源侧在晶圆复合物100的俯视图中示出。

晶圆复合物100同样能够是人造晶圆。人造晶圆由分割的半导体芯片产生。为此，能够将半导体芯片施加到共同的支承体上并且接下来，例如借助浇注材料固定在所述支承体上。同样可能的是，人造晶圆具有多个容纳部，各个半导体芯片以有源侧朝上的方式引入到所述容纳部中。人造晶圆中的半导体芯片可供其他的工艺过程使用。

晶圆复合物100具有芯片格栅，在所述芯片格栅中包含第一半导体芯片102和第二半导体芯片104。在半导体芯片上示出有源侧。相应的前侧的接触面施加在所述有源侧上。因此，在示图中，第一半导体102在其有源侧上具有电流分配端子106和接触端子108。电流分配端子106用于将输入的电流通过有源侧馈送到有源区中。与电流分配端子导电连接的接触端子108用于与端子电极进行接触，例如通过接合线或者导体框架(leadframe(导体框架))。

随后将发光转换元件施加到设置在芯片格栅中的半导体芯片上。该施加下面根据两个实施例详细地进行描述。

用于制造光电半导体构件的方法的实施例

图2a至图2e示出根据沿着剖面轴线A-A的穿过在图1中示出的晶圆复合物的断面示出在制造光电半导体构件时的方法步骤的示意图。

图2a示出具有多个半导体芯片的工艺处理的半导体晶圆200的横截面。示例性地示出半导体芯片202或者半导体小板(用虚线示出)。该半导体芯片具有有源侧204和并且通过切割槽206与左侧相邻的半导体芯片中分离。切割槽206是在两个半导体芯片之间的边缘区域。形成如此限定的距离是因为在彼此切开半导体晶圆200时将条带切掉。同样地，电流分配端子106和接触端子108的横截面示出在半导体芯片202的上侧、即光出射侧或者有源侧上。因此，各个半导体芯片已经能够被电接触并且能够在其光谱特性上进行测定。

在提供在半导体晶圆200中的半导体芯片之后，在半导体的有源侧上施加耦合层208形式的耦合元件，如在图2b中示出。耦合层208覆盖半导体晶圆200的表面的至少部分。同样可能的是，耦合层208以单个小板或者水滴的形式施加到相应的半导体芯片上。

在接下来在图2c中示出的方法步骤中，将发光转换元件施加到半导体芯片的有源侧上。

在此，将预先分类的发光转换元件210施加到半导体芯片202上。发光转换元件210分类为使得为半导体芯片202实现用于稍后发射的辐射的希望的光谱特性，例如根据CIE系统的确定的色度坐标。在施加发光转换元件210之后，将其固定在半导体芯片202上。为此，例如能够硬化耦合层。这例如在使用热量和/或辐射的情况下来进行。

在另一在图2d中示出的方法步骤中，露出半导体芯片的接触端子108。如在附图中示意地表明，这能够借助于激光烧蚀来实现。激光烧蚀理解为通过借助脉冲的激光辐射进行轰击来去除表面的材料。为此，提供激光源212，脉冲的激光辐射从所述激光源中发射到发光转换元件210的覆盖接触端子108的区域上。在此，二氧化碳激光或者UV激光考虑作为可能的激光源。

由于激光烧蚀，发光转换元件210和耦合层208的材料通过在接触端子108之上蒸发而被去除。为了清除在接触端子108上的所形成的杂质或者发光转换元件的残留物，能够使用例如为借助于高压水清洁和/或O₂-CF₄等离子体清洁的清洁方法。

其他用于露出接触端子的可能性同样是可能的。例如，耦合层208和发光转换元件210的基质材料能够由可光结构化的材料组成。因此可能的是通过光刻工艺来露出接触端子108。

在露出接触端子108之后，半导体器件200在图2e中示出的方法步骤中进行分割。为此，半导体晶圆200沿着在切割槽中的切割线214割开。如激光分割的其他的分割方法同样是可能的。在分割之后，形成分割的光电半导体芯片216。分割的半导体芯片216具有可连接的接触端子108，使得其在引入到壳体中之前例如能够在发射光谱的色温方面进行测试。可能的是，分割的半导体芯片与其他的半导体芯片作为多LED模块引入到共同的壳体中。

