JP2877611B2 - 光半導体装置 - Google Patents
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- G—PHYSICS
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- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/10—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、複数の発光素子(ligh
t-emitting diode)が所定の間隔を有して配列されて形
成される光半導体装置で、その点灯、消灯の組合せによ
り所定の情報を表示する光半導体装置に関するものであ
り、特に詳細には、外光の入射光量の変化や見る人の位
置に関係なく明瞭に情報の表示を行うことのできる光半
導体装置に関する。
t-emitting diode)が所定の間隔を有して配列されて形
成される光半導体装置で、その点灯、消灯の組合せによ
り所定の情報を表示する光半導体装置に関するものであ
り、特に詳細には、外光の入射光量の変化や見る人の位
置に関係なく明瞭に情報の表示を行うことのできる光半
導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】複数個の発光素子を外囲器内にマトリッ
クス状に配列して形成された表示単位としての光半導体
装置は、この発光素子を点灯または消灯させることによ
り所定の情報を表示することができる。
クス状に配列して形成された表示単位としての光半導体
装置は、この発光素子を点灯または消灯させることによ
り所定の情報を表示することができる。
【0003】現在、この光半導体装置は、所定数組み合
わされて表示パネル等のような表示装置として屋内ある
いは屋外で広く使用されている。
わされて表示パネル等のような表示装置として屋内ある
いは屋外で広く使用されている。
【0004】例えば、これらの表示装置は、高速道路の
道路情報をドライバーに提供するために高速道路の路肩
等に設置されたり、また列車の発車および到着時刻の案
内を利用者に提供するために駅構内に設置されたりして
いる。
道路情報をドライバーに提供するために高速道路の路肩
等に設置されたり、また列車の発車および到着時刻の案
内を利用者に提供するために駅構内に設置されたりして
いる。
【0005】図2Aは、従来の表示装置の表示単位とし
ての光半導体装置1の平面図である。この表示単位1
は、9個の発光素子2から構成されている。この発光素
子(light-emitting diode:LED)2は、外囲器3内に規
則正しくマトリックス状に配列されている。外囲器3内
の発光素子2の間には、発光素子2を外囲器3内に固定
するための樹脂4が充填されている。
ての光半導体装置1の平面図である。この表示単位1
は、9個の発光素子2から構成されている。この発光素
子(light-emitting diode:LED)2は、外囲器3内に規
則正しくマトリックス状に配列されている。外囲器3内
の発光素子2の間には、発光素子2を外囲器3内に固定
するための樹脂4が充填されている。
【0006】図2Bは、図2Aに示した光半導体装置1
のA−A′線に沿った断面図である。この光半導体装置
1を複数個組合せて平面上に配列することにより、例え
ば上記した駅構内の列車情報を表示する表示装置を形成
することができる。
のA−A′線に沿った断面図である。この光半導体装置
1を複数個組合せて平面上に配列することにより、例え
ば上記した駅構内の列車情報を表示する表示装置を形成
することができる。
【0007】図3Aは、従来の光半導体装置1を複数個
組合せて作られた表示装置7の平面図である。図3B
は、図3Aに示した表示装置7のB−B′線に沿った断
面図である。
組合せて作られた表示装置7の平面図である。図3B
は、図3Aに示した表示装置7のB−B′線に沿った断
面図である。
【0008】図3Aに示した表示装置7を、例えば屋外
に設置した場合、太陽光線は発光素子2、即ちLEDラ
ンプに直接入射する。この場合、LEDランプ2が点灯
しているか、消灯しているかの区別がつきにくくなり、
その結果表示情報を認識できないという問題点があっ
た。
に設置した場合、太陽光線は発光素子2、即ちLEDラ
ンプに直接入射する。この場合、LEDランプ2が点灯
しているか、消灯しているかの区別がつきにくくなり、
その結果表示情報を認識できないという問題点があっ
た。
【0009】この問題を解決するために、従来では、例
えば、図2Bに示したように、光半導体装置1内の外囲
器3の一部にルーバー5を設け外光がLEDランプ2上
に直接に入射しないようにしていた。
えば、図2Bに示したように、光半導体装置1内の外囲
器3の一部にルーバー5を設け外光がLEDランプ2上
に直接に入射しないようにしていた。
【0010】これにより、LEDランプ2が消灯時に、
外光がLEDランプ2や樹脂4上に入射されにくくな
