KR100903308B1 - 발광 다이오드 패키지 - Google Patents

발광 다이오드 패키지 Download PDF

Info

Publication number
KR100903308B1
KR100903308B1 KR1020070080701A KR20070080701A KR100903308B1 KR 100903308 B1 KR100903308 B1 KR 100903308B1 KR 1020070080701 A KR1020070080701 A KR 1020070080701A KR 20070080701 A KR20070080701 A KR 20070080701A KR 100903308 B1 KR100903308 B1 KR 100903308B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
led chip
substrate
light emitting
emitting diode
sub
Prior art date
Application number
KR1020070080701A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20090016217A (ko
Inventor
김동수
최화경
Original Assignee
알티전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 알티전자 주식회사 filed Critical 알티전자 주식회사
Priority to KR1020070080701A priority Critical patent/KR100903308B1/ko
Priority to US12/187,838 priority patent/US20090039381A1/en
Priority to JP2008204470A priority patent/JP2009044157A/ja
Publication of KR20090016217A publication Critical patent/KR20090016217A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100903308B1 publication Critical patent/KR100903308B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32153Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H01L2224/32175Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate the item being metallic
    • H01L2224/32188Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate the item being metallic the layer connector connecting to a bonding area protruding from the surface of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/0132Binary Alloys
    • H01L2924/01327Intermediate phases, i.e. intermetallics compounds
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06Polymers
    • H01L2924/078Adhesive characteristics other than chemical

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

개시된 발광 다이오드 패키지는 복수의 서브 패턴이 절연 접착제에 의해 서로 접착된 기판과, 기판 상에 실장되며, 기판과 전기적으로 연결되는 LED 칩 및 LED 칩을 덮는 몰딩캡을 포함할 수 있다. 이와 같은 구조의 발광 다이오드 패키지에 의하면, 구조의 단순화뿐만 아니라, LED 칩으로부터 외부로 발광되는 빛의 경로 상에 장애물이 없어 LED 칩의 광효율을 향상시킬 수 있는 효과를 제공할 수 있다.
발광 다이오드 패키지

