KR20040027378A - 발광 장치의 제조 방법 - Google Patents

발광 장치의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20040027378A
KR20040027378A KR1020030066199A KR20030066199A KR20040027378A KR 20040027378 A KR20040027378 A KR 20040027378A KR 1020030066199 A KR1020030066199 A KR 1020030066199A KR 20030066199 A KR20030066199 A KR 20030066199A KR 20040027378 A KR20040027378 A KR 20040027378A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
emitting device
classifying
luminance
light
Prior art date
Application number
KR1020030066199A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100576571B1 (ko
Inventor
노구치가츠히코
호리우치메구미
Original Assignee
가부시키가이샤 시티즌 덴시
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 시티즌 덴시 filed Critical 가부시키가이샤 시티즌 덴시
Publication of KR20040027378A publication Critical patent/KR20040027378A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100576571B1 publication Critical patent/KR100576571B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

복수의 발광 소자 유닛을 제작하기 위해 기판상에 발광 소자를 장착하고, 복수의 피복 부재를 제조한다. 상기 피복 부재 각각은 인 입자나 휘도 감소 물질 중 하나를 포함한다. 상기 발광 소자 유닛 각각의 발광 소자로부터 방출되는 빛의 파장 및 휘도를 측정한다. 상기 발광 소자로부터 방출된 빛의 파장 및 휘도 측정치를 등급으로 분류한다. 상기 인 입자로부터 방출된 빛의 파장을 등급으로 분류하고, 상기 휘도 감소 물질의 혼합 비율을 등급으로 분류한다. 상기 발광 소자의 등급과 상기 피복 부재의 등급을 원하는 특성에 따라 그룹으로 분류한다. 동일한 그룹에 속하는 발광 소자 유닛 및 피복 부재를 케이스에 장착한다.