图3示出光电半导体构件的实施形式的示意图。在此，分割的半导体芯片216施加在支承体300上。分割的半导体芯片216借助发光转换元件210来覆盖。发光转换元件210借助耦合层208固定在分割的半导体芯片216的有源侧上。露出分割的半导体芯片216的接触端子108。接触端子108通过接合线302与支承体300连接。在支承体300上施加围绕分割的半导体芯片216的反射器304。在反射器304的凹部中引入浇注材料306，其将分割的半导体芯片216和接合线302围绕。

根据壳体的选择，支承体300能够为导体框架(leadframe)或者衬底。该支承体例如用于使光电半导体构件机械稳定和/或用于将分割的半导体芯片216与外部的电接触部电连接。

反射器304用于耦合输出分割的半导体芯片216所发射的辐射。该反射器能够具有平滑的内表面。同样可能的是，结构化内表面，例如以便实现光电半导体构件的更好的发射性能。侧向的内表面能够垂直地形成在反射器304中。同样可能的是，倾斜地构成侧向的内表面，例如其中所述侧面形成为使得凹部朝着开口扩宽。由此所形成的成型倾斜部典型地具有与支承体300的垂线偏离大于4°的角度。因此，同样改进光电半导体构件的辐射性能(Abstrahlleitung)。

浇注材料306通常是透明的材料。例如能够使用下述透明材料用作浇注材料306，所述材料具有UV引发或者光引发的阳离子硬化特性。例如使用硅酮或者环氧树脂作为浇注材料306。还能够使用如PMMA的丙烯酸树脂或者硅树脂。浇注材料306能够包含漫射材料，以便实现在光学元件中产生的辐射的漫射形式的辐射耦合输出。为此，浇注材料306能够包含分布在浇注材料306中的漫射颗粒。这些漫射颗粒用于将射到其上的辐射例如光以漫射方式散射。同样，浇注材料306能够包含吸收材料，以便根据需求影响光电半导体构件的光学特性。

图4a至图4e根据沿着剖面轴线A-A的穿过在图1中示出的晶圆复合物的断面示出在制造光电半导体构件时的方法步骤的示意图。只要没有做出说明，没有示出的方法步骤就能够通过图2a至图2e的实施例的相应的方法步骤来代替或者补充。

首先，提供工艺处理的半导体晶圆，如在图2a中示出。图4a至图4e的实施例与图2a至图2e的实施例的不同之处在于，工艺处理的半导体晶圆在该方法步骤中已经分割。因此，提供分割的半导体芯片。为每个半导体芯片确定色度坐标，所述色度坐标相应地与由半导体器件所发射的辐射相关联。根据色度坐标能够分类半导体芯片。同样可能的是，根据其他的标准，例如初级辐射光谱的峰值波长来进行分类。

图4a示出人造晶圆400。人造晶圆400具有容纳部402，工艺处理的并且分割的半导体芯片404引入到所述容纳部中。因此，人造晶圆400可用于引入的半导体芯片的进一步的工艺处理。人造晶圆包括以分类方式选出半导体芯片。

替选于此，人造晶圆400仅具有如下位置，在所述位置上设置有分割的半导体芯片404。如此设置的半导体芯片接下来借助于浇注材料来固定。这些位置例如能够以较小的容纳部402为特征。

人造晶圆400能够类似于在图2b至图2d中示出的方法步骤进一步进行处理。同样可能的是，图4b至图4d的下面示出的方法步骤相应地转用给图2a至图2e的方法。

在图4b中示出的方法步骤中，将焊球406(bumps(凸点))施加到接触端子108上。该焊球能够由如金的金属或者例如锡合金的合金组成。因此，简化了稍后的电接触。接下来，在图4c中示出的方法步骤中施加耦合层208。在此薄地施加耦合层208，使得焊球406从所述耦合层中伸出。同样可能的是，耦合层208以单个小板或者水滴的形式施加到半导体芯片404上。结果，焊球406没有或者仅非显著地被耦合层208覆盖。为了在置放耦合层208之后使得焊球406仅稍微从如此构成的构件表面中伸出，在下面的工艺步骤中能够将焊球406磨削到合适的厚度。

在施加耦合层208之后，将符合色度坐标的发光转换元件210施加到半导体芯片404上。通过耦合层208将发光转换元件210类似于图2c的方法步骤固定在半导体芯片404上。该过程在图4c中示意地示出。在此，发光转换元件210优选具有开口，所述开口在施加发光转换元件210时允许露出焊球406。

接下来，分割的半导体芯片404从人造晶圆400的凹部402中取出并且继续加工。该方法步骤示意地在图4e中示出。在电接触和引入壳体之后，半导体芯片404示例地为在图3中示出的光电半导体构件的一部分。

图5示出用于制造光电半导体构件的方法的实施例的流程图。

在第一步骤500中，提供具有用于发射初级辐射的有源侧和设置在有源侧上的接触端子的半导体芯片。半导体芯片能够是工艺处理的半导体晶圆的一部分。同样可能的是，已经分割的半导体芯片引入人造晶圆中或者单个地加工。

在第二步骤502中，在有源侧上施加耦合元件。这例如能够通过施加耦合层来进行。同样，能够设置用于耦合发光转换元件的其他的机构。

在第三步骤504中，置放用于将初级辐射的一部分转换成次级辐射的发光转换元件。在此，发光转换元件设置在半导体芯片的有源侧上。该发光转换元件借助于耦合元件固定在所述有源侧上。

接下来，在步骤506中露出接触端子。此外，在露出之前或之后，能够进行后处理的方法步骤，在所述方法步骤中为了稳定而硬化或者固化发光转换元件和/或耦合元件。

通过该制造方法，提供半导体构件，所述半导体构件在施加电压时即在初级辐射范围中还在次级辐射范围中发射辐射。在其他的、可选的步骤中，检验发射的总光谱。此外，无壳体的半导体器件可供使用和因此可用于多种不同的应用。

图6示出在制造光电半导体构件时的方法步骤的实施例的流程图。

在此，在第一方法步骤600中得出光电半导体芯片的相应的色度坐标，所述半导体芯片一起形成半导体晶圆。在得出的色度坐标之后，在第二方法步骤602中能够根据该信息连同相关联的半导体芯片的位置在半导体晶圆中生成具有半导体芯片的色度坐标的晶圆图。晶圆图例如能够实施为列表，在所述列表中存放所得出的数据和所得出的数据之间的关系。

借助于晶圆图可能的是，每个半导体芯片与相应的发光转换元件相关联，以便实现半导体构件的所追求的辐射特性。在第三方法步骤604中进行发光转换元件与半导体芯片的关联。接下来，相关联的发光转换元件在方法步骤606中施加到相应的半导体芯片上。

图7示出在制造光电半导体构件中的方法步骤的另一实施例的流程图。

在第一步骤700中分割半导体芯片。在分割之前或者之后，为每个半导体芯片确定初级辐射的色度坐标。还能够确定例如初级辐射的峰值波长的其他物理特性。接下来，在第二方法步骤702中根据物理特性分类分割的半导体芯片。在此，例如能够将具有在一定公差内的类似物理特性、例如初级辐射的类似色度坐标的一组半导体芯片编制在一起。

在第三方法步骤704中将分类的半导体芯片设置在人造晶圆中。优选的是，在人造晶圆中设置所编制的组的半导体芯片，使得接下来能够进行共同的继续工艺处理，而不必须考虑半导体芯片的变化。

发光转换元件在第四方法步骤706中与确定的色度坐标或者半导体芯片的确定的组相关联，并且在第五方法步骤708中施加到后者上。

可能的是，发光转换元件具有使得其在多个半导体芯片之上延伸的大小。这在半导体晶圆或者晶圆复合物具有半导体芯片的如下域时是尤其有利的，这些域的色度坐标位于预设的公差之内。相应于此，发光转换元件能够与域相关联，并且施加到该域的半导体芯片上。该变型方案在其中半导体芯片以按照其色度坐标分类的方式进行设置的人造晶圆中是特别有利的。各个发光转换元件首先覆盖多个半导体芯片并且借助耦合机构固定在其上。在接下来的步骤中，将发光转换元件在每个半导体芯片上例如借助于激光分割进行切裁。这例如能够在具有分割半导体芯片的方法步骤中进行。在另一实施形式中，其在分割半导体芯片之前进行。

鉴于所描述的方法可能的是，图6的方法步骤能够结合在图2a至图2e中描述的实施形式实施并且图7的方法步骤能够结合在图4a至图4e中所描述的实施形式来实施。然而，还可能的是，任意组合全部方法步骤，只要其通过上述方法步骤来实现。因此，如参考图4b至图4d进行描述，例如能够将图6所描述的方法结合置放焊球来实施。

结论

为了示出所基于的思想，借助一些实施例来描述光电半导体构件和用于制造光电半导体构件的方法。在此，实施例不限制于特征的组合。尽管一些特征和扩展方案仅结合特殊的实施例或者单个实施例来描述，其仍能够相应地与来自其他的实施例中的其他的特征组合。同样可能的是，在实施例中，删除或者添加各个示出的特征或者特殊的扩展方案，只要保持实现通用的技术教导。

尽管用于制造光电半导体构件的方法的步骤以确定的顺序进行描述，而显然的是，每个在该公开中所描述的方法能够以任何其他的、有意义的顺序来执行，其中还能够删除或者添加方法步骤，只要没有偏离所描述的技术教导的基本思想。

参考文献

在该说明书中引用下述公开文献：

[1]WO97/50132，和

[2]WO98/12757A1。

附图标记列表

晶圆复合物100

第一半导体芯片102

第二半导体芯片104

电流分配端子106

接触端子108

半导体晶圆200

半导体芯片202

有源侧204

切割槽206

耦合层208

发光转换元件210

激光源212

切割线214

分割的半导体芯片216

导体框架300

接合线302

反射器304

浇注材料306

人造晶圆400

容纳部402

分割的半导体芯片404

焊球406

Claims (15)

1.用于制造光电半导体构件的方法，包括：

-在晶圆复合物中提供半导体芯片(202、404)，所述半导体芯片具有用于发射初级辐射的有源侧(204)和设置在所述有源侧(204)上的接触端子(108)，其中所述晶圆复合物是人造晶圆；

-确定所述半导体芯片(202、404)的色度坐标；

-根据所述色度坐标分类所述半导体芯片(202、404)；

-基于所述半导体芯片(202、404)的所述色度坐标将所述半导体芯片(202、404)设置在人造晶圆中；

-在所述有源侧(204)上施加耦合元件(208)；

-将用于将所述初级辐射的一部分转换成次级辐射的发光转换元件(210)安置在所述耦合元件(208)上，其中根据所述半导体芯片(202、404)的色度坐标选择所述发光转换元件(210)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述晶圆复合物是工艺处理的半导体晶圆(200)。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述晶圆复合物是人造晶圆(400)。

4.根据权利要求1至3之一所述的方法，还包括：

得出所述半导体芯片(202、404)的色度坐标。

5.根据权利要求4所述的方法，还包括：

生成具有关于在所述晶圆复合物之内的每个半导体芯片(202、404)的位置和色度坐标的信息的晶圆图。

6.根据权利要求4所述的方法，还包括：

在得出所述色度坐标之前或之后分割所述半导体芯片(202、404)，

根据所述色度坐标将所述半导体芯片(202、404)分类，和

基于所述半导体芯片(202、404)的色度坐标将所述半导体芯片(202、404)设置在人造晶圆中，使得分别编制成具有在预设公差内的类似色度坐标的半导体芯片(202、404)组。

7.根据权利要求6所述的方法，其中施加所述发光转换元件(210)的步骤包括施加在多个半导体芯片(202、404)上延伸的发光转换元件(210)。

8.根据权利要求1至3之一所述的方法，其中根据所述半导体芯片(202、404)的色度坐标选出所述发光转换元件(210)。

9.根据权利要求1至3之一所述的方法，其中所述耦合元件(208)包括至少一种下述材料：

-玻璃，

-硅树脂，

-氧化铝，或者

-粘合剂。

10.根据权利要求1至3之一所述的方法，包括：

-露出所述接触端子(108)。

11.根据权利要求6所述的方法，其中通过激光烧蚀实现露出所述接触端子(108)。

12.根据权利要求6所述的方法，其中通过光刻工艺实现露出所述接触端子(108)。

13.光电半导体构件，包括：

-半导体层序列，具有用于发射初级辐射的有源侧(204)和设置在所述有源侧(204)上的接触端子(108)；

-安置在所述有源侧(204)上的发光转换元件(210)；和

-设置在有源侧(204)和发光转换元件(210)之间的耦合元件(208)，

其中为所述半导体层序列确定色度坐标，根据所述色度坐标分类所述半导体层序列，基于所述半导体层序列的所述色度坐标将所述半导体层序列设置在人造晶圆中，其中根据所述半导体层序列的色度坐标选择所述发光转换元件(210)，并且所述人造晶圆具有多个容纳部，各个半导体层序列以所述有源侧朝上的方式引入到所述容纳部中。

14.根据权利要求13所述的光电半导体构件，其中所述接触端子(108)露出。

15.根据权利要求13或14所述的光电半导体构件，包括：

-围绕所述半导体层序列和所述发光转换元件(210)的壳体。