Description

발광 다이오드 패키지{LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE}
본 발명은 발광 기구에 관한 것으로서, 특히 각종 전자기기의 표시용 램프 등에 사용되는 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다.
정보통신의 발달과 더불어 화합물 반도체 기술의 발전은 새로운 빛의 혁명을 예고하고 있다.
LED(light emitting diode)로 잘 알려진 발광 다이오드는 전자 제품에서 문자나 숫자 등을 표시하기 위한 것으로, 반도체의 p-n 접합부에 전류가 흐르면 빛을 내는 금속간 화합물 접합 다이오드를 말한다.
도 1은 종래 일반적인 발광 다이오드 패키지를 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 발광 다이오드 패키지(10)는 리드 프레임(lead frame;11)과, 상기 리드 프레임 상에 실장된 LED 칩(chip;12)과, LED 칩(12)으로부터 발생된 열을 외부로 방출하기 위한 히트 싱크(heat sink;13)와, 리드 프레임(11)과 LED 칩(12)을 전기적으로 연결하는 와이어(wire;14)와, 상기 LED 칩(12) 상부가 개방되도록 리드 프레임(11)을 둘러싸는 하우징(housing;15) 및 상기 개방된 LED 칩(12) 상부를 덮는 밀봉부(16)를 포함할 수 있다.
상기 하우징(15)은 고분자 수지에 의하여 사출과정을 통해 마련되는데, 최근에는 LED 칩(12)으로부터 발광되는 빛의 휘도 등과 같은 광특성을 향상시키기 위하여 하우징(15) 상부의 개구부 내면을 리드 프레임(11)과 소정 각도가 되도록 비스듬히 형성하고 있다.
상기와 같은 구조를 갖는 발광 다이오드(10)는 LED 칩(12)으로부터 외부를 향해 빛이 출사될 때, 광 경로에 마련된 하우징(15)에 의하여 빛이 흡수되거나, 하우징에 의해 광 경로가 변환됨에 따라 광효율이 저하되는 문제점이 있다.
본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위한 것으로, LED 칩으로부터 출사된 빛의 광효율을 향상시킬 수 있는 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 발광 다이오드 패키지는 복수의 서브 패턴이 절연 접착제에 의하여 결합된 기판과, 상기 기판 상에 실장되며, 상기 기판과 전기적으로 연결되는 LED 칩 및 상기 LED 칩을 덮는 밀봉캡을 포함할 수 있다.
상기 발광 다이오드 패키지는 전도성 프레임에 복수의 서브 패턴을 패터닝한 후, 인쇄방식 등에 의해 절연 접착제로 서브 패턴들을 결합시켜 서브 패턴들 사이에 절연된 기판을 형성한다.
상기와 같은 기판 상에 LED 칩을 실장하고, 몰딩캡에 의해 LED 칩을 덮어 외부로부터 보호하는 과정을 포함함에 의해 발광 다이오드 패키지를 제조할 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 전극으로서의 기능을 갖는 서브 패턴들을 서로 절연되도록 결합하여 LED 칩이 실장되는 기판을 마련하고, 상기 LED 칩을 밀봉캡으로 밀봉함으로써 LED 칩으로부터 발광되는 빛의 경로에 장애물을 제거할 수 있어, 종래 하우징에 의한 광 흡수 및 광 경로 변환에 따른 광효율 저하를 방지 할 수 있는 효과를 제공할 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판을 나타낸 평면도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 나타낸 사시도이다..
도 2 및 도 3을 참조하면, 발광 다이오드 패키지(100)는 기판(110)과, 상기 기판(110) 상에 실장되는 LED 칩(130) 및 상기 LED 칩(130)을 덮는 몰딩캡(molding cap;150)을 포함할 수 있다.
상기 기판(110)은 복수의 서브 패턴(sub pattern;111)으로 이루어지며, 상기 복수의 서브 패턴(111)은 절연 접착제(120)에 의하여 서로 접합될 수 있다.
상기 서브 패턴(111)들이 접합된 기판(110)의 중심부에는 주변부보다 두께가 얇아 단턱이 지는 캡 안착부(112)가 형성될 수 있다.
상기 서브 패턴(111)들 각각은 전극으로서의 기능을 가지며, 서로 쇼트(short)가 나지 않도록 서로 절연된 상태이다.
상기 서브 패턴(111)들의 수는 상기 기판(110) 상에 실장되는 LED 칩(130)의 전기적 접속 방식 및 연결 방법에 따라 결정될 수 있다.
예컨데, 복수의 LED 칩(130)이 직렬로 접속되는 경우와 병렬로 접속되는 경우에 따라 그 수가 달라질 수 있다.
또한 서브 패턴(111)과 LED 칩(130)의 전기적 연결 방식이 도시된 바와 같이 전도성 와이어(wire;140)에 의해 간접적으로 연결되는가 또는 LED 칩(130)이 직접적으로 서브 패턴(111)에 연결되는가에 따라 서브 패턴(111)의 수가 변경될 수 있 다.
이는 각 LED 칩(130)이 (+)전극과 (-)전극으로 상기 서브 패턴(111)을 이용하기 때문이다.
상기 몰딩캡(150)은 LED 칩(130)을 외부로부터 보호함과 동시에 LED 칩(130)으로부터 발광된 빛을 외부의 넓은 범위로 분산시키기 위한 렌즈로서의 기능을 할 수 있다.
상기 몰딩캡(150)은 빛의 광각(廣角) 분산을 위해 타원형의 형태를 가질 수 있고, 빛의 균일도 향상이나 혼색성 향상 등을 위해 콘(corn) 형태나 상면이 오목한 형태 등을 가질 수 있다.