Description

발광 장치의 제조 방법 {METHOD FOR MANUFACTURING A LIGHT EMITTING DEVICE}
본 발명은 발광 장치를 제조하는 방법에 관한 것이다.
도 17은 미국 특허 제6,069,440호에 개시된 통상적인 LED 장치의 단면도이다. 백색 LED 장치(20)는 기판(23), 상기 기판(23)에 고정된 전극(21 및 22), 그리고 상기 기판(23)상에 장착된 청색 LED(24)를 포함한다. LED(24)는 전극(21 및 22)에 대해 도선(25)에 의해 연결된다. LED(24) 및 전극(21 및 22)은 투명 캡슐화 수지(27)로 캡슐화된다.
수지(27)에는 YAG 계열의 형광 물질이 혼합된다. 형광 물질에는 인 입자(26)가 포함된다.
여기 전류(exciting current)가 전극(21 및 22)을 통하여 청색 LED(24)로 인가되면, 이 LED는 청색광(Pb)을 방출한다. 이 청색광의 일부가 인 입자에 충돌하게 되면, 인 입자가 청색광을 흡수하여 황색광(Py)을 방출한다. 황색광(Py) 및 청색광(Pb)이 결합되면 백색광(Pw)이 생성된다.
또한 미국 특허 제6,319,425호는 형광 물질이 포함된 캡(cap)으로 덮인 LED에 관하여 개시하고 있다.
또한 미국 특허 제6,351,069호는 두 종류의 인 입자를 포함하여 백색광을 발생시키는, 투명 수지에 의해 캡슐화된 LED에 대하여 개시하고 있다.
그러나 LED는 화합물 반도체이므로, 제품의 색도 및 휘도가 크게 분산된다. 또한 캡슐화 수지 내의 인 입자 양 및 분포의 분산으로 인해 혼합 백색광(Pw) 역시 분산된다.
도 18 및 도 19는 LED 장치의 색도 및 휘도 분산을 나타내는 그래프이다.
도 18은 1 로트(lot)의 양으로 생산된 LED 장치의 색도 분산을 나타내는 XYZ 좌표의 그래프이다. 각각의 검은 점은 LED 장치의 색도를 나타낸다. 분산은 오른쪽을 향할수록 증가한다. 여기서 문자 A로 나타낸 가로 방향의 분산은 주로 청색 LED의 색도 분산에 기인한 것이며, 문자 B로 나타낸 세로 방향의 분산은 주로 캡슐화 수지 내의 인 입자 양 및 분포의 분산에 기인한 것이다.
도 18의 중앙값으로부터 크게 벗어난 색도를 갖는 LED 장치는 백색광을 방출하는 장치로 사용될 수 없다. LED 장치의 색도는, X 및 Y가 0.33±0.01의 범위에 있는 가운데의 빗금으로 표시된 범위 내에 있을 것이 요구된다.
도 19의 그래프에서, 가로축은 휘도를 나타내고 세로축은 LED 장치의 수를 나타낸다. 중앙의 범위에 대한 분산의 분포는 +30% 내지 -40%에 걸쳐 있다. 그러나 요구 범위는 도 19에 나타낸 바처럼 ±20%이다.
본 발명의 목적은 색도 및 휘도를 원하는 값으로 보정하는 방법을 제공하는것이다.
본 발명에 있어서, 다음과 같은 단계를 포함하는 발광 장치 제조 방법이 제공된다. 즉, 지지 부재 상에 발광 소자를 장착하는 단계와, 투명 수지로 만들어진 복수의 피복 부재(이들 각각은 인 입자나 휘도 감소 물질 중 하나를 포함함)를 제조하는 단계와, 상기 발광 소자로부터 방출되는 빛의 파장 및 휘도를 측정하는 단계와, 상기 발광 소자로부터 방출된 빛의 파장 측정치를 등급으로 분류하는 단계와, 상기 발광 소자로부터 방출된 빛의 휘도 측정치를 등급으로 분류하는 단계와, 상기 인 입자로부터 방출된 빛의 파장을 등급으로 분류하는 단계와, 휘도 감소 물질의 혼합 비율을 등급으로 분류하는 단계와, 상기 발광 소자의 등급과 상기 피복 부재의 등급을 원하는 특성에 따라 그룹으로 분류하는 단계와, 상기 발광 소자 및 상기 피복 부재를 결합하는 단계와, 동일한 그룹에 속하는 발광 소자 및 피복 부재를 케이스에 장착하는 단계가 포함된다.
인 입자 및 휘도 감소 물질 모두는 동일한 피복 부재 내에 포함될 수 있다.
휘도 감소 물질은 색소이다.
발광 소자는 기판상에 장착되어 발광 소자 유닛을 이루게 된다.
본 발명의 또 다른 태양에 있어서, 다음과 같은 단계를 포함하는 발광 장치 제조 방법이 제공된다. 즉, 복수의 발광 소자 유닛을 제작하기 위해 기판상에 발광 소자를 장착하는 단계와, 상기 발광 소자 유닛을 장착하기 위한 복수의 영역을 갖는 케이스 어셈블리(assembly)를 제조하는 단계와, 투명 수지로 만들어진 복수의 피복 부재(이들 각각은 인 입자나 휘도 감소 물질 중 하나를 포함함)를 제조하는단계와, 상기 발광 소자 유닛 각각의 발광 소자로부터 방출되는 빛의 파장 및 휘도를 측정하는 단계와, 상기 발광 소자로부터 방출된 빛의 파장 측정치를 등급으로 분류하는 단계와, 상기 발광 소자로부터 방출된 빛의 휘도 측정치를 등급으로 분류하는 단계와, 상기 인 입자로부터 방출된 빛의 파장을 등급으로 분류하는 단계와, 휘도 감소 물질의 혼합 비율을 등급으로 분류하는 단계와, 상기 발광 소자 유닛의 등급과 상기 피복 부재의 등급을 원하는 특성에 따라 그룹으로 분류하는 단계와, 동일한 그룹에 속하는 발광 소자 유닛 및 피복 부재를 상기 케이스 어셈블리의 영역 내에 장착하는 단계와, 발광 소자 유닛을 각각 갖는 영역을 상기 케이스 어셈블리로부터 분리하는 단계가 포함된다.
피복 부재는 서로 연결되어 피복 부재 어셈블리를 형성하며, 피복 부재 각각은 케이스 어셈블리의 영역에 대응되는 위치에 배치된다.
각각의 영역은 중앙 부분에 함몰부(recess)를 가지며, 발광 소자 유닛은 상기 함몰부의 바닥에 장착되고, 피복 부재는 상기 함몰부 내에 장착된다.
상기 방법은, 금속으로 상기 케이스 어셈블리를 제조하는 단계와, 상기 영역을 행렬로 배열하는 단계와, 상기 영역 각각에 함몰부를 형성하는 단계와, 병렬로 배열된 영역 내에 슬릿(slit)을 형성하는 단계와, 상기 슬릿 내에 수지를 충전(充塡)하는 단계와, 상기 케이스 어셈블리로부터 상기 영역을 분리하는 단계를 더 포함한다.
본 발명의 이러한 목적 및 특징, 또는 그 밖의 목적 및 특징은 첨부된 도면 및 이하의 발명의 상세한 설명으로부터 더욱 분명해질 것이다.
도 1은 본 발명의 LED 장치의 사시도.
도 2는 선 II-II를 따라서 본 LED 장치의 단면도.
도 3은 방출된 빛의 파장 측정치 분포를 나타낸 그래프.
도 4는 방출된 빛의 휘도 측정치 분포를 나타낸 그래프.
도 5는 파장 등급표.
도 6은 휘도 등급표.
도 7은 인 입자로부터 방출된 황색광의 파장 등급표.
도 8은 색소 혼합 비율 등급표.
도 9는 등급 조합을 나타낸 그래프.
도 10은 색도 보정의 색도 좌표 일부를 나타낸 그래프.
도 11은 조합에 의한 휘도 보정 효과를 나타낸 표.
도 12는 각 그룹에 대해 본 발명의 LED 장치를 제조하는 단계를 나타낸 사시도.
도 13은 케이스 어셈블리의 사시도.
도 14는 LED 장착 전의 케이스 어셈블리 사시도.
도 15는 피복 부재 장착 작업을 나타낸 사시도.
도 16은 케이스 어셈블리 분리 단계를 나타낸 사시도.
도 17은 통상적인 LED 장치의 단면도.
도 18 및 도 19는 LED 장치의 색도 및 휘도 분산을 나타낸 그래프.
도 1은 본 발명의 LED 장치의 사시도이며, 도 2는 도 1의 선 II-II를 따라서 본 상기 LED 장치의 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 백색 LED 장치(1)는 Mg, Al 및 Cu 족과 같은 높은 열전도율을 갖는 금속으로 만들어진 입방체 케이스(2)와, 뒤집힌 원뿔대 모양의 함몰부(2b)를 갖는다. 케이스(2)는 제1 및 제2의 반금속 코어(half metal core)(3a 및 3b)를 포함하며, 이들 사이에는 수지로 만들어진 절연층(4)이 슬릿(2c) 내에 충전되어 있다. 함몰부(2b)의 내벽을 은 도금에 의해 가공함으로써 광 반사면이 되도록 한다. 발광 소자 유닛(6)을 함몰부(2b) 내에 장착한다. 발광 소자 유닛(6)은 여기 전류의 공급을 받도록 땜납에 의해 금속 코어(3a 및 3b)에 고정된 기판(6a)과, 발광 소자로서 기판(6a)상에 융기부(bump)(6b)를 통해 장착된 청색 LED(5)를 포함한다. LED(5)의 밑면은 융기부(6b)를 보호하기 위해 수지(6c)로 캡슐화된다.
투명 수지로 된 피복 부재(7)는 함몰부(2b)와 맞물리도록 된 외형을 가지며, 접착제에 의해 함몰부의 내벽에 접착된다. 피복 부재(7)에는 YAG 인 입자(7a) 및 휘도 감소 물질로서의 색소 또는 염료 입자(7b)가 혼합된다. 인 입자(7a) 및 색소 입자(7b)는 LED(5)로부터 방출된 빛의 색도가 원하는 색도로 보정되도록 선택된다.
동작시에 있어서, 여기 전류가 금속 코어(3a 및 3b)에 인가되면 이 전류는 기판(6a) 및 융기부(6b)를 통해 청색 LED(5)에 인가된다. 따라서 LED(5)는 청색광을 방출하도록 여기된다. 청색광의 일부가 인 입자(7a)에 충돌할 경우, 청색광은 이 인 입자(7a)에 흡수되고 그 입자는 황색광을 방출한다. 인 입자에 충돌하지 않은 청색광이 이 황색광과 혼합되면 백색광(Pw)이 생성된다. 또한 백색광의 색도 및 휘도는 색소 입자(7b)에 의해 원하는 색도 및 휘도가 되도록 보정된다.
다음으로, 본 발명의 LED 장치 제조 단계에 있어서 인 물질 및 색소를 선택하는 방법에 관하여 이하 설명하기로 한다.
청색 LED(5)가 기판(6a)상에 장착되는 단계에서, 청색 LED로부터 방출된 빛의 파장 및 휘도가 LED 테스터에 의해 측정되어 메모리에 저장된다.
도 3은 방출된 빛의 파장 측정치 분포를 나타내고 있다. 가로축은 파장을, 세로축은 LED 장치의 수를 나타낸다. 파장은 피크(peak)가 있는 470㎚ 근처에서 460 내지 480㎚ 사이에 분포되어 있다.
도 4는 방출된 빛의 휘도 측정치 분포를 나타내고 있다. 가로축은 휘도를, 세로축은 LED 장치의 수를 나타낸다. 휘도는 0.5 내지 2.0 사이에 분포되어 있다. 최대 휘도에 대한 휘도의 비는 1 내지 4이다.
파장 및 휘도의 분포 데이터는 네 가지 등급으로 분류된다.
도 5는 파장의 등급을 나타낸 것이다. 파장은 462 내지 478 사이의 범위에서 a1 내지 a4의 등급 번호로 분류된다. 한 등급의 범위는 4㎚이다.
도 6은 휘도의 등급을 나타낸 것이다. 휘도는 0.6 내지 2.0 사이의 범위에서 b1 내지 b4의 등급 번호로 분류된다. 한 등급의 범위는 1.35이다.
따라서 청색 LED는 16개의 등급(4 등급 × 4 등급 = 16 등급)으로 분류된다. 즉 16개의 등급 번호는 a1b1, a1b2, ... , a4b4와 같이 나타내어진다.
다음으로, 인 입자(7a)에 청색광이 충돌함으로써 생성된 황색광의 파장이 네가지 등급으로 분류된다. 황색광의 파장은 YAG 계열(예컨대 갈륨 및 가돌리늄)의 인 물질 성분간의 비율을 바꿈으로써 변경할 수 있다. 여기서는 570㎚의 피크 파장을 갖는 인 물질이 560㎚ 내지 580㎚ 사이의 범위에서 네 가지 등급으로 분류된다.
분류된 인 물질(7a)은 피복 부재(7) 내에 혼합된다.
도 7은 인 입자(7a)로부터 방출된 황색광의 파장 등급을 나타낸 것이다. 파장은 c1 내지 c4의 네 가지 등급 번호로 분류된다. 한 등급의 범위는 5㎚이다.
앞서 설명한 것처럼, 색소 입자(7b)가 피복 부재(7) 내에 혼합되어 휘도를 원하는 값으로 보정하게 된다. 휘도는 혼합 비율을 바꿈으로써 변경할 수 있다.
도 8은 색소 혼합 비율 등급을 나타낸 것이다. 휘도 색소의 혼합 비율은 0.6 내지 2.0의 범위에서 d1 내지 d4의 네 가지 등급 번호로 분류된다. 혼합 비율의 범위는 0% 내지 45%이다.
따라서 피복 부재(7)는 16개의 등급(4 등급 × 4 등급 = 16 등급)으로 분류된다. 즉 16개의 등급 번호는 c1d1, c1d2, ... , c4d4와 같이 나타내어진다.
다음으로, LED(5)의 파장 및 휘도 등급, 인 입자로 인한 파장 등급, 그리고 색소 등급을 조합한다. 도 9는 등급의 조합을 나타낸다. 예컨대 그룹 G1은 등급 a1(LED로부터 방출된 빛의 중심 파장인 470㎚보다 짧은 쪽) 및 등급 c1(인 입자로부터 방출된 빛의 중심 파장인 570㎚보다 짧은 쪽)의 조합이다.
마찬가지로, 그룹 G2 내지 G4는 파장 등급 a2 내지 a4와 파장 등급 c2 내지 c4의 조합이다.
또한, 예컨대 그룹 G1은 등급 b1(LED의 가장 낮은 휘도 등급)과 d1(가장 적은 색소(7b) 혼합 비율)의 조합이다.
도 10은 색도 보정의 색도 좌표 일부를 나타낸 그래프이다. 선 G1 내지 G4는 LED 장치로부터 방출된 백색광의 색도 변화를 그룹 G1 내지 G4에 따라 나타낸 것이다. 여기서 선 G1 내지 G4의 왼쪽 아래 범위 P1은, 백색광이 푸르스름한 색을 띠도록 인 입자의 혼합량을 적게 한 경우에 LED 장치로부터 방출된 빛의 색도이다. 선 G1 내지 G4의 오른쪽 위 범위 P2는, 백색광이 노르스름한 색을 띠도록 인 입자의 혼합량을 많게 한 경우에 LED 장치로부터 방출된 빛의 색도이다.
여기서, 그룹 G1의 파장 등급은 가장 짧은 파장인 a1이다. 따라서 범위 P1에서의 X 좌표값은 가장 큰 값이고, Y 좌표값은 가장 작은 값이다. 그러므로 이 빛의 색도는 거의 청색이 된다.
또한, 그룹 G1의 파장 등급은 가장 짧은 파장인 c1이다. 따라서 범위 P2에서의 X 좌표값은 가장 작은 값이고, Y 좌표값은 가장 큰 값이다. 그러므로 이 빛의 색도는 거의 녹색이 된다.
또한, 그룹 G4의 파장 등급은 가장 짧은 파장인 a4이다. 따라서 범위 P1에서의 X 좌표값은 가장 큰 값이고, Y 좌표값은 가장 큰 값이다. 그러므로 이 빛의 색도는 녹색에 가깝게 된다.
또한, 그룹 G4의 파장 등급은 가장 긴 파장인 c4이다. 따라서 범위 P2에서의 X 좌표값은 가장 큰 값이고, Y 좌표값은 가장 작은 값이다. 그러므로 이 빛의 색도는 불그스름하게 된다.