り、発光素子2の点灯時の光量と消灯時の外光の反射光
量との差が大きくなる。即ち、光半導体装置全体として
の明るさのコントラストが大きくなる。したがって、良
好な表示が可能となる。
外光がLEDランプ2や樹脂4上に入射されにくくな
り、発光素子2の点灯時の光量と消灯時の外光の反射光
量との差が大きくなる。即ち、光半導体装置全体として
の明るさのコントラストが大きくなる。したがって、良
好な表示が可能となる。
【0011】しかしながら、表示装置7を構成する場合
に、光半導体装置1をマトリックス状に配列する。外光
の影響を抑えるため外囲器5に設けられるルーバー5の
長さを長くすると、特に表示装置における上下方向の視
認性が損なわれることになる。このため、表示装置の設
置場所や表示部分の大きさ等によっては、ルーバー5の
長さを短くしなければならない場合がある。例えば、図
2A,2Bに示した光半導体装置を用いて作られた表示
装置の場合、B方向から見ると、LEDランプ2が見に
くくなる場合がある。そのため、ルーバー5の長さを短
くする必要が生じる。
に、光半導体装置1をマトリックス状に配列する。外光
の影響を抑えるため外囲器5に設けられるルーバー5の
長さを長くすると、特に表示装置における上下方向の視
認性が損なわれることになる。このため、表示装置の設
置場所や表示部分の大きさ等によっては、ルーバー5の
長さを短くしなければならない場合がある。例えば、図
2A,2Bに示した光半導体装置を用いて作られた表示
装置の場合、B方向から見ると、LEDランプ2が見に
くくなる場合がある。そのため、ルーバー5の長さを短
くする必要が生じる。
【0012】このような場合には、ルーバー5は外光を
十分に遮光することができず、LEDランプ2の点灯時
と消灯時における特定方向に対するコントラストが悪化
していた。
十分に遮光することができず、LEDランプ2の点灯時
と消灯時における特定方向に対するコントラストが悪化
していた。
【0013】また、発光素子2を外囲器に固定するため
の樹脂4は、一般に粘性の低いものが用いられている。
つまり、粘性の高い樹脂を用いた場合、この樹脂を発光
素子2の周囲に流し込み固化させる際に、発光素子2の
周辺で空洞が生じるのを避けるためである。ところが、
粘性の低い樹脂4を用いた場合、その表面が鏡面にな
る。その結果、外光が樹脂4の表面に入射した場合、特
定方向に反射するので、表示情報を認識できないという
問題があった。
の樹脂4は、一般に粘性の低いものが用いられている。
つまり、粘性の高い樹脂を用いた場合、この樹脂を発光
素子2の周囲に流し込み固化させる際に、発光素子2の
周辺で空洞が生じるのを避けるためである。ところが、
粘性の低い樹脂4を用いた場合、その表面が鏡面にな
る。その結果、外光が樹脂4の表面に入射した場合、特
定方向に反射するので、表示情報を認識できないという
問題があった。
【0014】このような不具合に対する対策として、L
EDランプ2における外光の反射にあっては、LEDラ
ンプ2の形状を変えることによって、ある程度は反射光
を抑えることが可能となる。しかしながら、充填される
樹脂4に対しては有効な対策が実施されていなかった。
EDランプ2における外光の反射にあっては、LEDラ
ンプ2の形状を変えることによって、ある程度は反射光
を抑えることが可能となる。しかしながら、充填される
樹脂4に対しては有効な対策が実施されていなかった。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
主に屋外用の表示装置に使用される従来の光半導体装置
1にあっては、外囲器3に設けられた遮光用のルーバー
5の長さは長くできず、そのため外囲器内に充填される
樹脂4の表面での外光の反射が強まり、光半導体装置即
ち表示装置が見にくいという欠点があった。
主に屋外用の表示装置に使用される従来の光半導体装置
1にあっては、外囲器3に設けられた遮光用のルーバー
5の長さは長くできず、そのため外囲器内に充填される
樹脂4の表面での外光の反射が強まり、光半導体装置即
ち表示装置が見にくいという欠点があった。
【0016】そこで、本発明は上記した従来の光半導体
装置の有する問題点を解決するためになされたものであ
る。
装置の有する問題点を解決するためになされたものであ
る。
【0017】本発明の目的とするところは、外部から入
射する外光が特定方向へ反射しないような構造を有し、
表示装置の点灯時の輝度と消灯時の輝度との差であるコ
ントラストを向上させた、また、見る者が表示情報を正
確にまた明瞭に認識することのできる表示機能を有する
光半導体装置を提供することにある。
射する外光が特定方向へ反射しないような構造を有し、
表示装置の点灯時の輝度と消灯時の輝度との差であるコ
ントラストを向上させた、また、見る者が表示情報を正
確にまた明瞭に認識することのできる表示機能を有する
光半導体装置を提供することにある。
【0018】
【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ため、本発明の光半導体装置の好適な一実施例として
は、基板と、前記基板上に所定の配列で配列された複数
の発光素子と、前記基板および発光素子を収納する外囲
器と、前記基板上および前記外囲器と前記発光素子との
間に充填され、該発光素子を前記基板および外囲器との
間に固定するための第1の層と、前記第1の層上に形成
された第2の層から構成され、前記第2の層は、その露
出表面が入射してくる外光を乱反射させるように微細な
凹凸の形状で形成されていることを特徴とする光半導体
装置である。
ため、本発明の光半導体装置の好適な一実施例として
は、基板と、前記基板上に所定の配列で配列された複数
の発光素子と、前記基板および発光素子を収納する外囲
器と、前記基板上および前記外囲器と前記発光素子との
間に充填され、該発光素子を前記基板および外囲器との
間に固定するための第1の層と、前記第1の層上に形成
された第2の層から構成され、前記第2の層は、その露
出表面が入射してくる外光を乱反射させるように微細な
凹凸の形状で形成されていることを特徴とする光半導体
装置である。
【0019】特に、前記第2の層はさらに入射してくる
外光を吸収できるように黒色の部材で形成されているこ
と、を特徴としている。
外光を吸収できるように黒色の部材で形成されているこ
と、を特徴としている。
【0020】また、前記第1の層は、前記発光素子の放
射する光を反射することのできる高反射率の部材から形
成され、前記第2の層は、さらに入射してくる外光を吸
収できるように黒色の部材で形成されていること、を特
徴としている。
射する光を反射することのできる高反射率の部材から形
成され、前記第2の層は、さらに入射してくる外光を吸
収できるように黒色の部材で形成されていること、を特
徴としている。
【0021】また、前記第1の層と前記第2の層の境界
線は、前記基板の位置から見て前記発光素子内の発光部
の位置より高い位置に形成されていること、を特徴とし
ている。
線は、前記基板の位置から見て前記発光素子内の発光部
の位置より高い位置に形成されていること、を特徴とし
ている。
【0022】本発明の光半導体装置の他の好適な一実施
例としては、基板と、前記基板上に所定の配列で配列さ
れた複数の発光素子と、前記基板および発光素子を収納
する外囲器と、前記基板上および前記外囲器と前記発光
素子との間に充填され、該発光素子を前記基板および外
囲器との間で固定するための層とからなり、前記層は、
その露出表面が入射してくる外光を乱反射させるように
凹凸の形状で形成されていることを特徴とする光半導体
装置である。
例としては、基板と、前記基板上に所定の配列で配列さ
れた複数の発光素子と、前記基板および発光素子を収納
する外囲器と、前記基板上および前記外囲器と前記発光
素子との間に充填され、該発光素子を前記基板および外
囲器との間で固定するための層とからなり、前記層は、
その露出表面が入射してくる外光を乱反射させるように
凹凸の形状で形成されていることを特徴とする光半導体
装置である。
【0023】また、前記層はさらに入射してくる外光を
吸収できるように黒色の部材で形成されていること、を
特徴としている。
吸収できるように黒色の部材で形成されていること、を
特徴としている。
【0024】さらにまた、前記層は、前記発光素子の放
射する光を反射することのできる高反射率の部材から形
成されていること、を特徴としている。
射する光を反射することのできる高反射率の部材から形
成されていること、を特徴としている。
【0025】
【作用】上記した本発明の光半導体装置の構成において
外囲器内に充填された第1の層上に積層された第2の層
により該第2の層の表面に入射する外光は特定方向に反
射されることなく、乱反射され、または吸収される。
外囲器内に充填された第1の層上に積層された第2の層
により該第2の層の表面に入射する外光は特定方向に反
射されることなく、乱反射され、または吸収される。
【0026】
【実施例】以下、本発明の光半導体装置の実施例を図面
を参照しながら説明する。
を参照しながら説明する。
【0027】図1は、本発明の第1実施例に関する光半
導体装置の断面図である。
導体装置の断面図である。
【0028】図1において、光半導体装置10は、プリ
ント基板11上に接続された複数の発光素子例えばLE
Dランプ12が外囲器13内にマトリックス状に配置収
納されているLEDランプ12の一部周囲に第1層の樹
脂14が充填されている。また、この第1実施例の特徴
とするところの第2層の光散乱用部材15が第1層の樹
脂14上に接合されて形成されている。即ち、LEDラ
ンプ12の照射部分を除くLEDランプ12の一部周囲
は、第1層の樹脂14と第2層の光散乱部材15との2
層の積層構造で形成されている。
ント基板11上に接続された複数の発光素子例えばLE
Dランプ12が外囲器13内にマトリックス状に配置収
納されているLEDランプ12の一部周囲に第1層の樹
脂14が充填されている。また、この第1実施例の特徴
とするところの第2層の光散乱用部材15が第1層の樹
脂14上に接合されて形成されている。即ち、LEDラ
ンプ12の照射部分を除くLEDランプ12の一部周囲
は、第1層の樹脂14と第2層の光散乱部材15との2
層の積層構造で形成されている。
【0029】次に本実施例の光半導体装置の形成方法に
関して図4A,4B,4Cを参照して説明する。
関して図4A,4B,4Cを参照して説明する。
【0030】図4Aは、図1に光半導体装置の平面図、
図4Bは図1に示した第2層の光散乱部材15の断面
図、図4Cは図1に示した第1層の樹脂層14の平面図
である。この第1層としての樹脂層14の四隅には、第
2層である光散乱部材15の突起部16を入れるための
穴16Hが設けられている。
図4Bは図1に示した第2層の光散乱部材15の断面
図、図4Cは図1に示した第1層の樹脂層14の平面図
である。この第1層としての樹脂層14の四隅には、第
2層である光散乱部材15の突起部16を入れるための
穴16Hが設けられている。
【0031】この積層構造の第2層目としての光散乱部
材15は、図4Bに示すように、樹脂14に接合した面
と反対の表面15A、即ち大気と接する面が細かな凹凸
となるように加工されて形成されている。加工方法とし
ては、様々な方法が挙げられるが、例えば金型の一方の
面に微細な粒状物を付着させ、この金型に軟化した光散
乱部材15としての樹脂を注入して形成する方法があ
る。
材15は、図4Bに示すように、樹脂14に接合した面
と反対の表面15A、即ち大気と接する面が細かな凹凸
となるように加工されて形成されている。加工方法とし
ては、様々な方法が挙げられるが、例えば金型の一方の
面に微細な粒状物を付着させ、この金型に軟化した光散
乱部材15としての樹脂を注入して形成する方法があ
る。
【0032】このようにして形成された光散乱用部材1
5は、第1層の樹脂14が外囲器13内の発光素子12
間に充填されて硬化する前に、光散乱用部材15の裏面
に設けられた突出部16を樹脂14中に押圧挿入して仮
固定させ、その後樹脂14の硬化により樹脂14に固定
されて、外囲器13内に配置固定される。
5は、第1層の樹脂14が外囲器13内の発光素子12
間に充填されて硬化する前に、光散乱用部材15の裏面
に設けられた突出部16を樹脂14中に押圧挿入して仮
固定させ、その後樹脂14の硬化により樹脂14に固定
されて、外囲器13内に配置固定される。
【0033】上記したように、光散乱部材15の露出表
面15Aが凹凸となるように加工されているため、光散
乱部材15の表面に入射された外光は乱反射されて、特
定方向へ反射することはなくなる。さらに、第2層の光
散乱部材15を黒色とすることで、外光を吸収するの
で、第2層の表面15Aでの反射光量を低減することが
できる。これらにより、LEDランプ12の消灯時に外
光が光半導体装置に入射されても、光半導体装置全体と
しての反射光が小さくなり、LEDランプ12の点灯時
の光量と消灯時の外光の反射光量とにおける装置全体の
光量の差が向上することになる。したがって、このよう
な光半導体装置10をマトリックス状に配列して形成さ
れる表示装置においては、従来の表示装置のように見に
くいということなく、明瞭な表示を行うことができるよ
うになる。
面15Aが凹凸となるように加工されているため、光散
乱部材15の表面に入射された外光は乱反射されて、特
定方向へ反射することはなくなる。さらに、第2層の光
散乱部材15を黒色とすることで、外光を吸収するの
で、第2層の表面15Aでの反射光量を低減することが
できる。これらにより、LEDランプ12の消灯時に外
光が光半導体装置に入射されても、光半導体装置全体と
しての反射光が小さくなり、LEDランプ12の点灯時
の光量と消灯時の外光の反射光量とにおける装置全体の
光量の差が向上することになる。したがって、このよう
な光半導体装置10をマトリックス状に配列して形成さ
れる表示装置においては、従来の表示装置のように見に
くいということなく、明瞭な表示を行うことができるよ
うになる。
【0034】なお、上記第1実施例では光散乱用部材1
5を樹脂により形成したが、本発明はこれに限ることな
く、例えば金属であってもよい。また、第2層の充填部
材15の裏面に突出部16を設けずに、第1層の充填部
材14と第2層の充填部材15とを例えば接着剤で接合
させるようにしてもよい。
5を樹脂により形成したが、本発明はこれに限ることな
く、例えば金属であってもよい。また、第2層の充填部
材15の裏面に突出部16を設けずに、第1層の充填部
材14と第2層の充填部材15とを例えば接着剤で接合
させるようにしてもよい。
【0035】図5はこの発明の第2の実施例に係る光半
導体装置20の断面構造を示す図である。なお、図5及
び以下に示す図6及び図7において、図1と同符号のも
のは同一の構成要素であり、その説明は省略する。
導体装置20の断面構造を示す図である。なお、図5及
び以下に示す図6及び図7において、図1と同符号のも
のは同一の構成要素であり、その説明は省略する。
【0036】図5に示す実施例の特徴とするところは、
LEDランプ12の照射部分を除いた一部周囲に樹脂1
7を充填し、充填された樹脂17の露出表面17Aを凹
凸となるように加工したことにある。このような、樹脂
17等の充填部材の表面17Aを直接梨地加工する方法
としては、例えば充填された樹脂17が軟化状態の時
に、テープ状の布地を樹脂17の表面17Aに押圧して
被覆させ、樹脂17が軟化した後この布を取り去ること
によって布の網目模様を樹脂表面17Aに転写し、表面
を細かな凹凸状に加工形成する方法がある。
LEDランプ12の照射部分を除いた一部周囲に樹脂1
7を充填し、充填された樹脂17の露出表面17Aを凹
凸となるように加工したことにある。このような、樹脂
17等の充填部材の表面17Aを直接梨地加工する方法
としては、例えば充填された樹脂17が軟化状態の時
に、テープ状の布地を樹脂17の表面17Aに押圧して
被覆させ、樹脂17が軟化した後この布を取り去ること
によって布の網目模様を樹脂表面17Aに転写し、表面
を細かな凹凸状に加工形成する方法がある。
【0037】上記した方法によって得られる光半導体装
置20は、前述した第1実施例の光半導体装置10と同
様の効果を得ることができる。
置20は、前述した第1実施例の光半導体装置10と同
様の効果を得ることができる。
【0038】図6はこの発明の第3実施例に係る光半導
体装置30の断面構造を示す図である。
体装置30の断面構造を示す図である。
【0039】図6に示す第3実施例の光半導体装置30
の特徴とするところは、前述した第2の実施例の光半導
体装置20に対して、充填される樹脂18の表面18A
上に第2層としての微粒状の黒色樹脂層19を樹脂18
の充填直後に散布することにより、樹脂18の表面上の
黒色樹脂層19の表面を凹凸状に加工形成したことにあ
る。このような実施例にあっても、前述した実施例の光
半導体装置10,20と同様の効果を得ることが可能で
あり、散布後に粒状物を取り除いても同様な効果が得ら
れる。
の特徴とするところは、前述した第2の実施例の光半導
体装置20に対して、充填される樹脂18の表面18A
上に第2層としての微粒状の黒色樹脂層19を樹脂18
の充填直後に散布することにより、樹脂18の表面上の
黒色樹脂層19の表面を凹凸状に加工形成したことにあ
る。このような実施例にあっても、前述した実施例の光
半導体装置10,20と同様の効果を得ることが可能で
あり、散布後に粒状物を取り除いても同様な効果が得ら
れる。
【0040】図7はこの発明の第4の実施例に係る光半
導体装置40の断面構造を示す図である。
導体装置40の断面構造を示す図である。
【0041】図7に示す実施例の光半導体装置40の特
徴とするところは、第1の実施例の光半導体装置10に
対して、第2層としての充填部材22を粘性の高い樹脂
で形成し、その露出表面22Aを凹凸の形状に加工した
ことにある。凹凸の加工方法は、前述した方法を適用す
ることが可能であり、また、他の方法として、例えば微
粒状のガラスやシリカ等が混合された樹脂を表面に塗布
するようにしてもよい。また。ガラス繊維状の金属で第
2層を形成してもよい。なお、この方法は前述した実施
例に適用してもよい。
徴とするところは、第1の実施例の光半導体装置10に
対して、第2層としての充填部材22を粘性の高い樹脂
で形成し、その露出表面22Aを凹凸の形状に加工した
ことにある。凹凸の加工方法は、前述した方法を適用す
ることが可能であり、また、他の方法として、例えば微
粒状のガラスやシリカ等が混合された樹脂を表面に塗布
するようにしてもよい。また。ガラス繊維状の金属で第
2層を形成してもよい。なお、この方法は前述した実施
例に適用してもよい。
【0042】本実施例の光半導体装置にあっても、前述
した実施例の光半導体装置10,20,30と同様の効
果を得ることができる。
した実施例の光半導体装置10,20,30と同様の効
果を得ることができる。
【0043】図8は、本発明の第5実施例に関する光半
導体装置50の断面図である。同図において、第1層と
しての成層領域の充填部材24を例えば白色の樹脂を用
いることにより光反射率を高めるようにしてもよい。こ
のような場合には、発光素子の側部及び底部から照射さ
れる光を発光素子の前面12Fに取り出すことが可能と
なり、発光素子の輝度が強くなり、その結果表示された
情報を認識し易くすることができる。本実施例の場合、
図8に示すように、ペレット29の位置L1は、第1層
と第2層との境界の高さL2より小さくなるように設定
する必要がある。
導体装置50の断面図である。同図において、第1層と
しての成層領域の充填部材24を例えば白色の樹脂を用
いることにより光反射率を高めるようにしてもよい。こ
のような場合には、発光素子の側部及び底部から照射さ
れる光を発光素子の前面12Fに取り出すことが可能と
なり、発光素子の輝度が強くなり、その結果表示された
情報を認識し易くすることができる。本実施例の場合、
図8に示すように、ペレット29の位置L1は、第1層
と第2層との境界の高さL2より小さくなるように設定
する必要がある。
【0044】なお、本発明の第1実施例の光半導体装置
10において、第1の樹脂層14と第2の層15を強固
に接合するための突起部16及び穴部16Hの形状は円
柱状であった。
10において、第1の樹脂層14と第2の層15を強固
に接合するための突起部16及び穴部16Hの形状は円
柱状であった。
【0045】しかし、本発明はこの形状に限定されるこ
とはなく、第1の層と第2の層との接合の強さをさらに
強化するため、例えば、図9に示すように、第2の層2
8の突起部26の断面形状は第1の樹脂層に向かって三
角形状となるように形成してもよい。
とはなく、第1の層と第2の層との接合の強さをさらに
強化するため、例えば、図9に示すように、第2の層2
8の突起部26の断面形状は第1の樹脂層に向かって三
角形状となるように形成してもよい。
【0046】本実施例の第1の樹脂層27が完全に固化
すると、第2の層28と第1の樹脂層27とは、前述し
た第1実施例の光半導体装置の第1の樹脂層14と第2
の層15の結合の強さよりもさらに強くなり、互いに剥
がれにくくなる。また、この発明の装置をマトリックス
状に配列した表示装置を構成した際に、見る角度により
表示された情報が損なわれない程度にルーバーを外囲器
13に設けてもよい。
すると、第2の層28と第1の樹脂層27とは、前述し
た第1実施例の光半導体装置の第1の樹脂層14と第2
の層15の結合の強さよりもさらに強くなり、互いに剥
がれにくくなる。また、この発明の装置をマトリックス
状に配列した表示装置を構成した際に、見る角度により
表示された情報が損なわれない程度にルーバーを外囲器
13に設けてもよい。
【0047】以上説明したように、この発明によれば、
発光素子を収納する外囲器に充填された充填部材の露出
表面を、入射光散乱または吸収できる層により形成した
ので、充填部材の露出表面に入射する外光が特定方向へ
反射するのを抑制することが可能となる。これにより、
発光素子の点灯時と消灯時における装置全体としての表
示情報の認識が容易となり明瞭な表示を達成し得る光半
導体装置を提供することができる。
発光素子を収納する外囲器に充填された充填部材の露出
表面を、入射光散乱または吸収できる層により形成した
ので、充填部材の露出表面に入射する外光が特定方向へ
反射するのを抑制することが可能となる。これにより、
発光素子の点灯時と消灯時における装置全体としての表
示情報の認識が容易となり明瞭な表示を達成し得る光半
導体装置を提供することができる。
【0048】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光半導体
装置によれば、発光素子を収納する外囲器に充填された
充填部材の露出表面を、入射光を効率よく散乱または散
乱吸収するように形成したので、充填部材の露出表面に
入射する外光の特定方向への反射を抑制することが可能
となる。これにより、発光素子の点灯時と消灯時におけ
る装置全体としての明るさのコントラスが高められ、視
認性を損なうことなく良好な表示を達成し得る光半導体
装置を提供することができる。
装置によれば、発光素子を収納する外囲器に充填された
充填部材の露出表面を、入射光を効率よく散乱または散
乱吸収するように形成したので、充填部材の露出表面に
入射する外光の特定方向への反射を抑制することが可能
となる。これにより、発光素子の点灯時と消灯時におけ
る装置全体としての明るさのコントラスが高められ、視
認性を損なうことなく良好な表示を達成し得る光半導体
装置を提供することができる。
【図1】本発明の第1実施例である光半導体装置の断面
図である。
図である。
【図2】従来の光半導体装置の構成図である。
【図3】図2に示した光半導体装置を複数個配列して形
成された従来の表示装置の構成図である。
成された従来の表示装置の構成図である。
【図4】図1に示した光半導体装置の構成図である。
【図5】本発明の第2実施例である光半導体装置の断面
図である。
図である。
【図6】本発明の第3実施例である光半導体装置の断面
図である。
図である。
【図7】本発明の第4実施例である光半導体装置の断面
図である。
図である。
【図8】本発明の第5実施例である光半導体装置の断面
図である。
図である。
【図9】本発明の第1実施例である光半導体装置の突起
部の変形例である。
部の変形例である。
10 光半導体装置 11 プリント基板 12 LEDランプ 13 外囲器 14 第1層の樹脂 15 第2層の光散乱部材 16 穴(突起部)
Claims (6)
- 【請求項1】 基板と、 前記基板上に所定の配列で配列された複数の発光素子
と、 前記基板および発光素子を収納する外囲器と、 前記基板上および前記外囲器と前記発光素子との間に充
填され、該発光素子を前記基板および外囲器との間に固
定するための第1の層と、 前記第1の層上に形成された第2の層から構成され、 前記第2の層は、その露出表面が入射してくる外光を乱
反射させるように微細な凹凸の形状で形成されているこ
とを特徴とする光半導体装置。 - 【請求項2】 前記第1の層は、前記発光素子の放射す
る光を反射することのできる高反射率の部材から形成さ
れ、 前記第2の層は、さらに入射してくる外光を吸収できる
ように黒色の部材で形成されていることを特徴とする請
求項1に記載の光半導体装置。 - 【請求項3】 前記第1の層と前記第2の層の境界線
は、前記基板の位置から見て前記発光素子内の発光部の
位置より高い位置に形成されていることを特徴とする請
求項1に記載の光半導体装置。 - 【請求項4】 基板と、 前記基板上に所定の配列で配列された複数の発光素子
と、 前記基板および発光素子を収納する外囲器と、 前記基板上および前記外囲器と前記発光素子との間に充
填され、該発光素子を前記基板および外囲器との間に固
定するための第1の層と、 前記第1の層上に黒色の部材で形成され、その露出表面
は入射してくる外光を乱反射させる第2の層とからな
り、 前記第2の層の裏面の所定の位置には突起部が、前記第
1の層の前記突起部に対応する位置には前記突起部を入
れる穴がそれぞれ設けられ、前記突起部と前記穴の接触
により前記第1の層と前記第2の層を接合することを特
徴とする光半導体装置。 - 【請求項5】 前記突起部の形状が、円柱状であること
を特徴とする請求項4記載の光半導体装置。 - 【請求項6】 前記突起部の断面形状が、前記第1の層
に向かって三角形状であることを特徴とする請求項4記
載の光半導体装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4117489A JP2877611B2 (ja) | 1991-06-07 | 1992-05-11 | 光半導体装置 |
US08/215,971 US5382811A (en) | 1991-06-07 | 1994-03-18 | High contrast LED matrix |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13683291 | 1991-06-07 | ||
JP3-136832 | 1991-06-07 | ||
JP4117489A JP2877611B2 (ja) | 1991-06-07 | 1992-05-11 | 光半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05152606A JPH05152606A (ja) | 1993-06-18 |
JP2877611B2 true JP2877611B2 (ja) | 1999-03-31 |
Family
ID=26455584
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4117489A Expired - Fee Related JP2877611B2 (ja) | 1991-06-07 | 1992-05-11 | 光半導体装置 |
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Country | Link |
---|---|
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JP (1) | JP2877611B2 (ja) |
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---|---|---|---|---|
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US5793130A (en) * | 1997-02-07 | 1998-08-11 | Anderson; Marty J. | Miniature electric generator and lighting apparatus |
JP2001094154A (ja) * | 1999-09-14 | 2001-04-06 | Kohyo Kagi Kofun Yugenkoshi | 発光ダイオードユニットの製造方法 |
JP2002232014A (ja) * | 2001-02-05 | 2002-08-16 | Seiwa Electric Mfg Co Ltd | 発光ダイオードランプ |
KR20020079087A (ko) * | 2001-04-13 | 2002-10-19 | 주식회사한영전자 | 표시등의 발광다이오드 보호 구조 |
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US7868903B2 (en) * | 2004-10-14 | 2011-01-11 | Daktronics, Inc. | Flexible pixel element fabrication and sealing method |
US8344410B2 (en) | 2004-10-14 | 2013-01-01 | Daktronics, Inc. | Flexible pixel element and signal distribution means |
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JP2007333949A (ja) | 2006-06-14 | 2007-12-27 | Dow Corning Toray Co Ltd | 表示装置及びその製造方法並びにその視認性改善方法 |
US7909482B2 (en) * | 2006-08-21 | 2011-03-22 | Innotec Corporation | Electrical device having boardless electrical component mounting arrangement |
GB0623611D0 (en) * | 2006-11-27 | 2007-01-03 | Barco Nv | A method to provide a display panel |
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US8408773B2 (en) * | 2007-03-19 | 2013-04-02 | Innotec Corporation | Light for vehicles |
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WO2009076579A2 (en) | 2007-12-12 | 2009-06-18 | Innotec Corporation | Overmolded circuit board and method |
US7815339B2 (en) | 2008-01-09 | 2010-10-19 | Innotec Corporation | Light module |
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US8628203B2 (en) * | 2008-07-22 | 2014-01-14 | Universal Entertainment Corporation | Lighting device using light-emitting diode and gaming machine including the lighting device |
DE112013002944T5 (de) | 2012-06-13 | 2015-02-19 | Innotec, Corp. | Flexibler Hohllichtleiter |
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KR20140044103A (ko) * | 2012-10-04 | 2014-04-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
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DE102016124525B4 (de) * | 2016-12-15 | 2023-08-10 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Modul mit Leuchtdiodenchips und Verfahren zum Herstellen eines Moduls mit einer Mehrzahl von Leuchtdiodenchips |
JP7190890B2 (ja) * | 2018-12-07 | 2022-12-16 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置 |
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JPH0434551Y2 (ja) * | 1985-09-02 | 1992-08-17 | ||
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1992
- 1992-05-11 JP JP4117489A patent/JP2877611B2/ja not_active Expired - Fee Related
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- 1994-03-18 US US08/215,971 patent/US5382811A/en not_active Expired - Lifetime
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---|---|
JPH05152606A (ja) | 1993-06-18 |
US5382811A (en) | 1995-01-17 |
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