상기 몰딩캡(150)은 상기 캡 안착부(112) 상에 안착되며, 상기 캡 안착부(112)의 단턱에 의해 고정되어 외부 충격 등에 의해 위치 이동을 방지할 수 있다.
상기와 같은 구조의 발광 다이오드 패키지(100)에 의하면, LED 칩(130)으로부터 외부로 발광되는 빛의 경로 상에 하우징(미도시)과 같은 장애물이 없어 LED 칩(130)의 광효율을 향상시킬 수 있는 효과를 제공할 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 제조방법을 순차적으로 나타낸 순서도이다.
도 5a 내지 도 5f는 발광 다이오드 패키지의 제조방법을 순차적으로 나타낸 도면이다.
도 4의 S1 및 도 5a를 참조하면, 전도성 프레임(250)에 기판 패턴(210')이 열과 행으로 복수개가 형성되도록 패터닝한다.
상기 기판 패턴(210')은 서로 이격된 서브 패턴(211)들과, 전도성 프레임(250)과의 연결부(213) 및 서브 패턴(211)들 각각을 분리하는 분리부(212)로 이루어질 수 있다.
상기 기판 패턴(210')은 상기 서브 패턴(211)들과, 연결부(213) 및 분리부(212)의 외곽선 형성에 의하여 패터닝될 수 있고, 중심부가 주변부보다 두께가 얇아 단턱이 생김으로서 캡 안착부(212)가 형성될 수 있다.
상기 기판 패턴(210')은 예컨대, 스템핑(stamping) 가공으로 형성될 수 있다.
기판 패턴(210')은 설계에 따라 여러가지 형태가 가능하며, 도면에 도시된 m 및 n의 형태는 기판 패턴(210')의 일례를 제시한 것일 뿐, 그것에 한정되는 것은 아니다.
도 4의 S2 및 도 5b를 참조하면, 상기 기판 패턴(210')의 형성과 더불어 상기 분리부(212)와 동일한 형태의 개구부(310)가 형성된 마스크(300)를 마련한다.
상기 개구부(310)는 상기 분리부(212)와 중첩되는 위치의 마스크(300) 상에 형성된다.
상기 S1와 S2 단계는 서로 그 순서가 바뀔 수도 있고, 동시에 진행될 수도 있다.
도 4의 S3 및 도 5c를 참조하면, 상기 서브 패턴(211)들을 접착하여 기판(210)을 형성하기 위해, 상기 전도성 프레임(250)과 상기 마스크(300)를 중첩시 킨 후, 절연 접착제(215)를 인쇄 방식 등에 의하여 기판 패턴(210')의 분리부(212)에 도포한다.
즉, 기판 패턴(210')의 분리부(212)에 마스크(300)의 개구부(310)가 대응하도록 전도성 프레임(250) 상에 마스크(300)를 중첩시킨 후, 마스크(300) 상에 절연 접착제(215)를 도포하여 개구부(310)를 통해 분리부(212)로 절연 접착제(215)가 충진되게 하여 서브 패턴(211)들이 서로 접착되게 한다.
상기와 같은 과정에 의해 전도성 프레임(250) 상에 형성된 기판 패턴(210')은 비로소 기판(210)이 된다.
도 4의 S4 및 도 5d를 참조하면, 적정한 수의 LED 칩(220)을 기판(210) 상에 실장하고, 기판(210)과 LED 칩(220)이 전기적으로 연결되도록 한다.
상기 기판(210)과 LED 칩(220) 사이의 전기적 연결은 2개의 전도성 와이어(230)에 의해 LED 칩(220)이 실장된 서브 패턴(211) 및 인접한 서브 패턴(211)에 각각 접속시킬 수 있다.
상기 전기적 연결은 도면에 도시된 것에 한정되는 것은 아니다.
예컨대, 서브 패턴(211) 상에 실장된 LED 칩(220)이 인접한 서브 패턴(211)과는 와이어에 의하여 연결되고, 실장된 서브 패턴(211)과는 직접 연결될 수 있다.
또한, 실장된 서브 패턴(211)에만 직접 연결될 수도 있는데, 이 경우에는 상기의 서브 패턴(211)과 달리 서브 패턴(211)의 구조가 변경되어 서브 패턴(211) 내에 (+) 및 (-) 전극이 형성되어야 한다.
도 4의 S5과, 도 5e 및 도 5f를 참조하면, LED 칩(220)을 외부로부터 보호하 고, 빛의 광각 분산을 위해 기판(210) 상에 몰딩캡(240)을 형성하는데, 상기 몰딩캡(240)은 사출기(600)로부터 기판(210) 상의 캡 안착부(214)에 고분자 수지 등의 공급에 의해 형성된다.
마지막으로, 복수의 기판(210)을 커팅(cutting)하여 도시된 바와 같은 발광 다이오드 패키지(200)를 완성할 수 있다.
상기와 같은 과정에 의하여 발광 다이오드 패키지를 제조하게 되면, 구조의 단순화뿐만 아니라, LED 칩으로부터 외부로 발광되는 빛의 경로 상에 장애물이 없어 LED 칩의 광효율을 향상시킬 수 있는 효과를 제공할 수 있다.
도 1은 종래 발광 다이오드 패키지를 나타낸 단면도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판을 나타낸 평면도.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 나타낸 사시도.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 제조방법을 순차적으로 나타낸 순서도.
도 5a 및 도 5f는 발광 다이오드 패키지의 제조방법을 순차적으로 나타낸 도면.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
100,200... 발광 다이오드 패키지 110,210... 기판
111,211... 서브 패턴 112,214... 캡 안착부
113,215... 절연 접착제 130.220... LED 칩
140,230... 와이어 150,240... 몰딩캡
210'... 기판 패턴 300... 마스크
310... 개구부