따라서 LED(5)와 피복 부재(인 입자가 혼합된 것)를 조합함으로써, 파장의차이에 따라 그룹 G1 내지 G4의 색도 기울기가 변하게 됨을 알 수 있다. 또한 피복 부지(7) 내의 인 입자 양을 바꿈으로써 그룹 G1 내지 G4의 색도를 빗금으로 나타낸 요구 영역의 색도로 보정할 수 있음을 알 수 있다. 그 밖의 그룹 G5 내지 G16에 대해서도 마찬가지 효과를 얻을 수 있다.
도 11은 LED(5) 및 피복 부재(7)의 조합에 의한 휘도 보정 효과를 나타낸 표이다. 가로축은 상대 휘도를 나타낸다. LED(5)로부터 방출된 빛의 휘도가 b1 내지 b4의 네 가지 등급으로 분류되므로, 조합 이전의 휘도는 표에서 나타낸 바와 마찬가지로 b1 내지 b4의 네 가지 등급에 분산되어 있다.
도 9에 나타낸 바처럼, 등급 b1의 LED(5)가 등급 d1의 피복 부재(7)와, 등급 b2는 등급 d2와, b3는 d3와, b4는 d4와 조합될 경우, 모든 등급의 휘도는 도 11의 화살표로 나타낸 것처럼 등급 b1의 휘도로 보정된다.
특히, 가장 어두운 등급 b1이 가장 낮은 혼합 비율(0%)의 등급 d1과 조합되므로, 백색광(Pw)은 색소의 간섭을 받지 않고 피복 부재(7)를 통과한다. 가장 높은 휘도인 등급 b4가 가장 높은 혼합 비율(45%)의 등급 d4와 조합되므로, 백색광(Pw)이 색소의 간섭을 받아 휘도가 등급 b1의 레벨로 감소한다. 결과적으로 모든 백색광은 등급 b1으로 수렴한다.
요구 휘도가 그다지 엄밀한 것이 아니라면, 등급 b1 및 등급 b2가 등급 d1과, 등급 d3가 등급 d2와, 등급 d4가 등급 d3와 혼합된다. 따라서 도 11의 점선 화살표로 나타낸 것처럼 각 등급이 등급 b2로 수렴한다.
도 12는 각 그룹에 대해 본 발명의 LED 장치를 제조하는 단계를 나타낸 사시도이다. 기판(6a) 및 피복 부재(7)상에 각각 장착된 LED(5)는 16개의 그룹 G1 내지 G16으로 나뉘고, 각 그룹마다 케이스(2)에 장착된다. 예컨대 등급 a1, b1인 LED(5)를 케이스(2)에 장착한 후 피복 부재를 케이스(2)에 장착하여 그룹 G1의 LED 장치(1)를 제작한다. LED 장치(1)가 그룹 G2에 속하는 것일 경우, 등급 a2, b1의 LED(5)와 등급 c2의 피복 부재(7)가 케이스(2)에 각각 장착된다. 그 밖의 그룹에 속하는 기타 LED 장치도 같은 방법으로 제조된다.
이하 복수의 LED 장치를 동시에 제조하는 방법에 관하여 설명한다.
도 13은 케이스 어셈블리(10)의 사시도이다. 케이스 어셈블리(10)는 사출 성형에 의해 Mg 합금 등의 금속으로 만들어진다.
케이스 어셈블리(10)는 구획선(dicing line)(13 및 14)에 의해 9개의 LED 장치를 위한 9개의 영역(12)으로 나뉘어진다. 함몰부(2b)는 각 영역(12)의 중심부에 형성된다. 3개의 슬릿(2c)은 케이스 어셈블리(10)를 분리시키지 않도록 양 끝 부분을 제외하고 선(13)에 평행하게 형성된다. 슬릿(2c) 각각은 절연 수지(4)로 충전된다. 함몰부(2b)의 벽은 Ag 도금에 의해 광택 있는 면(2d)으로 가공된다.
다음으로, 기판(6a)에 각각 장착된, 동일한 그룹에 속하는 9개의 LED(5)는 도 14와 같이 함몰부(2b)에 장착된다.
도 15는 피복 부재(7)의 장착 작업을 나타낸 사시도이다. LED(5)의 그룹과 동일한 그룹에 속하는 9개의 피복 부재(7)는, 피복 부재(7)와 동일한 물질로 된 연결 부재(11a)에 의해 연결되어 있다. 예컨대 LED(5)의 그룹이 등급 a4b1인 그룹 G4이면, 어셈블리(11)의 피복 부재(7)의 그룹은 등급 c4d1인 그룹 G4이다.
어셈블리(11)의 피복 부재(7)는 케이스 어셈블리(10)의 함몰부(2b)에 장착되고, 함몰부(2b)의 벽에 접착제로 접착된다. 그 후 연결 부재(11a)를 도구로 잘라낸다.
도 16은 케이스 어셈블리(10d)의 분리 단계를 나타낸 사시도이다. 도 16에서와 같이, 케이스 어셈블리(10)를 구획선(13 및 14)을 따라 잘라내어 개개의 LED 장치(1)를 분리시킨다.
본 발명에서는, 원하는 특성을 얻기 위한 그룹에 속하는 발광 소자 및 피복 부재를 조합한다.
따라서, 발광 소자 장치를 높은 수율로 제조할 수 있다.
본 발명을 특정한 바람직한 실시예와 관련하여 설명하였지만, 이는 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것이 아니며, 이하의 청구 범위에 따라 정의된다.

Claims (9)

  1. 발광 장치의 제조 방법에 있어서,
    발광 소자를 지지 부재 상에 장착하는 단계와,
    투명 수지로 만들어진 복수의 피복 부재(이들 각각은 인 입자 및 휘도 감소 물질 중 하나를 포함함)를 제조하는 단계와,
    상기 발광 소자로부터 방출된 빛의 파장 및 휘도를 측정하는 단계와,
    상기 발광 소자로부터 방출된 빛의 파장 측정치를 등급으로 분류하는 단계와,
    상기 발광 소자로부터 방출된 빛의 휘도 측정치를 등급으로 분류하는 단계와,
    상기 인 입자로부터 방출된 빛의 파장을 등급으로 분류하는 단계와,
    상기 휘도 감소 물질의 혼합 비율을 등급으로 분류하는 단계와,
    상기 발광 소자의 등급 및 상기 피복 부재의 등급을 원하는 특성에 따라 그룹으로 분류하는 단계와,
    상기 발광 소자와 상기 피복 부재를 조합하는 단계와,
    동일한 그룹에 속하는 발광 소자 및 피복 부재를 케이스에 장착하는 단계
    를 포함하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 인 입자 및 휘도 감소 물질 모두는 동일한 피복 부재내에 포함되어 있는 것인 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 휘도 감소 물질은 색소인 것인 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 발광 소자는 발광 소자 유닛의 제작을 위해 기판상에 장착되는 것인 방법.
  5. 발광 장치의 제조 방법에 있어서,
    복수의 발광 소자 유닛의 제작을 위해 기판상에 발광 소자를 장착하는 단계와,
    상기 발광 소자 유닛의 장착을 위한 복수의 영역을 갖는 케이스 어셈블리를 제조하는 단계와,
    투명 수지로 만들어진 복수의 피복 부재(이들 각각은 인 입자 및 휘도 감소 물질 중 하나를 포함함)를 제조하는 단계와,
    상기 발광 소자 유닛 각각의 발광 소자로부터 방출된 빛의 파장 및 휘도를 측정하는 단계와,
    상기 발광 소자로부터 방출된 빛의 파장 측정치를 등급으로 분류하는 단계와,
    상기 발광 소자로부터 방출된 빛의 휘도 측정치를 등급으로 분류하는 단계와,
    상기 인 입자로부터 방출된 빛의 파장을 등급으로 분류하는 단계와,
    상기 휘도 감소 물질의 혼합 비율을 등급으로 분류하는 단계와,
    상기 발광 소자 유닛의 등급 및 상기 피복 부재의 등급을 원하는 특성에 따라 그룹으로 분류하는 단계와,
    상기 발광 소자 유닛의 등급 및 상기 피복 부재를 그룹으로 분류하는 단계와,
    동일한 그룹에 속하는 발광 소자 유닛 및 피복 부재를 상기 케이스 어셈블리의 영역에 장착하는 단계와,
    각각 발광 소자 유닛을 갖는 영역을 상기 케이스 어셈블리로부터 분리하는 단계
    를 포함하는 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 피복 부재는 서로 연결되어 피복 부재 어셈블리를 형성하고, 상기 피복 부재 각각은 상기 케이스 어셈블리의 영역에 대응되는 위치에 배치되는 것인 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 피복 부재 어셈블리의 피복 부재는 동일한 그룹에 속하는 것인 방법.
  8. 제5항에 있어서, 상기 영역 각각은 자신의 중앙 부분에 함몰부를 가지고, 상기 발광 소자 유닛은 상기 함몰부의 바닥에 장착되며, 상기 피복 부재는 상기 함몰부 내에 장착되는 것인 방법.
  9. 제5항에 있어서,
    금속으로 상기 케이스 어셈블리를 제조하는 단계와,
    상기 영역을 행렬로 배열하는 단계와,
    상기 영역 각각에 함몰부를 형성하는 단계와,
    병렬로 배열된 영역 내에 슬릿(slit)을 형성하는 단계와,
    상기 슬릿 내에 수지를 충전(充塡)하는 단계와,
    상기 케이스 어셈블리로부터 상기 영역을 분리하는 단계
    를 더 포함하는 것인 방법.
KR1020030066199A 2002-09-26 2003-09-24 발광 장치의 제조 방법 KR100576571B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002282023A JP4201167B2 (ja) 2002-09-26 2002-09-26 白色発光装置の製造方法
JPJP-P-2002-00282023 2002-09-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040027378A true KR20040027378A (ko) 2004-04-01
KR100576571B1 KR100576571B1 (ko) 2006-05-08

Family

ID=31973324

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030066199A KR100576571B1 (ko) 2002-09-26 2003-09-24 발광 장치의 제조 방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6858456B2 (ko)
EP (1) EP1403936A3 (ko)
JP (1) JP4201167B2 (ko)
KR (1) KR100576571B1 (ko)
CN (1) CN1266781C (ko)
TW (1) TWI237400B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100807015B1 (ko) * 2005-08-16 2008-02-25 가부시끼가이샤 도시바 발광 장치

Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7518158B2 (en) 2003-12-09 2009-04-14 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices and submounts
US7339198B2 (en) * 2004-01-16 2008-03-04 Yu-Nung Shen Light-emitting diode chip package body and packaging method thereof
US7553683B2 (en) * 2004-06-09 2009-06-30 Philips Lumiled Lighting Co., Llc Method of forming pre-fabricated wavelength converting elements for semiconductor light emitting devices
US7256057B2 (en) * 2004-09-11 2007-08-14 3M Innovative Properties Company Methods for producing phosphor based light sources
KR101142519B1 (ko) * 2005-03-31 2012-05-08 서울반도체 주식회사 적색 형광체 및 녹색 형광체를 갖는 백색 발광다이오드를채택한 백라이트 패널
JP4862274B2 (ja) * 2005-04-20 2012-01-25 パナソニック電工株式会社 発光装置の製造方法及び該発光装置を用いた発光装置ユニットの製造方法
JP4692059B2 (ja) * 2005-04-25 2011-06-01 パナソニック電工株式会社 発光装置の製造方法
WO2006126817A1 (en) 2005-05-24 2006-11-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Green phosphor of thiogallate, red phosphor of alkaline earth sulfide and white light emitting device thereof
US7294861B2 (en) * 2005-06-30 2007-11-13 3M Innovative Properties Company Phosphor tape article
US20070001182A1 (en) * 2005-06-30 2007-01-04 3M Innovative Properties Company Structured phosphor tape article
KR100724591B1 (ko) 2005-09-30 2007-06-04 서울반도체 주식회사 발광 소자 및 이를 포함한 ｌｅｄ 백라이트
US7344952B2 (en) * 2005-10-28 2008-03-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Laminating encapsulant film containing phosphor over LEDs
CN101313048B (zh) * 2005-11-24 2012-06-20 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有固态荧光材料的显示器件
US8323529B2 (en) 2006-03-16 2012-12-04 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Fluorescent material and light emitting diode using the same
JP4980640B2 (ja) * 2006-03-31 2012-07-18 三洋電機株式会社 照明装置
TWI313943B (en) * 2006-10-24 2009-08-21 Chipmos Technologies Inc Light emitting chip package and manufacturing thereof
JP5132960B2 (ja) * 2007-03-19 2013-01-30 シチズン電子株式会社 発光ダイオードの製造方法及び光源
JP4455620B2 (ja) * 2007-07-17 2010-04-21 東芝モバイルディスプレイ株式会社 表示装置の製造方法及び色バランス調整方法
KR100903308B1 (ko) * 2007-08-10 2009-06-16 알티전자 주식회사 발광 다이오드 패키지
US8531126B2 (en) 2008-02-13 2013-09-10 Canon Components, Inc. White light emitting apparatus and line illuminator using the same in image reading apparatus
WO2009118985A2 (en) * 2008-03-25 2009-10-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emitting device, and method and apparatus for manufacturing same
US8038497B2 (en) * 2008-05-05 2011-10-18 Cree, Inc. Methods of fabricating light emitting devices by selective deposition of light conversion materials based on measured emission characteristics
KR101431711B1 (ko) * 2008-05-07 2014-08-21 삼성전자 주식회사 발광 장치 및 발광 시스템의 제조 방법, 상기 방법을이용하여 제조한 발광 장치 및 발광 시스템
US7988311B2 (en) * 2008-06-30 2011-08-02 Bridgelux, Inc. Light emitting device having a phosphor layer
US20110116520A1 (en) * 2008-07-07 2011-05-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Eye-safe laser-based lighting
TWI608760B (zh) 2008-11-13 2017-12-11 行家光電有限公司 形成螢光粉轉換發光元件之方法
KR101081246B1 (ko) * 2008-11-21 2011-11-08 엘지이노텍 주식회사 발광 장치 및 그 제조방법
KR20100093981A (ko) * 2009-02-17 2010-08-26 엘지이노텍 주식회사 라이트 유닛
JP5612355B2 (ja) * 2009-07-15 2014-10-22 株式会社Ｋａｎｚａｃｃ メッキ構造及び電気材料の製造方法
DE102009036621B4 (de) 2009-08-07 2023-12-21 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauteil
TWI454179B (zh) * 2009-08-11 2014-09-21 Canon Components Kk A white light emitting device for an image reading device, and a linear lighting device using the same
DE102009048401A1 (de) 2009-10-06 2011-04-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil
JP2011096936A (ja) * 2009-10-30 2011-05-12 Alpha- Design Kk 半導体発光ディバイス製造装置
TWI494553B (zh) 2010-02-05 2015-08-01 Samsung Electronics Co Ltd 評估ｌｅｄ光學性質之設備及方法以及製造ｌｅｄ裝置之方法
EP2541631A4 (en) * 2010-02-25 2015-03-18 Lightizer Korea Co Ltd LIGHT EMITTING DIODE AND METHOD OF MANUFACTURE
WO2011129615A2 (ko) * 2010-04-13 2011-10-20 Park Jae-Soon 발광 모듈 및 발광 모듈의 제조 방법
JP5437177B2 (ja) 2010-06-25 2014-03-12 パナソニック株式会社 発光装置
JP2012009793A (ja) * 2010-06-28 2012-01-12 Panasonic Corp 発光装置、バックライトユニット、液晶表示装置及び照明装置
JP6131048B2 (ja) 2010-10-12 2017-05-17 ローム株式会社 Ｌｅｄモジュール
JP5886584B2 (ja) 2010-11-05 2016-03-16 ローム株式会社 半導体発光装置
CN102072439B (zh) * 2010-11-05 2012-11-21 深圳市华星光电技术有限公司 光源模块以及背光装置
US8901578B2 (en) 2011-05-10 2014-12-02 Rohm Co., Ltd. LED module having LED chips as light source
JP5390566B2 (ja) * 2011-07-14 2014-01-15 シャープ株式会社 発光素子の生産装置およびその生産方法、発光モジュールの生産装置およびその生産方法、発光モジュール、光源装置、液晶表示装置
JP5341154B2 (ja) * 2011-08-31 2013-11-13 株式会社フジクラ 高演色性発光ダイオードランプユニット
US8748847B2 (en) 2011-12-23 2014-06-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing white light emitting device (LED) and apparatus measuring phosphor film
JP6034175B2 (ja) 2012-01-10 2016-11-30 ローム株式会社 Ｌｅｄモジュール
JP2017011098A (ja) * 2015-06-22 2017-01-12 日亜化学工業株式会社 発光装置
WO2018016047A1 (ja) * 2016-07-21 2018-01-25 サンケン電気株式会社 発光装置
JP6888292B2 (ja) * 2016-12-21 2021-06-16 日亜化学工業株式会社 パッケージ、発光装置、発光装置の製造方法
CN108336206B (zh) * 2017-12-29 2020-07-31 华灿光电股份有限公司 一种发光二极管显示器的制造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09330611A (ja) * 1996-06-11 1997-12-22 Canon Inc 画像読取装置及び光源ユニット
CN1534803B (zh) * 1996-06-26 2010-05-26 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司 具有发光变换元件的发光半导体器件
TW383508B (en) * 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
WO1998034285A1 (fr) * 1997-01-31 1998-08-06 Matsushita Electronics Corporation Element electroluminescent, dispositif electroluminescent a semiconducteur, et leur procede de production
US6319425B1 (en) * 1997-07-07 2001-11-20 Asahi Rubber Inc. Transparent coating member for light-emitting diodes and a fluorescent color light source
US6351069B1 (en) * 1999-02-18 2002-02-26 Lumileds Lighting, U.S., Llc Red-deficiency-compensating phosphor LED
US6504301B1 (en) * 1999-09-03 2003-01-07 Lumileds Lighting, U.S., Llc Non-incandescent lightbulb package using light emitting diodes
JP2001222242A (ja) * 2000-02-10 2001-08-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光ダイオードを用いたディスプレイ
JP4066620B2 (ja) * 2000-07-21 2008-03-26 日亜化学工業株式会社 発光素子、および発光素子を配置した表示装置ならびに表示装置の製造方法
EP1187226B1 (en) * 2000-09-01 2012-12-26 Citizen Electronics Co., Ltd. Surface-mount type light emitting diode and method of manufacturing same
US20020063520A1 (en) * 2000-11-29 2002-05-30 Huei-Che Yu Pre-formed fluorescent plate - LED device
TW490863B (en) * 2001-02-12 2002-06-11 Arima Optoelectronics Corp Manufacturing method of LED with uniform color temperature

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100807015B1 (ko) * 2005-08-16 2008-02-25 가부시끼가이샤 도시바 발광 장치

Also Published As

Publication number Publication date
JP4201167B2 (ja) 2008-12-24
CN1501519A (zh) 2004-06-02
EP1403936A2 (en) 2004-03-31
KR100576571B1 (ko) 2006-05-08
EP1403936A3 (en) 2006-07-05
JP2004119743A (ja) 2004-04-15
US6858456B2 (en) 2005-02-22
US20040090161A1 (en) 2004-05-13
TWI237400B (en) 2005-08-01
TW200406075A (en) 2004-04-16
CN1266781C (zh) 2006-07-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100576571B1 (ko) 발광 장치의 제조 방법
US7180240B2 (en) White light emitting device having corrected distributions of chromaticity and luminance
EP2400567B1 (en) Phosphor selection for a Light-Emitting Device
KR100448416B1 (ko) 발광 다이오드
US7075225B2 (en) White light emitting device
US20070001188A1 (en) Semiconductor device for emitting light and method for fabricating the same
JP2007066969A (ja) 白色発光ダイオード装置とその製造方法
US9115852B2 (en) Method for producing a plurality of LED illumination devices and a plurality of LED chipsets for illumination devices, and LED illumination device
JP5580100B2 (ja) 半導体発光装置の製造方法または半導体発光ダイオードの製造方法
JP7179923B2 (ja) 発光装置および調色装置
JP2010103349A (ja) 発光装置の製造方法
KR20130084506A (ko) 발광소자 패키지 및 그 제조방법
US12033990B2 (en) Multi-color phosphor converted LED package with single cavity
JP2004253745A (ja) パステルｌｅｄの作成方法
US8476653B2 (en) Light-emitting diode package
JP5657012B2 (ja) 発光ダイオード及びその製造方法
JP2005056885A (ja) 半導体発光装置の製造方法
CN113497012B (zh) 一种类太阳光谱封装结构及其制备方法
KR102497138B1 (ko) Led들 및 다색 인광체들
CN213278113U (zh) 一种广色域全彩发光器件
JP2007288125A (ja) 発光装置
JP2007251193A (ja) 発光ダイオード及びそれを用いた表示装置
JP2014064046A (ja) 発光装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130404

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140401

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170330

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180328

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190328

Year of fee payment: 14