Claims (8)

  1. LED 칩이 실장되고, 복수의 서브 패턴이 절연 접착제에 의해 서로 접착되며, 상기 LED 칩이 실장되는 중심부가 주변부에 의해 둘러싸지도록 단턱이 져 캡 안착부가 형성된 기판; 및
    상기 LED 칩을 덮도록 상기 캡 안착부에 안착되며, 상기 단턱에 의해 위치가 고정되는 몰딩캡을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 몰딩캡의 형상은 타원형과, 콘 형태 및 상면이 오목한 형태 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 서브 패턴들 각각은 상호 독립적인 전극인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
KR1020070080701A 2007-08-10 2007-08-10 발광 다이오드 패키지 KR100903308B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070080701A KR100903308B1 (ko) 2007-08-10 2007-08-10 발광 다이오드 패키지
US12/187,838 US20090039381A1 (en) 2007-08-10 2008-08-07 Light emitting diode package and method of manufacturing the same
JP2008204470A JP2009044157A (ja) 2007-08-10 2008-08-07 発光ダイオードパッケージ及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070080701A KR100903308B1 (ko) 2007-08-10 2007-08-10 발광 다이오드 패키지

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090016217A KR20090016217A (ko) 2009-02-13
KR100903308B1 true KR100903308B1 (ko) 2009-06-16

Family

ID=40345631

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070080701A KR100903308B1 (ko) 2007-08-10 2007-08-10 발광 다이오드 패키지

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20090039381A1 (ko)
JP (1) JP2009044157A (ko)
KR (1) KR100903308B1 (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5692952B2 (ja) * 2007-12-11 2015-04-01 シチズン電子株式会社 発光ダイオード
KR101125296B1 (ko) * 2009-10-21 2012-03-27 엘지이노텍 주식회사 라이트 유닛
WO2011129615A2 (ko) * 2010-04-13 2011-10-20 Park Jae-Soon 발광 모듈 및 발광 모듈의 제조 방법
KR20110115846A (ko) * 2010-04-16 2011-10-24 서울반도체 주식회사 Led 패키지 및 그 제조 방법
CN102339939A (zh) * 2010-07-23 2012-02-01 刘胜 带固定装置的发光二极管器件封装结构

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100726001B1 (ko) * 2006-04-24 2007-06-08 알티전자 주식회사 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000031548A (ja) * 1998-07-09 2000-01-28 Stanley Electric Co Ltd 面実装型発光ダイオードおよびその製造方法
JP3614776B2 (ja) * 2000-12-19 2005-01-26 シャープ株式会社 チップ部品型ledとその製造方法
JP2002252372A (ja) * 2001-02-26 2002-09-06 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード
JP4201167B2 (ja) * 2002-09-26 2008-12-24 シチズン電子株式会社 白色発光装置の製造方法
JP2007158209A (ja) * 2005-12-08 2007-06-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光モジュールとその製造方法
TWI336918B (en) * 2007-05-08 2011-02-01 Nanya Technology Corp Method of manufacturing the shallow trench isolation structure

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100726001B1 (ko) * 2006-04-24 2007-06-08 알티전자 주식회사 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090016217A (ko) 2009-02-13
JP2009044157A (ja) 2009-02-26
US20090039381A1 (en) 2009-02-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2477242B1 (en) Light-emitting device package
KR100818518B1 (ko) Led 패키지
KR102237155B1 (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 라이트 유닛
EP2312657B1 (en) Method of manufacturing light emitting diode device
JP4444822B2 (ja) 表面実装可能な小型発光ダイオードおよび/またはフォトダイオードおよび該ダイオードを製造するための方法
KR102606852B1 (ko) 발광 소자
US20070246729A1 (en) High efficiency LED package
CN101587933A (zh) 发光二极管的晶圆级封装结构及其制造方法
KR20120094279A (ko) 발광소자 패키지 및 그 제조방법
US9735320B2 (en) LED packages and manufacturing method thereof
KR100903308B1 (ko) 발광 다이오드 패키지
US9117689B2 (en) Light emitting device and manufacturing method thereof
KR101645009B1 (ko) 방열기판을 갖는 led 패키지
EP2472616B1 (en) Light-emitting device package and method of manufacturing the same
KR101762597B1 (ko) 반도체 발광소자용 기판
KR101647512B1 (ko) 발광소자 패키지 및 그 제조방법
US10763406B2 (en) Semiconductor component comprising a first and a second shaped body and method for producing a semiconductor component comprising a first and a second shaped body
EP2221888B1 (en) Light emitting device package and lighting system including the same
US20170117452A1 (en) Light-emitting device
KR101693545B1 (ko) 전기 컴포넌트 및 전기 컴포넌트들을 생산하기 위한 방법
KR101146656B1 (ko) 광 패키지 및 그 제조 방법
KR101146659B1 (ko) 광 패키지 및 그 제조 방법
KR101806789B1 (ko) 반도체 발광소자
KR101806790B1 (ko) 반도체 발광소자
KR101772551B1 (ko) 반도체 발광 구조물 및 이의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
AMND Amendment
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130610

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140610

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150610

Year of fee payment: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee